TW574584B

TW574584B - Method for manufacturing electro-optic element

Info

Publication number: TW574584B
Application number: TW90107483A
Authority: TW
Inventors: Yoichiro Maeda; Nobuhiro Nakamura; Nobuaki Ishiga; Kazunori Inoue
Original assignee: Advanced Display Kk
Priority date: 2000-03-30
Filing date: 2001-03-29
Publication date: 2004-02-01
Also published as: KR20010095037A; US20010029054A1; JP2001281698A; US6468822B2; KR100792982B1

Description

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本發明係有關於 TFT稱之）作為開關元文中將以LCD稱之）的之主動矩陣型液晶顯亦使用具有低阻值之微影製程，而形成具板’以改善顯示特性使用液晶以顯示耗而受到高度重視， CRT平面顯示器之一一種具有薄膜電晶體（在後文中將以 1之主動矩陣型液晶顯示裝置（在後製造方法，特別是關於一種使用以丁不裝置（TFT-LCD)之製造方法，藉由線材作為閘極線和源極線之五道光學有極少點缺陷和線缺陷之TFT陣列基及生產力。的光電元件，因其薄元件及低電力消故大量地應用至產品上，作為替代使用液晶以顯示的光電元件，有簡單矩陣型LCD和使用TFT作為F肩關元件的TFT-LCD。以可攜性和顯示品質而言，具有優於CRT或簡單矩陣型LCD的TFT-LCD，已被大量地商品化成筆記尺寸個人電腦等等。一般而言，在 TFT-LCD中，液晶層插置於TFT陣列基板和相對基板之間。在相對基板上，設置共電極和彩色濾光片。在此類TFT陣列基板和相對基板的外側上，各自具有偏光片，而此外，在一側上提供背光。以此構造，可得到令人滿意的色彩顯示0 然而，在TFT-LCD中，需要製造TFT陣列基板，其中使用製備半導體的技術，在玻璃基板上將TFT形成為陣列，且窝要大量的製程。因此，有各種缺陷可能發生，降低良率，需要更多製造設備，以及製造成本因而增加的問題。日本專利申請編號268353/1998揭露一種主動矩陣型

2066-3892-PF.ptd 第4頁 574584 五、發明說明（2) 液晶顯示器的製造方法，用以解決該等問題，其中Tj?t陣列係經由五道光學微影製程而製備。第7至9圖所示為揭露於曰本專利申請編號 268353/1998之習知TFT陣列基板的週邊部份的剖面圖，而第3圖為平面說明圖。第7圖之剖面綱要地顯示白第3圖中之X-X線所取出的剖面構造’而第8和9圖各自綱要地顯示位在顯示區域外側之TCP端點部份的剖面構造。該TCP連接閘極線，源極線，輔助電容線，以及相對基板之共電極的信號電位源，以供給輸入至閘極線，源極線，輔助電容線，以及相對基板之共電極的信號電位。請參照第7至9圖和第3圖，編號1指示閘極電極，2為輔助電容電極，3為閘極絕緣膜，4為半導體歐姆接觸膜’6為没極電極，7為源極電極，8為動鈍化』為9 =，畫，接觸孔，10為具有輔助電容（在後文中將以I，輔助電二=之）的部份，丨丨為畫素電極，丨2為第一顯示部份導出篦iTrP、^rJCP連接電極，14為第一Tcp端點接觸，15為 ΤΤΡΦ 4範圍、，16為第二顯示部份導出線，17為第二 r m 2虽1 8為第二TCP端點接觸，19為第二TCP連接而23為+導體主動膜和歐姆接觸膜。 5亥閑極電極1為^^ jjr λλ. 〇為-電極，作為自m為閑極線21之一部份，或 fi 〇 ^ Μ BA ^ Θ極線2 1分枝出來連接至各個TF Τ的端點。3輔助電容電極？ & ^ 才Ζ為一自辅助電容線20分枝出來的電 574584 五、發明說明（3) 極，以及延伸至該電極與畫素電極n重疊處的部份。在輔助電容電極2和畫素電極n之間，以包括第一絕緣膜（閘極絕緣膜）和第二絕緣膜之疊合膜作為介電物質，而形成辅助電容10。形成該辅助電容，以電性地並聯至畫素電極n 和共電極之間經由液晶形成的液晶電容。在第3圖中的編號23之半導體主動膜和歐姆接觸膜包括上側和下側二戶，其在第7圖中編號為4和5。曰此習知技術揭露一種經由五道光學微 Z 2 2 的'古择至’味7過由半導體主動膜和歐姆接觸膜23所形成 7 之*&\/兄，此效應幾乎可消除源極線2 2和源極電極 m線具有歐姆接觸膜之半導體主動膜23在畫素下，藉由建構晝素電極n和各個具有歐姆接觸膜之半導體主動膜 ίΠ而八”夕、/i & &膜23 及將經由第二絕緣膜（鈍化膜線22，|減少源極線22和畫素之間，由於半導體主動膜2和源極線22之不良製形或由於照光之半導體主動膜4之阻值降低所習知:，據揭露於曰本專利申請編號26835 3/1 998之線22的1屈策使用低阻值線材（如鋁）做為閘極線21和源極㈣的部^ 料的情況下’將在包括閉極線21或源極及電性連接其間的畫素電極11之間，形成 J亥氧化層在閘極線21和畫素電極11的各個接ί 。”…戈源極線22和畫素電極u的各個接觸部#，造成】 2066-3892-PF.ptd 第6頁 574584 五、發明說明（4) $觸電阻。此造成顯示缺陷。亦即，根據上述方法，不可能使用如鋁之低阻值線材作為線材，以製備^卜LCD。本發明係有關於一種光電元件之製法，包括：一第— 絕緣基板，其中將具有畫素電極電性連接至TFT的顯示晝素形成為矩陣；一TFT陣列基板，其中用以循序掃描各^ τ的閘極線，與提供信號電位至晝素電極的源極線直角交叉；以及一具有相對基板之第二絕緣基板，其上形成彩 $濾光片和共電極，其中該TFT陣列基板與該相對基板固/ 定成以一液晶層插置於其間，以及偏光片各置於該TFT陣列基板與該相對基板的外側，包括下列步驟： (a) 在該第一絕緣基板上形成第一金屬薄膜之後，以第一光學微影製程對該第一金屬薄膜製形，以形閘極線和該TFT之閘極電極； & - i迷 (b) 以第二光學微影製程對半導體主動膜以乾性蝕刻士形，其中該半導體主動膜和該歐姆接觸膜以連續形狀形 ΐ腓於該源極線和該TFT所形成的部份，纟中該製形於形成第一絕緣膜，半導體主動膜，㊉歐姆接觸對兮(】)一在:麗成/二金屬薄膜之後’卩第三光學微影製程製形’以形成源極線和m之源極與没兮、及極電柽=ί性蝕刻蝕去自該源極㉟，該源極電極，和 ”亥/及極電極伸出之該歐姆接觸膜；外够（d)在形成第二絕緣膜之後，以第四光學微影製程掛 k第二絕緣膜與該第一絕緣膜製形，並形成至少穿透至該

