TWI300987B - Solid-state image pickup device - Google Patents

Solid-state image pickup device Download PDF

Info

Publication number
TWI300987B
TWI300987B TW095138580A TW95138580A TWI300987B TW I300987 B TWI300987 B TW I300987B TW 095138580 A TW095138580 A TW 095138580A TW 95138580 A TW95138580 A TW 95138580A TW I300987 B TWI300987 B TW I300987B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
image pickup
semiconductor substrate
photodiode
pixel
Prior art date
Application number
TW095138580A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200707716A (en
Inventor
Mabuchi Keiji
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of TW200707716A publication Critical patent/TW200707716A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI300987B publication Critical patent/TWI300987B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

I3Q0987 九、發明說明： 本專利是在曰本於2002年5'月20日申請的日本專利案 號P2002· 144886，其在此是以引用方式併入本文。 【發明所屬之技術領域】 本發明通常係有關於當作各種不同影像感應器與攝影機 模組使用的固態影像拾取裝置。 【先前技術】 > 最近，影像攝影機與電子攝影機已達成明顯的商業成 果。這些攝影機典型是使用CCD類型或放大類型固態影像 拾取裝置。 在傳統固態影像拾取裝置方面，在單半導體晶片上，放 大類型固態影像拾取裝置（互補金屬氧化半導體（CMOS)影 像感應器）包括：一影像拾取像素單元，其是透過複數個二 維空間像素的配置而形成；及一周邊電路單元，其是配置 在影像拾取像素單元的外部。 | 影像拾取像素單元的每一像素包括用於傳輸、放大等的 漂浮擴散（FD)部份與各種不同MOS電晶體。光電二極體係 接收每個像素的入射光，並執行光電子轉換，藉此產生信 號電荷。傳輸電晶體是將信號電荷傳送給漂浮擴散部份。 放大電晶體係偵測在漂浮擴散部份的電位變化，然後將漂 浮擴散部份的電位變化予以轉換及放大成一電信號，藉使 每個像素信號經由信號線而輸出給周邊電路單元。 周邊電路單元包括：一信號處理電路，使來自影像拾取
O:\115\115221.DOC I3Q0987 素單元的像素仏號〶到預定信號處理，例如相關倍取樣 (CDS)、增益控制、類比/數位轉換等；及一驅動控制電路， 以驅動影像拾取像素單元的每一像素，並控制像素信號的 輸出例如，一垂直與一水平掃描器與一時序產生器（TG)。 圖11是傳統互補型金屬氧化半導體影像感應器的裝置結 構截面圖’其係顯示在周邊電路單元中提供的影像拾取像 素單元的一像素10的結構及一 M〇s電晶體2〇。 影像拾取像素單元的像素10具有在η型矽基板1上的一 p > 型井區域11、光電二極體12、及在ρ型井區域丨丨的一漂浮擴 散邵份13。在η型矽基板丨的上面隔離層2包括：一傳輸閘極 的多晶矽傳輸電極14，以將來自光電二極體12的信號電荷 傳送給漂浮擴散部份13 ;鋁或類似的金屬配線15與16，其 是在高於多晶矽傳輸電極14金屬配線的層；及一光遮蔽薄 膜17，該光遮蔽薄膜17具有用於光電二極體12的開口，以 在較高於金屬配線1 5與16的層來接收光。 透過氮化矽薄膜或類似形成的鈍態薄膜3是在上面的隔 > 離層2提供，而且在晶片的彩色濾光器18與在晶片的微透鏡 I9是在鈍態洋膜3提供。 周邊電路單元的MOS電晶體20具有：在η型矽基板1上的 一 Ρ型井區域21 ;及在Ρ型井區域21的一源極區域22與一沒 極區域23。在η型矽基板1的上面隔離層2包括：MOS電晶體 20的一多晶矽閘極24 ;比多晶矽閘極24金屬配線的層高的 鋁或類似金屬配線25、26、與27 ;及在鈍態薄膜3的鋁或類 似的金屬配線28，其係高於金屬配線25、26、與27。
O:\115\115221.DOC 1300987 在使用此組成的固態影像拾取裝置的每個像素方面，對 於光電二極體12的較高孔比（在光電二極體12的入射光與 在像素上的入射光比）而言，微透鏡19係經由電線之間的空 間而將在光電二極體12上的入射光濃縮。 然而，在此情況，透過微透鏡19濃縮的一部份光是經由 電線15與16反射。此會造成下列問題。 1)透過微透鏡19所濃縮光部份配線的反射會相對降低靈 敏度。 | 2)透過配線所反射的一部份光會進入一相鄰像素的光電 二極體，而造成色彩混合。 3) 既然配線設計受限制，所以配線不能置於光電二極 體’或厚配線不可以是路由衰減特性。 4) 在與第3)項相同理由將尺寸減少是較不容易。 5) 光傾斜進入在周邊部份的像素，因此能以較高速率反 射，在周邊部份造成較暗陰影。 6) 當CMOS影像感應器係經由包括更多配線層的進階 CMOS處理而產生時，從微透鏡到光電二極體的距離會增 加，而使前埠的困難度加重。 7) 如6)項的結果，進階CM〇s處理的程式庫是不能被利 用再者，私路设计是在程式庫註冊，由於在配線層限制 而增加面積、或增加成本的類似結果。而且，每個像素的 像素面積會增加。 此外 ¥例如紅光的長波長的光以較深於二極體12的位 置而受制於在P型井區域丨丨的光電子轉換時，結果電子是在
O:\115\115221.DOC 1300987 磉 % p型井區域π擴散，然後進入在不同位置的光電二極體12， 如此便造成色彩混合。當電子進入從黑色偵測的光遮蔽的 像素時，一黑色位準便會被錯誤偵測。 此外’在主動區域有使用矽化物的處理。既然矽化物會 阻礙光的入射，所以在光電二極體12上增加只對矽化物的 移除處理是必要的。此會增加及使處理步驟複雜化。在光 電二極體的缺點亦能透過處理步驟造成。 .如前述，CMOS影像感應器的周邊電路單元具有攝影機信 | 號處理電路、DSP等的功能，這些先前已在不同晶片上形 成。當他們的處理產生是從〇·4 μηι進階至〇·25 μπι、至〇18 μηι，而至〇·13 μιη時，如果CM〇s影像感應器本身不適於這 些新處理，較細密處理的利益便不能獲得，而且豐富CM〇s 電路程式庫IPs不能使用。 然而，隨著製程產生的進步，配線結構層數量已增加。 例如〇·4μϊη製程係使用三個配線層；然而，〇 ΐ3μιη製程是 使用八個配線層。而且，配線的厚度會增加，因此從微透 •鏡到光電二極體的光接收平面的距離會增加3至5倍。 因此，Ρ«光通過配線層而至光接收平面的#統方法， 光不能在像素的光接收平面上有效率濃縮，而且D至7)的問 題是更引人注意。 因此，鑑於前述的傳統問題，本專利提議製造應用於一 後表面入射類型CMOS影像感應器（參考例如日本專利案號 2002-76G81)的固態影像拾取裝置料。根據此建議（以下稱 為-先前專利），-配線層是在半導體基板的第一表面（前表
O:\115\115221.DOC 13.00987 邊 * 面)上提供’其中光電二極體是當作一影像拾取器元件，且 配置類似元件，而且光電二極體的光接 妖吹干面是在第二表 面（後表面）上提供。 根據先前專利的固態影像拾取裝置結構現將描述。 圖12是根據先前專利的在後表面人射類型影像感 應器的一裝置結構截面圖，其係顯示影像拾取像素單元的 一像素400的結構、與在周邊電路單元中提供的一 m〇s電晶 體500。在圖丨2, 一上面部份是一入射面（後表面）端， 一較低部份是一配線面（前表面）端。 CMOS影像感應洛在氧化碎薄膜層6iq中具有上述：個金 屬配線層330、340、與350,其中該氧化矽薄膜層61〇是在 支撐材料（玻璃樹脂或類似材料）600的基板上提供。在氧化 矽薄膜層6 10上提供的一矽層（n型矽基板）62〇包括上述的像 素400與MOS電晶體500。 像素400是在貫穿矽層62〇的狀態中形成的p型井區域 410A與410B之間的中間部份，透過在貫穿該矽層62〇的狀 悲中知:供一光電一極體420而形成。前述的漂浮擴散部份 210疋在P型井區域410A提供。如前述的一傳輸閘極312是在 光電二極體420與漂浮擴散部份21〇之間中間位置的氧化碎 薄膜層610提供。 MOS電晶體500是透過在氧化矽薄膜層61〇端上的η型碎 層620區域中提供一 ρ型井區域510而形成，以在ρ型井區域 510中提供源極/汲極（s/D)520A與520Β，而且在氧化矽薄膜 層610端上提供一閘極（多晶矽薄膜）53〇。
