TWI419111B

TWI419111B - 感測裝置

Info

Publication number: TWI419111B
Application number: TW99130011A
Authority: TW
Inventors: Ping Hung Yin; Brian Van
Original assignee: Himax Imagimg Inc
Priority date: 2010-09-06
Filing date: 2010-09-06
Publication date: 2013-12-11
Also published as: TW201211968A

Description

感測裝置

本發明係有關於一種感測裝置，特別是有關於一種具有畫素放大器之感測裝置，該畫素放大器具有二階參考電壓。

一般而言，感測畫素包括一感測元件、轉移電晶體、重置電晶體、以及源極隨耦電晶體。轉移諦聽以、重置電晶體、以及源極隨耦電晶體耦接至一浮動擴散節點(floating diffusion node)，而此浮動擴散節點耦接源極隨耦電晶體之控制端。在曝光期間中，感測元件用來感測光線以產生一感測信號，且在讀出期間中，轉移電晶體導通以將感測信號轉移至浮動擴散節點以執行讀出操作。在讀出期間，於轉移電晶體將感測信號轉移至浮動擴散節點之前，重置電晶體導通以將浮動擴散節點之位準重置到一預設位準，其中，該預設位準係作為轉移之感測信號的基本位準。然而，當重置操作完成而重置電晶體關閉時，由於重置電晶體所導致的電流注入效應，使得浮動擴散節點的位準由該預設位準下降。浮動擴散節點的位準下降導致較小的畫素讀出擺幅(swing)，這不利於讀出操作。

因此，期望提供一種感測裝置，其可解決在畫素單元中由重置電晶體所導致的電流注入效應。

本發明提供一種感測裝置，包括畫素單元與輸出單元。畫素單元操作在曝光期間以及讀出期間，其包括感測元件、轉移電晶體、重置電晶體、以及輸出電晶體。感測元件用以感測光線。轉移電晶體耦接於感測元件與浮動擴散節點之間。重置電晶體耦接於第一節點與浮動擴散節點之間，且由重置信號所控制。輸出電晶體具有耦接浮動擴散節點之控制端、耦接第一節點之輸入端、以及輸出端。在讀出期間，重置電晶體受控於重置信號之重置相位以重置浮動擴散節點之位準。輸出單元耦接輸出電晶體。輸出單元接收參考信號，且根據浮動擴散節點之位準與參考信號於第一節點上產生畫素輸出信號。在讀出期間，參考信號處於第一位準，且在重置相位之後，參考信號處於低於第一位準之第二位準。

本發明另提供一種感測裝置，其包括畫素單元。畫素單元操作在曝光期間以及讀出期間。畫素單元包括感測元件、重置電晶體、以及輸出電晶體。感測元件感測光線。重置電晶體耦接於電壓源與浮動擴散節點之間，且由重置信號所控制。輸出電晶體具有耦接浮動擴散節點之控制端、耦接電壓源之輸入端、以及輸出端。在讀出期間，重置電晶體受控於重置信號之重置相位以重置浮動擴散節點之位準。在讀出期間，電壓源處於第一位準，且在重置相位之後，電壓源處於低於第一位準之第二位準。

為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

第1圖係表示根據本發明一實施例之感測裝置。參閱第1圖，感測裝置1包括畫素單元10以及輸出單元11。畫素單元10包括感測元件100、轉移電晶體101、重置電晶體102、源極隨耦器SF。源極隨耦器SF包括輸出電晶體103，源極隨耦器SF之輸入端耦接輸出電晶體103之控制端。電晶體101至103為N型金氧半(NMOS)電晶體。畫素單元10操作在一曝光其間與一讀出期間。參閱第1圖，感測元件100係以一光二極體來實現，其具有耦接接地端GND之陽極電極且具有陰極電極。轉移電晶體101之控制端接收控制信號TX，其輸入端耦接光二極體100之陰極電極，且其輸出端耦接一浮動擴散節點FN。重置電晶體102之控制端接收一重置信號RST，其輸入端耦接節點N10，且其輸出端耦接浮動擴散節點FN。輸出電晶體103之控制端耦接浮動擴散節點FN，其輸入端耦接節點N10，且其輸入端耦接輸出單元11。畫素單元更包括一電容器104，其耦接於節點N10與浮動擴散節點FN之間。電容器104是一實際電容器或者是輸出電晶體103之寄生電容。