2066-3892-PF.ptd 574584 五、發明說明（7) 作更明白的說明。以下將參照所附圖式，對本發明作更詳細的說明圖式簡單說明施例之顯示畫素的三實施例之由第一圖；第四實施例，以及中之顯示畫素之平施例之顯示畫素的三實施例之由第二圖；施例之顯示畫素的利申請編號之剖面圖；利申請編號成之TCP端點部份之利申請編號成之TCP端點部份< 第1圖係顯不有關於本發明第^ 實主要部份之剖面圖；第2圖係顯示有關於本發明第一和金屬薄膜所形成之TCP端點部份之剖面第3圖係顯示有關於本發明第一至揭露於日本專利申請編號26 8353/1 998 面圖；第4圖所示為有關於本發明第二實主要部份之剖面圖；第5圖係顯示有關於本發明第二和金屬薄膜所形成之TCP端點部份之剖面第6圖所示為有關於本發明第三實主要部份之剖面圖；第7圖所示為有關於揭露於日本 268353/1 998中之顯示畫素的主要部份、第8圖所示為有關於揭露於日本專 268353/1 998 中之由莖—& Μ , τ <田弟金屬薄膜所形剖垮圖；以及第9圖所示為有關於揭露於 268353/1998中之由箆-厶居$ i T <田弟一金屬薄膜所形

2066-3892-PF.ptd 第10頁 574584 五、發明說明（8) 剖面圖。符號說明閘極電極〜1，第二層〜lb ; 第一層〜2 a ; 閘極絕緣膜〜3 ; 歐姆接觸膜〜5 ; 第一層〜6 a ; 源極電極〜7 ; 第二層〜7b ; 畫素接觸孔〜9 ; 晝素電極〜1 1 ; 第一層〜12a ; 第一TCP連接電極〜13 ; 第一TCP連接範圍〜15 ; 第一層〜1 6 a ; 第二TCP連接電極〜17 ; 第二TCP連接範圍〜1 9 ; 閘極線〜2 1 ; 半導體主動膜和歐姆接實施例 TFT陣列基板第一層〜1 a ; 輔助電容電極〜2 ; 第二層〜2b ; 半導體主動膜〜4 ; 汲極電極〜6 ; 第二層〜6b ; 第一層〜7 a ; 鈍化層〜8 ; 輔助電容〜1 0 ; 第一顯示部份導出線〜12 ; 第二層〜12b ; 第一 TCP端點接觸〜14 ; 第二顯示部份導出線〜16 ; 第二層〜16b ; 第二TCP端點接觸〜18 ; 輔助電容線〜2 0 ; 源極線〜2 2 ; 觸膜〜23。

2066-3892-PF.ptd 第11頁 574584 五、發明說明（9) "一"' 在第3圖中，係顯示有關於本發明第一至第三實施例中之顯不畫素之平面圖。有關於本發明第一實施例之TFT J基板的剖面圖示於第i圖，第二實施例於第4圖，而第二^，例於第6圖。在第2圖中，係顯示有關於本發明第一和二實施例之由第一金屬薄膜所形成iTCp端點部份之剖面圖。在第5圖中，係顯示有關於本發明第二和三實施例之由第二金屬薄膜所形成之Tcp端點部份之剖面圖。

如第2圖中所示，有關於本發明第一和三實施例之TFT ，列基板具有一構造，使得氮原子包含在包括一第一金屬薄膜之第一顯示部份導出線12(閘極線）的介面之附近區域中’經由一形成於閘極絕緣膜3和鈍化膜8中之接觸孔，而接觸至包括顯示電極材料之第一 Tcp端點接觸14。替換地，其具有一構造，使得氮原子包含在包括一第二金屬薄 $之第二顯示部份導出線16(源極線）的介面之附近區域 ’經由一形成於閘極絕緣膜3和鈍化膜8中之接觸孔，而接觸至包括顯示電極材料之第二TCp端點接觸18。有關於本發明第一和三實施例之TFT陣列基板可根據 =列五道包括光學微影製程的步驟而製備。 [(a)第一光學微影製程]

#哲首先，第一金屬薄膜形成於第一絕緣基板上。接著， ^ 一金屬薄膜被製形以形成閘極線21 *TFT的閘極電極可使用玻璃基板，熱透明塑膠基板等等，透明玻璃基板，抗熱塑膠基板，抗作為邊絕緣基板。

574584 五、發明說明（11) 小於2nm時，難以製備均勻的膜，且有本發明之效充分發揮的趨勢。另一方面，涵上述金屬或合金的氮，化物 (例如，氮合金）具有比非金屬或合金的氮化物（例如鋁人金）更尚的特徵阻值，當膜厚大於1〇〇nm時總阻值增加，σ 有低阻值材料的優點無法完全得到的趨勢。例如，鋁合金膜起初可利用使用純氬氣之濺鍍方形成為20〇nm(2〇00埃）厚，再接著可形成鋁氮合金 f。該鋁氮合金可利用以引入氬和氮之反應性濺鍍方法，或使用鋁氮靶材之濺鍍方法而形成。根據此方&，連形成將改善處理的效率，且因靶材僅二現低成本。 ^ j貫現用錐之銘氮膜製備製程為在銘合金膜形成之後利處理的钮人ί法之氮摻雜製程，以及利用使用氮氣之電漿處理的紹合金表面氮化製程。形，=二第一光學微影製程中，對第-金屬薄膜製助電κι 電極1 :閘極線21 ’輔助電容電極2，輔狀。谷、、，和第一顯示部份導出線1 2各形成適當的形步'驟=)微二 ==驟⑴至⑷的次序實行。該成第-金屬薄膜；(2)在第1屬即第-上絕緣乾缚之，且接著經由一遮屬4膜·^加感光光阻並地形成特定圖荦以製借且右、a $ +先颍〜，其上光學微影板，亦即第屬ί::=形狀轉換則陣列基金屬4膜上，之感光光阻；（3)在以熱燒烤

