EA010965B1 - Установка и способ осаждения материала на подложке - Google Patents

Установка и способ осаждения материала на подложке Download PDF

Info

Publication number
EA010965B1
EA010965B1 EA200700423A EA200700423A EA010965B1 EA 010965 B1 EA010965 B1 EA 010965B1 EA 200700423 A EA200700423 A EA 200700423A EA 200700423 A EA200700423 A EA 200700423A EA 010965 B1 EA010965 B1 EA 010965B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
substrate
permeable element
gas
auxiliary gas
source
Prior art date
Application number
EA200700423A
Other languages
English (en)
Other versions
EA200700423A1 (ru
Inventor
Джеймс Ф. Нолан
Original Assignee
Ферст Солар, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ферст Солар, Инк. filed Critical Ферст Солар, Инк.
Publication of EA200700423A1 publication Critical patent/EA200700423A1/ru
Publication of EA010965B1 publication Critical patent/EA010965B1/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/246—Replenishment of source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45568—Porous nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Устройство и способ осаждения материала на подложке, предусматривающие применение распределителя, включающего в себя проницаемый элемент, через который пропускаются транспортирующий газ и материал для образования паров, которые осаждаются на транспортируемой подложке. Одновременно подают вспомогательный газ, способствующий равномерному распределению материала на подложке.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к установке и способу осаждения материала на подложке.
Предшествующий уровень техники
Фотогальванический элемент может включать в себя полупроводниковый слой, осажденный на подложке, такой как стекло. Например, непрерывный процесс осаждения полупроводникового материала в виде слоя на подложке, представляющей собой лист стекла, может быть основан на применении лотков с исходным материалом, в которых заключен полупроводниковый материал, внутри нагретой технологической камеры. Исходный материал можно сублимировать из лотков для осаждения полупроводникового материала на поверхности листов стекла, транспортируемых под лотками. Эта конструкция требует периодического пополнения лотков с исходным материалом. В альтернативном варианте исходный материал можно транспортировать с помощью транспортирующего газа в распределитель, который осаждает полупроводниковый слой на подложке.
Сущность изобретения
Во время изготовления фотогальванического прибора на подложке, такой как лист стекла, осаждают полупроводниковый материал. Рабочие параметры фотогальванического прибора можно улучшить, если полупроводниковый материал осаждают в виде слоя, имеющего неизменные свойства, например, такие как толщина, размер зерен и состав, а также их совокупность. Этот слой может быть равномерным слоем, который может быть неизменным по толщине и микроструктуре полупроводника. Распределитель для осаждения полупроводникового материала на подложке может включать в себя источник вспомогательного газа. Источнику вспомогательного газа можно придать конфигурацию, обеспечивающую равномерный поток газа или неравномерный поток газа в распределителе. Использование источника вспомогательного газа может привести к повышенной равномерности слоя полупроводникового материала. Например, при использовании вспомогательного газа стандартное отклонение полупроводникового слоя со средней толщиной 3,3 мкм можно улучшить с 0,4 до 0,2 мкм.
В одном аспекте установка для осаждения материала на подложке включает в себя проницаемый элемент, конфигурация которого обеспечивает его нагревание до температуры подачи; трубопровод подачи материала, соединенный с проницаемым элементом, для подачи транспортирующего газа и материала в проницаемый элемент; источник вспомогательного газа, имеющий по меньшей мере одно отверстие, ведущее внутрь проницаемого элемента, и имеющий конфигурацию, обеспечивающую подачу вспомогательного газа в проницаемый элемент; и транспортер, конфигурация которого обеспечивает транспортировку подложки рядом с проницаемым элементом.
В другом аспекте распределитель для осаждения материала на подложке включает в себя проницаемый элемент, конфигурация которого обеспечивает нагревание до температуры подачи, и источник вспомогательного газа, имеющий по меньшей мере одно выходное отверстие, ведущее внутрь проницаемого элемента, и имеющий конфигурацию, обеспечивающую подачу вспомогательного газа в проницаемый элемент.
В другом аспекте установка для осаждения материала на подложке включает в себя распределитель, содержащий проницаемый элемент удлиненной формы, имеющей противоположные концы, конфигурация которых обеспечивает нагревание до температуры подачи и подвод паров, проходящих наружу сквозь проницаемый элемент; источник вспомогательного газа внутри проницаемого элемента для подачи вспомогательного газа; пару трубопроводов подачи материала для введения транспортирующего газа и порошка материала в противоположные концы проницаемого элемента; кожух, по меньшей мере, частично окружающий проницаемый элемент, причем этот кожух имеет проем, выполненный в виде щели вдоль длины проницаемого элемента; и транспортер, конфигурация которого обеспечивает транспортировку подложки под распределителем.
Проницаемый элемент может иметь в основном трубчатую форму. Трубопроводу подачи материала можно придать конфигурацию, обеспечивающую введение транспортирующего газа и материала во внутреннюю часть проницаемого элемента. Проницаемому элементу можно придать конфигурацию, обеспечивающую соединение с источником электрической энергии для нагревания проницаемого элемента до температуры подачи. Проницаемый элемент может быть трубой, включающей в себя карбид кремния.
Установка может включать в себя кожух, имеющий в основном трубчатую форму, в котором заключен проницаемый элемент. Кожух может иметь проем, через который проходят пары для осаждения на подложке. Проем кожуха может быть щелью, которая проходит вдоль длины кожуха. Кожух может иметь противоположные концы, между которыми щель имеет изменяющийся размер. Кожух может включать в себя керамический материал. Керамический материал может быть муллитом.
