TW201534747A - 延伸的前驅物氣體注入方法 - Google Patents

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TW201534747A
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Hammond, Iv
Tsutomu Tanaka
Eric Ruhland
Christopher T Lane
Hari K Ponnekanti
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Abstract

本揭露內容的實施例係關於在線內處理工具中的處理腔室內將前驅物通過線性電漿源而傳送。在本揭露內容的一個實施例中，相較於第一處理氣體被引入至噴嘴出氣口(第二處理氣體被引入噴嘴出氣口)的位置，第一處理氣體被引入至更接近基板平面的位置，其中有處理(例如介電薄膜的沉積)係欲發生於基板平面上。

Description

延伸的前驅物氣體注入方法
本揭露內容的實施例一般而言與用於將一或更多種處理氣體傳送至處理腔室的裝置與方法相關。更精確而言，本揭露內容的實施例係關於在線內處理工具中的處理腔室內將前驅物通過線性電漿源而傳送。
線內處理工具可被使用以在基板(例如太陽能電池)上以連續的方式沉積材料持續幾十到幾百個小時。然而，當使用電漿源以沉積介電材料時，大量的介電薄膜會累積在處理工具的內表面上。尤其是，電漿源內的噴嘴區域(受激物種從其擴散)的範圍在很短的時間內會逐漸受限。電極的受曝光表面(電功率從其供應而用於產生電漿)可被介電材料的沉積所覆蓋。因此，形成於基板上的介電薄膜的參數連續地浮動且變成無法接受。電漿源可能需要每日清潔以移除沉積。然而，頻繁的清潔將負面地影響沉積工具的生產率。
因此，將會需要用於減少薄膜生成於電漿源上的生成速率且將處理浮動速率降至可接受準位的裝置與方法，因而增加沉積工具的生產率。
本揭露內容的實施例係關於在線內處理工具中的處理腔室內將前驅物通過線性電漿源而傳送。
本揭露內容的一個實施例提供一種氣體傳送組件，該氣體傳送組件包括：一第一氣體傳送元件以及一第二氣體傳送元件，該第一氣體傳送元件用於傳送一第一處理氣體，且該第二氣體傳送元件用於傳送一第二處理氣體。第一氣體傳送元件具有複數個注入孔洞，該等孔洞位於與一基板支撐表面相距一第一距離的位置。第二氣體傳送元件包含：一電極以及一屏蔽組件，該屏蔽組件圍繞該電極。一空腔形成於該電極與該屏蔽組件之間，該空腔的一噴嘴被導引朝向該基板支撐表面，且較該第一氣體傳送元件的該複數個注入孔與該基板支撐表面相距的距離，該噴嘴位於與該基板支撐表面相距的距離來得更遠的位置。
本揭露內容的其他實施例提供一種處理腔室，該處理腔室包含：一腔室主體，該腔室主體至少部分地界定出一腔室容積；一基板轉移組件，該基板轉移組件設置於該腔室容積中，其中該基板轉移組件具有一基板支撐表面且將複數個基板轉移至該基板支撐表面上；以及一或更多個沉積源，該等沉積源設置於該腔室容積之中而在基板支撐表面上方。每一個沉積源包含：一第一氣體傳送元件，該第一氣體傳送元件用於傳送一第一處理氣體，以及一第二氣體傳送元件，該第二氣體傳送元件用於傳送一第二處理氣體。第一氣體傳送元件具有複數個注入孔洞，該等孔洞位於與該基板支撐表 面相距一第一距離的位置。該第二氣體傳送元件包含：一電極；以及一屏蔽組件，該屏蔽組件圍繞該電極。一空腔形成於該電極與該屏蔽組件之間，該空腔的一噴嘴被導引朝向該基板支撐表面，且較該第一氣體傳送元件的該複數個注入孔與該基板支撐表面相距的距離，該噴嘴與該基板支撐表面相距的距離來得更遠。
本揭露內容的另一個其他實施例提供一種用於處理一基板的方法。該方法包含以下步驟：將一基板置於一基板支撐表面上；將一第一處理氣體傳送通過一第一氣體傳送元件，該第一氣體傳送元件具有複數個注入孔，該等注入孔與該基板支撐表面相距一第一距離；將一第二處理氣體同時地傳送通過一第二氣體傳送元件，該第二氣體傳送元件具有一或更多個噴嘴，較該複數個第一注入孔相距於該基板支撐表面的距離，該等噴嘴位於與該基板支撐表面相距的距離來得更遠的位置，藉由將一功率施加於一電極來點燃一電漿，該電極設置於該第二氣體傳送元件的內部。