2066-3892-PF.ptd 第14頁 574584 五、發明說明（12) 感光光阻之後實行蝕刻；以及（4)剝離感光光阻當感光光阻和T F T陣列基板，亦即第一金屬薄膜，之間的潤濕度不相容，並產生爬痕時，可採取如在施加减光光阻紫外線清潔，或施以HMDS(hexamethyl disilazan〜）或 (CH^Si-N = N-Si(CH3)3蒸氣以改善潤濕度的對策。又，在3 感光光阻與TFT陣列基板，亦即第一金屬薄膜之間附著性不佳而剝落的況下，可採取以熱提昇燒烤溫度，延長時間及其他方法。當如在本實施例中以鋁合金構成膜時，第一金屬薄膜的#刻可以使用已知之包括磷酸，硝酸，和醋酸之蝕刻液的濕蝕刻。

篇二實施你丨在第二實施例中，薄膜可為選自包括鋁，鈕，鶴，銅和銀之族群之一的金屬，或包括至少該等金屬之一作為主成份的合金，亦即，使用由加入微量其他物質至至少該等金屬之一而得到之合金作為第一金屬薄膜，其製成閘極電極1，閘極線21，辅助電容電極2，辅助電容線2〇，和第一顯示部份導出線12。利用濺鑛方法等等施加該第—金屬薄膜。絕緣基板，例如玻璃基板，的整個表面，金屬薄膜覆蓋。

可使用具有約100至50〇11[11(1〇〇〇至5〇〇〇埃）的膜厚之薄膜作為第—金屬薄臈。小膜厚可改善其上對在第-層上之圖案差別處之開極絕緣膜3的階梯覆蓋，但總線阻值會增加另方面’大膜厚可降低總線阻值，但其上對在第一層上之圖案差別處之閘極絕緣膜3的階梯覆蓋會變差。所

574584 五、發明說明（13) 以，需要如將第一層的邊緣製形成斜面狀的因接觸孔在後述製程中在弟—金屬，。顯示部份導出線1 2，上以乾性蝕刻形成，且^即，第一 :乍為畫素電極η的導電薄膜，第一金屬薄膜為：=: f化抵抗性或即使氧化之後仍維持導電性的金屬薄面。該金屬薄膜以鉻’鉬，或鈦較佳。此外使用：合不同種金屬薄膜而得到的金屬_ 不同成份之金屬薄膜，作為第一金屬薄膜。、予向八有 [(b)第二光學微影製程] 、接著’形成第一絕緣膜’即閘極絕緣膜3 =4，和歐姆接觸膜5。然後，在第二光 $軟性㈣製形成大於在源極線22和爪的部份之1 連程續中形狀，而形成半導體主動膜4和歐姆接觸膜5。姆接ίϋ緣膜，即閑極絕緣膜3，半導體主動膜4，和歐 Μ⑽Μ法等等’連續地形成在絕緣基板為繁:Ϊ^ίΝχ膜’ Si〇y膜’ Si〇A膜’或其疊合膜’作 i中亦為ίϊ:即閘極絕緣膜3。各x，y，z，和w值在後佳。Ϊ絕緣膜的膜厚以約300至60 0nm( 3000至600 0埃）較路4二膜厚小時’可能在閉極線21和源極線2 2的交叉部份後瞪丑，、。因此，第一絕緣膜3的膜厚以至少為第一金屬雷二始9，、為閘極電極1，閘極線21，輔助電容電極2，輔助谷綠0，和第一顯示部份導出線丨2，的膜厚較佳。當其第16頁 2066-3892-PF.ptd 574584

五、發明說明（15) PH3，或仏，或其混合氣體形成。之後，半導體主動膜4和歐姆接觸膜5在第二光學微影製程中製形而形成。該製形係於顯示晝素TFT(後文中將以 TFT部份稱之）和源極線22(後文中將以源極線部份稱之）^ 形成的部份，以使用大於源極線22和TFT所形成的部份之圖案加以實行，以使其亦可得到連續形狀。半導體主動膜 4和歐姆接觸膜5係使用已知的氣體如sf6 4CF4與11(：1，、 C ，〇2，或H e之混合氣體的乾性蝕刻而加以餘刻。已說明在此製程中’半導體主動膜4和歐姆接觸膜5，在顯示畫素TFT和源極線所形成的部份上，形成為連續形狀。然而，在此製程中，需要自第二顯示部份導出線丨2以餘刻移除半導體主動膜4和歐姆接觸膜5，以經由其拉出源極線22。在源極線22上形成半導體主動膜4和歐姆接觸膜' 5，使得其跨越顯示部份外側的源極側導出線。希望半導體主動膜4和歐姆接觸膜5的部份的形狀，其跨越源極側導出線，使其延長末端面長度。此形狀避免源極線22在半導體主動膜和歐姆接觸膜23之僅有的圖案差別處斷線，其存在於源極線22之下，在自顯示部份至Tcp端點所形成的部份的區域（驅動輸出連接端點，在後文將以端點部份”稱之）。當形成第二膜以覆蓋具有某一圖案 ^ 膜時，在第二膜位在第一膜的圖案邊緣的某些部份會虞生差別。此差別稱作為圖案差別。，以將半導體主動膜4和歐姆接觸膜5的邊緣蝕刻成斜面形狀較佳，因其可避免源極線22在半導體主動膜和歐姆

