TWI279865B - Circuit board and method for manufacturing the same - Google Patents

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1279865 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明’係有關用於晶片在薄膜上（Cop)之載帶（tape cairier)基板般之配線基板，特別係有關形成於配線基板之 導體配線上的突起電極的構造、及其製造方法。 【先前技術】 就使用薄膜基板之封裝模組的一種而言，已知有 COF(ChiP 0n Fihn)。圖14係表示c〇f之—例的—部份截 面圖。COF係在柔軟的絕緣性載帶基板2〇上搭載半導體元 件2卜且藉密封樹脂22來保護，主要係作為平面顯示器之 驅動用驅動器。載帶基板2〇之主要構件係包含絕緣性薄膜 基材23與形成於其面上之導體配線24。依需要可於導體配 線24上形成金屬鍍被膜25及絕緣樹脂之防焊劑％之層。 一般而言’使用聚醯亞胺作為薄膜基# 23,使用鋼作:導

又，透過突起電極28來連接載帶基板2〇上之導體配線 24與半導體元件21上之電極墊27。該突起電極28之設置 方法，可利用預先對載帶基板2〇上之導體配線Μ形成的 :法、或是預先對半導體元件21上之電極塾27形成的方 法0 28,可為:用對載τ基板2〇上之導體配線24形成突起電極 方去\ i例如日本專利特開_1 ·1 68129號公報所記載的 方：二该裊造方法的步驟參照圖咖，、圖⑽〜以來 °以°兄明。圖15A1〜F1係表示習知例之製造步驟中薄膜基 6 1279865 板的-部份之俯視圖。圖15A2〜F2係分別對應於圖i5ai〜fi 之放大截面圖。各截面圖係表示對應於圖ΐ5Αι之的位 置。該製造步驟係利用金屬鑛形成突起電極的情形之例。 貫先’如圖15A1所示，對形成有導體配線24的薄膜 基材23，如圖15B1所干#人 、 听不般全面形成光阻29。其次，如圖 15C1所π使用4電極形成用之曝光光罩π，通過光透 過區域3〇a而將光阻29曝光。其次，如圖"di所示，使 光阻29顯影而形成開口圖案29M吏，如圖15E1所示，通 =圖案29a施以金屬鑛。然後若將光阻”剝離，則如 =戶:示，可獲得在導體配線24上形成有突起電極Μ 載π基板20。突起電極28,如圖i5n所示，一般雖冰 長方形之載帶基板20之4邊配置，惟在 /〇 攻I丨隹在各邊不僅配置一 列，亦有配置複數列的情形。 :。以上所述’當於載帶基板2〇之導體配 =…情形，以膜基材23的特性上，會有= 之對位困難的問題。由於若曝光光罩30之對位偏差 則無法形成良好的突起電極2 主 件21卜夕+ 1又係在半導體元 件21上之笔極墊27形成突起電極28。另 基板2〇上之導體配線24形成突起 ’载帶 在半導體元…之電極塾27形成突起電:方；=於 具有減少製程而降低製造成本的優點。 的方法， 然而，藉由上述之習知例形成之突起電極Μ，其 土。圖16Α、Β係表示上述製造步驟 : 截面圖。目Μ係導體配線24之長邊方向基板的 咬7 ^的截面圖，其係 7 1279865 與圖15F2同樣的圖。圖16B#表示圖16A之d_d截面圖， 即導體配線24之橫切方向之截面。 如圖16A、b所示’突起電極28係形成與導體配線μ 上面接合的狀態。因此，突起電極28僅利用與導體配線Μ 上面的微小面積接合來加以保持。