100‧‧‧線內處理系統
101‧‧‧基板
102‧‧‧腔室壁
105‧‧‧基板接收腔室
106‧‧‧腔室容積
107‧‧‧預處理腔室
109‧‧‧轉移腔室
110‧‧‧支撐構件
111‧‧‧轉移腔室
112‧‧‧滾筒
113‧‧‧皮帶
114‧‧‧緩衝腔室
115‧‧‧輸送帶轉移系統
116‧‧‧基板卸載腔室
121‧‧‧輸送帶
122‧‧‧基板支撐表面
125‧‧‧處理區域
128‧‧‧氣體源
129‧‧‧氣體源
131‧‧‧功率源
140‧‧‧處理腔室
141‧‧‧處理腔室
142‧‧‧處理腔室
145‧‧‧真空幫浦
148‧‧‧氣體線
149‧‧‧氣體線
160A‧‧‧沉積源
160B‧‧‧沉積源
160C‧‧‧沉積源
160D‧‧‧沉積源
161‧‧‧流體氣室
162‧‧‧流體氣室
163‧‧‧注入組件
164‧‧‧噴嘴
165‧‧‧第一距離
166‧‧‧第二距離
181‧‧‧第一氣體傳送元件
182‧‧‧第二氣體傳送元件
2B‧‧‧箭頭
201‧‧‧箭頭
202‧‧‧中心平面
204‧‧‧分歧管
205‧‧‧支架
206‧‧‧流體氣室
207‧‧‧孔洞
208‧‧‧外殼
210‧‧‧電極
214‧‧‧外表面
222‧‧‧容量部
223‧‧‧屏蔽組件
224‧‧‧磁鐵
225‧‧‧磁鐵
226‧‧‧磁鐵
228‧‧‧噴嘴
230‧‧‧注入管件
232‧‧‧內通道
234‧‧‧上開口
236‧‧‧下開口
283‧‧‧靶件
300‧‧‧沉積源
310‧‧‧氣體傳送元件
312‧‧‧進氣口管
314‧‧‧進氣口通道
316‧‧‧分歧管
318‧‧‧流體氣室
320‧‧‧注入孔洞
322‧‧‧距離
324‧‧‧距離
400‧‧‧注入組件
402‧‧‧延伸管
403‧‧‧平面分歧管
404‧‧‧端管
406‧‧‧線性管
408‧‧‧注入孔洞
500‧‧‧注入組件
502‧‧‧延伸管
504‧‧‧平面分歧管
508‧‧‧矩形外框
510‧‧‧注入管
512‧‧‧流體氣室
514‧‧‧注入孔洞
為了詳細地理解本案內容的上述特徵，藉由參考本案內容的實施例(其中一些圖示在附圖中)，可以得到上文所簡要概括的內容的更為具體的描述。然而，應注意的是附圖僅圖示本發明之典型實施例且因此不應被視為對本發明範圍的限制，因為本發明可承認其他具等價有效性的實施例。
第1A圖為根據本揭露內容的一個實施例的基板處理系統的示意性等視角圖。
第1B圖為第1A圖的基板處理系統的示意性部分剖面側視圖，且第1B圖圖示根據本揭露內容的一個實施例的沉積腔室。
第2A圖為根據本揭露內容的一個實施例的沉積源的示意性剖面視圖。
第2B圖為根據本揭露內容的一個實施例的第2A圖的沉積源的示意性剖面視圖。
第3A圖為根據本揭露內容的一個實施例的具有注入組件的沉積源的示意性剖面視圖。
第3B圖為第3A圖的注入組件的示意性剖面圖。
第4A圖為根據本揭露內容的一個實施例的注入組件的示意性透視圖。
第4B圖為第4A圖的注入組件的示意性剖面圖。
第5A圖為根據本揭露內容的一個實施例的注入組件的示意性透視圖。
第5B圖為第5A圖的注入組件的示意性剖面圖。
為使更容易瞭解本發明，在可能的情況下，相同的元件符號會指定在不同圖式中共用之相同元件。需瞭解的是，一實施例中揭示的元件可有益地合併於其他實施例中而無須進一步敘述。
本揭露內容的實施例係關於在線內處理工具中的處理腔室內將前驅物傳送通過線性電漿源。在本揭露內容的一個實施例中，相較於第一處理氣體被引入至噴嘴出氣口(第 二處理氣體被引入噴嘴出氣口)的位置，第一處理氣體被引入至更接近基板平面的位置，其中有處理(例如介電薄膜的沉積)係欲發生於基板平面上。噴嘴出氣口可為電漿源的出氣口。藉由將第一處理氣體的來源置於較接近於基板的位置且進一步將其置於遠離第二處理氣體的噴嘴出氣口的位置，基板上的沉積速率隨第二處理氣體的噴嘴出氣口上的沉積速率的減少而增加。本揭露內容的實施例亦展示額外的益處，例如從增加第二處理氣體流而達到適當的化學計量與薄膜質量。所增加的第二處理氣體流進一步減少在第二處理氣體的噴嘴出氣口的沉積速率。
