TWI327347B - Circuit board - Google Patents

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TWI327347B
TWI327347B TW096112404A TW96112404A TWI327347B TW I327347 B TWI327347 B TW I327347B TW 096112404 A TW096112404 A TW 096112404A TW 96112404 A TW96112404 A TW 96112404A TW I327347 B TWI327347 B TW I327347B
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TW
Taiwan
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electrode
conductor wiring
wiring
conductor
substrate
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TW096112404A
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English (en)
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TW200746329A (en
Inventor
Hiroyuki Imamura
Nobuyuki Koutani
Original Assignee
Panasonic Corp
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Publication date
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rI327347 九、發明說明： * 【發明所屬之技術領域】 本發明’係有關用於晶片在薄膜上（COF)之載帶（tape carrier)基板般之配線基板’特別係有關形成於配線基板之 導體配線上的突起電極的構造、及其製造方法。 【先前技術】 就使用薄膜基板之封裝模組的一種而言，已知有 COF(Chip 〇n Film)。圖μ係表示c〇f之一例的一部份截 • 面圖。C0F係在柔軟的絕緣性載帶基板20上搭載半導體 元件21，且藉密封樹脂22來保護，主要係作為平面顯示 器之驅動用驅動器。載帶基板2〇之主要構件係包含絕緣 性薄膜基材23與形成於其面上之導體配線依需要可 於導體配線24上形成金屬鍍被膜25及絕緣樹脂之防焊劑 20之層。一般而言，使用聚醯亞胺作為薄膜基材23,使 用銅作為導體配線。 又，透過突起電極28來連接載帶基板20上之導體配 線24與半導體元件21上之電極墊27。該突起電極之 没置方法，可利用預先對載帶基板2〇上之導體配線24形 成的方法、或是預先對半導體元件21上之電極墊27形成 的方法》 為了對載帶基板20上之導體配線24形成突起電極 28，可使用例如日本專利特開2〇〇1 168129號公報所記載 的方法。該製造方法的步驟參照圖15A卜F1、圖15八2〜Μ 來加以說明》圖15A1〜F1係表示習知例之製造步驟中薄膜 5 1327347 基板的一部份之俯視圖。圖 園15A2〜F2係分別對應於圖 15A1〜F1之放大截面圓。各 合戰面圖係表示對應於圖15A1 之C-C的位置。該製造步驟系 鄉係利用金屬鍍形成突起電極的 情形之例。 首先’如圖15A1所示，對形成有導體配線24的薄膜 基材23，如圖15B1所示般全面形成光阻29。其次，如圖 所示’使用突起電極形成用之曝光光罩3q，通過光 透過區域30a而將光阻29曝光。其次，如圖i5m所示， 使光阻29顯影而形成開口圖案29a後，如圖15以所示， 通過開口圊案29a施以金屬鍍。然後若將光阻29剝離，則 如圖15F1所示，可獲得在導體配線24上形成有突起電極 28之載帶基板20。突起電極28，如圖l5Fi所示，一般雖 沿長方形之載帶基板20之4邊配置，惟在各邊不僅配置 一列’亦有配置複數列的情形。 如以上所述，當於載帶基板20之導體配線24上形成 突起電極28的情形，在薄膜基材23的特性上，會有曝光 光罩30之對位困難的問題。由於若曝光光罩3〇之對位偏 差則無法形成良好的突起電極28，因此，一般係在半導體 元件21上之電極墊27形成突起電極28。另一方面，在載 帶基板20上之導體配線24形成突起電極28的方法，相 較於在半導體元件21上之電極墊27形成突起電極28的 方法，具有減少製程而降低製造成本的優點。 然而’藉由上述之習知例形成之突起電極28，其形狀 不佳。圖16A、B係表示上述製造步驟所製成之載帶基板 1327347 的截面圖。圖16A係導體配線24之長邊方向的截面圖， 其係與圖15F2同樣的圖。圖16B係表示圖16A之d_d截 面圖’即導體配線24之橫切方向之截面。 如圖16A、B所示，突起電極28係形成與導體配線24 上面接合的狀態。因此，突起電極28僅利用與導體配線24 上面的微小面積接合來加以保持。因此，若施加橫方向之 力，則突起電極28容易從導體配線24上面剝離。例如， 在犬起電極28與半導體元件21上之電極墊27(參照圖14) f合的狀態下，若在半導體元件21與載帶基板2〇間施加 杈方向之力，則有突起電極28從導體配線24上面剝離之 虞，而有半導體元件組裝後之連接狀態穩定性的問題。 又犬起電極28，由於係通過如圖15D1所示之微小 面積的開口圖案29a’而僅在導體配線24上面藉鑛敷來形 成，故於突起電極28上面會呈平坦狀。若突起電極以上 面呈平坦狀，則會如下述般，在與半導體元件Η上之電 極墊27連接之際會產生障礙。 第 若犬起電極28與電極塾27的對位產生偏差， 則平坦的突起電極28與待連接電極墊27之相鄰電極塾η
的位置容易重叠β矣士
部分形成電氣連接， 連接之際，形成於電極墊27表 困難。一般而言，藉由與突起電極 的氧化膜破碎，以與未氧化的金屬 惟若突起電極28上面呈平坦狀，則 7 1327347 氧化膜的破碎困難。 第三，如圓17所示’在半導體元件21與載帶基板2〇 間隔著樹脂層22的狀態下’突起電極28與電極墊27的 連接處理困難。即，在半導體元# 21之組裝時，利用突 起電極28的頂面來排除樹脂層22，以使突起電極μ盥電 極墊27接觸，惟若突起電極28上面呈平坦狀，則無：充 分發揮樹脂層22之排除作用。 進而，在藉由圖15所示之習知例的方法來形成突起電 極28的情形’若突起電極形成用之曝光光罩3〇與導體配 線24的對位精度不佳’則形成於光阻29之開口圖案29a 與導體配線24的疊合面積會變小。其結果，如圖i8所示， 就形成於導體配線24上的突起電極28而言，無法確保所 設計之尺寸。此種突起電極28的尺寸不良，會因今後c〇f 的多輸出化所伴隨之電極墊27的窄間距化，而變成更嚴 重的問題。 又，以上所說明的問題在載帶基板的情形非常顯著， 且係各種配線基板的共同問題。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種配線基板，以使形成於導 體配線上的突起電極’對橫方向施加之力能保持充分的強 度且於半導體元件組裝後可獲得充分的連接穩定性。 本發明之目的在於提供一種配線基板，在與半導體元 牛的電極墊連接上能形成具有較佳形狀之突起電極。 進而’本發明之目的在於提供一種配線基板之製造方 1327347 法’其可易於形成上述良好狀態之突起電極，且就算形成 於光阻的開口圖案與導體配線之對位精度低，也能以充分 的面積確實將突起電極形成於導體配線上。 本發明之配線基板，係具備：絕緣性基材、排列於該 絕緣性基材上之複數條導體配線、及形成於各該導體配線 之突起電極，其特徵在於： 該突起電極’係穿越該導體配線之長邊方向而到達該 導體配線兩側之該絕緣性基材上的區域，該導體配線之寬 度方向的截面形狀係中央部較兩側為高。 本發明之另一構成之配線基板，係具備：絕緣性基材、 排列於該絕緣性基材上之複數條導體配線、及形成於各該 導體配線之突起電極，其特徵在於： 該突起電極，係穿越該導體配線之長邊方向而到達該 導體配線兩侧之該絕緣性基材上的區域，該突起電極的上 面係呈平坦狀。 本發明之配線基板之製造方法，其特徵在於具備以下 步驟： 將複數條導體配線排列於絕緣性基材上之步驟； 在該絕緣性基材之導體配線設置面形成光阻之步驟； 在該光阻形成穿越該導體配線而往該導體配線兩側的 區域擴展之開口部’在該開口部中使該導體配線的 露出；及 對該露出之導體配線的-部份施以金屬鍵而形成突起 9 1327347 【實施方式】 本發明之配線基板雖於導體配線上形成突起電極，惟 在穿越導體配線而到達導體配線兩側的區域，且沿導體配 線的寬度方向’具有形成於導體配線的上面及兩側面的戴 面形狀。依此構成’突起電極不僅與導體配線的上面且與 兩側面接合，因此對從突起電極橫方向施加之力，可獲得 充分的穩定性。 突起電極，較佳係在導體配線之兩側部與絕緣性基材 面接觸。又，突起電極之導體配線之長邊方向的縱截面形 狀’較佳係呈貫質上長方形。導體配線及突起電極，較佳 係以與形成該等之金屬不同的金屬實施鍍敷。突起電極之 穿越該導體配線的方向，較佳係與導體配線的長邊方向正 交。導體配線，較佳係在其前端部具有較其他區域寬度為 窄的區域，且在該寬度較窄區域形成突起電極。 本發明之配線基板之製造方法，係在排列有複數條導 體配線於絕緣性基材全面上形成光阻，然後在光阻形成開 口部，該開口部具有包含穿越排列之導體配線以及導體配 線兩側的區域〇從該開口部中露出之導體配線的一部份施 以金屬鍍而形成突起電極。 依此方法，能容易形成如上述般之良好狀態之突起電 極，且就算形成於光阻的開口圓案與導體配線之對位精度 低，也能以充分的面積確實將突起電極形成於導體配線 上0 在上述製造方法， 可使開口部形成橫跨該複數條導體 1327347 配線之孔。又，在該光阻形成該開口部之步驟中，可使用 具有光透過區域橫跨複數條導體配線的部分之曝光光罩、 或具有光遮斷區域橫跨複數條導體配線的部分之曝光光 罩’以進行光阻之曝光。曝光光罩之光透過區域或光遮斷 區域之長邊方向’較佳係與該導體配線之長邊方向正交。 金屬鑛較佳係以電鑛來實施。 在上述製造方法’較佳係使沿半導體搭載部之短邊方 向排列之該導體配線’形成較沿長邊方向排列之導體配線 的寬度為寬；且使形成於光阻之開口部，於該絕緣性基材 之長邊所對應的部分設成連續形狀，而在其短邊所對應的 部分則配置個別的開口部。藉此，就算曝光光罩的對位精 度低，亦能使形成於導體配線（沿絕緣性基材的短邊方向排 列）的突起電極與沿長邊方向排列之導體配線所形成的突起 電極，形成一定的位置關係。 又，較佳係在絕緣性基材之導體配線的前端部設置較 其他區域寬度為窄的區域，且在寬度較窄的區域形成突起 電極。 亦可以下述來構成半導體裝置，亦即具備：上述任— 之配線基板、及搭載於配線基板上之半導體元件，透過該 突起電極連接該半導體元件之電極墊與該導體配線。又， 半導體元件之電極墊’可位於該半導體元件表面所形成之 絕緣膜開口之底部。 將半導體元件載 電極墊與突起電 又’亦可使用上述任一之配線基板， 置於配線基板上’並連接半導體元件之 11 1327347 極，藉以透過突起電極來連接該半導體元件之電極墊與導 . 體配線，藉此來製造半導體裝置。在此情形，較佳係藉由 突起電極來使半導體元件之電極墊表面的氧化膜破碎，a以 連接突起電極與半導體元件之電極内部未氧化的部分。 又，較佳係在以覆蓋導體配線上之突起電極形成區域的方 式形成密封樹脂後，將半導體元件載置於配線基板上，且 連接半導體元件之電極墊與突起電極。又，較佳係在連接 半導體元件之電極墊與突起電極之際，使兩者彼此抵接且 ® 邊壓緊邊對該抵接部施加超音波。 以下，參照圖式具體說明本發明之實施形態。又在 以下之實施形態，雖以載帶基板的情形為例作說明，惟在 其他配線基板的情形同樣地亦可適用各實施形態的思想。 (實施形態1) 參照圖1及圖2A〜C，以說明實施形態丨之載帶基板 的構造。圖1係表示載帶基板的一部份之立體圖。圖2八 φ係表示載帶基板的一部份之俯視圖；圖2B係以截面表示 之前視圖；圖2C係圖2B中A-A截面圖。 如圖1所示，在薄膜基材丨上排列複數條導體配線2, 在各導體配線2上形成突起電極3。突起電極3的俯視形 狀，如圖2A所示，係穿越導體配線2而到達導體配線2 兩側的區域。在導體配線2寬度方向之突起電極3的截面 形狀，如圖2C所示，係接合導體配線2的上面及兩側面 且中央部呈較兩側為高的凸狀。又，突起電極3，係形成 在導體配線2的兩側部與薄膜基材i的面接觸。在導體配 12 非必領，λΛ. 體 ，其具有可抑制因載帶基板的起伏所造成之導 fss 與半導體70件21 #短路，並可避免與鄰接之導
瑕酉己綠 9 L :上之突起電極3的短路之效果。該形狀可藉由使 後述之鍍敷之製造方法來形成。 作為薄骐基材1 ’可使用一般材料之聚醯亞胺。依其 通^ ’亦可使用PET、PEI等絕緣膜材料。導體配線2, 厚度為3〜20 的範圍且使用銅來形成。依需要，可 ;薄，基材1與導體配線2之間介設環氧系之接著劑。 大起電極3的厚度通常為3〜2〇 "m的範圍。作為突起 ' =3的材料’例如可使用銅。在使用銅之情形，較佳係 、犬起電極3與導體配線2施以金屬鍍。例如，將鍍鎳作 為内層’而將鍍金作為外層來實施。或是，亦有施以錢鎳、 鍍錄+叙、僅鑛錄、僅鏟金的，声招 .^ 運规®·的信形。在對突起電極3與導 體配線2施以金屬錯的伴农 y. 喝戮的If形，在突起電極3與導體配線2 之間不必貫施鍵敷。在突.雷搞2 土 — > a紐 仕犬起電極3未貫施金屬鍍的情形， 例如可使用金或鎳作為φ _馬犬起電極3，而在突起電極3與導 體配線2之間施以鍍鎳。 (實施形態2) 參照圖3A1〜F 1、圖 圖3A2〜F2，以說明實施形態2之載 帶基板之製造方法。圖qA1 /么士 園3A1〜F1係表示形成載帶基板之突 起電極的製造步驟。圖·ρ>,及、 固3Α2〜F2係分別對應於圖3Α1〜F1 之放大截面圖。各截面圖係對應於圖3ai之bb的位置之 截面。 首先，如圖3A1所千，淮供 所不’準備在表面形成有整齊排列複 14 1327347 數條導體配線2之薄膜基材i。於該薄膜基材i全面，如 f 3B1所不，形成光阻4。其次如圖3C1所示，使形成於 薄膜基材1之光阻4上部與突起電極形成料曝光光罩$ 對向。曝光光罩5的光透過區域5a，具有沿複數條導體配 線2之排列方向且以穿越複數條導體配線2的方式連續之 長孔形狀。 藉由通過曝光光罩5的光透過區域5a以進行曝光、顯 〜如圖3DI所不’形成開口於光阻4且穿越導體配線2 之長孔狀圖案4a。藉此’使導體配線2局部露出於長孔狀 圖案4a中。其次通過光阻4之長孔狀圖帛&，而對導體 配線2之露出部份施以鍍敷，如圖3E1所示，形成突起電 極3。其次，若去除光阻，則如圖3Fi所示，可獲得在導 體配線2上形成有突起電極3之載帶基板6。 如以上所述，藉由通過形成於光阻4之長孔狀圖案h 而對導體配線2 4露出部份施以鍍敷，則容易形成如圖 2A〜C所示之形狀的突起電極3。此係由於在圖3以的步驟， 不僅於導體配線2上面亦使側面露出且擴及導體配線2 之露出面全體施以鍍敷之故。 光阻4之長孔狀圖案4a，可以不必如圖3D1所示般橫 跨複數條導體配線2上而連續的形狀。即，若包含至少導 體配線2兩側之既定範圍區域的形狀，則亦可使用分別對 應於複數條導體配線2之長孔呈分散配置之圖案。惟，若 係榼跨複數條導體配線2上而連續的長孔狀圖案，則可將 曝光光罩5的光透過區域5&設成如圖3所示之連續長孔， 15 u"347 故容易製成。長孔狀㈣4a’只要係形成到達導體配線2 兩側的範圍，則就算其長邊方向對導體配線2多少有些角 度亦不會有問豸，惟以與導體配線2的長邊方向呈正交為 最適當。 又，藉由在光阻4形成長孔狀圓案蝕然後施以金屬鍍， 則能容易確保對導體配線2之突起電極3的位置精度。即， 若對導體配線2之長孔狀圖案4a的位置偏差在容許範圍 内’貝^導體配線2與長孔狀圖案4&必會交叉，而使導體配 線2露出之故。由於金屬鍍係於導體配線2上面及側面成 長，因此不管長孔狀圖案4a之位置偏差，皆能形成一定的 形狀、尺寸，而滿足設計條件。因此，由於對曝光光罩5 的對位不需嚴密的精度，故容易進行調整。 在以銅形成突起電極3的情形，以金屬鍍之一例而言， 使用硫酸銅作為鍍液’在〇 3〜5A/dm2的條件不進行電鍍。 電鍍，係用以使突起電極3以圖2C所示的截面形狀形成 充分厚度方面極為適當。 其-人’說明貫施本實施形態之製造方法之際所發生之 造成曝光光罩5的位置偏差問題之解決方法。首先，參照 圖4〜圖6以說明半導體元件之電極墊與載帶基板之導體配 線2彼此的配置關係。 圖4係表示半導體元件之一例的俯視圖。表示形成於 半導體元件7之面之電極墊的配置。以8a表示沿半導體元 件7之長邊方向排列的電極墊；以8b表示沿短邊方向排 列的電極墊。電極墊8a係配置成較電極墊8b多數、高密 16 1JZ/J47 ^ ci係表不半導體元件7之中心（以半導體元件中心表 )D係電極墊8a之端緣與C1間的距離。S1係電極墊 端緣與電極塾8b之側緣間的間隔。L1係電極塾8a的長 度，Wl係電極墊8a的寬度。 ^圖5係表示用於載帶基板之製造之形成有導體配線之 薄膜基材的—部份之俯視圖。C2係表示半導體元件7之搭 载區域中心（以半導體元件搭載部中心表示）。E)係導體配 線2之端緣與半導體元件搭載部中心^2間之距離。 圖6係表示藉由本實施形態之製造方法，在導體配線 2上形成有突起電⑮3之載帶_ 6之半導體搭載部之俯 視圖。在圖6之突起電極3,係在圖3C1之曝光光罩5對 導體配線2無位置偏差的狀態下形成的情形。L2係突起電 極3的長度，W2係突起電極3的寬度。 若考慮到曝光光罩5往導體配線2的長度方向之位置 偏差，則較佳係使半導體元件中心C1至電極墊8a的距離 D，較半導體元件搭載部中心至導體配線2的距離d為短。 又，較佳係使突起電極3的長度L2較電極墊8a的長度U 為長。如此，就舁因曝光光罩5的位置偏差而造成所形成 之突起電極3的位置往導體配線2的長度方向偏差，亦能 確保電極墊8a與突起電極3對向的充分面積。 又，圖7係與圖6同樣，表示藉由本實施形態之製造 方法’在導體配線2上形成有突起電極3之載帶基板6之 半導體搭載部之俯視圖。在圖7之突起電極3，係在圖3C1 之曝光光罩5對導體配線2往薄膜基材丨的短邊方向位置 17 $27347 偏差的狀態下形成的情形^ S2係沿薄膜基材1的長邊方向 排列之導體配線2上的突起電極3之端緣與沿短邊方向排 列之導體配線2的側緣間之間隔。 在圖7所示狀態的情形，突起電極3的大小雖能完全 滿足所設計的尺寸，惟會產生因導體配線2與曝光光罩5 之位置偏差方向所造成之圖4所示之間隔S1與圖7所示 之間隔S2的差異。即，在曝光光罩5往薄膜基材丨的短 邊方向位置偏差的情形，在沿薄膜基材丨的長邊方向配置 之導體配線2上，突起電極3的位置會往導體配線2的長 邊方向移動，相對於此，在沿薄膜基材丨的短邊方向配置 之導體配線2上’突起電極3的位置並未移動之故。圖8 及圖9係表示解決該問題的方法。 圖8係表示在圖3C1之步驟所使用之曝光光罩5的圖 案變更後之曝光光罩該曝光光罩9,具有對應於薄膜 基材1的長邊部分之光透過區域9a呈連續之長孔形狀，相 對於此，對應於短邊部分之光透過區域9b則呈開口個別 配置之分散形狀。將其合併，如圖9所示，使用形成有導 體配線1 Oa、1 〇b之薄臈基材！。在此形態，相較於沿薄膜 基材1的長邊方向排列之導體配線i 〇a，沿短邊方向排列 之導體配線1 Ob的寬度較寬。 使用上述之曝光光罩9,若在上述之導體配線i〇a、l〇b 上形成光阻之開口圖案後再施以金屬鍍，則可獲得所設計 尺寸之大起電極3 ,且能使圖4所示之間隔S1與圖γ所示 之間隔S2相同。即，在圖8之曝光光罩9往薄膜基材i 18 1327347 • 的短邊方向位置偏差的情形’在沿圖9之薄膜基材1的短 - 邊方向配置之導體配線l〇b上，曝光光罩9之光透過區域 9b會往寬度方向移動，形成之突起電極3的位置會如圖9 所示般移動。此外’由於導體配線i〇b的寬度較寬，故若 移動量在容許範圍内，則能以既定尺寸來形成突起電極3。 該移動量，係在沿薄膜基材1的長邊方向配置之導體配線 10a上’相等於突起電極3的位置往導體配線l〇a的長邊 方向之移動量。其結果，使S1與S2相同。 鲁 圖l〇A、10B係表示對應於圖3ci所示之步驟，使用 另一形態之曝光光罩1 1的情形。在此形態，於曝光光罩1 1， 在對應於圖3C1之曝光光罩5之光透過區域5a的位置形 成光遮斷區域11a。此曝光光罩π亦可適用於光阻4為負 型的情形。關於曝光光罩11之其他條件係與圖3C1之曝 光光罩5相同。 (實施形態3) 參照圖11以說明實施形態3之載帶基板之構造及其製 • 造方法。在本實施形態，形成於薄膜基材1之導體配線12， 係具有前端部1 2a較其他基端部1 2b為細之形狀。其理由 如下所述。 即，在藉由圖3E1所示之電解金屬鍍之突起電極3之 形成時，沿導體配線2的寬度方向亦成長鍍銅層。因此， 從鄰接之導體配線2起沿寬度方向成長之鍍銅層彼此會有 短路之虞。為避免此情形，若將導體配線2之彼此間隔擴 大，則會使導體配線2的密度降低，因而妨礙半導體裝置 19 1327347 的小型化。 因此’如本實施形態般，使導體配線12之前端部12a 變細’若於該較細部分形成突起電極3，則於沿導體配線 2的寬度方向成長鍍銅層之際，可降低鄰接之鍍銅層間發 生短路之虞。 (實施形態4) 參照圖12以說明實施形態4之半導體裝置及其製造方 法。載帶基板6，係如上述實施形態所記載般，在配置於 薄膜基材1上之複數條導體配線2形成各突起電極3，突 起電極3具有圖2A~C所示之形狀。即，穿越導體配線2 且到達導體配線2兩侧的區域，在導體配線2寬度方向的 截面开> 狀，係接合導體配線2的上面及兩側面的形狀。又， 在導體配線2寬度方向的截面形狀，係呈中央部較兩側為 高之凸狀。組裝於載帶基板6上之半導體元件21，係使突 起電極3連接於其電㈣27，且於载帶基板6與半導體元 件21間充填密封樹脂22。 於製造該半導體裝置之際，於藉由上述實施形態之製 造方法所製成之載帶基板6上搭載半導體元件21後以 接合工具13壓緊。此時，較佳係透過接合工具13來施加 超音波。藉此，形成於突起電極3的凸狀之前端，由於係 抵接於電極塾27的表面層之氧化媒而振動，故使氧化膜 之破碎效果更為顯著。 又，亦可利用圖13 A、B 21組裝於載帶基板6上。即， 所示之方法，將半導體元件 如圖13A所示，將載帶基板 20 丄327347 6之形成有載帶基板6的區域覆蓋，然後充填密封樹脂μ。 其-欠，使半導體元件21與載帶基板6對向，然後將兩者 相向虔緊，如圖13B所示，使突起電極3抵接於電極墊27。 此時，藉由呈凸狀之突起電極3上面，有效地將兩側之密 封樹脂14排除’而容易使突起電極3與電極墊27抵接。 【圖式簡單說明】 圖1係表示實施形態1之載帶基板的一部份之立體圖。 圖2A係表示該載帶基板的一部份之俯視圖；圖2b係 °玄載帶基板以截面表示之前視圖；圖2C係圖2B中A-A 截面圖。 圖3A1〜F1係表示實施形態2之載帶基板之製造方法 的步驟中載帶基板的一部份之俯視圖；圖3A2〜F2係分別 對應於圖3A1〜F1之放大截面圖。 圖4係表示半導體元件之一例的俯視圖。 圖5係表示用於載帶基板之製造之形成有導體配線之 薄膜基材之俯視圖。 圖6係表示藉由實施形態2之製造方法所製造之載帶 基板之一例之半導體搭載部之俯視圖。 圖7係表示藉由實施形態2之製造方法所製造之載帶 基板之另一例之半導體搭載部之俯視圖。 圖8係表示實施形態2之曝光光罩之一例的俯視圖。 圖9係表示實施形態2之變形例之設有導體配線之載 帶基板之俯視圖。 圖10A係表示實施形態2之另一例之使用曝光光罩之 21 1327347 曝光步驟之俯視圖；圖10B係表示其放大截面圖。 圖I1係表示實施形態3之載帶基板之俯視圖。 圖12係表示實施形態4之半導體裝置之截面圖。 圖13A、b係表示實施形態4之半導體裝置之製造方 法之另一例之截面圖。 圖14係表示習知例之c〇F的一部份之截面圖。 圖15A1〜F1係表示習知例之載帶基板之製造步驟中薄 膜基板的一部份之俯視圖；圖丨5 A2〜F2係分別對應於圖 15A1-F1之放大截面圖。 圖16A、B係表示藉由圖15之製造步驟所製成之載帶 基板的一部份之截面圖。 圖17係表示在圖16之載帶基板上組裝半導體元件的 樣子之截面圖。 圖18係表示用以說明圖15之製造步驟的課題之栽帶 基板的一部份之截面圖。 【主要元件符號說明】 1、 23 :薄膜基材 2、 12、24 :導體配線 3、 28 :突起電極 4、 29 :光阻 4a :長孔狀圖案 5'9' U'30:曝光光罩 5a ' 9a ' ua ' 3〇a :光透過區域 6、20 :載帶基板 22 1327347 7、21 :半導體元件 8a、8b :電極墊 10a、10b :導體配線 12a :前端部 12b :基端部 13 :接合工具 14、 22 :密封樹脂 25 ： 金屬鍍被膜 • 26 ： 防焊劑 27 ： 電極塾 29a :開口圖案

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  1. )三替接Ij 專利申請案第^6112404 、申謗專利範面： 一種配線基板，具備：絕缝神其77 —' u , ^ ^ 、、έ緣陡基材、排列於該絕緣性基 材上之複數條導體配線、 ^^ 啄及办成於各該導體配線之突起電 極，其特徵在於： =起電極，係穿越該導趙配線之長邊方向而到達該 =體配：兩側之該絕緣性基材上的區域，在該導 ::部：：絕緣性基材面接觸，在該突起電極表面未形成 ,ar ± 泽體配線之寬度方向的截面形狀係中 央部較兩側為高。 •如申°月專利範圍S 1項之配線基板，其中，該突起電 極上面之中央部係呈平坦狀。 3.如中料利範圍第！或2項之配線基板，其中，該突 極之導體配線之長邊方向的縱截面形狀，係呈上 長方形。 ^ ^如^ 4專利範圍第1或2項之配線基板，其中，該導 體^及突起電極’係以與形成該等之金屬不同的金屬實 知鍍敷。 5·如申請專利範圍第1或2項之配線基板，其中，該突 起電極=穿越該導體配線的方向’係與該導體配線的長邊 方向正交。 申。月專利範圍第1或2項之配線基板’其中，該導 體配線’係在前端部具有較其他區域寬度為窄的區域，且 在該寬度較窄區域形成該突起電極。 7.如申請專利範圍第1或2項之配線基板，其中，該突 24 1327347
    起電極，在其上面與側面之間未形成段差 十一、圖式： 如次頁
    25
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