JP2682886B2 - 表示装置の駆動方法 - Google Patents
表示装置の駆動方法Info
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
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- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
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- G09G2310/00—Command of the display device
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、エレクトロルミネッセンス（略称EL）表示
装置のような交流駆動型容量性フラットマトリクスディ
スプレイパネル（以下、薄膜EL表示装置と呼ぶ）などの
表示装置の駆動方法に関する。
装置のような交流駆動型容量性フラットマトリクスディ
スプレイパネル（以下、薄膜EL表示装置と呼ぶ）などの
表示装置の駆動方法に関する。
従来の技術 例えば、二重絶縁型（または３層構造）薄膜EL素子は
次のように構成される。
次のように構成される。
第８図に示すように、ガラス基板１の上にIn2O3から
なる帯状の透明電極２を平行に設け、この上に例えばY2
O3,Si3N4,TiO3,Al2O3などの誘電物質層３、Mnなどの活
性剤をドープしたZnSなどからなるEL層４および上述し
たのと同じY2O3,Si3N4,TiO3,Al2O3などの誘電物質層3a
を蒸着法、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて
順次500〜1000Åの膜厚に積層して３層構造にし、その
上に上記透明電極２と直交する方向にAlよりなる帯状の
背面電極５を平行に設ける。
なる帯状の透明電極２を平行に設け、この上に例えばY2
O3,Si3N4,TiO3,Al2O3などの誘電物質層３、Mnなどの活
性剤をドープしたZnSなどからなるEL層４および上述し
たのと同じY2O3,Si3N4,TiO3,Al2O3などの誘電物質層3a
を蒸着法、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて
順次500〜1000Åの膜厚に積層して３層構造にし、その
上に上記透明電極２と直交する方向にAlよりなる帯状の
背面電極５を平行に設ける。
上記薄膜EL素子は、その電極間に誘電物質3,3aで挟持
されたEL層４を介在させたものであるから、等価回路的
には容量性素子と見ることができる。また、この薄膜EL
素子は第９図に参照符loで示す電圧−輝度特性曲線から
明らかなように、200V程度の比較的高電圧を印加して駆
動される。
されたEL層４を介在させたものであるから、等価回路的
には容量性素子と見ることができる。また、この薄膜EL
素子は第９図に参照符loで示す電圧−輝度特性曲線から
明らかなように、200V程度の比較的高電圧を印加して駆
動される。
上記薄膜EL素子を表示パネルとする薄膜EL表示装置で
は、薄膜EL素子の透明電極２および背面電極５のいずれ
か一方を走査側電極、他方をデータ側電極とし、Ｎチャ
ネル高耐圧MOS（Metarl Oxide Semi-conductor）ドライ
バIC（Integrated Circuit集積回路）およびＰチャネル
高耐圧MOSドライバICからなる走査側駆動回路によって
線順次に選択された走査側電極に書込み電圧を印加する
と同時に、同じくＮチャネル高耐圧MOSドライバICおよ
びＰチャネル高耐圧MOSドライバICからなるデータ側駆
動回路によってデータ側電極に発光・非発光を決める表
示データに応じた変調電圧を印加することによって表示
駆動が行われる。
は、薄膜EL素子の透明電極２および背面電極５のいずれ
か一方を走査側電極、他方をデータ側電極とし、Ｎチャ
ネル高耐圧MOS（Metarl Oxide Semi-conductor）ドライ
バIC（Integrated Circuit集積回路）およびＰチャネル
高耐圧MOSドライバICからなる走査側駆動回路によって
線順次に選択された走査側電極に書込み電圧を印加する
と同時に、同じくＮチャネル高耐圧MOSドライバICおよ
びＰチャネル高耐圧MOSドライバICからなるデータ側駆
動回路によってデータ側電極に発光・非発光を決める表
示データに応じた変調電圧を印加することによって表示
駆動が行われる。
その表示駆動においては、薄膜EL素子が容量性素子で
あることを考慮して走査側電極にシャーシなどの接地電
位に対して正極性の書込み電圧を印加するＰ駆動と、負
極性の書込み電圧を印加するＮ駆動とをフレーム毎に交
互に行う交流駆動が採用される。
あることを考慮して走査側電極にシャーシなどの接地電
位に対して正極性の書込み電圧を印加するＰ駆動と、負
極性の書込み電圧を印加するＮ駆動とをフレーム毎に交
互に行う交流駆動が採用される。
第12図は、その従来の駆動方法が適用される薄膜EL表
示装置の構成の一例を示す回路図である。この表示装置
は発光しきい電圧Vw（＝190V）の薄膜EL素子を表示パネ
ル10とし、その表示パネル10のＸ方向の電極はデータ側
電極を示し、Ｙ方向の電極は走査側電極を示している。
示装置の構成の一例を示す回路図である。この表示装置
は発光しきい電圧Vw（＝190V）の薄膜EL素子を表示パネ
ル10とし、その表示パネル10のＸ方向の電極はデータ側
電極を示し、Ｙ方向の電極は走査側電極を示している。
走査側Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30および走
査側Ｐチャネル高耐圧MOSドライバIC40,50は、上述した
走査側駆動回路を構成する回路である。
査側Ｐチャネル高耐圧MOSドライバIC40,50は、上述した
走査側駆動回路を構成する回路である。
データ側ドライバIC160は上述したデータ側駆動回路
を構成する回路である。
を構成する回路である。
ソース電位切換え回路80Aは、上記走査側Ｐチャネル
高耐圧MOSドライバIC40,50の全ＰチヤネルMOSトランジ
スタPT1〜PTiのソース電位を正極性の書込み電圧Vw＋1/
2Vm（＝220V）と0Vとに切換えるための回路である。
高耐圧MOSドライバIC40,50の全ＰチヤネルMOSトランジ
スタPT1〜PTiのソース電位を正極性の書込み電圧Vw＋1/
2Vm（＝220V）と0Vとに切換えるための回路である。
ソース電位切換え回路90Aは、上記走査側Ｎチヤネル
高耐圧MOSドライバIC20,30の全ＮチャネルMOSトランジ
スタNT1〜NTiのソース電位を負極性の書込み電圧−（Vw
-1/2Vm）（＝−160V）と0Vとに切換えるための回路であ
る。
高耐圧MOSドライバIC20,30の全ＮチャネルMOSトランジ
スタNT1〜NTiのソース電位を負極性の書込み電圧−（Vw
-1/2Vm）（＝−160V）と0Vとに切換えるための回路であ
る。
データ反転回路100は、データ側ドライバIC160に入力
されるデータDATAを制御信号RVC1によって反転処理する
ための回路であり、排他的論理和ゲートなどによって構
成されている。
されるデータDATAを制御信号RVC1によって反転処理する
ための回路であり、排他的論理和ゲートなどによって構
成されている。
上記薄膜EL表示装置に適用される従来の駆動方法で
は、Ｐ駆動時の書込み電圧として発光しきい電圧にほぼ
相当する電圧Vw（＝＋190V）に一定電圧1/2Vmを加えた
電圧Vw＋1/2Vmが設定され、Ｎ駆動時の書込み電圧とし
て負極性の一定電圧−（Vw-1/2Vm）が設定される。ま
た、この場合の電圧Vmとして60Vが設定される。したが
つてＰ駆動時の書込み電圧は、 Vw＋1/2Vm＝190V＋1/2×60V＝220V …（１） であり、Ｎ駆動時の書込み電圧は、 −（Vw-1/2Vm）＝−190V＋1/2×60V＝−160V…（２） である。
は、Ｐ駆動時の書込み電圧として発光しきい電圧にほぼ
相当する電圧Vw（＝＋190V）に一定電圧1/2Vmを加えた
電圧Vw＋1/2Vmが設定され、Ｎ駆動時の書込み電圧とし
て負極性の一定電圧−（Vw-1/2Vm）が設定される。ま
た、この場合の電圧Vmとして60Vが設定される。したが
つてＰ駆動時の書込み電圧は、 Vw＋1/2Vm＝190V＋1/2×60V＝220V …（１） であり、Ｎ駆動時の書込み電圧は、 −（Vw-1/2Vm）＝−190V＋1/2×60V＝−160V…（２） である。
一方、変調電圧については、発光表示に相当する変調
電圧としてＰ駆動時には0V、Ｎ駆動時にはVm（＝60V）
の電圧が設定され、また非発光表示に相当する変調電圧
としてＰ駆動時にはVm（＝60V）、Ｎ駆動時には0Vの電
圧が設定される。したがって、絵素には走査側電極の電
位を基準にして発光表示におけるＰ駆動時に、 Vm＋1/2Vm-0V＝190V＋1/2×60V＝220V …（３） の電圧が印加され、Ｎ駆動時に、 −（Vw-1/2Vm）‐Vm＝−（Vw＋1/2Vm）＝−（190V＋30
V）＝−220V …（４） の電圧が印加される。また、非発光表示におけるＰ駆動
時に、 Vw＋1/2Vm-Vm＝Vw-1/2Vm＝190V-30V＝160V …（５） の電圧が印加され、Ｎ駆動時に、 −（Vw-1/2Vm）‐0V＝−（Vw-1/2Vm）＝−（190V-30V）
＝−160V …（６） の電圧が印加される。第９図では、上記各電圧Vw,（Vw
＋1/2Vm），（Vw-1/2Vm）を印加電圧を示す横軸の対応
する電圧値の位置に付記している。
電圧としてＰ駆動時には0V、Ｎ駆動時にはVm（＝60V）
の電圧が設定され、また非発光表示に相当する変調電圧
としてＰ駆動時にはVm（＝60V）、Ｎ駆動時には0Vの電
圧が設定される。したがって、絵素には走査側電極の電
位を基準にして発光表示におけるＰ駆動時に、 Vm＋1/2Vm-0V＝190V＋1/2×60V＝220V …（３） の電圧が印加され、Ｎ駆動時に、 −（Vw-1/2Vm）‐Vm＝−（Vw＋1/2Vm）＝−（190V＋30
V）＝−220V …（４） の電圧が印加される。また、非発光表示におけるＰ駆動
時に、 Vw＋1/2Vm-Vm＝Vw-1/2Vm＝190V-30V＝160V …（５） の電圧が印加され、Ｎ駆動時に、 −（Vw-1/2Vm）‐0V＝−（Vw-1/2Vm）＝−（190V-30V）
＝−160V …（６） の電圧が印加される。第９図では、上記各電圧Vw,（Vw
＋1/2Vm），（Vw-1/2Vm）を印加電圧を示す横軸の対応
する電圧値の位置に付記している。
ところで、第12図に例示される表示装置では、外部か
ら入力される垂直同期信号Ｖおよび水平同期信号Ｈの２
つの同期信号に応じて駆動している。すなわち、各走査
電極は水平同期信号Ｈに同期して上述したＰ駆動または
Ｎ駆動を線順次に行い、全ての走査電極が線順次に駆動
をおえて１フレームを構成する。垂直同期信号Ｖは、通
常、１フレームの始まりを示し、この信号に同期して１
フレームの駆動が開始される。各走査側電極は線順次に
Ｐ駆動またはＮ駆動を１フレームに１回行うが、EL表示
素子10では印加される電圧が交番することが必要で、あ
る走査電極について２フレームで交流サイクルを閉じる
ようにＰ駆動およびＮ駆動が交互に実施される。これに
は、１フレーム内で全ての走査電極が線順次に一方の極
性の駆動を行う方法（フィールド反転駆動）や、１走査
ライン毎に極性を反転して行う方法（ライン反転駆動）
などが提案されている。
ら入力される垂直同期信号Ｖおよび水平同期信号Ｈの２
つの同期信号に応じて駆動している。すなわち、各走査
電極は水平同期信号Ｈに同期して上述したＰ駆動または
Ｎ駆動を線順次に行い、全ての走査電極が線順次に駆動
をおえて１フレームを構成する。垂直同期信号Ｖは、通
常、１フレームの始まりを示し、この信号に同期して１
フレームの駆動が開始される。各走査側電極は線順次に