藉由位在與待處理基板相距不同距離的位置傳送前驅物，本實施例所揭露的內容亦改變不同前驅物的比例，因而致使減量的更昂貴的前驅物的氣流以能減少生產成本。
第1A圖圖示根據本揭露內容的一個實施例的線內處理系統100的示意性等角視圖。線內處理系統100可為用於薄膜堆疊的原位處理的高產量系統，其中薄膜堆疊係用於形成太陽能電池元件的區域。線內處理系統100包含基板接收腔室105、預處理腔室107、至少一個處理腔室，該處理腔室維持在低於大氣壓力的壓力下，例如第一處理腔室140、第二處理腔室141，以及第三處理腔室142，一或更多轉移腔室109與111、緩衝腔室114以及基板卸載腔室116。在處理期間，一系列的基板在真空中或惰性氣體中同時轉移通過處理腔室140、141、142以及線內處理系統100的轉移腔室109、111以防止基板受污染且提升基板產量。線內處理系統100 亦可包含一或更多個支撐構件110，例如控制單元、使用者介面、緩衝，或類似構件。
處理腔室140、141、142可包含，舉例而言，一或更多個電漿增強化學氣相沉積(PECVD)腔室、低壓化學氣相沉積(LPCVD)腔室、原子層沉積(ALD)腔室、電漿增強原子層沉積腔室(PEALD)、物理氣相沉積(PVD)腔室、熱處理腔室(例如RTA或RTO腔室)、基板重新定位腔室(例如翻轉腔室)與/或其他相似的處理腔室。在一個配置中，包含一或更多個鈍化或介電層的一或更多個薄膜堆疊可被沉積於基板上且進一步在線內處理系統100的一或更多個處理腔室140、141、142內被處理。
第1B圖為基板處理系統100的示意性部分剖面側視圖，第1B圖示出根據揭露內容的一個實施例的處理腔室140。
處理腔室140包含腔室壁102，腔室壁102至少部分地圍起腔室容積106以及輸送帶轉移系統115。輸送帶轉移系統115將複數個基板101轉移通過處理腔室140而橫跨腔室容積106。處理腔室140亦包含一或更多個沉積源，例如設置於腔室容積106內的輸送帶轉移系統115之上方的沉積源160A、160B、160C、160D。真空幫浦145可與腔室容積106流體相通。
在一個實施例中，輸送帶121(作為輸送帶轉移系統115之部分)可設置於腔室容積106內以將基板101轉移通過處理腔室140。輸送帶121可包含滾筒112與皮帶113。在將基板101轉移時，皮帶113的上表面形成用於支撐複數 個基板101的基板支撐表面122。
每一個沉積源160A~160D可與氣體源128與129與功率源131相連接。當基板101通過而在沉積源160A~160D下方且鄰近於沉積源160A~160D時，沉積源160A~160D可適於傳送一或更多個處理氣體以在基板101的表面上形成薄膜。氣體線148與149促進氣體從氣體源128、129轉移到沉積源160A~160D。
每一個沉積源160A~160D可包含用於獨立地傳送一或更多個處理氣體的一或更多個氣體傳送元件。如第1B圖所示，每一個沉積源160A~160D包含第一氣體傳送元件181與第二氣體傳送元件182。氣體傳送元件181、182被定位以將處理氣體引導至處理區域125，該處理區域125介於每一個沉積源160A~160D與基板支撐表面122之間。
第一氣體傳送元件181包含流體氣室161，流體氣室161可連接至氣體源129以接收來自氣體源129的處理氣體，且將所接收的氣體傳送通過注入組件163而至處理區域125。注入組件163被定位以在與基板支撐表面122相距第一距離165的位置傳送處理氣體。