O:\115\115221.DOC -10- i3Q0987 一 P+型區域630是在n型矽層620提供，而且氧化珍薄膜 (Si〇2)640是在Ρ +型區域630提供。此外，銘或類似材料的光 遮蔽薄膜650是在氧化珍薄膜640上提供。光遮蔽薄膜65〇 具有對應光電二極體420的光接收區域的開口 650A。 雖然未在圖顯示，但是用以偵測一黑色位準的像素是在 類似圖12顯示像素400的裝置結構中形成。然而，光遮蔽薄 膜6 5 0的開口 6 5 0 A不是在用於偵測一黑色位準在像素光接 收區域中形成。如此，像素輸出信號可在未接收光而改變 > 成一黑色位準參考信號。 當作一鈍態層的氮化矽薄膜（SiN)660是在光遮蔽薄膜 65 0上提供。此外，在氮化矽薄膜660上，一彩色濾光器67〇 與一彳政透1¾ 6 8 0疋配置在對應影像拾取像素單元區域的晶 片上結構。 形成此一CMOS影像感應器的晶圓是透過化學機械拋光 (CMP)而磨党’所以梦層620具例如約1 〇 μιη的薄膜厚度。 從光頻率特性的觀點，想要的薄膜厚度範圍於可見光是 ，從5 μιη至15 μιη ;於紅外線是從15 μιη至50 μηι ;且於紫外 線區域是從3 μιη至7 μπι 〇 不像似配線，光遮蔽薄膜650能使用只考慮光學因素來設 計。只有光遮蔽薄膜650是在從微透鏡680到光電二極體420 區域來形成一金屬層。此外，從光電二極體42〇的光遮蔽薄 膜650的高度是例如低到約〇;5 μπι，此是氧化矽薄膜64〇的 厚度。因此，不像似前面傳統範例，由於金屬配線反射的 光濃縮限制可免除。
O:\115\115221.DOC -11 - 1300987 在此一固態影像拾取裝置，光電二極體的一光接收表面 是透過拋光半導體基板的後表面側而形成。在此情況，想 要的是形成影像拾取像素單元的每個裝置的P型井區域會 到達半導體基板的拋光後表面，而且在光電二極體的（光接 收表面側上）下是沒有p型井區域。 然而，對於半導體的穩定拋光而言，10 μιη或包括邊緣的 更大厚度是想要的。而且，從紅光的靈敏度觀點，在此階 數上的基板厚度是想要的。
因此’如圖12所示，例如，ρ型井區域41〇Α與41〇β需要 在貫穿具有10 μπι或更大薄膜厚度的矽層620狀態中形成。 然而，在半導體基板中，將Ρ型井區域形成10 μιη或更大深 度是有問題的，在於它需要進階的製造技術。 對於人較小尺寸々像拾取裝置晶片有關的光電二極體的 -些μΓη平方或更少的較小面積亦有要求。在此情況，光電 二極體在半導體基板深度方向會變成非常長與窄；如此， 需要如圖12顯示的形成-較長與較窄光電二極體420的處 理。因此’進階製造技術在此情況亦需要。 附Τ地，即使當影像拾取像素單元的ρ型井區域形成，如 此不會到達半導體基板後 便的後表面邵份，固態影像拾取裝 置的操作本身是可能的。炊 .^ _ …、而，在+導體基板後表面光入 射上的淺區域中，透過光雨 ^ 、尤包子轉換產生的電子不必林合進 入最接近的光電二極體， # '曰 ^ 擴政並進入另一光電二極體。此 會造成色彩混合的問題及降低解析度。 因此，本發明的一目 的疋在後表面入射類型固態影像拾
O:\115\115221.DOC -12· 13〇09§7 取裝置中透過使用一淺p型井區域來確保穩定製造時，能提 供固態影像拾取裝置、及其製造之方法，使它可避免色彩 此合與降低解析度。本發明的其他目的及優點可從下列說 明與詳細描述而更顯然。 【發明内容】 為了要達成上述的目的，根據本發明，提供的固態影像 拾取裝置特徵包含：半導體基板，其具有透過配置複數個 像素所形成的一影像拾取像素單元，其中每個像素包括一 .光黾轉換裝置、及二維空間陣列的讀取電路；一配線層， 其係經由將複數個配線層堆疊而形成，其中該等配線層包 括一#號線，以驅動在半導體基板的第一表面上的影像拾 取像素單兀，半導體基板的第二表面是以光電轉換裝置的 光接收平面形成；及電場產生裝置，以在半導體基板深度 方向中在半導體基板中產生電場，藉此將從半導體基板的 光接收平面端進入的光電子導到在半導體基板的第一表面 側上形成的光電轉換裝置。 B 此外，根據本發明，提供製造固態影像拾取裝置的方法， 固怨影像拾取裝置包括：一半導體基板，其具有透過配置 複數個像素而形成的一影像拾取像素單元，其中每個像素 包括在二維空間陣列的一光電轉換裝置與讀取電路；及一 配線層，其是透過將複數個配線層堆疊而形成，其中每個 配、、泉層包括用以在半導體基板的第一表面上驅動影像拾取 像素單元的一信號線，半導體基板的第二表面是以光電轉 換裝置的光接收平面形成，該方法特徵包含··用以提供電 O:\115\11522LDOC • 13 - 1300987 # 螓 場產生裝置一基板形成步驟，以在半導體基板深度方向的 半導體基板中產生電場，藉此將從半導體基板的光接收平 面端進入的光電子導到在半導體基板的第一表面側上形成 的光電轉換裝置。 隨著根據本發明的固態影像拾取裝置及將其製造的方 法，電場產生裝置的提供是在半導體基板深度方向的半導 體基板中產生電場，藉此將從半導體基板的第二表面（光接 收平面）進入的光電子導到在半導體基板的第一表面侧上 I 形成的光電轉換裝置。因此，即使當光電轉換裝置與一井 區域是在半導體基板的第一表面側上的淺區域形成，從半 導體基板的第二表面進入的光子能有效導到光電轉換裝 置。藉此控制靈敏度的降低與色彩混合。 因此，半導體基板的厚度不需要與光電轉換裝置與井區 域的深度一致，半導體基板因此能以正確的厚度形成，而 且光電轉換裝置與井區域可容易形成。藉此提供簡單與低 成本的後表面入射類型固態影像拾取裝置。 •【實施方式】 根據本發明的一固態影像拾取裝置的較佳具體實施例及 其製造方法將在下面描述。 根據本具體實施例的固態影像拾取裝置是一後表面入射 類型CMOS影像感應器，其在半導體基板（裝置形成層）的第 一表面上具有一配線層，其中光電二極體、讀取電路與類 似是配置在該半導體基板；及在第二表面的光接收平面。 在後表面入射類型CMOS影像感應器，光電二極體與在光電
O:\115\11522LDOC -14- 13Q09§7 二極體㈣的-p型井區域是置在不會到達基板後表面 (光接收表面）的-層結構’而且電場是在基板中形成，以將 從基板後表面（光接收表面）進入的電子導到光電二極體。 即疋，甚至在基板後表面上的光接收表面與光電二極體 與P型井區域之間距離的層結構，從基板後表面進入的電子 可透過在矽層中電場的導到能力而能有效前進，且能有效 導到對應每個像素入射區域的光電二極體，藉使電子避免 分散配置到相鄰像素。 藉此，對於形成具有與半導體基板相同薄膜厚度的光電 二極體與P型井區域的需要可免除。半導體基板可使用適當 的薄膜厚度形成，而且製造非常薄半導體基板的製造技術 困難度可免除。而且，在基板的淺區域足以形成光電二極 體與P型井區域。如此，可將製造操作簡化。 如在半導體基板中形成電場的方法範例，一濃度梯度是 預先在基板深度的方向提供，藉使電場能以固定方式形 成，或者’在基板後表面上提供負電位電極，所以電場可 > 經由電流通過而形成。 此外，從半導體基板後表面（光接收表面=第二表面）至半 導體基板的深度1/2或更大的區域是想要的，例如，用以產 生電場的區域。 本具體實施例的CMOS影像感應器將描述。 圖1是根據本發明具體實施例的CMOS影像感應器的輪廓 平面圖。圖2是顯示在圖1顯示的CMOS影像感應器像素結構 的一等效電路圖。 O:\115\115221.DOC -15- 1300987 Λ ♦ 在半導體晶片110上，根據本具體實施例的CMOS影像感 應器包括：一影像拾取像素單元112 ;垂直（V)選擇裝置 114 ;水平（H)選擇裝置116 ; —時序產生器（TG)118 ;取樣 與保持（S/Η)與CDS單元120 ; —自動增益控制（AGC)單元 122; —類比-數位（A/D)轉換單元124; —數位放大器單元 126 等。 影像拾取像素單元112具有以二維空間陣列形式配置的 許多像素。如圖2所示，每一像素包括：當作光電轉換裝置 > 使用的光電二極體（PD)200，以產生對應接收光量的信號電 荷、及儲存信號電荷；及四個MOS電晶體：一傳輸電晶體 220，用以將經由光電二極體200轉換及儲存的信號電荷傳 送給一漂浮擴散部份（漂浮擴散部份）210; —重置電晶體 230，用以重新設定漂浮擴散部份210的電壓；一放大電晶 體240，以輸出對應漂浮擴散部份210電壓的一輸出信號； 及一選擇（位址）電晶體250,以將放大電晶體240的輸出信號 輸出給一垂直信號線260。 B 在具有此一結構的像素，傳輸電晶體220是將透過光電二 極體200的光電子轉換所獲得的信號電荷傳送給漂浮擴散 部份210。漂浮擴散部份210連接到放大電晶體240的一閘 極。放大電晶體240是使用影像拾取像素單元112的外部提 供的固定電流源270而形成一源極隨耦極。因此，當位址電 晶體250導通時，對應漂浮擴散部份210電壓的電壓便會輸 出給垂直信號線260。 重置電晶體230是將漂浮擴散部份210的電壓重新設定成 O:\115\115221.DOC -16- 1300987 與#號電荷無關的一固定電壓（驅動在圖2顯示的範例的電 壓 Vdd) 〇 影像拾取像素單元112具有以水平方向配置的各種不同 配線，以驅動及控制M〇s電晶體。垂直選擇裝置114是以水 平線（像素列）單位而連續選取在垂直方向的影像拾取像素 單元112的像素。每個像素的M〇s電晶體是透過來自時序產 生器118的各種不同脈衝信號而控制。藉此每個像素的信號