Ｐ駆動またはＮ駆動を１フレームに１回行うが、EL表示
素子10では印加される電圧が交番することが必要で、あ
る走査電極について２フレームで交流サイクルを閉じる
ようにＰ駆動およびＮ駆動が交互に実施される。これに
は、１フレーム内で全ての走査電極が線順次に一方の極
性の駆動を行う方法（フィールド反転駆動）や、１走査
ライン毎に極性を反転して行う方法（ライン反転駆動）
などが提案されている。
発明が解決しようとする課題 ところで、薄膜EL素子は上述したように容量性素子で
あるから、各走査側電極Ｙが線順次に選択駆動される毎
に、全データ側電極Ｘに表示データに応じた0VまたはVm
の変調電圧が印加されて充放電を繰返すことになり、多
大な変調電力が消費されるという問題点がある。
あるから、各走査側電極Ｙが線順次に選択駆動される毎
に、全データ側電極Ｘに表示データに応じた0VまたはVm
の変調電圧が印加されて充放電を繰返すことになり、多
大な変調電力が消費されるという問題点がある。
すなわち、一般的に容量Ｃの容量素子に対して、充電
電圧Ｖで単位時間当たりｆ回充放電を繰返す場合に消費
される電力Ｐは、 Ｐ＝ｆ・Ｃ・V2 …（７） で与えられるので、同様に上述した従来の駆動方法にお
いて表示パネル10の容量をＣ、単位時間当たりデータ側
電極Ｘに繰返し印加される変調電圧Vmの回数をｆとする
と、その変調電圧Vmの充放電によって消費される電力つ
まり変調電力Pmは、 Pm＝ｆ・Ｃ・Vm2 …（８） となる。
電圧Ｖで単位時間当たりｆ回充放電を繰返す場合に消費
される電力Ｐは、 Ｐ＝ｆ・Ｃ・V2 …（７） で与えられるので、同様に上述した従来の駆動方法にお
いて表示パネル10の容量をＣ、単位時間当たりデータ側
電極Ｘに繰返し印加される変調電圧Vmの回数をｆとする
と、その変調電圧Vmの充放電によって消費される電力つ
まり変調電力Pmは、 Pm＝ｆ・Ｃ・Vm2 …（８） となる。
この問題を解決するために、変調電圧Vmの電圧レベル
を段階的に上昇させるステップ駆動と呼ばれる駆動方法
やその他の駆動方法がこれまでにも提案されてきたが、
いずれの駆動方法も変調電力を十分低減することができ
ない。
を段階的に上昇させるステップ駆動と呼ばれる駆動方法
やその他の駆動方法がこれまでにも提案されてきたが、
いずれの駆動方法も変調電力を十分低減することができ
ない。
１つの走査側電極Ｙ、たとえばY1に書込み電圧が印加
されているとき、残余の走査側電極Y2〜Yiのためのトラ
ンジスタPT2〜PTiおよびトランジスタNT2〜NTiは遮断し
ており、したがってこれら残余の走査側電極Y2〜Yiはい
わばフローティング状態となっている。したがってこの
書込み電圧が印加されている走査側電極Y1における容量
Ｃに起因した表示電力Ｐは比較的わずかである。これに
対してデータ側電極Ｘは、上述のように0VまたはVmのい
ずれかの変調電圧が上述のように常時印加されており、
そのため全てのデータ側電極Ｘと全ての走査側電極Ｙと
の間の容量Ｃによって、前記変調電力Pmが大きい。した
がってこの変調電力Pmを減少することが、表示装置全体
の表示電力を低減するために有効である。
されているとき、残余の走査側電極Y2〜Yiのためのトラ
ンジスタPT2〜PTiおよびトランジスタNT2〜NTiは遮断し
ており、したがってこれら残余の走査側電極Y2〜Yiはい
わばフローティング状態となっている。したがってこの
書込み電圧が印加されている走査側電極Y1における容量
Ｃに起因した表示電力Ｐは比較的わずかである。これに
対してデータ側電極Ｘは、上述のように0VまたはVmのい
ずれかの変調電圧が上述のように常時印加されており、
そのため全てのデータ側電極Ｘと全ての走査側電極Ｙと
の間の容量Ｃによって、前記変調電力Pmが大きい。した
がってこの変調電力Pmを減少することが、表示装置全体
の表示電力を低減するために有効である。
したがって本発明の目的は、上述した変調電力を大幅
に低減できる表示装置の駆動方法を提供することであ
る。
に低減できる表示装置の駆動方法を提供することであ
る。
課題を解決するための手段 本発明は、互いに交差する方向に配列した複数の走査
側電極と複数のデータ側電極との間に誘電層を介在さ
せ、データ側電極には発光表示・非発光表示に対応する
変調電圧を印加し、走査側電極には書込み電圧を線順次
に印加することによって、走査側電極とデータ側電極の
交差部からなる各絵素に対して発光表示時には絵素の発
光しきい電圧を越える電圧を印加し、非発光時には発光
しきい電圧以下の電圧を印加して駆動するようにした表
示装置の駆動方法において、 各走査側電極に書込み電圧が印加されている各期間W1
2中に、 書込み電圧の正および負の極性を、単一回または複数
回、反転し、 発光しきい値電圧をVwとし、変調電圧をVmaとすると
き、 正の書込み電圧を（Vw＋Vma/2）に定め、負の書込み
電圧を−（Vw-Vma/2）に定め、 データ側電極への印加電圧を、走査側電極への正の書
込み電圧の印加時に、発光のために零としかつ非発光の
ために変調電圧Vmaとし、 走査側電極への負の書込み電圧の印加時に、発光のた
めに変調電極Vmaとしかつ非発光のために零とし、 書込み電圧の極性の反転時に、書込み電圧およびデー
タ側電極への印加電圧をいずれも零にする期間を設ける
ことを特徴とする表示装置の駆動方法である。
側電極と複数のデータ側電極との間に誘電層を介在さ
せ、データ側電極には発光表示・非発光表示に対応する
変調電圧を印加し、走査側電極には書込み電圧を線順次
に印加することによって、走査側電極とデータ側電極の
交差部からなる各絵素に対して発光表示時には絵素の発
光しきい電圧を越える電圧を印加し、非発光時には発光
しきい電圧以下の電圧を印加して駆動するようにした表
示装置の駆動方法において、 各走査側電極に書込み電圧が印加されている各期間W1
2中に、 書込み電圧の正および負の極性を、単一回または複数
回、反転し、 発光しきい値電圧をVwとし、変調電圧をVmaとすると
き、 正の書込み電圧を（Vw＋Vma/2）に定め、負の書込み
電圧を−（Vw-Vma/2）に定め、 データ側電極への印加電圧を、走査側電極への正の書
込み電圧の印加時に、発光のために零としかつ非発光の
ために変調電圧Vmaとし、 走査側電極への負の書込み電圧の印加時に、発光のた
めに変調電極Vmaとしかつ非発光のために零とし、 書込み電圧の極性の反転時に、書込み電圧およびデー
タ側電極への印加電圧をいずれも零にする期間を設ける
ことを特徴とする表示装置の駆動方法である。
作用 本発明に従えば、たとえばELなどの表示装置におい
て、複数の走査側電極と複数のデータ側電極とがマトリ
クス状に互いに交差しており、それらの走査側電極とデ
ータ側電極との間に誘電層が介在されており、データ側
電極には変調電圧が印加され、走査側電極には書込み電
圧が線順次に印加され、発光表示される絵素に対応した
走査側電極とデータ側電極の交差部には、発光しきい電
圧を越える一定電圧を印加し、このようにして各走査側
電極に書込み電圧が印加されている期間中に、発光表示
すべき絵素に対応した走査側電極とデータ側電極との間
に印加される電圧の極性を単一回または複数回、反転す
る。これによって希望する輝度を得るための変調電圧Vm
aを低くして、変調電力Pmの低減を図ることができる。
また、これとともに走査側電極に印加する書込み電圧を
低くすることも可能であり、これによって走査側電極の
駆動時における消費電力の低減を図ることができる。
て、複数の走査側電極と複数のデータ側電極とがマトリ
クス状に互いに交差しており、それらの走査側電極とデ
ータ側電極との間に誘電層が介在されており、データ側
電極には変調電圧が印加され、走査側電極には書込み電
圧が線順次に印加され、発光表示される絵素に対応した
走査側電極とデータ側電極の交差部には、発光しきい電
圧を越える一定電圧を印加し、このようにして各走査側
電極に書込み電圧が印加されている期間中に、発光表示
すべき絵素に対応した走査側電極とデータ側電極との間
に印加される電圧の極性を単一回または複数回、反転す
る。これによって希望する輝度を得るための変調電圧Vm
aを低くして、変調電力Pmの低減を図ることができる。
また、これとともに走査側電極に印加する書込み電圧を
低くすることも可能であり、これによって走査側電極の
駆動時における消費電力の低減を図ることができる。
しかも本発明に従えば、各走査側電極に書込み電圧が
印加されている期間中に、発光表示すべき絵素に対応し
た表示側電極とデータ側電極との間に印加される電圧の
極性を単一回または複数回、反転して駆動するようにし
たので、変調電圧または書込み電圧を低くして、しかも
希望する発光輝度を得ることができ、あるいはまたその
ような変調電圧または書込み電圧を低くすることなし
に、発光輝度の一層の向上を図ることが可能である。す
なわち本発明では、誘電層の発光しきい値電圧をVwと
し、このたとえば後述の実施例ではVw＝190Vであり、変
調電圧をVmaとし、たとえば後述の実施例ではVma＝30V
とし、正の書込み電圧を（Vw＋Vma/2）として走査側電
極に印加しているとき、（ａ）データ側電極への変調電
圧を零とし、これによって発光表示すべき絵素に対応し
た走査側電極とデータ側電極との間に印加される電圧
を、（Vw＋Vma/2）として正とし、（ｂ）また負の書込
み電圧−（Vw-Vma/2）として負として、走査側電極に印
加するとともに、データ側電極には、変調電圧Vmaを印
加して、発光表示すべき絵素に対応した走査側電極とデ
ータ側電極との間に、−（Vw＋Vma/2）を負極性で与え
て駆動する。
印加されている期間中に、発光表示すべき絵素に対応し
た表示側電極とデータ側電極との間に印加される電圧の
極性を単一回または複数回、反転して駆動するようにし
たので、変調電圧または書込み電圧を低くして、しかも
希望する発光輝度を得ることができ、あるいはまたその
ような変調電圧または書込み電圧を低くすることなし
に、発光輝度の一層の向上を図ることが可能である。す
なわち本発明では、誘電層の発光しきい値電圧をVwと
し、このたとえば後述の実施例ではVw＝190Vであり、変
調電圧をVmaとし、たとえば後述の実施例ではVma＝30V
とし、正の書込み電圧を（Vw＋Vma/2）として走査側電
極に印加しているとき、（ａ）データ側電極への変調電
圧を零とし、これによって発光表示すべき絵素に対応し
た走査側電極とデータ側電極との間に印加される電圧
を、（Vw＋Vma/2）として正とし、（ｂ）また負の書込
み電圧−（Vw-Vma/2）として負として、走査側電極に印
加するとともに、データ側電極には、変調電圧Vmaを印
加して、発光表示すべき絵素に対応した走査側電極とデ
ータ側電極との間に、−（Vw＋Vma/2）を負極性で与え
て駆動する。
こうして本発明では、誘電層の発光素子に対しては正
負いずれの波形ともその絶対値は（Vw＋Vma/2）であ
り、非発光に対しては正負いずれの印加波形ともその絶
対値は（Vw-Vma/2）であって、両極性が対称の波形を印
加することになる。
負いずれの波形ともその絶対値は（Vw＋Vma/2）であ
り、非発光に対しては正負いずれの印加波形ともその絶
対値は（Vw-Vma/2）であって、両極性が対称の波形を印
加することになる。
さらに本発明に従えば、後述の第２図におけるデータ
側電極X2および走査側電極Y1の各波形から明らかなよう
に、書込み電圧の正から負への極性の反転時および負か
ら正への極性の反転時には、書込み電圧を零にするとと
もに、データ側電極への印加電圧を零にする期間を設け
る。これによってこれらの電極を駆動する素子の耐電圧
を、低くして本発明を実施することが可能になる。
側電極X2および走査側電極Y1の各波形から明らかなよう
に、書込み電圧の正から負への極性の反転時および負か
ら正への極性の反転時には、書込み電圧を零にするとと
もに、データ側電極への印加電圧を零にする期間を設け
る。これによってこれらの電極を駆動する素子の耐電圧
を、低くして本発明を実施することが可能になる。
実施例 第１図は本発明の一実施例である駆動方法が適用され
る表示装置の概略的な構成を示す回路図である。この表
示装置は発光しきい電圧Vw（＝190V）の薄膜EL素子を表
示パネル10とする薄膜EL表示装置であって、その表示パ
ネル10については図ではＸ方向の電極をデータ側電極と
しＹ方向の電極を走査側電極として電極のみを示してい
る。
る表示装置の概略的な構成を示す回路図である。この表
示装置は発光しきい電圧Vw（＝190V）の薄膜EL素子を表
示パネル10とする薄膜EL表示装置であって、その表示パ
ネル10については図ではＸ方向の電極をデータ側電極と
しＹ方向の電極を走査側電極として電極のみを示してい
る。
走査側Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30は、走査
側電極の奇数ラインおよび偶数ラインにそれぞれ対応付
けられるプルダウン駆動回路であり、プルダウンスイッ
チング素子であるＮチャネルMOSトランジスタNT1〜NTi
やシフトレジスタなどの論理回路21,31が含まれる。
側電極の奇数ラインおよび偶数ラインにそれぞれ対応付
けられるプルダウン駆動回路であり、プルダウンスイッ
チング素子であるＮチャネルMOSトランジスタNT1〜NTi
やシフトレジスタなどの論理回路21,31が含まれる。
走査側Ｐチャネル高耐圧MOSドライバIC40,50は、走査
側電極の奇数ラインおよび偶数ラインにそれぞれ対応付
けられるプルアップ駆動回路であって、プルアップスイ
ッチング素子であるＰチャネルMOSトランジスタPT1〜PT
iやシフトレジスタなどの論理回路31,41が含まれる。
側電極の奇数ラインおよび偶数ラインにそれぞれ対応付
けられるプルアップ駆動回路であって、プルアップスイ
ッチング素子であるＰチャネルMOSトランジスタPT1〜PT
iやシフトレジスタなどの論理回路31,41が含まれる。
データ側ドライバIC60は、データ側電極に対応付けら
れるプッシュプル駆動回路であって、一方の端子を電圧
が1/2Vm（＝30V）の電源側に接続したプルアップ機能を
有するトランジスタUT1〜UTi、一方の端子を接地したプ
ルダウン機能を有するトランジスタDT1〜DTi、これらの
トランジスタと逆方向に電流を流すためのダイオードUD
1〜UDi,DD1〜DDiおよび上記各トランジスタをオン・オ
フ制御するシフトレジスタなどの論理回路70およびデー
タ反転コントロール回路EX1〜EXiが含まれる。データ反
転コントロール回路EX1〜EXiは、シフトレジスタなどの
論理回路70から出力されるトランジスタUT1〜UTiおよび
DT1〜DTiのオン、オフを制御する表示データ信号D1〜Di
を、制御信号RVCによって反転処理をしてD1′〜Di′へ
変換するためのもので、排他的論理和ゲートなどによっ
て構成されている。すなわちデータ反転コントロール回
路EX1〜EXiは、制御信号RVCがＨレベルであるときに、
データD1〜Diを反転して信号D1′〜Di′として導出す
る。またこのデータ反転コントロール回路EX1〜EXiは、
制御信号RVCがＬレベルであるときには、入力されるデ
ータD1〜Diを反転することなくそのまま、出力信号D1′
〜Di′として導出する。
れるプッシュプル駆動回路であって、一方の端子を電圧
が1/2Vm（＝30V）の電源側に接続したプルアップ機能を
有するトランジスタUT1〜UTi、一方の端子を接地したプ
ルダウン機能を有するトランジスタDT1〜DTi、これらの
トランジスタと逆方向に電流を流すためのダイオードUD
1〜UDi,DD1〜DDiおよび上記各トランジスタをオン・オ
フ制御するシフトレジスタなどの論理回路70およびデー
タ反転コントロール回路EX1〜EXiが含まれる。データ反
転コントロール回路EX1〜EXiは、シフトレジスタなどの
論理回路70から出力されるトランジスタUT1〜UTiおよび
DT1〜DTiのオン、オフを制御する表示データ信号D1〜Di
を、制御信号RVCによって反転処理をしてD1′〜Di′へ
変換するためのもので、排他的論理和ゲートなどによっ
て構成されている。すなわちデータ反転コントロール回
路EX1〜EXiは、制御信号RVCがＨレベルであるときに、
データD1〜Diを反転して信号D1′〜Di′として導出す
る。またこのデータ反転コントロール回路EX1〜EXiは、
制御信号RVCがＬレベルであるときには、入力されるデ
ータD1〜Diを反転することなくそのまま、出力信号D1′
〜Di′として導出する。
ソース電位切換え回路80は、上記走査側Ｐチャネル高
耐圧MOSドライバIC40,50の全ＰチヤネルMOSトランジス
タPT1〜PTiのソース電位を正極性の書込み電圧Vw＋1/4V
m（＝205V）と0Vとに切換えるための回路であって、制
御信号PSCによって開閉するスイッチSW1などによって構
成されている。
耐圧MOSドライバIC40,50の全ＰチヤネルMOSトランジス
タPT1〜PTiのソース電位を正極性の書込み電圧Vw＋1/4V
m（＝205V）と0Vとに切換えるための回路であって、制
御信号PSCによって開閉するスイッチSW1などによって構
成されている。
ソース電位切換え回路90は、上記走査側Ｎチヤネル高
耐圧MOSドライバIC20,30の全ＮチャネルMOSトランジス
タNT1〜NTiのソース電位を負極性の書込み電圧−（Vw−
1/4Vm）（＝−175V）と0Vとに切換えるための回路であ
って、制御信号NSCによって開閉するスイッチSW2などに
よって構成されている。
耐圧MOSドライバIC20,30の全ＮチャネルMOSトランジス
タNT1〜NTiのソース電位を負極性の書込み電圧−（Vw−
1/4Vm）（＝−175V）と0Vとに切換えるための回路であ
って、制御信号NSCによって開閉するスイッチSW2などに
よって構成されている。
第２図は、上記薄膜EL表示装置の表示パネル10におけ
る走査側電極Y1上の絵素Ａおよび走査側電極Y2上の絵素
Ｂの駆動を示すタイミングチャートである。このタイミ
ングチャートを参照して、以下に絵素A,Bの駆動につい
て説明する。なお、以下の説明では、走査側電極に正極
性の書込み電圧Vw＋1/4Vmを印加する１走査ラインの駆
動をＰ駆動と呼び、走査側電極に負極性の書込み電圧−
（Vw−1/4Vm）を印加する１走査ラインの駆動をＮ駆動
と呼ぶものとする。
る走査側電極Y1上の絵素Ａおよび走査側電極Y2上の絵素
Ｂの駆動を示すタイミングチャートである。このタイミ
ングチャートを参照して、以下に絵素A,Bの駆動につい
て説明する。なお、以下の説明では、走査側電極に正極
性の書込み電圧Vw＋1/4Vmを印加する１走査ラインの駆
動をＰ駆動と呼び、走査側電極に負極性の書込み電圧−
（Vw−1/4Vm）を印加する１走査ラインの駆動をＮ駆動
と呼ぶものとする。
第２図のタイミングチャートにおいて、符号Ｈは水平
同期信号の波形を示し、その波形のハイレベル（以下、
Ｈレベルと称す）の期間はデータ有効期間を示す。符号
Ｖは垂直同期信号の波形を示し、この信号の立ち上がり
時点から１フレームの駆動が開始される。符号DLSはデ
ータラッチ信号の波形を示し、この信号は１走査ライン
分のデータをデータ転送クロツクDCKに同期させて転送
する動作を終了した後に出力される。符号RVCはデータ
反転信号の波形を示し、その波形はＰ駆動を行う期間に
Ｈレベルとなり、この期間中のシフトレジスタなどの論
理回路70から出力される表示データ信号D1〜Diを全て反
転させる。符号DATAは表示データの信号を示し、符号D
1′〜Di′はデータ側ドライバICのトランジスタUT1〜UT
i,DT1〜DTiに入力されるデータを示す。その他の信号に
ついては第１表に説明してある。これらの信号RVC,PST,
NST,…は、表示データDATAおよびデータ転送クロツクDC
Kを発生する画像信号源110からの水平同期信号Ｈと垂直
同期信号Ｖとに同期して信号発生回路111で作成され
る。なお、第12図の先行技術では、対応する信号の同一
の参照符に、添え字１を付して示し、これらの信号は、
本件実施例に類似するけれども、異なっている。
同期信号の波形を示し、その波形のハイレベル（以下、
Ｈレベルと称す）の期間はデータ有効期間を示す。符号
Ｖは垂直同期信号の波形を示し、この信号の立ち上がり
時点から１フレームの駆動が開始される。符号DLSはデ
ータラッチ信号の波形を示し、この信号は１走査ライン
分のデータをデータ転送クロツクDCKに同期させて転送
する動作を終了した後に出力される。符号RVCはデータ
反転信号の波形を示し、その波形はＰ駆動を行う期間に
Ｈレベルとなり、この期間中のシフトレジスタなどの論
理回路70から出力される表示データ信号D1〜Diを全て反
転させる。符号DATAは表示データの信号を示し、符号D
1′〜Di′はデータ側ドライバICのトランジスタUT1〜UT
i,DT1〜DTiに入力されるデータを示す。その他の信号に
ついては第１表に説明してある。これらの信号RVC,PST,
NST,…は、表示データDATAおよびデータ転送クロツクDC
Kを発生する画像信号源110からの水平同期信号Ｈと垂直
同期信号Ｖとに同期して信号発生回路111で作成され
る。なお、第12図の先行技術では、対応する信号の同一
の参照符に、添え字１を付して示し、これらの信号は、
本件実施例に類似するけれども、異なっている。
１つの走査側電極Ｙに書込み電圧が印加されている期
間中W12中に、たとえば絵素Ａを発光表示するために、
走査側電極Y1とデータ側電極X2との間に印加される電圧
の極性を、第２図の参照符P1で示されるように正極性と
し、次に参照符P2で示すように負極性として、単一
回、、反転して駆動する。この正極性の書込み電圧P1が
与えられているとき、データ側電極X2は0Vであり、また
走査側電極Y1に負極性の電圧P2が与えられているとき、
データ側電極X2は＋30Vであり、こうして正極性P1およ
び負極性P2の電圧が走査側電極Y1に与えられていると
き、絵素Ａにおいて、ELの発光しきい電圧を越える電圧
が印加されて発光が行われる。またこの実施例では正極
性P1と負極性P2との単一回、極性が反転しており、した
がってデータ側電圧X2を上述のように比較的低い30Vで
あっても、希望する輝度を得ることができ、このように
してデータ側電圧X2の電圧を上述のように30Vという低
い電圧にすることによって、変調電力を低減することが
可能であり、あるいはまたこのような低い電圧で希望す
る輝度を得ることができ、またそのデータ側電極の変調
電圧をもっと高くして高輝度とすることもまた可能であ
る。しかも水平同期信号Ｈと垂直同期信号Ｖの周波数を
高くすることなしに、希望する輝度を得ることができる
ので、それらの同期信号H,Vの変更による回路構成の変
更をする必要がなく、好都合である。これらの変調電圧
と書込み電圧は、本件表示装置のシャーシなどの接地電
位を0Vとして基準としている。第２図から明らかなよう
に、走査側電極Y1に与えられる書込み電圧の正から負へ
の極性の反転時および負から正への極性の反転時には、
書込み電圧を零にする期間を設け、このとき同様にデー
タ側電極X2に与えられる印加電圧を零にする期間を設け
る。
間中W12中に、たとえば絵素Ａを発光表示するために、
走査側電極Y1とデータ側電極X2との間に印加される電圧
の極性を、第２図の参照符P1で示されるように正極性と
し、次に参照符P2で示すように負極性として、単一
回、、反転して駆動する。この正極性の書込み電圧P1が
与えられているとき、データ側電極X2は0Vであり、また
走査側電極Y1に負極性の電圧P2が与えられているとき、
データ側電極X2は＋30Vであり、こうして正極性P1およ
び負極性P2の電圧が走査側電極Y1に与えられていると
き、絵素Ａにおいて、ELの発光しきい電圧を越える電圧
が印加されて発光が行われる。またこの実施例では正極
性P1と負極性P2との単一回、極性が反転しており、した
がってデータ側電圧X2を上述のように比較的低い30Vで
あっても、希望する輝度を得ることができ、このように
してデータ側電圧X2の電圧を上述のように30Vという低
い電圧にすることによって、変調電力を低減することが
可能であり、あるいはまたこのような低い電圧で希望す
る輝度を得ることができ、またそのデータ側電極の変調
電圧をもっと高くして高輝度とすることもまた可能であ
る。しかも水平同期信号Ｈと垂直同期信号Ｖの周波数を
高くすることなしに、希望する輝度を得ることができる
ので、それらの同期信号H,Vの変更による回路構成の変
更をする必要がなく、好都合である。これらの変調電圧
と書込み電圧は、本件表示装置のシャーシなどの接地電
位を0Vとして基準としている。第２図から明らかなよう
に、走査側電極Y1に与えられる書込み電圧の正から負へ
の極性の反転時および負から正への極性の反転時には、
書込み電圧を零にする期間を設け、このとき同様にデー
タ側電極X2に与えられる印加電圧を零にする期間を設け
る。
制御信号RVCは、期間W12においてその半分の期間W1で
はＨレベルであり次の半分の期間W2ではＬレベルである
（W12＝W1＋W2）。
はＨレベルであり次の半分の期間W2ではＬレベルである
（W12＝W1＋W2）。
データ側の駆動は、基本的には表示データに応じて１
水平期間の周期W12で各データ側電極X1〜Xiに印加する
変調電圧Vmaを、1/2Vm（＝30V）と0Vに切換えることに
よって行われる。すなわち、この場合の変調電圧Vmaで
ある1/2Vmは先述した従来の駆動方法における変調電圧V
m（＝60V）の1/2とされている。なお、表示データはＨ
レベルが発光に、ローレベル（以下、Ｌレベルと称す）
が非発光に対応付けられている。
水平期間の周期W12で各データ側電極X1〜Xiに印加する
変調電圧Vmaを、1/2Vm（＝30V）と0Vに切換えることに
よって行われる。すなわち、この場合の変調電圧Vmaで
ある1/2Vmは先述した従来の駆動方法における変調電圧V
m（＝60V）の1/2とされている。なお、表示データはＨ
レベルが発光に、ローレベル（以下、Ｌレベルと称す）
が非発光に対応付けられている。
次に、その変調電圧の切換えタイミングを第３図
（ａ）を参照して説明する。
（ａ）を参照して説明する。
第３図（ａ）は論理回路70の内部構成を示している。
この論理回路70では、ある走査ラインの駆動が実行され
ている期間に、次の走査ラインの表示データDATAがデー
タ転送クロックDCKに同期して順次、１走査ライン分の
記憶容量を持つシフトレジスタ71に入力される。シフト
レジスタ71に入力されたデータは、１走査ライン分のデ
ータ転送終了後に入力される信号DLSによってラッチ回
路72に取込まれ、以後、その駆動タイミングの終了時ま
でラッチ回路72に記憶される。このラッチ回路72の出力
である表示データ信号D1〜Diと制御信号RVCとの排他的
論理和出力D1′〜Di′によってトランジスタUT1〜UTi,D
T1〜DTiのオン・オフが制御され、その結果データ側電
極X1〜Xiの電圧は水平期間内において制御信号RVCの入
力毎に１水平期間の周期で切換わることになる。
この論理回路70では、ある走査ラインの駆動が実行され
ている期間に、次の走査ラインの表示データDATAがデー
タ転送クロックDCKに同期して順次、１走査ライン分の
記憶容量を持つシフトレジスタ71に入力される。シフト
レジスタ71に入力されたデータは、１走査ライン分のデ
ータ転送終了後に入力される信号DLSによってラッチ回
路72に取込まれ、以後、その駆動タイミングの終了時ま
でラッチ回路72に記憶される。このラッチ回路72の出力
である表示データ信号D1〜Diと制御信号RVCとの排他的
論理和出力D1′〜Di′によってトランジスタUT1〜UTi,D
T1〜DTiのオン・オフが制御され、その結果データ側電
極X1〜Xiの電圧は水平期間内において制御信号RVCの入
力毎に１水平期間の周期で切換わることになる。
すなわち、データ反転コントロール回路EX1〜EXiに入
力される制御信号RVCは、Ｐ駆動を実行する期間中にＨ
レベルとなり、この期間中にデータ反転コントロール回
路EX1〜EXiに入力される表示データ信号D1〜Diを反転さ
せたD1′〜Di′を出力するための信号であるが、このよ
うにＰ駆動時の表示データ信号D1〜Diを反転させるのは
以下の理由による。
力される制御信号RVCは、Ｐ駆動を実行する期間中にＨ
レベルとなり、この期間中にデータ反転コントロール回
路EX1〜EXiに入力される表示データ信号D1〜Diを反転さ
せたD1′〜Di′を出力するための信号であるが、このよ
うにＰ駆動時の表示データ信号D1〜Diを反転させるのは
以下の理由による。
後述するように、Ｐ駆動ではＰチャネル高耐圧MOSド
ライバIC40,50のトランジスタをオンにし、選択された
走査側電極Ｙの電位をVw＋1/4Vmに引上げる一方、選択
されたデータ側電極Ｘ、つまり発光させるべき絵素を含
むデータ側電極Ｘの電位を0Vに設定することによって、
その選択走査側電極Ｙと選択データ側電極Ｘの交差部の
絵素に電圧（Vw＋1/4Vm）が印加され発光駆動が行われ
る。すなわち、絵素に印加される上記電圧は、 Vw＋1/4Vm＝190V＋1/4×60V＝205V …（９） である。このとき、非選択データ側電極Ｘ、つまり発光
させない絵素を含むデータ側電極Ｘの電位は1/2Vm（＝3
0V）に設定され、この非選択データ側電極Ｘと上記選択
走査側電極Ｙの交差部の絵素には電圧（Vw＋1/4Vm）‐1
/2Vmが印加される。すなわち、絵素に印加される上記電
圧は、 Vw＋1/4Vm-1/2Vm＝Vw-1/4Vm＝190V-1/4×60V＝175V …（10） と発光しきい電圧以下になり、その絵素は発光しない。
このような駆動を実行するために、選択データ側電極Xn
に接続されているトランジスタUTnはオフ、トランジス
タDTnはオンにそれぞれ設定される。また、非選択デー
タ側電極Xmに接続されているトランジスタUTmはオン、
トランジスタDTmはオフにそれぞれ設定される。つま
り、選択データ側電極Xnに対応する入力データDnはＬレ
ベル、非選択データ側電極Xmに対応する入力データDmは
Ｈレベルと設定しなければならない。この場合のレベル
はデータ反転コントロール回路EX1〜EXiに入力される表
示データDATAのレベルとは逆の関係になる。そこで、こ
のときの表示データ信号D1〜Diを反転するために制御信
号RVCを必要とするのである。
ライバIC40,50のトランジスタをオンにし、選択された
走査側電極Ｙの電位をVw＋1/4Vmに引上げる一方、選択
されたデータ側電極Ｘ、つまり発光させるべき絵素を含
むデータ側電極Ｘの電位を0Vに設定することによって、
その選択走査側電極Ｙと選択データ側電極Ｘの交差部の
絵素に電圧（Vw＋1/4Vm）が印加され発光駆動が行われ
る。すなわち、絵素に印加される上記電圧は、 Vw＋1/4Vm＝190V＋1/4×60V＝205V …（９） である。このとき、非選択データ側電極Ｘ、つまり発光
させない絵素を含むデータ側電極Ｘの電位は1/2Vm（＝3
0V）に設定され、この非選択データ側電極Ｘと上記選択
走査側電極Ｙの交差部の絵素には電圧（Vw＋1/4Vm）‐1
/2Vmが印加される。すなわち、絵素に印加される上記電
圧は、 Vw＋1/4Vm-1/2Vm＝Vw-1/4Vm＝190V-1/4×60V＝175V …（10） と発光しきい電圧以下になり、その絵素は発光しない。
このような駆動を実行するために、選択データ側電極Xn
に接続されているトランジスタUTnはオフ、トランジス
タDTnはオンにそれぞれ設定される。また、非選択デー
タ側電極Xmに接続されているトランジスタUTmはオン、
トランジスタDTmはオフにそれぞれ設定される。つま
り、選択データ側電極Xnに対応する入力データDnはＬレ
ベル、非選択データ側電極Xmに対応する入力データDmは
Ｈレベルと設定しなければならない。この場合のレベル
はデータ反転コントロール回路EX1〜EXiに入力される表
示データDATAのレベルとは逆の関係になる。そこで、こ
のときの表示データ信号D1〜Diを反転するために制御信
号RVCを必要とするのである。
以上の駆動によるデータ側電極X2への印加波形を、デ
ータ側X2として第２図に示している。
ータ側X2として第２図に示している。
次に走査側の駆動を第３図（ｂ）および第３図（ｃ）
を参照して説明する。
を参照して説明する。
第３図（ｂ）はＮチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30
の論理回路21,31の内部構成を示し、第３図（ｃ）はＰ
チャネル高耐圧MOSドライバIC40,50の論理回路41,51の
内部構成を示す。また、Ｎチャネル高耐圧MOSドライバI
C20,30の論理回路の真理値表を第２表に、Ｐチャネル高
耐圧MOSドライバIC40,50の論理回路の真理値表を第３表
に示す。
の論理回路21,31の内部構成を示し、第３図（ｃ）はＰ
チャネル高耐圧MOSドライバIC40,50の論理回路41,51の
内部構成を示す。また、Ｎチャネル高耐圧MOSドライバI
C20,30の論理回路の真理値表を第２表に、Ｐチャネル高
耐圧MOSドライバIC40,50の論理回路の真理値表を第３表
に示す。
上記Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30およびＰチ
ャネル高耐圧MOSドライバIC40,50は相補型の回路構成か
らなり、論理は全て互いに逆になるが構成は同じである
ため、ここではＮチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30に
ついてのみ説明する。
ャネル高耐圧MOSドライバIC40,50は相補型の回路構成か
らなり、論理は全て互いに逆になるが構成は同じである
ため、ここではＮチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30に
ついてのみ説明する。
シフトレジスタ110は、選択走査ラインを記憶してお
くための回路であり、クロック信号CLOCKがＨレベルの
期間で転送用データNDATAを取込み、クロック信号CLOCK
がＬレベルの期間でそのデータを転送する機能を持つ。
この薄膜EL表示装置では、クロック信号CLOCKとして、
奇数側Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC20には第２図の
信号NSToddが、偶数側Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC3
0には信号NSTevenがそれぞれ入力される。また、転送用
データNDATAとして、第２図に示すように１フレームに
１回、垂直同期信号Ｖの立上がりの後に入力される最初
のクロック信号NSTodd,NSTevenがＨレベルの期間だけＬ
レベルとなる信号が入力される。このように２回の水平
期間に対して１回の割合でクロック信号NSTodd,NSTeven
を入力するのは、走査ラインのY1（奇数側）,Y2（偶数
側）,Y3（奇数側），…と奇偶交互に線順次にＮ駆動が
実施されるからである。
くための回路であり、クロック信号CLOCKがＨレベルの
期間で転送用データNDATAを取込み、クロック信号CLOCK
がＬレベルの期間でそのデータを転送する機能を持つ。
この薄膜EL表示装置では、クロック信号CLOCKとして、
奇数側Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC20には第２図の
信号NSToddが、偶数側Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC3
0には信号NSTevenがそれぞれ入力される。また、転送用
データNDATAとして、第２図に示すように１フレームに
１回、垂直同期信号Ｖの立上がりの後に入力される最初
のクロック信号NSTodd,NSTevenがＨレベルの期間だけＬ
レベルとなる信号が入力される。このように２回の水平
期間に対して１回の割合でクロック信号NSTodd,NSTeven
を入力するのは、走査ラインのY1（奇数側）,Y2（偶数
側）,Y3（奇数側），…と奇偶交互に線順次にＮ駆動が
実施されるからである。
論理回路120は、入力される２つの信号NST,NCLで、Ｎ
チャネル高耐圧MOSドライバIC20,30のトランジスタNT1
〜NTiをシフトレジスタ110のデータに応じて３つの状態
に切換えるための回路であり、その論理は第２表の真理
値に従う。
チャネル高耐圧MOSドライバIC20,30のトランジスタNT1
〜NTiをシフトレジスタ110のデータに応じて３つの状態
に切換えるための回路であり、その論理は第２表の真理
値に従う。
以上の動作を第４表に示す。
つまり、この薄膜EL表示装置の動作は、線順次に選択
された走査ラインに対し、Ｐ駆動とＮ駆動の両方が実行
されることにより、各絵素に対して発光に必要な交流パ
ルスを閉じるものである。また、Ｎ駆動およびＰ駆動
は、それぞれ変調期間と書込み期間とを持つ。変調期間
として約10μsecを、また書込み期間として30μsecをそ
れぞれ与えることによって、１水平期間は約80μsecに
設定される。
された走査ラインに対し、Ｐ駆動とＮ駆動の両方が実行
されることにより、各絵素に対して発光に必要な交流パ
ルスを閉じるものである。また、Ｎ駆動およびＰ駆動
は、それぞれ変調期間と書込み期間とを持つ。変調期間
として約10μsecを、また書込み期間として30μsecをそ
れぞれ与えることによって、１水平期間は約80μsecに
設定される。
第４表におけるNchソース電位およびPchソース電位
は、NPフィールドおよびPNフィールドにおいて絵素を発
光させ得る振幅の完全対象交流波形を印加するのに必要
なＮチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30およびＰチャネ
ル高耐圧MOSドライバIC40,50のトランジスタのソース電
位である。
は、NPフィールドおよびPNフィールドにおいて絵素を発
光させ得る振幅の完全対象交流波形を印加するのに必要
なＮチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30およびＰチャネ
ル高耐圧MOSドライバIC40,50のトランジスタのソース電
位である。
信号NSCは、Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30に
対するソース電位切換え回路90の制御信号であり、この
信号がＨレベルのとき、つまりソース電位切換え回路90
のスイッチSW2がオンのとき、ソース電位は−（Vw-1/4V
m）（＝−175V）となり、スイッチSW2がオフのときソー
ス電位は0Vとなる。
対するソース電位切換え回路90の制御信号であり、この
信号がＨレベルのとき、つまりソース電位切換え回路90
のスイッチSW2がオンのとき、ソース電位は−（Vw-1/4V
m）（＝−175V）となり、スイッチSW2がオフのときソー
ス電位は0Vとなる。
信号PSCは、Ｐチャネル高耐圧MOSドライバIC40,50に
対するソース電位切換え回路80の制御信号であり、この
信号がＨレベルのとき、つまりソース電位切換え回路80
のスイッチSW1がオンのとき、ソース電位はVw＋1/4Vm
（＝205V）となり、スイッチSW1がオフのときソース電
位は0Vとなる。
対するソース電位切換え回路80の制御信号であり、この
信号がＨレベルのとき、つまりソース電位切換え回路80
のスイッチSW1がオンのとき、ソース電位はVw＋1/4Vm
（＝205V）となり、スイッチSW1がオフのときソース電
位は0Vとなる。
第４表における符号NToddはドライバIC20内のトラン
ジスタ、符号NTevenはドライバIC30内のトランジスタ、
符号PToddはドライバIC40内のトランジスタであり、オ
ン・オフは各タイミングにおけるそれらのトランジスタ
のオン・オフ動作を示す。ただし、（オン）は選択走査
ラインに対応するトランジスタのみがオンとなることを
意味する。これらのトランジスタのオン、オフ、（オ
ン）を制御するのが信号NCLodd,NSTodd,NCLeven,NSTeve
n,PCLodd,PSTodd,PCLeven,PSTevenであり、各タイミン
グでのそれぞれの論理は第４表に示すとおりである。
ジスタ、符号NTevenはドライバIC30内のトランジスタ、
符号PToddはドライバIC40内のトランジスタであり、オ
ン・オフは各タイミングにおけるそれらのトランジスタ
のオン・オフ動作を示す。ただし、（オン）は選択走査
ラインに対応するトランジスタのみがオンとなることを
意味する。これらのトランジスタのオン、オフ、（オ
ン）を制御するのが信号NCLodd,NSTodd,NCLeven,NSTeve
n,PCLodd,PSTodd,PCLeven,PSTevenであり、各タイミン
グでのそれぞれの論理は第４表に示すとおりである。
また、変調期間では、信号NSC,PSCによりスイッチSW
1,SW2がオフとなって、走査側のドライバIC20,30,40,50
の全てのトランジスタがオンにされ、全走査側電極Ｙの
電位が0Vにされる。このとき、データ側電極Ｘには表示
データDATAに応じて1/2Vm（＝30V）か0Vの変調電圧が印
加される。その結果、データ側電極Ｘのうち、1/2Vm
（＝30V）の変調電圧が印加されている電極では、Ｎチ
ヤネル高耐圧MOSドライバIC20,30のトランジスタを充電
路として絵素に対し走査側電極Ｙを基準として正極性の
電圧1/2Vm（＝30V）が充電され、0Vの変調電圧が印加さ
れている電極は走査側電極Ｙを基準として0Vの電位に保
たれる。
1,SW2がオフとなって、走査側のドライバIC20,30,40,50
の全てのトランジスタがオンにされ、全走査側電極Ｙの
電位が0Vにされる。このとき、データ側電極Ｘには表示
データDATAに応じて1/2Vm（＝30V）か0Vの変調電圧が印
加される。その結果、データ側電極Ｘのうち、1/2Vm
（＝30V）の変調電圧が印加されている電極では、Ｎチ
ヤネル高耐圧MOSドライバIC20,30のトランジスタを充電
路として絵素に対し走査側電極Ｙを基準として正極性の
電圧1/2Vm（＝30V）が充電され、0Vの変調電圧が印加さ
れている電極は走査側電極Ｙを基準として0Vの電位に保
たれる。
このように、変調期間では、データ側電極Ｘに印加す
る変調電圧を表示データDATAに応じてOVと1/2Vm（＝30
V）のいずれかに選択する一方、全走査側電極Ｙには0V
を印加することによって、走査側電極Ｙを基準としてデ
ータ側電極Ｘの電位が1/2Vm（＝30V）となるように充電
されるか、または0Vに保持されることになる。しかもＮ
駆動とＰ駆動では、同一表示データ信号D1〜Diでも信号
RVCとデータ反転コントロール回路EX1〜EXiによって極
性が反転するので、絵素への印加電圧波形はＰ駆動とＮ
駆動とを交互に実行することによって完全対象交流波形
となる。
る変調電圧を表示データDATAに応じてOVと1/2Vm（＝30
V）のいずれかに選択する一方、全走査側電極Ｙには0V
を印加することによって、走査側電極Ｙを基準としてデ
ータ側電極Ｘの電位が1/2Vm（＝30V）となるように充電
されるか、または0Vに保持されることになる。しかもＮ
駆動とＰ駆動では、同一表示データ信号D1〜Diでも信号
RVCとデータ反転コントロール回路EX1〜EXiによって極
性が反転するので、絵素への印加電圧波形はＰ駆動とＮ
駆動とを交互に実行することによって完全対象交流波形
となる。
次に、上述した４種類の書込み期間の動作を、第４図
〜第７図に示す等価回路を参照して説明する。
〜第７図に示す等価回路を参照して説明する。
（１）奇数側走査電極のＰ駆動での書込み期間 Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30のトランジスタ
のソース電位を0Vにするために、信号NSCはスイッチSW2
をオフにするＬレベルに設定され、Ｐチャネル高耐圧MO
SドライバIC40,50のトランジスタのソース電位をVw＋1/
4Vm（＝205V）にするために、信号PSCはスイッチSW1を
オンにするＨレベルに設定される。また、奇数側の１走
査ラインを選択するために、Ｐチャネル高耐圧MOSドラ
イバIC40のトランジスタPToddの中から論理回路41にお
けるシフトレジスタのデータに応じて１走査ラインに対
応するトランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対
応するトランジスタはオフとされる。このとき、トラン
ジスタPTeven,NToddはすべてオフとされ、トランジスタ
NTevenはすべてオンとされる。また、データ側電極Ｘで
は、変調期間の駆動が継続する。
のソース電位を0Vにするために、信号NSCはスイッチSW2
をオフにするＬレベルに設定され、Ｐチャネル高耐圧MO
SドライバIC40,50のトランジスタのソース電位をVw＋1/
4Vm（＝205V）にするために、信号PSCはスイッチSW1を
オンにするＨレベルに設定される。また、奇数側の１走
査ラインを選択するために、Ｐチャネル高耐圧MOSドラ
イバIC40のトランジスタPToddの中から論理回路41にお
けるシフトレジスタのデータに応じて１走査ラインに対
応するトランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対
応するトランジスタはオフとされる。このとき、トラン
ジスタPTeven,NToddはすべてオフとされ、トランジスタ
NTevenはすべてオンとされる。また、データ側電極Ｘで
は、変調期間の駆動が継続する。
第４図（ａ）および第４図（ｂ）は、この状態での表
示パルス10の等価回路を示している。そのうち第４図
（ａ）は絵素Ａを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極X2と選択走査側電極Y1との交差部の絵素Ａに
のみ、走査側電極Y1を基準にしてデータ側電極X2に負極
性の電圧、 0V−（Vw＋1/4Vm）＝0V-205V＝−205V …（11） が印加されて発光する。第４図（ｂ）は絵素Ａを発光さ
せないときの等価回路であり、絵素Ａに印加される電圧
は、 1/2Vm−（Vw＋1/4Vm）＝30V-205V＝−175V …（12） と発光しきい電圧190V以下の値となるので発光しない。
示パルス10の等価回路を示している。そのうち第４図
（ａ）は絵素Ａを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極X2と選択走査側電極Y1との交差部の絵素Ａに
のみ、走査側電極Y1を基準にしてデータ側電極X2に負極
性の電圧、 0V−（Vw＋1/4Vm）＝0V-205V＝−205V …（11） が印加されて発光する。第４図（ｂ）は絵素Ａを発光さ
せないときの等価回路であり、絵素Ａに印加される電圧
は、 1/2Vm−（Vw＋1/4Vm）＝30V-205V＝−175V …（12） と発光しきい電圧190V以下の値となるので発光しない。
（２）奇数側走査電極のＮ駆動での書込み期間 Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30のトランジスタ
のソース電位を−（Vw-1/4Vm）（＝−175V）にするため
に、信号NSCはスイッチSW2をオンにするＨレベルに設定
され、Ｐチャネル高耐圧MOSドライバIC40,50のトランジ
スタのソース電位を0Vにするために、信号PSCはスイッ
チSW1をオフにするＬレベルに設定される。また、奇数
側の１走査ラインを選択するために、Ｎチャネル高耐圧
MOSドライバIC20のトランジスタNToddの中から論理回路
21におけるシフトレジスタのデータに応じて１走査ライ
ンに対応するトランジスタがオンとされ、他の走査ライ
ンに対応するトランジスタはオフとされる。このとき、
トランジスタNTeven,PToddはすべてオフとされ、トラン
ジスタPTevenはすべてオンとされる。また、データ側電
極Ｘでは、変調期間の駆動が継続する。
のソース電位を−（Vw-1/4Vm）（＝−175V）にするため
に、信号NSCはスイッチSW2をオンにするＨレベルに設定
され、Ｐチャネル高耐圧MOSドライバIC40,50のトランジ
スタのソース電位を0Vにするために、信号PSCはスイッ
チSW1をオフにするＬレベルに設定される。また、奇数
側の１走査ラインを選択するために、Ｎチャネル高耐圧
MOSドライバIC20のトランジスタNToddの中から論理回路
21におけるシフトレジスタのデータに応じて１走査ライ
ンに対応するトランジスタがオンとされ、他の走査ライ
ンに対応するトランジスタはオフとされる。このとき、
トランジスタNTeven,PToddはすべてオフとされ、トラン
ジスタPTevenはすべてオンとされる。また、データ側電
極Ｘでは、変調期間の駆動が継続する。
第５図（ａ）および第５図（ｂ）は、この状態での表
示パネル10の等価回路を示している。そのうち第５図
（ａ）は絵素Ａを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極X2と選択走査側電極Y1との交差部の絵素Ａに
のみ、走査側電極Y1を基準にしてデータ側電極X2に正極
性の電圧、 1/2Vm−（−（Vw-1/4Vm））＝30V−（−175V）＝205V …（13） が印加されて発光する。ちなみに、このときの印加電圧
は（３）式で示した従来の駆動方法の場合の印加電圧22
0Vよりも15V低い。つまり発光しきい電圧190Vを越える
電圧値は従来が30Vであったのに対して、この実施例で
はその半分の15Vとなっている。第５図（ｂ）は絵素Ａ
を発光させないときの等価回路であり、絵素Ａに印加さ
れる電圧は、 0V−（−（Vw-1/4Vm））＝0V−（−175V）＝175V …（14） と発光しきい電圧190V以下の値となるので発光しない。
示パネル10の等価回路を示している。そのうち第５図
（ａ）は絵素Ａを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極X2と選択走査側電極Y1との交差部の絵素Ａに
のみ、走査側電極Y1を基準にしてデータ側電極X2に正極
性の電圧、 1/2Vm−（−（Vw-1/4Vm））＝30V−（−175V）＝205V …（13） が印加されて発光する。ちなみに、このときの印加電圧
は（３）式で示した従来の駆動方法の場合の印加電圧22
0Vよりも15V低い。つまり発光しきい電圧190Vを越える
電圧値は従来が30Vであったのに対して、この実施例で
はその半分の15Vとなっている。第５図（ｂ）は絵素Ａ
を発光させないときの等価回路であり、絵素Ａに印加さ
れる電圧は、 0V−（−（Vw-1/4Vm））＝0V−（−175V）＝175V …（14） と発光しきい電圧190V以下の値となるので発光しない。
（３）偶数側走査電極のＰ駆動での書込み期間 Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30のトランジスタ
のソース電位を0Vにするために、信号NSCはスイッチSW2
をオンにするＨレベルに設定され、Ｐチャネル高耐圧MO
SドライバIC40,50のトランジスタのソース電位をVw＋1/
4Vm（＝205V）にするために、信号PSCはスイッチSW1を
オンにするＨレベルに設定される。また、偶数側の１走
査ラインを選択するために、Ｐチャネル高耐圧MOSドラ
イバIC50のトランジスタPTevenの中から論理回路51にお
けるシフトレジスタのデータに応じて１走査ラインに対
応するトランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対
応するトランジスタはオフとされる。このとき、トラン
ジスタPTodd,NTevenはすべてオフとされ、トランジスタ
NToddはすべてオンとされる。また、データ側電極Ｘで
は、変調期間の駆動が継続する。
のソース電位を0Vにするために、信号NSCはスイッチSW2
をオンにするＨレベルに設定され、Ｐチャネル高耐圧MO
SドライバIC40,50のトランジスタのソース電位をVw＋1/
4Vm（＝205V）にするために、信号PSCはスイッチSW1を
オンにするＨレベルに設定される。また、偶数側の１走
査ラインを選択するために、Ｐチャネル高耐圧MOSドラ
イバIC50のトランジスタPTevenの中から論理回路51にお
けるシフトレジスタのデータに応じて１走査ラインに対
応するトランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対
応するトランジスタはオフとされる。このとき、トラン
ジスタPTodd,NTevenはすべてオフとされ、トランジスタ
NToddはすべてオンとされる。また、データ側電極Ｘで
は、変調期間の駆動が継続する。
第６図（ａ）および第６図（ｂ）は、この状態での表
示パネル10の等価回路を示している。そのうち第６図
（ａ）は絵素Ｂを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極X2と選択走査側電極Y2との交差部の絵素Ｂに
のみ、走査側電極Y2を基準にしてデータ側電極X2に正極
性の電圧、 （Vw＋1/4Vm）−0V＝205V-0V＝205V …（15） が印加されて発光する。第６図（ｂ）は絵素Ｂを発光さ
せないときの等価回路であり、絵素Ｂに印加される電圧
は、 （Vw＋1/4Vm）−1/2Vm＝205V-30V＝175V …（16） と発光しきい電圧190V以下の値となるので発光しない。
示パネル10の等価回路を示している。そのうち第６図
（ａ）は絵素Ｂを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極X2と選択走査側電極Y2との交差部の絵素Ｂに
のみ、走査側電極Y2を基準にしてデータ側電極X2に正極
性の電圧、 （Vw＋1/4Vm）−0V＝205V-0V＝205V …（15） が印加されて発光する。第６図（ｂ）は絵素Ｂを発光さ
せないときの等価回路であり、絵素Ｂに印加される電圧
は、 （Vw＋1/4Vm）−1/2Vm＝205V-30V＝175V …（16） と発光しきい電圧190V以下の値となるので発光しない。
（４）偶数側走査電極のＮ駆動での書込み期間 Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30のトランジスタ
の電位を−（Vw-1/4Vm）（＝−175V）にするために、信
号NSCはスイッチSW2をオンにするＨレベルに設定され、
Ｐチャネル高耐圧MOSドライバIC40,50のトランジスタの
電位を0Vにするために、信号PSCはスイッチSW1をオフに
するＬレベルに設定される。また、偶数側の１走査ライ
ンを選択するために、Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC3
0のトランジスタNTevenの中から論理回路31におけるシ
フトレジスタのデータに応じて１走査ラインに対応する
トランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対応する
トランジスタはオフとされる。このとき、トランジスタ
NTodd,PTevenはすべてオフとされ、トランジスタPTodd
はすべてオンとされる。また、データ側電極Ｘでは、変
調期間の駆動が継続する。
の電位を−（Vw-1/4Vm）（＝−175V）にするために、信
号NSCはスイッチSW2をオンにするＨレベルに設定され、
Ｐチャネル高耐圧MOSドライバIC40,50のトランジスタの
電位を0Vにするために、信号PSCはスイッチSW1をオフに
するＬレベルに設定される。また、偶数側の１走査ライ
ンを選択するために、Ｎチャネル高耐圧MOSドライバIC3
0のトランジスタNTevenの中から論理回路31におけるシ
フトレジスタのデータに応じて１走査ラインに対応する
トランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対応する
トランジスタはオフとされる。このとき、トランジスタ
NTodd,PTevenはすべてオフとされ、トランジスタPTodd
はすべてオンとされる。また、データ側電極Ｘでは、変
調期間の駆動が継続する。
第７図（ａ）および第７図（ｂ）は、この状態での表
示パネル10の等価回路を示している。そのうち第７図
（ａ）は絵素Ｂを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極X2と選択走査側電極Y2との交差部の絵素Ｂに
のみ、走査側電極Y2を基準にしてデータ側電極X2に正極
性の電圧、 1/2Vm−（−（Vw-1/4Vm））＝30V＋175V＝205V …（17） が印加されて発光する。第７図（ｂ）は絵素Ｂを発光さ
せないときの等価回路であり、絵素Ｂに印加される電圧
は、 0V−（−（Vw-1/4Vm））＝0V＋175V＝175V …（18） と発光しきい電圧190V以下の値となるので発光しない。
示パネル10の等価回路を示している。そのうち第７図
（ａ）は絵素Ｂを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極X2と選択走査側電極Y2との交差部の絵素Ｂに
のみ、走査側電極Y2を基準にしてデータ側電極X2に正極
性の電圧、 1/2Vm−（−（Vw-1/4Vm））＝30V＋175V＝205V …（17） が印加されて発光する。第７図（ｂ）は絵素Ｂを発光さ
せないときの等価回路であり、絵素Ｂに印加される電圧
は、 0V−（−（Vw-1/4Vm））＝0V＋175V＝175V …（18） と発光しきい電圧190V以下の値となるので発光しない。
第９図には、上述した駆動で発光させる絵素に印加さ
れる電圧Vw＋1/4Vm（＝205V）および発光させない絵素
に印加される電圧Vw-1/4Vm（＝160V）のそれぞれを、印
加電圧を示す横軸上の対応する電圧値の位置に付記して
いる。
れる電圧Vw＋1/4Vm（＝205V）および発光させない絵素
に印加される電圧Vw-1/4Vm（＝160V）のそれぞれを、印
加電圧を示す横軸上の対応する電圧値の位置に付記して
いる。
以上のように、この実施例の駆動方法ではデータ側電
極Ｘに印加する変調電圧が、従来の駆動方法の場合の変
調電圧Vm（＝60V）の半分、つまり1/2Vm（＝30V）に低
減される。その結果、単位時間当たりの発光回数、すな
わち発光のデューティが従来の駆動方法の場合と同じで
あるとすると、第９図に参照符loで示す薄膜EL表示装置
の電圧−輝度特性の曲線において、実施例の場合の発光
絵素の輝度L1は従来の駆動方法での輝度L0に比べてかな
り低下してしまうことになる。
極Ｘに印加する変調電圧が、従来の駆動方法の場合の変
調電圧Vm（＝60V）の半分、つまり1/2Vm（＝30V）に低
減される。その結果、単位時間当たりの発光回数、すな
わち発光のデューティが従来の駆動方法の場合と同じで
あるとすると、第９図に参照符loで示す薄膜EL表示装置
の電圧−輝度特性の曲線において、実施例の場合の発光
絵素の輝度L1は従来の駆動方法での輝度L0に比べてかな
り低下してしまうことになる。
そこで、上記発光輝度の低下を補うために、この実施
例では、外部同期信号H,Vの周波数を変えることなし
に、各絵素毎に２倍の発光回数になるように設定され
る。
例では、外部同期信号H,Vの周波数を変えることなし
に、各絵素毎に２倍の発光回数になるように設定され
る。
第９図において、参照符１は上述したように単位時
間当たりの発光回数を従来の駆動方法の場合の２倍に設
定したこの実施例の場合の電圧−輝度特性を示してい
る。実施例では発光絵素に印加される電圧はVw＋1/4Vm
（＝205V）であるから、このときの発光輝度L2は従来の
駆動方法の場合の発光輝度L0よりも高くなる。
間当たりの発光回数を従来の駆動方法の場合の２倍に設
定したこの実施例の場合の電圧−輝度特性を示してい
る。実施例では発光絵素に印加される電圧はVw＋1/4Vm
（＝205V）であるから、このときの発光輝度L2は従来の
駆動方法の場合の発光輝度L0よりも高くなる。
すなわち、表示パネル10の容量をＣ、単位時間当たり
データ側電極Ｘに繰り返し印加される変調電圧Vmの回数
をｆとするとき、従来の駆動方法で変調電圧Vmの充放電
によって消費される変調電力Pmは（８）式で示したよう
にPm＝ｆ・Ｃ・Vm2であるのに対して、この実施例では
変調電圧が1/2Vmであり、かつ単位時間当たりの発光回
数が２倍つまり変調電圧1/2Vmの印加回数が2fであるか
ら、変調電力Pmは、 Pm＝（2f）・Ｃ・(1/2Vm)2＝1/2・ｆ・Ｃ・Vm2 …（19） となり、従来の駆動方法の場合の半分に低減される。
データ側電極Ｘに繰り返し印加される変調電圧Vmの回数
をｆとするとき、従来の駆動方法で変調電圧Vmの充放電
によって消費される変調電力Pmは（８）式で示したよう
にPm＝ｆ・Ｃ・Vm2であるのに対して、この実施例では
変調電圧が1/2Vmであり、かつ単位時間当たりの発光回
数が２倍つまり変調電圧1/2Vmの印加回数が2fであるか
ら、変調電力Pmは、 Pm＝（2f）・Ｃ・(1/2Vm)2＝1/2・ｆ・Ｃ・Vm2 …（19） となり、従来の駆動方法の場合の半分に低減される。
従来の駆動方法におけるフレーム周波数は通常60Hzで
あり、１フレームに割り当てられる時間は約16.66msec
であるから、１ラインの走査側電極ＹのＮ駆動およびＰ
駆動のそれぞれの駆動に40μsecを割り当てるものとす
ると、１フレームで約200本の走査ラインを駆動できる
ことになる。単位時間当たりの発光回数を上述したよう
に倍増しないでも、従来の駆動方法とほぼ同様の発光輝
度を確保できる場合、すなわち輝度電圧特性が第９図で
l2のように段階状に近い場合には、１フレームで駆動で
きる走査ラインの本数はこれよりもさらに増加すること
になる。
あり、１フレームに割り当てられる時間は約16.66msec
であるから、１ラインの走査側電極ＹのＮ駆動およびＰ
駆動のそれぞれの駆動に40μsecを割り当てるものとす
ると、１フレームで約200本の走査ラインを駆動できる
ことになる。単位時間当たりの発光回数を上述したよう
に倍増しないでも、従来の駆動方法とほぼ同様の発光輝
度を確保できる場合、すなわち輝度電圧特性が第９図で
l2のように段階状に近い場合には、１フレームで駆動で
きる走査ラインの本数はこれよりもさらに増加すること
になる。
なお、単位時間当たりの発光回数を２倍にする方法と
しては、１つの走査電極に対してあるフレームについて
は、Ｐ駆動を２回行い、次のフレームでＮ駆動を２回行
うという方法も考えられるが、EL表示素子の特性として
同一極性の電圧を連続して印加した場合、その発光パル
スは１回目より２回目が低くなるという性質があり、発
光輝度が本実施例と比較して低くなり、望ましい方法で
はない。また本実施例では、１つの走査電極に対して、
１フレーム内にＰ駆動を行い、次にＮ駆動を行う場合を
説明したが、この順序は逆でもよい。また走査ライン毎
に、その順序が異なってもよい。さらに、本実施例で
は、選択された走査電極と異なる奇偶側の電極を0Vにク
ランプしているが、これはフローティングにしてもよ
い。上述の実施例では期間W12においてELに印加される
電圧の極性は、単一回、反転して駆動されたけれども、
本発明の他の実施例として２回以上、反転して駆動され
るようにしてもよい。たとえば絵素Ａを発光表示させる
とき、第２図に示されるように走査側電極Ｙに与えられ
る書込み電圧を第10図に示される波形とし、こうして絵
素Ａに与えられる電圧の極性は、３回反転されて駆動さ
れる。なおこのとき、書込み電圧に対応してデータ側電
極X2の変調電圧は、前述の実施例と同様に走査側電極Y1
の電圧の変化に対応して、変化される。さらにまた第11
図では、絵素Ａを発光表示させるために、走査側電極Y1
には第11図（１）で示される電圧波形が与えられ、こう
して絵素Ａの電圧の極性は期間W12において２回、反転
される。第１のフレームの走査時に第11図（１）の電圧
波形が与えられたとき、次の第２フレームでは第１フレ
ームにおける電圧とは逆極性となるように、第11図
（２）で示される電圧波形が与えられ、こうして希望す
る輝度を確実に得ることができる。このようにして前述
の第10図の実施例では、選択された絵素Ａは期間W12に
おいて合計４回発光され、また第11図に示される実施例
では合計３回発光される。
しては、１つの走査電極に対してあるフレームについて
は、Ｐ駆動を２回行い、次のフレームでＮ駆動を２回行
うという方法も考えられるが、EL表示素子の特性として
同一極性の電圧を連続して印加した場合、その発光パル
スは１回目より２回目が低くなるという性質があり、発
光輝度が本実施例と比較して低くなり、望ましい方法で
はない。また本実施例では、１つの走査電極に対して、
１フレーム内にＰ駆動を行い、次にＮ駆動を行う場合を
説明したが、この順序は逆でもよい。また走査ライン毎
に、その順序が異なってもよい。さらに、本実施例で
は、選択された走査電極と異なる奇偶側の電極を0Vにク
ランプしているが、これはフローティングにしてもよ
い。上述の実施例では期間W12においてELに印加される
電圧の極性は、単一回、反転して駆動されたけれども、
本発明の他の実施例として２回以上、反転して駆動され
るようにしてもよい。たとえば絵素Ａを発光表示させる
とき、第２図に示されるように走査側電極Ｙに与えられ
る書込み電圧を第10図に示される波形とし、こうして絵
素Ａに与えられる電圧の極性は、３回反転されて駆動さ
れる。なおこのとき、書込み電圧に対応してデータ側電
極X2の変調電圧は、前述の実施例と同様に走査側電極Y1
の電圧の変化に対応して、変化される。さらにまた第11
図では、絵素Ａを発光表示させるために、走査側電極Y1
には第11図（１）で示される電圧波形が与えられ、こう
して絵素Ａの電圧の極性は期間W12において２回、反転
される。第１のフレームの走査時に第11図（１）の電圧
波形が与えられたとき、次の第２フレームでは第１フレ
ームにおける電圧とは逆極性となるように、第11図
（２）で示される電圧波形が与えられ、こうして希望す
る輝度を確実に得ることができる。このようにして前述
の第10図の実施例では、選択された絵素Ａは期間W12に
おいて合計４回発光され、また第11図に示される実施例
では合計３回発光される。
発明の効果 以上のように、本発明の表示装置の駆動方法によれ
ば、データ側電極に変調電圧を印加し、走査側電極に書
込み電圧を線順次に印加し、発光表示すべき絵素を形成
する走査側電極とデータ側電極の交差部には、発光しき
い電圧を越える電圧を印加し、この走査側電極に書込み
電圧が印加されている期間中に、発光表示すべき絵素に
対応した走査側電極とデータ側電極との間に印加される
電圧の極性を単一回または複数回、反転して駆動するよ
うにしたので、変調電圧Vmaを低くすることができ、こ
れによって変調電力を低減でき、データ側駆動回路とし
て低電圧の回路の使用が可能でコスト低減を図ることが
できる。また、変調電力の低減により、集積回路で構成
されるデータ側駆動回路の高集積化が可能となり表示装
置の小型化に寄与することができる。しかも本発明によ
れば、このように発光表示すべき絵素に対応した表示側
電極とデータ側電極との間に印加される電圧の極性を単
一回または複数回、反転して駆動して、変調電圧または
書込み電圧が低くても、高輝度を得ることが可能であ
る。さらに本発明によれば、誘電層の発光素子に対して
正負いずれの印加波形ともその絶対値が（Vw＋Vma/2）
であり、非発光素子に対しては正負いずれの印加波形と
もその絶対値が（Vw−Vma/2）であって、両極性が対称
な波形を印加するものであり、誘電層の寿命などの観点
から、好ましい。
ば、データ側電極に変調電圧を印加し、走査側電極に書
込み電圧を線順次に印加し、発光表示すべき絵素を形成
する走査側電極とデータ側電極の交差部には、発光しき
い電圧を越える電圧を印加し、この走査側電極に書込み
電圧が印加されている期間中に、発光表示すべき絵素に
対応した走査側電極とデータ側電極との間に印加される
電圧の極性を単一回または複数回、反転して駆動するよ
うにしたので、変調電圧Vmaを低くすることができ、こ
れによって変調電力を低減でき、データ側駆動回路とし
て低電圧の回路の使用が可能でコスト低減を図ることが
できる。また、変調電力の低減により、集積回路で構成
されるデータ側駆動回路の高集積化が可能となり表示装
置の小型化に寄与することができる。しかも本発明によ
れば、このように発光表示すべき絵素に対応した表示側
電極とデータ側電極との間に印加される電圧の極性を単
一回または複数回、反転して駆動して、変調電圧または
書込み電圧が低くても、高輝度を得ることが可能であ
る。さらに本発明によれば、誘電層の発光素子に対して
正負いずれの印加波形ともその絶対値が（Vw＋Vma/2）
であり、非発光素子に対しては正負いずれの印加波形と
もその絶対値が（Vw−Vma/2）であって、両極性が対称
な波形を印加するものであり、誘電層の寿命などの観点
から、好ましい。
さらに本発明によれば、書込み電圧の極性の反転時
に、書込み電圧およびデータ側電極への印加電圧をいず
れも零にする期間を設け、これによってこれらの電極を
駆動する素子の耐電圧を、低くして、本発明を実現する
ことが容易になる。
に、書込み電圧およびデータ側電極への印加電圧をいず
れも零にする期間を設け、これによってこれらの電極を
駆動する素子の耐電圧を、低くして、本発明を実現する
ことが容易になる。
第１図は本発明の一実施例である駆動方法が適用される
薄膜EL表示装置の構成を示す回路図、第２図はその薄膜
EL表示装置の動作を示すタイミングチャート、第３図は
その薄膜EL表示装置における論理回路の構成を示す回路
図、第４図〜第７図はその薄膜EL表示装置の動作中の表
示パネルの等価回路を示す回路図、第８図は薄膜EL素子
の一部切欠き斜視図、第９図は薄膜EL素子の電圧−輝度
特性を示すグラフ、第10図は本発明の他の実施例におい
て絵素Ａを発光表示させるために走査側電極Y1に与えら
れる電圧波形を示す図、第11図は本発明のさらに他の実
施例において絵素Ａを発光表示させるために走査側電極
Y1に与えられる電圧波形を示す図、第12図は従来の駆動
方法が適用される薄膜EL表示装置の構成を示す回路図で
ある。 10……表示パネル、20,30……Ｎチャネル高耐圧MOSドラ
イバIC、40,50……Ｐチャネル高耐圧MOSドライバIC、60
……データ側ドライバIC、80,90……ソース電位切換え
回路、X1〜Xi……データ側電極、Y1〜Yi……走査側電極
薄膜EL表示装置の構成を示す回路図、第２図はその薄膜
EL表示装置の動作を示すタイミングチャート、第３図は
その薄膜EL表示装置における論理回路の構成を示す回路
図、第４図〜第７図はその薄膜EL表示装置の動作中の表
示パネルの等価回路を示す回路図、第８図は薄膜EL素子
の一部切欠き斜視図、第９図は薄膜EL素子の電圧−輝度
特性を示すグラフ、第10図は本発明の他の実施例におい
て絵素Ａを発光表示させるために走査側電極Y1に与えら
れる電圧波形を示す図、第11図は本発明のさらに他の実
施例において絵素Ａを発光表示させるために走査側電極
Y1に与えられる電圧波形を示す図、第12図は従来の駆動
方法が適用される薄膜EL表示装置の構成を示す回路図で
ある。 10……表示パネル、20,30……Ｎチャネル高耐圧MOSドラ
イバIC、40,50……Ｐチャネル高耐圧MOSドライバIC、60
……データ側ドライバIC、80,90……ソース電位切換え
回路、X1〜Xi……データ側電極、Y1〜Yi……走査側電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大場 敏弘 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 岸下 博 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−227191（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−156696（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−88998（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】互いに交差する方向に配列した複数の走査
側電極と複数のデータ側電極との間に誘電層を介在さ
せ、データ側電極には発光表示・非発光表示に対応する
変調電圧を印加し、走査側電極には書込み電圧を線順次
に印加することによって、走査側電極とデータ側電極の
交差部からなる各絵素に対して発光表示時には絵素の発
光しきい電圧を越える電圧を印加し、非発光時には発光
しきい電圧以下の電圧を印加して駆動するようにした表
示装置の駆動方法において、 各走査側電極に書込み電圧が印加されている各期間W12
中に、 書込み電圧の正および負の極性を、単一回または複数
回、反転し、 発光しきい値電圧をVwとし、変調電圧をVmaとすると
き、 正の書込み電圧を（Vw＋Vma/2）に定め、負の書込み電
圧を−（Vw-Vma/2）に定め、 データ側電極への印加電圧を、走査側電極への正の書込
み電圧の印加時に、発光のために零としかつ非発光のた
めに変調電圧Vmaとし、 走査側電極への負の書込み電圧の印加時に、発光のため
に変調電極Vmaとしかつ非発光のために零とし、 書込み電圧の極性の反転時に、書込み電圧およびデータ
側電極への印加電圧をいずれも零にする期間を設けるこ
とを特徴とする表示装置の駆動方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111375A JP2682886B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 表示装置の駆動方法 |
| US07/688,144 US5206631A (en) | 1990-04-25 | 1991-04-22 | Method and apparatus for driving a capacitive flat matrix display panel |
| EP19910303767 EP0454470A3 (en) | 1990-04-25 | 1991-04-25 | A driving method and a driving device for a display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111375A JP2682886B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 表示装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047592A JPH047592A (ja) | 1992-01-10 |
| JP2682886B2 true JP2682886B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=14559595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2111375A Expired - Lifetime JP2682886B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 表示装置の駆動方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5206631A (ja) |
| EP (1) | EP0454470A3 (ja) |
| JP (1) | JP2682886B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960016720B1 (ko) * | 1993-12-08 | 1996-12-20 | 한국과학기술연구원 | 상대전위차를 이용한 교류구동형 박막 전계발광소자 구동회로 |
| JP2759108B2 (ja) * | 1993-12-29 | 1998-05-28 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3507239B2 (ja) * | 1996-02-26 | 2004-03-15 | パイオニア株式会社 | 発光素子の駆動方法及び装置 |
| GB2313223A (en) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Sharp Kk | Liquid crystal device |
| JP3049061B1 (ja) * | 1999-02-26 | 2000-06-05 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置及び画像表示方法 |
| JP3647013B2 (ja) * | 1998-09-29 | 2005-05-11 | パイオニア株式会社 | 容量性発光素子ディスプレイ装置及びその駆動方法 |
| US20010030511A1 (en) * | 2000-04-18 | 2001-10-18 | Shunpei Yamazaki | Display device |
| US6867755B2 (en) * | 2000-04-28 | 2005-03-15 | Yazaki Corporation | Device and method for driving EL device |
| AU2003247100A1 (en) * | 2002-08-12 | 2004-02-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | An electroluminescent display |
| GB2403841B (en) * | 2003-07-07 | 2006-08-09 | Pelikon Ltd | Control of Electroluminescent displays |
| JP2007086686A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Matsushita Toshiba Picture Display Co Ltd | 表示装置 |
| CN103489404B (zh) * | 2013-09-30 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素单元、像素电路及其驱动方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088998A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-18 | 沖電気工業株式会社 | 交流駆動型薄膜ｅｌ表示パネルの駆動方法 |
| DE3511886A1 (de) * | 1984-04-02 | 1985-10-03 | Sharp K.K., Osaka | Treiberschaltung zum ansteuern eines duennfilm-el-displays |
| JPS60247693A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
| JPH0634151B2 (ja) * | 1985-06-10 | 1994-05-02 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
| DE3685821T2 (de) * | 1985-10-16 | 1993-02-11 | Sanyo Electric Co | Anzeigeanordnung mit fluessigkristall. |
| JPH0634152B2 (ja) * | 1985-12-17 | 1994-05-02 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
| JPS62156696A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-11 | 株式会社東芝 | 薄膜ｅｌ表示素子の駆動方法 |
| US4691144A (en) * | 1986-01-22 | 1987-09-01 | Planar Systems, Inc. | Staggered refresh pulse generator for a TFEL panel |
| JPH0754377B2 (ja) * | 1986-02-07 | 1995-06-07 | シチズン時計株式会社 | 液晶駆動方式 |
| EP0242468A1 (en) * | 1986-04-22 | 1987-10-28 | Seiko Instruments Inc. | Liquid crystal display device and method of driving same |
| JPH07109798B2 (ja) * | 1987-01-06 | 1995-11-22 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
| JPH0748137B2 (ja) * | 1987-07-07 | 1995-05-24 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
| NL8703040A (nl) * | 1987-12-16 | 1989-07-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het besturen van een passieve ferro-elektrisch vloeibaar kristal weergeefinrichting. |
| JPH01227191A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Sharp Corp | 表示駆動方法 |
| JPH0681287B2 (ja) * | 1988-07-15 | 1994-10-12 | シャープ株式会社 | 液晶投射装置 |
| GB2225473B (en) * | 1988-11-23 | 1993-01-13 | Stc Plc | Addressing scheme for multiplexded ferroelectric liquid crystal |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP2111375A patent/JP2682886B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-22 US US07/688,144 patent/US5206631A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-25 EP EP19910303767 patent/EP0454470A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0454470A3 (en) | 1992-04-01 |
| JPH047592A (ja) | 1992-01-10 |
| US5206631A (en) | 1993-04-27 |
| EP0454470A2 (en) | 1991-10-30 |
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| JPH0230025B2 (ja) |
Legal Events
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