Отверстие может представлять собой канал. Отверстие может представлять собой сопловое отверстие. Источник подачи вспомогательного газа может включать в себя множество отверстий. Множеству отверстий можно придать конфигурацию, обеспечивающую, по существу, равномерное распределение паров материала из проницаемого элемента.
Источник вспомогательного газа может иметь в основном трубчатую форму и может быть заключен внутри проницаемого элемента. Множество отверстий могут быть расположены через регулярные
- 1 010965 или нерегулярные интервалы вдоль длины источника вспомогательного газа. Множеству отверстий можно придать конфигурацию, обеспечивающую, по существу, равномерный поток газа из проницаемого элемента.
Установка может включать в себя множество источников вспомогательного газа. Каждый источник вспомогательного газа имеет по меньшей мере одно отверстие, ведущее внутрь проницаемого элемента, и имеет конфигурацию, позволяющую подавать газ внутрь проницаемого элемента. Каждый источник вспомогательного газа может иметь в основном трубчатую форму и может быть заключен внутри проницаемого элемента, а множество источников вспомогательного газа могут быть в основном параллельными. Первый источник вспомогательного газа может иметь отверстие, расположенное в некоторой зоне вдоль трубчатой формы первого источника вспомогательного газа, при этом соответствующая зона вдоль трубчатой формы второго источника вспомогательного газа не имеет отверстия.
Трубопроводу подачи материала можно придать конфигурацию, обеспечивающую введение транспортирующего газа и материала в один конец проницаемого элемента. Установка может включать в себя второй трубопровод подачи материала, конфигурация которого обеспечивает введение транспортирующего газа и материала в другой конец проницаемого элемента. Трубопровод подачи материала может включать в себя вращающийся шнек и канал газа, в который установлен вращающийся шнек, конфигурация которого обеспечивает введение порошка материала с целью его протекания вместе с транспортирующим газом. Трубопровод подачи материала может включать в себя вибрационный питатель и канал газа, в который установлен вибрационный питатель, конфигурация которого обеспечивает введение порошка материала с целью его протекания вместе с транспортирующим газом.
Транспортер может поддерживать подложку в ориентации, при которой подложка проходит горизонтально, а проницаемый элемент может находиться над транспортером. Транспортер может включать в себя множество роликов. Проницаемый элемент может находиться над траекторией транспортировки подложки для осаждения материала на обращенной вверх поверхности подложки. Транспортер может включать в себя газовый горн, конфигурация которого обеспечивает поддержание и транспортировку подложки в ориентации, при которой подложка проходит в основном горизонтально.
В другом аспекте способ осаждения материала на подложке заключается в том, что нагревают проницаемый элемент, пропускают транспортирующий газ и материал в проницаемый элемент для нагревания с тем, чтобы образовались пары, по трубопроводу подачи материала, пропускают вспомогательный газ в нагретый проницаемый элемент с помощью источника газа и транспортируют подложку рядом с проницаемым элементом для осаждения паров в виде слоя материала на подложке.
Проницаемый элемент может иметь трубчатую форму с противоположными концами, а нагревание проницаемого элемента может включать в себя приложение электрического напряжения к противоположным концам проницаемого элемента.
Пары можно направлять вокруг наружной поверхности проницаемого элемента с помощью кожуха, и эти пары могут проходить наружу через проем в кожухе для осаждения на подложке.
Источник газа может включать в себя отверстие для введения вспомогательного газа в проницаемый элемент. Вспомогательный газ можно пропускать в нагретый проницаемый элемент с помощью множества источников газа. Способ может предусматривать введение материала в виде порошка в транспортирующий газ. Материал можно вводить посредством вращающегося шнека или вибрационного питателя. Транспортирующим газом может быть гелий.
Подложку можно транспортировать в ориентации, при которой подложка проходит горизонтально, что делает подложку имеющей обращенную вниз поверхность и обращенную вверх поверхность. Пары можно осаждать на обращенной вверх поверхности транспортируемой подложки. Подложку можно транспортировать посредством газового горна в ориентации, при которой подложка проходит в основном горизонтально, что делает подложку имеющей обращенную вверх поверхность и обращенную вниз поверхность. Пары можно осаждать на обращенной вниз поверхности транспортируемой подложки. Материал может быть полупроводником. Подложка может представлять собой лист стекла.
В еще одном аспекте способ осаждения материала на подложке заключается в том, что нагревают проницаемый элемент, изменяют поток паров материала, осаждаемых внутри проницаемого элемента, для обеспечения, по существу, равномерного распределения на выходе из проницаемого элемента и транспортируют подложку, представляющую собой лист стекла, рядом с проницаемым элементом для осаждения паров в виде слоя на подложке.
Способ может включать в себя пропускание вспомогательного газа в проницаемый элемент для обеспечения, по существу, равномерного потока газа из проницаемого элемента.
Подробности одного или нескольких вариантов осуществления представлены на прилагаемых чертежах и в нижеследующем описании. Другие признаки, задачи и преимущества станут очевидными из описания и чертежей, а также из формулы изобретения.
- 2 010965
Краткое описание чертежей
На фиг. 1 представлено схематическое изображение, иллюстрирующее установку для осаждения материала на подложке.
На фиг. 2А и 2В представлены сечения с частичными вырывами, проведенные через распределитель установки вдоль направления линии 2-2, показанной на фиг. 1, и иллюстрируется пара источников материала для введения транспортирующего газа и материала в противоположные концы трубчатого проницаемого элемента.
