TWI303832B - Conductive composition and conductive cross-linked product, capacitor and production method thereof, and antistatic coating material, antistatic coating, antistatic film, optical filter, bnd optical information recording medium - Google Patents

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1303832 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於含有；Γ共軛系導電性高分子之導電性组 成物及導電性交聯體。又，本發明係關於鋁電解電容哭''、 组電解電容器、鈮電解電容器等電容器及其製造方二再 者’本發明亦關於用以對薄膜賦予抗靜電性之抗靜電塗 料、有抗靜電性之抗靜電m、於食品肖電子零件之包裝材 所使用之抗靜電片、於液晶顯示考盥 丁裔與電漿顯示器前面所使 用之遽光器、與CD、DVD等之光資訊記錄媒體。 本申請案依據2004年8月30 η技U 1 卞月30日提出申請之日本專利 申請案特願2004-249993號、2〇〇4车s Β 平8月3〇曰提出申請 之特願2004-249994號、2004牟q日” —牛9月24日提出申請之 願 2004-277168 號、2005 年 3 月 上 、 月28曰提出申請之特願 2005.90322 號、2005 年 3 月 28 η 担山士 90川千月28日提出巾請之特願2005- 90323唬、2005年3月30日提出申咬+ # σ. 捉出甲哨之特願2005-96599 5虎、2005年4月5曰提出申喑之胜 τ明之特願2005-108539辦主踩 優先權，援用其内容於本說明書中。 &張 【先前技術】 電性=子二主鏈含有’電子之共輛系構成的…“導 :…猎田電解聚合法及化學氧化聚合法合成。 、、眚於ά帝μ # 先$成的電極材料等支持體浸 /貝方、由电解貝（做為摻質 子之前驅單體所成的、:人:：成7Γ共輛系導電性高分 導電性高分子形成為支持體上使π共幸厄系 為賴（fllm)狀。因此，欲大量製造㈣ 5 ，1303832 難0 另方面’方；化學氧化聚合法，則無此限制，於π共 軛系導電性咼分子之前驅單體添加氧化劑及氧化聚合觸 媒，可於溶液中製造大量的Z共軛系導電性高分子。 然而，於化學氧化聚合法，由於冗共軛系導電性高分 子Ik著主鏈之共輛系的成長，對溶劑之溶解性會變差，故 侍到了不溶之固態粉體。用不溶性物欲於支持體表面上均 一地形成7Γ共軛系導電性高分子膜有其困難。 因此，將官能基導入7Γ共軛系導電性高分子使其增溶 性的方法、分散至結合劑樹脂中使其增溶性的方法、添加 含有陰離子基高分子酸使其增溶性的方法曾被嘗試。 為提高對水之分散性，例如，曾有下述之提議，其為： 在分子量為2000〜500000之範圍的含有陰離子基高分子酸 之聚苯乙烯磺酸存在下，用氧化劑，使3,4_二烷氧基嗟吩 進行化學氧化聚合以製造聚（3，4-二烷氧基噻吩）水溶液的方 法（參照專利文獻1);以及在聚丙烯酸存在下進行化學氧 化聚合以製造V共輛系導電性高分子膠體水溶液的方法（來 知專利文獻2)。 依據專利文獻1、2之記載，可容易地製造含有π共辆 系導電性高分子之水分散溶液。然而，於此等方法中，為 確保7Γ共軛系導電性高分子對水的分散性，須使其含有多 量的含陰離子基高分子酸。因而，於得到之導電性組成物 中，會含入多量對導電性無貢獻的化合物，致難以得到高 導電性，是問題所在。 6 • 1303832 又’於化學氧化聚合法中，由於化學氧化聚合時氧化 力高的氧化劑所致不希望出現的副反應發生機率高，故會 生成共軛性低的高分子構造，或生成的高分子會與氧化劑 再撞擊致過度氧化，而使得到之π共軛系導電性高分子之 導電性低。為解決此問題，曾被採用的方法有：用過渡金 屬離子做為觸媒的方法、於低溫長時間反應的方法等。然 而，用此等方法所生成之高分子，會受到反應性單體經脫 風所生成的質子撞擊而容易生成構造規則性低的冗共軛系 導電性鬲分子，致無法充分防止導電性降低。 •再者，於導電性組成物中含有結合劑樹脂的場合，以 化學乳化聚合法得到之冗共輛系導電性高分子對結合劑樹 脂的相溶性低。 又’使用7Γ共輛系導電性高分子的例子為電容器。 ^近來，Κ著電子器材之數位化，電子器材所用的電容 二員要求於回頻之阻抗降低。向來，&因應此要求係使用 著以銘、叙、銳箄之p月 閥用金屬（valve metal)的氧化膜做為 介電體在其表面飛占 4 A ， /成7Γ共輛糸導電性高分子做為陰極所成 電容器之構造，士n室i, 專利文獻3所示般，通常具有閥用 金屬夕孔質體構成的陽士 成*的切極、使陽極表面氧化形成的介電體 層、以及於介電艚屏μ 體s上積層固體電解質層、碳層、銀層所 成的陰極。電容器之囡 體電解質層，為由ϋ比略、嗟吩等之 高分子所構成的，，由於侵入至多孔質體 〃更大面積之介電體層接觸以產生高電容，並同 ，1303832 時修復介電體層之缺陷損部而發揮防止因洩漏電流所致之 漏電的效果。 7Γ共軛系導電性高分子之形成法，廣為周知者為電解 聚合法（參照專利文獻4)與化學氧化聚合法（參照專利文獻 5)。 …、 然而，於電解聚合法中，必須在閥用金屬多孔質體表 面預先形成由錳氧化物所構成的導電層，不但非常繁複， 且錳氧化物之導電性低，會稀釋使用高導電性的π共軛系 導電性高分子之效果，是問題所在。 又，於化學氧化聚合法中，不但聚合時間長，且 保厚度必須重複進行聚合，不但電容器生產效率低，而且 導電性亦低。 因此有不以電解聚合法或化學氧化聚合法在介電體層 上形成導電性高分子的方法被提出（參照專利文獻6)。於 專利文獻6中揭示出：在具有磺基、羧基等之高分子酸共 存之下使苯胺進行聚合，調製成水溶性的聚苯胺，以該聚 本胺水溶液塗佈於介電體層上並使其乾燥的方法。此製造 方法雖簡便，惟，聚苯胺溶液對多孔質體内部之浸透性差， 且灰兀共輛系導電性高分子以外亦含有高分子酸，故導電 性低，且由於高分子酸的影響，導電性亦有溫度依存性。 二、;、而於笔谷為’要求做為阻抗指標之等效串聯電阻 (ESR)必須要小，為使ESR較小，必須提高固體電解質層 的導電性。提高固體電解質層的導電性之方法，曾被提出 者有例如：嚴謹地控制化學氧化聚合的條件（參照專利文獻 •1303832 7)…、而方、，亥製造方法中，係使繁複的化學氧化聚合法 更複雜’而無法達成製程之簡潔化與低成本化。 乂電子傳導做為導電機構之有機材料之例有使用 7Γ共軛系導電性高分子者。 由於树月曰薄膜其本身為絕緣體，故易帶電，經由摩擦 而容易產生靜電。且兮轉 且4砰電難以逃逸到外部而會被累積， 致成為引起各種問題的原因。 尤/、於重視何生性之食品包裝材使用樹脂薄膜的場 ;陳列中“吸附塵埃，致顯著地損及外觀而降低商品 價值。又’於粉體的包裝使用樹脂薄臈的場合，於捆包時 或使用時會吸附或排斥帶電的粉體，故粉體之處理變得困 難又，於以樹脂薄膜包裝精密電子零件的場合，由於會 有因靜電*損壞精密電子零件之顧慮，故必須防止靜電之 又；慮光益與光資訊記錄媒體，除了表面須為高硬度、

高透明性之外，尚須防止因靜電導致塵埃的附著，故須要 求抗靜電性。尤其，抗靜電性猪 机節电貝要求表面電阻於1〇6〜10 10 Ω矛王度的區域為安定的雷卩且彳會γ介 〇女疋的電阻值（亦即，安定之抗靜電性）。 基於上述之情況，於濾光器與光 ^ u貝σ代记錄媒體表面設置具 抗靜電性且硬度高的抗靜電膜。 、馮武予抗靜電性，向來係採用下述方法，其為例如： 以树月曰；4膜或界面活性劑塗佈於矣 面的方法、於構成樹脂 溥肤或抗靜電膜的樹脂中混練入界 丨囬，舌性劑的方法（參照例 如’非專利文獻1)。 •1303832 然而，由於此藉由界面活性劑之抗靜電，其導電機構 為離子傳導之故’非常容易受到濕度的影冑，濕度愈高導 電性愈高，濕度低則導電性降低，是其缺點。因而，於濕 度低之特別容易產生靜電的環境下，抗靜電作用會降低， 導致在需要時無法發揮抗靜電的性能。 使用以電子傳導做為導電機構之金屬或碳，則無此溫 度依存性，惟，此等完全無透明性，而無法適用於須要求 透明性的用途。 又，ITCKIndiimi Tin Oxide :氧化銦錫）之類的金屬氧 化物，具有透明性、且以電子傳導做為導電機構，故於此 點而言為適用者，惟，其製膜須用濺鍍裝置等之製程，不 僅製程繁複且製造成本高…無機質之金屬氧化物塗膜 之可撓性低，於薄基材薄膜上製膜之場合，塗膜極易龜裂 $無法發揮導電性。此外，由於與有機質基材的密合性差， 谷易於其等之界面發生剝離，致透明性降低。 又’以電子傳導做為導電機構之有機材料，習知者為 :共軛系導電性高分子，惟，冗共輛系導電性高分子，通 常，為不溶解、不熔融的性質，於聚合後欲塗佈於基材薄 =上有困難。因此，有下述之嘗試，其為··於具有磺基之 同分子酸共存之下使苯胺進行聚合形成水溶性的聚笨胺而 侍到混合物，用該混合物塗佈於基材薄膜上並使其乾燥（參 照例如，專利文獻8)。 如專利文獻8中所記載的方法般，在基材上直接聚合 雖可形成抗靜電膜，惟，該場合下，抗靜電膜之導電性低， * 1303832 且由於是水溶性’故與樹脂製基材之密合性低，而且製程 亦繁複。 [專利文獻1]曰本專利特許第2636968號公報 [專利文獻2]日本專利特開平7_165892號公報 [專利文獻3]日本專利特開2〇〇3·37〇24號公報 [專利文獻4]日本專利特開昭63_158829號公報 [專利文獻5]日本專利特開昭63_1733 13號公報 [專利文獻6]曰本專利特開平7_1〇5718號公報 [專利文獻7]日本專利特開平u_74157號公報 [專利苯獻8]曰本專利特開平號公報 [非專利文獻1]CMC發行「精密化學品抗靜電劑最 近之市場動向（上）」，第16卷，第15號，1987年，第24-36 頁 【發明内容】 本發明為解決上述問題點，其課題為提供一種導電性 優異之導電性組成物及導電性交聯體。又，本發明之課題 為提供一種在陰極之固體電解質層的導電性優異、阻抗低 之電谷益’及提供一種簡便地製造該電容器的方法。再者， 本發明之課題在於提供一種可藉由塗佈以形成導電性、可 挽性、與基材密合性高的抗靜電膜之抗靜電塗料，及提供 一種導電性、可撓性、與基材密合性高，可藉由塗佈之簡 易的方法製造之抗靜電膜，及抗靜電性優異之抗靜電薄 膜、濾光器、光資訊記錄媒體。 本發明之導電性組成物含有7Γ共軛系導電性高分子、 1303832 '貝與合氮芳香族性環式化合物。 Ϊ發=導電性組成物中，摻質以有機磺酸為佳。 有機磺酸以含磺基增溶性 又，本發明之導電餘絲中，含 合物可為於3虱方香族性環式化 性環式化合物原子導入取代基形成陽離子之含敦芳香族 本發明之導電性組成物 «經取代或未經取代^㈣為佳3“香域環式化合物 為ί氮芳香族性環式化合物以經取代或未經取代之 本發明之電容霁，i女.日日m人 益具有.閥用金屬(valve metal)之多 孔貝體所構成的陽極、該 層…八 乳化形成之介電體 子之固P雷Μ:"電體層上之具備含冗共軛系導電性高分 -去 貝層的陰極；其特徵在於’具有含供電子性 =之供電子性化合物層，其配置於該介電體層與該陰極 I間0 於本發明之電容器中’供電子性化合物層之供電子性 -素以選自氮、氧、硫、鱗中之至少！種為佳。 又’供電子性化合物層之供電子性化合物以選自吡咯 類、噻吩類、呋喃類中之至少丨種為佳。 又’供電子性化合物層之供電子性化合物以胺類為佳。 本發明之電容器之製造方法，其特徵在於，具有下述 製程：使閥用金屬多孔質體所構成的陽極表面氧化以形成 介電體層；於該介電體層表面塗佈含有供電子性元素之供 12 1303832 電子陡化合物以形成供電子性化合物層；以及，於該供電 子险化°物層表面形成含有7Γ共軛系導電性高分子之固體 電解質層。 本發明之雷交盟、> & , 4 之製造方法中，該形成固體電解質層 之製程以包含下述製程為佳：在該供電子性化合物層表: 塗佈含有π共_導電性高分子之導電性高分子溶液。 本"發"明之^雷六口口 电今益，係具有：閥用金屬多孔質體所構 的陽極、該陽極表面經氧化形成之介電體層、與形成於兮 ::體二上之陰極者；其特徵在於，該陰極具備固體電： 貝曰、亥固體電解質層含有冗共軛系導電性高 與含氮芳香族性環式化合物。 Ί 佳。 之電办益中’該陰極以更進—步含有電解液為 又，本發明之電容器中，該摻質以 溶性高分子為佳。 '有㈣子基之增 物 本&明之電|$巾’該含氮芳香族性環式化合 未經取未經取代之“類、或經取代: 香族Γ生ΓΓ電容器中’陰極之固體電解質層中的含氣芳 、衣式化合物較佳者為交聯狀態者。 本如明之電容器之製造方法，其特徵在於，具 表面經氧;= 體所構成的陽極、與該陽極 面，塗：：1 層之電容器中間體之介電體層表 3有;Γ共輛糸導電性高分子、摻質、含氮芳香族 13 -1303832 (生％式化合物與溶劑之導古 電跬回7刀子溶液來形成塗膜。 本舍明之電容器之製造 中所合右夕入# # 方法中，該導電性高分子溶液 為佳。 、式化&物以具有交聯性官能基 該場合中，該導電性其八 化合物為佳。 浴液以進-步含有交聯性 場入於1 3 1^香減％式化合物具有交聯性官能基的 理二：Γ性高分子溶液形成之後以對該塗膜進行熱處 次I外線照射處理為佳。 本發明之抗靜電塗料，特料/认人士 性古八2 特徵在於，含有V共軛系導電 子二：、具有陰離子基及/或電子吸引性基之增溶性高分 、各虱芳香族性環式化合物與溶劑。 〜〇 π於、貝两住。 又’本發明之抗靜電塗料 ..^ 砰电土枓，以進一步含有結合劑樹脂 0 本發明之抗靜電塗料，以—步含有摻質為佳 為佳 於本發明之抗靜電塗料含有結合劑樹脂的場合，结合 劑樹脂之較佳者為選自由聚胺醋、聚醋、丙烯酸樹脂、聚 水life亞胺、壞氧樹脂、聚醯亞胺矽酮所構成的 之至少1種。 本發明之抗靜電膜，特徵在於··係塗佈上述抗靜電塗 料而形成者。 ▲本發明之抗靜電片，特徵在於：具有基材薄膜與形成 灸違基材薄膜之至少單面之上述抗靜電膜。 本發明之濾光器，特徵在於：具有上述抗靜電膜。 14 1303832 本么明之光資訊記錄 電膜。 篮特斂在於：具有上述抗靜 ϋϋ 本發明之導電性έ 熱性、耐濕性優異。、，且成物，其導電性（導電幻高，且耐 本發明中，松斯^ 分子），Μ酸U其是含料增溶性高 H结合劑樹脂之分散性及相溶性。 二而Π芳香族性環式化合物，若為將取代基導入1 亂原子而形成陽離子 ^ ^ 子，可Μ成為3氮方香族性環式化合物陽離 于了更谷易與摻質鍵結或配位。 再者’含氮芳香族 取代之' 物’若為經取代或未經 上類或經取代或未經取代之吡 的溶劑溶解性。 貝則有優異 又’本發明之導雷 化人物以w妹電迷、、且成物中，該含氮芳香族性環式 化口物以具有父聯性官能基為佳。 該場合，本發明之導電性組成物 性化合物為佳。 / 3有又耳外 本發明之導雷柯六描i i 又聯體，為對導電性組成物（所具有之 含氮方香族性環式化人舲 、 口物係具有父聯性官能基）施以加熱處 理及/或紫外線照射處理而形成者。 本發明之電客哭 + 电谷时，由於陰極之導電性高，等效串聯電 阻小。 本發明之電裳哭由 _ 卯中，/、要於陰極含有電解液，則靜電 電容之產生率可提高。 15 1303832 又，只要摻質為具有陰離子之增溶性高分子則可提高 死共輛系導電性高分子之溶劑溶解性。 再者，含氮芳香族性環式化合物，只要為經取代或未 經取代之㈣類、或經取代或未經取代之❸定類，則溶劑 溶解性優異。 依據本發明之電容器之製造方法，可簡便地製造陰極 之^ Μ*性南、等效串聯電阻小的電容琴。 本發明之抗靜電塗料，可藉由塗佈導電性、可撓性、 與基材密合性高的抗靜電膜而形成。又，此種抗靜電塗料， 由於少量使用即可充分地發揮抗靜電性，故可廉價地製造 h靜電膜。 本發明之抗靜電塗料若進一步含有摻質，可更加提高 抗靜電膜之導電性，亦可提高耐熱性。 又’若含有結合劑樹脂’可更加提高與基材之密合性。 尤其是結合劑樹脂為選自由聚胺酯、聚酯、丙烯酸樹 脂、聚醯胺、聚醯亞胺、環氧樹脂、聚醯亞胺矽酮所構成 的群中之至少1種的場合，可容易地混合入抗靜電塗料的 必要成分中。 本發明之抗靜電膜，其導電性、可撓性、與基材密合 性高，可用塗佈之簡易的製造方法來製造。 本發明之抗靜電膜、濾光器、光資訊記錄媒體為抗靜 電性優異者，故可防止靜電之發生。 【實施方式】 (7Γ共軛系導電性高分子） 1303832 本發明之7Γ共軛系導電性高分子，只要是主鍵以疋妓 輕系構成之有機高分子皆可。可舉出例如：聚吼ρ各類、^ 售吩類、聚炔類、聚伸苯（polyphenylene)類、聚伸笨伸乙 烯類、聚苯胺類、聚并苯（polyacene)類、聚噻吩伸乙歸類 •及此等之共聚物等。就於空氣中之安定性考量，以聚呢〇各 類、聚噻吩類及聚苯胺類為佳。 7Γ共軛系導電性高分子即使為未取代之狀態，亦可得 到充分的導電性、對結合劑樹脂類之相溶性，惟，為更提 _ 高導電性及相溶性，以導入烷基、羧基、磺基、燒氧基、 —基等之官能基到7Γ共輛系導電性高分子中為佳。 此等7Γ共軛系導電性高分子之具體例，可舉出：聚外匕 洛、聚（N-曱基吡咯）、聚（3-曱基吡咯）、聚（3-乙基吡洛）、 聚（3-正丙基吼咯）、聚（3-丁基吼咯）、聚（3-辛基π比咯）、聚（3_ 癸基吼咯）、聚（3-十二烷基吡咯）、聚（3,4-二甲基啦咯）、聚 (3,4-二丁基吡咯）、聚（3_羧基吡咯）、聚（3_曱基-4_羧基吡 咯）、聚（3-甲基_4_羧乙基吡咯）、聚（3-甲基-4-羧丁基吡咯）、 — 聚（3_羥基吡咯）、聚（3-曱氧基吡咯）、聚（3-乙氧基吼咯）、 聚（3-丁氧基吼略）、聚（3 -曱基-4-己氧基吼略）、聚嗟吩、聚 (3-甲基噻吩）、聚（3-乙基噻吩）、聚（3-丙基噻吩）、聚（3-丁 基噻吩）、聚（3-己基噻吩）、聚（3-庚基噻吩）、聚（3-辛基噻 吩）、聚（3-癸基噻吩）、聚（3-十二烷基噻吩）、聚（3-十八烷 基噻吩）、聚（3-溴噻吩）、聚（3-氯噻吩）、聚（3-碘噻吩）、聚 (3-氰基噻吩）、聚（3-苯基噻吩）、聚（3,4-二甲基噻吩）、聚（3,4-二丁基噻吩）、聚（3-羥基噻吩）、聚（3-甲氧基噻吩）、聚（3- 17 1303832 乙氧基噻吩）、聚（3-丁氧基噻吩）、聚（3-己氧基噻吩）、聚（3-庚氧基噻吩）、聚（3-辛氧基噻吩）、聚（3-癸氧基噻吩）、聚（3· 十二烷氧基噻吩）、聚（3-十八烷氧基噻吩）、聚（3_曱基-4-曱 氧基噻吩）、聚（3,4-乙烯二氧噻吩）、聚（3-甲基-4-乙氧基噻 吩）、聚（3-羧基噻吩）、聚（3_曱基_4_羧基噻吩）、聚（3-甲基_ 4-緩乙基噻吩）、聚（3-甲基_4_羧丁基噻吩）、聚苯胺、聚（2· 甲基苯胺）、聚（3-異丁基苯胺）、聚（2-苯胺磺酸）、聚（3_苯 胺績酸）等。