第二氣體傳送元件182亦可包含流體氣室162，流體氣室162可連接至氣體源128以接收來自氣體源128的處理氣體，且將所接收的氣體傳送通過一或更多個噴嘴164而至處理區域125。根據本揭露內容的一個實施例，第二氣體傳送元件182可包含兩個群組的噴嘴164，該等噴嘴164設置於第一氣體傳送元件181的對側。兩個群組的噴嘴164可對第 一氣體傳送元件181而呈對襯。在一個實施例中，第二氣體傳送元件182可為具有與功率源131連接的電極的電漿源。
根據本揭露內容的實施例，一或更多個噴嘴164被置於與注入組件163相距第二距離166的位置。藉由將第二氣體傳送元件182的噴嘴164置於與第一氣體傳送元件181的注入組件163相遠離的位置，本揭露內容的實施例提供一種減少來自兩個氣體傳送元件181、182的處理氣體之間的反應作用在接近噴嘴164與注入組件163的位置起反應的工具，因而減少不期望的聚積。
在一個實施例中，第一距離165被安排成較短於第二距離166以促進處理氣體在被置於基板支撐表面122上的基板101上起反應且進一步減少處理氣體在接近噴嘴164位置起反應。在一個實施例中，第一距離可在約10毫米至約50毫米的範圍內，例如約25毫米。
氣體源128與129一般而言被配置成用以提供一或更多個前驅物氣體與/或載送氣體，該等前驅物氣體與/或載送氣體係用於將一膜層透過沉積處理(例如PECVD處理)加以沉積在基板101的表面上。
在處理腔室140中所執行的處理的一個範例中，氣體源128與129之至少一者被配置成將含矽氣體傳送至沉積源160A~160D。含矽氣體可從包含以下氣體的群組中被選擇出：矽烷，乙矽烷，氯矽烷，二氯矽烷，三氯矽烷，二溴矽烷，三甲基矽烷，四甲基矽烷，三-二甲基胺基矽烷(TriDMAS)，四乙氧基矽烷，一氟三乙氧基矽烷，四氯化 矽，四溴化矽，1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷(TMCTS)，二甲基二矽烷(DMDE)，八甲基環四矽氧烷(OMCTS)，甲基二乙氧基矽烷(MDEOS)，雙(叔丁基氨基)矽烷，或它們的組合。含氧氣體可從以下氣體的群組中被選擇出：氧，一氧化二氮，臭氧，以及它們的組合。在一個實施例中，含矽氣體是矽烷且含氧氣體是氧氣。含矽氣體與含氧氣體可在基板101的表面上形成介電層。
在其他的處理順序中(例如在第一處理腔室140中所執行的處理)，氣體源128與129之至少一者被配置成將含矽氣體與含氮氣體傳送至沉積源160A~160D。含氮氣體可為(例如)：雙原子氮，一氧化二氮，或氨。
可預期在一些實施例中，氣體源128與129可適於(獨立地或同時地)提供多個前驅物氣體。在該實施例中，氣體源128、129可為容納有多個前驅物與/或載送氣體源的氣櫃。
可預期沉積源160A~160D中之任何一者可被配置成傳送在如上所列之氣體以外之額外的其他前驅物氣體，該等氣體包含含鋁氣體。沉積源160A~160D(以及被提供至沉積源160A~160D之前驅物氣體)可被用以促進所期望的鈍化層堆疊沉積的形成。亦可預期更多氣體源可被加入處理腔室140以容納更多類型的氣體傳送。
可預期沉積源160A~160D之每一者可適於在基板101上沉積不同的薄膜材料。舉例而言，沉積源160A~160D可適於沉積一或更多個以下材料的薄膜：二氧化矽，氮化矽， 氧化鋁，氮化鋁或類似材料。
第2A圖圖示根據本發明的一個實施例的沉積源160A的示意性剖面視圖。第2A圖沿著以箭頭201所示之基板轉移方向而經剖面。第2B圖為沉積源160A的第二剖面視圖。第2B圖對基板轉移方向垂直剖面。
沉積源160A可包含外殼208。如第2A圖所示，兩個第二氣體傳送元件182與一個第一氣體傳送元件181附接於外殼208。第一氣體傳送元件181可位於垂直於基板支撐表面122的中心平面202中。兩個第二氣體傳送元件182位在第一氣體傳送元件182的對側且以對中心平面202對襯的方式而加以配置。在一個實施例中，第二氣體傳送元件182之每一者可以一角度傾斜朝向中心平面202，以當電漿擴散出各氣體輸送元件182時提供足夠的電漿中的重疊。
