JPH0642500B2 - Ｉｃチップのボンディング構造 - Google Patents
Ｉｃチップのボンディング構造Info
- Publication number
- JPH0642500B2 JPH0642500B2 JP61309536A JP30953686A JPH0642500B2 JP H0642500 B2 JPH0642500 B2 JP H0642500B2 JP 61309536 A JP61309536 A JP 61309536A JP 30953686 A JP30953686 A JP 30953686A JP H0642500 B2 JPH0642500 B2 JP H0642500B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- bonding pad
- bonding
- electrode
- anisotropic conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はＩＣチップのボンディング構造に関するもの
である。
である。
［従来の技術］ 従来、異方導電性接着剤を用いてＩＣチップを基板にギ
ャグボンディングする方法がいくつか開示されている
（特開昭５１−１１５７７４号公報、特開昭５２−４８
４７０号公報）。これらを第４図、第５図に示している
が、異方導電性接着剤２３に混入されている導電粒子の
大きさにより、接着状態において導電粒子２８が単層に
並ぶモノレイヤー型（第４図示）と、導電粒子２７が層
の厚さ方向に重なり合うマルチレイヤー型（第５図示）
とがある。
ャグボンディングする方法がいくつか開示されている
（特開昭５１−１１５７７４号公報、特開昭５２−４８
４７０号公報）。これらを第４図、第５図に示している
が、異方導電性接着剤２３に混入されている導電粒子の
大きさにより、接着状態において導電粒子２８が単層に
並ぶモノレイヤー型（第４図示）と、導電粒子２７が層
の厚さ方向に重なり合うマルチレイヤー型（第５図示）
とがある。
［解決しようとする課題］ 上記従来例においては、ＩＣチップのボンディングパッ
ド部２２は、パシベーション膜２６よりも凹んだ状態の
ものが多く、第４図示のモノレイヤー型においては、パ
シベーション膜２６と引出し電極２４との間に導電粒子
２８が介在し、ボンディングパッド部２２および引出し
電極２４に同時に導電粒子２８が当接する信頼性が低
く、導通不良になる恐れがある。また第５図のマルチレ
イヤー型のものでは、導通の信頼性は高いが、接着時に
押圧しすぎるとボンディングパッド間がショートした
り、チップ２１のエッジ部で引出し電極２４とＩＣチッ
プがショートする恐れがある。このように、異方導電性
接着剤を用いたＩＣチップの実装は困難であった。
ド部２２は、パシベーション膜２６よりも凹んだ状態の
ものが多く、第４図示のモノレイヤー型においては、パ
シベーション膜２６と引出し電極２４との間に導電粒子
２８が介在し、ボンディングパッド部２２および引出し
電極２４に同時に導電粒子２８が当接する信頼性が低
く、導通不良になる恐れがある。また第５図のマルチレ
イヤー型のものでは、導通の信頼性は高いが、接着時に
押圧しすぎるとボンディングパッド間がショートした
り、チップ２１のエッジ部で引出し電極２４とＩＣチッ
プがショートする恐れがある。このように、異方導電性
接着剤を用いたＩＣチップの実装は困難であった。
そこで本発明の目的は、引出し電極とボンディングパッ
ドとの導通の信頼性が高く、ボンディングパッド間や、
ＩＣチップのエッジ部でのチップと引出し電極とのショ
ートが生じないＩＣチップのボンディング構造を提供す
ることにある。
ドとの導通の信頼性が高く、ボンディングパッド間や、
ＩＣチップのエッジ部でのチップと引出し電極とのショ
ートが生じないＩＣチップのボンディング構造を提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するために、本発明の特徴は、ＩＣチッ
プのボンディングパッドとこのボンディングパッドと対
応して設けられた引出し電極とが異方導電性接着剤を介
して押圧状態で接着されるギャグボンディング構造にお
いて、この異方導電性接着剤がマルチレイヤー型である
場合、引出し電極には、ボンディングパッドと対向しこ
のパッドよりも小面積かつ異方導電性接着剤の層厚より
も高い突起状電極が設けられているところにある。
プのボンディングパッドとこのボンディングパッドと対
応して設けられた引出し電極とが異方導電性接着剤を介
して押圧状態で接着されるギャグボンディング構造にお
いて、この異方導電性接着剤がマルチレイヤー型である
場合、引出し電極には、ボンディングパッドと対向しこ
のパッドよりも小面積かつ異方導電性接着剤の層厚より
も高い突起状電極が設けられているところにある。
また、異方導電性接着剤がモノレイヤー型である場合、
引出し電極には、ボンディングパッドと対向しこのパッ
ドよりも小面積かつＩＣチップのパシベーション膜の膜
厚よりも高い突起状電極が設けられるものである。
引出し電極には、ボンディングパッドと対向しこのパッ