此等之中，就電阻值考量，較佳之適用者為：選自聚 吡咯、聚噻吩、聚（N-甲基吡咯）、聚（3-甲基噻吩）、聚（3_ 甲氧基噻吩）、聚（3,‘乙烯二氧噻吩）中之！種或至少2種 所構成的（共）聚合物。就更加提高導電性與提高耐熱性之 考量，以聚吡咯、聚（3,4-乙烯二氧噻吩）為更佳。 又，基於不須使用後述之含有陰離子 ==劑溶解性之考量，以具有碳數6以上 取代基者又更佳。X，於分子内有取代基之陰離子基的τ =輛系導電性高分子，由於其本身可溶解於水中，故為較 導電性高分子’可藉由在溶劑 =導電性南分子的前驅單體在氧化劑 ：： 存在下進行化學氧化聚合而容易地得到。 觸媒之 此時，π共軛系導電性高分子的 類及其衍生物、噻吩類及其衍生物、笨胺-可使用咣洛 氧化劑，只要是可使前驅單體 得^衍生物等。 侍到7Γ共軛系導 18 1303832 電性高分子者皆可，可舉出例如：過氧二硫酸錄、過氧二 硫酸納、過氧二硫酸鉀等之過氧二硫酸鹽；氯化亞鐵、硫 酸亞鐵1酸亞鐵、氯化亞銅等之過渡金屬化合物；三氣 化石朋、氯化紹等之金屬齒化物；氧化銀、氧化石西等之金屬 ^化物；過氧化氫、臭氧等之過氧化物；過氧化苯醯等之 有機過氧化物；氧等。 於進行化學氧化聚合時所使用之溶劑並無特別_， ”要是可將刖述前驅單體溶解或分散之溶劑，可維持氧化 劑及氧化觸媒的氧化力者皆可。可舉出例如：水、美 2-…酮、N，N_二甲基甲醯胺、邮_二甲基乙醯胺、 甲亞礙、六甲#磷三醯胺、乙腈、苯腈等極 笨紛、二甲齡等之苯齡類；甲醇 ^甲紛 ^ 醉丙醇、丁醇箄之 子::：丙，：甲乙_等之_類；己烧、苯、甲苯等之烴類； η::酸等之羧酸；乙烯碳酸酯、丙烯碳酸酯等之碳酸 曰&物，-減、二㈢等之㈣合物；乙二醇二烧喊、 :二醇二烧鍵、聚乙二醇二㈣、聚丙二醇二 之 狀喊類；3-甲基-2令坐仙等之雜環化合物；乙产鏈 ::甲氧基乙腈、丙腈、苯腈等之腈化合物等。此二容劑τ T早獨使用’亦可使用至少2種之混合物，亦可使用μ 他有機溶劑之混合物。 /…、 (摻質） 摻質’只要是於對万共軛系導電性高分子、 摻雜中可使π共輛系導電性高分子中 ^人脫 原電位改變皆可，可為供體子之氣化還 J J马文體性質者。 19 •1303832 [供體性質之摻質] 鈣 敍 供體性質之接f，可舉出例如：納、卸等之驗； 鎮專之驗jt /v ' 類金屬；四甲銨、四乙銨、四丙銨、四丁 甲基^三Zj ~ 1、二甲基二乙銨等之4級胺化合物等。 [受體性質之摻質] 酸 所 貝之摻質，可使用例如：鹵素化合物、路易士 貝子馱有機氰化合物、有機金屬化合物等。再者， 鹵勿可舉出例如··氯（C12)、漠（Br2)、埃（12)、氯化蛾（IC1)、 漠化蛾⑽）、氟化蛾（IF)等。 ） 路易士齩，可舉出例如·· PF5、A 、sb 晰5、S〇3 等。 5 5 有機氰化合物，可使用含有在共辆鍵上有二個以上氛 :::合物：例如’四氰基乙烯、四氰基乙烯氧化物、四 笑二本、一氣二氰苯醒（DDQ)、四氰酿二甲烧、四氰氮雜 示 〇 質子酸可舉出無機酸、有機酸。又，無機酸，可舉出 ^鹽酸、硫酸、石肖酸、碟酸、删氧氣酸、說氯酸、過 二專。又，有機酸，可舉 · 磺酸等。 _ .有機羧酸、苯酚類、有機 含有有機叛酸，可使用於脂肪族、芳香族、環狀脂肪族等 ，基-或二個以上叛基者。可舉出例如：甲酸、醋酸、 -、苯甲酸、苯二甲酸、順式丁烯二酸'反式丁烯二酸、 ::、酒石酸、棒檬酸、乳酸、琥轴酸、單氯醋酸、二 曰酸、三氣醋酸、三《酸、硝基醋酸、三苯基醋酸等。 20 -1303832 有機石黃酸，可使用於脂肪族、芳香族、環狀脂肪族等 含有石黃基-或二個以上者。可舉出例如：甲燒續酸、乙烧 磺酸、1·丙烷磺酸、1-丁烷磺酸、丨_己烷磺酸、丨_庚烷磺酸、 • 1-辛烷磺酸、1-壬烷磺酸、丨-癸烷磺酸、十二烷磺酸、卜 . 十四烷磺酸、1-十五烷磺酸、2_溴乙烷磺酸、3_氣_2_羥基 丙烷磺酸、三氟甲烷磺酸、粘菌素甲烷磺酸、2_丙烯醯胺^ 2-甲基丙烷磺酸、胺基甲烷磺酸、胺基_2_萘酚_4_磺酸、 2-胺基-5-萘酚-7-磺酸、3-胺基丙烷磺酸、N_環己基胺 • 基丙烷磺酸、苯磺酸、對甲苯磺酸、二甲苯續酸、乙基苯 磺酸、丙基苯磺酸、丁基苯磺酸、苄基苯磺酸、己基苯石备 酸、庚基苯磺釀、辛基苯磺酸、壬基苯磺酸、癸基苯續酸、 十一烧基苯績酸、十二烷基苯磺酸、十五烷基苯磺酸、十 六烷基苯石黃酸、2,4-二曱基苯績酸、二丙基苯續酸、丁基 苯磺酸、4-胺基苯磺酸、鄰胺基苯磺酸、間胺基苯績酸、4_ 胺基-2 -氣曱苯-5-績酸、4-胺基-3-甲基苯-1 _續酸、4-胺基-5-曱氧基-2-甲基苯磺酸、2-胺基-5-甲基苯磺酸、扣胺基 • -2-曱基苯-1-磺酸、5-胺基-2-甲基苯-1-磺酸、‘胺基曱 基苯-1-績酸、4-乙醯胺-3-氯苯磺酸、4-氣-3-硝基苯績酸、 對氯苯磺酸、萘續酸、曱基萘磺酸、丙基萘石黃酸、丁基萘 磺酸、戊基萘磺酸、二曱基萘磺酸、4-胺基-1 -萘績酸、8-氣萘-1 -磺酸、备石黃酸曱酸聚縮物、三聚氰胺石黃酸曱酸聚縮 物等之含有磺基之磺酸化合物等。 含有至少二個磺基者，可舉出例如：乙烷二磺酸、丁 烧二確酸、戊烧一〜酸、癸烧二績酸、間苯二績酸、鄰苯 21 •1303832 二磺酸、對苯二磺酸、曱苯二磺酸、二甲苯二磺酸、氯苯 一磺酸、氟苯二磺酸、苯胺-2,4-二磺酸、苯胺_2,5_二磺酸、 二甲基苯二磺酸、二乙基苯二磺酸、二丁基苯二磺酸、萘 一石頁酸、甲基奈二磺酸、乙基萘二磺酸、十二烷基萘二磺 酸、十五烷基萘二磺酸、丁基萘二磺酸、2_胺基苯二 磺酸、1-胺基-3,8-萘二磺酸、3_胺基_丨，5_萘二磺酸、8_胺 基-1-萘酚-3,6-二磺酸、4-胺基-5-萘酚_2,7_二磺酸、蒽二磺 酸、丁基蒽二磺酸、4-乙醯胺-4，-異硫氰酸根合芪-2,2，_二 石戸、馱、4-乙醯胺-4’-馬來醯亞胺根合贫_2,2，_二績酸、丨_乙 ㈣基嵌二萘_3,6,8_三《、7_胺基]，3,6_萘三績酸、8_胺 基萘-1，3,6-三磺酸、3-胺基-萘三磺酸等。 又，有機酸之中，以具有陰離子基之增溶性高分子（以 下，稱為含有陰離子基增溶性高分子）為佳。含有陰離子基 增溶ί高分子不僅可發揮做為摻質之作用，亦有使7Γ共軛 系導電性高分子可良好地溶化到溶劑中之作用，可達成塗 料化之目的，故為較佳之可使用者。 取* S有陰離子基增溶性高分子為例如：取代或未取代之 广烯尨、、取代或未取代之聚鏈烯、取代或未取代之聚醯亞 ^取代或未取代之聚醯胺、取代或未取代之聚酯；可舉 出·只由具有陰離子基的構成單位構成之聚合物、由具有 ^子基的構成單位與沒有陰離子基的構成單位所構成之 +合物。 忒烯烴為主鏈為亞甲基重複所構成之聚合物。 聚鏈稀可舉出由主鏈上含有】個乙烯基的構成單位所 22 1303832 構成之聚合物，其中尤以取代或未取代之亞丁烯（butenyiene) 為佳，理由在於其具有不飽和鍵與冗共輛系導電性高分子 間之相互作用，且可以取代或未取代之丁二烯做為起始原 '料容易合成之故。 -聚醯亞胺可例示如：由均苯四甲酸二酐、聯苯四羧酸 二酐、二苯甲酮四羧酸二酐、2,2,3,3_四羧基二笨基醚二酐、 2,2-[4,4’-二（二羧基苯氧基）苯基]丙二酐與氧二苯胺、對苯 二胺、間苯二胺、二苯甲酮二胺等二胺所構成之聚醯亞胺。 •聚醯胺可例示如：聚醯胺6、聚醯胺6,6、聚醯胺6 ι〇 等。 ’ 聚酯可例示如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二 丁二酯等。 夂 於上述聚合物有取代基的場合，其取代基可舉出例如： 烷基、羥基、羧基、氰基、苯基、苯酚基、酯基、烷氧基、 羰基等。 ^ 烷基可提高對極性溶劑或非極性溶劑之溶解性與分散 性、及提高對樹脂之相溶性及分散性等；羥基容易與其他 氫原子等形成氫鍵，而可提高對有機溶劑之溶解性、對樹 脂之相溶性、分散性、接合性。又，氰基及羥苯基可提高 對極性樹脂之相溶性、溶解性，且可提高耐熱性。上述$ 代基中以烷基、羥基、酯基、氰基為佳。 烷基可舉出例如：曱基、乙基、丙基、丁基'異丁基、 第三丁基、戊基、己基、辛基、癸基、十二烷基等之烷2、 與環丙基'環戊基及環己基等之環院基。就對有機溶劑之 23 1303832 溶解性、對樹脂之分散性、立體阻礙等考量，以碳數卜12 的燒基為更佳。 經基可舉出例如：於含有陰離子基增溶性高分子的主 鍵直接鍵結之經基、於含有陰離子基增溶性高分子的主鍵 鍵結（鍵結在碳數2〜7的鏈稀基末端）之經基等。此等之中， 就對Μ月曰之相溶性及對有機溶劑之溶解性考量，以鍵結於 主鏈（鍵結在碳數1〜6的烷基末端）之羥基為佳。 醋基可舉出：於含有陰離子基增溶性高分子的主鏈直 接鍵結之烧基系醋基、芳香族系酯基、中介著其他官能基 之貌基系酯基或芳香族系酯基。 氰基可舉出：於含有陰離子基增溶性高分子的主鏈直 接鍵結之氰基、於含有陰離子基增溶性高分子的主鏈上鍵 結(鍵結在魏1〜7的燒基末端)之氣基、於含有陰離子基 增二性，分子的主鏈上鍵結（鍵結在碳數^的鏈㈣末端） 之氣基等。 含有陰離子基增溶性高分子，只要是對7共輕系導電 性馬分子可發生化學氧化摻雜之官能基皆可，其中，就製 造容易性及安定性的觀點考量，以單取代硫酸醋基、單取 代磷酸醋基、叛基、續基等為佳。再者、就官能基 共輛系導電性高分子之摻雜效果的觀點考量，以為 佳。亦即，於含有陰離子基增溶性高分子中尤以含有培^ 增溶性高分子為更佳。 〃土 含有績基增溶性高分子為在高分子的側鍵導入 者。增溶性高分子的側鍵’可舉出例如：由亞甲基重二； 24 1303832 成之聚稀烴、由主鏈上含 肀鉍嬌算。〆其夕道 乙稀基的構成單位所成之 眾鏈焯4。砀基之導入可舉出 缺儿戌缺儿士、* J戈·用發煙硫酸之直接石黃 &化文化方法、用磺化劑之碏 、 之石黃酸化方法、使含有續基聚入^化方法、藉由石黃基轉移 只丞永合性單體聚合之方法算。 於含有磺基聚合性單體之聚人 ^ 聚合性單體、與需要時添加之未：❹，係使含有磺基 在氧化劑及/或氧化聚合觸媒：；二：其他聚合性單體 進行聚合。 料在下心化學氧化聚合法 此時’含有續基聚合性單體，只要是於可 之適當部位以磺基取代者皆 早體 未取代之乙稀續酸化合物、取代或未 戍 合物、取代之雜料酸化合物、㈣， 烯W駄化 物、取代或未取代之^膝^ 職月女ΘΙΜ匕合 取代之¥伸乙稀磺酸化合物、取代或未 丁 -烯㈣化合物、乙烯芳香族磺酸化合物。 X取代或未取代之乙稀績酸化合物之具體例，可舉 、烯J夂乙烯碩酸鹽、烯丙基磺酸、烯丙基碏酸越 代稀丙基續酸、甲代烯丙基賴鹽、丙稀酸續乙^甲美 丙料績乙酿鹽、甲基丙稀酸心續丁醋、甲基丙稀心 烯丙氧基苯磺酸、甲代烯丙氧基苯磺酸鹽:、 布丙虱基本嶒酸、烯丙氧基苯磺酸鹽等。 #取=或未取代之苯乙烯確酸化合物之具體例可舉出. 本★乙稀〜k、苯乙稀續酸鹽、α •甲基苯乙烯續酸 基笨乙烯磺酸鹽等。 、 ·甲 取代之丙烯醯胺磺酸化合物之具體例可舉 职·内稀酿 25 •1303832 胺一第三丁基磺酸、丙烯醯胺—第三丁基磺酸鹽、2_丙烯 醯胺一2-甲基丙烷磺酸、2-丙烯醯胺一 2_曱基丙烷磺酸鹽 等。 取代或未取代之環伸乙烯磺酸化合物之具體例可舉 出：環丁烯-3-磺酸、環丁烯磺酸鹽等。 取代或未取代之丁二烯磺酸化合物之具體例可舉出： 異戊二烯磺酸、異戊二烯磺酸鹽、丨，3-丁二烯磺酸、丨 丁二烯-1-磺酸鹽、1-曱基_1，3_ 丁二烯·2_磺酸、i•甲基βΐ，3_ • 丁二烯-3_磺酸鹽、^曱基-1,3-丁二烯-4-磺酸、丨_甲基·〗3_ 丁二烯-4-磺酸鹽等。 此等之中，較佳者為··乙烯磺酸鹽、甲基丙烯酸磺乙 酯、甲基丙烯酸磺乙酯鹽、甲基丙烯酸4_磺丁醋、曱基丙 烯酸4-磺丁酯鹽、苯乙烯磺酸、苯乙烯磺酸鹽、異戊二烯 磺酸、異戊二烯磺酸鹽。 未含磺基之其他聚合性單體，可舉出：取代或未取代 之乙烯化合物、取代之丙烯酸化合物、取代或未取代之笨 鲁乙烯、取代或未取代之乙烯胺、含有不飽和基之雜環化合 物、取代或未取代之丙浠醢胺化合物、取代或未取代之環 伸乙烯化合物、取代或未取代之丁二烯化合物、取代或未 取代之乙浠芳香族化合物、取代或未取代之二乙浠苯化合 物、取代之乙烯酚化合物、任意之取代曱矽烷基苯乙烯， 任意之取代苯酚化合物等。 具體而言’可舉出：乙稀、丙稀、1· 丁烯、2_ 丁烯、ι_ 戊烯、2-戊烯、1-己烯、2-己烯、苯乙烯、對甲基苯乙烯、 26 1303832 對乙基苯乙烯、對丁基苯乙烯、2,4,6_三甲基苯乙烯、對曱 氧基苯乙烯、2-乙烯萘、6·曱基_2-乙烯萘、丨-乙烯咪唑、 乙烯吡啶、醋酸乙烯酯、丙烯醛、丙烯腈、n_乙烯比咯 •烷酮、丙烯醯胺、N，N-二甲基丙烯醯胺、丙烯酸甲酯、丙 ，烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、丙 烯I異辛酯、丙烯酸酯壬丁酯、丙稀酸烯丙酯、甲基丙烯 酸乙酯、丙烯酸羥乙酯、丙烯酸甲氧基乙酯、丙烯酸甲氧 基丁酯、丙烯酸硬脂酸酯、丙烯酸酯、丙烯醯基嗎啉、乙 _ 烯胺、N，N-二曱基乙烯胺、N，N-二乙基乙烯胺、N，N_二丁 基乙烯胺、N，N-二第三丁基乙烯胺、N，N•二苯基乙歸胺、 N-乙烯咔唾、乙烯醇、氯乙稀、氟乙烯、乙烯醚、環丙烯、 環丁烯、環戊烯、環己烯、環庚烯、環辛烯、2_曱基環己 烯、乙烯酚、1，3-丁二烯、；μ甲基-l，3-丁二烯、2_甲基^，弘 丁二稀、1，4-二甲基-i，3_ 丁二烯、ι，2-二曱基-i，3-丁二烯、 1，3-二甲基-1，3-丁二烯、1_辛基-1，3-丁二烯、2-辛基_1，3_ 丁二烯、1-苯基-1，3-丁二烯、2-苯基-1,3-丁二烯、ι_羥基_ 籲 1，3-丁 一烯、2-經基-i，3-丁二烯、丙烯酸浠丙酯、丙烯醯 胺烯丙酯、二乙烯醚、鄰二乙烯苯、間二乙烯苯、對二乙 烯苯等。此等之中較佳者可例示出：1- 丁烯、乙烯酚、丙 烯酸丁酯、N-乙烯-2—吡π各烷酮、1，3-丁二烯。 於含有陰離子基聚合性單體聚合時所使用之氧化劑及 氧化觸媒、溶劑，與使得形成江共軛系導電性高分子之前 驅單體聚合時所使用者相同。 含有陰離子基增溶性高分子之具體例，可舉出：聚乙 27 1303832 稀石頁酸、聚本乙稀碍酸、取 、 I烯丙基磺酸、聚丙烯乙基磺酸、 聚丙稀丁基石黃酸、聚丙烯立 歸、酸、聚甲基丙烯磺酸、聚-2丙 稀酉迪胺-2 -曱基丙烧確酸、平 欠I異戍二烯磺酸、聚苯乙烯羧酸、 聚-2-丙烯醯胺-2—曱其w仏 土丙燒羧酸、聚異戊二烯羧酸、聚丙 烯酸等。可為此等之均平私 _ 9 1物’亦可為至少2種之共聚物。 導電性組成物中之择暂 ^貝的含有量，以對7Γ共輛系導電 性高分子1莫耳為〇1 、 10莫耳為佳，以0.5〜7莫耳的範圍 為更佳。摻質的含有晋甚丨、 ^ 3有里右少於〇.1莫耳％，則對7Γ共軛系 導電性咼分子之摻雜效果古 释欢果有較弱之傾向，致導電性不足。 又，摻質的含有量若客认^ 夕於10莫耳，則導電性組成物中 冗共幸厄系導電性高分子的人女旦 的3有ΐ減少，亦難以得到充分的 導電性。 」 又’抗靜電塗料中之辦、玄松古 θ /今丨生同刀子，為分子内有陰離 子基及/或電子吸引性基之古 丞之回分子，為使7Γ共輛系導電性古 分子可溶於溶劑中者。又 W ^ 9〉谷性咼分子亦可發揮做為摻 質之作用。 ~心 分子内#陰離子基之增溶性高分子為如上述者。 分子内有電子吸引性基之增溶性高分子（以下 ^電子吸引性基之增溶性高分子），可舉出：以具有選t :硝基、甲醯基、幾基中之至少、i種的化合物 位之聚合物。 乂早 m含有電子吸引性基之增溶性高分子的具體例，可舉出： 以稀腈、聚甲基丙烯腈、丙烯腈_苯乙烯樹脂、 丁-稀樹脂、丙稀腈·丁二烯·苯乙烯樹脂、或使得含有^ 28 1303832 基或胺基之樹脂產生氰乙基化之樹脂（例如，氰乙基纖維 素）、聚乙烯吡咯烷酮、烷基化聚乙烯吡咯烷酮、硝基纖維 素等。 " 其中，較佳者為，以具有氰基之化合物為構成單位之 丙稀腈、甲基丙稀腈。氰基，由於極性高，故可更加提高 與結合劑樹脂成分之相溶性、分散性。 增溶性高分子可為共聚物，例如，含有上述含有陰離 子基增溶性高分子與含有電子吸引性基之增溶性高分子至 少2種之共聚物、或是含有具不同種類陰離子基之單位的 共聚物、或含有具不同種類的電子吸引性基之單位的共聚 物0 再者，於增溶性高分子中，亦可有其他乙烯化合物共 聚。其他乙烯化合物可舉出：豳化乙烯化合物、芳香族乙 烯及/或其衍生物、雜環乙烯化合物及/或其衍生物、脂肪 族乙烯化合物及/或其衍生物、丙烯酸化合物、二烯化合物、 順丁稀二醯亞胺化合物。

:苯乙烯、丁二烯、 經基甲基丙烯酸、丙 其他乙烯化合物之具體例可舉出 丙烯酸、曱基丙烯酸、羥基丙烯酸、 烯酸醋、甲基丙烯酸醋、對乙烯甲苯等之聚合性乙烯化入 物。藉由使得此等之其他乙稀化合物共聚可控制溶劑溶： 性與對結合劑樹脂之相溶性。 又’增溶性高分子，亦可会右田 刀J 3有用以改良耐衝極性之合 成橡膠成分、用以提高耐環境特性之> 兄行[夂抗老化劑、抗氧化劑、 紫外線吸收劑。惟，胺化合物系之浐 于炙抗乳化劑，由於會妨礙 29 *1303832 上迷導電性高分子聚合時所料氧 的對策為使用苯酚争之浐負“ 故須採取 等。 糸之抗氧化劑、或於聚合後進行混合 (含氮芳香族性環式化合物） 含氮芳香族性環式化合物為具有含 的若巷竑掙 ^ ^ 1侧之氮原子 方香知缞，方香族環中之氮原子 子具有共輛關係。為達到w 衣中之其他原 、 達到共軛關係，須使氮原子與且他肩 子形成不飽和鍵。或，即令氮 …、’、 不飽和鍵，亦可盥开彡成 M 與其他原子形成 J 开7成不飽和鐽之其他屌 在於，存在於氮原子上之非共用電子對=:。理： 成之不飽和鍵構成類似共軛關係之故。 ’、子間Φ 於含氮芳香族性環式化合物中，較佳者為，同時呈有 =他原子有❹關係之氛原子、和與形成不飽和敎其 他原子鄰接之氮原子。 、 此等含氮芳香族性環式化合物，較佳者為例如：含有 一個虱原子之吡啶類及其衍生物、 類及其衍生物、心類及1行生物個氮原子之咪哇 定類及其何生物、°比嗪類及其衍生物、 &有一個氮原子之二嗪類及其衍 觀點考量，以^定類及盆行生物tr劑溶解性等 誠其何生物、㈣類及其衍生物、嘧 啶類及其衍生物為佳。 又’含氮芳香族性環式化合物，可為在環中導、 =去氛基、苯基、苯紛基1基、貌氧基”炭基 寻之取代基者，或未導入者亦可。又，環為多環亦可。 取代基中，燒基可舉出：甲基、乙基、丙基、丁基、 1303832 …丁土 弟一丁基、戊基、己基、辛基、癸基、十二燒基 等之烧基；1丙基、環戊基、環己基等之環烧基。其中， 就對有機溶劑之溶解性、對樹脂之分散性、立體阻礙等考 量’以碳數1〜12之烷基為佳。 羥基可舉出：羥基、曱撐羥基、乙撐羥基、三曱撐羥 基、四曱撐羥基、五曱撐羥基、六曱撐羥基、七曱撐羥基、 丙撐艘基、丁撐羥基、乙基甲撐羥基等之烷撐羥基；丙烯 撐經基、丁烯撐羥基、戊烯撐羥基等之鏈烯撐羥基。 叛基可舉出例如：羧基、甲撐羧基、乙撐羧基、三曱 撐羧基、丙撐羧基、四甲撐羧基、五甲撐羧基、六曱撐羧 基、七曱撐羧基、乙基甲撐羧基、苯基乙撐羧基等之烷撐 魏基’異戊二烯撐羧基、丙烯撐羧基、丁烯撐羧基、戊烯 撐鲮基等之鏈烯撐羧基。 氰基可舉出：氰基、曱撐氰基、乙撐氰基、三甲撐氰 基、四曱撐氰基、五曱撐氰基、六曱撐氰基、七甲撐氰基、 丙撐氰基、丁撐氰基、乙基甲撐氰基等之烷撐氰基；丙烯 才牙氰基、丁烯撐氰基、戊烯撐氰基等之鏈烯撐氰基。 苯齡基可舉出：苯酚、曱基苯酚、乙基苯酚、丁基苯 酉分等之烷基苯酚基；甲撐苯酚、乙撐苯酚、三曱撐苯酚、 四甲擇苯酚、五曱撐苯酚、六甲撐苯酚等之烷撐苯酚基等。 苯基可舉出：苯基、曱基苯基、丁基苯基、辛基苯基、 二甲基'苯基等之烷基苯基；甲撐苯基、乙撐苯基、三甲撐 笨基、四甲撐苯基、五甲撐苯基、六曱撐苯基、七甲撐苯 基等之烷撐苯基；丙烯撐苯基、丁烯撐苯基、戊烯撐笨基 31 1303832 等之鏈烯撐笨基等。 =氧基可舉出：曱氧基、乙氧基、丁氧基、苯氧基等。 ^ 疋類及其衍生物之具體例可舉出：η比咬、2-曱基吼 甲基吡啶、4_甲基吡啶、4_乙基吡啶、2,4•二甲基吡 口定、2,4 6-:田甘 — ’—甲基°比17定、3-氣基-5-甲基吼ϋ定、2_吼咬緩酸、 6甲基-2-吡啶羧酸、2,6_吡啶二羧酸、仁吡啶羧醛、‘胺 基口比口定、2 1 一 ^ ，-二胺基吡啶、2,6-二胺基咄啶、2,6-二胺基-4- 曱基°比。定、4 ^ 、 a ,

-羥基吡啶、2,6-二羥基吡啶、6_羥基菸鹼酸曱 酉旨、2 -^ 二土 --吡啶甲醇、6-羥基菸驗酸乙酯、4_吡啶甲醇、 4嶋口比口宏 7 35含 2 "*本基11比σ定、3 -曱基啥琳、3 -乙基嗤琳、嗤淋 ^ ’曩戊烯°比π定、2,3-環己酮υ比咬、ι，2-二（4-吼咬）乙 院 χ 1 2- - μ ’ _一（4^比啶）丙烷、2-吡啶羧醛、2_吡啶羧酸、2_吡 疋猜H11比啶二羧酸、2,4-。比啶二叛酸、2,5〆比17定二羧酸、 2’6-吡啶二鲮酸、弘吡啶績酸等。 "米"坐類及其衍生物之具體例可舉出：咪唑、2-曱基咪 口坐 烷基咪唑、2-苯基咪唑、N-甲基 2*·丙基π米π坐、2_十 2_乙基-4-甲基口米^坐、1，2-二甲 、1-苄基-2-苯基唓唑、1-氰乙 味嗤、1-(2-羥基乙基）哺唑、 基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑 甲基米。坐、1_氰乙基_2_乙基甲基U米u坐、2 -苯基-4,5_ "甲基米嗤、1 _乙醯基味哇、4，$ _ p米嗤二羧酸、4，5 _味π坐 魏欠一甲酿、苯并咪σ坐、2-胺基苯并u米峻、2-胺基笨并 口米。坐-2-續酸、2_胺基q-甲基苯并咪唑、2_羥基苯并咪唑、 2-(2-吼啶基）笨并咪唑等。 % °疋類及其衍生物之具體例可舉出·· 2-胺基-4-氯-6-甲 32 1303832 基哺啶、2-胺基-6-氣-4-甲氧基嘧啶、2_胺基-4,6-二氯。密D定、 2-胺基_4,6-二羥基嘧啶、2-胺基-4,6-二甲基嘧啶、2_胺基、 4,6·二曱氧基嘧啶、2-胺基嘧啶、2-胺基-4-甲基嘧咬、4,6_ 一私基唯ϋ定、2，4 -二經基17密σ定-5 -叛酸、2，4，6 -三胺基喊^定、 2,4·二甲氧基，π定、2,4,5-三經基响咬、2,4-η密咬二醇等。 吼嗪及其衍生物之具體例可舉出：吡嗪、2-曱基吡嘻、 2,5_二甲基ϋ比嗓、吼σ秦魏酸、2,3-。比嗓二叛酸、5-甲基吨嘻 竣酸、吨嗪醯胺、5_甲基吡嗪醯胺、孓氰基吡嗪、胺基叹 嗪、3-胺基吡嗪_2-羧酸、2-乙基-3-甲基吡嗪、2-乙基_3_曱 基°比嗪、2,3-二甲基吡嗪、2,3-二乙基吡嗪等。 二嗪、2,4,6-三一 2-吡啶 _ι，3,5-三嗪、3-(2-吡啶）_5,6_雙（4· 笨基磺酸）-1，2,4-三嗪鈉、3_(2·吡啶）_5,6-二苯基三 嗓^…比朴以-二苯^心三^心广二石黃酸二納、 2·羥基-4,6-二氯_l，3,5-三嗪等。 由於含氮芳香族性環式化合物中之氮原子存在有非共 三嗪類及其衍生物之具體例可舉出：H5·三嗪、2_胺 基_丨，3,5-三嗪、3_胺基-1，2，‘三嗪、2,4-二胺基-6-苯基- ΐ，3 5一 一嗪、2,4,6-三胺基_ι，3,5-三嗪、2,4,6-三（三氟甲基）4,3,5- 用電子對， 故谷易於氮原子上與取代基或質子配 配位或鍵

安定的形態存在。 33 13〇3832 基於上述情形’含氮芳香族性環式化合物可在氮原子 者取代基而形成含氮芳香族性環式化合物陽離子再 ，亦可為該陽離子與陰離子組合而形成鹽。即使是鹽， 果可發揮與非陽離子之含氮料族性環式化合物同樣的效 η方、3氮芳香族性環式化合物的氮原子所導人之取代基 可舉出：A、烷基、羥基、縣、氰基、苯基、苯酚基： 酉旨基、烷氧基、羰基等。 —烷基可舉出：甲基、乙基、丙基、丁基、異丁基、第 :丁基、戊基、己基、辛基 '癸基、十二烷基等之烷基； 衣丙基、％戊基及環己基等之環烷基。就對有機溶劑之溶 解性、對樹脂之分散性、立體阻礙等考量，以碳數1〜12 的烷基為更佳。 經基可舉出：羥基、甲撐羥基、乙撐羥基、三曱撐羥 基、四曱撐經基、五甲撐羥基、六甲撐羥基、七曱撐羥基、 丙樓經基、丁撐羥基、乙基甲撐羥基等之烷撐羥基、丙烯 撐沒基、丁烯撐羥基、戊烯撐羥基等之鏈烯撐羥基。 魏基可舉出：羧基、曱撐羧基、乙撐羧基、三曱撐羧 基、丙撐魏基、四曱撐羧基、五曱撐羧基、六甲撐羧基、 七曱撐魏基、乙基甲撐羧基、苯基乙撐羧基等之烷撐羧基； 異戊二烯叛基、丙烯撐羧基、丁烯撐羧基、戊烯撐羧基等 之鏈烯撐羧基。 氰基可舉出：氰基、曱撐氰基、乙撐氰基、三曱撐氰 基、四甲撐氰基、五曱撐氰基、六甲撐氰基、七曱撐氰基、 34 •1303832 丙撐氰基、丁撐氰基、乙基甲撐氰基等之烷撐氰基；丙埽 撐氰基、丁烯撐氰基、戊烯撐氰基等之鏈烯撐氰基。 苯齡基可舉出：苯紛、甲基苯盼、乙基苯酷、丁基苯 酉分等之烷基苯酚基；曱撐苯酚、乙撐苯酚、三甲撐苯紛、 四甲撐苯酚、五甲撐苯酚、六曱撐苯酚等之烷撐苯酚基等。 苯基可舉出··苯基、甲基苯基、丁基苯基、辛基苯基、 二甲基苯基等之烷基苯基；曱撐苯基、乙撐苯基、三甲撐 苯基、四甲撐苯基、五甲撐苯基、六甲撐苯基、七甲撐= 基等之烧撐苯基，·丙賴苯基、丁料苯基、戊㈣笨基 等之鏈烯撐苯基等。 ^ 犹乳丞可舉 刁Vi 个平L签寻〇 與含氮芳香族性環式化合物的陽離子組合而形成睡者 H出例r i離子、硫酸離子、亞鹽酸離子、有機:酸 離子寺。有機磺酸可使用與上述者相同者。 抗靜電塗料之例’可舉出：藉由

