JP5619950B2 - 誘電体基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、一部誘電率が異なる誘電体基板の製造方法に関し、誘電率の違いを利用したコンデンサ等の電子部品や高周波回路等に用いて好適な誘電体基板の製造方法に関する。

一部誘電率が異なる誘電体基板を使用した電子部品としては、例えば特許文献１〜３が提案されている。

特許文献１は、分波回路を誘電体基板中に一体的に形成し、誘電体基板のうち、受信側フィルタ及び送信側フィルタを有する部分を高誘電率材料（例えば誘電率εｒ＝８０）で形成し、分波回路を有する部分を低誘電率材料（例えば誘電率εｒ＝２５）で形成する例が開示されている。この特許文献１によれば、フィルタを構成する共振器のほか、分波回路を構成する集中定数素子の小型化を図ることができる。

特許文献２は、上側接地電極誘電体基板、段間結合容量誘電体基板、共振器誘電体基板、入出力結合容量誘電体基板を共にそれぞれ異なる誘電率を有する誘電体材料、すなわち高い比誘電率を有する第１の誘電体材料及び低い比誘電率を有する第２の誘電体材料よりなる複合誘電体基板で構成することが開示されている。この特許文献２によれば、低損失の誘電体フィルタを提供することができる。

特許文献３は、以下の点が記載されている。すなわち、複数の誘電体膜からなる第１の多層誘電体膜上に、比誘電率及び膜厚が誘電体膜のそれらと異なる誘電体膜からなる第２の多層誘電体膜が形成されている。該第２の多層誘電体膜上にアンテナ素子が形成されている。該アンテナ素子の接地導体が、第１の多層誘電体膜の膜間に形成されている。該接地導体のアンテナ素子とは反対側に、ストリップ状導体が形成されている。該ストリップ状導体に入力した信号は、上記接地導体に形成されたスロットを介して、アンテナ素子と電磁界的に結合して、該アンテナ素子を励振する。この特許文献３によれば、広い周波数範囲の中から任意で、且つ、複数の動作周波数に対して、各アンテナがそれぞれ最適な誘電体基板厚を有し、良好に動作できるマルチバンドマイクロストリップアンテナを実現することができる。

特開２０００−２２３９１０号公報 特開２００２−２８０８０５号公報 特開平９−５１２２４号公報

ところで、一部誘電率が異なる誘電体基板を構成する場合、例えば図１８Ａ及び図１８Ｂに示す方法が考えられる。

すなわち、図１８Ａに示すように、第１誘電率を有する第１セラミック粉末と樹脂を含む第１グリーンシート１００上に下部導体パターン１０２ａを印刷によって形成し、その上に、第２誘電率を有する第２セラミック粉末と樹脂を含む第２グリーンシート１０４を積層し、さらに、その上に、上部導体パターン１０２ｂを印刷によって形成する。

その後、図１８Ｂに示すように、全面に別の第１グリーンシート１００を積層し、その後、加圧して焼成することにより、一対の電極で挟まれた部分とそれ以外の部分で誘電率が異なる誘電体基板を得ることができる。

しかし、この方法の場合、図１９に示すように、下部導体パターン１０２ａ、第２グリーンシート１０４及び上部導体パターン１０２ｂを含む積層膜１０６が第１グリーンシート１００上において凸形状に形成されるため、別の第１グリーンシート１００を積層する際に、積層膜４２の周縁近傍に圧力がかからず、積層した後に、剥がれが生じたり、積層膜４２の端部がつぶれてしまい、上部導体パターン１０２ｂの電気的特性を劣化させる。また、これらの問題のために、下部導体パターン１０２ａ、第２グリーンシート１０４及び上部導体パターン１０２ｂの厚みを厚くできないため、一対の電極とその間に存在する誘電体からなるコンデンサの容量値の調整幅や抵抗値を下げるのに限界が生じ、また、高周波回路に適用した場合に、高周波特性の向上にも限界が生じるという問題がある。

そこで、図２０に示すように、同じ面積を有する第１グリーンシート１００、第２グリーンシート１０４及び第１グリーンシート１００を積層して３層構造とし、第１グリーンシート１００と第２グリーンシート１０４との間にそれぞれ下部導体パターン１０２ａと上部導体パターン１０２ｂを介在させることが考えられる。これにより、少なくとも第２グリーンシート１０４による凸形状の形成が回避でき、剥がれの頻度を低減することができる。しかし、依然下部導体パターン１０２ａ及び上部導体パターン１０２ｂの厚みを厚くできないため、低抵抗化ができないという問題は残る。

本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、一部誘電率が異なる誘電体基板でありながらも、誘電率が異なる境界部分の剥がれや崩れがなく、また、内部の誘電率が異なる誘電体の厚みを厚くでき、回路基板や回路部品に使用した場合の構造設計や回路設計の自由度を向上させることができる誘電体基板の製造方法を提供することを目的とする。

また、本発明の他の目的は、一部誘電率が異なる誘電体基板でありながらも、導体パターンの剥がれや崩れがなく、また、導体パターンの厚みを厚くでき、抵抗値の低減化、高周波特性の向上を容易に図ることができ、しかも、回路基板や回路部品に使用した場合の構造設計や回路設計の自由度を向上させることができる誘電体基板の製造方法を提供することを目的とする。

［１］ 第１の本発明に係る誘電体基板の製造方法は、一部誘電率の異なる誘電体基板の製造方法において、少なくとも熱硬化性樹脂前駆体と第１セラミック粉末との混合物を硬化して第１セラミック成形体を形成する第１セラミック成形体作製工程と、熱硬化性樹脂前駆体と第２セラミック粉末と溶剤とが混合されたスラリーを、少なくとも前記第１セラミック成形体を被覆するように供給した後に硬化して、前記第１セラミック成形体を被覆した第２セラミック成形体を形成する第２セラミック成形体作製工程と、前記第１セラミック成形体及び前記第２セラミック成形体を焼成する焼成工程とを有することを特徴とする。

［２］ 第１の本発明において、前記第１セラミック成形体作製工程は、前記熱硬化性樹脂前駆体と前記第１セラミック粉末を含むペーストを所定の形状に成形した後、硬化して前記第１セラミック成形体を作製してもよい。

［３］ 第１の本発明において、前記混合物に含まれる熱硬化性樹脂前駆体は、ポリウレタン樹脂前駆体であってもよい。

［４］ 第２の本発明に係る誘電体基板の製造方法は、一部誘電率の異なる誘電体基板の製造方法において、フェノール樹脂と第１セラミック粉末との混合物を硬化して第１セラミック成形体を形成する第１セラミック成形体作製工程と、熱硬化性樹脂前駆体と第２セラミック粉末と溶剤とが混合されたスラリーを、少なくとも前記第１セラミック成形体を被覆するように供給した後に硬化して、前記第１セラミック成形体を被覆した第２セラミック成形体を形成する第２セラミック成形体作製工程と、前記第１セラミック成形体及び前記第２セラミック成形体を焼成する焼成工程とを有することを特徴とする。

