JPH0748134B2 - 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路Info
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- JPH0748134B2 JPH0748134B2 JP62198420A JP19842087A JPH0748134B2 JP H0748134 B2 JPH0748134 B2 JP H0748134B2 JP 62198420 A JP62198420 A JP 62198420A JP 19842087 A JP19842087 A JP 19842087A JP H0748134 B2 JPH0748134 B2 JP H0748134B2
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- scanning
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- pull
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、交流駆動型容量性フラットマトリクスディス
プレイパネル即ち薄膜EL（エレクトロルミネッセンス）
表示装置の駆動回路に関するものである。
プレイパネル即ち薄膜EL（エレクトロルミネッセンス）
表示装置の駆動回路に関するものである。
＜従来の技術＞ 例えば、二重絶縁型（又は三層構造）薄膜EL素子は次の
ように構成される。
ように構成される。
第３図のように、ガラス基板１の上にIn2O3よりなる帯
状の透明電極２を平行に設け、この上に例えばY2O3,Si3
N4,Al2O3等の誘電物質３、Mn等の活性剤をドープしたZn
SよりなるEL層４及び上記と同じくY2O3,Si3N4,TiO2,Al2
O3等の誘電物質３′を蒸着法，スパッタリング法などの
薄膜技術を用いて順次500〜10000Åの膜厚に積層して３
層構造にし、その上に上記透明電極２と直交する方向に
アルミニウム等よりなる帯状の背面電極５を平行に設け
ている。
状の透明電極２を平行に設け、この上に例えばY2O3,Si3
N4,Al2O3等の誘電物質３、Mn等の活性剤をドープしたZn
SよりなるEL層４及び上記と同じくY2O3,Si3N4,TiO2,Al2
O3等の誘電物質３′を蒸着法，スパッタリング法などの
薄膜技術を用いて順次500〜10000Åの膜厚に積層して３
層構造にし、その上に上記透明電極２と直交する方向に
アルミニウム等よりなる帯状の背面電極５を平行に設け
ている。
上記薄膜EL素子はその電極間に誘電物質3,3′で挾持さ
れたEL物質４を介在させたものであるから、等価回路的
に容量性素子と見ることができる。また、この薄膜EL素
子は第４図に示す電圧−輝度特性から明らかな如く、20
0V程度の比較的高電圧を印加して駆動される。この薄膜
EL素子は交流電界によって高輝度発光し、しかも長寿命
であるという特徴を有している。
れたEL物質４を介在させたものであるから、等価回路的
に容量性素子と見ることができる。また、この薄膜EL素
子は第４図に示す電圧−輝度特性から明らかな如く、20
0V程度の比較的高電圧を印加して駆動される。この薄膜
EL素子は交流電界によって高輝度発光し、しかも長寿命
であるという特徴を有している。
従来、このような薄膜EL素子を用いた表示装置のため本
出願人は変調消費電力の低減を目的とし、走査側電極の
駆動回路として、データ側電極に対して負極性の電圧を
印加するトランジスタと正極性の電圧を印加するトラン
ジスタとからなる走査側ドライバーICを備え、データ側
電極の駆動回路としてEL層に変調電圧分を充電するトラ
ンジスタ及び放電するトランジスタと、それぞれのトラ
ンジスタの電流方向と逆向きにダイオードを接続したデ
ータ側ドライバーICを備え、データ側では表示データに
従って充電及び放電するトランジスタを用いて変調駆動
を行う一方、走査側ではNchのトランジスタPchのトラン
ジスタを用いてフィールド反転駆動を行い、更には１走
査線毎に絵素に加わる書き込み波形の極性を反転させな
がら線順次駆動を行うことで、１水平期間の駆動時間が
短く、しかもEL層に対して対称性の良い交流パルスが印
加でき信頼性にも優れた駆動装置を提案した。
出願人は変調消費電力の低減を目的とし、走査側電極の
駆動回路として、データ側電極に対して負極性の電圧を