輸出單元11耦接電晶體103之輸出端。輸出單元11接收一參考信號VREF，並根據浮動擴散節點FN之位準與參考信號VREF於節點N10上產生一畫素輸出信號SOUT。在此實施例中，參考信號VREF為二階電壓信號。

在曝光期間，感測單元100感測光線以產生一感測信號SS。第2圖係表示在曝光期間後之讀出期間中感測裝置1的主要信號時序圖。參閱第1及2圖，在讀出期間，重置信號RST在時間點T1與時間點T2(時間點T2出現於時間點T1之後)之間被致能(asserted)，以形成一重置相位PRST。重置電晶體102被重置相位PRST所導通，以重置浮動擴散節點FN之位準。在時間點T1與時間點T3(時間點T3出現於時間點T2之後)之間，參考信號VREF處於一較高位準LVH，且在時間點T3上參考信號VREF切換至處於一較低位準LVL。換句話說，參考信號VREF是在重置相位PRST之後切換至較低位準LVL。接著，在時間點T3之後的時間點T4，控制信號TX被致能來導通轉移電晶體101，以將感測信號SS轉移至浮動擴散節點FN。

第3圖係表示第1圖之輸出單元11之一實施例與畫素單元10。參閱第3圖，輸出單元11’包括電晶體300-303，其中，電晶體300及301為P型金氧半(PMOS)電晶體，而電晶體302與303為NMOS電晶體。電晶體300之控制端耦接節點N30，其輸入端耦接供應電壓源VDD，且其輸出端耦接節點N10。電晶體301之控制端耦接節點N30，其輸入端耦接供應電壓源VDD，且其輸出端耦接電晶體301之控制端於節點N30。電晶體300與301形成一電流源CS。電晶體302之控制端直接接收參考信號VREF，其輸入端耦接電晶體301之輸出端於節點N30，且其輸出端耦接輸出電晶體103之輸出端。電晶體303之控制端接收偏壓電壓VBIA，其輸入端耦接輸出電晶體103之輸出端，且其輸出端耦接接地端GND。

參閱第3圖，輸出電晶體與輸出單元30之電晶體300-303形成了差動放大器。電容器104作為此差動放大器之回授電容。此差動放大器根據浮動擴散節點FN之位準與參考信號VREF間的差異而於節點N10上產生畫素輸出信號SOUT。在讀出期間，畫素輸出信號SOUT為了讀出操作的相關雙重取樣(correlated double sampling，CDS)而被取樣兩次。詳細來說，畫素輸出信號SOUT在控制信號TX被致能之前(即在時間點T4之前)被取樣以產生一基本值，且接著在控制信號TX被反致能(de-asserted)之後(其在時間點T5之後)被取樣以產生一輸出值。基本值與輸出值之間的差異則作為一讀出信號，其表示光二極體100所感測到之光線強度。

在第2圖中，參考信號VREF處於較高位準LVH，且在重置相位PRST之後的時間點T3上，參考信號VREF切換至處於較低位準LVL。當重置電晶體102於時間點T2被關閉時，由於重置電晶體102所導致的電流注入效應，使得浮動擴散節點FN之位準下降。假設參考信號持續維持在較高位準LVH。在時間點T4之前，差動放大器根據浮動擴散節點FN下降後之位準與具有較高位準LVH之參考信號VREF來產生具有較高位準之畫素輸出信號SOUT。換句話說，在時間點T4之間藉由取樣畫素輸出信號SOUT所獲得之基本值較大。因此，根據基本值與輸出值之差異所產生之讀出信號的擺幅較小，這不利於後續的讀出操作。

然而，在本發明實施例中，參考信號並非一直處於較高位準LVH。當重置電晶體102於時間點T2關閉時，由於重置電晶體102所導致的電流注入效應，使得浮動擴散節點FN之位準下降。此外，在時間點T3，參考信號VREF下降至較低位準LVL。因此，在時間點T4之前，差動放大器根據浮動擴散節點FN下降後之位準與具有較低位準LVL之參考信號VREF來產生畫素輸出信號SOUT。而此時的畫素輸出信號SOUT之位準低於當參考信號VREF持續處於較高位準LVH時的畫素輸出信號SOUT之位準。因此，在時間點T4之前藉由取樣畫素輸出信號SOUT而獲得之基本值，不會隨著浮動擴散節點FN之位準下降而變為較大。因此，根據基本值與輸出值之差而產生之讀出信號的擺幅較為適當。