因此，若施加橫方向之 力，則突起電極28容易從導體配線24上面剝離。例如， =起電極28與半導體㈣21上之電極墊27(參照圖⑷ ::的狀態下，若在半導體元件21與載帶基板2〇間施加 :向之力1有突起電極28從導體配線24上面剝離之 *而有半導體兀件組裝後之連接狀態穩定性的問題。 二’突起電極28，由於係通過如圖i5m所示之微小面 :的：口圖案29a’而僅在導體配線24上面藉鍍敷來形成， 故於穴起電極2 8上面會呈平扫壯 十坦狀。右突起電極28上面呈 =狀’則會如下述般，在與半導體元件2ι上之電極塾π 連接之際會產生障礙。 第一，若突起電極28盥Φ k 。 /、電極墊27的對位產生偏差，則 千=犬起電極28與待連接電極塾27之相鄰電極塾_ 況。 且、，、°果，會有與不適當的電極墊27連接的情 第二，在與電極墊27诖姑 的自然氧化膜的破碎困難。=際，形成於電極塾27表面 抵接來使電極墊27的氧化膜:广：纟，藉由與突起電極Μ 形成電氣連接，惟若突 Γ 電 η，以與未氧化的金屬部分 的破碎困難。 “ί28上面呈平坦狀，則氧化膜 8 1279865 第三，如圖17所示，在半導體元件^與载帶基板2〇 間隔者樹脂層22的狀態下，突起電極28血 邦电極墊27的谨 接處理困難。即，在半導體元件2丨之έ 心、、且凌時，利用突起 極28的頂面來排除樹脂層22，以使突 ^ 文大起電極28與電極勢 7接觸’惟若突起電極2 8上面呈平扭狀， 丁-狀，則無法充分發 樹脂層22之排除作用。 谭 進而’在藉由圖15所示之習知例的方法來形成突起電 極28的情形，若突起電極形成用之曝光光罩％與導體配 線24的對位精度不佳，則形成於光阻29 〜同口圖累29a 與導體配線24的疊合面積會變小。其結果，如圖i8所示， 就形成於導體配線24上的突起電極28而言，無法確保所 設計之尺寸。此種突起電極28的尺寸不良，會因今後= 的多輸出化所伴隨之電極墊27的窄間距化，而變成更嚴重 的問題。 又以上所5兒明的問題在載帶基板的情形非常顯著，且 係各種配線基板的共同問題。 【發明内容】 本^明之目的在於提供一種配線基板，以使形成於導體 配線上的突起電極，對橫方向施加之力能保持充分的強 度’且於半導體元件組裝後可獲得充分的連接穩定性。 本發明之目的在於提供一種配線基板，在與半導體元件 的甩極墊連接上能形成具有較佳形狀之突起電極。 進而’本發明之目的在於提供一種配線基板之製造方 法’其可易於形成上述良好狀態之突起電極，且就算形成 9 1279865 -於光阻的開口圖案與導體配線之對位精度低，也能以充分 .的面積確實將突起電極形成於導體配線上。 本發明之配線基板，係具備^絕緣性基材、排列於該絕 緣性基材上之複數條導體配線、及形成於各該導體配線之 突起電極，其特徵在於·· 該突起電極，係穿越該導體配線之長邊方向而到達該導 體配線兩側之該絕緣性基材上的區域，該導體配線之寬度 方向的截面形狀係中央部較兩側為高。 t 本叙明之另一構成之配線基板，係具備：絕緣性基材、 排列於該絕緣性基材上之複數條導體配線、及形成於各該 導體配線之突起電極，其特徵在於·· 該突起電極，係穿越該導體配線之長邊方向而到達該導 體配線兩側之該絕緣性基材上的區域，該突起電極的上面 係呈平坦狀。 本發明之配線基板之製造方法，其特徵在於具備以下步 驟： I 將複數條導體配線排列於絕緣性基材上之步驟； 在該絕緣性基材之導體配線設置面形成光阻之步驟； 在該光阻形成穿越該導體配線而往該導體配線兩側的 區域擴展之開口部，在該開口部中使該導體配線的一部份 露出；及 對該露出之導體配線的一部份施以金屬鍍而形成突起 電極之步驟。 【實施方式】 10 1279865 本舍明之配線基板雖於導體配線上形成突起電極，惟在 牙越導體配線而到達導體配線兩側的區域，且沿導體配線 的寬度方向，具有形成於導體配線的上面及兩側面的截面 形狀。依此構成，突起電極不僅與導體配線的上面且與兩 側面接合’因此對從突起電極橫方向施加之力，可獲得充 分的穩定性。 突起電極，較佳係在導體配線之兩側部與絕緣性基材面 接觸。又，突起電極之導體配線之長邊方向的縱截面形狀， 較佳係呈實質上長方形。導體配線及突起電極，較佳係以 與形成該等之金屬不同的金屬實施鍍敷。突起電極之穿越 該導體配線的方向，較佳係與導體配線的長邊方向正交。 $體配線，較隹係在其前端部具有較其他區域寬度為窄的 區域’且在該寬度較窄區域形成突起電極。 本發明之配線基板之製造方法，係在排列有複數條導體 配線於絕緣性基材全面上形成光阻，然後在光阻形成開口 部，該開口部具有包含穿越排列之導體配線以及導體配線 兩側的區域。從該開口部中露出之導體配線的一部份施以 金屬鍍而形成突起電極。 依此方法，能容易形成如上述般之良好狀態之突起電 極，且就算形成於光阻的開口圖案與導體配線之對位精度 低，也能以充分的面積確實將突起電極形成於導體配線上。 在上述製造方法，可使開口部形成橫跨該複數條導體配 線之孔。又，在該光阻形成該開口部之步驟中，可使用具 有光透過區域橫跨複數條導體配線的部分之曝光光罩、或 11 1279865 具有光遮斷區域橫跨複數條導體配線的部分之曝光光罩， 以進行光阻之曝光。曝光光罩之光透過區域或光遮斷區域 之長邊方向’較佳係與該導體配線之長邊方向正交。金屬 鍍較佳係以電鍍來實施。 在上述製造方法，較佳係使沿半導體搭載部之短邊方向 排列之該導體配線，形成較沿長邊方向排列之導體配線的 寬度為寬；且使形成於光阻之開口部，於該絕緣性基材之 長邊所對應的部分設成連續形狀，而在其短邊所對應的部 分則配置個別的開口部。藉此，就算曝光光罩的對位精度 低，亦能使形成於導體配線（沿絕緣性基材的短邊方向排列） 的突起電極與沿長邊方向排列之導體配線所形成的突起電 極，形成一定的位置關係。 又，較佳係在絕緣性基材之導體配線的前端部設置較其 他區域寬度為窄的區域，且在寬度較窄的區域形成突起電 極° 亦可以下述來構成半導體裝置，亦即具備：上述任一之 配線基板、及搭載於配線基板上之半導體元件，透過該突 起電極連接該半導體元件之電極塾與該導體配線。又，半 導體元件之電極墊’可位於該半導體元件表面所形成之絕 緣膜開口之底部。 亦可使用上述任一之配線基板，將半導體元件載置 =配線基板上，並連接半㈣元件之電㈣與突起電極， 藉以透過突起電極來連接該半導體元件之電極墊與導體配 線，藉此來製造半導體裝置。在此情形，較佳係藉由突起 12 I279865 2極來使半導體元件之電極塾表面的氧化膜破碎，以連接 大起電極與半導體元件之電極内部未^匕的部分。又，# 佳係在以覆蓋導體配線上之突起電極形成區域的方式形成乂 进封樹職，將半導體元件裁置於配線基板上，且連接半 導體元件之電極塾與突起電極…較佳係在連接半導體 :件，電極墊與突起電極之際，使兩者彼此抵接且邊1 緊 邊對該抵接部施加超音波。 以下，參照圖式具體說明本發明之實施形態。又，在以 下之實施形態，雖以載帶基板的情形為例作說明，惟在其 他配線基板的情形同樣地亦可適用各實施形態的思想。” (實施形態1) 麥照圖1及圖2A〜C’以說明實施形態i之載帶基板的 一 圖1係表示載帶基板的一部份之立體圖。圖2A係表 不载帶基板的—部份之俯視圖；圓2B係以截面表示之前視 圖，圖2C係圖2B中A-A截面圖。 如圖1所示，在薄膜基材丨上排列複數條導體配線2， ^體配線2上形成突起電極3。突起電極3的俯視形 狀’如圖2A所示，係穿越導體配線2而到達導體配線2兩 ["區域。在導體配線2寬度方向之突起電極3的截面形 狀立：圖2C所示，係接合導體配線2的上面及兩側面且中 央：主較兩側為高的凸狀。又，突起電極3，係形成在導體 、2的兩側部與薄膜基材1的面接觸。在導體配線2長 又/之大起电極3的截面，如圖2B所示，係實質上為長 方形。 13 !279865 、：由將突起電極3設成如上述般的形狀，則突起電極3 月匕=貫用上充分的強度保持於導體配線2 ±。即，由於突 ^ :極3不僅與導體配線2上面、且與兩側面接合，故對 攸杈方向所施加之力具有充分的穩定性。 雕又，大起電極3上面並非呈平坦狀而係凸狀，對與半導 體凡件的電極墊之接觸而言極為適#。第__、就算突起電 極3办與電極塾的對位有所偏差，相較於上面呈平坦狀的情 大起電極3不易與鄰接之不㉟當的電極塾接角蜀。第二、 在與電極墊連接之際’可藉由突起電# 3上面之凸狀而容 易將形成於電極墊表面的氧化膜破碎，而可獲得與未氧化 之内部形成翔好的電氣連接1三、在半導體元件與載帶 基板时有樹脂層的狀態下，於連接突起電極3與電極# 之除，藉由突起電極3的頂面而容易將樹脂層排除。

來將突起電極3保持於導體配線2上。又 又’為了獲得以上的效果，突起電極3並非必須形成在 導體配線2的兩側部與薄膜基材i的面接觸。准，在具有 該構成的情形，對從橫方向所施加之力而言最具有穩；性 在導體配線2 3的截面並非必須實質上為長方形， 長度方向之突起電極 惟此種構成，係具有與半導_ $ I ^ β —干等體兀件的電極墊之最佳接觸性 能，且易於製造。 如圖2C所不’突起電極3從導體配線2上面起的厚度 係較導體配線2側面起的橫方向厚度為厚。此種形狀雖非 必/員《其具有可抑制因載帶基板的起伏所造成之導體 配線2與半導體元件21的短路，並可避免與鄰接之導體配 1279865 •秦2上之突起電極3的短路> % 、+、> 路之效果。該形狀可蕻ώ你田a •述之錢敷之製造方法來形成。 精*使用後 作為薄膜基材】，可使 條件，亦可使用ΡΕΤ、= ;材料之聚醯亞胺。依其他 常厚度為3〜20心的矿園且^ 科。導體配線2’通 — 的靶圍且使用銅來形成。依需1， ㈣基材I與導體配 依而"於 突起電極3的厚…1 刚之接著劑。 電極 對突起電極3盘導體配魂2在使用銅之情形，較佳係 爲内展 & 2施以金屬鍍。例如，將鑛鎳作 '·、、曰’而將鍍金作為外層來實施。或 鍍鎳+鈀、僅鲈銘、說&入 』百知以鍍錄、 ^ 又、、鍍金的情形。在對突起電極3與導 月豆配線2施以金屬鍵的主 /、 之門的h形，在突起電極3與導體配線2 之間不必貫施鍍敷。在突 . 電極3未貫施金屬錢的情形， 例如可使用金或鎳作為突 S? ^ ^ ^ 電柽3，而在犬起電極3與導體 配、，泉2之間施以鍍鎳。 (實施形態2) 蒼照圖3A1〜F1、圖3A2〜F2 基板之製造方法。圖3A1〜F1##_兄明只施形態2之載帶 ^^^ F1係表不形成載帶基板之突起電 =的心步驟。圖3A2〜F2係、分別對應於圖3ai〜fi之放大 截面圖。各截面圖係對應於圖3A1…的位置之截面。 首先，如圖3A1所千，淮供士全 數條導體配線2之薄膜絲在表面形成有整齊排列複 — /寻膜基材卜於該薄膜基材1全面，如圖 1 4°其次如圖3C1所示’使形成於薄膜 "n 4上部與突起電極形成用的曝光光罩5對向。 15 1279865 藉由通過曝光光罩5的光透過區域 ^ , m μ < π 嵊元、_

