TW201502306A - 用於處理可撓式基板之設備 - Google Patents

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Abstract

一種用於處理可撓式基板之設備係說明。設備包括真空腔體，具有第一腔體部、第二腔體部及第三腔體部；用以支撐將進行處理之可撓式基板之放卷軸，及用以支撐具有薄膜沉積於其上之可撓式基板之收卷軸，其中放卷軸及收卷軸配置於第一腔體部中；至少一間隙閘，用於分離第一腔體部與第二腔體部，其中間隙閘配置，使得可撓式基板可於其移動通過且間隙閘可開啟及關閉而用於提供真空密封；塗佈鼓輪，具有轉動軸及彎曲外表面，彎曲外表面用於沿著彎曲外表面導引基板通過第一真空處理區域及至少一第二真空處理區域，其中塗佈鼓輪之第一部分提供於第二腔體部內，且塗佈鼓輪之剩餘部分提供於第三腔體部內；對應於第一處理區域之第一處理站，及對應於至少一第二真空處理區域之至少一第二處理站，其中第一處理站及第二處理站各包括法蘭部，用以提供真空連接。再者，第三腔體部具有凸狀腔體牆部，其中第三腔體部具有至少二開口提供於其中，特別是其中至少二 開口實質上平行於凸狀腔體牆部；及其中第一處理站及至少一第二處理站配置以容置於至少二開口中，其中第一處理站及第二處理站之法蘭部提供與第三腔體之一真空緊密連接。

Description

用於可撓式基板之沉積平台以及操作其之方法
本發明之實施例是有關於一種薄膜處理設備，特別是有關於沉積系統，且更特別是有關於卷對卷(roll-to-roll，R2R)沉積系統與用於操作其之方法。本發明之實施例特別是有關於用於處理可撓式基板之設備以及以一第一沉積源及至少一第二沉積源沉積至少兩層於基板上之方法。
處理例如是塑膠膜或箔之可撓式基板係在封裝工業、半導體工業及其他工業中有高度的需求。處理可由以所需材料塗佈可撓式基板、蝕刻及其他為了所需的應用而在基板上執行之處理步驟所組成，所需材料例如是金屬，特別是鋁、半導體及介電材料。執行此項工作之系統一般包括處理鼓輪(processing drum)，耦接於處理系統以傳輸基板，且至少部分之基板係於其上進行處理，處理鼓輪例如是圓柱滾輪。卷對卷塗佈系統可藉此提供高產量系統。
一般來說，例如是熱蒸鍍製程之蒸鍍製程可利用來 沉積金屬之薄膜，而可在可撓式基板上進行金屬化。然而，卷對卷沉積系統亦在顯示器工業及光伏(photovoltaic，PV)工業面臨需求大量增加的情況。舉例來說，觸控面板元件、可撓式顯示器、以及可撓式PV模組係致使對卷對卷塗佈機中進行沉積合適層之需求增加，特別是以低製造成本之情況來說。然而，此種裝置一般具有數層，此些層一般係以化學氣相沉積(CVD)製程製造並特別亦以電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)製程製造。
以不同混合氣體及/或不同工作壓力作用之數種 CVD、PECVD及/或物理氣相沉積(PVD)源的結合係面臨對優越之分離處理氣體的需求，以在接續之製程步驟中避免交叉汙染效用(cross contaminationeffects)且確保長期製程的穩定性。一般來說，沉積複雜之薄膜層結構係接續地在不同R2R塗佈機中進行，各R2R塗佈機係以特殊沉積技術之需求來進行設計。然而，此概念係導致了用於製造設備之高持有成本(costs of ownership，CoO)。
相較於液晶顯示器(liquid crystal displays，LCD)， 有機發光二極體(OLED)顯示器係基於較快之反應時間、較大之視角、較高之對比、較輕之重量、較低之電力、及對可撓式基板的適應性(amenability)而在近期之顯示器應用中得到大量之關注。 除了用於OLEDs中之有機材料之外，許多用於小分子、可撓式有機發光二極體(flexible organic light emitting diode，FOLED)及高分子發光二極體(polymer light emitting diode，PLED)顯示器之聚合物材料係亦發展。用於在基板之一範圍上製造的複雜、多層裝 置的許多有機及聚合物材料係可撓的，使得它們在用於各種透明多色顯示應用係相當理想，透明多色顯示應用例如是薄的平面顯示器(flat panel displays，FPD)、電激發有機雷射(electrically pumped organic lasers)、及有機光放大器。
多年來，在顯示裝置內的數層係逐漸發展成數層中之各層係提供不同之功能。沉積數層於數個基板上可能需要多個處理腔體。傳輸數個基板通過數個處理腔體可能減少基板之產能。因此，在此領域中，用於處理此種OLED結構、半導體結構及其他現代化精密裝置的有效方法及設備係有需求的，以確保最大之基板產量且減少基板傳輸。
有鑑於上述，用於處理可撓式基板的設備，以及以一第一沉積源及至少一第二沉積源沉積至少兩層於基板上之方法係提供。本發明之其他方面、優點、及特性係藉由附屬申請專利範圍、說明書、以及所附圖式而更為清楚。
根據一實施例，用於處理一可撓式基板之一設備係提供。此設備包括一真空腔體，具有一第一腔體部、一第二腔體部及一第三腔體部；一放卷軸及一收卷軸，放卷軸用以支撐將進行處理之可撓式基板，收卷軸用以支撐具有一薄膜沉積於其上之可撓式基板，其中放卷軸及收卷軸係配置於第一腔體部中；至少一間隙閘，用於分離第一腔體部與第二腔體部，其中間隙閘係配置，使得可撓式基板可於其移動通過且間隙閘可開啟及關閉而用 於提供一真空密封；一塗佈鼓輪，具有一轉動軸及一彎曲外表面，彎曲外表面用於沿著彎曲外表面導引可撓式基板通過一第一真空處理區域及至少一第二真空處理區域，其中塗佈鼓輪之一第一部分係提供於第二腔體部內，且塗佈鼓輪之剩餘部分係提供於第三腔體部內；以及一第一處理站及至少一第二處理站，第一處理站對應於第一真空處理區域，此至少一第二處理站對應於此至少一第二真空處理區域，其中第一處理站及此至少一第二處理站各包括：一法蘭部，用以提供一真空連接。再者，第三腔體部具有一凸狀腔體牆部，其中第三腔體部具有至少二開口提供於其中，特別是其中此至少二開口係本質上平行於凸狀腔體牆部；以及其中第一處理站及此至少一第二處理站係配置以容置於此至少二開口中，其中第一處理站及此至少一第二處理站之此些法蘭部係提供與第三腔體部之一真空緊密連接。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
100‧‧‧設備
102‧‧‧真空腔體
102A‧‧‧第一腔體部
102A1‧‧‧隔離腔體部單元
102A2‧‧‧基板腔體部單元
102B‧‧‧第二腔體部
102C‧‧‧第三腔體部
104‧‧‧滾輪
105、766、766’‧‧‧隔離件滾輪
106‧‧‧可撓式基板
108、801‧‧‧箭頭
110‧‧‧塗佈鼓輪
111‧‧‧轉動軸
120、620、1620‧‧‧氣體分離單元
125‧‧‧法蘭部
130、630‧‧‧處理站
140、1004‧‧‧間隙閘
192‧‧‧預處理電漿源
194‧‧‧預加熱單元
430‧‧‧蝕刻站
431‧‧‧線
492‧‧‧離子化單元
494‧‧‧光學測量單元
602、702‧‧‧電極
603‧‧‧主體
612、712‧‧‧氣體入口
614‧‧‧排氣出口
620A、1620A‧‧‧第一部分
620B、1620B‧‧‧第二部分
620C、1620C‧‧‧側部分
632、634‧‧‧波紋管
680‧‧‧匹配電路
700‧‧‧沉積設備
701‧‧‧分離牆
706‧‧‧隔離件
714‧‧‧氣體出口
730‧‧‧沉積源
764‧‧‧第一滾輪
764’‧‧‧第二滾輪
842、1842‧‧‧分離氣體入口
1142‧‧‧真空通道
1602、1604、1606、1608‧‧‧流程步驟
為了可詳細地了解本發明上述之特性，簡要摘錄於上之本發明更特有的說明可參照實施例。所附的圖式係有關於本發明之實施例且說明於下：第1圖繪示根據此處所述實施例之用於沉積或塗佈薄膜之卷對卷沉積設備的示意圖；第2圖繪示根據此處所述實施例之用於卷對卷沉積系統及設 備中之沉積源的示意圖；第3圖繪示根據此處所述實施例之用於沉積或塗佈薄膜於可撓式基板上之其他卷對卷沉積設備的示意圖；第4A及4B圖繪示根據此處所述實施例之用於沉積或塗佈薄膜且具有氣體分離單元之其他卷對卷沉積設備的示意圖；第5圖繪示根據此處所述實施例之卷對卷沉積設備中之氣體分離單元之氣體分離概念的示意圖；第6圖繪示根據此處所述實施例之用於沉積或塗佈薄膜且在三維視角中顯示氣體分離單元概念之卷對卷沉積設備的沉積源之示意圖；以及第7圖繪示根據此處所述實施例之用於沉積薄膜於基板上之方法的流程圖。
有關本發明之多種實施例將詳細地說明，一或多個本發明之多種實施例之例子係繪示於圖式中。在下述圖式之說明中，相同的參考編號係意指相同的元件。一般來說，僅有有關於個別實施例之不同之處係進行說明。各例子係以對本發明進行解釋的方式來提供，且並非意指為本發明之限制。再者，做為一實施例之一部分所說明或描述的特性可用於其他實施例或與其他實施例結合，以取得再其他的實施例。可預想的是，說明係包括此種調整與變化。
值得注意的是，於此處所述實施例中使用之可撓式基板或軟板(web)可代表性的以可彎折做為特性。名稱「軟板」可 與名稱「條狀物(strip)」和名稱「可撓式基板」以同義的方式使用。舉例來說，此處所述實施例中之軟板可為箔(foil)或另一可撓式基板。然而，如同下述更詳細之說明，此處所述實施例之優點可亦提供予其他連續式沉積系統(inline-deposition systems)之非可撓式基板或載體。然而，可理解的是，特定之優點可在用於可撓式基板及用於在可撓式基板上製造裝置之應用上使用。