第4圖係表示第1圖之輸出單元11之另一實施例與畫素單元10。輸出單元11”包括第3圖之電晶體300-303。除了第4圖之電晶體302之控制端的連接之外，第圖中電晶體300-303之間的連接與第3圖之連接相同。因此，為了簡潔，在此處省略敘述電晶體300-303之間的連接。輸出單元11”更包括電晶體400-403，其中，電晶體400-402為PMOS電晶體，而電晶體403為NMOS電晶體。電晶體400之控制端接收一致能信號EN，其輸入端接收參考信號VREF，且其輸出端耦接節點N10。電晶體401之控制端接收致能信號EN，其輸入端耦接供應電壓源VDD，且其輸出端耦接節點N30。電晶體402之控制端接收一致能信號ENB，其輸入端接收參考信號VREF，以及其輸出端耦接節點N40。致能信號ENB為致能信號EN之反向信號(即致能信號ENB與EN互為反向)。電晶體403之控制端接收致能信號ENB，其輸入端耦接節點N40，且其輸出端耦接接地端GND。由於電晶體402與403分別為PMOS與NMOS電晶體且都接收致能信號ENB，因此電晶體402與403是在不同的時間上被致能信號ENB所導通。根據第4圖，電晶體302之控制端並非如同第3圖中電晶體302之控制端一般係直接接收參考信號VREF。而是參考信號VREF被提供至電晶體402，且電晶體302之控制端透過被致能信號ENB所導通之電晶體402來接收參考信號VREF。

第5圖係表示讀出期間中第4圖之感測裝置的主要信號時序圖。第5圖之重置信號RST、控制信號TX、以及參考信號VREF的時序與第2圖之時序相同。因此，根據重置信號RST與控制信號TX的畫素單元10之操作與第3圖相關之敘述相同。第5圖額外地顯示用來控制電晶體400與401之致能信號EN的時序。在介於時間點T3與T4之間的時間點T31之前，致能信號EN被反致能以導通電晶體400與401，且因此致能信號ENB則被致能以關閉電晶體402並導通電晶體403。在時間點T31時，致能信號EN被致能以關閉電晶體400與401，而致能信號ENB則被反致能以導通電晶體402並關閉電晶體403。

參閱第4圖，輸出電晶體103與輸出單元11”之電晶體300-303及400-402形成一差動放大器。此差動放大器根據浮動擴散節點FN之物准予參考信號VREF間的差異而於節點N10上產生畫素輸出信號SOUT。在讀出期間，畫素輸出信號SOUT為了讀出操作的相關雙重取樣(，CDS)而被取樣兩次。詳細來說，參閱第5圖，畫素輸出信號SOUT在控制信號TX被致能之前(即在時間點T4之前)被取樣以產生一基本值，且接著在控制信號TX被反致能之後(其在時間點T5之後)被取樣以產生一輸出值。基本值與輸出值之間的差異則作為一讀出信號，其表示光二極體100所感測到之光線強度。

根據第5圖之實施例，參考信號VREF為二階電壓信號。參考信號VREF在介於時間點T1與時間點T3之間時處於較高位準LVH，且接著在時間點T3時切換位處於較低位準LVL。

參考第4及5圖，在時間點T3之前，致能信號EN被反致能以導通電晶體400與401。具有較高位準LVH之參考信號VREF透過導通之電晶體400的傳送，使得節點N10之電壓則根據具有較高位準LVH之參考信號VREF而處於該較高位準LVH。此外，重置信號RST在時間點T1與時間點T2之間被致能以形成重置相位PRST。重置電晶體102被重置信號PRST所導通以藉由具有較高位準LVH之參考信號VREF來重置浮動擴散節點FN之位準。在重置相位PRST之後的時間點T3，參考信號VREF切換為處於較低位準LVL。在時間點T31，致能信號被致能以關閉電晶體400與401，而致能信號ENB被反致能以導通電晶體402並關閉電晶體403。因此，節點N40之電壓處於較低位準LVL。換句話說，節點N40(即電晶體302之控制端)透過導通之電晶體402來接收具有較低位準LVL之參考信號VREF。接著，在時間點T3之後的時間點T4，控制信號TX被指能以導通轉移電晶體101以將感測信號SS轉移至浮動擴散節點FN。

