TWI327759B - - Google Patents

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TWI327759B
TWI327759B TW093108376A TW93108376A TWI327759B TW I327759 B TWI327759 B TW I327759B TW 093108376 A TW093108376 A TW 093108376A TW 93108376 A TW93108376 A TW 93108376A TW I327759 B TWI327759 B TW I327759B
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Description

1327759 Π) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於令半導體晶圓例如矽晶圓等晶圓施行 熱處理時所用的熱處理用晶圓支持具及熱處理裝置。 【先前技術】 就晶片式熱處理用晶圓支持具而言，一般採用在稱爲 晶舟的支柱具有溝槽的構造物的溝槽，平行地收納保存複 數晶圓的形式。特別是在1 〇 〇 〇 °c以上之高溫熱處理中， 由耐熱性等來看，一般採用Sic作爲晶圓支持具的素材， 使用藉由鑽石切割器（Diamond Cutter)等，直接於支柱上 施行切削加工溝槽的手法。 可是使用此手法，可加工的形狀受到限制的緣故，曲 面等複雜的形狀加工很困難。此外，在切削加工中，也有 易在溝面產生毛邊的問題。並且由於欲除去所產生的毛邊 之追加加工困難、或欲減低接觸晶圓之溝的表面粗度的硏 磨困難，故於熱處理中，在與晶圓的接觸部會發生碰觸或 滑移的問題（日本特開平第7 — 1 6 1 654號公報 '特開平第 8- 1 0708 1號公報）。此外，於加工中，由於支柱易破損， 須要較大的勞力和加工時間，故生產性差，減低成本困 難。 上記晶片式熱處理是使用電阻加熱（加熱器加熱），一 次熱處理多數片晶圓，不過除了此種晶片式熱處理裝置 外，最近主要應用於單片處理，亦頻繁地採用藉由燈光加 -4- (2) (2)1327759 熱式等，施行急速加熱、急速冷卻熱處理的RTP( Rap id Thermal Processing)裝置。 使用RTP裝置的熱處理，例如舉例有：爲了解決晶 圓表面缺陷的熱處理、爲了解決氧供給體的熱處理、爲了 形成淺擴散層的熱處理（RTA: Rapid Thermal Annealing)、 或是爲了形成薄氧化膜的熱處理（RTO: Rapid Thermal Oxidation)等。此外’使用燈光加熱的單片式磊晶成長或 絕緣膜等氣相成長，亦廣義地包含採用RTP裝置的熱處 理。 像這樣的RTP處理亦與晶片式熱處理裝置同樣地， 採用供熱處理的晶圓支持具（亦稱爲晶片載台 (Suscepter))，就晶圓支持具與晶圓的接點而言，會發生 所謂滑移的問題（日本特開第2002 - 164300號公報）。 【發明內容】 本發明係爲解決上記課題的發明，目的在於提供一不 會發生因高溫熱處理的碰觸或滑移，加工容易，可減低成 本的熱處理用晶圓支持具及熱處理裝置。 爲解決上記課題，本發明的熱處理用晶圓支持具乃屬 於至少具有：支持熱處理的晶圓的複數晶圓支持構件 '和 保持該支持構件的支持構件夾具的熱處理用晶圓支持具 中’前記複數晶圓支持構件中的至少一部分的支持構件係 與前記晶圓的接觸部，爲可相對於前記支持構件夾具而轉 動爲其特徴。 -5. (3) (3)1327759 前記接觸部的形狀，相對於前記熱處理的晶圓，爲凸 的曲面，特別以球形或橢圓球形爲佳。