574584 五'發明說明（16) --- 接觸膜23之僅有的圖案差別處斷線，其存在於源極線以之下’在自顯示部份至TCP端點部份的區域。 [(c)第三光學微影製程] 其次，形成將作為源極電極7，源極線22，汲極電極 6，和顯示部份導出線丨6的第二金屬膜。然後，在第三光學微影程中，製形源極線22和TFT之源極電極7與汲極電極 6自源極線2 2，T F T之源極電極7，和汲極電極6突出之姆接觸的部份，以乾性蝕刻蝕去。第一實施例在第一實施例中，可使用選自包括鋁，鈕，鎢，銅和，之族群之一的金屬，或包括至少該等金屬之一作為主成份的合金，亦即，使用由加入微量其他物質至至少該等金屬之一而得到之合金作為第二金屬薄膜。利用濺鍍方法等等施加該第二金屬薄膜。絕緣基板，例如玻璃基板，的整個表面，可被此第二金屬薄膜覆蓋。可使用具有約100至500 nm (1〇〇〇至5000埃）的膜厚之薄膜作為第二金屬薄膜。小膜厚可改善其上對在第二層上之圖案差別處之鈍化膜8的階梯覆蓋，但總線阻值會增加。另一方面，大膜厚可降低總線阻值，但其上對在第一層上之圖案差別處之鈍化膜8的階梯覆蓋會變差。所以，需曰要如將第二層的邊緣製形成斜面狀的對策。接觸孔在後述製程中在第二金屬薄膜，亦即，汲極極6和第二顯示部份導出線丨6，上以乾性蝕刻形成，且進一步形成將作為晝素電極11或第二TCP連接電極的導電 574584 五、發明說明（17) U 金屬薄膜為一具有表面氧化抵抗性或即使 :化，後：維持導電性的金屬溥膜較佳。鉻，鉬，或鈦較佳。绳/守勝以叙2歐姆接觸膜5之金屬薄膜的介面包括鉻， :，t i 因可得到對歐姆接觸膜5優異的接觸特性。此外，可使用不同種金屬薄膜之叠合或在厚度具有不同成份的金屬薄膜作為第二金屬薄膜。其-人，在第二光學微影製程中，第二金 m之源極電極7，源極線22，沒極電極6，和顯示、^成出線16的形狀。此外，蝕刻去自源極線22，川之極7，和汲極電極6突出之歐姆接觸膜5的部份，以素部份之TFT通道。 a | 第二金屬膜的蝕刻，以使用眾所週知的蝕刻液，例如，若第二金屬膜包括鉻，由混合硝酸胺和硝酸而得到之水溶液，以作濕性蝕刻。以將第二金屬膜的邊緣蝕刻成斜面形狀較佳，因其可避免包括在其上形成的導電薄膜之電極圖案之斷線。歐姆接觸膜5的餘刻，可以使用眾所週知的氣體，例如，如SFe或CL與HC1，C12，〇2，或He之混合氣體，以乾性餘刻實行。在歐姆接觸膜5的餘刻中，餘刻的深度控制成至少移除歐姆接觸膜5而不損失位在其下的半導體主動膜41，的程度。由得到具有較大移動率之tft的觀點，希望儘可能留下下側的半導體主動膜4。第二和第三實施例 2066-3892-PF.ptd 第20頁 574584 五、發明說明（18) 在第二和第三實施例中，坌-之第-廣6a，7a，和16a，以及第二金茲屬/膜包括構成金屬屬上而得到的第二層6b，7b，及和=藉由加入氮原子於金在第二和第三實施例中，形成之2 > 一層。因此，成金屬’接著形成藉由加入氮原子“屬a:: :=a構上層6b，7b ’和16b。該第—層6a，7a，和16a: =第: 6b，7b，和1 6b利用濺鍍等等而製備。及第一層第-層6a ’7a，和l6a之金屬可為選自包括鋁，鈕，鶴，銅和銀之族群之_的金屬，< 包括至少該等金屬之一作為主成份的合金。第二層61)，7b，和16b之金屬可為氮原子加入選自包括鋁，鈕，鎢，銅和銀之族群之一屬’或包括至少該等金屬之一作為主成份的合金。第一層6a，7a，和16a之膜厚可決定為在可得到 TFT-LCD所需之線阻值之範圍内的任意值。然而，一般而言，以形成該層在約100至50〇nm( 1 0 00至5〇〇〇埃）的膜厚範圍内較佳。當第一層6a，7a，和I6a之膜厚小時，可改善巳其上對在第一層上之圖案差別處之純化膜8的階梯覆蓋，但總線阻值會增加。另一方面，當膜厚大時，可降低麴線阻值，但其上對在第一層上之圖案差別處之鈍化膜8-的%皆梯覆蓋會變差。所以，需要如將第一層的邊緣製形狀的對策。 ’ 較佳地，形成第二層6b，7b，和16b在約2至i〇0nm(2〇至1 000埃）的膜厚範圍内。當第二層6b，7b，和16b之膜厚小於2nm時，難以製備均勻的膜，且有本發明之效果無法

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五、發明說明（19) 充分發揮的趨勢。另一方面，因上述金屬或合金的氮化 (例如鋁氮合金）具有比非金屬或合金的氮化物（例如鋁人金）更高的特徵阻值’當膜厚大於10〇111„時總阻值增加' 有低阻值材料的優點無法完全得到的趨勢。 ,、例如，鋁合金膜起初可利用使用純氬氣之濺鍍方 =成為20〇nm(20 0〇埃）厚，再接著可形成鋁氮合金為， f。該鋁氮合金可利用以引入氬和氮之反應性濺鍍方或，用銘氮乾材之賤鍍方法而形成。根據此方 J肢形成將改善處理的效率，且_僅低成本。 4貫現 β #二使用鋁合金作為第二金屬薄膜，即源極電極7，源，線22;’汲極電極6 ’和顯示部份導出線…夺，有時難 :i在遠膜和其下之歐姆接觸膜5之間的優良電接觸。在 i二士下，以在鋁合金下方形成約在10至2〇Onm範圍内之具有南溶點的金屬膜較佳，，如鉻，鈦和组。円之形成ίτ據陵該Λ步驟’經由五道各自包括光學微影的製程而一構造，估1土氣板。如第5圖中所示，該TFT陣列基板具有份導出線1 r : f子包含在上述第二金屬薄膜，即顯示部之門66、八”由晝素電極材料構成之第二TCP端點接觸18 觸，H面附近區域中，亦即，經由製於鈍化膜8上之接 m氮原子/元素而得到之第二層的搆造。 [(d)第四光學微影製程] &笛二=&形成將成為鈍化膜8的第二絕緣膜。然後第— 、、、、膜在第四光學微影製程中製形，以形成至少到