部分的含氮芳香族性環式化二與 貝子或八他官能基產生配位或鍵結 人> > 乂冷T陽離子雷丼沾 各氮芳香族環陽離子化合物。因而，吾 、° :芳香族性環式化合物係以含氮芳香 未配位或鍵結之含氮芳香族性環式化 物與 在於抗靜電塗料中。五人π a物形式存 τ σ人涊為，此等含ϋ :¾:关^ 化合物與含氮芳香族性# 香無環陽離子 衣式化&物係與摻 子或電子吸引性基形成鹽，被摻 '貝之過剩的陰離 中的^共軛系導電性高分 而進入抗靜電塗料 刀丁之間。吾人切盔 Α μ為，含氮芳香族 35 1303832 環陽離子化合物盥含翁婪 - .. 、各虱方香私性環式化合 “導電性高分子之間，^共㈣導電性共 之電傳導所須的跨越（hopplng)能量降低，而=子彼此間 料之電傳導度。 - 提阿抗靜電塗 ‘ 又’含氮芳香族性環式化合物，基於除了 … 電性之外並可提古、’、了可更提南導 丨上J敌阿耐熱性考量， 丄 佳。以下，對且古A 以具有父聯性官能基為 以下對具有交聯性官能基Θ 物Μ & 4 m a X产 風方香無性環式化合 馨物稱為父聯性含氮芳香族性環式化合物。 飞 交聯性官能基為可與同種官能基或他種 交聯之官能基。 此基反應而 父聯性官能基，可盘合翁 結，亦可中介取代“ 環式化合物直接鍵 穿了中"取代或未取代之甲樓基、取代或未取代之乙 牙土、取代或未取代之㈣基等之官能 性環式化合物鍵結。 各氮方香知 又’交聯性官能基，可導 铷沾备H 」守八主3虱方香族性環式化合 物的虱原子上，亦可導入至碳原子上。 、交聯性官能基，可舉出例如：乙烯基、鲮基、羥基、 胺基、醋基等。其中，基於反應性高且容易交聯之考二， 以乙烯基、羧基、羥基為佳。 里 羧基、羥基、胺基、酯基係同上述者。 父聯性含氮芳香族性環式化合物之具體例可舉出··具 有父聯性官能基之D比咬類及其衍生物、具有交聯性官能美 之咪唑類及其衍生物等。 b ·- 36 1303832 具有交聯性官能基之吡啶類及其衍生物可舉出例如：2-乙烯吡啶、4-乙烯吡啶、2-甲基-6-乙烯吡啶、5-甲基-2·乙 稀σ比唆、4-丁稀°比咬、4-戊烯°比°定、2-(4-°比咬）醇、4·(1-丁 烯戊烯）吡啶、2-吡啶羧酸、4-吡啶羧酸、6-甲基-2-吡咬叛 酸、2,3-吡啶二羧酸、2,4-吡啶二羧酸、2,5-吡啶二緩酸、 2,6-吡啶二羧酸、4-羥基吡啶、2,6-二羥基吡啶、6_羥基菸 鹼酸曱酯、2-羥基-5-吡啶甲醇、6-羥基菸鹼酸乙酯、4•吡 °定甲醇、4-σ比咬乙醇、2-吼咬腈等。 具有交聯性官能基之咪唑類及其衍生物可舉出例如： Ν·乙烯咪唑、Ν-烯丙基咪唑、2_曱基·肛乙烯咪唑、2_曱基_ 1-乙烯咪唑、咪唑-4-羧酸、4,5_咪唑二羧酸、丨_(2_羥乙二） 味唑、2-羥甲基啼唑、4_羥甲基味唑、2_ 丁基羥；基； 唾、2-甲基·4·經基甲基㈣、4•經基甲基_2•甲基β米唾、！ 节基-2-經基苯并咪唾、甲基口米嗤领酸酉旨、乙基味唾冰 幾酸醋、4，5 - 口米嗤二幾酸二甲酯等。 莫耳：；！香族性環式化合物之含有量，較佳者為，對1 莫耳之摻質及/或增溶性高分子為 佳’…莫耳的範圍為更佳，就塗==圍為 ?:點考量’以3〜10莫耳的範圍為特佳。含氮芳香電性 環式化合物之各古、玄，# , 3鼠方香族性 -物之“率右少於（U莫耳， 式化合物與摻質及α共軛系導電性高/香私性環 有較弱的傾向，導電性合 刀 間的相互作用 ▼电丨王θ不足。又，合氣 合物若含有超過100莫耳，則π ★ ^性環式化 有量會變少，導電性亦會不足。“糸導電性高分子之含 37 •1303832 (交聯性化合物） ::有交聯性含氮芳香族性環式化合物之場合，以進 乂各有交聯性化合物為佳。 交聯性化合物，於交聯性官能基為乙稀基的場合，以 :乙烯基之化合物為佳’於交聯性官能基為羧基的場 二二：：經基或胺基之化合物為佳，於交聯性官能基為 毯基的％合，以具有羧基之化合物為佳。 右含有交聯性化合物，可使交聯性含氮芳香族性環式 化口：之父聯性官能基容易交聯，可進一步確保安定性。 父聯性化合物之具體例，可舉出：丙婦酸甲醋 '丙婦 酸乙酯、丙稀酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙稀酸異丁醋、丙婦 酸異辛醋、丙稀酸異壬酯、丙烯酸婦丙醋、甲基丙稀酸乙 m丙婦酸經乙醋、丙稀酸甲氧基乙酯、丙婦酸甲氧 基丁酯、丙烯酸硬脂酸酯、丙烯醯嗎啉、乙烯胺、'沁二 甲基乙烯胺、N，N•二乙基乙稀胺、N，N•二丁基乙烯胺、n,n_ 二第三丁基乙烯胺、N，N-二苯基乙烯胺、Ν·乙烯咔唑、’乙 烯醇氯乙烯、氟乙烯、乙烯醚、丙烯腈、Ν_乙烯吡嘻 烷酮、丙烯醯胺、Ν，Ν·二甲基丙烯醯胺等之含乙烯基化合 物、羧酸、苯二甲酸、丙烯酸、聚丙烯酸等之含羧基化合 物、丁私、乙二醇、乙烯醇等之含羥基之化合物等。 (聚合起始劑） 又，於含氮芳香族性環式化合物具有交聯性官能基的 場合，以添加聚合起始劑為佳。聚合起始劑可舉出例如： 酸、鹼、自由基產生劑、氧化劑等。聚合起始劑的種類以 38 1303832 依交聯性官能基的種類而適當地選擇為佳。 性宫能基為乙稀基的場合，以自由基產生劑、驗為佳： 交聯性官能基為《及絲的場合，㈣、驗為佳。’於 (結合劑樹脂） 導電性組成物中亦可含有用以調整成膜性、 電導度等膜特性之結合劑樹脂。x，於抗靜電塗料^於 ，膜之耐刮傷性、提高表面硬度、提高與基材之密合：考 量，以含有結合劑樹脂為佳。抗靜電塗料藉由含有“咧 樹脂可容s地達成以抗靜電塗料形成之抗靜電膜的錯^ 度（JIS K 5400)為 HB 以上。 結合劑樹脂只要可與導電性組成物之必要成分相溶或 混合分散皆可’並無特別限制，可為反應性樹脂，亦可為 非及應性樹脂。又，只要可與抗靜電塗料相溶或混合分散， 即使是熱固性樹脂亦可，熱塑性樹脂亦可。可舉出例L :

聚對苯：甲酸乙二醋、聚對苯二甲酸丁二酿、》萘二甲酸 乙二醋等之聚㈣樹脂；聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺等之聚 醯亞胺樹脂；聚醯胺6、聚醯胺6,6、聚醯胺12、聚醯胺^ 等之聚醯胺樹脂；聚偏氟乙烯、聚氟乙烯、聚四氟乙烯、 乙烯四氟乙烯共聚物、聚氯三氟乙烯等之氟樹脂；聚乙烯 醇、聚乙烯醚、聚乙烯縮丁醛、聚醋酸乙烯、聚氯乙烯等 之乙烯樹脂·，環氧樹脂、二曱苯樹脂；芳族聚醯胺樹脂； 聚胺S曰系樹脂；聚脲系樹脂；三聚氰胺樹脂；苯酚系樹脂； 聚醚樹脂；丙烯酸系樹脂及此等之共聚物等。 抗靜電塗料中所用之此等結合劑樹脂可溶解於有機溶 39 1303832 劑中，亦可接上石黃基或幾基等之官能基使其水溶液化，亦 可使其乳化等而分散於水中。 結合劑樹脂中，基於可容易混合考量，以聚胺酯、聚 醋、丙稀酸樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺、環氧樹脂、聚醢亞 月女石夕綱中之至少、i種為佳。又，丙稀酸醋由於硬度高且透 明性優異，故適於濾光器等之用途。 丙烯酸樹脂以含有可藉由熱能及/或光能而硬化之液狀 ^^合物為佳。 此處，藉由熱能硬化之液狀聚合物可舉出··反應型聚 合物及自交聯型聚合物。

反應型聚合物為具有取代基之單體聚合而成之聚合 物’取代基可舉出：㈣、㈣、氧雜環丁^、縮水甘 油基、胺基等。具體之單體可舉出：丙二酸、琥珀酸、谷 胺酸、庚二酸、抗壞血酸、苯二甲酸、乙醯水揚酸、己二 酸、間苯二甲冑、苯甲酸、間甲苯曱酸等之羧酸化合物； 順式丁烯二酸酐、苯二甲酸酐、十二烷基琥珀酸酐、二氯 順式丁烯二酸肝、四氯苯二甲酸酐、均苯四甲酸野等之酸 針；3,3-二甲基氧雜環丁烷、3,3_二氯甲基氧雜環丁烷、％ 甲基3-赵甲基氧雜環丁烧、迭氮基甲基甲基氧雜環丁烧等 之氧雜環丁烷化合物；雙酚Α二縮水甘油醚、雙酚F二縮 水甘油醚、酚醛清漆多縮水甘油醚、N，N-二縮水甘油基對 胺基酚縮水甘油醚、四溴雙酚A二縮水甘油醚、加氫雙酚 A二縮水甘油醚（即2,2_雙（4•縮水甘油氧環己基）丙烷）等之 縮水甘油醚化合物；N，N-二縮水甘油基苯胺、四縮水甘油 40 -1303832 基=胺基二苯基甲烧' N，N，N，N_四縮水甘油基間苯二甲基 二胺、三縮水甘油基異三聚氰酸酯、N，N•二縮水甘油基Μ· 二烷基内醯基脲等之縮水甘油基胺化合物；二乙撐三胺、 三乙撐四胺、二甲基胺基丙胺、N•胺基乙基哌嗪、节基二 甲胺、三（二甲基胺基甲基）紛、DHP30-三（2-乙基己酸醋）、 間苯二胺、二胺基二苯基甲烷、二胺基二苯砜、雙氰胺、 三氟化硼、單乙胺、甲烷二胺、二甲苯二胺、乙基甲基_ 唑等之胺化合物；於i分子中含有至少2個環氧乙烷環的 化合物中之雙酚A藉由表氣醇作成之縮水甘油基化合物或 其類似物。 於反應型聚合物中係使用至少2個官能基之交聯劑。 該交聯劑可舉出例如：三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、金屬氧 化物等。金屬氧化物可適當地使用鹼性金屬化合物之 ai(oh)3、A1(ooc · ch3)2(OOCH)、A1(00C · ch3)2、

ZrO(〇CH3)、Mg(〇〇C · CH3)、Ca(OH)2、Ba(〇H)3 等。 自父聯型聚合物為藉由加熱於官能基彼此間自交聯 者’可舉出例如：含有縮水甘油基與叛基者、或含有羧 甲基與羧基雙方者。 藉由光能而硬化之液狀聚合物可舉出例如：聚酯、環 氧树知、氧雜環丁烧樹脂、聚丙烯酸、聚胺酯、聚醯亞胺、 聚酿胺、聚醯胺醯亞胺、聚醯亞胺矽酮等之低聚物或預聚 物0 構成藉由光能而硬化之液狀聚合物之單體單位可舉出 例如··雙酚A—環氧乙烷改質之二丙烯酸酯、二季戊四醇 41 •1303832 /、（五）丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯' 二丙二 醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、甘油丙氧基三 丙烯酸酯、丙烯酸4-羥基丁酯、ι，6-己二醇二丙烯酸醋、 丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、丙烯酸異冰片g旨、 聚乙二醇二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、丙烯酸四氫 糠酿、三丙二醇二丙烯酸酯等之丙烯酸酯類；四乙二醇二 曱基丙烯酸酯、曱基丙烯酸烷酯、曱基丙烯酸烯丙酯、i，3_ 丁二醇二甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸正丁酯、曱基丙烯酸 节酿、甲基丙烯酸環己酯、二乙二醇二甲基丙烯酸醋、甲 基丙烯酸2-乙基己酯、曱基丙烯酸縮水甘油酯、丨，6-己二 醇二甲基丙烯酸酯、曱基丙稀酸2-羥乙酯、甲基丙稀酸異 冰片酯、曱基丙烯酸月桂酯、曱基丙烯酸苯氧基乙酯、甲 基丙烯酸第三丁酯、甲基丙稀酸四氫糠酯、三經曱基丙燒 二甲基丙烯酸酯等之甲基丙烯酸酯類；烯丙基縮水甘油 _、丁基縮水甘油醚、高級醇縮水甘油醚、丨，6-己二醇縮 水甘油醚、苯基縮水甘油醚、硬脂基縮水甘油醚等之縮水 甘油ϋ類；二丙酮丙烯醯胺、Ν，Ν·二甲基丙烯醯胺、二曱 基胺基丙基丙烯醯胺、二曱基胺基丙基曱基丙烯醯胺、曱 基丙烯醯胺、Ν-羥甲基丙烯醯胺、Ν，Ν-二甲基丙烯醯胺、 丙烯醯基嗎啉、Ν-乙烯甲醯胺、Ν-甲基丙烯醯胺、Ν-異丙 基丙烯醯胺、Ν-第三丁基丙烯醯胺、Ν-苯基丙烯醯胺、丙 烯醯基哌啶、2-羥乙基丙烯醯胺等之丙烯（甲基丙烯）醯胺 類；2 -氯乙基乙烯峻、環己基乙稀驗、乙基乙烯醚、經基 丁基乙烯醚、異丁基乙烯醚、三乙二醇乙浠醚等之乙烯醚 42 •1303832 :員丁-夂乙婦酉曰#氯醋酸乙稀醋、三甲基乙酸乙婦輯等 之幾酸乙#酯類之單官能基單體及多官能基單體。 藉由光能硬化之、右&取A ,, 之液狀聚合物係藉由光聚合起始劑硬 化。光聚合起始劑可舉出：苯乙綱類、二苯 勒苯醯苯甲酸酯、戊辟、木希 % $ ^ 曰—‘化四甲基秋蘭姆、噻噸 駒類寻。再者’光增感劑可混合正丁胺、 膦等。 X 一止丁 (溶劑） 二’導電性組成物中亦可含有溶劑。溶 ::可溶解或一"電性高分子之前驅單： 舉：二=:及二容器之溶劑並無特別”，可 基―二,Γ_Α)等之醇系溶劑;N-甲 …MP)、一甲基乙醯胺（DM 二 (DMF)等之醯脸έ ^十, Τ暴甲醯胺 胺糸洛劑、甲乙酮（ΜΕΚ)、丙綱、 之酮系溶劑、萨舻7龄磁* ¥已_等 4酉曰…曰、醋酸丁醋等之醋系溶劑； 一甲本、水等。此等可單獨使用亦可混合使用甘 ::年來之環保觀…—與醇:溶： 上述導電性組成物之製造方法，可採 及氧化劑或氧化聚合觸媒的存在下，使冗共^在摻質 分子的前驅單體進行化學氧化聚合後再氧：電性高 環式化合物的方法等。 氮方香族性 於冗共輛系導電性高分子的化學氧化 。4，於7Γ共 43 •1303832

:糸導電性高分子生長之同時，摻質與7Γ共輛系導電性高 子幵y成孤舍生對冗共軛系導電性高分子之摻雜。尤其 方、使用由合續基增溶性高分子構成的摻質之場合，確基與 ^軛系導電性高分子會強固地形成鹽，纟；Γ共軛系導電 险同为子會破由含磺基增溶性高分子構成的摻質之主鍵強 烈拉弓卜其結* ’ Τ共㈣導電性高分子主鏈會沿著由含 續基增溶性高分子構成的摻質之主鏈生長而可^形成規 」排7Γ共軛系導電性高分子。如此合成之疋共軛系導 子 ^與含磺基增溶性高分子構成的摻質形成無 數的鹽，固定於含石黃基增溶性高分子構成的摻質之主鏈， 故與摻質形成混合物。 又’猎由在該1共軛系導電性高分子與摻質的混合物 中添加含氮芳香族性環式化合物，含氮芳香族性環式化合 匆進入π共輛系導電性高分子與摻質之間形成導電性組成 八“ °兄明之導電性組成物，為含有π共概系導電性高 2、摻質與含氮芳香族性環式化合物者。吾人認為：於 ^組成物中’―部份的含氮芳香族性環式化合物與 + —入 次取代基進仃配位或鍵結，成為帶陽離子 毛…氮芳香族性環式化合物之陽離子。因,匕，於導電 中，存在著此含氮芳香族性環式化合物之陽 =:含氮芳香族性環式化合物的混合物。又，此混合 :生二之過剩陰離子形成鹽，而被摻質拉 -电性組成物中的H系導電性高分子之間。如此般，藉 44 •1303832 S乳方曰無壤險離子化合 ， 卿〆、S虱方香族性環式化合物 存在於7Γ共軛糸導電性高 ,ν . ^ ^ 于之間，使疋共軛系導電性高 刀子彼此間电傳導所須之跨越能量降低而提高導電性。 又’此導電性組成物於耐熱性、耐濕性皆優。 其次，就本發明之導電性交聯體作說明。 亡：明之導電性交聯體，為對含有具交聯性官能基之 =Γ“生環式化合物的導電性組成物施行加熱處理及/ 或备、外線照射處理而形成者。 導電性交聯體之> 士、+ 形成方法，可舉出例如：以導電性組 成物洛液塗佈於基材上，將溶劑以適當的方法除去之後， 鈿行加熱處理及/或紫外線照射處理的方法等。 ，主此時’導電性組成物溶液之塗佈方法，可舉出例如·· 浸潰、逗點(comma)塗佈、噴塗、輥塗、凹版印刷等。 又’選擇加熱處理、紫外線處理之何者或選擇兩者係 ^如性官能基的種類而定。加熱處理可採用例如熱風加 熱或紅外線加熱等之通常的方法。又，紫外線照射處理可 木用例如.以超同麼水銀燈、高壓水銀燈、低遷水銀燈、 碳弧燈' g燈、金屬鹵化物燈等光源所發出之紫外線進 行照射的方法。 導電性交聯體，由於有交聯性含氮芳香族性環式化合 物交聯’故緻密性高。其結果’不僅導電性更提高，且耐 熱性、耐熱安定性與耐溶劑性亦提高。 其次，就本發明之電容器及其製造方法之一例作說明。 圖1為表示本實施形態之電容器的構成之圖。此電容 45 •1303832 器1 〇係大致地由下述者 槿 k考構成，其為：闊用金屬多孔質體 構成的陽極1 1、陽極n 貝骽 阳^人 1表面氧化形成的介電體層12、i 配置於介電體層12上之陰極13。 與 <陽極> 屬較佳者為例如··鋁、鈕、銳、 錦等。此等之中，較佳者為鋁、 作成陽極11之閥用金 鈦、給、鍅、鋅、鎢、鉍、 鈕、錕。

陽極11之具體例可舉 表面進行氧化處理者、hi 祕刻增加表面後對該 進行氧化處理作成為顆 或㈣子之燒結物表面 面形成有凹凸。 （pellet)者。經如此處理者’於表 ，為例如藉由在己二酸銨水溶液等之電解 面氧化所形成者。因而，如圖”斤示般， ，於介電體層12表面亦形成有凹凸。 <介電體層> 介電體層12 液中使陽極1丨表 與陽極11同樣地 <陰極> 形成於固體電解質 13b者，固體電解 子的層，係在介電 陰極13為具備固體電解質層13a、 二上的碳、銀、鋁等之陰極導電層 貝層13a，為含有疋共軛系導電性高分 體層12側。 如含有:導電層13b為由碳、銀等構成的場合，可由例 由链構二銀等之導電糊形成。又’於陰極導電層i3b為 構成的場合，可由例如㈣形成。 又，於固體電解質層I3a與陽極n之間，f要時可設 46 -1303832 置分隔片（separator)。 於其他例之電容器中，陰極13為具 丨用因體電解皙息 13a、形成於固體電解質層13a上之碳、銀、鋁等構、'曰 極導電層13b者，固體電解質層13a，為含有疋妓成之陰 電性高分子、摻質與含氮芳香族性環式化合物者：、軛系導

於陰極導電層13b為由碳、銀 寻構成的場合 如含有碳、銀等之導電糊形成^又’於陰極導電口層 由紹構成的場合，可由例如鋁箔形成。 θ 可由例 13b為 要時:可:=質層13,極導—需 電子性化合物層之 電子性元素之化合 又，於具有含有供電子性元素的供 電容器中，供電子性化合物為含有供 物’為非聚合物之化合物。 供m于性化合物中所含有供 ^命入士 u ，《供電子性兀素，基於介電 體層與含有；τ共軛系導電性高分 牛植一 + 刀于的陰極之電親和性進一 V誕向考量，較佳者為選自 去士i J录弟b族、第16族的元 ’、鼠、氧、磷、硫中之至少1種。 含氮之供電子性化合物，美 4¾ ^ ^ ^於更加提高介電體層與陰 之電親和性考量，以1級胺、 κ ,, 吸2級胺、3級胺等之胺類 马佳。胺類，具體地可舉出： ? ^ ^ 乙月女、二乙胺、甲乙胺、三 咬、脂肪族胺；苯胺、节胺、吼口各、㈣、t定…密 比，' 二㈣之芳香族胺或此等之衍生物。 έ氧之供電子性化合物可舉 類等，且妒地可與山 牛出例如··醇類、醚類、酮 具體地可舉出：月桂醇、十丄 丁 Α元醇、苄醇、乙二醇、 47 •1303832 丙二醇、甘油、二苯_、環己酮、雙丙酮醇、異佛爾酮、 呋喃及其衍生物。 含磷之供電子性化合物，可舉出例如：構酸醋類、亞 磷酸醋類、膦酸類、烷基膦類、烷基婆鹽類等，具體地可 舉出.磷酸二甲酯、磷酸三苯酯、亞磷酸三"旨、亞磷酸 三乙醋、膦酸二甲醋、膦酸二乙醋、三乙基膦、三正丁基 膦、三正丁基膦氧化物、四乙基鎏溴化物、四正丁基鎏溴 化物等。 含硫之供電子性化合物可舉出例如：硫化物類、硫醇 類、異硫氰酸酉旨類、嗟吩及其衍生物等，具體地可舉出： 二甲基硫化物、二乙基硫化物、甲基硫醇、乙基硫醇、里 氰酸苯醋、異氰酸正丁醋、噻吩、3·甲基噻吩等。 此等供電子性化合物中’就即使殘存於介電體層令亦 可防止阻抗（等效串聯電阻）之降低考量，以於芳香環中含 有氮、氧或硫之化合物為佳。芳香環中含氮之化合物，可 舉出、比咯及其衍生物(吡咯類）、咪唑、吡啶、嘧啶、吡 嗪、三嗓及其衍生物等；芳香環中含氧之化合物，可舉出. 咬喃及其衍生物（咳喃類）等；芳香環中含硫之化合物可 舉出：售吩及其衍生物㈣吩類）。其中，就更加提高介電 體層與陰極之電性親和性考量，以選自料類、㈣類、 呋喃類中至少1種為佳。 於方香環中含有氮、氧、硫之供電子性化合物中由 於在氮原子、氧原子、硫原子上有非共有電子對存在，故 取代基或質子可容易地在此等原子上配位或鍵結。於氮原 48 -1303832 子氧原石瓜原子上有取代基或質子配位或鍵結的場合， 此等原子上有帶陽離子電荷的傾向。λ由於氮原子、氧原 子、硫原子與其他原子有共㈣㈣，故取代基或質子在此 等原子上配位或鍵結所產生的陽離子電荷會擴散至芳香環 中以安定地形態存在。

基於上述之理由，上述之芳香環中含有氮、氧、硫之 ，電子性化合物，亦可於氮、氧、硫原子導入取代基形成 陽離子。又，此陽離子與陰離子組合形成鹽亦可。即使是 鹽亦可發揮與非陽離子供電子性化合物相同的效果。 以上所說明之電容器，於介電體層表面塗佈有供電子 性化合物，由於介電體層表面的電荷經中和，故介電體層 27共軛系導電性高分子之固體電解質層的電親和性提 向其、纟ϋ果，介電體層與陰極之界面電阻變小，故電容器 之阻抗低且電容高。 (電容器之製造方法） 其次，就本發明之電容器製造方法之實施形態例作說 明。 電容器製造方法之一例，可舉出具有下述製程之製造 方法，其等製程為··使閥用金屬多孔質體所構成的陽極表 面氧化以形成介電體層之製程；於該介電體層表面塗佈含 有i、電子性元素之供電子性化合物以形成供電子性化合物 層之製程；與於該供電子性化合物層表面形成含有V共軛 系導電性高分子之固體電解質層之製程。 此電容器製造方法中之使陽極表面氧化的方法，可舉 49 1303832 出例如：在己二酸鞍水 的方法。 寸电解夜中使除極表面氡化 於介電體層表面塗佈供 冷佑，'主a 师仏電子性化合物的方法可採用： 主佈、心貝、喷塗等公知的塗佈方法。於 為固體的場合，可用# Φ 八子性化&物 ^ τ用供電子性化合物溶解於溶劑所成的冰 液塗佈。此場合φ 勺/合 ;k佈後進行乾燥將溶劑 又，於將液體供電子性化 ：除去為佳。 去為佳。 胃榨的知合’亦以將溶劑除 Φ 太舖電子性化合物的溶液之濃度並無特別限定，若 果不易發揮，若太濃稠則不易塗佈，會有esr 降低之顧慮，故以1〜8〇質量％ 佳。 貝里/〇為佳，以5〜50質量％為更 有“輛系導電性高分子的層，基於簡便性 及可谷易地提高介電體層與陰極之電性親和性考量 佳者為在介電體層表面塗佈使n系導電性高分子溶= 於溶劑中所成之導電性高分子溶液的方法。又，亦可在介 電體層上藉由以構成疋共軛系導電性高分子的前驅單體^ 接進行化學氧化聚合或電解聚合來形成。 、導電性高分子溶液，可藉由在含有陰離子基增溶性高 分子存在下使π共軛系導電性高分子的前驅單體進行聚人 而得到。或藉由使具有溶劑溶解性之冗共耗系導電性高分 子溶解於溶劑中而得到。 在含有陰離子基增溶性高分子存在下使π共辆系導電 性而分子的前驅單體進行聚合以調製導電性高分子溶液的 50 1303832 方法之具體例，首春74_ 死使含有陰離子基增溶 可將其溶解的溶劑φ ^合改呵分子溶解至 電性古八…對如此得到之溶液添加π共輕奉遂 电性问分子之刖驅軍 、 /、祧糸導 j^u y, —。/、认，添加氧化劑#显辨取人 然後，將剩餘的氣务^ 、 剜便早體聚合， 性高分子溶液。 平粒刀離、精製而得到導電 此處所使用之含有陰離子基增 當中來選擇。 同刀子係從前述者 於導電性高分子、、六 、 子夕道Φ'合’夜中’欲提高万共輛系導雷Μ含\ 子之導電性，亦可添加 于導電性向分 ΙΜ ^ 3有哈離子基增溶性；八2 摻質。摻質可自前述當中者選擇。S “刀子以外的 兀共軛系導電拇古八^ t ..^ 间刀子與摻質的比例，以笪且u 較佳者為；r共軛系導電 乂莫耳比計， T电f生回分子··摻質為 摻質過多或過少，導雷&比士 貝為97 . 3〜1〇 : %。 導電性皆有降低的傾向。 塗佈上述導電性高分子溶液的方 浸潰、噴塗等公知的方 ♦出例如：塗佈、 V與山& ' 〇又’用以除去溶劑的#、降+、丄 可舉出熱風乾燥等公知的方法。 4妁乾紐方法 於形成固體電解質層 然後，藉由塗佈碳糊H而要％可用電解液浸透， 透過分隔# s w » ~ 形成陰極導電層的方法、戋 攻、刀片配置鋁箱等之陰 ^ 極，製得電容器。 s 〇 a知方法來形成陰 於用分隔片的場合，分 或混合不織布、使此等碳化::：、聚醯胺纖維等之單-认 t反化之碳化不織布等。 万；上述電容器製造方法中 — 中，猎由在介電體層表面塗佈 51 -1303832 供電子性化合物可提高介電體層與固體電解質層之電親和 性，可降低電容器之阻抗。而且，供電子性化合物之塗佈 甚簡便。因而，上述之電容器製造方法，可簡便地製造阻 抗低的電容器。 再者，藉由此製造方法得到之電容器，電容高、耐熱 性亦優。 …”〜八η 包丁 土，, u，口、砌嘈心冤答器，並非 限定於上述之實施形態。於上述實施形態中，係在介電體 層表面塗佈供電子性化合物形成固體電解質層之後，設置 陰極導電層而得到電容器，惟，本發明中設置陰極導電層 的時機並無限定。例如，亦可於將陰極導電層與介電體層 才向配置之後’再於介電體層表面塗佈供電子性化合物， =後再形成固體電解f層。該場合，以於陰極導電層與介 電體層間配置分隔片為佳。 佑$丨：’供電子性化合物不僅可塗佈於介電體層表面，塗 佈到陰極導電層之介電體層側表面或分隔片上亦盖妨。 又’電容it的製造方法之其他例可舉出 者，其為·•在罝右胳4 <衣征 前述陽極表面^ 用金屬所構成者）與介電體層（使 面塗佈導電性高分=成者入)的電容器中間體之介電體層表 質與含氮芳香族:生二有7"共軛系導電性高分子與摻 程。 、衣式化合物與溶劑者）以形成塗膜的製 先使含有陰離子基增溶 令’對如此得到之溶液 52 * 1303832 添加用以形成導電性高分子之去报成—μ 等之前驅單體。宜次，μ 4 本胺…比略或售吩 餘的气二； 氧化劑使單體聚合，然後將剩 餘的氧化劑與前驅單體分離、精製。秋 天 族性環式化合物得到導電性高分子溶液。”"…香 使用^者用以使導電性高分子聚合之氧化劑可如前述般 導電性高分子溶液之塗佈 浸潰、嘖”八“ 可舉出例如：塗怖、 知的方法。 Μ方法可舉出熱風乾燥等公 於形成固體電解質；描 然後，可藉由塗佈碳:=於需要時可用電解液浸透， 對向地配置陰極的公知^以瓜成陰極、或透過分隔片 旧Α知方法來形成陰極。 於用分隔片之場合，分 玻璃纖維、聚丙稀纖唯 U 例如·纖維素纖維、 咬混-不η布：旨纖維、聚醯胺纖維等之單-扣口不織布、使此等碳化之碳化不織布等。 上述之製造方法，鋅 燥來形成固體電解d 高分子溶液之塗佈、乾 ，本低。又’導電性高分子溶液由於含產’ 向分子、摻質與含筒荽 /、輛糸¥電性 電解質層之導電性。&丨生％式化合物，故可提高固體· 又，若不考慮製程之簡 化聚合法或電解聚合法…匕、成本’亦可藉由化學氧 於化學氧化聚合Γ;電解質層。 電性高分子之取代或未.用以形成π共輕系導 本月女、吡咯或噻吩等之前驅 53 ' 1303832 早二液、與氧化劑溶液，將電容器中間 此寺中’使導電性高分子在電容器中 ：於 面進行聚合。氧化劑可使用上述製造：電體層側表 摻質及含氮芳香族性環式化合物可同3± 者。 液浸透於…心

於電解聚合法中，首先 成^輛系導電性高分子之未劑中添加用以形 之前驅單體’於添加摻質做為電解質：;二：:各或㈣等 面形成有導電層之電容器中 兒a中放入在表 前驅單體之氧化電位高：„進行聚：極在然後’施加較 之介電體層上形成…系導電性高；子在電容器中間體 合氮芳香族性環式化合物 可在形成導電性高分子後以含氮電解槽中，亦 於高分子再行添加。 ' 全佈導電性高分子溶液戍介風〆 固體電解質層的場合，由於m系導；=合以形成 大，故π共軛系導電性高 ’一刀子之粒徑 電體層表面之微細的空隙之最深中間體之介 因此，較佳者為藉由含有做為陰極=達成高電容。 浸透於電解液中以補；i電容。 $解液，使介電體層 場合又二:S香:性環式化合物具有交聯性官能基的 主佈導電性高分子溶液形成塗膜後，以對該塗膜 54 1303832 施行加熱處理及/或紫外線照射處 ⑴处攻马佳。此處， 處理、紫外線照射處理之何者 &擇加熱 基的種類而定。 〜擇兩者係依交聯性官能 加熱處理可採用例如熱風加熱或紅外線加 = 紫外線照射處理可採用例如：以超高厂二： 义且、j水銀燈、低壓水銀燈、碳弧燈、氣弧燈、 化物燈等所發出之紫外線進行照射的方法。 、ό [電解液] 電解液只要電傳導度高皆 守又了並無特別限定，為 電解質溶解於周知的溶劑中所成者。 /谷劑可舉出例如：乙二醇、—一 ^ 坪一乙一酉手、丙二醇、14- 丁二醇、甘油等之醇系溶劑； ’ 丁内酯、7_戊内酯、占_ 戊内酯等之内酯系溶劑；Ν Τ丞甲醯胺、Ν，Ν_二甲基甲醯 月女、Ν-甲基乙醯胺、甲美咐交 甲基比各烷酮等之醯胺系溶劑；乙 腈、3-甲氧基丙腈等之腈系溶劑；水等。 電解質可舉出由下述陰離 者 酸 酸 k U離子成分與陽離子成分所成 陰離子成分為例如：己_ _ . U 一 @夂、戊二酸、琥珀酸、苯曱 間苯二甲酸、鄰苯二 # 7 對本二曱酸、順式丁浠二 本乙酸、庚酸、丙-赌 一8夂曱酸、1，6-癸烷二羧酸、5,6- 癸烧一羧酸等之癸烧二缓酸 、， 夂^ i，7·辛烷二羧酸等之辛烷二 缓酸、壬二酸、癸二酸 ^ 寻之有機酸、或硼酸、硼酸與多元 醇所得之硼酸多元醇配位化人 化。物、磷酸、碳酸、矽酸等之 無機酸等；陽離子成分盔也丨. 雕于成刀為例如：一級胺（甲胺、乙胺、丙胺、 丁胺、乙撐二胺等）、二級胺 月女（一曱胺、二乙胺、二丙胺、 55 1303832 曱乙胺、二苯胺等）、三級胺（三甲胺、二7 一乙胺、三丙胺、 二苯胺、158-二氮雜二環（5,4,0)-十一烯_7望、 ^ _ )、四烧基銨（四 甲基銨、四乙基銨、四丙暴鉍、四丁基銨、田 T基三乙基銨、 二甲基二乙基銨等）等。 其次，就抗靜電塗科、抗靜電膜、栝# _ ^晚電片、濾光器 下 及光資訊記錄媒體之製造方法之一例說明如 [製造方法] (抗靜電塗料） 製造抗靜電塗料時，首先使增溶性其八7 同刀子溶解於可使 其溶解之溶劑中，並加入導電性高分子 J刀丁的則驅單體與需要 時之摻質，充分地攪拌混合。 … 然後，對如此得到之混合物滴入氧化 芊劑使其進行聚合 得到增溶性高分子與導電性高分子之葙八 丁又後合物。然後，自此 複合物中將殘留單體、副產物除去、精製後1其溶解至 適當的溶劑中，添加含氮芳香族性環式化合物、需要時並 添加摻質及/或結合劑樹脂、交聯性化合物，得到抗靜電塗 料。 土 用以使導電性高分子之前驅單體聚合之氧化劑，可使 用公知者，可舉出例如：氣化鐵、三編、氣化銘等之 金屬画化物、過氧化氫、過氧化苯醯等之過氧化物；過硫 酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸録等之過硫酸鹽；臭氧、氧等。 _精製法並無特別限制，可採用例如：再沉殿法、超渡 法等二其巾，由於超濾法甚簡便故為較佳。超濾法，係於 夕孔貝之超濾膜上使溶液循環，同時使溶液中的液體穿透 56 Ϊ303832 超濾獏進行過濾的方法。此方法中，夾著超濾膜，循” :夜側與渗透溶液侧發生壓力i，故循環溶液側的溶液之 部份會浸透至㈣溶液側錢和循環溶㈣彳之壓力。卜 此循環溶液之浸透’循環溶液中之較超據膜口徑小：： 子、溶解離子等之一部份會往渗透溶液側移動，故可將粒 子與溶解離子除去。使用之超濾'膜隨除去之粒徑、離 類，而從分子量1000〜1000000的範圍適當地選擇。 (抗靜電膜） 係於基材上塗佈抗靜電塗料而形成者 电主枓之塗佈方法，可舉出例如：浸潰、逗點塗佈、喷塗、 輥塗、凹版印刷等。基材並無㈣限制，以容易產生靜電 之树脂成形物為佳，尤其是樹脂薄膜。 ^ 塗佈後可藉由加熱將溶劑除去，或藉由熱或光硬化。 加熱的場合之加熱方法，可採 Λ, , ^ 用例如，熱風加熱或紅 外線加熱等之通常的方法。又， 认Θ人 、精由光硬化以形成塗膜 的％合之光照射方法，可採用例如· 、 ^ Λ •以知向壓水銀燈、高 反水銀燈、低壓水銀燈、碳弧燈、& ^ ^ ^ ^ d, 矾弧燈、金屬鹵化物燈 寺先源所發出之紫外線進行照射的方法。 此抗靜電膜藉由含有含氮芳香 雷U - ^ ^ 11娘式化合物使其導 “生，員耆地“。纟體而言，於 八榀1日A 3 3風方香族性環式化 口物的％合，電傳導度為〇 〇〇1 右人Λ #去 U0S/Cm的程度，而於含 有3虱方香族性環式化合物的場合，+ 2〇〇〇s/cm的程度。因此 $傳導度則為10〜 高導電性。 "吏非為導電性高分子單體亦有 57 1303832 又’於抗靜電塗料含有交聯性含氮芳香族性環式化合 物的場合，由藉由加熱或紫外線照射使交聯性含氮芳香族 性環式化合物進行交聯，故抗靜電膜較為緻密，不僅導電 性提高，耐熱性及熱安定性亦提高。 於使用抗靜電膜於光學用途（尤其是後述之據光器、光 資訊記錄媒體)的場合，以高透明性為佳。具體而言，以入 光線穿透率（JIS Z 8701)為85〇/以或社 王 以上為佳，以90%以上為更 4土，以9 6 %以上為特佳。又、巧痒 又濁度（haze)(Jls K 6714)以 5% 以下為佳，以3 %以下真承社 ·、，！ n/ 卜馮更佳，以1 %以下為特佳。 再者’以抗靜電膜兼石承+ Μ 录硬塗層之场合，抗靜電膜的表面 硬度（鉛筆硬度）以ΗΒ以上為佳。 i几靜電膜之表面雷ρ日# M ^ 值，以兼顧光學特性而適當地調 整為佳。通常，只要為丨 3 叮念 X 10 Ω〜1 X 1〇12Ω的程度即 可適用於抗靜電用途。 塗膜之全光線穿透率 、 命 Ρ Ρ^- 又表面笔阻值可依抗靜電 腺的/予度调即。又，於並、七 处 、要求較低的表面電阻值之場合，以 不含結合劑樹脂為佳。麸 之穷八地…、為降低成本，或提高對基材 山口 則以含有結合劑樹脂為佳。 (抗靜電片） 抗靜電片為具有其士士键 單面之上、m 士形成於該基材薄膜之至少 早面之上述抗靜電膜。 (基材薄膜） 基材薄膜可舉Ψ么 牛出例如：低密度聚乙烯薄 乙烯薄膜、乙烯-丙烯以… L同雄度聚 丙烯共t物缚膜、聚丙烯薄膜、乙烯_醋 58 1303832 濾光器20的薄膜基材21側表面設置透明的接著 過該接著劑層而黏合。 薄膜基材2!可使用透明性之各種塑膠薄膜。透明性塑 膠缚膜可舉出例如：由聚對苯二甲酸乙二S旨、聚醯亞胺、 聚，風、聚_、聚碳酸輯、聚丙歸、聚醯胺、丙蝉醯 月女、纖維素丙酸酯等所構成之薄膜。 薄膜基材2 1 ’以在其表面施行濺鍍、電暈放電、

火焰、紫外線照射、電子绩昭A 革子線照射、熟化、氧化等之蝕刻處 理或底塗處理等為佳。只要於表面施行此等處理，可更提 面對抗靜電膜22之密合性。 再者’缚臈基材21的表面，於設置抗靜電膜22之前， 需要時亦可藉由溶㈣淨或超音波洗料進行 化。 〒 抗靜電膜2 2為上勒· i h μ + & 11 巧上述鈿由抗静電塗料所形成的膜，為可 同時發揮硬塗層的作用之膜。因而，如上述般，此抗靜電 胰22 ’以其表面硬度（錯筆硬度）為ΗΒ以上為佳。又 於係用於光學用途，抗靜電膜22之全光線穿透率⑽Ζ 8701)以85%以上為佳，以9〇%以上為更佳，卩㈣以上為 特佳。又，抗靜電膜22之濁度（JISK671W以下為佳‘， 以3%以下為更佳，以1%以下為特佳。 反射防止層23為用以防止光的反射之 層，亦可為多層。於單#的場a為早 平漕自0 %合，其折射率以138〜145 的範圍為佳，又，其光學膜厚以8〇〜1〇〇_的範圍為佳。 反射防止層23可藉由乾式法、濕式法之任一方法形 60 1303832 成。乾式法可舉出例如：電子束蒸錢法、感應加熱式蒸錢 法、电阻加熱式瘵鍍法、濺鍍法、離子植入法等之物理氣 相，積法或電漿CVD法。於以乾式法形成反射防止層23 的％合，反射防止層23的成分可使用例如··二氧化石夕、 氟化鎂K匕鈮、一氧化鈦、氧化鈕、氧化鋁、氧化錯、 氧化銦、氧化錫等之無機化合物。 又，濕式法可舉出例如：逗點塗佈、喷塗、輕塗、凹 版P刷等之公知方法來塗佈含有硬化性化合物之塗料使其 更化的方法。於以濕式法形成反射防止層23的場合，硬 =化合物可使用例如：含氟有機化合物、含氟有機石夕化 ° 、含氟無機化合物等之含氟化合物。 防、渡光器2〇中，亦可進-步在反射防止層23上設置 著亦可容易地除去。*塵或-物的附著，或即使附 防污層只要是不阻礙反射防止層23之反射防止作用， 並：::揮高撥水性與撥油性’可防止污染之附著者皆可， :入別限制，可為由有機化合物構成的層，亦可為由益 化心：=層。可舉出例如：含有具全_基或氟 ^基之有機石夕化合物或氟有機化合物的層。 防污層之形成方法，可 用例如.、+ 依其種類而適當地選擇，可採 或化^ 料、離子驗等之物理氣相沈積法

刷I:沈積法、電毁聚合法般的真空製程、微凹版印 剩去、網版塗佈法、浸塗法等。 I 上述說明之渡光器20’形成有用以保護薄膜基材21 61 1303832 之&靜電膜22’該抗靜電膜22由於係由上述抗靜電塗料 所形成，故透明性優異，與薄膜基材2丨的密合性亦優異。 又，此濾光20為抗靜電性之安定性優異的濾光器，表 面不易附著塵埃。 又，此等濾光器20可較佳地使用於：液晶晝面與電漿 顯示器兩面之反射防止薄膜、紅外線吸收㈣、電磁波吸 收薄膜等。 又，本發明之濾光器，並非限定於上述實施形態，只 要是具有由上述抗靜電塗料形成的抗靜電膜皆可。例如， 4膜基材可用偏光板代替。偏光板可舉出：在以雙色性色 料吸附與配向之聚乙烯醇系樹脂薄膜的單面或雙面積層保 濩溥膜者等’冑色性色料可用碘、雙色染料。此等濾光器 可設置於液晶顯示裝置之最表面。 (光資訊記錄媒體） 再就本發明之光資訊記錄媒體之一實施形態作說明。 圖3顯示本實施形態之光資訊記錄媒體。&光資訊記 錄媒體30為可覆寫型光碟，為依序具有由聚碳酸醋或聚 甲基丙烯酸甲賴構成的圓盤狀透明性樹脂基& 31、第i 介電體層32、光資訊記錄層33、第2介電體層34、金屬 反射層35、抗靜電膜36之構造。 構成第1介電體層32及第2介電體層34之材料，可 使用例：：SiN、Sl0、叫、％〇5等之無機系材料。 …此等介電體層可藉由真空真鑛法、濺鍍法、離子植入 法等公知的方法形成為厚度10〜5〇〇nm。 62 1303832 構成光資訊記錄層33之材料可使用例如：1^_卜、丁^

Fe-C〇、Dy-Fe-C〇、Tb-Dy-Fe_c〇等之無機系的光磁型記錄 材料、或 TeOx、Te-Ge、Sn-Te-Ge、m_Te_Ge、Sb Te Ge、

Pb-Sn-Te、Tl-In-Se等之無機系相變化型記錄材料、氰胺 系色素、聚甲炔色素、酞菁系色素、份菁(贿。加二色 素、奠(azuiene)系色素、肖紧(squarium)系色素等之有機色 素。 於光資訊記錄層33為由無機系之光磁型記錄材料構成 的場合，可藉由真空蒸鍍法、賤鍍法、離子植入法等公知 法形成為厚度10〜999…，於由有機色素構成的 场&，可將有機色素溶解於丙綱、雙丙嗣醇、乙醇 寻洛劑中所成的溶液藉由公知的印刷方法或 為厚度10〜999nm。 布方法形成 又’金屬反射層35為呈現歧射性者，可由仏心、 等金屬及其氧化物、氮化 種組合構成。此金屬反射層35可^至一 形成為厚度2〜2GGn_ 了猎由―真空濺鍍法 抗靜電臈36為由上述抗靜電塗 36，藉由十形成者。此抗靜電膜 表面硬度定為HB以上，可防止朵次▲ 3 〇表面之刮搾 光貝矾記錄媒體 致，且可防止金屬反射層35之g儿I； 所致之塵埃附著。 之虱化與因靜電 抗靜電膜36的厚度以3〜以 難以形成均—的t 1右較3Am薄， 防止性、揮充分的抗靜電性、表面到傷 屬反射層35之氧化防止性。另一 力方面，若較15 63 1303832 # m厚，内部應力會增大，光資訊記錄媒體30之機械特性 有降低之虞。 、抗靜電膜36之形成，可在金屬反射層35上，用逗點 k布嘴塗、輕塗、凹版印刷等公知的方法塗佈抗靜電塗 料後，使溶劑乾燥，或藉由熱或紫外線硬化。 於上述說明之光資訊記錄媒體30中，形成有光資訊記 =層33與用以保護金屬反射層35之抗靜電膜％，該抗靜 电月果36係由抗靜電塗料所形成。因而，抗靜電膜％之濁 度j光線穿透率高，故於讀取用雷射波長之780nm與 635nm之透明性優異。又，抗靜電膜％由於具有抗靜電性， 可抑制因靜t所狀塵埃附著，可防止記錄讀取錯誤與寫 入錯誤。 〜又本發明之光資訊記錄媒體並非限定於上述實施形 悲例，光資訊記錄媒體亦可為一次寫入型光碟。一次寫入 型光碟，例如為具有依序形成透明性樹脂基板（有機基材）、 光資訊記錄層、金屬反射層、抗靜電膜之構造。 (實施例） ^以下，具體顯示本發明之實施例，惟，本發明並不因 實施例而受限定。 [導電性組成物] (製造例1)聚異戊二烯磺酸之合成 將171g(l莫耳）之異戊二烯石黃酸納溶解於功1的離 子父換水中，於8crc邊攪拌下，以2〇分鐘時間滴入預先 溶解於1Gml水中《丨均（請5莫耳）之過硫酸錄氧化劑溶 64 1303832 液’對此溶液攪拌12小時。 於付到之聚異戊二稀石黃酸鋼溶液中添加經稀釋成1〇質 量％的硫酸1000m卜用超據法將約ioo〇mi之聚異戍二稀 石黃酸納溶液除去，對殘液加入2〇o〇mi之離子交換水，再 用超渡法將約2_ml $容液除去。重複上述之超㈣作3 次0 再對得到的澹液添加約2_ml《離子交換水，用超 遽法將約2GGGmi溶液除去。重複此超遽操作3次。 超過濾條件如下（於其他例亦同）。 超過遽之截取分子量（molecular weight cut 〇ff): 3〇κ 交流式 供給液流量：3000ml/分 膜分壓：0.12Pa 將得到的溶液中之水予以減壓除去得到無色的固態 物。 (衣造例2)聚苯乙稀績酸之合成 將206g(1莫耳）之苯續酸鈉溶解於1〇〇_的離子交換 水中’於m：㈣拌下’以2G分鐘㈣滴人預先溶解於 陶水巾之莫耳）之過硫酸錢氧化劑溶液對 此溶液攪拌12小時。 於得到之苯續酸納溶液中添加經稀釋成1〇質量％的硫 酸1000ml與水l5000m卜用超濾法將約13〇〇〇如之聚苯^ 烯磺酸鈉溶液除去，對殘液加入12〇〇〇〗 丄 心雕于父換水， 再用超濾法將約13000ml溶液除去。重-μ 1硬上述之超濾操作 65 1303832 3次。 再對得到的濾液添加約12000ml之離子交換水，用超 濾法將約13000ml溶液除去。重複此超濾操作3次。 - (實施例1) ^ 將14.2g(0.1莫耳）之3,4_乙撐二氧基噻吩、與由 27.5g(0.15莫耳）之聚苯乙烯磺酸溶解於2000ml之離子交 換水中所成的溶液於20°C混合。 將如此得到之混合溶液保持於20°C，於攪拌下緩缓地 響 加入溶解於200ml的離子交換水之29.64g(0.1 3莫耳）之過 硫酸銨與8.0g(0.02莫耳）之硫酸鐵之氧化觸媒溶液，攪拌 3小時使其反應。 對得到的反應液添加2000ml的離子交換水，用超濾 法將約2000ml溶液除去。重複此操作3次。 然後，對經上述過濾處理的處理液加入200ml的稀釋 成1 0質量％之硫酸與2000ml之離子交換水，用超渡法將 約2000ml的處理液除去，對其加入2000ml之離子交換水， ® 用超濾法將約2000ml的液體除去。重複此操作3次。 再對得到的處理液加入2000ml之離子交換水，用超 濾法將約2000ml的處理液除去，重複此操作5次，得到 約1.5質量％的藍色聚苯乙烯磺酸摻雜之聚（3,4-乙撐二氧 基σ塞吩）。以其做為7Γ共輛系導電性高分子溶液A。 然後，對得到的7Γ共軛系導電性高分子溶液A 1 00ml 均一地分散0.56g之咪唑，得到導電性組成物溶液。又， 使用之成分示如表1。 66 1303832 以該導電性組成物溶液塗佈於玻璃上，於1 50°C之烤 箱中進行乾燥得到導電性組成物的塗膜。得到的塗膜之電 氣特性以下述之評估法進行評估。其結果示如表2。 [表1】 7Γ共軛系導電性 高分子 摻質 含氮芳香族性 環式化合物 實施例1 聚（3, 4-乙撐 二氧基噻吩） 聚苯乙烯磺酸 味°坐 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 1，2-二甲基 口东口坐 實施例6 實施例7 實施例8 吼〇定石黃酸 實施例9 聚異戊二烯磺酸 口米σ 坐 實施例10 聚°比口各 聚苯乙烯磺酸 口米嗤 實施例11 聚異戊二烯磺酸 比較例1 聚吡咯 聚丙烯酸 一 比較例2 聚（3, 4-乙撐 二氧基噻吩） 聚苯乙烯 續酸 — 比較例3 聚異戊二烯 續酸 一 比較例4 聚〇比口各 聚苯乙烯 石黃酸 —

(評估法） *電導度（s/cm): 用羅列斯特（三菱化學製）測定塗膜之電導度。 *電導度熱維持率（％) 用羅列斯特（三菱化學製）測定於溫度25°C的塗膜之電 導度R25B，將測定後之塗膜於溫度125°C環境下放置300 小時後，使該塗膜回復到溫度25°C，測定電導度R25A，將 此等測定值代入下式中，求出電導度熱維持率。又，此電 導度熱維持率為耐熱性的指標。 67 1303832 電導度熱維持率（％)=100 x r25A/r25B *電導度濕度變化率（％) ·· 測定於溫度25t、濕度6〇%RH的環境下塗膜的電導 ^ R25B，使測定後之塗膜於溫度80°C、濕度90%RH的環 兄下放置2GG小時後，使該塗膜回復到溫度、漏度 6〇%RH的環境下測定電導度R-，將此等測定值帶入；： 求出電導度濕度變化率(%)。又，此電導度濕度變化率； 耐濕性之指標。 ·馬 電導度濕度變化率(%)=10。x (R25b_R25a)/R25b [表2]

(貫施例2〜4) 用^施例1中得到之π共輛系導電性高分子溶 除了將貫施例1中的。米π 坐 j、、加里由〇.56g改為1.67g(實施 68 ‘1303832 例2)、2刀9g(實施例3)、5.57g(實施例句之外，係以與實 施例1同樣的作法得到導電性組成物的塗膜，進行評估。 其結果示如表2。 (實施例5〜7) 除了於實施例1中得到之100ml 7Γ共軛系導電性高分 子溶液A中，添加1,2-二甲基咪唑2.36g(實施例5)、3e93g(實 施例6)、7.67g(實施例7)代替咪唑之外，係以與實施例工 同樣的作法得到導電性組成物的塗膜，進行評估。其結果 示如表2。 、只方也例8) 除了於貫施例1中得到之1 〇〇ml冗共輛系導電性高分 合液Α中，添加1.3 g之吼σ定磺酸代替咪嗤之外，係以與 實施例1同樣的作法得到導電性組成物的塗膜，進行評估Υ 其結果示如表2。 (實施例9) 除了料苯乙料㈣為聚異紅婦錢2 ，^之外，係以與實施例丨同樣的作法，得到 . 心換雜之聚（3,4_乙撐：氧基㈣）溶液 2 水稀釋成1 5皙吾。/ ^ ^ /、从離子乂換 對、 共軛系導電性高分子溶液B。 對侍到的π共㈣導電性高分子溶液b 分散⑴g之㈣，得到導電性組成物 句一地 導電性組成物溶液塗佈於玻璃上，於15〇 =由以該 乾燥得到導電性組成物的塗膜。得到的塗父=進行 與實施例1同樣的方法進行評估。其結果^電乳特性以 69 1303832 (實施例10) 〜將6.8g(0.1莫耳）的吼洛、與由27 5g(〇 i5莫耳）的聚 苯乙烯磺酸溶解於2000ml的離子交換水中所成之溶液酽 合，冷卻至o°c。 ^ 將此混合溶液保持於Ot，於邊授掉下緩緩地加Μ 解於胸的離子交換权29.64g(013莫耳)之過硫酸： 與8.0g(0.02莫耳)之硫酸鐵之氧化觸媒溶液，攪、日士

使其反應。 T 對得到之反應液進行與實施例i同樣的處理，得 苯=稀掺雜之聚料溶液。將其以離子交換水稀釋成U 質置％作成為7Γ共軛系導電性高分子溶液◦。 對得到的π共㈣導電性高分子溶液c i編均一地 分散入K67g之口米0坐’得到導電性組成物溶液。缺後，以 =性::成物溶液塗佈於玻璃上，使塗膜於_之烤 二 ㈣到導電性組成物的塗膜。得到的塗膜之番 2以與實施例1同樣的方法進行評估。其結果示如： (貫施例11) 除之了將聚苯乙物改為聚異戊二稀始22g(015 石备酸摻雜之7以與ΐ施例1同樣的作法’得到聚異戊二烯 量％，、成二谷液。將其以離子交換水稀釋成質 里/〇作/π共㈣'導電性高分子溶液卜 :了:的π共軛系導電性高分子溶液D _ 刀政……。坐，得到導電性組成物溶液。然後二 70 ‘1303832 ’於150°c之烤箱中進 传到的塗膜之電氣特性 其結果示如表2。 。玄導電性組成物溶液塗佈於玻璃上 行乾燥得到導電性組成物的塗膜。 以與實施例1同樣的方法進行評估 (比較例1) 1Q_8g(0.15 莫耳）的 中所成之溶液混合 聚 將6.8g(0.1莫耳）的吡咯、與由 丙烯酸溶解於1000ml的離子交換水 冷卻至0°C。 將此混合溶液保持於〇它，於邊

^ K遠授拌下緩緩地加入溶 解於200ml的離子交換水之29.64Wn # • g( · 13莫耳）之過硫酸銨 與8.0g(0.02莫耳）之硫酸鐵之氢仆 文孰惑乳化觸媒溶液，攪拌3小時 使其反應。 對得到之反應液以氨水（25 f量％)調整為pHiQ之後， 以異丙醇沈澱，過濾、將過濾物以離子交換水洗淨3次。 將過遽物以lGGGml的離子交換水再分散，得到聚丙稀酸— 聚料膠體水溶液1後，將此聚丙稀酸—聚料膠體水 溶液塗佈於玻璃上，於15〇。〇之烤箱中進行乾燥得到導電 性組成物的塗膜。得到的塗膜之電氣特性以與實施例丨同 樣的方法進行評估。其結果示如表2。 (比較例2〜4) 將實施例1中得到之π共輛系導電性高分子溶液A(聚 苯乙稀續酸播雜之聚（3,4-乙撐二氧基噻吩）（PSS_ PEDOT))、貝&例9中得到之冗共輛系、導電性高分子溶液 Β(聚異戍二稀績酸摻雜之聚（3,仁乙撐二氧基噻吩）（pips_ PEDOT))、ι &例iG中得到之冗共輛系、導電性高分子溶液 71 1303832 C(聚苯乙烯摻雜之聚吡咯（PSS-PPY))，以其原有的狀態分 “別塗佈於玻璃上，於15CTC之烤箱中進行乾燥得到導電性 •組成物的塗膜。得到的塗膜之電氣特性以與實施例1同樣 . 的方法進行評估。其結果示如表2。 (實施例12) 於實施例1中得到之100ml 7Γ共軛系導電性高分子溶 液A中，添加3 · 1 6 g之N -乙烯味唾代替味吐來得到；r共輛 系導電性高分子溶液D。用7Γ共軛系導電性高分子溶液D， • 以與實施例1同樣的作法得到導電性組成物的塗膜，進行 評估。其結果示如表4。 又，實施例12〜24中所使用之7Γ共軛系導電性高分子、 含氮芳香族性環式化合物、交聯性化合物示如表3。 [表3】 7Γ共輛系導電性兩 分子 含氮芳香族性 環式化合物 交聯性化合物 實施例12 — 實施例13 N-乙烯咪唑 丙烯酸2-羥乙酯類 (UV聚合） 實施例14 丙烯酸2-羥乙酯類 (熱聚合） 實施例15 1 -婦丙基喃。坐 — 實施例16 聚（3, 4-乙撐 二氧化噻吩） 1 - (2-羥乙基)咪唑 一 實施例17 1-咪唑4-羧酸 一 實施例18 1-(2-羥乙基)咪唑 5-磺基 間苯二曱酸 實施例19 1-(2-經乙基）σ米唾 5-磺基 間苯二曱酸 實施例20 1-咪唑4-羧酸 乙二醇 實施例21 1-(2-羥乙基）咪峻 乙二醇 實施例22 2-乙烯吡啶 — 實施例23 一 實施例24 聚°比口各 Ν-乙烯咪唑 丙嫦酸 2-羥乙酯 72 1303832 (實施例13) 於貫施例1得到之1〇〇ml7r共軛系導電性高分子溶液 添加3.16g N-乙稀咪哇代㈣唾，並進一步添加3 〇g 小丙如酸2-經乙醋、〇.〇lg之叩仆經乙基）苯基]_2•甲基 揭Γ小綱（UV聚合起始劑）’除此之外係以與實施例1同 破^乍法得到導電性組成物溶液。然後，將此溶液塗伟於 機、隹/於100 c的烤相中將水除去後’藉由紫外線照射 ^仃紫外線照射得科電性組成物的塗膜，進行評估。 異結果示如表4。 (貫施例14) A / 、施例1彳于到之100ml兀共軛系導電性高分子溶液 :加3.16g Ν_乙烯㈣代替㈣，並進—步添加3〇g 丙稀k 2-經乙自旨、〇 02g之過硫酸銨（熱聚合起始劑），除 之外係以與實施μ 1同樣的作法得到導電性組成物之塗 娱，進行評估。其結果示如表4。 (實施例15) _ 冷、了於““列1得到t 100ml 7Γ共軛系導電性高分子 逝每A中/4、加3.83g之κ烯丙基咪唑代替咪唑之外，係以 人貫施例1同樣的作争 乍套传到導電性組成物之塗膜，進行評 古。其結果示如表4。 (實施例16) 除了於實施例1 Ρ & 冷y Λ 传到之1 ττ共軛系導電性高分子 令液Α中添加3·97 〜 — 經乙基）ρ米哇代替味唾之外， 行1仕Λ ^例1同樣的作法得到導電性組成物之塗膜，進 订评估。其結果示如表4。 73 1303832 (實施例17) 除了於實施例1得到夕1πη ， u / 溶液A中予加3 97…輕系導電性高分子 〜/ 咪唑_4_羧酸代替咪唑之外，俜以盘 只鉍例1同樣的作法得到導雪έ #榀 糸以與 其結果示如表4。 j導電性組成物之塗膜，進行評估。 (實施例1 8) 除了於實施例 1 6 p z, 溶液A中更進一牛夭/到之50★共輛系導電性高分子

係以盥實以〗 h2g《％磺基間苯二甲酸之外， 二;古：列1同樣的作法得到導電性組成物之塗膜，進 仃砰估。其結果示如表4。 土膜進 (貫施例1 9 ) 除了於實施例16搵不丨 溶液A中更進-㈣力Λ 心共㈣導電性高分子 之聚酉旨溶液（商品名：f_g之5^基間苯二f酸及2.〇g 之外’係以與實施例π特Z_561 ’互應化學公司製) 塗膜，進行評估。樣的作法得到導電性組成物之 /、w果示如表4。 (貫施例2〇) 除了於實施例η彳胃 、 溶液A中更進一牛、于之50ml冗共軛系導電性高分子 例17同樣的作法:之乙二醇之外’係以與實施 其結果示如表4。 ^導電性組成物之塗膜，進行評估。 (貫施例2 1) 除了於實施例16 溶液A中更推—也 于，J之5〇ml 7Γ共軛系導電性高分子 v添加〇.25g之乙二醇及L8g之聚胺醋溶 74 1303832 液（商品名：雷扎明d_4 係以與實施例16同樣的作=曰精化工業公司製)之外， 進行評估。其結果示如表4。㈣導電性組成物之塗膜， (實施例22) 除了於實施例1得刭夕ιλα 、、交y Λ山 之1 〇〇ml V共軛系導電性高八之 岭液A中添加1 ·8g之？ 7 α 刀子 係以與實施例1同樣的作法r :定代替Ν'乙烯味唾之外， 行評估。其結果示如表4。導電性組成物之塗膜，進 (實施例23) 除了於實施例1〇得 、、交、六p a , j之100ml疋共軛系導電性高分； 吟液C中添加4.73g之Μ 7 X , 门习子 L v N-乙烯咪唑代替1.67g之咪唑！ 4 其均一地分散之外，係 主並使 ^ ^ '、與貫施例1()同樣的作法得至,丨道 黾性組成物之塗膜，進弁 于到導 進订#估。其結果示如表4。 (實施例24) 於實施例10得到之 P ^ 之100ml7r共軛系導電性高分子溶淹 c中添加4.73g之N 7， 刀丁，合液 -地八„甘推·乙烯咪唑代替1.67g之咪唑並使其均 地分散’並進一步沃4工β a 以與實施例π)同樣的^ 經乙醋，除此之外，係 行評估。其結果示如表4得到導電性組成物之塗膜，進 75 1303832 [表4] 電導度 (S/cm) 電導度 熱維持率(％) 電導 濕度變化枭 . 貫施例12 382 54.3 ιο.Τ^- . 貫施例13 272 63.8 4.5^^、 貫施例14 實施例 365 9QA 61.0 cn 〇 2.5^—- 貫施例16 231 Ό (9 u 49.0 8. 9 ' ' 9.P 〜 實施例17 175 47.0 實施例18 235 85· 0 __ 貫施例19 134 89.0 3.T ^ __ 實施例20 實施例？1 325 974 79.4 - lTT^^ 貫施例22 179 bl. 0 49.3 5. 5 9. 3 - 實 —實％^[24 89 Ϊ43~~' 42.0 4^Γ5 一 8.7^^ 51 ^^- 含有ττ共軛系導電性高分子與摻質與含氮芳香族性琴 式化合物之實施例1〜24之導電性組成物之電導度皆高。 又’電導度熱維持率高、對溫度變動亦安定，於高溫高售 %境下電導度亦未上昇，可知耐濕性優異。尤其含氮芳香 族性環式化合物具有交聯性官能基之實施例12〜24的導電

性組成物，熱安定性高、且藉由與其他交聯性化合物併用 可更加提高安定性。 、相對於此，不含含氮芳香族性環式化合物之比較例i〜4 的導兒性組成物，電導度相較於實施例低2位數。且電導 度之熱維持率極小，電導度之濕度變化率大。 [電容器] (製造例3)導電 ^ 14.2g(〇.i 27.5g(〇丨5莫耳）之 性高分子溶液之調製 莫耳）之3,4-乙撐二氧基噻吩、與由 聚苯乙烯磺酸（分子量··約150000)溶解 76 ' 1303832 於2〇〇〇ml之離子交換水所成的溶液於川艽混合。 將如此得到之混合溶液保持於2〇 t，於攪拌下添加溶 解於200ml的離子交換水之29.64g(〇.13莫耳）之過硫酸銨 與8.〇g(〇.〇2莫耳）之硫酸亞鐵之氧化觸媒溶液，搜拌3小 時使其反應。 對得到的反應液進行透析，將未反應之單體、氧化劑 除去，得到含有約1·5質量％的藍色聚苯乙烯磺酸摻雜之 聚（3,4-乙撐二氧基噻吩）的導電性高分子溶液。 (製造例4)供電子性化合物溶液之調製 將7.79g之咪唑溶解於蒸餾水i〇〇ml中得到供電子性 化合物溶液。 (‘造例5 )供電子性化合物之調製 將i〇g之吡咯溶解於甲乙酮100ml中得到供電子性化 合物溶液。 (實施例25)

成圓周狀得到電容器元件。 然後， 於將電客器开.姓A 4厭、、夺、士 -..

4中所 乾燥2分鐘，接著， [勿溶液中後，以熱風乾燥機於12(rc 將電容器元件在減壓下浸潰到製造例 77 1303832 3中所調製的供電子性化合物溶液中後，以熱風乾燥機於 150 C乾燥1〇分鐘。然後，重複進行5次於導電性高分子 >谷液之浸潰，在介電體層表面形成含有冗共軛系導電性高 分子之固體電解質層。 然後，將形成有固體電解質層之電容器元件裝填於鋁 益中’以密封橡膠密封，製作成電容器。 對製作成之電容器，用LCZ測定器2353(NF電路設計 卜洛克公司製）測定於120Ηζ之靜電電容、於1〇〇kHz之等 效串聯電阻（ESR)的初值、於125。〇、1〇〇〇小時後之。 其等之結果示如表5。又，ESR為阻抗之指標。 [表5] 實施例25 ΛΠ Ο 實施例26 比較例5 ESR(mQ) 初期 125°C、1000 小時猞— 4 ί. 〇 *"' ------ 15 21 46. 2 3.4 22 厂31 587 1035 (實施例26)

除了用製造例5調製的供電子性化合物溶液之外，係 以與實施合"5同樣的作法製得電容器。然後，以與實施 例25同樣的作法進行評估。評估結果示如表$。 (比較例5) 除了於實施例25的雷交哭+希j ^丄丄 ^ 电#裔之製作中未將電容器元件浸 〆貝於供電子性化合物溶液 ,,^ 夜中之外，係以與實施例25同樣 勺作法製作成電容器。鋏徭 — , …、设 以與貫施例25同樣的作法 進仃評估。評估結果示如表5。 於介電體層表面塗佈供恭 种仏％子性化合物之實施例25及26 78 •1303832 之電容器，其靜電電容高、ESR低（阻抗低）。而且可防止 加熱後ESR之降低，耐熱性亦優。 相對於此，於介電體層表面未塗佈供電子性化合物的 比較例1之電容器，其靜電電容低、ESR高（阻抗高）。又， 加熱後，ESR大幅上昇，耐熱性低。 (製造例6)導電性高分子溶液之調製 將14·2§(〇·1莫耳）之3,4-乙撐二氧基噻吩、與由 27.5g(0.15莫耳）之聚苯乙烯磺酸（分子量：約15〇〇〇〇)溶解 於2000ml之離子交換水所成的溶液於2〇它混合。 將如此得到之混合溶液保持於2(rc，於攪拌下添加溶 解於200ml的離子交換水之29.64g(〇13莫耳）之過硫酸銨 與8.0g(〇.〇2莫耳）之硫酸鐵之氧化觸媒溶液，攪拌3小時

使其反應。 T 對得到的反應液進行透析，將未反應之單體 除去，得到含有約1.5質量％的Ιέ色n 月 取 貝里曰]|色聚本乙烯磺酸摻雜之 ♦ (，4-乙撐二氧基噻吩）的溶液。然 _仏\ 说 Λ 2.79g之咪唑均 一也为散於此溶液l〇〇ml中得到導電性高分子 行7Γ共軛系導電性高分子之性能 / / T 1石以侍到之導電性 匀子溶液塗佈於玻璃上，使其於 ° 、文品，V厂ώ 20c之熱風乾燥機t乾 本形成厚度2⑼之導電膜，用羅列斯特( 定塗膜之電導度。其結果示如表6。 曼化子幻測 79 1303832 [表6] 實施例27 (製造例6) 實施例28 比較例6 比較例7 靜電電容 UF) 47.5 47.2 48.1 48.3 電導度 (S/cm) 420 610 3 20 ESR 初期 5 4 48 35 (mQ) 125°C、1000 小時後 7 7 579 864 (實施例27) 於將陽極導線端子連接到經蝕刻的鋁箔（陽極箔）後， 於己二烯酸銨10質量％水溶液中進行化學反應處理（氧化 處理），於鋁箔表面形成介電體層，得到電容器中間體。 然後，使電容器中間體、與熔接著陰極導線端子的相 對t之鋁陰極箔進行積層，將其捲繞作成為電容器元件。 此％，於電容器中間體之陽極箔與陰極箔之間夾著分隔

於使電容器元件浸潰於製造例6所調製的導電性高分 :溶液中後，以熱風乾燥機於12(rc乾燥，在電容器中間 月|的介電體層側表面形成固體電解質層。 然後：將形成有固體電解質層之電容器元件與電解液 -酸氫銨20質量乙二醇8〇質量％溶液裝填於鋁盒 ，以密封橡膠密封，製作成電容器。 對製作成之電容器，用ΤΓ7、、則中 卜 用LCZ測疋态2345(NF電路設計 〆克公司製）測定於12〇Hz之轉雷雷^ 效由磁 <、之靜電電谷、於100kHz之等 又串聯電阻（ESR)的初值、 別初值、於125C、1〇〇〇小時後ESR。 80 1303832 _ (實施例28) 、、將陽極導線端子連接到經蝕刻的鋁箔（陽極箔）後， .於己二烯酸銨10質量❹/。水溶液中進行化學反應處理（氧化 處理），於鋁箔表面形成介電體層，得到電容器中間體。 ^ 然後，使電容器中間體、與熔接著陰極導線端子的相 對=之鋁陰極箔進行積層，將其捲繞作成為電容器元件。 此時，於電容器中間體之陽極箔與陰極箔之間夾著分隔 籲然、後，將上述電容器元件裝填於Μ中，對其以DttD各 之乙一醇30質量％溶液與咪唑之乙二醇2〇質量％溶液之 1 : 2的混合液浸透。然後，以對甲苯磺酸鐵之乙二醇⑺ 質量％溶液浸透，使吡咯進行化學氧化聚合。於聚合完成 後，水洗並乾燥，以密封橡膠密封，製作成電容器。 對製作之電容器，測定於12〇Hz之靜電電容、於1〇〇kHz 之ESR的起始值、於125t：、1〇〇〇小時後之esr。 又，以吡咯之乙二醇30質量％溶液與咪唑之乙二醇2〇 •貝里/)/谷液之1 · 2的混合液塗佈於玻璃上，然後，滴下對 甲笨續酸鐵之乙二醇1 0質量％溶液，使π比略進行化學氧化 聚合，進行水洗、乾燥而形成導電膜，測定該導電膜之電 導度。 其等結果示如表6。 (比較例6) 除了於製造例6的導電性高分子溶液之調製中未添加 咪吐之外，係以與實施例27同樣的作法製作電容器。 81 1303832 對製作之電容器，測定於120Hz之靜電電容、導電膜 之電導度、於100kHz之ESr的起始值、於 、 々、125 C、1〇〇〇 小日ττ後之E S R。其寺結果示如表6。 (比較例7) 除了於製造例2之電容器製作中未添加咪唑之乙二醇 2〇質量％溶液之外，係以與製造例2同樣的作法製作電容 器。 對製作之電谷益’測定於120Hz之靜雷雷六 〜茚电電谷、導電膜 之電導度、於l〇〇kHz之ESR的起妒佶、从 、 幻起始值、於125t、1〇〇〇 小時後之ESR。其等結果示如表6。 (實施例29) 除了於製造例6中得到的導電性高分子溶液之㈣改 ^.85g之乙稀㈣之外，係以與實施例27同樣的作 :=!表？與實施例27㈤樣的作法進行評估。其評估 實施例 11 68 實施例 實施例 _ 32 33 183 194 412 453 _ 10 9 12 12 [表7】 實施例 29 實施例 30 靜電電容 UF) 54 — 67 電導度 (S/cm) 435 412 ESR 初期 J_ (ιηΩ) 125°C、1000 小 時後 —---—. (實施例30) 於製造例6中得到的導電性古八7 同刀子溶液之咪口坐改為 82 1303832 U5g之乙歸味唾、並 酸錄，除此之外稀酸與〇.〇2g之過硫 器’並以與實施例27同；：、：㈤樣的作法製⑽ 示如表7。 羨的作法進行評估。其評估結果 (實施例3 1) 於製造例6中得到的導 如1，乙基味唾、並系加“…溶液之味哇改為 係以與實施例27同樣的 同樣:作法進行評估，估結果示以與實施例” (焉施例3 2 ) 於將陽極導Hi、* 於己二稀酸錢10質量妾^餘刻的㈣（陽極落）後， 處理），於銘進行化學反應處理（氧化 ㈣ 表面形成介電體層，得到電容器中間體。 導電性高分子溶液中;==到製造例30中所調製的 介電择思"主乾燥機於12(rc乾燥，在 體層側表面形成固體電解質層。 然後，在形成的固體電解質層上塗佈碳 、機於_乾燥後’再塗佈銀糊 燥機於乾燥形成陰極。 MU u熱風乾 器元:後陰極安裝t導線端子，將其捲繞作成為電容 著分隔片。：日”於電容器中間體之陽極箔與陰極箔之間夾 然後，將形成有固體電解質層之電容器元件裝填於錄 以密封橡膠密封’製作成電容器。對此電容器以與 83 1303832 實施例27同樣的作法 (實施例33)仃㈣。其評估結果示如表7。 於己-嬌：Γ導線為子連接到經蝕刻的鋁箔(陽極箔)後， 處—稀西^ 10質量％水溶液中進行化學反應處理（氧化 处里），於鋁箔表面形成介 风’丨電體層，得到電容器中間體。 …X ，製造例6中所得到的導電 改為3.85g之乙烯， 電“刀子浴液之味。坐 ! [4 〇 . 並添加l.4g之丙烯酸與O.Olg之 ^[4-(2-羥乙基）苯基]_2· δ ^ 子溶液。將電^ π φ „ 酮，彳于到導電性高分 將電谷裔中間體浸潰到此導電性言八 後，以熱風乾燥機於12〇〇c乾 门刀'合之 昭鼾嬙—此 乾々卞將水除去後，藉由紫外線 形成固體電解質層。 中間體之介電體層側表面 然後’在形成的固體雷艇暂 燥機於”心β 電解貝層上塗佈碳糊，以熱風乾 ^ 乾觫後，再塗佈銀糊形成導電層，以埶 燥機於12(TC乾燥形成陰極。 θ …、風乾 然後’於陰極安裝上導線端 器元件。 …子，將其捲繞作成為電容 此時’於電容器中間辦 隔片。 ”1體之知極泊與陰極箱之間夾著分 然後，將形成有固體電解質層之電容器元 :中，以密封橡朦密封，製作成電容器。對此電容哭以虚 貝把例27同樣的作法進行評估。其評估結果示如表” 於陰極之固體電解質層含右冬条 之與^… 廣3有3鼠方香族性環式化合物 之貝知例27、28及29〜33之雷交哭队1 之電谷盗，陰極之導電性優異， 84 1303832 等效串聯電阻低。而且，於實施例27中，由於係藉由導 電性高分子之塗佈、乾燥形成固體電解質層，故甚簡便。 又，陰極之固體電解質層中之含氮芳香族性環式化合物為 交聯狀態之實施例29〜33之電容器，靜電電容高且等效串 聯電阻低。 相對於此，於陰極之固體電解質層未含含氮芳香族性 環式化合物之比較例6及7之電容器，陰極導電性低而等 效串聯電阻高。 (製造例7)含有電子吸引性基增溶性高分子之合成 將丙烯腈50g與苯乙烯l〇g溶解於甲苯5〇〇ml中，加 入聚合起始劑之偶氮異丁腈h5g，於5〇t聚合5〇小時。 然後’將聚合生成之聚合物以甲醇洗淨。 (製造例8)含有陰離子基增溶性高分子之合成 *於離子交換水（100ml)中加入43.4g之甲基丙稀酸乙酉旨 嶒酸鈉（商品名：安托克斯，日本乳化劑公司製），邊攪拌 下保持於8G°C ’加人預先溶解於1Qml的離子交換水之 〇.叫之過硫酸铵與G.G4g之硫酸鐵所成的複合氧化劑溶 液後’保持於8 0 °C攪拌3小時。 反應完成後，使反應溶液冷卻到室溫，對其添加__ 之離子交換水，然後加人5G f量％硫酸水溶液％，再將 溶液濃縮至300ml。重複此操作4次。 …更進一步，加入200_之離子交換水並濃縮至湖^， 重複進行此#作直到滲透溶液成為巾性為止，將 縮溶液於烤箱中乾燥’得到甲基丙烯酸乙醋磺酸。， 辰 85 ' 1303832 ’ （製造例9)由具有陰離子基之成分與具有電子吸引性基 成分的共聚物構成之增溶性高分子的合成 將丙烯酸乙酯磺酸鈉4〇g與甲基丙烯腈2〇§加入乙腈 •與離子交換水（7 : 3)5〇〇ml中，於邊攪拌下保持於8〇t， .加入預先溶解於ιοπιΐ離子交換水中之〇.14g的過硫酸鉀與 〇.〇4g之硫酸鐵所成的複合氧化劑溶液後，保持於川它攪 掉3小時。 反應完成後，使反應溶液冷卻到室溫，對其添加1000ml 攀之離子交換水，然後加入50質量％硫酸水溶液3〇§，再將 溶液濃縮至300ml。重複此操作4次。 更進一步，加入2000mli離子交換水並濃縮至3〇〇mi， 重複進行此操作直到滲透溶液成為中性為止，將得到之濃 縮溶液於烤箱中乾燥，得到甲基丙稀酸乙醋石黃酸與甲基丙 烯腈之共聚物。 i (製造例1〇) φ具有陰離子基之成分與具有電子吸引 性基成分的共聚物構成之增溶性高分子的合成 將206g(l莫耳）之苯乙烯磺酸鈉溶解於由離子六 ，水'K)〇g乙腈、貞·g甲醇所成的混合溶劑中，得= 苯乙稀續酸納溶液。對得到之溶液加人刚g離子交換水、 400g乙腈、與33.5g(0.5莫耳）甲基丙烯腈溶解於⑽口 醇中所成的溶液，使其分散後保持於8〇t ^ 然後，U20分鐘的時間滴入預先溶解於水咖 i.i4g(o.G()5莫耳）過硫酸銨之氧化難液，㈣此溶液8 86 1303832 知然後，自與製造例2之同樣的方法得到之聚苯乙烯磺 -夂鈉14甲基丙烯腈共聚物溶液製得聚苯乙烯磺酸鈉-甲基丙 稀腈共聚物。 • [抗靜電塗料之調製] • (實施例34) 將製k例7之增溶性高分子丨〇g溶解於乙腈9〇g令， 加入3,4-乙撐二氧基噻吩5〇g與十八烷萘磺酸鈉2〇g，邊 冷卻至lot：，攪拌i小時。 對此溶液，保持於i t以2小時時間滴入由氯化鐵2 5 〇 g /合解於乙腈1250ml所成之氧化劑溶液，再繼續攪拌12小 日守使3,4-乙撐二氧基噻吩進行聚合。 、反二元成後，將2000 ml甲醇加入含有3,4-乙撐二氧 基嗟吩聚合物的溶液中，過遽、洗淨並滤出沈殿物，將此 沈澱物溶解於二甲基甲醯胺（DMF)作成2質量％濃度。於 此溶液1陶中混合以_ l lg，進行揽拌，得到抗靜電 塗料。 | 將此抗靜電塗料藉由逗點塗佈機塗佈於厚度25 #⑺的 PET膜上，進行乾燥，形成〇1#m的抗靜電膜。然後， 用岱亞儀器公司製之海列斯塔以Mcp_HTpi6探針測定此 抗靜電膜之10°C、15%RH《表面電阻值。並測定全光線 穿透率（JIS Z 8701)與濁度⑽κ 6714)。其結果示如表8。 87 -1303832 [表8] 實施例34 實施例35 實施例36 實施例37 比較例8 表面電阻值 (Ω) 2 X 1〇4 3 X 1〇6 2 X 103 3 X 105 8 X 107 全光線穿透率 (%) 90.1 86.3 90.5 98.5 90.0 濁度(％) 3.9 2.5 卜0.2 2.1 (實施例35) 將製造例7之增溶性高分子1 〇g溶解於乙腈90g中， 加入σ比洛5 0g、對甲苯石黃酸2〇g，邊冷卻至_2〇。〇，授拌1 小時。 對此溶液，保持於-20t:以2小時時間滴入由氯化鐵 250g溶解於乙腈丨250ml所成之氧化劑溶液，再繼續揽择 12小時使π比U各進行聚合。 於反應完成後，加入2000ml曱醇，過濾、洗淨並濾 出沈澱物，將此沈澱物溶解於二甲基甲醯胺⑴Μ。作成2 貝I /〇?辰度。於此溶液1 〇〇ml中混合以咪唑i ig，進一少 此合入熱塑性聚胺酯樹脂，進行攪拌，得到抗靜電塗料。 然後，對此抗靜電塗料以與實施例34之同樣的i作法進 行評估，結果示如表8。 (實施例36) 將製造例8之增溶性高分子1〇g溶解於水心中加 入3,4-乙撐二氧基噻吩，邊冷卻至，攪拌1】日士 對此溶液，保持於代以2小時時間滴人由氯㈣。购 溶解於水1250ml所成之氧化劑溶谅，旦繼綠 合液，再繼績攪拌12小時 使3,4-乙撐二氧基噻吩進行聚合。 88 1303832 於反應元成後’猎由超據法精制 赏I，將氧化劑殘渣、未 反應單體等除去，將濃度濃縮至2暂旦〇/ Z貝里/〇。於此溶液l00ml 中混合以味唑Ug，進行攪拌，得到抗靜電塗料。 然後，對此抗靜電塗料以與竇祐也丨α z 一只^例34之同樣的作法進 行評估。結果示如表8。 (實施例37) 將製造例9之增溶性高分子1〇g溶解於水9〇§中，加 入3,4-乙撐二氧基噻吩5〇g ’邊冷卻至吖，攪拌】小時。 對此溶液，保持於（TC以2小睥睥門治χ山1 — J吋日守間滴入由過硫酸錄 g溶解於水1250ml所成之氧化劑溶液，再繼續_ 小時使3,4-乙撐二氧基噻吩進行聚合。 於反應完成後，藉由超渡法精製，將氧化劑殘渣、未 :應单體等除去，將濃度濃縮至2質量％。於此溶液1〇0ml :混合以咪哇i.lg，並混合甲基丙稀酸婦丙醋，對該溶液 :°以硬塗膜成分之胺基甲酸酯系丙烯酸酯(根上工業公司 衣），進行攪拌，得到抗靜電塗料。 〃然後’對此抗靜電塗料以與實施例34之同樣的作 行評估。結果示如表8。 延 (比較例8) π ' 7於Λ &例34中未添加1Ή之外，係以與實施例36 同樣的」乍法進行評價。結果示如表8。 (實施例38) 27 ς將14·2§((Μ莫耳）之3,4-乙撐二氧基噻吩、與由 27.5g(〇.i5 草五、 咁 、 之聚苯乙烯礦酸溶解於2000ml之離子交 89 1303832 換水中所成的溶液於20°C混合。 將如此得到之混合溶液保持於2(TC，於攪拌下緩緩地 加入溶解於200ml的離子交換水之29.64g(0.13莫耳）之過 硫酸銨與8.0g(0.02莫耳）之硫酸鐵之氧化觸媒溶液，攪拌 3小時使其反應。 對得到的反應液添加入2000ml的離子交換水 濾法將約2000ml溶液除去。重複此操作3次

然後，對經上述過濾處理的處理液加入2〇〇ml的稀乘 成10質量％之硫酸與2000ml之離子交換水 約扇〇如的處理液除去，對其加入—之離子交=，、 用超濾法將約2000ml的液體除去。重複此操作3次。 2得到的處理液加人__之離子交換水， = ::〇編的處理液除去。重複此操作5次，得到 Λ嗟吻/里％的監色聚苯乙烯續酸摻雜之聚（3,4·乙撐二氧 …）。以其做為π共輛系導電性高分子溶液。 一地得到的導電性高分子溶液—均 對此抗靜·汾:§之Τ乙烯咪°坐’得到抗靜電塗料。然後， 黾主料以與實施例3 4同樣^] $ 評估結果示如表9。 ㈣的作法進行評估。其 ί表9】

90 1303832 (實施例39) 對實施例38中得到夕〗nn ，， 』之100〇1^共軛系導電性高分子溶 液’添加3.83g之1-(2-經乙基）味 二甲酸代㈣如得到抗靜電淨料^.叫之5_石頁基間苯 仇好電塗枓。然後，對此塗料以盥 貫施例34同㈣作法進行評估，其評估結果㈣表9/、 (實施例40) 對實施例38中得到之抗靜 …旨、。叫之心:广， 心乙氧基）苯基]_2_羥基甲 小丙小嗣（UV聚合起始劑），得到抗靜電塗料。 土 然後’將此㈣電塗„由逗點㈣機塗料厚 // m的PET膜上，於ι〇〇。 、 的烤相中將水除去後，藉由紫 線照脚射紫外線得到塗膜。然後 ： 性以與實施例34同樣的作法進行評估，其結果示如表: (實施例41) 對實施例38中得到夕, 之100ml π共軛系導電性高分子溶 液，添加3.83g之合 口口名：雷扎明D_4〇8〇， ^ 咪。坐，得到抗靜電"Λ 製）代替N_乙稀 土枓。然後，對此塗料以與實施例34 樣的作法進行評估，其評估結果示如表9。 (實施例42) 37將M.^O·1莫耳）之3,4-乙撐二氧基嘆吩、與由 莫耳）之聚苯乙烯磺酸·聚曱基丙烯腈共聚物溶解 於2500ml之離子 又換艰T所成的溶液於20°C混合。 將如此得到之混人 % σ，合液保持於2〇r，於攪拌下緩緩地 91 1303832 加入溶解於200mi的離子交換水之29 64g(〇.u莫耳）之馬 硫酸錢與8.Gg(G.G2莫耳）之硫酸鐵之氧化觸㈣液= 4小時使其反應。 + 對得到的反應液添加入3〇〇〇ml的離子交換水，用超 濾法將約3000ml溶液除去。重複此操作3次。 ° 然後，對經上述過濾處理的處理液加入2〇〇mi的稀釋 成質量％之硫酸與3_ml之離子錢水，用超據法將 約3〇00mI的處理液除去，對其加入3〇〇〇mi之離子交換水 用超遽法將約3000ml的液體除去。重複此操作3次。 再對得到的處理液加入3〇〇_之離子交換水，用超 慮法將約删ml的處理液除去。重複此操作$次， 約1.5質量％的藍色聚苯乙烯續酸推雜之聚（3,4-乙撐 基嗟吩）。以其做為；τ共輛系導電性高分子溶液。 然後’對得到的疋共幸尼系道φ ^ 、軛糸導電性尚分子溶液100ml添 口二叫之！♦經乙基）㈣與2叫之石黃基間苯二甲酸， ^均-地分散’得到抗靜電塗料。然後’對此抗靜電塗 表:與貫施例34同樣的作法進行評估。其評估結果示如 使用含有含氮芳香族性環式化合物之實施例ΜΑ之 ^靜電塗料，可得到確保透明 相對於此，使用未含有含氮芳香/電“的抗靜電膜。 8 , , 3虱方香族性環式化合物之比較例 勺抗靜電塗料，導電性低。 (實施例43)濾光器之製作 對在一面上積層有黏合層與被覆狀pET薄膜（薄膜 92 !3〇3832 ，材）的另—面施以電暈處理。然後’在該PET薄膜之電 軍處理而1、/、- 乂延點塗佈機塗佈實施例3 7的抗靜電塗料。乾 燥後，葬i * 積田向壓水銀燈之曝光使其硬化，形成兼作硬塗層 之抗靜電膜。 卜:、、;'後’在抗靜電膜上，以對内部有微細空孔的中空二 =匕石夕之乙醇分散液（觸媒化成工業（股）製，固體成分濃度 y 貝l%)8〇g加入乙醇42.0g所成之溶液進行塗佈。然 " 乾知’於io〇°C進行熱處理！小時，形成9〇inm的反 射防止層，.得到濾光器。 ΐ得到之;慮光裔、的可見光穿透率、濁度、表面電阻、 鉛筆硬度、密合性進行評估。 [可見光穿透率、濁度、表面電阻測定] 可見光穿透率為86·3%，濁度& 14%、表面電阻值為 3 X 105Ω 〇 又，其測定方法與於抗靜電膜之測定方法相同。 [錯筆硬度試驗] 用JIS S 6006中規疋之試驗用鉛筆，依照JIS κ ⑼ 測定負荷為9.8N時完全夫右也丨m &成& % 了 το王禾有到傷的硬度，得鉛筆硬度為 2H。 [密合性試驗] 依據棋盤格膠帶（JIS K 5400)法進行密合性試驗。 具體而t，係於光學膜之反射防止層财面用刀具以 1mm間隔切入縱橫各11條之切縫(共計形成1〇〇個正方形 的方格）。以黏合膠帶貼於其上後，將其剝豸，計算殘留在 93 1303832 PET膜上的方格數目。其結果，於此光學膜，1〇〇個方格 全部殘留著（100/100)。 亦即，此光學膜有充分的硬度，且透明性、抗靜電性、 與基材之密合性皆優異。 (實施例44)光資訊記錄媒體之製作 在藉由射出成形形成的圓盤狀之聚碳酸酯基板上，藉 由錢鑛法形成第1介電體層之300nm的Ta2〇5、形成光資 訊記錄層之50〇11111的Tb-^層、形成第2介電體層之3〇〇nm 勺Τ〜〇5、並形成金屬反射層之1 的铭層。然後，在 金屬反射層上以逗點塗佈機塗佈實施例37之抗靜電塗料， 乾燥後，藉由高壓水銀燈之曝光使其硬化形成兼作硬塗層 之抗靜電膜，得到光資訊記錄媒體。對此光資訊記錄媒體 如下述般進行評估。 [表面電阻測定、鉛筆硬度測定、密合性測定] 人只知例43同樣地進行表面電阻測定、鉛筆硬度測 ，、密合性測定之下’得到：此光資訊記錄媒體之表面電 二：為3 X 1〇5Ω，抗靜電膜之鉛筆硬度為π，於密合性 忒馱中100個方袼完全殘留著。 [穿透率測定] 就光資訊記錄媒體之綠 7〇π 之靖取用雷射二極體的發光波長之 78〇nm 與 635nm 之 定。其纟士莫，於7 电膜的牙透率用分光光度計進行測 /、、、、〇果’於78〇nm之空、凑方从 透率為98.6%。 牙透率為98.9%，於635_之穿 亦即 此光貧訊記錄媒體 於波長780nm與635nm 之透 94 1303832 明性優異’且抗靜電性、耐刮傷 合性皆優異。 抗砰電膜與基材之密 (產業上可利用性） 本發明之導電性組成物可利 、 膜、電磁波隔絕材料、須透明性之導*材=塗料、抗靜電 導電性接合材料、感應器、電子元件^ 電池材料、 靜電式複印構件、印表機等之感光構件棘广導電材料、 印物、移送構件、電子照相 、中間轉 1分#丄 例了十寺之須導電性各種用途。 ’依據本發明，可簡便地樂』 电一 間便地“陰極導電性高、阻抗(等效 串耳外笔阻）小的電容哭。再. ^ ^ ^ 合°〇冉者，依據本發明，僅藉由塗佈抗 I:料即可形成導電性、可撓性、與基材之密合性皆高 ^砰甩膜，由於使用少量的抗靜電塗料可發揮充分的抗 靜雷柯 、☆故可廉價地製造。此抗靜電塗料及抗靜電膜可利 ;抗靜電膜、抗靜電片、濾光器、光資訊記錄媒體等之 須抗靜電的各種領域。 【圖式簡單說明】 ° 1為表示本發明之電容器之一實施形態例之截面 圖0 圖2為表示本發明之濾光器之一實施形態例之截面 圖。 圖3為表示本發明之光資訊記錄媒體之一實施形態例 之截面圖。 【主要元件代表符號】 1〇 電容器 95 1303832

11 陽極 12 介電體層 13 陰極 13a 固體電解質層 13b 陰極導電層 20 濾光器 21 薄膜基材 22 ^ 36 抗靜電膜（硬塗層） 23 反射防止層 30 光資訊記錄媒體 31 透明性樹脂基板 32 第1介電體層 33 光資訊記錄層 34 第2介電體層 35 金屬反射層

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Claims (1)

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十、申請專利範面·· 電性1r八—種導電性組成物，其特徵在於，含有疋共輛系導 刀子、摻質與含氮芳香族性環式化合物。 其中，該 細2·如申請專利範圍第1項之導電性組成物 摻質為有機磺酸。 其中，該 3.如申睛專利範圍第2項之導電性組成物 機磺酸為含磺基增溶性高分子。 其中，該 人〆·如申请專利範圍第！項之導電性組成物六丁，綠 =芳香族性環式化合物係於其氮原子導人取代基形成陽 之含氮芳香族性環式化合物。 〃 5·如中請專利範圍第1項之導電性組成物，其中，含 鼠方香族性環式化合物為經取代或未經取代之㈣類。 〜6· %申凊專利範圍帛i項之導電性組成物，其中，含 鼠方香族性環式化合物為經取代或未經取代之吼咬類。 • 7.如申"月專利範圍帛1項之導電性組成物，其中，該 含氮芳香族性環式化合物具有交聯性官能基。 8·如申明專利|&圍帛7項之導電性組成物，其進一梦 含有交聯性化合物。 々9· 一種導電性交聯體，其特徵在於，係對申請專利範 圍第7項之導電性組成物進行加熱及/或紫外線照射而形成 者。 1〇· 一種電容器，具有：閥用金屬（valve metal)之多孔 質體所構成的陽極、該陽極表面經氧化形成之介電體層、 與配置於該介電體層上之陰極（具備含冗共㈣導電性高分 97 1303832 子之固體電解質層）；其特徵在於， 具有含供電子性元素之供 該介電體層與該陰極之間。 口物層’其配$於 子性Γ合:=?圍第10項之電容器，，該供電 子!·生化“勿層之供電子性元素為 至少1種。 L虱石爪、磷中之 12·如申請專利範圍第1()項 羊拇#八榀s < 兔谷态，其中，該供電

子生化Θ物層之供電子性化入 物為選自吡咯類、噻吩類、 呋喃類中之至少丨種。 力 U·如申請專利範圍第1〇 电夺态，其中，該供電 子性化合物層之供電子性化合物為胺類。 ,14. 一種電容器之製造方法，其特徵在於，具有下述 使閥用金屬乡孔質體所構成的陽極表面氧化以形成介 電體層； 於該介電體層表面塗佈含有供電子性元素之供電子性 化合物以形成供電子性化合物層； 於Α供電子性化合物層表面形成含有V共輛系導電性 高分子之固體電解質層。 1 5 ·如申請專利範圍第14項之電容器之製造方法，其 中’該形成固體電解質層之製程，包含下述製程：在該供 電子性化合物層表面，塗佈含有π共輛系導電性高分子之 導電性高分子溶液。 16. —種電容器，係具有：閥用金屬多孔質體所構成 98

l3〇3832 r ----------- 日修浅)正替換頁 的陽極、該陽極表面經氧化形成之介電體層、與：成於該 ;丨電體層上之陰極者；其特徵在於， ^該陰極具備固體電解質層，該固體電解質層含有7Γ共 a系、電性同分子、摻質與含氮芳香族性環式化合物。 、丨7·如申w專利範圍第16項之電容器，其中，該陰極 進一步含有電解液。 18.如申δ月專利範圍第16項之電容器，其巾，該播質 為具有陰離子基之增溶性高分子。 * 19. ^申凊專利範圍第16項之電容器，其中，該含氮 方曰敎|± %式化合物為經取代或未經取代之味嗤類。 ^ U•如曱靖專利範圍第16項之電容器，其中， 方香族性環式化合物為經取代或未經取代之❸ 定類。 * 21 ’如申哨專利範圍帛16項之電容器，其中，該含氣 芳香族性環式化合物呈交聯狀態。 大 制22· 一種電容器之製造方法，其特徵在於，具有下述 製程··在電容器中間體（且古 ^ 極、與該陽極表面經氧化 霉成㈣ 面，塗佈含有π共輛夺導電二：體層)之介電體層表 挪乐v電性咼分子、摻質、 性％式化合物與溶劑之導電性高分子溶液來形成塗膜。矢 =如巾請專利範圍第22項之電容器之製造方法 4 ¥電性兩分子溶液中所含有之含氮芳香族性： a物具有交聯性官能基。 〈式化 中 24.如申請專利範圍第 该導電性馬分子溶液進 23項之電容器之製造方法，其 一步含有交聯性化合物。 99 1303832 曰修 25· —種抗靜電塗料，其特徵在於， 2電性高分子、具有陰離子基及/或電子吸引性基之增溶性 问刀子、含氮芳香族性環式化合物與溶劑。 其進一步 其進一步 其中，結 聚醯胺、 26·如申請專利範圍第25項之抗靜電塗料 含有摻質。 2入如申請專利範圍第25項之抗靜電塗料 含有結合劑樹脂。 28.如申請專利範圍第27項之抗靜電塗料 合劑樹脂為選自由聚胺酯、聚酯、丙烯酸樹脂 聚醯亞胺、環氧樹脂、聚醯亞胺矽_所構成群中之至= 種。 八如申請專利範圍第以項之抗靜電塗料，其中，該 3氮芳香族性環式化合物具有交聯性官能基。 30.如申凊專利範圍第29項之抗靜電塗料，其進一 + 含有交聯性化合物。 乂 ^ 種抗靜電膜，其特徵在於，係塗佈申請專利範 圍第25項之抗靜電塗料而形成者。 32: 一種抗靜電片，其特徵在於，具有基材薄臈與於 “土材薄膜之至少單面所形成之申請專利 抗靜電膜。 項之 33.-種滤光器’具有於薄膜基材或偏光板上依序形 電膜：Γ電膜、反射防止層之構成；其特徵在於，該抗靜 電膜係巾請專利範圍第31項之抗靜電媒。 34· -種光資訊記錄媒體，具有依序形成透明性樹脂 100 1303832 r----------一一―_____ ’ 似卜Γ/j呤嶋(動正替換頁, 基板、第1介電體層、光資訊記錄層；n… 屬反射層、抗靜電層之構造；其特徵在於，該抗靜電層係 申請專利範圍第3 1項之抗靜電膜。 * 35.如申請專利範圍第3 1項之抗靜電膜，係用於濾光 . 器。 36.如申請專利範圍第31項之抗靜電膜，係用於光資 訊記錄媒體。 • 十一、圈式： 如次頁。 101