印加するトランジスタと正極性の電圧を印加するトラン
ジスタとからなる走査側ドライバーICを備え、データ側
電極の駆動回路としてEL層に変調電圧分を充電するトラ
ンジスタ及び放電するトランジスタと、それぞれのトラ
ンジスタの電流方向と逆向きにダイオードを接続したデ
ータ側ドライバーICを備え、データ側では表示データに
従って充電及び放電するトランジスタを用いて変調駆動
を行う一方、走査側ではNchのトランジスタPchのトラン
ジスタを用いてフィールド反転駆動を行い、更には１走
査線毎に絵素に加わる書き込み波形の極性を反転させな
がら線順次駆動を行うことで、１水平期間の駆動時間が
短く、しかもEL層に対して対称性の良い交流パルスが印
加でき信頼性にも優れた駆動装置を提案した。
＜発明が解決しようとする問題点＞ しかしながら、上記駆動装置を実現させる場合におい
て、走査側ドライバーICとしてNch高耐圧MOSICとPch高
耐圧MOSICの２種類で構成されていた為、電極１本当り
のドライバーコストが高くなりコストアップとなった。
て、走査側ドライバーICとしてNch高耐圧MOSICとPch高
耐圧MOSICの２種類で構成されていた為、電極１本当り
のドライバーコストが高くなりコストアップとなった。
又、各電極に対して２種類のドライバーICを使用してい
ることで広いIC実装面積を必要とし装置の薄型小型化の
面でも不利であった。
ることで広いIC実装面積を必要とし装置の薄型小型化の
面でも不利であった。
そこで本発明は走査側ICとしてプルアップ機能とプルダ
ウン機能の両方を有する双方向性型高耐圧ドライバーIC
を使用することにより、装置のコストを大幅に低減する
とともに、装置全体が薄型小型化できる薄膜EL表示装置
の駆動回路を提供することを目的とする。
ウン機能の両方を有する双方向性型高耐圧ドライバーIC
を使用することにより、装置のコストを大幅に低減する
とともに、装置全体が薄型小型化できる薄膜EL表示装置
の駆動回路を提供することを目的とする。
＜問題点を解決するための手段＞ 本発明は、互いに交差する方向に配列された走査側電極
およびデータ側電極の間にEL層を介設して成る薄膜EL表
示装置に対して前記走査側電極に駆動信号を供給する薄
膜EL表示装置の駆動回路において、正極性（負極性）の
走査制御信号（の反転信号）の入力期間でプルダウン共
通線から供給される負極性の書き込み電圧とフローティ
ング電圧を交互に出力する第１の選択回路と、負極性
（正極性）の走査制御信号の反転信号（走査制御信号の
反転しない信号）の入力期間でプルアップ共通線から供
給される正極性の書き込み電圧とフローティング電圧を
交互に出力する第２の選択回路と、前記第１の選択回路
と前記第２の選択回路の出力側に共通接続され、択一的
に選択出力される信号を前記駆動信号として前記走査側
電極に供給する信号線とを備えたものである。
およびデータ側電極の間にEL層を介設して成る薄膜EL表
示装置に対して前記走査側電極に駆動信号を供給する薄
膜EL表示装置の駆動回路において、正極性（負極性）の
走査制御信号（の反転信号）の入力期間でプルダウン共
通線から供給される負極性の書き込み電圧とフローティ
ング電圧を交互に出力する第１の選択回路と、負極性
（正極性）の走査制御信号の反転信号（走査制御信号の
反転しない信号）の入力期間でプルアップ共通線から供
給される正極性の書き込み電圧とフローティング電圧を
交互に出力する第２の選択回路と、前記第１の選択回路
と前記第２の選択回路の出力側に共通接続され、択一的
に選択出力される信号を前記駆動信号として前記走査側
電極に供給する信号線とを備えたものである。
＜作用＞ 上記のように、薄膜EL表示装置10の走査側電極Ｙに接続
した走査側高耐圧ドライバーIC20および30のプルアップ
共通線は、スイッチング回路200により正極性の書き込
み電圧（VW＋VM）または0Vが選択的に印加されるか、も
しくはフローティングされる。又、プルダウン共通線は
スイッチング回路100により負極性の書き込み電圧（−V
W）または0Vが選択的に印加されるか、もしくはフロー
ティングされる。
した走査側高耐圧ドライバーIC20および30のプルアップ
共通線は、スイッチング回路200により正極性の書き込
み電圧（VW＋VM）または0Vが選択的に印加されるか、も
しくはフローティングされる。又、プルダウン共通線は
スイッチング回路100により負極性の書き込み電圧（−V
