JP5074808B2 - 光電変換装置及び撮像システム - Google Patents

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Description

本発明は、光電変換装置及び撮像システムに関する。
従来から、使い方の簡便さや消費電力の小ささなどを長所とするいわゆる増幅型の光電変換装置の開発が行われている。この増幅型の光電変換装置では、各画素の信号を増幅する増幅用トランジスタの閾値ばらつき等に起因する固定パターンノイズ(以下、FPNとする)が光信号に混入する。そこで、光信号とリセット信号との差分を演算する相関二重サンプリング(以下、CDSとする)処理を行うための読み出し回路により、FPNを抑圧することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1には、列信号線に列増幅部を設けて、光信号とリセット信号とをそれぞれ列増幅部で増幅してから読み出し回路を用いてCDS処理する技術が提案されている。これにより、効果的にCDS処理を行ってFPNを抑圧することができる。
特開2003-051989号公報
特許文献1に示される光電変換装置100では、例えば図7に示すように、2×2の画素配列PAにおいて、右側の列の画素1に光が入射せず、左側の列の画素1に高輝度の光が入射することがある。このとき、右側の列の画素1の光電変換部1aが蓄積する電荷量(信号)はゼロになり、左側の列の画素1の光電変換部1aが蓄積する電荷量(信号)は高い値になる。そして、右側の列の画素1から第1の列信号線L101を介して列増幅部(列アンプ)106へ出力される信号は、ほぼゼロになる。それに対して、左側の列の画素1から第1の列信号線L101を介して列増幅部106へ出力される信号は、大きな値になる。
ここで、右側の列の画素1の列増幅部106では、図8に示すように、画素1から第1の列信号線L101及び容量33を介して入力端子26にゼロの信号が入力され、入力端子25に基準信号(基準電圧Vref)が入力される。差動増幅部24は、両者の信号の差分を増幅する。増幅されて生成された差動信号は、ソースフォロワとして機能する出力バッファー部28へ入力される。出力バッファー部28は、その差動信号に応じた信号を出力端子29から第2の列信号線L102へ出力する。このとき、出力バッファー部28のトランジスタTrにおいて、ドレイン−ソース間には、大きな電流が流れない。
一方、左側の列の画素1の列増幅部106では、図8に示すように、画素1から第1の列信号線L101を介して入力端子26に高い値の信号が入力され、入力端子25に基準信号(基準電圧Vref)が入力される。差動増幅部24は、両者の信号の差分を増幅する。増幅されて生成された差動信号は、ソースフォロワとして機能する出力バッファー部28へ入力される。出力バッファー部28は、その差動信号に応じた信号を出力端子29から第2の列信号線L102へ出力する。このとき、第2の列信号線L102に接続された読み出し回路5の保持容量7,8を充電するための電流の負荷が大きくなり、出力バッファー部28のトランジスタTrにおいて、ドレイン−ソース間に大きな電流が流れる。その結果、電源線L103にも大きな電流が流れる。
これにより、図9に示すように、第2の列信号線L102に接続された読み出し回路5の保持容量7,8がチャージアップし始めるタイミングT1において、電源線L103の配線抵抗により電源線L103の電位が一時的に低下する。そして、保持容量7,8がチャージアップし終わるタイミングT2においても、電源線L103の電位がVDDより低くなっている。なお、VDDは供給元の電源電位を示している。
右側の列の列増幅部106は、左側の列の列増幅部106と電源線L103が共通であるので(図7参照)、電源線L103の時間的電位変動の影響を受けて、本来ゼロとなるべきものが、ゼロとは異なる信号を出力してしまう。
このようにして得られた画像信号に応じた画像において、図10に示すように、高輝度の被写体40に対して横方向に隣接した領域45において、偽信号(横スミア)が発生する。
本発明の目的は、横スミアを低減できる光電変換装置及び撮像システムを提供することにある。
本発明の第1の側面に係る光電変換装置は、光電変換部を含む画素が行方向及び列方向に配列された画素配列と、それぞれ、前記画素配列において列方向に配列された画素に接続された複数の第1の列信号線と、前記複数の第1の列信号線のそれぞれを介して提供された信号を増幅する複数の列増幅部と、前記複数の列増幅部に電源電圧を供給する電源線と、前記複数の列増幅部のそれぞれの出力側に接続された複数の第2の列信号線と、を備え、前記複数の列増幅部のそれぞれは、前記第1の列信号線を介して提供された信号を増幅する増幅器と、前記増幅器の出力に応じて前記第2の列信号線を駆動する出力バッファー部とを含み、前記出力バッファー部は、第2の列信号線流れる電流を制限する電流制限部を含み、前記電流制限部は、前記第2の列信号線と前記電源線との間に配置されていることを特徴とする。
本発明の第2側面に係る撮像システムは、本発明の第1側面に係る光電変換装置と、前記光電変換装置へ光を結像する光学系と、前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部とを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、横スミアを低減できる。
本発明の第1実施形態に係る光電変換装置200について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る光電変換装置200の構成図である。
光電変換装置200は、次の構成要素を備える。
PAは、画素配列であり、画素(単位画素)1が行方向及び列方向に配列されている。画素1は、光電変換部1aを含む。光電変換部1aは、例えば、フォトダイオードである。画素配列PAは、画素1が行方向及び列方向に複数配列されたものであるが、簡単のため2×2画素としている。画素1は、どのような方式であってもよいが、リセットレベルのリセット信号と、リセットレベルに信号レベルが上乗せされた光信号とを出力する一般的なものとする。なお、以下では、便宜上、2×2の画素において、図面上左側に位置する列を「左側の列」と呼び、図面上右側に位置する列を「右側の列」と呼ぶことにする。
L101は、複数の第1の列信号線のそれぞれである。第1の列信号線L101は、画素配列PAにおいて列方向にそれぞれ配列された画素1に接続されている。3は、画素駆動線である。4は、垂直走査回路であり、画素駆動線3を介して駆動すべき画素行を選択して駆動する。206は、複数の列増幅部(列アンプ)のそれぞれである。列増幅部206は、第1の列信号線L101に接続され、第1の列信号線L101を介して提供された信号を増幅する。
L103は、複数の列増幅部206に電源電圧を供給するための電源線である。電源線L103は、左側の列の列増幅部206と右側の列の列増幅部206とに共通に接続され、左側の列の列増幅部206と右側の列の列増幅部206とに電源電圧VDDを供給する。L102は、複数の第2の列信号線のそれぞれである。第2の列信号線L102は、列増幅部206の出力側に接続されている。
5は、画素1から出力された信号を読み出すための読み出し回路である。読み出し回路5は、第2の列信号線L102に接続され、列増幅部206から出力された信号を保持する。11は、後述の保持容量7に保持されたリセット信号出力が導かれるノイズ出力線である。12は、保持容量8に保持された光信号出力が導かれる信号出力線である。
15は、ノイズ出力線11の電位をリセットするためのノイズ出力線リセット用MOSトランジスタである。16は、信号出力線12の電位をリセットするための信号出力線リセット用MOSトランジスタである。17は、リセット用MOSトランジスタ15,16にリセット電圧を供給するための電源端子である。
18は、各列の保持容量7,8を順次選択していくための水平走査回路である。18−1は、左側の列を選択するための信号線である。信号線18−1は、左側の列のスイッチ用MOSトランジスタ13,14に接続されている。すなわち、水平走査回路18によって、左側の列において、順次選択される保持容量7,8の出力が差動アンプ22の入力部にそれぞれノイズ出力線11、信号出力線12を通して導かれる。18−2は、右側の列を選択するための信号線である。信号線18−2は、右側の列のスイッチ用MOSトランジスタ13,14に接続されている。すなわち、水平走査回路18によって、右側の列において、順次選択される保持容量7,8の出力が差動アンプ22の入力部にそれぞれノイズ出力線11、信号出力線12を通して導かれる。
19は、リセット用MOSトランジスタ15,16のゲートにパルスを印加するためのパルス供給端子である。20は、スイッチ用MOSトランジスタ9のゲートにパルスを印加するためのパルス供給端子である。21は、スイッチ用MOSトランジスタ10のゲートにパルスを印加するためのパルス供給端子である。
22は、ノイズ出力線11の電圧(ノイズ信号)と信号出力線12の電圧(光信号)との差分を増幅して出力する差動アンプである。すなわち、水平走査回路18によって、順次選択される保持容量7,8の出力が差動アンプ22の入力部にそれぞれノイズ出力線11、信号出力線12を通して導かれ、画素のリセットレベルが除去された信号が端子23から出力される。このとき、列増幅部206のオフセットも保持容量7,8に同じように蓄積されるため、列増幅部206のオフセットも除去される。23は、差動アンプ22の出力端子である。
次に、読み出し回路5の構成について、図1を用いて説明する。
読み出し回路5は、次の構成要素を含む。
7は、画素1のリセット信号出力を保持するための保持容量である。すなわち、垂直走査回路4によって選択された行の画素1のリセット信号が列増幅部206によって増幅され、増幅されたリセット信号が保持容量7に蓄積される。8は、画素1の光信号出力を保持するための保持容量である。すなわち、垂直走査回路4によって選択された行の画素1の光信号が列増幅部206によって増幅され、増幅された光信号が保持容量8に蓄積される。
9は、第2の列信号線L102と保持容量7との導通をオンオフするためのスイッチ用MOSトランジスタである。10は、第2の列信号線L102と保持容量8との導通をオンオフするためのスイッチ用MOSトランジスタである。13は、保持容量7とノイズ出力線11との導通をオンオフするためのスイッチ用MOSトランジスタである。14は、保持容量8と信号出力線12との導通をオンオフするためのスイッチ用MOSトランジスタである。
次に、列増幅部206について、図2を用いて説明する。図2は、列増幅部206の構成を示す等価回路図である。
列増幅部206は、差動増幅部24、出力バッファー部228、及び帰還部41を含む。
差動増幅部24は、次の構成要素を含む。
25は、(+)入力端子であり、基準電圧Vrefが供給されている。26は、(−)入力端子であり、帰還部41に接続されるとともに、容量33を介して端子44に接続される。容量33は、一方の電極が(−)入力端子26に接続され、もう一方の電極が端子44に接続される。端子44には、複数の第1の列信号線L101のそれぞれに接続されている。
27は、定電流供給用のMOSトランジスタである。MOSトランジスタ(定電流源)27のゲートには、定電流源として動作させるような電圧が端子35から供給される。42は、出力端子であり、電源線L103と定電流源27との間に配されている。出力端子42は、差動信号を出力バッファー部228へ出力する。
差動増幅部24は、入力端子26を介して画素1の信号が入力され、端子25を介して基準信号が入力され、画素1の信号と基準信号との差分を増幅して差動信号を生成する。差動増幅部24は、出力端子42を介して、差動信号を出力する。
帰還部41は、次の構成要素を含む。
32は、出力バッファー部228の出力端子29と差動増幅部24の(−)入力端子26とをスイッチするためのMOSトランジスタである。MOSトランジスタ32のゲートには、所定のタイミングでオン/オフするように制御パルスが端子36から印加される。34は、容量であり、一方の電極が(−)入力端子26に接続され、もう一方の電極が出力バッファー部228に接続されている。
列増幅部206は、画素1からリセット信号が出力される際に、帰還部41のMOSトランジスタ32がオンして、ボルテージフォロワとして動作させるが、画素1からのリセット信号が引き続き出力されている途中でMOSトランジスタ32をオフさせる。これにより、後述の出力端子29の電位が入力端子25の電位に列増幅部206のオフセット電圧を加えた値になる。
一方、列増幅部206は、画素1から光信号が出力される際に、MOSトランジスタ32がオフした状態で動作する。列増幅部206の演算増幅器(オペアンプ)としての動作により、そのゲインは容量33、34の容量分割比で決まる。すなわち容量33、34の値をそれぞれC1、C2とすると、ゲインは−C1/C2となる。
画素出力のリセットノイズは容量33によるクランプ動作で除去されるので、保持容量7、8の下流側の差動アンプ22において除去されるべきノイズは列増幅部206のオフセットばらつきと容量33、34のリセットノイズ(kTCノイズ)とになる。光信号の振幅はC1/C2倍に増幅されるので、このゲイン設定を適切に行うことにより高いSN比のセンサ出力を得ることができる。
出力バッファー部228は、次の構成要素を含む。
43は、入力端子である。入力端子43は、出力端子42に接続されている。入力端子43には、差動増幅部24から差動信号が入力される。29は、出力端子である。出力端子29は、第2の列信号線L102に接続されており、電源線L103と後述の定電流源30との間に配され、入力端子43と電気的に絶縁されている。出力端子29は、トランジスタTrのソースに接続されている。出力端子29は、差動信号に応じた信号(差動信号−Trの閾値電圧)を第2の列信号線L102へ出力する。
30は、定電流供給用のMOSトランジスタ(定電流源)である。MOSトランジスタ(定電流源)30のゲートには、定電流源として動作させるような電圧が端子35から供給される。トランジスタTrは、MOSトランジスタ(定電流源)30とともに、ソースフォロワとして機能する。
出力バッファー部228は、入力端子43を介して差動信号が入力され、出力端子29を介して差動信号に応じた信号を第2の列信号線L102へ出力する。
電流制限部237は、電源線L103と出力端子29との間に配されている。電流制限部237は、電源線L103から第2の列信号線L102へ流れる電流を制限する。電流制限部237は、例えば、飽和領域で動作するトランジスタを含む。具体的には、電流制限部237は、例えば、P型MOSトランジスタを含む。238は、P型MOSトランジスタのゲートに接続する電位供給端子であり、MOSトランジスタに流れる電流にある値の制限がかかるように電位が設定されている。
ここで、P型MOSトランジスタのソースドレイン間電圧をVDS、ゲートソース間電圧をVGS、しきい電圧値をVTHとする。このとき、ソースドレイン間電圧VDSに対するドレイン電流ID特性は次のようになる。
−VDS<−(VGS−VTH)・・・数式1
が成立するリニア領域において、ドレイン電流IDは、
ID=K{(VGS−VTH)・VDS−VDS2/2}・・・数式2
の特性を示す。
−VDS>−(VGS−VTH)・・・数式3
が成立する飽和領域において、ドレイン電流IDは、
ID=K/2・(VGS−VTH)2・・・数式4
の特性を示す。数式2,4においてKはP型MOSトランジスタの構造パラメータで決まる定数である。
数式2によれば、電流制限部(トランジスタ)237をリニア領域で動作させると、VDSの増加とともにIDが増加してしまいトランジスタTrに流れ込む電流を制限できない。
それに対して、数式4によれば、電流制限部(トランジスタ)237を飽和領域で動作させると、VDSが増加してもIDが増加しにくくトランジスタTrに流れ込む電流を制限できる。すなわち、電圧供給端子238は、数式3を満たすVGSが得られるような電圧を電流制限部(トランジスタ)237のゲートに供給する。
次に、電源線L103の電位の変化について、図3を用いて説明する。図3は、電源線L103の電位の変化を示す図である。
仮に、列増幅部206が電流制限部237を含まないとすると、図3の破線で示すように、電源線L103の電位が変化する。すなわち、列増幅部206に高い値の信号が入力された際に、第2の列信号線L102に接続された読み出し回路5の保持容量7,8を充電するための電流の負荷が大きくなる。これにより、保持容量7,8がチャージアップし始めるタイミングT1において、列増幅部206の出力バッファー部228のTrのソース−ドレイン間に大きな電流が流れる。このため、電源線L103にも大きな電流が流れて、電源線L103の配線抵抗により電源線L103の電位が一時的に低下する。そして、保持容量7,8がチャージアップし終わるタイミングT2においても、電源線L103の電位がVDDより低くなっている。
それに対して、本実施形態では、列増幅部206において、電流制限部237が、電源線L103から第2の列信号線L102へ流れる電流を制限する。これにより、図3の実線で示すように、電源線L103の電位が変化する。すなわち、列増幅部206に高い値の信号が入力された際に、保持容量7,8を充電するための電流の負荷が大きくなる。しかし、電流制限部237が第2の列信号線L102へ流れる電流を制限するので、保持容量7,8がチャージアップし始めるタイミングT1において、列増幅部206の出力バッファー部228のTrのソース−ドレイン間に大きな電流が流れない。これにより、電源線L103にも大きな電流が流れず、電源線L103の配線抵抗による電源線L103の電位の低下も抑制されている。そして、タイミングT2において、電源線L103の電位がほぼVDDに戻っている。
このように、本実施形態によれば、右側の列の列増幅部206は、左側の列の列増幅部206と電源線L103が共通であっても(図1参照)、左側の列の列増幅部206の影響を受けずに、安定した信号を出力することができる。例えば、右側の列の画素1に光が入射せず、左側の列の画素1に高輝度の光が入射した場合、左側の列の画素1の列増幅部206が白階調の光信号に応じた電圧を保持容量8にチャージする際に、電源線L103の電位の低下が抑制されている。これにより、右側の列の列増幅部206は、左側の列の画素1の列増幅部206の影響を受けずに、黒階調の光信号に応じた電圧を保持容量8にチャージすることができる。このため、リセット信号と光信号との差分である画像信号ΔVとして、左側の列から白階調に対応した電圧が後段に供給され、右側の列から黒階調に対応した電圧が後段に供給される。この結果、得られた画像信号に応じた画像において、高輝度の被写体40に対して横方向に隣接した領域45において偽信号(横スミア)が発生すること(図10参照)を低減できる。
次に、本発明の光電変換装置を適用した撮像システムの一例を図4に示す。
撮像システム90は、図4に示すように、主として、光学系、撮像装置86及び信号処理部を備える。光学系は、主として、シャッター91、撮影レンズ92及び絞り93を備える。撮像装置86は、光電変換装置200を含む。信号処理部は、主として、撮像信号処理回路95、A/D変換器96、画像信号処理部97、メモリ部87、外部I/F部89、タイミング発生部98、全体制御・演算部99、記録媒体88及び記録媒体制御I/F部94を備える。なお、信号処理部は、記録媒体88を備えなくても良い。
シャッター91は、光路上において撮影レンズ92の手前に設けられ、露出を制御する。
撮影レンズ92は、入射した光を屈折させて、撮像装置86の光電変換装置200へ被写体の像を結像させる。
絞り93は、光路上において撮影レンズ92と光電変換装置200との間に設けられ、撮影レンズ92を通過後に光電変換装置200へ導かれる光の量を調節する。
撮像装置86の光電変換装置200は、光電変換装置200に結像された被写体の像を画像信号に変換する。撮像装置86は、その画像信号を光電変換装置200から読み出して出力する。
撮像信号処理回路95は、撮像装置86に接続されており、撮像装置86から出力された画像信号を処理する。
A/D変換器96は、撮像信号処理回路95に接続されており、撮像信号処理回路95から出力された処理後の画像信号(アナログ信号)をデジタル信号へ変換する。
画像信号処理部97は、A/D変換器96に接続されており、A/D変換器96から出力された画像信号(デジタル信号)に各種の補正等の演算処理を行い、画像データを生成する。この画像データは、メモリ部87、外部I/F部89、全体制御・演算部99及び記録媒体制御I/F部94などへ供給される。
メモリ部87は、画像信号処理部97に接続されており、画像信号処理部97から出力された画像データを記憶する。
外部I/F部89は、画像信号処理部97に接続されている。これにより、画像信号処理部97から出力された画像データを、外部I/F部89を介して外部の機器(パソコン等)へ転送する。
タイミング発生部98は、撮像装置86、撮像信号処理回路95、A/D変換器96及び画像信号処理部97に接続されている。これにより、撮像装置86、撮像信号処理回路95、A/D変換器96及び画像信号処理部97へタイミング信号を供給する。そして、撮像装置86、撮像信号処理回路95、A/D変換器96及び画像信号処理部97がタイミング信号に同期して動作する。
全体制御・演算部99は、タイミング発生部98、画像信号処理部97及び記録媒体制御I/F部94に接続されており、タイミング発生部98、画像信号処理部97及び記録媒体制御I/F部94を全体的に制御する。
記録媒体88は、記録媒体制御I/F部94に取り外し可能に接続されている。これにより、画像信号処理部97から出力された画像データを、記録媒体制御I/F部94を介して記録媒体88へ記録する。
以上の構成により、光電変換装置200において良好な画像信号が得られれば、良好な画像(画像データ)を得ることができる。
次に、本発明の第2実施形態に係る光電変換装置300について、図5及び図6を用いて説明する。図5は、本発明の第2実施形態に係る光電変換装置300の構成図である。図6は、列増幅部306の構成を示す等価回路図である。
光電変換装置300は、図5に示すように、その基本的な構成は第1実施形態と同様であるが、列増幅部306を備える点で第1実施形態と異なる。
列増幅部306は、図6に示すように、出力バッファー部328を含む点で、第1実施形態と異なる。出力バッファー部328は、電流制限部339を含む。
電流制限部339は、電源線L103から第2の列信号線L102へ流れる電流を制限する。電流制限部339は、例えば、抵抗素子を含む。これにより、簡易な構成で電流制限部を実現できる。
仮に、列増幅部306が電流制限部339を含まないとすると、列増幅部306に高い値の信号が入力された際に、第2の列信号線L102に接続された読み出し回路5の保持容量7,8を充電するための電流の負荷が大きくなる。これにより、出力バッファー部328のトランジスタTrにおいて、ドレイン−ソース間に大きな電流が流れるので、電源線L103にも大きな電流が流れる。
