TWI276127B - Method of manufacturing stacked electronic components - Google Patents

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TWI276127B
TWI276127B TW094125115A TW94125115A TWI276127B TW I276127 B TWI276127 B TW I276127B TW 094125115 A TW094125115 A TW 094125115A TW 94125115 A TW94125115 A TW 94125115A TW I276127 B TWI276127 B TW I276127B
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Toshio Sakurai
Shigeki Sato
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Description

1276127 、 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於例如層積陶瓷電容等之層積型電子元 件之製造方法,更詳細而言,係有關在生胚薄板之表面形成 電極圖案層時,不會發生所謂的薄板侵蝕(sheet attack)現 象,結果所得之電子元件的短路不良率較少之層積型電子元 件之製造方法。 【先前技術】
• 作為製造電容、壓電零件、PT熱阻器(thermistor)、NTC 熱阻為、或者變阻器(varist〇r)等之層積型電子元件之方 已头有例如下述之方法。亦即,首先,在可撓性支撐體 (例如PET膜)上以攙混刀片(d〇ct〇r—blade)法等,將包含 陶瓷粉、有機黏結劑(binder)、可塑劑、溶劑等之陶瓷塗 料成形成薄板狀,做成生胚薄板。在此生胚薄板之上,將包 含絶(palladium)、銀、鎳(nickel)等之電極材之糊(paste) 以指定圖案進行印刷,做成電極圖案層。 _ 在得到層積構造之場合,將所得到之生胚薄板,以成為 特定之層積構造之方式進行層積,經過加壓(press)切斷 製程而得到陶竞生胚晶片(green chip)。將如此做法所得 到之陶瓷生胚晶片中之黏結劑進行燒盡(burn-out),以1〇〇〇 C〜1400°C燒成,在得到之燒成體形成銀、銀一鈀、鎳、或 者銅等之端子電極,得到陶瓷層積型電子元件。 、在上述之製造方法,例如製造層積陶瓷電容之場合,作 ,小型化、大容量化之手法,會考慮將每i層之介電體層之 厚度薄化,並將層積數增多。然而,將生胚薄板從可挽性支 2030-7284-PF 5
.1276127. 撐體剝離而進行層積之方法中,特別是在薄的生胚薄板之尸 合,生胚薄板並無法從可撓性支撐體順利地剝離,層積 良率會變得非常差。此外,因為要處理(handUng)薄的生胜 薄板的緣故,完成之製品經常發生短路等之特性不良。 作為解決此般問題點之手段,考慮於可撓性支撐體上, 藉由將形成生胚薄板之製程、與在生胚薄板上印刷電極之製 程,僅反覆進行必要之層積數(薄板塗布與印刷),以 層積體之方法。藉此薄板之總(t〇tal)厚度所增加之部^ 可自薄板之支撐體剝離(下述之專利文獻丨等)。 刀 然而,該以前之製造方法係有以下幾點之課題。第丨點, 在已乾燥的第1層生胚薄板之上印刷電極圖案之製程,合變 成濕材搭乾材(We t|Dry)方式而導致不良。亦即,利; 極印刷時之溶劑會導致錢第^薄板部,電極印刷部之下 面之薄板部的厚度變薄,容易發生短路不良。 第2點’將第2層以後(例如假設是第2層)進 塗布㈤,—Dry方式)時,於第2層所塗布之塗料會浸透 到已乾煉之第1層薄板部。因此,會發生第i層與第2層之 薄板厚度變得不定之m兄,或針孔(Pin-hole)等之^ 情況,影響到製品特性之不良情況產生。 ^ Η點,因為在塗布第2層以後之薄板(例如假設是^ 2層)後印刷電極之製程會變成化卜〇n_Dry方式,所以利月 電極印刷時之溶劑會浸姓第2層薄板部(溶劑所導致之薄由 此,電極印刷部之下面之薄板部之厚度會變“ 谷易發生短路不良。 特別是’ # 1層之薄板的厚度在3//m以下,特別是
2030-7284-PF 1276127 曰、下之昜a,此般不良會顯著地顯現,對製造小型大容 量之層積陶瓷電容造成困難。 n i專利文獻丨〕日本專利公報第3190177號 L發明内容】 β本發明有鐘於此實狀’其目的在於提供一種層積型電子 一 製仏方法,在生胚薄板之表面形成電極圖案層時,並 d生所明的薄板侵兹(sheet咐心)現象,結果所得到 之電子元件之短路不良率較少之層積型電子元件之製造方 法0 為達成上述目的’關於本發明之層積型電子元件之製造 方法,係包括: 在支撐體上’形成至少含有陶瓷粉之下側生胚薄板之製 程, 在刖述下側生胚薄板之表面形成電極圖案層之製程; 層積至少含有前述下側 下側生胚薄板以及電極圖案層之層 積體早7〇 ’且形成峰杯曰μ 日日片(耵een chip)之製程,·及 燒成前述生胚晶片之製程, 其特徵在於: 樹r = = :上被形成之下側生胚薄板,係含有硬化性 =r」r),在該下側生胚薄板之上形成前述 化。 卜側生胚溥板内之硬化性樹脂硬 關於本發明之方法 面,於形成電極圖案層之:在:1層之下側生胚薄板之表 性樹脂,藉由加上執、紫“::生胚薄板所包含之硬化 ‘、、、系外線、或者電子線等使硬化。已被
2030-7284-PF 1276.127 硬化之樹脂’對於所有溶劑都變化成不溶之樹脂。因此,即 使在其下側生胚薄板之表面以印刷法等形成電極圖案層,也 不會有電極圖案層所含有之溶劑浸蝕生胚薄板之情事(不會 I生’合劑導致之薄板侵蝕)。結果,能夠減低結果所得到之 電子元件的短路不良。 關於本發明之方法,最好是進而包括·· “在如述下側生胚薄板之上形成電極圖案層之後,於前述 電極圖案層之上,形成包含硬化性樹脂之黏結劑之中間生胚 讚薄板之製程; 之後,使前述中間生胚薄板内之硬化性樹脂硬化之製 程;及 之後,於前述中間生胚薄板之上形成電極圖案層之製 程; *於前述支揮薄板之上,中介们層以上之前述中間生胚 薄板而形成2層以上之前述電極圖案層, 二在位於最上側之電極圖案層之上,形成上側生胚薄板, 以前述下側生胚薄板、—層以上之前述中間生胚薄板、二層 以上之前述電極圖案層、與前述上側薄板構成前述層積體單 元’且前述上侧生胚薄板係含有熱可塑性樹脂之黏結劑。 ,層積體單元,係於後製程被進行層積(層積加壓(press) 製耘)’但在該層積時,成為在上側生胚薄板之上接著下側 生胚薄板。在下侧生胚薄板係含有硬化性樹脂,下侧生胚薄 板之樹脂係已硬化。如果,假設上側生胚薄板也含有已硬化 之硬化性樹脂時,則有這些薄板的黏接容易變得不充分,且 層積無法良好進行之虞。本發明中,因為在上側生胚薄板係 2030-7284-PF 8 工276127· w % 包含具有熱可塑性樹脂之黏結劑,所以即使在上側生胚薄板 之上被層積並接觸其他層積體單元之下側生胚薄板,其黏接 性也會是良好,且容易層積。 、 卜即使上側生胚薄板是藉由含有熱可塑性樹脂之塗 广、而^/成目為中間生胚薄板係硬化的,所以也並益塗料浸 透到中間生胚薄板之情事。因此,不易發生薄板厚;不一之 不良情況或針孔(pin—hole)等不良情況。又,因為同樣的理 * n成中間生胚薄板時,也因為下側生胚薄板是硬化 的’所以並無塗料浸透到下側生胚薄板之情事。因此,不易 發生薄板厚度不-之不良情況或針孔等不良情況。 