W）または0Vが選択的に印加されるか、もしくはフロー
ティングされる。
一方、データ側電極Ｘに接続した高耐圧ドライバーIC40
のプルアップ共通線には、スイッチング回路300により
変調電圧（VM）が印加され、プルダウン共通線は0Vにす
ることによって上記薄膜EL表示装置10は交流パルスが印
加され発光する。
のプルアップ共通線には、スイッチング回路300により
変調電圧（VM）が印加され、プルダウン共通線は0Vにす
ることによって上記薄膜EL表示装置10は交流パルスが印
加され発光する。
ここで、変調駆動時の消費電力を低減するため走査側電
極Ｙは駆動上、選択ライン以外をフローティングにする
必要があるが双方向性高耐圧ドライバーIC20および30自
体にはフローティングモードがない為、外部スイッチン
グ回路200,100によりプルアップ共通線及びプルダウン
共通線をフローティングにすることにより、走査側電極
Ｙをフローティングにすることができる。
極Ｙは駆動上、選択ライン以外をフローティングにする
必要があるが双方向性高耐圧ドライバーIC20および30自
体にはフローティングモードがない為、外部スイッチン
グ回路200,100によりプルアップ共通線及びプルダウン
共通線をフローティングにすることにより、走査側電極
Ｙをフローティングにすることができる。
＜実施例＞ 以下、図面を用いて本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す駆動回路構成図であ
る。
る。
10は発光しきい値電圧190V（VW）の薄膜EL表示装置を示
し、この図ではＸ方向電極をデータ側電極とし、Ｙ方向
電極を走査側電極として電極のみを示している。
し、この図ではＸ方向電極をデータ側電極とし、Ｙ方向
電極を走査側電極として電極のみを示している。
20,30は上記薄膜EL表示装置10のＹ方向電極の奇数ライ
ン（odd）と偶数ライン（even）にそれぞれ対応する走
査側（双方向性）高耐圧ドライバーICであり、奇数ライ
ンには、データ側電極に対して駆動信号となる負極性の
電圧とフローティング電圧を印加する第１の選択回路と
なるトランジスタNToddおよび正極性の電圧とフローテ
ィング電圧を印加する第２の選択回路となるトランジス
タPToddが接続され、またそれぞれのトランジスタNTod
d、PToddには逆方向に電流を流すためのダイオードNDod
d、TDoddが接続されている。また偶数ラインにはデータ
側電極に対して駆動信号となる負極性の電圧とフローテ
ィング電圧を印加するトランジスタNToddおよび正極性
の電圧とフローティング電圧を印加するトランジスタPT
evenが接続され、またそれぞれのトランジスタNPeven,P
Tevenには逆方向に電流を流すためのダイオードNDeven,
PDevenが接続されている。21,31は上記各走査側ドライ
バーIC20,30中のシフトレジスタ等の論理回路である。
トランジスタNTにシフトレジスタからの制御信号が、ト
ランジスタPTにシフトレジスタからの制御信号の反転信
号が送られることにより択一的に選択される。本実施例
において、トランジスタNTにシフトレジスタからの制御
信号の反転信号が、トランジスタPTにシフトレジスタか
らの制御信号の反転しない信号が送られる構成としても
よい。
ン（odd）と偶数ライン（even）にそれぞれ対応する走
査側（双方向性）高耐圧ドライバーICであり、奇数ライ
ンには、データ側電極に対して駆動信号となる負極性の
電圧とフローティング電圧を印加する第１の選択回路と
なるトランジスタNToddおよび正極性の電圧とフローテ
ィング電圧を印加する第２の選択回路となるトランジス
タPToddが接続され、またそれぞれのトランジスタNTod
d、PToddには逆方向に電流を流すためのダイオードNDod
d、TDoddが接続されている。また偶数ラインにはデータ
側電極に対して駆動信号となる負極性の電圧とフローテ
ィング電圧を印加するトランジスタNToddおよび正極性
の電圧とフローティング電圧を印加するトランジスタPT
evenが接続され、またそれぞれのトランジスタNPeven,P
Tevenには逆方向に電流を流すためのダイオードNDeven,
PDevenが接続されている。21,31は上記各走査側ドライ
バーIC20,30中のシフトレジスタ等の論理回路である。
トランジスタNTにシフトレジスタからの制御信号が、ト
ランジスタPTにシフトレジスタからの制御信号の反転信
