TWI288385B - Display device - Google Patents

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TWI288385B
TWI288385B TW093125269A TW93125269A TWI288385B TW I288385 B TWI288385 B TW I288385B TW 093125269 A TW093125269 A TW 093125269A TW 93125269 A TW93125269 A TW 93125269A TW I288385 B TWI288385 B TW I288385B
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light
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electrode
pixel portion
emitting
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Shunpei Yamazaki
Jun Koyama
Mitsuaki Osame
Mai Osada
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Semiconductor Energy Lab
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Description

1288385 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一顯示面板，其中形成在一基板上之發光 元件係密封於該基板及一覆蓋構件之間。此外，本發明亦 有關一顯示模組，其中一 1C (積體電路）晶片係安裝在 前述之顯示面板上。請注意在本說明書中，該顯示面板及 該顯示模組係統稱爲該發光裝置。本發明另有關一採用上 述發光裝置之電子設備。 【先前技術】 近來，用以在基板形成TFT之技術已有大幅進步， 且已有許多發展以將那些技術應用至一主動式矩陣型顯示 裝置。特別地是，採用複晶矽薄膜之TFT能在較高速度 下操作，因爲其場效應遷移率（簡稱爲遷移率）係大於採 用習知無結晶性矽薄膜之TFT。如此，其變成可能藉著一 驅動電路控制像素，該驅動電路與像素形成在相同之基板 上。此等像素傳統上係藉著一設在該基板外側之驅動電路 控制。 上述主動式矩陣型顯示裝置能藉著在同一基板上提供 各種電路及元件展現各種優點，諸如降低製造成本、使顯 示裝置小型化、增加製造產量、減少通過量等。
再者，吾人已積極進行一具有如自發型元件等發光元 件之主動式矩陣型發光裝置之開發。此一發光裝置亦稱爲 一有機EL顯示器（OELD )或一有機發光二極體（OLED - 5 - 1288385 (2) 不像一液晶顯示器’該發光裝置係自發型。該發光元 件具有一含有有機化合物層（下文稱爲有機化合物層）之 結構’該有機化合物層可藉著對其加上一電場而產生冷光 ’該結構係介於一對電極（陰極與陽極）之間。該有機化 合物層通常具有一分層狀結構。因此典型之實例包含由伊 斯曼柯達（Eastman Kodak)公司唐（Tang)等人所提出 之>_空子空子運送層/ 一發光層/ 一電子運送層〃之分 層結構。該結構具有高流明效率，現在正進行硏究及發展 活動之大部份發光裝置採用該結構。 雖然有機化合物中之冷光包含單線激發（螢光）及三 重線激發（磷光），本發明之發光裝置能使用上面冷光之 一或兩種。 另一選擇爲可使用一分層結構，其中一空子注入層/ 一空子運送層/ 一發光層/ 一電子運送層、或一空子注入 層/一空子運送層/一發光層電子運送層/一電子注 入層係以這些順序形成在一陽極上。再者，熒光染料等可 摻雜進入該發光層。 於本說明書中，所有這些置於該陰極及該陽極間之各 層係統稱爲有機化合物層。據此，所有前述各層，諸如該 空子注入層、該空子運送層、該發光層、該電子運送層、 該電子注入層等係包含在該有機化合物層中。 一預定電壓係經由該對電極施加至由前述結構製成之 有機化合物層，及如此在發光層發生載流子之再結合’藉 -6- 1288385 (3) 此導致發光。在本說明書中，當該發光元件發光時，表示 正驅動該發光元件。此外，在本說明書中，由一陽極、一 有機化合物層、及一陰極所構成之發光元件係稱爲該發光 元件。 既然該發光裝置不需要採用背面光，比起液晶顯示器 能抑制該顯示器本身之厚度及重量。爲該緣故，該發光裝 »已逐漸取代該液晶顯示器用作一手提式資訊終端機（攜 帶型電腦、行動電話、手提式遊戲設備、電子書等）之顯 示區域。 爲了抑制該手提式資訊終端機之耗電量，已想要抑制 用作該顯示區域之發光裝置之耗電量。 再者，現在已經進行家用接收器或VTR以及各種用 於電視機或無線電廣播電台之器材之數位化。在數位化廣 播系統之後，其下一步驟係數位化廣播電波，亦即實現數 位式廣播。已朝向此一目標進行生氣蓬勃之硏究及發展活 動。 一項用以實現該發光裝置之數位式驅動之計畫係一瞬 時色調顯示（temporal gradation display)。更特別地是 該瞬時色調顯示意指藉著控制一時間週期施行該色調顯示 之驅動方法，而於該時間週期期間該發光元件在一幀週期 中發光。 在數位地驅動該發光裝置以施行該瞬時色調顯示之案 例中，當欲顯示影像之色調數目增加時，將增加重寫含有 欲輸入影像資訊之數位視頻信號至各像素所需之數目。因 -7- 1288385 (4) 此’增加一群用以將該數位視頻信號輸入這些像素之驅動 電路之耗電量，藉此導致增加該發光裝置之耗電量。 此外’既然該發光元件係自發型，於該發光元件在一 幀週期中發光之時間週期期間可視欲顯示影像而定作變化 。據此’該發光裝置之耗電量依序視欲顯示影像而定作變 化。 再者’流經該發光元件之電流量亦視溫度而定變化。 甚至在越過該發光元件之電極施加相同強度之電壓時，流 經該發光元件之電流量由於該發光元件之溫度特性而變化 。譬如，當該有機化合物層之溫度增加時，一較大之電流 傾向於流動。據此，當欲使用該發光元件之環境溫度增加 時，該發光裝置之耗電量增加，這依序增加該發光元件之 売度> 於上述狀況之觀點中，本發明係意欲抑制一發光裝置 及一採用該發光裝置當作其顯示區域之電子設備之耗電量 【發明內容】 根據本發明第一結構之特徵爲··其中在一發光裝置中 作單色顯示之情況中，按照一像素部份中之各像素所欲顯 示之何種影像決定是否倒相一影像之對比。 按照前述之結構，流經該發光元件之電流量可抑制至 某種程度，藉此導致該發光裝置之耗電量減少。 再者，按照本發明第二結構之特徵爲··於施行數位驅 -8 - (5) 1288385 動時間分割色調顯示之發光裝置中，輸入至一包含在發光 裝置中之源信號線驅動電路之數位視頻信號係在其位元數 減少之後輸入一像素部份。更特別地是，一位元之數位視 頻信號係由最不重要位元連續地切斷，以減少欲輸入該像 素部份之數位視頻信號之位元數。 按照前述之結構，既然已減少欲輸入該像素之數位視 頻信號之位元數，可減少藉著該源信號線驅動電路及一柵 信號線驅動電路寫入數位視頻信號之所需數目。如此，可 減少該源信號線驅動電路及柵信號線驅動電路之耗電量， 藉此導致該發光裝置之耗電量減少。 再者，按照本發明之第三結構，一發光裝置具有一用 以監視溫度之發光元件。該溫度監視用發光元件之一電極 係連接至一恒流電源。如此，藉著溫度監視用發光元件之 溫度特性，流經一像素之發光元件之電流量係維持在一恒 定水平。 按照上述結構，流經一像素之發光元件之電流量係維 持在一恒定水平，即使當一有機化合物層之溫度改變時。 如此，可防止該發光裝置之耗電量增加，甚至當該發光裝 置之環境溫度增加時，這依序能將該亮度維持在一恒定水 平 〇 按照上述本發明之第一、第二、及第三結構，其可能 抑制一發光裝置及一採用該發光裝置之電子設備之耗電量 。請注意本發明可只需包含該第一至第三結構之任一個， 雖然可包含該第一至第三結構之二種或所有結構。 -9- 1288385 (6) 按照本發明之結構將進一步敘述在下文。 本發明提供一具有複數像素之顯示裝置，其中倒相一 欲輸入該複數像素之數位視頻信號之極性，藉此導致改變 該複數像素之亮度。 本發明提供一顯示裝置，其具有一包含複數像素之像 素部份及一源信號線驅動電路，其中該源信號線驅動電路 包含用以轉換一輸出之極性之轉換電路，且藉著一欲輸入 該轉換電路之移位信號倒相一輸入至該轉換電路之數位視 頻信號之極性，及然後將該合成信號輸入該複數像素。 本發明提供一顯示裝置，其具有一包含複數像素之像 素部份及一源信號線驅動電路，其中該複數像素之每一個 具有一發光元件，及該源信號線驅動電路包含一移位寄存 器、_或多鎖存器及一轉換電路，且藉著一欲輸入該轉換 電路之移位信號倒相一由該一或多鎖存器輸入該轉換電路 之數位視頻信號之極性，及然後將該合成信號輸入該複數 像素。 本發明提供一顯示裝置，其具有一包含複數像素之像 素部份及一源信號線驅動電路，其中該複數像素之每一個 具有一發光元件，及該源信號線驅動電路包含一移位寄存 器、一或多鎖存器及一轉換電路，且藉著一欲輸入該轉換 電路之移位信號倒相一由該一或多鎖存器輸入該轉換電路 之數位視頻信號之極性，及然後將該合成信號輸入該複數 像素’及於所有該發光元件在一幀週期中發光之時間週期 期間之時間週期平均値係等於或少於所有該發光元件在一 -10- 1288385 (7) 幀週期中發光之時間週期期間之時間週期最大値之一半。 上面結構之特徵爲：其中該轉換電路包含一倒相器、 第一類比開關、及第二類比開關，其中輸入該轉換電路之 數位視頻信號係經由該倒相器輸入該第一類比開關之一輸 入端子，由該一或多鎖存器輸出之數位視頻信號係輸入該 第二類比開關之一輸入端子，該移位信號係由該第一類比 開關之第一控制輸入端子及該第二類比開關之第二控制輸 入端子輸入，藉著倒相該移位信號之極性所獲得之信號由 該第一類比開關之第二控制輸入端子及該第一類比開關之 第二控制輸入端子輸入，及由該第一類比開關及該第二類 比開關之輸出端子輸出之信號係由該轉換電路輸出ρ 上面結構之特徵爲：其中該轉換電路包含一倒相器、 第一 ''與非〃 （NAND )、第二 NAND、及一，或非〃（ NOR )，其中經由該倒相器之數位視頻信號及該移位信號 係供給至該第一 NAND，以該數位視頻信號及一藉著倒相 該移位信號之極性所獲得之信號供給該第二NAND，一由 第一 NAND輸出之信號及一由該第二NAND輸出之信號 係輸入該NOR，及一由該NOR輸出之信號係由該轉換電 路輸出。 本發明提供一顯示裝置，其具有複數像素及一源信號 線驅動電路，其中在一欲輸入該源信號線驅動電路之數位 視頻信號之間，只有較重要之位元係輸入該複數像素。 本發明提供一顯示裝置，其具有一包含複數像素之像 素部份及一源信號線驅動電路，其中該源信號線驅動電路 -11 - 1288385 (8) 包含一移位寄存器、第一鎖存器、第二鎖存器、及一時鐘 信號控制電路，一時鐘信號係經由該時鐘信號控制電路輸 入該移位寄存器，以藉此由該移位寄存器輸出一定時信號 ，一數位視頻信號係輸入及藉著該定時信號保持在該第一 鎖存器，保持在該第一鎖存器之數位視頻信號係輸入及藉 著一鎖存信號保持在該第二鎖存器，輸入及保持在該第二 鎖存器之數位視頻信號係輸入該複數像素，及藉著取代該 時鐘信號供給一恒定電位至該移位寄存器達一恒定時間週 期，該時鐘信號控制電路減少欲輸入及保持在該第一鎖存 器之數位視頻信號之位元數。 上面結構之特徵爲：其中該時鐘信號控制電路包含一 NAND及一倒相器，其中一時鐘信號及一選擇信號係輸入 該NAND，及一由該NAND輸出之信號係經由該倒相器由 該時鐘信號控制電路輸出。 上面結構之特徵爲：其中該時鐘信號控制電路包含第 一類比開關、第二類比開關、及一倒相器，其中一選擇信 號係經由該倒相器輸入該第一類比開關之第二控制輸入端 子及該第二類比開關之第一控制輸入端子，該選擇信號係 輸入該第一類比開關之第一控制輸入端子及該第二類比開 關之第二控制輸入端子，一時鐘信號係輸入該第一類比開 關之一輸入端子，一固定電位係供給至該第二類比開關之 一輸入端子，及由該第一類比開關及該第二類比開關之輸 出端子輸出之信號係由該時鐘信號控制電路輸出。 本發明提供一顯示裝置，其具有一包含複數像素之像 -12- 1288385 (9) 素部份及一源信號線驅動電路，其中該源信號線驅動電路 包含一移位寄存器、第一鎖存器、第二鎖存器、及一定時 信號控制電路，一由該移位寄存器輸出之定時信號係經由 該定時信號控制電路輸入該第一鎖存器，一數位視頻信號 係藉著輸入該第一鎖存器之定時信號輸入及保持在該第一 鎖存器，保持在該第一鎖存器之數位視頻信號係輸入及藉 著一鎖存信號保持在該第二鎖存器，輸入及保持在該第二 鎖存器之數位視頻信號係輸入該複數像素，及藉著取代由 該移位寄存器輸出之定時信號供給一恒定電位至該第一鎖 存器達一恒定時間週期，該定時信號控制電路減少欲輸入 及保持在該第一鎖存器之數位視頻信號之位元數。 上面結構之特徵爲：其中該定時信號控制電路包含一 N AND及一倒相器，其中一定時信號及一選擇信號係輸入 該NAND，及一由該NAND輸出之信號係經由該倒相器由 該定時信號控制電路輸出。 上面結構之特徵爲：其中該定時信號控制電路包含第 一類比開關、第二類比開關、及一倒相器，其中一選擇信 號係經由該倒相器輸入該第一類比開關之第二控制輸入端 子及該第二類比開關之第一控制輸入端子，該選擇信號係 輸入該第一類比開關之第一控制輸入端子及該第二類比開 關之第二控制輸入端子，該定時信號係輸入該第一類比開 關之一輸入端子’一固定電位係供給至該第二類比開關之 一輸入端子，及由該第一類比開關及該第二類比開關之輸 出端子輸出之信號係由該定時信號控制電路輸出。 •13- 1288385 (10) 本發明提供一顯示裝置，其具有一包含複數像素之像 素部份及一源信號線驅動電路，其中該源信號線驅動電路 包含一移位寄存器、第一鎖存器、第二鎖存器、及一起始 脈衝信號控制電路，一起始脈衝信號係經由該起始脈衝信 號控制電路輸入該移位寄存器，以藉此由該移位寄存器輸 出一定時信號’ 一數位視頻信號係輸入及藉著該定時信號 保持在該第一鎖存器，保持在該第一鎖存器之數位視頻信 號係輸入及藉著一鎖存信號保持在該第二鎖存器，輸入及 保持在該第二鎖存器之數位視頻信號係輸入該複數像素， 及藉著取代該起始脈衝供給一恒定電位至該移位寄存器達 一恒定時間週期，該起始脈衝信號控制電路減少欲輸入及 保持在該第一鎖存器之數位視頻信號之位元數。 上面結構之特徵爲：其中該起始脈衝信號控制電路包 含一 NAND及一倒相器，其中一起始脈衝信號及一選擇信 號係輸入該NAND，及一由該NAND輸出之信號係由該起 始脈衝信號控制電路經由該倒相器輸出。 上面結構之特徵爲：其中該起始脈衝信號控制電路包 含第一類比開關、第二類比開關、及一倒相器，其中一選 擇信號係經由該倒相器輸入該第一類比開關之第二控制輸 入端子及該第二類比開關之第一控制輸入端子，該選擇信 號係輸入該第一類比開關之第一控制輸入端子及該第二類 比開關之第二控制輸入端子，一起始脈衝信號係輸入該第 一類比開關之一輸入端子，一固定電位係供給至該第二類 比開關之一輸入端子，及由該第一類比開關及該第二類比 -14- 1288385 (11) 開關之輸出端子輸出之信號係由該起始脈衝信號控制電路 輸出。 本發明提供一顯示裝置，其包含具有複數發光元件之 複數像素及一監視用發光元件，其中藉著該監視用發光元 件之溫度特性維持流經該複數發光元件之電流量。 本發明提供一顯示裝置，其包含一具有複數像素之像 素部份、一電源線、一緩衝放大器、一監視用發光元件、 及一恒流電源，其中該複數像素之每一個包含一薄膜電晶 體及一發光元件，監視用發光元件及該發光元件之每一個 包含第一電極、第二電極、及一置於該第一電極及該第二 電極間之有機化合物層，該監視用發光元件之第一電極係 連接至該恒流電源，該監視用發光元件之第一電極亦連接 至該緩衝放大器之一不倒相輸入端子，及該緩衝放大器之 ，一輸出端子係連接至該電源線，及該電源線之一電位係經 由該薄膜電晶體施加至該發光元件之第一電極。 本發明提供一顯示裝置，其包含一具有複數像素之像 素部份、一電源線、一緩衝放大器、一監視用發光元件、 一恒流電源、及一加法電路，其中該複數像素之每一個包 含一薄膜電晶體及一發光元件，監視用發光元件及該發光 元件之每一個包含第一電極、第二電極、及一置於該第一 電極及該第二電極間之有機化合物層，該監視用發光元件 之第一電極係連接至該恒流電源，該監視用發光元件之第 一電極亦連接至該緩衝放大器之一不倒相輸入端子，該緩 衝放大器之一輸出端子係連接至該加法電路之一輸入端子 • 15- 1288385 (12) ，及該加法電路之一輸出端子係連接至該電源線’於該加 法電路之輸入端子及輸出端子之間總是維持一恒定電位差 ，及該電源線之一電位係經由該薄膜電晶體施加至該發光 元件之第一電極。 本發明可具體化在採用前述顯示裝置之一視頻攝影機 、一影像再現設備、一頭戴式顯示器、一行動電話、或一 手提式資訊終端機之形式。 【實施方式】 〔具體實施例模式1〕 現在將敘述按照本發明之第一結構。圖1顯示一具有 按照本發明第一結構之發光裝置之方塊圖。 參考數字1 〇 1指示一像素部份，其中複數像素係設成 矩陣形式。參考數字1 02及1 03分別指示一源信號線驅動 器電路及一栅信號線驅動電路。 該源信號線驅動電路1 02包含一移位寄存器】02· 1、 一鎖存器（A ) 102-2、一鎖存器（B ) 102-3、及一轉換電 路102-4。請注意本發明之源信號線驅動電路除了上述零 組件外尙可包含一電平移位計、一緩衝寄存器等。 雖然未不出’該樞彳B號線驅動電路1 0 3包含一移位寄 存器及一緩衝寄存器。於一些案例中，該柵信號線驅動電 路103除了該移位寄存器及該緩衝寄存器外尙可包含一電 平移位計。一列中各像素TFTs之柵極係連接至一栅信號 線，及因此於一列中之所有像素TFTs必須同時地打開。 1288385 (13) 據此，使用一能夠允許大電流流經該處之緩衝寄存器。 於該源信號線驅動電路102中，一時鐘信號（CLK) 及一起始脈衝（SP )係輸入該移位寄存器102-1。該移位 寄存器102-1基於這些時鐘信號（CLK)及起始脈衝（SP )連續地產生一定時信號及於隨後階段中連續地供給所產 生之定時信號至一電路。 欲由該移位寄存器102-1輸出之定時信號可於隨後階 段中穿過一緩衝寄存器等（未示出）連續地供給至該電路 。來自該移位寄存器102-1之定時信號係由該緩衝寄存器 等緩衝及放大。既然若干電路或元件係連接至一欲供給該 定時信號之接線，存在有一大負載電容（寄生電容）。爲 防止該定時信號之上升邊沿或後沿由於此一大負載電容而 變成圓形，提供前述之緩衝寄存器。 由該移位寄存器102-1輸出之定時信號係供給至該鎖 存器（A) 102-2。該鎖存器（A) 102-2包含用以處理η 位元數位視頻信號之多級鎖存器。當該定時信號係輸入至 該鎖存器（A ) 102-2時，其連續地接收由外部供給至該 源信號線驅動電路1 〇2之η位元數位視頻信號及將他們保 持在其內。 當該數位視頻信號係接收進入該鎖存器（A ) 102-2 時，該數位視頻信號可在包含於該鎖存器（A ) 102-2之 多級中連續地輸入該鎖存器。然而，本發明未受限於此一 結構。可施行一所謂分隔驅動（division driving )，其中 包含於該鎖存器（A) 102-2之多級鎖存器係分成數群組 -17- 1288385 (14) ，且該數位視頻信號係平行及同時地輸入每一群組。於此 一案例中，該群組數係稱爲該分隔數。譬如，於該鎖存器 分成四群組之案例中，可說該裝置係經由該四分之一分隔 方案驅動。 於該鎖存器（A ) 102-2之所有階級中完成所有該數 位視頻信號之寫入該鎖存器所需之時間週期係稱爲一行週 期。更特別地是，該行週期意指一由當該數位視頻信號寫 入該鎖存器（A ) 102-2最左級中鎖存器時之開始時間標 記直至當該數位視頻信號寫入該最右側級中鎖存器時之結 束時間標記所測量之時間週期。實際上，除了上述行週期 外該行週期可包含一水平之熄滅週期。 在一行週期結束之後，鎖存信號係供給至該鎖存器（ B ) 102-3。在此刻，已寫入及保持在該鎖存器（a ) 102-2 之數位視頻信號係同時發出至該鎖存器（B ) 102-3，而寫 入該鎖存器（B ) 1 02-3所有階級之鎖存器及保持在其內 〇 由外部供給至該源信號線驅動電路]〇 2之另一數位視 頻信號係基於來自該移位寄存器1 〇 2 · 1之定時信號又連續 地寫入該鎖存器（A ) 102-2，由此該先前之數位視頻信號 係送出至該鎖存器（B) 102-3。 於該一行週期之第二周轉期間，已寫入及保持在該鎖 存器（B ) 1 〇 2 - 3之數位視頻信號同時發出至該轉換電路 ]〇2-4。該轉換電路ι〇2·4造成由該鎖存器（a) ]〇2·2輸 入政位視頻丨g號之極性倒相，或另一選擇爲按照移位信號 -18- 1288385 (15) 允許那些數位視頻信號之極性不倒相，及輸出該合成信號 〇 該數位視頻信號包含'' 〇 〃或Y 1 〃之資訊。對應於'' 〇 〃之數位視頻信號係一具有高電位之信號，而對應於a 1 〃之數位視頻信號係一具有低電位之信號，或反之亦然。 該數位視頻信號之極性之反轉意指具有0 "之資訊之數 位視頻信號係轉換成具有'' 1 〃之資訊之數位視頻信號， 而具有> 1 〃之資訊之數位視頻信號係轉換成具有'' 〇 〃之 資訊之數位視頻信號。 該移位信號係一用以選擇由該鎖存器（A) 102-2輸 入之數位視頻信號極性是否倒相之信號。當所有該發光元 件於一幀週期中發光期間之時間週期平均値變得長於該發 光元件欲在該像素部份1 0 1中顯示全白之情況下於一幀週 期中發光期間之一半時間週期時，藉著該移位信號倒相該 數位視頻信號之極性，藉此導致減少耗電量。在另一方面 ，當所有該發光元件於一幀週期中發光期間之時間週期平 均値變得短於該發光元件欲在該像素部份1 01中顯示全白 之情況下於一幀週期中發光期間之一半時間週期時，爲了 抑制該耗電量之目的，該數位視頻信號之極性係不允許按 照該移位信號倒相。 可由使用者選擇、另一方式爲可基於欲顯示之影像自 動地選擇是否應按照該移位信號倒相或不倒相該數位視頻 信號之極性。 由該轉換電路]02-4輸出之數位視頻信號係輸入該源 -19- 1288385 (16) 信號線。 在另一方面，於該柵信號線驅動電路1 03中’來自一 移位寄存器（未示出）之栅信號係輸入一緩衝寄存器（未 不出），及進一步輸入一對應權is號線（亦稱爲一 ί市描線 )° 按照輸入該栅信號線之栅信號，輸入該源信號線之數 位視頻信號係輸入該像素。 於上面之敘述中，該源信號線驅動電路1 02及該柵信 號線驅動電路103可設在與該像素部份101相同之基板上 。另一選擇爲，那些驅動電路102及103可設在一 1C晶 片上及經由一些諸如FPC或TAB之技術連接至該像素部 份 1 0 ]。 按照本發明具體實施例之前述結構，在用以施行一數 位驅動時間分割色調顯示之發光裝置顯示一單色影像之案 例中，可基於該像素部份中所欲顯示影像之性質倒置一影 像之對比。更明確地是，當所有發光元件於一幀週期中發 光期間之時間週期平均値變得長於該發光元件欲在該像素 部份1 0 1中顯示全白之情況下於一幀週期中發光期間之一 半時間週期時，倒置該像素部份中所欲顯示影像之對比。 在另一方面，當所有該發光元件於一幀週期中發光期間之 時間週期平均値變得短於該發光元件欲在該像素部份 1 0 1中顯示全白之情況下於一幀週期中發光期間之一半時 間週期時，其想要的是不允許倒置該像素部份中所欲顯示 影像之對比。 -20- 1288385 (17) 於本具體實施例之上面敘述中，該轉換電路係包含在 該源信號線驅動電路中。另一選擇爲，該轉換電路未包含 在該源信號線驅動電路中係可接受的。 於本具體實施例模式中，只敘述採用該數位視頻信號 之狀況。另一選擇爲，本發明可應用於一使用類比視頻信 號以取代該數位視頻信號之案例中。 據此，流經該發光元件之電流量可按照本發明之第一 結構抑制至某種程度，藉此導致抑制該最終發光裝置之耗 電量。 〔具體實施例模式2〕 現在將敘述按照本發明之第二結構。圖2顯示一具有 按照本發明第二結構之發光裝置之方塊圖。於圖2中，與 圖1所示相同之零組件係標以相同之參考數字。 於本具體實施例模式中，該發光裝置採用一允許恒定 電位取代該時鐘信號（CLK)以加至該移位寄存器102-1 之時鐘信號控制電路1 06。 更明確地是，該發光裝置係架構成藉著該時鐘信號控 制電路106取代該時鐘信號將一恒定電位（固定電位）輸 入該移位寄存器102-1達一恒定時間週期。上面之結構防 止用於將由第一位元至該第m位元（m係由1至η範圍 中之任何整數）範圍中較不重要位元之數位視頻信號輸入 該鎖存器（A ) 1 〇2·2之定時信號輸入該鎖存器（A ) 1 02-2。據此，只有在由第m+ 1位元至該第n位元範圍中之較 -21 - 1288385 (18) 重要位元之數位視頻信號能寫入該鎖存器（A) 102° 於本具體實施例模式中，該發光裝置異於圖】所示者 ，其中該源信號線驅動電路102不包含該轉換電路102-4 。據此，已寫入及保持在該鎖存器（B ) 102-3之數位視 頻信號係藉著欲輸入該鎖存器（B ) 102 _3之鎖存信號輸 入該源信號線。 按照本具體實施例模式，在施行一數位驅動時間分割 色調顯示之發光裝置中，輸入包含在發光裝置中之源信號 線驅動電路之數位視頻信號係在其位元數減少之後輸入該 像素部份。更特別地是，藉著由最不重要位元連續地切斷 一位元之數位視頻信號以減少欲輸入該像素部份之數位視 頻信號之位元數。 按照上述結構，減少欲輸入該像素部份之數位視頻信 號之位元數，且因此可減少藉著該源信號線驅動電路及該 柵信號線驅動電路將數位視頻信號寫入該像素所需之數目 。如此’可抑制該源信號線驅動電路及該栅信號線驅動電 路之耗電量’藉此導致抑制該發光裝置之耗電量。 於本具體實施例模式中，請注意該時鐘信號控制電路 106可設在與該像素部份101相同之基板上，或另一選擇 爲可形成在一 IC晶片中。 〔具體實施例模式3〕 現在將敘述按照本發明第二結構之另一實例，其異於 具體實施例模式2中所述之實例。圖3顯示一具有按照本 -22- 1288385 (19) 發明第二結構之發光裝置之方塊圖。於圖3中，與圖1所 示相同之零組件係標以相同之參考數字。 於本具體實施例模式中，該發光裝置採用一允許恒定 電位取代由該移位寄存器I02·1輸出之定時信號以加至該 鎖存器（A ) 102-2之定時信號控制電路107。 更明確地是，該發光裝置係架構成藉著該定時信號控 制電路107取代由該移位寄存器102-1輸出之定時信號將 一恒定電位（固定電位）輸入該鎖存器（A) 102-2達一 恒定時間週期。上面之結構防止用於將由第一位元至該第 Hi位元（m係由1至η範圍中之任何整數）範圍中較不重 要位元之數位視頻信號輸入該鎖存器（A ) 102-2之定時 信號輸入該鎖存器（A ) 102-2。.據此，只有在虫第（m+1 )位元至該第η位元範圍中之較重要位元之數位視頻信號 能寫入該鎖存器（Α) 102-2。 請注意在本具體實施例模式中，該固定電位必需在防 止該數位視頻信號寫入該鎖存器（Α) 102心之電平。 按照本具體實施例模式，在施行一數位驅動時間分割 色調顯示之發光裝置中，輸入包含在發光裝置中之源信號 線驅動電路之數位視頻信號係在其位元數減少之後輸入該 像素部份。更特別地是，藉著由最不重要位元連續地切斷 一位元之數位視頻信號以減少欲輸入該像素部份之數位視 頻信號之位元數。 按照上述結構，減少欲輸入該像素部份之數位視頻信 號之位元數，且因此可減少藉著該源信號線驅動電路及該 ‘23, 1288385 (20) 柵信號線驅動電路將數位視頻信號寫入該像素所需之數目 。如此，可抑制該源信號線驅動電路及該柵信號線驅動電 路之耗電量，藉此導致抑制該發光裝置之耗電量。 於本具體實施例模式中，請注意該定時信號控制電路 107可設在與該像素部份101相同之基板上，或另一選擇 爲可形成在一 IC晶片中。 〔具體實施例模式4〕 現在將敘述按照本發明第二結構之又另一實例，其異 於具體實施例模式2及3中所述之實例。圖4顯示一具有 按照本發明第二結構之發光裝置之方塊圖。於圖4中，與 圖1所示相同之零組件係標以相同之參考數字^ 於本具體實施例模式中，該發光裝置採用一允許恒定 電位取代該起始脈衝信號（SP )以加至該移位寄存器 102-1之起始脈衝信號控制電路ι〇8。 更明確地是’該發光裝置係架構成藉著該起始脈衝信 _控制電路1 08取代該起始脈衝信號將一恒定電位（固定 電位）輸入該移位寄存器1 02 · 1達一恒定時間週期，以致 防止用於將由第一位元至該第瓜位元（扭係由1至η範 圍中之任何整數）範圍中較不重要位元之數位視頻信號輸 入該鎖存器（A ) 102-2之定時信號輸入該鎖存器（Α) 102-2。據此’只有在由第（m + 1 )位元至該第^位元範圍 中之較重要位元之數位視頻信號能寫入該鎖存器（A ) 102-2〇 -24- 1288385 (21) 請注意在本具體實施例模式中，該固定電位必需在防 止該定時信號由該移位寄存器】〇2-1輸出之電平。 按照本具體實施例模式，在施行一數位驅動時間分割 色調顯示之發光裝置中，輸入包含在發光裝置中之源信號 線驅動電路之數位視頻信號係在其位元數減少之後輸入該 像素部份。更特別地是，藉著由最不重要位元連續地切斷 一位元之數位視頻信號以減少欲輸入該像素部份之數位視 頻信號之位元數。 按照上述結構，減少欲輸入該像素部份之數位視頻信 號之位元數，且因此可減少藉著該源信號線驅動電路及該 柵信號線驅動電路將數位視頻信號寫入該像素所需之數目 。如此’可抑制該源信號線驅動電路及該柵信號線驅動電 路之耗電量，藉此導致抑制該發光裝置之耗電量。 於本具體竇施例模式中，請注意該起始脈衝信號控制 電路1 08可設在與該像素部份丨〇〗相同之基板上，或另_ 選擇爲可形成在一 IC晶片中。 〔具體實施例模式5〕 現在將參考圖5敘述按照本發明之第三結構。 於圖5中’參考數字5 〇】指示一電源線。在本說明書 中’該電源線意指用於藉著欲輸入一源信號線之數位視頻 信號加上一預定電位至一像素部分之發光元件中所含像素 電極之接線。於本說明書中，該源信號線之電位係稱爲該 電源電位。 -25- 1288385 (22) 參考數字5 02指示一緩衝放大器，參考數字5 03指示 —監視用發光元件，及參考數字5 04指示一恒流電源。該 監視用發光元件5 0 3之一電極係連接至該恒流電源5 04， 以致一恒流總是流經該監視用發光元件5 03。當改變該發 光元件中所含有機化合物層之溫度時，流經該監視用發光 元件5 03之電流量不會改變，反之改變連接至該恒流電源 504之監視用發光元件503之電極電位。 在另一方面’該緩衝放大器5 02包含二輸入端子及一 輸出端子。該二輸入端子之一係不倒相輸入端子（+)， 而另一端子係一倒相器輸入端子（·）。在該監視用發光 元件5 03之一電極之電位係供給至該緩衝放大器502。 該緩衝放大器502係一用以按照諸如該電源線50〗之 接線電容等負載防止連接至該恒流電源5 04之監視用發光 元件5 0 3之像素電極電位變化之電路。據此，提供至該緩 衝放大器5 02之不倒相輸入端子之電位係由一欲供給至該 電源線之輸出端子輸出當作該電源電位，而不會按照諸如 該電源線5 0 I之接線電容等負載變化。 據此，即使當該監視用發光元件5 0 3之溫度或該像素 部份中發光元件之有機化合物層之溫度由於環境溫度變化 而變化時，改變該電源電位，以便允許一恒流流經該發光 元件。如此，即使當該發光裝置之環境溫度增加時，可防 止該發光裝置之耗電量增加。 於本具體實施例模式中，該緩衝放大器5 02、該監視 用發光元件5 03、及該恒流電源5 04可設在與該像素部份 1288385 (23) 相同之基板上，或另一選擇爲可形成在一 1C晶片中。再 者，該監視用發光元件5 03可包含在該像素部份中，或另 一選擇爲可與該像素部份無關地提供。 本發明能抑制一發光裝置之耗電量及一採用按照上述 第一至第三結構之發光裝置之電子設備之耗電量。請注意 本發明可只需包含該第一至第三結構之任一個，雖然可包 含該第一至第三結構之二種或所有結構。 本發明能允許藉著上述三結構抑制該發光裝置之耗電 具體實施例 在下文將敘述數種具體實施例 〔具體實施例1〕 於本具體實施例中，將敘述按照本發明之一發光裝置 像素部份之結構及其驅動方法。 圖6顯示按照本發明具體實施例之發光裝置像素部份 3 〇 1之一放大視圖。於該像素部份3⑸中提供源信號線（ S1至Sx )、電源線（VI至Vx )、及栅信號線（G】至 Gy ) 〇 於本具體實施例中，一像素304意指—區域，其中提 供该源彳5號線（s 1至SX )之—、電源線（VI至vX )之 、及柵號線（G 1至Gy )之一。於該像素部份3 〇】中 ’複數像素3 04係安排成矩陣。 1288385 (24) 圖7顯示該像素3 04之放大視圖。於圖7中，參考數 字3 05指示一轉換TFT。轉換TFT 3 0 5之一柵極係連接至 該栅信號線G ( G1至Gx )。轉換TFT 3 0 5之一源極區及 —*漏極區之一係連接至該源信號線S ( S 1至S X )，而源 極區及漏極區之另一個係連接至一電流控制TFT 3 06之柵 極以及連接至每一像素之一電容器308。 該電容器3 0 8係提供用以當該轉換TFT 3 05位於該未 選擇狀況（斷離狀況）時，保持該電流控制TFT 306之一 柵電位（該柵極與源極區間之一電位差）。雖然在本具體 實施例中設有該電容器3 08，本發明未受限於此一結構。 可省略該電容器3 08。 該電流控制TFT 3 06之源極區及漏極區之一係連接至 該電源線V ( V 1至V X )，而源極區及漏極區之另一個係 連接至該發光元件3 07。該電源線 V係連接至該電容器 3 08 〇 該發光元件307係由一陽極、一陰極、及一提供於該 陽極及該陰極間之有機化合物層所構成。於該陽極係連接 至該電流控制TFT 3 06之源極區或漏極區之案例中，該陽 極具有該像素電極之功能及該陰極具有一對電極之功能。 在另一方面，於該陰極係連接至該電流控制TFT 3 06之源 極區或漏極區之案例中，該陰極具有該像素電極之功能及 該陽極具有該對電極之功能。 一反電位係供給至該發光元件3 07之對電極。此外， 該電源電位係供給至該電源線V。該電源電位及該反電位 -28- 1288385 (25) 係藉著一外部附著1C晶片等所提供之電源供給至本發明 之發光裝置。 該轉換TFT 3 05及該電流控制TFT 3 06可爲任一種n 型溝道TFT或p型溝道TFT。然而請注意於該電流控制 TFT 306之源極區或漏極區係連接至該發光元件307之陽 極之案例中，其較佳的是該電流控制TFT 3 06係該p型溝 道TFT。在另一方面，於該電流控制TFT 3 06之源極區或 漏極區係連接至該發光元件3 07之陰極之案例中，其較佳 的是該電流控制TFT 3 06係該η型溝道TFT。 該轉換TFT 3 〇5及該電流控制TFT 3 06可具有一多柵 結構，諸如雙柵結構、三柵結構等，而非單栅結構。 然後，將參考圖8敘述包含前述結構之本發明發光裝 置之一驅動方法。 首先，該電源線之電源電位變成等於該發光元件之對 電極之電位。然後，一柵信號係由該栅信號線驅動電路輸 入至該栅信號線G 1。其結果是’所有連接至該柵信號線 G1之像素（亦即於該第一列中之像素）之轉換T.FT 305 係置於接通（ON)狀態。 在該第一位元之數位視頻信號同時由該源信號線驅動 電路輸入該源信號線（s 1至s X )。該數位視頻信號係經 由該轉換TFT 305輸入該電流控制TFT 306之栅極。 然後，當同時達成該柵信號之輸入該G1時，該類似 之栅信號係輸入該下一柵信號線G2。如此，所有連接至 該栅信號線G2之像素（亦即於該第二列中之像素）之轉 -29· 1288385 (26) 換TFT 3 05係置於接通（ON )狀態，藉此在該第一位元 之數位視頻信號係由該源信號線（S 1至S X )輸入該第二 列中之像素。 其後’該樞5虎係連繪地輸入至所有該樞信號線（ G1至Gx)。用以選擇所有該栅信號線（G1至Gx)及將 在該第一位元之數位視頻信號輸入所有各列中像素所需時 間週期係一寫入週期Tal。 當完成該寫入週期Tal時，即開始一發光週期Trl。 於該發先週期Trl期間*該電源線之電源電位達至關於該 對電極提供一電位差之電位電平，以致當該電源電位係供 給至該發光元件之像素電極時，該發光元件能夠發光。 於本具體實施例中，於該數位視頻信號具有> 〇 〃之 資訊之案例中，該電流控制TFT 3 06係位於該斷離（OFF )狀態。據此，該電源電位未供給至該發光元件3 07之像 素電極。其結果是，供給具有> 〇 〃之資訊之數位視頻信 號而包含於該像素中之發光元件3 07係未發光。 在另一方面，於該數位視頻信號具有a 1 〃之資訊之 案例中，該電流控制TFT 3 06係位於該接通（ON )狀態 。據此，該電源電位供給至該發光元件3 07之像素電極。 其結果是，供給具有a 1 〃之資訊之數位視頻信號而包含 於該像素中之發光元件3 07係發光。 如此，於該顯示週期Tr 1期間，該發光元件3 0 7係置 於該放射狀態或非放射狀態中，以致所有像素施行一顯示 操作。該像素施行該顯示操作期間之時間週期係稱爲一顯 -30- 1288385 (27) 示週期Tr。更特別地是，當在該第一位元之數位視頻信 號開始輸入該像素時之顯示週期係稱爲Tr 1。於圖8中， 爲簡化敘述故，只說明該第一列中像素之顯示週期。所有 列開始該個別顯示週期之定時係相同的。 當完成該顯示週期Trl時，開始下一寫入週期Ta2， 及該電源線之電源電位達至等於該發光元件之對電極之電 位。同理於該寫入週期Tal之案例中，連續地選擇所有柵 信號線’及在該第二位元之數位視頻信號係輸入所有像素 。用以完成將在該第二位元之數位視頻信號輸入所有各列 中像素所需時間週期係稱爲一寫入週期Ta2。 當完成該寫入週期Ta2時，即開始一顯示週期Tr2， 且該電源線之電源電位達至關於該對電極提供一電位差之 電位電平’以致當該電源電位係供給至該發光元件之像素 電極時，該發光元件能夠發光。如此，所有像素施行該顯 示操作。 重複上述操作，直至在該第η位元之數位視頻信號係 輸入該像素，以致輪流地出現該寫入週期Ta及該顯示週 期Tr。在完成所有顯示週期（Tri至Trn)之後，可顯示 一影像。於按照本發明之驅動方法中，用以顯示一影像所 需時間週期係稱爲一幀週期（F )。在完成某一幀週期（F )之後，開始下一幀週期。再次出現該寫入週期Ta 1，及 重複上述操作。 於標準之發光裝置中，其較佳的是每秒提供60或更 多幀週期。假如一秒中欲顯示之影像數目係少於60，該 -31 - 1288385 (28) 影像之閃爍可能變得視覺上顯著的。 於本具體實施例中，其必要的是所有寫入週期之加總 係短於一幀週期，且各個顯示週期間之比率係設定至滿足 下列關係：Trl : Tr2 ： Tr3 ： ... ： Tr ( n-1 ) : Trn = 2° ： 21 :22 :…：2 ( ^ : 2 ( 。經由該顯示週期之組合，可 在合計2n色調之間實現一想要之色調顯示。 藉著獲得該發光元件於該幀週期中發光期間之顯示週 期之加總，即可決定於某一幀週期中藉著一特別像素所欲 顯示之色調。譬如，假設η = 8及當該像素在所有顯示週 期中發光所獲得之亮度係表示爲1 〇 〇 %時，1 %之亮度可了 解爲該像素於Trl及Tr2發光之情況下，而60%之亮度可 了解爲當選擇Tr3，Tr5及Tr8時。 該顯示週期Tr 1至Trn能以任何順序出現。譬如，於 一幀週期期間，可控制該顯示週期而以Trl，Tr3，Tr5， 丁 r 2，…之順序出現。 雖然藉著本具體實施例之上面敘述中之寫入週期及該 顯示週期改變在該電源線之電源電位之電平，本發明未受 限於此。當該電源電位係供給至該發光元件之像素電極時 ’能使該發光元件發光之一電位差可控制成總是存在於該 電源電位及該對電極電位之間。於此一案例中，該發光元 件甚至在該寫入週期中能夠發光。據此，藉著該發光元件 於該幀週期中發光期間之寫入週期及顯示週期之加總，即 可決定於某一幀週期中藉著一特別像素所欲顯示之色調。 於該案例中，其必要的是該寫入週期及該顯示週期之加總 -32- 1288385 (29) 對應於在各個位元之數位視頻信號係設定至滿足下列關g :(Tal+Trl) ·· (Ta2 + Tr2) ： (Ta3 + Tr3)：…：（Ta(n-1 ) + Tr ( n-1 ) ) ： (Tan + Trn) = 2° ： 2】：22: ···: 2(卜2) ： 2(11.1) 〇 〔具體實施例2〕 於本具體實施例中，將敘述按照本發明之一發光裝置 像素部份之另一結構實例及其驅動方法，其異於該具體實 施例1之實例。 圖9顯示本具體實施例中之一發光裝置之示範方塊圖 。圖9發光裝置包含一藉著TFT形成在該基板上之像素 部份901，及包含一源信號側邊驅動電路902、一寫入柵 信號個邊驅動電路（第一柵信號線驅動電路）903 a、及一 刪除柵信號線驅動電路（第二柵信號線驅動電路）903b， 每一電路設在該像素部份之外圍。雖然在本具體實施例中 敘述設有源信號側邊驅動電路之發光裝置，可提供二個該 源信號側邊驅動電路。 該源信號側邊驅動電路902具有本發明先前所述第一 至第三結構之至少一結構。 於本具體實施例中，該源信號線驅動電路902及該寫 入柵信號側邊驅動電路903 a及該刪除柵信號線驅動電路 9 03b可設在與該像素部份901相同之基板上，或另一選 擇爲可形成在一 1C晶片上及經由諸如FPC、TAB等某一 連接器連接至該像素部份90]。 圖]0顯示該像素部份9 0 1之放大視圖。於圖〗0中， -33- 1288385 (30) 於該像素部份901中提供源信號線（S1至Sx )、電源線 (VI至Vx)、及寫入栅信號線（第一柵信號線）（Gal 至Gay )、及刪除柵信號線（第二栅信號線）（Gel至 Gey ) 〇 該像素904意指一區域，其中提供該源信號線（S1 至Sx )之一、電源線（VI至Vx )之一、寫入栅信號線（ Gal至Gay)之一、及刪除柵信號線（Gel至Gey)之一 。於該像素部份901中，複數像素904係安排成矩陣。 圖11顯示該像素904之放大視圖。於圖11中，參考 數字907指示一轉換TFT。轉換TFT 907之一柵極係連接 至該柵信號線Ga ( Gal至Gay )。轉換TFT 907之一源極 區及一漏極區之一係連接至該源信號線S(S1至Sx)， 而源極區及漏極區之另一個係連接至一電流控制TFT 908 之柵極以及連接至一電容器912與每一像素中所含刪除 TFT 909之源極區及漏極區。 該電容器912係提供用以當該轉換TFT 907位於該未 選擇狀況（斷離狀況）時，保持該電流控制TFT 908之一 柵電位。雖然在本具體實施例中設有該電容器912，本發 明未受限於此一結構。可省略該電容器9 1 2。 該電流控制TFT 908之源極區及漏極區之一係連接至 該電源線V ( V 1至Vx )，而源極區及漏極區之另一個係 連接至該發光元件9 1 0。該電源線 V係連接至該電容器 9 ] 2 〇
未連接至該轉換TFT 907之源極或漏極區之刪除TFT 1288385 (31) 909之源極區及漏極區之一係連接至該電源線v。該刪除 TFT 9 09之柵極係連接至該刪除柵信號線Ge。 該發光元件910係由一陽極、一陰極、及一提供於該 陽極及該陰極間之有機化合物層所構成。於該陽極係連接 至該電流控制TFT 908之源極區或漏極區之案例中，該陽 極具有該像素電極之功能及該陰極具有一對電極之功能。 在另一方面，於該陰極係連接至該電流控制TFT 908之源 極區或漏極區之案例中，該陰極具有該像素電極之功能及 該陽極具有該對電極之功能。 一反電位係供給至該發光元件9 1 0之對電極9 1 1。此 外，該電源電位係供給至該電源線V。當該電源電位係加 至該像素電極時，該反電位及該電源電位間之一電位差總 是維持在可造成該發光元件發光之電平。該電源電位及該 反電位係藉著一外部附著1 C晶片等所提供之電源供給至 本發明之發光裝置。 於至目前爲止之典型發光裝置中’當一像素每單位發 光面積之光發射量係200燭光/平方米時’每單位面積需 要數毫安培之電流（m A / cni 2 )流經一像素部份。如此’ 特別是具有一較大之顯示區域’其變得難以藉著一開關控 制由設於該IC晶片中之電源所供給之電位大小。在本具 體實施例中，該電源電位及該反電位總是維持恒定’且因 此不需藉著一開關控制由設於該1C晶片中之電源所供給 之電位大小。據此’本具體貫施例係可用於貫現一具有車父 大顯示尺寸之面板。 -35- 1288385 (32) 該轉換TFT 907、該電流控制 TFT 908、及該刪除 TFT 9 09可爲任一種η型溝道TFT或p型溝道TFT。然而 請注意於該電流控制TFT 908之源極區或漏極區係連接至 該發光元件9 1 0之陽極之案例中，其較佳的是該電流控制 TFT 908係該p型溝道TFT。在另一方面，於該電流控制 TFT 908之源極區或漏極區係連接至該發光元件910之陰 極之案例中，其較佳的是該電流控制TFT 908係該η型溝 道 TFT。 該轉換TFT 907、該電流控制 TFT 908、及該刪除 TFT 9 09可具有一多柵結構，諸如雙柵結構、三柵結構等 ，而非單柵結構。 然後，將參考圖1 2敘述.包含前述結構之本發明發光 裝置之一驅動方法。 首先，一寫入柵信號係由該寫入栅信號線驅動電路 903a輸入至該寫入柵信號線Gal，及如此所有連接至該寫 入柵信號線Ga 1之像素（亦即於該第一列中之像素）之轉 換TFT 907係置於接通（ON )狀態。在本說明書中，當 所有TFT具有一栅極連接至某一信號線時，該信號線係 稱爲已選擇。如此，於上述案例中，已選擇該寫入柵信號 線 G a 1。 在該第一位元之數位視頻信號同時由該源信號線驅動 電路902輸入該源信號線（S1至Sx )。更特別地是，該 數位視頻信號係經由該轉換TFT 907輸入該電流控制TFT 908之栅極。 1288385 (33) 於本具體實施例中，於該數位視頻信號具有'' Ο 〃之 資訊之案例中，該電流控制TFT 908係位於該斷離（OFF )狀態。據此，該電源電位未供給至該發光元件9 1 0之像 素電極。其結果是，供給具有'' 〇 〃之資訊之數位視頻信 號而包含於該像素中之發光元件9 1 0係未發光。 在另一方面，於該數位視頻信號具有，1 〃之資訊之 案例中’該電流控制TFT 908係位於該接通（ON )狀態 。據此，該電源電位供給至該發光元件9 I 0之像素電極。 其結果是，供給具有> 1 〃之資訊之數位視頻信號而包含 於該像素中之發光元件9 1 0係發光。 如此’當該數位視頻信號同時輸入該第一列中之像素 時，該發光元件3 07係置於該放射狀態或非放射狀態中， 以致該第一列中之所有像素施行一顯示操作。該像素施行 該顯示操作期間之時間週期係稱爲一顯示週期Tr。更特 別地是’當在該第一位元之數位視頻信號開始輸入該像素 時之顯示週期係稱爲Trl。於圖12中，爲簡化敘述故， 只說明該第一列中像素之顯示週期。該個別列開始顯示週 期之定時係彼此偏置達某些時差。 然後，當同時達成該Gal之選擇時，藉著該寫入柵信 號選擇下一寫入柵信號線Ga2。如此，所有連接至該寫入 栅信號線Ga2之像素之轉換TFT 907係置於接通（ON ) 狀態’藉此在該第一位元之數位視頻信號係由該源信號線 (S1至Sx )輸入該第二列中之像素。 其後，連續地選擇所有該寫入柵信號線（Ga】至Gax -37- 1288385 (34) )。用以選擇所有該寫入柵信號線（Gal至Gax)及將在 該第一位元之數位視頻信號輸入所有各列中像素所需時間 週期係一寫入週期Tal。 在另一方面，將在該第一位元之數位視頻信號輸入所 有各列中像素之前，換句話說，在完成該寫入週期Ta 1之 前，藉著由該刪除栅信號線驅動電路903 b輸入之一刪除· 栅信號選擇該刪除柵信號線Ge 1，並同時將該第一位元之 數位視頻信號輸入該像素。 當選擇該刪除柵信號線Ge 1時，連接至該刪除柵信號 線Gel之所有像素（該第一列中之像素）中之刪除TFT 9〇9係置於該接通（ON )狀態中。如此，該電源線（VI 至V X )之電源電位係供給至該第一列像素中之電流控制 TFT 9 08之栅極。 當該電源電位係供給至該電流控制TFT 908之栅極時 ，該電流控制TFT 908係置於該OFF狀態。如此，該電 源電位未供給至該發光元件9 1 0之像素電極，以致所有包 含於該第一列中像素之發光元件係置於該非放射狀態。如 此，該第一列中之像素不施行一顯示操作。換句話說，當 該電源電位係供給至該電流控制TFT之柵極時，既然選 擇該寫入栅信號線Gal，即刪除已保持在該電流控制TFT 之栅極之數位視頻信號。如此，該第一列中之像素不施行 一顯示操作。 該像素不施行一顯示操作期間之時間週期係稱爲一不 顯示時間週期Td。當該刪除栅信號係輸入該刪除柵信號 -38- 1288385 (35) 線Gel時，同時完成用於該第一列中像素之顯示週期Trl ，及開始該不顯示週期Td]。 於圖1 2中，爲簡化敘述故，只特別說明該第一列中 像素之不顯示週期。該個別列開始不顯示週期之定時係彼 此偏置達某些時差。 然後，當同時達成該Gel之選擇時，藉著該刪除柵信 號選擇下一刪除柵信號線Ge2。如此，所有連接至該刪除 柵信號線Ge2之像素（該第二列中之像素）之刪除TFT 909係置於ON狀態。該電源線（VI至Vx)之電源電位 係經由該刪除TFT 909供給至該電流控制TFT 908之柵極 。當該電源電位供給至該電流控制TFT 908之栅極時，該 電流控制TFT 908係置於該OFF狀態。如此，該電源電 位未供給至該發光元件9 1 0之像素電極，以致所有包含於 該第二列中像素之發光元件係置於該非放射狀態中。如此 ，該第二列中之像素不施行一顯示操作及置於該不顯示狀 態中。 然後，藉著該刪除栅信號連續地選擇所有刪除柵信號 線。用以選擇所有刪除栅信號線（Gal至Gax )及刪除在 該第一位元保持於所有各列像素中之數位視頻信號所需之 時間週期係稱爲該刪除週期Te 1。 在另一方面，在刪除保持於所有各列中像素之第一位 元之數位視頻信號之前，換句話說，在完成該刪除週期 丁el之前，再次選擇該寫入柵信號線Ga】，並同時刪除在 該第一位元於該像素中之數位視頻信號。如此，該第一列 -39- 1288385 (36) 中之像素再次施行該顯示操作。如此完成該不顯示週期 Tdl ’及開始一顯示週期Tr2。 其後’以類似前述之方式連續地選擇所有寫入柵信號 線’及在該第二位元之數位視頻信號係輸入所有像素。用 以將在該第二位元之數位視頻信號輸入所有各列中像素所 需時間週期係稱爲一寫入週期Ta2。 在另一方面，在該第二位元之數位視頻信號輸入所有 各列中像素之前，換句話說，在完成該寫入週期Ta2之前 ，選擇該刪除柵信號線Ge2，並同時將在該第二位元之數 位視頻信號輸入各像素中。如此，該第一列各像素中包含 之所有發光元件係置於該非放射狀態中。如此，該第一列 中之像素不施行顯示操作。然後完成該第一列中各像素之 顯示週期Tr2，及開始該不顯示週期Td2。 其後，連續地選擇所有刪除柵信號線。用以選擇所有 刪除栅信號線（Gal至Gax )及刪除在該第二位元保持於 所有各列像素中之數位視頻信號所需之時間週期係稱爲該 刪除週期Te2。 重複上述操作，直至在該第m位元之數位視頻信號 係輸入該像素，以致輪流地出現該顯示週期Tr及該不顯 示週期Td。該顯示週期Trl係一由該寫入週期Tal之開 始直至該刪除週期Te 1開始之週期。該不顯示週期Td 1係 一由該刪除週期丁el之開始直至該顯示週期Tr2開始之週 期。類似於該顯示週期T r I及該不顯示週期T d 1，藉著該 寫入週期丁al，Ta2 ’…’ Tam及該刪除週期Tel ’ Te2， - 40- 1288385 (37) ···，Te(m-l)定義該顯示週期 Tr2，Tr3，···，Tr(m-1 )及該不不週期Td2’ Td3，·.·，Td(m-l)之長度。 在該第m位元之數位視頻信號已輸入該第一列中像 素之後，不選擇該刪除柵信號線Ge 1。爲簡化敘述故，以 m = η·2之案例係敘述當作本具體實施例之一實例。然而 ，本發明未受限於此一案例。在本發明中，對於m之値 ，可任意選擇由2至η範圍中之任何數字。 當在第（η-2 )位元之數位視頻信號係輸入該第一列 中之像素時，該第一列中之像素係置於該顯示週期Tr ( η-2)中以施行一顯示操作。直至輸入在該下一位元之下一 數位視頻信號，在第（η-2 )位元之數位視頻信號係保持 在該像素。 當在第（η- 1 )位元之數位視頻信號係輸入該第一列 中之像素時，保持在該像素之第（η-2 )位元之數位視頻 信號係再寫入在第（η-1 )位元之數位視頻信號。然後該 第一位元中之像素係置於該顯示週期Tr ( η-1 )中以施行 一顯示操作。直至輸入在該下一位元之下一數位視頻信號 ’在第（η-2 )位元之數位視頻信號係保持在該像素。 重複上述操作，直至在該第η位元之數位視頻信號係 輸入該像素。該顯示週期Tr ( η-2 )係一由該寫入週期Ta (η#2 )之開始直至該寫入週期Ta ( ιι-〗）開始之週期。類 似於該顯示週期Tr ( n-2 )，藉著該寫入週期Ta定義該 顯示週期Tr ( η-])及Trn之長度。 於本具體實施例中，其必要的是所有寫入週期之加總 -41 - 1288385 (38) 係短於一幀週期，且各個顯示週期間之比率係設定至滿足 下列關係·· Trl : Tr2 : Tr3 :…：Tr (卜1 ) ·· Trn= 2° : 2】 :22 :…：2 ( n·2) : 2 ( n-】）。經由該顯示週期之組合，可 在合計2n色調之間實現一想要之色調顯示。 在完成所有顯示週期（Trl至Trn)之後，可顯示一 影像。於按照本發明之驅動方法中，用以顯示一影像所需 時間週期係稱爲一幀週期（F )。 在完成某一幀週期（F )之後，在該第一位元之數位 視頻信號再次輸入該像素，以致該第一列中之像素再次置 於該顯示週期Trl。及重複上述操作。 於標準之發光裝置中，其較佳的是每秒提供60或更 多幀週期。假如一秒中欲顯示之影像數目係少於60，該 影像之閃爍可能變得視覺上顯著的。 藉著獲得該發光元件於該幀週期中發光期間之顯示週 期之加總，即可決定於某一幀週期中藉著一特別像素所欲 顯示之色調。譬如，假設n=8及當該像素在所有顯示週 期中發光所獲得之亮度係表示爲1 〇〇%時，1 %之亮度可了 解爲該像素於Trl及Tr2發光之情況下，而60%之亮度可 了解爲當選擇Tr3，Tr5及Tr8時。 在該第m位元之數位視頻信號輸入該像素期間之寫 入週期Tam係需要短於該顯示週期Trm。據此，位元數m 係需要爲一由1至η之數字，以致可允許該寫入週期Tam 比該顯示週期Trm較短。 該顯示週期（ΤΠ至Trn )能以任何順序出現。譬如 1288385 (39) ，於一幀週期期間，可控制該顯示週期而以Trl，Tr4， Tr3，Tr2，···之順序出現。然而，請注意該顯示週期之出 現順序係較佳地設定成不會造成該刪除週期（Tel至丁en )彼此重疊。 於本具體實施例中，該顯示週期Tr及該寫入週期Ta 係互相局部重疊。換句話說，該像素甚至於該寫入週期期 間能施行一顯示操作。據此，只藉著該寫入週期之長度不 能決定一幀週期內之顯示週期之加總比率（佔空因素）。 〔具體實施例3〕 於本具體實施例中，將如具體實施例1中所述詳細敘 述該發光裝置中所含源信號線驅動電路之結構。圖1 3顯 示本實施例中該源信號線驅動電路之電路圖。於圖1 3中 ’與圖1所示相同之零組件係標以相同之參考數字。 參考數字102-1指示一移位寄存器，而一時鐘信號（ CLK ) '一藉著倒置該時鐘信號之極性所獲得之信號（ CLKB )、一起始脈衝信號（SP )、一雙向移位信號（ SL/R )係分別經由所示接線輸入該移位寄存器。 參考數字102-2及102-3分別指示一鎖存器（A)及 一鎖存器（B )。在本具體實施例中，鎖存器（A ) 102-2 之組合及鎖存器（B ) 102-3之組合對應於四源信號線。 然而，鎖存器（A) 102-2之組合及鎖存器（B) 102-3之 組合所對應之源信號線數目不受限於本具體實施例中之上 面數目。此外，雖然在本具體實施例中未提供一用以改變 -43- 1288385 (40) 信號之電壓振幅寬度之電平移位計，設計者可適當地提供 此一電平移位計。 由外部供給至該源信號線驅動電路之數位視頻信號（ DV )係經由所示接線輸入該鎖存器（a )〗02-2。鎖存信 號 S__LAT及藉著倒置該 S_LAT之極性所獲得之信號 S 一 LATb係分別經由所示接線輸入該鎖存器（B) 102-3。 將參考該鎖存器（A) 102-2之一部份801詳細敘述 該鎖存器（A ) 102-2之結構。該鎖存器（A ) 102-2部份 8 0 1包含二時鐘脈衝倒相器及二倒相器。 圖14顯不該鎖存器（A) 102-2部份801之平面圖。 參考數字831a及831b分別指示構成該鎖存器（A) 1024 部份801中所含倒相器之一之TFT之激活層。參考數字 836指示構成該特定倒相器之一之TFT之共柵極。參考數 字832a及832b分別指示構成該鎖存器（A ) 102-2部份 801中所含倒相器之另一個之TFT之激活層。參考數字 8 3 7a及8 3 7b分別指示形成在該激活層832a及8 3 2b上方 之栅極。該柵極837a及837b係彼此電連接。 參考數字833a及8 3 3b分別指示構成該鎖存器（A) 102-2部份801中所含時鐘脈衝倒相器之一之TFT之激活 層。栅極8 3 8 a及83 81)係設在該激活層8 3 3 3上方以形成 一雙栅結構。同理，柵極83 8b及8 3 9係設在該激活層 8 3 3 b上方以形成一雙柵結構。 參考數字8 3 4a及8 34b分別指示構成該鎖存器（A) ]〇2-2部份801中所含時鐘脈衝倒相器之另一個之TFT之 1288385 (41) 激活層。柵極8 3 9及840係設在該激活層8 3 4a上方以形 成一雙栅結構。同理，栅極840及841係設在該激活層 8 3 4b上方以形成一雙柵結構。 參考數字102-4指示該轉換電路。圖15A及15B顯 示按照本具體實施例之轉換電路之電路圖。 如圖15A所示，本具體實施例之轉換電路102-4包含 一倒相器851、第一類比開關8 52、及第二類比開關853 。一移位信號S S及一藉著倒置該移位信號S S之極性所 獲得之信號SSB係經由所示接線輸入。 圖〗6顯示該第一類比開關8 52及該第二類比開關 853之等效電路圖。第一類比開關852及該第二類比開關 853之每一個包含一 n型溝道TFT及一p型溝道TFT。由 一輸入端子（IN )所輸入之信號係藉著一由第一控制輸入 端子（VIN)或第二控制輸入端子（VINb)所輸入之信號 取樣，及該合成信號係由一輸出端子（OUT)輸出。 來自該鎖存器（B ) 102-3之數位視頻信號係經由該 倒相器851輸入該第一類比開關8 52通過該輸入端子（IN )。來自該鎖存器（B ) 102-3之數位視頻信號係同時經 由該輸入端子（IN )輸入該第二類比開關8 5 3。. 該移位信號S S及藉著倒置該移位信號S S之極性所 獲得之信號SSB係分別輸入該第一類比開關8 52及該第 二類比開關853，經過該第一控制輸入端子（VIN )或該 第二控制輸入端子（VINb )。藉著該移位信號SS取樣該 數位視頻信號，及所取樣之數位視頻信號係由該第一類比 -45- 1288385 (42) 開關8 5 2及該第二類比開關8 5 3之輸出端子（OUT)輸出 輸入該轉換電路102-4之數位視頻信號係在倒置其極 性之後由該處輸出，或另一選擇爲未倒置該極性◊該移位 信號S S決定該數位視頻信號之極性是否於該轉換電路 102-4中倒相或不倒相。
如圖1 5B所示之轉換電路102-4包含一倒相器861、 第一 NAND 862、第二 NAND 863 及 NOR 864。一 移位信 號S S及一藉著倒置該移位信號S S之極性所獲得之信號 S S B係經由所不接線輸入。 來自該鎖存器（B ) 102-3之數位視頻信號係提供經 過該倒相器8 6 1。藉著倒置該移位信號S S之極性所獲得 之信號SSB係同時輸入該第一 NAND 8 62。
同時以該數位視頻信號經由該倒相器8 6 1輸入該第一 NAND 8 62，該數位視頻信號亦係輸入該第二NAND 8 63。 該移位信號SS亦同時輸入該第二NAND 863。 由第一 NAND 862及該第二NAND 863輸出之信號係 同時輸入NOR 864。一由NOR 864輸出之信號係輸入該 源信號線。 輸入該轉換電路】02-4之數位視頻信號係在倒置其極 性之後由該處輸出，或另一選擇爲未倒置該極性。該移位 信號S S決定該數位視頻信號之極性是否於該轉.換電路 102-4中倒相或不倒相。 該轉換電路之結構未受限於圖15A及15B所示者。 -46- 1288385 (43) 該轉換電路可具有任何適當之結構，只要其能允許輸入該 處之數位視頻信號以倒相之極性或不倒相之極性由該處H 出。 本具體實施例可與具體實施例]或2自由地結合。 〔具體實施例4〕 於本具體實施例中，將如具體實施例2中所述詳細敘 述該發光裝置中所含源信號線驅動電路之結構。圖1 7顯 示本實施例中該源信號線驅動電路之電路圖。於圖1 7中 ，與圖1所示相同之零組件係標以相同之參考數字。 參考數字102-1指示一移位寄存器，而一時鐘信號（ CLK )、一藉著倒置該時鐘信號之極性所獲得之信號（ CLKB )、一起始脈衝信號（SP )、一雙向移位信號（ SL/R )係分別經由所示接線輸入該移位寄存器。 參考數字102-2及102-3分別指示一鎖存器（A)及 一鎖存器（B)。在本具體實施例中，鎖存器（A) 102-2 之組合及鎖存器（B ) 102-3之組合對應於四源信號線。 然而，鎖存器（A) ]02-2之組合及鎖存器（B) 102-3之 組合所對應之源信號線數目不受限於本具體實施例中之上 面數目。此外，雖然在本具體實施例中未提供一用以改變 信號之電壓振幅寬度之電平移位計，設計者可適當地提供 此一電平移位計。 由外部供給至該源信號線驅動電路之數位視頻信號（ DV )係經由所示接線輸入該鎖存器（A ) 102-2。鎖存信 - 47- 1288385 (44) 號S —LA丁及藉著倒置該s — LAT之極性所獲得之信號 S — LATb係分別經由所示接線輸入該鎖存器（b) Μ〗」。 該鎖存器（A ) 1 02-2之詳細結構係如同圖】4所示。 據此，在此省略其敘述。 寥考數字1 0 6指示該時鐘信號控制電路，其可取代該 時鐘信號（CLK )供給一恒定電位（固定電位）至該移位 寄存器102-1達一恒定時間週期。 更明確地是，藉著該時鐘信號控制電路〗〇 6取代該時 鐘信號將該恒定電位（固定電位）輸入該移位寄存器 102-1達一恒定時間週期，以致防止用於將由第〜位元至 該第m位元範圍中較不重要位元之數位視頻信號輸入該 鎖存器（Α)】02·2之定時信號輸入該鎖存器（a) 1〇2_2 據此’在由外部源彳g號線驅動電路輸入之數位視頻信號 n中’只有在由第（m+1)位元至該第11位元範圍中之較 重要位元之數位視頻信號能寫入該鎖存器（A ) 102_2。 圖18A及18B顯示按照本具體實施例之時鐘信號控 制電路106之詳細電路圖。 圖1 8 A所示本具體實施例之時鐘信號控制電路1 〇 6 包含一 N AN D 1 8 0 1及一倒相器1 8 0 2。一選擇信號係經由 所示接線輸入。 由外部輸入至該源信號線驅動電路之時鐘信號係經由 一輸入端子（IN)輸入該NAND 1801。該選擇信號亦同 時輸入該NAND 1801。一設在輸出端子（OUT )而由該 NAND 1801輸出之信號係在藉著該倒相器1 8 02倒置其極 - 48- 1288385 (45) 性之後輸入該移位寄存器1 02 -]。 該選擇信號決定是否該時鐘信號將輸入該移位寄存器 102-1、或該恒定電位（固定電位）是否將取代供給至該 處。 圖18B所示本具體實施例之時鐘信號控制電路1〇6包 含第一類比開關1 8 1 1、第二類比開關1 8 1 2、及一倒相器 1 8 1 3。一選擇信號係經由所示接線輸入。 該第一類比開關1 8 1 1及該第二類比開關1 8 1 2之等效 電路圖係如同圖1 6所示。第一類比開關1 8 1 1及該第二類 比開關1 812之每一個包含一 n型溝道TFT及一 p型溝道 TFT。由一輸入端子（IN )所輸入之信號係藉著一由第一 控制輸入端子（VIN)或第二控制輸入端子（VINb)所輸 入之信號取樣，及然後由一輸出端子（OUT )輸出。 該選擇信號係經由該第一控制輸入端子（VIN )輸入 該第一類比開關1 8 1 1及該第二類比開關m 2。該選擇信 號亦在倒置其極性之後同時經由該第二控制輸入端子（ VINb )輸入該第一類比開關181 1及該第二類比開關1812 。另外由外部供給至該源信號線驅動電路之時鐘信號係經 由該輸入端子（IN )同時輸入該第一類比開關1 8 1 1。該 第二類比開關1 8 1 2係經由該輸入端子之（IN )供給該恒 定電位（固定電位）。 分別由該第一類比開關1 8 1 1及該第二類比開關1 8 1 2 之輸出端子（OUT )輸出之信號係皆由該時鐘信號控制電 路】0 6之輸出端子輸出。 -49- (46) 1288385 該選擇信號決定是否該時鐘信號將輸入該移位寄存器 102-1，或是否取代供給該處之恒定電位（固定電位）。 該時鐘信號控制電路之結構未受限於圖1 8A及】8B 所示者。 本具體實施例可與具體實施例1至3自由地結合。 〔具體實施例5〕 於本具體實施例中，將如具體實施例3中所述詳細敘 述該發光裝置中所含源信號線驅動電路之結構。圖]9顯 示本實施例中該源信號線驅動電路之電路圖。於圖1 9中 ，與圖1所示相同之零組件係標以相同之參考數字。 參考數字102-1指示一移位寄存器，而一時鐘信號（ CLK )、一藉著倒置該時鐘信號之極性所獲得之信號（ CLKB )、一起始脈衝信號（SP )、一雙向移位信號（ SL/R )係分別經由所示接線輸入該移位寄存器。 參考數字102-2及102-3分別指示一鎖存器（A)及 一鎖存器（B )。在本具體實施例中，鎖存器（A ) I 02-2 之組合及鎖存器（B ) 102-3之組合對應於四源信號線。 然而，鎖存器（A ) 102 ·2之組合及鎖存器（B ) 102-3之 組合所對應之源信號線數目不受限於本具體實施例中之上 面數目。此外，雖然在本具體實施例中未提供一用以改變 信號之電壓振幅寬度之電平移位計，設計者可適當地提供 此一電平移位計。 由外部供給至該源信號線驅動電路之數位視頻信號（ -50- 1288385 (47) DV )係經由所示接線輸入該鎖存器（a ) ι〇2_2。鎖存信 號S — LAT及藉著倒置該S-LAt之極性所獲得之信號 S 一 LATb係分別經由所示接線輸入該鎖存器（b) 1〇2_3。 該鎖存器（A )】02-2之詳細結構係如同圖14所示。 據此，在此省略其敘述。
參考數字1 07指示該定時信號控制電路，其可取代該 定時信號供給一恒定電位（固定電位）至該鎖存器（A ) 102-2達一恒定時間週期。
更明確地是，藉著該定時信號控制電路1 〇 7取代該定 時信號將該恒定電位（固定電位）輸入該移位寄存器 102-1達一恒定時間週期，以致防止用於將由第一位元至 該第m位兀範圍中較不重要位元之數位視頻信號輸入該 鎖存器（A) 102-2之定時信號輸入該鎖存器（Α) ι〇2_2 。據此，在由外部源信號線驅動電路輸入之數位視頻信號 η中，只有在由第（m+1)位元至該第η位元範圍中之較 重要位元之數位視頻信號能寫入該鎖存器（Α) 102-2。 本具體實施例中該定時信號控制電路1 0 7之結構係如 圖18Α及18Β所示者。據此，應該於具體實施例4中發 現關於該定時信號控制電路I 07之結構之詳細敘述。然而 ，請注意在本具體實施例中，來自該移位寄存器102-1之 定時信號係如圖18Α及18Β所示輸入該電路中之輸入端 子（IN )。一由如圖18Α及18Β所示電路中之輸出端子 (OUT )所輸出之信號係輸入該鎖存器（A )] 02-2。該選 擇信號決定是否該定時信號將輸入該鎖存器（A )] 02-2 ' -51 - 1288385 (48) 或該恒定電位（固定電位）是否將取代供給至該處。 該定時信號控制電路之結構未受限於圖1 8 A及1 8B 所示者。 本具體實施例可與具體實施例1至3自由地結合。 〔具體實施例6〕 於本具體實施例中，將如具體實施例4中所述詳細敘 述該發光裝置中所含源信號線驅動電路之結構。圖20顯 示本實施例中該源信號線驅動電路之電路圖。於圖20中 ，與圖1所示相同之零組件係標以相同之參考數字。 參考數字1〇2_1指示一移位寄存器，而一時鐘信號（ CLK ) ,ν —藉著倒置該時鐘信號之極性所獲得之信號（ CLKB )、一起始脈衝信號（SP )、一雙向移位信號（ SL/R )係分別經由所示接線輸入該移位寄存器。 參考數字102-2及102-3分別指示一鎖存器（Α)及 一鎖存器（Β)。在本具體實施例中，鎖存器（Α) 102-2 之組合及鎖存器（Β ) 102-3之組合對應於四源信號線。 然而，鎖存器（Α) 102-2之組合及鎖存器（Β) 102-3之 組合所對應之源信號線數目不受限於本具體實施例中之上 面數目。此外，雖然在本具體實施例中未提供一用以改變 信號之電壓振幅寬度之電平移位計，設計者可適當地提供 此一電平移位計。 由外部供給至該源信號線驅動電路之數位視頻信號（ D ν )係經由所示接線輸入該鎖存器（A ) 1 〇 2 · 2。鎖存信 -52- 1288385 (49) 號S —LAT及藉著倒置該S-LAT之極性所獲得之信號 S-LATb係分別經由所示接線輸入該鎖存器（B) 102-3。 該鎖存器（A ) 1 〇2 -2之詳細結構係如同圖1 4所示。 據此，在此省略其敘述。 參考數字1 〇 8指示該起始脈衝信號控制電路，其可取 代該起始脈衝信號（SP )供給一恒定電位（固定電位）至 該移位寄存器102-1達一恒定時間週期。 更明確地是，藉著該起始脈衝信號控制電路1 0 8取代 該起始脈衝信號將該恒定電位（固定電位）輸入該移位寄 存器102-2達一恒定時間週期，以致防止用於將由第一位 元至該第m位元範圍中較不重要位元之數位視頻信號輸 入該鎖存器（A ) 102-2之定時信號輸入該移位寄存器 1 02-1。據此，在由外部源信號線驅動電路輸入之數位視 頻信號η中，只有在由第（m + 1)位元至該第η位元範圍 中之較重要位元之數位視頻信號能寫入該鎖存器（A ) 102-2 ° 本具體實施例中該起始脈衝信號控制電路I 08之結構 係如圖1 8A及1 8B所示者。據此，應該於具體實施例4 中發現關於該起始脈衝信號控制電路〗〇8之結構之詳細敘 述。然而，請注意在本具體實施例中，該起始脈衝信號係 如圖1 8A及1 8B所示輸入該電路中之輸入端子（IN ) ° 一由如圖18 A及18B所示電路中之輸出端子（OUT )所 輸出之信號係輸入該移位寄存器102-1。該選擇信號決定 是否該起始脈衝信號將輸入該移位寄存器】02-或該1宜 -53- 1288385 (50) 定電位（固定電位）是否將取代供給至該處。 該起始脈衝信號控制電路之結構未受限於圖1 8 A及 1 8 B所示者。 本具體實施例可與具體實施例1至3自由地結合。 〔具體實施例7〕 於本具體實施例中，將參考圖2 1敘述按照本發明第 三結構之另一實例，其異於如在具體實施例5中所述者。 於圖2 1中，與圖5所示相同之零組件係標以相同之參考 數字。 於圖2 1中，參考數字5 0 1指示一電源線、參考數字 5〇2指示一緩衝放大器、參考數字5〇3指示—監視用發光 元件、參考數字5 04指示一恒流電源、及參考數字5 0 5指 示一加法電路。該監視用發光元件503之一電極係連接至 該恒流電源5 04，以致一恒流總是流經該監視用發光元件 503。當改變該發光元件中所含有機化合物層之溫度時， 流經該監視用發光元件5 03之電流量不會改變，反之改變 連接至該恒流電源5 04之監視用發光元件5 03之電極電位 〇 在另一方面，該緩衝放大器5 02包含二輸入端子及一 輸出端子。該二輸入端子之一係不倒相輸入端子（+ )， 而另一端子係一倒相器輸入端子（-)。在該監視用發光 元件5 03之一電極之電位係供給至該緩衝放大器5〇2之不 倒相輸入端子。 -54- 1288385 (51) 該緩衝放大器5 Ο 2係一用以按照諸如該電源線5 Ο 1之 接線電容等負載防止連接至該恒流電源5 04之監視用發光 元件5 0 3之像素電極電位變化之電路。據此，提供至該緩 衝放大器5 0 2之不倒相輸入端子之電位係由一欲供給至該 電源線之輸出端子當作該電源電位輸出至該加法電路505 ，而不會按照諸如該電源線5 0 1、加法電路5 0 5等之接線 電容等負載變化。 由該緩衝放大器5 02之輸出端子供給至該加法電路 5 〇 5之電位係進一步供給至該電源線5 0 1當作該電源電壓 ，在某一恒定電位差加至該處或由該處減去之後。 圖22顯示本具體實施例中加法電路之詳細電路圖。 該加法電路505包含第一電阻器521、第二電阻器522、 一用於該加法電路之電源5 2 5、及一不倒相放大器電路 520。該不倒相放大器電路520包含第三電阻器523、第 四電阻器524、一用於該不倒相放大器電路之電源526、 及一*放大器527。 該第一電阻器521之一端子具有該加法電路之輸入端 子（IN )之功能。該第一電阻器5 2 1之另一端子係連接至 該第二電阻器522之一端子。該第二電阻器522之另一端 子係連接至用於該加法電路之電源5 2 5。於該第一電阻器 521及該第二電阻器522之間可獲得之一輸出係輸入該不 倒相放大器電路520之放大器52 7之不倒相輸入端子（+ 該第三電阻器52 3之一端子係連接至該放大器5 2 7之 1288385 (52) 一輸出端子，而該第三電阻器523之另一端子係連接至該 放大器527之倒相輸入端子。於該第三電阻器523及放大 器5 2 7之倒相輸入端子間可獲得之一輸出係輸入第四電阻 器524之一端子。該第四電阻器524之另一端子係連接至 用於該不倒相放大器電路之電源526。於該第三電阻器 5 23及該放大器5 2 7之輸出端子間可獲得之一輸出係由該 加法電路505之一輸出端子（OUT)輸出。 按照上述結構，即使當該監視用發光元件5 03之溫度 或該像素部份中發光元件之有機化合物層之溫度由於環境 溫度變化而變化時，改變該電源電位，以便允許一恒流流 經該發光元件。如此，即使當該發光裝置之環境溫度增加 時，可防止該發光裝置之耗電量增加，及再者，該發光元 件之亮度可維持在一恒定水平。再者，藉著另外提供該加 法電路5 05，該電源線5 0 1之電位不需要與連接至該監視 用發光元件5 0 3恒流電源5 0 4之電極電位在相同電平。如 此，可抑制流經該緩衝放大器502、該監視用發光元件 5 03、及該恒流電源5 04之電流量，藉此導致抑制該耗電 量。 該加法電路5 05之結構未受限圖22所示者。 本具體實施例可與具體實施例1至6自由地結合。 〔具體實施例8〕 於具體實施例8中，同時詳細地說明一像素部份及該 像素部份外圍中形成在相同基板上之一驅動電路之TFT ( 1288385 (53) η型溝道TFT及p型溝道TFT)之製造方法。
首先，如圖23A所示，一由諸如氧化矽薄膜、氮化 石夕薄膜、或氮氧化砂（s i 1 i c ο η ο X y n i t r i d e )薄膜之絕緣薄 膜製成之基底薄膜401係形成在基板400上，該基板400 係由諸如鋇矽硼玻璃或鋁矽硼玻璃之玻璃所製成，典型爲 柯寧（Corning)公司之#7059玻璃或#1737玻璃，或由一 石英基材所製成。譬如，由SiH4，NH3及N2〇藉著電漿 CVD製成之氮氧化矽薄膜係形成有10至200納米（最好 由50至100納米）之厚度，且同理形成及以薄片覆蓋一 厚度爲5 0至2 0 0納米（最好於1 〇 〇與1 5 0納米之間）之 氫化氮氧化矽薄膜，其係由SiH4及N20製成。注意於圖 23 A中該基底薄膜係顯示爲一層。於具體實施例8中該基 底薄膜4 0 1係顯示爲二層結構，但其亦可形成爲單層之上 面絕緣薄膜，及其亦可形成具有一疊層結構，其中二層或 更多層係彼此疊合。
半導體層402至405係由一結晶半導體薄膜所形成， 該結晶半導體薄膜係以雷射晶化法或習知之熱晶化法藉著 一具有無結晶性結構之半導體薄膜所形成。該半導體層 402至405之厚度係形成至25至80納米（最好於30與 60納米之間）之厚度。在此未限制該結晶半導體薄膜材 料，但其較佳的是由矽或矽鍺（Si Ge)合金形成該薄膜。 如於習知之晶化法，有一使用電爐之熱晶化法、一使 用雷射光之雷射退火晶化法、一使用紅外線之燈管退火晶 化法、及一使用觸媒金屬之晶化法。 -57- 1288385 (54) 在該雷射晶化法中可使用諸如脈衝放射型或連續放射 型激元雷射、YAG雷射、及YV04雷射之雷射，以製造一 結晶半導體薄膜。當使用該類型之雷射時，可使用一種藉 著光學系統將由雷射放射裝置所發出之雷射光凝聚成一直 線形狀、然後使該雷射光照射至該半導體薄膜之方法。該 操縱者可適當地選擇該晶化條件，但當使用該激元雷射時 ’該脈衝放射頻率係設定至3 00赫茲，及該雷射能量密度 係設定成由100至400毫焦耳/平方米（典型在200及 3〇〇毫焦耳/平方米之間）。再者，當使用該YAG雷射 時，利用該第二高調波，該脈衝放射頻率係設定成由3 0 至3 00千赫，及該雷射能量密度可設定成由3 00至600毫 焦耳/平方米（典型在350及500毫焦耳/平方米之間） 。聚集成一直線形狀之雷射光具有100至1 000微米之寬 度，例如400微米，然後照射在該基板之全部表面上方。 這是以該直線形狀雷射光施行達百分之50至98之重疊比 率。 然後，一栅絕緣薄膜406係形成蓋住該半導體層402 至405。一栅絕緣薄膜406係由一含有矽之絕緣薄膜所形 成，並以電漿CVD或濺鍍法形成40至150納米之厚度。 在具體實施例8中形成1 20納米厚氮氧化矽薄膜。當然於 單層或於疊層結構中，該柵絕緣薄膜406未受限於此型氮 氧化矽薄膜，及亦可使用其他含有矽之絕緣薄膜。譬如， 當使用一氧化矽薄膜時，其可藉著電漿CVD以TEOS (四 乙烯鄰矽酸鹽）及〇2之混合物在40巴（P〇之反應壓力 -58- 1288385 (55) 下形成，使得該基板溫度設定成由3 00至400 °C，及藉著 在高頻電功率密度之0.5至0.8瓦/平方米下放電。隨後 藉著在400及5 00 °C之間施行如此製成氧化矽薄膜之熱退 火即可獲得一柵絕緣薄膜之良好特性。 然後第一導電薄膜407及第二導電薄膜408係形成在 該柵絕緣薄膜4 06上，以便形成柵極。於具體實施例8中 ，該第一導電薄膜407係由50至100納米厚度之鉅所形 成，及該第二導電薄膜408係由100至300納米厚度之鎢 所形成。 藉著濺鍍法形成該鉅薄膜，及於氬氣中施行一鉬靶之 濺鏟。假如在濺鍍時將適量氙及氪氣加至氬氣，將鬆弛該 鉅薄膜之內部應力，及可防止薄膜剝落。一 α相鉬薄膜之 電阻係數係約20微歐姆公分及其可使用於該柵極中，但 一 /3相鉅薄膜之電阻係數係約1 8 0微歐姆公分及其爲不適 用於該栅極。假如擁有一接近α相鉬結晶結構之氮化鉬薄 膜係形成有1 〇至5 0納米之厚度，並當作一用於鉅之基底 以便形成一 α相鉅，即能夠輕易地獲得一相位鉅薄膜。 藉著濺鍍一鎢靶形成該鎢薄膜，亦可使用六氟化鎢藉 著熱CVD形成之。不論使用任何一種方法，其需要使該 薄膜變成低阻抗，以便使用其當作該柵極，且其較佳的是 該鎢薄膜之電阻係數係製成等於或少於2 0微歐姆公分。 藉著放大鎢薄膜之晶粒可降低該電阻係數，但在該鎢薄膜 有諸如氧之很多雜質元素之案例中，禁止晶化，及該薄膜 變得高阻抗。如此於濺鍍中使用具有純度百分之99.9999 1288385 (56) 或百分之9 9 · 9 9之鎢靶。此外，藉著形成該鎢薄膜，而充 分小心使其在形成薄膜時不會有來自氣相之雜質導入，可 達成9至20微歐姆公分之電阻係數。 注意於具體實施例8中雖然該第一導電薄膜407係鉅 及該第二導電薄膜408係鎢，該導電薄膜未受限於此，且 兩者亦可由一選自鉅、鎢、鈦、鉬、鋁、及銅組成之元素 群’或由具有該元素之一當作其主要成份之合金材料，或 由該元素之化學化合物所形成。再者，亦可使用一典型爲 複晶矽薄膜之半導體薄膜，其摻雜有諸如磷之雜質元素。 異於具體實施例8中所使用之一較佳組合之實例包含··藉 著氮化鉅形成該第一導電薄膜及將其與由鎢形成之第二導 電薄膜結合；藉著氮化鉅形成該第一導電薄膜及將其與由 鋁形成之第二導電薄膜結合；及藉著氮化鉅形成該第一導 電薄膜及將其與由銅形成之第二導電薄膜結合。（看圖 23B ) 其次由抗蝕劑形成掩罩409至4 1 2，及施行第一蝕刻 製程，以便形成電極及接線。於具體實施例8中係使用一 ICP (電感耦合電漿）蝕刻法。CF4及C】2之氣體混合物係 用作一蝕刻氣體，及在1巴之壓力下藉著加上5 00瓦射頻 電功率（13.56百萬赫茲）至線圈型電極以產生電漿。1〇〇 瓦射頻電功率（1 3 · 5 6百萬赫茲）亦施加至該基板側（試 樣階段），有效地加上一自偏負電壓。當CF4及C】2結合 時，該鎢薄膜及該鉬薄膜皆在相同等級下鈾刻。 圖23C中未顯示’該第一導電層及該第二導電層之邊 -60- 1288385 (57) 緣部份係在上面之蝕刻條件下藉著使用合適之抗蝕劑掩罩 形狀按照施加至該基板側邊之偏壓效果做成一錐形。該錐 形部份之角度係由1 5至45度。該鈾刻時間可增加約百分 之1 0至2 0，以便施行蝕刻而不會有任何殘渣留在該柵絕 緣薄膜上。一氮氧化矽薄膜關於一鎢薄膜之選擇性係由2 至4 (典型爲3 )，及因此藉著此過蝕刻法大約蝕刻該氮 氧化矽薄膜之暴露表面之20至50納米。再者，圖23C中 未顯示，在蝕刻之後，未由第一形狀之導電層414至417 所遮蓋之栅絕緣薄膜406區域係製成20至50納米較薄。 如此該第一形狀導電層414至417 (第一導電層414a 至417a及該第二導電層414b至417b )係按照該第一蝕 刻製程由第一導電層及該第二導電層所形成。 其次如圖23D所示施行第二蝕刻製程。同樣使用該 ICP蝕刻法，一 CF4 ' Cl2及02之混合物係用作該蝕刻氣 體，及在1巴之壓力下藉著供給5 00瓦射頻電功率（ 1 3 · 5 6百萬赫茲）至線圈型電極以產生電漿。5 0瓦射頻電 功率（〗3.56百萬赫茲）施加至該基板側（測試階段）， 及加上一相較於該第一蝕刻製程所用電壓較低之自偏電壓 。在該蝕刻條件下非等方性地蝕刻該鎢薄膜，及在較慢之 蝕刻速度下非等方性地鈾刻鉅（第一導電層），形成第二 形狀導電層419至422 (第·—導電層419a至422a及該第 二導電層41 9b至422b)。再者，雖然圖23D中未顯示， 另外蝕刻該柵絕緣薄膜406達約20至50納米，使該第二 形狀導電層419至422所未遮蓋之區域中變得較薄。 -61 - 1288385 (58) 該鎢薄膜及該鉅薄膜按照CF4及（：12混合氣體之蝕刻 反應可由所產生之自由基、及由反應產物之離子類型及蒸 氣壓力做估計。比較鎢及鉬之氟化物及氯化物之蒸氣壓力 ，該鎢氟化物之化合物WF6壓力係非常高，及WC15、 TaF5及TaCl5之蒸氣壓力係類似等級。因此該鎢薄膜及該 鉅薄膜係皆由該CF4及CI2氣體混合物所蝕刻。然而，假 如合適數量之〇2係加至該氣體混合物，CF4及02反應， 形成C0及F，及產生大量F自由基或F離子。其結果是 ，具有高氟化物蒸氣壓力之鎢薄膜之蝕刻速度變快。在另 一方面，縱使F增加，鉅之蝕刻速度不會相對地增加。再 者，鉬比鎢更易氧化，及因此藉著加入〇2氧化鉅之表面 。進一步減少該鉬薄膜之蝕刻速度；因爲鉅氧化物不會與 氟化物及氯化物反應。因此於該鎢薄膜及該鉅薄膜間之蝕 刻速度變成可能有一差異，及其變成可能使該鎢薄膜之蝕 刻速度大於該鉬薄膜之蝕刻速度。 然後如圖24A所示移去該掩罩409a至412a，及施行 第一摻雜製程，加入一賦予η型傳導性之雜質元素。譬如 ，可在70至120千電子伏特（keV )之加速電壓下施行摻 雜及具有lxl〇u原子/平方公分之劑量。使用該第二形 狀導電層419至422當作掩罩以抵住該雜質元素而施行該 摻雜製程，及以便在該第二導電層419a至422a下方之區 域中亦加入該雜質元素。如此形成與該第二導電層419a 至422a重疊之第一雜質區域425至428，及比該第一雜 質區域具有較高雜質濃度之第二雜質區域429至4 3 2。注 -62- 1288385 (59) 思於具體實施例8中在移去該掩罩4〇9a至412a之後加入 賦予η型傳導性之雜質元素，但本發明未受限加速電壓下 於此。賦予η型傳導性之雜質元素亦可在圖24Α之步驟 中加入，及然後可移去該掩罩409a至412a。 其次一掩罩433係形成在該半導體層404上，以便蓋 住該第二導電層421a及421b。該掩罩433與該第二雜質 區域43 1局部重疊，夾住該柵絕緣薄膜4〇6。然後施行第 二摻雜製程，及加入一賦予η型傳導性之雜質元素。摻雜 該賦予η型傳導性之雜質元素係在下列條件下施行：其中 該劑量係提局至局於該第一摻雜製程之劑量，及在低加速 電壓下（看圖24Β)。藉著離子摻雜或離子植入施行該摻 雜。在由1>〇0】3至5x10】4原子/平方公分之劑量及60至 1 00千電子伏特之加速電壓之條件下施行離子摻雜。週期 表第1 5群之元素，典型爲磷或砷係用作賦予η型傳導性 之雜質元素，及在此係使用磷。於本案例中，該第二形狀 導電層419至422變成關於該賦予η型傳導性之雜質元素 之掩罩，且以自行對齊之方式形成源極區434至437、漏 極區438至441、及Lov區域442至445。再者，按照該 掩罩4 3 3形成LOFF區域446。該賦予η型傳導性之雜質 元素係以lxl〇2G至lxlO21原子/立方公分之範圍濃度加 至該源極區434至437、及至該漏極區438至441。 其可能根據具體實施例8藉著控制掩罩4 3 3之尺寸自 由地設定該LOFF區域446之長度。 注意該於該說明書中，經由柵絕緣薄膜與柵極重疊之 -63- 1288385 (60) LDD區域稱爲一 Lov區域’及不經由栅絕緣薄膜與栅極 重疊之LDD區域稱爲一 L0FF區域。 該賦予η型傳導性之雜質元素係以1χ】〇17至lxl〇19 原子/立方公分之濃度加入該loff區域’及以lxl〇16至 1 X 1 〇18原子/立方公分之濃度加入該Lov區域。 注意於圖24B中，不論在上述條件之下施行摻雜一賦 予n型傳導性之雜質元素之前或之後，該賦予η型傳導性 之雜質元素之摻雜操作亦能於該掩罩43 3形成在該半導體 層404上之狀態下以70至120千電子伏特（keV)之加速 電壓施行。於變成該轉換TFT之LOFF區域之部份446中 ，可按照上面製程抑制賦予η型傳導性之雜質元素之濃度 ;及於變成該驅動電路中所用TFT之Lov區域之部份442 及4 4 3中，可增加賦予η型傳導性之雜質元素之濃度。於 變成該轉換TFT之LOFF區域之部份446中，藉著抑制賦 予η型傳導性之雜質元素之濃度可能降低該轉換TFT之 切斷（OFF )電流。再者，於變成該驅動電路中所用η型 溝道TFT之Lov區域之部份443中，藉著增加賦予η型 傳導性之雜質元素之濃度即可防止按照該漏極附近中之高 電場所產生之熱載流子，及由於該熱載流子效應所造成之 降級現象。 在移去該掩罩453之後，具有與上面一傳導性類型相 反之傳導性類型之源極區447及44 8、漏極區449及450 、及Lov區域451及452係然後形成在該半導體層402及 405中，用於如圖24C所示形成該p溝道TFT。該第二形 1288385 (61) 狀導電層419及422係關於該雜質元素用作一掩罩，及以 自行對齊之方式形成該雜質區域。形成η溝道TFT之半 導體層402及403係在此處藉著一抗蝕掩罩453遮蓋在其 全部表面積上方。磷係以不同濃度加至該源極區447及 448、該漏極區449及450、及該Lov區域451及452，且 在此使用二硼烷（B2H6 )施行離子摻雜，以致雜質係以 2χ102。至2χ102】原子/立方公分之濃度加入加至每一區 域。 雜質區域（源極區、漏極區、Lov區域、及LOFF區 域）係藉著上面製程形成於個別半導體層4 02至4 0 5中。 重疊該半導體層之第二導電層419至422具有栅極之功能 〇 然後開始施行該雜質元素加入至個別半導體層之製程 ’以控制傳導性類型爲其目標。爲該製程使用一退火火爐 施行熱退火。此外，亦可應用雷射退火及快速熱退火（ RTA)。於氮大氣中在400至700°c、典型於500及600 °C之間，以等於或少於百萬分之一、最好等於或少於每百 萬分之〇·]之氧濃度施行熱退火。於具體實施例8中之熱 處理係在5 00 °C施行達4小時之久。然而，對於用在該導 電層4 1 9至422之接線材料係不耐熱之案例中，其較佳的 是在形成中間層絕緣薄膜（具有矽當作其主要成份）之後 施行活性化，以便保護該接線及其類似物。 此外，熱處理係在3 00至4 5 0 °C下於含有百分之3及 】〇〇間之氫氣之大氣中施行達1至12小時，以施行該半 -65- 1288385 (62) 導體層之氫化。該製程係藉著熱激發之氫氣中斷該半導體 層中之懸空鍵結之一製程。亦可施行電漿氫化（使用藉著 電漿激發之氫氣）當作氫化之另一方法。 其次由厚度100至200納米之氮氧化矽薄膜形成第一 中間層絕緣薄膜4 5 5 (圖2 5 A )。然後由有機絕緣材料製 成之第二中間層絕緣薄膜45 8係形成在該第一中間層絕緣 薄膜4 5 5上。 然後接觸孔係形成在該柵絕緣薄膜406、該第一中間 層絕緣薄膜4 5 5、及該第二中間層絕緣薄膜4 5 8中，且形 成源極接線4 5 9至462以經由該接觸孔接觸該源極區447 ，4 3 5，43 6及44 8。以同樣方式，進一步形成漏極接線 463至465以接觸該漏極區449，439，440及450(圖 25B )。 注意其較佳的是當該柵絕緣薄膜4 0 6 '該第一中間層 絕緣薄膜455、及該第二中間層絕緣薄膜4 5 8係Si02薄膜 或Si ON薄膜時，使用CF4及〇2藉著乾式蝕刻法形成該 接觸孔。再者，於該栅絕緣薄膜406、該第一中間層絕緣 薄膜455、及該第二中間層絕緣薄膜45 8係有機樹脂薄膜 之案例中’其較佳的是藉著使用CHF3或藉著BHF (緩和 氟氫化物’ HF + NH4F)之乾式蝕刻法形成該接觸孔。此外 ’假如以不同材料形成該柵絕緣薄膜406、該第一中間層 絕緣薄膜4 5 5、及該第二中間層絕緣薄膜4 5 8，其較佳的 是改變用於每一薄膜之蝕刻方法及該蝕刻劑或蝕刻氣體。 亦可使用相同之蝕刻法及相同之蝕刻劑或蝕刻氣體形成該 -66 - 1288385 (63) 接觸孔。 其次由一有機樹脂形成第三中間層絕緣薄膜467。可 使用諸如聚硫亞氨、聚珠胺、丙烯酸、及BCB (苯並環丁 烯）之有機樹脂。其特別較佳的是使用具有優越勻染性之 丙烯酸系，因爲該第三中間層絕緣薄膜46 7係形成具有一 強烈隱含之電平。在具體實施例8中，一丙烯酸系薄膜係 形成一薄膜厚度，可充分地校平藉著該TFT所形成之步 驟。該薄膜厚度較佳地係由1至5微米（更好係於2及4 微米之間）。 其次於該第三中間層絕緣薄膜467中形成一用於抵達 該漏極接線4 6 5之接觸孔，及形成一像素電極4 6 8。於具 體實施例8中形成一具有1 1 0納米厚度之氧化銦錫（I τ 0 )薄膜，及然後施行佈圖設計，藉著形成該像素電極468 。再者，亦可使用一透明之導電薄膜，其中百分之2及 20間之氧化鋅係與氧化銦混合。該像素電極4 6 8變成一 發光層之陽極（看圖25C)。 其次由一樹脂材料形成第一觸排469及第二觸排470 。形成該第一觸排469及該第二觸排470 ’以便分開稍後 形成之鄰接像素之一有機化合物層及陰極。因此其較佳的 是該第二觸排470比該第一觸排469更遠地水平伸出。注 意其較佳的是該第—觸排469及該第二觸排470之結合厚 度係製成約1至2微米，但假如稍後形成之鄰接像素之有 機化合物層及陰極可分開，則不限制此厚度。再者，其必 需藉著一絕緣薄膜形成該第一觸排469及該第二觸排470 1288385 (64) ，及其譬如因此可能使用諸如氧化物或樹脂之材料。該第 一觸排469及該第二觸排470兩者皆可由相同之材料所形 成，及他們亦可由不同材料形成。該第一觸排469及該第 二觸排470係於像素之間形成條紋狀。該第一觸排469及 該第二觸排470可形成在該源極線路上及沿著該源極線路 (源極信號線），及可形成在該柵極線路上及沿著該柵極 線路（柵極信號線）。注意該第一觸排469及該第二觸排 4 70亦可由一材料所形成，其中一色素係混合入一樹脂中 。（看圖2 6 A ) 其次使用真空蒸發法連續地形成一有機化合物層47 ：! 及一陰極（鎂銀電極）4 72，而不會暴露至大氣。注意該 有機化合物層471之薄膜厚度可由80至200納米（典型 於100與120納米之間），及該陰極472之薄膜厚度可由 1 8 0至3 0 0納米（典型於2 0 0與2 5 0納米之間）。亦注意 雖然在具體實施例8中只顯示一像素，一發紅光之有機化 合物層、一發綠光之有機化合物層、及一發藍光之有機化 合物層係同時形成在該點。注意形成一有機化合物層及一 陰極之材料係局部地分層覆蓋在該觸排470上，然而，於 該說明書中，該材料係未涵括於該有機化合物層4 7 1及該 陰極4 72中。 按照一對應於紅色之像素、一對應於綠色之像素、及 一對應於藍色之像素之順序形成該有機化合物層4 7 ]及該 陰極4 72。然而，該有機化合物層471缺乏關於溶液之阻 抗，及因此必須分開地形成每一顏色而不會使用一微影技 -68- 1288385 (65) 術。其較佳的是使用一金屬掩罩及蓋住異於所想要像素之 像素，及只於必需部份中選擇性地形成該有機化合物層 47〗及該陰極472。 亦即，首先設定一掩罩，以便蓋住所有像素，除了那 些對應於該紅色之像素以外，及使用該掩罩選擇性地形成 紅色發光有機化合物層。其次，設定一掩罩，以便蓋住所 有像素，除了那些對應於該綠色之像素以外，及使用該掩 罩選擇性地形成綠色發光有機化合物層。最後，設定一掩 罩，以便蓋住所有像素，除了那些對應於該藍色之像素以 外，及使用該掩罩選擇性地形成藍色發光有機化合物層。 注意雖然在此所述係使用全部不同之掩罩，亦可重複使用 相同之掩罩。再者，其較佳的是施行處理直至一有機化合 物層及一陰極係形成在所有像素上而不會釋放該真空。 注意該有機化合物層471具有單層結構，其只由一顯 示在具體實施例8中之發光層所構成，但該有機化合物層 亦可使用一具有諸如除了該發光層以外之空子運送層、空 子注射層、電子運送層、及電子注射層等各層之結構。吾 人業已報告這些類型之組合之各種實例，及可使用全部此 等結構。一習知之材料可用作該有機化合物層47 1。考慮 一發光元素之驅動電壓，其較佳的是使用如該習知材料之 一有機材料。 其次形成該陰極472。在具體實施例8中顯示一使用 MGag電極當作發光元件之陰極之實例，但其亦可能使用 其他之習知材料。 1288385 (66) 如此完成具有圖26B所示結構之主動式矩陣基板。注 意在形成該第一觸排4 69及該第二觸排470之後，其係有 效地藉著使用多複室法（或直列法）薄膜成形設備連續施 行處理而不會暴露至大氣，直至形成該陰極472。 於具體實施例8中，一源極區5 04、一漏極區5 05、 -LOFF區域506、一 Lov區域507、及一通道成形區域 5 08係包含在一轉換 TFT 501之半導體層中。形成該 LOFF區域506，以致不會經由該栅絕緣薄膜406與該柵 極421重疊。再者，形成該Lov區域5 07，以致經由該柵 絕緣薄膜406與該栅極421重疊。此種結構於減少該切斷 電流時係非常有效。 再者於具體實施例8中，單一柵結構係用作該轉換 丁FT 501，但本發明爲該轉換TF丁亦可具有雙栅結構或另 一種多栅結構。實質上藉著使用該雙栅結構串連地連接二 TFT，而給予另外減少該切斷電流之優點。 再者於具體實施例8中，該轉換TFT 501係一 η溝道 TFT，但亦可使用一ρ溝道TFT。 —電流控制TFT 5 02之半導體層包含一源極區510、 一漏極區5Π、一 Lov區域5]2、及一通道成形區域5]3 。形成該Lov區域5]2，以便經由該栅絕緣薄膜406與該 栅極422重疊。注意於具體實施例8中，該電流控制TFT 5 02不具有該LOFF區域，但亦可使用一具有該LOFF區 域之結構。 再者於具體實施例8中，該電流控制TFT 5 02係一 ρ -70- 1288385 (67) 溝道TFT，但其亦可爲一 n溝道TF丁。 注意該具體實施例8之主動式矩陣基板顯示一非常高 之可靠性，及亦可藉著不只在該像素部份、而且於該驅動 電路部份中安排最佳結構之TFT增加其操作特性。 首先，一具有減少熱載流子注入以致不會有很大操作 速度之降速之TFT結構係用作形成該驅動電路部份之一 CMOS電路之n溝道TFT 5 03。注意在此包含諸如移位寄 存器、緩衝寄存器 '電平移位計、及取樣電路（取樣及保 持電路）之電路當作該驅動電路。諸如D/A轉換器之信 號轉換電路亦可包含於施行數位驅動之案例中。 實施例8中CMOS電路之n溝道TFT 503之半導體層 包含一源極區5,2 1、一漏極區.5 22、一，Lov區域523、及 —通道威形區域520 再者，該CMOS電路之p溝道TF丁 5 04之半導體層包 含一源極區531、一漏極區532、一 Lov區域533、及一 通道成形區域5 34。 注意實際上，其較佳的是在直至完成圖2 6B之製程之 後，藉著一具有高氣密特性與極少漏氣之保護薄膜（諸如 一薄片分層薄膜或一紫外線硬化樹脂薄膜）或藉著一透明 之密封材料施行封裝（密封），以便不會暴露至該大氣。 再者，假如惰性氣體置於該密封材料內側，及一乾燥劑（ 譬如氧化鋇）係安排在該密封材料內側，然後增加該發光 元件之可靠性。 苒者，附著一連接器（撓性印刷電路，F P C )，以便 1288385 (68) 在按照該封裝製程等增加該氣密特性之後使形成在該基板 上之兀件以由該電路伸出之端子連接至外部信號端子。如 此完成一製成產品。此種可發送狀態係遍及該說明書稱爲 一發光裝置。 該栅極於該溝道長度方向中之寬度（下文稱爲該栅極 之寬度）不同於按照本發明上面製程所述者。因此，由於 栅極厚度之差別，當使用該栅極當作掩罩施行離子注入時 ’其可能使得安排在該第一栅極下方之半導體層內所植入 之離子少於未安排在該第一栅極下方之半導體層內之離子 濃度藉著利用不同之離子滲透深度。 再者，爲使用一掩罩形成該L OFF區域，只需藉著蝕 刻控制Lov區域之寬度。其變成易於控制該LoV區域及 該LOFF區域之位置。 '注意雖然於具體實施例8中說明一由該有機化合物層 所發光線係直接指向該基板側之實例，本發明未受限於此 ’及亦可使用一由該有機化合物層所發光線係直接指向該 基板上方之結構。於骸案例中，該發光元件之陰極變成該 像素電極，及其較佳的是該電流控制TFT係一 η溝道 TFT。 注意雖然在具體實施例8中說明一像素具有—轉'換 TFT及一電流控制TFT之案例，本發明係未受限於此。 即使當一像素具有三TFT或更多時，其係可能應用本具 體實施例。 根據本發明製造一發光裝置之方法未受限於具體實施 •72- 1288385 (69) 例8中所述之製法及可利用其他製法。 注意其可能自由地結合具體實施例ί 至7之任一實施例。 〔具體實施例9〕 由本發明所製成之一發光裝置相較於 在明亮位置具有優越之能見度；因爲其係 及再者觀看角度變寬。據此，其可用作一 備之顯示部份。譬如，其適於使用本發明 當作一顯示裝置之顯示部份，而於其外殼 置，並具有一等於30吋或更大（典型等ί 之對角線，用於大銀幕鑑賓電視之播放。 置可用作各種電子設備之顯示部份。 下文可給予此等電子設備之實例：視 攝影機；眼珠轉動型顯示器（頭戴式顯示 系統；音頻複製裝置（諸如汽車音頻系統 );筆記型個人電腦；遊戲器材；手提式 如攜帶型電腦、行動電話、攜帶型遊戲器 及具有記錄媒介之影像播放裝置（特別地 媒介之播放及具有一能顯示那些影像之顯 如數位影像磁碟（DVD ))。特別地是， 終端機通常係由一對角線方向觀看，其視 爲很重要。如此，其較佳的是使用該發光 設備之實例係顯示在圖2 7及2 S中。 與具體實施例] ‘一液晶顯示裝置 :一自發型裝置， 用於各種電子設 之發光顯示裝置 中倂入該發光裝 ί令4 0吋或更大） 本發明之發光裝 頻攝影機；數位 器）；汽車導航 、音頻合成系統 資訊終端機（諸 材或電子書）； 是，施行一記錄 示器之裝置，諸 因爲手提式貧訊 野之寬廣度係視 裝置。那些電子 •73- (70) 1288385 圖27A說明一包含顯示面板2 70 1及操作面板2702 之手提式資訊終端機。該顯示面板2 70 】係在一連接部份 2 7 03與該操作面板2 7 02連接。於該連接部份2 703中， 可任意變化一具有該顯示面板2 70 ]顯示部份2 704之表面 及一具有該操作面板2702操作按鍵2706之表面間之角度 Θ 〇 -該顯示面板270 1包含該顯示部份2704。再者，圖 27A所示之手提式資訊終端機具有電話之功能，及該顯示 面板270 〗包含一音頻輸出部份2705，以致聲音由該音頻 輸出部份270 5輸出。本發明之發光裝置可用作該顯示部 份 2704 〇 該操作面板2702包含操作按鍵2706、電源開關2707 、音頻輸入部份2708 '及一電荷耦合器件（CCD )承接 部份2 7 09。注意雖然在圖27A中分開地提供該操作按鍵 2 706及該電源開關2 7 0 7，該電源開關2 70 7可包含在該操 作按鍵2706中。 於該音頻輸入部份2 707中輸入聲音。在該CCD承接 部份2709所輸入之影像係在該手提式資訊終端機中接收 當作一電子資料。 注意雖然於圖27A中該顯示面板2 70 1包含該音頻輸 出部份2 705及該操作面板包含該音頻輸入部份2708，本 具體實施例未受限於此◊換句話說，該顯示面板2 7 0 ]包 含該音頻輸入部份2 70 8，及該操作面板包含該音頻輸出 部份2 705。再者，該音頻輸出部份2 705及該音頻輸入部 -74- (71) 1288385 份2 708可提供於該顯示面板2 70 】中，及該音頻輸出部份 2 7 05及該音頻輸入部份2 70 8可提供於該操作面板2 702 中。 注意雖然圖27A中該手提式資訊終端機未包含天線 ’假如必要時可提供天線。 * 圖27B說明一包含主體2601、音頻輸出部份2602、 音頻輸入部份2 603、顯示部份2604、操作開關2605、及 天線2606之行動電話。按照本發明之發光裝置可用作該 顯示部份2604。該顯示部份2604能藉著在黑色背景下顯 示白色字母減少該行動電話之耗電量。 本發明之發光裝置用於手提式類型電子設備係很有效 ’因爲可減少其耗電量。 圖28A說明一具有發光裝置之顯示裝置，其包含框 架.200] '支撐台2002、顯示部份2003等。本發明之發光 裝置係適用於該顯示部份2003。該發光裝置係自發型， 及因此不須背面照明。如此，其顯示部份之厚度可較該液 晶顯示裝置之厚度薄。 圖2 8B說明一包含主體2〗0]、顯示部份2] 02、音頻 輸入部份2 ] 0 3、操作開關2 I 0 4 '電池2 ] 0 5、影像接收部 份2 ] 0 6等之視頻攝影機。按照本發明之發光裝置可用作 該顯示部份2 I 0 2。 圖2 8 C說明一頭戴型電子設備之一部份（右側元件） ，其包含一主體220】' 信號電纜2202'頭戴帶子2203、 螢幕部份22〇4、光學系統2 2 05、顯示部份2 206等。本發 -75- (72) 1288385 明之發光裝置係適用於該顯示部份2 2 Ο 6。 圖28D說明一具有記錄媒介之影像再現設備（更特 別地是一 D V D再現設備），其包含一主體2 3 0 ]、記錄媒 介（DVD等）2 3 02、操作開關2 3 03、顯示部份（A ) 23 04 、另一顯示部份（B ) 23 05等。該顯示部份23 04 ( A )主 要地係用於顯示影像資訊，而該顯示部份2 3 0 5 ( B )主要 地係用於顯示文字資訊。按照本發明之發光裝置可用作該 顯示部份23 04 ( A )及23 05 ( B )。具有一記錄媒介之影 像再現設備尙包含一家用遊戲器材等。 圖2 8 E說明一眼珠轉動型顯示器（頭戴式顯示器）， 其包含一主體24〇〗、顯示部份2402、及一支臂部份2403 。按照本發明之發光裝置可使用於該顯示部份2402。 圖28F說明一個人電腦，其包含一主體2501、框架 2 5 02、顯示部份25 03、鍵盤2504等。按照本發明之發光 裝置可用作該顯示部份2503。 注意假如一有機材料之放射發光率將來變成較高，包 含輸出影像資訊之光線係藉著透鏡等放大投射，藉此應用 至一前投型或後投型放映機。 前述電子設備係更可能甩於顯示經由諸如網際網路、 CATV (有線電視系統）之遠距通信路徑散佈之資訊，及 特別可能顯示電影資訊。該發光裝置係適於顯示電影，因 爲該有機材料能展現高反應速度。 既然該發光裝置之一發光部份耗電，其想要的是以使 其內之發光部份變成盡可能小之方式顯示資訊。據此，當 -76· (73) 1288385 該發光裝置係應用至一主要顯示文字資訊之顯示部份時， 例如一手提式資訊終端機、及更特別是行動電話或汽車音 頻再現器材之顯示部份，其想要的是驅動該發光顯示裝置 ’以致藉著一發光部份形成該文字資訊，而一非放射部份 對應於該背景。 如上面所提出者，本發明可應用至所有領域中之各種 寬廣範圍之電子設備。注意其可能自由地結合具體實施例 9與具體實施例I至8之任一實施例。 〔具體實施例1 〇〕 於本具體實施例中，將以測量値說明本發明第三結構 之另一特定結構及由於溫度所致之亮度變化 圖2 9 Α顯示一用於顯示器之發光元件之連接狀態， 其係包含在本具體實施例之一發光裝置中。參考數字701 ，7 02，7 03，704及705分別代表一電源線、一緩衝放大 器、一監視用發光元件、一恒流電源、及一像素部份中各 發光元件之一。 圖29A顯示當一電流控制TFT (未示出）係在，ON 〃狀態，及該電流控制TFT直接連接該像素部份中發光 元件705之一像素電極及該電源線70]時之案例。 於圖29A中，雖然該像素部份中發光元件705之陽 極係亦用作一像素電極，本具體實施例未受限於此一結構 。一陰極可用作一像素電極。 本具體實施例之恒流電源7 04具有放大器、可變電阻 - 77· 1288385 (74) 器、及雙極電晶體。參考電壓V]及V2代表一欲加上之 預定電壓，且滿足一關係（加至陽極之電壓<V2<V1) 。順便一提，視一陽極是否用作像素電極或一陰極是否用 作像素電極而定改變加至陽極之電壓V 2及V 1間之關係 。爲使一正向偏壓電流流入一發光元件，適當地設定加至 陽極之電壓V2及VI間之關係。該恒流電源7〇4亦未受 限於圖29A所示結構，可使用一熟知之恒流電源。 該恒流電源704之一輸出端子係與該監視用發光元件 7 〇 3之一像素電極連接。順便一提，當該像素部份中發光 元件705之一陽極係用作一像素電極時，該監視用發光元 件703之一陽極亦係用作一像素電極。反之，當該像素部 份中發光元件7 05之一陰極係用作一像素電極時，該監視 用發光元件7 03之一陰極亦係用作一像素電極。於圖29A 中，，該監視用發光元件703之陽極係用作一像素電極。 當該恒流電源7 04之輸出端子與該監視用發光元件 7 03之像素電極連接及如此使一電流流入該監視用發光元 件7 03時，其値總是保持恒定。及然後當該發光元件中所 含有機化合物層之溫度改變時，雖然流入該監視用發光元 件7 03之電流量未改變，已改變與該恒流電源7〇4連接之 監視用發光元件703之像素電極之電位。 在另一方面，該緩衝放大器702具有二輸入端子及一 輸出端子，該二輸入端子之一係不倒相輸入端子（+ ), 而另一端子係一倒相器輸入端子（·）。在該監視用發光 元件7 0 3之像素電極之電位係具有該緩衝放大器7〇2之不 (75) 1288385 倒相輸入端子。 該緩衝放大器702係一用以抑制由於諸如該電源線 701之接線電容等負載且與該恒流電源7〇4連接之監視用 發光元件7〇3之像素電極電位變化之電路。如此’提供至 該緩衝放大器7 0 2之不倒相輸入端子之電位係由該輸出端 子輸出，而不會由於諸如該電源線70 1之接線電容等負載 作變化，及於該像素部份中具有該發光元件7〇5之像素電 極。其結果是，流入該監視用發光元件7 03之電流等於流 入該像素部份中發光元件705之電流。 然後，即使當該像素部份中之監視用發光元件703或 發光元件705之一有機化合物層之溫度視環境溫度變化而 定作改變時，一恒流流入每一發光元件。如此，即使當該 發光裝置之環境溫度上昇，可抑制該發光裝置之耗電量之 增力口。 圖29B顯示具有圖29A所示結構之發光裝置像素部 份中該發光元件705之亮度由於溫度變化所得之測量値。 順便一提，一曲線圖（正確）有關本發明發光裝置中之測 量値，及一曲線圖（不正確）有關無本發明第三結構之發 光裝置中之測量値。 如可由圖29A;淸楚了解者，於該曲線圖（不正確） 中，該亮度係隨著該溫度之上升而增加。然而，於該曲線 圖（正確）中，即使當該溫度上昇時，該亮度幾乎保持恒 定。既然在本發明之發光裝置中電流及亮度係呈一比例關 係，即使當該溫度上昇時，電流可保持恒定，及可抑制耗 -79- (76) 1288385 電量之增加。 亦於一發光元件中，由於有機發光層之退化造成亮度 減少。在此，縱使在相同程度下造成退化，亮度減少量於 陰極及陽極間所流經之電流保持恒定之案例中係小於在該 陰極及該陽極之間所加電壓保持恒定之案例。如此，既然 在本發明之發光裝置中流入該發光元件之電流可保持恒定 ，可抑制由於退化所致之亮度減少。 本具體實施例可關於其操作任意地結合具體實施例1 至9之結構。 如上面所述’按照本發明之第一結構，流經該發光元 件之電流量可抑制至某種程度，藉此導致該發光裝置之耗 電量減少。按照本發明之第二結構，減少欲輸入該像素之 數位視頻信號之位元數，及因此可減少藉著該源信號線驅 動電路及栅信號線驅動電路寫入數位視頻信號所需之數目 。如此’可減少該源信號線驅動電路及栅信號線驅動電路 之耗fe里·’豬此導d該發光裝置之耗電量減少。按照本發 明之第三結構’流經一像素之發光元件之電流量係維持在 一恒定水平，即使當該有機化合物層之溫度改變時。如此 ’可防止該發光裝置之耗電量增加，即使當該發光裝置之 環境溫度增加時5這依序能將該亮度維持在_恒定水平β 按照上面所述本發明之第一、第二、及第三結構，其 可抑制一發光裝置及採用該發光裝置之電子設備之耗電量 。請注意本發明只需包含第一至第三結構之任一結構，雖 然可包含第一至第三結構之二或所有結構。 -80- (77) 1288385 【圖式簡單說明〕 圖1係按照本發明發光裝置之一方塊圖。 圖2係按照本發明發光裝置之一方塊圖。 圖3係按照本發明發光裝置之一方塊圖。 圖4係按照本發明發光裝置之一方塊圖。 圖5係用以說明按照本發明發光裝置之監視用發光元 件之連接圖示。 圖6係用以說明按照本發明發光裝置之像素部份之圖 示。 圖7係按照本發明發光裝置之一像素之擴大圖示。 圖8係用以說明按照本發明發光裝置之驅動方法之圖 示。 · 圖9係按照本發明發光裝置之一方塊圖。 圖】〇係用以說明按照本發明發光裝置之像素部份之 圖不。 圖】I係按照本發明發光裝置之一像素之擴大圖示。 圖Ϊ 2係用以說明按照本發明發光裝置之驅動方法之 圖示。 圖1 3係按照本發明發光裝置之源信號線驅動電路之 電路圖。 圖】4係一鎖存器（A)之局部平面圖。 圖]5 A及]5 B係一轉換電路之電路圖。 圖]6係一類比開關之等效電路圖。 圖]7係按照本發明發光裝置之源信號線驅動電路之 (78)1288385 電路圖。 圖1 8A及 控制電路、及一 圖]9係按 電路圖。 圖2 0係按 電路圖。 圖2 ]係用 元件之連接圖示 圖22係一丈 圖23A至 驟之橫截面視圖 圖 24 A至 驟之橫截面視圖 圖25A至 驟之橫截面視圖 圖26A及 驟之橫截面視圖 圖27A及 光裝置之電子設 圖 28A至 光裝置之電子設 圖29A及 用發光元件之連 】8B係一時鐘信號控制電路、一定時信號 •起始脈衝信號控制電路之電路圖。 :照本發明發光裝置之源信號線驅動電路之 :照本發明發光裝置之源信號線驅動電路之 以說明按照本發明發光裝置之監視用發光 01 〇 】口法電路之電路圖。 23D係用以說明一發光裝置製法之各種步 〇 24C係用以說明一發光裝置製法之各種步 〇 25C係用以說明一發光裝置製法之各種步 26B係用以說明一發光裝置製法之各種步 〇 2 7 B係用以說明每一種採用按照本發明發 備圖示。 2 8 F係用以I兌明每一種採用按照本發明發 備圖示。 2 9B分別顯示按照本發明發光裝置之監視 接，及一由於該發光元件之溫度所致亮度 - 82- 1288385 (79) 之測量値特性曲線圖。 【主要元件符號說明】 ]〇 ]:像素部份 102 :源信號線驅動器電路 ]02-1 :移位寄存器 102-2 :鎖存器 102-3 :鎖存器 102-4 :轉換電路 103 :閘信號線驅動電路 106 :時鐘信號控制電路 I 〇 7 :定時信號控制電路 ]〇 8 :起始脈衝信號控制電路 3 0 1 :像素部份 304 :像素
3 05 ：率專換TFT
3 06 :電流控制TFT 3 07 :發光元件 3 08 :電容器 400 :基板 4 0 ]:基底薄膜 4 02 :半導體層 403 :半導體層 404 :半導體層 -83- 1288385 (80) 4 05 :半導體層 4 06 :栅絕緣薄膜 407 :導電薄膜 4 0 8 :導電薄膜 409 :掩罩 4 0 9 a :掩罩 4 1 0 :掩罩 4 1 0 a :掩罩 4 1 ]:掩罩 4 1 1 a :掩罩 4 1 2 :掩罩 4 1 2 a :掩罩 4 1 4a :導電層 4 1 4b :導電層 4 1 5A ：導電層 4 1 5B :導電層 4 1 6a :導電層 4I6b :導電層 4 1 7a :導電層 4 17b··導電層 4 1 9 a :導電層 4 I 9b :導電層 42 0a :導電層 4 2 0b :導電層 1288385 (81) 42 1 :栅極 42 I a :導電層 42 ] b :導電層 4 2 2 :栅極 422a :導電層 422b ：導電層
4 2 5 ··雜質區域 4 2 6 :雜質區域 4 2 7 :雜質區域 4 2 8 :雜質區域 4 2 9 :雜質區域 4 3 0 :雜質區域 431 :雜質區域 4 3 2 :雜質區域 43 3 :掩罩
4 3 4 :源極區 4 3 5 :源極區 4 3 6 :源極區 4 3 7 :源極區 4 3 8 :漏極區 4 3 9 :漏極區 440 :漏極區 4 4 1 :漏極區 4 4 2 · L 〇 v 區域 -85- 1288385 (82) 443: Lov 區域 444: Lov 區域 445 · Lov 區域 446 ： LOFF 區域 4 4 7 ··源極區
4 4 8 :源極區 4 4 9 :漏極區 4 5 0 :漏極區 4 5 1 · L 〇 v 區域 452 * Lov 區域 453 :掩罩
455 :絕緣薄膜 4 5 8 :絕緣薄膜 4 5 9 :源極接線 460 :源極接線 4 6 ]:源極接線 4 62 :源極接線 4 6 3 :漏極接線 4 6 4 :漏極接線 4 6 5 :漏極接線 4 6 7 :絕緣薄膜 4 6 8 :像素電極 469 :觸排 4 7 0 :觸排 -86 - 1288385 (83) 4 7 ]:有機化合物層 4 72 :陰極
50]:轉換 TFT 5 0 1 ’ ：電源線
5 02 :電流控制TFT 502’ ：緩衝放大器 5 03 ： η 溝道 TFT 5 03’ ：監視用發光元件 Φ 5 0 4 :源極區 5 0 4’：恒流電源 5 0 5 :漏極區 5 0 5 ’ ：加法電路 5 06 ： LOFF 區域 7 8 0 1 2 ο- Λυ } 1 11
域幵 區成區區 V 道極極 V LO通源漏LO 域 區 域 區 路 電 域器 區大 形放 成相 道倒 通不 區 極 源 器 阻 電 2 區 極 漏 2 器 阻 電 -87 - 1288385 (84) 5 2 3 ： 523J 524 ： 5 24’ 5 2 5 ： 52 6 ： 52 7 ·· 53 1： 5 3 2 ： 5 3 3 ： 5 3 4 : 70 1： 702 ： 7 03 : 7 04 ： 7 05 : 80 1 ： 83 1a 83 1b 8 3 2 a 8 3 2 b 8 3 3 a 8 3 3 b
Lov區域 :電阻器 通道成形區域 :電阻器 電源 電源 放大器 源極區 漏極區 Lov區域 通道成形區域 電源線 緩衝放大器 監視用發光元件 恒流電源 發光元件 鎖存器部份 :激活層 :激活層 :激活層 :激活層 :徼活層 =激活層 S 3 4 a :繳活層 1288385 (85) 8 3 4 b :激活層 8 3 6 :極極 83 7a :栅極 8 3 7b ：栅極 8 3 8 a :栅極 8 3 8 b :栅極 8 3 9 :栅極 8 4 0 :栅極 84 1 :栅極 8 5 I :倒相器 8 5 2 :類比開關 S 5 3 :類比開關 S 6 ]:倒相器 862 ：與非 8 6 3 :與非 8 6 4 :或非 9 0 ]:像素部份 902 :源信號側邊驅動器電路 9 03 a :寫入閘信號側邊驅動電路 9 0 3 b :刪除閘信號線驅動電路 904 ：像素
907 ：幸專換TFT
9 0 8 :電流控制丁FT
9 09 ：冊!| 除丁FT 1288385 (86) 9 ] Ο :發光元件 9 1 1 :對電極 9】2 :電容器 ]8 0 1 :與非 1 8 02 :倒相器 ]8 1 1 :類比開關
1 8 ] 2 :類比開關 ]8 1 3 :倒相器 2 0 0 1 :框架
2 0 02 ：支撐台 2 0 0 3 :顯示部份 2 1 0 I :主體 2 102 ：顯示部份 2 1 0 3 :音頻輸入部份 2 1 0 4 :操作開關 2105 :電池 2 ] 0 6 :影像接收部份 220 〗：主體 2 2 0 2 :信號電纜 2 2 0 3 :頭戴帶子 2 2 04 :螢幕部份 22 05 :光學系統 2 2 0 6 :顯示部份 230]:主體 - 90- 1288385 (87) 2 3 Ο 2 :記錄媒介 23 03 :操作開關 23 04 :顯示部份 2 3 0 5:顯示部份 2401 :主體 2402 :顯示部份 24 03 :支臂部份 2 5 0 1 :主體 2502 ：框架 2 5 03 ：顯示部份 2504 ：鍵盤 2601 :主體 2602 :音頻輸出部份 2 6 0 3:音頻輸入部份 2 6 04 ：顯示部份 2605 :操作開關 2 6 0 6 :天線 2 7 0 ]:顯示面板 2 7 0 2 :操作面板 2 7 0 3 :連接部份 2 7 0 4 :顯示部份 2 7 0 5 ··音頻輸出部份 2 7 〇 6 :操作按鍵 2 7 0 7 :電源開關 1288385 (88) 2 70 8 :音頻輸入部份 2 709 :電荷耦合器件承接部份
-92-

Claims (1)

  1. (1) 1288385 拾、申請專利範圍 1 · 一種可攜式資訊終端機，包含： 一發光裝置’附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份’形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光兀件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件， 其中爲該發光材料劣化所造成之該至少一發光元件的 亮度變化係藉由使用該監視發光元件所抑制β 2 . —種可攜式資訊終端機，包含·· 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一監視發光元件，經由~電源線電氣連接至該至少一 發光元件， 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 3 . —種可攜式資訊終端機，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體’ 該發光裝置包含： - 93- (2) 1288385 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件， 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度降低係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 4 ·一種可攜式資訊終端機，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 -發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極’其間放置一發光材料；及 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件， 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度增加係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 5 ·—種可攜式資訊終端機，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份’形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件’其中該至少一發光元件包含一第一電極及_ 第二電極，其間放置一發光材料； 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 -94- (3) 1288385 發光元件；及 一定電流源，電氣連接至該監視發光元件， 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 6.—種可攜式資訊終端機，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料； 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件；及 一定電流源，電氣連接至該監視發光元件， 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 7·—種可攜式資訊終端機，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料； 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件；及 一定電流源，電氣連接至該監視發光元件， -95- 1288385 (4) 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度降低係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 8 · —種可搞式資訊終端機，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料； 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件；及 一定電流源，電氣連接至該監視發光元件， 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度增加係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 9·—種可攜式資訊終端機，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係電氣連接至該至少一發 光元件，及 -96- (5) 1288385 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 ]〇·—種可攜式資訊終端機，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件’其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中1^監視發先兀件及該疋電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之、一輸出係電氣連接至該至少一發 光元件，及 其中爲該發光材料之溫度變化所造成之該至少一發光. 兀件的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 ]】.一種可攜式資訊終端機，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， -97 ‘ (6) 1288385 其中該緩衝放大器之一輸出係電氣連接至該至少一發 光元件，及 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度降低係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 12· —種可攜式資訊終端機，包含： 一發光裝置’附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件 '及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係電氣連接至該至少一發 光元件，及 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度增加係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 13.—種可攜式資訊終端機，包含·· 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極’其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器 '一監視發光元件、及一定電流源， -98- 1288385 (7) 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係經由一電源線電氣連接 至該至少一發光元件，及 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 1 4 . 一種可攜式資訊終端機，包含·· 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份’形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及， 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係經由一電源線電氣連接 至該至少一發光元件，及 其中爲該發光材料之溫度變化所造成之該至少一發光 元件的亮度變化係藉由使周該監視發光元件加以抑制。 ]5·—種可攜式資訊終端機，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 - 99 - (8) 1288385 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光兀件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係經由一電源線電氣連接 至該至少一發光元件，及 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度降低係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 1 6 · —種可攜式資訊終端機，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式資訊終端機之一主體， 該發光裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係經由一電源線電氣連接 至該至少一發光元件，及 其中爲該發光材料之溫度變化所造成之該至少一發光 元件的亮度增加係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 】7• —種可攜式電話，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含： -100 > (9) 1288385 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光兀件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第一電極，其間放置一發光材料；及 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件， 其中爲該發光材料劣化所造成之該至少一發光元件的 亮度變化係藉由使用該監視發光元件所抑制。 1 8 · —種可攜式電話，包含·· 一發光裝置’附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 —發光元件，其中該至少一潑光元件旬含一第—電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一監視發光元件’經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件， 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 ]9·-種可攜式電話，包含·· 一發光裝置，附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極’其間放置一發光材料；及 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 -101 · (10) 1288385 發光元件， 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度降低係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 20·—種可攜式電話，包含·· 一發光裝置，附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含： 一像素部份’形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件， 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度增加係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 2 1·—種可攜式電話，包含： ^ 一發光裝置，附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含： 像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料； 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件；及 一定電流源’電氣連接至該監視發光元件， 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的π度變化係錯由使用該監視發光元件加以抑制。 -102- (11) 1288385 22.—種可攜式電話，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料； 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件；及 一定電流源，電氣連接至該監視發光元件， 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 23·—種可攜式電話，包含： 一發光裝置’附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料； 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件；及 一定電流源，電氣連接至該監視發光元件， 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 @亮度降低係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 24.—種可攜式電話，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式電話之一主體，該發光 -103- 1288385 (12) 裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料； -監視發光元件’經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件；及 一定電流源，電氣連接至該監視發光元件， 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度增加係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 2 5 . —種可攜式電話，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含·· •-像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該;I®衝放大益之一 _目!|出係電氣連接至該至少一發 光元件，及 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制β 2 6 · —種可攜式電話，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式電話之一主體，該發光 -104， (13) 1288385 裝置包含： 一像素部份’形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料，·及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係電氣連接至該至少一發 光元件，及 其中爲該發光材料之溫度變化所造成之該至少一發光 元件的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 27.—種可攜式電話，包含·· 一發光裝置’附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及_ 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係電氣連接至該至少一發 光元件，及 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度降低係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 -105 - 1288385 (14) 28.—種可攜式電話，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光兀件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係電氣連接至該至少一發 光元件，及 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度增加係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 29·—種可攜式電話，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件’其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器 '一監視發光元件 '及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係經由一電源線電氣連接 至該至少一發光元件，及 -106 ► 1288385 (15) 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 3 0 · —種可攜式電話，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係經由一電源線電氣連接 至該至少一發光元件，及 其中爲該發光材料之溫度變化所造成之該至少一發光 元件的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 3 ] · —種可攜式電話，包含·· 一發光裝置，附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， -107- 1288385 (16) 其中該緩衝放大器之一輸出係經由一電源線電氣連接 至該至少一發光元件，及 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度降低係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 32. —種可攜式電話，包含： 一發光裝置，附著至該可攜式電話之一主體，該發光 裝置包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係經由一電源線電氣連接 至該至少一發光元件，及 其中爲該發光材料之溫度變化所造成之該至少一發光 元件的亮度增加係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 33·—種攝影機，包含： 一發光裝置，附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 - 108 - 1288385 (17) 發光元件， 其中爲該發光材料劣化所造成之該至少一發光元件的 亮度變化係藉由使用該監視發光元件所抑制。 34·—種攝影機，包含·· 一發光裝置’附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含： 一像素部份’形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件， 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 35·—種攝影機，包含： 一發光裝置，附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件， 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度降低係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 3 6 · —種攝影機，包含： -109- 口88385 (18) 一發光裝置，附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 一像素部份’形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件， 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度增加係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 3 7 · —種攝影機，包含·· 一發光裝置，附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料； 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件；及 一定電流源，電氣連接至該監視發光元件， 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 勺亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 38.—種攝影機，包含： 一發光裝置，附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 > 110- 1288385 (19) 一發光元件’其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料； 一監視發光元件’經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件；及 疋電&源’電氣連接至該監視發光元件， 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 39. —種攝影機，包含： 一發光裝置，附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料； 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件；及 一定電流源，電氣連接至該監視發光元件， 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度降低係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 40. —種攝影機，包含： 一發光裝置，附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料； - 111 - 1288385 (20) 一監視發光元件，經由一電源線電氣連接至該至少一 發光元件；及 一定電流源，電氣連接至該監視發光元件， 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度增加係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 41. 一種攝影機，包含： 一發光裝置，附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含： _ 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 —緩衝放大器、一監視發光元件及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係電氣連接至該至少一發 光元件，及 Φ 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制， 42.—種攝影機，包含： 一發光裝置，附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及_ 第二電極，其間放置一發光材料；及 ^112- 1288385 (21) 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係電氣連接至該至少一發 光元件，及 其中爲該發光材料之溫度變化所造成之該至少一發光 元件的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 43.—種攝影機，包含： · 一發光裝置，附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， φ 其中該緩衝放大器之一輸出係電氣連接至該至少一發 光元件，及 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度降低係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 44·一種攝影機，包含： 一發光裝置，附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 -113- 1288385 (22) 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係電氣連接至該至少一發 光元件，及 其中爲該發光材料之溫度改變所造成之該至少一發光 元件的亮度增加係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 4 5 . —種攝影機，包含： 一發光裝置’附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係經由_電源線電氣連接 至該至少一發光元件，及 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元# 的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 4 6 . —種攝影機，包含： 一發光裝置，附著至該攝影機之一主體，該發光裝^ -114 - 1288385 (23) 包含： 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係經由一電源線電氣連接 至該至少一發光元件，及 其中爲該發光材料之溫度變化所造成之該至少一發光 元件的亮度變化係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 47.—種攝影機，包含： 一發光裝置’附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含：. 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第一電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係經由一電源線電氣連接 至該至少一發光元件，及 其中爲該發光材料之劣化所造成之該至少一發光元件 的亮度降低係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 -115- 1288385 (24) 48.—種攝影機，包含： 一發光裝置，附著至該攝影機之一主體，該發光裝置 包含z 一像素部份，形成在一基材上，該像素部份具有至少 一發光元件，其中該至少一發光元件包含一第一電極及一 第二電極，其間放置一發光材料；及 一緩衝放大器、一監視發光元件、及一定電流源， 其中該監視發光元件及該定電流源係被電氣連接至該 緩衝放大器之一輸入， 其中該緩衝放大器之一輸出係經由一電源線電氣連接 至該至少一發光元件，及 其中爲該發光材料之溫度變化所造成之該至少一發光 元件的亮度增加係藉由使用該監視發光元件加以抑制。 4 9.如申請專利範圍第】至16項中任一項所述之可攜 式資訊終端機’其中流入該至少一發光元件之電流被保持 爲定値。 5 〇·如申請專利範圍第5至]6項中任一項所述之可攜 式資訊終端機，其中該定電流源包含一放大器、一可變電 阻及〜雙極性電晶體^ 5 I ·如申請專利範圍第I至]6項中任一項所述之可攜 式資訊終端機，其中該監視發光元件被無關於該像素部份 加以設置。 5 2 .如申請專利範圍第]至]6項中任一項所述之可攜 式資訊終端機，其中該監視發光元件係包含於該像素部份 • 116- 1288385 (25) 中ο 5 3 ·如申請專利範圍第5至]6項中任一項所述之可攜 式資訊終端機’其中該定電流源係形成在一 1C晶片上。 5 4 .如申請專利範圍第9至1 6項中任一項所述之可攜 式資訊終端機’其中該緩衝放大器係形成在一 I C晶片上 55·如申請專利範圍第丨至16項中任一項所述之可攜
    式資訊終端機，其中該發光材料包含有機化合物。 …56·如申請專利範圍第17至32項中任一項所述之可 癢式電，其中流入該至少一發光元件之電流被保持爲定 値。 …、57·如申請專利範圍第.21至32項中任一項所述之可 掄式電話，其中該定電流源包含一放大器、一可變電阻及 ~雙極性電晶體。
    …^8·如申請專利範圍第〗7至32項中任一項所述之可 掄式電适，其中該監視發光元件被無關於該像素部份加以 ? ' 如申請專利範圍第]7至32項中任—項所述之可 攜式電話，其中該監視發光元件係包含於該像素部份中。 崔=如申請專利範圍第2]至32項中任—項所述之可 撝式電話，其中該定電流源係形成在一 1C晶片上。 山如申請專利範圍第25至32項中任一項所述之可 搶式電話，其中該緩衝放大器係形成在一】C晶片上。 62 ·如申請專利範圍第]7至 項中任一項所述之可 ^ 117- 1288385 (26) ί癢式電話，其中該發光材料包含有機化合物。 63.如申請專利範圍第33至48項中任一項所述之攝 影機’其中流入該至少一發光元件之電流被保持爲定値。 64·如申請專利範圍第37至48項中任一項所述之攝 影機’其中該定電流源包含一放大器、一可變電阻及一雙 極性電晶體《 6 5 ·如申請專利範圍第3 3至4 8項中任一項所述之攝 影機’其中該監視發光元件被無關於該像素部份加以設置 〇 66.如申請專利範圔第33至48項中任一項所述之攝 影機’其中該監視發光元件係包含於該像素部份中。 6 7 ·如申請專利範圔第3 7至4 8項中任一項所述之攝 影機，其中該定電流源係形成在一 1C晶片上。 6 8 ·如申請專利範圍第4 1至4 8項中任一項所述之攝 影機’其中該緩衝放大器係形成在一 ic晶片上。 6 9 ·如申請專利範圍第3 3至4 8項中任一項所述之攝 影機’其中該發光材料包含有機化合物。 -118-
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