JP4604093B2 - 裏面照射型撮像素子及び裏面照射型撮像素子の駆動方法 - Google Patents
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Description
(1)半導体基板の裏面側から光を照射し、入射光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、
前記半導体基板に設けられ、入射光を光電変換することで信号電荷を生成する不純物拡散層と、
前記半導体基板の表面側に形成された回路基板と、
前記半導体基板の表面側に設けられ、信号電荷を転送する電荷転送領域と、
前記回路基板に形成された複数の画素領域のそれぞれの中央近傍に設けられ、撮像時に電圧が印加されることで、前記不純物拡散層で生成される信号電荷を前記半導体基板の表面側に捕集する電荷捕集電極と、
前記回路基板の裏面側において、前記電荷転送領域を形成した領域の表面側に絶縁層を介して設けられ、信号電荷を転送する電圧が印加される電荷転送電極と、
電荷転送時に、前記電荷捕集電極と前記電荷転送電極にそれぞれ電圧を印加し、信号電荷を前記電荷転送領域に誘導する電圧供給部とを備えていることを特徴とする裏面照射型撮像素子。
(2)半導体基板の裏面側から光を照射し、入射光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子の駆動方法であって、
前記裏面照射型撮像素子に、入射光を光電変換することで信号電荷を生成するため前記半導体基板に設けられた不純物拡散層と、前記半導体基板の表面側に形成された回路基板と、前記半導体基板の表面側に設けられ、信号電荷を転送する電荷転送領域と、前記回路基板の裏面側において、前記電荷転送領域を形成した領域の表面側に絶縁層を介して設けられた電荷転送電極とが備えられ、
撮像時に、前記回路基板に形成された複数の画素領域のそれぞれの中央近傍に設けられた電荷捕集電極に電圧を印加することで、前記不純物拡散層で生成される信号電荷を前記半導体基板の表面側に捕集し、電荷転送時に、前記電荷捕集電極と前記電荷転送電極にそれぞれ電圧を印加することで、信号電荷を前記電荷転送領域に誘導することを特徴とする裏面照射型撮像素子の駆動方法。
図1は、本発明にかかる裏面照射型撮像素子の一実施形態の構成を示す断面図である。
裏面照射型撮像素子10は、裏面側から入射光が入射し、入射光に応じて光電変換を行い、信号電荷を生成する光学変換層が形成された半導体基板1と、半導体基板1で生成された信号電荷を転送するための駆動電圧などを印加するための回路が形成された回路基板2とから構成されている。回路基板2は、半導体基板1の表面側、つまり、入射光が入射する半導体基板1の裏面側に対して反対側に絶縁層を介して設けられている。
裏面照射型撮像素子10は、撮像時には、入射光がマイクロレンズ層22を透過し、該カラーフィルタ層21を透過した入射光に応じて不純物拡散層PDにおける光電変換によって信号電荷が生成される。図3に示すように、本実施形態の裏面照射型撮像素子10では、撮像時においては電荷捕集電極12に所定の正電位の電圧が印加され、不純物拡散層PDで生成された信号電荷を構成する電子が、電荷捕集電極12側に誘導される。そして、電荷捕集電極12の電位を一定にすることで、誘導された電子が不純物拡散層PDにおける表面側近傍で捕集された状態のまま維持される。
例えば、上記実施形態では、信号電荷を読み出す構成をCCD型の読み出し構成としたがこれに限定されず、CMOS型の読出回路を備えていてもよい。
2 回路基板
10 裏面照射型撮像素子
12 電荷捕集電極
14 電荷転送電極
18 電荷転送領域
PD 不純物拡散領域
Claims (2)
- 半導体基板の裏面側から光を照射し、入射光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、
前記半導体基板に設けられ、入射光を光電変換することで信号電荷を生成する不純物拡散層と、
前記半導体基板の表面側に形成された回路基板と、
前記半導体基板の表面側に設けられ、信号電荷を転送する電荷転送領域と、
前記回路基板に形成された複数の画素領域のそれぞれの中央近傍に設けられ、撮像時に電圧が印加されることで、前記不純物拡散層で生成される信号電荷を前記半導体基板の表面側に捕集する電荷捕集電極と、
前記回路基板の裏面側において、前記電荷転送領域を形成した領域の表面側に絶縁層を介して設けられ、信号電荷を転送する電圧が印加される電荷転送電極と、
電荷転送時に、前記電荷捕集電極と前記電荷転送電極にそれぞれ電圧を印加し、信号電荷を前記電荷転送領域に誘導する電圧供給部とを備えていることを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 半導体基板の裏面側から光を照射し、入射光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子の駆動方法であって、
前記裏面照射型撮像素子に、入射光を光電変換することで信号電荷を生成するため前記半導体基板に設けられた不純物拡散層と、前記半導体基板の表面側に形成された回路基板と、前記半導体基板の表面側に設けられ、信号電荷を転送する電荷転送領域と、前記回路基板の裏面側において、前記電荷転送領域を形成した領域の表面側に絶縁層を介して設けられた電荷転送電極とが備えられ、
撮像時に、前記回路基板に形成された複数の画素領域のそれぞれの中央近傍に設けられた電荷捕集電極に電圧を印加することで、前記不純物拡散層で生成される信号電荷を前記半導体基板の表面側に捕集し、電荷転送時に、前記電荷捕集電極と前記電荷転送電極にそれぞれ電圧を印加することで、信号電荷を前記電荷転送領域に誘導することを特徴とする裏面照射型撮像素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
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JP2008004748A JP4604093B2 (ja) | 2008-01-11 | 2008-01-11 | 裏面照射型撮像素子及び裏面照射型撮像素子の駆動方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009170539A JP2009170539A (ja) | 2009-07-30 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP4604093B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8872298B2 (en) | 2010-07-01 | 2014-10-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Unit pixel array of an image sensor |
EP3410486B1 (en) * | 2017-06-02 | 2022-08-24 | ams AG | Resonant cavity enhanced image sensor |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH07211882A (ja) * | 1994-01-26 | 1995-08-11 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置 |
JP2002151673A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
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JP2003338615A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
-
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2003338615A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009170539A (ja) | 2009-07-30 |
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