号が送られることにより択一的に選択される。本実施例
において、トランジスタNTにシフトレジスタからの制御
信号の反転信号が、トランジスタPTにシフトレジスタか
らの制御信号の反転しない信号が送られる構成としても
よい。
40は上記薄膜EL表示装置10のＸ方向電極に対応するデー
タ側高耐圧ドライバーICであり、各ラインには片側が変
調電源に接続されプルアップ機能を有するスイッチング
素子UT1〜UTi（以下、単にトランジスタと言う）、片側
が接地されプルダウン機能を有するスイッチング素子DT
1〜DTi（以下、単にトランジスタと言う）、及びそれぞ
れのトランジスタUT,DTと逆方向に電流を流すためのダ
イオードUD1〜UDi,DD1〜DDiで構成され、それぞれが上
記データ側ドライバーIC40中のシフトレジスタ等の論理
回路41によって制御される。
タ側高耐圧ドライバーICであり、各ラインには片側が変
調電源に接続されプルアップ機能を有するスイッチング
素子UT1〜UTi（以下、単にトランジスタと言う）、片側
が接地されプルダウン機能を有するスイッチング素子DT
1〜DTi（以下、単にトランジスタと言う）、及びそれぞ
れのトランジスタUT,DTと逆方向に電流を流すためのダ
イオードUD1〜UDi,DD1〜DDiで構成され、それぞれが上
記データ側ドライバーIC40中のシフトレジスタ等の論理
回路41によって制御される。
100は上記走査側ドライバーIC20,30のプルダウン共通線
電位を切り換える回路（第２スイッチング回路に相当）
であり、−1/2VW,−VW,OVのそれぞれの電圧を選択的に
する為のスイッチSW4,SW5,SW6により構成される。
電位を切り換える回路（第２スイッチング回路に相当）
であり、−1/2VW,−VW,OVのそれぞれの電圧を選択的に
する為のスイッチSW4,SW5,SW6により構成される。
200は上記走査側ドライバーIC20,30のプルアップ共通線
電位を切り換える回路（第１スイッチング回路に相当）
であり、1/2・（VW＋VM）,VW＋VM,OVのそれぞれの電圧
を選択的に印加する為のスイッチSW1,SW2,SW3により構
成される。
電位を切り換える回路（第１スイッチング回路に相当）
であり、1/2・（VW＋VM）,VW＋VM,OVのそれぞれの電圧
を選択的に印加する為のスイッチSW1,SW2,SW3により構
成される。
300はスイッチSW8を“ON"にしてコンデンサCMに1/2変調
電圧1/2VMを充電し、充電後、スイッチSW8を“OFF"、ス
イッチSW9,SW7を“ON"にすることで、データ側ドライバ
ーIC40に変調電圧VMを供給する回路（第３スイッチング
回路に相当）であり、スイッチSW9を通じてデータ側ド
ライバーIC40に接続される。一方薄膜EL表示装置10が発
光した後にスイッチSW8を“ON"にすることで、上記薄膜
EL表示装置10に蓄積されたエネルギーの一部をスイッチ
としてのダイオードDRを通じて上記コンデンサCmに電荷
を蓄積する回路でもある。
電圧1/2VMを充電し、充電後、スイッチSW8を“OFF"、ス
イッチSW9,SW7を“ON"にすることで、データ側ドライバ
ーIC40に変調電圧VMを供給する回路（第３スイッチング
回路に相当）であり、スイッチSW9を通じてデータ側ド
ライバーIC40に接続される。一方薄膜EL表示装置10が発
光した後にスイッチSW8を“ON"にすることで、上記薄膜
EL表示装置10に蓄積されたエネルギーの一部をスイッチ
としてのダイオードDRを通じて上記コンデンサCmに電荷
を蓄積する回路でもある。
400はデータ反転コントロール回路である。
次に第２図のタイムチャートを用いて、第１図の動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
ここでは線順次駆動で絵素Ａを含む走査側電極Y1が選択
走査電極として選択されるものとする。また、この駆動
装置では１ライン毎に絵素に印加される書き込み電圧の
極性を反転して駆動されるが、走査側選択電極に接続さ
れている上記走査側ドライバーIC20,30のプルダウン用
トランジスタNTnのみを“ON"にして、その電極ライン上
の絵素に負の書き込みパルスを印加する１ラインの駆動
タイミングをＮ駆動タイミングと呼び、一方、選択電極
に接続されている上記走査側ドライバーIC20,30のプル
アップ用トランジスタPTnのみを“ON"にして、その電極