2066-3892-PF.ptd 第22頁 574584 五、發明說明（20) im表面之晝素接觸孔9 ’和至少到達第二金展、银第一頌不導出線之表面的第二接觸孔。金屬薄 ^二絕緣膜可以電聚CVD製程形成。第子包括SlNx膜，Si〇y膜，和SiOzNw膜。第二絕緣胺緣膜之例可為至少約20〇nm( 2000埃）。在使用特別厚膜卢的臈厚 :在=接觸孔的乾性㈣期間光阻被除去的v兄題下，膜厚應該依據在接觸孔和第二絕緣膜的碭。因之光阻而選擇。乾随蝕刻期間 S膜厚特別大時，由於在雷搞薄联，亦即畫素電㈣，上連由接在的圈案差別，而發現斷綠。0此.，膜厚的上之間形成膜的階梯覆蓋而決定。p皆梯覆蓋意謂在一表面2 電薄差別上之膜覆蓋的品質。較佳地，由生產力的=:圖案膜厚約為200至6〇〇nm(2〇〇〇至600 0埃），實行光$看，之間的組合，卩㈣二絕緣膜等等上形和乾餘刻之後，在第四光學微影製程中，對第二絕緣膜，即閉極絕緣膜3，製形，以形成接觸孔緣膜和第一為到達咖極6，第一TCP端點接觸二將表？之 | =觸孔9，亦即到達第一金屬薄膜’即第一顯示部份 :出線12:和第二TCP端點接觸，亦即到達第二金屬薄、’即第二顯示導出線16之表面的第二接觸孔。第二絕緣膜和第一絕緣膜，即閘極絕緣膜3，之蝕 = 已知之氣體’如^與〇2之混合氣體或cp4與02 之混a氣體，的乾餘刻而實行。

2066-3892-PF.ptd 574584 五、發明說明（21) 說明了在此製程中形成畫素接觸孔9 ,第一κρ 觸14，和第二TCP端點接觸18，但除此之製造TFT陣列基板所f之垃錨了丨 , M 17 & w,::二例如，形成位在轉換端 ί古Λ 換端點部份"稱之)之接觸孔，以使用二有導電顆粒之樹脂以電性連接相對基板和tft陣列基在形f晝素接觸孔9和第二Tcp端點接觸以的情況下，以餘刻除去第二絕緣膜，而名开彡出筮产π下，^為μ^Γ 在形成第一Tcp端點接觸14的 1\ 第一絕緣膜，亦即閘極絕緣膜3。因

Li! ΐί 9和第二Tcp端點接觸18的第二金屬薄膜表面’亦即没極電極6和第別曝露至電漿以作時間乾性㈣、I物導出線16特當金屬薄膜表面，亦即波極 ’曝露至電漿以作長時間乾性❹，第且-若= 電極6和第二顯示部，/=及極用作為第二金屬值增加。所以’需要選擇線16之材料的種^，、盘：：：極電極6和第二顯示部份* t % m + 〃乾性蝕刻中氣體的種類。、屬4膜’亦即汲極電極6和第二顯示邙份屮綠】由氣體的聚合反時間乾性姓刻，有一種情況會稱之）。在此情、、兄"下生沈積物（在後文中將以"沈積物" 移除沈積物較佳。夢二二用使用。2氣體的電漿’灰化以曰由移除该沈積物，可在該金屬薄膜和第24頁 2066-3892-PF.ptd 574584

得到令人滿意的接觸其上各個導電薄膜之間在接觸孔上，特性。雖然有某種程度的差別接觸14，於上述在蝕刻中氣由導電薄膜在接觸孔上在圖來看，以將圖案邊緣形成為 [(e)第五光學微影製程] ’可應用類似於第一TCP端點體種類的條件。此外，由避免案差別形成的電極斷線的觀點斜面狀較佳。接者’形成將作為畫素電極11，第一 TCP連接電極 13，和第二TCP連接電極17之透明導電薄膜。然後實行形以形成畫素電極11，第一TCP連接電極13，和第二τ 接電極17。一以逆當由於形成穿透型光電元件而形成電極時，可使用透明導電膜ΙΤΟ(銦錫氧化物），Sn〇2，或其中包括ιη2〇3和 Sn〇2之混合膜，作為導電薄膜，以化學穩定性的觀1點來看，以I TO膜較佳。可利用濺鍍製程等等形成透明導電膜。在穿透型光電元件的情況下，透明導電薄膜的膜厚，以在約為50至200nm(500至2000埃）的範圍内較佳，以避當光進入時由於亦在相對基板上的干涉而彩色化。其次，在第五光學製程中，光阻製形成畫素電極u，第一TCP連接電極13，和第二TCP連接電極17的形狀，而導電薄膜製形成畫素電極11，第一 TCP連接電極13，和第二 TCP連接電極17的形狀。 ~ 使用已知蝕刻劑以濕性蝕刻實行導電薄膜的蝕刻，如在使用I TO導電薄膜的情況，為以混合鹽酸和硝酸而得到

574584 五、發明說明（23) 的水溶液。當導電薄膜為ITO時，可以使用如ch4的氣體作乾性餘刻而姓刻。已討論在此製程中形成畫素電極11，第一TCP連接電極13，和第二TCP連接電極1 7。然而，亦可能，例如，在以使用含有導電顆粒之樹脂電性連接至相對基板和TFT陣列基板的轉換端點部份上，形成導電薄膜構成的電極。將作為晝素電極11，第一TCP連接電極13，和第二TCP 連接電極17的導電薄膜，特別是丨！^膜，以形成為非晶狀態較佳。例如，非晶IT0膜可利用以由加入H2〇或心至習知之Ar或〇2之混合氣體而得到的引介之濺鑛製程等等而形成。以如上述相同的原因，膜厚為5〇至2〇〇11111較佳。當使用非晶導電薄膜以形成晝素電極丨丨時，可以使用例如草一酸蝕刻劑以蝕刻導電薄膜如IT〇膜，而製造如第1至 6圖中所不之TFT陣列基板。不似習知之包括鹽酸和硝酸等等的己知蝕刻劑，草酸蝕刻劑不會腐蝕鋁合金。因此，在 ==鋁合金作為第一TCP連接電極丨3和第二Tcp連接電極i 7 晋：使在非晶IT〇触刻中，缺陷或針孔出現在層 =的插置膜，亦可避免由於紹之腐❹造成較差特性的其上Lm括第一層金|，例如銘合金層，和在 ίί二：i:子f金屬而得到的第二層，例如…層， ϊ 例如鉻，在該等二層之下。在此構造反應，且若在層之間的膜上===劑造成電化： ί η缺陷或針孔，鉻層會因

