JPH0654414B2 - 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路Info
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- JPH0654414B2 JPH0654414B2 JP61173328A JP17332886A JPH0654414B2 JP H0654414 B2 JPH0654414 B2 JP H0654414B2 JP 61173328 A JP61173328 A JP 61173328A JP 17332886 A JP17332886 A JP 17332886A JP H0654414 B2 JPH0654414 B2 JP H0654414B2
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Classifications
-
- Y02B20/343—
-
- Y02B20/346—
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、交流駆動型容量性フラット・マトリックスデ
ィスプレイパネル、すなわち、薄膜ＥＬ表示装置の駆動
回路に関するものである。
ィスプレイパネル、すなわち、薄膜ＥＬ表示装置の駆動
回路に関するものである。
〈従来の技術〉 例えば、二重絶縁型（又は三層構造）薄膜ＥＬ表示装置
は次のように構成される。
は次のように構成される。
第４図に図示のように、ガラス基板１の上にIn2O3より
なる帯状の透明電極２を平行に設け、この上に例えばY2
O3、Si3N4、TiO2、Al2O3等の誘電物質層３、Ｍｎ等の活
性剤をドープしたＺｎＳよりなるＥＬ層４、上記と同じ
くY2O3、Si3N4、TiO2、Al2O3等の誘電物質層３′を蒸着
法、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて順次50
0〜10000Åの薄厚に積層して３層構造にし、その上に上
記透明電極２と直交する方向にAl2O3になる帯状の背面
電極５を平行に設ける。
なる帯状の透明電極２を平行に設け、この上に例えばY2
O3、Si3N4、TiO2、Al2O3等の誘電物質層３、Ｍｎ等の活
性剤をドープしたＺｎＳよりなるＥＬ層４、上記と同じ
くY2O3、Si3N4、TiO2、Al2O3等の誘電物質層３′を蒸着
法、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて順次50
0〜10000Åの薄厚に積層して３層構造にし、その上に上
記透明電極２と直交する方向にAl2O3になる帯状の背面
電極５を平行に設ける。
上記薄膜ＥＬ素子はその電極間に、誘電物質３、３′で
挾持されたＥＬ物質４を介在させたものであるから、等
価回路的には容量性素子と見ることができる。また、前
記薄膜ＥＬ素子は第５図に示す電圧−輝度特性から明ら
かな如く、２００Ｖ程度の比較的高電圧を印加して駆動
される。
挾持されたＥＬ物質４を介在させたものであるから、等
価回路的には容量性素子と見ることができる。また、前
記薄膜ＥＬ素子は第５図に示す電圧−輝度特性から明ら
かな如く、２００Ｖ程度の比較的高電圧を印加して駆動
される。
この薄膜ＥＬ素子は交流電界によって高輝度発光し、し
かも長寿命であるという特徴を有している。
かも長寿命であるという特徴を有している。
従来、このような薄膜ＥＬ表示装置のためデータ側各電
極には1/2の変調電圧ＶＭを充電するダイオードと０Ｖ
に放電させるスイッチング回路を接続すると共に、走査
側電極の駆動回路としてＮch MOSドライバーとＰch M
OSドライバーを備え、フィールド反転駆動を行ない、さ
らに１走査線毎に絵素に加わる書き込み波形の極性を反
転する駆動回路や、走査側電極数の増加に対応し、デー
タ側電極の各々にＥＬ層に対して変調電圧VMを充電する
Ｐｃｈ高耐圧ＭＯＳドライバーと、0Vに放電させるＮｃ
ｈ高耐圧ＭＯＳドライバーを接続することにより、書き
込み駆動中にデータ側電極を表示データに従って変調電
圧の充放電を１度に行う駆動回路が提案されている。
極には1/2の変調電圧ＶＭを充電するダイオードと０Ｖ
に放電させるスイッチング回路を接続すると共に、走査
側電極の駆動回路としてＮch MOSドライバーとＰch M
OSドライバーを備え、フィールド反転駆動を行ない、さ