На фиг. ЗА и 3В представлены сечения через распределитель, проведенные вдоль направления линии 3-3, показанной на фиг. 2.
На фиг. 4 представлен вид снизу вдоль направления линии 4-4, показанной на фиг. 2, для иллюстрации щелевого проема с изменяющимся размером, предусмотренного в кожухе установки.
На фиг. 5 представлен вид, иллюстрирующий альтернативный вариант осуществления источника материала, который включает в себя вращающийся вокруг вертикальной оси шнек в противоположность вращению вокруг горизонтальной оси, показанному на фиг. 2.
На фиг. 6 представлен вид дополнительного варианта осуществления источника материала, который включает в себя вибрационный питатель.
На фиг. 7 представлен вид, иллюстрирующий другой вариант осуществления, в котором материал осаждают на обращенной вниз поверхности транспортируемой подложки в противоположность осаждению на обращенной вверх поверхности этой подложки, показанному на фиг. 1.
Подробное описание
Способы осаждения материала на подложке описаны, например, в патентах США № 5248349, 5372646, 5470397, 5536333, 5945163 и 6037241, каждый из которых во всей его полноте включен в описание посредством ссылки.
Обращаясь к фиг. 1, отмечаем, что технологическая система, обозначенная как единое целое позицией 10, включает в себя установку 12, предназначенную для осуществления способа осаждения материала на подложке. Ниже приводится подробное описание как установки 12, так и способа осаждения материала.
Специальная технологическая система 10 обрабатывает подложку С (например, лист стекла) для осаждения материала (например, полупроводникового материала, такого как полупроводник ΙΙ-νΐ групп таблицы периодических элементов, включая СбТс. Сб8е и С68). Можно осаждать и другие материалы, которые становятся полупроводниками после дополнительной обработки, например, такие как 1и28е3 и Са28е3. Их можно подвергнуть дополнительной обработке с получением Си1пх и Са1-Х8е2 соответственно. Посредством предлагаемых способа и установки можно осуществлять осаждение таких материалов с высоким давлением насыщенных паров, как Ζη, РЬ и т.д., при умеренных температурах.
Продолжая рассматривать фиг. 1, отмечаем, что система 10 включает в себя корпус 14, ограничивающий технологическую камеру 16, в которой осаждают материал на подложке С. Корпус 14 включает в себя входную 18 и выходную 20 станции. Эти станции 18 и 20 могут быть выполнены в виде загружаемых тамбуров или в виде щелевых уплотнений, через которые подложки С, представляющие собой листы стекла, входят в технологическую камеру 16 и выходят из нее. Внутреннее пространство корпуса 14 можно нагревать любым подходящим образом, например, так, как описано в патентах США № 5248349, 5372646, 5470397 или 5536333, вследствие чего технологическая камера поддерживается при температуре, находящейся в диапазоне от 400 до 900°С, от 450 до 800°С или от 500 до 700°С. Подложку можно нагревать во время обработки до немного меньшей температуры, например до температуры, находящейся в диапазоне от 400 до 650°С.
Обращаясь к фиг. 2А и 2В, отмечаем, что установка включает в себя распределитель 22, имеющий проницаемый элемент 24 трубчатой формы и удлиненную конструкцию. Трубчатый проницаемый элемент 24 нагревается во время использования. Когда проницаемый элемент является электропроводным, его можно нагревать, прикладывая напряжение вдоль длины этого элемента. Напряжение прикладывают через электрические соединения 26 на противоположных концах элемента. Это напряжение приводит к тому, что вдоль длины трубчатого проницаемого элемента протекает электрический ток, обеспечивающий электрическое нагревание этого элемента во время обработки. Можно нагревать трубчатый проницаемый элемент 24 до температуры, находящейся в диапазоне от 800 до 1150°С. Для введения транспортирующего газа и материала, осаждаемого в трубчатый проницаемый элемент 24, в установке 12 предусмотрен по меньшей мере один источник 30 материала. Материал нагревают внутри проницаемого элемента до температуры подачи, что приводит к образованию паров, которые проходят наружу сквозь трубчатый проницаемый элемент во время обработки. Температуру подачи вместе с давлением внутри камеры 16 выбирают таким образом, чтобы обеспечивалось подходящее давление насыщенных паров материала. Транспортер 32 установки транспортирует подложку С рядом с распределителем 22 для осаждения паров на подложке.
Трубчатый проницаемый элемент 24 может быть выполнен из карбида кремния, пористого угля или любого другого проницаемого материала, который предпочтительно является электропроводным, чтобы
- 3 010965 обеспечить нагревание вышеописанным образом.
Распределитель 22 предпочтительно включает в себя трубу 70 вспомогательного газа, предназначенную для введения вспомогательного газа вовнутрь проницаемого элемента 24.