此處所述實施例係有關於用於處理可撓式基板之設 備，例如是用於沉積薄膜於可撓式基板上之設備。因此，如同範例性繪示於第1圖中，設備100包括真空腔體102。真空腔體具有第一腔體部102A、第二腔體部102B及第三腔體部102C。第一腔體部102A係配置成收卷/放卷腔體且可與腔體之剩餘部分分離而用於可撓式基板之更替，使得例如是第二腔體部102B或第三腔體部102C之剩餘之腔體部無需為了移除處理之可撓式基板而排氣(vented)且無需在新的基板已經插入後進行排氣(evacuated)。 藉此，可減少設備之停工期(downtime)。因此，對於增加產量的整體目標可有幫助。
基板係提供於具有一軸之第一滾輪764上，此軸於 第1圖中例如是用於放卷。基板係收卷於具有一軸之第二滾輪764’上，此軸於第1圖中例如是用於收卷。然而，可理解的是，基板可亦以相反方向導引通過設備100，使得放卷之用的軸可用於收卷，且收卷之用的軸可用於放卷。因此，於第一腔體部102A中係提供用於支撐將進行處理之可撓式基板的放卷軸以及用於支 撐具有已處理之薄膜於其上之可撓式基板的收卷軸。可撓式基板106係提供於第一滾輪764上，例如是具有收卷軸。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，將進行處理的可撓式基板可與隔離件(interleaf)706一同提供於第一滾輪764上。藉此，隔離件可提供於可撓式基板的數個相鄰層之間，使得在第一滾輪764上之可撓式基板的一層可避免直接接觸可撓式基板的相鄰層。 根據典型實施例，基板係從第一滾輪764經由一個、兩個或多個滾輪104導引至塗佈鼓輪且從塗佈鼓輪導引至例如是具有收卷軸之第二滾輪764’，基板係在其處理後收卷於第二滾輪764’上。在處理之後，其他隔離件可從隔離件滾輪766’提供於可撓式基板106之數層間，可撓式基板106係收卷於第二滾輪764’上。
根據此處所述實施例，用於分離第一腔體部與第二 腔體部之至少一間隙閘(gap sluice)140係提供於分離牆701。如第1圖中所示，通常係提供兩個間隙閘。此或此些間隙閘係配置，使得可撓式基板可於其移動通過且間隙閘可開啟且關閉而用於提供真空密封(vacuum seal)，例如是用以使基板之移動轉向10°或10°以上之角度。根據典型實施例，間隙閘包括滾輪，用於導引基板，例如是用於重新以10°或以上之角度導引基板移動。再者，充氣密封墊(inflatable seal)係提供而可按壓於間隙閘的滾輪上。藉由對密封墊充氣，間隙閘係來關閉，且第一腔體部102A及第二腔體部102B係以真空密封方式彼此分離。因此，當第二腔體部102B可保持在技術真空(technical vacuum)的狀態時，第 一腔體部102A可排氣。
根據其他選擇之應用，間隙閘可亦不具有滾輪。充氣密封墊可按壓基板於平面密封表面上。然而，可利用其他用於選擇性開啟及關閉間隙閘的之手段，其中開啟及關閉可在基板插入時執行，開啟及關閉也就是具有一開放基板路徑及一真空密封。由於來自新的滾輪之基板可貼附於來自前一個滾輪之基板，且可撓式基板可在第二腔體部102B及第三腔體部102C藉由拉動前一個基板與貼附於其之新的基板來排氣時透過系統收卷，在基板插入時用於關閉真空密封之間隙閘係特別使基板簡單的進行交換。
如第1圖進一步所示，具有轉動軸111之塗佈鼓輪110係提供於設備中。塗佈鼓輪具有彎曲外表面，用於沿著彎曲外表面導引基板。基板係因此導引通過例如是第1圖中之上方的處理站130之第一真空處理區域，及例如是第1圖中之下方的處理站130之至少一第二真空處理區域。雖然此處沉積站時常意指為處理站130，像是蝕刻站、加熱站等其他處理站亦可沿著塗佈鼓輪110之彎曲外表面提供。
根據此處所述實施例，塗佈鼓輪之第一部分係提供於第二腔體部102B中，且塗佈鼓輪之剩餘部分係提供於第三腔體部102C中，塗佈鼓輪之第一部分也就是垂直於轉動軸之塗佈鼓輪的剖面之一區域，塗佈鼓輪之剩餘部分也就是垂直於轉動軸之塗佈鼓輪之一區域。如可見第1圖中之虛線，一般來說，第一 部分係大於剩餘部分，也就是說，轉動軸111係提供在第二腔體部102B中。設置轉動軸111於第二腔體部中係提供較簡單且因而更為有經濟效益的設計的設備，其亦視為持有成本(CoO)。舉例來說，塗佈鼓輪之第一部分與塗佈鼓輪之剩餘部分的比可為1.1：1或者是較大。然而，從機械之觀點來說，轉動軸可朝向第三腔體部102C移動以稍微地位於從第二到第三腔體部之邊界上，而不過於減少系統之穩定性。因此，比可亦為0.8：1或更大。
根據此處所述實施例，第三腔體部102C具有凸狀 腔體牆部。因此，凸狀可理解為具有凸面之牆部，或具有數個彼此鄰接之平面以提供為凸狀之表面。根據典型實施例，一起形成凸狀之此些平面具有下述之真空法蘭連接件可提供於一平面的優點，其可較易於製造。較易於製造係再次減少設備成本。
第1圖繪示對應於第一真空處理區域之第一個處理 站130以及對應於第二真空處理區域之第二個處理站130。根據此處所述實施例，至少兩個處理站係提供，其中至少兩個處理站包括法蘭部125，用於提供至第三腔體部102C之真空連接。一般來說，第三腔體部具有凸狀腔體牆部及至少兩個實質上平行於其之開口，舉例來說，此至少兩個開口係提供於凸狀腔體牆部中，或自凸狀腔體牆部延伸之一突出件內，也就是說，凸狀腔體牆部之延伸係實質上相對於塗佈鼓輪之轉動軸向外徑向突出。此至少兩個處理站係設置以容置於第三腔體部之此至少兩個開口中。藉此，法蘭部125係提供與第三腔體部之凸狀腔體牆部或從凸狀腔 體牆部延伸之突出件的真空緊密連接。
因此，處理站可從第三腔體部102C之凸狀腔體牆 部外插入。在插入的部分，真空法蘭可連接且真空區域係提供於第三腔體部內。根據典型實施例，處理站可插入開口中，開口係位於沿著相對於塗佈鼓輪110之轉動軸的一實質上之徑向方向。
如上所述，處理站130之一部分係因此提供於真空 中，也就是第三腔體部中及/或相對於法蘭部內。處理站之另一部分係設置於提供真空腔體102內之真空的此區域外。此讓處理站係簡單進行交換，且像是冷卻流體、氣體、電力等消耗媒介係簡單進行提供。根據一些應用，至少處理站與匹配電路680之連接係提供於第三腔體部102C外，且藉此形成上述之位於此區域外之另一部分。再者，在第三腔體部之凸狀腔體牆部中之開口或從凸狀腔體牆部延伸之突出件中之開口一般係以具有預設之形狀及尺寸的方式成形。此處係具有標準化之開口，使得具有法蘭部之不同處理站係可交換而使用於不同處理區域，法蘭部係設置以符合標準化的開口。此係致使維護較簡易且增加設備100之使用的彈性。有鑑於停工期減少(維護較簡易)以及有鑑於使用之彈性，CoO可再度減少。後述之部分係致使不同的產品可於一設備製造，使得擁有者可於相同處理設備100進行不同產品之製造的交換。
根據再其他實施例，塗佈鼓輪110之彎曲外表面及 法蘭部或凸狀腔體牆部之距離可為從10mm至500mm。因此，此距離係意指從塗佈鼓輪之表面至內牆或法蘭部之尺寸，其限定 真空腔體102之真空範圍。提供上述之凸狀或尺寸係讓第三腔體部102C中之腔體體積減少。在第三腔體部中之減少的腔體體積係讓氣體分離較為簡單且處理區域之排氣較為簡單。舉例來說，第二腔體部具有可排氣區域之一體積且第三腔體部具有其他可排氣區域之一其他體積，且此體積與此其他體積之比係為至少2：1，例如是3：1至6：1。
根據再其他應用，在第三腔體部中之未填滿固態材 料之區域可填充材料塊，以減少需進行排氣之區域。舉例來說，第二腔體部具有可排氣區域之一體積及第三腔體部具有其他可排氣區域之一其他體積，且此體積與此其他體積之比係藉由數個體積縮減塊增加到至少7：1。
如上所述，第1圖繪示沉積之設備100的示意圖。 沉積的設備100包括真空腔體102，真空腔體102一般可提供，使得真空可產生於腔體中。藉此，數種真空處理技術以及特別是真空沉積技術可應用於處理基板或沉積薄膜於基板上。如第1圖中所示且於此參照，設備100係為卷對卷沉積設備，承載進行導引及處理的可撓式基板106。可撓式基板106於第1圖中係從第一腔體部102A導引第二腔體部102B且更導引至具有處理站於其中之第三腔體部102C，如箭頭108所示。可撓式基板係藉由滾輪104導引至塗佈鼓輪110，塗佈鼓輪110係配置以用以於在處理及/或沉積期間支撐基板。來自塗佈鼓輪110的可撓式基板106係導引至其他滾輪104且分別進入第二腔體部102B及第一腔體部 102A。
繪示於第1圖中之實施例包括兩個處理站130，例 如是兩個沉積源。沉積源係提供於處理區域中，其中由塗佈鼓輪支撐之可撓式基板係在各自區域中進行處理。然而，可理解的是，根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，可提供兩個或更多個處理站，處理站例如是沉積站。舉例來說，可提供四個、五個、六個、或甚至更多處理站，更多處理站例如是8、10或12個處理站，處理站例如是沉積站。此些處理區域係藉由數個氣體分離單元與相鄰之處理區域或其他區域分離。
