JP4180948B2 - 基板処理装置および基板処理方法、ガスノズル - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に半導体装置の製造に係り、特に誘電体膜あるいは金属膜の気相堆積技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置製造技術の分野においては、被処理基板表面にMOCVD法により高品質の金属膜や絶縁膜、あるいは半導体膜を形成することが一般に行われている。
【0003】
一方最近では、特に超微細化半導体素子のゲート絶縁膜の形成に関連して、被処理基板の表面に高誘電体膜(いわゆるhigh-K誘電体膜)を、一原子層ずつ積層することにより形成する、原子層堆積(ALD)技術が研究されている。
【0004】
ALD法では被処理基板を含むプロセス空間に、high-K誘電体膜を構成する金属元素を含む金属化合物分子を、気相原料ガスの形で供給し、被処理基板表面に金属化合物分子を約1分子層化学吸着させる。さらに前記プロセス空間から気相原料ガスをパージした後、H2Oなどの酸化剤を供給することにより前記被処理基板表面に吸着していた金属化合物分子を分解し、約1分子層の金属酸化物膜を形成する。
【0005】
さらに前記プロセス空間から酸化剤をパージした後、上記の工程を繰り返すことにより、所望の厚さの金属酸化膜、すなわちhigh-K誘電体膜を形成する。
【0006】
ALD法はこのように被処理基板表面への原料化合物分子の化学吸着を利用しており、特にステップカバレッジに優れている特徴を有している。400〜500℃、あるいはそれ以下の温度で良質な膜を形成することができる。このため、ALD法は超高速トランジスタのゲート絶縁膜のみならず、複雑な形状の下地上に誘電体膜を形成することが要求されるDRAMのメモリセルキャパシタの製造においても有効な技術であると考えられる。
【0007】
【特許文献1】
特開2002−151489号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
図1は、特開平2002−151489号公報に記載の基板処理装置10の構成を示す。
【0009】
図1を参照するに、前記基板処理装置10は被処理基板12を保持する処理容器11を含み、一方前記処理容器11は、Al等よりなる外側容器101と石英ガラスよりなる内側反応容器102とより構成される。前記内側反応容器102は、前記外側容器101中に画成され、前記外側容器101の一部を構成するカバープレート101Aにより覆われる凹部中に収められる。
【0010】
前記内側反応容器102は、前記凹部内において前記外側容器101の底面を覆う石英底板102Aと、前記凹部内において前記石英底板102Aを覆う石英カバー101Bとよりなり、さらに前記外側容器の底部には、被処理基板12を保持したディスク状の基板保持台103が収められる円形の開口部101Dが形成されている。前記基板保持台103中には、図示を省略する加熱機構が設けられている。
【0011】
前記基板保持台103は前記外側処理容器101の下部に設けられた基板搬送部104により回動自在に、また同時に上下動自在に保持されている。前記基板保持台103は最上位のプロセス位置と最下位の基板出入位置との間を上下動可能に保持されており、前記プロセス位置は、前記保持台103上の被処理基板12の表面が前記石英底板102Aの表面と略一致するように決定されている。
【0012】
一方、前記基板出入位置は、前記基板搬送部104の側壁面に形成された基板搬入出開口部104Aに対応して設定されており、前記基板保持台103が前記基板出入位置まで下降した場合、前記基板搬入出口104Aから搬送アーム104Bが挿入され、リフタピン(図示せず)により基板保持台103表面から持ち上げられた被処理基板12を保持して取り出し、次の工程に送る。また、前記搬送アーム104Bは、新たな被処理基板12を、前記基板搬入出開口部104Aを介して前記基板搬送部104中に導入し、これを前記基板保持台103上に載置する。
【0013】
前記新たな被処理基板12を保持した基板保持台103は、軸受部105中に磁気シール105Aにより保持された回動軸105Bにより回動自在に、また上下動自在に保持されており、前記回動軸105Bが上下動する空間は、ベローズ106等の隔壁により密閉されている。
【0014】
前記基板保持台103には被処理基板12を囲むように石英ガラスよりなるガードリング103Aが設けられている。
【0015】
前記外側容器101の底部に形成された前記開口部101Dは、側壁面が石英ライナー101dにより覆われており、前記石英ライナー101dはさらに下方に延在して前記基板搬送部104の内壁を覆う。
【0016】
前記外側容器101の底部には、前記開口部101Dの両側にそれぞれ排気装置に接続された排気溝部101aおよび101bが形成されており、前記排気溝部101aは導管107aおよびコンダクタンスバルブ15Aを介して、また前記排気溝部101bは導管107bおよびコンダクタンスバルブ15Bを介して排気される。図1の状態では、前記コンダクタンスバルブ15Aが閉状態に、また前記コンダクタンスバルブ15Bが略開状態に設定されている。
【0017】
前記排気溝部101aおよび101bは石英ガラスよりなるライナー108により覆われており、前記排気溝部101a,101bに対応してスリット状の開口部109A,109Bが前記石英底板102Aに形成される。図1の実施例では、かかるスリット状の開口部109A,109Bに排気口14Aあるいは14Bが形成された整流板109が、前記内側反応容器102内部の排気を促進する目的で形成されている。
【0018】
さらに前記内側反応容器102内には、石英ガスノズル13Aおよび13Bが、それぞれ前記排気溝部101aおよび101bに、前記ウェハ12を隔てて対向するように設けられている。
【0019】
前記石英ガスノズル13A,13Bは、それぞれ切替バルブ16A,16Bを介して原料ガス供給ライン16aおよび16b、およびパージガスライン100aおよび100bに接続されている。さらに図1の基板処理装置10では、前記切替バルブ16A,16Bにパージライン100cおよび100dが、それぞれ接続されている。
【0020】