らに１走査線毎に絵素に加わる書き込み波形の極性を反
転する駆動回路や、走査側電極数の増加に対応し、デー
タ側電極の各々にＥＬ層に対して変調電圧VMを充電する
Ｐｃｈ高耐圧ＭＯＳドライバーと、0Vに放電させるＮｃ
ｈ高耐圧ＭＯＳドライバーを接続することにより、書き
込み駆動中にデータ側電極を表示データに従って変調電
圧の充放電を１度に行う駆動回路が提案されている。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、これらの提案において走査電極の１ラインに対
して２個以上のドライバーＩＣ（Nch高耐圧ＭＯＳドラ
イバーＩＣ及びＰｃｈ高耐圧MOSドライバーＩＣ等）を
必要としていた。また、走査側電極に正，負の高電圧パ
ルスを印加させるため、Ｎｃｈ高耐圧ＭＯＳドライバー
及びＰｃｈ高耐圧ＭＯＳドライバーの各制御信号をフロ
ーティングさせる必要があり、そのため各制御信号用の
アイソレーター及び各々フローティング電源（ドライバ
ー制御信号用インタフェース回路）が必要となってい
た。よってＥＬ駆動装置の薄型・コンパクト化及び低コ
スト化を阻んでいた。
して２個以上のドライバーＩＣ（Nch高耐圧ＭＯＳドラ
イバーＩＣ及びＰｃｈ高耐圧MOSドライバーＩＣ等）を
必要としていた。また、走査側電極に正，負の高電圧パ
ルスを印加させるため、Ｎｃｈ高耐圧ＭＯＳドライバー
及びＰｃｈ高耐圧ＭＯＳドライバーの各制御信号をフロ
ーティングさせる必要があり、そのため各制御信号用の
アイソレーター及び各々フローティング電源（ドライバ
ー制御信号用インタフェース回路）が必要となってい
た。よってＥＬ駆動装置の薄型・コンパクト化及び低コ
スト化を阻んでいた。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、薄
型・コンパクト化及び低コスト化が可能となる駆動回路
を提供するものである。
型・コンパクト化及び低コスト化が可能となる駆動回路
を提供するものである。
〈問題点を解決するための手段〉 本発明は、ＥＬ層を互いに交差する方向に配列した走査
側電極とデータ側電極間に介設して構成された薄膜ＥＬ
表示装置において、後述する第１及び第２スイッチング
回路はプッシュ・プル機能をもち、単一電位のシフトレ
ジスタ，ゲート等の論理回路で制御される第１及び第２
の高耐圧ドライバーＩＣを含んでなるものであり、走査
側電極の各々に、データ側電極に対して負極性の電圧及
び正極性の電圧を印加する第１スイッチング回路を接続
し、この第１スイッチング回路における前記第１高耐圧
ドライバーＩＣのプルダウン用共通線には負極性書き込
み電圧と０Ｖに切り替える第３スイッチング回路を接続
し、プルアップ用共通線には正極性書き込み電圧と０Ｖ
に切り替える第４スイッチング回路を接続するととも
に、データ側電極の各々に前記走査側電極に対応するＥ
Ｌ層に対して変調電圧の充・放電を行う第２スイッチン
グ回路を接続し、この第２スイッチング回路における前
記第２高耐圧ドライバーＩＣのプルダウン用共通線は０
Ｖに接続し、プルアップ用共通線には該共通線をフロー
ティングレベル及び変調電圧ＶＭに切換える第５スイッ
チング回路を接続してなることを特徴とする薄膜ＥＬ表
示装置の駆動回路である。
側電極とデータ側電極間に介設して構成された薄膜ＥＬ
表示装置において、後述する第１及び第２スイッチング
回路はプッシュ・プル機能をもち、単一電位のシフトレ
ジスタ，ゲート等の論理回路で制御される第１及び第２
の高耐圧ドライバーＩＣを含んでなるものであり、走査
側電極の各々に、データ側電極に対して負極性の電圧及
び正極性の電圧を印加する第１スイッチング回路を接続
し、この第１スイッチング回路における前記第１高耐圧
ドライバーＩＣのプルダウン用共通線には負極性書き込
み電圧と０Ｖに切り替える第３スイッチング回路を接続
し、プルアップ用共通線には正極性書き込み電圧と０Ｖ
に切り替える第４スイッチング回路を接続するととも
に、データ側電極の各々に前記走査側電極に対応するＥ
Ｌ層に対して変調電圧の充・放電を行う第２スイッチン
グ回路を接続し、この第２スイッチング回路における前
記第２高耐圧ドライバーＩＣのプルダウン用共通線は０
Ｖに接続し、プルアップ用共通線には該共通線をフロー
ティングレベル及び変調電圧ＶＭに切換える第５スイッ
チング回路を接続してなることを特徴とする薄膜ＥＬ表
示装置の駆動回路である。
〈作 用〉 上記により、プッシュ・プル機能をもつ高耐圧ドライバ