根據此處所述實施例，處理站及/或氣體分離單元 120係配置以具有變化位置來調整與塗佈鼓輪110之距離，氣體分離單元120例如是和處理站配置在一起。也就是說，處理站及/或氣體分離單元可於相對於塗佈鼓輪之徑向方向中移動。氣體分離單元120一般包括牆，牆係防止於一處理區域中之氣體進入相鄰區域，例如是相鄰處理區域。氣體分離單元之元件係分別提供狹縫於氣體分離單元及可撓式基板106或塗佈鼓輪之間。藉此，此元件係定義狹縫之長度，且此元件之徑向位置係定義氣體分離單元120和可撓式基板106之間的寬度。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例， 設備100可更包括預加熱單元194以加熱可撓式基板。藉此，可在處理基板前提供輻射加熱器、電子束(e-beam)加熱器或任何其他加熱基板之元件。再者，可額外地或選擇性地提供預處理電漿 源192，以於進入第三腔體部102C之前藉由電漿處理基板，預處理電漿源192例如是射頻(RF)電漿源。舉例來說，可以電漿進行之預處理來進行基板表面之表面調整，以增加沉積於其上之膜的膜黏性或可改善基板型態成另一性質而改善其之處理。
根據此處所述實施例，用於塗佈薄膜於基板上之設 備係提供。設備包括基板支撐件、氣體分離單元，基板支撐件例如是塗佈鼓輪110，基板支撐件具有外表面，用於導引基板通過第一真空處理區域及至少一第二真空處理區域，氣體分離單元用於分離第一真空處理區域及至少一第二真空處理區域且適用於形成狹縫於基板之外表面和氣體分離單元之間，基板可通過狹縫，其中氣體分離單元係適用於控制第一真空處理區域與第二真空處理區域之間的流體連通(fluid communication)，且其中流體連通係藉由調整氣體分離單元之位置來控制，氣體分離單元之位置例如是徑向位置。
根據可與此處所述其他實施例結合之不同實施例， 用於提供徑向位置之氣體分離單元120之致動器可選自群組，此群組由電動馬達(electrical motor)、氣壓致動器、線性驅動器、液壓致動器、及支撐件所組成，氣壓致動器例如是氣壓缸，液壓致動器例如是液壓缸，當支撐件暴露於預設之加熱或冷卻的狀態下時，支撐件具有預設之熱膨脹係數。舉例來說，氣體分離單元或與處理站130一起之氣體分離單元可具有支撐件，支撐件連接於塗佈鼓輪110或塗佈鼓輪110之轉動軸111。此可為碟件，碟件 靜態固定於轉動軸或類似之結構上。因此，支撐件之熱膨脹可因此而提供類似或相同於塗佈鼓輪本身之狀態。
有鑑於上述，當真空腔體102係關閉且當設備100 係在操作時，可調整氣體分離單元之狹縫的寬度。因此，因基板支撐件之熱膨脹而變化的狹縫之寬度係可補償，且氣體分離單元之狹縫的寬度可調整為特有的操作狀態，基板支撐件例如是塗佈鼓輪110。
此可特別是在應用於需要高氣體分離時具有用處， 例如是PECVD製程。因此，此處所述之設備，以及具有用於各種沉積源之隔間係允許於單一沉積設備中結合數種CVD、PECVD及/或PVD製程之模組，單一沉積設備例如是R2R塗佈機。此模組概念有助於降低用於沉積複雜之層堆疊之成本，沉積複雜之層堆疊係必需應用不同沉積技術或複雜之製程參數的結合，其中包括需要非常良好之氣體分離的所有種類的沉積源可用於根據此處所述之一沉積設備中。
一般來說，根據可與此處所述其他實施例結合之不 同實施例，電漿沉積源可適用於沉積薄膜於可撓式基板、玻璃基板或矽基板上，可撓式基板例如是軟板或箔。一般來說，電漿沉積源可適用且可應用於沉積薄膜於可撓式基板上，以例如是形成可撓式之薄膜電晶體(TFT)、觸控螢幕裝置元件、或可撓式之PV模組。
再者，此處所述實施例就下述方面可具有優點：許 多製程進行係需要低塗佈鼓輪溫度，大約係0℃。在低溫時，如果使用薄塑膠膜(例如是50微米)時，已調整成用於較高塗佈鼓輪溫度之固定狹縫的寬度係在1.5至2.0mm等級。在此情況中，氣體分離因子通常係低於用於機械之特定之氣體分離因子(1：100)。此對於製程進行係相當關鍵，其中數個層材料係以不同反應氣體成分在相鄰處理區域中進行沉積，處理區域例如是濺鍍腔體。此條件舉例來說係可能應用在沉積Nb2O5及ITO之期間。 此可例如是用於製造觸控面板之情況。因此，此處所述實施例可特別是用於製造此種裝置之應用。
此處所述實施例係提供在沉積系統中之調整氣體分離單元，且特別是在R2R濺鍍塗佈機中。氣體分離單元之位置可例如是藉由電動馬達或選擇式機械裝置(alternative mechanical device)調整。用於調整及/或變化氣體分離單元之元件之位置的致動器可遠端控制，氣體分離單元之元件之位置係定義狹縫之寬度。此可為提供於機械腔體的外部之控制器或控制介面。如果感測單元係提供以量測塗佈鼓輪與氣體分離單元間之距離，狹縫之寬度可自動化調整。因此，改良或最佳化之氣體分離因子可隨時提供。當塗佈鼓輪的溫度係增加時，此舉可避免刮傷塗佈鼓輪之風險。改善之氣體分離因子可亦對塗佈機之設計具有影響。在兩個隔間之間的氣體分離單元之長度可減少，也就是說，狹縫之長度及/或元件之長度可減少。此對減少機器之長度、成本、及佔有空間係有所影響。
根據用於操作及使用此處所述之沉積設備的再其他 實施例，可提供用於超高阻隔堆疊(ultra high barrier stacks)或可撓式之TFT裝置的層沉積或層堆疊沉積。超高阻隔堆疊或可撓式之TFT裝置一般係包含一系列通常以PECVD或PVD製程或其組合進行沉積之數層。因為對不同膜有高品質的需求，在用於各單一膜之特定設計系統中沉積單一膜係常見使用之方式。為了降低成本且讓應用係商業上可使用的，於單一塗佈機中沉積至少數個部分或組合膜係為改善之方式。根據此處所述實施例，允許數種製程模組之組合的模組概念係提供。藉此，根據此處所述實施例，氣體或製程分離可藉由一或數個不同技術之結合來實現，一或數個不同技術之結合係讓氣體分離以一分離因子進行，且特別是甚至用於在相同設備處理不同製程之變化，上述分離因子較先前系統高出許多。有鑑於上述，根據此處所述之一些實施例，用於OLED顯示器及/或照明、彎曲太陽能電池(flex solar)、或其他具有用於保護免受相鄰環境影響之電子裝置的可撓式超高阻隔堆疊係提供。舉例來說，此可包括用於可撓式之TFT的蝕刻停止(etch stop)、閘介電、通道、源閘與汲極之沉積。
根據一些實施例，用於支撐處理站及/或氣體分離單 元之支撐件可為碟件、碟件之一部分、固定貼附於塗佈鼓輪110之轉動軸111之前述兩者。根據一些應用，碟件可藉由塗佈鼓輪110被動加熱或被動冷卻。因此，碟件可以一溫度提供，此溫度係實質上相同於塗佈鼓輪110之溫度，舉例來說，碟件的溫度可 從塗佈鼓輪110之溫度變化+-10℃。因此，碟件亦歷經熱膨脹，使得碟件或碟件之一部份之熱膨脹係跟隨塗佈鼓輪110之熱膨脹。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例， 碟件或用於氣體分離單元120或處理站之類似支撐件可額外地或選擇性地提供有冷卻通道或加熱元件。藉此，碟件之溫度可單獨地控制。因此，碟件之熱膨脹的控制可獨立於塗佈鼓輪之溫度外。 藉此，可調整氣體分離單元及/或選擇性在塗佈鼓輪及PECVD源之電極間的狹縫之寬度，此將於下文中更為詳細地說明。
有關塗佈鼓輪或處理鼓輪之溫度可考慮下列之方面。
在不鏽鋼之熱膨脹係數為αss=0.000016K-1以及鋁之熱膨脹係數為αA1=0.0000238K-1，則可得出αdrum/αdisk=0.6723。藉此，舉例來說，268.91℃之碟件溫度可提供以對應於400℃之鼓輪溫度，且補償在400℃的鼓輪之熱膨脹。
對於一些實施例來說，當碟件由具有相同於塗佈鼓輪110之熱膨脹係數之材料組成或由相同於塗佈鼓輪110之材料組成，且如果碟件之溫度可控制成實質上相同於塗佈鼓輪110之溫度時，熱膨脹係實質上相同。因此，狹縫之寬度係僅藉由對應於狹縫之寬度的長度來變化。根據典型實施例，塗佈鼓輪之直徑 可為800mm或以上之尺寸。舉例來說，此直徑可為1200mm或以上，例如是1600mm、或甚至2000mm或較大。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例， 碟件之材料可選擇為不同於塗佈鼓輪的材料，且可選擇具有不同於塗佈鼓輪之熱膨脹係數。藉此，對應於塗佈鼓輪110之熱膨脹的碟件之熱膨脹可藉由不同溫度來提供，使得在碟件提供相同於塗佈鼓輪110之溫度係非必要的。一般來說，如上所述，藉由調整或採用獨立於碟件之徑向尺寸或其製成之材料的碟件的溫度，狹縫之寬度係有可能進行調整。
根據再其他實施例，例如是氣體分離單元120及/ 或處理站130與塗佈鼓輪之距離的製程參數可監控。舉例來說，監控裝置可為量測在沉積源之電極電壓、電極電流、及電漿阻抗之裝置，沉積源例如是在匹配電路之後。流動至沉積源之處理區域內以及流到沉積源之處理區域外之氣體可額外地或選擇性地監控。舉例來說，在各自導管(conduits)及/或甚至混合氣體之壓力可進行分析。如果狹縫之寬度增加，氣體分離因子減少且相鄰處理區域之處理氣體可進入，藉以改變氣體壓力以及混合氣體，且電漿條件因而改變。監控裝置可用以決定電漿條件，監控裝置例如是在沉積源監控電極電壓、電極電流、及電漿阻抗之監控裝置。 有鑑於電漿條件係在塗佈鼓輪110之直徑增加時改變，舉例來說，電漿監控器可利用來決定基於熱膨脹之源與塗佈鼓輪間之狹縫的寬度，以及一或多個氣體分離單元之狹縫的寬度，塗佈鼓輪也 就是基板支撐件。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例， 監控裝置可為CVD製程監控器。舉例來說，監控裝置可量測由沉積源之電壓、電流、相位、諧波、阻抗、或藉由使用演算法、電漿密度所組成之群組的至少一者。對應之電漿監控裝置可為用於清潔製程之終點偵測、矽烷粉塵(silane dust)形成之通知、以及用於即時非侵入性製程回饋，例如是以用於系統控制演算法之電漿密度的形式。然而，根據此處所述一些實施例，額外之監控裝置可用於決定PECVD源之電極與基板及/或對應之對電極(counter electrode)的距離，對電極位於基板後，舉例是塗佈鼓輪後。再者，監控裝置可亦量測其他因氣體分離裝置之狹縫寬度變化之處理氣體變化。
因此，非侵略性電漿特性方法(non-invasive plasma characterization method)可藉由阻抗感測器量測提供。根據不同實施例，阻抗感測器可為預先匹配(pre-match)或後匹配(post-match)感測器，也就是說，用於匹配電路或用於匹配電路後。藉此，監控感測器之後匹配設置係提供電極之RF電壓以及實際電漿阻抗的直接資訊。一般來說，可提供電漿之電子「足跡(fingerprint)」，其中電極與基板之距離或者來自相鄰區域之處理氣體汙染可確定。在相角及/或調波訊號振幅之差異可顯示出處理條件中之些許改變，例如是製程飄移(process drifts)之起始。因此，可提供離子通量(ion flux)入射於已供電之電極表面及電漿密度的非直接資訊， 特別是藉由量測供電沉積源之系統中的諧波。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例， 處理站可包括電漿輔助化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)源。電漿輔助沉積源可於2MHz至90MHz之頻率操作，舉例為40.68MHz之頻率，且內裝阻抗感測器(integrated impedance sensor)可提供而用於即時連續式製程之監控並控制各別之製程參數，例如是氣體分離單元之狹縫的寬度及/或沉積源之電極與基板之距離。
第2圖繪示沉積源630且係用以說明根據此處所述實施例之沉積源的再其他實施例。舉例來說，繪示於第2圖中之沉積源630可為如第1圖中所示之兩個處理站130之其中一者。沉積源630包括主體603。電極602係藉由主體支撐。電極602係連接於匹配電路680，用以於沉積源630之處理區域內產生電漿。藉此，電漿可於操作期間產生在電極602及基板間。沉積源更包括氣體入口612及排氣出口614，氣體入口612用以提供處理混合氣體至處理區域內，排氣出口614用以從處理區域移除處理混合氣體。因此，處理氣體係從氣體入口612流向排氣出口614。第2圖繪示沉積源630之剖面圖。一般來說，處理氣體之入口及處理氣體之出口可在垂直於第2圖之紙張平面的方向延伸。藉此，可提供數個開口或狹縫開口。一般來說，處理氣體之入口及出口係提供以至少沿著將進行處理之基板之寬度延伸及/或至少沿著處理區域的所需長度延伸。一般來說，入口及出口將延伸至少略 超過基板的最大寬度，以在將進行塗佈之區域內提供均勻狀態。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例， 沉積源及氣體分離單元可形成為一設備(arrangement)。舉例來說，第2圖繪示固定於沉積源之主體603的氣體分離單元620。藉此，調整氣體分離單元之狹縫的寬度，以及調整電極602與基板之間的距離可以一結合之方式提供。
如第2圖中所示，沉積源可連接於真空腔體102之牆，使得主體603及牆之距離可變化。此係以波紋管(bellows)632及634繪示。因此，主體603、電極602、及/或氣體分離單元620可藉由支撐件支撐，支撐件係機械式接觸於塗佈鼓輪之轉動軸。藉此，氣體分離單元之狹縫之寬度以及電極602與基板之間的距離可調整。再者，致動器可選擇性提供於沉積源630之主體603與牆之間，使得主體之位置以及氣體分離單元及電極之位置係可變化，以調整到基板之距離。
第3圖繪示其他沉積設備700之示意圖。可撓式基板106係提供於第一滾輪764上，第一滾輪764例如是具有收卷軸。根據可與此處所述實施例結合之一些實施例，將進行處理之可撓式基板可與隔離件(interleaf)706一同提供於第一滾輪764上。藉此，隔離件可提供於可撓式基板的數個相鄰層之間，使得在第一滾輪764上之可撓式基板的一層直接接觸可撓式基板的相鄰層可避免。可撓式基板106係從第一滾輪764放卷，如由箭頭108所示之基板移動方向。在可撓式基板106從第一滾輪764放卷時， 隔離件706係收卷於隔離件滾輪766上。
分離牆701係提供而用於分離第一腔體部及第二腔 體部。如有關於第1圖之說明，分離牆係更提供有間隙閘，用於讓可撓式基板通過。
可撓式基板106係接著移動通過沉積區域，沉積區 域提供於塗佈鼓輪110且對應沉積源730之位置。在操作期間，塗佈鼓輪110繞著轉動軸111轉動，使得可撓式基板在箭頭108之方向中移動。根據典型實施例，可撓式基板係從第一滾輪764經由一個、兩個或多個滾輪104導引至塗佈鼓輪，且從塗佈鼓輪導引至例如是具有收卷軸之第二滾輪764’，可撓式基板係於處理後收卷於第二滾輪764’上。在處理之後，其他隔離件可從隔離件滾輪766’提供於可撓式基板106之數層間，此處之可撓式基板106係收卷於第二滾輪764’上。
可撓式基板106係塗佈有一或數層薄膜，換言之一 或數層係藉由沉積源730沉積於可撓式基板106上。沉積係發生於基板導引於塗佈鼓輪110上時。繪示於第3圖中且可提供於此處所述實施例中之沉積源730包括兩個電極702，電極702係電性連接於匹配電路680，匹配電路680用以提供電力至電極。根據此處所述實施例之沉積源730可包括兩個氣體入口712以及一氣體出口714，兩個氣體入口712位於沉積源之相對側，氣體出口714位於兩個電極702之間。因此，處理氣體之氣體流可從沉積源730之外部流到沉積源之內部。如第3圖中所示且根據此處 所述一些實施例，基板傳輸方向108係平行於氣體流動方向。
根據可與此處所述其他實施例結合之不同實施例， 氣體入口或氣體出口可提供做為氣燒孔機(gas lances)、氣體通道(gas channels)、氣體管道(gas ducts)、氣體通路(gass passages)、氣體管件(gas tubes)、導管(conduits)等。再者，氣體出口可設置成幫浦之一部分，此幫浦係從電漿容積(plasma volume)中取出氣體。
氣體分離單元120係提供於沉積源之至少一側上， 一般係於沉積源之兩側上。藉此，根據此處所述任何實施例，氣體分離單元之狹縫的寬度以及基板係可調整，氣體分離單元之狹縫的寬度也就是氣體分離單元之數個元件間之距離。此外，可調整電極702相對於基板之距離。藉此，氣體分離單元之支撐件可提供來調整至基板之距離，且具有電極於其中之沉積源可選擇性提供來調整至基板之距離。
如第3圖中所示，且根據此處所述實施例，電漿式 之沉積源730可提供做為具有多區域電極裝置之電漿輔助化學氣相沉積(plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)源，多區域電極裝置包括兩個、三個、或甚至更多相對於移動之基板設置的射頻(RF)之電極702。
各別之電極702各具有一電極寬度及一電極長度， 其中電極寬度係於平行於基板傳輸方向108中量測，且其中電極長度係於垂直於移動之可撓式基板106的基板傳輸方向108中量 測。
電極區域係對應於電漿區域，使得至少兩個電極 702之電漿區域係形成一結合之電漿區域，結合之電漿區域係位於一真空處理區域中。電極寬度可基於電漿參數決定，電漿參數例如是沉積氣體流、電漿壓力、提供於各別RF電極之RF電力及RF頻率、以及沉積氣體消耗形態(depletion profile)。根據再其他實施例，多區域電漿式之沉積源可亦提供而用於中頻(MF)沉積。
各別電極702之電極長度可調整，使得電極長度超 過移動之基板的橫向長度，移動之基板的橫向長度係垂直於基板傳輸方向。雖然於本揭露中主要係說明電漿沉積製程，可理解的是，根據此處所述實施例中之電漿式之沉積源可亦用於電漿增強蝕刻製程(plasma enhanced etching processes)、電漿增強表面調整製程(plasma-enhanced surface modification processes)、電漿增強表面活化或去活化製程(plasma-enhanced surface activation or deactivation processes)、以及熟知該技術者已知之其他電漿增強製程。
值得注意的是，名稱「氣體入口」表示氣體供應至沉積區域(電漿容積或處理區域)內，而名稱「氣體出口」表示沉積氣體之氣體釋放或排出到沉積區域外。根據典型之實施例，氣體入口712及氣體出口714係實質上垂直於基板傳輸方向。
根據可與此處所述實施例結合之一些實施例，繪示於第3圖中之沉積源730可於40.68MHz之頻率操作。藉此，耦 接於電漿電極的有效率電力(efficient power)可達成，且離子轟擊能量可減少，而產生較少之膜損害。此可對於易受影響之可撓式基板特別有用，易受影響之可撓式基板例如是箔或類似之結構。 具有電極702之雙電極源係在沒有噴頭(showerhead)的情況中進行操作，且處理氣體可從電極側進行導引，而抽取電極側的氣體係導致處理混合氣體沿著移動之基板流動。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，兩個電極可以一個電力供應器以及一個匹配網路並聯驅動，匹配網路也就是匹配電路。提供額外電極以擴大(scale up)沉積源亦可行。