Вспомогательный газ может быть инертным газом, таким как гелий или азот, или вспомогательный газ может быть химически активным газом, таким как кислород. Транспортирующий газ и вспомогательный газ могут представлять собой один и тот же газ или разные газы. Вспомогательный газ транспортируется из источника 74 вспомогательного газа по трубе 70 вспомогательного газа и выходит из трубы 70 вспомогательного газа через отверстия 72 в проницаемый элемент 24. Отверстия 72 могут быть, например, каналами, щелями или сопловыми отверстиями и могут иметь разные диаметры или все они могут иметь один и тот же диаметр. Отверстия 72 могут быть распределены регулярно или нерегулярно вдоль трубы 70 вспомогательного газа. Отверстия могут быть направлены к поверхности подложки или от нее. Труба 70 вспомогательного газа может включать в себя 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 или более отверстий. Отверстия могут иметь диаметр менее 0, 25 дюйма, например, менее 0,2 дюйма, менее 0,1 дюйма или менее 0,05 дюйма. Труба 70 вспомогательного газа может проходить вдоль части проницаемого элемента 24 или может простираться на всю длину вспомогательного элемента 24. Длину трубы 24 вспомогательного газа, а также местонахождение и диаметры отверстий 72 можно выбрать так, чтобы обеспечивался равномерный поток газа сквозь стенки проницаемого элемента 24. Например, в областях проницаемого элемента 24, где поток транспортирующего газа мал, трубе 70 вспомогательного газа можно придать конфигурацию, обеспечивающую большой поток вспомогательного газа, а в областях проницаемого элемента 24, где поток транспортирующего газа велик, трубе 70 вспомогательного газа можно придать конфигурацию, обеспечивающую малый поток вспомогательного газа. Расход вспомогательного газа может составлять менее 10 стандартных литров в минуту, например, менее 5, менее 3, менее 2 или менее 1 стандартного литра в минуту. Расход вспомогательного газа может превышать 0,1 стандартного литра в минуту. Например, расход вспомогательного газа может находиться между значениями 0,2 и 3,0 стандартных литров. В предпочтительном варианте пары материала выходят из проницаемого элемента, будучи равномерно распределенными вдоль длины проницаемого элемента. Иными словами, массовая плотность материала (т.е. количество материала, приходящееся на кубический сантиметр), выходящего из проницаемого элемента за заданный промежуток времени, является, по существу, одним и тем же во всех точках вдоль длины проницаемого элемента.
Как показано на фиг. 2В, распределитель 22 может включать в себя дополнительную трубу 70' вспомогательного газа, имеющую отверстия 72' и соединенную с источником 74' вспомогательного газа. В альтернативном варианте дополнительная труба 70' вспомогательного газа может получать вспомогательный газ из источника 74 вспомогательного газа. Управление расходом вспомогательного газа в каждой трубе вспомогательного газа может быть независимым. Когда используют больше одной трубы вспомогательного газа, отверстия в каждой из труб вспомогательного газа могут находиться в разных областях вдоль длинного проницаемого элемента 24. На фиг. 2В отверстия 72' показаны находящимися ближе к одному концу проницаемого элемента 24, чем к другому концу, и в этой области трубы 74 вспомогательного газа отверстий нет; отверстия 72 расположены ближе к дальнему концу проницаемого элемента 24, чем отверстия 72', и в этой области трубы 74' вспомогательного газа отверстий нет. Такая конфигурация отверстий может обеспечить независимое управление потоком вспомогательного газа в выбранных областях вдоль проницаемого элемента 24 путем изменения расхода газа в конкретной трубе вспомогательного газа. Дополнительного управления потоком вспомогательного газа сквозь стенки проницаемого элемента 24 можно достичь, управляя выбором того конца трубы 70 или 70' вспомогательного газа, из которого подается вспомогательный газ. Проницаемый элемент 24 может заключать в себе множество труб вспомогательного газа, например 1, 2, 3, 4, 5 либо более 5, более 10 или более 12. В некоторых случаях распределитель включает в себя 1, 2, 3, 4 или 5 труб вспомогательного газа.
Кроме того, распределитель предпочтительно включает в себя кожух 34 в основном трубчатой формы, в котором заключен трубчатый проницаемый элемент 24, который, в свою очередь, может включать в себя трубу 70 вспомогательного газа или множество таких труб 70 и 70', из которой или из которых подается вспомогательный газ, как показано на фиг. 3А и 3В. Кожух 34 направляет пары, образующиеся за счет нагревания осаждаемого материала, вокруг наружной поверхности трубчатого элемента 24 и имеет проем 36, через который проходят пары для осаждения полупроводникового слоя на поверхности подложки О. Более конкретно, предпочтительная конструкция кожуха 34 имеет проем 36, выполненный в виде щели, которая проходит вдоль трубчатой формы кожуха. Как показано на фиг. 4, кожух 34 имеет противоположные концы 37, между которыми щелевой проем 36 может иметь изменяющийся размер, что облегчает распределение паров и равномерное осаждение полупроводникового слоя. Более конкретно, щелевой проем 36 имеет меньший размер рядом с концами 37, где вводятся транспортирующий газ и полупроводниковый материал (что описывается ниже), и имеет больший размер в центральной зоне, более отдаленной от тех, где происходит упомянутое введение, чтобы обеспечить равномерное осаждение. Для обеспечения равномерного распределения полупроводникового материала может оказаться желательным снабдить внутреннее пространство полупроводникового элемента отклоняющей перегородкой, которая обеспечивает равномерное прохождение паров наружу вдоль длины трубчатого прони
- 4 010965 цаемого элемента, а затем - вдоль длины щелевого проема 36 кожуха. Кроме того, кожух предпочтительно выполнен из керамического материала. Этот керамический материал выбирают так, чтобы он не реагировал с упомянутыми парами. Например, керамическим материалом может быть муллит.
В преимущественном варианте кожух 34 также может уменьшать передачу излучаемого тепла от горячего трубчатого проницаемого элемента 24 к подложке С. Более конкретно, количество энергии, излучаемой кожухом 34 в подложку, представляющую собой лист стекла, уменьшается, потому что температура внешней поверхности кожуха ниже, чем температура горячего трубчатого проницаемого элемента 24. Муллит имеет адекватно низкую излучающую способность, относительно прочен и прост в получении. Кроме того, следует понять, что можно предусмотреть покрытия, снижающие излучающую способность внешней поверхности кожуха 34, например из А12О3 или Υ2Ο3.
Длину щелевого проема 36 кожуха 34 можно выбрать с возможностью управления шириной осаждаемого слоя на подложке. Так, длину щелевого проема 36 можно выбрать меньшей, чем ширина подложки, чтобы обеспечить полосу осаждаемого слоя. Такое управление также может минимизировать отходы материала. Когда необходимо покрыть всю ширину подложки, в идеальном случае можно сделать длину щелевого проема 36 равной ширине подложки или немного меньшей, так что, по существу, все пары будут осаждаться на подложке во время осаждения.
Чтобы обеспечить эффективное осаждение, кожух 34 можно разместить на расстоянии от транспортируемой подложки, представляющей собой лист стекла, находящемся в диапазоне 0,5-3,0 см. Можно использовать и диапазоны больше этого, но обычно они требуют меньших давлений в системе и могут привести к бесполезным расходам материала в результате излишнего распыления. Кроме того, меньшие диапазоны вызывают температурное коробление подложки во время транспортировки.
Как показано на фиг. 2, источник 30 материала обеспечивает введение транспортирующего газа из источника 38 и материала (например, полупроводникового материала) в виде порошка 40 из загрузочной воронки 42 в один конец 28 трубчатого проницаемого элемента 24, и имеется также другой источник 30 материала, который обеспечивает аналогичное введение транспортирующего газа и полупроводникового материала в виде порошка в другой конец 28 трубчатого проницаемого элемента 24. В таком случае получается приемлемое распределение транспортирующего газа и поступающего полупроводникового материала по всей длине трубчатого проницаемого элемента 24.
Продолжая рассматривать фиг. 2, отмечаем, что каждый из источников материала, изображенных на фиг. 2, включает в себя вращающийся шнек 44, который принимает материал 40 из загрузочной воронки 42 и приводится во вращение подходящим исполнительным механизмом 46. От источника 38 транспортирующего газа к соседнему концу 28 пористого трубчатого элемента 24 проходит канал 48, сообщающийся с вращающимся шнеком 44. Вращение шнека 44 с управляемой скоростью вращения обеспечивает введение материала 40 в канал 48, что вызывает течение поступающего в этот канал материала в проницаемый трубчатый элемент 24 для нагревания, которое обеспечивает пары.
Фиг. 2, 5 и 6, соответственно, раскрывают разные варианты осуществления источников 30, 30' и 30 материала. Более конкретно, вариант осуществления источника 30 материала, проиллюстрированный на фиг. 2, предусматривает наличие шнека 44, вращающегося вокруг горизонтальной оси, для введения материала 40 в канал 48 транспортирующего газа, а вариант осуществления источника 30' материала, соответствующий фиг. 5, предусматривает наличие шнека 44, вращающегося вокруг вертикальной оси, для введения материала 40 из загрузочной воронки 42 в канал 48 транспортирующего газа. В каждом из этих вариантов осуществления источников материала, предусматривающих наличие шнеков, точное управление количеством материала, вводимого в виде порошка, осуществляется с помощью скорости вращения шнека. Кроме того, соответствующий фиг. 6 вариант осуществления источника 30 материала предусматривает наличие вибрационного питателя 50, имеющего наклонный канал 52, идущий кверху от загрузочной воронки 42 в канал 48 транспортирующего газа. Работа вибрационного питателя 50 может вызывать вибрацию материала 40, которая вынуждает его движение кверху вдоль наклонного канала 52 к каналу 48 транспортирующего газа, чтобы попавший внутрь порошок мог течь в трубчатый проницаемый элемент 24.
Для подачи материала можно также использовать источники материала других типов, включая питатели с псевдоожиженным слоем и питатели с вращающимися дисками, поставляемые промышленностью. Скорость подачи порошка и скорость транспортировки подложки непосредственно влияют на управление толщиной пленки, так что всеми такими параметрами, как расход транспортирующего газа, скорость подачи порошка и скорость транспортировки подложки, нужно управлять. Кроме того, можно использовать начало и прекращение подачи порошка для начала и окончания осаждения материала на подложке.
Два разных варианта осуществления установки 12 и 12а, проиллюстрированные, соответственно, на фиг. 1 и 7, предусматривают поддержание подложки С в ориентации, при которой подложка проходит горизонтально, имея обращенные вниз и вверх поверхности 54 и 56.
В варианте осуществления согласно фиг. 1 распределитель 22 расположен над транспортером 32, для осаждения материала на обращенную вверх поверхность 56 подложки С. Кроме того, в этом варианте установки транспортер 32 раскрыт как относящийся к роликовому типу и включающий в себя ролики
- 5 010965
58, которые поддерживают обращенную вниз поверхность 54 подложки для ее транспортировки во время обработки.
В варианте осуществления согласно фиг. 7 установка 12а имеет транспортер 32а, выполненный в виде газового горна, для поддержания подложки С с целью ее транспортировки. Более конкретно, транспортер 32а в виде газового горна включает в себя отражательный горн 60 над полостью 62 нагретого сжатого газа. Отверстия 64 в горне 60 обеспечивают поток сжатого нагретого газа вверх с поддержанием подложки С как плавающего тела. В соответствии с обычной конструкцией горн 60 может также включать в себя выхлопные проемы, через которые газ выходит обратно вниз через горн в подходящую оборотную камеру, которая не показана. В этой конструкции транспортера 62 в виде газового горна распределитель 22 расположен под подложкой С для осаждения полупроводникового слоя на ее обращенной вниз поверхности 54. Таким образом, проем 36, обеспечиваемый щелью в кожухе 34, находится у верхней оконечности распределителя 22 в этом варианте осуществления в отличие от варианта осуществления согласно фиг. 1, в котором щелевой проем 36 находится у нижней оконечности кожуха.
Следует также понять, что транспортер в виде газового горна можно использовать с распределителем, расположенным над транспортируемой подложкой, чтобы обеспечить осаждение на ее верхней поверхности, как в варианте осуществления согласно фиг. 1 и в отличие от варианта осуществления согласно фиг. 7, который обеспечивает осаждение на нижней поверхности.
При осуществлении осаждения успешные результаты достигнуты за счет использования теллурида кадмия и сульфида кадмия в качестве упомянутого материала. Можно использовать и другие материалы, включая проводники, включающие в себя элементы группы II или группы IV периодической таблицы элементов, а также соединения, включающие в себя эти элементы, например, такие как селенид цинка и т.д., и другие материалы, которые становятся полупроводниками при дальнейшей обработке, помимо других материалов, рассмотренных выше. При улучшении осаждения могут также оказаться полезными легирующие примеси.
Применение установки для осуществления способа реализовали с помощью вакуума в диапазоне 1-50 торр, создаваемого посредством откачивания в технологической камере 16. В этой связи отметим, как показано на фиг. 1, что технологическая система 10 включает в себя подходящий откачивающий насос 66 для откачивания из технологической камеры 16 корпуса 14 как в начале обработки, так и непосредственно после нее для удаления транспортирующего газа и вспомогательного газа.
Транспортирующим газом, подаваемым из источника 38, в наиболее предпочтительном варианте осуществления является гелий, у которого обнаружена способность увеличивать диапазон температур подложки и диапазон давлений, обеспечивающие приемлемые характеристики полупроводников, такие как плотное осаждение и надлежащее сцепление. Транспортирующий газ может быть и другим газом, таким как азот, неон, аргон или криптон либо комбинацией этих газов. Кроме того, транспортирующий газ или вспомогательный газ может включать в себя химически активный газ, такой как кислород, который может с выгодой влиять на свойства наращивания полупроводникового материала. Расход транспортирующего газа, составляющий 0,3-10 стандартных литров в минуту, обеспечивает поток полупроводникового материала в распределитель 22 для осаждения.
Пример.
При осуществлении одного теста подача гелия в качестве вспомогательного газа при расходе 0,5 стандартного литра в минуту только на одном конце распределителя (т.е. на стороне, удаленной от оператора) обусловливала уменьшение толщины полупроводниковой пленки, наносимой только на этом конце, примерно на 0,2 мкм (с 4,4 до 4,2 мкм). Следовательно, в распределителе, который позволяет получить пленку, изменение толщины которой по подложке составляет 0,4 мкм, и в котором пленка становится толще с приближением к одной стороне распределителя, это изменение можно уменьшить до 0,2 мкм путем подачи вспомогательного газа в область распределителя, соответствующую более толстой пленке.
Другие варианты осуществления находятся в рамках объема притязаний нижеследующей формулы изобретения.

Claims (23)

  1. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
    1. Установка для осаждения материала на подложке, содержащая проницаемый элемент трубчатой формы, снабженный средством нагрева до температуры подачи; трубопровод для подачи транспортирующего газа и материала в полость проницаемого элемента; источник вспомогательного газа с множеством отверстий, размещенный в полости проницаемого элемента и обеспечивающий равномерное распределение паров материала, прошедших через проницаемый элемент; и транспортер для перемещения подложки вдоль проницаемого элемента.
  2. 2. Установка по п.1, в которой средство нагрева представляет собой источник электрической энергии, а проницаемый элемент выполнен из карбида кремния.
    - 6 010965
  3. 3. Установка по п.1, дополнительно снабженная кожухом трубчатой формы, в который заключен проницаемый элемент, причем кожух выполнен с проемом, обращенным к транспортеру и имеющим форму щели с переменной шириной, которая ориентирована вдоль направления движения транспортера.
  4. 4. Установка по п.3, в которой кожух выполнен из керамического материала.
  5. 5. Установка по п.1, в которой отверстие выполнено в виде канала или соплового отверстия.
  6. 6. Установка по п.1, в которой источник вспомогательного газа выполнен трубчатым.
  7. 7. Установка по п.1, в которой вдоль длины источника вспомогательного газа выполнено множество отверстий через регулярные интервалы.
  8. 8. Установка по п.1, в которой вдоль длины источника вспомогательного газа выполнено множество отверстий через нерегулярные интервалы.
  9. 9. Установка по п.1, в которой множеству отверстий придана конфигурация, обеспечивающая равномерный поток газа, прошедшего проницаемый элемент.
  10. 10. Установка по п.1, которая снабжена по меньшей мере одним дополнительным источником вспомогательного газа с множеством отверстий, размещенным в полости проницаемого элемента.
  11. 11. Установка по п.10, в которой каждый источник вспомогательного газа выполнен трубчатым, при этом источники вспомогательного газа размещены параллельно.
  12. 12. Установка по п.11, в которой отверстия в одном источнике вспомогательного газа выполнены со смещением по отношению к отверстиям в соседнем источнике.
  13. 13. Установка по п.1, которая дополнительно снабжена вторым трубопроводом, размещенным напротив первого трубопровода.
  14. 14. Установка по п.1, в которой трубопровод включает в себя канал для подачи транспортирующего газа, в который установлен вращающийся шнек или вибрационный питатель для подачи порошка материала вместе с транспортирующим газом в полость проницаемого элемента.
  15. 15. Установка по п.1, в которой подложка горизонтально установлена на транспортере, выполненном из множества роликов, а проницаемый элемент размещен над транспортером.
  16. 16. Установка по п.1, в которой транспортер выполнен на основе газового горна, а подложка установлена на транспортере горизонтально.
  17. 17. Способ осаждения материала на подложке с использованием установки по любому из пп.1-16, заключающийся в том, что нагревают проницаемый элемент, подают материал с транспортирующим газом в полость нагретого проницаемого элемента для образования паров по трубопроводу, подают вспомогательный газ в полость нагретого проницаемого элемента и перемещают подложку вдоль проницаемого элемента для осаждения паров в виде слоя материала на подложке.
  18. 18. Способ по п.17, в котором материал подают в виде порошка.
  19. 19. Способ по п.17, в котором подложку перемещают горизонтально, а пары осаждают на верхней поверхности подложки.
  20. 20. Способ по п.17, в котором подложку перемещают горизонтально посредством газового горна, а пары осаждают на нижней поверхности подложки.
  21. 21. Способ по любому из пп.17-20, в котором транспортирующий газ представляет собой гелий, материал - полупроводник, а подложка - лист стекла.
  22. 22. Способ по любому из пп.17-21, в котором изменяют поток паров материала в полости проницаемого элемента для получения равномерно распределенного потока на выходе из проницаемого элемента.
  23. 23. Способ по любому из пп.17-22, в котором вспомогательный газ подают в нагретый проницаемый элемент с помощью множества источников газа.
EA200700423A 2004-08-11 2005-07-28 Установка и способ осаждения материала на подложке EA010965B1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/915,695 US7780787B2 (en) 2004-08-11 2004-08-11 Apparatus and method for depositing a material on a substrate
PCT/US2005/026753 WO2006020409A2 (en) 2004-08-11 2005-07-28 Apparatus and method for depositing a material on a substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA200700423A1 EA200700423A1 (ru) 2007-10-26
EA010965B1 true EA010965B1 (ru) 2008-12-30

Family

ID=35798794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA200700423A EA010965B1 (ru) 2004-08-11 2005-07-28 Установка и способ осаждения материала на подложке

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7780787B2 (ru)
EP (1) EP1794346B1 (ru)
AT (1) ATE526435T1 (ru)
EA (1) EA010965B1 (ru)
WO (1) WO2006020409A2 (ru)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4180948B2 (ja) * 2003-03-24 2008-11-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法、ガスノズル
FI119478B (fi) * 2005-04-22 2008-11-28 Beneq Oy Reaktori
US9017480B2 (en) 2006-04-06 2015-04-28 First Solar, Inc. System and method for transport
CA2675532A1 (en) * 2007-02-01 2008-08-07 James E. Heider System and method for glass sheet semiconductor coating and resultant product
US8628617B2 (en) * 2008-12-03 2014-01-14 First Solar, Inc. System and method for top-down material deposition
US8372482B2 (en) * 2009-02-27 2013-02-12 Goodrich Corporation Methods and apparatus for controlled chemical vapor deposition
JP5719546B2 (ja) * 2009-09-08 2015-05-20 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5469966B2 (ja) * 2009-09-08 2014-04-16 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
KR101337368B1 (ko) 2010-10-27 2013-12-05 엘지디스플레이 주식회사 코팅장치 및 이를 이용한 코팅막 형성방법
CN104024469B (zh) * 2011-09-02 2017-05-03 第一太阳能有限公司 用于气相传输沉积系统的给料器系统和给料方法
WO2013052460A1 (en) * 2011-10-05 2013-04-11 First Solar, Inc. Vapor transport deposition method and system for material co-deposition
US9490120B2 (en) 2011-11-18 2016-11-08 First Solar, Inc. Vapor transport deposition method and system for material co-deposition
WO2013106621A1 (en) 2012-01-12 2013-07-18 First Solar, Inc Method and system of providing dopant concentration control in different layers of a semiconductor device
EP2809822A1 (en) * 2012-01-31 2014-12-10 First Solar, Inc Integrated vapor transport deposition method and system
US9692039B2 (en) 2012-07-24 2017-06-27 Quantumscape Corporation Nanostructured materials for electrochemical conversion reactions
US10158115B2 (en) 2013-06-06 2018-12-18 Quantumscape Corporation Flash evaporation of solid state battery component
US20150024538A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Tsmc Solar Ltd. Vapor dispensing apparatus and method for solar panel
WO2015130831A1 (en) 2014-02-25 2015-09-03 Quantumscape Corporation Hybrid electrodes with both intercalation and conversion materials
US10326135B2 (en) 2014-08-15 2019-06-18 Quantumscape Corporation Doped conversion materials for secondary battery cathodes
DE102014117492A1 (de) 2014-11-28 2016-06-02 Aixtron Se Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat
DE102016101856B4 (de) * 2016-02-03 2017-11-30 Ctf Solar Gmbh Verfahren zum Abscheiden einer CdTe-Schicht auf einem Substrat
KR102344996B1 (ko) 2017-08-18 2021-12-30 삼성전자주식회사 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
WO2019084125A1 (en) 2017-10-26 2019-05-02 First Solar, Inc. SYSTEMS AND METHODS FOR STEAM VAPORIZATION AND DISTRIBUTION
EP3824492A4 (en) 2018-07-18 2022-04-20 Massachusetts Institute of Technology ALTERNATE MULTI-SOURCE VAPOR TRANSPORT DEPOSITION
US20210301387A1 (en) 2018-08-10 2021-09-30 First Solar, Inc. Systems and methods for vaporization and vapor distribution
US12112897B2 (en) 2020-02-19 2024-10-08 First Solar, Inc. Methods for perovskite device processing by vapor transport deposition

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5683516A (en) * 1994-07-18 1997-11-04 Watkins-Johnson Co. Single body injector and method for delivering gases to a surface
US6037241A (en) * 1998-02-19 2000-03-14 First Solar, Llc Apparatus and method for depositing a semiconductor material
US20030198741A1 (en) * 2002-04-19 2003-10-23 Ulvac, Inc. Film-forming apparatus and film-forming method

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4083708A (en) * 1976-09-15 1978-04-11 Exxon Research & Engineering Co. Forming a glass on a substrate
US4401052A (en) * 1979-05-29 1983-08-30 The University Of Delaware Apparatus for continuous deposition by vacuum evaporation
US4997677A (en) * 1987-08-31 1991-03-05 Massachusetts Institute Of Technology Vapor phase reactor for making multilayer structures
DE3801147A1 (de) * 1988-01-16 1989-07-27 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zum erzeugen eines mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes angereicherten gasstroms
US5204314A (en) * 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
US5071678A (en) * 1990-10-09 1991-12-10 United Technologies Corporation Process for applying gas phase diffusion aluminide coatings
US5182567A (en) * 1990-10-12 1993-01-26 Custom Metallizing Services, Inc. Retrofittable vapor source for vacuum metallizing utilizing spatter reduction means
JP2888026B2 (ja) * 1992-04-30 1999-05-10 松下電器産業株式会社 プラズマｃｖｄ装置
US5248349A (en) * 1992-05-12 1993-09-28 Solar Cells, Inc. Process for making photovoltaic devices and resultant product
FR2713666B1 (fr) * 1993-12-15 1996-01-12 Air Liquide Procédé et dispositif de dépôt à basse température d'un film contenant du silicium sur un substrat métallique.
US5596673A (en) * 1994-11-18 1997-01-21 Xerox Corporation Evaporation crucible assembly
JP2845773B2 (ja) * 1995-04-27 1999-01-13 山形日本電気株式会社 常圧ｃｖｄ装置
US5741363A (en) * 1996-03-22 1998-04-21 Advanced Technology Materials, Inc. Interiorly partitioned vapor injector for delivery of source reagent vapor mixtures for chemical vapor deposition
US5835678A (en) 1996-10-03 1998-11-10 Emcore Corporation Liquid vaporizer system and method
US5835687A (en) * 1996-10-21 1998-11-10 Vidar Systems Corporation Methods and apparatus for providing digital halftone images with random error diffusion dithering
US5882416A (en) * 1997-06-19 1999-03-16 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid delivery system, heater apparatus for liquid delivery system, and vaporizer
US5945163A (en) * 1998-02-19 1999-08-31 First Solar, Llc Apparatus and method for depositing a material on a substrate
DE10036867B4 (de) * 1999-07-30 2006-04-13 Tokyo Electron Ltd. Substrat-Bearbeitungsverfahren und -vorrichtung
JP3909792B2 (ja) * 1999-08-20 2007-04-25 パイオニア株式会社 化学気相成長法における原料供給装置及び原料供給方法
US6797108B2 (en) * 2001-10-05 2004-09-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for evenly flowing processing gas onto a semiconductor wafer
US6915592B2 (en) * 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US7534362B2 (en) * 2004-07-13 2009-05-19 Savas Stephen E Uniform etching system and process for large rectangular substrates

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5683516A (en) * 1994-07-18 1997-11-04 Watkins-Johnson Co. Single body injector and method for delivering gases to a surface
US6037241A (en) * 1998-02-19 2000-03-14 First Solar, Llc Apparatus and method for depositing a semiconductor material
US20030198741A1 (en) * 2002-04-19 2003-10-23 Ulvac, Inc. Film-forming apparatus and film-forming method

Also Published As

Publication number Publication date
EP1794346A2 (en) 2007-06-13
EA200700423A1 (ru) 2007-10-26
US20060032440A1 (en) 2006-02-16
WO2006020409A2 (en) 2006-02-23
EP1794346B1 (en) 2011-09-28
US7780787B2 (en) 2010-08-24
ATE526435T1 (de) 2011-10-15
EP1794346A4 (en) 2008-12-24
WO2006020409A3 (en) 2007-07-19
US9085822B2 (en) 2015-07-21
US20110039401A1 (en) 2011-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EA010965B1 (ru) Установка и способ осаждения материала на подложке
US6037241A (en) Apparatus and method for depositing a semiconductor material
US7910166B2 (en) System and method for depositing a material on a substrate
US5945163A (en) Apparatus and method for depositing a material on a substrate
US8353987B2 (en) System and method for depositing a material on a substrate
US8388754B2 (en) System and method for depositing a material on a substrate
US9129810B2 (en) System and method for depositing a material on a substrate
CN101525743B (zh) 一种采用近空间升华技术在衬底沉积形成半导体薄膜的方法和装置
US8921147B2 (en) Method and apparatus providing multi-step deposition of thin film layer
US20240247363A1 (en) Systems and methods for vaporization and vapor distribution
EP1880037B1 (en) System and method for depositing a material on a substrate
KR20150129578A (ko) 스프레이 열 분해용 노즐 및 이를 포함하는 박막 형성 장치
JPS58167766A (ja) 化学蒸着装置
JPH0867986A (ja) 大面積機能性堆積膜の連続的形成方法及び形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM RU