574584 五、發明說明（24) " ' ------ 而被極度地腐蝕。另一方面，因草酸蝕刻劑不會腐蝕鉻或鋁合金，可避免較差特性出現。然而，即使膜容易以使用弱草酸蝕刻劑蝕刻，非晶 I TO膜亦有對其他化學品之抵抗性差的缺點。因此，一旦製備了上述的TFT陣列基板，以在高於非昴矽IT〇的結晶溫度的溫度實行退火和結晶，以完成製備TFT陣列基板。結晶除了穿透度的增加和特性電阻的降低之外，還達成化學抵抗性的改善。所以，可製造高可靠度的^丁陣列基板。、亦可使用Ιιΐ2〇3或ZnO並非非晶IT0之膜作為透明導電材料，其可以如弱草酸蝕刻劑之弱酸蝕刻劑蝕刻。丨膜和ZnO膜之優點為，如使用17〇膜，非晶膜可使用以2由3加· 入40或I至習知之Ar或％之混合氣體而得到的引介之濺製程等等而形成。上述實施例說明了具有透明導電膜如丨T〇作為畫素電極11的穿透型TFT陣列基板，但TFT陣列基板並不限於此。本發明可得到優良接觸電阻的效果，即使當使用具有金屬材料作為晝素電極n的反射STFT陣列基板，在以使用透明導電膜如I TO作為TCP連接電極而得到電性接觸的情況時，亦可看見。除了 TFT陣列基板，具有透明導電膜電性地與金屬膜參接觸的部份之元件，可以相同方式達成本發明的效果。 jLA基板相對基板包括彩色濾光片，黑色矩陣，以及共電極，

574584 五、發明說明（25) 設置在第二絕緣基板上。可使用透明玻璃基板，透明塑膠基板等等，作為第二絕緣基板_。彩色濾光片以例如施加紅 (R ) ’綠（G) ’和藍（B)的彩色光阻，或轉印彩色膜，並利用光學微影方法製形成預設排列。黑色矩陣可以對具有低反射性之金屬，如鉻或鉻氧化物，製形而製備，黑色樹脂等等在預設遮蔽區域上，如彩色濾光片之各畫素之邊界^ 週邊。利用濺鍍方法以形成包括Μ%，Sn〇2或211〇之氧化〆物的透明導電膜，或其混合氧化物，而得到共電極。經由上述五個製程製造TFT陣列基板，並利用已知技術和相對基板結合。液晶被插置且封裝在TFT陣列基板相對基板之間，以製造TFT-LCD。 TFT陵Ίι使用已知技術，形成液晶之配向控制膜於各 ΓΛ 相對基板上。可使用聚酿亞胺膜作為配向 Ϊ : Ϊ的一例。例如，施加聚醯亞胺液體並乾帛，以形成面使用布料經過滾刷，且使用該膜作為ΐ 二ΐ ί f控制膜的厚度可在由約包括配向控制膜之時，：力：二ί ί ’至約1 °0nm的範圍。當配向控制膜厚 ί板^電磨’其來自施加跨過TFT陣列小』因此n笼L對基板共電的有效電a ’會變佳。因此I成薄媒以實行在製程中實際的膜厚範圍内較形成配向控制膜不僅以滾刷排列液晶對基板方向的指 2066-3892-PF.ptd 第28頁 574584 五、發明說明（26) 二臭：；二Γ,度至15度的所謂預傾角(形成在液晶顆粒 (在土配ΛΛΛΡ °太過小的預傾角造成所謂區域列的不連/二士著不正常傾斜，其意謂液晶排陣列基板上在畫素電極附近 :::,線：巧極線’和輔助電極線產生的電場，而造的指向或不連續結構。在光穿透區域上二顯示特性降低，如對比減小。因此，根 ^。斤使用各液晶材料區域產生的可能性而適當地調整預傾 :根據所使用的配向㈣膜或如包括滾刷之配向處理 ^度*而控制預傾角。當預傾角大冑，敎配向控制較，。以控制預傾角在上述範圍内較佳，亦即約3度至15 度。 =顯示信號而造成之dVgd的不肖，在tft陣列基板的共電極之間’會產生直流電位。㈣示部份 VL =广歹丨七不易發生的觀點來看，以選擇幾乎不在液晶中 ^氣孔或雜質之材料較佳。習知地，此材料可以配向控 ,二,膜形成，或以降低配向控制膜之平面方向上的電阻 :传到。配向控制膜材料’可以轉印，旋轉，亦即使用旋轉施加(，轉塗佈)等等，而施加至基板。…用故其次，作為間隔粒的材料撒佈在至少TFT陣列基板和相Ϊ ί板之_ i，以固定TFT陣列基板和相對基板’以-特疋二間在其間。因若間隔粒具有高硬度和尖銳外形，當 TFT陣列基板以一特定空間固定在相對基板上時，或在

574584 五反、發明說明（27) TFT陣列基板上的線會被破壞，故考慮該等事實而選擇間隔粒的材料。例如，可使用聚苯乙烯或S i 〇2的顆粒作為間隔粒。至於間隔粒撒佈密度，過高的撒佈密度干擾間隔粒附近的液晶配向狀況，且因此降低對比或當液晶體積在低溫而減少時，在顯示部份可能產生氣泡。當撒佈密度過低時，由於TFT陣列基板和相對基板之間的空間，會在顯示器上的一面中產生分佈，且因此造成亮度不均勻。因7^ 限制，據所用之間隔粒的硬度而選擇間隔粒撒 : 隔粒可以撒佈在由在揮發性溶劑，例隔粒而得到之溶液而施加。私中政佈該間然後，形成包括例如環氧基樹裝物環繞TFT陣列基板和相ί裝材科，如一封述間隔粒以均勻施加亦包相含對在基該板控制TFT陣列基板和相對基板之間的^門、人0、可正確地面範圍内之封裝材料者和顆粒尺寸不同於施加在基板為了以後述的真空注入板和相對基板之間的空間，=注入液晶至TFT陣列基然、而，需要在示將形成之二之一上形成封裝材料。作通道以作用為液晶的注二邱佟形圖案中至少一處，製法4已知技術弓丨入液晶：：：當利用並非真空注用筛選印刷，α注射器晝^需要封裝部份的通道。可使畫寫封裝外形)等等，形〜成寫二二射器釋出封裝材料以