:具圖3D1所示，形成開口於光阻4且穿越導體配線2 ㈣孔狀圖案4a。藉此，使導體配線2局部露出於長孔狀 ::4a中。其次通過光阻4之長孔狀圖案4a，而對導體配 Ά露出部份施以鍍敷，如圖3E1所示’形成突起電極3。 其次，^去除光阻，則如圖3F1所*，可獲得在導體配線2 上形成有突起電極3之載帶基板6。 如以上所述，藉由通過形成於光阻4之長孔狀圖案钧 而對導體配線2之露出部份施以鑛敷，則容易形成如圖 2A〜C所示之形狀的突起電極3。此係由於在圖3ei的步糠， 不僅於‘體配、線2上面亦使側面露出，且擴及導體配線2 之露出面全體施以錢敷之故。 光阻4之長孔狀圖案4a，可以不必如圖3Di所示般横 跨複數條導體配線2上而連續的形狀。即，若包含至少導 體配線2兩側之既定範圍區域的形狀，則亦可使用分別對 應於複數條導體配線2之長孔呈分散配置之圖案。惟，若 係k %複數條導體配線2上而連續的長孔狀圖案，則可將 曝光光罩5的光透過區域5a設成如圖3所示之連續長孔， 故容易製成。長孔狀圖案4a，只要係形成到達導體配線2 兩側的範圍，則就算其長邊方向對導體配線2多少有些角 度亦不會有問題，惟以與導體配線2的長邊方向呈正交為 16 1279865 最適當。 . 又，精由在光阻4形成長孔狀圖案4a然後施以金屬鍍， 則能容易確保對導體配線2之突起電極3的位置精度。即， 若對導體配線2之長孔狀R1 ^ ^ 匕狀圖案4a的位置偏差在容許範圍 内’則導體配線2與長孔狀圖案4a必會交叉，而使導體配 線2露出之故。由於金屬鍍係於導體配線2上面及側面成 長’因此不管長孔狀圖案4a之位置偏差，皆能形成一定的 y Μ尺寸而滿足δ免计條件。因此，由於對曝光光罩5 •的對位不需嚴密的精度，故容易進行調整。 在以銅形成突起電極3的情形，以金屬鍍之一例而言， 使用硫酸銅作為錢液’在〇.3〜5A/dm2的條件下進行電鑛。 電鍍’係用以使突起電極3以圖2C所示的截面形狀形成充 为尽度方面極為適當。 其次，說明實施本實施形態之製造方法之際所發生之造 成曝光光罩5的位置偏差問題之解決方法。首先，參照圖 4〜圖6以說明半導體元件之電極墊與載帶基板之導體配線2 彼此的配置關係。 圖4係表示半導體元件之一例的俯視圖。表示形成於半 ^體元件7之面之電極墊的配置。以8a表示沿半導體元件 7之長邊方向排列的電極墊；以8b表示沿短邊方向排列的 電極墊。電極墊8a係配置成較電極墊8b多數、高密度。 C1係表示半導體元件7之中心（以半導體元件中心表示）。〇 係電極墊8a之端緣與ci間的距離。S1係電極墊8a之端緣 與電極墊8b之側緣間的間隔。li係電極墊8a的長度，wi 17 1279865 係電極墊8a的寬度。 “圖5係表示用於载帶基板之製造之形成有導體配線之 :概基材的一部份之俯視圖。C2係表示半導體元件7之搭 載區域中心（以半導體元丰 牛搭載中心表示）。D係導體配線 之端緣與半導體元件搭载部中心C2間之距離。 圖“系表示藉由本實施形態之製造方法，在導體配線2 形成有犬起電極3之載帶基板6之半導體搭載部之俯視 …在圖6之突起電極3,係在圖之曝光光罩$對導體 配線2無位置偏差的狀態下形成的情形。L2係突起電極3 的長度，W2係突起電極3的寬度。 、，若考慮到曝光光罩5往導體配線2的長度方向之位置偏 差，則較佳係使半導體元件中心C1至電極墊^的距離D， 較半導體元件搭载部中心至導體配線2的距離d為短… 較佳係使突起電極3的長度L2較電極墊8a的長度L1為 :。：此，就算因曝光光罩5的位置偏差而造成所形成之 犬=電極3的位置往導體配線2的長度方向偏差，亦能確 、笔極塾8a與大起電極3對向的充分面積。 又’圖7係與圖6同樣，表示藉由本實施形態之製造方 酋f冷奴配線2上形成有突起電極3之載帶基板6之半 導體搭載部之俯視圖。在圖7之突起電極3，係在圖3C1 之曝光光罩5對導體配線2往薄膜基材工的短邊方向位置 偏差的狀態下形成的情形。S2係沿薄膜基材1的長邊方向 排列之導體配線2上的突起電極3之端緣與沿短邊方向排 列之導體配線2的側緣間之間隔。 18 1279865 在圖”斤示狀態的情形，突起電極3的大小雖能完全滿 斤^又计的尺寸，惟會產生因導體配線2與曝光光罩5之 位置偏差方向所造成之圖4所示之間隔si與圖7所示之間 1¾ S 2的差異。即，术暖止、μ rg 在曝先先罩5往薄膜基材1的短邊方向 位置偏差的情形’在沿薄膜基材1的長邊方向配置之導體 配線2上’突起電極3的位置會往導體配線2的長邊方向 多動相對於此，在沿薄膜基材1的短邊方向配置之導體 配線2上，突起電極3的位置並未移動之故。® 8及圖9 係表示解決該問題的方法。 ▲圖8係表示在圖3C1之步驟所使用之曝光光罩5的圖 案變更後之曝光光罩9。該曝光光罩9,具有對應於薄膜基 材1的長邊部分之光透過區域9a呈連續之長孔形狀，相對 於此，對應於短邊部分之光透過區域9b則呈開口個別配置 之分散形狀。將其合併，如圖9所示，使用形成有導體配 線l〇a、l〇b之薄膜基材丨。在此形態’相較於沿薄膜基材ι 的長邊方向排列之導體配線1〇a，沿短邊方向排列之導體配 線l〇b的寬度較寬。 使用上述之曝光光罩9,若在上述之導體配線1〇a、i〇b 上形成光阻之開口圖案後再施以金屬鍍，則可獲得所設計 尺寸之突起電極3，且能使圖4所示之間隔s 1與圖7所示 之間隔S2相同。即，在圖8之曝光光罩9往薄膜基材！的 短邊方向位置偏差的情形，在沿圖9之薄膜基材1的短邊 方向配置之導體配線1 〇b上，曝光光罩9之光透過區域9b 會往寬度方向移動，形成之突起電極3的位置會如圖9所 19 1279865 示般移動。此外，由於導體配線1Gb @寬度較寬，故若移 動量在容許範圍内，則能以既定尺寸來形成突起電極3。該 移動里，係在沿薄膜基材丨的長邊方向配置之導體配線丨 上’相等於突起電極3的位置往導體配線i 的長邊方向之 移動量。其結果，使S1與S2相同。 圖10A、10B係表示對應於圖3C1所示之步驟，使用另 一形態之曝光光罩11的情形。在此形態，於曝光光罩丨工， 在對應於圖3C1之曝光光罩5之光透過區域化的位置形成 光遮斷區域11a。此曝光光罩！丨亦可適用於光阻4為負型 的情形。關於曝光光罩u之其他條件係與圖3C1之曝光光 罩5相同。 (實施形態3 ) 苓照圖1 1以說明實施形態3之載帶基板之構造及其製 造方法。在本實施形態，形成於薄膜基材1之導體配線12， 係具有前端部12a較其他基端部12b為細之形狀。其理由如 下所述。