前記晶圓支持構件 是由插銷所構成，前記支持構件夾具是由保持前記插銷的 插銷夾具所構成，前記插銷是嵌入於形成在該插銷夾具的 插銷孔所配置的構成最適合》前記插銷是構成可從前記插 銷夾具取下爲佳，並且加工圓柱狀的素材爲佳。前記插銷 及插銷夾具的素材舉例有：SiC'矽或石英。前記插銷孔 最好設複數個，而且該插銷孔的形狀以縫隙狀爲佳。前記 縫隙狀插銷孔是從前記插銷夾具的中心配置成放射狀爲 佳。前記插銷夾具最好爲圓板狀或圓環狀，該插銷夾具爲 圓板狀時，在其中心位置設有圓狀插銷孔的構成最適合。 前記晶圓支持構件是包括作爲與前記熱處理的晶圓的 接觸部的旋轉體，該旋轉體是收容於形成在前記晶圓支持 構件或前記支持構件夾具的旋轉體收容孔，亦可藉由與前 記熱處理的晶圓的摩擦力，構成旋轉。 前記旋轉體爲球形、橢圓球形、圓筒形或圓柱形的任 一種形狀爲佳。前記旋轉體收容孔以溝縫狀爲佳，該溝縫 狀的旋轉體收容孔最好是從前記支持構件夾具的中心，配 置成放射狀。前記支持構件夾具爲圓板狀或圓環狀爲佳。 前記旋轉體的素材可採用SiC、矽或石英。 本發明的熱處理用晶圓支持具，更具有：保持複數前 記支持構件夾具的支柱、和保持該支柱的基座。前記支持 構件夾具是構成可從前記支柱取下最適合。前記支柱及基 座的素材可採用SiC、矽或石英。 (4) (4)1327759 本發明的熱處理裝置，具備有上記之本發明的熱處理 用晶圓支持具。 【實施方式】 [用以實施發明的最佳形態] 以下根據所附圖面來說明本發明的實施形態，但圖示 例爲舉例表示的例示，在不脫離本發明之技術思想的限制 下，當然可做各種變形。 於第1圖中，10係有關本發明的熱處理用晶圓支持 具。該晶圓支持具1〇係具有，面對面設置在上下方向的 上下一對基座12、14、以及立設在該上下基座12、14之 間的複數根（第2圖之例爲三根）支柱1 6 » 藉由在穿設於該上基座12之下面的承孔18及穿設於 該下基座14之上面的承孔20，形成分別嵌固著該支柱16 的上端部及下端部的構造，該支柱16是保持在可從該基 座1 2、1 4取下的狀態。 2 2是作爲用於供支持施行熱處理的晶圓W的晶圓支 持構件的插銷。該插銷22乃如第3圖（bl)、（b2)所示，在 前端部設有用來支持晶圓W的接觸部26，且在基端部設 有嵌固部28。 上記插銷22的接觸部26的形狀，相對於所支持的晶 圓W，以凸的曲面爲佳。第1圖、第2圖及第3圖（bl)所 示的例子中，該接觸部26的形狀係表示球形的情況。 該接觸部26的形狀’乃如上所述，相對於所支持的 (5) (5)1327759 晶圓W，爲凸的曲面的話，當然可採用球形以外的形狀， 如第3圖（b2)及第7圖的第二實施形態所示，亦可將接觸 部26形成橢圓球形。再者，於第7圖中，與第1圖相異 之點僅在於插銷2 2的形狀，省略針對構造的再度說明， 不過與第1 〇圖構件相同或類似的構件，以相同符號表示。 在前記支柱1 6的側面設有相同高度的插入溝3 0。3 2 係作爲可拆脫地保持上記插銷2 2的支持構件夾具的插銷 夾具，其形狀未特別限定，不過於第2圖及第4圖表示形 成圓板狀的情況。藉由在前記插入溝30插入插銷夾具 32，插銷夾具32，對支柱16而言，保持可取下地插入。 此外，插銷夾具32係如第2圖及第4圖所示，形成圓板 狀外，如第8圖所示，亦可在中央部形成穿設開口部33 的圓環狀。 如第2圖及第4圖所示，在前記圓板狀插銷夾具32 對應於該插銷22的嵌固部28，而穿設有凹狀嵌固孔34a 及縫隙狀嵌固孔34b。該些嵌固孔（插銷孔）可爲貫通孔或 有底孔的任一種孔。藉由於設置在該圓板狀插銷夾具32 的中心部的該凹狀嵌固孔34a，嵌入該嵌固孔28 ’該插銷 22即保持在可取出於該圓板狀插銷夾具32。