JPH047592A - 表示装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、エレクトロルミネッセンス（略称ＥＬ）表示
装置のような交流駆動型容量性フラットマトリクスデイ
スプレィパネル（以下、薄膜ＥＬ表示装置と呼ぶ〉など
の表示装置の駆動方法に関する。

従来の技術 例えば、二重絶縁型（または３層構造）薄膜ＥＬ素子は
次のように構成される。

第８図に示すように、ガラス基板１の上に■ｎ２０３か
らなる帯状の透明電極２を平行に設け、この上に例えば
Ｙ２Ｏ：ｌ　、Ｓ　ｉ　３Ｎ＜　、Ｔ　Ｌ　０３゜Ａｌ
２Ｏ，などの誘電物質層３、Ｍｎなどの活性剤をドープ
しなＺｎＳなどからなるＥＬＬｉ２よび上述したのと同
じＹ２Ｏ５、Ｓｉ、Ｎ、、Ｔｉ０３　、　ＡＮ　２０３
などの誘電物質層３ａを蒸着法、スパッタリング法のよ
うな薄膜技術を用いて順次５００〜１０００人の膜厚に
積層して３層構造にし、その上に上記透明電極２と直交
する方向にＡｌよりなる帯状の背面電極５を平行に設け
る。

上記薄膜ＥＬ素子は、その電極間に誘電物質３３ａで挟
持されたＥＬＬｉ２介在させたものであるから、等価回
路的には容量性素子と見ることができる。また、この薄
膜ＥＬ素子は第９図に参照符１ｏで示す電圧−輝度特性
曲線から明らかなように、２００Ｖ程度の比較的高電圧
を印加して駆動される。

上記薄膜ＥＬ素子を表示パネルとする薄膜ＥＬ表示装置
では、薄膜ＥＬ素子の透明電極２および背面電極５のい
ずれか一方を走査側電極、他方をデータ側電極とし、Ｎ
チャネル高耐圧ＭＯＳ（Ｍｅｔａｒｌ　０ｘｉｄｅ　Ｓ
ｅｍ１−ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）　トライバＩＣ（Ｉｎｔ
ｅ８ｒａｔｅｄ　Ｃ１ｒｃｕｉｔ集積回路　）およびＰ
チャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣからなる走査側駆動
回路によって線順次に選択された走査側電極に書込み電
圧を印加すると同時に、同じくＮチャネル高耐圧ＭＯＳ
ドライバＩＣおよびＰチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩ
Ｃからなるデータ側駆動回路によってデータ側電極に発
光　非発光を決める表示データに応じた変調電圧を印加
することによって表示駆動が行われる。

その表示駆動においては、薄膜ＥＬ素子が容量性素子で
あることを考慮して走査側電極にシャーシなどの接地電
位に対して正極性の書込み電圧を印加するＰ駆動と、負
極性の書込み電圧を印加するＮ駆動とをフレーム毎に交
互に行う交流駆動が採用される。

第１２図は、その従来の駆動方法が適用される薄膜ＥＬ
表示装置の構成の一例を示す回路図である。この表示装
置は発光しきい電圧Ｖｗ（＝１９０■）の薄膜Ｅ　、Ｌ
素子を表示パネル１０とし、その表示パネル１０のＸ方
向の電極はデータ側電極を示し、Ｙ方向の電極は走査側
電極を示している。

走査側Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳトライバＩＣ２０，３０
および走査側Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０
，５０は、上述した走査側駆動回路を構成する回路であ
る。

データ側ドライバＩＣ１６０は上述したデータ側駆動回
路を構成する回路である。

ソース電位切換え回路８０Ａは、上記走査側Ｐチャネル
高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０，５０の全ＮチャネルＭ
Ｏ３）ランジスタＰＴＩ〜ＰＴｉのソース電位を正極性
の書込み電圧Ｖ　ｗ　−１−１／　２Ｖｍ（−２２０Ｖ
）とＱＶとに切換えるための回路である。

ソース電位切換え回路９０Ａは、上記走査側Ｎチャネル
高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０，３０の全ＮチャネルＭ
Ｏ３）ランジスタＮＴＩ〜ＮＴｉのソース電位を負極性
の書込み電圧−（Ｖｗ−１／２Ｖｍ）（＝−１６０Ｖ）
とＯｖとに切換えるための回路である。

データ反転回路１００は、データ側ドライバエＣ１６０
に入力されるデータＤＡＴＡを制御信号ＲＶＣ１によっ
て反転処理するための回路であり、排他的論理和ゲート
などによって構成されている。

上記薄膜Ｅ１１．表示装置に適用される従来の駆動方法
では、Ｐ駆動時の書込み電圧として発光しきい電圧にほ
ぼ相当する電圧Ｖｗ（＝±１９ＱＶ）に一定電圧１／２
Ｖｍを加えた電圧Ｖ　ｗ　＋１　／　２Ｖｍが設定され
、Ｎ駆動時の書込み電圧として負極性の−・定電圧−（
Ｖｗ−１／２Ｖｍ）が設定される。また、この場合の電
圧Ｖｍとして６０Ｖが設定される。したがってＰ駆動時
の書込み電圧は、Ｖｗ＋１／２Ｖｍ＝１９０Ｖ＋１／２
ｘ６０ｖ２２０■　　　　　　　　　・・・（１）であ
り、Ｎ駆動時の書込み電圧は、 （ＶＷ−１／２Ｖｍ）　−−１９０Ｖ＋１／２Ｘ６０Ｖ
１６０■　　　　　　・・・（２） である。