前記ガスノズル13Aから導入された第1の処理ガスは、前記内側反応容器102内を前記被処理基板12の表面に沿って流れ、対向する排気口14Aから前記コンダクタンスバルブ15Aを介して排気される。同様に前記ガスノズル15Bから導入された第2の処理ガスは、前記内側反応容器102内を前記被処理基板12の表面に沿って流れ、対抗する排気口14Bから前記コンダクタンスバルブ15Bを介して排気される。このように第1および第2の処理ガスを交互に前記ガスノズル13Aから排気口14Aへと、あるいは前記ガスノズル13Bから排気口14Bへと流すことにより、原子層を基本単位とする膜形成が可能になる。
【0021】
一方、図1の基板処理装置10において、特に多元系の高誘電体膜を形成する場合などにおいて、一方の処理ガス供給口、例えば処理ガス供給口13Aに複数の処理ガスを、切り替えながら供給したい場合がある。
【0022】
図2は、図1の基板処理装置において、このように処理ガス供給口13AにTMAガスと有機Hf(HfMO)ガスを切替ながら供給する場合の、処理ガス供給口13A近傍の状態を示す図である。なお同様の状況は、処理ガス供給口13B近傍においても生じるが、この説明は同様であるので省略する。
【0023】
図2を参照するに、処理ガス供給口13Aには、その長手方向上異なった位置においてHfMOガスおよびTMAガスが供給されるポート13a,13bが設けられており、前記ポート13aには、ラインL1中のHfMOガスがバルブV1を介して供給される。同様に、前記ポート13bには、ラインL2中のTMAガスがバルブV2を介して供給される。
【0024】
前記ラインL1はさらにバルブV3を介してベントラインLvに、またラインL2はバルブV4を介して前記ベントラインLvに接続されており、前記バルブV1を閉鎖しバルブV3を開放することにより、パージラインLp1中のArガスが前記ポート13aを介して前記処理ガス供給口13Aに供給される。また前記バルブV2を閉鎖しバルブV4を開放することにより、パージラインLp2中のArガスが前記ポート13bを介して前記処理ガス供給口13Aに供給される。さらに前記バルブV3が閉鎖されている状態では、パージラインLP1中のArガスは別のバルブV5を介してベントラインLvに排気され、また前記バルブV4が閉鎖されている状態では、パージラインLP2中のArガスは別のバルブV6を介してベントラインLvに排気される。
【0025】
前記処理ガス供給口13Aにこのようなガス供給系を設けることにより、前記反応容器102中にTMAガスとHfMOガスとを切り替えながら供給することが可能になり、例えばZrAl2O5のような高誘電体膜を原子層成長により形成することが可能になる。
【0026】
しかしながら、図2のような構成の処理ガス供給口13Aあるいは13Bを使った場合、処理ガス供給口13A中に原料ガスが滞留しやすく、処理ガスを切り替える際にArなどのパージガスによりパージを行っても、次の処理ガスを供給する際に処理ガス供給口13A中に前の工程の処理ガスが残留してしまう問題が生じる。この問題は、処理ガス供給口13Aから供給される処理ガスが反応容器102中において層流を形成するように、処理ガス供給口13Aが細長い、面積の小さな吐出口を有している基板処理装置10において、特に深刻である。
【0027】
また図2の構成では、前記ラインLp1あるいはLp2中のArガスを使ったパージ工程において、処理ガス供給口13A中に滞留していた処理ガスが反応容器102中に排出されることになるため、パージ工程において不要な、望ましくない処理ガス分子の吸着が生じてしまう。
【0028】
また、図2の構成において一方の処理ガスが、他方の処理ガスと反応する性質を有するものである場合には、供給された処理ガスが、残留している前の工程の処理ガスと反応してパーティクルを発生させてしまうおそれがある。従って、このようなパーティクル発生の問題を確実に回避するには、前記処理ガス供給口13Aの近傍に、別の処理ガス供給口を独立に設ける必要があるが、このような構成は、処理容器101、従って石英反応容器102の容積減少を困難にする。原子層堆積技術など、処理ガスとパージガスとを繰り返し供給することで膜を形成する技術においては、迅速なパージが可能なように、反応容器内部の容積を可能な限り減少させることが必要である。しかしながら、図2の構成では、このような反応容器内部の容積の減少が困難であり、パージに長い時間が必要になる。
【0029】
そこで、本発明は上記の課題を解決した、新規で有用な基板処理装置を提供することを概括的課題とする。
【0030】
本発明のより具体的な課題は、効率的にパージ可能な処理ガス導入口を有する基板処理装置を提供することにある。
【0031】
本発明の他の課題は、効率的に処理ガスを切り替えることが可能な基板処理装置を提供することにある。
【0032】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を、
請求項1に記載したように、
被処理基板を保持する基板保持台を備え、排気ポートにおいて排気される処理容器と、
前記処理容器に原料ガスを、前記被処理基板の表面に沿って層流の形で供給する原料ガス供給系とを備えた基板処理装置において、
前記原料ガス供給系は、前記処理容器内に設けられ、前記層流の流れる方向に略直交する方向に延在し、前記原料ガスの層流を形成する処理ガスノズルを含み、
前記処理ガスノズルの一端には前記処理ガスを供給する処理ガス供給ラインが接続され、前記処理ガスノズルの他端には、排気ラインが接続されていることを特徴とする基板処理装置により、または
請求項2に記載したように、
前記処理ガス供給ラインには、複数のガスを供給され、前記供給されたガスのうちの選択されたガスを前記処理ガス供給ラインに供給する集積化バルブ装置が接続されていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置により、または
請求項3に記載したように、
前記集積化バルブ装置は、前記処理ガスラインに接続された共通ガスラインと、各々ガスラインに接続され、前記共通ガスラインに、前記処理ガスノズルからの距離が異なったそれぞれ複数の位置で接続された複数のバルブを含むことを特徴とする請求項2記載の基板処理装置により、または
請求項4に記載したように、
前記複数のバルブのうち、前記共通ガスラインに前記処理ガス供給ノズルからの距離が最も大きい位置において接続されたバルブは、対応するガスラインからパージガスを供給されることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置により、または
請求項5に記載したように、
