TWI549760B - Cleaning method and system of roll - to - roll polyimide film - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種卷對卷聚醯亞胺膜之清洗方法及其系統,特別係指一種聚醯亞胺膜經過雷射加工後,予以清除其膜面雜質或污垢者,使其更有利於之後的金屬化製程。
可撓性銅箔積層板(Flexible copper clad laminate,FCCL)係廣泛應用於電子產業中作為電路基板(PCB),FCCL除了具有輕、薄及可撓的優點外,用聚醯亞胺膜還具有電性能、熱性能及耐熱性優良的特點外,其較低的介電常數(Dk)性,使得電信號得到快速的傳遞,良好的熱性能,可使組件易於降溫,較高的玻璃化溫度(Tg),可使組件在較高的溫度下良好運行。
撓性銅箔基材要分為二大類,一為傳統接著劑型三層軟板基材(3FCCL),另一種為新型無接著劑二層軟板基材(2FCCL)兩大類,此兩類基材材料,其製造方法不同,其應用產品項目也不同,三層軟板基材一般應用於大宗軟板產品上,二層軟板基材具有輕薄短小之優勢,可應用於較高階軟板製造上。就現有二層軟板基材的製造方法而言,可分為塗佈型(Casting Type)、壓合型(Lamination)、濺鍍型及溼式鍍法型四種,其係皆在一介電材料上形成金屬層,以完成可撓性金屬基板的製作,該等製造方法皆為習知技術,於此不加贅述。
而現有可撓性電路板的製造方式,係先將前述撓性銅箔基板進行鑽孔,使基板12上形成複數個貫孔14,再於貫孔14內形成導電介質16(如傳統化銅、電鍍銅及傳統導電石墨等金屬化微孔,以形成導電介質16),最後再將撓性金屬基板12上進行電鍍二次銅18,使一次銅10上方及貫孔14內形成二次銅18,而得以使基板12上、下電路導通,此種習知可撓性電路板之製造上較為繁瑣,且成本較高,且電路板的厚度較大,不利於細線及高密度之需求,而貫孔14內之傳統導電介層16製作方式(如傳統化銅、電鍍銅及傳統導電石墨等金屬化微孔),其厚度較大,亦不利於微孔化之需求。
為解決上述習知可撓性電路板及製作之缺點,發明人遂發明出本發明,其係於聚壓亞胺膜上先進行雷射加工,以形成預鑽孔,再進行後續化學鍍鎳及電鍍銅製程,以解決上述習知之缺點,但於雷射加工後將在聚醯亞胺膜上殘留有雜質/污垢,此時便不利於後續化學鍍鎳及電鍍銅製程,而,如何有效清洗雷射加工後之聚醯亞胺膜,是為業界努力研究的種要課題。
本發明之卷對卷之聚醯亞胺膜清洗方式,其提供一捲筒式聚醯亞胺膜;將該聚醯亞胺膜進行放卷製程;該聚醯亞胺膜進行一膜面清潔製程,其中,該膜面清潔製程可先進行乾式膜面清潔製程,再進行濕式膜面清潔製程,或可先進行濕式膜面清潔製程,再進行乾式膜面清潔製程,以有效清洗聚醯亞胺膜表面及孔內之雜質/污垢;及進行一收捲製程。
本發明之卷對卷之聚醯亞胺膜清洗系統,其包括有一放卷裝
置;一膜面清潔裝置,其可先為一乾式處理機再為一濕式處理機,或可先為一濕式處理機再為一乾式處理機;及一收卷裝置。
30、40‧‧‧放卷裝置
31、41‧‧‧黏塵裝置
32、45‧‧‧乾式清潔機
33、42‧‧‧濕式清潔機
34、43‧‧‧超音波震盪裝置
35、44‧‧‧烘乾處理機
36、46‧‧‧收卷裝置
第1圖為本發明卷對卷聚醯亞胺膜之清洗方法之流程的第一實施例。
第2圖為本發明卷對卷聚醯亞胺膜之清洗方法之流程的第二實施例。
第3圖為本發明卷對卷聚醯亞胺膜之清洗系統之第一實施例。
第4圖為本發明卷對卷聚醯亞胺膜之清洗系統之第二實施例。
第5圖為本發明未清洗而直接鍍化之示意圖。
第6圖為本發明經清洗後而鍍化之示意圖。
本發明卷對卷聚醯亞胺膜之清洗方法,其中,該聚醯亞胺膜係已完成雷射加工形成複數個預鑽孔,在雷射加工時將造成該聚醯亞胺膜表面及孔殘留有雜質,而若後續欲進行金屬化製程(如化學鍍鎳及電鍍銅)時,該雜質若未能有效予以清除,將對後續金屬化製程造成不利的影響,甚而影響到撓性電路板之品質。
請參閱第1圖,為本發明卷對卷聚醯亞胺膜之清洗方法之流程的第一實施例,首先,提供一捲筒式聚醯亞胺膜(S1);將該聚醯亞胺膜進行放卷製程(S2);將聚醯亞胺膜進行一黏塵製程(S3),以黏除較大顆
粒之雜質;該聚醯亞胺膜進行一膜面清潔,其中該膜面清潔係先進行乾式膜面清潔製程(S4);再將完成乾式膜面清潔之聚醯亞胺膜進行濕式膜面清潔製程(S5);進行烘乾製程(S6);以及進行一收捲製程(S7)。
請參閱第2圖,為本發明卷對卷之聚醯亞胺膜之清洗方法之流程的第二示意圖,首先,提供一捲筒式聚醯亞胺膜(S11);將該聚醯亞胺膜進行放卷製程(S12);將聚醯亞胺膜進行一黏塵製程(S13),以黏除較大顆粒之雜質;該聚醯亞胺膜進行一膜面清潔,其中該膜面清潔係先進行濕式膜面清潔製程(S14);進行烘乾製程(S15);進行乾式膜面清潔製程(S16);以及進行一收卷製程(S17)。
其中,該乾式膜面清潔製程可以電暈(Corona)、電漿(Plasma)及紫外線照射(UV irradiation)等物理性高能量製程為之,此不但可清潔膜面外,亦可具有不同程度的表面改質,以增加其表面之附著力,而電暈方式更可活化膜面的親水性,有利於後續的濕式膜面清洗製程。
其中,該濕式膜面清潔製程可為化學藥液清洗,其更包括有一超音波震盪製程,可促進化學藥液對膜面汙垢的處理效率。
請參閱第3圖示,本發明卷對卷聚醯亞胺膜清之清洗系統的第一實施例,其依序包括有下列裝置。
一放卷裝置30,其係用以將捲筒式聚醯亞胺膜進行放卷製程。
一黏塵裝置31,其係為一黏層輪,用以黏著膜面的較大的雜質。
一膜面清潔裝置,其依序為一乾式清潔機32,再為一濕式清
潔機33,其中,該濕式處理機33更包括有一超音波震盪裝置34;乾式清潔機32可為電暈(Corona)、電漿(Plasma)及紫外線照射(UV irradiation)等物理性高能量處理機。
烘乾處理機35,其係用以烘乾該清洗完成之聚醯亞胺膜。及一收卷裝置36,係將烘乾完之聚醯亞胺膜收起成卷。
請參閱第4圖所示,本發明卷對卷聚醯亞胺膜之清洗系統的第二實施例,其依序包括有下列裝置。
一放卷裝置40,其係用以將捲筒式聚醯亞胺膜進行放卷製程。
一黏塵裝置41,其係為一黏層輪,用以黏著膜面的較大的雜質。
一膜面清潔裝置,其先為一濕式清潔機42,其中,該濕式清潔機42更包括有一超音波震盪裝置43。
一烘乾處理機44,其係用以烘乾該清洗完成之聚醯亞胺膜。及一乾式清潔機45,其係用以清潔該聚醯亞胺膜,其可為電暈(Corona)、電漿(Plasma)及紫外線照射(UV irradiation)等物理性高能量處理機為之。及一收捲裝置46,係將烘乾完之聚醯亞胺膜收起成捲。
請參閱第5圖,為本發明未清洗而直接鍍化而有漏鍍之情形,請參閱第6圖,本發明經清洗後直接鍍化,並無漏鍍之情形。
藉由以上清洗方法及清洗系統,可有效地將雷射加工完成預鑽孔的聚醯亞胺膜清洗完成,以便於後續金屬化製成(如化學鍍鎳及電鍍銅)。
如下表格顯示,經電暈處理可提昇化鎳作業之品質。
30‧‧‧放卷裝置
31‧‧‧黏塵裝置
32‧‧‧乾式清潔機
33‧‧‧濕式清潔機
34‧‧‧超音波震盪裝置
35‧‧‧烘乾處理機
36‧‧‧收卷裝置
Claims (6)
- 一種卷對卷聚醯亞胺膜之清洗方法,其係用以清洗經雷射加工製程而具有複數個預鑽孔之該聚醯亞胺膜,其包括有下列步驟:提供一捲筒式之該聚醯亞胺膜;將該聚醯亞胺膜進行放卷製程;將該聚醯亞胺膜進行膜面清潔製程,該膜面清潔製程可為先進行乾式之電暈製程,再施以濕式之化學藥液及超音波震盪製程,或先施以濕式之化學藥液及超音波震盪製程,再進行乾式之電暈製程;及進行一收卷製程。
- 如申請專利範圍第1項所述之卷對卷聚醯亞胺膜之清洗方法,其中,該模面清潔製程前更包括有一黏層製程。
- 如申請專利範圍第1項所述之卷對卷聚醯亞胺膜之清洗方法,其中,該模面清潔製程後更包括有一烘乾製程。
- 一種卷對卷聚醯亞胺膜之清洗系統,其係用以清洗經雷射加工製程而具有複數個微通孔之該聚醯亞胺膜,其依序包括有:一放卷裝置;一膜面清潔裝置,其可先為一電暈清潔機,再為一濕式清潔機,該濕式清潔機為一化學清洗裝置及一超音波震盪裝置,或可先為一濕式清潔機,該濕式清潔機為一化學清洗裝置及一超音波震盪裝置,再為一電暈清潔機;及一收卷裝置。
- 如申請專利範圍第4項所述之清洗系統,其中,於該膜面清潔裝置前設 置有一黏塵裝置。
- 如申請專利範圍第4項所述之系統,其中,膜面清洗裝置後可設有一烘乾處理機。
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