JP2647859B2 - 薄膜ｅｌ表示装置 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、交流駆動型容量性フラット・マトリックス
ディスプレイパネル、すなわち薄膜EL表示装置に関し、
特にその駆動回路に関するものである。
ディスプレイパネル、すなわち薄膜EL表示装置に関し、
特にその駆動回路に関するものである。
〈従来の技術〉 例えば、二重絶縁型（又は三層構造）薄膜EL素子は次
のように構成される。
のように構成される。
第６図に示すように、ガラス基板１の上にIn2O3より
なる帯状の透明電極２を平行に設け、この上に例えばY2
O3,Si3N4,Al2O3等の誘電物質３、Mn等の活性剤をドープ
したZnSよりなるEL層４および上記と同じくY2O3,Si3N4,
TiO2,Al2O3等の誘電物質３′を蒸着法、スパッタリング
法のような薄膜技術を用いて順次500〜10000Åの膜厚に
積層して３層構造にし、その上に上記透明電極２と直交
する方向にAl（アルミニウム）よりなる帯状の背面電極
５を平行に設けている。
なる帯状の透明電極２を平行に設け、この上に例えばY2
O3,Si3N4,Al2O3等の誘電物質３、Mn等の活性剤をドープ
したZnSよりなるEL層４および上記と同じくY2O3,Si3N4,
TiO2,Al2O3等の誘電物質３′を蒸着法、スパッタリング
法のような薄膜技術を用いて順次500〜10000Åの膜厚に
積層して３層構造にし、その上に上記透明電極２と直交
する方向にAl（アルミニウム）よりなる帯状の背面電極
５を平行に設けている。
上記薄膜EL素子はその電極間に誘電物質3,3′に挟持
されたEL物質４を介在させたものであるから、等価回路
的には容量性素子と見ることができる。また、この薄膜
EL素子は第７図に示す電圧−輝度特性から明らかな如
く、200V程度の比較的高電圧を印加して駆動される。こ
の薄膜EL素子は交流電界によって高輝度発光し、しかも
長寿命であるという特徴を有している。
されたEL物質４を介在させたものであるから、等価回路
的には容量性素子と見ることができる。また、この薄膜
EL素子は第７図に示す電圧−輝度特性から明らかな如
く、200V程度の比較的高電圧を印加して駆動される。こ
の薄膜EL素子は交流電界によって高輝度発光し、しかも
長寿命であるという特徴を有している。
従来、このような薄膜EL素子を用いた表示装置のため
変調消費電力の低減，ローコスト化，薄型・コンパクト
化のため種々の駆動回路の提案がなされている。
変調消費電力の低減，ローコスト化，薄型・コンパクト
化のため種々の駆動回路の提案がなされている。
これらの駆動回路では一般的に走査側電極，データ側
電極にはプッシュ・プル機能もしくはプルアップ，プル
ダウンのみの機能有するドライバーICが接続されるが、
これらのスイッチング素子としては低コスト化、薄型・
コンパクト化，高集積化の関点よりNch MOSFET,Nchトラ
ンジスタ,Pch MOSFET,Pchトランジスタ等が用いられて
いる。
電極にはプッシュ・プル機能もしくはプルアップ，プル
ダウンのみの機能有するドライバーICが接続されるが、
これらのスイッチング素子としては低コスト化、薄型・
コンパクト化，高集積化の関点よりNch MOSFET,Nchトラ
ンジスタ,Pch MOSFET,Pchトランジスタ等が用いられて
いる。
〈発明が解決しようとする問題点〉 ところでこれらのスイッチング素子は、出力電流能力
は小さくオン抵抗は大きいものとなるため、EL表示装置
では１走査ラインの駆動時の発光絵素数により発光輝度
が変化するという現象が生じる。この現象を第４図に示
す。第４図はEL表示装置の表示画面を示しており11で示
される斜線部は非発光部分を、12は発光部分を示し、
〜ポイントでの発光輝度をB1〜B4とすると、各ポイン
トの輝度がB1＞B2＞B3＞B4という関係となる。つまり発
光絵素数が増加するに従い輝度が低下し表示品質を損
う。
は小さくオン抵抗は大きいものとなるため、EL表示装置
では１走査ラインの駆動時の発光絵素数により発光輝度
が変化するという現象が生じる。この現象を第４図に示
す。第４図はEL表示装置の表示画面を示しており11で示
される斜線部は非発光部分を、12は発光部分を示し、
〜ポイントでの発光輝度をB1〜B4とすると、各ポイン
トの輝度がB1＞B2＞B3＞B4という関係となる。つまり発
光絵素数が増加するに従い輝度が低下し表示品質を損
う。
階調表示を行う場合、この現象は大きく影響を及ぼ
す。たとえばとの輝度関係が だとするとのポイントにての90％の階調レベルとの
ポイントにての100％の階調レベルが同一となり、正常
な階調表示が不可能となる。
す。たとえばとの輝度関係が だとするとのポイントにての90％の階調レベルとの
ポイントにての100％の階調レベルが同一となり、正常
な階調表示が不可能となる。
また、大表示容量化つまりデータ側電極数の増加に伴
う１走査ラインの負荷容量の増加および走査側電極の増
加に伴う１走査駆動時間の縮小に対して、出力電流能
力，オン抵抗の制約により十分な書き込みパルスを印加
できず、十分な発光輝度が得られないということが生じ
る。
う１走査ラインの負荷容量の増加および走査側電極の増
加に伴う１走査駆動時間の縮小に対して、出力電流能
力，オン抵抗の制約により十分な書き込みパルスを印加
できず、十分な発光輝度が得られないということが生じ
る。
このように薄膜EL表示装置の表示品質の向上に対して
大きな問題点があった。
大きな問題点があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、
１走査ラインの負荷容量の変動に対する輝度変化を抑
え、階調表示化，大表示容量化を容易に行なえる薄膜EL
表示装置を提供することを目的とする。
１走査ラインの負荷容量の変動に対する輝度変化を抑
え、階調表示化，大表示容量化を容易に行なえる薄膜EL
表示装置を提供することを目的とする。
〈問題点を解決するための手段〉 本発明の薄膜EL表示装置の駆動装置は、EL層を互いに
交差する方向に配列した走査側電極とデータ側電極との
間に介設して構成した薄膜EL表示装置において、上記走
査側電極及び上記データ側電極のうちの少なくとも書き
