JP4534634B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る固体撮像装置の概略構成図である。
図9は、半導体基板30の他の実装例を示す概略図である。
例えば、図10に示すように、半導体基板30の配線層40に接続するパッド45のうち、電源Vddや接地電位等の一定電位に固定される配線に接続するパッドと、遮光膜62のパッド63とを外部からワイヤ102により接続してもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
Claims (7)
- 複数の画素が配列された画素部を有する半導体基板と、
前記半導体基板の光入射面の反対側の面に形成され、前記画素部の駆動用信号線を含む配線が積層された配線層と、
前記半導体基板の前記光入射面に形成され、前記画素のうち黒信号を決めるための暗画素を遮光する遮光膜とを有し、
前記光入射面側から前記半導体基板を貫通して前記配線層のパッドを露出する開口が形成されており、前記光入射面側から前記遮光膜のパッドを露出する開口が形成されており、前記配線層のパッドと前記遮光膜のパッドへそれぞれ外部から電圧を供給し得るように構成された
固体撮像装置。 - 前記半導体基板は前記配線層側からパッケージに搭載され、
前記配線層のパッドと前記遮光膜のパッドとが、前記パッケージの端子にそれぞれワイヤを介して接続された
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記配線層のパッドと前記遮光膜のパッドとが、実装基板にバンプを介してそれぞれ接続された
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記遮光膜は、一定電位に固定された
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記配線層中の一定電位に固定される配線に接続されたパッドと、前記遮光膜のパッドとが外部で接続され、同電位に保持された
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記遮光膜は、暗画素以外の画素を開口し、画素間を遮光するように構成された
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記配線層上に形成された支持基板をさらに有する
請求項1記載の固体撮像装置。
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Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101045744B1 (ko) * | 2008-11-11 | 2011-06-30 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조 방법 |
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JP5434121B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2014-03-05 | 株式会社ニコン | 裏面照射型撮像素子および撮像装置 |
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JP2010267736A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Panasonic Corp | 固体撮像素子 |
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JP5077309B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2012-11-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子と固体撮像装置、固体撮像素子の製造方法 |
JP5442394B2 (ja) | 2009-10-29 | 2014-03-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
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JP5974425B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2016-08-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2012023207A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Toshiba Corp | 裏面照射型固体撮像装置 |
JP2012191136A (ja) | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
KR102031470B1 (ko) * | 2012-01-23 | 2019-10-11 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 제조 방법 및 전자 기기 |
JP5915636B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2016-05-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP6090360B2 (ja) * | 2015-05-13 | 2017-03-08 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP6052353B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2016-12-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002231930A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | 背面照射型の撮像装置、その撮像装置の製造方法、測定装置、および露光装置 |
JP2003338615A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2005191492A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2005209677A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Sony Corp | 半導体装置 |
-
2004
- 2004-07-05 JP JP2004198371A patent/JP4534634B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002231930A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | 背面照射型の撮像装置、その撮像装置の製造方法、測定装置、および露光装置 |
JP2003338615A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2005191492A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2005209677A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Sony Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8759928B2 (en) | 2012-04-04 | 2014-06-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor cross-talk reduction system and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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