一方、変調電圧については、発光表示に相当する変調電
圧としてＰ駆動時にはＯＶ、Ｎ駆動時にはＶｍ（−６０
Ｖ）の電圧が設定され、また非発光表示に相当する変調
電圧としてＰ駆動時にはＶｍ　（−６０Ｖ）、Ｎ駆動時
にはＱＶの電圧が設定される。したがって、絵素には走
査側電極の電位を基準にして発光表示におけるＰ駆動時
に、Ｖｗ＋１／２Ｖｍ−ＯＶ−１９０Ｖ＋１／２Ｘ６０
Ｖ２２０■　　　　　　・・・（３） の電圧が印加され、Ｎ駆動時に、 （Ｖｗ−１／　２Ｖｍ）　−Ｖｍ−−（Ｖｗ＋　１／２
Ｖｍ）＝−（１９０Ｖ＋３０Ｖ） ＝〜２２０■　　　　　・・　（４） の電圧が印加される。また、非発光表示におけるＰ駆動
時に、 Ｖｗ＋１／２Ｖｍ−Ｖｍ−Ｖｗ−１／２Ｖｍ１９０Ｖ−
３０Ｖ １６０Ｖ　　　　　　　　　・　（５）の電圧が印加さ
れ、Ｎ駆動時に、 （Ｖｗ−１／２Ｖｍ）　−０Ｖ＝　−（Ｖｗ−１／２Ｖ
ｍ）＝−（１９０Ｖ−３０Ｖ） 一〜１６０■　　　　・（６〉 の電圧が印加される。第９図ては、上記各電圧ＶＷ　、
　　（Ｖ　ｗ　＋１　／　２　Ｖ　ｍ　）　、　　（Ｖ
　ｗ　−１／　２　Ｖ　ｍ　）を印加電圧を示す横軸の
対応する電圧値の位置に付記している。

ところで、第１２図に例示される表示装置では、外部か
ら入力される垂直同期信号Ｖおよび水平同期信号Ｈの２
つの同期信号に応じて駆動している。

すなわち、各走査電極は水平同期信号Ｈに同期して上述
したＰ駆動またはＮ駆動を線順次に行い、全ての走査電
極が線順次に駆動をおえで１フレームを構成する。垂直
同期信号Ｖは、通常、１フレームの始まりを示し、この
信号に同期して１フレームの駆動が開始される。各走査
側電極は線順次にＰ駆動またはＮ駆動を１フレームに１
回行うが、ＥＬ表示素子１０では印加される電圧が交番
することが必要で、ある走査電極について２フレームで
交流サイクルを閉しるようにＰ駆動およびＮ駆動が交互
に実施される。これには、１フレーム内で全ての走査電
極が線順次に一方の極性の駆動を行う方法（フィールド
反転駆動）や、１走査ライン毎に極性を反転して行う方
法（ライン反転駆動）などが提案されている。

発明が解決しようとする課題 ところで、薄膜ＥＬ素子は上述したように容量性素子で
あるから、各走査側電極Ｙが線順次に選択駆動される毎
に、全データ側電極Ｘに表示データに応しなＯｖまたは
Ｖｍの変調電圧が印加されて充放電を繰返すことになり
、多大な変調電力が消費されるという問題点がある。

８〜 すなわち、−船釣に容量Ｃの容量素子に対して、充電電
圧■で単位時間当たりｆ回充放電を繰返す場合に消費さ
れる電力Ｐは、 Ｐｍｆ・ＣＶ２　　　　　　　　　・・（７）で与えら
れるので、同様に上述した従来の駆動方法において表示
パネル１０の容量をＣ１単位時間当たりデータ側電極Ｘ
に繰返し印加される変調電圧Ｖｍの回数をｆとすると、
その変調電圧Ｖｍの充放電によって消費される電力つま
り変調電力Ｐｍは、 Ｐｍ　＝　ｆ　−ＣＶｍ２−＜８） となる。

この問題を解決するために、変調電圧Ｖｍの電圧レベル
を段階的に上昇させるステップ駆動と呼ばれる駆動方法
やその他の駆動方法がこれまでにも提案されてきたが、
いずれの駆動方法も変調電力を十分低減することができ
ない。

１つの走査側電極Ｙ、たとえばＹｌに書込み電圧が印加
されているとき、残余の走査側電極Ｙ２〜Ｙｉのための
１〜ランジスタＰＴ２〜ＰＴｉおよび１〜ランジスタＮ
Ｔ２〜ＮＴｉは遮断しており、したがってこれら残余の
走査側電極Ｙ２〜Ｙｉはいわばフローティング状態とな
っている。したがってこの書込み電圧が印加されている
走査側電極Ｙ１における容量Ｃに起因した表示電力Ｐは
比較的わずかである。これに対してデータ側電極Ｘは、
上述のようにＯｖまたはＶｍのいずれかの変調電圧が上
述のように常時印加されており、そのため全てのデータ
側電極Ｘと全ての走査側電極Ｙとの間の容量Ｃによって
、前記変調電力Ｐｍが大きい。

したがってこの変調電力Ｐｍを減少することが、表示装
置全体の表示電力を低減するなめに有効である。

したがって本発明の目的は、上述した変調電力を大幅に
低減できる表示装置の駆動方法を提供することである。

課題を解決するための手段 本発明は、互いに交差する方向に配列した複数の走査側
電極と複数のデータ側電極との間に誘電層を介在させ、
データ側電極には発光表示・非発光表示に対応する変調
電圧を印加し、走査側電極には書込み電圧を線順次に印
加することによって、走査側電極とデータ側電極の交差
部からなる各絵素に対して発光表示時には絵素の発光し
きい電圧を越える電圧を印加し、非発光時には発光しき
い電圧以下の電圧を印加して駆動するようにした表示装
置の駆動方法において、 各走査側電極に書込み電圧が印加されている期間中に、
発光表示すべき絵素に対応した走査側電極とデータ側電
極との間に印加される電圧の極性を、単一回または複数
回、反転して駆動することを特徴とする表示装置の駆動
方法である。

作　　用 本発明に従えば、たとえばＥＬなどの表示装置において
、複数の走査側電極と複数のデータ側電極とがマトリク
ス状に互いに交差しており、それらの走査側電極とデー
タ側電極との間に誘電層が介在されており、データ側電
極には変調電圧が印加され、走査側電極には書込み電圧
が線順次に印加され、発光表示される絵素に対応した走
査側電極とデータ側電極の交差部には、発光しきい電圧
を越える一定電圧を印加し、このようにして各走査側電
極に書込み電圧が印加されている期間中に、発光表示す
べき絵素に対応した走査側電極とデータ側電極との間に
印加される電圧の極性を単一回または複数回、反転する
。これによって希望する輝度を得るための変調電圧Ｖｍ
を低くして、変調電力Ｐｍの低減を図ることができる５
゜また、これとともに走査側電極に印加する書込み電圧
を低くすることも可能であり、これによって走査側電極
の駆動時における消費電力の低減を図ることができる。

しかも本発明に従えば、各走査側電極に書込み電圧が印
加されている期間中に、発光表示すべき絵素に対応した
表示側電極とデータ側電極との間に印加される電圧の極
性を単一回または複数回、反転して駆動するようにした
ので、変調電圧または書込み電圧を低くして、しかも希
望する発光輝度を得ることができ、あるいはまたそのよ
うな変調電圧または書込み電圧を低くすることなしに、
発光輝度の一層の向上を図ることが可能である。