此外，自該 圓板狀插銷夾具32的中心部，嵌固於放射狀設置的縫隙 狀嵌固孔Wb的插銷22’係針對熱處理製程中的晶圓W 的伸縮方向的動作，欲緩和發生在插銷22和晶圓W的接 觸面的應力，自晶圓W的伸縮方向即圓板狀插銷夾具32 的中心，向著外周方向[第6圖（b)]或其相反方向即中心方 (6) (6)1327759 向[第6圖（c)]，成爲對圓板狀插銷夾具32而言，可相對 地數mm程度動作的構造。此時，插銷22易動作的緣 故，在該嵌固部28之下端部的周緣，如第6圖（d)所示， 形成稱爲圓角（R)的圓形爲佳。 此外，於第2圖 '第4圖及第8圖所示的例子中，表 示支柱1 6的設置根數爲三根的情形’不過支柱1 6的設置 根數只要是可支持基座12、14的根數即可，並未特別限 定。 前記插銷22係如第3圖（a)、（bl)、（b2)所示，將圓 柱狀的插銷素材22a，利用旋盤施以硏磨加工，藉此就很 容易取得，且插銷22就特別容易控制其接觸部26的表面 粘度。插銷素材22a可採用直徑1至7mm左右，長度5 至10mm左右的SiC、Si(單結晶、多結晶）、石英等。此 外，支柱16及基座12、14的素材亦很適合採用SiC、矽 或石英。 設置在第2圖及第4圖所示的圓板狀插銷夾具32之 中心部的凹狀嵌固孔34a係爲直徑1至7mm左右的圓 形，從插銷夾具32的中心部呈放射狀設置的縫隙狀嵌固 孔3 4b係爲寬幅1至7mm、長度4至21mm左右。縫隙狀 嵌固孔34b係爲將其縫隙的長邊方向，從插銷夾具32的 中心部呈放射狀配置3至24處左右（第2圖及第4圖爲六 處）。將插銷夾具32乃第8圖形成圓環狀的情形下，理所 當然的省略掉設置在插銷夾具32的中心部的嵌固孔 34a，不過將插銷夾具32如第4圖形成圓板的情形下，亦 -9- (7) 1327759 可省略掉嵌固孔34a。 如上所述，於本發明的晶圓支持具中，與插銷前端 的晶圓的接觸部的形狀，對晶圓而言，以形成凸的曲面 式所構成，於熱處理中，就不會在與晶圓的接觸部發生 觸或滑移，而因生產性提昇，可減低成本。 與插銷22的晶圓W的接觸部26，係另外追加加工 接觸部26的表面粘度，亦可僅將接觸部26形成所希望 表面粘度。並且，藉由適當選擇插銷22的形狀和嵌固 3 4a、3 4b，即可任意設計晶圓 W與插銷22接觸的位 (晶圓W之面內的位置）或接觸部26的形狀。而且，採 只能將插銷22從插銷夾具32取出的構成時，淸洗或更 都很容易，此外，亦可再加工表面而再利用。 於上記各實施形態中，舉例表示：插銷22對插銷 具32而言’透過嵌固孔34a、34b而保持可拆脫狀態， 銷夾具32對支柱16而言，透過插入溝30而保持在可 脫狀態，此外支柱16對基座12、14而言，透過承孔 2〇而保持在可拆脫狀態的構造，不過對應需要，可將 銷22相對於插銷夾具32而固定爲不可拆脫，將插銷夾 32相對於支柱16而固定爲不可拆脫，此外，將支柱 相對於基座12、14而固定爲不可拆脫亦可。 第1圖至第8圖所示的例子中，表示採用插銷22 爲晶圓支持構件的情形，不過亦可採用插銷22以外的 件作爲晶圓支持構件，根據第9圖至第1 1圖於以下做 明。 部 方 碰 其 的 孔 置 用 換 夾 插 拆 1 8 插 具 16 作 構 說 -10- (8) (8) 成 40 有 形 孔 的 該 所 形 轉 話 上 所 轉 上 而 該 外 到 圖 1327759 於第9圖（a) ' (b)中，40係爲晶圓支持構件夾具， 有關本發明的熱處理用晶圓支持具。該支持構件夾 係用來保持晶圓支持構件4 2。該晶圓支持構件4 2係 設置在支持構件夾具40之上面的梯形構件44。在該 構件44的上面穿設旋轉體收容孔46。在該旋轉體收 46可旋轉地嵌入作爲與施行熱處理之晶圓W的接觸 旋轉體 48。箭頭50係表示旋轉體48的預定位置。 旋轉體4 8的形狀而言，並未特別限定，不過如第！ 〇 示，由上面觀看可採用（a)球形、（b)橢圓球形、（c)圓 或圓筒形等形狀。 