ライン上の絵素に正の書き込みパルスを印加する１ライ
ンの駆動タイミングをＰ駆動タイミングと呼ぶことにす
る。
走査電極として選択されるものとする。また、この駆動
装置では１ライン毎に絵素に印加される書き込み電圧の
極性を反転して駆動されるが、走査側選択電極に接続さ
れている上記走査側ドライバーIC20,30のプルダウン用
トランジスタNTnのみを“ON"にして、その電極ライン上
の絵素に負の書き込みパルスを印加する１ラインの駆動
タイミングをＮ駆動タイミングと呼び、一方、選択電極
に接続されている上記走査側ドライバーIC20,30のプル
アップ用トランジスタPTnのみを“ON"にして、その電極
ライン上の絵素に正の書き込みパルスを印加する１ライ
ンの駆動タイミングをＰ駆動タイミングと呼ぶことにす
る。
データ側の駆動は、基本的には表示データ“DATA"に従
って、１水平期間の周期で各データ側ラインに印加する
電圧をVMと0Vに切り換えることにより行なう。
って、１水平期間の周期で各データ側ラインに印加する
電圧をVMと0Vに切り換えることにより行なう。
次に、その切り換えるタイミングについて説明する。
第２図に示すように、１ラインのデータ転送後制御信号
“DLS"によってデータがラッチされ、そのラッチされた
データにより、データ側ドライバーIC40のトランジスタ
UT,DTの“ON",“OFF"をそれぞれコントロールする。但
し、本装置の特徴としてトランジスタUTnが“ON"して
も、すぐに変調電圧VMは印加されず、スイッチング回路
300により電位1/2VMから電圧VMへと段階状の充電を行な
い、変調時の消費電力を3/4に低減し、かつ電位1/2VM時
にEL層に蓄積されている電荷の一部をダイオードDRを通
じて外部コンデンサCmに充電し、次に変調電圧VMを印加
するときの駆動エネルギーの一部として再利用すること
によって、さらに変調時の消費電力を低減している。
“DLS"によってデータがラッチされ、そのラッチされた
データにより、データ側ドライバーIC40のトランジスタ
UT,DTの“ON",“OFF"をそれぞれコントロールする。但
し、本装置の特徴としてトランジスタUTnが“ON"して
も、すぐに変調電圧VMは印加されず、スイッチング回路
300により電位1/2VMから電圧VMへと段階状の充電を行な
い、変調時の消費電力を3/4に低減し、かつ電位1/2VM時
にEL層に蓄積されている電荷の一部をダイオードDRを通
じて外部コンデンサCmに充電し、次に変調電圧VMを印加
するときの駆動エネルギーの一部として再利用すること
によって、さらに変調時の消費電力を低減している。
このような駆動回路の動作は、大きく分けてNPフレーム
とPNフレームの２種類のタイミングから構成され、この
２つのフレームの実行を完了することにより、薄膜EL表
示装置の全絵素に対して発光に必要な交流パルスを閉じ
るものである。更に、それぞれのフレーム（画面）はＮ
駆動とＰ駆動の２種類のタイミングから構成されてお
り、NPフレームでは走査側の奇数番目選択ラインに対し
てＮ駆動をし、偶数番目選択ラインに対してＰ駆動を実
行する。またPNフレームではその逆の駆動をする。
とPNフレームの２種類のタイミングから構成され、この
２つのフレームの実行を完了することにより、薄膜EL表
示装置の全絵素に対して発光に必要な交流パルスを閉じ
るものである。更に、それぞれのフレーム（画面）はＮ
駆動とＰ駆動の２種類のタイミングから構成されてお
り、NPフレームでは走査側の奇数番目選択ラインに対し
てＮ駆動をし、偶数番目選択ラインに対してＰ駆動を実
行する。またPNフレームではその逆の駆動をする。
次にそれぞれの駆動期間について説明する。
（１） PNフレーム PNフレームでは奇数及び偶数の走査電極に対し、次の第
１段階から第６段階の駆動を繰り返すことにより順次走
査する。
１段階から第６段階の駆動を繰り返すことにより順次走
査する。
第１段階及び第４段階：変調駆動 第２段階及び第５段階：書き込み駆動 第３段階及び第６段階：放電及びリカバリー駆動 第１段階の駆動を行なう前に、データ側ドライバー
IC40のプルアップ側トランジスタUT及びプルダウン側ト
ランジスタDTを発光、非発光に応じて“ON",“OFF"す
る。PNフレーム奇数側駆動では、発光ラインに対してト
ランジスタDTを“ON"し、非発光ラインに対してはトラ
ンジスタUTを“ON"する。次にデータ側ドライバーIC40