実施例 第１図は本発明の一実施例である駆動方法が適用される
表示装置の概略的な構成を示す回路図である。この表示
装置は発光しきい電圧Ｖｗ（−１９０■）の薄膜ＥＬ素
子を表示パネル１０とする薄膜ＥＬ表示装置であって、
その表示パネル１０については図ではＸ方向の電極をデ
ータ側電極としＸ方向の電極を走査側電極として電極の
みを示している。

走査側Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０３０は
、走査側電極の奇数ラインおよび偶数ラインにそれぞれ
対応付けられるプルダウン駆動回路であり、プルダウン
スイッチング素子であるＮチャネルＭＯＳトランジスタ
ＮＴＩ〜ＮＴｉやシフトレジスタなどの論理回路２１．
３１が含まれる。

走査側Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０，５０
は、走査側電極の奇数ラインおよび偶数ラインにそれぞ
れ対応付けられるプルアップ駆動回路であって、プルア
ップスイッチング素子であるＰチャネルＭＯ３）ランジ
スタＰＴＩ〜ＰＴｉやシフトレジスタなどの論理回路３
１．４１が含まれる。

データ側ドライバＩＣ６０は、データ側電極に対応付け
られるプッシュプル駆動回路であって、一方の端子を電
圧が１／２Ｖｍ（−３０Ｖ）の電源側に接続したプルア
ップ機能を有するトランジスタＵＴ１〜ＵＴｉ、一方の
端子を接地したプルダウン機能を有するトランジスタＤ
ＴＩ〜ＤＴｉ、これらのトランジスタと逆方向に電流を
流すためのダイオードＵＤＩ〜ＵＤｉ、ＤＤＩ〜ＤＤｉ
および上記各トランジスタをオン・オフ制御するシフト
レジスタなどの論理回路７０およびデータ反転コントロ
ール回路ＥＸ１〜ＥＸｉが含まれる。

データ反転コントロール回路ＥＸ１〜ＥＸｉは、シフト
レジスタなどの論理回路７０から出力されるトランジス
タＵＴＩ〜ＵＴｉおよびＤＴＩ〜ＤＴｉのオン、オフを
制御する表示データ信号Ｄ１〜Ｄｉを、制御信号ＲＶＣ
によって反転処理をしてＤ１′〜Ｄｉ′へ変換するため
のもので、排他的論理和ゲートなどによって構成されて
いる。すなわちデータ反転コントロール回路ＥＸ１〜Ｅ
Ｘｉは、制御信号ＲＶＣがＨレベルであるときに、デー
タＤ１〜Ｄｉを反転して信号Ｄ１′〜Ｄｉ’として導出
する。またこのデータ反転コントロール回路ＥＸ１〜Ｅ
Ｘｉは、制御信号ＲＶ、ＣがＬレベルであるときには、
入力されるデータＤ１〜Ｄｉを反転することなくそのま
ま、出力信号Ｄ１′〜Ｄｉ’として導出する。

ソース電位切換え回路８０は、上記走査側Ｐチャネル高
耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０，５０の全ＮチャネルＭＯ
３）ランジスタＰＴＩ〜ＰＴｉのソース電位を正極性の
書込み電圧Ｖ　ｗ　＋　１　／　４　Ｖｍ　（−２０５
Ｖ　）とＯｖとに切換えるための回路であって、制御信
号ＰＳＣによって開閉するスイッチＳＷＩなどによって
構成されている。

ソース電位切換え回路９０は、上記走査側Ｎチャネル高
耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０，３０の全ＮチャネルＭＯ
８）ランジスタＮＴＩ〜ＮＴｉのソース電位を負極性の
書込み電圧−（Ｖｗ−１／２Ｖｍ）（＝−１７５Ｖ）と
０■とに切換えるための回路であって、制御信号ＮＳＣ
によって開閉するスイッチＳＷ２などによって構成され
ている。

第２図は、上記薄膜ＥＬ表示装置の表示パネル１０にお
ける走査側電極Ｙｌ上の絵素Ａおよび走査側電極Ｙ２上
の絵素Ｂの駆動を示すタイミングチャートである。この
タイミングチャートを参照して、以下に絵素Ａ、Ｂの駆
動について説明する。

なお、以下の説明では、走査側電極に正極性の書込み電
圧Ｖ　ｗ　＋　１　／　４　Ｖ　ｍを印加する１走査ラ
インの駆動をＰ駆動と呼び、走査側電極に負極性の書込
み電圧−（Ｖｗ−１／４Ｖｍ）を印加する１走査ライン
の駆動をＮ駆動と呼ぶものとする。

第２図のタイミングチャートにおいて、符号Ｈは水平同
期信号の波形を示し、その波形のハイレベル（以下、Ｈ
レベルと称す）の期間はデータ有効期間を示す。符号Ｖ
は垂直同期信号の波形を示し、この信号の立ち上がり時
点から１フレームの駆動が開始される。符号ＤＬＳはデ
ータラッチ信号の波形を示し、この信号は１走査ライン
分のデータをデータ転送りロックＤＣＫに同期させて転
送する動作を終了した後に出力される。符号ＲＶＣはデ
ータ反転信号の波形を示し、その波形はＰ駆動を行う期
間にＨレベルとなり、この期間中のシフトレジスタなど
の論理回路７０から出力される表示データ信号Ｄ１〜Ｄ
ｉを全て反転させる。

符号ＤＡＴＡは表示データの信号を示し、符号Ｄ１′〜
Ｄｉ′はデータ側ドライバＩＣのトランジスタＵＴＩ〜
ＵＴｉ、ＤＴＩ〜ＤＴｉに入力されるデータを示す。そ
の他の信号については第１表に説明しである。これらの
信号ＲＶＣ，ＰＳＴ。

ＮＳＴ、・・・は、表示データＤＡＴＡおよびデータ転
送りロックＤＣＫを発生する画像信号源１１０からの水
平同期信号Ｈと垂直同期信号Ｖとに同期して信号発生回
路１１１で作成される。なお、第１２図の先行技術では
、対応する信号の同一の参照符に、添え字１を付して示
し、これらの信号は、本件実施例に類似するけれども、
異なっている。