ーＩＣを用いているので走査側ドライバーに入力する制
御信号のインターフェース回路を簡素化し、かつ、走査
電極１ライン当りのドライバーコストを低減できる。
ーＩＣを用いているので走査側ドライバーに入力する制
御信号のインターフェース回路を簡素化し、かつ、走査
電極１ライン当りのドライバーコストを低減できる。
〈実施例〉 以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述す
る。なお、これによってこの発明が限定されるものでは
ない。
る。なお、これによってこの発明が限定されるものでは
ない。
第１図はこの発明の一実施例を示す駆動回路構成図であ
る。
る。
１０は発光しきい電圧Ｖｔｈ（ＶＷ＜Ｖth＜Ｖｗ＋
ＶＭ）の薄膜ＥＬ表示装置を示し、この図ではＸ方向電
極をデータ側電極としＹ方向電極を走査側電極として電
極のみを示している。20，30はＹ方向電極の奇数ライン
と偶数ラインにそれぞれ対応する走査側高耐圧プッシュ
プルタイプドライバーＩＣ（第１スイッチング回路に相
当）である。21，31は各走査側ドライバーＩＣ20，30中
のシフトレジスタ等の論理回路であり、Ｓcan data，
ＰＵＰ，ＰＤＷ等の制御信号によりシフトレジスタ中の
Ｓcan data に対応してプルアップもしくはプルダウ
ン素子がＯＮする状態、Ｓcan dataに関係なく全ての
プルアップもしくはプルダウン素子がＯＮする状態をつ
くりだすものである。４０はＸ方向電極に対応するデー
タ側高耐圧プッシュプルタイプドライバーＩＣ（第２ス
イッチング回路に相当）であり、４１はデータ側ドライ
バーＩＣ40中のシフトレジスタ等の論理回路である。第
２図(a)に示すプッシュプルタイプドライバーの一構成
例を第２図(b)に示す。５０１はプルアップ用のＰｃｈ
高耐圧ＭＯＳＦＥＴ、５０２はプルダウン用のＮｃｈ高
耐圧ＭＯＳＦＥＴ、５０３，５０４は各々のＦＥＴに対
して逆方向に電流を流すためのダイオードである。５０
１，５０２は入力データに応じてレベルシフト等の回路
によりＯＮ，ＯＦＦが行なわれる。このプッシュプルタ
イプドライバーは、プルアップ機能をもつスイッチング
素子とプルダウン機能をもつスイッチング素子で構成さ
れていれば何ら差しつかえない。
ＶＭ）の薄膜ＥＬ表示装置を示し、この図ではＸ方向電
極をデータ側電極としＹ方向電極を走査側電極として電
極のみを示している。20，30はＹ方向電極の奇数ライン
と偶数ラインにそれぞれ対応する走査側高耐圧プッシュ
プルタイプドライバーＩＣ（第１スイッチング回路に相
当）である。21，31は各走査側ドライバーＩＣ20，30中
のシフトレジスタ等の論理回路であり、Ｓcan data，
ＰＵＰ，ＰＤＷ等の制御信号によりシフトレジスタ中の
Ｓcan data に対応してプルアップもしくはプルダウ
ン素子がＯＮする状態、Ｓcan dataに関係なく全ての
プルアップもしくはプルダウン素子がＯＮする状態をつ
くりだすものである。４０はＸ方向電極に対応するデー
タ側高耐圧プッシュプルタイプドライバーＩＣ（第２ス
イッチング回路に相当）であり、４１はデータ側ドライ
バーＩＣ40中のシフトレジスタ等の論理回路である。第
２図(a)に示すプッシュプルタイプドライバーの一構成
例を第２図(b)に示す。５０１はプルアップ用のＰｃｈ
高耐圧ＭＯＳＦＥＴ、５０２はプルダウン用のＮｃｈ高
耐圧ＭＯＳＦＥＴ、５０３，５０４は各々のＦＥＴに対
して逆方向に電流を流すためのダイオードである。５０
１，５０２は入力データに応じてレベルシフト等の回路
によりＯＮ，ＯＦＦが行なわれる。このプッシュプルタ
イプドライバーは、プルアップ機能をもつスイッチング
素子とプルダウン機能をもつスイッチング素子で構成さ
れていれば何ら差しつかえない。
１００は走査側ドライバー２０，３０のプルダウン共通
線電位を切換える回路（第３スイッチング回路に相当）
であり、制御信号ＮＶＣ，ＮＧＣにより負極性の書き込
み電圧−ＶＷと０Ｖに切換えるスイッチングSW1，SW2よ
り構成されている。
線電位を切換える回路（第３スイッチング回路に相当）
であり、制御信号ＮＶＣ，ＮＧＣにより負極性の書き込
み電圧−ＶＷと０Ｖに切換えるスイッチングSW1，SW2よ
り構成されている。
２００は走査側ドライバー２０，３０のプルアップ共通
線電位を切換える回路（第４スイッチング回路に相当）
であり、制御信号ＰＶＣ，ＰＧＣにより正極性の書き込