當重置電晶體102在時間點T2時被關閉，由於重置電晶體102所導致的電流注入效應，使得浮動擴散節點FN之位準由較高位準LVH下降。假設參考信號VREF係持續地處於較高位準LVH。在時間點T4之前，差動放大器根據浮動擴散節點FN下降後之位準與參考信號VREF來產生具有較高位準之畫素輸出信號SOUT。換句話說，在時間點T4之間藉由取樣畫素輸出信號SOUT所獲得之基本值較大。因此，根據基本值與輸出值之差異所產生之讀出信號的擺幅較小，這不利於後續的讀出操作。

然而，在本發明實施例中，參考信號並非一直處於較高位準LVH。當重置電晶體102於時間點T2關閉時，由於重置電晶體102所導致的電流注入效應，使得浮動擴散節點FN之位準下降。此外，在時間點T3，參考信號VREF下降至較低位準LVL，且節點N40(電晶體302之控制端)之電壓透過導通之電晶體402藍接收具有較低位準LVL之參考信號VREF。因此，在時間點T4之前，差動放大器根據浮動擴散節點FN下降後之位準與節點N40之較低位準LVL來產生畫素輸出信號SOUT。而此時的畫素輸出信號SOUT之位準低於當參考信號VREF持續處於較高位準LVH時的畫素輸出信號SOUT之位準。因此，在時間點T4之前藉由取樣畫素輸出信號SOUT而獲得之基本值，不會隨著浮動擴散節點FN之位準下降而變為較大。因此，根據基本值與輸出值之差而產生之讀出信號的擺幅較為適當。

根據上述實施例，輸出單元11/11’/11”與電晶體103形成差動放大器。此差動放大器之一輸入端耦接浮動擴散節點FN。此外，如第3圖之實施例，此差動放大器之另一輸入端直接接收參考信號VREF；或者如第4圖之實施例，此差動放大器之另一輸入端透過導通之電晶體402欄接收具有較低位準LVL之參考信號VREF。當重置電晶體102被關閉時，由於電流注入效應使得浮動擴散節點FN之位準由較高位準LVH下降，此外，參考信號VREF則下降至較低位準LVL。因此，畫素輸出信號SOUT之位準不會隨著浮動擴散節點FN之位準下降而變為較大。因此，根據基本值與輸出值之差而產生之讀出信號的擺幅較為適當。

第6圖係表示根據本發明另一實施例之感測裝置。參閱第6圖，感測裝置6包括畫素單元60。畫素單元60包括感測元件600、重置電晶體301、以及源極隨耦器SF60。源極隨耦器SF60包括輸出電晶體302，且源極隨耦器SF60之輸入端耦接輸出電晶體302之控制端。畫素單元60操作在曝光其間與讀出期間。參閱第6圖，感測元件600係以光二極體來實現，其陽極電極耦接接地端GND，而其陰極電極耦接浮動擴散節點FN60。重置電晶體301之控制端接收重置信號RST60，其輸入端耦接電壓源VS60，且其輸出端耦接浮動擴散節點FN60。畫素輸出信號SOUT60根據浮動擴散節點FN60之位準與電壓源VS60而產生於輸出電晶體602之輸出端上。

在曝光期間，感測元件600感測光線以產生一感測信號SS60。第7圖係表示在曝光期間後之讀出期間中感測裝置6的主要信號時序圖。參閱第6及7圖，在讀出期間，重置信號RST60在時間點T1與時間點T2(時間點T2出現於時間點T1之後)之間被致能，以形成一重置相位PRST。重置電晶體601被重置相位PRST所導通，以重置浮動擴散節點FN60之位準。在時間點T1與時間點T3(時間點T3出現於時間點T2之後)之間，電壓源VS60處於一較高位準LVH，且在時間點T3上電壓源VS60切換至處於一較低位準LVL。換句話說，電壓源VS60是在重置相位PRST之後切換至較低位準LVL。

在讀出期間，畫素輸出信號SOUT60為了讀出操作的相關雙重取樣(CDS)而被取樣兩次。詳細來說，畫素輸出信號SOUT60在時間點T2與時間點T3之間被取樣以產生一基本值，且接著在時間點T3之後被取樣以產生一輸出值。基本值與輸出值之間的差異則作為一讀出信號，其表示光二極體600所感測到之光線強度。根據第6圖之實施例，畫素輸出信號SOUT60係根據浮動擴散節點FN60之位準與電壓源VS60而決定的。電壓源VS60並非一直處於較高位準LVH。在時間點T3，電壓源VS60由較高位準LVH切換至較低位準LVL。因此，根據在時間點T3之前取樣獲得之基本值與在時間點T3之後取樣獲得之輸出值間的差異所產生之讀出信號變為較大。

本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

第1圖：

1．．．感測裝置

10．．．畫素單元

11．．．輸出單元

100．．．感測元件

101．．．轉移電晶體

102．．．重置電晶體

103．．．輸出電晶體

104．．．電容器

FN．．．浮動擴散節點

GND．．．接地端

N10．．．節點

RST．．．重置信號

SF．．．源極隨耦器

SOUT．．．畫素輸出信號

SS．．．感測信號

TX．．．控制信號

VREF．．．參考信號

第2圖：

LVH．．．較高位準

LVL．．．較低位準

PRST．．．重置相位

T1...T5．．．時間點

第3圖：

11’．．．輸出單元

300...303．．．電晶體

CS．．．電流源

N30．．．節點

VIBA．．．偏壓電壓

第4圖：

11’．．．輸出單元

400...403．．．電晶體

EN、ENB．．．致能信號

N40．．．節點

第5圖：

T31．．．時間點

第6圖：

6．．．感測裝置

60．．．畫素單元

600．．．感測元件

601．．．重置電晶體

602．．．輸出電晶體

FN60．．．浮動擴散節點

GND．．．接地端

RST60．．．重置信號

SF60．．．源極隨耦器

SOUT60．．．畫素輸出信號

SS60．．．感測信號

VS60．．．電壓源

第1圖表示根據本發明一實施例之感測裝置；

第2圖係表示在曝光期間後之讀出期間中第1圖之感測裝置的主要信號時序圖；

第3圖表示第1圖之輸出單元之一實施例與畫素單元；

第4圖表示第1圖之輸出單元之另一實施例與畫素單元；

第5圖表示讀出期間中第4圖之感測裝置的主要信號時序圖；

第6圖表示根據本發明另一實施例之感測裝置；以及

第7圖表示在曝光期間後之讀出期間中第6圖之感測裝置的主要信號時序圖。

1．．．感測裝置

10．．．畫素單元

11．．．輸出單元

100．．．感測元件

101．．．轉移電晶體

102．．．重置電晶體

103．．．輸出電晶體

104．．．電容器

FN．．．浮動擴散節點

GND．．．接地端

N10．．．節點

RST．．．重置信號

SF．．．源極隨耦器

SOUT．．．畫素輸出信號

SS．．．感測信號

TX．．．控制信號

VREF．．．參考信號

Claims

一種感測裝置，包括：一畫素單元，操作在一曝光期間以及一讀出期間，包括：一感測元件，用以感測光線；一轉移電晶體，耦接於該感測元件與一浮動擴散節點之間；一重置電晶體，耦接於一第一節點與該浮動擴散節點之間，且由一重置信號所控制；以及一輸出電晶體，具有耦接該浮動擴散節點之控制端、耦接該第一節點之輸入端、以及輸出端；其中，在該讀出期間，該重置電晶體受控於該重置信號之一重置相位以重置該浮動擴散節點之位準；以及一輸出單元，耦接該輸出電晶體，接收一參考信號且根據該浮動擴散節點之位準與該參考信號於該第一節點上產生一畫素輸出信號；其中，在該讀出期間，該參考信號處於一第一位準，且在該重置相位之後，該參考信號處於低於該第一位準之一第二位準，且該參考信號處於該第二位準時的該畫素輸出信號之位準低於該參考信號處於該第一位準時的該畫素輸出信號之位準。
如申請專利範圍第1項所述之感測裝置，其中，在該讀出期間，該重置信號在一第一時間點與一第二時間點之間被致能以形成該重置相位，該參考信號在該第一時間點與一第三時間點之間處於該第一位準且於該第三時間點時切換為處於該第二位準，該第二時間點出現於該第一時間點之後，且該第三時間點出現於該第二時間點之後。
如申請專利範圍第2項所述之感測裝置，其中，該感測元件在該曝光期間感測光線以產生一感測信號，且在該讀出期間之一第四時間點時，該轉移電晶體將該感測信號轉移至該浮動擴散節點，該第四時間點出現於該第三時間點之後。
如申請專利範圍第1項所述之感測裝置，其中，該輸出單元包括：一第一電晶體，具有耦接一第二節點之控制端、耦接一供應電壓源之一輸入端、以及耦接該第一節點之輸出端；一第二電晶體，具有耦接該第二節點之控制端、耦接該供應電壓源之輸入端、以及耦接該第二節點之輸出端；以及一第三電晶體，具有接收該參考信號之控制端、耦接該第二節點之輸入端、以及耦接該輸出電晶體的輸出端之輸出端。
如申請專利範圍第4項所述之感測裝置，其中，該輸出電晶體、該第一電晶體、該第二電晶體、以及該第三電晶體形成一放大器，該放大器根據該浮動擴散節點之位準與該參考信號之間的差異來產生該畫素輸出信號。
如申請專利範圍第5項所述之感測裝置，其中，該畫素單元更包括一電容器，耦接於該第一節點與該浮動擴散節點之間，作為該放大器之回授電容。
如申請專利範圍第6項所述之感測裝置，其中，該電容器為一實際電容器或者是該輸出電晶體之寄生電容。
如申請專利範圍第1項所述之感測裝置，其中，該輸出單元包括：一第一電晶體，具有耦接一第二節點之控制端、耦接一供應電壓源之一輸入端、以及耦接該第一節點之輸出端；一第二電晶體，具有耦接該第二節點之控制端、耦接該供應電壓源之輸入端、以及耦接該第二節點之輸出端；一第三電晶體，具有接收一第一致能信號之控制端、接收該參考信號之該輸入端、以及耦接該第一節點之輸出端；一第四電晶體，具有接收該第一致能信號之控制端、耦接該供應電壓源之輸入端、以及耦接該第二節點之輸出端；一第五電晶體，具有接收一第二致能信號之控制端、接收該參考信號之輸入端、以及耦接一第三節點之輸出端，其中，該第二致能信號與該第一致能信號互為反向；一第六電晶體，具有接收該第二致能信號之控制端、耦接該第三節點之輸入端、以及耦接一接地端之輸出端，其中，該第五電晶體與該第六電晶體於不同時間導通；以及一第七電晶體，具有耦接第三節點之控制端、耦接該第二節點之輸入端、以及耦接該輸出電晶體的輸出端之輸出端。
如申請專利範圍第8項所述之感測裝置，其中，該輸出電晶體與該出單元形成一放大器，該放大器根據該浮動擴散節點之位準與該參考信號之間的差異來產生該畫素輸出信號。
如申請專利範圍第9項所述之感測裝置，其中，該畫素單元更包括一電容器，耦接於該第一節點與該浮動擴散節點之間，作為該放大器之回授電容。
如申請專利範圍第10項所述之感測裝置，其中，該電容器為一實際電容器或者是該輸出電晶體之寄生電容。
如申請專利範圍第8項所述之感測裝置，其中，在該讀出期間，該重置信號在一第一時間點與一第二時間點之間被致能以形成該重置相位，該參考信號在該第一時間點與一第三時間點之間處於該第一位準且於該第三時間點時切換為處於該第二位準，該第二時間點出現於該第一時間點之後，且該第三時間點出現於該第二時間點之後。
如申請專利範圍第12項所述之感測裝置，該感測元件在該曝光期間感測光線以產生一感測信號，且在該讀出期間之一第四時間點時，該轉移電晶體將該感測信號轉移至該浮動擴散節點，該第四時間點出現於該第三時間點之後。
如申請專利範圍第12項所述之感測裝置，其中，在該第三時間點之後且在該轉移電晶體將該感測信號轉移至該浮動擴散節點之前，該第一致能信號被致能以關閉該第三電晶體及該第四電晶體，且該第二致能信號被反致能以導通該第五電晶體而關閉該第六電晶體。
一種感測裝置，包括：一畫素單元，操作在一曝光期間以及一讀出期間，包括；一感測元件，用以感測光線；一重置電晶體，耦接於一電壓源與一浮動擴散節點之間，且由一重置信號所控制；以及一輸出電晶體，具有耦接該浮動擴散節點之控制端、耦接該電壓源之輸入端、以及輸出端；其中，在該讀出期間，該重置電晶體受控於該重置信號之一重置相位以重置該浮動擴散節點之位準；以及其中，在該讀出期間，該電壓源處於一第一位準，且在該重置相位之後，該電壓源處於低於該第一位準之一第二位準。
如申請專利範圍第15項所述之感測裝置，其中，在該讀出期間，該重置信號在一第一時間點與一第二時間點之間被致能以形成該重置相位，該電壓源在該第一時間點與一第三時間點之間處於該第一位準且於該第三時間點時切換為處於該第二位準，該第二時間點出現於該第一時間點之後，且該第三時間點出現於該第二時間點之後。