１つの走査側電極Ｙに書込み電圧が印加されている期間
Ｗ１２中に、たとえば絵素Ａを発光表示するために、走
査側電極Ｙ１とデータ側電極χ２との間に印加される電
圧の極性を、第２図の参照符Ｐ１で示されるように正極
性とし、次に参照符Ｐ２で示すように負極性として、単
一回、反転して駆動する。この正極性の書込み電圧Ｐ１
が与えられているとき、データ側電極Ｘ２はＯｖであり
、また走査側電極Ｙ１に負極性の電圧Ｐ２が与えられて
いるとき、データ側電極Ｘ２は＋３０Ｖであり、こうし
て正極性Ｐ１および負極性Ｐ２の電圧が走査側電極Ｙ１
に与えられているとき、絵素Ａにおいて、ＥＬの発光し
きい電圧を越える電圧が印加されて発光が行われる。ま
たこの実施例では正極性Ｐ１と負極性Ｐ２との単一回、
極性が反転しており、したがってデータ側電圧Ｘ２を上
述のように比較的低い３０Ｖであっても、希望する輝度
を得ることができ、このようにしてデータ側電圧Ｘ２の
電圧を上述のように３０Ｖという低い電圧にすることに
よって、変調電力を低減することが可能であり、あるい
はまたこのような低い電圧で希望する輝度を得ることが
でき、またそのデータ側電極の変調電圧をもっと高くし
て高輝度とすることもまた可能である。しかも水平同期
信号Ｈと垂直同期信号Ｖの周波数を高くすることなしに
、希望する輝度を得ることかできるので、それらの同期
信号Ｈ，Ｖの変更による回路構成の変更をする必要がな
く、好都合である。これらの変調電圧と書込み電圧は、
本件表示装置のシャーシなとの接地電位をＯ■として基
準としている。

制御信号ＲＶＣは、期間Ｗ１２においてその半分の期間
Ｗ１てはＨレベルであり次の半分の期間Ｗ２ではＬレベ
ルテある（Ｗｌ　２＝Ｗ１＋Ｗ２＞。

（以下余白） 第　　１ 表 じて１水平期間の周期で各データ側電極Ｘ１〜Ｘｉに印
加する変調電圧を、１／２Ｖｍ（−３０Ｖ）と０■に切
換えることによって行われる。すなわち、この場合の変
調電圧１　／　２　Ｖ　ｍは先述した従来の駆動方法に
おける変調電圧Ｖｍ　（−６０Ｖ）の１／２とされてい
る。なお、表示データはＨレベルが発光に、ローレベル
（以下、Ｌレベルと称す）が非発光に対応付けられてい
る。

次に、その変調電圧の切換えタイミングを第３図（ａ）
を参照して説明する。

第３図（ａ＞は論理回路７０の内部構成を示している。

この論理回路７０では、ある走査ラインの駆動が実行さ
れている期間に、次の走査ラインの表示データＤＡＴＡ
がデータ転送りロックＤＣＫに同期して順次、１走査ラ
イン分の記憶容量を持つシフトレジスタ７１に入力され
る。シフトレジスタ７１に入力されたデータは、１走査
ライン分のデータ転送終了後に入力される信号ＤＬＳに
よってラッチ回路７２に取込まれ、以後、その駆動タイ
ミングの終了時までラッチ回路７２に記憶される。この
ラッチ回路７２の出力である表示データ信号Ｄ１〜Ｄｉ
と制御信号ＲＶＣとの排他的論理和出力Ｄ１′〜Ｄｉ′
によってトランジスタＵＴＩ〜ＵＴｉ、ＤＴＩ〜ＤＴｉ
のオン・オフが制御され、その結果データ側電極Ｘ１〜
Ｘｊの電圧は水平期間内において制御信号ＲＶＣの入力
毎に１水平期間の周期で切換わることになる。

すなわち、データ反転コントロール回路ＥＸＩ〜ＥＸｉ
に入力される制御信号ＲＶＣは、Ｐ駆動を実行する期間
中にＨレベルとなり、この期間中にデータ反転コントロ
ール回路ＥＸＩ〜ＥＸｉに入力される表示データ信号Ｄ
１〜Ｄｉを反転させたＤＩ’〜Ｄｉ′を出力するための
信号であるが、このようにＰ駆動時の表示データ信号Ｄ
１〜Ｄｉを反転させるのは以下の理由による。

後述するように、Ｐ駆動ではＰチャネル高耐圧ＭＯＳド
ライバＩＣ４０，５０のトランジスタをオンにし、選択
された走査側電極Ｙの電位をＶｗ＋　１　／　４　Ｖ　
ｍに引上げる一方、選択されたデータ側電極Ｘ、つまり
発光させるべき絵素を含むデー夕側電極Ｘの電位をＯｖ
に設定することによって、その選択走査側電極Ｙと選択
データ側電極Ｘの交差部の絵素に電圧（Ｖ　ｗ　＋　１
　／　４　Ｖ　ｍ　）が印加され発光駆動が行われる。

すなわち、絵素に印加される上記電圧は、 Ｖｗ＋１／４Ｖｍ＝１９０Ｖ＋１／４Ｘ６０Ｖ−２０５
Ｖ　　　　　　　　　・・・（９）である。このとき、
非選択データ側電極Ｘ、つまり発光させない絵素を含む
データ側電極Ｘの電位は１／２Ｖｍ（＝３０Ｖ）に設定
され、この非選択データ側電極Ｘと上記選択走査側電極
Ｙの交差部の絵素には電圧（Ｖ　ｗ　＋　１　／　４　
Ｖ　ｍ　）　−１／　２Ｖｍが印加される。すなわち、
絵素に印加される上記電圧は、 Ｖｗ＋　１／４Ｖｍ　−１／２Ｖｍ＝Ｖｗ　−１／４Ｖ
ｍ＝１９０Ｖ−１／４Ｘ６０Ｖ ＝１７５Ｖ　　　　　・・・（１０） と発光しきい電圧以下になり、その絵素は発光しない。