此外,關於本發明之方法,最好是進而包括: 在前述下側生胚薄板之上形成電極圖案層之後,於前述 電極圖案層之上’形成包含硬化性樹脂之黏結劑之中間生胚 薄板之製程; 之後,使前述中間生胚薄板内之硬化性樹脂硬化之製 程;及 之後,於則述中間生胚薄板之上形成電極圖案層之 程; 、曰 於前述支撐薄板之上,中介著u以上之前述中間生胚 薄板而形成2相上之前料_案層,在位於最上側之電 極圖案層之上形成上侧生胚薄板,以前述下側生胚薄板、一 層:上之前述中間生胚薄板、二層以上之前述電極圖案層、 與則述上側薄板構成前述層積體單元,且前述上側生胚薄板 係含有硬化性樹脂之黏結劑,在不使之硬化而讓薄板具有黏 接性。 ^ ^ 2030-7284-PF 9 :1276.127. 在別述下侧生胚薄板係含有硬化性樹脂,且下侧生胚薄 板,樹脂係、已經硬化。如果,假使讓上側生胚薄板之硬化性 树月曰硬化的話’則有這些的黏接容易變得不充分,層積無法 良好地進行的疑慮。本發明中,因為並未使上側生胚薄板之 硬化性樹脂硬化,所以即使在上側生胚薄板之上被層積並接 觸其他之層積體單元之下側生胚薄板,該黏接性也是良好 的,且層積容易。 再者,前述上側生胚薄板所含有之硬化性樹脂之黏結 Μ與刖述下側生胚薄板以及前述中間生胚薄板所含有之硬 化性樹脂之黏結劑,最好是相同種類。 將前述上侧生胚薄板所含有之硬化性樹脂之黏結劑,盥 =下側生胚薄板以及前述中間生胚薄板所含有之硬化性 樹脂之黏結劑,採用相同種類,則能夠使用 糊(paste)的種類。 於本發明’最好是,前述中間生胚薄板之厚度,係約略 專於前述下側生胚薄板的厚度與前述域生胚薄板的厚度 之加總。在上側生胚薄板之上被層積並接觸其他之層積體單 =下側生胚薄板。因此,在被層積之後,為了將層積方向 之電極圖案層之間所存在之生胚薄板之厚度做成均等,中間 ^胚薄板之厚度,最好A致等於前述下側生胚薄板之厚度與 刚述上側生胚薄板之厚度的加總。 =下側生胚薄板之厚度薄化至3…下,2"以下, 進而再溥化為1 // m以下之場合,胜如a η 0 特會因為薄板侵蚀現象 的緣故=發生㈣不良。本發明中,因為在下侧生胚薄 板以及中間生胚薄板,含有硬化性樹脂,且不易發生上述般 2030-7284-PF 10 J276127. 之薄板侵蝕’所以即使在生胚薄板薄之場合,也不易發生短 路不良。 最子疋進而包括·在前述電極圖案層之上形成前述中間 薄^或者别述上側生胚薄板之前,在不形成前述電極圖 ”曰之刖述生胚薄板上空白部分,形成空白圖案層之製程。 又於本發明,空白圖案層與電極圖案,係有互補關係 圖案因為形成空白圖案層的緣故,即使在電極圖案層之 上形成生胚薄板,也並無在生胚薄板形成階差等之情事,且 層積後之晶片形狀也會變得良好。 ^ ’因為在形成空白圖案層日夺,該下側之生胚薄板所含 有之树脂已硬化’所以不易受到用以形成空白圖案層的印刷 糊之溶劑所導致的薄板侵钱之影響而在短路不良對策上且 有效果。 〃 關於本發明之較佳實施型態之方法,包括·· 在支撐體上’形成至少含有陶瓷粉與硬化性樹脂之黏結 劑之下侧生胚薄板之製程; 使前述下側生胚薄板所含有之前述硬化性樹脂硬化之 製程; 在前述下侧生胚薄板之表面形成電極圖案層之製程; +在前述電極圖案層之±,形成至少含有陶聽與硬化性 樹脂之黏結劑之中間生胚薄板之製程; 使前述中間生胚薄板内之硬化性樹脂硬化之製程;及 在則述中間生胚薄板之上形成電極圖案層之製程; 其特徵在於: 在前述支撐薄板之上’中介著i層以上之前述中間生胚 2030-7284-PF 11 1276127 薄板形成2層以上之前述電極圖案層, 在位於最上側之電極圖案層之上,形成至少含有陶聽 與熱可塑性樹脂之黏結劑之上側生胚薄板, 在前述支撑體上,形成由單一之前述下側生胚薄板、! 層以上50層以下之前述中間生胚薄板、2層以上51層μ 之前述電極圖案層、與單—之前述上側生胚薄板所構叙异 積體單元, θ 將已剝下前述支撐體之前述層積體單元,以前述下側生 胚薄板與前述上側生胚薄板接觸之方式,二個以上 而形成生胚晶片(greenchip),之後,燒成前述生胚晶片。 關於本發明之其他較佳實施型態之方法,包括·· 在支撐體上’形成至少含有陶究粉與硬化性樹脂之黏結 劑之下側生胚薄板之製程; α 使前述下側生胚薄板所含有之前述硬化性樹脂硬化之 製程; 在别述下侧生胚薄板之表面形成電極圖案層之製程; 在前述電極圖㈣之上’形成至少含有陶隸與硬化性 樹脂之黏結劑之中間生胚薄板之製程; 使前述中間生胚薄板内之硬化性樹脂硬化之製程;及 在刖述中間生胚薄板之上形成電極圖案層之製程; 其特徵在於: ’ *在前述支撐薄板之上,中介著!層以上之前述中間生胚 薄板形成2層以上之前述電極圖案層, 在位於最上側之電極圖案層之上,形成至少含有陶瓷粉 與硬化性樹脂之黏結劑之上側生胚薄板, 2030-7284-PF 12 :1276.127 在前述支撐體上,形成由罝 ^ , 風由早一之刖述下側生胚薄板、1 層以上5 0層以下之前述中簡4 > 0 0 J k r間生胚薄板、2層以上51層以下 之前述電極圖案層、與單一夕於、+、|L知丨丄 ^ 、早之别述上側生胚薄板所構成之層 積體單元, 在/又有使刖述上側生胚薄板之硬化性樹脂硬化下,將已
剝下前述支撐體之前述層籍辦留- 、,I J礼層積體早兀,以前述下側生胚薄板與 前述上側生胚薄板接觸之方式,- 〜々八,一個以上層積起來而形成生
胚晶片(green chip),之後,燒成前述生胚晶片。 作為别述硬化性樹脂係未受特別限定,可為例如熱硬化 性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂之任一種。 熱硬化性樹脂係藉由加熱以硬化,紫外線硬化樹脂係藉由昭 射紫外線以硬化’電子線硬化性樹脂係藉由照射電子線以硬 化。本發財,在這些樹脂之巾,也以在後製程可容易進行 脫黏結劑處理之樹脂較佳,例如以熱硬化性丙烯(ac叫 樹脂、紫外線硬化性丙稀樹脂、電子線硬化性丙騎脂等較 【實施方式】 _百先,作為利用關於本發明之方法所製造的電子元件之 實%型悲,#對層積陶竟電容之全體構成加以說明。 如圖1所示,關於本實施型態之層積陶瓷電容2,係具 有電容素體4、第i端子電極6與第2端子電極8。電容; _係-有’I電體層10、與内部電極層12,在介電體層1〇 之間’境些内部電極層12是交互層積的。被交互層積之— ,、内卩電極層12 ’係對在電容素體4之第丨端部之外側所 $成之第1端子電極6之内側導電接續。此外,被交互層積
2030-7284-PF 13 1276127 之内部電極層12,則是對在電容素體4之第2端部 之外侧所形成之第2端子電極8之内侧導電接續。 广電體層10之材質並未受特別限定,例如由欽酸每 1C aCid Calci⑽)、欽酸錄(titanic acid 价ormunO及/或鈦酸鋇(titanic _㈣⑽)等之介 電體材料所構成。各介電體層1G之厚度並未受特別限定, 但-般上為數“〜數百"。特別是本實施型態中,在一 以下較佳,在i. 5”以下更好’被薄層化成乂下尤佳。 端子電極6以及8之材f也未受特別限^,但通常採用 ㈣銅合金、鎳_合金等’也能使用銀或銀與飽(pd)之 合金等。端子電極6以及8之厚度也未受㈣限定,但通常 在10# m〜5〇e m左右。 層積陶竟電容2之形狀或尺寸,則因應目的或用途而適 宜決定即可。層積"電容2為長方體形狀之場合,通常上 約為長度(0.6〜5.6随,以0.6〜32随較佳)χ寬度(〇 3 〜以0.3 4 6^較佳)χ厚度(〇 Η 9随,以〇 3 〜1 · 6mm較佳)。 其次’說明關於本實施型態之層積陶曼電容2之製造方 法之一例。 首先,如圖2所示,利用噴嘴塗布(n〇zzlec〇at)法、 攙混刀片(doctor-b 1 ade)法等,在作為支撐薄板(支撐體) 之負載薄板20上’以厚度tl形成下側生胚薄板1〇&。下側 生胚薄板10a則在被形成於負載薄板2〇之後進行乾燥。下 側生胚薄板l〇a之乾燥溫度最好是在5〇〜1〇(rc,乾燥時間 最好是1〜20分鐘。乾燥後的生胚薄板1〇a之厚度,相較於 14
2030-7284-PF 1276127. 。乾燥後的生胚薄板之厚度
乾燥前,係收縮5〜25%之厚度 11係以1. 5 // m以下較佳,在 下尤佳。 ’採用例如PET膜等,且為了改善剝離 泛佳。這些負載薄板20之厚度並未特 作為負載薄板20,採用 性’以塗敷矽等之物較佳。 別受限定,但最好是在5〜1〇〇#m。 、 本實施型態中,用以形成下侧生胚薄板1〇a之介電體 =,通常係由混練介電體原料與有機載色劑(vchicie)而 知到之有機溶劑系糊或者水系糊所構成。 作為介電體原料,可以從複合氧化物或成為氧化物之各 種化合物,例如碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、有機金屬化合 物等適宜選擇’加以混合而使用。介電體原料,通常被使用 之粕末平均粒子徑為以下,在下較佳。又, 為了形成極薄的生胚薄板,最好是使用比生胚薄板之厚度還 要細的粉末。 有機載色劑(vch i c 1 e )係在有機溶劑中溶解黏結劑之 物。作為被用於有機載色劑之黏結劑,本實施型態係採用硬 化性樹脂。硬化性樹脂,係利用某些能量所硬化之樹脂,例 如可舉例出熱硬化性樹脂、紫外線(uv )硬化性樹脂、電子 線硬化性樹脂,2液聚合型等。 作為較佳的熱硬化性樹脂,可舉例出··熱硬化性丙烯 (aery 1 )樹脂、熱硬化性環氧(ep〇xy )樹脂、熱硬化性尿 烧丙烯酸S旨(urethane acrylate)、熱硬化性聚酯丙晞酸酯 (polyester acrylate)、熱硬化性尿烧(urethane)樹脂、 熱硬化性尿素(urea)樹脂、熱硬化性三聚氰胺(melamine) 2030-7284-PF 15 1276127. 树月曰4。此外,作為較佳的uy硬化性樹脂,可舉例出: 硬化性丙烯樹脂、UV硬化性尿烷丙烯酸酯、uv硬化性聚酯 丙烯酸酯、UV硬化性尿烷樹脂、uv硬化性環氧丙烯酸酯、 UV硬化性醯胺丙烯酸酯等。再者,作為較佳的電子線硬化性 树月曰,可舉例出··電子線硬化性丙稀樹脂、電子線硬化性尿 烷丙烯酸酯、電子線硬化性聚酯丙烯酸酯、電子線硬化性尿 烷樹脂、電子線硬化性環氧丙烯酸酯、陽離子(cation)硬 化型樹脂等。 用於有機載色劑之有機溶劑,為溶解上述之黏結劑樹脂 之物者即可並未特別受限定,可使用松油醇(terpineol)、 醇類(alcohol )、丁酯卡必醇(butyl carbit〇1 )、丙酮 (acetone )、甲基乙基酮(MEK ; methyl ethyl “仂⑽)、 甲苯(toluene )、二甲苯(xylene )、乙酸乙酯(ethyl acetate)、硬脂酸丁酯(stearic acid butyl)、異乙烯基 -曰酉夂酉日(i so vinyl acetate )等之有機溶劑。介電體糊中的 各成分之含有量係未特別被限定,為通常之含有量即可,例 如黏結劑係5〜10質量百分比左右、溶劑為1〇〜5〇質量百 分比左右。 在介電體糊中,亦可因應需要而含有從各種分散劑、可 塑劑、介電體、玻璃粉(glass frit)、絕緣體、導電助劑 等選擇之添加物。但,這些添加物之總含有量最好是在i 〇 貝里百分比以下。作為可塑劑,可舉例出··鄰苯二曱酸二辛 酯(dioctylphthalate)或鄰苯二甲酸节基丁酯(phthalic acidbenzyl butyl)等之鄰苯二甲酸酯(phtalateester)、 己二酸(adipic acid)、燐酸酉旨(ph〇sph〇ric ester)、二 2030-7284-PF 16 1276127. ·· 醇類(glycol)等。 作為黏結劑樹脂,在採用丙烯系樹脂之場合,可塑劑相 對於黏結劑樹脂100質量部,以25〜1〇〇質量部之含有 佳。可塑劑太少時,會有生胚薄板變脆之傾向,過多時里^ 可塑劑會滲出,且處理困難。 、 在負載薄板20之上形成下側生胚薄板1〇a並加以乾燥 之後,將此下側生胚薄板10a所含有之硬化性樹脂,照射因 應該硬化性樹脂的特質之能量使之硬化。例如:如果是熱硬 •化性樹脂則加熱使之硬化,如果是UV硬化性樹脂則照:紫 外線使之硬化,如果是電子線硬化性樹脂則照射電子線使其 硬化。 其次,如圖2所示’在負載薄板20上已形成的下側生 胚薄板10a之表面,形成特定圖案之電極圖案層心,在其 前後,在不形成該電極圖案層12a的下侧生胚薄板1〇&之^ 面,形成與電極圖案層12a實質地相同厚度之空白圖案層 24。乾燥後的電極圖案層12a之厚度並未特別受限定,心 鲁乾職的下側生胚薄板1〇a之職㈣3〇〜8〇百分比左右 之厚度。 電極圖案層12a’係能制例如使用電極糊之印刷法等 之厚膜形成方法、或者蒸鑛、濺鑛等之薄膜法,在生胚薄板 10a之表面I成。在利用厚膜法之丨種之網版印刷法(町咖 pricing)或者照相凹版印刷法(gravure printing),在 生胚薄板10a之表面形成電極圖案層…之場合,係如以下 方式進行。 首先,準備電極糊。電極糊係由各種導電性金屬或合金
2030-7284-PF 17 *1276127 所構成之導電體材料、或者在燒成後成為上述之導電體材料 之各種氧化物 '有機金屬化合物,或者混練樹脂酸鹽 (resinate)等、與有機載色劑而加以調製。 作為製造電極糊時所採用之導體材料,係使用鎳(N i) 或鎳合金甚至這些之混合物。此般之導體材料為球狀、鱗片 狀等,其形狀並無特別限制,此外,也可以是這些形狀者所 混合之物。此外,導體材料之平均粒子徑,通常為O.iwZ // m即可,在〇· 2〜1 # m左右者較佳。 _ 有機載色劑係含有黏結劑以及溶劑之物。作為黏結劑, 可舉例出:乙基纖維素(ethyl cellul〇se)、丙烯樹脂、聚 乙烯醇縮丁醛(P〇lyvinyl butyral )、聚乙烯基縮醛 (polyvinyl acetal)、聚乙烯醇(p〇lyvinyl alc〇h〇i)、 聚烯烴(poly-olefin)、聚尿烷(p〇ly一urethane)、聚苯乙 烯(polystyrene),或者,這些之共聚合物等,而其中也是 以乙基纖維素、或者聚乙烯醇縮丁醛等之縮丁醛系較佳。 曰黏結劑在電極糊中,相對於導體材料(金屬粉末)100 質量部,最好是被含有4〜1〇質量部。作為溶劑,可使用例 如:萜品醇(terpineol)、丁酯卡必醇(butyl carbit〇i)、 煤油(kerosene ) '丙酮(acet〇ne )、異乙烯基醋酸酯 (isovinyl acetate)等任一習知者。溶劑含有量,相對於 糊全體,最好是設定在2〇〜55質量百分比左右。 為了改善黏接性,在電極糊最好是含有可塑劑或者黏著 鈉作為可塑劑,可以使用與介電體糊相同之物,而可塑劑 之添加1 ’在電極糊中,相對於黏結劑⑽質量部,最好是 在1〇〜300質量部,在10〜2〇〇質量部更好。又,可塑劑或 18
2030-7284-PF ⑧ 1276127, 者黏著劑之添加量過多時,電極圖案層1 2a之強度會有顯著 降低之傾向。此外,在電極糊中,最好是添加可塑劑及/戋 黏著劑,使電極糊之黏接性及/或黏著性提升。 在生胚薄板1 〇a之表面,以印刷法形成指定圖案之電極 糊層之後,或者在此之前,於未形成電極圖案層l2a之生胚 薄板10a之表面,形成與電極圖案層12a實質地相同厚度之 空白圖案層24。空白圖案層24,係使用與下側生胚薄板1〇a 相同之介電體糊並利用印刷法而被形成,但作為空白圖案層 鲁之用的介電體糊所含有之黏結劑樹脂,則能使用不一定含有 硬化性樹脂之通常的熱可塑性樹脂。 亦即,用以形成空白圖案層24之介電體糊,與用以形 成後述之上側生胚薄板1 〇c之介電體糊同樣地,亦可將含有 熱可塑性樹脂之物作為黏結劑樹脂。從使層積時之黏接性提 升之嬈點來看,用以形成空白圖案層24之介電體糊,係與 用以形成後述之上側生胚薄板10c之介電體糊同樣地,最好 是以含有熱可塑性樹脂之物作為黏結劑樹脂。 •空白圖案層24,與電極圖案層12a同樣地,係以印刷法 等被形成。電極圖案層12a以及空白圖案層24,會因應需要 而被加以乾燥。乾燥溫度並未特別受限定,但以7 〇〜12 t 較佳,乾燥時間則最好在5〜丨5分鐘。 其次,在這些電極圖案層12a以及空白圖案層24之上, 如圖2所示,以攙混刀片法或者噴嘴塗布法等形成中間生胚 薄板i〇b。用以形成中間生胚薄板10b之介電體糊,係與用 以形成下側生胚薄板1 〇a之介電體糊同樣地,以含有硬化性 樹脂作為黏結劑樹脂。 2030-7284-PF 19 1276127 用以形成中間生胚薄板10b之介電體糊、與用以形成下 側生胚薄板l〇a之介電體糊,係完全相同,就使糊的種類減 少之觀點方面是較佳的,但未必有全都相同之必要。例如也 可以使硬化性樹脂之種類,不同於用以形成中間生胚薄板 1 Ob之介電體糊、與用以形成下侧生胚薄板i 〇a之介電體糊。 但是,在該場合,就有用以使之硬化的能量的種類也不同之 可能性。 形成中間生胚薄板1 〇b之後,使之乾燥,其後,對中間 籲生胚薄板1〇b所包含之硬化性樹脂施加能量使之硬化。硬化 之方法’係與下側生胚薄板1 〇a之硬化方法相同。針對乾燥 後之中間生胚薄板10b之厚度t2敘述於後。 其次’在該中間生胚薄板1 Ob之表面,以與形成第1層 電極圖案層12a以及空白圖案層24之方法相同的方法,形 成第2層電極圖案層i2a以及空白圖案層24。 其次’在第2層電極圖案層12a以及空白圖案層24之 上形成上側生胚薄板1 〇c。上侧生胚薄板丨〇c係以攙混刀片 鲁法或者噴嘴塗布法等而被形成。上侧生胚薄板j 〇c之用的介 電體糊,係作為黏結劑樹脂,並由含有通常之熱可塑性樹脂 或者硬化前之硬化性樹脂之糊所構成的。 亦即,此介電體糊,係由混練介電體原料與有機載色劑 所知之有機溶劑系糊、或者水系糊所構成的。作為介電體原 料,係能從複合氧化物或成為氧化物之各種化合物,例如從 碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、有機金屬化合物等適宜選擇, 加以混合而使用。介電體原料,通常係使用粉末平均粒子徑 為〇· 3" m以下者,在〇· 2//m以下較佳。又,為了形成極薄 2030-7284-PF 20 1276127. - 的生胚薄板,最好是使用比生胚薄板厚度還要細小的粉末。 有機載色劑,係在有機溶劑中溶解黏結劑之物。於本實 施型態,作為有機載色劑所採用之黏結劑,係使用硬化前之 硬化性樹脂或者熱可塑性樹脂。作為硬化前之硬化性樹脂或 者熱可塑性樹脂,係由例如:丙烯樹脂、聚乙烯醇縮丁醛等 縮丁醛系樹脂、聚乙烯基縮醛、聚乙烯醇、聚烯烴、聚尿烷、 聚苯乙烯,或者由這些的共聚合物所構成之有機質、或者乳 劑(emulsion)等所構成。本實施型態中,作為上述熱可塑 籲性樹脂,以採用丙烯樹脂、或者聚乙烯醇縮丁酸等縮丁酸系 樹脂尤佳。 此外,有機載色劑所採用之有機溶劑也未特別受限定, 可用私油醇、醇類、丁酯卡必醇、丙酮、甲基乙基綱(随)、 甲苯、二甲苯、乙酸乙醋、硬脂酸丁醋、異乙烯基醋酸醋等 之有機溶劑。此外,水系糊之載色劑,係使水溶性黏結劑溶 解於水之物。作為水溶性黏結劑並未特別受限定,可用聚乙 烯酵H纖維素、歸乙基纖維素(hydrQxy e咖 cellulose)、7尺溶性丙稀樹脂、乳劑等。介電體糊甲的各成 分之含有量並未特別受㈣,做成通常之含有量即可,例如 黏結劑為5〜10質量百分比左右、溶劑(或者 質量百分比左右。 在介電體财,亦可㈣需要而含有從各種分散劑 塑劑、介電體、玻璃粉、絕緣體、帶電助劑等選擇而來的添 加物。但疋’這些添加物之總含有量最好是在ι〇質量百分 比以下。作為可塑劑,可舉例出··鄰苯二甲酸二辛醋二 一f酸节基丁醋等之鄰苯二甲酸酯、己二酸、燐酸醋、二醇
2030-7284-PF 21 1276127 類等。作為黏結劑,在採用縮丁醛系樹脂之場合,可塑劑相 對於黏結劑樹脂100質量部,以25〜100質量部之含有量較 佳。可塑劑太少時,有生胚薄板變脆之傾向,過多時,可塑 劑會滲出,且處理困難。 使用此般之介電體糊被形成之上側生胚薄板10c,之 後,被加以乾燥。上側生胚薄板l〇c之乾燥條件,係與下側 生胚薄板10a之乾燥條件相同。但是,上側生胚薄板1 , 不同於下側生㈣板! Qa,在乾雜並不進行使硬化性樹脂 硬化之處理。 本實施i態中,下側生胚薄板j 、第工層電極圖案層 12a (包含空白圖案層24)、中間生胚薄板抓、帛2層電極 圖案層12& (包含空白圖案層24)、以及上側生胚薄板1〇c, 就構成單-之層積體單& U卜層積體單元Η,於後製程, 如圖3所示,被層積多數。
乾燥後的上側生胚薄板10c之厚度t3,以例如以下方式 被决疋H亦即’该厚度t3,以成為大約等於從中間生胚 薄板⑽之厚纟t2減去下侧生胚薄板10a之厚i tl的值之 方式被決定較佳。亦即,以有t2=u + t3之關係較佳。此 外’厚度t3最好是大約等於厚度t卜在例如t2=約_ 之場合,以tl = t3=約0 5/zm較佳。 如圖3所不’從負載薄板2〇被剝下之層積體單元η, 係以上側生胚薄板1 〇r偽丁办丨丄。# 卟與下侧生胚薄板l〇a接觸之方式,祐 層積在層積於負載薄板2Q之上的其他層積體單元Μ之上。 耩由反覆進行該層積體單元U1之層積,可得到電極圖案層 心在層積方向Z層積多數之層積體。又,在上侧生胚薄:
2030-7284-PF 22 -1276127. T含有硬化前之硬化性樹脂之場合,在沒有進行上側生胚 *板10c之硬化處理下,層積層積體w與層積體Μ。 在層積方向Z上比鄰之電極圖案層12a之間,成為設定 門生胚薄板1 〇b、或者上側生胚薄板i 〇c與下側生胚薄板 l〇a之層積生胚薄板之位置。本實施型態中,藉由設定心 U + t3而月b將在層積方向z上比鄰之電極圖案層…之間 的間隔做成大約一致。厚度tl與厚度t3,並不一定有相同 之必要,但是任一方較Μ日车,£ . 予時另一方就變得較薄,會有較薄 的層之形成變得困難之傾向。 / 本實施型態中,層積體單元心層積方向2被層積多 ^,將此層積詩最終域後依缺尺寸切斷,形成生胚晶 片」又’圖不省略,但在層積體單元μ之層積方向之層積 '分別層積未被形成電極圖案層之外裝用生胚薄板: 又’最終加壓時之麼力最好母宁#, 了刀敢好〇又疋成丨〇〜200MPa,此外,加埶 溫度則最好設定在4〇〜1 〇〇°c。 …、 本實施型態中’切斷層積體後的生胚晶片之電極圖案声 成後就成為内部電極層12之部分,中間生胚薄二 、上者上侧生胚薄板10c與下側生胚薄们仏之 板,在燒成後就成為介電體層丨〇之部分。 、 生胚晶片,之後,係被進行脫 ㈣* ± 延仃脫黏結劑處理、燒成處理, 後’為了使"電體層再氧化,進行熱處理。 2結劑處理係於通常之條件下進行即可 =導電體材料使關(Nl)或錦合金等卑金屬之場合^ 下述之條件下進行尤佳。 、 昇溫速度:5〜30(rc/小時,以^啊/小時尤佳, 2030-7284-PF 23 1276127 保持溫度:200〜400°C,以250〜350°C尤佳, 保持時間:0. 5〜20小時,以1〜10小時尤佳, 氣體環境:已加濕之N2與H2之混合氣體。 燒成條件係以下述之條件較佳。 昇溫速度:50〜500°C/小時,以200〜300°C/小時尤 佳, 保持溫度:1100〜1301TC,以1150〜1250°C尤佳, 保持時間:〇 · 5〜8小時,以1〜3小時尤佳, 冷卻速度·· 50〜500°C/小時,以200〜300°C/小時尤 佳, 氣體環境··已加濕之N2與H2之混合氣體。 但是,燒成時的空氣環境中之氧氣分壓係於1〇_2Pa以下 較佳,於10〜1 〇 8pa進行尤佳。超過前述範圍時,會有内 部電極層氧化之傾向’此外,氧氣分壓太低時,則有引起内 部電極層之電極材料異常燒結、被中斷之傾向。 已進行此般燒成後的熱處理,係將保持溫度或者最高溫 f狀在麵以上較佳,纟刪〜⑴代更好。孰處理 時之氧氣分壓,係比燒成時… 古 J疋席孔體^^兄之虱氣分壓還要 间在i〇pa〜1Pa較佳,在10-3Pa〜lPa更好。 接著,其他的熱處理條件係以下述之條件較佳。 保持時間:〇〜6小時,以2〜5小時尤佳, 冷卻速度·· 50〜5〇〇卩/ ,吐 佳 c/小時,卩1〇〇〜小時尤 裱境用氣體··已加濕之N2等。 例如讓氣體通過已加 又,在加濕^或混合氣體等方面
2030-7284-PF 24 1276127. :的水’且使用起泡(bubMing)裝置等即可。此場合水 _ ^ 〇 75 c左右較佳。此外’脫黏結劑處理、燒成以及熱 I♦’可以分別連續進行,或者獨立地進行。在連續進行這 -:理之~合’最好是脫黏結劑處理後,在不使之冷卻下變 f環境氣體,然後昇溫到燒成時之保持溫度並進行燒成,接 者加以冷卻,在達到熱處理之保持溫度時變更環境氣體並進 處理。另—方面’在獨立進行這些處理之場合,以在燒 之際,⑨N2或者已加濕之N2環境τ昇溫到脫黏結劑處理 日、之保持溫度之後,變更環境氣體再繼續昇溫較佳,最好是 冷卻到熱處理時之保持溫度之後,再度變更成Ν2或者已加渴 2 Ν2環境並繼續冷卻。此外’在熱處理時,於Ν2環境下昇 溫=保持溫度之後,變更環境氣體亦可,或者將熱處理之全 過程設定在已加濕之Ν2環境亦可。 在如此做法所得到之燒結體(零件本體4),以例如滾磨 (barrel)、噴砂器(sand blast)等施以端面研磨笋社 端子電極用糊而形成端子電極6、8。端子電極用糊之燒= 件,以例如·•設定成在已加濕之^與h之混合氣體中以6⑽ 〜8〇(TC進行10分鐘〜!小時左右較佳。接著,因應需要, 藉由在端子電極6、8上電鑛等而形成墊層。又端子電極用 糊,以與上述之電極糊相同之方式調製即可。 如此方式製ϋ出的本發明之層㈣竟電容,係利用蟬接 等而被實裝在印刷電路板上等,使用於各種電子機器等。 本實施型態中,在第i層下侧生胚薄板i 〇a之表面,在 形成電極圖案層12a之前,使下側生胚薄板1〇a所含有之硬 化性樹脂藉由加熱、紫外線、或者電子線等而加以硬化。被 2030-7284-PF 25 1276127. 硬化之樹脂,對於所有的溶劑變化成不溶之樹脂。因此,即 使在該下側生胚薄板1 〇a之表面以印刷法等形成電極圖案層 12a’也不會發生電極圖案層12a所含有之溶劑浸蝕生胚薄 板(沒有溶劑所造成之薄板侵餘)之情事。結果,能減低結 果所得到的層積陶瓷電容2之短路不良。 此外,本實施型態之方法中,層積體單元Ui係以圖3 所示方式被進行層積(層積加壓製程),其層積時,成為在 上侧生胚薄板1 〇 c之上接著下側生胚薄板1 〇 a。下侧生胚薄 _ 板10a係含有硬化性樹脂,且下側生胚薄板1 〇a之樹脂係已 經被硬化。如果,假設上側生胚薄板1〇c也含有已硬化之硬 化性樹脂時’則有這些薄板的黏接易於變得不充分,層積無 法良好進行之虞。本實施型態中,因為在上側生胚薄板1〇。 係形成至少包含陶瓷粉與未使之硬化的硬化性樹脂之上侧 生胚薄板,或者,至少包含熱可塑性樹脂之上側生胚薄板, 所以即使在上侧生胚薄板丨〇c之上接觸並層積其他層積體單 元U1之下側生胚薄板10a,其黏接性也是良好的,且層積容 • 易。 此外,即使上側生胚薄板10c為利用包含未使之硬化的 硬化性樹脂,或者包含熱可塑性樹脂之塗料而被形成,因為 中間生胚薄板l〇b係硬化狀態的緣故,也不會有塗料浸透到 中間生胚薄板1 Ob之情事。因此,薄板厚度變得不定之不良 情況或針孔等之不良情況就不易發生。又,因為同樣的理 由在I成中間生胚薄板i 0b時,因為下側生胚薄板1 係 硬化狀態的緣故,也不會有塗料浸透下側生胚薄板之情 事。因此’薄板厚度變得不定之不良情況或針孔等之不良^
2030-7284-PF 26 d 1276127· 況就不易發生。 因此’根據本實施型態之製造方法,即使在極為薄化生 胚薄板之場合,也能有效防止薄板侵蝕,而且,可提高保持 黏接性’並進行層積。此外,因為在層積方向層積具有至少 2層之電極圖案層12a之層積體單元U1,所以能利用層積製 程的縮短而簡略化製造製程或減低製造成本。 又’本發明並未受限定於上述之實施型態,而能在本發 明之範圍内進行種種變更。 •例如’本發明之方法並不限於層積陶瓷電容之製造方 法’也能適用作為其他層積型電子元件之製造方法。 此外’上述之實施型態中,在層積體單元U1之内部, 僅形成單一之中間生胚薄板1 Ob,但也可以如圖4所示,在 單一之層積體單元U1之内部,形成i層以上5〇層以下之中 間生胚薄板l〇b、與2層以上51層以下之電極圖案層12a(也 包含空白圖案層24)。在此實施型態之場合,也能發揮與圖 1〜圖3所示之實施型態相同之作用效果,並且,因為層積 體單元υι自體係具有多數個層積數之電極圖案層,所以 也能減低層積層積體單元tn之次數而謀求製造製程之簡略 化0 又,關於圖4所示實施型態之層積體單元Μ之構成構 件,係與關於圖1〜圖3所示之實施型態之層積體單元μ之 構成構件共通,在該共通之構件附上共通之符號,且省略豆 說明。此外,使用圖4所示之層積體單元叮製作生胚晶片、’ 用以製造圖1所示之層積陶竟電容2之方法,係與圖;〜圖 3所示之實施型態之場合相同。 2030-7284-PF 27 .1276127 圖5係顯示關於本發明之另 甘a由 、 另一其他實施型態之製造方 法。此實施型態之方法,層積體單 η 1Λ 早兀疋由下側生胚薄柘 l〇a、電極圖案層I2a(包含空白圖荦 專板 薄板lOc所構成,除此之外係與 肚 口丄圖3所不方法相同。 此實施型態中,因為在層積體單 lnu U U1肀,又有中間生胚薄板 I Ob,而有層積體單元Ul之層積次教 曰w人数增加之虞,除了製 程增加之外,係可發揮與圖丨〜圖 口 d所不之方法相同之作用 效果。
此外’上述之實施型態中,在電極圖案層i2a之圖宰間 隙’形成^白圖案層24’但本發明中並不4要形成空白圖 案,即使在不形成空白圖案層之場合,也可發揮本發明之基 本的作用效果。但是,藉由形成Μ㈣層24,在電極圖^ 層上形成生胚薄板l0b或者1〇。,也就不會在生胚薄板 形成階差,層積後之晶片形狀也變得較良好。 又’在形成空白圖案層24時,因為其下側之生胚薄板 l〇a或者l〇b所含有之樹脂係硬化狀態,所以不易受到用以 形成空白圖案層24的印刷糊之溶劑所導致的薄板侵餘之影 響而在短路不良對策上具有效果。 〜 〔實施例〕 以下,根據更為詳細之實施例加以說明本發明,但本發 明並不受限定於這些實施例。 首先’準備下述之各種糊。
金有熱硬化隹主封脂之介雷艚螂M 作為介電體原料,準備主成分:BaTi〇3 (平均粒徑0 2 挤化學工業社製_2粉)、與副成分。作為介電體原
2030-7284-PF 28 1276127- 、 料之副成分,使用相對於主成分100摩爾(mole),2摩爾之 Y2O3、2摩爾之MgO、〇· 4摩爾之MnO、0· 1摩爾之V3〇5、與3 摩爾之(Ba〇.6Ca〇.4) Si〇3。 將此介電體原料1 〇〇重量部、分散劑(高分子系分散劑 /Sannopuko(音譯)社製SN5468 )1重量部、與乙醇(ethan〇i) 100重1部’和氧化錯紅玄武土( zirc〇nia b〇ie ) ( 2mm 0 ) 一起投入聚乙烯(polyethylene)容器,混合16小時後得 到介電體混合溶液。 9 將此介電體混合溶液在乾燥溫度120。(:下乾燥12小 時’得到介電體粉末。將此介電體粉末1 〇〇重量部、溶劑MEK50 重量部、溶劑甲苯20重量部、與塊型分散劑丨重量部 (Yuni kema (音澤)(股份有限公司,略記為”股”)社製 JP4),以球磨機(ball mill)進行混合4小時使之一次分 散。 在一次分散後之分散物,添加熱硬化性丙烯樹脂(偏丙 烯酸烷基酯(meta acryl acid alkyl ester)共聚合物樹 春脂,日本carbide (音譯)(股)社製)i〇重量部、與胺系 硬化劑(日本carbide (音譯)(股)社製)1重量部並以球 磨機混合16小時,使之二次分散,得到含有熱硬化性樹脂 之介電體糊A1。 含有熱可塑性樹脂之介雷體掬 在一次分散後之分散物,除了不添加熱硬化性丙烯樹 脂,而是添加熱可塑性丙烯樹脂(MM747樹脂,藤倉化成(股) 社製)10重量部之外,其他做法與含有熱硬化性樹脂之介電 體糊A1相同,得到含有熱可塑性樹脂之介電體糊B1。 2030-7284-PF 29 Ί276127 硬化性樹脂之介電體糊A 2 在-人分散後之分散物’除了將熱硬化性丙浠樹脂替換 掉,而添加紫外線(UV)硬化性丙烯樹脂(偏丙烯酸烷基酯 聚合物樹脂,曰本carbide (音譯)(股)社製)重量 邛之外’其他做法與含有熱硬化性樹脂之介電體糊A1相同, 知到含有UV硬化性樹脂之介電體糊A2。 線硬化性榭脂之介電體糊A 3 在一次分散後之分散物,除了將熱硬化性丙烯樹脂替換 掉,而添加電子線硬化性丙稀樹脂(偏丙烯酸烷基酯共聚合 物樹脂’曰本carbide (音譯)(股)社製)1〇重量部之外, 其他做法與含有熱硬化性樹脂之介電體糊A1相同,得到含 有電子線硬化性樹脂之介電體糊A3。 熱硬化性榭脂之介雷體糊A4 在一次分散後之分散物,除了將熱硬化性丙烯樹脂替換 掉,而添加熱硬化性環氧樹脂(雙酚A型(bisphenol A) 環氧樹脂,大日本INK化學工業(股)社製)1〇重量部之外, 其他做法與含有熱硬化性樹脂之介電體糊Ai相同,得到含 有熱硬化性樹脂之介電體糊A4。 金有熱硬化性樹脂之介電體糊A5 在一次分散後之分散物,除了將熱硬化性丙烯樹脂替換 掉,而添加熱硬化性尿烷丙烯酸酯樹脂(第一工業製藥(股) 社製)10重量部之外,其他做法與含有熱硬化性樹脂之介電 體糊A1相同’得到含有熱硬化性樹脂之介電體糊A5。 含有UV硬化性榭脂之介電體糊A6 在一次分散後之分散物,除了將熱硬化性丙烯樹脂替換 2030-7284-PF 30 1276127
掉而添加uv硬化性尿烷丙烯酸酯樹脂(東亞合成(股) 彳製)1 〇重里部之外,其他做法與含有熱硬化性樹脂之介電 體相A1相同,得到含有UV硬化性樹脂之介電體糊A6。
在人刀散後之分散物,除了將熱硬化性丙烯樹脂替換 掉而添加電子線硬化性尿烷丙烯酸酯樹脂(東亞合成(股) 彳裝)10重畺部之外,其他做法與含有熱硬化性樹脂之介電
體糊A1相同’得到含有電子線硬化性樹脂之介電體糊A7。 層用糊 百先,作為添加物(副成分)原料,準備(Ba,Ca)Si〇3·丨.48 重二部、Υ2〇“ 1·01 重量部、MgC〇3: 〇·72 重量部、_: Ο·。 重里相及V2Q5 ·· 〇· G45重量部。其次,將已準備的這些添 加物(田成分)原料加以混合,得到添加物(副成分)原料 混合物。 ' 曰其次,將添加物原料混合物·· 1〇〇重量部、丙酮· 重量部、蔥品醇(terpineQl)·· 1()4·3重量部、聚乙二醇系 刀政劑1 · 5重里部進行混合,加以泥聚化,將所得到的泥 表(slurry)利用粉碎機(Asizawa Finetech(股)型式[㈣.6) 予以粉碎,得到添加物泥漿。 又,泥漿中的添加物之粉碎,係藉由使轉子(r〇t〇" 在周速14m/分之條件下旋轉’並使泥襞循環於容器 (vessel)與泥漿槽(slurry tank)之間進行而來。又, 在今态’將直徑0.lmm < Zr〇2片充填到相對於容器容量的 80% ’此外’粉碎,係以泥漿於容器内之滯留時間全部為5 分鐘之方式進行。又,粉碎後的添加物之中值粒徑係〇.1//m。 2030-7284-PF 31 :1276127 ’、 針對粕碎後之添加物泥漿,使用蒸發器 (evap〇rat〇r),使丙綱藉由蒸發而從泥漿中除去,調製^ 加物原料被分散於菌口醢夕、兵上^ 、悤Π口知之添加物泥漿。又,除去丙酮之 的添加物㈣中之添加物原料濃度係49.3重量百分比。 其次,將鎳粉末(粒徑〇 2//m/JFE心㈣(股)): 1〇〇重量部、添加物泥激:177重量部、BaTi〇3粉末(粒徑 〇· 〇5 ”(堺化學工業(股)):19.14重量部、有機載色劑·· • 25重里邛象乙一醇系分散劑:1·19重量部、鄰苯二甲 酉文=辛^ (可塑劑)·· 2· 25重量部、異乙烯基醋酸酯:32. 19 重里邛以及丙酮56重量部,使用球磨機加以混合而糊化。 接著,將所付到之糊,使用具備蒸發器以及加熱機構之擾掉 4置使丙_藉由蒸發而去除,得到電極圖案層用糊。 又,利用球磨機之混合,係在球磨機中將2咖0之Zr〇2 媒質(media)充填3〇容積百分比、將上述各原料之混合物 充填60谷積百分比,在周速45m/分以及16小時之條件下 進行此外’上述之有機载色劑,係在7 〇 °c之溫度下,藉由 將为子里13萬之乙基纖維素樹脂:4重量部與分子量23萬 之乙基纖維素樹脂:4重量部,攪拌溶解於異乙烯基醋酸酯·· 92重量部而製作出的。亦即,有機載色劑中之樹脂含有量(乙 基纖維素樹脂之量)係設定在8重量百分比。 其次’將所得到的内部電極用糊之黏度,使用圓錐圓盤 黏度計(HAAKE社製),分別測定在μι、剪斷速度8secfl 下之黏度Vs以及SOSsecT1下之黏度V5〇。測定之結果,V8 = 15· 5cps,V“=8· 5cps,V8/ V5〇 = 1· 72,能夠確認是可以在 印刷法下良好地使用之黏度。 2030-7284-PF 32 ⑧ 3276127· * 复白圖案用糊 首先,做法與内部電極用糊同樣地,調製添加物原料被 分散於蔥品醇之添加物泥漿。 其次,將添加物泥漿:8.87重量部、BaTi〇3粉末(BT - 2 / =化學工業(股)):95·70重量部、有機載色劑:1〇4·36 重里部、聚乙二醇系分散劑:丨· 〇重量部、鄰苯二曱酸二辛 酯(可塑劑):2.61重量部、異乙烯基醋酸酯:19·6〇重量 邛、丙酮· 57· 20重量部、以及咪唑啉(imidazoline)系界 面活I*生劑(帶電助劑)· 〇 · 4重量部,使用球磨機加以混合而 糊化。接著,將所得狀糊,使用具備蒸發器以及加熱機構 之授拌裝置,使丙酮藉由蒸發而去除,得到空白圖案用糊。 又,作為上述有機載色劑,係與内部電極用糊相同地使用有 機載色劑。亦即,乙基纖維素樹脂為8重量百分比之異乙烯 基贈酸自旨溶液。 其次,做法與内部電極用糊同樣地,測定所得到的空白 _圖案用糊之黏度。測定之結果,v8= 19.9cps、Vs。: 10.6cps、
Vsfl=1.88 ’能夠確認是可以在印刷法下良好地使用之 黏度。 實施例1 首先,在表面已利用矽酮(siHc〇ne)系樹脂施以剝離 處理之PET膜(第1支撐薄板)上,利用雙塗布裝置 (di coater)塗布上述之含有熱硬化性樹脂之介電體糊 A1’其次’藉由加以乾燥,形成圖2所示之下側生胚薄板“a。 將薄板連續送人乾_内進行乾燥,且設定乾燥爐内之溫度 為80。。’乾燥時間係2分鐘。生胚薄板就形成乾燥時之膜厚
2030-7284-PF 33 1276127· 度為0.5/zm之型態。 其次,為了讓所得到之生胚薄板通過熱處理乾燥爐,且 使生胚薄板所含有之熱硬化性樹脂硬化,而以l〇〇°C以及15 分鐘之條件下進行熱硬化處理。 、接著在該生胚薄板1 〇a上,使用上述之内部電極用糊 並利用網版印刷機進行印刷,其次,藉由在9(rc以及1〇分 鐘之條件下進行乾燥,形成具有特定圖案之電極圖案層 12a。内部電極層係形成乾燥時之膜厚為之型態。 其次,在形成電極圖案層12a之生胚薄板1〇a的未形成 電極圖案層12a之部分,將上述之空白圖案用糊利用網版印 刷機進行印刷,然後,藉由在9(TC以及10分鐘之條件下進 行乾燥’形成空白圖案層24。 接著,在第1層電極圖案層12a以及空白圖案層24之 上’利用喷嘴塗布,使用上述之含有㉟硬化性樹脂之介電體 糊Μ並加以薄板化,得到中間生胚薄板丨此。將此薄板連續 地达入80 C之乾燥爐内使溶劑乾燥。乾燥時間係於2分鐘進 仃。乾燥後之生胚薄板1〇b之厚度t2係^爪。 接著,為了讓所得到之中間生胚薄板應通過熱處理乾 燥爐I使生胚薄板所含有之熱硬化性樹脂硬化,而以⑽ °C以及15分鐘之條件下進行熱硬化處理。 然後,在此中間生胚薄板i 〇b之表面,做法與第上層電 極圖案層12a以及空白圖案層24同樣地,形成第2層電極 圖案層12a以及空白圖案層24。 八人在乾燥後之第2層電極圖案層12a以及空白圖案 層24之表面’使用上述之含有熱可塑性樹脂之介電體糊,
2030-7284-PF 34 ⑧ .1276127·
並利用喷嘴塗布,形成上侧生胚薄板…。將此薄板連續地 、入80 C之乾燥爐内使溶劑乾燥。乾燥時間係於2分鐘進 行。乾燥後之上侧生胚薄板10c之厚度t3係、〇 5^。 以此方式,在負裁簿板u 貝戰寻槪川之上,形成由下側生胚薄板 他、第1層電極圖案層12a以及空白圖案層24、中間生胚 薄板1Gb、第2層電極圖案層12a以及空白圖案層24、以及 上側生胚薄板10c所構成之層積體單元Μ。 準備多數個從負載薄板2〇剝下之層積體單元μ,以電 極,案層之層積數總計成為⑽層之方式進行熱壓著並層積 而仔到層積體。熱壓著時之條件係1〇〇MPa以及7〇它之條件。 其次,藉由將所得到之層積體利用切割加工機進行切斷,得 ^粍成刖之生胚晶片。又,本實施例中,針對燒成前之生胚 晶片,利用後面所說明之方法,來觀察薄板侵蝕之有無。 接者,將以此方式所得到之生胚晶片,進行脫黏結劑處 理、燒成以及退火(anneal)(熱處理),製作出晶片形狀之 燒結體。 脫黏結劑之進行,係在昇溫速度:5Gt:/小時、保持溫 度:240°C、保持時間:8小時、氣體環境:空氣中進行。 燒成之進行,係在昇溫速度:3〇(rc /小時、保持溫度: 1200 C、保持時間:2小時、冷卻速度:3〇〇〇c/小時、氣體 環境:被控制在露點2〇它之心與I (5%)之混合氣體 行。 退火(anneal)(再氧化)之進行,係在保持時間:g 小時、冷卻速度:3〇(rc/小時、環境用氣體:被控制在露 點20C之N2下進行。又,在氣體環境之加濕上,採用濕潤 2030-7284-PF 35 1276127* 裝置(wetter),且以水溫0〜75°C進行。 其次’將晶片形狀之燒結體之端面以喷砂器 blast)研磨之後,於端部塗布㈣合金糊,其後,藉由 進行燒成而形成外部電極,得到圖1所示之構成之層積" 電容之樣品。燒成後的樣品之寬幅為ο —、長度為u_。 板侵姓之有無之泪丨y仝 十對上述方式所付到之燒成前的生胚晶片之樣品 行測定薄板侵餘之發生程度。収上,首先,將5q個生胚 晶片樣品’以介電體層以及内部電極層之侧面露出之方式, 里入2液硬化性%氧樹脂中,其後,使2液硬化 硬化。接著,❹砂紙(㈣dpa㈣,將埋人縣樹^ = 生胚曰曰片樣品研磨到深度為16咖。又,利时紙之研磨, 係藉由將#_之砂紙、#議之砂紙、#ι刚之 #_之砂紙’依此順序㈣而進行的。其次,將利用砂纸 =研磨面’使用金剛石糊(diamGndpaste),施以鏡面研磨 处灸使用光學顯微鏡’將已進行鏡面研磨處理之 磨面於放大倍率4〇。倍下進行觀察,調查薄板侵蝕之有無。 ==?微鏡之觀察結果’將對全測定樣品之薄板侵姓已 X 、,°°之比率,設為薄板侵蝕比率。將結果顯示於表工。 十對薄板侵蝕發生與否,比較生胚薄板之厚度並 他之部分’判斷是否5G%以下為極端薄之部分。一 率之料’係準備5q個電容樣品 不良發生之個數而測定的。 ^
八體而s,使用絕緣電阻計(HEWLETT PACKARD社製 2030-7284-PF ⑧ 36 :1276127- - E2377A萬用表(mul t imeter )),測定電阻值,將電阻值成 1 0 0k Ω以下之樣品設定為短路不良樣品,且將對全測定樣品 之短路不良樣品之比率設為短路不良率。將結果顯示於表1。 [表1 ] 下側生胚薄板 中間生胚薄板 上側生胚薄板 薄板侵蝕 (%) 短路不良率 (%) 實施例1 介電體糊A1 介電體糊A1 介電體糊B1 0 6 實施例2 介電體糊A2 介電體糊A2 介電體糊B1 0 4 實施例3 介電體糊A3 介電體糊A3 介電體糊B1 0 7 實施例4 介電體糊A4 介電體糊A4 介電體糊B1 0 9 實施例5 介電體糊A5 介電體糊A5 介電體糊B1 0 8 實施例6 介電體糊A6 介電體糊A6 介電體糊B1 0 5 實施例7 介電體糊A7 介電體糊A7 介電體糊B1 0 6 實施例8 介電體糊A1 介電體糊A1 介電體糊A1(氺1) 0 6 實施例9 介電體糊A2 介電體糊A2 介電體糊A2(*l) 0 4 實施例10 介電體糊A3 介電體糊A3 介電體糊A3(氺1) 0 7 比車交例1 介電體糊B1 介電體糊B1 介電體糊B1 100 100 比較例2 介電體糊B1 介電體糊B1 介電體糊Al(*l) 100 98 比車交例3 介電體糊B1 介電體糊A1 介電體糊Al(*l) 100 94 比車交例4 介電體糊A1 介電體糊A1 介電體糊Al(*2) 無法判定 無法判定 比車交例5 介電體糊A2 介電體糊A2 介電體糊A2(*2) 無法判定 無法判定 介電漫 豐糊A1〜A7 :含有硬化, 生樹脂 (* 1)無硬化處理 介電體糊B1 :含有熱可塑性樹脂 (* 2)有硬化處理 實施例2 除了作為用以形成下側生胚薄板以及中間生胚薄板之 介電體糊,採用上述之含有UV硬化性樹脂之介電體糊A2, 且使用紫外線照射以進行硬化處理之外,做法與實施例1同 樣地,製作生胚晶片樣品與電容樣品,且進行同樣之測定。 將結果顯示於表1。 實施例3 除了作為用以形成下側生胚薄板以及中間生胚薄板之 介電體糊,採用上述之含有電子線硬化性樹脂之介電體糊 2030-7284—PF 37 1276127 A3 ’且使用電子線照射以進行硬化處理之外,做法與實施例 1同樣地,製作生胚晶片樣品與電容樣品,且進行同樣之測 定。將結果顯示於表1。 實施你丨4 除了作為用以形成下侧生胚薄板以及中間生胚薄板之 介電體糊,採用上述之含有熱硬化性樹脂之介電體糊A4之 外,做法與實施例1同樣地,製作生胚晶片樣品與電容樣品, 且進行同樣之測定。將結果顯示於表1。
實施例5 除了作為用以形成下側生胚薄板以及中間生胚薄板之 介電體糊,採用上述之含有熱硬化性樹脂之介電體糊A5之 外,做法與實施例丨同樣地,製作生胚晶片樣品與電容樣品, 且進行同樣之測定。將結果顯示於表1。 實施你 除了作為用以形成下側生胚薄板以及中間生胚薄板之 電體糊’知用上述之含有ϋν硬化性樹脂之介電體糊Μ, 且使用料線照射錢行硬化處理之外,做法與實施例】同 樣地’製作生胚晶片樣品與電容樣品,且進行同樣之測定。 將結果顯示於表1。 實施伤丨_7 介電體糊' 成下側生胚薄板以及中間生胚薄板 ::用Γ上述之含有電子線硬化性樹脂之介電體 ! 線照射以進行硬化處理之外,做法與實施 果Γ生胚晶片樣品與電容樣品,且進行同樣之 疋將、、、σ果顯示於表1。
2030-7284-PF 38 J276J27. 除了作為用以形成下相,丨 Μ ^ 战下側生胚濤板、中間生胚薄 側生胚薄板之介電體糊 敬/、上 電體糊Α Ϊ 0社 述之3有熱硬化性樹脂之介 逼體糊A1,且使用熱處 生胚薄板之硬化處理J 仃下侧生胚薄板與中間 外,倣彳生㈣板並残行硬化處理之 卜仏法與實施例1同樣地,製 且I作生胚晶片樣品與電容樣品, 且進仃Η樣之敎。將結果顯示於表卜
實施例Q 除了作為用以形成下側生胚薄板、中間生胚薄板、盘上 侧生胚薄板之介電體糊,㈣上述之含有υν硬化性樹脂之 介電體糊Α2,且制紫外線照射以進行下側生胚薄板與中間 生胚薄板之硬化處理,^上側生㈣板衫進行硬化處理之 外’做法與實施例i同樣地,製作生胚晶片樣品與電容樣品, 且進行同樣之測定。將結果顯示於表1。 實施例1(1 除了作為用以形成下侧生胚薄板、中間生胚薄板、與上 側生胚薄板之介電體糊,採用上述之含有電子線硬化性樹脂 之介電體糊A3,且使用電子線照射以進行下侧生胚薄板與中 間生胚薄板之硬化處理,而上側生胚薄板並不進行硬化處理 之外,做法與實施例1同樣地,製作生胚晶片樣品與電容樣 品’且進行同樣之測定。將結果顯示於表1。 比較例Ί 除了作為用以形成下側生胚薄板以及中間生胚薄板之 介電體糊,採用上述之含有熱可塑性樹脂之介電體糊β1,且 並不進行硬化處理之外,做法與實施例1同樣地,製作生胚 2030-7284-PF 39 1276127 晶片樣品與電容樣品 且進行同樣之測定
將結果顯示於表 比較例2 除了作為用以形成上側生胚薄板介 之人古心“ ,寻衩電體糊,採用上述 3有熱硬化性樹脂之介電體糊μ,且進行硬化處理之外, 做法與比較例!同樣地,製作生胚晶片樣品與電容樣品,且 進打同樣之測定。將結果顯示於表1。 比較例3
除了作為用以形成中間生胚薄板以及上側生胚薄板之 介電體糊’採用上述之含有熱硬化性樹脂之介電體糊Α卜且 進打硬化處理之外,做法與比較例(同樣地,製作生胚 樣品與電容樣品,且進行同樣之測定。將結果顯示於表曰!曰。 比較例4 除了作為用以形成下側生胚薄板以及中間生胚薄板以 及上側生胚薄板之介電體糊’採用上述之含有熱硬化性樹脂 之介電體糊A1,且使用熱處理乾燥爐以進行硬化處理之外, 做法與各實施例同樣地,試著製作生胚晶片樣品與電容樣 品0 但是,薄板因為已硬化之硬化性樹脂們而未黏接起來, 所以無法得到晶片,薄板侵蝕、短路不良之評價便不 除了作為用以形成下側生胚薄板以及中間生胚薄板以 及上侧生胚薄板之介電體糊,採用上述之含有uv硬化性樹 脂之介電體糊A2,且使用紫外線照射以進行硬化處理之外, 做法與各實施例同樣地,試著製作生胚晶片樣品與電容樣 2030-7284-pp 40 :1276127 品。 仁疋’薄板因為已硬化之硬化性樹脂們而未黏接起來, 、…、去传到晶片’薄板侵餘、短路不良之評價便不可能。 如表1所示,能夠確認:因作為用以形成下側生胚薄板 之;丨電體糊,採用含有硬化性樹脂之介電體糊,而可防止薄 板* *、旎減低短路不良率。此外,如表1所示,能夠確 W ·因作為用以形成上侧生胚薄板之介電體糊,採用不使之 Φ硬化之硬化性樹脂或者具有熱可塑性樹脂之介電體糊,而讓 黏接性變得較良好、層積容易進行。 【圖式簡單說明】 圖1係關於本發明之一實施型態之層積陶瓷電容之概略 剖面圖。 圖2係顯示圖1所示之層積陶瓷電容之製造方法之1製 造過程之重要部分剖面圖。 圖3係顯示圖2之後續製程之重要部分剖面圖。 _ 圖4係顯不關於本發明之其他實施型態之層積陶瓷電容 之製迨方法之1製造過程之重要部分剖面圖。 圖5係顯不關於本發明之其他實施型態之層積陶瓷電容 • 之製造方法之1製造過程之重要部分剖面圖。 【主要兀件符3虎說明】 10a 下側生胚薄板 20 支撐薄板 10b 中間生胚薄板 24 空白圖案層 10c 上側生胚薄板 tl、t2、t3 厚度 12a 電極圖案層 U1 層精體單元 2030-7284-PF 41 (B)

Claims (1)

1276127· 十 程 申請專利範圍: 1· 一種層積型電子元件之製造方法,包括·· 芽體上,形成至少含有陶瓷粉之下側生胚薄板之製 在則述下側生胚薄板之表面形成電極圖案層之製程; -鹏f積至夕含有別述下側生胚薄板以及電極圖案層之層 早兀丄且形成生胚晶片(green chip)之製程,·及 燒成前述生胚晶片之製程, ❿ 其特徵在於: 述支撐體上被形成之下側生胚薄板,係含有硬化性 m之黏結劑’在該下側生胚薄板之上形成前述電極圖案層 之則,使前述下側生胚薄板内之硬化性樹脂硬化。 2.如申請專利範圍第j項之層積型電子元件之製造方 法’其中進而包括: 在前述下側生胚薄板之上形成電極圖案層之後,於前述 ^圖案層之上,形成包含硬純樹脂之減劑之 胚 薄板之製程; 〇 ^使別述中間生胚薄板内之硬化性樹脂硬化之製 程;及 •後於别述中間生胚薄板之上形成電極圖案層之製 程; 於前述支撐薄板之上,中介荖〗厣 a Y ;丨者1層以上之刖述中間生胚 /反而形成2層以上之前述電極圖案層, 在位於最上側之電極圖案層之上,形成上側生胚薄板, '别述下側生胚薄板、—層以上之前述中間生胚薄板、二層 以上之前述電極圖案層、與前述上侧薄板構成前述層積體單 2030-7284-PF 42 :1276127 元,且前述上側生胚薄板係含有熱可塑性樹脂之黏結劑。 3·如申請專利範圍第1項之層積型電子元件之製造方 法,其中進而包括: 在前述下側生胚薄板之上形成電極圖案層之後,於前述 電極圖案層之上,形成包含硬化性樹脂之黏結劑之中間生胚 薄板之製程; 之後,使前述中間生胚薄板内之硬化性樹脂硬化之製 程;及 之後,於前述中間生胚薄板之上形成電極圖案層之製 程; ' ^於前述支撐薄板之上,中介著1層以上之前述甲間生胚 薄板而形成2層以上之前述電極圖案層, 此在位於最上側之電極圖案層之上形成上侧生胚薄板,以 則述:侧生胚薄板、—層以上之前述中間生胚薄板、二層以 上之前,電極圖案層、與前述上侧薄板構成前述層積體單 一且則述上側生胚薄板係含有硬化性樹脂之黏結劑,在 使之硬化下讓薄板具有黏H 在不 4·如申請專利範圍第 ^ 項之層積型電子元件之製造;j 金丄其中别述上側生胚薄板所含有之硬化性樹脂之黏結劑 ^ ^下側生胚薄板以及前述中間生胚薄板所含有之硬4 枒脂之黏結劑,係相同種類。 數、生巾明專利圍第2、3或4項之層積型電子元件4 下中前述中間生胚薄板之厚度,係約略等於心 ^ 專板的厚度與前述上侧生胚薄板的厚度之加總。 之製造二!請專利;圍第卜2、3或4項之層積型電子元名 '其中則述下側生胚薄板之厚度係3 # m以下。 2030-7284-pp 43 Ί276127 ,7·如申印專利範圍第2、3或4項之層積型電子元件之 製&方法其中進而包括在前述電極圖案層之上形成前述中 間生胚薄板或者前述上側生胚薄板之前,在*形成前述電極 圖案層之刖述生胚薄板上空白部>,形成空白圖案層之製 程0 8.—種層積型電子元件之製造方法,包括: 在支樓體上’形成至少含有陶£粉與硬化性樹脂之黏结 劑之下側生胚薄板之製程; 使前述下側生胚薄板所含有之前述硬化性樹脂硬化之 製程; 在前述下侧生胚薄板之表面形成電極圖案層之製程. 在前述電極圖案層之上,开彡成$小人士、 J ^ 上形成至少含有陶瓷粉與硬化性 樹脂之黏結劑之中間生胚薄板之製程; 使前述中間生胚薄板内之硬化性樹脂硬化 間生胚薄板之上形成電極圖案層之製程; 其特徵在於: 在前述支撐薄板之上’中介著!層以上之前 薄板形成2層以上之前述電極圖案層, 生胚 在位於最上側之電極圖案層之上,形 與熱可塑性樹脂之黏結劑之上侧生胚薄板, 有陶瓷粉 在前述支擇體上,形成由單_之_ 層以上5。層以下之前述中間生胚薄板 =專板、i 之前述電極圖案層、與單一之前 51層以下 積體單元, 側生㈣板所構成之層 將已剝下前述支㈣之前述層積體單元, 胚薄板與前述上側生胚薄板接觸 _ ’建下側生 式,二個以上層積起來 2030-7284-PF 44 ^276127 而形成生胚晶片(green chip),之後,燒成前述生胚晶片。 9· 一種層積型電子元件之製造方法,包括·· 在支撐體上’形成至少含有陶瓷粉與硬化性樹脂之黏結 Μ之下側生胚薄板之製程; 使前述下側生胚薄板所含有之前述硬化性樹脂硬化之 製程; 在别述下側生胚薄板之表面形成電極圖案層之製程; 士在前述電極圖案層之上,形成至少含有陶瓷粉與硬化性 _ 樹脂之黏結劑之中間生胚薄板之製程; 使前述中間生胚薄板内之硬化性樹脂硬化之製程;及 在前述中間生胚薄板之上形成電極圖案層之製程; 其特徵在於: ^在前述支撐薄板之上,中介著1層以上之前述中間生胚 薄板形成2層以上之前述電極圖案層, 在位於最上側之電極圖案層之上,形成至少含有陶瓷粉 與硬化性樹脂之黏結劑之上側生胚薄板, 在前述支撐體上,形成由單一之前述下側生胚薄板、丄 • 層以上50層以下之前述中間生胚薄板、2層以上51層以下 之前述電極圖案層、與單-之前述上侧生胚薄板所構成之声 積體單元, 曰 在沒有使前述上側生胚薄板之硬化性樹脂硬化下,將已 亲下前述支撑體之前述層㈣單A,以前述下側生胚薄板與 前述上側生胚薄板接觸之方式,:個以上層積起來而形成生 胚晶片,之後’燒成前述生胚晶片。 — ΙΟ.如申請專利範圍第卜2、3、4或9項之層積型電子 兀件之製造方法’其中前述硬化性樹脂,係熱硬化性樹脂、 2030-7284-PF 45
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