［５］ 第２の本発明において、前記第１セラミック成形体作製工程は、前記フェノール樹脂と前記第１セラミック粉末を含むペーストを所定の形状に成形した後、硬化して前記第１セラミック成形体を作製してもよい。

［６］ 第１又は第２の本発明において、前記第１セラミック成形体作製工程は、基体上に前記ペーストをパターン形成し、その後、硬化して前記第１セラミック成形体を作製してもよい。

［７］ この場合、前記第２セラミック成形体作製工程は、前記基体上に成形された前記第１セラミック成形体を被覆するように塗布した後に硬化して前記第２セラミック成形体を作製してもよい。

［８］ 第１又は第２の本発明において、前記スラリーに含まれる前記熱硬化性樹脂前駆体は、ポリウレタン樹脂前駆体であってもよい。

［９］ 第１又は第２の本発明において、前記第２セラミック成形体作製工程は、前記スラリーを前記第１セラミック成形体と導体成形体とを被覆するように供給した後に硬化して前記第２セラミック成形体を作製してもよい。

［１０］ この場合、前記導体成形体は、少なくとも前記第１セラミック成形体に接するように形成されていてもよい。

［１１］ また、前記導体成形体は、熱硬化性樹脂前駆体と銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）系の金属の少なくとも１種類の粉末を含む導体ペーストをパターン形成し、その後、硬化してもよい。

［１２］ あるいは、前記導体成形体は、フェノール樹脂と銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）系の金属の少なくとも１種類の粉末を含む導体ペーストをパターン形成し、その後、硬化してもよい。

以上説明したように、本発明に係る誘電体基板の製造方法によれば、一部誘電率が異なる誘電体基板でありながらも、導体パターンの剥がれや崩れがなく、また、導体パターンの厚みを厚くでき、抵抗値の低減化、高周波特性の向上を容易に図ることができる。また、特定の層全体で誘電率が異なる構成のほか、部分的に誘電率が異なるようにも構成することができるため、回路基板や回路部品に使用した場合の構造設計や回路設計の自由度を向上させることができる。

第１誘電体基板を示す断面図である。 第１誘電体基板を使用して複合コンデンサ部品を構成した例を示す断面図である。 図３Ａはペーストによる第１セラミック成形体を形成した状態を示す断面図であり、図３Ｂは鋳込み型内に第１セラミック成形体を設置した後、鋳込み型内にスラリーを注入した状態を示す断面図であり、図３Ｃは鋳込み型内に注入されたスラリーを硬化して第２セラミック成形体とした状態を示す断面図である。 第２誘電体基板を示す断面図である。 第２誘電体基板を使用して複合コンデンサ部品を構成した例を示す断面図である。 図６Ａはフィルム上にペーストによる第１セラミック成形体を形成した状態を示す断面図であり、図６Ｂは鋳込み型内にフィルムを設置した後、鋳込み型内にスラリーを注入した状態を示す断面図であり、図６Ｃは鋳込み型内に注入されたスラリーを硬化して第２セラミック成形体とした状態を示す断面図である。 図７Ａは鋳込み型から第２セラミック成形体をフィルムごと離型した状態を示す断面図であり、図７Ｂはフィルムから第２セラミック成形体を第１セラミック成形体と共に離型した状態を示す断面図である。 セラミック積層体を示す断面図である。 第３誘電体基板を示す断面図である。 図１０Ａはフィルム上に積層膜を形成した状態を示す断面図であり、図１０Ｂは鋳込み型内にフィルムを設置した後、鋳込み型内にスラリーを注入した状態を示す断面図であり、図１０Ｃは鋳込み型内に注入されたスラリーを硬化して第２セラミック成形体とした状態を示す断面図である。 図１１Ａは鋳込み型から第２セラミック成形体をフィルムごと離型した状態を示す断面図であり、図１１Ｂはフィルムから第２セラミック成形体を積層膜と共に離型した状態を示す断面図である。 第４誘電体基板を示す断面図である。 図１３Ａはフィルム上に積層膜を形成した状態を示す断面図であり、図１３Ｂは鋳込み型内にフィルムを設置した後、鋳込み型内にスラリーを注入した状態を示す断面図であり、図１３Ｃは鋳込み型内に注入されたスラリーを硬化して第２セラミック成形体とした状態を示す断面図である。 図１４Ａは鋳込み型から第２セラミック成形体をフィルムごと離型した状態を示す断面図であり、図１４Ｂはフィルムから第２セラミック成形体を積層膜と共に離型した状態を示す断面図である。 図１５Ａは基体上に積層膜を形成した状態を示す断面図であり、図１５Ｂは積層膜を被覆するように基体上にスラリーを塗布した状態を示す断面図である。 図１６Ａは基体上にスラリーを塗布する方法の一例を示す斜視図であり、図１６Ｂはその側面図である。 図１７Ａは基体上に塗布したスラリーを硬化した状態を示す断面図であり、図１７Ｂは基体を剥離して第２セラミック成形体とした状態を示す断面図である。 図１８Ａは第１グリーンシート上に積層膜を形成した状態を示す断面図であり、図１８Ｂは別の第１グリーンシートを積層する状態を示す断面図である。 積層膜の周辺に剥がれが生じた状態を示す説明図である。 同一面積のグリーンシートを３層構造にした状態を示す断面図である。

以下、本発明に係る誘電体基板の製造方法の実施の形態例を図１〜図１７Ｂを参照しながら説明する。

［第１の実施の形態］
先ず、第１の実施の形態に係る誘電体基板（以下、第１誘電体基板１０Ａと記す）は、図１に示すように、第１誘電率ε１を有する第１セラミック焼成体１２と、該第１セラミック焼成体１２の周りに形成された第２誘電率ε２を有する第２セラミック焼成体１４とを有する。

第１セラミック焼成体１２及び第２セラミック焼成体１４は、少なくとも熱硬化性樹脂前駆体と第１セラミック粉末との混合物を硬化して得られる第１セラミック成形体１６と、熱硬化性樹脂前駆体と第２セラミック粉末と溶剤とが混合されたスラリーを、少なくとも第１セラミック成形体１６を被覆するように供給した後に硬化して得られる第２セラミック成形体１８とが焼成されて構成されている。

そして、図２に示すように、この第１誘電体基板１０Ａに３つの一対の電極（第１上部電極２０ａ、第１下部電極２０ｂ、第２上部電極２２ａ、第２下部電極２２ｂ、第３上部電極２４ａ、第３下部電極２４ｂ）が形成されることで、１つの第１誘電体基板１０Ａに３つのコンデンサＣ１〜Ｃ３が形成された複合コンデンサ部品２６が構成されることになる。

すなわち、第１上部電極２０ａと第１下部電極２０ｂとその間の誘電体（第２誘電率ε２）による第１コンデンサＣ１と、第２上部電極２２ａと第２下部電極２２ｂとその間の誘電体（第２誘電率ε２−第１誘電率ε１−第２誘電率ε２）による第２コンデンサＣ２と、第３上部電極２４ａと第３下部電極２４ｂとその間の誘電体（第２誘電率ε２）による第３コンデンサＣ３とを有する複合コンデンサ部品２６が構成されることになる。もちろん、第１コンデンサＣ１と第３コンデンサＣ３が一体化されて、第２コンデンサＣ２を囲む構成でもよい。

ここで、第１誘電体基板１０Ａの製造方法について図３Ａ〜図３Ｃを参照しながら説明する。

先ず、図３Ａに示すように、熱硬化性樹脂前駆体と第１セラミック粉末を含むペースト２８を印刷法によってパターン形成した後、硬化（室温硬化や乾燥硬化等）して第１セラミック成形体１６を得る。

その後、図３Ｂに示すように、第１セラミック成形体１６を鋳込み型３０内に設置し、その後、熱硬化性樹脂前駆体と第２セラミック粉末と溶媒を含むゲルキャスト用スラリー（以下、スラリー３２と記す）を鋳込み型３０内に鋳込んだ後に、硬化（室温硬化や乾燥硬化等）することによって、図３Ｃに示すように、内部に第１セラミック成形体１６を含む第２セラミック成形体１８が得られる。なお、鋳込み型３０は断面で示す構造の一部が開放されていてもスラリー３２の漏洩がなければ問題ない。

ペースト２８には、自己反応性のレゾール型フェノール樹脂又はポリウレタン樹脂前駆体を含めることが好ましい。スラリー３２に使用される熱硬化性樹脂前駆体は、ポリウレタン樹脂前駆体であることが好ましい。

なお、上述の例では、第１セラミック成形体１６をペースト２８を成形硬化して得るようにしたが、その他、別の鋳込み型に、熱硬化性樹脂前駆体と第１セラミック粉末と溶媒を含むゲルキャスト用スラリーを鋳込んだ後に、硬化して第１セラミック成形体１６を得るようにしてもよい。この場合、熱硬化性樹脂前駆体としては、ポリウレタン樹脂前駆体であることが好ましい。

このように、第１誘電体基板１０Ａにおいては、スラリー３２に熱硬化性樹脂前駆体を含んでいるため、スラリー３２の硬化時における乾燥収縮に伴う第１セラミック成形体１６周りの部分の変形は小さい。従って、第２セラミック成形体１８のうち、第１セラミック成形体１６の周りの部分の変形も小さい。また、ペースト２８にも熱硬化性樹脂前駆体を含んでいるため、第１セラミック成形体１６が設置された鋳込み型３０内にスラリー３２を注入した際に、第１セラミック成形体１６がスラリー３２の溶剤に容易に溶解することがなく（耐溶剤性の向上）、パターン形状の崩れは生じない。

従って、一部誘電率が異なる第１誘電体基板１０Ａでありながらも、誘電率が異なる境界部分の剥がれや崩れがなく、また、内部の誘電率が異なる誘電体（第１セラミック焼成体１２）の厚みを厚くでき、図２のように、回路基板や回路部品に使用した場合の構造設計や回路設計の自由度を向上させることができる。

［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態に係る誘電体基板（以下、第２誘電体基板１０Ｂと記す）について図４〜図７Ｂを参照しながら説明する。

この第２誘電体基板１０Ｂは、図４に示すように、上述した第１誘電体基板１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、第１セラミック焼成体１２の一部の面が第２セラミック焼成体１４の一主面（例えば下面）から露出している点で異なる。

この場合も、図５に示すように、第２誘電体基板１０Ｂに３つの一対の電極（第１上部電極２０ａ、第１下部電極２０ｂ、第２上部電極２２ａ、第２下部電極２２ｂ、第３上部電極２４ａ、第３下部電極２４ｂ）が形成されることで、１つの第２誘電体基板１０Ｂに３つのコンデンサＣ１〜Ｃ３が形成された複合コンデンサ部品２６が構成されることになる。

すなわち、第１上部電極２０ａと第１下部電極２０ｂとその間の誘電体（第２誘電率ε２）による第１コンデンサＣ１と、第２上部電極２２ａと第２下部電極２２ｂとその間の誘電体（第２誘電率ε２−第１誘電率ε１）による第２コンデンサＣ２と、第３上部電極２４ａと第３下部電極２４ｂとその間の誘電体（第２誘電率ε２）による第３コンデンサＣ３とを有する複合コンデンサ部品２６が構成されることになる。

ここで、第２誘電体基板１０Ｂの製造方法について図６Ａ〜図７Ｂを参照しながら説明する。

先ず、図６Ａに示すように、フィルム３４上にペースト２８を印刷法によってパターン形成した後、硬化してフィルム３４上に第１セラミック成形体１６を形成する。フィルム３４は、表面にシリコーン離型剤がコートされたＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）である。ペースト２８の加熱硬化時における収縮、歪を抑制するために、予めフィルム３４に温度１５０℃で１０分以上のアニール処理を施すことが好ましい。

その後、図６Ｂに示すように、フィルム３４を鋳込み型３０内に設置し、スラリー３２を鋳込み型３０内に鋳込んだ後に硬化する。これによって、図６Ｃに示すように、第１セラミック成形体１６を含んだ第２セラミック成形体１８が得られる。この場合、図７Ａに示すように、フィルム３４上に第２セラミック成形体１８が設置された状態になっているため、図７Ｂに示すように、第２セラミック成形体１８を第１セラミック成形体１６ごとフィルム３４から離型し、その後、焼成することによって、図４に示すように、第１セラミック焼成体１２の一部の面が第２セラミック焼成体１４の一主面から露出した第２誘電体基板１０Ｂが得られる。

このように、第２誘電体基板１０Ｂにおいても、スラリー３２に熱硬化性樹脂前駆体を含んでいるため、スラリー３２の硬化時における乾燥収縮に伴う第１セラミック成形体１６周りの部分の変形は小さい。従って、第２セラミック成形体１８のうち、第１セラミック成形体１６の周りの部分の変形も小さく、第２セラミック成形体１８の一主面（第１セラミック成形体１６の一主面が露出された面）の平滑性も良好となる。これは、図８に示すように、第１セラミック成形体１６を含む第２セラミック成形体１８を複数積層してセラミック積層体２１とした場合にも有利であり、隣接する第２セラミック成形体１８とが密着し、隣接する第１セラミック成形体１６と第２セラミック成形体１８とで密着し、これらの間での剥がれは生じない。

［第３の実施の形態］
次に、第３の実施の形態に係る誘電体基板（以下、第３誘電体基板１０Ｃと記す）について図９〜図１１Ｂを参照しながら説明する。

この第３誘電体基板１０Ｃは、図９に示すように、上述した第２誘電体基板１０Ｂとほぼ同様の構成を有するが、第１導体パターン３６ａ及び第２導体パターン３６ｂが少なくとも第１セラミック焼成体１２に接するように形成されている点で異なる。

具体的には、第１導体パターン３６ａ上に第１セラミック焼成体１２が形成され、該第１セラミック焼成体１２上に第２導体パターン３６ｂが形成され、これら第１導体パターン３６ａ、第１セラミック焼成体１２及び第２導体パターン３６ｂによる積層体３７を含むように第２セラミック焼成体１４が形成されている。

ここで、第３誘電体基板１０Ｃの製造方法について図１０Ａ〜図１１Ｂを参照しながら説明する。

先ず、図１０Ａに示すように、フィルム３４上に第１導体ペースト３８ａを印刷法によってパターン形成した後、硬化してフィルム３４上に第１導体成形体４０ａを形成する。その後、第１導体成形体４０ａ上にペースト２８を印刷法によってパターン形成した後、硬化して第１セラミック成形体１６を形成する。その後、第１セラミック成形体１６上に、第２導体ペースト３８ｂを印刷法によってパターン形成した後、硬化して第２導体成形体４０ｂを形成する。この段階で、フィルム３４上に第１導体成形体４０ａ、第１セラミック成形体１６及び第２導体成形体４０ｂによる積層膜４２が形成される。

その後、図１０Ｂに示すように、フィルム３４を鋳込み型３０内に設置し、スラリー３２を鋳込み型３０内に鋳込んだ後に硬化する。これによって、図１０Ｃに示すように、積層膜４２を含んだ第２セラミック成形体１８が得られる。この場合、図１１Ａに示すように、フィルム３４上に第２セラミック成形体１８が設置された状態になっているため、図１１Ｂに示すように、第２セラミック成形体１８を積層膜４２ごとフィルム３４から離型し、その後、焼成することによって、図９に示すように、積層体３７が第２セラミック焼成体１４で包まれ、且つ、積層体３７の一部の面が第２セラミック焼成体１４の一主面から露出した第３誘電体基板１０Ｃが得られる。

このように、第３誘電体基板１０Ｃにおいては、スラリー３２に熱硬化性樹脂前駆体を含んでいるため、スラリー３２の硬化時における乾燥収縮に伴う積層膜４２周りの部分の変形は小さい。従って、第２セラミック成形体１８のうち、積層膜４２の周りの部分の変形も小さく、第２セラミック成形体１８の一主面（積層膜４２の一主面が露出された面）の平滑性も良好となる。また、第１セラミック成形体１６のほか、第１導体ペースト３８ａ及び第２導体ペースト３８ｂにも熱硬化性樹脂前駆体を含んでいるため、積層膜４２が設置された鋳込み型３０内にスラリー３２を注入した際に、第１導体成形体４０ａ及び第２導体成形体４０ｂがスラリー３２の溶剤に容易に溶解することがなく（耐溶剤性の向上）、パターン形状の崩れは生じない。

そのため、一部誘電率が異なる第３誘電体基板１０Ｃでありながらも、誘電率が異なる境界部分の剥がれや崩れがなく、また、内部の誘電率が異なる誘電体の厚みを厚くでき、しかも、第１導体パターン３６ａ及び第２導体パターン３６ｂの剥がれや崩れがなく、また、第１導体パターン３６ａ及び第２導体パターン３６ｂの厚みを厚くでき、抵抗値の低減化、高周波特性の向上を容易に図ることができる。つまり、第３誘電体基板１０Ｃにおいても、回路基板や回路部品に使用した場合の構造設計や回路設計の自由度を向上させることができる。

［第４の実施の形態］
次に、第４の実施の形態に係る誘電体基板（以下、第４誘電体基板１０Ｄと記す）について図１２〜図１４Ｂを参照しながら説明する。

この第４誘電体基板１０Ｄは、図１２に示すように、上述した第３誘電体基板１０Ｃとほぼ同様の構成を有するが、積層体３７が第１導体パターン３６ａ〜第３導体パターン３６ｃを有する多層構造となっている点で異なる。

具体的には、第１導体パターン３６ａ上に下部第１セラミック焼成体１２ａが形成され、該下部第１セラミック焼成体１２ａ上に第２導体パターン３６ｂが形成され、該第２導体パターン３６ｂ上に上部第１セラミック焼成体１２ｂが形成され、該上部第１セラミック焼成体１２ｂ上に第３導体パターン３６ｃが形成され、これら第１導体パターン３６ａ、下部第１セラミック焼成体１２ａ、第２導体パターン３６ｂ、上部第１セラミック焼成体１２ｂ及び第３導体パターン３６ｃによる多層構造の積層体３７を含むように第２セラミック焼成体１４が形成されている。

ここで、第４誘電体基板１０Ｄの製造方法について図１３Ａ〜図１４Ｂを参照しながら説明する。

先ず、図１３Ａに示すように、フィルム３４上に第１導体ペースト３８ａを印刷法によってパターン形成した後、硬化してフィルム３４上に第１導体成形体４０ａを形成する。その後、第１導体成形体４０ａ上に第１ペースト２８ａを印刷法によってパターン形成した後、硬化して下部第１セラミック成形体１６ａを形成する。その後、下部第１セラミック成形体１６ａ上に、第２導体ペースト３８ｂを印刷法によってパターン形成した後、硬化して第２導体成形体４０ｂを形成する。その後、第２導体成形体４０ｂ上に第２ペースト２８ｂを印刷法によってパターン形成した後、硬化して上部第１セラミック成形体１６ｂを形成する。その後、上部第１セラミック成形体１６ｂ上に、第３導体ペースト３８ｃを印刷法によってパターン形成した後、硬化して第３導体成形体４０ｃを形成する。この段階で、フィルム３４上に第１導体成形体４０ａ、下部第１セラミック成形体１６ａ、第２導体成形体４０ｂ、上部第１セラミック成形体１６ｂ及び第３導体成形体４０ｃによる積層膜４２が形成される。

その後、図１３Ｂに示すように、フィルム３４を鋳込み型３０内に設置し、スラリー３２を鋳込み型３０内に鋳込んだ後に硬化する。これによって、図１３Ｃに示すように、積層膜４２を含んだ第２セラミック成形体１８が得られる。この場合、図１４Ａに示すように、フィルム３４上に第２セラミック成形体１８が設置された状態になっているため、図１４Ｂに示すように、第２セラミック成形体１８を積層膜４２ごとフィルム３４から離型し、その後、焼成することによって、図１２に示すように、積層体３７が第２セラミック焼成体１４で包まれ、且つ、積層体３７の一部の面が第２セラミック焼成体１４の一主面から露出した第４誘電体基板１０Ｄが得られる。

このように、第４誘電体基板１０Ｄにおいても、誘電率が異なる境界部分の剥がれや崩れがなく、また、内部の誘電率が異なる誘電体の厚みを厚くでき、しかも、第１導体パターン３６ａ〜第３導体パターン３６ｃの剥がれや崩れがなく、また、第１導体パターン３６ａ〜第３導体パターン３６ｃの厚みを厚くでき、抵抗値の低減化、高周波特性の向上を容易に図ることができる。なお、上部第１セラミック焼成体１２ｂの誘電率を第１誘電率ε１や第２誘電率ε２と異なる第３誘電率ε３にしてもよい。

ここで、鋳込み型３０を用いた製造方法（第１製造方法）での各構成部材の好ましい態様について説明する。

［第１導体ペースト３８ａ〜第３導体ペースト３８ｃ：第１製造方法］
第１導体ペースト３８ａ〜第３導体ペースト３８ｃとしては、バインダとしてエポキシ、フェノール等の未硬化物を含有するものが好ましいが、とりわけ、レゾール型フェノール樹脂を含有するものが好ましい。また、金属粉末については、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｒｈといった金属の単体又は合金、金属間化合物を用いることができるが、同時焼成されるセラミック部材に要求される特性、すなわち、焼成時の酸素分圧、温度、焼成収縮温度特性を考慮し、適宜選択される。焼成収縮温度特性については金属粉末組成だけではなく、金属粉末の粒径、比表面積、凝集度によっても適宜制御される。第１導体ペースト３８ａ〜第３導体ペースト３８ｃ中のバインダ分量については、例えば、Ａｇ粉末の場合、金属粉末重量の１％〜１０％の範囲を使用するが、セラミック部材の焼成収縮率、スクリーン印刷時の印刷性を考慮し、３〜６％の範囲が好ましい。

第１導体ペースト３８ａ〜第３導体ペースト３８ｃは、上述したように、印刷後、加熱硬化させるが、硬化条件は、硬化剤の種類により異なり、例えば、第１の実施の形態で使用するレゾール型フェノール樹脂の場合、１２０℃で１０分〜６０分硬化させる。

第１導体ペースト３８ａ〜第３導体ペースト３８ｃによる第１導体成形体４０ａ〜第３導体成形体４０ｃが形成されたフィルム３４（この場合、ＰＥＴフィルム）を鋳込み型３０に設置するが、ＰＥＴフィルムを鋳込み型３０に設置する際、ＰＥＴフィルムのうねりを抑制するため、所望の平行度、平坦度を有する型板に真空吸着、糊付け、静電吸着等の手段により吸着させる。

［鋳込み型３０（金型）：第１製造方法］
型板は、吸着手段に応じた板部材を使用する。例えば真空吸着の場合は、金属、セラミック、樹脂等の材質は関係なく、多孔質板や吸着用孔を多数あけた板を使用し、糊付けの場合は、糊との反応性がなく、後に溶剤等で糊を拭き取る際にも変質を起こさない材質の板を使用し、静電吸着の場合は、ＰＥＴと静電吸着し易い材料でできた板を使用することが好ましい。

鋳込み型３０は、内部にスラリー３２が流通する経路を有し、鋳込み硬化後のスラリー３２が所望の厚みの板状となるように、型板間に、積層膜４２が形成されたフィルム３４を設置することが好ましい。

フィルム３４は、ＰＥＴフィルム、離型剤をコートした金属板・セラミック板、あるいはテフロン（登録商標）樹脂板等を用いることができる。

そして、この鋳込み型３０に、反応硬化する樹脂を含有するスラリー３２を流し込み、硬化させる。

［スラリー３２：第１製造方法］
スラリー３２は、用途に応じ、アルミナ、安定化ジルコニア、各種圧電セラミック材料、各種誘電セラミック材料、といった酸化物セラミックスをはじめ、シリコンナイトライド、アルミナイトライドといった窒化物セラミックス、シリコンカーバイド、タングステンカーバイドといった炭化物セラミックス粉末やバインダとしてのガラス成分を含んだセラミックス粉末を無機成分と、例えば分散剤とゲル化剤もしくはゲル化剤相互の化学反応が誘起される有機化合物とからなる。

このスラリー３２は、無機成分粉末の他、有機分散媒、ゲル化剤を含み、粘性や固化反応調整のための分散剤、触媒を含んでもよい。有機分散媒は反応性官能基を有していてよく、あるいは有していなくともよい。しかし、この有機分散媒は、反応性官能基を有することが特に好ましい。

反応性官能基を有する有機分散媒としては、以下を例示することができる。

すなわち、反応性官能基を有する有機分散媒は、ゲル化剤と化学結合し、スラリー３２を固化可能な液状物質であること、及び鋳込みが容易な高流動性のスラリー３２を形成できる液状物質であることの２つを満足する必要がある。

ゲル化剤と化学結合し、スラリー３２を固化するためには、反応性官能基、すなわち、水酸基、カルボキシル基、アミノ基のようなゲル化剤と化学結合を形成し得る官能基を分子内に有していることが必要である。分散媒は少なくとも１の反応性官能基を有するものであれば足りるが、より十分な固化状態を得るためには、２以上の反応性官能基を有する有機分散媒を使用することが好ましい。２以上の反応性官能基を有する液状物質としては、例えば多価アルコール、多塩基酸が考えられる。なお、分子内の反応性官能基は必ずしも同種の官能基である必要はなく、異なる官能基であってもよい。また、反応性官能基はポリグリセリンのように多数あってもよい。

一方、注型が容易な高流動性のスラリー３２を形成するためには、可能な限り粘性の低い液状物質を使用することが好ましく、特に、２０℃における粘度が２０ｃｐｓ以下の物質を使用することが好ましい。既述の多価アルコールや多塩基酸は水素結合の形成により粘性が高い場合があるため、たとえスラリー３２を固化することが可能であっても反応性分散媒として好ましくない場合がある。従って、多塩基酸エステル、多価アルコールの酸エステル等の２以上のエステル基を有するエステル類を前記有機分散媒として使用することが好ましい。また、多価アルコールや多塩基酸も、スラリー３２を大きく増粘させない程度の量であれば、強度補強のために使用することは有効である。エステル類は比較的安定ではあるものの、反応性が高いゲル化剤とであれば十分反応可能であり、粘性も低いため、上記２条件を満たすからである。特に、全体の炭素数が２０以下のエステルは低粘性であるため、反応性分散媒として好適に用いることができる。

スラリー３２に含有されていてもよい反応性官能基を有する有機分散媒としては、具体的には、エステル系ノニオン、アルコールエチレンオキサイド、アミン縮合物、ノニオン系特殊アミド化合物、変性ポリエステル系化合物、カルボキシル基含有ポリマー、マレイン系ポリアニオン、ポリカルボン酸エステル、多鎖型高分子非イオン系、リン酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、アルキルベンゼンスルホン酸Ｎａ、マレイン酸系化合物を例示できる。また、非反応性分散媒としては、炭化水素、エーテル、トルエン等を例示できる。

［ゲル化剤：第１製造方法］
スラリー３２中に含有されるゲル化剤は、分散媒に含まれる反応性官能基と反応して固化反応を引き起こすものであり、以下を例示することができる。

すなわち、ゲル化剤の２０℃における粘度が３０００ｃｐｓ以下であることが好ましい。具体的には、２以上のエステル基を有する有機分散媒と、イソシアナート基、及び／又はイソチオシアナート基を有するゲル化剤とを化学結合させることによりスラリー３２を固化することが好ましい。

具体的には、この反応性のゲル化剤は、分散媒と化学結合し、スラリー３２を固化可能な物質である。従って、ゲル化剤は、分子内に、分散媒と化学反応し得る反応性官能基を有するものであればよく、例えば、モノマー、オリゴマー、架橋剤の添加により三次元的に架橋するプレポリマー（例えば、ポリビニルアルコール、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等）等のいずれであってもよい。

但し、反応性ゲル化剤は、スラリー３２の流動性を確保する観点から、粘性が低いもの、具体的には２０℃における粘度が３０００ｃｐｓ以下の物質を使用することが好ましい。

一般に、平均分子量が大きなプレポリマー及びポリマーは、粘性が高いため、本実施例では、これらより分子量が小さいもの、具体的には平均分子量（ＧＰＣ法による）が２０００以下のモノマー又はオリゴマーを使用することが好ましい。なお、ここでの「粘度」とは、ゲル化剤自体の粘度（ゲル化剤が１００％の時の粘度）を意味し、市販のゲル化剤希釈溶液（例えば、ゲル化剤の水溶液等）の粘度を意味するものではない。

ゲル化剤の反応性官能基は、反応性分散媒との反応性を考慮して適宜選択することが好ましい。例えば反応性分散媒として比較的反応性が低いエステル類を用いる場合は、反応性が高いイソシアナート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）、及び／又はイソチオシアナート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ）を有するゲル化剤を選択することが好ましい。

イソシアナート類は、ジオール類やジアミン類と反応させることが一般的であるが、ジオール類は既述の如く高粘性のものが多く、ジアミン類は反応性が高すぎて注型前にスラリー３２が固化してしまう場合がある。

このような観点からも、エステルからなる反応性分散媒と、イソシアナート基及び／又はイソチオシアナート基を有するゲル化剤との反応によりスラリー３２を固化することが好ましく、より充分な固化状態を得るためには、２以上のエステル基を有する反応性分散媒と、イソシアナート基、及び／又はイソチオシアナート基を有するゲル化剤との反応によりスラリー３２を固化することが好ましい。また、ジオール類、ジアミン類も、スラリー３２を大きく増粘させない程度の量であれば、強度補強のために使用することは有効である。

イソシアナート基及び／又はイソチオシアナート基を有するゲル化剤としては、例えば、ＭＤＩ（４，４’−ジフェニルメタンジイソシアナート）系イソシアナート（樹脂）、ＨＤＩ（ヘキサメチレンジイソシアナート）系イソシアネート（樹脂）、ＴＤＩ（トリレンジイソシアナート）系イソシアナート（樹脂）、ＩＰＤＩ（イソホロンジイソシアナート）系イソシアナート（樹脂）、イソチオシアナート（樹脂）等を挙げることができる。

また、反応性分散媒との相溶性等の化学的特性を考慮して、前述した基本化学構造中に他の官能基を導入することが好ましい。例えば、エステルからなる反応性分散媒と反応させる場合には、エステルとの相溶性を高めて、混合時の均質性を向上させる点から、親水性の官能基を導入することが好ましい。

なお、ゲル化剤分子内に、イソシアナート基又はイソチオシアナート基以外の反応性官能基を含有させてもよく、イソシアナート基とイソチオシアナート基が混在してもよい。さらには、ポリイソシアナートのように、反応性官能基が多数存在してもよい。

スラリー３２には、上述した成分以外に、消泡剤、界面活性剤、焼結助剤、触媒、可塑剤、特性向上剤等の各種添加剤を添加してもよい。

上述したスラリー３２は、以下のように作製することができる。

（ａ）分散媒に無機物粉体を分散してスラリー３２とした後、ゲル化剤を添加する。

（ｂ）分散媒に無機物粉体及びゲル化剤を同時に添加して分散することによりスラリー３２を製造する。

注型時及び塗布時の作業性を考慮すると、２０℃におけるスラリー３２の粘度は３００００ｃｐｓ以下であることが好ましく、２００００ｃｐｓ以下であることがより好ましい。スラリー３２の粘度は、既述した反応性分散媒やゲル化剤の粘度の他、粉体の種類、分散剤の量、スラリー３２の濃度（スラリー３２全体の体積に対する粉体体積％）によっても調整することができる。

但し、スラリー３２の濃度は、通常は、２５〜７５体積％のものが好ましく、乾燥収縮によるクラックを少なくすることを考慮すると、３５〜７５体積％のものがさらに好ましい。有機成分として分散媒、分散剤、反応硬化物、反応触媒を有する。このうち、例えば分散媒とゲル化剤もしくはゲル化剤相互の化学反応により固化する。

上述の例では、鋳込み型３０を用いて第１誘電体基板１０Ａ〜第４誘電体基板１０Ｄを製造した例を示したが、その他、スラリー３２の塗布によって第１誘電体基板１０Ａ〜第４誘電体基板１０Ｄを製造することもできる。

一例として、スラリー３２の塗布によって第３誘電体基板１０Ｃを製造する方法を図１５Ａ〜図１７Ｂを参照しながら説明する。

先ず、図１５Ａに示すように、基体６４上に第１導体ペースト３８ａを印刷法によってパターン形成した後、硬化して基体６４上に第１導体成形体４０ａを形成する。その後、第１導体成形体４０ａ上にペースト２８を印刷法によってパターン形成した後、硬化して第１セラミック成形体１６を形成する。その後、第１セラミック成形体１６上に、第２導体ペースト３８ｂを印刷法によってパターン形成した後、硬化して第２導体成形体４０ｂを形成する。この段階で、基体６４上に第１導体成形体４０ａ、第１セラミック成形体１６及び第２導体成形体４０ｂによる積層膜４２が形成される。なお、基体６４は、上述したフィルム３４と同様に、表面にシリコーン離型剤がコートされたＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）を用いることができる。

その後、図１５Ｂに示すように、熱硬化性樹脂前駆体と第２セラミック粉末と溶剤とが混合されたスラリー３２を、積層膜４２を被覆するように基体６４上に塗布する。塗布方法としては、ディスペンサー法や、図１６Ａ及び図１６Ｂに示す方法やスピンコート法等がある。図１６Ａ及び図１６Ｂに示す方法は、一対のガイド板６６ａ及び６６ｂの間に基体６４（積層膜４２が形成された基体６４）を設置し、その後、スラリー３２を、積層膜４２を被覆するように基体６４上に塗布した後、ブレード状の治具６８を一対のガイド板６６ａ及び６６ｂの上面を滑らせて（摺り切って）、余分なスラリー３２を取り除く方法である。一対のガイド板６６ａ及び６６ｂの高さを調整することによって、スラリー３２の厚みを容易に調整することができる。

その後、図１７Ａに示すように、基体６４上に塗布されたスラリー３２を硬化させ、さらに、図１７Ｂに示すように、基体６４を剥離、除去することによって、積層膜４２を含んだ第２セラミック成形体１８が得られる。この場合も、第２セラミック成形体１８の一主面（積層膜４２の一主面が露出された面）の平滑性は良好となる。

そして、積層膜４２を含んだ第２セラミック成形体１８を焼成することによって、図９に示すように、積層体３７の一部の面が第２セラミック焼成体１４の一主面から露出した第３誘電体基板１０Ｃが得られる。

ここで、塗布方法を用いた製造方法（第２製造方法）での各構成部材の好ましい態様について説明する。

［第１導体ペースト３８ａ〜第３導体ペースト３８ｃ：第２製造方法］
第１製造方法と同様であるため、重複する記載を省略するが、第２製造方法における第１導体ペースト３８ａ〜第３導体ペースト３８ｃは、樹脂と銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）系の金属の少なくとも１種類の粉末を含む。第１導体ペースト３８ａ〜第３導体ペースト３８ｃに使用される樹脂は、自己反応性のレゾール型フェノール樹脂であることが好ましい。

第１導体ペースト３８ａ〜第３導体ペースト３８ｃは、上述したように、印刷後、加熱硬化されるが、硬化条件は、硬化剤の種類により異なり、例えば、第２製造方法で使用するレゾール型フェノール樹脂の場合、温度８０〜１５０℃、時間１０分〜６０分で硬化させることができる。

［スラリー３２：第２製造方法］
第１製造方法と同様であるため、重複する記載を省略するが、第２製造方法におけるスラリー３２に含まれるセラミック粉末は、用途に応じて、アルミナ、安定化ジルコニア、各種圧電セラミック材料、各種誘電セラミック材料、といった酸化物セラミックスをはじめ、シリコンナイトライド、アルミナイトライドといった窒化物セラミックス、シリコンカーバイド、タングステンカーバイドといった炭化物セラミックス粉末やバインダとしてのガラス成分を含む。

スラリー３２に含まれる熱硬化性樹脂前駆体は、イソシアネート基又はイソチオシアネート基を有するゲル化剤と、水酸基を有する高分子とを有する。

上述した塗布方法のうち、ディスペンサー法や図１６Ａ及び図１６Ｂに示す方法にてスラリー３２を基体６４上に塗布する場合、スラリー３２の粘度は比較的高いことが好ましい。スラリー３２の粘度は第１製造方法と同様でもよいが、スラリー３２が低粘度だと、塗布した後の保形性が低く、流動による厚みバラつきが発生し易い。そのため、スラリー３２の粘度は２００ｃｐｓ〜２０００ｃｐｓが好ましい。

そこで、水酸基を有する高分子として分子量の大きい樹脂を用いることで、スラリー３２の粘度を高くできる。一例としてブチラール樹脂は分子量が大きいため、スラリー３２の粘度を高くするには好適である。もちろん、高分子の分子量でスラリー３２の粘度の制御が可能となることから、塗布方法に応じて、高分子として使用する樹脂を適宜選択すればよい。

上述したブチラール樹脂は、一般に、ポリビニルアセタール樹脂であるが、その中には原料のポリビニルアルコール樹脂に由来するＯＨ基が残るので、このＯＨ基がゲル化剤のイソシアネート基又はイソチオシアネート基と反応するものと考えられる。

特に、イソシアネート基又はイソチオシアネート基と反応に必要な量を超えてブチラール樹脂を添加すると、反応後に残ったブチラール樹脂は熱可塑性樹脂として作用するので、熱硬化性樹脂の欠点である、硬化後の接着性が悪くなるという特性を改善することができる。その結果、例えば図８に示すように、第２セラミック成形体１８を複数積層してセラミック積層体２１を構成する場合に、各第２セラミック成形体１８の接着性が良好となることから、製造過程において第２セラミック成形体１８が剥離するという不都合を回避でき、複数の第２セラミック成形体１８のセラミック積層体２１による誘電体基板の歩留まりを向上させることができる。

水酸基を有する高分子としては、その他、エチルセルロース系樹脂、ポリエチレングリコール系樹脂、あるいはポリエーテル系樹脂を好ましく用いることができる。

次に、スラリーに含まれる樹脂として、熱可塑性樹脂前駆体を用いた従来の誘電体基板の問題点と、第１誘電体基板１０Ａ〜第４誘電体基板１０Ｄ（以下、まとめて本実施の形態とも記す）による問題解決について説明する。なお、第１導体ペースト３８ａ〜第３導体ペースト３８ｃを総称して導体ペースト３８と記し、第１導体成形体４０ａ〜第３導体成形体４０ｃを総称して導体成形体４０と記す。

従来においては、熱可塑性樹脂を含むスラリーの乾燥収縮時に導体成形体との界面で隙間やクラックが発生したり、グリーンシートが凹凸形状になったりする。

一方、本実施の形態では、スラリー３２に熱硬化性樹脂前駆体を含ませて、乾燥時に熱硬化性樹脂前駆体を硬化させて三次元網目構造を生成させ、収縮を小さくすることで前記問題は解決される。

この場合、スラリー３２に使用する溶剤に、熱硬化性樹脂前駆体が硬化する温度での蒸気圧が小さいものを選定し、熱硬化時の溶剤乾燥による収縮を小さくすることが望ましい。室温で硬化する樹脂を用いた場合は、特に作業や装置が簡単になる。

ポリウレタン樹脂は、硬化後の弾性を制御し易く、柔軟な成形体も可能となる等の利点を有する。後工程での取り扱いを考えると、あまり硬い成形体は適さない場合があり、熱硬化性樹脂は三次元網目構造をとるので一般に硬いが、ポリウレタン樹脂は、柔軟性のある成形体も可能で、特にテープ状の成形体は、柔軟性が要求される場合が多いため望ましい。また、スラリー性状の制御のため、熱可塑性樹脂を含ませてもよい。

従来においては、熱可塑性樹脂を含むペーストや導体ペーストが、スラリーを塗布する際に、スラリーの溶剤に溶解して、パターン形状が崩れる。

一方、本実施の形態においては、ペースト２８や導体ペースト３８に熱硬化性樹脂前駆体を含ませているため、耐溶剤性が向上し、パターン形状の崩れは生じない。

熱硬化性樹脂前駆体は、硬化後は三次元の網目構造となり、元に戻らないため、硬化後は、溶剤への再溶解性がなくなり、一般に、熱可塑性樹脂よりも耐溶剤性が高い。

フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂が硬化前プレポリマーの分子量の制御ができ、ペースト性状のコントロールが可能なため、好適である。なお、熱可塑性樹脂をペースト性状の制御のために、熱硬化性樹脂と一緒に含めるようにしてもよい。

特に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂は、硬化剤が必要なく、加熱するだけで硬化するタイプがあり、導体ペースト３８の効率的な使用に適する。つまり、硬化剤の添加が必要な他の熱硬化性樹脂前駆体は、ペースト２８や導体ペースト３８を印刷する前に、硬化剤を混合する必要があるが、混合すると保存がきかない。従って、印刷後に残ったペースト２８や導体ペースト３８を回収して保存する必要のある印刷法によってペースト２８や導体ペースト３８を印刷する場合は、硬化剤を混合する必要がない熱硬化型エポキシ樹脂、熱硬化型フェノール樹脂が好適である。

従来において、熱可塑性樹脂をバインダとするセラミック成形体は、該セラミック成形体の密度ばらつきが発生し易く、そのために、焼成後のセラミック焼成体の寸法ばらつきが大きく、埋設された導体成形体の焼成寸法のばらつきも大きくなる。

一方、本実施の形態においては、熱硬化性樹脂前駆体をバインダに使用して第１セラミック成形体１６や導体成形体４０を埋設した第２セラミック成形体１８を得ることにより、焼成ばらつきを小さくすることができる。

例えば第２セラミック成形体１８の焼成後の寸法は、第２セラミック成形体１８のうち、第１セラミック成形体１６や導体成形体４０を除く部分の生密度により主に決まる。これは第２セラミック焼成体１４の構造は空隙が非常に少ないのに対し、第２セラミック成形体１８の上記部分は空隙が多いため、その空隙量の多少が、焼成中の収縮量を決めるからである。

従来の熱可塑性樹脂をバインダとして含むスラリーは、溶媒を乾燥してセラミック成形体を得るが、乾燥する際の塗工比（スラリー体積と成形後の成形体体積の比）が大きく、この大きな塗工比が成形体密度のばらつきの原因となる。

しかし、本実施の形態のように、熱硬化性樹脂前駆体をスラリー３２のバインダとして使用した場合は、溶剤を含んだままでも硬化するため、塗工比を小さくすることができ、生密度のばらつきを小さくすることができる。その結果、焼成後の寸法ばらつきが小さくなり、埋設した第１セラミック成形体１６や導体成形体４０の寸法ばらつきも小さくすることができる。

なお、本発明に係る誘電体基板の製造方法は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

１０Ａ〜１０Ｄ…第１誘電体基板〜第４誘電体基板
１２…第１セラミック焼成体
１４…第２セラミック焼成体
１６…第１セラミック成形体
１８…第２セラミック成形体
２１…セラミック積層体
２８…ペースト
３０…鋳込み型
３２…スラリー
３４…フィルム
３６ａ…第１導体パターン
３６ｂ…第２導体パターン
３７…積層体
３８ａ…第１導体ペースト
３８ｂ…第２導体ペースト
４０ａ…第１導体成形体
４０ｂ…第２導体成形体
４２…積層膜
６４…基体

Claims (12)

1. 一部誘電率の異なる誘電体基板の製造方法において、
   少なくとも熱硬化性樹脂前駆体と第１セラミック粉末との混合物を硬化して第１セラミック成形体を形成する第１セラミック成形体作製工程と、
   熱硬化性樹脂前駆体と第２セラミック粉末と溶剤とが混合されたスラリーを、少なくとも前記第１セラミック成形体を被覆するように供給した後に硬化して、前記第１セラミック成形体を被覆した第２セラミック成形体を形成する第２セラミック成形体作製工程と、
   前記第１セラミック成形体及び前記第２セラミック成形体を焼成する焼成工程とを有することを特徴とする誘電体基板の製造方法。
2. 請求項１記載の誘電体基板の製造方法において、
   前記第１セラミック成形体作製工程は、
   前記熱硬化性樹脂前駆体と前記第１セラミック粉末を含むペーストを所定の形状に成形した後、硬化して前記第１セラミック成形体を作製することを特徴とする誘電体基板の製造方法。
3. 請求項１又は２記載の誘電体基板の製造方法において、
   前記混合物に含まれる熱硬化性樹脂前駆体は、ポリウレタン樹脂前駆体であることを特徴とする誘電体基板の製造方法。
4. 一部誘電率の異なる誘電体基板の製造方法において、
   フェノール樹脂と第１セラミック粉末との混合物を硬化して第１セラミック成形体を形成する第１セラミック成形体作製工程と、
   熱硬化性樹脂前駆体と第２セラミック粉末と溶剤とが混合されたスラリーを、少なくとも前記第１セラミック成形体を被覆するように供給した後に硬化して、前記第１セラミック成形体を被覆した第２セラミック成形体を形成する第２セラミック成形体作製工程と、
   前記第１セラミック成形体及び前記第２セラミック成形体を焼成する焼成工程とを有することを特徴とする誘電体基板の製造方法。
5. 請求項４記載の誘電体基板の製造方法において、
   前記第１セラミック成形体作製工程は、
   前記フェノール樹脂と前記第１セラミック粉末を含むペーストを所定の形状に成形した後、硬化して前記第１セラミック成形体を作製することを特徴とする誘電体基板の製造方法。
6. 請求項２又は５記載の誘電体基板の製造方法において、
   前記第１セラミック成形体作製工程は、
   基体上に前記ペーストをパターン形成し、その後、硬化して前記第１セラミック成形体を作製することを特徴とする誘電体基板の製造方法。
7. 請求項６記載の誘電体基板の製造方法において、
   前記第２セラミック成形体作製工程は、
   前記基体上に成形された前記第１セラミック成形体を被覆するように塗布した後に硬化して前記第２セラミック成形体を作製することを特徴とする誘電体基板の製造方法。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の誘電体基板の製造方法において、
   前記スラリーに含まれる前記熱硬化性樹脂前駆体は、ポリウレタン樹脂前駆体であることを特徴とする誘電体基板の製造方法。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の誘電体基板の製造方法において、
   前記第２セラミック成形体作製工程は、
   前記スラリーを前記第１セラミック成形体と導体成形体とを被覆するように供給した後に硬化して前記第２セラミック成形体を作製することを特徴とする誘電体基板の製造方法。
10. 請求項９記載の誘電体基板の製造方法において、
    前記導体成形体は、少なくとも前記第１セラミック成形体に接するように形成されていることを特徴とする誘電体基板の製造方法。
11. 請求項９又は１０記載の誘電体基板の製造方法において、
    前記導体成形体は、熱硬化性樹脂前駆体と銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）系の金属の少なくとも１種類の粉末を含む導体ペーストをパターン形成し、その後、硬化してなることを特徴とする誘電体基板の製造方法。
12. 請求項９又は１０記載の誘電体基板の製造方法において、
    前記導体成形体は、フェノール樹脂と銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）系の金属の少なくとも１種類の粉末を含む導体ペーストをパターン形成し、その後、硬化してなることを特徴とする誘電体基板の製造方法。

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