ドよりも小面積かつＩＣチップのパシベーション膜の膜
厚よりも高い突起状電極が設けられるものである。
［作用］ 本発明の構造によると、突起状電極の部分のみが異方導
電性接着剤を押圧した状態でボンディングパッド部に接
着されるため、この部分のみが確実に導通する。
電性接着剤を押圧した状態でボンディングパッド部に接
着されるため、この部分のみが確実に導通する。
［実施例］ まず本発明の第１の実施例について説明する。
第１図に示すように、粒子径が０．１ないし２μｍの鱗
片状導電粒子７を１２ｖｏｌ％エポキシ系接着剤に混入
して、マルチレイヤー型の接着剤を得た。ＩＣチップ１
上のボンディングパッド部２およびパシベーション膜６
を覆ってこの異方導電性接着剤３を１０μｍの厚さで塗
布した。その上から、ボンディングパッド２の位置に対
応するように約１５μｍの高さでありボンディングパッ
ド２よりも面積の小さい突起状電極５を形成した引出し
電極４を位置合わせして押圧し、１８０℃で硬化させ
た。
片状導電粒子７を１２ｖｏｌ％エポキシ系接着剤に混入
して、マルチレイヤー型の接着剤を得た。ＩＣチップ１
上のボンディングパッド部２およびパシベーション膜６
を覆ってこの異方導電性接着剤３を１０μｍの厚さで塗
布した。その上から、ボンディングパッド２の位置に対
応するように約１５μｍの高さでありボンディングパッ
ド２よりも面積の小さい突起状電極５を形成した引出し
電極４を位置合わせして押圧し、１８０℃で硬化させ
た。
これによりボンディングパッド部２と引出し電極４の導
通がとれ、各パッド間およびＩＣチップエッジ部でのＩ
Ｃチップ１と引出し電極４間のショートはなかった。
通がとれ、各パッド間およびＩＣチップエッジ部でのＩ
Ｃチップ１と引出し電極４間のショートはなかった。
次に第２の実施例について説明する。
第２図に示すように、平均粒子径約８μｍの球状導電粒
子８を１５ｖｏｌ％含む約２０μｍの厚さのシート上ホ
ットメルト接着剤を、モノレイヤー型の異方導電性接着
剤３としてＩＣチップ１上に１２０℃で仮接着した。そ
してその上から、ボンディングパッド２の位置に対応し
て約１０μｍの高さでありボンディングパッドよりも面
積の小さい突起状電極５をパターンメッキした引出し電
極４を位置合わせして１７０℃で熱圧着した。
子８を１５ｖｏｌ％含む約２０μｍの厚さのシート上ホ
ットメルト接着剤を、モノレイヤー型の異方導電性接着
剤３としてＩＣチップ１上に１２０℃で仮接着した。そ
してその上から、ボンディングパッド２の位置に対応し
て約１０μｍの高さでありボンディングパッドよりも面
積の小さい突起状電極５をパターンメッキした引出し電
極４を位置合わせして１７０℃で熱圧着した。
これにより、ショートによる不良がなくなるとともに、
導通不良のないギャグボンディングができた。
導通不良のないギャグボンディングができた。
仮に、突起状電極の面積がボンディングパッドよりも大
きい場合、第３図に示すように、突起状電極１５とパシ
ベーション膜１６との間に導通粒子１８が介在して、突
起状電極１５とボンディングパッド１２との導通が不確
実になる恐れがある。そこで本発明では、突起状電極は
ボンディングパッドよりも小さい面積にしている。
きい場合、第３図に示すように、突起状電極１５とパシ
ベーション膜１６との間に導通粒子１８が介在して、突
起状電極１５とボンディングパッド１２との導通が不確
実になる恐れがある。そこで本発明では、突起状電極は
ボンディングパッドよりも小さい面積にしている。
また、第１の実施例のようにモノレイヤータイプの場
合、比較的大径の導電粒子８によって突起状電極５とボ
ンディングパッド２との間隔が規定されるため、突起状
電極５の高さは、ボンディングパッド２の窪みの深さ、
すなわちパシベーション膜６の厚さ以上であればよい
が、マルチレイヤータイプでは、押圧されるにつれて突
起状電極５とボンディングパッド２が非常に接近する
と、突起状電極以外の部分も異方導電性接着剤３に接触
しショートする恐れがあるので、これを防ぐためには突
起状電極を十分に高くしなければならず、異方導電性接
着剤３の厚さより高くしている。
合、比較的大径の導電粒子８によって突起状電極５とボ
ンディングパッド２との間隔が規定されるため、突起状
電極５の高さは、ボンディングパッド２の窪みの深さ、
すなわちパシベーション膜６の厚さ以上であればよい
が、マルチレイヤータイプでは、押圧されるにつれて突
起状電極５とボンディングパッド２が非常に接近する
と、突起状電極以外の部分も異方導電性接着剤３に接触
しショートする恐れがあるので、これを防ぐためには突
起状電極を十分に高くしなければならず、異方導電性接
着剤３の厚さより高くしている。
接着材に混入する粒子は、ハンダボールなどのように、
電極と金属間結合するものでもよい。
電極と金属間結合するものでもよい。
なお、突起状電極の形成方法としては、フォトレジスト
でマスクして電解メッキする方法、メッキした後フォト
エッチングでパターニングする方法、電極の裏側からプ
レスして電極の一部を突き出させる方法などいずれの方
法でもよい。
でマスクして電解メッキする方法、メッキした後フォト
エッチングでパターニングする方法、電極の裏側からプ
レスして電極の一部を突き出させる方法などいずれの方
法でもよい。
［効果］ この発明によるＩＣチップのボンディング構造によれ
ば、ボンディングパッド部と引出し電極との導通が確実
にとれ、パッド間およびチップエッジ部でのＩＣ基板と
引出し電極とのショートがなく、安定したギャグボンデ
ィングができる。
ば、ボンディングパッド部と引出し電極との導通が確実
にとれ、パッド間およびチップエッジ部でのＩＣ基板と
引出し電極とのショートがなく、安定したギャグボンデ
ィングができる。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は第２
の実施例の断面図、第３〜５図は従来のＩＣチップのボ
ンディング構造の断面図である。 １……ＩＣチップ、 ２……ボンディングパッド、 ３……異方導電性接着剤、 ４……引出し電極、 ５……突起状電極、 ６……パシベーション膜。
の実施例の断面図、第３〜５図は従来のＩＣチップのボ
ンディング構造の断面図である。 １……ＩＣチップ、 ２……ボンディングパッド、 ３……異方導電性接着剤、 ４……引出し電極、 ５……突起状電極、 ６……パシベーション膜。
Claims (2)
- 【請求項１】ＩＣチップのボンディングパッドと上記ボ
ンディングパッドと対応して設けられた引出し電極とが
異方導電性接着剤を介して押圧状態で接着されるギャグ
ボンディング構造において、 上記異方導電性接着剤はマルチレイヤー型であり、 上記引出し電極には、上記ボンディングパッドと対向
し、上記パッドよりも小面積かつ上記異方導電性接着剤
の層厚よりも高い突起状電極が設けられている ことを特徴とするＩＣチップのボンディング構造。 - 【請求項２】ＩＣチップのボンディングパッドと、上記
ボンディングパッドと対応して設けられた引出し電極と
が異方導電性接着剤を介して押圧状態で接着されるギャ
グボンディング構造において、 上記異方導電性接着剤はモノレイヤー型であり、 上記引出し電極には、上記ボンディングパッドと対向
し、上記パッドよりも小面積かつ上記ＩＣチップのパシ
ベーション膜の膜厚よりも高い突起状電極が設けられて
いる ことを特徴とするＩＣチップのボンディング構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309536A JPH0642500B2 (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチップのボンディング構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309536A JPH0642500B2 (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチップのボンディング構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160350A JPS63160350A (ja) | 1988-07-04 |
| JPH0642500B2 true JPH0642500B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=17994195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61309536A Expired - Lifetime JPH0642500B2 (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチップのボンディング構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642500B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100290993B1 (ko) * | 1995-06-13 | 2001-08-07 | 이사오 우치가사키 | 반도체장치,반도체탑재용배선기판및반도체장치의제조방법 |
| JP3565835B1 (ja) | 2003-04-28 | 2004-09-15 | 松下電器産業株式会社 | 配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821350A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路の実装構造 |
| JPS6169828U (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-13 |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP61309536A patent/JPH0642500B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63160350A (ja) | 1988-07-04 |
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