み電圧ＶＷ＋ＶＭと０Ｖに切換えるスイッチSW3，SW4よ
り構成されている。
線電位を切換える回路（第４スイッチング回路に相当）
であり、制御信号ＰＶＣ，ＰＧＣにより正極性の書き込
み電圧ＶＷ＋ＶＭと０Ｖに切換えるスイッチSW3，SW4よ
り構成されている。
３００はデータ側ドライバー４０のプルアップ共通線電
位を切換える回路（第５スイッチング回路に相当）であ
り、制御信号ＭＣにより変調電圧ＶＭとフローティング
状態に切換えるスイッチＳＷ５より構成されている。
位を切換える回路（第５スイッチング回路に相当）であ
り、制御信号ＭＣにより変調電圧ＶＭとフローティング
状態に切換えるスイッチＳＷ５より構成されている。
４００はデータ反転コントロール回路である。
次に、第３図のタイムチャートを用いて、第１図の動作
について説明する。
について説明する。
ここでは線順次駆動で絵素Ａを含むＹ１と絵素Ｂを含む
Ｙ２の走査電極が選択されるものとする。また、この駆
動装置では１ライン毎に絵素に印加される書き込み電圧
の極性を反転して駆動されるが、走査側選択電極に接続
されている高耐圧ドライバーＩＣ20，30のプルダウン用
ＭＯＳＦＥＴをＯＮし、その電極ライン上の絵素に負の
書き込みパルスを印加する１ラインの駆動タイミングを
Ｎ駆動タイミングと呼び、一方、プルアップ用MOSFETを
ＯＮし、その電極ライン上の絵素に正の書き込みパルス
を印加する１ラインの駆動タイミングをＰ駆動タイミン
グと呼ぶことにする。又、走査側奇数ラインに対してＮ
駆動をし、偶数ラインに対してＰ駆動を実行するフィー
ルド（画面）をＮＰフィールド、その逆のフィールドを
PNフィールドと呼ぶことにする。
Ｙ２の走査電極が選択されるものとする。また、この駆
動装置では１ライン毎に絵素に印加される書き込み電圧
の極性を反転して駆動されるが、走査側選択電極に接続
されている高耐圧ドライバーＩＣ20，30のプルダウン用
ＭＯＳＦＥＴをＯＮし、その電極ライン上の絵素に負の
書き込みパルスを印加する１ラインの駆動タイミングを
Ｎ駆動タイミングと呼び、一方、プルアップ用MOSFETを
ＯＮし、その電極ライン上の絵素に正の書き込みパルス
を印加する１ラインの駆動タイミングをＰ駆動タイミン
グと呼ぶことにする。又、走査側奇数ラインに対してＮ
駆動をし、偶数ラインに対してＰ駆動を実行するフィー
ルド（画面）をＮＰフィールド、その逆のフィールドを
PNフィールドと呼ぶことにする。
(A) ＮＰフィールド 1. Ｎ駆動における変調電圧充電期間（ＴN1）走査側の
全てのドライバーSDr1〜SDriのＰch MOSFETをＯＮさ
せ、制御信号PGCによりスイッチＳＷ４をＯＮさせるこ
とで、走査側全電極を０Ｖに保つ。同時に制御信号ＭＣ
によりスイッチＳＷ５をＯＮさせ、データ側のドライバ
ーDDr1〜DDriは表示データ信号に従い発光の場合Pch M
OSFETをＯＮにし、非発光の場合Nch MOSFETをＯＮにす
る。ここで表示データ信号が“Ｈ”で発光、“Ｌ”で非
発光の場合、入力表示データ論理をそのままドライバー
ＩＣ４０に入力する必要があるので、データ反転コント
ロール回路４００における信号ＲＶＣは“Ｌ”にしてお
く。（但しドライバーＩＣは“Ｈ”でPch MOSFETがＯ
Ｎし、“Ｌ”でNch MOSFETがＯＦＦするものとす
る。）これにより発光絵素だけに変調電圧ＶＭがデータ
側に充電される。充電が完了すると、スイッチＳＷ５は
ＯＦＦにする。
全てのドライバーSDr1〜SDriのＰch MOSFETをＯＮさ
せ、制御信号PGCによりスイッチＳＷ４をＯＮさせるこ
とで、走査側全電極を０Ｖに保つ。同時に制御信号ＭＣ
によりスイッチＳＷ５をＯＮさせ、データ側のドライバ
ーDDr1〜DDriは表示データ信号に従い発光の場合Pch M
OSFETをＯＮにし、非発光の場合Nch MOSFETをＯＮにす
る。ここで表示データ信号が“Ｈ”で発光、“Ｌ”で非
発光の場合、入力表示データ論理をそのままドライバー
ＩＣ４０に入力する必要があるので、データ反転コント
ロール回路４００における信号ＲＶＣは“Ｌ”にしてお
く。（但しドライバーＩＣは“Ｈ”でPch MOSFETがＯ
Ｎし、“Ｌ”でNch MOSFETがＯＦＦするものとす
る。）これにより発光絵素だけに変調電圧ＶＭがデータ
側に充電される。充電が完了すると、スイッチＳＷ５は
ＯＦＦにする。
2. Ｎ駆動における書き込み期間（ＴＮ２） 走査側全ドライバーSDr1〜SDriのプルダウン共通線電位
を負極性の書き込み電圧−ＶＷにするため、制御信号Ｎ
ＶＣによりスイッチＳＷ１をＯＮさせる。それと同時に
奇数走査側ドライバー２０だけシフトレジスタのデータ
に従ってＯＮさせる。つまり選択走査電極に接続のドラ
イバーのみNchMOSFETをＯＮさせ、他はPch MOSFETをＯ
Ｎさせる。一方、偶数走査側ドライバー３０及びデータ
側ドライバー４０は、ＴＮ１期間の駆動を継続する。こ
れにより発光絵素にはＶＭ−（−ＶＷ）＝ＶＷ＋ＶＭが
印加され発光する。また非発光絵素には０Ｖ−（−
ＶＷ）＝ＶＷが印加されるが、発光しきい電圧Ｖｔｈ以
下なので発光しない。
を負極性の書き込み電圧−ＶＷにするため、制御信号Ｎ
ＶＣによりスイッチＳＷ１をＯＮさせる。それと同時に
奇数走査側ドライバー２０だけシフトレジスタのデータ
に従ってＯＮさせる。つまり選択走査電極に接続のドラ
イバーのみNchMOSFETをＯＮさせ、他はPch MOSFETをＯ
Ｎさせる。一方、偶数走査側ドライバー３０及びデータ
側ドライバー４０は、ＴＮ１期間の駆動を継続する。こ
れにより発光絵素にはＶＭ−（−ＶＷ）＝ＶＷ＋ＶＭが
印加され発光する。また非発光絵素には０Ｖ−（−
ＶＷ）＝ＶＷが印加されるが、発光しきい電圧Ｖｔｈ以
下なので発光しない。
3. Ｎ駆動における放電期間（ＴＮ３） 制御信号ＮＶＣによりスイッチＳＷ１をＯＦＦにした
後、制御信号ＮＧＣによりスイッチＳＷ２をＯＮさせ、
同時に走査側全ドライバーのＮch MOSFETをＯＮさせ
る。これにより、書き込み電圧は放電され、全走査電極
は０Ｖになる。
後、制御信号ＮＧＣによりスイッチＳＷ２をＯＮさせ、
同時に走査側全ドライバーのＮch MOSFETをＯＮさせ
る。これにより、書き込み電圧は放電され、全走査電極
は０Ｖになる。
4. Ｐ駆動における変調電圧充電期間（ＴP1） 走査側の全てのドライバーSDr1〜SDriのＮch MOSFETを
ＯＮさせ制御信号ＮＧＣによりスイッチＳＷ２をＯＮさ
せることで、走査側全電極の電位を０Ｖに保つ。同時
に、制御信号ＭＣによりスイッチＳＷ５をＯＮさせ、デ
ータ側のドライバーDDr1〜DDriは表示データ信号の反転
信号に従い発光の場合Ｎch MOSFETをＯＮにし、非発光
の場合Ｐch MOSFETをＯＮにする。ここで入力表示デー
タ逆論理をドライバーＩＣ４０に入力する必要があるの
で、データ反転コントロール回路４００における信号Ｒ
ＶＣは“Ｈ”にしておく。これにより非発光絵素だけ
に、変調電圧ＶＭがデータ側に充電される。充電が完了
するとスイッチＳＷ５はＯＦＦにする。
ＯＮさせ制御信号ＮＧＣによりスイッチＳＷ２をＯＮさ
せることで、走査側全電極の電位を０Ｖに保つ。同時
に、制御信号ＭＣによりスイッチＳＷ５をＯＮさせ、デ
ータ側のドライバーDDr1〜DDriは表示データ信号の反転
信号に従い発光の場合Ｎch MOSFETをＯＮにし、非発光
の場合Ｐch MOSFETをＯＮにする。ここで入力表示デー
タ逆論理をドライバーＩＣ４０に入力する必要があるの
で、データ反転コントロール回路４００における信号Ｒ
ＶＣは“Ｈ”にしておく。これにより非発光絵素だけ
に、変調電圧ＶＭがデータ側に充電される。充電が完了
するとスイッチＳＷ５はＯＦＦにする。
5. Ｐ駆動における書き込み期間（Ｔｐ２） 走査側全ドライバーのプルアップ共通線電位を正極性の
書き込み電圧ＶＷ＋ＶＭにするため、制御信号ＰＶＣに
よりスイッチＳＷ３をＯＮさせる。それと同時に偶数走
査側ドライバー３０だけシフトレジスタのデータに従っ
てＯＮさせる。つまり選択走査電極に接続のドライバー
のみＰch MOSFETをＯＮさせ、他はＮch MOSFETをＯＮ
させる。一方奇数走査側ドライバー２０及びデータ側ド
ライバー４０は、Ｔｐ１期間の駆動を継続する。これに
より発光絵素には（ＶＷ＋ＶＭ）−0V＝ＶＷ＋ＶＭが印
加され発光する。また非発光絵素には（ＶＷ＋ＶＭ）−
ＶＭ＝ＶＷが印加されるが、発光しきい電圧Ｖｔｈ以下
なので発光しない。
書き込み電圧ＶＷ＋ＶＭにするため、制御信号ＰＶＣに
よりスイッチＳＷ３をＯＮさせる。それと同時に偶数走
査側ドライバー３０だけシフトレジスタのデータに従っ
てＯＮさせる。つまり選択走査電極に接続のドライバー
のみＰch MOSFETをＯＮさせ、他はＮch MOSFETをＯＮ
させる。一方奇数走査側ドライバー２０及びデータ側ド
ライバー４０は、Ｔｐ１期間の駆動を継続する。これに
より発光絵素には（ＶＷ＋ＶＭ）−0V＝ＶＷ＋ＶＭが印
加され発光する。また非発光絵素には（ＶＷ＋ＶＭ）−
ＶＭ＝ＶＷが印加されるが、発光しきい電圧Ｖｔｈ以下
なので発光しない。
6. Ｐ駆動における放電期間（Ｔｐ３） 制御信号ＰＶＣによりスイッチＳＷ３をＯＦＦにした後
制御信号ＰＧＣによりスイッチＳＷ４をＯＮさせ、同時
に走査側全ドライバーのＰch MOSFETをＯＮさせる。こ
れにより書き込み電圧は放電され、全走査電極は０Ｖに
なる。
制御信号ＰＧＣによりスイッチＳＷ４をＯＮさせ、同時
に走査側全ドライバーのＰch MOSFETをＯＮさせる。こ
れにより書き込み電圧は放電され、全走査電極は０Ｖに
なる。
(B) ＰＮフィールド 1. Ｐ駆動における変調電圧充電期間（Ｔｐ４） ＮＰフィールドＰ駆動における変調電圧充電期間（Ｔ
ｐ１）と同様の駆動を行う。
ｐ１）と同様の駆動を行う。
2. Ｐ駆動における書き込み期間（Ｔｐ５） 走査側の選択電極が奇数側から選択され、偶数側ドライ
バー３０はＴｐ４期間の駆動を継続する以外はＮＰフィ
ールドＰ駆動における書き込み期間（Ｔｐ２）と同様の
駆動を行う。
バー３０はＴｐ４期間の駆動を継続する以外はＮＰフィ
ールドＰ駆動における書き込み期間（Ｔｐ２）と同様の
駆動を行う。
3. Ｐ駆動における放電期間（Ｔｐ６） ＮＰフィールドＰ駆動における放電期間Ｔｐ３と同様の
駆動を行う。
駆動を行う。
4. Ｎ駆動における変調電圧充電期間（ＴＮ４） ＮＰフィールドＮ駆動における変調電圧充電期間（Ｔ
Ｎ１）と同様の駆動を行う。
Ｎ１）と同様の駆動を行う。
5. Ｎ駆動における書き込み期間（ＴＮ５） 走査側の選択電極が偶数側から選択され、奇数側ドライ
バー２０はＰＮフィールドＮ駆動における変調電圧充電
期間（ＴＮ４）期間の駆動を継続する以外はＮＰフィー
ルドＮ駆動における書き込み期間（ＴＮ４）と同様の駆
動を行う。
バー２０はＰＮフィールドＮ駆動における変調電圧充電
期間（ＴＮ４）期間の駆動を継続する以外はＮＰフィー
ルドＮ駆動における書き込み期間（ＴＮ４）と同様の駆
動を行う。
6. Ｎ駆動における放電期間（ＴＮ６） ＮＰフィールドＮ駆動における放電期間（ＴＮ３）と同
様の駆動を行う。
様の駆動を行う。
以上のように、この駆動回路ではＮＰフィールドとＰＮ
フィールドの駆動タイミングより構成されており、ＮＰ
フィールドでは走査側の奇数番目選択ラインに対してＮ
駆動を、偶数番目選択ラインに対してＰ駆動を実行し、
ＰＮフィールドではその逆の駆動を実行することで薄膜
ＥＬ表示装置の全絵素に対して発光に必要な交流パルス
を閉じるものである。第５図には絵素Ａ，絵素Ｂに印加
される電圧波形を代表例として示している。
フィールドの駆動タイミングより構成されており、ＮＰ
フィールドでは走査側の奇数番目選択ラインに対してＮ
駆動を、偶数番目選択ラインに対してＰ駆動を実行し、
ＰＮフィールドではその逆の駆動を実行することで薄膜
ＥＬ表示装置の全絵素に対して発光に必要な交流パルス
を閉じるものである。第５図には絵素Ａ，絵素Ｂに印加
される電圧波形を代表例として示している。
ところで、この駆動回路では単一のシフトレジスタとド
ライバー制御信号により出力段ドライバーのプルアップ
及びプルダウンを制御しているが、従来の駆動回路であ
ればプルアップ制御用のシフトレジスタと制御信号、プ
ルダウン制御用のシフトレジスタと制御信号が必要であ
り、また、走査電極に正及び負の高電圧パルスを印加さ
せるためには、両方の制御信号をフローティングさせな
ければならない。しかしプッシュプルタイプ高耐圧ドラ
イバーではフローティング制御信号は従来の半分とな
り、ドライバー制御信号用インタフェース回路の削減に
つながりコスト低減に寄与する。また従来の駆動回路で
は走査電極１ライン当りの高耐圧ドライバーは２個以上
必要としていたが、プッシュプルタイプ高耐圧ドライバ
ーでは１個の為、大幅なコスト低減かつ、薄型コンパク
ト化が行なわれる。
ライバー制御信号により出力段ドライバーのプルアップ
及びプルダウンを制御しているが、従来の駆動回路であ
ればプルアップ制御用のシフトレジスタと制御信号、プ
ルダウン制御用のシフトレジスタと制御信号が必要であ
り、また、走査電極に正及び負の高電圧パルスを印加さ
せるためには、両方の制御信号をフローティングさせな
ければならない。しかしプッシュプルタイプ高耐圧ドラ
イバーではフローティング制御信号は従来の半分とな
り、ドライバー制御信号用インタフェース回路の削減に
つながりコスト低減に寄与する。また従来の駆動回路で
は走査電極１ライン当りの高耐圧ドライバーは２個以上
必要としていたが、プッシュプルタイプ高耐圧ドライバ
ーでは１個の為、大幅なコスト低減かつ、薄型コンパク
ト化が行なわれる。
〈発明の効果〉 以上のように本発明によればプルアップ機能とプルダウ
ン機能を合せ持つ高耐圧ドライバーを使用することで、
走査側ドライバーに入力する制御信号のインタフェース
回路を簡素化しかつ、走査電極１ライン当りのドライバ
ーコストが低減するため、装置全体として大幅なコスト
低減が可能となりかつ薄型・コンパクトな薄型ＥＬ表示
装置の駆動回路を提供できる。
ン機能を合せ持つ高耐圧ドライバーを使用することで、
走査側ドライバーに入力する制御信号のインタフェース
回路を簡素化しかつ、走査電極１ライン当りのドライバ
ーコストが低減するため、装置全体として大幅なコスト
低減が可能となりかつ薄型・コンパクトな薄型ＥＬ表示
装置の駆動回路を提供できる。
第１図はこの発明の一実施例を示す電気回路図、第２図
(a)，(b)はプッシュプルタイプドライバーの一構成例、
第３図は第１図の動作を説明するタイムチャート、第４
図は薄膜ＥＬ表示装置の一部切欠き斜視図、第５図は薄
膜ＥＬ表示装置の印加電圧に対する輝度特性を示すグラ
フである。 １０……薄膜ＥＬ表示装置、20，30……走査側プッシュ
プルタイプドライバー（第１スイッチング回路）、４０
……データ側プッシュプルタイプドライバー（第２スイ
ッチング回路）、１００……走査側ドライバープルダウ
ン共通線電位切換回路（第３スイッチング回路）、２０
０……走査側ドライバープルアップ共通線電位切換回路
（第４スイッチング回路）、３００……データ側ドライ
バープルアップ共通線電位切換回路（第５スイッチング
回路）。
(a)，(b)はプッシュプルタイプドライバーの一構成例、
第３図は第１図の動作を説明するタイムチャート、第４
図は薄膜ＥＬ表示装置の一部切欠き斜視図、第５図は薄
膜ＥＬ表示装置の印加電圧に対する輝度特性を示すグラ
フである。 １０……薄膜ＥＬ表示装置、20，30……走査側プッシュ
プルタイプドライバー（第１スイッチング回路）、４０
……データ側プッシュプルタイプドライバー（第２スイ
ッチング回路）、１００……走査側ドライバープルダウ
ン共通線電位切換回路（第３スイッチング回路）、２０
０……走査側ドライバープルアップ共通線電位切換回路
（第４スイッチング回路）、３００……データ側ドライ
バープルアップ共通線電位切換回路（第５スイッチング
回路）。
Claims (1)
- 【請求項１】ＥＬ層を、互いに交差する方向に配列した
走査側電極とデータ側電極間に介設して構成した薄膜Ｅ
Ｌ表示装置において、 走査側電極の各々に、該走査側電極を介してデータ側電
極に対して負極性及び正極性の電圧を印加する第１スイ
ッチング回路を接続するとともに、データ側電極の各々
に、前記走査側電極に対応するＥＬ層に対して変調電圧
を充放電する第２スイッチング回路を接続し、 前記第１及び第２スイッチング回路は、プッシュ・プル
機能をもちプッシュ用スイッチ及びプル用スイッチのオ
ン・オフを単一電位の論理回路で制御される第１及び第
２高耐圧ドライバＩＣを含んでなり、 前記第１スイッチング回路における第１高耐圧ドライバ
ＩＣのプルダウン用共通線には、負極性の書き込み電圧
（−Ｖｗ）と０Ｖに切り替える第３スイッチング回路、
およびプルアップ用共通線には正極性の書き込み電圧
（Ｖｗ＋ＶＭ）と０Ｖに切り替える第４スイッチング回
路を接続し、 前記第２スイッチング回路における第２高耐圧ドライバ
ＩＣのプルダウン用共通線は０Ｖに接続し、プルアップ
用共通線には該共通線をフローティングレベルと前記変
調電圧ＶＭに切り替える第５スイッチング回路を接続し
てなり、 Ｎ駆動時には、前記第４スイッチング回路により走査側
全電極を０Ｖにした後、データ側電極では前記第５スイ
ッチング回路より供給されるＶＭを前記第２スイッチン
グ回路の第２高耐圧ドライバＩＣにより発光絵素を含む
データ電極にのみ印加し、走査側電極では前記第３スイ
ッチング回路より供給される−ＶＷを前記第１スイッチ
ング回路の第１高耐圧ドライバＩＣにより選択走査電極
にのみ印加して発光絵素に印加される電圧をＶＷ＋ＶＭ
とし、その後、前記第３スイッチング回路により走査側
全電極を０Ｖにし、 Ｐ駆動時には、前記第３スイッチング回路により走査側
全電極を０Ｖにした後、データ側電極では前記第５スイ
ッチング回路より供給されるＶＭを前記第２スイッチン
グ回路の第２高耐圧ドライバＩＣにより発光絵素を含ま
ないデータ電極にのみ印加し、走査側電極では前記第４
スイッチング回路より供給されるＶＷ＋ＶＭを前記第１
スイッチング回路の第１高耐圧ドライバＩＣにより選択
走査電極にのみ印加して発光絵素に印加される電圧をＶ
Ｗ＋ＶＭとし、その後、前記第４スイッチング回路によ
り走査側全電極を０Ｖにすることを特徴とする薄膜ＥＬ
表示装置の駆動回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61173328A JPH0654414B2 (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
| DE19873724086 DE3724086A1 (de) | 1986-07-22 | 1987-07-21 | Treiberschaltung fuer eine duennschichtige elektrolumineszenzanzeige |
| GB8717368A GB2194377B (en) | 1986-07-22 | 1987-07-22 | Driving circuit of thin membrane el display apparatus |
| US07/332,450 US4888523A (en) | 1986-07-22 | 1989-04-03 | Driving circuit of thin membrane EL display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61173328A JPH0654414B2 (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329798A JPS6329798A (ja) | 1988-02-08 |
| JPH0654414B2 true JPH0654414B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=15958393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61173328A Expired - Fee Related JPH0654414B2 (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654414B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022131114A (ja) * | 2021-02-26 | 2022-09-07 | Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 | 通信ケーブルの診断装置及び通信ケーブルの診断方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086595A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | 関西日本電気株式会社 | Ｅｌパネル駆動装置 |
-
1986
- 1986-07-22 JP JP61173328A patent/JPH0654414B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086595A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | 関西日本電気株式会社 | Ｅｌパネル駆動装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022131114A (ja) * | 2021-02-26 | 2022-09-07 | Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 | 通信ケーブルの診断装置及び通信ケーブルの診断方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6329798A (ja) | 1988-02-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |