JP2008124086A - 受光素子及びこれを搭載した光受信器 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 47
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012788 optical film Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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Abstract
【課題】 誘電体多層膜による光フィルムの出射面側に受光素子を配置した光学系において、光フィルムに斜め入射した光と受光素子の受光部との光結合を防止する。
【解決手段】 受光素子1自体に遮光膜層7を形成する。すなわち、受光素子1の入射面側に遮光膜層7を形成し、この遮光膜層7のp領域4に相当する位置に開口部8を設ける。この開口部8の大きさは、入射面から受光部領域のp領域4に至るまでの距離に基づいて、p領域4に平方光かそれに近い光のみが結合するように設定する。
【選択図】図1
【解決手段】 受光素子1自体に遮光膜層7を形成する。すなわち、受光素子1の入射面側に遮光膜層7を形成し、この遮光膜層7のp領域4に相当する位置に開口部8を設ける。この開口部8の大きさは、入射面から受光部領域のp領域4に至るまでの距離に基づいて、p領域4に平方光かそれに近い光のみが結合するように設定する。
【選択図】図1
Description
本発明は、光通信に使用される受光素子及びこれを搭載した光受信器に関する。
光ファイバを用いる光通信は、基幹系システムだけでなく加入者系システムにも広く利用されている。これに伴って、光通信システムに使われる光送信器及び光受信器の小型化且つ低コスト化が進められている。
また、大容量の光伝送を実現するための方式として、複数のデータ信号をそれぞれ異なる波長の光信号にし、これら複数の波長の光信号を多重化して一本の光ファイバで伝送するWDM(Wavelength Division Multiplexing:波長分割多重)伝送方式が広く実用化されている。
WDM伝送方式の光通信では、光受信器に波長選択機能を持たせることが一般的であり、特定の波長の光のみを受光する光受信器が特許文献1に開示されている。特許文献1の光受信器は、開口部を有したサブマウントに受光素子を搭載し、この開口部に誘電体多層膜による波長選択フィルムを固定した構成である。
しかしながら、誘電体多層膜による光フィルタは、光入射角度が大きくなるとP偏光成分のアイソレーションがS偏光成分と比較して低下する特性を有している。このため、光フィルタのアイソレーションが劣化し、誘電体多層膜による光フィルタを斜めに入射し透過した光には、本来透過すべき波長帯以外の他波長帯の信号光が混入している恐れがある。このような誘電体多層膜のフィルタ特性を図3に示す。
特許文献1の光受信器は、上述したフィルム特性を有する誘電体多層膜の光フィルタ41を受光素子42の入射面側に設置しているにもかかわらず、光フィルタ41に斜め入射した光と受光素子42の受光部43とが容易に光結合するので(図4参照)、必要ない波長帯の信号光が混入した光を受光してしまうという不都合があった。
そこで、本発明は、上記従来技術の不都合を改善し、誘電体多層膜による光フィルタの出射面側に受光素子を配置した光学系において、光フィルタに斜め入射した光を効率よく排除し平行光かそれに近い光のみを受光素子の受光部に光結合させることを、その目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の受光素子は、受光部領域が光入射面の反対の面側に形成されている裏面入射型の受光素子であり、光入射面に受光部領域の位置に対応した開口部を有する遮光膜層を一体的に形成したことを特徴とする(請求項1)。
このような受光素子によれば、この受光素子の光入射側に配置した誘電体多層膜に斜め入射した光を排除し、平行光かそれに近い光のみを受光素子の受光部に光結合させることで高アイソレーションを実現できる。また、受光素子自体の入射面に遮光パターンを設けているので、従来のようなサブマウントを用いる必要が無く、小型化を維持しながら斜め入射光を遮光することができる。
また、上記の受光素子において、上述した遮光膜層の開口部が、光入射面から受光部領域に至るまでの距離に基づいた大きさであってもよい(請求項2)。このようにすると、平行光かそれに近い光のみが受光部領域と光結合するように構成することができる。
また、上記の受光素子において、上述した遮光膜層の開口部が、受光部領域の平面形状を投影した大きさであってもよい(請求項3)。このようにすることで、平行光かそれに近い光のみが受光部領域と光結合するように構成し、かつ、受光部領域の位置を容易に検出することができる。
また、上記の受光素子において、上述した遮光膜層の開口部が、受光部領域の平面形状より小さくてもよい(請求項4)。このようにすると、より平行光に近い光のみが受光部領域と光結合するように構成することができる。
また、上記の受光素子において、上述した遮光膜層は、電極であってもよい(請求項5)。このようにすると、積層材料を新たに用いることなく、従来のままの材料で製造でき、素子の小型化且つ低コスト化が実現できる。
更に、上記の受光素子において、上述した遮光膜層は、光入射面に蒸着されたものであってもよい(請求項6)。このようにすると、素子自体に遮光パターンを形成するので、小型化を維持したままで、いつでも斜め入射光を遮光することができる。
また、上記の受光素子において、上述した遮光膜層の開口部に反射防止膜を形成してもよい(請求項7)。このようにすると、入射面の表面の反射を防止し、透過率を向上させることができる。
次に、本発明の光受信器は、光通信用の光受信器であり、上述した受光素子(請求項1乃至7のいずれか一項に記載の受光素子)を本体に装備したことを特徴とする(請求項8)。このような光受信器は、斜め入射光を排除して平行光かそれに近い光のみを受光する受光素子を搭載しているので、誘電体多層膜の光フィルタを備えた場合、この光フィルタに斜めに入射した光が受光素子に受光されることは無い。また、従来のようなサブマウントを装備する必要が無いので、小型化及び低コスト化を図ることができる。
本発明は以上のように構成され機能するため、これにより、誘電体多層膜の出射面側に受光素子を配置した光学系の場合に、誘電体多層膜に斜め入射した光と受光部領域との光結合を防止し、平行光かそれに近い光のみが受光部領域と光結合するので、高アイソレーションを実現できる。また、受光素子自体の入射面に遮光パターンを設けているので、従来のようなサブマウントを用いる必要が無く、小型化を図ることができる。
以下、本発明における一実施形態を、図面を参照して説明する。図1は、本実施形態の受光素子1の構成を示す断面図である。
図1に示すように、受光素子1は裏面入射型であり、n型基板2の一方の面2A(図1における上面)上にn型受光層3がエピタキシャル成長してある。本実施形態では、n型基板2としてのn−InP基板2上に、n型受光層3としてのn−InGaAs受光層3をエピタキシャル成長させて設けている。
このn−InGaAs受光層3の中央部にはZn拡散により受光部領域としてp領域4が形成されている。p領域4の境界線がPN結合である。p領域4のほぼ全面をp電極5が覆っており、p電極5以外の部分は表面保護膜6が積層されている。
そして、n−InP基板2の光入射側面(図1における下面)に、中央部分に開口部8を有したn電極7が蒸着されており、このn電極7は、斜め入射光を遮るための遮光膜層としても機能している。また、この開口部8にSiO2等の反射防止膜9が設けられている。この反射防止膜9を設けることにより、入射面の表面の光反射を防止し、透過率を向上させて、より多くの光を取り込むことができる。
p電極5とn電極7との間にn電極7を正、p電極5を負とした逆バイアス電圧をかけると、PN結合付近の空乏層が大きくなり、n−InP基板2からp電極5に向けて電界が発生する。信号光aが反射防止膜7から入射すると、n−InP基板2、n−InGaAs受光層3を透過して空乏層に到達し、電子正孔対を生成する。空乏層でできた電子はn領域へ移動し、正孔はp領域へ移動して光電流が流れる。
n電極7には、中央部分に受光部領域のp領域4の平面形状に応じた大きさの開口部8が形成されている。この開口部8の大きさは、光入射面から受光部領域のp領域4に至るまでの距離に基づいて、平行光又はそれに近い光のみがp領域4と光結合するように計算して設定されている。具体的に、開口部8の大きさは、図3の光フィルムのアイソレーション特性を示すグラフにおいてフラットな部分に相当する入射角90±10度の光のみがp領域4に到達できるように計算された大きさであり、実際には、p領域4の平面形状を投影したほぼ等しい大きさ(受光径50μm〜80μm)若しくはp領域4の平面形状より小さい形状である。
ここで、本実施形態では、n電極7が、斜め入射光を遮るための遮光膜層としても機能するような構成であるが、これに限らず、n−InP基板2の光入射側面の一部にn電極7を形成し、n電極7以外の部分に遮光膜層を形成し、この遮光膜層が開口部を有した構成としてもよい。この場合の開口部も上述したn電極7の開口部8と同様の大きさに設定される。
上述したように、本実施形態の受光素子1は、受光素子1自体に遮光膜層を形成したことで、大きさを変えず小型化を維持しながら斜め入射光を遮光することができ、常に平行光かそれに近い光のみを受光することとなる。
次に、本実施形態の受光素子1の入射面側に誘電体多層膜21を配置した場合について説明する。
図2は、本実施形態の受光素子1の入射面側に誘電体多層膜21を配置した光受信器20を示す図である。図2に示すように、光受信器20は、誘電体多層膜による光フィルタ21と、受光素子1とこれを保持するキャリア22とから構成されている。この光受信器20において、誘電体多層膜21に斜め入射した光Aは、受光素子1自体に形成された遮光膜層(n電極)7によって遮光されるか透過してもp領域4とは光結合できない。一方、誘電体多層膜21にほぼ垂直に入射した平行光かそれに近い光Bは、p領域4に到達して光結合する。
以上のように本実施形態の受光素子1は、光入射面に遮光膜層(n電極)7を一体的に形成しており、この遮光膜層(n電極)7に設けた開口部8の大きさの設定により、平行光かそれに近い光のみが受光部領域のp領域4と光結合する。このため、図2のような誘電体多層膜の出射面側に受光素子を配置した光学系に本実施形態の受光素子1を用いた場合、誘電体多層膜に斜め入射した光とp領域4との光結合を防止し、平行光かそれに近い光のみを光結合させて、高アイソレーションを実現できる。また、受光素子1自体の入射面に遮光パターンを設けているので、従来のようなサブマウントを取り付ける必要が無く、光モジュールの構造の簡略化や部品点数の削減が可能となり、モジュールの小型化且つ低コスト化が実現できる。
さらに、本実施形態の受光素子1は、受光部領域(p領域4)の位置を示す開口部を設けた遮光膜層が、製造段階で入射面に形成されるので、開口部8の位置を確認することで容易に受光部領域の位置を検出することができる。光モジュールの製造においてパッシブアライメント実装を行う際に、本実施形態の受光素子1であれば、開口部8の位置を確認して実装することで正確な実装が可能である。
1 受光素子
2 n型InP基板
3 n型InGaAs受光層
4 p領域(受光部領域)
5 p電極
6 表面保護膜
7 n電極(遮光膜層)
8 開口部
9 反射防止膜
a 信号光
20 光受信器
21 誘電体多層膜
2 n型InP基板
3 n型InGaAs受光層
4 p領域(受光部領域)
5 p電極
6 表面保護膜
7 n電極(遮光膜層)
8 開口部
9 反射防止膜
a 信号光
20 光受信器
21 誘電体多層膜
Claims (8)
- 受光部領域が光入射面の反対の面側に形成されている裏面入射型の受光素子において、
前記光入射面に前記受光部領域の位置に対応した開口部を有する遮光膜層を一体的に形成したことを特徴とする受光素子。 - 前記請求項1に記載の受光素子において、
前記遮光膜層の開口部が、前記光入射面から前記受光部領域に至るまでの距離に基づいた大きさであることを特徴とする受光素子。 - 前記請求項1に記載の受光素子において、
前記遮光膜層の開口部が、前記受光部領域の平面形状を投影した大きさであることを特徴とする受光素子。 - 前記請求項1に記載の受光素子において、
前記遮光膜層の開口部が、前記受光部領域の平面形状より小さいことを特徴とする受光素子。 - 前記請求項1乃至4のいずれか一項に記載の受光素子において、
前記遮光膜層は、電極であることを特徴とする受光素子。 - 前記請求項1乃至5のいずれか一項に記載の受光素子において、
前記遮光膜層は、前記光入射面に蒸着されたものであることを特徴とする受光素子。 - 前記請求項1乃至6のいずれか一項に記載の受光素子において、
前記遮光膜層の開口部に反射防止膜を形成したことを特徴とする受光素子。 - 前記請求項1乃至7のいずれか一項に記載の受光素子を光通信用の光受信器本体に装備したことを特徴とする光受信器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006303400A JP2008124086A (ja) | 2006-11-08 | 2006-11-08 | 受光素子及びこれを搭載した光受信器 |
US11/864,306 US20080075474A1 (en) | 2006-08-11 | 2007-09-28 | Light-receiving element and light-receiving device comprising the same |
EP07118834A EP1921677A1 (en) | 2006-11-08 | 2007-10-19 | Light shield for a back illuminated light-detecting element and corresponding device |
TW096139633A TW200829973A (en) | 2006-11-08 | 2007-10-23 | Light-receiving element and light-receiving device comprising the same |
CNA2007101695192A CN101237002A (zh) | 2006-11-08 | 2007-11-08 | 光接收元件以及包含该光接收元件的光接收装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006303400A JP2008124086A (ja) | 2006-11-08 | 2006-11-08 | 受光素子及びこれを搭載した光受信器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008124086A true JP2008124086A (ja) | 2008-05-29 |
Family
ID=39049015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006303400A Withdrawn JP2008124086A (ja) | 2006-08-11 | 2006-11-08 | 受光素子及びこれを搭載した光受信器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080075474A1 (ja) |
EP (1) | EP1921677A1 (ja) |
JP (1) | JP2008124086A (ja) |
CN (1) | CN101237002A (ja) |
TW (1) | TW200829973A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN113494894A (zh) * | 2020-03-22 | 2021-10-12 | 美国亚德诺半导体公司 | 使用薄金属硅化物阳极的自对准光角度传感器 |
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GB201311055D0 (en) | 2013-06-21 | 2013-08-07 | St Microelectronics Res & Dev | Single-photon avalanche diode and an array thereof |
US9559238B2 (en) * | 2014-05-08 | 2017-01-31 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Arrangement and method for determining the spatial direction of radiation incidence |
US9859311B1 (en) * | 2016-11-28 | 2018-01-02 | Omnivision Technologies, Inc. | Storage gate protection |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002050785A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体受光素子 |
JP3759435B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-03-22 | ソニー株式会社 | X−yアドレス型固体撮像素子 |
JP4123415B2 (ja) * | 2002-05-20 | 2008-07-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4725095B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 裏面入射型固体撮像装置及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-11-08 JP JP2006303400A patent/JP2008124086A/ja not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-09-28 US US11/864,306 patent/US20080075474A1/en not_active Abandoned
- 2007-10-19 EP EP07118834A patent/EP1921677A1/en not_active Withdrawn
- 2007-10-23 TW TW096139633A patent/TW200829973A/zh unknown
- 2007-11-08 CN CNA2007101695192A patent/CN101237002A/zh active Pending
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CN113494894A (zh) * | 2020-03-22 | 2021-10-12 | 美国亚德诺半导体公司 | 使用薄金属硅化物阳极的自对准光角度传感器 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101237002A (zh) | 2008-08-06 |
US20080075474A1 (en) | 2008-03-27 |
TW200829973A (en) | 2008-07-16 |
EP1921677A1 (en) | 2008-05-14 |
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