込み電圧が印加される電極に、正極性の電圧を印加する
サイリスタからなるプルアップ素子、負極性の電圧を印
加するサイリスタからなるプルダウン素子および上記サ
イリスタに制御のためのトリガパルスを出力する駆動回
路からなる双方向性高耐圧ドライバーICが各々接続さ
れ、該双方向性高耐圧ドライバーICはデータ信号に従い
上記サイリスタが各々オン，オフ制御されることによ
り、上記双方向性高耐圧ドライバーICに各々接続された
上記走査側電極又は上記データ側電極に書き込み電圧又
は該書き込み電圧と共に発光に関与する変調電圧が印加
されることを特徴としている。
交差する方向に配列した走査側電極とデータ側電極との
間に介設して構成した薄膜EL表示装置において、上記走
査側電極及び上記データ側電極のうちの少なくとも書き
込み電圧が印加される電極に、正極性の電圧を印加する
サイリスタからなるプルアップ素子、負極性の電圧を印
加するサイリスタからなるプルダウン素子および上記サ
イリスタに制御のためのトリガパルスを出力する駆動回
路からなる双方向性高耐圧ドライバーICが各々接続さ
れ、該双方向性高耐圧ドライバーICはデータ信号に従い
上記サイリスタが各々オン，オフ制御されることによ
り、上記双方向性高耐圧ドライバーICに各々接続された
上記走査側電極又は上記データ側電極に書き込み電圧又
は該書き込み電圧と共に発光に関与する変調電圧が印加
されることを特徴としている。
〈作 用〉 薄膜EL表示装置の少なくとも書き込み電圧を印加する
方の電極にサイリスタをスイッチング素子として構成し
たプッシュ・プル機能を有する高耐圧ドライバー回路を
接続することにより書き込み電圧を印加する場合、サイ
リスタにトリガパルスを入れる（ON駆動する）とサイリ
スタは等価的にダイオードと見なすことができ、その電
流容量，オン抵抗は外部電源に依存するのでMOSFET,ト
ランジスタと比較すると電流容量は十分大きくとれ、オ
ン抵抗は十分小さくとれる。つまり短時間でかつ負荷容
量の大きさに関係なく書き込み電圧を印加できるため、
１走査ラインの負荷容量の変動に対する輝度変化を抑
え、１走査ラインの大容量化、走査電極数の増加による
１走査駆動時間の短縮化、つまり大表示容量の薄膜EL表
示装置の駆動を行うことができる。
方の電極にサイリスタをスイッチング素子として構成し
たプッシュ・プル機能を有する高耐圧ドライバー回路を
接続することにより書き込み電圧を印加する場合、サイ
リスタにトリガパルスを入れる（ON駆動する）とサイリ
スタは等価的にダイオードと見なすことができ、その電
流容量，オン抵抗は外部電源に依存するのでMOSFET,ト
ランジスタと比較すると電流容量は十分大きくとれ、オ
ン抵抗は十分小さくとれる。つまり短時間でかつ負荷容
量の大きさに関係なく書き込み電圧を印加できるため、
１走査ラインの負荷容量の変動に対する輝度変化を抑
え、１走査ラインの大容量化、走査電極数の増加による
１走査駆動時間の短縮化、つまり大表示容量の薄膜EL表
示装置の駆動を行うことができる。
〈実施例〉 以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明す
る。
る。
第１図（ａ），（ｂ）、第２図はこの発明の一実施例
を示す駆動回路構成図である。１は高耐圧プッシュ・プ
ル双方向性ドライバーICでのプルアップ用スイッチング
素子としてのサイリスタであり２はプルダウン用スイッ
チング素子としてのサイリスタであり3,4は各々のサイ
リスタに対して逆方向に電流を流すためのダイオードで
ある。５はサイリスタにトリガパルスを入れるための駆
動回路及び制御用ロジック回路である。
を示す駆動回路構成図である。１は高耐圧プッシュ・プ
ル双方向性ドライバーICでのプルアップ用スイッチング
素子としてのサイリスタであり２はプルダウン用スイッ
チング素子としてのサイリスタであり3,4は各々のサイ
リスタに対して逆方向に電流を流すためのダイオードで
ある。５はサイリスタにトリガパルスを入れるための駆
動回路及び制御用ロジック回路である。
10は発光しきい値電圧Vth（Vw＜Vth＜Vw＋Vm）の薄膜
EL表示装置を示し、この図ではＸ方向電極をデータ側電
極としＹ方向電極を走査側電極として電極のみを示して
いる。
EL表示装置を示し、この図ではＸ方向電極をデータ側電
極としＹ方向電極を走査側電極として電極のみを示して
いる。
20,30は上記薄膜EL表示装置10のＹ方向電極の奇数ラ
インと偶数ラインにそれぞれ対応する走査側高耐圧プッ
シュ・プル双方向性ドライバーICである。21,31は上記
各走査側ドライバーIC20,30中のシフトレジスタ等の論
理回路であり、“Scan data",“PUP",“PDW"等の制御信
号により、上記シフトレジスタ中の“Scan date"に対応
してプルアップ素子もしくはプルダウン素子が“ON"す
る状態および“Scan data"に関係なく全てのプルアップ
素子もしくはプルダウン素子が“ON"する状態をつくり
だすものである。
インと偶数ラインにそれぞれ対応する走査側高耐圧プッ
シュ・プル双方向性ドライバーICである。21,31は上記
各走査側ドライバーIC20,30中のシフトレジスタ等の論
理回路であり、“Scan data",“PUP",“PDW"等の制御信
号により、上記シフトレジスタ中の“Scan date"に対応
してプルアップ素子もしくはプルダウン素子が“ON"す
る状態および“Scan data"に関係なく全てのプルアップ
素子もしくはプルダウン素子が“ON"する状態をつくり
だすものである。
40は上記薄膜EL表示装置10のＸ方向電極に対応するデ
ータ側高耐圧プッシュ・プル双方向性ドライバーICであ
る。41は上記データ側ドライバーIC40中のシフトレジス
タ等の論理回路である。
ータ側高耐圧プッシュ・プル双方向性ドライバーICであ
る。41は上記データ側ドライバーIC40中のシフトレジス
タ等の論理回路である。
100は上記走査側ドライバーIC20,30のプルダウン共通
線電位を切り替える回路であり、制御信号“NVC",NGC",
“NM2"により負極性の書き込み電圧−Vwと0Vと変調電圧
1/2Vmとに切り替えるスイッチSW1,SW2,SW3,および制御
信号“NM2R"により上記スイッチSW3と逆方向にスイッチ
ングするスイッチSW3′より構成されている。
線電位を切り替える回路であり、制御信号“NVC",NGC",
“NM2"により負極性の書き込み電圧−Vwと0Vと変調電圧
1/2Vmとに切り替えるスイッチSW1,SW2,SW3,および制御
信号“NM2R"により上記スイッチSW3と逆方向にスイッチ
ングするスイッチSW3′より構成されている。
200は走査側ドライバーIC20,30のプルアップ共通線電
位を切り替える回路であり制御信号“PVC",“PM2"によ
り正極性の書込み電圧Vw＋Vmと変調電位1/2Vmに切り替
えるスイッチSW4,SW5により構成されている。
位を切り替える回路であり制御信号“PVC",“PM2"によ
り正極性の書込み電圧Vw＋Vmと変調電位1/2Vmに切り替
えるスイッチSW4,SW5により構成されている。
300はデータ側ドライバーIC40のプルアップ共通線電
位を切り替える回路であり、制御信号“M1"により変調
電圧1/2Vmとフローティング状態とに切り替えるスイッ
チSW6、および制御信号“M1R"により上記スイッチSW6と
逆方向にスイッチングするスイッチSW6′により構成さ
れている。
位を切り替える回路であり、制御信号“M1"により変調
電圧1/2Vmとフローティング状態とに切り替えるスイッ
チSW6、および制御信号“M1R"により上記スイッチSW6と
逆方向にスイッチングするスイッチSW6′により構成さ
れている。
400は制御信号“MDW"によりスイッチSW8を“ON"にし
てコンデンサ−Cmに変調電圧1/4Vmを充電し、充電後SW8
を“OFF"にして制御信号“NUP"によりスイッチSW7を“O
N"にすることで、変調電圧1/4Vmを供給後変調電圧1/2Vm
を供給する回路であり、制御信号“NM2",“PM2",“M1"
により制御されるスイッチSW3,SW5,SW6に接続される。
また、一方、制御信号“NM2R"もしくは“M1R"によりス
イッチSW3′もしくはスイッチSW6′を“ON"にし、さら
に、制御信号“MDW"によりスイッチSW8を“ON"にするこ
とで、上記EL表示装置に蓄積されたエネルギーの一部を
上記コンデンサーCmに蓄積する回路でもある。
てコンデンサ−Cmに変調電圧1/4Vmを充電し、充電後SW8
を“OFF"にして制御信号“NUP"によりスイッチSW7を“O
N"にすることで、変調電圧1/4Vmを供給後変調電圧1/2Vm
を供給する回路であり、制御信号“NM2",“PM2",“M1"
により制御されるスイッチSW3,SW5,SW6に接続される。
また、一方、制御信号“NM2R"もしくは“M1R"によりス
イッチSW3′もしくはスイッチSW6′を“ON"にし、さら
に、制御信号“MDW"によりスイッチSW8を“ON"にするこ
とで、上記EL表示装置に蓄積されたエネルギーの一部を
上記コンデンサーCmに蓄積する回路でもある。
500はデータ反転コントロール回路である。
次に、第３図のタイムチャートを用いて、第１図
（ａ）（ｂ），第２図の動作について説明する。
（ａ）（ｂ），第２図の動作について説明する。
ここでは線順次駆動で絵素Ａを含むY1と絵素Ｂを含む
Y2の走査電極が選択走査電極として選択されるものとす
る。また、この駆動装置では１ライン毎に絵素に印加さ
れる書き込み電圧の極性を反転して駆動されるが、走査
側選択電極に接続されている上記高耐圧ドライバーIC2
0,30のプルダウン用サイリスタを“ON"にして、その電
極ライン上の絵素に負の書き込みパルスを印加する１ラ
インの駆動タイミングをＮ駆動タイミングと呼び、一
方、上記高耐圧ドライバーIC20,30のプルアップ用サイ
リスタを“ON"にして、その電極ライン上の絵素に正の
書き込みパルスを印加する１ラインの駆動タイミングを
Ｐ駆動タイミングと呼ぶことにする。又、走査側奇数ラ
インに対してＮ駆動をし、偶数ラインに対してＰ駆動を
実行するフィールド（画面）をNPフィールド、その逆の
フィールドをPNフィールドと呼ぶことにする。
Y2の走査電極が選択走査電極として選択されるものとす
る。また、この駆動装置では１ライン毎に絵素に印加さ
れる書き込み電圧の極性を反転して駆動されるが、走査
側選択電極に接続されている上記高耐圧ドライバーIC2
0,30のプルダウン用サイリスタを“ON"にして、その電
極ライン上の絵素に負の書き込みパルスを印加する１ラ
インの駆動タイミングをＮ駆動タイミングと呼び、一
方、上記高耐圧ドライバーIC20,30のプルアップ用サイ
リスタを“ON"にして、その電極ライン上の絵素に正の
書き込みパルスを印加する１ラインの駆動タイミングを
Ｐ駆動タイミングと呼ぶことにする。又、走査側奇数ラ
インに対してＮ駆動をし、偶数ラインに対してＰ駆動を
実行するフィールド（画面）をNPフィールド、その逆の
フィールドをPNフィールドと呼ぶことにする。
（Ａ） NPフィールド 1. Ｎ駆動における第１変調電圧充電期間（TN1） 走査側の全てのドライバーSDr1〜SDriのプルダウン用
サイリスタを“ON"にし、制御信号“NGC"によりスイッ
チSW2を“ON"にすることで、走査側全電極を0Vに保つ。
同時に制御信号“M1"によりスイッチSW6を“ON"にす
る。このとき、データ側のドライバーDDr1〜DDriはデー
タ信号“DATA"に従って発光の場合にはプルアップ用サ
イリスタを“ON"にし、非発光の場合プルダウン用サイ
リスタを“ON"にする。ここで表示データ信号が“H"で
発光、“L"で非発光とした場合、入力表示データ信号
（“DATA"）をそのままデータ側ドライバーIC40に入力
する必要があるので、上記データ反転コントロール回路
500における反転信号“RVC"は“L"にしておく。（但
し、データ側ドライバーIC40はデータ信号が“H"のとき
プルアップ用サイリスタが“ON"してプルダウン用サイ
リスタが“OFF"、データ信号が“L"のときプルアップ用
サイリスタが“OFF"してプルダウン用サイリスタが“O
N"するものとする。また線順次駆動を行っているため、
表示データ“DATA"は前ライン駆動時に転送が行なわ
れ、ラッチにより保持されている。）さらに、制御信号
“MDW"によりスイッチSW8を“ON"にしてコンデンサーCm
に1/4Vmを充電する。次に制御信号“MDW"によりスイッ
チSW8を“OFF"にした後、制御信号“MUP"によりスイッ
チSW7を“ON"させることで、発光絵素だけに段階的に1/
2Vmの第１変調電圧がデータ側に充電され、非発光絵素
には充電されず非発光絵素のデータ側電極電位は0Vにな
る。充電が完了すると、スイッチSW6,SW7を“OFF"にす
る。
サイリスタを“ON"にし、制御信号“NGC"によりスイッ
チSW2を“ON"にすることで、走査側全電極を0Vに保つ。
同時に制御信号“M1"によりスイッチSW6を“ON"にす
る。このとき、データ側のドライバーDDr1〜DDriはデー
タ信号“DATA"に従って発光の場合にはプルアップ用サ
イリスタを“ON"にし、非発光の場合プルダウン用サイ
リスタを“ON"にする。ここで表示データ信号が“H"で
発光、“L"で非発光とした場合、入力表示データ信号
（“DATA"）をそのままデータ側ドライバーIC40に入力
する必要があるので、上記データ反転コントロール回路
500における反転信号“RVC"は“L"にしておく。（但
し、データ側ドライバーIC40はデータ信号が“H"のとき
プルアップ用サイリスタが“ON"してプルダウン用サイ
リスタが“OFF"、データ信号が“L"のときプルアップ用
サイリスタが“OFF"してプルダウン用サイリスタが“O
N"するものとする。また線順次駆動を行っているため、
表示データ“DATA"は前ライン駆動時に転送が行なわ
れ、ラッチにより保持されている。）さらに、制御信号
“MDW"によりスイッチSW8を“ON"にしてコンデンサーCm
に1/4Vmを充電する。次に制御信号“MDW"によりスイッ
チSW8を“OFF"にした後、制御信号“MUP"によりスイッ
チSW7を“ON"させることで、発光絵素だけに段階的に1/
2Vmの第１変調電圧がデータ側に充電され、非発光絵素
には充電されず非発光絵素のデータ側電極電位は0Vにな
る。充電が完了すると、スイッチSW6,SW7を“OFF"にす
る。
2. Ｎ駆動における第２変調電圧充電および書き込み期
間（TN2） 選択走査電極に接続しているドライバーのみプルダウ
ン用サイリスタを“ON"にし、他の走査側ドライバーは
プルアップ用サイリスタを“ON"にする。同時に走査側
全ドライバーIC20,30のプルアップ共通線には制御信号
“PM2"によりスイッチSW5を“ON"にして変調電圧1/4Vm
を印加し、その後制御信号“MUP"によりスイッチSW7を
“ON"にすることで変調電圧1/2Vmを印加する。また、走
査側全ドライバーIC20,30のプルダウン共通線には制御
信号“NVC"によりスイッチSW1を“ON"にすることにより
負極性の書き込み電圧−Vwを印加する。一方、データ側
ドライバーIC40は上述のＮ駆動における第１変調電圧充
電期間（TN1）の駆動を継続する。
間（TN2） 選択走査電極に接続しているドライバーのみプルダウ
ン用サイリスタを“ON"にし、他の走査側ドライバーは
プルアップ用サイリスタを“ON"にする。同時に走査側
全ドライバーIC20,30のプルアップ共通線には制御信号
“PM2"によりスイッチSW5を“ON"にして変調電圧1/4Vm
を印加し、その後制御信号“MUP"によりスイッチSW7を
“ON"にすることで変調電圧1/2Vmを印加する。また、走
査側全ドライバーIC20,30のプルダウン共通線には制御
信号“NVC"によりスイッチSW1を“ON"にすることにより
負極性の書き込み電圧−Vwを印加する。一方、データ側
ドライバーIC40は上述のＮ駆動における第１変調電圧充
電期間（TN1）の駆動を継続する。
これにより、発光絵素にはＮ駆動における第１変調電
圧充電期間（TN1）にデータ側に変調電圧1/2Vmが充電さ
れているため、データ側電極電位はVmとなる。これと同
時に選択走査電極には負極性の書き込み電圧−Vmが印加
されるため、発光絵素にはVm−（−Vm）＝Vw＋Vmが印加
され発光する。また、非発光絵素はデータ側電極電位が
0Vであり、上述のように選択走査電極には負極性の書き
込み電圧−Vwが印加されるため、非発光絵素には0V−
（−Vw）＝Vwが印加されるが、発光しきい電圧Vth以下
なので発光しない。
圧充電期間（TN1）にデータ側に変調電圧1/2Vmが充電さ
れているため、データ側電極電位はVmとなる。これと同
時に選択走査電極には負極性の書き込み電圧−Vmが印加
されるため、発光絵素にはVm−（−Vm）＝Vw＋Vmが印加
され発光する。また、非発光絵素はデータ側電極電位が
0Vであり、上述のように選択走査電極には負極性の書き
込み電圧−Vwが印加されるため、非発光絵素には0V−
（−Vw）＝Vwが印加されるが、発光しきい電圧Vth以下
なので発光しない。
3. Ｎ駆動における書き込み電圧放電および第２変調電
圧リカバリー期間（TN3） 制御信号“NVC",“PM2",“MUP"によりスイッチSW1,SW
5,SW7を“OFF"にした後、走査側全ドライバーSDr1〜SDr
iのプルダウン用サイリスタを“ON"することにより書き
込み電圧は放電され、走査側全電極電位は1/2Vmとな
る。そこで、次に制御信号“NM2R",“MDW"によりスイッ
チSW3′,SW8を“ON"にすることで、第２変調電圧充電期
間（TN2）に走査側電極をプラスとして蓄積された電荷
の一部がコンデンサーCmに蓄積される。そして、走査側
全電極電位は1/4Vmとなる。一方データ側電極の発光絵
素に接続された電極電位は、3/4Vmになる。
圧リカバリー期間（TN3） 制御信号“NVC",“PM2",“MUP"によりスイッチSW1,SW
5,SW7を“OFF"にした後、走査側全ドライバーSDr1〜SDr
iのプルダウン用サイリスタを“ON"することにより書き
込み電圧は放電され、走査側全電極電位は1/2Vmとな
る。そこで、次に制御信号“NM2R",“MDW"によりスイッ
チSW3′,SW8を“ON"にすることで、第２変調電圧充電期
間（TN2）に走査側電極をプラスとして蓄積された電荷
の一部がコンデンサーCmに蓄積される。そして、走査側
全電極電位は1/4Vmとなる。一方データ側電極の発光絵
素に接続された電極電位は、3/4Vmになる。
4. Ｎ駆動における第２変調電位放電および第１変調電
圧リカバリー期間（TN4） 制御信号“NM2R",“MDW"によりスイッチSW3′,SW8を
“OFF"にした後、制御信号“NGC"によりスイッチSW2を
“ON"にすると走査側電極電位は0Vになる。またデータ
側発光絵素に接続された電極電位は1/2Vmになる。ここ
で制御信号“M1R",“MDW"によりスイッチSW6′,SW8を
“ON"にすることで、第１変調電圧期間（TN1）にデータ
側電極をプラスとして蓄積された電荷の一部がコンデン
サーCmに蓄積される。そしてデータ側全電極電位は1/4V
mとなる。
圧リカバリー期間（TN4） 制御信号“NM2R",“MDW"によりスイッチSW3′,SW8を
“OFF"にした後、制御信号“NGC"によりスイッチSW2を
“ON"にすると走査側電極電位は0Vになる。またデータ
側発光絵素に接続された電極電位は1/2Vmになる。ここ
で制御信号“M1R",“MDW"によりスイッチSW6′,SW8を
“ON"にすることで、第１変調電圧期間（TN1）にデータ
側電極をプラスとして蓄積された電荷の一部がコンデン
サーCmに蓄積される。そしてデータ側全電極電位は1/4V
mとなる。
5. Ｐ駆動における第１変調電圧充電期間（TP1） 走査側の全てのドライバーSDr1〜SDriのプルダウン用
サイリスタを“ON"にし、制御信号“NGC"によりスイッ
チSW2を“ON"にすることで、走査側全電極を0Vに保つ。
同時に制御信号“M1"によりスイッチSW6を“ON"にす
る。このときデータ側のドライバーDDr1〜DDriは表示デ
ータ信号の“DATA"の反転信号に従って発光の場合には
プルダウン用サイリスタを“ON"にし、非発光の場合プ
ルアップ用サイリスタを“ON"にする。ここで入力表示
データ信号“DATA"の反転信号をデータ側ドライバーIC4
0に入力する必要があるので、データ反転コントロール
回路500における反転信号“RVC"は“H"にしておく。さ
らに、制御信号“MDW"によりスイッチSW8を“ON"にして
コンデンサCmに1/4Vmを充電する。次に、制御信号“MD
W"によりスイッチSW8を“OFF"にした後、制御信号“MU
P"によりスイッチSW7を“ON"にすることで、非発光絵素
だけに段階的に1/2Vmの第１変調電圧がデータ側に充電
される。このとき発光絵素には充電されず発光絵素のデ
ータ側電極電位は0Vになる。充電が完了するとSW6,SW7
は“OFF"にする。
サイリスタを“ON"にし、制御信号“NGC"によりスイッ
チSW2を“ON"にすることで、走査側全電極を0Vに保つ。
同時に制御信号“M1"によりスイッチSW6を“ON"にす
る。このときデータ側のドライバーDDr1〜DDriは表示デ
ータ信号の“DATA"の反転信号に従って発光の場合には
プルダウン用サイリスタを“ON"にし、非発光の場合プ
ルアップ用サイリスタを“ON"にする。ここで入力表示
データ信号“DATA"の反転信号をデータ側ドライバーIC4
0に入力する必要があるので、データ反転コントロール
回路500における反転信号“RVC"は“H"にしておく。さ
らに、制御信号“MDW"によりスイッチSW8を“ON"にして
コンデンサCmに1/4Vmを充電する。次に、制御信号“MD
W"によりスイッチSW8を“OFF"にした後、制御信号“MU
P"によりスイッチSW7を“ON"にすることで、非発光絵素
だけに段階的に1/2Vmの第１変調電圧がデータ側に充電
される。このとき発光絵素には充電されず発光絵素のデ
ータ側電極電位は0Vになる。充電が完了するとSW6,SW7
は“OFF"にする。
6. Ｐ駆動における第２変調電圧充電および書き込み期
間（TP2） 選択走査電極に接続しているドライバーのみプルアッ
プ用サイリスタを“ON"にし、他の走査側ドライバーは
プルダウン用サイリスタを“ON"にする。同時に走査側
全ドライバーIC20,30のプルアップ共通線には、制御信
号“PVC"によりスイッチSW4を“ON"にすることで正極性
の書き込み電圧Vw＋Vmを印加する。また走査側全ドライ
バーIC20,30のプルダウン共通線には制御信号“NW2"に
よりスイッチSW3を“ON"にして変調電圧1/4Vmを印加
し、その後、制御信号“MUP"によりスイッチSW7を“ON"
にすることで変調電圧1/2Vmを印加する。一方、データ
側ドライバー40はＰ駆動における第１変調電圧充電期間
（TP1）の駆動を継続する。
間（TP2） 選択走査電極に接続しているドライバーのみプルアッ
プ用サイリスタを“ON"にし、他の走査側ドライバーは
プルダウン用サイリスタを“ON"にする。同時に走査側
全ドライバーIC20,30のプルアップ共通線には、制御信
号“PVC"によりスイッチSW4を“ON"にすることで正極性
の書き込み電圧Vw＋Vmを印加する。また走査側全ドライ
バーIC20,30のプルダウン共通線には制御信号“NW2"に
よりスイッチSW3を“ON"にして変調電圧1/4Vmを印加
し、その後、制御信号“MUP"によりスイッチSW7を“ON"
にすることで変調電圧1/2Vmを印加する。一方、データ
側ドライバー40はＰ駆動における第１変調電圧充電期間
（TP1）の駆動を継続する。
これにより、発光絵素にはデータ側電極電位が0Vであ
るので段階的に1/2Vmの第２変調電圧が走査側に充電さ
れ、これと同時に選択走査電極には正極性の書き込み電
圧Vw＋Vmが印加されるため、発光絵素には（Vw＋Vm）−
0V＝Vw＋Vmが印加され発光する。また非発光絵素には第
１変調電圧充電期間（TP1）にデータ側に変調電圧1/2Vm
が充電されているため、データ側電極電位はVmとなる。
これと同時に、上述のように選択走査電極には正極性の
書き込み電圧Vw＋Vmが印加されているため、非発光絵素
には（Vw＋Vm）−Vm＝Vwが印加されるが、発光しきい電
圧Vth以下なので発光しない。
るので段階的に1/2Vmの第２変調電圧が走査側に充電さ
れ、これと同時に選択走査電極には正極性の書き込み電
圧Vw＋Vmが印加されるため、発光絵素には（Vw＋Vm）−
0V＝Vw＋Vmが印加され発光する。また非発光絵素には第
１変調電圧充電期間（TP1）にデータ側に変調電圧1/2Vm
が充電されているため、データ側電極電位はVmとなる。
これと同時に、上述のように選択走査電極には正極性の
書き込み電圧Vw＋Vmが印加されているため、非発光絵素
には（Vw＋Vm）−Vm＝Vwが印加されるが、発光しきい電
圧Vth以下なので発光しない。
7. Ｐ駆動における書き込み電圧放電および第２変調電
圧リカバリー期間（TP3） 制御信号“PVC",“NM2",“MUP"によりスイッチSW4,SW
3,SW7を“OFF"にした後、走査側ドライバーSDr1〜SDri
のプルダウン用サイリスタを“ON"することにより書き
込み電圧は放電され、走査側全電極電位は1/2Vmとな
る。そこで、次に、制御信号“NM2R",“MDW"によりスイ
ッチSW3′,SW8を“ON"にすることで、第２変調電圧充電
期間（TP2）に走査側電極をプラスとして蓄積された電
荷の一部がコンデンサ−Cmに蓄積される。そして走査側
全電極電位は1/4Vmとなる。一方データ側電極の非発光
絵素に接続された電極電位は3/4Vmになる。
圧リカバリー期間（TP3） 制御信号“PVC",“NM2",“MUP"によりスイッチSW4,SW
3,SW7を“OFF"にした後、走査側ドライバーSDr1〜SDri
のプルダウン用サイリスタを“ON"することにより書き
込み電圧は放電され、走査側全電極電位は1/2Vmとな
る。そこで、次に、制御信号“NM2R",“MDW"によりスイ
ッチSW3′,SW8を“ON"にすることで、第２変調電圧充電
期間（TP2）に走査側電極をプラスとして蓄積された電
荷の一部がコンデンサ−Cmに蓄積される。そして走査側
全電極電位は1/4Vmとなる。一方データ側電極の非発光
絵素に接続された電極電位は3/4Vmになる。
8. Ｐ駆動における第２変調電圧放電および第１変調電
圧リカバリー期間（TP4） 制御信号“NM2R",“MDW"によりスイッチSW3′,SW8を
“OFF"にした後、制御信号“NGC"によりスイッチSW2を
“ON"にすることにより走査側電極電位は0Vになる。ま
たデータ側非発光絵素に接続された電極電位は1/2Vmに
なる。ここで制御信号“M1R",“MDW"によりスイッチSW
6′,SW8を“ON"にすることで、第１変調電圧期間（T
P1）にデータ側電極をプラスとして蓄積された電荷の一
部がコンデンサーCmに蓄積される。そしてデータ側全電
極電位は1/4Vmとなる。
圧リカバリー期間（TP4） 制御信号“NM2R",“MDW"によりスイッチSW3′,SW8を
“OFF"にした後、制御信号“NGC"によりスイッチSW2を
“ON"にすることにより走査側電極電位は0Vになる。ま
たデータ側非発光絵素に接続された電極電位は1/2Vmに
なる。ここで制御信号“M1R",“MDW"によりスイッチSW
6′,SW8を“ON"にすることで、第１変調電圧期間（T
P1）にデータ側電極をプラスとして蓄積された電荷の一
部がコンデンサーCmに蓄積される。そしてデータ側全電
極電位は1/4Vmとなる。
（Ｂ） PNフィールド 1. Ｐ駆動における第１変調電圧充電期間（TP5） NPフィールドＰ駆動における第１変調電圧充電期間
（TP1）と同様の駆動を行う。
（TP1）と同様の駆動を行う。
2. Ｐ駆動における第２変調電圧充電期間および書き込
み期間（TP6） NPフィールドＰ駆動における第２変調電圧充電および
書き込み期間（TP2）と同様の駆動を行う。
み期間（TP6） NPフィールドＰ駆動における第２変調電圧充電および
書き込み期間（TP2）と同様の駆動を行う。
3. Ｐ駆動における書き込み電圧放電および第２変調電
圧リカバリー期間（TP7） NPフィールドＰ駆動における書き込み電圧放電および
第２変調電圧リカバリー期間（TP3）と同様の駆動を行
う。
圧リカバリー期間（TP7） NPフィールドＰ駆動における書き込み電圧放電および
第２変調電圧リカバリー期間（TP3）と同様の駆動を行
う。
4. Ｐ駆動における第２変調電圧放電および第１変調電
圧リカバリー期間（TP8） NPフィールドＰ駆動における書き込み電圧放電および
第２変調電圧リカバリー期間（TP4）と同様の駆動を行
う。
圧リカバリー期間（TP8） NPフィールドＰ駆動における書き込み電圧放電および
第２変調電圧リカバリー期間（TP4）と同様の駆動を行
う。
5. Ｎ駆動における第１変調電圧充電期間（TN5） NPフィールドＮ駆動における第１変調電圧充電期間
（TN1）と同様の駆動を行う。
（TN1）と同様の駆動を行う。
6. Ｎ駆動における第２変調電圧充電および書き込み期
間（TN6） NPフィールドＮ駆動における第２変調電圧充電および
書き込み期間（TN2）と同様の駆動を行う。
間（TN6） NPフィールドＮ駆動における第２変調電圧充電および
書き込み期間（TN2）と同様の駆動を行う。
7. Ｎ駆動における書き込み電圧放電および第２変調電
圧リカバリー期間（TN7） NPフィールドＮ駆動における書き込み電圧放電および
第２変調電圧リカバリー期間（TN3）と同様の駆動を行
う。
圧リカバリー期間（TN7） NPフィールドＮ駆動における書き込み電圧放電および
第２変調電圧リカバリー期間（TN3）と同様の駆動を行
う。
8. Ｎ駆動における第２変調電圧放電および第１変調電
圧リカバリー期間（TN8） NPフィールドＮ駆動における第２変調電圧放電および
第１変調電圧リカバリー期間（TN4）と同様の駆動を行
う。
圧リカバリー期間（TN8） NPフィールドＮ駆動における第２変調電圧放電および
第１変調電圧リカバリー期間（TN4）と同様の駆動を行
う。
以上のように、この駆動回路ではNPフィールドとPNフ
ィールドの駆動タイミングより構成されており、NPフィ
ールドでは走査側の奇数番目選択ラインに対してＮ駆動
を、偶数番目選択ラインに対してＰ駆動を実行し、PNフ
ィールドではその逆の駆動を実行することで薄膜EL表示
装置の全絵素に対して発光に必要な交流パルスを印加す
るものである。第３図に、絵素A,絵素Ｂに印加される電
圧波形の代表例を示している。
ィールドの駆動タイミングより構成されており、NPフィ
ールドでは走査側の奇数番目選択ラインに対してＮ駆動
を、偶数番目選択ラインに対してＰ駆動を実行し、PNフ
ィールドではその逆の駆動を実行することで薄膜EL表示
装置の全絵素に対して発光に必要な交流パルスを印加す
るものである。第３図に、絵素A,絵素Ｂに印加される電
圧波形の代表例を示している。
ところで、従来の駆動回路では走査側の高耐圧ドライ
バーICのスイッチング素子としては一般的にNch MOSFE
T,Nchトランジスタ,Pch MOSFET,Pchトランジスタ等が用
いられるため、低コスト化、薄型コンパクト化，高集積
化という制約によりどうしても出力電流能力が小さく、
オン抵抗は大きいものとなる。この高耐圧スイッチング
素子としてサイリスタを使用することにより、さらに低
コスト化，薄型，コンパクト化，高集積化を実現し（サ
イリスタは自己保持型素子であり、一度ゲート信号によ
りON状態となれば一トリガパルスを入れれば一ゲート信
号が消滅しても、この状態を維持するため、MOSFET,ト
ランジスタと比較するとレベルシフタ回路の簡素化が行
なえる。また高耐圧、大電流制御が容易に行える。つま
りチップサイズを小さくすることができる。）かつ、第
５図に示すような特徴をそなえている。第５図は高耐圧
スイッチング素子の出力電圧−電流特性を示すものであ
り、31はスイッチング素子としてサイリスタを使用した
場合（ON状態時）、32はMOSFETもしくはトランジスタを
使用した場合を示す。この図より明らかなようにサイリ
スタはMOSFET、トランジスタと比較すると、出力電流能
力が十分大きく、オン抵抗は十分小さくなる。これによ
り従来発光絵素数が増加するに従い輝度が低下する、つ
まり発光絵素が増加すると負荷が大きくなり、十分な書
き込みパルスが印加できなくなり、発光絵素数が少ない
時と多い時とで発光量の差が発生する（輝度差が生じ
る）という現象がなくなり、表示品質が向上する。階調
表示ではこのような輝度特性を抑えることができるため
容易に実現可能となる。
バーICのスイッチング素子としては一般的にNch MOSFE
T,Nchトランジスタ,Pch MOSFET,Pchトランジスタ等が用
いられるため、低コスト化、薄型コンパクト化，高集積
化という制約によりどうしても出力電流能力が小さく、
オン抵抗は大きいものとなる。この高耐圧スイッチング
素子としてサイリスタを使用することにより、さらに低
コスト化，薄型，コンパクト化，高集積化を実現し（サ
イリスタは自己保持型素子であり、一度ゲート信号によ
りON状態となれば一トリガパルスを入れれば一ゲート信
号が消滅しても、この状態を維持するため、MOSFET,ト
ランジスタと比較するとレベルシフタ回路の簡素化が行
なえる。また高耐圧、大電流制御が容易に行える。つま
りチップサイズを小さくすることができる。）かつ、第
５図に示すような特徴をそなえている。第５図は高耐圧
スイッチング素子の出力電圧−電流特性を示すものであ
り、31はスイッチング素子としてサイリスタを使用した
場合（ON状態時）、32はMOSFETもしくはトランジスタを
使用した場合を示す。この図より明らかなようにサイリ
スタはMOSFET、トランジスタと比較すると、出力電流能
力が十分大きく、オン抵抗は十分小さくなる。これによ
り従来発光絵素数が増加するに従い輝度が低下する、つ
まり発光絵素が増加すると負荷が大きくなり、十分な書
き込みパルスが印加できなくなり、発光絵素数が少ない
時と多い時とで発光量の差が発生する（輝度差が生じ
る）という現象がなくなり、表示品質が向上する。階調
表示ではこのような輝度特性を抑えることができるため
容易に実現可能となる。
また、EL表示装置はコンデンサーと等価であるため、
出力電流能力が大きくなることで、充電時間が短縮さ
れ、１走査駆動時間が短縮される。つまり多走査電極の
EL表示装置の駆動が行え、データ側電極の増加に伴う、
１走査ラインの負荷容量の増加に対しても、駆動が可能
となる。
出力電流能力が大きくなることで、充電時間が短縮さ
れ、１走査駆動時間が短縮される。つまり多走査電極の
EL表示装置の駆動が行え、データ側電極の増加に伴う、
１走査ラインの負荷容量の増加に対しても、駆動が可能
となる。
上記本実施例では、走査側電極およびデータ側電極の
両方にサイリスタをスイッチング素子として構成したプ
ッシュ・プル機能を有する高耐圧ドライバーICを接続し
ているが、プルアップもしくはプルダウンのみの機能を
有する高耐圧ドライバーICを接続して、薄膜EL表示装置
の駆動回路を構成しても同様の効果が得られ本発明の要
旨をそこなわないものである。
両方にサイリスタをスイッチング素子として構成したプ
ッシュ・プル機能を有する高耐圧ドライバーICを接続し
ているが、プルアップもしくはプルダウンのみの機能を
有する高耐圧ドライバーICを接続して、薄膜EL表示装置
の駆動回路を構成しても同様の効果が得られ本発明の要
旨をそこなわないものである。
さらに、本例の薄膜EL表示装置は、少なくとも書き込
み電圧を印加している側の電極、即ち走査側電極のみに
サイリスタをスイッチング素子として構成したドライバ
ー回路を接続すれば良く、また、データ側電極から書き
込み電圧を印加するような駆動回路においては少なくと
もデータ側電極にサイリスタをスイッチング素子として
構成したドライバー回路を接続すれば本発明の要旨を損
なわないものである。
み電圧を印加している側の電極、即ち走査側電極のみに
サイリスタをスイッチング素子として構成したドライバ
ー回路を接続すれば良く、また、データ側電極から書き
込み電圧を印加するような駆動回路においては少なくと
もデータ側電極にサイリスタをスイッチング素子として
構成したドライバー回路を接続すれば本発明の要旨を損
なわないものである。
〈発明の効果〉 以上より明らかなように、この発明の薄膜EL表示装置
の駆動回路によれば、上記EL表示装置の走査側電極およ
びデータ側電極のうち少なくとも書き込み電圧を印加す
る方の電極にサイリスタをスイッチング素子として構成
したプッシュ・プル機能を有する高耐圧ドライバーICを
接続することで、従来の利点を損なわずに発光絵素数に
よる輝度変化をなくし、階調表示を容易にさせ、データ
側電極及び走査側電極の増加による大表示容量化を容易
にする有用な薄膜EL表示装置を提供できる。
の駆動回路によれば、上記EL表示装置の走査側電極およ
びデータ側電極のうち少なくとも書き込み電圧を印加す
る方の電極にサイリスタをスイッチング素子として構成
したプッシュ・プル機能を有する高耐圧ドライバーICを
接続することで、従来の利点を損なわずに発光絵素数に
よる輝度変化をなくし、階調表示を容易にさせ、データ
側電極及び走査側電極の増加による大表示容量化を容易
にする有用な薄膜EL表示装置を提供できる。
第１図（ａ）（ｂ）、第２図はこの発明の一実施例の薄
膜EL表示装置の駆動回路図、第３図は第２図の動作を説
明するタイムチャートおよび絵素に印加される電圧波形
の例を示す図、第４図は発光絵素数の変動による輝度の
変化を示す薄膜EL表示装置の表示画面、第５図は高耐圧
ドライバーICのスイッチング素子の出力電圧−電流特性
を示す図、第６図は薄膜EL表示装置の一部切欠き斜視
図、第７図は薄膜EL表示装置の印加電圧に対する輝度特
性を示す図である。 １……プルアップ用サイリスタ、２……プルダウン用サ
イリスタ、3,4……ダイオード、５……制御用ロジック
回路、10……薄膜EL表示装置、20,30……走査側高耐圧
プッシュ・プルドライバーIC、40……データ側高耐圧プ
ッシュ・プルドライバーIC、100……走査側高耐圧プッ
シュ・プルドライバーのプルダウン共通線電位切換回路
およびリカバリー回路、200……走査側高耐圧プッシュ
・プルドライバーのプルアップ共通線電位切換回路、30
0……データ側高耐圧プッシュ・プルドライバーのプル
アップ共通線電位切換回路およびリカバリー回路、400
……1/2変調電圧ステップ充電回路およびリカバリー回
路、500……データ反転コントロール回路。
膜EL表示装置の駆動回路図、第３図は第２図の動作を説
明するタイムチャートおよび絵素に印加される電圧波形
の例を示す図、第４図は発光絵素数の変動による輝度の
変化を示す薄膜EL表示装置の表示画面、第５図は高耐圧
ドライバーICのスイッチング素子の出力電圧−電流特性
を示す図、第６図は薄膜EL表示装置の一部切欠き斜視
図、第７図は薄膜EL表示装置の印加電圧に対する輝度特
性を示す図である。 １……プルアップ用サイリスタ、２……プルダウン用サ
イリスタ、3,4……ダイオード、５……制御用ロジック
回路、10……薄膜EL表示装置、20,30……走査側高耐圧
プッシュ・プルドライバーIC、40……データ側高耐圧プ
ッシュ・プルドライバーIC、100……走査側高耐圧プッ
シュ・プルドライバーのプルダウン共通線電位切換回路
およびリカバリー回路、200……走査側高耐圧プッシュ
・プルドライバーのプルアップ共通線電位切換回路、30
0……データ側高耐圧プッシュ・プルドライバーのプル
アップ共通線電位切換回路およびリカバリー回路、400
……1/2変調電圧ステップ充電回路およびリカバリー回
路、500……データ反転コントロール回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 猪原 章夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 岸下 博 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 上出 久 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−86595（ＪＰ，Ａ) 特公 昭60−15279（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭62−26476（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭58−28593（ＪＰ，Ｂ２) 米国特許4109245（ＵＳ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】EL層を互いに交差する方向に配列した走査
側電極とデータ側電極との間に介設して構成した薄膜EL
表示装置において、 上記走査側電極及び上記データ側電極のうちの少なくと
も書き込み電圧が印加される電極に、正極性の電圧を印
加するサイリスタからなるプルアップ素子、負極性の電
圧を印加するサイリスタからなるプルダウン素子および
上記サイリスタに制御のためのトリガパルスを出力する
駆動回路からなる双方向性高耐圧ドライバーICが各々接
続され、該双方向性高耐圧ドライバーICはデータ信号に
従い上記サイリスタが各々オン，オフ制御されることに
より、上記双方向性高耐圧ドライバーICに各々接続され
た上記走査側電極又は上記データ側電極に書き込み電圧
又は該書き込み電圧と共に発光に関与する変調電圧が印
加されることを特徴とする薄膜EL表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62231745A JP2647859B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 薄膜ｅｌ表示装置 |
| DE88308523T DE3879833T2 (de) | 1987-09-16 | 1988-09-15 | Dünnschicht-Elektrolumineszenzanzeigegerät. |
| US07/244,841 US5032829A (en) | 1987-09-16 | 1988-09-15 | Thin film el display device |
| EP88308523A EP0308214B1 (en) | 1987-09-16 | 1988-09-15 | Thin film electroluminescent display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62231745A JP2647859B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 薄膜ｅｌ表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6474598A JPS6474598A (en) | 1989-03-20 |
| JP2647859B2 true JP2647859B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=16928376
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