の電源ラインVCCではスイッチSW9,SW7を順次“ON"する
ことにより、変調電圧を1/2VMからVMへとステップ状に
引き上げ、第１段階の駆動を開始する。この時走査側双
方向性高耐圧ドライバーIC20は選択走査ラインのみプル
アップ側トランジスタPTを“ON"にし、非選択走査ライ
ンは全てプルダウン側トランジスタNTを“ON"にする。
この時、プルダウン共通線はスイッチSW4,SW5,SW6を“O
FF"にしフローティング状態にしておくことにより、非
選択ラインは全てフローティング電位になる。
IC40のプルアップ側トランジスタUT及びプルダウン側ト
ランジスタDTを発光、非発光に応じて“ON",“OFF"す
る。PNフレーム奇数側駆動では、発光ラインに対してト
ランジスタDTを“ON"し、非発光ラインに対してはトラ
ンジスタUTを“ON"する。次にデータ側ドライバーIC40
の電源ラインVCCではスイッチSW9,SW7を順次“ON"する
ことにより、変調電圧を1/2VMからVMへとステップ状に
引き上げ、第１段階の駆動を開始する。この時走査側双
方向性高耐圧ドライバーIC20は選択走査ラインのみプル
アップ側トランジスタPTを“ON"にし、非選択走査ライ
ンは全てプルダウン側トランジスタNTを“ON"にする。
この時、プルダウン共通線はスイッチSW4,SW5,SW6を“O
FF"にしフローティング状態にしておくことにより、非
選択ラインは全てフローティング電位になる。
第２段階においてスイッチSW1,SW2を順次“ON"する
ことにより選択走査ラインに書き込み電圧を1/2（VW＋V
M）から（VW＋VM）へとステップ状に印加する。この
為、データ側電極と走査側電極の電圧差、即ちEL層にか
かる電圧としては（VW＋VM）あるいはVWが選択走査ライ
ン上の各絵素に印加され、発光あるいは非発光となる。
ことにより選択走査ラインに書き込み電圧を1/2（VW＋V
M）から（VW＋VM）へとステップ状に印加する。この
為、データ側電極と走査側電極の電圧差、即ちEL層にか
かる電圧としては（VW＋VM）あるいはVWが選択走査ライ
ン上の各絵素に印加され、発光あるいは非発光となる。
第３段階において走査側プルダウン側トランジスタ
NTの全てを“ON"にし、走査側プルダウン共通線，ダイ
オードNDを通じて閉回路を形成し、正の書き込み電圧VW
＋VMを放電する。またスイッチSW7,SW9を“OFF",スイッ
チSW8を“ON"にすることにより、データ側ドライバーIC
40の電源ラインVCC2を電位VMから1/2VMに引き下げ、薄
膜EL表示素子に残る電荷の一部をダイオードDD、EL層、
ダイオードDRを介して再利用する為、コンデンサーCmに
再充電する。次にデータ側ドライバーIC40のプルダウン
側トランジスターDTを全て“ON"にするとともに走査側
ドライバーIC20のプルダウン共通線をスイッチSW6を“O
N"にすることにより0VにすることでEL層の電荷を全て放
電させる。
NTの全てを“ON"にし、走査側プルダウン共通線，ダイ
オードNDを通じて閉回路を形成し、正の書き込み電圧VW
＋VMを放電する。またスイッチSW7,SW9を“OFF",スイッ
チSW8を“ON"にすることにより、データ側ドライバーIC
40の電源ラインVCC2を電位VMから1/2VMに引き下げ、薄
膜EL表示素子に残る電荷の一部をダイオードDD、EL層、
ダイオードDRを介して再利用する為、コンデンサーCmに
再充電する。次にデータ側ドライバーIC40のプルダウン
側トランジスターDTを全て“ON"にするとともに走査側
ドライバーIC20のプルダウン共通線をスイッチSW6を“O
N"にすることにより0VにすることでEL層の電荷を全て放
電させる。
第４段階では、PNフレームの偶数側選択走査ライン
に対してＮ駆動を開始するタイミングであり第１段階と
は逆に発光ラインに対してトランジスタUTを“ON"し、
非発光ラインに対してトランジスタDTを“ON"にする。
また走査側双方向性高耐圧ドライバーIC20は選択走査ラ
インのみプルダウン側トランジスタNTn+1を“ON"にし、
非選択走査ラインは、全てプルアップ側トランジスタPT
を“ON"にする。この時、プルアップ共通線はスイッチS
W1,SW2,SW3を“OFF"にしフローティングにしておくこと
により、非選択ラインは全てフローティング電位にな
る。
に対してＮ駆動を開始するタイミングであり第１段階と
は逆に発光ラインに対してトランジスタUTを“ON"し、