第一氣體傳送元件181可包含透過支架205而附接於外殼的分歧管204。流體氣室206可形成在支架205中。分歧管204可為拉長的主體，該主體具有複數個連接至流體氣室206的通孔207。流體氣室206可耦接於氣體源，例如氣體源129。在一個實施例中，分歧管204可被置於垂直於基板支撐表面122的中心平面202中。分歧管204可對與箭頭201所示之基板移動方向垂直的分歧管204的縱向軸方向而被置於基板支撐表面122上方。
複數個注入管230可附接於分歧管204。複數個注入管230從分歧管延伸而朝向基板支撐表面122。每一個注入管230可為界定內通道232的管狀結構。在一個實施例中， 注入管230可為圓形且具有約4毫米至約5毫米的內直徑。每一個內通道232具有上開口234與下開口236，上該口234通過複數個通孔207之相應之一者而與流體氣室206相連接且下開口236面向基板支撐表面122。
在一個實施例中，複數個注入管230可平均地分配而橫跨分歧管204的長度。可替換地，注入管230的間距與/或內直徑可被改變以彌補流體氣室206內的壓力改變，以達到橫跨基板101的均勻的氣體沉積。
第二氣體輸送元件182之每一者可為電漿源，包含電極210與靶件283。電極210可耦接於用於產生電漿的電供應(例如第1B圖中的電供應131)。在一個實施例中，電供應131可為具有頻率範圍介於約20kHz至約500kHz之間(例如約40kHz)的AC電供應。屏蔽組件223可置於電極210與靶件283周圍且形成圍繞電極210與靶件283周圍的空腔222。磁鐵224、225、226可設置成鄰近於屏蔽組件223與電極210。介於磁鐵225、226之間的電磁場會促進電漿形成於空腔222之內。介於磁鐵224、226之間的電磁場有助於將電漿塑形於空腔222內。
電極210的外表面214可由靶件283所覆蓋以防止沉積處理期間任何電漿對電極210的侵蝕。靶件283被當作犧牲材料來使用且可被轟擊，且靶件283的離子可以電漿傳送至處理區域125且對在基板101上形成材料有所貢獻。靶件283可與由沉積源160A所傳送的處理氣體之一者共享共用元件。舉例而言，靶件283可由用於沉積含矽薄膜的晶體矽 所製成。在一個實施例中，形成於基板101上的材料包含少於來自靶材283的原始材料的百分之1。
在操作期間，來自第一氣體源(例如氣體源129)的處理氣體可通過第一氣體傳送元件181的複數個注入管230的下開口236而被引入處理區域125。同時地，來自第二氣體源(例如氣體源128)的反應氣體與/或惰氣被從第二氣體傳送元件182中的空腔222的噴嘴228傳送至處理區域125。磁鐵224、226與電極210會促使由位於處理區域125的處理氣體來形成電漿，藉此感應出位於基板上之處理區域125內的材料沉積。
本揭露內容的實施例將一前驅物的注入點安排成遠離其他前驅物的注入點，因此，將靠近注入點的前驅物的不期望的反應加以減少且減少顆粒的產生。此外，藉由將第一前驅物氣體的注入點移動到較第二前驅物的位置接近於處理中的基板的位置，本揭露內容的實施例可減少第一前驅物與第二前驅物的比例以達到沉積薄膜具相同的組成。舉例而言，當使用矽烷和氮而形成氮化矽時，當矽烷被傳送至比氮更接近基板的位置時，矽烷和氮的比例會減少。舉例而言，矽烷可被傳送通過第一氣體傳送元件181且氮氣可被傳送通過第二氣體傳送元件182。因此，本揭露內容的實施例亦可藉由將昂貴的前驅物傳送至較接近基板的位置以減少昂貴前驅物的用量而減少生產的成本。
本揭露內容的實施例更包含調整氣體傳送元件(例如氣體傳送元件181與/或第二氣體傳送元件182)的數量、 尺寸以及位置以控制薄膜特性(例如厚度、折射率)的均勻性。介於電漿源與氣體注入之間的距離(例如介於第二氣體傳送元件182與第一氣體傳送元件181之間的距離166)可被調整至最佳以使從氣體注入至源件之間達到最大間距。
第3A圖為根據本揭露內容的一個實施例的具有注入組件310的沉積源300的示意性剖面視圖。在第3A圖中，沉積源300沿縱向方向加以剖面且基板101正被轉移進入紙面。第3B圖為注入組件310的示意性剖面。
相似於第2A~2B圖的沉積源160A，沉積源300包含設置於氣體傳送元件310對向的兩個第二氣體傳送元件182。氣體傳送元件310配置成用以將處理氣體從氣體源(例如氣體源129)傳送至接近基板支撐表面122的位置。第二氣體傳送元件182被配置成用以將處理氣體從氣體源(例如氣體源128)傳送至比氣體傳送元件182更遠離基板支撐表面122的位置。
氣體傳送元件310可包含兩個進氣口管312與耦接於兩個進氣管312之間的分歧管316。進氣管312可耦接於沉積源300的外殼或外框(未示)且向下延伸而朝向基板支撐表面122以將分歧管316置於與基板支撐表面122相距一距離322的位置。分歧管316可以平行基板支撐表面122的方式配置。每一個進氣管312可包含形成於其內的進氣口通道314。進氣口通道314可連接至氣體源(例如氣體源129)。分歧管316可包含與進氣管312的進氣通道314相連接的流體氣室318。複數個注入孔320可被形成而通過分歧管316 且面向下。在一個實施例中，複數個注入孔320可具有相同的直徑。在一個實施例中，複數個注入孔320可均勻地分配而橫跨分歧管316。可替換地，注入孔320的複數個間距與/或尺寸可被改變以彌補流體氣室318內的流體壓力改變以達到均勻的沉積。
操作期間，來自氣體源129的處理氣體可被傳送通過進氣口通道314、流體氣室318以及複數個注入孔320而至基板101上方的處理區域125。注入孔320接近於基板支撐表面122(相距一距離322)。同時地，來自氣體源128的處理氣體被傳送通過第二氣體傳送元件182的容量部222而朝向處理區域125。如第3A圖所示，第二氣體傳送元件182比氣體傳送元件310的注入孔320更遠離基板支撐表面122。第二氣體傳送元件182與氣體傳送元件310的注入孔320相距一距離324。在一個實施例中，距離324比距離322還長以減少不期望的介於處理氣體之間(尤其是接近第二氣體傳送元件182)的反應。
第4A圖為根據本揭露內容之一個實施例的注入組件400的示意性透視圖。第4B圖為注入組件400的示意性剖面圖。相似於第3A~3B圖的注入組件310，注入組件400可被使用以將處理氣體的注入孔延伸而接近正被在被處理的基板。注入組件400包含兩個或更多個耦接於平面分歧管403的延伸管402。平面分歧管403可具有複數個注入孔408。延伸管402可耦接於任何氣體傳送組件以將一個處理氣體的傳送路徑向下延伸。
在一個實施例中，平面分歧管403可包含複數個耦接於兩個端管404之間的線性管406。複數個注入孔408可被分配於複數個線性管406之中。線性管406可被配置而橫跨基板支撐表面且垂直於基板移動方向201以覆蓋基板101的整個寬度。
在一個實施例中，複數個注入孔408可具有相同的直徑。在一個實施例中，複數個注入孔408可均勻地分佈而橫跨平面分歧管403。可替換地，注入孔408的複數個間距與/或尺寸可被改變以彌補傳送路徑內的流體壓力的改變。
第5A圖為根據本所揭露的內容的一個實施例的注入組件500的示意性透視圖。第5B圖為注入組件500的示意性剖面圖。相似於注入組件400，注入組件500包含兩個或更多個耦接於平面分歧管504的延伸管502。平面分歧管504可具有矩形外框508與複數個連接於矩形外框508之間的注入管510。注入管510可沿著基板轉移方向201而設置。流體氣室512可被形成而通過矩形外框508與注入管510。複數個注入孔514被形成而通過注入管510與/或矩形外框508且與流體氣室512相連接。複數個注入孔514的間距與/或尺寸可被改變以彌補流體氣室512內的流體壓力的改變。
即便本揭露內容的實施例以使用於線內工具的線性電漿源的文本討論如上，根據本揭露內容的用於傳送前驅物的裝置與方法仍可使用於任何合適的處理腔室中。
即便本揭露內容的實施例以沉積的文本討論如上，本揭露內容的裝置與方法仍可使用於任何合適的處理(在該 處理中，多於一個處理氣體被傳送至處理腔室)中。
雖然前述係關於本發明所揭露的實施例，所揭露的內容的其他或進一步的實施例可被發明而不超出如下述申請專利範圍所決定出的本發明之基本範圍。
101‧‧‧基板
122‧‧‧基板支撐表面
125‧‧‧處理區域
128‧‧‧氣體源
129‧‧‧氣體源
131‧‧‧功率源
160A‧‧‧沉積源
160B‧‧‧沉積源
160C‧‧‧沉積源
160D‧‧‧沉積源
161‧‧‧流體氣室
162‧‧‧流體氣室
163‧‧‧注入組件
164‧‧‧噴嘴
165‧‧‧第一距離
166‧‧‧第二距離
181‧‧‧第一氣體傳送元件
182‧‧‧第二氣體傳送元件
2B‧‧‧箭頭
201‧‧‧箭頭
202‧‧‧中心平面
204‧‧‧分歧管
205‧‧‧支架
206‧‧‧流體氣室
207‧‧‧孔洞
208‧‧‧外殼
210‧‧‧電極
214‧‧‧外表面
222‧‧‧容量部
223‧‧‧屏蔽組件
224‧‧‧磁鐵
225‧‧‧磁鐵
226‧‧‧磁鐵
228‧‧‧噴嘴
230‧‧‧注入管件
232‧‧‧內通道
234‧‧‧上開口
236‧‧‧下開口
283‧‧‧靶件

Claims (20)

  1. 一種氣體傳送組件，該氣體傳送組件包括：一第一氣體傳送元件，該第一氣體傳送元件用於傳送一第一處理氣體，其中該第一氣體傳送元件具有複數個注入孔洞，該等孔洞位於與一基板支撐表面相距一第一距離的位置；以及一第二氣體傳送元件，該第二氣體傳送元件用於傳送一第二處理氣體，其中該第二氣體傳送元件包含：一電極；以及一屏蔽組件，該屏蔽組件圍繞該電極，其中一空腔形成於該電極與該屏蔽組件之間，該空腔的一噴嘴被導引朝向該基板支撐表面，且該噴嘴與該基板支撐表面相距的距離較該第一氣體傳送元件的該複數個注入孔與該基板支撐表面相距的距離來得更遠。
  2. 如請求項1所述之氣體傳送組件，其中該空腔的該噴嘴位於與該第一氣體傳送元件的該複數個注入孔相距一第二距離的位置，且該第一距離較該第二距離來得短。
  3. 如請求項1所述之氣體傳送組件，其中該第一氣體組件包含：一分歧管，該分歧管具有一流體氣室；以及複數個注入管，該等注入管從該分歧管延伸而朝向該基板支撐表面，其中每一個注入管具有一內通道，該內通道具 有一第一端與一第二端，該第一端與該流體氣室相連接且該第二端作為該複數個注入孔之一者。
  4. 如請求項3所述之氣體傳送組件，其中該複數個注入管沿著該分歧管均勻地分佈。
  5. 如請求項3所述之氣體傳送組件，其中該複數個注入管的間距與/或內直徑是多樣的。
  6. 如請求項1所述之氣體傳送組件，其中該第一氣體組件包含：兩個或更多個延伸管，其中每一個延伸管具有一第一端與一第二端，該第一端用於與一氣體源相連接；以及一分歧管，該分歧管耦接於該兩個或更多個延伸管的該等第二端，其中該複數個注入孔被形成通過該分歧管。
  7. 如請求項6所述之氣體傳送組件，其中該分歧管為一線性管。
  8. 如請求項6所述之氣體傳送組件，其中該分歧管為一平面分歧管且包含：兩個端管，該等端管與該兩個或更多個延伸管相耦接；以及複數個線性管，該等線性管耦接於該兩個端管之間，其 中該複數個注入孔被形成通過該複數個線性管。
  9. 如請求項1所述之氣體傳送組件，其中該第二氣體傳送元件更包含：一靶件，該靶件覆蓋該電極；以及兩個或更多個磁鐵，該等磁鐵促進電漿生成與/或塑形。
  10. 一種處理腔室，該處理腔室包含：一腔室主體，該腔室主體至少部分地界定出一腔室容積；一基板轉移組件，該基板轉移組件設置於該腔室容積中，其中該基板轉移組件具有一基板支撐表面且將複數個基板轉移至該基板支撐表面上；以及一或更多個沉積源，該等沉積源設置於該腔室容積之中而在基板支撐表面上方，其中每一個沉積源包含：一第一氣體傳送元件，該第一氣體傳送元件用於傳送一第一處理氣體，其中該第一氣體傳送元件具有複數個注入孔洞，該等孔洞位於與該基板支撐表面相距一第一距離的位置；以及一第二氣體傳送元件，該第二氣體傳送元件用於傳送一第二處理氣體，其中該第二氣體傳送元件包含：一電極；以及一屏蔽組件，該屏蔽組件圍繞該電極，其中一空腔形成於該電極與該屏蔽組件之間，該空腔的一噴嘴被導引朝向該基板支撐表面，且較該第一氣體傳送元件的 該複數個注入孔與該基板支撐表面相距的距離，該噴嘴與該基板支撐表面相距的距離來得更遠。
  11. 如請求項10所述之處理腔室，其中該第一氣體組件包含：一分歧管，該分歧管具有一流體氣室；以及複數個注入管，該等注入管從該分歧管延伸而朝向該基板支撐表面，其中每一個注入管具有一內通道，該內通道具有一第一端與一第二端，該第一端與該流體氣室相連接且該第二端作為該複數個注入孔之一者。
  12. 如請求項10所述之處理腔室，其中該第一氣體組件包含：兩個或更多個延伸管，其中每一個延伸管具有一第一端與一第二端，該第一端用於與一氣體源相連接；以及一分歧管，該分歧管耦接於該兩個或更多個延伸管的該等第二端，其中該複數個注入孔被形成通過該分歧管。
  13. 如請求項12所述之處理腔室，其中該分歧管為一線性管。
  14. 如請求項12所述之處理腔室，其中該分歧管為一平面分歧管且包含：兩個端管，該等端管與該兩個或更多個延伸管相耦接；以及複數個線性管，該等線性管耦接於該兩個端管之間，其中該複數個注入孔被形成通過該複數個線性管。
  15. 一種用於處理一基板的方法，該方法包含以下步驟：將一基板置於一基板支撐表面上；將一第一處理氣體傳送通過一第一氣體傳送元件，該第一氣體傳送元件具有複數個注入孔，該等注入孔與該基板支撐表面相距一第一距離；將一第二處理氣體同時地傳送通過一第二氣體傳送元件，該第二氣體傳送元件具有一或更多個噴嘴，該等噴嘴與該基板支撐表面相距的距離較該複數個第一注入孔相距於該基板支撐表面的距離來得更遠，藉由將一功率施加於一電極來點燃一電漿，該電極設置於該第二氣體傳送元件的內部。
  16. 如請求項15所述之方法，其中該第二氣體傳送元件的該兩個或更多個噴嘴以及該第一氣體傳送元件的該複數個注入孔相距一第二距離，且該第一距離較該第二距離來得短。
  17. 如請求項15所述之方法，其中傳送該第一處理氣體的步驟包含以下步驟：將該第一處理氣體傳送通過複數個注入管，該注入管延伸朝向該基板支撐表面。
  18. 如請求項15所述之方法，其中傳送該第一處理氣體的步驟包含以下步驟： 將該第一處理氣體傳送通過一分歧管管件，該分歧管管件懸吊在兩個延伸管上而朝向該基板支撐表面。
  19. 如請求項15所述之方法，其中傳送該第一處理氣體的步驟包含以下步驟：將該第一處理氣體傳送通過一平面分歧管，該平面分歧管懸吊在兩個延伸管而朝向該基板支撐表面。
  20. 如請求項15所述之方法，更包含以下步驟：調整該第一氣體傳送元件的該複數個注入孔的間距與/或尺寸以調整處理的均勻性。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100849929B1 (ko) * 2006-09-16 2008-08-26 주식회사 피에조닉스 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치
KR101409890B1 (ko) * 2007-07-26 2014-07-02 주식회사 원익아이피에스 가스공급장치, 이를 구비한 박막증착장치 및 이를 이용한박막증착방법
KR101059064B1 (ko) * 2009-06-08 2011-08-24 주식회사 테스 대면적 가스분사장치
US8617350B2 (en) * 2011-06-15 2013-12-31 Belight Technology Corporation, Limited Linear plasma system
WO2013036619A2 (en) * 2011-09-07 2013-03-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas distribution and plasma application in a linear deposition chamber

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