2066-3892.PF.ptd 第30頁 574584 五、發明說明（28) 或相ίί板Ϊ有T電性的轉換材#，施加在TFT陣列基板的位置ί ，在形成於m陣列基皮上之轉換電極至相對a柘的ί換電極為一電極端點，以引介共電極電位樹Ρ中二Ϊ電極。至於轉換材料，可使用以在環氧基寫等算，於：：Γ等使用篩選印刷’以注射器畫 :m ί換材料的施加中，至少需要一個轉換電極。電位1·^ ^示，以減少對相對電極之共電極至共電極較佳。因此，以放置轉換電極在顯示 =的四個角洛，或複數個轉換電極環繞不包括閘極側出線和源極側導出線之顯示部份較佳。 ^其次，TFT陣列基板和相對基板彼此固定。當其被固定、I以^取一些步驟以在加壓和加熱以燒結封裝料和轉換材料之刚，維持預設疊合的正確性較佳。步驟之例為1 )在 TFT陣列基板和相對基板疊合之後，施加可紫外線燒結樹脂在疊合基板的末端面上，以紫外線燒結該可紫外線燒結，脂；2)接著疊合TFT陣列基板和相對基板，以注射器&等'σ 等施加可紫外線燒結樹脂至不包括顯示部份的部份，之後以紫外線照射而燒結紫外線材料等等。在此處理之後，在預設正確性中加壓TFT陣列基板和相對基板，以熱結封襄材料和轉換材料。之後，切除疊合之TFT陣列基板和相對基板光電元件所不需要的部份，帶入TCP連接端點部份至表面，且形成液晶注入部份以製成空單元。該空單元引入至真空，且在抽空該空單元之後，打開

574584 五、發明說明（29) 至大氣，而注在此製程中，單元由於存留孔。因此，以浸入液晶，且氣’氣壓施加被该間隔粒破其次，包料施加至注入加封裝材料之列基板和相對之後，偏早元的頂上和之偏光片的偏度，各偏光轴交叉。此為正如TN液晶之液附基板上之指其可減少由於 ^ 此外，可膜，可疊合在偏光片。當使在上側基板和然而，偏光片入部份浸在當空單元所在空單元中在適當速度空單元所放至空單元，壞。因此，括環氧基樹部份，且燒前，以加壓基板之間維光軸調整成底下。特定光軸和底下與所貼附之常白模式顯晶層上，其向和偏光軸視覺角度的改善光電元偏光片上。用TN型液晶下側基板上的偏光軸指液晶中，以放置之處的的空氣而擴抽空單元較置之處的氣間隔粒可能以在適當速脂或可紫外結以製備液已注入液晶持均勻空間特定角度的角度係指，之偏光片的基板上之液示，若大有穿透度變小成直角交又特性變化。件之視角特或可使用以作為液晶時的各液晶指向與所貼附注入液晶至氣氛被抽得張，可能造佳。又，當氛被突然釋變形或基板度釋放單元線燒結樹脂晶顯不器。的單元，而空單元。太快時，成封震穿注入部份放至大表面可能較佳。之封裝材亦可在施在TFT陣偏光片，固定在封裝例如以直角交叉頂上偏光軸而形成的角晶的指向平行或直角效電壓施加在使用例。特別地，以在所貼而形成角度較佳，因性之相依性的已知疊合該等膜而得到之，實行配向處理以使向彼此以直角交叉。之基板表面之指向方

574584 --—-- 五、發明說明（30) 又。為了得到高對比，以提供-架構使電壓至液晶時光滲透較佳。用又又以避免當施加並實=示以：以：：板之TCP端點部份作電性探點何液晶面移除未提供特定特性的任使用的材L 有效地實行後續製程’且可減少要元件行Γ内ί相同基板上形成複數個顯示的檢片！實行液晶顯示面板之顯示特性上和：下別放置偏光片於封裝單元的頂面板：任何不顯示特定特性之液晶顯示片板將不被送至後續製程，因而可節省所使用的偏光 tcp/ΙΛ’使用異方導電膜（ACF)接合TCP至液晶面板的 2-絕緣膜，第二絕緣膜，和導電薄膜其中屬；屬膜之接觸孔的方式，電： ^金屬溥膜和導電薄膜，或（2)其中以第一絕 :一金屬薄膜，第二絕緣膜，和導電薄膜疊合之 !到i ί ：ί ί二絕緣膜中，用第四光學微影製程，形膜和導ϋ 觸孔的方式’電性連接第二金屬薄導電薄膜’且同時，以ACF覆蓋TCP之驅動輸出連接第33頁 2066-3892-PF.ptd 574584 五、發明說明（31) 點的接觸孔。例為A二為佑連塞接JCP與TCP之驅動輪出連接端點的膜。ACF之 2為=佈夂電顆粒於熱定型或熱塑型，於第一TCP端點接觸和第二TCP端點接觸的位置上’亦即第一TCP連接範固接觸置。藉由以ACF覆蓋在TCP端點部份- 位 Γ:ΐ:ί高度差別部份上在導電再曝露至大氣中的濕氣。因顯不^導出電極不 TCP端點部份的第一Tcp連拉並非不可或缺。當不需要檢極和第二Tcp連接電極二金屬薄膜表面使用具有“n-金！薄膜表面和第時，可省略第一TCP連接電口朽可罪度之探點技術作檢查況下，以征抽贫二連接電極和第二TCP連接電極。在此情所置的範圍内的：Γ值端:佳接觸因和第二TCP端點接觸至ACF 不曝露至大氣。 ’因可減少TCP的接觸電阻而 Γ "1] ^°ACF ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 電元件。者光系統，和外箱，以製造光金屬層作為第使用包括具有氮原子之第二時，在第二金屬薄即問極線，源極線’或二者當不使用第二金屬層時月導電膜之間的接觸電阻，低於

