JP2009170539A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 半導体基板の裏面側から光を照射し、入射光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷
   を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、
   前記半導体基板に設けられ、入射光を光電変換することで信号電荷を生成する不純物拡
   散層と、
   前記半導体基板の表面側に形成された回路基板とを備え、
   前記回路基板に、撮像時に電圧が印加されることで、前記不純物拡散層で生成される信号電荷を前記半導体基板の表面側に捕集する電荷捕集電極を備えていることを特徴とする裏面照射型撮像素子。
2. 前記半導体基板の表面側に設けられ、信号電荷を転送する電荷転送領域を備え、
   前記回路基板の裏面側に、信号電荷を転送する電圧が印加される電荷転送電極が設けられ、電荷転送時に、前記電荷捕集電極と前記電荷転送電極にそれぞれ電圧を印加し、信号電荷を前記電荷転送領域に誘導する電圧供給部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射型撮像素子。
3. 半導体基板の裏面側から光を照射し、入射光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子の駆動方法であって、
   前記裏面照射型撮像素子に、入射光を光電変換することで信号電荷を生成するため前記半導体基板に設けられた不純物拡散層と、前記半導体基板の表面側に形成された回路基板とが備えられ、
   撮像時に、前記回路基板に設けられた電荷捕集電極に電圧を印加することで、前記不純物拡散層で生成される信号電荷を前記半導体基板の表面側に捕集することを特徴とする裏面照射型撮像素子の駆動方法。
4. 前記裏面照射型撮像素子に、前記半導体基板の表面側に設けられ、信号電荷を転送する電荷転送領域が備えられ、
   前記回路基板の裏面側に、信号電荷を転送する駆動電圧が印加される電荷転送電極が設けられ、電荷転送時に、前記電荷捕集電極と前記電荷転送電極にそれぞれ電圧を印加することで、信号電荷を前記電荷転送領域に誘導することを特徴とする請求項３に記載の裏面照射型撮像素子の駆動方法。