P，在藉由圖3E1所示之電解金屬鍍之突起電極3之 形成時，沿導體配線2的寬度方向亦成長鍍銅層。因此， 7郇接之V體配線2起沿寬度方向成長之鍍銅層彼此會有 短路之虞。為避免此情形，若將導體配、線2之彼此間隔擴 大則會使導體配線2的密度降低，因而妨礙半導體穿 的小型4匕。 ^因此，如本實施形態般，使導體配線12之前端部12a 又細，若於該較細部分形成突起電極3 ,則於沿導體配線2 20 !279865 的寬度方向成長鍍銅層之際，可降低鄰接之鍍銅層間發生 短路之虞。 (實施形態4) 、參照圖12以說明實施形態4之半導體裝置及其製造方 法。載帶基板6,係如±述實施形態所記載般，在配置於薄 膜基材i上之複數條導體配線2形成各㈣電極3，突起電 極3具有圖2A〜C所示之形狀。即’穿越導體配線2且到達 導體配線2兩側的區域，在導體配線2寬度方向的截面形 狀係接合導體配線2的上面及兩側面的形狀。又，在導 體配線2寬度方向的截面形狀’係呈中央部較兩側為高之 、、且哀於載▼基板6上之半導體元件Η，係使突起電 二連接於其電極墊27，且於载帶基板6與半導體元件Μ 間充填密封樹脂22。 以半導體裝置之際，於藉由上述實施形態之製造 ^所製成之載帶基板6上搭載半導體元件21後，以接合 ^。、」3|緊。此時，較佳係透過接合工具13來施加超音 於恭極二化成於犬起電極3的凸狀之前端’由於係抵接 二A 7的表面層之氧化膜而振動，故使氧化膜之破碎 效果更為顯著。 卞 又’亦可利用圖13 A、R π -…於载帶基板6上。即將:導體元件 6之形成有載帶基板6的_覆蓋，^㈣"*基板 立-^ ；伋盍，然後充填密封樹脂14 〇 :壓緊=Γ21與载帶基板6對向，然後將兩者相 女圖13Β所不，栋资如兩Λ 更大起電極3抵接於電極墊2 7。 21 1279865 ,此日可藉由王凸狀之突起電極3上面，有效地將兩側之密 封樹脂14排除，而容易使突起電極3與電極墊27抵接。 【圖式簡單說明】 圖1係表示實施形態丨之載帶基板的一部份之立體圖。 圖2A係表示該載帶基板的一部份之俯視圖；圖2^係 该載帶基板以截面表示之前視圖；圖2C係圖2B中A-A截 面圖。 圖3A1〜F1係表示實施形態2之載帶基板之製造方法的 •步驟中載帶基板的一部份之俯視圖；圖3 A2〜F2係分別對應 於圖3A1〜F1之放大截面圖。 圖4係表示半導體元件之一例的俯視圖。 圖5係表示用於載帶基板之製造之形成有導體配線之 薄膜基材之俯視圖。 圖6係表示藉由實施形態2之製造方法所製造之載帶基 板之一例之半導體搭載部之俯視圖。 圖7係表示藉由實施形態2之製造方法所製造之載帶基 參板之另一例之半導體搭載部之俯視圖。 圖8係表示實施形態2之曝光光罩之一例的俯視圖。 圖9係表示實施形態2之變形例之設有導體配線之載帶 基板之俯視圖。 圖1 0 A係表示實施形態2之另一例之使用曝光光罩之 曝光步驟之俯視圖；圖10B係表示其放大截面圖。 圖1 1係表示實施形態3之載帶基板之俯視圖。 圖12係表示實施形態4之半導體裝置之截面圖。 22 1279865

圖 13 A、ft後主> 係表不貫施形態4之半導體裝置之製造方法 之另一例之戴面圖。 圖14係表示習知例之COF的一部份之截面圖。 ^ 圖15A1〜F1係表示習知例之載帶基板之製造步驟中薄 =板的一部份之俯視圖；目—〜”係分別對應於圖 15A1〜F1之放大截面圖。 圖16A、B係表示藉由圖15之製造步 基板的一部份之截面圖。 乂 圖17係表示在圖16之載帶基板上組裝 子之截面圖。 、十導 圖1 8係表示用以說明圖丨5之製造步 板的一部份之截面圖。 【主要元件符號說明】 1、 2 3 ·薄膜基材 2、 12、24 ··導體配線 3、 2 8 :突起電極 4、 29 ·•光阻 4a :長孔狀圖案 5、 9、1 1、3〇 :曝光光罩 5a、9a、1 la、30a :光透過區域 6、 20 :載帶基板 7、 2 1 :半導體元件 驟所製成之載帶 體元件的樣 驟的課題之載帶基 8a、8b :電極墊 l〇a、1 〇b :導體配線 23 1279865 12a :前端部 12b :基端部 1 3 ·接合工具 14、22 :密封樹脂 25 :金屬鍍被膜 26 :防焊劑 27 :電極墊 29a :開口圖案

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Claims (1)

1279865 ^ 十、申請專利範園： • ^ 1. 一種配線基板，係具備：絕緣性基材、排列於該絕 ^ 土材上之複數條導體配線、及形成於各該導體配線之 突起電極，其特徵在於： 該突起電極，係穿越該導體配線之長邊方向而到達該導 --己線兩侧之该、纟巴緣性基材上的區域，該導體配線之寬度 方向的截面形狀係中央部較兩側為高。 2 ·種配線基板，係具備··絕緣性基材、排列於該絕 籲緣性基材上之複數條導體配線、及形成於各該導體配線之 突起電極，其特徵在於·· 該突起電極，係穿越該導體配線之長邊方向而到達該導 體配線兩側之該絕緣性基材上的區域，該突起電極的上面 係呈平坦狀。 3.如申請專利範圍第丨或2項之配線基板，其中該突 起電極，係在該導體配線之兩側部與該絕緣性基材面接觸。 4·如申請專利範圍第丨或2項之配線基板，其中該突 馨起電極之導體配線之長邊方向的縱截面形狀，係呈實=上 長方形。 ' 5·如申請專利範圍第1或2項之配線基板，其中該導 體配線及突起電極，係以與形成該等之金屬不同的金屬實 施鍍敷。 6·如申請專利範圍第1或2項之配線基板，其中，該 突起電極之穿越該導體配線的方向，係與該導體配線的+ 邊方向正交。 、 25 1279865 7.如申請專利範圍第1或2項之配線基板，其中該導 體配線，係在前端部具有較其他區域寬度為窄的區域，且 在該寬度較窄區域形成該突起電極。 8· —種配線基板之製造方法，其特徵在於具備以下步 驟： 將複數條導體配線排列於絕緣性基材上之步驟； 在該絕緣性基材之導體配線設置面形成光阻之步驟； 在忒光阻形成穿越該導體配線而往該導體配線兩側的 區域擴展之開口部，在該開口部中使該導體配線的一部份 露出；及 對該露出之導體配線的一部份施以金屬鍍而形成突起 電極之步驟。 9.如申請專利範圍第8項之配線基板之製造方法，其 中該開口部，係形成橫跨該複數條導體配線之孔。 I 〇·如申請專利範圍第9項之配線基板之製造方法，其 中，在忒光阻形成開口部之步驟中，使用具有光透過區域 橫跨該複數條導體配線的部分之曝光光罩、或具有光遮斷 區域橫跨該複數條導體配線的部分之曝光光罩，以進行該 光阻之曝光。 II ·如申請專利範圍第10項之配線基板之製造方法， 〃中°亥曝光光罩之光透過區域或光遮斷區域之長邊方向 係與該導體配線之長邊方向正交。 12·如申請專利範圍第8至11項中任一項之配線基板 之製造方法，其係藉由電鍍來施以該鍍敷。 26 1279865 13 ·如申凊專利範圍 之制、生古、七 弟8至11項中任一項之配線基板 之衣造方法，其侈作、、儿 、嘉士 ’、 /〇该絕緣性基材之半導體搭載部之短 邊方向排列之該導體g 線’形成較沿長邊方向排列之該導 月豆配線的寬度為寬 ^ 見 1將形成於該光阻之開口部，在該絕 緣性基材之長邊所對應的部分設成連續形狀，而在其短邊 所對應的部分則配置個別的開口部。

14·如申請專利範圍第8至11項中任一項之配線基板 之製造方法，其係在該絕緣性基材之導體配線的前端部設 置較其他區域寬度為窄的區域，且在該寬度較窄的區域形 成該突起電極。 十一、圖式： 如次頁

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