JP4194544B2 - 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 - Google Patents

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Description

本発明は、固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法に関し、特に、CMOSセンサ等の増幅型固体撮像装置に用いて好適なものである。
従来から固体撮像装置としては、得られる信号のSN比が良いことからCCD(charge
coupled device)が多く使われてきた。しかし、一方では消費電力の少なさや使い勝手
の良さを長所とする、いわゆる増幅型固体撮像装置(電荷転送信号増幅型固体撮像装置)の開発も行われてきた。
増幅型固体撮像装置は、入射光によりフォトダイオードに蓄積された信号電荷を画素が備えるトランジスタの制御電極に導き、信号電荷量に応じた出力を上記トランジスタの主電極から増幅して出力するものである。特に、トランジスタとしてMOS(metal oxide semiconductor)トランジスタを用いたCMOS(complementary MOS)センサは、CMOSプロセスとのマッチングが良く、それに係る駆動回路及び信号処理回路をオンチップ化することが可能であることから開発に力が注がれている。
図6は、特許文献1に記載されている、従来のCMOSセンサ画素の構成を示す回路図である。
図6において、1は単位画素である。2は入射光によって発生した信号電荷を蓄積するフォトダイオード、3は供給される信号電荷量に応じた増幅信号を出力する増幅用MOSトランジスタ、4は信号電荷を受け、それを増幅用MOSトランジスタ3のゲート電極に供給するためのフローティングディフュージョン部(以下、「FD部」とも称す。)、5はフォトダイオード2に蓄積した信号電荷をFD部4に転送するための転送用MOSトランジスタ、6はFD部4をリセットするためのリセット用MOSトランジスタ、7は出力画素を選択するための選択用MOSトランジスタである。
8は転送用MOSトランジスタ5のゲートにパルスを印加して電荷転送動作を制御するための制御線、9はリセット用MOSトランジスタ6のゲートにパルスを印加してリセット動作を制御するための制御線、10は選択用MOSトランジスタ7のゲートにパルスを印加して選択動作を制御するための制御線である。11は電源配線であって、増幅用MOSトランジスタ3のドレイン及びリセット用MOSトランジスタ6のドレインに接続され、それらに電源電位を供給する。
12は選択された画素1の増幅信号が出力される信号出力線、13は定電流源として動作し増幅用MOSトランジスタ3とソースフォロワを形成するMOSトランジスタ、14はMOSトランジスタ13が定電流動作するような電位をMOSトランジスタ13のゲート電極に供給する配線である。
図7は、図6に示したCMOSセンサ画素の動作を示すタイミングチャートである。
図7において、SC、RC、及びTCは、制御線10、9、8を介してMOSトランジスタ7、6、5に印加される駆動パルス信号であり、FD及びSOは、FD部4及び信号出力線12の電位を示したものである。なお、図6におけるMOSトランジスタはNチャネル型MOSトランジスタとし、ゲート電位がハイレベル("H")でオン状態になり、ロウレベル("L")でオフ状態になるとする。
まず、信号SC、RC及びTCがすべて"L"の状態で、時刻T31において、信号SCを"H"にして選択用MOSトランジスタ7をオン状態にすると、信号を読み出す画素1が選択される。次に、時刻T32において、信号RCがパルス状に"H"となり(時刻T33において"L"に変化)、リセット用MOSトランジスタ6がオン状態になることで、FD部4がリセットされる。増幅用MOSトランジスタ3と定電流用MOSトランジスタ13とでソースフォロワが形成されるから、リセット電位に応じた出力電位が信号出力線12にあらわれる。
次に、時刻T34において、信号TCがパルス状に"H"となる(時刻T35において"L"に変化)ことによって、転送用MOSトランジスタ5がオン状態になり、フォトダイオード2に蓄積された信号電荷がFD部4に転送される。すると、この信号電荷量に応じた電圧分VsだけFD部4の電位FDが変化し、その電位変化分が信号出力線12にもあらわれ、信号出力線12の電位SOが変化する。その後、時刻T36において、信号SCを"L"にし、選択用MOSトランジスタ7をオフ状態にする。
ここで、信号出力線12にあらわれるリセット電位には、増幅用MOSトランジスタ3の閾電圧値ばらつき及びFD部4をリセットするときのリセット雑音などの雑音がのっているが、信号電荷を転送し終わった後のフォトダイオード2は完全空乏化することで信号電荷が残らない構造になっている。したがって、信号電荷量に対応した電位変化分Vsは雑音を含まないものである。
2次元CMOSセンサにおいて、リセット雑音を除去して、信号のみを取り出すための図示しない読み出し回路が、信号出力線12に接続されている。この読み出し回路には、クランプ回路によって上記雑音を除去するものや、雑音と(雑音+純粋信号)とを別々に保持してそれぞれ水平走査の読み出し時に最終段の差動アンプに導くことによって雑音を除去するものなど、いくつかの構成が提案されているが詳しい説明は省略する。
特開平11−274454号公報 特開2000−209508号公報
上述した従来のCMOSセンサ画素における飽和電荷量は、信号電荷転送終了時にフォトダイオード2が完全空乏化できる限界で決まる。信号電荷転送終了時点、すなわち制御線8を介して印加する転送用の駆動パルス信号TCにおける"H"パルス終了時点(図7の時刻T35)での転送用MOSトランジスタ5のチャンネル電位は、フォトダイオード2を完全空乏化するために最低限Vd必要であるとする。
信号電荷が多い場合には、信号電荷転送終了時点での転送用MOSトランジスタ5のチャンネル電位はFD部4の電位FDに等しい。よって、FD部4のリセット電位をVrsとすると、(Vrs−Vs)>Vdが完全信号転送の条件となる(正確には、リセットパルス(図7のRC参照。)及び転送パルス(図7のTC参照。)の印加により、リセットゲートとFD部4との寄生容量、転送ゲートとFD部4との寄生容量によりFD部4の電位FDが振られる分があるが、ここではその振られ分は省略している。)。
飽和信号に相当するFD部4の信号電位FDをVsatと仮定すると、(Vrs−Vsat)>Vdが飽和信号電荷を完全転送する条件となり、フォトダイオード2における飽和電荷量を上げると、必然的にVd及びVsatが高くなるので、上述した完全転送する条件を満足する限界までしかフォトダイオード2の飽和電荷量を上げることができない。
したがって、FD部4のリセット電位Vrsを高くすることが、飽和電荷量を上げるための必須条件となるが、リセット電位Vrsの上限はリセットパルスにおけるハイレベルの電位から、リセット用MOSトランジスタ6のしきい電圧値を減算した値である。ここで、一般にはパルス信号のハイレベルは、センサの電源電圧である。したがって、飽和電荷量の限界値はセンサの電源電圧に依存し、センサの電源電圧で決まることになり、ダイナミックレンジを拡大することは困難であった。
この問題に対処するため、上記特許文献2には昇圧回路を用いてリセットパルスにおけるハイレベルの電位を高くすることで、FD部4のリセット電位をより高い電位に設定する方法が提案されている。しかしながら、センサチップ内部に昇圧回路を組み込むと、回路規模が大きくなったり、回路にかかる大きな電圧によってチップの信頼性が落ちたりするなどの欠点があり、簡単な方法で上記問題を解決する必要がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、回路規模の増大を抑制しながらも、増幅型固体撮像装置における飽和電荷量を拡大できるようにすることを目的とする。
本発明の固体撮像装置は、入射光によって発生した信号電荷を蓄積するフォトダイオードと、上記フォトダイオードからの信号電荷が制御電極に供給され、信号電荷量に応じた増幅信号を信号出力線に対して出力する増幅用トランジスタと、上記増幅用トランジスタの制御電極をリセットするためのリセット用トランジスタと、上記フォトダイオードに蓄積した信号電荷を上記増幅用トランジスタの制御電極に転送するための転送用トランジスタとを有する単位画素を複数配列し、さらに、上記信号出力線と、上記信号出力線に電位を供給し得る電源端子との導通又は非導通を切り換える制御トランジスタと、上記信号出力線上に設けられ、上記増幅用トランジスタとでソースフォロワを形成し得る定電流用トランジスタとを有し、上記電源端子の供給する電位は、上記増幅用トランジスタの制御電極のリセット電位に対して上記増幅信号出力時に上記増幅用トランジスタの制御電極の電位が変化する方向とは反対方向に電位差を有する電位であり、上記ソースフォロワが形成している期間に上記増幅用トランジスタの制御電極のリセットを終了してから、上記ソースフォロワが形成されなくなるまでの期間であって、上記転送用トランジスタが導通している第1期間に上記制御トランジスタが導通することを特徴とする。
また、本発明の固体撮像装置は、入射光によって発生した信号電荷を蓄積するフォトダイオードと、上記フォトダイオードからの信号電荷が制御電極に供給され、信号電荷量に応じた増幅信号を信号出力線に対して出力する増幅用トランジスタと、上記増幅用トランジスタの制御電極をリセットするためのリセット用トランジスタと、上記フォトダイオードに蓄積した信号電荷を上記増幅用トランジスタの制御電極に転送するための転送用トランジスタとを有する単位画素を複数配列し、さらに、上記増幅用トランジスタの電源供給端子に選択的に異なる電位を供給する電位供給手段を有し、上記電位供給手段は、上記ソースフォロワが形成している期間に上記増幅用トランジスタの制御電極のリセットを終了してから、上記ソースフォロワが形成されなくなるまでの期間であって、上記転送用トランジスタが導通している第1期間と、上記ソースフォロワが形成している期間であってかつ上記リセット用トランジスタが導通している第2期間とで、上記電源供給端子に異なる電位を供給し、上記第1期間に上記電源供給端子に供給する電位は、上記第2期間に上記電源供給端子に供給する電位に対して、上記増幅用トランジスタの制御電極のリセット電位に対して上記増幅信号出力時に上記増幅用トランジスタの制御電極の電位が変化する方向とは反対方向に電位差を有する電位であることを特徴とする。
本発明の固体撮像装置の駆動方法は、入射光によって発生した信号電荷を蓄積するフォトダイオードと、上記フォトダイオードからの信号電荷が制御電極に供給され、信号電荷量に応じた増幅信号を信号出力線に対して出力する増幅用トランジスタと、上記増幅用トランジスタの制御電極をリセットするためのリセット用トランジスタと、上記フォトダイオードに蓄積した信号電荷を上記増幅用トランジスタの制御電極に転送するための転送用トランジスタとを有する単位画素を複数配列し、さらに、上記信号出力線と、上記信号出力線に電位を供給し得る電源端子との導通又は非導通を切り換える制御トランジスタと、上記信号出力線上に設けられ、上記増幅用トランジスタとでソースフォロワを形成し得る定電流用トランジスタとを有する固体撮像装置の駆動方法であって、上記電源端子の供給する電位は、上記増幅用トランジスタの制御電極のリセット電位に対して上記増幅信号出力時に上記増幅用トランジスタの制御電極の電位が変化する方向とは反対方向に電位差を有する電位であり、上記ソースフォロワが形成している期間に上記増幅用トランジスタの制御電極のリセットを終了してから、上記ソースフォロワが形成されなくなるまでの期間であって、上記転送用トランジスタが導通している第1期間に上記制御トランジスタを導通することを特徴とする。
また、本発明の固体撮像装置の駆動方法は、入射光によって発生した信号電荷を蓄積するフォトダイオードと、上記フォトダイオードからの信号電荷が制御電極に供給され、信号電荷量に応じた増幅信号を信号出力線に対して出力する増幅用トランジスタと、上記増幅用トランジスタの制御電極をリセットするためのリセット用トランジスタと、上記フォトダイオードに蓄積した信号電荷を上記増幅用トランジスタの制御電極に転送するための転送用トランジスタとを有する単位画素を複数配列し、さらに、上記増幅用トランジスタの電源供給端子に選択的に異なる電位を供給する電位供給手段を有する固体撮像装置の駆動方法であって、上記ソースフォロワが形成している期間に上記増幅用トランジスタの制御電極のリセットを終了してから、上記ソースフォロワが形成されなくなるまでの期間であって、上記転送用トランジスタが導通している第1期間と、上記ソースフォロワが形成している期間であってかつ上記リセット用トランジスタが導通している第2期間とで、上記電源供給端子に異なる電位を上記電位供給手段により供給し、上記第1期間に上記電源供給端子に供給する電位は、上記第2期間に上記電源供給端子に供給する電位に対して、上記増幅用トランジスタの制御電極のリセット電位に対して上記増幅信号出力時に上記増幅用トランジスタの制御電極の電位が変化する方向とは反対方向に電位差を有する電位であることを特徴とする。
本発明によれば、増幅用トランジスタと定電流用トランジスタとでソースフォロワが形成している期間に増幅用トランジスタの制御電極のリセットを終了してから、ソースフォロワが形成されなくなるまでの期間であって、転送用トランジスタが導通している期間に制御トランジスタを導通させ信号出力線の電位を高い電位にすることで、信号出力線に対して容量結合された、増幅用トランジスタの制御電極が接続されるノードの電位を上げることができる。
本発明によれば、フォトダイオードに蓄積した信号電荷を増幅用トランジスタの制御電極に転送する転送動作時に信号出力線の電位を高い電位にすることで、信号出力線に対して容量結合された、増幅用トランジスタの制御電極が接続されるノードの電位を上げることができ、飽和電荷の限界値を従来よりも上げることができる。したがって、簡単な回路を追加するだけで、より大きな飽和電圧を得ることが可能となり、ダイナミックレンジを高くすることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態による固体撮像装置を構成する画素の構成例を示す等価回路図である。
図1において、単位画素1は、フォトトランジスタ2、増幅用MOSトランジスタ3、転送用MOSトランジスタ5、リセット用MOSトランジスタ6、選択用MOSトランジスタ7、及び容量17を有する。また、単位画素1内の4はフローティングディフュージョン部(FD部)である。
フォトダイオード2は、入射光によって発生した信号電荷を蓄積する。増幅用MOSトランジスタ3は、転送用MOSトランジスタ5及びFD部4を介してフォトダイオード2より供給される信号電荷量に応じた増幅信号を出力する。FD部4は、フォトダイオード2からの信号電荷を受け、それを増幅用MOSトランジスタ3のゲート電極に供給するためのものである。
転送用MOSトランジスタ5は、フォトダイオード2に蓄積した信号電荷をFD部4に転送するためのものであり、リセット用MOSトランジスタ6はFD部4をリセットするためのものであり、選択用MOSトランジスタ7は出力画素を選択するためのものである。容量17は、一方の電極がFD部4に接続され、他方の電極が信号出力線12に接続されている。すなわち、FD部4と信号出力線12は容量結合されている。なお、容量17は、意図的に形成して組み込まれた容量であっても良いし、寄生容量であっても良い。
また、転送用MOSトランジスタ5、リセット用MOSトランジスタ6、及び選択用MOSトランジスタ7のゲートには、制御線8、9、10がそれぞれ接続されている。制御線8は、転送用MOSトランジスタ5のゲートに信号(パルス)を印加して電荷転送動作を制御するための制御線である。制御線9は、リセット用MOSトランジスタ6のゲートに信号(パルス)を印加してリセット動作を制御するための制御線である。制御線10は、選択用MOSトランジスタ7のゲートに信号(パルス)を印加して選択動作を制御するための制御線である。
電源配線11は、増幅用MOSトランジスタ3のドレイン及びリセット用MOSトランジスタ6のドレインに接続され、それらに電源電位を供給する。信号出力線12は、選択された画素1の増幅信号が出力されるものであり、MOSトランジスタ13は、定電流源として動作し増幅用MOSトランジスタ3とソースフォロワを形成する。MOSトランジスタ13のゲートには、MOSトランジスタ13が定電流動作するような電位を供給する配線14が接続されている。
Pチャネル型トランジスタ15は、ゲートに制御線16が接続され、ドレイン及びソースが信号出力線12及び電源に接続されている。制御線16は、Pチャネル型MOSトランジスタ15のゲートに信号(パルス)を印加して信号出力線12の電位を制御するための制御線である。
図1に示した単位画素1を、図2に示すように2次元的マトリックス状に配列することにより2次元固体撮像装置の画素領域が形成される。そのマトリックス構成において、図2に示すように、信号出力線12は1つの列を構成する画素1に共通接続され、制御線8、9、10はそれぞれ1つの行を構成する画素1に共通接続されている。この構成により、制御線10により選択された行に属する画素1の出力信号のみが信号出力線12に出力される。
次に、図1に示した画素の動作について説明する。
図3は、図1に示した画素の動作を説明するためのタイミングチャートである。
図3において、SC、RC、TC、及びVCは、制御線10、9、8、16を介してMOSトランジスタ7、6、5、15に印加される駆動パルス信号であり、FD及びSOは、FD部4及び信号出力線12の電位を示したものである。なお、図1におけるMOSトランジスタ7、6、5はNチャネル型MOSトランジスタとし、ゲート電位がハイレベル("H")でオン状態になり、ロウレベル("L")でオフ状態になるとする。また、Pチャネル型MOSトランジスタ16は、ゲート電位が"H"でオフ状態になり、"L"でオン状態になる。
信号SC、RC及びTCが"L"、信号VCが"H"の状態、つまりMOSトランジスタ7、6、5、15がすべてオフ状態で、まず、時刻T11において、信号SCを"H"にして選択用MOSトランジスタ7をオン状態にすると、信号を読み出す画素1が選択される。
次に、時刻T12において、信号RCを"H"にし、所定時間経過後の時刻T13において信号RCを"L"にする。このようにして信号RCをパルス状に"H"にすることで、リセット用MOSトランジスタ6がオン状態になり、FD部4がリセットされる。このとき、増幅用MOSトランジスタ3と定電流用MOSトランジスタ13とでソースフォロワが形成されているので、リセット電位に応じた出力電位が信号出力線12にあらわれ、信号出力線12の電位SOが変化する。
次に、時刻T14において、信号VCを"L"にする。これにより、Pチャネル型MOSトランジスタ15がオン状態になり、リセット電位に応じた出力電位が出ていた信号出力線12の電位SOが電源電位になる。この信号出力線12の電位SOの変化にともなって、信号出力線12とFD部4との間で形成される容量により、信号出力線12と容量結合されているFD部4の電位FDが電圧ΔV1だけ上昇する。
次に、時刻T15において、信号TCを"H"にし、所定時間経過後の時刻T16において信号TCを"L"にする。このようにして信号TCをパルス状に"H"にすることで、転送用MOSトランジスタ5がオン状態になり、フォトダイオード2に蓄積された信号電荷がFD部4に転送される。これにより、この信号電荷量に応じた電圧分VsだけFD部4の電位FDが変化し、その電位変化分が信号出力線12にもあらわれ、信号出力線12の電位SOが変化する。
その後、時刻T17において、信号VCを"H"にしてPチャネル型MOSトランジスタ15をオフ状態にし、続いて時刻T18において信号SCを"L"にして選択用MOSトランジスタ7をオフ状態にする。
以上、説明したように第1の実施形態によれば、フォトダイオード2からFD部4への信号電荷転送時、すなわち制御線8を介して転送用MOSトランジスタ5のゲートに供給される信号TCが"H"となる期間(時刻T15〜時刻T16)においては、P型MOSトランジスタ15をオン状態にすることで、リセット電位に応じた出力電位が出ていた信号出力線12の電位SOを電源電位にし、この信号出力線12の電位変化により信号出力線12と容量結合されているFD部4の電位FDをΔV1だけ上昇させる。
これにより、飽和電圧Vsat出力のための条件は(Vrs−Vsat+ΔV1)>Vdとなるので、飽和電圧の限界を決めるVdの値を従来よりも大きく設定することができ、より大きな飽和電圧を得ることが可能となる。したがって、高ダイナミックレンジを実現するCMOS型固体撮像装置の駆動方法を提供することができ、従来のCMOS型固体撮像装置に比べて、ダイナミックレンジを高くすることができる。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態について説明する。
図4は、本発明の第2の実施形態による固体撮像装置を構成する画素の構成例を示す等価回路図である。この図4において、図1に示した構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図4において、18はFD部4のリセット電位Vrsを供給するための端子である。19は、電源配線11に対してリセット電位Vrsを供給するためのNチャネル型MOSトランジスタであり、20は電源配線11に対して電源電位を供給するためのPチャネル型MOSトランジスタである。21はMOSトランジスタ19、20の共通制御線である。したがって、第2の実施形態における画素においては、MOSトランジスタ19、20を共通制御線21により制御することで、リセット電位Vrs又は電源電位を適宜切り替えて電源配線11に対して供給可能なようになっている。
22は電源線11とFD部4との間に形成される容量であり、一方の電極が電源配線11に接続され、他方の電極がFD部4に接続されている。すなわち、電源配線11とFD部4とは容量結合されている。なお、容量22は、意図的に形成して組み込まれた容量であっても良いし、寄生容量であっても良い。
なお、図4に示した単位画素1を複数配列して構成される固体撮像装置の構成については、上述した第1の実施形態(図2参照)と同様である。
次に、図4に示した画素の動作について説明する。
図5は、図4に示した画素の動作を説明するためのタイミングチャートである。
図5において、SC、RC、TC、VC、及びRVCは、制御線10、9、8、16、21を介してMOSトランジスタ7、6、5、15、19、20に印加される駆動パルス信号であり、FD及びSOは、FD部4及び信号出力線12の電位を示したものである。なお、図1におけるMOSトランジスタ7、6、5、19はNチャネル型MOSトランジスタとし、ゲート電位が"H"でオン状態になり、ロウレベル"L"でオフ状態になる。また、Pチャネル型MOSトランジスタ16、20は、ゲート電位が"H"でオフ状態になり、"L"でオン状態になる。
信号SC、RC、TC及びRVCが"L"、信号VCが"H"の状態、つまりMOSトランジスタ7、6、5、15、19がオフ状態、MOSトランジスタ20がオン状態であるときには、電源配線11に対しては電源電位が供給されている。この状態で、まず、時刻T21において、信号SCを"H"にして選択用MOSトランジスタ7をオン状態にすると、信号を読み出す画素1が選択される。
次に、時刻T22において、信号RC及びRVCを"H"にし、所定時間経過後の時刻T23において信号RCを"L"にする。このようにして信号RCをパルス状に"H"にすることで、リセット用MOSトランジスタ6がオン状態になり、FD部4がリセットされる。このとき、信号RVCが"H"なので、MOSトランジスタ19はオン状態、MOSトランジスタ20はオフ状態であり、端子18を介して供給されるリセット電位Vrsが電源配線11に対して供給されている。また、増幅用MOSトランジスタ3と定電流用MOSトランジスタ13とでソースフォロワが形成されているので、リセット電位に応じた出力電位が信号出力線12にあらわれ、信号出力線12の電位SOが変化する。
その後、時刻T24において、信号RVCを"L"にする。これにより、MOSトランジスタ19がオフ状態、MOSトランジスタ20がオン状態になり、電源配線11に対して供給される電位が、リセット電位Vrsから電源電位に切り替わる。この電源配線11の電位変化にともなって、電源配線11と容量結合されているFD部4の電位FDが電圧ΔV2だけ上昇する。
以降、時刻T25〜時刻T29における動作は、図3に示した時刻T14〜T18における動作と同様であるので説明は省略する。
以上、説明したように第2の実施形態によれば、上述した第1の実施形態と同様の駆動に加えて、FD部4のリセット時、すなわち、制御線9を介してリセット用MOSトランジスタ6のゲートに供給される信号RCが“H”となる期間(時刻T22〜時刻T23)においては、MOSトランジスタ19をオン状態、MOSトランジスタ20をオフ状態にして電源配線11に対して供給する電位を電源電位からリセット電位Vrsに切り替える。FD部4のリセット終了後に電源配線11に対して供給する電位を再び電源電位に切り替える。この電源配線11におけるリセット電位Vrsから電源電位への電位変化により、電源配線11と容量結合されているFD部4の電位FDをΔV2だけ上昇させる。
これにより、上述した第1の実施形態と同様に得られる効果も考慮すると、飽和電圧Vsat出力のための条件は(Vrs−Vsat+ΔV1+ΔV2)>Vdとなるので、リセット電位Vrsを電源電位からリセット用MOSトランジスタ6のしきい電圧値を差し引いた値に設定すれば、上述した第1の実施形態の場合と比較してもさらに飽和電圧の限界を決めるVdの値を大きく設定することができ、より大きな飽和電圧を得ることが可能となる。したがって、より高いダイナミックレンジを実現するCMOS型固体撮像装置の駆動方法を提供することができ、上述した第1の実施形態よりもさらにダイナミックレンジを高くすることができる。
なお、上述した第2の実施形態においては、上述した第1の実施形態に加えて、さらに信号RCが"H"である期間に電源電位とリセット電位Vrsとを切り替えて電源配線11に供給できるようにしているが、上述した第1の実施形態を考慮せずに、信号RCが"H"である期間に電源電位とリセット電位Vrsとを切り替えて電源配線11に供給できるだけであっても良い。このようにしても、FD部4のリセット時のリセット電位Vrsとリセット終了後の電源電位との電位差により電源配線11と容量結合されているFD部4の電位FDをΔV2だけ上昇させることができる。
なお、上述した第1及び第2の実施形態において示した固体撮像装置を構成する画素の構成は一例であり、これに限定されるものではなく、例えば、フォトダイオード、MOSトランジスタの極性、及び信号(パルス)の極性をすべて反転した構成であっても良い。
また、上記第1及び第2の実施形態では、フォトダイオード2からFD部4への信号電荷転送時に設定する信号出力線12の電位を電源電位としているが、リセット電位から信号出力電位へと変化する方向に対して、それとは反対方向の電位差をリセット電位に対して持つ電位であれば良く、第2の実施形態におけるFD部4のリセット時に設定する電源配線11の電位についても同様である。
また、上記第1及び第2の実施形態では、画素の構成要素であるトランジスタはMOSトランジスタとしているが、バイポーラトランジスタや接合型電界効果トランジスタ等、他の型のトランジスタを構成要素とするものであっても良い。
(本発明の他の実施形態)
次に、上述した各実施形態による固体撮像装置をスチルカメラに適用した場合について説明する。
図8は、上述した各実施形態による固体撮像装置をスチルビデオカメラに適用した場合を示すブロック図である。
図8において、101はレンズのプロテクトとメインスイッチを兼ねるバリア、102は被写体の光学像を固体撮像装置104に結像させるレンズ、103はレンズ102を通った光量を可変するための絞り、104はレンズ102で結像された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像装置、106は固体撮像装置104より出力される画像信号のアナログ−ディジタル変換を行うA/D変換器、107はA/D変換器106より出力された画像データに各種の補正を行ったりデータを圧縮する信号処理部、108は固体撮像装置104、撮像信号処理回路105、A/D変換器106、信号処理部107に、各種タイミング信号を出力するタイミング発生部、109は各種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算部、110は画像データを一時的に記憶する為のメモリ部、111は記録媒体に記録または読み出しを行うためのインターフェース部、112は画像データの記録または読み出しを行う為の半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体、113は外部コンピュータ等と通信する為のインターフェース部である。
次に、前述の構成における撮影時のスチルビデオカメラの動作について説明する。
バリア101がオープンされるとメイン電源がオンされ、次にコントロール系の電源がオンし、更にA/D変換器106などの撮像系回路の電源がオンされる。
それから、露光量を制御する為に、全体制御・演算部109は絞り103を開放にし、固体撮像装置104から出力された信号はA/D変換器106で変換された後、信号処理部107に入力される。
そのデータを基に露出の演算を全体制御・演算部109で行う。
この測光を行った結果により明るさを判断し、その結果に応じて全体制御・演算部109は絞りを制御する。
次に、固体撮像装置104から出力された信号をもとに、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を全体制御・演算部109で行う。その後、レンズを駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判断した時は、再びレンズを駆動し測距を行う。
そして、合焦が確認された後に本露光が始まる。
露光が終了すると、固体撮像装置104から出力された画像信号はA/D変換器106でA/D変換され、信号処理部107を通り全体制御・演算部109によりメモリ部に書き込まれる。
その後、メモリ部110に蓄積されたデータは、全体制御・演算部109の制御により記録媒体制御I/F部を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体112に記録される。
また、外部I/F部113を通り直接コンピュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。
次に、上述した各実施形態による固体撮像装置をビデオカメラに適用した場合について説明する。
図9は、上述した各実施形態による固体撮像装置をビデオカメラに適用した場合を示すブロック図であり、201は撮影レンズで焦点調節を行うためのフォーカスレンズ201A、ズーム動作を行うズームレンズ201B、結像用のレンズ201Cを備えている。
202は絞り、203は撮像面に結像された被写体像を光電変換して電気的な撮像信号に変換する固体撮像装置、204は固体撮像装置203より出力された撮像信号をサンプルホールドし、さらに、レベルをアンプするサンプルホールド回路(S/H回路)であり、映像信号を出力する。
205はサンプルホールド回路204から出力された映像信号にガンマ補正、色分離、ブランキング処理等の所定の処理を施すプロセス回路で、輝度信号Yおよびクロマ信号Cを出力する。プロセス回路205から出力されたクロマ信号Cは、色信号補正回路221で、ホワイトバランス及び色バランスの補正がなされ、色差信号R−Y,B−Yとして出力される。
また、プロセス回路205から出力された輝度信号Yと、色信号補正回路221から出力された色差信号R−Y,B−Yは、エンコーダ回路(ENC回路)224で変調され、標準テレビジョン信号として出力される。そして、図示しないビデオレコーダ、あるいは電子ビューファインダ等のモニタEVFへと供給される。
次いで、206はアイリス制御回路で有り、サンプルホールド回路204から供給される映像信号に基づいてアイリス駆動回路207を制御し、映像信号のレベルが所定レベルの一定値となるように、絞り202の開口量を制御すべくigメータを自動制御するものである。
213、214は、サンプルホールド回路204から出力された映像信号中より合焦検出を行うために必要な高周波成分を抽出する異なった帯域制限のバンドパスフィルタ(BPF)である。第一のバンドパスフィルタ213(BPF1)、及び第二のバンドパスフィルタ214(BPF2)から出力された信号は、ゲート回路215及びフォーカスゲート枠信号で各々でゲートされ、ピーク検出回路216でピーク値が検出されてホールドされると共に、論理制御回路217に入力される。
この信号を焦点電圧と呼び、この焦点電圧によってフォーカスを合わせている。
また、218はフォーカスレンズ201Aの移動位置を検出するフォーカスエンコーダ、219はズームレンズ201Bの焦点距離を検出するズームエンコーダ、220は絞り202の開口量を検出するアイリスエンコーダである。これらのエンコーダの検出値は、システムコントロールを行う論理制御回路217へと供給される
論理制御回路217は、設定された合焦検出領域内に相当する映像信号に基づいて、被写体に対する合焦検出を行い焦点調節を行う。即ち、各々のバンドパスフィルタ213、214より供給された高周波成分のピーク値情報を取り込み、高周波成分のピーク値が最大となる位置へとフォーカスレンズ201Aを駆動すべくフォーカス駆動回路209にフォーカスモータ210の回転方向、回転速度、回転/停止等の制御信号を供給し、これを制御する。
また、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
本発明の第1の実施形態による固体撮像装置を構成する画素の構成例を示す図である。 第1の実施形態における固体撮像装置の一例を示す図である。 図1に示す画素の動作を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第2の実施形態による固体撮像装置を構成する画素の構成例を示す図である。 図4に示す画素の動作を説明するためのタイミングチャートである。 従来のCMOSセンサ画素の構成を示す図である。 図6に示すCMOSセンサ画素の動作を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の実施形態による固体撮像装置をスチルビデオカメラに適用した場合の構成例を示すブロック図である。 本発明の実施形態による固体撮像装置をビデオカメラに適用した場合の構成例を示すブロック図である。
符号の説明
1 画素
2 フォトダイオード
3 増幅用MOSトランジスタ
4 フローティングディフュージョン部(FD部)
5 転送用MOSトランジスタ
6 リセット用MOSトランジスタ
7 選択用MOSトランジスタ
8、9、10、16、21 制御線
11 電源配線
12 信号出力線
13、19 MOSトランジスタ
15、20 Pチャネル型MOSトランジスタ
17、22 容量
18 端子

Claims (6)

  1. 入射光によって発生した信号電荷を蓄積するフォトダイオードと、上記フォトダイオードからの信号電荷が制御電極に供給され、信号電荷量に応じた増幅信号を信号出力線に対して出力する増幅用トランジスタと、上記増幅用トランジスタの制御電極をリセットするためのリセット用トランジスタと、上記フォトダイオードに蓄積した信号電荷を上記増幅用トランジスタの制御電極に転送するための転送用トランジスタとを有する単位画素を複数配列し、
    さらに、上記信号出力線と、上記信号出力線に電位を供給し得る電源端子との導通又は非導通を切り換える制御トランジスタと、
    上記信号出力線上に設けられ、上記増幅用トランジスタとでソースフォロワを形成し得る定電流用トランジスタとを有し、
    上記電源端子の供給する電位は、上記増幅用トランジスタの制御電極のリセット電位に対して上記増幅信号出力時に上記増幅用トランジスタの制御電極の電位が変化する方向とは反対方向に電位差を有する電位であり、
    上記ソースフォロワが形成している期間に上記増幅用トランジスタの制御電極のリセットを終了してから、上記ソースフォロワが形成されなくなるまでの期間であって、上記転送用トランジスタが導通している第1期間に上記制御トランジスタが導通することを特徴とする固体撮像装置。
  2. 上記増幅用トランジスタの電源供給端子に選択的に異なる電位を供給する電位供給手段を有し、
    上記電位供給手段は、上記第1期間と、上記ソースフォロワが形成している期間であってかつ上記リセット用トランジスタが導通している第2期間とで、上記電源供給端子に異なる電位を供給し、
    上記第1期間に上記電源供給端子に供給する電位は、上記第2期間に上記電源供給端子に供給する電位に対して、上記増幅用トランジスタの制御電極のリセット電位に対して上記増幅信号出力時に上記増幅用トランジスタの制御電極の電位が変化する方向とは反対方向に電位差を有する電位であることを特徴とする請求項記載の固体撮像装置。
  3. 上記電位供給手段は、
    上記電源供給端子にドレインが接続され、第1の電源端子にソースが接続された第1トランジスタと、
    上記第1の電源端子から供給される電位とは異なる電位を供給する第2の電源端子にドレインが接続され、上記電源供給端子にソースが接続された第2トランジスタとを備え、
    上記第1トランジスタのゲートと上記第2トランジスタのゲートとが、制御線に共通接続され、
    上記第1の電源端子の供給する電位は、上記第2期間に上記電源供給端子に供給する電位に対して、上記第2の電源端子の供給する電位に対して上記増幅信号出力時に上記増幅用トランジスタの制御電極の電位が変化する方向とは反対方向に電位差を有する電位であることを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
  4. 入射光によって発生した信号電荷を蓄積するフォトダイオードと、上記フォトダイオードからの信号電荷が制御電極に供給され、信号電荷量に応じた増幅信号を信号出力線に対して出力する増幅用トランジスタと、上記増幅用トランジスタの制御電極をリセットするためのリセット用トランジスタと、上記フォトダイオードに蓄積した信号電荷を上記増幅用トランジスタの制御電極に転送するための転送用トランジスタとを有する単位画素を複数配列し、
    さらに、上記増幅用トランジスタの電源供給端子に選択的に異なる電位を供給する電位供給手段を有し、
    上記電位供給手段は、上記ソースフォロワが形成している期間に上記増幅用トランジスタの制御電極のリセットを終了してから、上記ソースフォロワが形成されなくなるまでの期間であって、上記転送用トランジスタが導通している第1期間と、上記ソースフォロワが形成している期間であってかつ上記リセット用トランジスタが導通している第2期間とで、上記電源供給端子に異なる電位を供給し、
    上記第1期間に上記電源供給端子に供給する電位は、上記第2期間に上記電源供給端子に供給する電位に対して、上記増幅用トランジスタの制御電極のリセット電位に対して上記増幅信号出力時に上記増幅用トランジスタの制御電極の電位が変化する方向とは反対方向に電位差を有する電位であることを特徴とする固体撮像装置。
  5. 入射光によって発生した信号電荷を蓄積するフォトダイオードと、上記フォトダイオードからの信号電荷が制御電極に供給され、信号電荷量に応じた増幅信号を信号出力線に対して出力する増幅用トランジスタと、上記増幅用トランジスタの制御電極をリセットするためのリセット用トランジスタと、上記フォトダイオードに蓄積した信号電荷を上記増幅用トランジスタの制御電極に転送するための転送用トランジスタとを有する単位画素を複数配列し、さらに、上記信号出力線と、上記信号出力線に電位を供給し得る電源端子との導通又は非導通を切り換える制御トランジスタと、上記信号出力線上に設けられ、上記増幅用トランジスタとでソースフォロワを形成し得る定電流用トランジスタとを有する固体撮像装置の駆動方法であって、
    上記電源端子の供給する電位は、上記増幅用トランジスタの制御電極のリセット電位に対して上記増幅信号出力時に上記増幅用トランジスタの制御電極の電位が変化する方向とは反対方向に電位差を有する電位であり、
    上記ソースフォロワが形成している期間に上記増幅用トランジスタの制御電極のリセットを終了してから、上記ソースフォロワが形成されなくなるまでの期間であって、上記転送用トランジスタが導通している第1期間に上記制御トランジスタを導通することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
  6. 入射光によって発生した信号電荷を蓄積するフォトダイオードと、上記フォトダイオードからの信号電荷が制御電極に供給され、信号電荷量に応じた増幅信号を信号出力線に対して出力する増幅用トランジスタと、上記増幅用トランジスタの制御電極をリセットするためのリセット用トランジスタと、上記フォトダイオードに蓄積した信号電荷を上記増幅用トランジスタの制御電極に転送するための転送用トランジスタとを有する単位画素を複数配列し、さらに、上記増幅用トランジスタの電源供給端子に選択的に異なる電位を供給する電位供給手段を有する固体撮像装置の駆動方法であって、
    上記ソースフォロワが形成している期間に上記増幅用トランジスタの制御電極のリセットを終了してから、上記ソースフォロワが形成されなくなるまでの期間であって、上記転送用トランジスタが導通している第1期間と、上記ソースフォロワが形成している期間であってかつ上記リセット用トランジスタが導通している第2期間とで、上記電源供給端子に異なる電位を上記電位供給手段により供給し、
    上記第1期間に上記電源供給端子に供給する電位は、上記第2期間に上記電源供給端子に供給する電位に対して、上記増幅用トランジスタの制御電極のリセット電位に対して上記増幅信号出力時に上記増幅用トランジスタの制御電極の電位が変化する方向とは反対方向に電位差を有する電位であることを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
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