非発光ラインに対してトランジスタDTを“ON"にする。
また走査側双方向性高耐圧ドライバーIC20は選択走査ラ
インのみプルダウン側トランジスタNTn+1を“ON"にし、
非選択走査ラインは、全てプルアップ側トランジスタPT
を“ON"にする。この時、プルアップ共通線はスイッチS
W1,SW2,SW3を“OFF"にしフローティングにしておくこと
により、非選択ラインは全てフローティング電位にな
る。
第５段階においてスイッチSW4,SW5を順次“ON"する
ことにより、選択走査ラインに負極性の書き込み電圧と
−1/2VWから−VWへとステップ状に印加する。この時デ
ータ側ドライバーIC40は、第４段階の駆動を断続する。
この為、第２段階と同様に電位−（VW＋VM）あるいは−
VWが選択走査ライン上の各絵素に印加され発光あるいは
非発光となる。
ことにより、選択走査ラインに負極性の書き込み電圧と
−1/2VWから−VWへとステップ状に印加する。この時デ
ータ側ドライバーIC40は、第４段階の駆動を断続する。
この為、第２段階と同様に電位−（VW＋VM）あるいは−
VWが選択走査ライン上の各絵素に印加され発光あるいは
非発光となる。
第６段階において、走査側プルアップ側トランジス
タPTの全てを“ON"にし、走査側プルアップ共通線，ダ
イオードPD,トランジスタPTn+1,EL層，データ側電極を
通じて閉回路を形成し、負の書き込み電圧−VWを放電す
る。一方データ側ドライバーIC40は第３段階と同様に動
作させ、EL層に残る電荷の一部をコンデンサCmに再充電
するとともに走査側プルアップ共通線をスイッチSW3を
“ON"にすることにより0VにすることでEL層の電荷を全
て放電させる。
タPTの全てを“ON"にし、走査側プルアップ共通線，ダ
イオードPD,トランジスタPTn+1,EL層，データ側電極を
通じて閉回路を形成し、負の書き込み電圧−VWを放電す
る。一方データ側ドライバーIC40は第３段階と同様に動
作させ、EL層に残る電荷の一部をコンデンサCmに再充電
するとともに走査側プルアップ共通線をスイッチSW3を
“ON"にすることにより0VにすることでEL層の電荷を全
て放電させる。
以上の第１から第６段階の駆動を最終ラインまで繰り返
しPNフレームを完了する。
しPNフレームを完了する。
（２） NPフレーム NPフレームでは奇数番目の選択走査ラインに対してPNフ
レームで述べた第４段階から第６段階と同様の駆動を行
ない、偶数番目に対しては第１から第３段階と同様の駆
動を行なう。
レームで述べた第４段階から第６段階と同様の駆動を行
ない、偶数番目に対しては第１から第３段階と同様の駆
動を行なう。
このように本発明では走査側ドライバーICの共通線回路
を若干改良することにより従来２種類使用していた走査
側ドライバーICを１種類にしコストを低減し、IC実装面
積を縮少化するものである。
を若干改良することにより従来２種類使用していた走査
側ドライバーICを１種類にしコストを低減し、IC実装面
積を縮少化するものである。
＜発明の効果＞ 以上のように本発明によれば、従来は２種類必要として
いた走査側ドライバーICを１種類にでき、従来の利点を
損なわずに駆動回路の大幅なコスト低減ができ、しかも
IC実装面積が縮少化される為、より小型軽量な薄膜EL表
示装置の駆動回路を提供できる。
いた走査側ドライバーICを１種類にでき、従来の利点を
損なわずに駆動回路の大幅なコスト低減ができ、しかも
IC実装面積が縮少化される為、より小型軽量な薄膜EL表
示装置の駆動回路を提供できる。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜EL表示装置の駆動
回路図、第２図は第１図の動作を説明するタイムチャー
ト、第３図は薄膜EL表示装置の一部切欠き斜視図、第４
図は薄膜EL表示装置の印加電圧に対する輝度特性を示す
図である。 10……薄膜EL表示装置、20,30……走査側高耐圧ドライ
バーIC、40……データ側高耐圧ドライバーIC、100……
走査側高耐圧ドライバーのプルダウン共通線電位切換回
路（第２スイッチング回路）、200……走査側高耐圧ド
ライバーのプルアップ共通線電位切換回路（第１スイッ
チング回路）、300……変調電圧ステップ充電回路（第
３スイッチング回路）、400……データ反転コントロー
ル回路。
回路図、第２図は第１図の動作を説明するタイムチャー
ト、第３図は薄膜EL表示装置の一部切欠き斜視図、第４
図は薄膜EL表示装置の印加電圧に対する輝度特性を示す
図である。 10……薄膜EL表示装置、20,30……走査側高耐圧ドライ
バーIC、40……データ側高耐圧ドライバーIC、100……
走査側高耐圧ドライバーのプルダウン共通線電位切換回
路（第２スイッチング回路）、200……走査側高耐圧ド
ライバーのプルアップ共通線電位切換回路（第１スイッ
チング回路）、300……変調電圧ステップ充電回路（第
３スイッチング回路）、400……データ反転コントロー
ル回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上出 久 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−86595（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】互いに交差する方向に配列された走査側電
極およびデータ側電極の間にEL層を介設して成る薄膜EL
表示装置に対して前記走査側電極に駆動信号を供給する
薄膜EL表示装置の駆動回路において、 正極性（負極性）の走査制御信号（の反転信号）の入力
期間でプルダウン共通線から供給される負極性の書き込
み電圧とフローティング電圧を交互に出力する第１の選
択回路と、 負極性（正極性）の走査制御信号の反転信号（走査制御
信号の反転しない信号）の入力期間でプルアップ共通線
から供給される正極性の書き込み電圧とフローティング
電圧を交互に出力する第２の選択回路と、 前記第１の選択回路と前記第２の選択回路の出力側に共
通接続され、択一的に選択出力される信号を前記駆動信
号として前記走査側電極に供給する信号線とを備えるこ
とを特徴とする薄膜EL表示装置の駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62198420A JPH0748134B2 (ja) | 1987-08-07 | 1987-08-07 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62198420A JPH0748134B2 (ja) | 1987-08-07 | 1987-08-07 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6440989A JPS6440989A (en) | 1989-02-13 |
| JPH0748134B2 true JPH0748134B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=16390812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62198420A Expired - Lifetime JPH0748134B2 (ja) | 1987-08-07 | 1987-08-07 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748134B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3494146B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2004-02-03 | 日本電気株式会社 | 有機ｅｌ駆動回路及びパッシブマトリクス有機ｅｌ表示装置並びに有機ｅｌ駆動方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0650428B2 (ja) * | 1983-10-18 | 1994-06-29 | 関西日本電気株式会社 | Ｅｌパネル駆動装置 |
| JPH0634151B2 (ja) * | 1985-06-10 | 1994-05-02 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
-
1987
- 1987-08-07 JP JP62198420A patent/JPH0748134B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6440989A (en) | 1989-02-13 |
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