前記処理ガスノズルは、前記一端に対応する第1の端部から前記他端に対応する第2の端部まで延在し長手方向に沿って複数の開口部を形成された導管と、内部に空間を有し、前記空間に前記導管を格納したノズル本体とよりなり、前記処理ガス供給ラインは、前記導管の前記第1の端部に接続され、前記排気ラインは前記導管の前記第2の端部に接続されることを特徴とする請求項1〜4のうち、いずれか一項記載の基板処理装置により、または
請求項6に記載したように、
前記ノズル本体には、前記処理ガスを吐出するスリット状吐出口が、前記被処理基板の表面に平行に、前記層流の流れる方向に直交するように形成されていることを特徴とする請求項1〜5のうち、いずれか一項記載の基板処理装置により、または
請求項7に記載したように、
前記空間には、パージガスラインが接続されていることを特徴とする請求項6記載の基板処理装置により、または
請求項8に記載したように、
前記処理ガスノズルは前記処理容器中、前記基板保持台の第1の側に形成され、前記処理ガスノズルは前記処理ガスを、前記被処理基板の表面に沿って、前記第2の側へと流すことを特徴とする請求項1〜7のうち、いずれか一項記載の基板処理装置により、または
請求項9に記載したように、
前記処理容器中には、前記基板保持台の第2の側に形成された別の処理ガスノズルが設けられており、前記別の処理ガスノズルは、供給された処理ガスを、前記被処理基板の表面に沿って、前記第1の側へと流すことを特徴とする請求項8記載の基板処理装置により、または
請求項10に記載したように、
被処理基板を保持する基板保持台を備え、前記基板保持台に対して第1の側に形成された第1の排気ポートおよび前記基板保持台に対して前記第1の側に対向する第2の側に形成された第2の排気ポートにおいて排気される処理容器と、
前記処理容器の前記第2の側に設けられ、前記処理容器に複数の原料ガスから選ばれた原料ガスを、層流の形で供給する第1の原料ガス供給系と、
前記処理容器の前記第1の側に設けられ、前記処理容器に複数の原料ガスから選ばれた原料ガスを、層流の形で供給する第2の原料ガス供給系とを備えた基板処理装置において、
前記第1および第2の排気ポートは前記層流の流れる方向に対して略直交する方向に延在するスリット形状を有し、
前記第1の排気ポートには、前記排気ポートのスリット形状に対応した開口部を有する弁体を備えた第1のバルブが係合し、
前記第2の排気ポートには、前記排気ポートのスリット形状に対応した開口部を有する弁体を備えた第2のバルブが係合し、
前記第1および第2のバルブの各々において前記開口部は、前記排気ポートに対して、前記排気ポートの延在方向に略直交する方向に変位可能に設けられ、前記バルブは、前記開口部が変位することにより開度を変化させ、
第1の前記原料ガス供給系は、前記処理容器内に設けられ、前記層流の流れる方向に略直交する方向に延在し、前記原料ガスの層流を形成する第1の処理ガスノズルを含み、
第2の前記原料ガス供給系は、前記処理容器内に設けられ、前記層流の流れる方向に略直交する方向に延在し、前記原料ガスの層流を形成する第2の処理ガスノズルを含み、
前記第1の処理ガスノズルの一端には前記処理ガスを供給する第1の処理ガス供給ラインが接続され、前記第1の処理ガスノズルの他端には、排気ラインが接続され、
前記第2の処理ガスノズルの一端には前記処理ガスを供給する第2の処理ガス供給ラインが接続され、前記第2の処理ガスノズルの他端には、排気ラインが接続され、
前記第1の処理ガス供給ラインには、第1および第2の処理ガスの一方が、第1の集積バルブユニットを介して選択的に供給され、
前記第2の処理ガス供給ラインには、第3および第4の処理ガスの一方が、第2の集積バルブユニットを介して選択的に供給されることを特徴とする基板処理装置により、または
請求項11に記載したように、
被処理基板の表面に沿って、前記被処理基板の第1の側に設けた第1の処理ガス供給ノズルから、前記第1の側に対向する第2の側に向かって第1の処理ガスを層流の形で流し、前記被処理基板の表面に第1の処理ガス分子を吸着させる工程と、
前記被処理基板表面のプロセス空間および前記第1の処理ガス供給ノズルから、前記第1の処理ガスを除去する工程と、
前記被処理基板の表面に沿って、前記被処理基板の前記第2の側に設けた第2の処理ガス供給ノズルから、前記第1の側に向かって第2の処理ガスを層流の形で流し、前記被処理基板表面に吸着している前記第1の処理ガス分子とを化合させる工程と、
前記プロセス空間および前記第2の処理ガス供給ノズルから前記第2の処理ガスを除去する工程と、
前記被処理基板の表面に沿って前記第2の処理ガス供給ノズルから、前記第1の側に向かって第3の処理ガスを層流の形で流し、前記被処理基板表面に第3の処理ガス分子を吸着させる工程と、
前記プロセス空間および前記第2の処理ガス供給ノズルから前記第3の処理ガスを除去する工程と、
前記被処理基板の表面に沿って前記第1の処理ガス供給ノズルから、前記第2の側に向かって第4の処理ガスを層流の形で流し、前記被処理基板表面に吸着している前記第3の処理ガス分子とを化合させる工程と、
前記プロセス空間および前記第1の処理ガス供給ノズルから前記第4の処理ガスを除去する工程とよりなることを特徴とする基板処理方法により、または
請求項12に記載したように、
前記第1および第2の処理ガス供給ノズルは、いずれも前記被処理基板に平行な面内において前記第1および第2の側を結んだ線に対して略直交する方向に延在しており、
前記第1の処理ガス供給ノズルから前記第1の処理ガスおよび前記第4の処理ガスを除去する工程は、前記第1の処理ガス供給ノズルの第1の端部にパージガスを導入し、前記処理ガスノズルの長手方向上、前記第1の端部に対向する第2の端部から排気する工程を含み、
前記第2の処理ガス供給ノズルから前記第2の処理ガスおよび前記第3の処理ガスを除去する工程は、前記第2の処理ガス供給ノズルの第3の端部にパージガスを導入し、前記処理ガスノズルの長手方向上、前記第3の端部に対向する第4の端部から排気する工程を含むことを特徴とする請求項11記載の基板処理方法により、または
請求項13に記載したように、
第1の端部から第2の端部まで延在する中空の本体部材と、
前記本体部材中の空間に収納された、前記第1の端部に対応する第3の端部から前記第2の端部に対応する第4の端部まで延在する導管と、
前記導管に、長手方向に沿って形成された複数の開口部と、
前記本体部材中に、前記本体部材の延在方向に沿って形成されたスリット状のガス吐出口と、
前記導管の前記第3の端部に設けられたガス導入口と、
前記導管の前記第4の端部に設けられたガス排出口と、
前記本体部材に設けられ、前記空間に連通するパージガス導入口とよりなることを特徴とするガスノズルにより、解決する。
【0033】
本発明によれば、処理ガスが処理ガス供給ノズルに、前記処理ガス供給ノズルの一端から導入され他端から排出されるため、前記処理ガス導入後、前記一端にパージガスを導入することにより、前記処理ガス供給ノズル中に残留している処理ガスを前記他端から効率的に排出することができ、処理ガスノズルのパージを容易に行うことが可能になる。その結果、単一の処理ガス供給ノズルを使って、複数の処理ガスを基板処理装置の処理容器内に導入することが可能になり、処理容器内部の容積を減少させつつ、多元系の高誘電体膜を被処理基板上に形成することが可能になる。その結果、処理容器内部のパージ効率が向上し、高いスループットで被処理基板を処理することが可能になる。
【0034】
また本発明によれば、堆積性の原料ガスを被処理基板の両側から交互に供給することが可能になるため、被処理基板を回転させなくても、被処理基板上に一様な厚さで膜を形成することが可能になる。
【0035】
【発明の実施の形態】
[第1実施例]
図3は、本発明の第1実施例による基板処理装置200の構成を、また図4(A),(B)は前記基板処理装置200の概略的構成を示す。ただし図4(A)は図3を簡素化した断面図、図4(B)は図4(A)の平面図を示す。
【0036】
図3を参照するに、基板処理装置200はアルミニウム合金よりなる外側容器201と前記外側容器201を覆うカバープレート201Aを含み、前記外側容器201と前記カバープレート201Aとにより画成される空間には、プロセス空間を画成する石英反応容器202が設けられている。
【0037】
さらに前記プロセス空間の下端部は、被処理基板12を保持する基板保持台203により画成されており、前記基板保持台203は前記外側容器201から下方に延在し、また基板搬送口204Aを設けられた基板搬送部204内を、上端位置と下端位置との間で上下に昇降可能に設けられている。前記保持台203は、上端位置において前記石英反応容器202と共に、前記プロセス空間を画成する。
【0038】
図示の状態では、前記保持台203は前記基板搬送部204中に下降しており、被処理基板12が前記基板搬送口204Aに対応する高さに位置しているのがわかる。この状態でリフタピン204Bを駆動することにより、基板12の出し入れが可能になる。
【0039】
また前記保持台203は磁気シールを含む軸受け部205により回動自在に保持されており、さらに前記保持台203の上下動を可能にするために、前記保持台に結合された回動軸の回りにはベローズ206が設けられている。
【0040】
前記カバープレート201Aは中央部が肉厚の構成となっており、このため前記外側容器201とカバープレート201Aとにより画成される前記空間は、前記保持台203が上端位置まで上昇した状態において被処理基板12が位置している中央部において高さ、すなわち容積が減少し、また両端部において徐々に高さが増大する構成を有するのがわかる。
【0041】
図3の基板処理装置200では、これらプロセス空間の両端部に、それぞれ排気管207aおよび207bに排気口255を介して連通した高速ロータリバルブ25A,25Bが設けられている。また、前記プロセス空間の両端部には、前記高速ロータリバルブ25Aあるいは25Bへのガス流路を整流するようにバーズビーク状(鳥のくちばし状)に整形された処理ガスノズル83A,83Bが、それぞれ前記高速ロータリバルブ25Aおよび25Bに対向するように設けられている。
【0042】
なお、図3の構成において前記基板保持台203の外周部は石英ガードリング203Aにより覆われており、また前記プロセス空間底部には、前記基板保持台203が上端位置に上昇した場合に前記基板保持台203を側方から囲むように、石英底板202Aが設けられている。
【0043】
図4(A),(B)に示すように前記処理ガスノズル83Bには集積化バルブユニット83BIが接続され、前記集積化バルブユニットを介して有機Hf原料(Hf−MO)や有機Al原料(TMA)などの原料ガス、酸素やオゾンなどの酸化ガス、アンモニアなどの窒化ガスおよびArなどのパージガスが選択的に供給され、また前記処理ガスノズル83Aには集積化バルブユニット83AIが接続され、前記集積化バルブユニット83AIを介して同様な原料ガス、酸化ガス、窒化ガスあるいはパージガスが選択的に供給される。
【0044】
図5(A)は、図3の基板処理装置200で使われる処理ガスノズル83Bおよびこれに協働する集積化バルブユニット83BIの構成を、図5(B)は図5(A)における前記処理ガスノズル83Bの近傍を拡大して示す。
【0045】
図5(A),(B)を参照するに、前記処理ガスノズル83Bは一端がベントバルブ83BVを介して排気され、他端に前記集積化バルブユニット83BIが接続されている。
【0046】
より具体的に説明すると、前記集積化バルブユニット83BIは前記処理ガスノズル83Bの前記他端に接続されるガスライン83BLを含み、前記ガスライン83BLに複数のバルブ83BV1〜83BV7が共通に接続される。
【0047】
このうち、ライン83BLの下流側に位置するバルブ83BV1〜83BV5には、それぞれの原料供給ラインSB1〜SB5から原料ガスが供給され、また各々の原料供給ラインには対応するベントバルブ83Bv1〜83Bv5が設けられている。そこで、前記ベントバルブ83BVを閉鎖し、さらにこれらのバルブの一つを選択的に開放することにより、対応する原料供給ライン中の原料ガスを、前記処理ガスノズル83Bを介して、前記石英反応容器202中のプロセス空間に、層流の形で導入することができる。
【0048】
さらに前記バルブ83BV6,83BV7は前記バルブ83BV1〜83BV5の外側に配設されており、それそれパージガスライン83BP1および83BP2に接続されている。そこで前記ベントバルブ83BVを開放し、さらに前記バルブ83BV6を開放することにより、処理ガス供給ノズル83Bの内部を、これに直列に接続された前記ガス供給ライン83BLの内部をも含めて、前記パージガスライン83BP1から供給されるArなどのパージガスにより、前記他端から一端に向かって残留ガスを残すことなく実質的に完全に、かつ効率的にパージすることができる。また、前記ベントバルブ83BVを閉鎖し、前記バルブ83BV7を開放することにより、前記石英反応容器202内部のプロセス空間を、前記パージガスライン83BP2を介して供給されるArなどのパージガスにより、前記処理ガス供給ノズル83Bを介してパージすることができる。その際、先に前記処理ガス供給ノズル83Bの内部をパージしておくことにより、前記プロセス空間に前記処理ガス供給ノズル83B内に滞留していた残留ガスが排出され余計な化学吸着などの汚染を生じる問題が解消する。
【0049】
図5と同様な構成は、前記処理ガス供給ノズル83Aにも設けられるが、その構成および動作は同様であり、説明を省略する。
【0050】
図6(A)〜(C)は図3の基板処理装置200で使われる高速ロータリバルブ25A,25Bの構成を示す。
【0051】
図6(A)を参照するに、前記高速ロータリバルブ25A,25B中には、円筒形状の弁体252A,252Bがそれぞれ回動自在に挿入されており、前記弁体252Aおよび252Bには図6(B),(C)に示すように開口部▲1▼〜▲3▼が形成されている。図6(A)では、前記高速ロータリバルブ25A,25Bの各々において、前記開口部▲1▼〜▲3▼の位置を矢印で示してある。
【0052】
図6(A)を参照するに、前記処理ガス供給ノズル83Bには、前記バルブ83B1〜83B7を含む集積化バルブ83BIが接続されており、同様に前記処理ガスノズル83Aには、前記集積化バルブ83BIと同様な構成を有し、バルブ83A1〜83A7を含む集積化バルブ83AIが接続されている。以下の説明では、集積化バルブ83AIではバルブ83A1および83A6,83A7だけが使われ、また集積化バルブ83BIではバルブ83B1および83B6,83B7だけが使われる。
【0053】
以下、図3の基板処理装置200を使って行うALD工程の例を、図7(A)〜(D)および図8(E)〜(H)を参照しながら説明する。
【0054】
図7(A)の工程では前記高速ロータリバルブ25A,25Bは図7(A)の状態に設定され、その結果、前記石英処理容器202内部のプロセス空間が、バルブ25A,25Bのいずれにおいても開口部▲1▼および▲3▼を通る経路により排気管207aあるいは207bへと排気される。また図7(A)の状態ではバルブ25A,25Bのいずれにおいても開口部▲2▼が処理ガス導入口83Aあるいは83Bに整合し、その結果、処理ガス導入口83A,83Bも開口部▲3▼および排気管207aあるいは207bを通って排気される。
【0055】
次に図7(B)の工程では高速ロータリバルブ25Bの状態が図7(A)のまま、前記高速ロータリバルブ25Aの弁体252が、前記開口部▲1▼が排気管207aに連通するが開口部▲2▼〜▲3▼のいずれも前記プロセス空間あるいは処理ガス導入口83Bに連通しない位置に回転され、さらに前記集積化バルブ83BI中のバルブ83BV1が開かれ、ラインSB1中の有機金属Hf原料が前記処理ガス導入口83Bを介して前記プロセス空間中に導入される。導入された有機金属Hf原料は前記プロセス空間中を被処理基板12の表面に沿って流れ、被処理基板12表面に吸着される。
【0056】
次に図7(C)の工程において、前記高速ロータリバルブ25Aおよび25B中の弁体252の位置をそのままに保持し、処理容器202内部のプロセス空間が排気管207bへと排気される。また図7(C)の工程では図示していないベントバルブ83BVと前記集積化バルブ83BI中のバルブ83BV6が開かれ、前記ライン83BP1中のArパージガスが前記処理ガスノズル83B中に導入され、前記導入されたArパージガスが前記ベントバルブ83BVから排出されることにより、前記処理ガスノズル83Bがパージされる。続いて前記集積化バルブ83BI中のバルブ83BV7が開かれ、ライン83BP2中のArパージガスが前記処理ガス導入口83Bから前記プロセス空間に導入され、前記プロセス空間がパージされる。
【0057】
次に図8(D)の工程において前記高速ロータリバルブ25A,25B中の弁体252がいずれも図7(A)の状態に戻され、前記処理容器202内部のプロセス空間が排気される。
【0058】
次に図8(E)の工程において前記高速ロータリバルブ25Aの弁体252は図8(D)の状態のまま、前記高速ロータリバルブ25B中の弁体252が、前記開口部▲1▼が前記排気管207bに連通するが開口部▲2▼〜▲3▼のいずれも前記プロセス空間あるいは処理ガス導入口83Aに連通しない位置に位置に回転され、さらに前記集積化バルブ83AI中のバルブ83AV1が開かれ、ラインSA1中のオゾンガスが前記処理ガス導入口83Aを介して前記プロセス空間中に導入される。導入されたオゾンガスは前記プロセス空間中を被処理基板12の表面に沿って流れ、被処理基板12表面に吸着された有機金属Hf原料分子を酸化し、1分子層の厚さのHfO2膜を形成する。
【0059】
次に図8(F)の工程において、前記高速ロータリバルブ25Aおよび25B中の弁体252の位置をそのままに保持し、前記処理容器202内部のプロセス空間が排気管207aへと排気される。その際、図8(F)の工程では前記ベントバルブ83AVおよび前記バルブ83AV6が開かれ、ライン83AP1中のArパージガスが前記処理ガス導入口83Aへと導入され、導入されたArパージガスが前記ベントバルブ83AVから排出されることにより、処理ガス導入口83Aがパージされる。さらに図8(F)の工程では前記バルブ83AV7が開かれ、ライン83AP2中のArパージガスが前記処理ガス導入口83Aから前記プロセス空間に導入され、前記プロセス空間がパージされる。
【0060】
さらに図7(A)〜図8(F)の工程を繰り返すことにより、被処理基板12上にHfO2膜の原子層成長が実現される。
【0061】
本実施例によれば、処理ガス供給ノズル83A,83Bにノズルパージ機能が付与されるため、ノズルをパージすることにより、同一の処理ガス供給ノズルから前記プロセス空間に、例えばSA2〜SA5,SB2〜SB5に接続された、異なった処理ガスを供給することが可能になる。このため処理ガスごとに異なった処理ガス供給ノズルを設ける必要がなくなり、プロセス空間の容積を最小限に減少させることができる。これに伴い、前記プロセス空間のパージが短時間で可能になり、原子層堆積工程の処理効率が大きく向上すると同時に、ZrSiO4やHfAl2O5など、複数の金属元素を含む多元系の膜を堆積することが可能になる。
【0062】
図9(A),(B)は、基板処理装置200で行われる成膜工程における、本実施例によるノズルパージの効果を示す図である。ただし図9(A),(B)の成膜工程では、前記処理ガス供給ノズル83AにTMAガスを、処理ガス供給ノズル83Bにオゾンガスを供給することにより、前記被処理基板12上にAl2O3膜を形成している。
【0063】
図9(A)は、前記処理ガス供給ノズル83A、83Bのパージ時間を変化させ、得られたAl2O3膜の膜厚均一性を調べた結果を示す。また図9(B)は、前記処理ガス供給ノズル83A,83Bにおけるパージガス流量を変化させ、得られたAl2O3膜の膜厚均一性を調べた結果を示す。なお成膜条件は、以下の表1〜表3の通りとした。
【0064】
【表1】
【0065】
【表2】
【0066】
【表3】
図9(A),(B)中、■はTMAガスが供給されるノズル83Aにおけるパージ効果を示し▲はオゾンガスが供給されるノズル83Bにおけるパージ効果を示す。
【0067】
図9(A),(B)を参照するに、ノズルパージを行わない場合には膜の均一性が4%程度であったのが、パージ時間あるいはパージガス流量を増大させることにより、1〜2%前後まで減少しているのがわかる。
【0068】
図10は、基板処理装置200において前記表1〜3の条件でAl2O3膜を形成した場合における基板上の粒子数を示す。ただし図10中、◆は成膜前の初期状態を、○は成膜後の状態を示す。
【0069】
図10を参照するに、ノズル排気ラインを設けなかった場合には、1枚のウェハ処理後において1500個を超えるパーティクルが基板上に存在するのに対し、図4(B)で説明した排気ライン83AVあるいは83BVを設けた場合には、基板上に堆積するパーティクルの数を50個以下に抑制することが可能になるのがわかる。
[第2実施例]
図11(A),(B)は、前記処理ガス供給ノズル83Bの本第2実施例による構成を示す。なお同様な構成が処理ガス供給ノズル83Aにも適用されるが、その説明は省略する。
【0070】
図11(A)を参照するに、本発明第2実施例による処理ガス供給ノズル83Bは、前記一端から前記他端まで延在し、先端部にスリット状の吐出口83bを形成され、高さが先端部に向かって徐々に減少するような形状を有する中空筐体部材83Hにより構成されている。
【0071】
前記中空筐体部材83H中には、図11(B)に示すように中空パイプ部材83hが、前記中空筐体部材83Hの前記一端から他端まで連続して延在するように設けられており、前記中空パイプ部材83hには、多数の開口部83pが、長手方向に沿って形成されている。さらに前記中空パイプ部材83hの一端には、前記ベントバルブ83BVが接続されており、また他端には前記集積化バルブ83BIが接続されている。
【0072】
そこで、前記集積化バルブ83BIから処理ガスが供給された場合、前記処理ガスは前記中空パイプ部材83hの前記開口部83pから前記中空筐体部材83H中の空間に吐出され、均一化した後、前記スリット状の吐出口83bから前記石英反応容器202中のプロセス空間に、層流の形で排出される。
【0073】
一方、前記集積化バルブ83BIからパージガスが供給された場合、前記パージガスバルブ83BV6からのパージガスは前記中空パイプ部材83hの前記他端に導入され、前記一端からベントバルブ83BVを介して排出される。このため、前記中空パイプ部材83hの内部は前記他端から前記一端まで順次パージされ、処理ガスが中空パイプ部材83h内部に滞留することはない。
【0074】
なお、本実施例では、前記プロセス空間をパージするために、前記中空筐体部材83Hにパージガスライン83BP2が接続されており、バルブ83BV7は集積化バルブユニット83BI中ではなく、前記パージライン83BP2中に設けられている。
[第3実施例]
図12は、先の実施例の処理ガス供給ノズル83A,83Bを使った本発明の第3実施例による基板処理装置400の構成を示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【0075】
図12を参照するに、本実施例では被処理基板12上にAl2O3膜を、被処理基板12の回転を行うことなく形成する。従って基板処理装置400では、図3における回転機構205およびこれに協働する磁気シールなどの部品を省略することができ、構成が大幅に簡素化される。
【0076】
図13は、図12の基板処理装置400で実行されるAl2O3膜の形成工程を示す。
【0077】
図13を参照するに、ステップ1において、処理ガス供給ノズル83Bが閉じられ、この状態で前記処理ガス供給ノズル83AからTMAガスが前記プロセス空間に導入され、被処理基板12の表面にTMA分子の吸着が生じる。
【0078】
次にステップ2において前記処理ガス供給ノズル83Bを閉じたまま前記処理ガス供給ノズル83Aがパージされ、さらにステップ3において前記処理ガス供給ノズル83Bを閉じたままプロセス空間が、前記処理ガス供給ノズル83Aからのパージガスによりパージされる。
【0079】
次にステップ4において、処理ガス供給ノズル83Aが閉じられ、この状態で前記処理ガス供給ノズル83Bからオゾンガスが前記プロセス空間に導入され、被処理基板12の表面に吸着したTMA分子が酸化され、Al2O3の分子層が形成される。
【0080】
次にステップ5において前記処理ガス供給ノズル83Aを閉じたまま前記処理ガス供給ノズル83Bがパージされ、さらにステップ6において前記処理ガス供給ノズル83Aを閉じたままプロセス空間が、前記処理ガス供給ノズル83Bからのパージガスによりパージされる。
【0081】
次にステップ7において、処理ガス供給ノズル83Aを閉じたまま、前記処理ガス供給ノズル83BからTMAガスが前記プロセス空間に導入され、先にAl2O3分子層が形成された被処理基板12の表面にTMA分子の吸着が生じる。
【0082】
次にステップ8において前記処理ガス供給ノズル83Aを閉じたまま前記処理ガス供給ノズル83Bがパージされ、さらにステップ9において前記処理ガス供給ノズル83Aを閉じたままプロセス空間が、前記処理ガス供給ノズル83Bからのパージガスによりパージされる。
【0083】
次にステップ10において、処理ガス供給ノズル83Bが閉じられ、この状態で前記処理ガス供給ノズル83Aからオゾンガスが前記プロセス空間に導入され、被処理基板12の表面に吸着したTMA分子が酸化され、Al2O3の分子層が形成される。
【0084】
次にステップ11において前記処理ガス供給ノズル83Bを閉じたまま前記処理ガス供給ノズル83Aがパージされ、さらにステップ12において前記処理ガス供給ノズル83Bを閉じたままプロセス空間が、前記処理ガス供給ノズル83Aからのパージガスによりパージされる。
【0085】
本実施例のプロセスによれば、TMAガスが被処理基板12の両側から供給されるため、被処理基板12を回転させずとも、被処理基板12の全面にわたり、均一なAl2O3膜の形成が得られ、同一の処理ガス供給ノズルから同一の処理ガスを供給するときに起こりがちな、図14に示すような被処理基板12の片側のみで膜厚が増大する不均一な膜形成を抑制することができる。
【0086】
本実施例は特に、一度の吸着工程で被処理基板上に複数の分子層が吸着される、CVD法に近い条件で実行される、不均一な膜形成の生じやすい成膜プロセスにおいて特に有用である。
【0087】
なお上記の説明では被処理基板上にAl2O3膜を形成する例を説明したが、本発明はかかる特定の材料系に限定されるものではなく、多元系材料を含む他の様々な系に対して適用可能である。
【0088】
また以上の説明では、超高速MOSトランジスタの高誘電体ゲート絶縁膜を形成する例を説明したが、本発明は、例えばDRAMのメモリセルキャパシタなど、高誘電体キャパシタ絶縁膜を有するキャパシタの形成にも有用である。また本発明は、DRAMメモリセルキャパシタの電極など、複雑形状を有する金属膜を形成する目的にも好適である。
【0089】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【0090】
【発明の効果】
本発明によれば、処理ガスが処理ガス供給ノズルに、前記処理ガス供給ノズルの一端から導入され他端から排出されるため、前記処理ガス導入後、前記一端にパージガスを導入することにより、前記処理ガス供給ノズル中に残留している処理ガスを前記他端から効率的に排出することができ、処理ガスノズルのパージを容易に行うことが可能になる。その結果、単一の処理ガス供給ノズルを使って、複数の処理ガスを基板処理装置の処理容器内に導入することが可能になり、処理容器内部の容積を減少させつつ、多元系の高誘電体膜を被処理基板上に形成することが可能になる。その結果、処理容器内部のパージ効率が向上し、高いスループットで被処理基板を処理することが可能になる。
【0091】
また本発明によれば、堆積性の原料ガスを被処理基板の両側から交互に供給することが可能になるため、被処理基板を回転させなくても、被処理基板上に一様な厚さで膜を形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の基板処理装置の構成を示す図である。
【図2】図1の基板処理装置の一部を拡大して示す図である。
【図3】本発明第1実施例による基板処理装置の構成を示す図である。
【図4】(A),(B)は、図3の基板処理装置の構成を示す別の図である。
【図5】図3の基板処理装置の一部を詳細に示す図である。
【図6】(A)〜(C)は、図3の基板処理装置の一部を詳細に示す図である。
【図7】(A)〜(C)は、図3の基板処理装置を使って実行される本発明第1実施例による基板処理プロセスを示す図(その1)である。
【図8】(D)〜(F)は、図3の基板処理装置を使って実行される本発明第1実施例による基板処理プロセスを示す図(その2)である。
【図9】(A),(B)は、処理ガスノズルのパージ効果を示す図である。
【図10】本発明第1実施例における基板上に堆積した粒子数を示す図である。
【図11】(A),(B)は、本発明第2実施例による処理ガス供給ノズルの構成を示す図である。
【図12】本発明第3実施例による基板処理装置の構成を示す図である。
【図13】本発明第3実施例による基板処理プロセスを示す図である。
【図14】図13の基板処理プロセスに対する比較例を示す図である。
【符号の説明】
200,400 基板処理装置
12 被処理基板
25A,25B 高速ロータリバルブ
83A,83B 処理ガス供給ノズル
83AI,83BI 集積化バルブユニット
83AP1,83AP2,83BP1,83BP2 パージガスライン
83AV,83BV,83Bv1〜83Bv5 ベントバルブ
83AV1,83AV6.83AV7,83BV1〜83BV7 バルブ
83BL,SB1〜SB5 ガス供給ライン
83BP1,83BP2 パージガスライン
201 外側容器
201A カバープレート
201a,201b 排気溝部
201d 石英ライナー
201D 開口部
202 石英反応容器
202A 石英底板
203 基板保持台
203A ガードリング
204 基板搬送室
204A 基板搬入出開口部
204B リフタピン
205 軸受け
205A 磁気シール
206 ベローズ
207a,207b 排気管
208 石英ガラスライナー
209A,209B スリット状開口部
252A,252B 弁体
255 排気口
Claims (13)
- 被処理基板を保持する基板保持台を備え、排気ポートにおいて排気される処理容器と、
前記処理容器に原料ガスを、前記被処理基板の表面に沿って層流の形で供給する原料ガス供給系とを備えた基板処理装置において、
前記原料ガス供給系は、前記処理容器内に設けられ、前記層流の流れる方向に略直交する方向に延在し、前記原料ガスの層流を形成する処理ガスノズルを含み、
前記処理ガスノズルの一端には前記処理ガスを供給する処理ガス供給ラインが接続され、前記処理ガスノズルの他端には、排気ラインが接続されていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理ガス供給ラインには、複数のガスを供給され、前記供給されたガスのうちの選択されたガスを前記処理ガス供給ラインに供給する集積化バルブ装置が接続されていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記集積化バルブ装置は、前記処理ガス供給ラインに接続された共通ガスラインと、各々ガスラインに接続され、前記共通ガスラインに、前記処理ガスノズルからの距離が異なったそれぞれ複数の位置で接続された複数のバルブを含むことを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
- 前記複数のバルブのうち、前記共通ガスラインに前記処理ガスノズルからの距離が最も大きい位置において接続されたバルブは、対応するガスラインからパージガスを供給されることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
- 前記処理ガスノズルは、前記一端に対応する第1の端部から前記他端に対応する第2の端部まで延在し長手方向に沿って複数の開口部を形成された導管と、内部に空間を有し、前記空間に前記導管を格納したノズル本体とよりなり、前記処理ガス供給ラインは、前記導管の前記第1の端部に接続され、前記排気ラインは前記導管の前記第2の端部に接続されることを特徴とする請求項1〜4のうち、いずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記ノズル本体には、前記処理ガスを吐出するスリット状吐出口が、前記被処理基板の表面に平行に、前記層流の流れる方向に直交するように形成されていることを特徴とする請求項1〜5のうち、いずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記空間には、パージガスラインが接続されていることを特徴とする請求項6記載の基板処理装置。
- 前記処理ガスノズルは前記処理容器中、前記基板保持台の第1の側に形成され、前記処理ガスノズルは前記処理ガスを、前記被処理基板の表面に沿って、前記第2の側へと流すことを特徴とする請求項1〜7のうち、いずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記処理容器中には、前記基板保持台の第2の側に形成された別の処理ガスノズルが設けられており、前記別の処理ガスノズルは、供給された処理ガスを、前記被処理基板の表面に沿って、前記第1の側へと流すことを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。
- 被処理基板を保持する基板保持台を備え、前記基板保持台に対して第1の側に形成された第1の排気ポートおよび前記基板保持台に対して前記第1の側に対向する第2の側に形成された第2の排気ポートにおいて排気される処理容器と、
前記処理容器の前記第2の側に設けられ、前記処理容器に複数の原料ガスから選ばれた原料ガスを、層流の形で供給する第1の原料ガス供給系と、
前記処理容器の前記第1の側に設けられ、前記処理容器に複数の原料ガスから選ばれた原料ガスを、層流の形で供給する第2の原料ガス供給系とを備えた基板処理装置において、
前記第1および第2の排気ポートは前記層流の流れる方向に対して略直交する方向に延在するスリット形状を有し、
前記第1の排気ポートには、前記排気ポートのスリット形状に対応した開口部を有する弁体を備えた第1のバルブが係合し、
前記第2の排気ポートには、前記排気ポートのスリット形状に対応した開口部を有する弁体を備えた第2のバルブが係合し、
前記第1および第2のバルブの各々において前記開口部は、前記排気ポートに対して、前記排気ポートの延在方向に略直交する方向に変位可能に設けられ、前記バルブは、前記開口部が変位することにより開度を変化させ、
第1の前記原料ガス供給系は、前記処理容器内に設けられ、前記層流の流れる方向に略直交する方向に延在し、前記原料ガスの層流を形成する第1の処理ガスノズルを含み、
第2の前記原料ガス供給系は、前記処理容器内に設けられ、前記層流の流れる方向に略直交する方向に延在し、前記原料ガスの層流を形成する第2の処理ガスノズルを含み、
前記第1の処理ガスノズルの一端には前記処理ガスを供給する第1の処理ガス供給ラインが接続され、前記第1の処理ガスノズルの他端には、排気ラインが接続され、
前記第2の処理ガスノズルの一端には前記処理ガスを供給する第2の処理ガス供給ラインが接続され、前記第2の処理ガスノズルの他端には、排気ラインが接続され、
前記第1の処理ガス供給ラインには、第1および第2の処理ガスの一方が、第1の集積バルブユニットを介して選択的に供給され、
前記第2の処理ガス供給ラインには、第3および第4の処理ガスの一方が、第2の集積バルブユニットを介して選択的に供給されることを特徴とする基板処理装置。 - 被処理基板の表面に沿って、前記被処理基板の第1の側に設けた第1の処理ガス供給ノズルから、前記第1の側に対向する第2の側に向かって第1の処理ガスを層流の形で流し、前記被処理基板の表面に第1の処理ガス分子を吸着させる工程と、
前記被処理基板表面のプロセス空間および前記第1の処理ガス供給ノズルから、前記第1の処理ガスを除去する工程と、
前記被処理基板の表面に沿って、前記被処理基板の前記第2の側に設けた第2の処理ガス供給ノズルから、前記第1の側に向かって第2の処理ガスを層流の形で流し、前記被処理基板表面に吸着している前記第1の処理ガス分子とを化合させる工程と、
前記プロセス空間および前記第2の処理ガス供給ノズルから前記第2の処理ガスを除去する工程と、
前記被処理基板の表面に沿って前記第2の処理ガス供給ノズルから、前記第1の側に向かって第3の処理ガスを層流の形で流し、前記被処理基板表面に第3の処理ガス分子を吸着させる工程と、
前記プロセス空間および前記第2の処理ガス供給ノズルから前記第3の処理ガスを除去する工程と、
前記被処理基板の表面に沿って前記第1の処理ガス供給ノズルから、前記第2の側に向かって第4の処理ガスを層流の形で流し、前記被処理基板表面に吸着している前記第3の処理ガス分子とを化合させる工程と、
前記プロセス空間および前記第1の処理ガス供給ノズルから前記第4の処理ガスを除去する工程とよりなることを特徴とする基板処理方法。 - 前記第1および第2の処理ガス供給ノズルは、いずれも前記被処理基板に平行な面内において前記第1および第2の側を結んだ線に対して略直交する方向に延在しており、
前記第1の処理ガス供給ノズルから前記第1の処理ガスおよび前記第4の処理ガスを除去する工程は、前記第1の処理ガス供給ノズルの第1の端部にパージガスを導入し、前記処理ガスノズルの長手方向上、前記第1の端部に対向する第2の端部から排気する工程を含み、
前記第2の処理ガス供給ノズルから前記第2の処理ガスおよび前記第3の処理ガスを除去する工程は、前記第2の処理ガス供給ノズルの第3の端部にパージガスを導入し、前記処理ガスノズルの長手方向上、前記第3の端部に対向する第4の端部から排気する工程を含むことを特徴とする請求項11記載の基板処理方法。 - 第1の端部から第2の端部まで延在する中空の本体部材と、
前記本体部材中の空間に収納された、前記第1の端部に対応する第3の端部から前記第2の端部に対応する第4の端部まで延在する導管と、
前記導管に、長手方向に沿って形成された複数の開口部と、
前記本体部材中に、前記本体部材の延在方向に沿って形成されたスリット状のガス吐出口と、
前記導管の前記第3の端部に設けられたガス導入口と、
前記導管の前記第4の端部に設けられたガス排出口と、
前記本体部材に設けられ、前記空間に連通するパージガス導入口とよりなることを特徴とするガスノズル。
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