根據上記的構成，如第9圖（a)所示，晶圓W使用 體4 8而接觸支持的狀態下，施行晶圓 w之熱處理 ，晶圓會伸長至以箭頭5 2所示的晶圓W之延伸方向 記旋轉體4 8係由箭頭5 0的位置即可明白，如第9圖 示地進行旋轉，就可抑制在與熱處理中的晶圓 W的 體的接觸部發生碰觸或滑移。 再者，在第9圖（a)、（b)的例子中，在梯形構件44 面穿設旋轉體收容孔46，不過形成省略該梯形構件 在支持構件夾具40的上面，穿設旋轉體收容孔46, 旋轉體收容孔46直接嵌入旋轉體48的構成亦可。 ，亦可形成其它形成的構件取代梯形構件44。 在第9圖（a)、（b)的例子中，係表示將旋轉體48嵌 梯形構件44之旋轉體收容孔46的情形，不過如第 (a)、（b)所示，該旋轉體收容孔46的形狀形成溝縫狀 構 具 具 梯 容 部 就 圖 柱 旋 的 ， (b) 旋 的 44 在 此 入 -11 - 11 1327759 Ο) 成爲在該溝縫狀旋轉體收容孔46可遊動旋轉地收容旋轉 體48的構成亦可。此時，溝縫狀旋轉體收容孔46最適合 從支持構件夾具40的中心配置成放射線狀。藉由此構 成，如第1 1圖（a)所示，晶圓W使用旋轉體48而接觸支 持的狀態下，施行晶圓W之熱處理的話，晶圓W會伸長 至以箭頭5 2所示的晶圓W之延伸方向，上記旋轉體4 8 係由箭頭50的位置即可明白，第1 1圖（b)所示地進行旋 轉，與第9圖的情形同樣地，就可抑制在與熱處理中的晶 圓W的旋轉體的接觸部發生碰觸或滑移。特別是在第11 圖的構成中，上記旋轉體48是利用旋轉，此時的旋轉摩 擦極小，在防止產生起因於摩擦的碰觸或滑移上，有很大 的效果。 再者，第11圖（a)、（b)的例子中，亦在該梯形構件 44的上面穿設溝縫狀旋轉體收容孔46，不過形成省略該 梯形構件44，而在支持構件夾具40的上面穿設溝縫狀旋 轉體收容孔46，在該溝縫狀旋轉體收容孔46直接可遊動 旋轉地收容旋轉體4 8的構成亦可。 本發明的熱處理裝置乃屬於具備有上記第一至第四實 施形態舉例所示的本發明之熱處理用晶圓支持具的熱處理 裝置。 此種熱處理裝置據知有例如像是第12圖所示的縱型 熱處理爐。同圖中，110爲縱型熱處理爐。該熱處理爐 1 1 〇係由：同心狀配置的加熱器1 1 2、和配置其內側的製 程管件1 1 4、和載置複數片晶圓的晶舟1 1 6、和拆裝自如 -12- (10) (10)1327759 地安裝該晶舟116的保溫筒118、和在其下部於熱處理時 塞住製程管件114下端的爐口部120的蓋體122、和使該 晶舟116、保溫筒118及蓋體122向著製程管件114的內 部而上下之圖未表示的昇降手段所構成。再者’ 115係爲 設置在製程管件114的下端部的凸緣部。該縱型熱處理爐 1 1 〇中，在上記晶舟1 1 6適用本發明的熱處理用晶圓支持 具，藉此以該縱型熱處理爐110作爲本發明之熱處理裝置 使用。 此外，此種熱處理裝置亦可採用急速加熱、急速冷卻 (RTP)裝置。RTP裝置之一例根據第13圖做說明。第13 圖係爲表示RTP裝置之一例的槪略說明圖。於第13圖 中，210爲熱處理裝置，換句話就是RTP裝置。該熱處理 裝置210係具有由石英製成的處理室211，在該處理室 211內令晶圓W進行熱處理。加熱是使用從上下左右圍繞 處理室2 1 1的方式所配置的加熱燈2 1 2來施行。該加熱燈 2 1 2可各別控制獨立供給的電力。 在該處理室211的氣體導入側，設置氣體導入口 2 19，在氣體的排氣側，裝備自動瞬間關閉器（Auto shimer)213，封鎖住外氣。在自動瞬間關閉器213設有使 用閘閥而構成可開關之圖未示的晶圓插入口。此外，在自 動瞬間關閉器13設有氣體排氣口 220，可調整爐內的環 境氣氛。 而且’晶圓w是配置於形成在支持治具例如石英托 盤214的三點支持部215之上。在石英托盤214的氣體導 -13- (11) (11)1327759 入口側’設置石英製的緩衝器216，防止從氣體導入口 219被導入的氣體，直接碰觸到晶圓w。 此外’在處理室211設有圖未表示的溫度測定用特殊 窗’使用設置在處理室211之外部的高溫計217，通過該 特殊窗來測定晶圓W的溫度。 於該RTA裝置210中，藉由應用本發明的熱處理用 晶圓支持具來取代晶圓支持具例如石英托盤2 1 4，該RTA 裝置210可作爲本發明的熱處理裝置使用》 於以下列舉實施例，令本發明更具體化，不過實施例 乃爲舉例所示的例子，當然並不限於所解釋的例子。 (實施例1) 基座、支柱、插銷的素材是使用SiC，製作第1圖及 第2圖所記載的熱處理用晶圓支持具。此時，插銷係使用 直徑5mm、長度10mm的圓柱狀材料，並在其前端部形成 直徑約5mm的球狀接觸部，且基端部係形成直徑約3mm 此外，放射狀設置的六處的縫隙狀插銷孔，係形成其中央 部配置在離插銷夾具之中心1 l〇mm的位置。 使用此種熱處理用晶圓支持具，施行直徑3 00mm、 結晶方位<1〇〇>、P型、約1〇Ω cm的CZ矽單結晶晶圓的 熱處理。調查與晶圓之接觸部的碰觸或滑移的發生狀況。 熱處理條件係氬1〇〇%氣氛下、1 200 °C、1小時、晶 圓的投入及取出溫度爲7〇〇°C。 熱處理後的晶圓係使用 X射線形貌法（X-Ray -14- (12) (12)1327759
Topography)，來調查晶圓支持具和晶圓的接觸部的碰觸 或滑移的發生狀況之結果，幾乎看不見該些發生情形。 (實施例2) 基座、支柱、插銷的素材是使用SiC，製作如第1圖 所記載的熱處理用晶圓支持具。但插銷夾具32爲直徑 320mm'厚度1mm’嵌入插銷的縫隙34b爲寬幅3.5mm、 長度9mm的貫通孔，如第14圖（a)所示，於半徑l4〇mm 的位置’以1 2 0度間隔在三處，於半徑1 2 〇 m m的位置， 以120度間隔在三處，並且於半徑6〇mm的位置，以120 度間隔在三處之合計九處’分別形成放射狀，在該九處全 部配置可動插銷。此時，插銷係使用直徑8mm、長度 1 0mm的圓柱狀材料，在其前端部形成直徑約6mm的球狀 接觸部’且基端部爲直徑約3mm。與插銷和晶圓的接觸 面積，合計九處均爲10mm2以下。 使用此種熱處理用晶圓支持具，施行直徑300mm、 結晶方位< 1 0 0 >、p型' 約1 0 Ω c m的C Z矽單結晶晶圓的 熱處理’調查與晶圓的接觸部的滑移之發生狀況。 熱處理條件係假設SIMOX晶圓製作用的高溫長時間 熱處理，氬和氧的混合氣體氣氛下、1350。(：、8小時、晶 圓的投入及取出溫度爲600°C。再者，SIMOX(Separation by Ion-implanted Oxygen)是屬於 s〇I(Silicon On Insulator 晶圓的作製方法之一’於矽單結晶晶圓中注入氧離子進行 熱處理’ $昔此在砂單結晶晶圓內部形成Si〇2層的方法。 •15- (13) (13)1327759 將熱處理後的晶圓’使用X射線形貌法所觀察的結果表 示在第14圖（b)。若根據第14圖（b)，儘管熱處理條件爲 1 3 5 0 °C、8小時間極嚴格’不過幾乎未看不見發生滑移。 再者’於第1 4圖（a)、（ b)中’ 6 0係表示晶圓之觸點位置 的箭頭。 (比較例1) 如第1 5圖（a)所示’使用習知晶圓夾具7 〇 (與晶圓的 接觸部爲環狀’接觸面積約爲25000mm2)，在利用與實施 例2相同形態之晶圓w的相同熱處理條件下，進行熱處 理，使用X射線形貌法來觀察滑移的結果表示在第15圖 (b) ° 由第1 5圖（b)即可明白，使用習知晶圓夾具的情況， 得知發生滑移的情形較多。此外，與第14圖（b)比較，其 差異很顯著，得知本發明的晶圓支持具之耐滑特性極高。 (實施例3) 爲了確認可動插銷的效果，於實施例2所使用的插銷 夾具32中’在半徑120mm的位置，另外製作僅以120度 間隔之三處的插銷’作爲固定插銷22 f(第1 6圖（a))，使 用這個’在與實施例2相同的條件下，進行熱處理後，使 用X射線形貌法來觀察滑移的結果表示在第16圖（b)。於 第16圖（a)、（b)中，60係表示晶圓之觸點位置的箭頭。 若根據第10圖（b)，與將九處全部作爲可動插銷的情 形的第14圖（b)相比，發現會稍微產生滑移，得知該滑移 -16- (14) (14)1327759 的發生位置大致上與固定插銷的位置一致》因而，確認與 晶圓支持具的晶圓的接觸部的可動性具有滑移抑制效果。 像這樣，與晶圓支持具的晶圓的接觸部形成可動性的 話，可得到滑移抑制效果，故如習知晶圓支持具，與接觸 部完全固定的情形相比時，如實施例3，至少接觸部的一 部分形成可動性的話，可得到所謂滑移減低的本發明效果 當然所有的接觸部形成可動性是最有效。 [產業上的可利用性] 如以上所述，使用本發明之熱處理用晶圓支持具進行 晶圓熱處理時，能有效抑制因高溫熱處理的碰觸或滑移， 且本發明之熱處理用晶圓支持具，其加工很容易，故能達 到減低製作成本的大幅效果。特別是本發明之熱處理用晶 圓支持具，如 SIMOX晶圓，對高溫長時間的熱處理而 言，有效性極高。 此外，若根據具備此種熱處理用晶圓支持具的本發明 之熱處理裝置，即可提供一種高溫熱處理後，碰觸或滑移 少的晶圓，故可提高使用該晶圓所製造的裝置品質或良率 【圖式簡單說明】 第1圖係表示本發明之熱處理用晶圓支持具的第一實 施形態的側面說明圖。 第2圖係表示從第1圖的構造取下上基座及上側的晶 圓狀態的上面說明圖。 -17- (15) (15)1327759 第3圖係表示插銷的製造形態的說明圖，分別表示（a) 爲圓柱狀的插銷素材’以及（b 1 )爲插銷的完成品之一例， 以及（b2)爲插銷的完成品之其它例。 第4圖係表示應用於本發明的熱處理用晶圓支持具的 插銷夾具之一的構造例的上面圖。 第5圖係第2圖的V— V線放大斷面圖。 第6圖係第2圖的V I— V I線放大斷面圖，分別表 示（a)係插銷爲直立狀態，（b)係插銷傾斜於外周方向的狀 態，（c)係插銷傾斜於中心方向的狀態，（d)係於插銷的下 端部形成圓角（R)的形狀。 第7圖係表示本發明之熱處理用晶圓支持具的第二實 施形態的側面說明圖。 第8圖係表示應用於本發明之熱處理用晶圓支持具的 插銷夾具的其它構造例的上面圖。 第9圖係表示本發明之熱處理用晶圓支持具的第三實 施形態主要部份的側面說明圖，分別表示（a)爲晶圓支持 狀態之一例’（b)係從（a)狀態，伸長晶圓並旋轉屬於晶圓 支持構件的旋轉體的狀態。 第10圖係屬妗晶圓支持構件的各種形狀的旋轉體的 上面圖，分別表示（a)爲球形’（b)爲橢圓球形，（c)爲圓柱 形或圓筒形。 第Π圖係表示本發明之熱處理用晶圓支持具的第四 實施形態主要部份的側面說明圖，分別表示（a)爲晶圓支 持狀態之一例’（b)係從（a)狀態，伸長晶圓並旋轉屬於晶 -18- (16) (16)1327759 圓支持構件的旋轉體的狀態。 第1 2圖係表示縱型熱處理爐之一例的槪略說明圖。 第1 3圖係表示RTP裝置之一例的槪略說明圖。 第14圖係實施例2的說明圖，（a)係所使用的熱處理 用晶圓支持具的上面圖，（b)係使用X射線形貌法（X.Ray Topography)來觀察熱處理後的晶圓之結果的照片。 第1 5圖係比較例1的說明圖，（a)係表示在所使用的 晶圓夾具載置晶圓狀態的斷面說明圖，（b)係表示使用X 射線形貌法來觀察熱處理後的晶圓之結果的照片。 第1 6圖係實施例3的說明圖，（a)係表示所使用的熱 處理用晶圓支持具的上面圖，（b)係表示使用X射線形貌 法來觀察熱處理後的晶圓之結果的照片》 [主要元件符號說明] 10 晶圓支持具 12 ' 14 基座 16 支柱 1 8、20 承孑L 22 插銷 22a 插銷素材 26 接觸部 28 嵌固部 W 晶圓 30 插入溝 -19- 1327759 (17) 32 插 銷 夾 具 3 3 開 □ 部 34a 凹 狀 嵌 固 孔 3 4b 縫 隙 狀 欺 固 孔 40 支 持 構 件 夾 具 42 晶 圓 支 持 構 件 44 梯 形 構 件 46 旋 轉 體 收 容 孔 48 旋 轉 體 50 ' 5 2 削 頭 110 熱 處 理 爐 112 加 熱 器 114 製 程 管 件 1 1 6 晶 舟 118 保 溫 筒 120 爐 □ 部 122 蓋 體 2 10 熱 處 理 裝 置 2 11 處 理 室 2 12 加 熱 燈 2 13 白 動 瞬 間 開 閉器 2 14 石 英 托 盤 2 15 二 點 支 持 部 2 16 緩 衝 器 -20- 1327759 (18) 2 17 高溫計 2 19 氣體導入口 220 氣體排氣口 -21 -

Claims (1)

1327759 ^月丨0丨:’·：丨 .... 1 知人」 拾、申請專利範圍 --1 第93 1 0 8 3 76號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國99年2月1〇日修正 1- —種熱處理用晶圓支持具，乃屬於至少具有：支 持熱處理的晶圓的複數晶圓支持構件、和保持該支持構件 的支持構件夾具的熱處理用晶圓支持具，其特徵爲： 前記複數晶圓支持構件中的至少一部分的支持構件係 與前記晶圓的接觸部，爲可相對於前記支持構件夾具而轉 動，而且前記晶圓支持構件是由插銷所構成，前記支持構 件夾具是由保持前記插銷的插銷夾具所構成，前記插銷是 嵌入於形成在該插銷夾具的插銷孔所配置，前記插銷孔爲 縫隙狀。 2- 如申請專利範圍第1項所記載的熱處理用晶圓支 持具，其中，前記接觸部的形狀，相對於前記熱處理的晶 圓，爲凸的曲面。 3 .如申請專利範圍第2項所記載的熱處理用晶圓支 持具，其中，前記接觸部的形狀爲球形或橢圓球形。 4. 如申請專利範圍第1項所記載的熱處理用晶圓支 持具，其中，前記插銷是構成可從前記插銷夾具取下。 5. 如申請專利範圍第1項所記載的熱處理用晶圓支 持具，其中，前記插銷是加工圓柱狀的素材。 6. 如申請專利範圍第1項所記載的熱處理用晶圓支 持具，其中，前記插銷及插銷夾具的素材爲SiC、砂或石 1327759
英。 7 ·如申請專利範圍第1項所記載的熱處理用 持具’其中，設複數個前記插銷孔。 8·如申請專利範圍第1項所記載的熱處理用 持具’其中，前記縫隙狀插銷孔是從前記插銷夾具 ‘配置成放射狀。 • 9.如申請專利範圍第1項所記載的熱處理用 Φ持具’其中，前記插銷夾具爲圓板狀或圓環狀。 10·如申請專利範圍第9項所記載的熱處理用 持具，其中，前記插銷夾具爲圓板狀，在其中心位 圓狀插銷孔。 1 1 .如申請專利範圍第1項至第1 0項的任一 載的熱處理用晶圓支持具，其中，更具有：保持複 支持構件夾具的支柱、和保持該支柱的基座。 1 2.如申請專利範圍第1 1項所記載的熱處理 Φ支持具，其中，前記支持構件夾具是構成可從前記 下。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項所記載的熱處理 支持具，其中，前記支柱及基座的素材爲SiC、 英。 14. —種熱處理裝置，其特徵爲： 具有申請專利範圍第1項至第10項的任一項 的熱處理用晶圓支持具。 15. —種熱處理裝置，其特徵爲： 晶圓支 晶圓支 的中心 晶圓支 晶圓支 置設有 項所記 數前記 用晶圓 支柱取 用晶圓 矽或石 所記載 -2- 1327759
具有申請專利範圍第11項所記載的熱處理用晶圓支 持具。
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