それに対して、本実施形態では、列増幅部306に高い値の信号が入力された際に、保持容量7,8を充電するための電流の負荷が大きくなる。しかし、電流制限部339が第2の列信号線L102へ流れる電流を制限するので、保持容量7,8がチャージアップし始めるタイミングT1において、列増幅部306の出力バッファー部328のTrのソース−ドレイン間に大きな電流が流れない。これにより、電源線L103にも大きな電流が流れず、電源線L103の配線抵抗による電源線L103の電位の低下も抑制されている。そして、タイミングT2において、電源線L103の電位がほぼVDDに戻っている。
このように、本実施形態によっても、右側の列の列増幅部306は、左側の列の列増幅部306と電源線L103が共通であっても(図5参照)、左側の列の列増幅部306の影響を受けずに、安定した信号を出力することができる。例えば、右側の列の画素1に光が入射せず、左側の列の画素1に高輝度の光が入射した場合、左側の列の画素1の列増幅部306が白階調の光信号に応じた電圧を保持容量8にチャージする際に、電源線L103の電位の低下が抑制されている。これにより、右側の列の列増幅部306は、左側の列の画素1の列増幅部306の影響を受けずに、黒階調の光信号に応じた電圧を保持容量8にチャージすることができる。このため、リセット信号と光信号との差分である画像信号ΔVとして、左側の列から白階調に対応した電圧が後段に供給され、右側の列から黒階調に対応した電圧が後段に供給される。この結果、得られた画像信号に応じた画像において、高輝度の被写体40に対して横方向に隣接した領域45において偽信号(横スミア)が発生すること(図10参照)を低減できる。
本発明の第1実施形態に係る光電変換装置の構成図。 列増幅部の構成を示す等価回路図。 電源線の電位の変化を示す図。 第1実施形態に係る光電変換装置を適用した撮像システムの構成図。 本発明の第2実施形態に係る光電変換装置の構成図。 列増幅部の構成を示す等価回路図。 本発明の課題を説明する図。 本発明の課題を説明する図。 本発明の課題を説明する図。 本発明の課題を説明する図。
符号の説明
1 画素
1a 光電変換部
5 保持部
24 差動増幅部
28 出力バッファー部
41 帰還部
100,200,300 光電変換装置
106,206,306 列増幅部
237,339 電流制限部
239 増幅部
L101 第1の列信号線
L102 第2の列信号線
L103 電源線
PA 画素配列

Claims (5)

  1. 光電変換部を含む画素が行方向及び列方向に配列された画素配列と、
    それぞれ、前記画素配列において列方向に配列された画素に接続された複数の第1の列信号線と、
    前記複数の第1の列信号線のそれぞれを介して提供された信号を増幅する複数の列増幅部と、
    前記複数の列増幅部に電源電圧を供給する電源線と、
    前記複数の列増幅部のそれぞれの出力側に接続された複数の第2の列信号線と、を備え、
    前記複数の列増幅部のそれぞれは、前記第1の列信号線を介して提供された信号を増幅する増幅器と、前記増幅器の出力に応じて前記第2の列信号線を駆動する出力バッファー部とを含み、前記出力バッファー部は、第2の列信号線流れる電流を制限する電流制限部を含み、前記電流制限部は、前記第2の列信号線と前記電源線との間に配置されていることを特徴とする光電変換装置。
  2. 前記増幅器は、前記第1の列信号線を介して提供された信号基準信号との差分を増幅し差動信号を前記出力バッファーに出力する
    ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
  3. 前記出力バッファー部は、ソースフォロワを含み、
    前記電流制限部は、飽和領域で動作するトランジスタを含む
    ことを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
  4. 前記出力バッファー部は、ソースフォロワを含み、
    前記電流制限部は、抵抗素子を含む
    ことを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
  5. 請求項1から4のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
    前記光電変換装置へ光を結像する光学系と、
    前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、を備えたことを特徴とする撮像システム。
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