このような駆動を実行するために、選択データ制電ｆ！
Ｘｎに接続されているトランジスタＵＴｎはオフ、トラ
ンジスタＤＴｎはオンにそれぞれ設定される。また、非
選択データ制電ｆ！Ｘ　ｍに接続されているトランジス
タＵＴｍはオン、トランジスタＤＴｍはオフにそれぞれ
設定される。つまり、選択データ側電極Ｘｎに対応する
入力データＤｎはＬレベル、非選択データ側電極Ｘｍに
対応する入力データＤｍはＨレベルと設定しなければな
らない。この場合のレベルはデータ反転コントロール回
路ＥＸ１〜ＥＸｉに入力される表示データＤＡＴＡのレ
ベルとは逆の関係になる。そこで、このときの表示デー
タ信号Ｄ１〜Ｄｉを反転するために制御信号ＲＶＣを必
要とするのである。

以上の駆動によるデータ側電極Ｘ２への印加波形を、デ
ータ側Ｘ２として第２図に示している。

次に走査側の駆動を第３図（ｂ）および第３図（ｃ）を
参照して説明する。

第３図（ｂ）はＮチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２
０，３０の論理回路２１．３１の内部構成を示し、第３
図（Ｃ）はＰチャネル高耐圧Ｍ○ＳドライバＩＣ４０，
５０の論理回路４１．５１の内部構成を示す。また、Ｎ
チャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０，３０の論理回
路の真理値表を第２表に、Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドラ
イバＩＣ４０，５０の論理回路の真理値表を第３表に示
す。

第　　　　２　　　　表 第 表 上記Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０゜３０お
よびＰチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０，５０は
相補型の回路構成からなり、論理は全て互いに逆になる
が構成は同じであるため、ここではＮチャネル高耐圧Ｍ
ＯＳドライバＩＣ２０゜３０についてのみ説明する。

シフトレジスタ１１０は、選択走査ラインを記憶してお
くための回路であり、クロック信号ＣＬＯＣＫがＨレベ
ルの期間で転送用データＮ、ＤＡＴＡを取込み、クロッ
ク信号ＣＬＯＣＫがＬレベルの期間でそのデータを転送
する機能を持つ。この薄膜ＥＬ表示装置では、クロック
信号ＣＬ　ＯＣ，にとして、奇数側Ｎチャネル高耐圧Ｍ
ＯＳドライバＩＣ２０には第２図の信号Ｎ５Ｔｏｄｄが
、偶数側Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ３０には
信号Ｎ５Ｔｅｖｅｎがそれぞれ入力される。また、転送
用データＮＤＡＴＡとして、第２図に示すように１フレ
ームに１回、垂直同期信号Ｖの立上がりの後に入力され
る最初のクロック信号ＮＳＴ。

ｄｄ、Ｎ５ＴｅｖｅｎがＨレベルの期間だけＬレベルと
なる信号が入力される。このように２回の水平期間に対
して１回の割合でクロック信号ＮＳＴｏｄｄ、Ｎ５Ｔｅ
ｖｅｎを入力するのは、走査ラインのＹｌ（奇数側）、
Ｙ２（偶数側）、Ｙ３（奇数側）、・と奇偶交互に線順
次にＮ駆動が実施されるからである。

論理回路１２０は、入力される２つの信号ＮＳＴ、ＮＣ
Ｌで、Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０，３０
のトランジスタＮＴＩ〜ＮＴｉをシフトレジスタ１１０
のデータに応して３つの状態に切換えるための回路であ
り、その論理は第２表の真理値に従う。

以上の動作を第４表に示す。

（以下余白） 第　　４ 表 つまり、この薄膜ＥＬ表示装置の動作は、線順次に選択
された走査ラインに対し、Ｐ駆動とＮ駆動の両方が実行
されることにより、各絵素に対して発光に必要な交流パ
ルスを閉じるものである。

また、Ｎ駆動およびＰ駆動は、それぞれ変調期間と書込
み期間とを持つ。変調期間として約１０μｓｅｃを、ま
た書込み期間として３０μｓｅｃをそれぞれ与えること
によって、１水平期間は約８０μｓｅｃに設定される。

第４表におけるＮｃｈソース電位およびＰｃｈソース電
位は、ＮＰフィールドおよびＰＮフィールドにおいて絵
素を発光させ得る振幅の完全対象交流波形を印加するの
に必要なＮチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０，３
０およびＰチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０，５
０のトランジスタのソース電位である。

信号ＮＳＣは、Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２
０，３０に対するソース電位切換え回路９０の制御信号
であり、この信号がＨレベルのとき、つまりソース電位
切換え回路９０のスイッチＳＷ２がオンのとき、ソース
電位は−（Ｖｗ−１／４■ｍ）（−−１７５■）となり
、スイッチＳＷ２がオフのときソース電位は０■となる
。

信号ＰＳＣは、Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４
０，５０に対するソース電位切換え回路８０の制御信号
であり、この信号がＨレベルのとき、つまりソース電位
切換え回路８ｏのスイッチＳ　Ｗ　１がオンのとき、ソ
ース電位はＶｗ＋１／４Ｖｍ（−２０５Ｖ）となり、ス
イッチＳＷＩがオフのときソース電位はＯＶとなる。

第４表における符号ＮＴｏｄｄはドライバＩＣ２０内の
トランジスタ、符号ＮＴｅｖｅｎはドライバＩＣ３０内
のトランジスタ、符号ＰＴｏｄｄはドライバＩＣ４０内
のトランジスタであり、オン　オフは各タイミングにお
けるそれらのトランジスタのオン・オフ動作を示す。た
だし、（オン）は選択走査ラインに対応するトランジス
タのみがオンとなることを意味する。これらのトランジ
スタのオン、オフ、（オン）を制御するのが信号ＮＣＬ
ｏｄｄ、Ｎ５Ｔｏｄｄ、ＮＣＬｅｖｅｎ、Ｎ５Ｔｅｖｅ
ｎ、ＰＣＬｏｄｄ　　ＰＳＴｏｄｄ　　ＰＣＬｅｖｅｎ
、ＰＳＴｅｖｅｎであり、各タイミングでのそれぞれの
論理は第４表に示すとおりである。

また、変調期間では、信号ＮＳＣ，ＰＳＣによりスイッ
チＳＷＩ、ＳＷ２がオフとなって、走査側のドライバＩ
Ｃ２０，３０，４０，５０の全ての１〜ランジスタがオ
ンにされ、全走査側電極Ｙの電位がＱＶにされる。この
とき、データ側電極Ｘには表示データＤＡＴＡに応じて
１／２Ｖｍ（−３０Ｖ）か０■の変調電圧か印加される
。その結果、データ側電極Ｘのうち、１／２Ｖｍ（−３
０Ｖ）の変調電圧が印加されている電極では、Ｎチャネ
ル高耐圧ＭＯＳ）ＣライバＩＣ２０，３０のトランジス
タを充電路として絵素に対し走査側電極Ｙを基準として
正極性の電圧１／２Ｖｍ（−３０Ｖ）が充電され、Ｏｖ
の変調電圧が印加されている電極は走査側電極Ｙを基準
としてＯＶの電位に保たれる。

このように、変調期間では、データ側電極Ｘに印加する
変調電圧を、表示データＤＡＴＡに応じてＯｖと１／２
Ｖｍ（＝３０Ｖ）のいずれかに選択する一方、全走査側
電極Ｙには０■を印加することによって、走査側電極Ｙ
を基準としてデータ側電極Ｘの電位が１／２Ｖｍ（−３
０Ｖ）となるように充電されるか、または０■に保持さ
れることになる。しかもＮ駆動とＰ駆動では、同一表示
データ信号Ｄ１〜Ｄｉでも信号ＲＶＣとデータ反転コン
トロール回路ＥＸＩ〜ＥＸｉによって極性が反転するの
で、絵素への印加電圧波形はＰ駆動とＮ駆動とを交互に
実行することによって完全対象交流波形となる。

次に、上述した４種類の書込み期間の動作を、第４図〜
第７図に示す等価回路を参照して説明する。

（１査　　のＰ　　での　込み Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０３０のトラン
ジスタのソース電位をＯｖにするために、信号ＮＳＣは
スイッチＳＷ２をオフにするＬレベルに設定され、Ｐチ
ャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ４０，５０のトランジ
スタのソース電位をＶ　ｗ　＋　１　／　４　Ｖ　ｍ　
（−２０５Ｖ　）にするために、信号ＰＳＣはスイッチ
ＳＷ１をオンにするＨレベルに設定される。また、奇数
側の１走査ラインを選択するために、Ｐチャネル高耐圧
ＭＯＳドライバＩＣ４０の１ヘランジスタＰＴｏ　ｄ　
ｄの中から論理回路４１におけるシフトレジスタのデー
タに応して１走査ラインに対応するトランジスタがオン
とされ、他の走査ラインに対応するトランジスタはオフ
とされる。このとき、トランジスタＰＴｅｖｅｎ　　Ｎ
Ｔｏｄｄはすべてオフとされ、トランジスタＮＴｅｖｅ
ｎはすべてオンとされる。また、データ側電極Ｘでは、
変調期間の駆動が継続する。

第４図（ａ）および第４図（ｂ）は、この状態での表示
パネル１０の等価回路を示している。そのうち第４図（
ａ）は絵素Ａを発光させるときの等価回路であり、デー
タ側型［ｉＸ２と選択走査側電極Ｙ１との交差部の絵素
Ａにのみ、走査側電極Ｙ１を基準にしてデータ側電極Ｘ
２に負極性の電圧、 ＯＶ−（Ｖｗ　＋　　１／４Ｖｍ）　−０Ｖ−２０５Ｖ
２０５■　　　　　・・（１１） が印加されて発光する。第４図（ｂ）は絵素Ａを発光さ
せないときの等価回路であり、絵素Ａに印加される電圧
は、 １／２Ｖｍ　−（Ｖｗ、　＋　１／４Ｖｍ）　−３０Ｖ
−２０５Ｖ１７５■　・・（１２） と発光しきい電圧１９０■以下の値となるのて発光しな
い。

（２奇　　　金型　のＮ　　での　　みＮチャネル高耐
圧ＭＯＳドライバＩＣ２０，３０のトランジスタのソー
ス電位を−（Ｖｗ−１／４Ｖｍ）（−−１７５Ｖ）にす
るために、信号ＮＳＣはスイッチＳＷ２をオンにするＨ
レベルに設定され、Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩ
Ｃ４０５０のトランジスタのソース電位をＱＶにするた
めに、信号ＰＳＣはスイッチＳＷＩをオフにするＬレベ
ルに設定される。また、奇数側の１走査ラインを選択す
るために、Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ２０の
トランジスタＮＴｏ　ｄ　ｄの中から論理回路２１にお
けるシフトレジスタのデータに応じて１走査ラインに対
応するトランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対
応するトランジスタはオフとされる。このとき、トラン
ジスタＮＴｅｖｅｎ、ＰＴｏｄｄはすべてオフとされ、
トランジスタＰＴｅｖｅｎはすべてオンとされる。また
、データ側電極Ｘでは、変調期間の駆動が継続する。

第５図（ａ）および第５図＜ｂ＞は、この状態での表示
パネル１０の等価回路を示している。そのうち第５図（
ａ）は絵素Ａを発光させるときの等価回路であり、デー
タ側電極ｘ２と選択走査側電極Ｙ１との交差部の絵素Ａ
にのみ、走査側電極Ｙ１を基準にしてデータ側電極Ｘ２
に正極性の電圧、 １／２Ｖｍ−（−（Ｖｗ＝１／４Ｖｍ））−３ｏｖ−（
−１７５Ｖ）２０５Ｖ　　　・（１３） が印加されて発光する。ちなみに、このときの印加電圧
は（３）式で示した従来の駆動方法の場合の印加電圧２
２０Ｖよりも１５Ｖ低い。つまり発光しきい電圧１９０
Ｖを越える電圧値は従来が３０ｖであったのに対して、
この実施例ではその半分の１５Ｖとなっている。第５図
（ｂ）は絵素Ａを発光させないときの等価回路であり、
絵素Ａに印加される電圧は、 ＯＶ　−（−（Ｖｗ　−１／４Ｖｍ）　）　−０Ｖ−（
−１７５Ｖ）１７５Ｖ　　・・（１４） と発光しきい電圧１．９０　Ｖ以下の値となるので発光
しない。

（３）偶数　走査型　のＰ　動での書込みＮチャネル高
耐圧ＭＯＳトライバＩＣ２０，３０のトランジスタのソ
ース電位をｏ■にするために、信号ＮＳＣはスイッチＳ
Ｗ２をオンにするＨレベルに設定され、Ｐチャネル高耐
圧ＭＯＳドライバＩＣ４０，５０のトランジスタのソー
ス電位をＶｗ＋１／４Ｖｍ　（−２０５Ｖ）にするなめ
に、信号ＰＳＣはスイッチＳＷ１をオンにするＨレベル
に設定される。また、偶数側の１走査ラインを選択する
ために、Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ５０のト
ランジスタＰＴｅ　ｖ　ｅ　ｎの中がら論理回路５］に
おけるシフトレジスタのデータに応じて１走査ラインに
対応するトランジスタがオンとされ、他の走査ラインに
対応するトランジスタはオフとされる。このとき、トラ
ンジスタＰＴｏｄｄ、ＮＴｅｖｅｎはすべてオフとされ
、トランジスタＮＴｏｄｄはすべてオンとされる。また
、データ側型ｆｉＸでは、変調期間の駆動が継続する。

第６図（ａ）および第６図（ｂ）は、この状態での表示
パネル１ｏの等価回路を示している。そのうち第６図（
ａ）は絵素Ｂを発光させるときの等価回路であり、デー
タ側型ｉＸ２と選択走査側電極￥２との交差部の絵素Ｂ
にのみ、走査側電極Ｙ２を基準にしてデータ側電極Ｘ２
に正極性の電圧、 （Ｖｗ　＋１／４Ｖｍ）　−０Ｖ＝２０５Ｖ−ＯＶ２０
５Ｖ　　　　　　・・・（１５） が印加されて発光する。第６図（ｂ）は絵素Ｂを発光さ
せないときの等価回路であり、絵素Ｂに印加される電圧
は、 （Ｖｗ　＋　１／４Ｖｍ）　−１／２Ｖｍ＝２０５Ｖ−
３０Ｖ１７５■　　・・（１６） と発光しきい電圧１９０■以下の値となるので発光しな
い。

（４）　　　走査　　のＮ　動での書込みＮチャネル高
耐圧ＭＯＳトライバＩＣ２０３０のトランジスタの電位
を−（Ｖ　ｗ　−１／　４　Ｖ　ｍ　）（−−１７５Ｖ
）にするなめに、信号ＮＳＣはスイッチＳＷ２をオンに
するＨレベルに設定され、Ｐチャネル高耐圧ＭＯＳドラ
イバＩＣ４０，５０のトランジスタの電位をＱＶにする
ために、信号ＰＳＣはスイッチＳＷＩをオフにするしレ
ベルに設定される。また、偶数側の１走査ラインを選択
するために、Ｎチャネル高耐圧ＭＯＳドライバＩＣ３０
のトランジスタＮＴｅｖｅｎの中がら論理回路３１にお
けるシフトレジスタのデータに応じて１走査ラインに対
応するトランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対
応するトランジスタはオフとされる。このとき、トラン
ジスタＮＴｏｄｄ、ＰＴｅｖｅｎはすべてオフとされ、
トランジスタＰＴｏｄｄはすべてオンとされる。また、
データ側型［ｉＸでは、変調期間の駆動が継続する。

第７図（ａ）および第７図（ｂ）は、この状態ての表示
パネル１０の等価回路を示している。そのうち第７図（
ａ＞は絵素Ｂを発光させるときの等価回路てあり、デー
タ側電極Ｘ２と選択走査側電極Ｙ２との交差部の絵素Ｂ
にのみ、走査側電極Ｙ２を基準にしてデータ側型ｔｆｔ
Ｘ２に正極性の電圧、 １／２Ｖｍ−（−（Ｖｗ　−１／４Ｖｍ））−３０Ｖ＋
１７５Ｖ２０５ｖ　・・（１７） が印加されて発光する。第７図（ｂ）は絵素Ｂを発光さ
せないときの等価回路であり、絵素Ｂに印加される電圧
は、 ０Ｖ−（（Ｖｗ−１／４Ｖｍ））＝ＯＶ＋１７５Ｖ１７
５■　・（１８） と発光しきい電圧１９０Ｖ以下の値となるので発光しな
い。

第９図には、上述した駆動で発光させる絵素に印加され
る電圧Ｖｗ＋１／４Ｖｍ　（−２０５Ｖ）および発光さ
せない絵素に印加される電圧Ｖｗ１／４Ｖｍ　（−１６
０Ｖ）のそれぞれを、印加電圧を示す横軸上の対応する
電圧値の位置に付記している。

以上のように、この実施例の駆動方法ではデータ側電極
Ｘに印加する変調電圧が、従来の駆動方法の場合の変調
電圧Ｖｍ（−６０Ｖ）の半分、つまり１／２Ｖｍ（−３
０Ｖ）に低減される。その結果、単位時間当たりの発光
回数、すなわち発光のチューティが従来の駆動方法の場
合と同じであるとすると、第９図に参照符１ｏで示す薄
膜ＥＬ表示装置の電圧−輝度特性の曲線において、実施
例の場合の発光絵素の輝度Ｌ１は従来の駆動方法での輝
度ＬＯに比べてかなり低下してしまうことになる。

そこで、上記発光輝度の低下を補うなめに、この実施例
では、外部同期信号Ｈ，Ｖの周波数を変えることなしに
、各絵素毎に２倍の発光回数になるように設定される。

第９図において、参照符１１は上述したように単位時間
当たりの発光回数を従来の駆動方法の場合の２倍に設定
したこの実施例の場合の電圧−輝度特性を示している。

実施例では発光絵素に印加される電圧はＶｗ＋１／４Ｖ
ｍ　（−２０５Ｖ）であるから、このときの発光輝度Ｌ
２は従来の駆動方法の場合の発光輝度Ｌ　Ｏよりも高く
なる。

すなわち、表示パネル１０の容量をＣ１単位時間当たり
データ側電極Ｘに繰り返し印加される変調電圧Ｖｍの回
数をｆとするとき、従来の駆動方法で変調電圧Ｖｍの充
放電によって消費される変調電力Ｐｍは（８）式で示し
たようにＰｍ＝ｆＣ・■ｍ２であるのに対して、この実
施例では変調電圧が１／２Ｖｍてあり、かつ単位時間当
たりの発光回数が２倍つまり変調電圧１／２Ｖｍの印加
回数が２ｆであるから、変調電力Ｐｍは、Ｐｍ−（２ｆ
）Ｃ・（１／２■ｍ）２ ＝　１７２−　ｆ　　Ｃ・Ｖｍ２＝−（１９）となり、
従来の駆動方法の場合の半分に低減される。

従来の駆動方法におけるフレーム周波数は通常６０Ｈｚ
であり、１フレームに割り当てられる時間は約１６．６
６ｍ５ｅｃであるから、１ラインの走査側電極ＹのＮ駆
動およびＰ駆動のそれぞれの駆動に４０μｓｅｃを割り
当てるものとすると、１フレームで約２００本の走査ラ
インを駆動できることになる。単位時間当たりの発光回
数を上述したように倍増しないても、従来の駆動方法と
ほぼ同様の発光輝度を確保できる場合、すなわち輝度電
圧特性が第９図で１２のように段階状に近い場合には、
１フレームで駆動できる走査ラインの本数はこれよりも
さらに増加することになる。

なお、単位時間当たりの発光回数を２倍にする方法とし
ては、１つの走査電極に対しであるフレームについては
、Ｐ駆動を２回行い、次のフレームでＮ駆動を２回行う
という方法も考えられるが、ＥＬ表示素子の特性として
同一極性の電圧を連続して印加した場合、その発光パル
スは１回目より２回目が低くなるという性質があり、発
光輝度が本実施例と比較して低くなり、望ましい方法で
はない。また本実施例では、１つの走査電極に対して、
１フレーム内にＰ駆動を行い、次にＮ駆動を行う場合を
説明したが、この順序は逆でもよい。

また走査ライン毎に、その順序が異なってもよい。

さらに、本実施例では、選択された走査電極と異なる奇
偶側の電極を０■にクランプしているが、これはフロー
ティングにしてもよい。上述の実施例では期間Ｗ１２に
おいてＥＬに印加される電圧の極性は、単一回、反転し
て駆動されなけれども、本発明の他の実施例として２回
以上、反転して駆動されるようにしてもよい。たとえば
絵素Ａを発光表示させるとき、第２図に示されるように
走査側電極Ｙに与えられる書込み電圧を第１０図に示さ
れる波形とし、こうして絵素Ａに与えられる電圧の極性
は、３回反転されて駆動される。なおこのとき、書込み
電圧に対応してデータ側型ＩＸ２の変調電圧は、前述の
実施例と同様に走査側電極Ｙ１の電圧の変化に対応して
、変化される。さらにまた第１１図では、絵素Ａを発光
表示させるなめに、走査側電極Ｙ１には第１１図（１）
で示される電圧波形が与えられ、こうして絵素Ａの電圧
の極性は期間Ｗ１２において２回、反転される。

第１のフレームの走査時に第１１図（１）の電圧波形が
与えられたとき、次の第２フレームでは第１フレームに
おける電圧とは逆極性となるように、第１１図（２）で
示される電圧波形が与えられ、こうして希望する輝度を
確実に得ることができる。

このようにして前述の第１０図の実施例では、選択され
た絵素Ａは期間Ｗ１２において合計４回発光され、また
第１１図に示される実施例では合計３回発光される。

発明の効果 以上のように、本発明の表示装置の駆動方法によれば、
データ側電極に変調電圧を印加し、走査側電極に書込み
電圧を線順次に印加し、発光表示すべき絵素を形成する
走査側電極とデータ側電極の交差部には、発光しきい電
圧を越える電圧を印加し、この走査側電極に書込み電圧
が印加されている期間中に、発光表示すべき絵素に対応
した走査側電極とデータ側電極との間に印加される電圧
の極性を単一回または複数回、反転して駆動するように
しなので、変調電圧Ｖ　ｍを低くすることができ、これ
によって変調電力を低減でき、データ側駆動回路として
低電圧の回路の使用が可能でゴス１〜低減を図ることが
できる。また、変調電力の低減により、集積回路で構成
されるデータ側駆動回路の高集積化が可能となり表示装
置の小型化に寄与することができる。しかも本発明によ
れば、このように発光表示すべき絵素に対応した表示側
電極とデータ側電極との間に印加される電圧の極性を単
一回または複数回、反転して駆動して、変調電圧または
書込み電圧が低くても、高輝度を得ることが可能である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である駆動方法が適用される
薄膜ＥＬ表示装置の構成を示す回路図、第２図はその薄
膜ＥＬ表示装置の動作を示すタイミングチャート、第３
図はその薄膜ＥＬ表示装置における論理回路の構成を示
す回路図、第４図〜第７図はその薄膜ＥＬ表示装置の動
作中の表示パネルの等価回路を示す回路図、第８図は薄
膜ＥＬ素子の一部切欠き斜視図、第９図は薄膜ＥＬ素子
の電圧−輝度特性を示すグラフ、第１０図は本発明の他
の実施例において絵素Ａを発光表示させるために走査側
電極Ｙ１に与えられる電圧波形を示す図、第１１図は本
発明のさらに他の実施例において絵素Ａを発光表示させ
るなめに走査側電極Ｙ１に与えられる電圧波形を示す図
、第１２図は従来の駆動方法が適用される薄膜ＥＬ表示
装置の構成を示す回路図である。 １０・・表示パネル、２０．３０・・・Ｎチャネル高耐
圧ＭＯＳドライバＩＣ１４０，５０・・・Ｐチャネル高
耐圧ＭＯＳドライバＩＣ１６０・・データ側ドライバＩ
Ｃ１８０，９０−・ソース電位切換え回路、ｘ１〜Ｘｉ
・・・データ側電極、Ｙ１〜Ｙｉ・・・走査側電極 代理人　　弁理士　西教　圭一部 Ｏ■ ３０Ｖ （ａ） （ｂ） 第 図 Δ Δ ０Ｖ ０■ （ａ） （ｂ） 図 第 図 （Ｖｗ４Ｖｍ）　（Ｖｗ−１ｔＶｍ）　（Ｖｗ　）（Ｖ
ｗ＋しｔＶｍ）（〜〜ｖ＋Ｉｚうｖｍ）印加電圧（Ｖ） 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 互いに交差する方向に配列した複数の走査側電極と複数
   のデータ側電極との間に誘電層を介在させ、データ側電
   極には発光表示・非発光表示に対応する変調電圧を印加
   し、走査側電極には書込み電圧を線順次に印加すること
   によって、走査側電極とデータ側電極の交差部からなる
   各絵素に対して発光表示時には絵素の発光しきい電圧を
   越える電圧を印加し、非発光時には発光しきい電圧以下
   の電圧を印加して駆動するようにした表示装置の駆動方
   法において、 各走査側電極に書込み電圧が印加されている期間中に、
   発光表示すべき絵素に対応した走査側電極とデータ側電
   極との間に印加される電圧の極性を、単一回または複数
   回、反転して、駆動することを特徴とする表示装置の駆
   動方法。