可經由在每個像素欄的垂直信號線26〇而輸出給s/h與cds 單元120。 S/Η人CDS單元120疋透過在影像拾取像素單元11?的每 個像素攔提供一 S/Η與CDS電路而形成。3/11與（：1)§單元丨2〇 是將從影像拾取像素單元112的每個像素欄輸出的像素信 號加於例如CDS(相關倍取樣）等的信號處理。水平選擇裝置 116是將來自S/Η與CDS單$120的像素信號輸出給AGC單 元 122。 自動增益控制單元122可在來自水平選擇裝置ιΐ6所選取 S/Η與CDS單元120的像素信號上影響預定的増益控制，然 後將像素信號輸出給類比/數位轉換單元124。 類比/數位.轉換單元124是將來自自動增益控制單元122 的像素信號從類比信號轉換成數位信號，然後將數奸號 輸出給數位放大器126β數位放大器126可執行必要二放 大，及緩純㈣/數位㈣單元124輸㈣數位信號，用 以從未在圖式顯示的—外部端子輸出。 除了前述的影像拾取像素單元U2的每個像素之外 產生益118亦將各種不同時序信號供應給—些部份。
O:\115\115221.DOC I3p0987 圖3和圖4是根據本具體實施例的CMOS影像感應器的像 素設計特殊範例平面圖。首先，圖3顯示光電二極體、電晶 體的主動區域（配置氧化閘薄膜的區域）、閘極（多晶矽薄 膜）、與接觸的配置。如圖3的顯示，每個像素的一主動區 域3 00是經由一矩形區域310形成，其中該矩形區域310包括 如前述的光電二極體（PD)200與浮動擴散部份210、及從矩 形區域310的一角落延伸L形狀的彎曲帶形狀區域320。 在矩形區域310的浮動擴散部份2 1〇具有一接觸311。一傳 _ 輸閘極312是在光電二極體（Pd)200與浮動擴散部份210之 間提供，而且一接觸313是在傳輸閘極312的一末端部份提 供。 一重置閘極321、一放大閘極322、與一位址閘極323是以 此順序在彎曲帶形狀區域320提供。接觸324、325、與326 是分別在閘極321、322、和323的末端部份提供。浮動擴散 部份210的接觸3 11與放大閘極322的接觸325是透過在像素 中的金屬配線而連接。 _ 連接到重置vdd的一接觸327是在重置閘極321與放大閘 極322之間提供。連接到垂直信號線26〇的接觸328是在彎曲 帶形狀區域320的末端部份提供。 圖4顯示比圖3高的一層中的金屬配線及在主動區域間的 接觸。此範例具有三個金屬配線層。第一層是當作像素間 配線330使用，第一層是當作在垂直方向的配線340使用； 而且第三層是當作在水平方向的配線3 5 〇使用。 傳統上’這些金屬配線330、340、與350是被配置，如此 O:\115\11522LDOC -18 - I3Q0937 • 可避免光電二極體區域。此範例的明顯不同是金屬配線亦 在光電一極體的上面邵份提供（即是，與入設平面相反的表 面）。清楚知道，隨著配線避免光電二極體的傳統配線方 _ 法’設計如圖所示尺寸的像素是不可能的。 • 上述結構與在前述先前專利是普遍的。本具體實施例的 後表面入射類型影像拾取像素單元特徵的結構將在下面描 述0 本發明的第一具體實施例將描述。 • 圖5是根據本發明的第一具體實施例的在後表面入射類 型CMOS影像感應器中的一裝置結構截面圖，其係顯示在影 像拾取像素單元的一像素700中的光電二極體與傳輸閘的 結構。在圖5, 一上面部份是一入射平面（後表面）端；與一 較低部份是一配線平面（前表面）端。圖6是當作在圖5顯示的 CMOS影像感應器中的半導體基板（裝置形成層）使用的一 系基板範例截面圖。 如圖5的顯示，此範例的cM0S影像感應器具有在磊基板 _ 710的表面上形成的一配線層720。在配線層720中，透過多 層互接形成的各種不同配線721，一傳輸電晶體等的一閘極 722具有一中間隔離層。 氧化硬薄膜（Si〇2)730是在磊基板71〇的後表面上形成，以 形成一光入射平面。雖然在圖5省略，但是一光遮蔽薄膜、 一彩色濾光器、一微透鏡等是在氧化矽薄膜73〇上的一層提 供。 當作形成區域裝置的一P型井區域740是在磊基板710的
O:\115\115221.DOC -19- ί3〇09§7 前表面侧的淺區域中形成。Ρ型井區域740包括當作光電二 極體的光電子轉換區域的一η型區域750、及浮動擴散部份 的一 η+型區域760。傳輸電晶體的閘極722操作是將在光電 二極體的η型區域750中累積的輸出電荷傳送給浮動擴散部 份的η+型區域760。 如圖5，光電二極體的η型區域750與浮動擴散部份的η+ 型區域760是在磊基板710的前表面側的淺區域形成。ρ型井 區域740是在較低區域（在後表面侧的區域）移除，其中該較 丨低區域是從光電二極體的η型區域750延伸到浮動擴散部份 的η+型區域760。磊基板710的Ρ型磊層是配置在較低區域的 部份（因此’在圖5顯示的區段，Ρ型井區域740是以兩個分 開的Ρ型井區域740Α與740Β形成）。 磊基板710具有在基板710深區域（在後表面侧的區域）的 一相當咼濃度Ρ+型、及在基板71 〇淺區域（在前表面側的光 電二極體的附近區域）的一相當低濃度ρ類型的一蟲層，結 果透過離子培植或類似方式將雜質濃度調整。 •如此，在此範例中，一濃度梯度（從Ρ+型至ρ型）是預先在 磊基板710的深度方向提供，藉使電場能以固定方式形成。 圖5顯示的裝置結構製造方法然後將參考圖6描述。注 意’圖5的系基板710是與圖6上下颠倒。 首先，一Ρ型磊層711是在例如ρ型半導體基板或類似材料 的基板材料770表面上生長。ρ型磊層711的形成使得雜質濃 度會隨著圖6的向上接近（至表面）而降低。附帶地，只要基 板材料770允許磊生長，任何材料便能當作基板材料770使 O:\115\115221.DOC -20- Ι3()09§7 用。 透過使用此一基板（基板材料770與ρ型磊層711的構成基 板），例如電晶體、光電二極體、配線等的每個裝置能在ρ 型磊層711的表面建立。其後，基板會上下顛倒，基板材料 770端是接地以移除基板材料77〇 ;此外，ρ型磊層hi是拋 光成一預定薄膜厚度，藉此形成上述磊基板710。然後，氧 化矽薄膜730是在磊基板710的後表面上形成；此外，提供 光遮蔽薄膜、彩色濾光器、微透鏡等。 丨 如如述的第一具體實施例可移除對於在影像拾取像素單 元中製造一深Ρ型井區域740的需要，如此可使製造較容 易。第一具體實施例具有另一優點，此在於相同的井區域 能當作影像拾取像素單元的Ρ型井區域、與一周邊電路單元 的Ρ型井區域使用。 明確而言，在此範例，電場會由於濃度差而在ρ型磊基板 710中產生’藉使電場將由在ρ型蟲基板71〇的入射光的光電 子轉換所產生的電子（如圖5的電子780所示）導到光電二極 > 體（卩0)端。因此，甚至使用淺ρ型井區域，可避免電子進入 相鄰像素。 附τ地，透過與電子有關的光電子轉換產生的一孔口是 透過電場而導到後表面側。整體上而言，由於在後表面與p 型井區域之間的擴散結果’孔口是始終維持在一致性的狀 態。 在此情況’系層的達成是從後表面側的p+型改變成ρ型； 然而’只要雜質分配在磊層的相同方向造成電場，其他梯 O:\115\115221.DOC -21· 13陶7 度便可使用。例如，可使用p型至本質）型分配、一 p型對 11型分配、或1型對N型分配。而且，雖然是在基板材料77〇 接地而芫全移除的情況，但是當基板材料770足夠傳送想要 波形的光時，基板材料770不必然需要移除。 本發明的第二具體實施例將接著描述。圖7是根據本發明 的第二具體實施例的在後表面入射類型CM〇s影像感應器 中的一裝置結構截面圖，其係顯示光電二極體的結構與在 影像拾取像素單元的一像素7〇〇中的傳輸閘。在圖7，一上 面部份是一入射平面（後表面）端，而且一較低部份是一配線 平面（則表面）端。在圖5的通常元件是以相同的參考數字表 示，且將描述省略。 如圖7所示，此範例的CM〇s影像感應器在基板8〇〇後表面 上具有一電極810,其中一光電二極體與一 p型井區域是被 建亙。電場是透過將電流從一電源供應器82〇傳送給電極 810而在基板8〇〇中產生。 > 在圖7顯示的範例，可使用銦錫氧化物（IT〇)或類似材料 的透明電極810。透明電極81〇是配置在基板8〇〇的光接收區 域，且供應與Ρ型井區域74〇有關的一負電壓。 藉此在光電子漂移到光電二極體的方向產生電場，如此 可使它不容易讓光電子進入相鄰像素。因此，一淺井ρ型區 域740便允許形成。附帶地，透過與電子有關的光電子轉換 所產生的孔口會漂移到透明電極81〇端及吸收。 在此範例，使用接近基板8〇〇的本質半導體的一高電阻基 板疋想要的。此使它可充份降低電流從ρ型井區域74〇與類
O:\115\115221.DOC -22- I3〇09§7 似流到在後表面的透明電極81〇。明確而言，在1〇n 的 施體與受體之間差的基板是想要的（當然，此包括本質半導 體）。然而，此表示目前較不使用在半導體積體電路的濃度 基板。 為了要避免電子從透明電極810注入基板80〇,在透明電 極810與基板800之間插入一避免電子注入薄膜82ι亦是想 要的。附帶地，一淺P+層能如同避免電子注入薄膜821形 成，或具大帶間隙的無定形碳化矽或類似材料的半導體層 ► 可形成。 當提供避免電子注入薄膜821時，可使用一 n型高電阻基 板。明確而言，具10i5 cm-3或較少的施體濃度的基板是想 要的。然而，此濃度表示較不使用在目前半導體積體電路 的一低位準。此外，甚至在沒有此一避免電子注入薄膜 82 1 ’足以使透明電極本身具有p端的工作功能。 本發明的第三具體實施例將接著描述。圖8是根據本發明 ，第三具體實施例的在後表面入射類型CM〇s影像感應器的 一裝置結構截面圖，其係顯示光電二極體與在影像拾取像 素單元的一像素700中傳輸閘的結構。在圖8，一上面部份 是一入射平面（後表面）端，且一較低部份是一配線平面（前 表面）端。在圖5與圖7普遍的元件是以相同參考數字表示， 而且將描述省略。 如圖8所示，此範例的CM〇s影像感應器在建立光電二極 體與P型井區域的基板8〇〇後表面上的鋁或類似材料的金屬 電極840,其中一隔離保護薄膜83〇是在基板8〇〇與金屬電極
O:\115\115221.DOC -23- I3Q0987 840之間的中間物。電場是透過將電流從電源供應器82〇傳 送給金屬電極84〇而在基板8〇〇中產生。 金屬電極840的配置如此可避免在基板8〇〇的光接收區 域，及透過隔離保護薄膜830與一上面隔離薄膜85〇的包 圍。一彩色濾光器860與一微透鏡87〇是配置在上面隔離薄 膜 850 〇 藉此，在電子漂移到光電二極體的方向中的電場可產 生，如此，使它不容易讓光電子進入相鄰像素。因此，一 > 淺P型井區域740便允許形成。附帶地，透過與電子有關的 光電子轉換產生的孔口會漂移到金屬電極84〇端及吸收。 在此範例，既然金屬電極84〇的配置可避免光接收區域， 金屬屯極840亦可當作光遮蔽薄膜使用，以阻斷光通過於每 個像素所形成彩色濾光器的邊緣部份，並提供一像素，其 中正個光接收區域疋要將光遮蔽，以偵測一黑色位準。 圖8顯示彩色濾光器860與微透鏡87〇，以清楚描述金屬電 極840的配置；彩色濾光器86〇與微透鏡87〇的結構本身並沒 I 有特別不同於先前的範例。 而且，在此範例，於前述的相同理由，將一高電阻基板 或一η基板當作基板使用是想要的。在後表面上的電極84〇 與基板800之間提供一避免電子注入薄膜（隔離保護薄膜 830)亦是想要的。附帶地，因為#在後表面的電極被姑刻 時，避免電子注入薄膜亦能當作保護薄膜的功能，所以隔 離保護薄膜是以隔離保護薄膜8 3 〇描述。 在此範例的固態影像拾取裝置的安裝方法將接著描述。 O:\115\115221.DOC -24· Ι3〇09δ7 既然電極是在圖7與圖8的先前範例中的基板後表面上提 、所以以包裝或類似方式將固態影像拾取裝置安裝的方 法能提供如圖9顯示的結構。 月確而s，圖9顯示具有如圖7或圖8顯示在基板支撐材料 上/、有主要裝置單元（半導體基板與配線層部份）92〇 的固態影像拾取裝置_是在包裝的底板、或電路板97〇上 安裝的倒裝片。 如則述的一後表面電極95〇是在主要裝置單元92〇的頂端 丨 （後表面側）上提供，而且一彩色濾光器93〇與一微透鏡94〇 是在後表面電極950的頂端上提供。附帶地，雖然未在圖顯 示，但疋安裝一透鏡匣，使得透鏡能位於此一安裝的結構。 如在先前專利（圖12)的前述固態影像拾取裝置，基板支 撐材料910是在基板的前表面上提供，如此即使當基板透過 將後表面拋光而變薄，可維持某程度的力量。主要裝置單 元920是透過在基板支撐材料91 〇中提供的接觸配線9丨J而 連接到包裝底板或電路板9 7 0。後表面電極9 5 0係經由電線 > 接合960而連接到包裝部板或電路板97〇。 在此範例的固態影像拾取裝置中p型井區域的想要形式 將接著描述。在圖7與圖8的兩個前述範例，在電子漂移到 光電二極體（PD)方向的電場是在半導體基板中形成。 如在這些範例是普遍的P型井區域740的想要模式，有如 圖10顯示的形式。明確而言，P型井區域不是在光電二極體 (PD ; η型區域750)形成，而且在兩端上的p型井區域的74〇a 與740B的一開口 741A與741B在較接近後表面的部份是以 O:\115\115221.DOC -25- 1300987 車父大達成。藉使形成電場，而有助於電子流向光電二極體。 如建立p型井區域的此一形狀的方法，當p型井區域透過 複數個離子培植而將離子培植到不同深度而形成時，在使 用一分開遮罩的個別步騾中執行離子培植到一深度部份的 方法可使用。 此外，如另一想要的模式，避免反射薄膜是覆蓋在上面 與較低表面與配線端，以避免不規格的光反射，或具一高 光吸收比的材料使用在基板支撐材料、與包裝底板、或電 ► 路板。 如前述，根據具體實施例的固態影像拾取裝置，在後表 射頦土 CMOS必像感應益中，將電子導到光電二極體端 2電場是在半導體基板部份形成。因此，可提供具稍微色 ^昆合與稍微降低解析度的—優良固態影像拾取裝置，而 無需形成足以到達後表面的P型井區域深度。 、因此，不需要例如將半導體基板部份減少到等於P型井區 域深度的非常小厚度的困難製 I k處理，因此可實施穩定製 以。此外，即使當像素能以 、上 J達成，先電二極體不需要 在冰度万向以很長與較窄部份 4二|你主士 建成。因此，不需要減少與 較小像素有關的半導體基板部 Π切的；度。因此，減少像素 、、士立 J 且減少晶片尺寸亦可實施。 /王思，雖然在先前的具體 以分開的罝- 彳’固態影像拾取裝置是 以刀開的早疋描述，但是此一 例如夂始丁 n w U w心像拾取裝置可合併在 m各種不同數位攝影機裝置 其他通訊裝置的各種不同電子裝；凡式電話與各種不同 I置’以促成減少尺寸並增
O:\115\115221.DOC •26· Ϊ3_7 加電子裝置的效率；因此，本發明涵蓋此電子裝置。 、如上述’隨著根據本發明的固態影像拾取裝置及其製造 万法’電場產生裝置的提供可在半導體基板深度方向而於 半，導基板中產生電場，藉此將從半導體基板的第二表面 (光接收平面）進人的光電子導到在半導體基板的第一表面 側上形成的光電轉換裝置。因此，即使當光電轉換裝置與 井區域是在半導體基板的第一表面側上的淺區域形成，從 半導體基板的第二表面進入的光子可有效導到光電轉換裝 置。藉此控制降低靈敏度與色彩混合。 因此，半導體基板的厚度不需要符合光電轉換裝置與井 區域的深度，半導體基板因此可使用適當的厚度形成了而 且光電轉換裝置與井區域可容易形成。藉此提供簡單、低 成本、優良圖像品質的後表面入射類型固態影像拾取裝置。 此外，透過將此一固態影像拾取裝置合併到一電子裝 置，可將電子裝置的尺寸減少。 【圖式簡單說明】 圖1疋根據本發明具體實施例的一 CMOS影像感應器平面 圖； 圖2是顯示在圖1顯示的CM0S影像感應器像素結構的等 效電路圖； 圖3是在圖1顯示的CMOS影像感應器的像素設計具體範 例平面圖； 圖4是在圖1顯示的CMOS影像感應器的像素設計具體範 例平面圖； O:\115\115221.DOC -27- I3Q09§7 圖5是根據本發明的第一具體實施例的在後表面入射類 型CMOS影像感應器的一裝置結構截面圖； 圖6是使用在圖5顯示CMOS影像感應器的一磊基板截面 ' 圖； • 圖7是根據本發明的第二具體實施例的在後表面入射類 型CMOS影像感應器的一裝置結構截面圖； 圖8是根據本發明的第三具體實施例的在後表面入射類 型CMOS影像感應器的一裝置結構截面圖； _ 圖9是輔助說明以包裝或類似形式而在圖7與圖8顯示的 CMOS影像感應器安裝方法截面圖； 圖10是在圖5、圖7、與圖8顯示的CMOS影像感應器的一 P 型井區域的想要模式截面圖； 圖11是一傳統CMOS影像感應器的結構截面圖； 圖12是根據先前專利的一後表面入射類型CMOS影像感 應器的結構截面圖； 【圖式代表符號說明】 1 ^型矽基板1 2 上面隔離層 3 鈍態薄膜 10,400,700 像素 11，21，510,740,740A， P型井區域 740B 12,420 光電二極體 O:\115\115221.DOC -28- I3〇09§7
13,210 漂浮擴散部份 15，16,25,26,27,28 金屬配線 17 光遮蔽薄膜 18,670 彩色濾光器 19,680 微透鏡 20,500 金屬氧化半導體電晶體 22 源極區域 23 沒極區域 24 多晶咬閘極 110 半導體晶片 112 影像拾取像素單元 114 垂直（V)選擇裝置 116 水平（H)選擇裝置 118 時序產生器 120 取樣及保持、與關聯倍取樣單元 122 自動增益控制（AGC)單元 124 類比-數位（A/D)轉換單元 126 數位放大器單元 200 光電二極體 210 漂浮擴散部份 220 傳輸電晶體 O:\115\115221.DOC -29- 1300987
230 240 250 260 270 300 310 311，3 13,324,325, 326,328,327 312 312,722 320 321 322 323 330,340,350,721
410A，410B
520A
520B 530 600 重置電晶體 放大電晶體 位址電晶體 垂直信號線 固定電流源 主動區域 矩形區域 接觸 傳輸閘極 閘極 彎曲帶形狀區域 重置閘極 放大閘極 位址閘極 配線 P型井區域 源極 汲極 多晶矽薄膜 基板支撐材料 O:\115\115221.DOC -30- 13卿7 參 610 氧化矽薄膜層 620 矽層 630 P+型區域 640 氧化矽薄膜 650 光遮蔽薄膜 650A 開口 660 氮化矽薄膜 730 氧化矽薄膜 710 蟲基板 711 P型磊層 780 電子 720 配線層 750 η型區域 760 η+型區域 770 基板材料 800 基板 810 透明電極 820 電源供應器 821 避免電子注入薄膜 830 隔離保護薄膜 840 金屬電極 O:\115\115221.DOC 31 1300987 850 上面隔離薄膜 860 彩色濾光器 870 微透鏡 900 固態影像拾取裝置 910 基板支撐材料 911 接觸配線 920 主要裝置單元 950 後表面電極 960 電線接合 970 電路板 O:\115\115221.DOC -32-

Claims (1)

1300987 十、申請專利範圍： 1· 一種固態影像拾取裝置，其包含： • 一半導體基板，其包括一影像拾取像素單元，該影像 拾取像素單元具有複數個像素，其中該複數個像素係配 - 置成二維空間陣列，且每個像素包括一光電轉換裝置與 一讀取電路；一配線層，其係於該半導體基板將複數層 配線堆疊而形成，該等各層配線包括該影像拾取像素^ 元之驅動用信號線；於該半導體基板形成該光電轉 • 置之光接收平面； 该半導體基板係由磊基板所形成，並透過改變該磊基 板的磊濃度而在半導體基板的深度方向產生電場，且將 自該半導體基板之光接收平面入射之光電子導引到形成 於遠半導體基板之第一表面側之光電變換裝置。 2·如申請專利範圍第1項之固態影像拾取裝置，其中 該配線層係形成於該半導體基板的第一表面侧上，該 光廷吏換裝置之光接收平面係形成於該半導體基板的第 二表面側上。 3·如申請專利範圍第2項之固態影像拾取裝置，其中 該蟲基板的磊濃度係該磊基板之深度方向相異，該第 二表面側之區域的濃度係高於該第一表面側之區域之濃 度0 O:\115\115221.DOC
TW095138580A 2002-05-20 2003-05-20 Solid-state image pickup device TWI300987B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002144886A JP4123415B2 (ja) 2002-05-20 2002-05-20 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200707716A TW200707716A (en) 2007-02-16
TWI300987B true TWI300987B (en) 2008-09-11

Family

ID=29417089

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095138553A TWI300986B (en) 2002-05-20 2003-05-20 Solid-state image pickup device
TW095138580A TWI300987B (en) 2002-05-20 2003-05-20 Solid-state image pickup device
TW095138590A TWI315577B (en) 2002-05-20 2003-05-20 Solid-state image pickup device
TW092113586A TWI300985B (en) 2002-05-20 2003-05-20 Solid-state image pickup device

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095138553A TWI300986B (en) 2002-05-20 2003-05-20 Solid-state image pickup device

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095138590A TWI315577B (en) 2002-05-20 2003-05-20 Solid-state image pickup device
TW092113586A TWI300985B (en) 2002-05-20 2003-05-20 Solid-state image pickup device

Country Status (4)

Country Link
US (4) US7701029B2 (zh)
JP (1) JP4123415B2 (zh)
CN (1) CN1238903C (zh)
TW (4) TWI300986B (zh)

Families Citing this family (149)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7442629B2 (en) 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
US7057256B2 (en) 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
TWI289708B (en) 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
US7166878B2 (en) * 2003-11-04 2007-01-23 Sarnoff Corporation Image sensor with deep well region and method of fabricating the image sensor
JP4194544B2 (ja) * 2003-12-05 2008-12-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
US7075091B2 (en) * 2004-01-29 2006-07-11 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Apparatus for detecting ionizing radiation
US7342705B2 (en) 2004-02-03 2008-03-11 Idc, Llc Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US7855824B2 (en) * 2004-03-06 2010-12-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for color optimization in a display
JP2005259828A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP4779304B2 (ja) * 2004-03-19 2011-09-28 ソニー株式会社 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール
JP2006049834A (ja) * 2004-06-30 2006-02-16 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像素子およびその製造方法
JP4211696B2 (ja) * 2004-06-30 2009-01-21 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP4534630B2 (ja) * 2004-07-01 2010-09-01 ソニー株式会社 撮像装置、撮像素子及び撮像装置の制御方法
JP4534634B2 (ja) * 2004-07-05 2010-09-01 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP4599917B2 (ja) 2004-07-09 2010-12-15 ソニー株式会社 撮像装置
JP4403396B2 (ja) * 2004-07-13 2010-01-27 ソニー株式会社 撮像装置及び撮像素子の集積回路
JP4507769B2 (ja) 2004-08-31 2010-07-21 ソニー株式会社 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール
CN101010944B (zh) 2004-09-02 2010-06-16 索尼株式会社 摄像装置及摄像结果的输出方法
WO2006137866A2 (en) * 2004-09-17 2006-12-28 Bedabrata Pain Back- illuminated cmos or ccd imaging device structure
US7807488B2 (en) * 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display element having filter material diffused in a substrate of the display element
US8362987B2 (en) 2004-09-27 2013-01-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US7928928B2 (en) 2004-09-27 2011-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing perceived color shift
US7898521B2 (en) 2004-09-27 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device and method for wavelength filtering
US7710632B2 (en) 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having an array of spatial light modulators with integrated color filters
US7911428B2 (en) 2004-09-27 2011-03-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
JP4867152B2 (ja) 2004-10-20 2012-02-01 ソニー株式会社 固体撮像素子
US7038185B1 (en) * 2004-12-01 2006-05-02 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Camera for directly generating a gradient image
JP4725095B2 (ja) 2004-12-15 2011-07-13 ソニー株式会社 裏面入射型固体撮像装置及びその製造方法
US7342268B2 (en) * 2004-12-23 2008-03-11 International Business Machines Corporation CMOS imager with Cu wiring and method of eliminating high reflectivity interfaces therefrom
KR100610481B1 (ko) * 2004-12-30 2006-08-08 매그나칩 반도체 유한회사 수광영역을 넓힌 이미지센서 및 그 제조 방법
JP4967237B2 (ja) * 2005-01-28 2012-07-04 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP2006261638A (ja) 2005-02-21 2006-09-28 Sony Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
CN100442530C (zh) * 2005-02-21 2008-12-10 索尼株式会社 固态成像器件及其驱动方法和照相装置
US8049293B2 (en) 2005-03-07 2011-11-01 Sony Corporation Solid-state image pickup device, electronic apparatus using such solid-state image pickup device and method of manufacturing solid-state image pickup device
JP4979893B2 (ja) * 2005-03-23 2012-07-18 ソニー株式会社 物理量分布検知装置並びに物理情報取得方法および物理情報取得装置
CN100565890C (zh) * 2005-03-28 2009-12-02 富士通微电子株式会社 摄像装置
JP4654866B2 (ja) * 2005-03-30 2011-03-23 ソニー株式会社 容量性インピーダンスを持つ素子を駆動する駆動方法および駆動装置並びに撮像装置
TW201101476A (en) * 2005-06-02 2011-01-01 Sony Corp Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same
US7880787B2 (en) 2005-09-14 2011-02-01 Fujifilm Corporation MOS image sensor
JP2007081139A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Fujifilm Corp Ｍｏｓイメージセンサ
JP4752447B2 (ja) * 2005-10-21 2011-08-17 ソニー株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP2007123414A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Fujifilm Corp 固体撮像素子
US7749799B2 (en) 2005-11-15 2010-07-06 California Institute Of Technology Back-illuminated imager and method for making electrical and optical connections to same
JP5175030B2 (ja) 2005-12-19 2013-04-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
JP2007184680A (ja) * 2006-01-04 2007-07-19 Fujifilm Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP5006547B2 (ja) 2006-01-26 2012-08-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
US7586139B2 (en) * 2006-02-17 2009-09-08 International Business Machines Corporation Photo-sensor and pixel array with backside illumination and method of forming the photo-sensor
US7603001B2 (en) * 2006-02-17 2009-10-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for providing back-lighting in an interferometric modulator display device
JP4992446B2 (ja) * 2006-02-24 2012-08-08 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ
US8004743B2 (en) 2006-04-21 2011-08-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for providing brightness control in an interferometric modulator (IMOD) display
DE602007002018D1 (de) * 2006-06-28 2009-10-01 St Microelectronics Sa Von hinten beleuchtete Bildaufnahmevorrichtung
JP5009684B2 (ja) * 2006-06-30 2012-08-22 シスメックス株式会社 試料分析装置
JP4980665B2 (ja) * 2006-07-10 2012-07-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
KR100791336B1 (ko) * 2006-08-10 2008-01-07 삼성전자주식회사 이미지 센서 제조 방법
JP2008124086A (ja) * 2006-11-08 2008-05-29 Nec Corp 受光素子及びこれを搭載した光受信器
CN101600901A (zh) 2006-10-06 2009-12-09 高通Mems科技公司 集成于显示器的照明设备中的光学损失结构
US8872085B2 (en) 2006-10-06 2014-10-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having front illuminator with turning features
TWI413240B (zh) 2007-05-07 2013-10-21 Sony Corp A solid-state imaging device, a manufacturing method thereof, and an image pickup device
JP2008288243A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置
EP2166373B1 (en) 2007-07-03 2015-09-09 Hamamatsu Photonics K.K. Back surface incident type distance measuring sensor and distance measuring device
JP4971892B2 (ja) * 2007-07-03 2012-07-11 浜松ホトニクス株式会社 裏面入射型測距センサ及び測距装置
JP4751865B2 (ja) * 2007-09-10 2011-08-17 富士フイルム株式会社 裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法
JP5151375B2 (ja) 2007-10-03 2013-02-27 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法および撮像装置
US8058549B2 (en) * 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
CN101828146B (zh) 2007-10-19 2013-05-01 高通Mems科技公司 具有集成光伏装置的显示器
US20090126792A1 (en) * 2007-11-16 2009-05-21 Qualcomm Incorporated Thin film solar concentrator/collector
US8068710B2 (en) 2007-12-07 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Decoupled holographic film and diffuser
KR20100093590A (ko) * 2007-12-17 2010-08-25 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 후방 측 간섭계 마스크를 구비한 광전변환장치
KR101541544B1 (ko) 2007-12-26 2015-08-03 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법 및 촬상 장치
JP2009164385A (ja) * 2008-01-08 2009-07-23 Fujifilm Corp 裏面照射型撮像素子
JP4604093B2 (ja) * 2008-01-11 2010-12-22 富士フイルム株式会社 裏面照射型撮像素子及び裏面照射型撮像素子の駆動方法
KR101425619B1 (ko) 2008-01-16 2014-08-04 삼성전자주식회사 기판 표면 처리 방법, 이를 이용한 이미지 센서의 제조방법 및 이에 따라 제조된 이미지 센서
US7781798B2 (en) * 2008-01-17 2010-08-24 Sony Corporation Solid-state image pickup device and fabrication method therefor
KR101446330B1 (ko) * 2008-01-29 2014-10-02 삼성전자주식회사 관통 비아를 갖는 이미지 센서
EP2248189A1 (en) * 2008-02-12 2010-11-10 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Dual layer thin film holographic solar concentrator/ collector
JP5365033B2 (ja) 2008-03-12 2013-12-11 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2009238819A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Sony Corp リソグラフィー用マスクの作成方法、リソグラフィー用マスクデータの作成方法、裏面入射型固体撮像装置の製造方法、裏面入射型固体撮像装置および電子機器
US7898723B2 (en) 2008-04-02 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure
EP2279530B1 (en) * 2008-04-11 2013-06-26 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Method for improving pv aesthetics and efficiency
JP5134427B2 (ja) * 2008-04-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
EP2133918B1 (en) 2008-06-09 2015-01-28 Sony Corporation Solid-state imaging device, drive method thereof and electronic apparatus
JP4799594B2 (ja) 2008-08-19 2011-10-26 株式会社東芝 固体撮像装置およびその製造方法
JP2008294479A (ja) * 2008-08-25 2008-12-04 Sony Corp 固体撮像装置
JP2010056167A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
CN102187658B (zh) * 2008-08-28 2015-07-15 美萨影像股份公司 具有菊花链电荷存储位点的解调像素以及其操作方法
JP5374980B2 (ja) 2008-09-10 2013-12-25 ソニー株式会社 固体撮像装置
EP2340567A2 (en) * 2008-09-18 2011-07-06 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Increasing the angular range of light collection in solar collectors/concentrators
TWI382551B (zh) * 2008-11-06 2013-01-11 Ind Tech Res Inst 太陽能集光模組
KR101545638B1 (ko) 2008-12-17 2015-08-19 삼성전자 주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법, 이미지 센서를 포함하는 장치 및 그 제조 방법
JP5773379B2 (ja) * 2009-03-19 2015-09-02 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
JP5985136B2 (ja) 2009-03-19 2016-09-06 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
ATE543215T1 (de) * 2009-03-24 2012-02-15 Sony Corp Festkörper-abbildungsvorrichtung, ansteuerverfahren für festkörper- abbildungsvorrichtung und elektronische vorrichtung
US20100245370A1 (en) * 2009-03-25 2010-09-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Em shielding for display devices
KR20100108109A (ko) * 2009-03-27 2010-10-06 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP2010238848A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sony Corp 固体撮像装置および電子機器
KR101087997B1 (ko) * 2009-04-17 2011-12-01 (주)실리콘화일 광도파관을 구비하는 이미지센서 및 그 제조방법
US8018016B2 (en) * 2009-06-26 2011-09-13 Omnivision Technologies, Inc. Back-illuminated image sensors having both frontside and backside photodetectors
US9911781B2 (en) 2009-09-17 2018-03-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US9673243B2 (en) 2009-09-17 2017-06-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
JP5306141B2 (ja) 2009-10-19 2013-10-02 株式会社東芝 固体撮像装置
US8872953B2 (en) 2009-10-30 2014-10-28 Sony Corporation Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, camera, and electronic device
JP2011114324A (ja) 2009-11-30 2011-06-09 Sony Corp 固体撮像装置及び電子機器
JP2011129627A (ja) * 2009-12-16 2011-06-30 Panasonic Corp 半導体装置
JP2010118675A (ja) * 2010-01-12 2010-05-27 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP2011204797A (ja) 2010-03-24 2011-10-13 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5595298B2 (ja) * 2010-04-06 2014-09-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
US8692198B2 (en) 2010-04-21 2014-04-08 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
US8848294B2 (en) 2010-05-20 2014-09-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and structure capable of changing color saturation
WO2011148574A1 (ja) 2010-05-28 2011-12-01 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP2010258463A (ja) * 2010-06-18 2010-11-11 Sony Corp 固体撮像素子の製造方法
EP2583312A2 (en) 2010-06-18 2013-04-24 Sionyx, Inc. High speed photosensitive devices and associated methods
JP5585232B2 (ja) * 2010-06-18 2014-09-10 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器
US8274100B2 (en) * 2010-07-29 2012-09-25 Truesense Imaging, Inc. CCD sensors with multiple contact patterns
US8293663B2 (en) 2010-07-29 2012-10-23 Truesense Imaging, Inc. CCD sensors with multiple contact patterns
JP2012142560A (ja) * 2010-12-15 2012-07-26 Canon Inc 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ
JP2012256020A (ja) * 2010-12-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
CN102593134B (zh) * 2011-01-07 2015-07-08 格科微电子（上海）有限公司 图像传感器及其制造方法
US9496308B2 (en) 2011-06-09 2016-11-15 Sionyx, Llc Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods
JP2014525091A (ja) 2011-07-13 2014-09-25 サイオニクス、インク． 生体撮像装置および関連方法
JP2011228748A (ja) * 2011-08-04 2011-11-10 Renesas Electronics Corp 固体撮像装置
JP2013077711A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Sony Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6016378B2 (ja) * 2012-02-29 2016-10-26 キヤノン株式会社 光電変換装置、および光電変換装置を用いた撮像システム
US9064764B2 (en) 2012-03-22 2015-06-23 Sionyx, Inc. Pixel isolation elements, devices, and associated methods
US10090349B2 (en) 2012-08-09 2018-10-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. CMOS image sensor chips with stacked scheme and methods for forming the same
US9153565B2 (en) 2012-06-01 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensors with a high fill-factor
US8629524B2 (en) * 2012-04-27 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for vertically integrated backside illuminated image sensors
JP6466346B2 (ja) 2013-02-15 2019-02-06 サイオニクス、エルエルシー アンチブルーミング特性を有するハイダイナミックレンジｃｍｏｓ画像センサおよび関連づけられた方法
US9939251B2 (en) 2013-03-15 2018-04-10 Sionyx, Llc Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods
KR102078621B1 (ko) * 2013-04-18 2020-02-19 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템
WO2014209421A1 (en) 2013-06-29 2014-12-31 Sionyx, Inc. Shallow trench textured regions and associated methods
US9191586B2 (en) * 2013-07-08 2015-11-17 Sensors Unlimited, Inc. Buffered direct injection pixel for infrared detector arrays
US20150097213A1 (en) * 2013-10-04 2015-04-09 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor and pixels including vertical overflow drain
JP6355311B2 (ja) * 2013-10-07 2018-07-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その製造方法及び撮像システム
JP6305028B2 (ja) * 2013-11-22 2018-04-04 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法および光電変換装置
JP2015220255A (ja) * 2014-05-14 2015-12-07 日本放送協会 裏面照射型ｃｍｏｓ型撮像素子、及び、裏面照射型ｃｍｏｓ型撮像素子の製造方法
JP6457755B2 (ja) * 2014-07-10 2019-01-23 キヤノン株式会社 固体撮像装置
KR102545592B1 (ko) * 2014-09-02 2023-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102404725B1 (ko) 2014-09-19 2022-05-31 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
JP6650668B2 (ja) 2014-12-16 2020-02-19 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US10020336B2 (en) 2015-12-28 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device using three dimentional (3D) integration
WO2017169220A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 ソニー株式会社 受光装置、撮像装置および電子機器
JP6708464B2 (ja) * 2016-04-01 2020-06-10 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
FR3057396B1 (fr) 2016-10-10 2018-12-14 Soitec Substrat pour capteur d'image de type face avant et procede de fabrication d'un tel substrat
CN106783900B (zh) * 2016-12-02 2020-08-11 杭州电子科技大学 一种soi像素探测器结构
US9923024B1 (en) 2017-05-26 2018-03-20 Omnivision Technologies, Inc. CMOS image sensor with reduced cross talk
JP2020088291A (ja) * 2018-11-29 2020-06-04 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システム、移動体
EP3742476A1 (en) * 2019-05-20 2020-11-25 Infineon Technologies AG Method of implanting an implant species into a substrate at different depths
JP2020074445A (ja) * 2020-01-22 2020-05-14 キヤノン株式会社 固体撮像装置
WO2021236022A1 (en) * 2020-05-22 2021-11-25 Brillnics Singapore Pte. Ltd. System, method, device and data structure for digital pixel sensors

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4040092A (en) * 1976-08-04 1977-08-02 Rca Corporation Smear reduction in ccd imagers
JPS6057714B2 (ja) * 1978-01-27 1985-12-16 株式会社日立製作所 光半導体装置
JPS5894281A (ja) 1981-11-30 1983-06-04 Toshiba Corp 固体撮像装置
US4822748A (en) * 1984-08-20 1989-04-18 California Institute Of Technology Photosensor with enhanced quantum efficiency
US5005063A (en) * 1986-03-03 1991-04-02 California Institute Of Technology CCD imaging sensor with flashed backside metal film
US4774557A (en) * 1986-05-15 1988-09-27 General Electric Company Back-illuminated semiconductor imager with charge transfer devices in front surface well structure
JPH01274468A (ja) 1988-04-27 1989-11-02 Nec Corp 固体撮像素子の製造方法
JPH05136451A (ja) 1991-11-12 1993-06-01 Hamamatsu Photonics Kk アバランシエ増倍型受光素子
DE69321822T2 (de) * 1993-05-19 1999-04-01 Hewlett Packard Gmbh Photodiodenstruktur
JPH0945886A (ja) 1995-08-01 1997-02-14 Sharp Corp 増幅型半導体撮像装置
US6025585A (en) * 1996-11-01 2000-02-15 The Regents Of The University Of California Low-resistivity photon-transparent window attached to photo-sensitive silicon detector
US6259085B1 (en) * 1996-11-01 2001-07-10 The Regents Of The University Of California Fully depleted back illuminated CCD
JP3655760B2 (ja) 1998-11-20 2005-06-02 三菱電機株式会社 赤外線固体撮像素子
JP4397105B2 (ja) 1999-06-28 2010-01-13 富士通株式会社 固体撮像装置
US6465862B1 (en) * 1999-10-05 2002-10-15 Brannon Harris Method and apparatus for implementing efficient CMOS photo sensors
JP3910817B2 (ja) * 2000-12-19 2007-04-25 ユーディナデバイス株式会社 半導体受光装置
US6504196B1 (en) * 2001-08-30 2003-01-07 Micron Technology, Inc. CMOS imager and method of formation
TW538626B (en) * 2001-12-07 2003-06-21 Twin Han Technology Co Ltd CMOS image sensor structure of mixed irradiation region and potential reading method thereof
US6683360B1 (en) * 2002-01-24 2004-01-27 Fillfactory Multiple or graded epitaxial wafers for particle or radiation detection
JP3722367B2 (ja) 2002-03-19 2005-11-30 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003338615A (ja) 2003-11-28
US8384178B2 (en) 2013-02-26
JP4123415B2 (ja) 2008-07-23
US8466499B2 (en) 2013-06-18
US7701029B2 (en) 2010-04-20
TWI300986B (en) 2008-09-11
US20100194950A1 (en) 2010-08-05
TW200401445A (en) 2004-01-16
US20030214595A1 (en) 2003-11-20
US20100194943A1 (en) 2010-08-05
TWI315577B (en) 2009-10-01
US8084837B2 (en) 2011-12-27
TWI300985B (en) 2008-09-11
TW200708060A (en) 2007-02-16
CN1238903C (zh) 2006-01-25
TW200707716A (en) 2007-02-16
US20110266598A1 (en) 2011-11-03
CN1487589A (zh) 2004-04-07
TW200707715A (en) 2007-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI300987B (en) Solid-state image pickup device
US9859324B2 (en) Solid state image pickup device and method of producing solid state image pickup device
TWI512958B (zh) 固態影像裝置，其製造方法及電子裝置
US7763913B2 (en) Imaging method, apparatus, and system providing improved imager quantum efficiency
US7646047B2 (en) Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
JP3719947B2 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2003031785A (ja) Ｘ−ｙアドレス型固体撮像素子およびその製造方法
JP2006073682A (ja) 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール
US20150115388A1 (en) Solid-state imaging device and manufacturing method of solid-state imaging device
JP4987749B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JP4124190B2 (ja) Ｘ−ｙアドレス型固体撮像素子
JP5534081B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JP5316667B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
US20110024856A1 (en) Columnated backside illumination method and structure
KR20130007901A (ko) 후면 조사형 이미지 센서
JP4987748B2 (ja) Ｘ−ｙアドレス型固体撮像素子
JP5252100B2 (ja) 固体撮像素子
JP2012099843A (ja) 固体撮像素子
JP2010171042A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees