CN1598914A - 显示器件 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是抑制EL显示器的功耗。按照象素部分显示的图像亮度，确定图像的对比度是否要反相，并减少输入到象素部分的数字视频信号的位数，借助于提供具有另一个用来监视温度的EL元件的EL显示器，即使EL层的温度改变，也可使流过EL元件的电流的幅度保持不变。

Description

显示器件
本发明涉及到一种显示板，其发光元件制作在衬底上并密封在衬底与盖板之间。此外，本发明还涉及到一种显示模块，其中的IC芯片是装在上述的显示板上的。应注意，在本说明书中显示板和显示模块一起称为发光器件。本发明还涉及到使用上述发光器件的电子学设备。
近来，在衬底上制作TFT的技术有了很大的进展，并做了大量的开发使这些技术用于有源矩阵型显示器件。尤其是使用多晶硅膜的TFT能够以较高的速度工作，因为其场效应迁移率(简称为迁移率)较使用常规的无定形硅膜的TFT的大。这样，就可用与象素做在同一衬底上的驱动电路来控制象素。这样的象素通常是用制作在衬底外面的驱动电路来控制的。
上述的有源矩阵型显示器件可在同一衬底上提供各种电路和元件，因而表现出种种优点，如降低制作成本、显示器件的小型化、增加制作产量、节约原料等。
而且，已在积极开发具有自发光型发光元件的有源矩阵型发光器件。这种发光器件也称为有机EL显示器件(OELD)或有机发光二极管(OLED)。
与液晶显示器件不同，发光器件是自发光型的。在发光元件的结构中含有一层有机化合物(此后称为有机化合物层)，在一对电极(阳极和阴极)间对其施加电场可使之发光。有机化合物层通常具有层状结构。典型的实例包括Eastman Kodak公司Tang等提出的一种“空穴输运层/发光层/电子输运层”的层状结构。这种结构具有高发光效率，现在进行研究开发的大多数发光器件都使用这种结构。
虽然有机化合物的发光包含单一激发(荧光)和三重激发(磷光)，但本发明的发光器件可使用上述的一种发光或二者都用。
作为变通，可使用在阳极上依次制作空穴注入层/空穴输运层/发光层/电子输运层，或空穴注入层/空穴输运层/发光层/电子输运层/电子注入层的结构。而且，可将荧光染料等掺入发光层。
在本说明书中，安排在阳极和阴极之间的所有各层统称为有机化合物层。因此，上述所有各层如空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、电子注入层等都包括在有机化合物层中。
预定的电压经一对电极施加于上述结构的有机化合物层，于是发光层中的载流子发生复合，因而发光。在本说明书中，当发光元件发光时，发光元件表示为被驱动。此外，在本说明书中，包含阳极、有机化合物层和阴极的发光单元称为发光元件。
由于发光器件不需要底光，显示器本身的厚度和重量可比液晶显示器减少。为此，发光器件替代液晶显示器件，已用作袖珍信息终端(移动式计算机、移动电话、移动式游戏机、电子书籍等)的显示部分。
为了抑制袖珍信息终端的功耗，希望抑制用作显示部分的发光器件的功耗。
而且，现在家用接收机或磁带录像机以及各种电视或无线电广播设备已在进行数字化。作为广播系统数字化的下一步是广播电波的数字化，亦即，实现数字广播。已为此开展了有力的研究和开发活动。
用来实现发光器件数字驱动的一个方案是时序灰度显示。更具体地讲，时序灰度显示是一种驱动方法，它是控制在一帧时间内发光元件的发光时间来实现灰度显示的。
对于用数字驱动发光器件来进行时序灰度显示的情形，随着所显示的图像灰度数目的增加，所需重写入象素的含图像信息的数字视频信号重写入含有要输入到象素的信息的数字视频信号的数目也增多。因此，用于将数字视频信号输入象素的一组驱动电路的功耗增大，导致增大了发光器件的功耗。
此外，由于发光元件是自发光型的，在一帧时间内发光元件的发光时间随显示的图像而改变。因而发光器件的功耗也随显示的图像而改变。
而且，流过发光元件的电流幅度也随温度而变。即使同样幅度的电压施加于发光元件的电极上，流过发光元件的电流幅度也因发光元件的温度特性而不同。例如，随有机化合物层温度的升高，流过的电流增大。因此，随发光元件工作环境温度的升高，其功耗增大，从而增强发光元件的亮度。
鉴于上述状况，本发明拟抑制发光器件以及用之为显示部分的电子学设备的功耗。
本发明第一种结构的特点是用发光器件进行单色显示的情形，图像的对比度按照象素部分的象素所显示的图象种类来确定是否要反相。
按照上述结构，流过发光元件的电流幅度可得到某种程度的抑制，因而降低了发光器件的功耗。
而本发明第二种结构的特点是发光器件实现了数字驱动时分灰度显示，输入到发光器件所含源极信号线驱动电路的数字视频信号，在位数减少后被输入到象素部分。更具体地讲，是依次由最无效位削去一位数字视频信号以减少输入到象素部分的数字视频信号位数。
按照上述结构，由于输入象素的数字视频信号位数减少，需由源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路写入的数字视频信号数目可减少。这样，源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路的功耗可减小，因而降低了发光器件的功耗。
而本发明第三种结构的特点是发光器件配备有用以监视温度的发光元件。温度监视发光元件的一个电极与恒流源相连。这样，利用温度监视发光元件的温度特性，使流过象素发光元件的电流幅度保持不变。
按照上述结构，即使有机化合物层的温度改变，流过象素发光元件的电流幅度也保持不变。这样，即使发光器件的环境温度升高，也可防止发光器件功耗增大，从而使亮度保持不变。
按照本发明的上述第一、第二和第三种结构，可抑制发光器件以及使用此发光器件的电子学设备的功耗。应注意，虽然可包含第一至第三种结构中的两种或全部，但本发明只要求包含其中的一种结构。
下面将进一步描述本发明的各种结构。
本发明提供了一种具有多个象素的显示器件，其中将输入到多个象素的数字视频信号的极性反相，使得多个象素的亮度改变。
本发明提供了一种具有象素部分的显示器件，其象素部分包含多个象素和源极信号线驱动电路，其中源极信号线驱动电路包含开关电路来转换输出的极性，向开关电路输入移相信号，使输入开关电路的数字视频信号极性反相，所得的信号则输入多个象素。
本发明提供了一种具有象素部分的显示器件，其象素部分包含多个象素和源极信号线驱动电路，其中多个象素的每一个都具有发光元件，而源极信号线驱动电路包含移位寄存器、一个或多个锁存器和开关电路，向开关电路输入移相信号，使由一个或多个锁存器输入开关电路的多个数字视频信号反相，所得的信号则输入多个象素。
本发明提供了一种具有象素部分的显示器件，其象素部分包含多个象素和源极信号线驱动电路，其中多个象素的每一个都具有发光元件，而源极信号线驱动电路包含移位寄存器、一个或多个锁存器和开关电路，向开关电路输入移相信号，使由一个或多个锁存器输入开关电路的多个数字视频信号反相，所得的信号则输入多个象素，在一帧时间内全部发光元件发光的平均时间等于或小于在一帧时间内全部发光元件发光时间最大值的一半。
上述结构可具有的特点是，开关电路包含反相器、第一模拟开关和第二模拟开关，其中输入开关电路的数字视频信号经反相器输入第一模拟开关的输入端，由一个或多个锁存器输出的数字视频信号被输入到第二模拟开关的输入端，从第一模拟开关的第一控制输入端和第二模拟开关的第二控制输入端输入移相信号，将移相信号极性反相得到的信号从第一模拟开关的第二控制输入端和第二模拟开关的第一控制输入端输入，而由第一模拟开关和第二模拟开关输出端输出的信号则从开关电路输出。
上述结构可具有的特点是，开关电路包含反相器、第一与非门(NAND)、第二与非门、和或非门(NOR)，其中数字视频信号经反相器和移相信号供给第一与非门，将数字视频信号及移相信号极性反相所得的信号供给第二与非门，由第一与非门和第二与非门输出的信号被输入到或非门，而由或非门输出的信号则从开关电路输出。
本发明提供了一种具有多个象素和源极信号线驱动电路的显示器件，其中输入源极信号线驱动电路的数字视频信号中，只有较有效位被输入到多个象素。
本发明提供了一种具有象素部分的显示器件，其象素部分包含多个象素和源极信号线驱动电路，其中源极信号线驱动电路包含移位寄存器、第一锁存器、第二锁存器和时钟信号控制电路，时钟信号经时钟信号控制电路输入移位寄存器，从而由移位寄存器输出计时信号，数字视频信号用计时信号输入并保持于第一锁存器，保持在第一锁存器中的数字视频信号用锁存信号输入并保持在第二锁存器中，输入并保持在第二锁存器中的数字视频信号被输入到多个象素，在一恒定时间内向移位寄存器施加固定电压替代时钟信号，时钟信号控制电路就使输入并保持在第一锁存器中的数字视频信号的位数减少。
上述结构的特点是，时钟信号控制电路包含与非门和反相器，其中时钟信号和选通信号被输入到与非门，由与非门输出的信号经反相器从时钟信号控制电路输出。
上述结构的特点是，时钟信号控制电路包含第一模拟开关、第二模拟开关和反相器，其中选通信号经反相器输入到第一模拟开关的第二控制输入端和第二模拟开关的第一控制输入端，选通信号也被输入到第一模拟开关的第一控制输入端和第二模拟开关的第二控制输入端，时钟信号被输入到第一模拟开关的输入端，固定电压供给第二模拟开关的输入端，而由第一模拟开关和第二模拟开关输出端输出的信号则从时钟信号控制电路输出。
本发明提供了一种具有象素部分的显示器件，其象素部分包含多个象素和源极信号线驱动电路，其中源极信号线驱动电路包含移位寄存器、第一锁存器、第二锁存器和计时信号控制电路，由移位寄存器输出的计时信号经计时信号控制电路输入第一锁存器，数字视频信号用输入第一锁存器的计时信号输入并保持在第一锁存器中，保持在第一锁存器中的数字视频信号用锁存信号输入并保持在第二锁存器中，输入并保持在第二锁存器中的数字视频信号被输入到多个象素，借助于在一恒定时间内供给第一锁存器固定电压替代由移位寄存器输出的计时信号，计时信号控制电路就使输入并保持在第一锁存器中的数字视频信号位数减少。
上述结构的特点是，计时信号控制电路包含与非门和反相器，其中计时信号和选通信号输入与非门，由与非门输出的信号经反相器从计时信号控制电路输出。
上述结构的特点是，计时信号控制电路包含第一模拟开关、第二模拟开关和反相器，其中选通信号经反相器输入第一模拟开关的第二控制输入端和第二模拟开关的第一控制输入端，选通信号则输入第一模拟开关的第一控制输入端和第二模拟开关的第二控制输入端，计时信号输入第一模拟开关的输入端，固定电压供给第二模拟开关的输入端，而由第一模拟开关和第二模拟开关输出端输出的信号则从计时信号控制电路输出。
本发明提供了一种具有象素部分的显示器件，其象素部分包含多个象素和源极信号线驱动电路，其中源极信号线驱动电路包含移位寄存器、第一锁存器、第二锁存器和起始脉冲信号控制电路，起始脉冲信号经起始脉冲信号控制电路输入移位寄存器，从而由移位寄存器输出计时信号，数字视频信号用计时信号输入并保持于第一锁存器，保持在第一锁存器中的数字视频信号用锁存信号输入并保持在第二锁存器中，输入并保持在第二锁存器中的数字视频信号被输入到多个象素，借助于在一恒定时间内向移位寄存器供给固定电压替代起始脉冲，起始脉冲信号控制电路就使输入并保持在第一锁存器的数字视频信号的位数减少。
上述结构的特点是，起始脉冲信号控制电路包含与非门和反相器，其中起始脉冲信号和选通信号输入与非门，由与非门输出的信号经反相器从起始脉冲信号控制电路输出。
上述结构的特点是，起始脉冲信号控制电路包含第一模拟开关、第二模拟开关和反相器，其中选通信号经反相器输入第一模拟开关的第二控制输入端和第二模拟开关的第一控制输入端，选通信号则输入第一模拟开关的第一控制输入端和第二模拟开关的第二控制输入端，起始脉冲信号输入第一模拟开关的输入端，固定电压供给第二模拟开关的输入端，而由第一模拟开关和第二模拟开关输出端输出的信号则从起始脉冲信号控制电路输出。
本发明提供了一种包括多个象素的显示器件，其象素具有多个发光元件和发光监视元件，其中流过多个发光元件的电流幅度借助于发光监视元件的温度特性而保持不变。
本发明提供了一种包括象素部分的显示器件，其象素部分包含多个象素、电源线、缓冲放大器、发光监视元件和恒流源，其中多个象素的每一个包含薄膜晶体管和发光元件，每个发光监视元件和发光元件包含第一电极、第二电极以及置于第一电极和第二电极之间的有机化合物层，发光监视元件的第一电极与恒流源相连，发光监视元件的第一电极也与缓冲放大器的非反相输入端相连，缓冲放大器的输出端与电源线相连，且电源线的电位经由薄膜晶体管被馈至发光元件的第一电极。
本发明提供了一种含有象素部分的显示器件，其象素部分具有多个象素、电源线、缓冲放大器、发光监视元件、恒流源和加法电路，其中多个象素中的每一个包括薄膜晶体管和发光元件，每个发光监视元件和发光元件包含第一电极、第二电极以及在它们之间的有机化合物层，发光监视元件的第一电极与恒流源相连，此第一电极也与缓冲放大器的非反相输入端相连，缓冲放大器的输出端与加法电路的输入端相连，加法电路的输出端与电源线相连，在加法电路的输入端与输出端之间总保持恒定的电位差，且电源线的电位经由薄膜晶体管被馈至发光元件的第一电极。。
本发明可以体现在使用上述显示器件的摄像机、图象重放设备、头戴显示器、移动电话、以及袖珍信息终端等形式中。
                          附图简述
图1是本发明发光器件的框图。
图2是本发明发光器件的框图。
图3是本发明发光器件的框图。
图4是本发明发光器件的框图。
图5是本发明发光器件的发光监视元件连接说明图。
图6是本发明发光器件象素部分的说明图。
图7是本发明发光器件象素的放大图。
图8是本发明发光器件驱动方法的说明图。
图9是本发明发光器件的框图。
图10是本发明发光器件象素部分的说明图。
图11是本发明发光器件象素的放大图。
图12是本发明发光器件驱动方法的说明图。
图13是本发明发光器件源极信号线驱动电路的电路图。
图14是锁存器(A)的部分平面图。
图15A和15B是开关电路的电路图。
图16是模拟开关的等效电路图。
图17是本发明发光器件源极信号线驱动电路的电路图。
图18A和18B是时钟信号控制电路、计时信号控制电路和起始脉冲信号控制电路的电路图。
图19是本发明发光器件源极信号线驱动电路的电路图。
图20是本发明发光器件源极信号线驱动电路的电路图。
图21是本发明发光器件的发光监视元件连接说明图。
图22是加法电路的电路图。
图23A～23D是说明发光器件制作方法各个工艺步骤的剖面图。
图24A～24C是说明发光器件制作方法各个工艺步骤的剖面图。
图25A～25C是说明发光器件制作方法各个工艺步骤的剖面图。
图26A和26B是说明发光器件制作方法各个工艺步骤的剖面图。
图27A和27B是电子学设备的说明图，每个电子学设备都使用了本发明的发光器件。
图28A～28F是电子学设备的说明图，每个电子学设备都使用了本发明的发光器件。
图29A和29B分别表示用作本发明发光器件监视器的发光元件连接，以及发光元件不同温度的亮度测量值特性。
[模型实施方案1]
现在来描述本发明的第一种结构。图1表示本发明具有第一种结构的发光器件框图。
参考数字101代表象素部分，其多个象素呈矩阵式排列。参考数字102和103分别代表源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路。
源极信号线驱动电路102包含移位寄存器102-1、锁存器(A)102-2、锁存器(B)102-3、以及开关电路102-4。应注意，本发明的源极信号线驱动电路除了上述元件外还可包含电平移位器、缓冲器等。
虽然没有说明，栅极信号线驱动电路103也包含移位寄存器和缓冲器。在某些情形下，栅极信号线驱动电路103除了移位寄存器和缓冲器外还可包含电平移位器。一行的象素TFT栅极与一个栅极信号线相连，因此，一行的所有象素TFT都同时开启。因此，使用了能够允许大电流流过的缓冲器。
在源极信号线驱动电路102中，时钟信号(CLK)和起始脉冲(SP)输入移位寄存器102-1。移位寄存器102-1按照时钟信号(CLK)和起始脉冲(SP)依次产生计时信号，并将产生的计时信号依次供给后级电路。
由移位寄存器102-1输出的计时信号可经缓冲器等(未示出)依次供给后级电路。来自移位寄存器102-1的计时信号由缓冲器等缓冲和放大。由于许多电路和元件与向其提供计时信号的引线相连，所以存在着大的负载电容(寄生电容)。为了防止计时信号的上升沿或下降沿因这样的大负载电容而变缓，设置了上述的缓冲器。
由移位寄存器102-1输出的计时信号供给锁存器(A)102-2。锁存器(A)102-2包含多级锁存器以处理n位数字视频信号。当计时信号输入锁存器(A)102-2时，它依次获取从外面供给源极信号线驱动电路102并使之保持在内的n位数字视频信号。
当数字视频信号送入锁存器(A)102-2时，可依次输入锁存器(A)102-2所含的多级锁存器。然而本发明不限于这样一种结构。可实行所谓的分割驱动，即将锁存器(A)102-2所含的多级锁存器分成几组而将数字视频信号并行和同时输入各组。在这种情形下，组数称为分割数。例如，对于锁存器分成四组的情形，可称为器件由四分法驱动。
完成数字视频信号全部写入锁存器(A)102-2所有各级锁存器需要的时间称为行时间。更具体地讲，行时间为一时段，是从数字视频信号写入锁存器(A)102-2最左边一级锁存器开始至数字视频信号写入最右边一级锁存器为止的时间。实际上，除了上述行时间外，行时间还可包括水平消隐时间。
在一行时间结束后，锁存信号供给锁存器(B)102-3。此时，已写入并保持在锁存器(A)102-2中的数字视频信号被同时送至锁存器(B)102-3，写入锁存器(B)102-3的所有各级锁存器并保持之。
此外，从外面供给源极信号线驱动电路102的数字视频信号再按照来自移位寄存器102-1的计时信号依次写入锁存器(A)102-2，再由之送出至锁存器(B)102-3。
在一行时间的第二轮次内，已写入并保持在锁存器(B)102-3中的数字视频信号同时送至开关电路102-4。开关电路102-4按照移相信号使由锁存器(B)102-3输入的数字视频信号反相或不反相，而输出所得的信号。
数字视频信号包含“0”或“1”的信息。相应于“0”的数字视频信号是高电位(Hi)信号，而相应于“1”的数字视频信号是低电位(Lo)信号，或与之相反。数字视频信号极性的反转意为具有信息“0”的数字视频信号转换为具有信息“1”的信号，而具有信息“1”的数字视频信号转换为具有信息“0”的信号。
移相信号是用来选择由锁存器(B)102-3输入的数字视频信号极性是否要反相的信号。在象素部分101显示全白的情形，当一帧时间内所有发光元件发光的平均时间长于一帧时间内发光元件发光时间的一半时，移相信号使数字视频信号的极性反相，从而降低功耗。另一方面，在象素部分101显示全白的情形，当一帧时间内所有发光元件发光的平均时间短于一帧时间内发光元件发光时间的一半时，出于抑制功耗的目的，则不允许数字视频信号的极性依照移相信号而反相。
数字视频信号的极性是否应依照移相信号反相可由用户选择，或者，也可根据显示的图象而自动选择。
由开关电路102-4输出的数字视频信号输入源极信号线。
另一方面，在栅极信号线驱动电路103中，栅极信号由移位寄存器(未示出)输入缓冲器(未示出)，再输入相应的栅极信号线(也称为扫描线)。
依照输入栅极信号线的栅极信号，输入源极信号线的数字视频信号输入象素。
在上面的描述中，源极信号线驱动电路102和栅极信号线驱动电路103可与象素部分101做在同一衬底上。或者，这些驱动电路102和103也可做在IC芯片上而用某些技术如FPC或TAB与象素部分101相连。
按照本发明这一实施方案的上述结构，对于实行数字驱动时分灰度显示的发光器件显示单色图像的情形，图像的对比度可依照象素部分显示的图像性质而反转。更具体地讲，在象素部分101要显示全白的情形，当一帧时间内所有发光元件发光的平均时间长于一帧时间内发光元件发光时间的一半时，象素部分显示的图像对比度要反转。另一方面，在象素部分101要显示全白的情形，当一帧时间内所有发光元件发光的平均时间短于一帧时间内发光元件发光时间的一半时，希望不允许象素部分显示的图像对比度反转。
在此实施方案的前面描述中，开关电路包括在源极信号线驱动电路中。而开关电路不包括在源极信号线驱动电路中也是可以接受的。
在此模型实施方案中，只描述了使用数字视频信号的情形。本发明也可用于使用模拟视频信号而非数字视频信号的情形。
因此，按照本发明的第一种结构可使流过发光元件的电流幅度得到某种程度的抑制，因而抑制了发光器件的功耗。
[模型实施方案2]
现在描述本发明的第二种结构。图2表示本发明第二种结构发光器件的框图。在图2中，与图1所示相同的元件用同样的参考数字来代表。
在这个模型实施方案中，发光器件使用了时钟信号控制电路106，它允许向移位寄存器102-1施加恒定电压而非时钟信号(CLK)。
更具体地讲，发光器件被配置成用时钟信号控制电路106在恒定时间内向移位寄存器102-1输入恒定电压(固定电压)而非时钟信号。上述结构使得用来向锁存器(A)102-2输入较无效位数字视频信号，即第一位至第m位范围(m为1～n的任何整数)的数字视频信号的计时信号不能输入锁存器(A)102-2。因此，只有在第m+1位至第n位范围的较有效位数字视频信号可写入锁存器(A)102-2。
此模型实施方案的发光器件与图1所示者不同，其源极信号线驱动电路102不含开关电路102-4。因此，写入并保持在锁存器(B)102-3中的数字视频信号用输入锁存器(B)102-3的锁存信号输入源极信号线。
按照这个模型实施方案，在实行数字驱动时分灰度显示的发光器件中，输入发光器件所含源极信号线驱动电路的数字视频信号，在其位数减少后输入象素部分。更具体地讲，可由最无效位起依次削去一位数字视频信号来使输入象素部分的数字视频信号位数减少。
按照上述结构，减少了输入象素部分的数字视频信号位数，因此，需由源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路写入象素的数字视频信号数目可减少。这样，可抑制源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路的功耗，因而抑制了发光器件的功耗。
应注意，在此模型实施方案中时钟信号控制电路106可与象素部分101做在同一衬底上，或者，也可做在IC芯片上。
[模型实施方案3]
现在来描述本发明第二种结构的另一个实例，它不同于模型实施方案2所示者。图3表示具有本发明第二种结构发光器件的框图。在图3中，与图1所示相同的元件用同样的参考数字来代表。
此模型实施方案的发光器件使用计时信号控制电路107，它允许向锁存器(A)102-2施加恒定电压而非移位寄存器102-1输出的计时信号。
更具体地讲，发光器件被配置成用计时信号控制电路107在恒定时间内向锁存器(A)102-2输入恒定电压(固定电压)而非由移位寄存器102-1输出的计时信号。上述结构使得用来向锁存器(A)102-2输入较无效位数字视频信号，即第一位至第m位范围(m为1～n的任何整数)的数字视频信号的计时信号不能输入锁存器(A)102-2。因此，只有在第m+1位至第n位范围的较有效位数字视频信号可写入锁存器(A)102-2。
应注意，在此模型实施方案中，固定电位需为这样的电平，使能防止数字视频信号写入锁存器(A)102-2。
按照这个模型实施方案，在实行数字驱动时分灰度显示的发光器件中，输入发光器件所含源极信号线驱动电路的数字视频信号，在其位数减少后输入象素部分。更具体地讲，可由最无效位起依次削去一位数字视频信号来使输入象素部分的数字视频信号位数减少。
按照上述结构，减少了输入象素部分的数字视频信号位数，因此，需由源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路写入象素的数字视频信号数目可减少。这样，可抑制源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路的功耗，因而抑制了发光器件的功耗。
应注意，在此模型实施方案中计时信号控制电路107可与象素部分101做在同一衬底上，或者，也可做在IC芯片上。
[模型实施方案4]
现在来描述本发明第二种结构的又一个实例，它不同于模型实施方案2和3所示者。图4表示具有本发明第二种结构发光器件的框图。在图4中，与图1所示相同的元件用同样的参考数字来代表。
此模型实施方案的发光器件使用起始脉冲信号控制电路108，它允许向移位寄存器102-1施加恒定电压而非起始脉冲信号(SP)。
更具体地讲，发光器件被配置成用起始脉冲信号控制电路108在恒定时间内向移位寄存器102-1输入恒定电压(固定电压)而非起始脉冲信号，使得用来向锁存器(A)102-2输入较无效位数字视频信号，即第一位至第m位范围(m为1～n的任何整数)的数字视频信号的计时信号不能输入锁存器(A)102-2。因此，只有在第m+1位至第n位范围的较有效位数字视频信号可写入锁存器(A)102-2。
应注意，在此模型实施方案中，固定电位需为这样的电平，使能防止移位寄存器102-1输出计时信号。
按照这个模型实施方案，在实行数字驱动时分灰度显示的发光器件中，输入发光器件所含源极信号线驱动电路的数字视频信号，在其位数减少后输入象素部分。更具体地讲，可由最无效位起依次削去一位数字视频信号来使输入象素部分的数字视频信号位数减少。
按照上述结构，减少了输入象素部分的数字视频信号位数，因此，需由源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路写入象素的数字视频信号数目可减少。这样，可抑制源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路的功耗，因而抑制了发光器件的功耗。
应注意，在此模型实施方案中起始脉冲信号控制电路108可与象素部分101做在同一衬底上，或者，也可做在IC芯片上。
[模型实施方案5]
现在参照图5来描述本发明的第三种结构。
在图5中，参考号501表示电源线。在本说明书中，电源线指的是用输入到源信号线的数字视频信号将预定电位施加到包含在象素区中的发光元件内的象素电极的引线。在本说明书中，电源线的电位被称为电源电位。
参考数字502代表缓冲放大器，参考数字503代表发光监视元件，参考数字504代表恒流源。发光监视元件503的一个电极与恒流源504相连，使得总是有恒定电流流过发光监视元件503。当发光元件所含的有机化合物层温度改变时，流过发光监视元件503的电流幅度不变，而与恒流源504相连的发光监视元件503电极的电压是改变的。
另一方面，缓冲放大器502包含两个输入端和一个输出端。两个输入端之一为非反相输入端(+)，而另一个为反相输入端(-)。发光监视元件503一个电极的电压供给缓冲放大器502。
缓冲放大器502是防止与恒流源504相连的发光监视元件503的象素电极的电压随负载，如电源线501的引线电容等而改变的电路。因此，供给缓冲放大器502非反相输入端的电压由输出端输出，以供给电源线作为电源电压，而不随负载如电源线501的引线电容等改变。
因此，即使发光监视元件503或象素部分发光元件有机化合物层的温度因环境温度而改变，电源电压也改变，使得流过发光元件的电流保持不变。这样，即使发光器件的环境温度升高，也可防止发光器件功耗增大。
在此模型实施方案中，缓冲放大器502、发光监视元件503和恒流源504可与象素部分做在同一衬底上，或者，也可做在IC芯片上。而且，发光监视元件503可包含在象素部分中，或者，可与象素部分分开制作。
按照上述第一至第三种结构，本发明可抑制发光器件及使用发光器件的电子学设备的功耗。应注意，虽然可包含第一至第三种结构中的两种或全部，本发明只需包含第一至第三种结构中的任一种。
用上述三种结构本发明可抑制发光器件的功耗。
实施方案
下面将描述几个实施方案。
[实施方案1]
在此实施方案中，将描述本发明的发光器件象素部分的结构和驱动方法。
图6表示本发明此项实施方案的发光器件象素部分301的放大图。在象素部分301提供了源极信号线(S1～Sx)、电源线(V1～Vx)、以及栅极信号线(G1～Gy)。
在此实施方案中，象素304表示一个区域，在此区域中提供了源极信号线(S1～Sx)、电源线(V1～Vx)和栅极信号线(G1～Gy)中各一个。在象素部分301中，多个象素304排列成矩阵。
图7表示象素304的放大图。在图7中，参考数字305代表开关TFT。开关TFT 305的栅电极与栅极信号线G(G1～Gy)相连。开关TFT305的源区和漏区之一与源极信号线S(S1～Sx)相连，而其另一个与电流控制TFT 306的栅电极306及每个象素的电容308相连。
配备电容308是为了在开关TFT 305处于非选态(关态)时保持电流控制TFT 306的栅极电压(栅极与源区之间的电位差)。虽然此实施方案配备了电容308，但本发明不限于这样的结构。电容308可以省略。
电流控制TFT 306的源区和漏区之一与电源线V(V1～Vx)相连，而其另一个与发光元件307相连。电源线V与电容308相连。
发光元件307包含阳极、阴极以及置于其间的有机化合物层。对于电流控制TFT 306的源区或漏区与阳极相连的情形，阳极起象素电极的作用而阴极起反电极的作用。另一方面，对于电流控制TFT 306的源区或漏区与阴极相连的情形，阴极起象素电极的作用而阳极起反电极的作用。
在发光元件307的反电极上施加反电压。此外，电源电压供给电源线V。由外接的IC芯片等提供的电源向本发明的发光器件供给电源电压和反电压。
开关TFT 305和电流控制TFT 306可为n沟道型TFT，也可为p沟道型TFT。然而应注意，在电流控制TFT 306的源区或漏区与发光元件307的阳极相连时，电流控制TFT 306最好为p沟道型TFT。另一方面，在电流控制TFT 306的源区或漏区与发光元件307的阴极相连时，电流控制TFT 306最好为n沟道型TFT。
开关TFT 305和电流控制TFT 306可具有多栅结构，如双栅、三栅结构等，而非单栅结构。
然后，参照图8来描述包含上述结构的本发明发光器件的驱动方法。
首先，电源线的电压变为等于发光元件反电极的电压。然后栅极信号由栅极信号线驱动电路输入栅极信号线G1。结果，所有与栅极信号线G1相连的象素开关TFT 305(亦即第一行的象素)都处于开态。
同时，第一位数字视频信号由源极信号线驱动电路输入源极信号线(S1～Sx)。数字视频信号经开关TFT 305输入电流控制TFT 306的栅极。
然后，在完成了栅极信号输入G1的同时，同样的栅极信号输入下一个栅极信号线G2。这样，所有与栅极信号线G2相连的象素开关TFT 305(亦即第二行的象素)都处于开态，因此第一位数字视频信号由源极信号线(S1～Sx)输入第二行象素。
此后，栅极信号依次输入所有栅极信号线(G1～Gy)。选取全部栅极信号线(G1～Gy)并将第一位数字视频信号输入所有各行需要的时间为写入时间Ta1。
当写入时间Ta1结束时，发光时间Tr1开始。在发光时间Tr1中，电源线的电源电压达到为反电极提供电位差的电平，使当电源电压供给发光元件的象素电极时，发光元件可发光。
在此实施方案中，对于数字视频信号具有“0”信息的情形，电流控制TFT处于关态。因此，电源电压不供给发光元件307的象素电极。结果，具有“0”信息的数字视频信号供给象素所含的发光元件307，使之不发光。
另一方面，对于数字视频信号具有“1”信息的情形，电流控制TFT处于开态。因此，电源电压供给发光元件307的象素电极。结果，具有“1”信息的数字视频信号供给象素所含的发光元件307，使之发光。
这样，在显示时间Tr1中，发光元件307或是处于发光态，或是处于不发光态，使得所有象素实现了显示操作。象素完成显示操作的时间称为显示时间Tr。更具体地讲，从第一位数字视频信号输入象素开始的显示时间称为Tr1。在图8中，为了简化描述，只说明了第一行象素的显示时间。所有各行显示时间的开始计时都是一样的。
当显示时间Tr1结束时，下一写入时间Ta2开始，电源线的电源电压变为等于发光元件反电极的电压。与写入时间Ta1的情形相同，在所有栅极信号线被依次选取时，第二位数字视频信号输入所有象素。完成第二位数字视频信号输入所有各行象素需要的时间称为写入时间Ta2。
当写入时间Ta2结束时，显示时间Tr2开始，电源线的电源电压达到为反电极提供电位差的电平，使当电源电压供给发光元件的象素电极时，发光元件可发光。这样，所有的象素实现了显示操作。
上述操作重复进行直至第n位数字视频信号输入象素，使得写入时间Ta和显示时间Tr交替出现。在所有显示时间(Tr1～Trn)结束后，可显示一幅图像。按照本发明的驱动方法，显示一幅图像所需的时间称为一帧时间(F)。在某一帧时间结束后，下一帧时间开始。又出现写入时间Ta1，上述操作被重复。
在正常的发光器件中，最好每秒提供60或更多帧时间。如果在一秒钟内要显示的图像数小于60，就会明显看到图像的闪烁。
在此实施方案中，全部写入时间之和必须短于一帧时间，而各个显示时间之比要满足以下关系：Tr1∶Tr2∶Tr3∶...∶Tr(n-1)∶Trn＝20∶21∶22∶...∶2(n-2)∶2(n-1)。通过显示时间的联合，可在全部2n灰度级中实现所希望的灰度显示。
在某一帧时间内由一特定象素显示的灰度级是由该帧时间内发光元件发光的显示时间之和来决定的。例如，假定n＝8，并将全部显示时间内象素的发光亮度表示为100％，则在Tr1和Tr2内象素发光可实现1％的亮度，而当Tr3，Tr5，和Tr8被选取时可实现60％的亮度。
显示时间Tr1～Trn可以任何次序出现。例如，在一帧时间内，可控制显示时间为这样的次序：Tr1，Tr3，Tr5，Tr2，...。
虽然在此实施方案的前面的描述中，由写入时间和显示时间来改变电源线电源电压的电平，但本发明不限于此。当电源电压供给发光元件的象素电极时，可以控制使发光元件发光的电位差，使其总是处于电源电压与反电极电压之间。在这样的情形下，甚至在写入时间中发光元件也可发光。因此，在某一帧时间内由一特定象素显示的灰度级是由该帧时间内发光元件发光的写入时间与显示时间之和来决定的。在此情况下，必须使相应于各位数字视频信号的写入时间与显示时间之和满足以下关系：(Ta1+Tr1)∶(Ta2+Tr2)∶(Ta3+Tr3)∶...∶(Ta(n-1)+Tr(n-1))∶(Tan+Trn)＝20∶21∶22∶...∶2(n-2)∶2(n-1)。
[实施方案2]
在此实施方案中将描述与实施方案1的不同的本发明发光器件象素部分结构的另一个实例及其驱动方法。
图9表示本发明发光器件的典型框图。图9中的发光器件包括在衬底上制作的TFT构成的象素部分，还包括源极信号侧驱动电路902、写入栅极信号侧驱动电路(第一栅极信号线驱动电路)903a、及擦除栅极信号线驱动电路(第二栅极信号线驱动电路)903b，每个都布置在象素部分周围。虽然在此实施方案中描述的是具有一个源极信号侧驱动电路的发光器件，也可配置两个源极信号侧驱动电路。
源极信号侧驱动电路902至少具有前面所述本发明的第一至第三种结构中的一种。
在此实施方案中，源极信号线驱动电路902、写入栅极信号侧驱动电路903a、及擦除栅极信号线驱动电路903b可与象素部分901做在同一衬底上，或者，也可制作在IC芯片上而由某种接头，如FPC、TAB等与象素部分相连。
象素部分901的放大图示于图10。在图10中，在象素部分901中提供了源极信号线(S1～Sx)、电源线(V1～Vx)、写入栅极信号线(第一栅极信号线)(Ga1～Gay)、以及擦除栅极信号线(第二栅极信号线)(Ge1～Gey)。
象素904表示一个区域，在此区域中提供了源极信号线(S1～Sx)、电源线(V1～Vx)、写入栅极信号线(第一栅极信号线)(Ga1～Gay)、以及擦除栅极信号线(第二栅极信号线)(Ge1～Gey)中各一个。在象素部分901中，多个象素904排列成矩阵。
象素904的放大图示于图11。在图11中，参考数字907代表开关TFT。开关TFT 907的栅极与栅极信号线Ga(Ga1～Gay)相连。开关TFT 907的源区和漏区之一与源极信号线S(S1～Sx)相连，而其另一个与电流控制TFT 908的栅极、电容912、以及每个象素包含的擦除TFT 909的源区和漏区相连。
当开关TFT 907处于未选态(关态)时，设置电容912以维持电流控制TFT 908的栅极电位。虽然在此实施方案中设置了电容912，本发明不限于这样的结构。电容912可省略。
电流控制TFT 908的源区和漏区之一与电源线V(V1-Vx)相连，而其另一个与发光元件910相连。电源线V与电容912相连。
未与开关TFT 907的源区或漏区相连的擦除TFT 909的源区和漏区之一与电源线V相连。擦除TFT 909的栅极与擦除栅极信号线Ge相连。
发光元件910包括阳极、阴极、和置于其间的有机化合物层。当阳极与电流控制TFT 908的源区或漏区相连时，阳极起象素电极的作用，而阴极起反电极的作用。另一方面，当阴极与电流控制TFT 908的源区或漏区相连时，阴极起象素电极的作用，阳极起反电极的作用。
反电压供给发光元件的反电极911。另外，电源电压供给电源线V。反电压与电源电压之间的电位差总保持在当电源电压加到象素电极上时发光元件就发光的水平。由外接的IC芯片等提供的电源为本发明的发光器件供给电源电压和反电压。
在当前典型的发光器件中，当象素单位发光面积的发光量为200cd/m2时，象素部分单位面积需流过几个mA/cm2的电流。这样，特别是显示面积较大时，用开关来控制由IC芯片提供的电源所供给的电压幅度就变得非常困难。在此实施方案中电源电压和反电压总保持不变，因此，由IC芯片提供的电源所供给的电压幅度不需由开关控制。因此，这个实施方案对实现较大显示面积的显示板是有用的。
开关TFT 907，电流控制TFT 908，和擦除TFT 909可为n沟道型TFT，也可为p沟道型TFT。然而应注意，当电流控制TFT 908的源区或漏区与发光元件910的阳极相连时，电流控制TFT 908最好为p沟道型TFT。另一方面，当电流控制TFT 908的源区或漏区与发光元件910的阴极相连时，电流控制TFT 908最好为n沟道型TFT。
开关TFT 907，电流控制TFT 908，和擦除TFT 909可具有多栅结构，如双栅结构、三栅结构等，而非单栅结构。
然后，参照图12来描述具有上述结构的本发明发光器件的驱动方法。
首先，由写入栅极信号线驱动电路903a将写入栅极信号输入写入栅极信号线Ga1，这样，与写入栅极信号线Ga1相连的所有象素(亦即，第一行象素)的开关TFT 907都处于开态。在本说明书中，当所有TFT的栅极与某一信号线相连时，称此信号线为被选取。这样，在上述情形中，写入栅极信号线Ga1被选取。
同时，第一位数字视频信号由源极信号线驱动电路902输入源极信号线(S1～Sx)。更具体地讲，数字视频信号经开关TFT 907输入电流控制TFT 908的栅极。
在此实施方案中，对于数字视频信号具有“0”信息的情形，电流控制TFT 908处于关态。因此，电源电压不供给发光元件910的象素电极。结果，具有“0”信息的数字视频信号供给象素所含的发光元件910，使之不发光。
另一方面，对于数字视频信号具有“1”信息的情形，电流控制TFT908处于开态。因此，电源电压供给发光元件910的象素电极。结果，具有“1”信息的数字视频信号供给象素所含的发光元件910，使之发光。
这样，在数字视频信号输入第一行象素的同时，发光元件处于发光态或是不发光态，使得第一行的所有象素实现了显示操作。象素完成显示操作的时间称为显示时间Tr。更具体地讲，从第一位数字视频信号输入象素开始的显示时间称为Tr1。在图12中，为了简化描述，只说明了第一行象素的显示时间。所有各行显示时间的开始计时彼此偏移一定的时间差。
然后，在完成Ga1选取的同时，下一写入栅极信号线Ga2被写入栅极信号选取。这样，所有与写入栅极信号线Ga2相连的象素开关TFT907都处于开态，因此，第一位数字视频信号由源极信号线(S1～Sx)输入第二行象素。
此后，所有写入栅极信号线(Ga1～Gay)被依次选取。选取全部写入栅极信号线(Ga1～Gay)并将第一位数字视频信号输入所有各行象素所需的时间为写入时间Ta1。
另一方面，在第一位数字视频信号输入所有各行象素之前，换言之，在写入时间Ta1结束前，擦除栅极信号线Ge1由擦除栅极信号线驱动电路903b输入的擦除栅极信号来选取，而与第一位数字视频信号并行输入象素。
当擦除栅极信号线Ge1被选取时，与擦除栅极信号线Ge1相连的所有象素(第一行象素)擦除TFT 909都处于开态。这样，电源线(V1～Vx)的电源电压供给第一行象素电流控制TFT 908的栅极。
当电源电压供给电流控制TFT 908的栅极时，电流控制TFT 908处于关态。这样，电源电压不供给发光元件910的象素电极，使得第一行象素所含的全部发光元件都不发光。于是，第一行象素都不进行显示操作。换言之，当电源电压供给电流控制TFT的栅极时，保持在电流控制TFT栅极的数字视频信号，因写入栅极信号线Ga1的被选取而被擦除。于是，第一行象素不执行显示操作。
象素不执行显示操作的时间称为非显示时间Td。当擦除栅极信号输入擦除栅极信号线Ge1时，第一行象素的显示时间Tr1同时结束，而非显示时间Td1开始。
在图12中，为了简化描述，只特别说明了第一行象素的非显示时间。各行非显示时间的时序彼此偏移一定的时间差。
然后，在结束Ge1选取的同时，下一个擦除栅极信号线Ge2被擦除栅极信号选取。这样，所有与擦除栅极信号线Ge2相连的象素(第二行的象素)擦除TFT 909都处于开态。电源线(V1-Vx)的电源电压经擦除TFT 909供给电流控制TFT 908的栅极。当电源电压供给电流控制TFT 908的栅极时，电流控制TFT 908处于关态。这样，电源电压不供给发光元件910的象素电极，使得第二行象素所含的发光元件处于不发光态。这样，第二行象素不执行显示操作，处于非显示态。
然后，全部擦除栅极信号线依次被擦除栅极信号选取。选取全部擦除栅极信号线(Ge1～Gey)并擦除保持在全部各行象素中的第一位数字视频信号所需的时间称为擦除时间Te1。
另一方面，在擦除全部各行象素保持的第一位数字视频信号之前，换言之，在擦除时间Te1结束前，写入栅极信号线Ga1又被选取，同时擦除象素保持的第一位数字视频信号。这样，第一行象素再执行显示操作。于是非显示时间Td1结束，显示时间Tr2开始。
此后，所有写入栅极信号线由前述的相同方法被依次选取，第二位数字视频信号输入所有象素。第二位数字视频信号输入所有各行象素的时间称为写入时间Ta2。
另一方面，在第二位数字视频信号输入所有各行象素之前，换言之，在写入时间Ta2结束前，擦除栅极信号线Ge2被选取，第二位数字视频信号同时输入象素。这样，第一行象素所含的所有发光元件处于不发光状态。因此，第一行象素不执行显示操作。然后第一行象素显示时间Tr2结束，非显示时间Td2开始。
此后，所有擦除栅极信号线被依次选取。选取所有擦除栅极信号线(Ge1-Gex)并擦除保持在所有各行象素中的第二位数字视频信号所需的时间称为擦除时间Te2。
重复上述操作直至第m位数字视频信号输入象素，使得显示时间Tr和非显示时间Td交替出现。显示时间Tr1是从写入时间Ta1开始直至擦除时间Te1开始的时间。非显示时间Td1是从擦除时间Te1开始直至显示时间Tr2开始的时间。与显示时间Tr1和非显示时间Td1相同，显示时间Tr2、Tr3、...、Tr(m-1)和非显示时间Td2、Td3、...、Td(m-1)的时长也由写入时间Ta1、Ta2、...、Tam和擦除时间Te1、Te2、...、Te(m-1)来决定。
在第m位数字视频信号输入第一行象素后，擦除栅极信号线Ge1不被选取。为简化描述起见，在此实施方案中描述m＝n-2的情形作为一个实例。然而，本发明不限于这种情形。在本发明中由2～n范围内的任何m值都可任意选取。
当第(n-2)位数字视频信号输入第一行象素时，第一行象素处于显示时间Tr(n-2)以执行显示操作。第(n-2)位数字视频信号保持在象素中直至下一位数字视频信号输入。
当第(n-1)位数字视频信号输入第一行象素时，保持于象素的第(n-2)位数字视频信号再写入第(n-1)位数字视频信号。第一位中的象素然后处于显示时间Tr(n-1)以执行显示操作。直至下一位数字视频信号输入，第(n-2)位数字视频信号被保持在象素中。
重复上述操作直至第n位数字视频信号输入象素。显示时间Tr(n-2)是从写入时间Ta(n-2)开始直至写入时间Ta(n-1)开始的时间。与显示时间Tr(n-2)相同，显示时间Tr(n-1)和Trn的时长也由写入时间Ta决定。
在此实施方案中，所有写入时间之和必须短于一帧时间，各个显示时间之比要满足以下关系：Tr1∶Tr2∶Tr3∶...∶Tr(n-1)∶Trn＝20∶21∶22∶...∶2(n-2)∶2(n-1)。通过显示时间的联合，可在全部2n灰度级中实现所希望的灰度显示。
在全部显示时间(Tr1～Trn)结束后，就可显示一幅图像。按照本发明的驱动方法，显示一幅图像所需的时间称为一帧时间(F)。
在某一帧时间(F)结束后，第一位数字视频信号再输入象素，使得第一行象素又处于显示时间Tr1。上述操作被再次重复。
在正常的发光器件中，最好每秒提供60或更多帧时间。如果在一秒内要显示的图像数小于60，可明显看到图像的闪烁。
在某一帧时间内由一特定象素显示的灰度级是由该帧时间内发光元件发光的显示时间之和来决定的。例如，假定n＝8，并将全部显示时间内象素的发光亮度表示为100％，则在Tr1和Tr2内象素发光可实现1％的亮度，而当Tr3，Tr5，和Tr8被选取时可实现60％的亮度。
第m位数字视频信号输入象素的写入时间Tam需短于显示时间Trm。因此，位数m需为从1至n的一个数，可使写入时间Tam短于显示时间Trm。
显示时间(Tr1～Trn)可以任何次序出现。例如，在一帧时间内，可控制显示时间为这样的次序：Tr1，Tr4，Tr3，Tr2。然而应注意，显示时间出现的次序最好设置得不使擦除时间(Te1～Ten)彼此重叠。
在此实施方案中，显示时间Tr与写入时间Ta是彼此部分重叠的。换言之，即使在写入时间内象素也可执行显示操作。因此，在一帧时间内显示时间之和所占的比率(占空比)不是只由写入时间的时长来决定的。
[实施方案3]
在此实施方案中将详细描述实施方案1所述的发光器件包含的源极信号线驱动电路的结构。图13表示此实施方案源极信号线驱动电路的电路图。在图13中，与图1所示相同的元件由同样的参考数字来代表。
参考数字102-1代表移位寄存器，时钟信号(CLK)、由时钟信号极性反相得到的信号(CLKB)、起始脉冲信号(SP)、双向移相信号(SL/R)分别经说明的引线输入移位寄存器。
参考数字102-2和102-3分别代表锁存器(A)和锁存器(B)。在此实施方案中，锁存器(A)102-2的组合与锁存器(B)102-3的组合相应于四个源极信号线。然而，在此实施方案中锁存器(A)102-2的组合与锁存器(B)102-3的组合相应的源极信号线数不限于上述的数目。此外，虽然在此实施方案中没有提供电平移动来改变信号电压幅度，但这样的电平移动可由设计者适当地提供。
由外部供给源极信号线驱动电路的数字视频信号(DV)经说明的引线输入锁存器(A)102-2。锁存信号S_LAT及由S_LAT极性反相而得的信号S_LATb经说明的引线分别输入锁存器(B)102-3。
将参照锁存器(A)102-2的801部分对锁存器(A)102-2的结构予以详细描述。锁存器(A)102-2的801部分包含两个时钟反相器和两个反相器。
图14为锁存器(A)102-2的801部分的平面图。参考数字831a和831b分别代表构成锁存器(A)102-2的801部分所含一个反相器的TFT有源层。参考数字836代表构成一个特殊反相器的TFT共用栅电极。参考数字832a和832b分别代表构成锁存器(A)102-2的801部分所含另一个反相器的TFT有源层。参考数字837a和837b分别代表制作在有源层832a和832b上的栅电极。栅电极837a和837b是电互连的。
参考数字833a和833b分别代表构成锁存器(A)102-2的801部分所含一个时钟反相器的TFT有源层。在有源层833a上备有栅电极838a和838b以形成双栅结构。同样，在有源层833b上也备有栅电极838b和839来形成双栅结构。
参考数字834a和834b分别代表构成锁存器(A)102-2的801部分所含另一个时钟反相器的TFT有源层。在有源层834a上备有栅电极839和840以形成双栅结构。同样，在有源层834b上也备有栅电极840和841来形成双栅结构。
参考数字102-4代表开关电路。图15A和15B表示此实施方案开关电路的电路图。
图15A所示的此实施方案开关电路102-4包含反相器851、第一模拟开关852和第二模拟开关853。移相信号SS及由移相信号SS极性反相而得的信号SSB经说明的引线输入。
第一模拟开关852和第二模拟开关853的等效电路图示于图16。第一模拟开关852和第二模拟开关853的每一个都包含n沟道型TFT和p沟道型TFT。从输入端(IN)输入的信号用第一控制输入端(Vin)或第二控制输入端(Vinb)输入的信号来取样，所得的信号由输出端(OUT)输出。
数字视频信号由锁存器(B)102-3经反相器851至第一模拟开关852的输入端(IN)并输入。同时，数字视频信号也由锁存器(B)102-3经输入端(IN)输入第二模拟开关853。
移相信号SS和由移相信号SS极性反相而得的信号SSB由第一控制输入端(Vin)或第二控制输入端(Vinb)分别输入第一模拟开关852和第二模拟开关853。数字视频信号由此移相信号SS取样，取样的数字视频信号由第一模拟开关852和第二模拟开关853的输出端(OUT)输出。
输入开关电路102-4的数字视频信号，在其极性反相或者没有反相后，由之输出。移相信号SS确定了数字视频信号在开关电路102-4中是否要反相。
图15B所示的开关电路102-4包括反相器861、第一与非门862、第二与非门863、及或非门864。移相信号SS及由移相信号SS极性反相而得的信号SSB经说明的引线输入。
由锁存器(B)102-3经反相器861提供数字视频信号。同时，由移相信号SS极性反相而得的信号SSB输入第一与非门862。
与数字视频信号经反相器861输入第一与非门862同时，数字视频信号也输入第二与非门863。同时，移相信号SS也输入第二与非门863。
由第一与非门862和第二与非门863输出的信号同时输入或非门864。由或非门864输出的信号被输入到源极信号线。
输入开关电路102-4的数字视频信号，在其极性反相或者没有反相后，由之输出。移相信号SS确定了数字视频信号在开关电路102-4中是否要反相。
开关电路的结构不限于图15A和15B所示者。开关电路可具有任何适当的结构，只要它能使输入的数字视频信号由之输出时极性或是反相或是不反相。
此实施方案可任意与实施方案1或2组合。
[实施方案4]
在此实施方案中将详细描述实施方案2所述的发光器件含有的源极信号线驱动电路的结构。图17表示此实施方案的源极信号线驱动电路的电路图。在图17中，与图1所示相同的元件由同样的参考数字来代表。
参考数字102-1代表移位寄存器，时钟信号(CLK)、由时钟信号极性反相而得的信号(CLKB)、起始脉冲信号(SP)、双向移相信号(SL/R)分别经说明的引线输入移位寄存器。
参考数字102-2和102-3分别代表锁存器(A)和锁存器(B)。在此实施方案中，锁存器(A)的组合和锁存器(B)的组合相应于四个源极信号线。然而，在此实施方案中，锁存器(A)的组合和锁存器(B)的组合相应的源极信号线数不限于上述数目。此外，虽然在此实施方案中没有提供电平移动来改变信号电压幅度，但这样的电平移动可由设计者适当地提供。
由外部供给源极信号线驱动电路的数字视频信号(DV)经说明的引线输入锁存器(A)102-2。锁存信号S_LAT及由S_LAT极性反相而得的信号S_LATb分别经说明的引线输入锁存器(B)102-3。
锁存器(A)102-2的详细结构与图14所示者相同。因此，对其描述从略。
参考数字106代表时钟信号控制电路，它可在恒定的时间内供给移位寄存器102-1恒定的电压(固定电压)而非时钟信号(CLK)。
更具体地讲，在恒定时间内由时钟信号控制电路106向移位寄存器102-1输入恒定电压(固定电压)而非时钟信号，使得用来向锁存器(A)102-2输入较无效位数字视频信号，即第一位至第m位范围的数字视频信号的计时信号不能输入锁存器(A)102-2。因此，在由外面的源极信号线驱动电路输入的数字视频信号中，只有在第(m+1)位至第n位范围的较有效位数字视频信号能写入锁存器(A)102-2。
图18A和18B表示此实施方案时钟信号控制电路106的详细电路图。
图18A所示的此实施方案时钟信号控制电路106包含与非门1801和反相器1802。选通信号由说明的引线输入。
向外部输入到源极信号线驱动电路的时钟信号经输入端(IN)被输入到与非门1801。同时，选通信号也输入与非门1801。由与非门1801输出的信号，在其极性经反相器1802反相后，由输出端输出而输入移位寄存器102-1。
选通信号决定了是时钟信号输入移位寄存器102-1，还是代之以供给恒定电压(固定电压)。
图18B所示的此实施方案时钟信号控制电路106包含第一模拟开关1811、第二模拟开关1812、及反相器1813。选通信号经说明的引线输入。
第一模拟开关1811和第二模拟开关1812的等效电路图与图16所示者相同。第一模拟开关1811、第二模拟开关1812的每一个都包含n沟道型TFT和p沟道型TFT。由输入端(IN)输入的信号用第一控制输入端(Vin)或第二控制输入端(Vinb)输入的信号来取样，然后由输出端(OUT)输出。
选通信号由第一控制输入端(Vin)输入第一模拟开关1811和第二模拟开关1812。同时，选通信号在其极性反相后也由第二控制输入端(Vinb)输入第一模拟开关1811和第二模拟开关1812。从外面供给源极信号线驱动电路的时钟信号也同时经输入端(IN)输入第一模拟开关1811。经输入端(IN)向第二模拟开关1812供以恒定电压(固定电压)。
分别由第一模拟开关1811和第二模拟开关1812的输出端(OUT)输出的信号都由时钟信号控制电路106的输出端输出。
选通信号决定了是时钟信号输入移位寄存器102-1，还是代之以供给恒定电压(固定电压)。
时钟信号控制电路的结构不限于图18A和18B所示者。
此实施方案可任意与实施方案1～3组合。
[实施方案5]
在此实施方案中，将详细描述实施方案3所述发光器件包含的源极信号线驱动电路的结构。图19表示此实施方案源极信号线驱动电路的电路图。在图19中，与图1所示相同的元件由同样的参考数字来代表。
参考数字102-1代表移位寄存器，时钟信号(CLK)、由时钟信号极性反相而得的信号(CLKB)、起始脉冲信号(SP)、双向移相信号(SL/R)分别经说明的引线输入移位寄存器。
参考数字102-2和102-3分别代表锁存器(A)和锁存器(B)。在此实施方案中，锁存器(A)的组合和锁存器(B)的组合相应于四个源极信号线。然而，在此实施方案中，锁存器(A)的组合和锁存器(B)的组合相应的源极信号线数不限于上述数目。此外，虽然在此实施方案中没有提供电平移动来改变信号电压幅度，但这样的电平移动可由设计者适当地提供。
由外部供给源极信号线驱动电路的数字视频信号(DV)经说明的引线输入锁存器(A)102-2。锁存信号S_LAT及由S_LAT极性反相而得的信号S_LATb分别经说明的引线输入锁存器(B)102-3。
锁存器(A)102-2的详细结构与图14所示者相同。因此，对其描述从略。
参考数字107代表计时信号控制电路，它可在恒定的时间内供给锁存器(A)102-2恒定的电压(固定电压)而非计时信号。
更具体地讲，在恒定时间内由计时信号控制电路107向移位寄存器102-1输入恒定电压(固定电压)而非时钟信号，使得用来向锁存器(A)102-2输入较无效位数字视频信号，即第一位至第m位范围的数字视频信号的计时信号不能输入锁存器(A)102-2。因此，只有在第(m+1)位至第n位范围的较有效位数字视频信号能写入锁存器(A)102-2。
此实施方案计时信号控制电路107的结构与图18A和18B所示者相同。因此，对计时信号控制电路107结构的详细描述应在实施方案4中找到。然而应注意，在此实施方案中，计时信号由移位寄存器102-1输入图18A和18B所示电路的输入端(IN)。由图18A和18B所示电路输出端(OUT)输出的信号输入锁存器(A)102-2。选通信号决定了是计时信号输入锁存器(A)102-2，还是代之以供给恒定电压(固定电压)。
计时信号控制电路的结构不限于图18A和18B所示者。
此实施方案可任意地与实施方案1～3组合。
[实施方案6]
在此实施方案中，将详细描述实施方案4所述发光器件包含的源极信号线驱动电路的结构。图20表示此实施方案源极信号线驱动电路的电路图。在图20中，与图1所示相同的元件由同样的参考数字来代表。
参考数字102-1代表移位寄存器，时钟信号(CLK)、由时钟信号极性反相而得的信号(CLKB)、起始脉冲信号(SP)、双向移相信号(SL/R)分别经说明的引线输入移位寄存器。
参考数字102-2和102-3分别代表锁存器(A)和锁存器(B)。在此实施方案中，锁存器(A)的组合和锁存器(B)的组合相应于四个源极信号线。然而，在此实施方案中，锁存器(A)的组合和锁存器(B)的组合相应的源极信号线数不限于上述数目。此外，虽然在此实施方案中没有提供电平移动来改变信号电压幅度，但这样的电平移动可由设计者适当地提供。
由外部供给源极信号线驱动电路的数字视频信号(DV)经说明的引线输入锁存器(A)102-2。锁存信号S_LAT及由S_LAT极性反相而得的信号S_LATb经说明的引线分别输入锁存器(B)102-3。
锁存器(A)102-2的详细结构与图14所示者相同。因此，对其描述从略。
参考数字108代表起始脉冲信号控制电路，它可在恒定的时间内供给移位寄存器102-1恒定的电压(固定电压)而非起始脉冲信号(SP)。
更具体地讲，在恒定时间内由起始脉冲信号控制电路108向移位寄存器102-1输入恒定电压(固定电压)而非起始脉冲信号，使得用来向锁存器(A)102-2输入较无效位数字视频信号，即第一位至第m位范围的数字视频信号的计时信号不能输入锁存器(A)102-2。因此，只有在第(m+1)位至第n位范围的较有效位数字视频信号能写入锁存器(A)102-2。
此实施方案起始脉冲信号控制电路108的结构与图18A和18B所示者相同。因此，对起始脉冲信号控制电路108结构的详细描述应在实施方案4中找到。然而应注意，在此实施方案中，起始脉冲信号输入图18A和18B所示电路的输入端(IN)。由图18A和18B所示电路输出端(OUT)输出的信号输入移位寄存器102-1。选通信号决定了是起始脉冲信号输入移位寄存器102-1，还是代之以供给恒定电压(固定电压)。
起始脉冲信号控制电路的结构不限于图18A和18B所示者。
此实施方案可任意地与实施方案1～3组合。
[实施方案7]
在此实施方案中，将参照图21描述本发明第三种结构的另一个实例，它不同于实施方案5所述者。在图21中，与图5所示相同的元件由同样的参考数字来代表。
在图21中，参考数字501代表电源线，参考数字502代表缓冲放大器，参考数字503代表发光监视元件，参考数字504代表恒流源，而参考数字505代表加法电路。发光监视元件503的一个电极与恒流源504相连，使得总有恒定电流流过发光监视元件503。当发光元件所含有机化合物层温度改变时，流过发光监视元件503的电流幅度不变，但与恒流源504相连的发光监视元件503电极的电压改变。
另一方面，缓冲放大器502包含两个输入端和一个输出端。两个输入端之一为非反相输入端(+)，而另一个为反相输入端(-)。发光监视元件503一个电极的电压供给缓冲放大器502的非反相输入端。
缓冲放大器502是防止发光监视元件503与恒流源504相连的象素电极电压随负载，如引线电容等，而变的电路。因此，提供给缓冲放大器502非反相输入端的电压由输出端输出至加法电路505而供给电源线作为电源电压，它不随电源线501的引线电容、加法电路505等负载而变。
由缓冲放大器502输出端供给加法电路505的电位，在加减一定的电位差后，进而供给电源线501作为电源电压。
图22表示此实施方案加法电路的详细电路图。加法电路505包含第一电阻器521、第二电阻器522、加法电路的电源525、及非反相放大电路520。非反相放大电路520包含第三电阻器523、第四电阻器524、非反相放大电路的电源、及放大器527。
第一电阻器521的一端作为加法电路的输入端(IN)。第一电阻器521的另一端与第二电阻器522的一端相连。第二电阻器522的另一端与加法电路的电源525相连。在第一电阻器521和第二电阻器522之间得到的输出，输入非反相放大电路520的放大器527的非反相输入端(+)。
第三电阻器523的一端与放大器527的输出端相连，而第三电阻器523的另一端与放大器527的反相输入端相连。在第三电阻器523与放大器527反相输入端之间得到的输出，输入第四电阻器524的一端。第四电阻器524的另一端与非反相放大电路的电源526相连。在第三电阻器523与放大器527的输出端之间得到的输出由加法电路505的输出端(OUT)输出。
按照上述结构，即使象素部分发光监视元件503或发光元件的有机化合物层的温度因环境温度改变而变化，电源电压是改变的，使得流过发光元件的电流不变。这样，即使发光器件的环境温度升高，也可防止发光器件的功耗增大，而发光元件的亮度可保持不变。而且，由于还配备了加法电路505，电源线501的电压不需与发光监视元件503连接恒流源的电极的电压保持同一电平。这样，流过缓冲放大器502、发光监视元件503、及恒流源504的电流幅度可被抑制，因而抑制了功耗。
加法电路505的结构不限于图22所示者。
此实施方案可任意与实施方案1～6组合。
[实施方案8]
在实施方案8中，将详细说明在同一衬底上同时制作象素部分以及在其周围制作驱动电路TFT(n沟道TFT和p沟道TFT)的方法。
首先，如图23A所示，在由玻璃如硼硅酸钡玻璃或硼硅酸铝玻璃，典型地为Corning公司的#7059或#1737玻璃，或石英制成的衬底上，制作由绝缘膜如氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜制成的基膜401。例如，用等离子体CVD法由SiH4、NH3和N2O制作的厚10～200nm(最好为50～100nm)的氮氧化硅膜，与用同样的方法由SiH4和N2O制作的厚50～200nm(最好为100～150nm)的氢化氮氧化硅膜叠层。注意，在图23A中基膜被表示为一层。在实施方案8中，基膜401被表示为两层结构，但也可在绝缘膜上形成单层结构，还可形成两层或多层的叠层结构。
半导体层402～405是由晶体硅膜制成的，晶体硅膜是由无定形结构的半导体膜用激光晶化法或已知的热晶化法制作的。制作的半导体层402～405的厚度为25～80nm(最好在30～60nm之间)。对晶体半导体膜的材料没有限制，但由硅或锗硅合金制成的膜是优选的。
至于已知的晶化法，有用电炉的热晶化法、用激光的激光退火晶化法、用红外光的灯照退火晶化法、以及用催化金属的晶化法。
激光器如脉冲发射型或连续发射型受激准分子激光器、YAG激光器和YVO4激光器可用于激光晶化法来制作晶体半导体膜。当使用这种类型的激光器时，可使用这样的方法，即将激光器发射的激光用光学系统聚成线状再照射到半导体膜上。晶化条件可由操作者适当地选择，但当使用受激准分子激光器时，脉冲发射频率为300Hz，激光器能量密度为100～400mJ/cm2(典型地在200～300mJ/cm2之间)。而当使用YAG激光器时是利用其二次谐波，脉冲发射频率为30～300kHz，激光器能量密度可为300～600mJ/cm2(典型地在350～500mJ/cm2之间)。聚成线状的激光线宽100～1000μm，例如400μm，照射到整个衬底表面上。对于线状的激光，这是以50～98％的交叠比来进行的。
然后，制作覆盖半导体膜402～405的栅极绝缘膜406。栅极绝缘膜406是用等离子体CVD或溅射法制作的厚40～150nm的含硅绝缘膜。在实施方案8中制作了120nm厚的氮氧化硅膜。当然，栅极绝缘膜406不限于这种氮氧化硅膜，也可使用单层或叠层结构的其他含硅绝缘膜。例如，当使用氧化硅膜时，可用等离子体CVD法由TEOS(原硅酸四乙酯)与O2的混合物，在40Pa的反应压力和300～400℃的衬底温度下，用0.5～0.8W/cm2的高频(13.56MHz)功率放电来制作。这样制作的氧化硅膜接着在400～500℃间进行热退火，可得到良好特性的栅极绝缘膜。
然后在栅极绝缘膜406上制作第一导电膜407和第二导电膜408以形成栅电极。在实施方案8中，第一导电膜407由Ta(钽)制成，厚50～100nm，而第二导电膜408由W(钨)制成，厚100～300nm。
Ta膜是用溅射法制作的，在Ar气氛中溅射Ta靶。如果在溅射时在Ar中添加适量的Xe和Kr，可释放Ta膜的内应力，防止膜的剥落。α相Ta膜的电阻率为20μΩcm的量级，可用作栅电极，但β相Ta膜的电阻率为180μΩcm的量级，不适于作栅电极。如果用晶体结构接近α相Ta厚为10～50nm的氮化钽膜作为Ta的基底来制作α相Ta，则可容易地得到α相Ta膜。
W膜是用溅射W靶来制作的，也可用热CVD法由六氟化钨(WF6)来制作。无论使用哪种方法，必须能将膜制成低阻的，以用之作为栅电极，W膜的电阻率最好等于或小于20μΩcm。增大W膜的晶粒可降低电阻率，但对于W膜中含有许多杂质元素如氧的情形，则不能晶化，W膜变为高阻的。因此溅射用的W靶纯度为99.9999％或9 9.99％。此外，在制作W膜时注意不由气相引入杂质，则可得到9～20Ωcm的电阻率。
注意，在实施方案8中虽然第一导电膜407为Ta，第二导电膜408为W，但导电膜不限于这些，二者都可由Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu这组元素中选择，也可使用以其中一种元素为主要成分的合金材料或这些元素的化合物。另外，也可使用半导体膜，典型地为多晶硅膜掺以杂质元素如磷。除了实施方案8所用者外，一些优选的组合实例包括：氮化钽(TaN)制成的第一导电膜与W制成的第二导电膜组合；氮化钽(TaN)制成的第一导电膜与Al制成的第二导电膜组合；以及氮化钽(TaN)制成的第一导电膜与Cu制成的第二导电膜组合(见图23B)。
接着用抗蚀剂制作掩模409～412，进行第一腐蚀过程以制作电极和引线。在实施方案8中使用ICP(感应耦合等离子体法)腐蚀法。CF4和Cl2的混合气体用作腐蚀气体，在1Pa的压力下向线圈状电极施加500W RF(13.56MHz)电功率来产生等离子体。在衬底侧(样品台)施加100W RF(13.56MHz)电功率，有效地施加了负的自偏压。当联合使用CF4和Cl2时，W膜和Ta膜都以同样的量级被腐蚀。
在图23C中未示出，在上述腐蚀条件下，用适当形状的抗蚀剂掩模，在衬底侧施加偏压的影响下，第一导电层和第二导电层的边缘部分做成了锥形。锥形部分的角度为15～45°。腐蚀时间可增加约10～20％以使腐蚀后栅绝缘膜上没有残留物。氮氧化硅膜对W膜的选择比为2～4(典型地为3)，因此，在过腐蚀过程中氮氧化硅膜暴露的表面约被腐蚀掉20～50nm。此外，在图23C中未示出，栅绝缘膜406未被第一形状导电层414～417覆盖的区域在腐蚀后减薄了20～50nm。
于是按照第一腐蚀过程由第一导电层和第二导电层制成第一形状导电层414～417(第一导电层414a～417a和第二导电层414b～417b)。
接着进行第二腐蚀过程，如图23D所示。同样使用ICP腐蚀法，CF4、Cl2和O2的混合物用作腐蚀气体，在1Pa的压力下向线圈状电极施加500W RF(13.56MHz)电功率来产生等离子体。在衬底侧(样品台)施加50W RF(13.56MHz)电功率，并施加比第一腐蚀过程低的自偏压。在这些条件下W膜被各向异性腐蚀，而Ta膜(第一导电层)以较低的腐蚀速率被各向异性腐蚀，形成第二形状导电层419～422(第一导电层419a～422a和第二导电层419b～422b)。此外，虽然图23D未示出，栅绝缘膜406未被第二形状导电层419～422覆盖的区域再被腐蚀掉20～50nm而减薄了。W膜和Ta膜与CF4和Cl2混合气体的腐蚀反应可由产生的基团、反应产物的离子类型和蒸汽压来估计。比较W和Ta氟化物和氯化物的蒸汽压，W的氟化物WF6是最高的，WCl5、TaF5和TaCl5的蒸汽压为同一量级。因此，W膜和Ta膜都被CF4和Cl2的混合气体腐蚀。然而，如果适量的O2加入这种混合气体，CF4与O2起反应，形成CO和F，产生大量的F基团或F离子。结果，氟化物具有高蒸汽压的W膜腐蚀速率变快。另一方面，即使F增多，Ta的腐蚀速率没有相对增大。另外，Ta比W易于氧化，因此Ta表面被添加的O2氧化。由于氧化Ta不与氟化物和氯化物起反应，Ta膜的腐蚀速率进一步降低。因此，就能使W膜和Ta膜的腐蚀速率有差别，而使W膜的腐蚀速率大于Ta膜的。
然后，除去掩模409a～412a，进行第一掺杂过程，如图24A所示，掺入一种呈n型导电的杂质。例如，可在70～120keV加速电压下以1×1013原子/cm2的剂量进行掺杂。用第二形状导电层419～422作掩模进行掺杂以阻挡杂质元素，使得第二导电层419a～422a下面的区域也掺入杂质元素。于是就形成了与第二导电层419a～422a重叠的第一杂质区425～428以及比第一杂质区具有较高杂质浓度的第二杂质区429～432。注意，在实施方案8中是在除去掩模409a～412a后掺入呈n型导电杂质元素的，但本发明不限于此。也可在图24A的步骤中掺入呈n型导电的杂质元素，然后除去掩模409a～412a。
接着在半导体层404上制作掩模433来覆盖第二导电层421a和421b。掩模433与部分第二杂质区431重叠，栅绝缘膜406夹于其间。然后进行第二掺杂过程，掺入一种呈n型导电的杂质元素。呈n型导电的杂质元素的掺杂是在剂量比第一掺杂过程升高和低加速电压的条件下进行的(见图24B)。可用离子掺杂或离子注入来进行掺杂。离子掺杂是在剂量为1×1013～5×1014原子/cm2和60～100keV加速电压的条件下进行的。周期表的V族元素，典型地磷(P)或砷(As)用作n型杂质元素，此处使用磷(P)。在此情形下第二形状导电层419～422成为n型杂质的掩模而自对准形成源区434～437、漏区438～441、以及Lov区442～445。此外，还用掩模433形成Loff区446。掺入源区434～437和漏区4 38～441的n型杂质浓度在1×1020～1×1021原子/cm3的范围。
按照实施方案8，控制掩模433的尺寸可任意设定Loff区446的长度。
注意，在本说明书中，经栅极绝缘膜与栅电极重叠的LDD区称为Lov区，而经栅极绝缘膜不与栅电极重叠的LDD区称为Loff区。
掺入的呈n型导电的杂质元素浓度，在Loff区为1×1017～1×1019原子/cm3，在Lov区为1×1016～1×1018原子/cm3。
注意，在图24B中，在上述条件下进行呈n型导电杂质元素的掺杂之前或之后，也可用70～120keV的加速电压在半导体层404上形成掩模433的状态下进行呈n型导电杂质元素的掺杂。按照上述工艺过程，可压低成为开关TFT的Loff区446部分的n型杂质浓度，而成为驱动电路用的TFT的Lov区442和443部分的n型杂质浓度可提高。压低成为开关TFT的Loff区446部分的n型杂质浓度，可降低开关TFT的关态电流。而提高成为驱动电路所用n沟道TFT的Lov区443部分的n型杂质浓度，可防止漏区附近的高电场产生热载流子及热载流子效应引起的退化现象。
除去掩模453后，在半导体层402和405中形成与上述导电类型相反的源区447和448、漏区449和450、以及Lov区451和452，以制作p沟道TFT，如图24C所示。第二形状导电层419和422用作杂质掩模，自对准形成杂质区。此时，在制作n沟道TFT的半导体层402和403的整个表面上覆盖有抗蚀剂掩模453。磷以不同的浓度掺入源区447和448、漏区449和450、以及Lov区451和452，这里用乙硼烷(B2H6)进行了离子掺杂，使掺入各个区域的杂质浓度为2×1020～2×1021原子/cm3。
由上述工艺过程在各个半导体层402～405中制成了杂质区(源区、漏区、Lov区和Loff区)。与半导体层重叠的第二导电层419～422用作栅电极。
然后激活掺入各个半导体层的杂质元素，以控制导电类型。这个工艺过程是用退火炉进行热退火。此外，也可使用激光退火和快速热退火(RTA)。热退火是在氧浓度等于或小于1ppm，最好等于或小于0.1ppm的氮气氛中在400～700℃，典型地在500～600℃之间进行的。在实施方案8中，热处理是在500℃下进行4小时。然而，对于用作引线的导电层419～422的材料不耐热时，最好在制作层间绝缘膜(主要成分为硅)后进行激活，以保护引线等。
此外，在含氢3～100％的气氛中在300～450℃下进行1～12小时热处理，以对半导体层进行氢化。这个过程是用热激活的氢使半导体层中的悬键饱和。等离子体氢化(用等离子体激活的氢)也可作为另一种氢化手段。
接着制作厚100～200nm的氮氧化硅膜作为第一层间绝缘膜455(图25A)。然后在第一层间绝缘膜455上用有机绝缘材料制作第二层间绝缘膜458。
然后在栅极绝缘膜406、第一层间绝缘膜455及第二层间绝缘膜458中开接触孔，制作源极引线459～462，使之经接触孔与源区447、435、436和448接触。用同样的方法，再制作与漏区449、439、440和450接触的漏极引线463～465(图25B)。
注意，当栅极绝缘膜406、第一层间绝缘膜455及第二层间绝缘膜458为SiO2膜或SiON膜时，最好用CF4和O2进行干法腐蚀来开接触孔。另外，对于栅极绝缘膜406、第一层间绝缘膜455及第二层间绝缘膜458为有机树脂膜的情形，最好用CHF3或BHF(缓冲氟化氢，HF+NH4F)进行干法腐蚀来开接触孔。此外，如果栅极绝缘膜406、第一层间绝缘膜455及第二层间绝缘膜458是由不同的材料制成的，最好对每种膜改变腐蚀方法及腐蚀剂或腐蚀气体的类型。也可用同样的方法和腐蚀剂或腐蚀气体来开接触孔。
接着用有机树脂制作第三层间绝缘膜467。有机树脂如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂及BCB(环苯丁烯)都可以使用。尤其是，最好使用丙烯酸树脂，它具有优越的平滑性，因为形成第三层间绝缘膜467主要是为了填平。在实施方案8中制作的丙烯酸树脂膜，其膜厚足以填平TFT形成的台阶。其膜厚最好为1～5μm(2～4μm更好)。
下一步，在第三层间绝缘膜467中开漏极引线465的接触孔，并制作象素电极468。在实施方案8中制作厚为110nm的氧化铟锡(ITO)膜，然后刻图形，制成象素电极468。此外，也可使用2～20％氧化锌(ZnO)与氧化铟混合的透明导电膜。象素电极468就成为发光层的阳极(见图25C)。
接着由树脂材料制作第一垒层469和第二垒层470。制作第一垒层469和第二垒层470是为了将有机化合物层与以后制成的相邻象素的阴极隔开。因此，第二垒层470在水平方向最好要比第一垒层469伸出很多。注意，第一垒层469和第二垒层470的厚度合起来最好约为1～2μm，但对此厚度没有限制，只要有机化合物层与以后制作的相邻象素的阴极能够隔开即可。再者，必须用绝缘膜制作第一垒层469和第二垒层470，因此可以使用如氧化物或树脂等材料。第一垒层469和第二垒层470可由同样的材料制成，也可由不同的材料来制作。第一垒层469和第二垒层470被制成象素之间的条形。第一垒层469和第二垒层470可沿着源极引线(源极信号线)在其上制作，也可沿着栅极引线(栅极信号线)在其上制作。注意，第一垒层469和第二垒层470也可用混有颜料的树脂来制作(见图26A)。
接着在真空系统中相继制作有机化合物层471和阴极(MgAg电极)472而不暴露大气。注意，有机化合物层471的膜厚可为80～200nm(典型地为100～120nm)，而阴极472的膜厚可为180～300nm(典型地为200～250nm)。也要注意，在实施方案8中只示出一个象素，但在此处同时形成了发红光的有机化合物层、发绿光的有机化合物层以及发蓝光的有机化合物层。注意，制作有机化合物层和阴极的材料在垒层470上是部分重叠的，然而，在本说明书中，这部分材料不包含在有机化合物层471和阴极472中。
依次制作相应于红色、绿色和蓝色象素的有机化合物层471和阴极472。然而，有机化合物层471不能抗御溶液，因此对每种颜色必须分别制作而不能使用光刻技术。最好使用金属掩模盖住不需要的象素，只在所需部分选择制作有机化合物层471和阴极472。
即，先用一个掩模盖住除相应于红色以外的所有象素，选择制作发红光的有机化合物层。再用一个掩模盖住除相应于绿色以外的所有象素，选择制作发绿光的有机化合物层。最后，用一个掩模盖住除相应于蓝色以外的所有象素，选择制作发蓝光的有机化合物层。注意，这里所述的都是使用不同的掩模，但也可重复使用同一掩模。此外，最好在制成所有象素的有机化合物层和阴极后才破坏真空。
注意，实施方案8所示的有机化合物层471是只包含发光层的单层结构，但有机化合物层也可使用除发光层外还有例如空穴输运层、空穴注入层、电子输运层和电子注入层的结构。这种组合结构的不同实例已有报导，所有这样的结构都可使用。已知的材料可用作有机化合物层471。考虑到发光元件的驱动电压，最好使用有机材料作为已知材料。
接着制作阴极472。实施方案8所示者是用MgAg电极作为发光元件阴极的实例，但也可用其他已知材料。
于是具有图26B所示结构的有源矩阵衬底就制作完成了。注意，在制成第一垒层469和第二垒层470后，用多室法(或联机法)薄膜制作设备连续制作阴极472而不暴露大气是很有效的。
在实施方案8中，源区504、漏区505、Loff区506、Lov区507以及沟道形成区508都包含在开关TFT 501的半导体层中。制成Loff区506使之经栅极绝缘膜406不与栅电极421重叠。而制成Lov区507使之经栅极绝缘膜406与栅电极421重叠。这种结构对降低关态电流是极其有效的。
此外，在实施方案8中，开关TFT 501使用单栅结构，但本发明的开关TFT也可具有双栅结构或另一种类型的多栅结构。用双栅结构，两个TFT实际上是串联的，它具有进一步降低关态电流的优点。
另外，在实施方案8中开关TFT 501为n沟道TFT，但也可使用p沟道TFT。
电流控制TFT 502的半导体层包含源区510、漏区511、Lov区512以及沟道形成区513。制作Lov区使之经栅极绝缘膜406与栅电极422重叠。注意，在实施方案8中电流控制TFT 502没有Loff区，但也可使用有Loff区的结构。
另外，在实施方案8中电流控制TFT 502为p沟道TFT，但也可使用n沟道TFT。
注意，实施方案8的有源矩阵衬底，不仅在象素部分而且也在驱动电路部分安排了优化结构的TFT，因而表现了极高的可靠性，其工作特性也提高了。
首先，在构成驱动电路部分CMOS电路的n沟道TFT 503使用了减少热载流子而又使工作速度没有降低很多的结构。注意，在这里驱动电路包含诸如移位寄存器、缓冲器、电平移位器和取样电路(取样和保持电路)等电路。在进行数字驱动的情形也可包含信号转换电路如D/A转换电路。
在实施方案8中，CMOS电路n沟道TFT 503的半导体层包含源区521、漏区522、Lov区523及沟道形成区524。
另外，CMOS电路p沟道TFT 504的半导体层包含源区531、漏区532、Lov区533及沟道形成区534。
注意，实际上，在不暴露大气完成了图26B的整个工艺过程后，最好用高气密特性和出气少的保护膜(如叠层膜或紫外固化树脂膜)或用透明密封材料进行封装(密封)。另外，如果在密封材料里面充以惰性气体，并置有干燥剂(如氧化钡)，则可提高发光元件的可靠性。
此外，还装有连接件(柔性印刷电路，FPC)，以便经封装工艺提高气密性后，使衬底上制作的元件由电路的引线端与外部信号端相连。这样，就完成了产品的制作。这种可交付使用的状态在本说明书中称为发光器件。
如前面本发明制作过程所述，沟道长度方向栅电极的宽度(此后称为栅电极宽度)是不同的。因此，在用栅电极作掩模进行离子注入时，利用离子透入深度因栅电极厚度不同而有不同，可使第一栅电极下面半导体层中的离子浓度低于未在第一栅电极下面半导体层中的离子浓度。
另外，为了用掩模形成Loff区，只需用腐蚀控制Lov区的宽度。控制Lov区和Loff区的位置就变得容易了。
注意，虽然在实施方案8中说明的有机化合物层是向着衬底侧发光的实例，但本发明不限于此，也可使用一种结构，其有机化合物层朝着衬底上方发光。对于这种情形，发光元件的阴极成为象素电极，电流控制TFT最好为n沟道TFT。
注意，虽然在实施方案8中说明的是在一个象素中含有一个开关TFT和一个电流控制TFT的情形，但本发明不限于此。甚至一个象素含有三个或更多TFT也可用于此实施方案。
本发明制作发光器件的方法不限于实施方案8所述者，也可利用其他制作方法。
注意，可将实施方案8与实施方案1～7的任一个任意组合。
[实施方案9]
由本发明制作的发光器件与液晶显示器件相比，在亮处有优越的可视性，因为它是自发光型器件，且视角宽。因此，可用作各种电子学设备的显示部分。例如，将本发明的发光显示器件用于机箱中所装显示器件的对角线等于或大于30英寸(典型地等于或大于40英寸)的大屏幕电视广播系统作显示部分是合适的。本发明的发光器件可用作各种电子学设备的显示部分。
下面可给出这样的电子学设备的一些实例：摄像机、数码相机、风镜式显示器(头戴显示器)、车辆导航系统、音频重放设备(如汽车音响系统、音频合成系统)、笔记本电脑、游戏机、袖珍信息终端(如移动式计算机、移动电话、移动式游戏机或电子书籍)、带有记录媒体的图像重放设备(具体地讲，一种重放记录媒体并配有显示器可重放图像，例如数字视盘(DVD)的设备)。尤其是，由于袖珍信息终端常由侧向观看，视场宽阔是至关重要的。因此，最好使用发光器件。这些电子学设备的实例示于图27和28。
图27A为袖珍信息终端，包括显示板2701和操作板2702。显示板2701与操作板2702由连接件2703连接起来。在连接件2703处，显示板2701的显示部分2704表面与提供操作板2702的操作键2706的表面之间的夹角θ可任意改变。
显示板2701包含显示部分2704。而且，图27A所示的袖珍信息终端具有电话机的功能，显示板2701包含音频输出部分2705，使声音由之输出。本发明的发光器件可用作显示部分2704。
操作板2702包括操作键2706、电源开关2707、音频输入部分2708以及CCD接收部分2709。注意，虽然在图27A中操作键2706和电源开关2707是分开的，电源开关2707也可包含在操作键2706中。
声音由音频输入部分2707输入。袖珍信息终端接收由CCD接收部分2709输入的图像作为电子数据。
注意，虽然在图27A中显示板2701包含音频输出部分2705而操作板2702包含音频输入部分2708，但此实施方案不限于此。即，显示板2701包含音频输入部分2708和操作板2702包含音频输出部分2705。此外，音频输出部分2705和音频输入部分2708可置于显示板2701上，而且音频输出部分2705和音频输入部分2708也可置于操作板2702上。
注意，虽然在图27A中袖珍信息终端没有包括天线，如需要也可配备。
图27B为移动电话，包括主体2601、音频输出部分2602、音频输入部分2603、显示部分2604、操作开关2605、以及天线2606。本发明的发光器件可用作显示部分2604。显示部分2604在黑色背景上显示白色字符可降低移动电话的功耗。
由于可减小功耗，本发明的发光器件对于移动式电子学设备是很有效的。
图28A是带有发光器件的显示设备，包括框架2001、支座2002、以及显示部分2003等。本发明的发光器件可用作显示部分2003。发光器件是自发光型的，因此不需要底光。这样，其显示部分的厚度可比液晶显示器件薄。
图28B为摄像机，包括主体2101、显示部分2102、音频输入部分2103、操作开关2104、电池2105、以及图像接收部分2106等。本发明的发光器件可用作显示部分2102。
图28C为头戴式电子学设备的一部分(右半部)，包括主体2201、信号电缆2202、头带2203、屏幕部分2204、光学系统2205、以及显示部分2206等。本发明的发光器件可用作显示部分2206。
图28D为带有记录媒体的图像重放设备(更具体地，一种DVD重放设备)，包括主体2301、记录媒体(DVD等)2302、操作开关2303、显示部分(a)2304、以及另一显示部分(b)2305等。显示部分(a)2304主要用于显示图像信息，而显示部分(b)2305主要用于显示字符信息。本发明的发光器件可用作这些显示部分2304(a)和2305(b)。带有记录媒体的图像重放设备还包括家用游戏机等。
图28E为风镜式显示器(头戴式显示器)，包括主体2401、显示部分2402、以及头带部分2403。本发明的发光器件可用作显示部分2402。
图28F为个人电脑，包括主体2501、框架2502、显示部分2503、以及键盘2504等。本发明的发光器件可用作显示部分2503。
注意，如果将来有机材料的发光亮度提高，含输出图像信息的光由透镜等放大而投射出去，可用于正投式或背投式投影仪。
上述的电子学设备很可能用于显示由远距离通讯途径如因特网、CATV(有线电视系统)等发布的信息，尤其可用于显示运动画面信息。发光器件适于显示运动画面，因为有机材料可具有高响应速度。
由于发光器件的发光部分消耗能量，因此希望这样来显示信息，使其中的发光部分尽量变小。因此，当发光器件用于主要显示字符信息的显示部分时，如袖珍信息终端，尤其是移动电话或车辆音频重放设备的显示部分，希望驱动发光显示器件使得发光部分构成字符信息，而不发光部分相当于背景。
如上所述，本发明可广泛用于所有领域的各种电子学设备。注意，可将实施方案9与实施方案1～8的任一个任意组合。
[实施方案10]
在此实施方案中，将对本发明第三种结构的一种更具体的结构以及亮度随温度的变化用测量值加以说明。
图29A表示用作监视器的发光元件的连接状况，它包含有本实施方案的发光器件。参考数字702、703、704和705分别代表缓冲放大器、发光监视元件、恒流源、以及象素部分的一个发光元件。
图29A示出了电流控制TFT(未示出)处于“开通”状态，且电流控制TFT直接连接象素部分发光元件705的象素电极与电源线701的情况。
又，在图29A中，虽然象素部分发光元件705的阳极用作象素电极，但此实施方案不限于这种结构。阴极也可用作象素电极。
此实施方案的恒流源704含有一个放大器、一只可变电阻器和一只双极晶体管。符号V1和V2代表施加的预定电压，并满足一定的关系(施加于阳极的电压＜V2＜V1)。施加于阳极的电压V2及V1之间的关系是可变的，取决于是用阳极作为象素电极还是用阴极作为象素电极。为使正向偏置电流流入发光元件，可适当地设置施加于阳极的电压V2及V1之间的关系。再者，恒流源704不限于图29A所示的结构，也可使用熟知的恒流源。
恒流源704的输出端与发光监视元件703的象素电极相连。当象素部分的发光元件705的阳极用作象素电极时，发光监视元件703的阳极也用作象素电极，反之，当象素部分的发光元件705的阴极用作象素电极时，发光监视元件703的阴极也用作象素电极。在图29A中，发光监视元件703的阳极用作象素电极。
当恒流源704的输出端与发光监视元件703的象素电极相连时，就有电流流入发光监视元件703，其值总保持不变。于是，当发光元件的有机化合物层温度改变时，虽然流过发光监视元件703的电流不变，但与恒流源704相连的发光监视元件703象素电极的电压改变。
另一方面，缓冲放大器702有两个输入端和一个输出端，两个输入端中一个是非反相输入端(+)，另一个是反相输入端(-)。发光监视元件703的象素电极电压供给缓冲放大器702的非反相输入端。
缓冲放大器702是抑制与恒流源704相连的发光监视元件703象素电极电压随负载如电源线701的引线电容等而变化的电路。于是，供给缓冲放大器702非反相输入端的电压是由输出端输出的不随负载如电源线701的引线电容等而变的，它也供给象素部分发光元件705的象素电极。结果，流过发光监视元件703的电流等于流过象素部分发光元件705的电流。
于是，即使发光监视元件703或象素部分发光元件705的有机化合物层温度因环境温度变化而改变，流过每个发光元件的电流是不变的。这样，即使发光器件的环境温度升高，也可抑制发光器件功耗的增长。
图29B表示具有图29A所示结构的发光器件象素部分发光元件705的亮度测量值随温度的变化。其中(修正的)曲线是本发明发光器件的测量值，而(未修正的)曲线是不具有本发明第三种结构的发光器件的测量值。
从图29A可以明了，对于(未修正的)曲线，亮度随温度的升高而增大。然而，对于(修正的)曲线，即使温度升高，亮度几乎保持不变。由于电流和亮度成正比关系，本发明的发光器件即使温度升高，电流也可保持不变，因而可抑制功耗的增大。
再者，发光元件有机发光层的退化会引起亮度减弱。这里，如果引起的退化程度相同，在阴极和阳极间流过的电流保持不变时亮度的减弱要比在阴极和阳极间施加的电压保持不变时为小。这样，由于在本发明的发光器件中流过发光元件的电流保持不变，可抑制因退化而致的亮度减弱。
就其工作效果而言，此实施方案可与实施方案1～9的结构任意组合。
如上所述，按照本发明的第一种结构，流过发光元件的电流幅度可得到某种程度的抑制，因而减小了发光器件的功耗。按照本发明的第二种结构，减少了输入象素的数字视频信号位数，因此，减少了需由源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路写入数字视频信号的数目。这样，可减小源极信号线驱动电路和栅极信号线驱动电路的功耗，所以降低了发光器件的功耗。按照本发明的第三种结构，即使有机化合物层的温度改变，流过象素发光元件的电流幅度也保持不变。这样，即使发光器件的环境温度升高，也可防止发光器件的功耗增大，因而可保持亮度不变。
按照本发明上述的第一、第二和第三种结构，可以抑制发光器件以及使用发光器件的电子学设备的功耗。应注意，虽然可包含第一至第三种结构中的两种或全部，但本发明只需包含第一至第三种结构中的一种。

Claims (49)

1.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件，
其中，因为发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
2.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件，
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
3.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件，
其中，因为发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度的减弱可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
4.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件，
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的增加，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
5.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件；以及
与监控发光元件电气连接的一个恒流电源，
其中，因为发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
6.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件；以及
与监控发光元件电气连接的一个恒流电源，
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
7.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件；以及
与监控发光元件电气连接的一个恒流电源，
其中，因为发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度的减弱可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
8.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件；以及
与监控发光元件电气连接的一个恒流电源，
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的增加，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
9.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端与所述至少一个发光元件电气相连，以及
其中，因为发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
10.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端与所述至少一个发光元件电气相连，以及
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
11.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端与所述至少一个发光元件电气相连，以及
其中，因为发光材料退化而引起的所述至少一个发光元件的亮度的减弱可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
12.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端与所述至少一个发光元件电气相连，以及
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的增加，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
13.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端通过电源线与所述至少一个发光元件电气相连，以及
其中，因为发光材料退化而引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
14.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端通过电源线与所述至少一个发光元件电气相连，以及
其中，因为发光材料的温度变化而引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
15.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端通过电源线与所述至少一个发光元件电气相连，以及
其中，因为发光材料退化而引起的所述至少一个发光元件的亮度的减弱可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
16.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端通过电源线与所述至少一个发光元件电气相连，以及
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的增加，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
17.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件，
其中，因为发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
18.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件，
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
19.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件，
其中，因为发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度的减弱可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
20.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件，
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的增加，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
21.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件；以及，
与监控发光元件电气连接的一个恒流电源，
其中，因为发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
22.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件；以及，
与监控发光元件电气连接的一个恒流电源，
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
23.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件；以及，
与监控发光元件电气连接的一个恒流电源，
其中，因为发光材料退化而引起的所述至少一个发光元件的亮度的减弱可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
24.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；
通过电源线与所述至少一个发光元件电气连接的监控发光元件；以及，
与监控发光元件电气连接的一个恒流电源，
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的增加，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
25.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端与所述至少一个发光元件电气相连，
其中，因为发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
26.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端与所述至少一个发光元件电气相连，
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
27.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端与所述至少一个发光元件电气相连，
其中，因为发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度的减弱可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
28.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端与所述至少一个发光元件电气相连，
其中，因为发光材料的温度改变引起的所述至少一个发光元件的亮度的增加，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
29.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端通过电源线与所述至少一个发光元件电气相连，
其中，因为发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
30.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端通过电源线与所述至少一个发光元件电气相连，
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的改变，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
31.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端通过电源线与所述至少一个发光元件电气相连，
其中，因为发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度的减弱可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
32.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
一个缓冲放大器，一个监控发光元件和一个恒流电源，
其中监控发光元件和恒流电源与缓冲放大器的一个输入端电气相连，
其中缓冲放大器的一个输出端通过电源线与所述至少一个发光元件电气相连，
其中，因为发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度的增加，可以通过监控发光元件的使用得到抑制。
其中，流入监控发光元件的电流的大小与流入所述至少一个发光元件的电流相等同。
33.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
用于抑制因发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度改变的装置。
34.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
用于抑制因发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度改变的装置。
35.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
用于抑制因发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度减弱的装置。
36.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
用于抑制因发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度增加的装置。
37.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
用于抑制因发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度改变的装置，该装置通过电源线与所述至少一个发光元件电气相连。
38.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
用于抑制因发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度改变的装置，该装置通过电源线与所述至少一个发光元件电气相连。
39.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
用于抑制因发光材料退化引起的所述至少一个发光元件的亮度改减弱的装置，该装置通过电源线与所述至少一个发光元件电气相连。
40.一种显示设备，包括：
在衬底之上形成的象素部件，象素部件具有至少一个发光元件，其中所述至少一个发光元件包括第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极之间放有发光材料；以及
用于抑制因发光材料的温度改变而引起的所述至少一个发光元件的亮度增加的装置，该装置通过电源线与所述至少一个发光元件电气相连。
41.根据权利要求5-16和21-32中的任何一个的显示设备，其中恒流电源包括一个放大器，一个可变电阻器和一个双极晶体管。
42.根据权利要求1-32中的任何一个的显示设备，其中监控发光元件的被独立地提供给是独立于象素部件的。
43.根据权利要求1-32中的任何一个的显示设备，其中监控发光元件包括在象素部件内。
44.根据权利要求5-16和21-32中的任何一个的显示设备，其中恒流电源形成于集成电路芯片之上。
45.根据权利要求9-16和25-32中的任何一个的显示设备，其中缓冲放大器形成于集成电路芯片之上。
46.根据权利要求33-40中的任何一个的显示设备，其中该装置包括至少一个监控发光元件，一个恒流电源和一个缓冲放大器。
47.根据权利要求1-40中的任何一个的显示设备，其中发光材料包括有机化合物。
48.根据权利要求1-40中的任何一个的显示设备，其中显示设备是EL显示设备。
49.根据权利要求1-40中的任何一个的显示设备，其中显示设备与从包含一个便携式电话，视频摄像机，数码相机，护眼镜显示器，图象重现仪和个人计算机的组中选出的至少其中之一相结合。
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