一般來說，此處所述實施例係在不同製程於相鄰之 處理區域或腔體中進行處理時特別有用，不同製程例如是使用不同處理氣體，例如是H2以及SiH4。藉此，需避免不需要的流動從一處理區域到其他處理區域，反之亦然。對於例如是可撓式之TFT、可撓式之PV等有關於此處之一些應用及此處所述實施例所提供之助益，需提供10000或以上之分離因子，此係一般之氣體分離單元不可能達成的。根據一些實施例，氣體分離單元之狹縫的寬度可如此處所述的變化。淨化氣體配置可額外地或選擇性地提供。藉此，淨化氣體可亦意指分離氣體。淨化氣體之典型例子可為H2、例如是氬之惰性氣體、或氮氣。淨化或分離氣體係在狹縫中之一方向中流動，此方向係指向相反方向來做為處理氣體之不需要的氣體流。因此，根據一些實施例，氣體分離可藉由在兩個處理電極之間的中間空間或中間區域提供，其中淨化或分離氣 體及排氣或吸取出口係提供。
根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例， 如果吸取或排氣管道係包括而提供於相鄰真空處理區域之間，在吸取或排氣管道所提供之區域中的壓力係低於任何周圍之處理區域中的壓力。藉此，可避免來自吸取或排氣管道之區域的汙染氣體進入任何處理區域。然而，此係導致高流速之處理氣體流向吸取或排氣管道。因此，處理氣體之損失，以及特別是未使用的處理氣體係增加。此反而導致CoO增加。
為了避免此處所述沉積設備之不必要之處理氣體的 耗費，用於淨化氣體之一或數個中間氣體入口區域係提供。一般來說，此或此些中間氣體入口區域可提供，以環繞處理區域。一般來說，淨化氣體或分離氣體可為氫、或用於在處理區域中做為處理氣體之其他氣體。根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，淨化氣體之流速係調整，使得在中間氣體入口區域之總壓力係僅略低於在處理區域中之壓力。因此，可提供在處理區域外之受控之氣體的流動且氣體之損失係受到限制。藉此，在中間氣體入口區域中之典型之總壓力係介於50%至99%間之在處理區域中之總壓力，例如是75%至99%之在處理區域中之總壓力。
回到第2圖，沉積源包括電極602。電極係連接於 匹配電路680，用於提供電力至電極。藉此，電漿可在處理區域中點燃並維持。沉積源更包括氣體入口612及排氣出口614，氣體入口612用以提供處理混合氣體至處理區域中，排氣出口614 用以自處理區域移除處理混合氣體。因此，處理氣體係從氣體入口612流至排氣出口614。根據典型應用，可提供數個開口或狹縫開口。在提供於電極602與基板間之處理區域附近，可提供一或數個氣體分離單元620。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，可提供一或數個分離氣體入口。藉此，分離或淨化氣體係提供在分離氣體入口及氣體分離單元620之間的中間氣體入口區域中。
一般來說，各沉積源及對應之處理區域具有其各自 之真空幫浦或幫浦站，用以對各自區域進行排氣，處理區域例如是真空處理區域。再者，設備之第一腔體部102A、第二腔體部102B及第三腔體部102C的殼體包括通用真空幫浦或幫浦站，也就是腔體部包括各自之法蘭部。在操作期間，幫浦站或真空幫浦係用以提供全部腔體壓力，其係低於在其中一個中間氣體入口區域內之最低壓力。因此，來自腔體部之氣體流入中間氣體入口區域係可避免。再者，如上所述，來自中間氣體入口區域之氣體流入處理區域可避免。在此些邊界條件下，壓力及氣體流速可調整，以提供所需氣體分離因子。
根據此處所述一些實施例，且如第2圖中所示，電 極602可為彎曲電極。藉此，彎曲電極係成形，以具有與塗佈鼓輪實質上固定之距離，塗佈鼓輪用於在處理期間支撐基板。處理區域係提供於塗佈鼓輪之不同角位置。根據典型實施例，處理鼓輪或塗佈鼓輪可配置以加熱及/或冷卻至20℃至400℃之溫度。 可用於不同處理應用之溫度差異可產生處理鼓輪之熱膨脹。熱膨脹(正或負，負也就是如果鼓輪係從較高之溫度冷卻至較低之溫度而收縮)可在數個毫米的範圍中。
如此處所述且根據一些實施例，氣體分離單元之至 少一者、沉積源之一電極、或包括沉積源、氣體分離單元及分離氣體入口之整個處理站係以可移動之方式固定，使得在基板支撐件表面及各別元件之間的距離可變化。以圓柱塗佈鼓輪之實施例來說，各別元件可以徑向可移動之方式固定。
根據可與此處所述其他實施例結合之不同實施例， 氣體分離單元之至少一者及沉積源之電極，或者是包括沉積源、氣體分離單元及分離氣體入口之整個處理站可與對應之波紋管固定。氣體分離係提供於處理站及基板支撐件表面間。因此，基板支撐件表面係於垂直於基板移動方向中之方向延伸，至少沿著包括氣體分離單元、中間氣體入口區域、分離氣體入口、以及若有，分離氣體入口附近之其他氣體分離單元(見例如是第6圖)之各處理站之整個長度延伸。藉由此處所述之致動器或支撐件，各元件之一或數個位置可變化，以提供至基板之實質上固定或預定之距離，基板支撐件表面例如是塗佈鼓輪之彎曲表面。
第4A圖繪示其他沉積設備1000之示意圖。可撓式 基板106係提供於第一滾輪764上。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，將進行處理之可撓式基板可與隔離件706一起提供於第一滾輪764上。藉此，隔離件可提供於可撓式基板 之數個相鄰層間，使得在第一滾輪764上的可撓式基板的一層直接接觸可撓式基板的相鄰層可避免。可撓式基板106係從第一滾輪764放卷，如箭頭108所示之基板移動方向。在可撓式基板106從第一滾輪764放卷時，隔離件706係收卷於隔離件滾輪766上。
可撓式基板106係接著移動通過沉積區域，沉積區 域係提供於塗佈鼓輪110及對應於處理站130之位置。在操作期間，塗佈鼓輪110係繞著轉動軸111轉動，使得可撓式基板係在箭頭108之方向中移動。根據典型實施例，可撓式基板係從第一滾輪764經由一個、兩個或數個滾輪104導引至塗佈鼓輪，且從塗佈鼓輪導引至第二滾輪764’，可撓式基板係於處理後收卷於第二滾輪764’。在處理之後，其他隔離件可從隔離件滾輪766’提供於可撓式基板106之數層之間，可撓式基板106收卷於第二滾輪764’上。
可撓式基板106係塗佈有一或數層薄膜，也就是說 一或數層係藉由沉積源130沉積於可撓式基板106上。沉積係發生在基板導引於塗佈鼓輪110上時。繪示於第4A圖中以及可提供於此處所述實施例中之沉積源130包括一電極602，電極602係電性連接於匹配電路680，匹配電路680用以提供電力至電極。 根據此處所述一些實施例之沉積源130可包括一氣體入口與一氣體出口，氣體入口位於沉積源之一側，氣體出口位於沉積源之相對側，也就是其各自的電極。因此，處理氣體之氣體流可沿著沉積源之上方的電極提供。如第4A圖中所示且根據此處所述一些 實施例，基板傳輸方向108係平行於氣體流動方向。此處值得注意的是，名稱「氣體入口」表示氣體提供至沉積區域(電漿容積或處理區域)內，而名稱「氣體出口」表示沉積氣體之氣體釋放或排出至沉積區域外。根據典型實施例，氣體入口及氣體出口之設置係實質上垂直於基板傳輸方向。
根據可與此處所述其他實施例結合之不同實施例， 氣體入口或氣體出口可提供做為氣燒孔機、氣體通道、氣體管道、氣體通路、氣體管件、導管等。再者，氣體出口可配置做為幫浦之一部分，此幫浦從電漿容積取出氣體。
氣體分離單元620係提供於沉積源的至少一側上， 一般來說係沉積源之兩側上。藉此，藉此，氣體分離單元之狹縫的寬度可根據此處所述任何實施例調整，也就是元件及基板之間的距離可根據此處所述任何實施例調整。再者，電極602相對於基板之距離亦可額外地或選擇性地調整。藉此，氣體分離單元之支撐件可提供來調整至基板之距離，且具有電極於其中之沉積源可選擇性提供來調整至基板之距離。
如第4A圖中所示且根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，可提供一或數個分離氣體入口842。一般來說，分離氣體入口可分別提供於相鄰處理區域間及/或沉積源間。藉此，分離或淨化氣體係提供於中間氣體入口區域中，中間氣體入口區域係位於分離氣體入口842與氣體分離單元620之間。
滾輪104係設置而用於張力量測，滾輪104從第一 滾輪764引導可撓式基板106至第二滾輪764’或反之亦然。根據此處所述實施例之典型應用，至少一張力量測滾輪係提供於設備中。再者，在塗佈鼓輪之兩側上的兩個張力量測滾輪係允許對塗佈鼓輪之收卷側及放卷側上之張力量測。一般來說，張力量測滾輪係設置，用以量測可撓式基板的張力。藉此，基板傳輸可有較佳地控制，在塗佈鼓輪上之基板的壓力可控制，以及/或對基板之損害可以減少或避免。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，額外之張力量測滾輪或額外一組之張力量測滾輪可提供而用於隔離件導引，額外一組之張力量測滾輪也就是在塗佈鼓輪之收卷側及放卷側上。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例， 進一步用於導引可撓式基板的滾輪104可具有13°之最小包覆角(Wrapping angle)，一般是15°或以上。藉此，當第一滾輪764及第二滾輪764’分別為空的或完全裝滿基板時，最小包覆角係與纏繞(enlacement)變化有關，纏繞變化決定於且介於兩個操作狀態之間。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，間隙閘(gap sluices)1004提供真空密封形式之閥，使得當可撓式基板係進料通過間隙閘1004且夾持於間隙閘1004中時，收卷及放卷區域之氣體可與設備之處理區域的氣體分離。
如第4A圖中所示，沉積設備係配置，使得沉積源 係提供於塗佈鼓輪之較低半部處。也就是說，全部沉積源之整體配置或至少中間三個沉積源之配置係提供在塗佈鼓輪110之轉動 軸111的下方。藉此，可能汙染基板及製程所產生之粒子係因重力之故而保持在沉積站中。因此，可避免不需要之粒子產生在基板上。根據一些實施例，第一腔體部係實質上位於第二腔體部之上方，且第二腔體部係位於第三腔體部之上方。
此處所述實施例尤其有關於沉積設備及其操作方法。 藉此，隔間係提供於一腔體或殼體，沉積源可固定於此腔體或殼體。根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，可提供兩個或多個隔間。舉例來說，可提供四個、五個、六個、八個或十二個隔間。沉積源可選自由CVD源、PECVD源及PVD源所組成之群組。利用隔間的概念係讓沉積源進行交換，使得沉積設備可彈性地使用於不同的應用或一應用的不同沉積步驟。根據典型之應用，此設備可用於製造可撓式之TFT顯示器，且特別是用於可撓式之TFT顯示器之阻障層堆疊。
如上已經說明，根據此處所述之設備及方法可包括 數個選擇的特性、方面及細節，其可選擇性地或結合的應用，舉例來說，用於收卷及放卷隔離件之滾輪。因此，方法可包括提供隔離件於滾輪上之基板的數層之間，或在收卷側接收隔離件。再者，基板之溫度或塗佈鼓輪之溫度可從20℃至250℃，或甚至高達400℃。一般來說，設備係配置成用於為500m或更長之長度的基板，例如是900m或更長，例如是1000m。基板之寬度可為300mm或更寬，例如是400mm或更寬，特別是1400mm或更寬。一般來說，基板之厚度可為50μm至200μm。
根據此處所述實施例，第三腔體部102C具有凸狀 腔體牆部。因此，凸狀可理解為具有凸面之牆部，或具有數個彼此鄰接之平面以提供為凸狀之表面。根據典型實施例，一起形成凸狀之此些平面具有下述之真空法蘭連接件可提供於一平面的優點，其可較易於製造。較易於製造係再次減少設備成本。
根據再其他實施例，塗佈鼓輪110之彎曲外表面及 法蘭部或凸狀腔體牆部之距離可為從10mm至500mm。因此，此距離係意指從塗佈鼓輪之表面至內牆或法蘭部之尺寸，其限定真空腔體102之真空範圍。提供上述之凸狀或尺寸係讓第三腔體部102C中之腔體體積減少。在第三腔體部中之減少的腔體體積係讓氣體分離較為簡單且處理區域之排氣較為簡單。舉例來說，第二腔體部具有可排氣區域之一體積且第三腔體部具有其他可排氣區域之一其他體積，且此體積與此其他體積之比係為至少2：1，例如是3：1至6：1。
根據再其他應用，在第三腔體部中之未填滿固態材 料之區域可填充材料塊，以減少需進行排氣之區域。舉例來說，第二腔體部具有可排氣區域之一體積及第三腔體部具有其他可排氣區域之一其他體積，且此體積與此其他體積之比係藉由數個體積縮減塊增加到至少7：1。
第4B圖繪示用於處理可撓式基板之另一設備的示 意圖，處理可撓式基板例如是用於沉積薄膜於可撓式基板上。藉此，此處其他部分所說明之數個方面、特性、細節及元件，特別 是有關於第1至4圖之說明，將不再重複說明。然而，可理解的是，此處所述之數種實施例以及有關於繪示在第4B圖中之元件及特性之實施例或可在第4B圖中省略之部分可相互結合，以取得再其他實施例。第4B圖特別是繪示做為此處所述其他實施例的可選擇性調整，其中第一腔體部102A係分隔成第一腔體部之隔離腔體部單元102A1及基板腔體部單元102A2。藉此，隔離件滾輪766/766’及隔離件滾輪105可提供做為設備之模組化元件。 也就是說，可提供、操作及製造具有基板腔體部單元102A2之設備，以最終具有無需隔離件之設備。如果操作員希望具有選擇去使用隔離件，他可增加隔離腔體部單元102A1，例如是做為機械或類似裝置之升級，且可使用所需之隔離件。因此，CoO可輕易地且具有彈性地適用於設備之擁有者的需求。再者，一個隔離腔體部單元102A1可用於具有基板腔體部單元102A2、第二腔體部102B及第三腔體部102C之兩個或數個設備。藉此，如果兩個單元係存在而如第4B圖中之虛線所示，隔離腔體部單元102A1及基板腔體部單元102A1可配置來定義真空腔體102之一真空區域，或者如果分隔模組係不存在時，單獨之基板腔體部單元102A2可定義各別真空區域。
第4B圖更繪示另一額外或選擇性的調整，分離牆 701及/或軸係相對於垂直或水平方向傾斜，軸係由間隙閘140之間的距離所定義，間隙閘140係可於第一腔體部102A與第二腔體部102B之間提供真空分離。一般來說，傾斜之角度可為相對 於垂直線20°至70°。藉此，傾斜係使得塗佈鼓輪相較於沒有傾斜之水平配置的相似元件向下移開。分離牆之傾斜及/或定義於間隙閘之間的軸之傾斜係允許提供額外之處理站或將提供之沉積源630，使得處理站或將提供之沉積源630之軸(見繪示於第4B圖中之線431)係位於相同高度或低於塗佈鼓輪110之轉動軸，沉積源630之軸例如是電漿電極之對稱軸(例如是繪示於第2圖中之電極602)。如第4B圖中所示，四個沉積源630係提供於塗佈鼓輪之轉動軸之高度或低於塗佈鼓輪之轉動軸之高度。如上所述，產生之粒子剝落及掉落於基板上係可因而減少或避免。繪示於第4B圖中做為蝕刻站430之第五個處理站可例如是提供於塗佈鼓輪110之轉動軸的上方。然而，將理解的是，蝕刻站430可亦提供於第三腔體部102C之凸狀腔體牆部的任何其他位置。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例， 亦可選擇性地提供光學測量單元494及/或離子化單元492，光學測量單元494用於估測基板處理之結果，離子化單元492用以適用於基板上的電荷。
第5圖繪示根據此處所述實施例之處理氣體之流動、淨化或分離氣體之流動、以及吸取或幫浦區域的示意圖。繪示之各處理站係具有電極602。在電極之一側係提供氣體入口612。根據典型之應用，氣體入口可為一狹縫或數個開口，沿著塗佈鼓輪110之軸方向延伸。形成氣體分離單元之牆部分係提供在相鄰於氣體入口612處。在沉積站或各別之處理區域之間，用於例如 是氫之分離氣體之分離氣體入口1842係提供。再者，抽取或吸取通道係提供於處理站或各別之處理區域之間。例如是幫浦埠之真空通道1142係位於第5圖中之分離氣體入口1842之兩側上。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例， 分離氣體入口1842可更包括牆部分，牆部分提供其他之氣體分離單元。藉此，相對於塗佈鼓輪110的轉動軸之徑向位置，第一個氣體分離單元620與第二個氣體分離單元可變化及調整。舉例來說，基於塗佈鼓輪之溫度改變，變化及調整可利用來補償塗佈鼓輪110之膨脹或收縮。
此處所述一些實施例係提供氣體分離單元之元件或 牆部分、幫浦或排氣管道、及分離氣體入口之結合，以提供用於增加在相鄰處理區域之間的分離因子。如第5圖中所示，分離氣體入口1842係提供於數個沉積站之間，且例如是排氣管道的真空通道1142係提供於沉積站之兩側。藉此，可理解的是，處理鼓輪或塗佈鼓輪110係在垂直於第5圖之紙張平面的方向中延伸。 再者，電極及氣體入口、氣體出口及排氣管道係在垂直於第5圖中之紙張平面的方向中延伸。因此，此些元件之相對位置係就基板傳輸方向及/或對應之剖面進行說明。
第5圖繪示用於相鄰沉積源之各種氣體入口及排氣 或吸取通道之示意概念圖。第5圖繪示兩個相鄰電極602，兩個相鄰電極602係做為在各自位置的一個沉積源的一部分。根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，電極602可為用於電 漿輔助沉積製程之電極，例如是PECVD源之電極。
如第5圖中所示，對各相鄰沉積源而言，處理氣體 之氣體入口612及處理氣體之排氣出口614係提供在電極602之相對側。再者，分離氣體入口1842係提供，其中分離氣體入口1842係提供於電極602之兩側，使得氣體入口612及排氣出口614係分別位於電極及各自之分離氣體入口之間。真空通道1142係提供，真空通道1142也就是吸取通道或排氣管道。藉此，排氣管道係提供於電極602之各自的相對側，使得分離氣體入口1842及氣體入口612及排氣出口614係提供於排氣管道與電極602之間。
第5圖繪示電極602及各自之氣體入口及排氣出口 以及位於沿著平面之排氣管道的示意圖。此處所述之氣體分離的原則可提供而用於沉積設備，其中平面之基板支撐件表面係提供。 然而，根據其他實施例，可亦提供彎曲之基板支撐件表面，彎曲之基板支撐件表面例如是處理鼓輪或塗佈鼓輪之表面。可理解的是，電極602及氣體入口、排氣出口、及排氣管道可接著成形及/或定位，以對應於彎曲之基板支撐件表面。
第5圖繪示以箭頭示意之氣體入口、排氣出口、及 排氣管道。可理解的是，根據此處所述任何實施例，可提供各別之通道及管道。
此處所述實施例係特別對不同製程提供在鄰接或相 鄰沉積站之應用有用處。舉例來說，藉由在第5圖中之左側的電 極602說明之沉積源可處理第一沉積製程，其中藉由在第5圖之右側的電極602說明之沉積源可處理第二、不同沉積製程。如果例如是在左側之處理區域中之壓力係為0.3mbar且在右側之處理區域中之壓力係為1.7mbar，在中間的真空通道1142之區域中的壓力一般係低於兩個處理區域之較低壓力，真空通道1142例如是排氣管道。在上述例子中，壓力可為0.2mbar。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，在提供多於兩個沉積源之情況中，排氣管道之區域中之壓力係提供而低於任何處理區域中之最小壓力。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例， 氣體分離單元之牆部分及元件可以第5圖所述之方式配置。藉此，氣體分離單元之牆部分或元件可提供於處理氣體入口與分離氣體入口，以及處理氣體出口及分離氣體入口之間，且可進一步提供於分離氣體入口及排氣管道之間。此可透過下方之第6圖更佳了解且將進一步做說明。根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，可提供牆部分之至少一者及/或電極之至少一者，使得自基板支撐件表面的距離可調整或變化，以例如是補償基板支撐件表面之位置的熱膨脹或對應之變化。再者，可理解的是，根據可與此處所述其他實施例結合之此處所述實施例，至少一沉積源或沉積站係如此處所述實施例說明的方式提供。
第6圖繪示沉積站630之示意圖。沉積站630包括 電極602。電極可連接於匹配電路680，使得電極602係具有電 力。如第6圖中所示，電極602可具有彎曲表面，使得電極對應於處理鼓輪或塗佈鼓輪，也就是電極602具有相對於處理鼓輪或塗佈鼓輪之彎曲外表面的實質上平行表面。箭頭801係表示沿著電極602之處理區域中之處理氣體的氣體流動。氣體入口612及排氣出口614之各自的狹縫係在第6圖中以線強調。藉此，根據可與此處所述其他實施例結合之一些應用，特別是針對PECVD製程來說，處理氣體流動係非對稱的，也就是說，無論是在基板移動之方向中或相反於基板移動之方向。
一般來說，可與此處所述其他實施例結合之實施例 可包括基板支撐件、第一沉積站及至少一第二沉積源，基板支撐件具有一外表面，用於導引基板沿著基板支撐件之一表面通過一第一真空處理區域及至少一第二真空處理區域，第一沉積站對應於第一真空處理區域，至少一第二沉積源對應於至少一第二真空處理區域，其中至少第一沉積站包括一電極、一處理氣體入口及一處理氣體出口、第一分離牆、至少一分離氣體入口及至少一第二分離牆，電極具有一表面，其中電極之表面相對於基板支撐件之表面，其中處理氣體入口及處理氣體出口係配置於電極之表面的相對側，第一分離牆圍繞電極之表面以及處理氣體入口和處理氣體出口，至少一分離氣體入口圍繞第一分離牆，至少一第二分離牆圍繞至少一分離氣體入口。用於沉積的此設備更包括一或數個真空法蘭，提供至少一其他氣體出口於第一沉積站與至少一第二沉積源之間。
氣體分離單元620係提供而環繞電極602。藉此，氣體分離單元620具有第一部分620A及第二部分620B，第一部分620A位於電極602之一側上，第二部分620B位於電極602之一相對側上。氣體分離單元620之其他側部分620C係提供。根據選擇性之實施例，數個分離之氣體分離單元可提供，使得第一部分620A及第二部分620B係各藉由分離之氣體分離單元形成。然而，環繞電極602之氣體分離單元620係提供改善之分離因子。藉此，可理解的是，根據本說明書與申請專利範圍之一些段落，提供於電極602之一側上以及電極602之相對側上的氣體分離單元係做為參照。可理解的是，可提供與第6圖相關之環繞電極602之一個單一氣體分離單元，使得此單一氣體分離單元係提供於相同之電極的兩個相對側上。
分離氣體入口842之一或數個開口係提供於電極602之第一側以及電極602之相對側。環繞電極602之分離氣體入口842係在第6圖中由虛線所繪示。一般來說，分離氣體入口842係提供於電極602之相對側，或係均勻環繞於電極602，使得氣體分離單元620係位於分離氣體入口842及電極之間。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，可提供其他氣體分離單元1620。藉此，第一部分1620A及第二部分1620B可提供於電極602之相對側。或者，兩個氣體分離單元可提供而取代繪示於第6圖中之其他氣體分離單元1620之第一及第二部分。繪示於第6圖中之其他氣體分離單元1620更具有 側部分1620C，使得其他氣體分離單元1620環繞電極602、第一個氣體分離單元620及分離氣體入口842。
如第6圖中所示，如上所述之沉積站630之元件係固定於沉積源或沉積站之主體603。主體可具有框部，框部可固定於沉積設備之腔體及/或框部可提供在根據此處所述實施例之沉積設備的各自隔間內。藉此，其他氣體分離單元1620外之真空區域係提供，換言之，真空區域係環繞其他氣體分離單元1620。此真空區域係藉由排氣管道排氣，排氣管道對應於例如是第5圖中之真空通道1142。
根據可與此處所述其他實施例結合之不同實施例，選自由氣體分離單元620、其他氣體分離單元1620、及電極所組成之群組的至少一元件可被支撐及/或連接於主體603、致動器、或連接於處理鼓輪或塗佈鼓輪之軸的支撐元件，使得至基板支撐件表面的距離可變化。藉此，相當程度決定於狹縫之寬度的氣體分離可改善。舉例來說，可補償塗佈鼓輪之熱膨脹，塗佈鼓輪可加熱及/或冷卻至-20℃至400℃的溫度，例如是0℃至200℃或-20℃至80℃。藉此，可補償在氣體分離單元與鼓輪間之狹縫閥之狹縫的寬度變化，狹縫的寬度係根據溫度改變。根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，舉例來說，對於PVD來說，可提供1：100或甚至更多之氣體分離因子，或者，對於CVD來說，可甚至提供1：10,000或甚至更多之氣體分離因子，例如是1：100,000。
根據額外或選擇性之應用，可提供自動調整氣體分離單元之狹縫的寬度或位置。藉此，可利用例如是相機、距離感測器、或其他類似之設備的量測裝置。再者，如果熱膨脹係將進行補償，氣體分離單元之位置的變化可藉由用於氣體分離單元之支撐元件來提供，氣體分離單元具有一熱膨脹，此熱膨脹對應於基板支撐件表面的熱膨脹變化位置。藉此，需考慮的是，在氣體分離單元與基板支撐件表面間的狹縫之寬度應儘可能的小(以具有最佳之分離因子)來避免損害、刮傷或損毀基板的風險。有鑑於上述，此處所述實施例係特別對沉積製程有用處，在沉積製程中，不同壓力係使用於相鄰處理區域中之例如是CVD製程或PECVD製程的不同沉積製程，以及/或者不同處理氣體係使用於相鄰處理區域中之不同沉積製程，特別是如果一處理氣體係用於相鄰處理區域中而具有毒性。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，沉積設備之腔體或殼體可具有隔間或開口，其中沉積源或具有沉積源之沉積站可定位在開口或隔間中，以提供與腔體或殼體之連接，使得腔體或殼體形成真空密封封罩(enclosure)，也就是可排氣至具有約0.2到10mbar之壓力的真空，或甚至是1*10-4到1*10-2mbar之壓力的真空。不同壓力範圍係考慮，特別是於PVD製程中之10-3mbar的範圍內以及CVD製程中之mbar的範圍內，其係於不同之壓力規範(pressure regimes)中處理。再者，腔體或殼體可排氣至具有1*10-6mbar之壓力或甚至較低壓力的背景真 空(background vacuum)。背景真空意指在沒有任何氣體之任何入口而藉由腔體或殼體之排氣來達成之壓力。
因此，沉積設備形成一通用平台，用於數種製程及例如是蒸鍍或濺鍍之PVD製程，或例如是PECVD製程之CVD製程，其可在基板移動通過沉積設備中之兩個或數個處理區域時結合。特別是，不同PECVD製程可結合，且例如是用於TFT或可撓式之TFT製造，更特別是用於超高阻隔。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，用於對可撓式基板進行收卷及放卷之滾輪、用於導引基板之滾輪、處理或塗佈鼓輪、以及與可撓式基板接觸之其他元件係定位及/或配置於沉積腔體中，使得只有可撓式基板的背側被接觸，也就是在處理區域中沒有進行處理之側。根據再其他實施例，此種沉積設備可提供而具有由下往上沉積源(bottom-up deposition sources)，以避免粒子產生於基板上。藉此，特別是對於處理或塗佈鼓輪之應用，由下往上沉積源可理解為設置於塗佈鼓輪之轉動軸之下方的沉積源。
例如是如第1、3、4A及4B圖所示，設備包括數個導引滾輪，用以導引基板至塗佈鼓輪且從塗佈鼓輪導引基板，且導引基板至各放卷或收卷滾輪上。一般來說，導引滾輪之數量係兩個或以上，且六個或以下。藉此，根據典型應用，所有導引滾輪之包覆角的總和可為20°至360°，舉例來說，為60°至180°。如上所述，它們係配置以提供用於基板導引系統，基板導引系統 係僅接觸基板之背側，也就是非處理側。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，具有一或數個各自電極、一或數個氣體分離單元、以及選擇性提供之用於分離或淨化氣體之入口的沉積源可作為沉積站，沉積站可從開口或隔間置於沉積設備之殼體或腔體內而做為一組件。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，加入分離或淨化氣體一般係藉由於各自之區域中加入例如是H2之處理氣體、例如是氬之惰性氣體、或氮氣來進行，各自之區域係以分離氣體入口定義。因此，分離氣體入口可為提供於數個氣體分離單元之間的狹縫開口，換言之，其各自之牆元件。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，沉積源、氣體入口區域、及氣體分離單元係由連接於排氣或吸取管道之區域所環繞，使得在腔體內之背景真空之壓力可以低於任何沉積源中之任何壓力的壓力提供，或者可以至少沉積源之至少50%之壓力提供。根據典型之應用，如果至少一第一真空幫浦或第一幫浦站係分別連接於各處理區域或沉積站，且至少一第二真空幫浦或第二幫浦站係連接於腔體以控制全部腔體壓力，此概念可最簡易地提供。
根據再其他實施例，以第一沉積源及至少一第二沉積源沉積至少兩層於一基板上之方法係提供。此方法包括沿著一表面於基板支撐件之上方導引基板(見例如是第7圖中之步驟1602)、提供分離氣體於至少第一沉積源之相對側的至少兩個位置(見例如是第7圖中之步驟1606)、提供處理氣體且排出在該至少 兩個位置間之處理氣體(見例如是第7圖中之步驟1604)、以及在第一沉積源及該至少一第二沉積源間之至少一真空出口抽取(見例如是第7圖中之步驟1608)。根據其之典型的應用，分離氣體可為氫、氮或惰性氣體；及/或在至少一真空出口的壓力可小於在第一沉積源及該至少一第二沉積源之任何區域內的壓力。
根據再其他實施例，用於沉積一薄膜於一基板上之設備係提供。此設備包括一基板支撐件、一電漿式之沉積源及一致動器，基板支撐件具有一外表面，用於導引基板通過一真空處理區域，電漿式之沉積源用以於真空處理區域中沉積薄膜於基板上，其中電漿式之沉積源包括一電極，致動器係設置而用以調整電極與外表面間之距離。此設備可包括一或數個下述之方面、細節及特性：基板支撐件可為塗佈鼓輪及基板係為一可撓式基板；電漿式之沉積源可包括一支撐元件，機械式連接於電極及塗佈鼓輪之軸；支撐元件可為碟件或碟件之一部分，其中碟件或碟件之該部分具有實質上相同於塗佈鼓輪之直徑或具有實質上相同於塗佈鼓輪加真空處理區域之寬度之直徑，其中碟件或碟件之該部分由一材料所組成，此材料不同於具有不同之一熱膨脹係數之塗佈鼓輪之材料，其中碟件或碟件之該部分係保持於一合適之一溫度，以調整碟件或碟件之該部分的直徑成為塗佈鼓輪或支撐元件之直徑，或者支撐元件可為碟件或碟件之一部分；其中碟件或碟件之該部分具有實質上相同於塗佈鼓輪之直徑或具有實質上相同於塗佈鼓輪加狹縫之寬度之直徑，其中碟件或碟件之該部分由 一材料所組成，此材料相同於塗佈鼓輪之材料，且其中碟件係保持於相同之溫度或者碟件或碟件之該部分係保持於合適之一溫度數值，以調整碟件或碟件之該部分的直徑成為塗佈鼓輪之直徑；此設備可更包括監控裝置，用於監控真空處理區域之寬度；特別是其中監控裝置可包括光學或電力監控器，用以光學地或電力地監控真空處理區域之寬度；舉例來說，監控裝置可為電漿式之監控器，連接於電漿式之沉積源，用以監控一或數個電漿條件。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，此設備更包括一氣體分離單元，用以分離真空處理區域與其他第二真空處理區域，且適用於形成一狹縫，基板可通過基板支撐件之外表面與氣體分離單元間之狹縫，其中氣體分離單元係適用於控制在真空處理區域與其他真空處理區域之間的流體連通，其中流體連通係藉由調整氣體分離單元之位置來控制；特別是其中至少一氣體分離單元包括一致動器，設置以調整狹縫之寬度及/或其中基板支撐件係為一塗佈鼓輪且其中該至少一氣體分離單元包括一支撐元件，機械式連接於氣體分離單元及塗佈鼓輪之軸。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧設備
102A‧‧‧第一腔體部
102A1‧‧‧隔離腔體部單元
102A2‧‧‧基板腔體部單元
102B‧‧‧第二腔體部
102C‧‧‧第三腔體部
105、766、766’‧‧‧隔離件滾輪
108‧‧‧箭頭
110‧‧‧塗佈鼓輪
125‧‧‧法蘭部
630‧‧‧處理站
140‧‧‧間隙閘
192‧‧‧預處理電漿源
194‧‧‧預加熱單元
430‧‧‧蝕刻站
431‧‧‧線
492‧‧‧離子化單元
494‧‧‧光學測量單元
701‧‧‧分離牆
764‧‧‧第一滾輪
764’‧‧‧第二滾輪

Claims (20)

  1. 一種設備，用於處理一可撓式基板，該設備包括：一真空腔體，具有一第一腔體部、一第二腔體部及一第三腔體部；一放卷軸及一收卷軸，該放卷軸用以支撐將進行處理之該可撓式基板，該收卷軸用以支撐具有一薄膜沉積於其上之該可撓式基板，其中該放卷軸及該收卷軸係配置於該第一腔體部中；至少一間隙閘，用於分離該第一腔體部與該第二腔體部，其中該間隙閘係配置，使得該可撓式基板可於其移動通過且該間隙閘可開啟及關閉而用於提供一真空密封；一塗佈鼓輪，具有一轉動軸及一彎曲外表面，該彎曲外表面用於沿著該彎曲外表面導引該可撓式基板通過一第一真空處理區域及至少一第二真空處理區域，其中該塗佈鼓輪之一第一部分係提供於該第二腔體部內，且該塗佈鼓輪之剩餘部分係提供於該第三腔體部內；以及一第一處理站及至少一第二處理站，該第一處理站對應於該第一真空處理區域，該至少一第二處理站對應於該至少一第二真空處理區域，其中該第一處理站及該至少一第二處理站各包括：一法蘭部，用以提供一真空連接；其中該第三腔體部具有一凸狀腔體牆部，其中該第三腔體 部具有至少二開口提供於其中；以及其中該第一處理站及該至少一第二處理站係配置以容置於該至少二開口中，其中該第一處理站及該至少一第二處理站之該些法蘭部係提供與該第三腔體部之一真空緊密連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該至少二開口係實質上平行於該凸狀腔體牆部。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該塗佈鼓輪之該彎曲外表面及該法蘭部或該凸狀腔體牆部之距離係為從10mm至500mm。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該塗佈鼓輪之該彎曲外表面及該法蘭部及該凸狀腔體牆部之距離係為從10mm至500mm。
  5. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該第一處理站及該至少一第二處理站係部分地提供於該第三腔體部中且部分地提供於該第三腔體部外。
  6. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該第二腔體部具有一可排氣區域之一體積且該第三腔體部具有一其他可排氣區域之一其他體積，且其中該體積與該其他體積之比係為至少2：1。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之設備，其中，該體積與該其他體積之比係為至少3：1至6：1。
  8. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該第二腔體部具有該可排氣區域之一體積且該第三腔體部具有該其他可排氣區域之一其他體積，且其中該體積與該其他體積之比係藉由複數個體積縮減塊增加到至少7：1。
  9. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中當該第一處理站及該至少一第二處理站係相對於該塗佈鼓輪之軸的一徑向方向中插入時，該第一處理站及該至少一第二處理站係配置以容納於該至少二開口中。
  10. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該塗佈鼓輪之該第一部分與該塗佈鼓輪之該剩餘部分之比係為0.8：1或更大。
  11. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中，該塗佈鼓輪之該第一部分與該塗佈鼓輪之該剩餘部分之比係為1.1：1或更大。
  12. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中，該塗佈鼓輪之該第一部分與該塗佈鼓輪之該剩餘部分之比係為2：1。
  13. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該第一處理站及該至少一第二處理站之該些法蘭部係提供在該塗佈鼓輪的軸的下方。
  14. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該第一腔體部係實質上位於該第二腔體部之上方，且該第二腔體 部係位於該第三腔體部之上方。
  15. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，更包括：n個導引滾輪，其中該n個導引滾輪係提供以於該放卷軸與該塗佈鼓輪之間以及該塗佈鼓輪與該收卷軸之間導引該可撓式基板，且其中2<=n<=6。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之設備，其中該n個導引滾輪之包覆角的總和係為20°至360°。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之設備，其中該n個導引滾輪係配置以接觸該可撓式基板之背側。
  18. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中至少該第一處理站包括一電極，且該電極具有一彎曲表面，其中該電極之該彎曲表面係成形，使得該電極具有相對於該塗佈鼓輪之該彎曲外表面的一實質上平行表面。
  19. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該第一處理站及/或該至少一第二處理站係為一沉積站，該沉積站包括一沉積源。
  20. 如申請專利範圍第1至4項之任一項所述之設備，其中該第一處理站及/或該至少一第二處理站係為一蝕刻站，用於蝕刻該可撓式基板或一沉積之薄膜。
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