574584 五、發明說明（32) 笫一例在對應於第一實施例的第一例中，使用第二金屬層作為閘極線，且四個3 0mm □的接觸孔置於閘極線端點部份上。閘極線和在閘極線端點部份上的透明電極之間的接觸電阻，變成約100Ω。另一方面，當不使用第二金屬層時’相同情況之間的接觸電阻約為1 〇〇 k Q。當使用第二金屬層時’顯示正常實行，但當不使用時，TFT-LCD模組具有大閘極線延遲，且有顯示缺陷，使其在正常白模式下，黑色顯不流失成白色。第二例在對應於第二實施例的第二例中，使用第二金屬層作為源極線，且四個3〇mm □的接觸孔置於源極線端點部份上。源極線和在源極線端點部份上的透明電極之間的接觸電阻，變成約1〇〇Ω。另一方面，當不使用第二金屬層時’相同情況之間的接觸電阻約為丨00k Ω斜之顯示缺陷，且在模組的下側部份對比明顯降低。此因在源極連接端點的電阻I大’且因由於在模組下側信號延遲而破壞寫入特第三例在對應於第三實施例的第三例中，使用第二金屬層作為閘極線和源極線，且四個30mm □的接觸孔置於閘極線和

574584 五、發明說明（33) 源極線端點部份上。閘極蠄接觸電阻，變成約Η)〇Ω且二'線與在透V極之間的作為閉極線和源極線二者且二使用/有低，阻的材料例中的對比25〇改善至僅顯示實行正常，而且第二 m L如：斤二Λ據本發明製造之光電裝置，亦即比，明顯地成功改善透明電朽清况相特性，和顯示特性。和金屬線之間電接觸阻值的根據本發明之光電元件用具有低電阻的線材包括如丄至方法，、可使金屬的合金，作為第一金屬薄 g mi S $銀或該等 0 1丈冰屬/專臈，即閘極電極1 ，閘極蠄二 Λ屬薄膜，，源極電極7，源極線22，和沒2 '又’帛金屬薄膜，即閘極電極j，間極線2卜第二金屬薄膜，即源極電極7，源極 ν 或盥疮忐金本φ把*去彝極線22，和汲極電極6，成旦素電極之透明導電金屬薄膜之觸電阻，可維持低。）电汪連接之接因可使用具有低電阻的材料包括如鋁 γ銀，或該等金屬的合金，作為第一金屬薄膜 = ’問極線21 ’和第二金屬薄膜，即源極電極7，源極線22 ’、和汲極電極6 製備大尺寸顯示榮幕，其板形成為薄膜。當陣列基板被製成薄土圖高度變低，且因此斷線幾乎不= 造咼可靠度的TFT-LCD。 μ犯』各雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以第36頁 2066-3892-PF.ptd 574584 五、發明說明（34) 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

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Claims

574584 ……-二” Pm 丄一 μ _充· 美 · 種先電70件之製法，該光ϋ件包香L第一絕緣 2 ’其中將具有畫素電極電性連接至TFT的顯示畫素形 p气托，陣，—TFT陣列基板，其中用以循序掃描各個TFT的 =心線，與提供信號電位至畫素電極的源極線直角交叉；只f u具有相對基板之第二絕緣基板，其上形成彩色濾光 2和”電極，其中該TFT陣列基板與該相對基板固定成以 :，晶層插置於其間，以及偏光片各置於該TFT陣列基板〃该相對基板的外側，包括下列步驟： (a) 在該第一絕緣基板上形成第一金屬薄膜之後以 =一光學微影製程對該第一金屬薄膜製形，以形成該上述网極線和該TFT之閘極電極； (b) 以第二光學微影製程對半導體主動膜以乾性蝕刻 >，其中該半導體主動膜和該歐姆接觸膜以連續形狀形、且大於該源極線和該T F T所形成的部份，豆中嗲制形生於形成第一絕緣膜，半導體主動膜，/和歐姆^觸斜4 (=)__在形成第二金屬薄膜之後，以第三光學微影製程，邊第二金屬薄膜製形，以形成源極線和tft之源極盥汲

:電極，並以乾性蝕刻蝕去自該源極線，划極電極、，和違/及極電極伸出之該歐姆接觸膜； -纟形成第二絕緣膜之後，以第四光學微影製程對邊第二絕緣膜與該第一絕緣膜製形，並形成至少穿透至勺 =:極表面的畫素接觸孔’穿透至該第一金屬薄膜表: 的第一接觸孔，和穿透至該第二金屬薄膜表面的第二接箱

574584 __案號90107483_年月日倐正 _ 六、申請專利範圍孔；以及 (e)在形成導電薄膜之後，以第五光學微影製程對該導電薄膜製形，並形成該畫素電極，八中5亥上述第 ........—— ， ^ ^ m ρχ ^ 屬之第一層，和其上藉由加入氮原子於金屬上而得到的第二層，及該上述晝素電極由非晶透明薄導電膜所形成。 2 · —種光電元件之製法，該光電元件包括··一第一絕緣基板，其中將具有畫素電極電性連接至TFT的顯示畫素形成為矩陣；一TFT陣列基板，其中用以循序掃描各個TFT 的閘極線，與提供信號電位至畫素電極的源極線直角交叉；以及一具有相對基板之第二絕緣基板，其上形成彩色濾光片和共電極，其中該TFT陣列基板與該相對基板固定，以一液晶層插置於其間，以及偏光片各置於該TFT陣列基板與該相對基板的外側，包括下列步驟：第一風在該第#一絕緣基板上形成第一金屬薄膜之後，以閉極線和該m之問極電第極;金屬·4膜製形，以形成該上述製形（b)i以Λ二半光導學/Λ製程對半導體主動膜以乾性钱刻成，且大於該源栖2膜和該歐姆接•膜以連續形狀形牛驟袼4认二Λ、極線和該177所形成的部份，豆中嗜f彤步驟發生於形成第一 1 w /、Ά衣形膜之後；、、來、，半導體主動膜，和歐姆接觸 (C)在形成第二金屬續對該第二金屬薄膜制/、、之後，以第三光學微影製程、衣7 ’ U形成源極線和TFT之源極與汲

574584 案號 90107483 修正六、申請專利範圍極電極，並以乾性蝕刻餘去自該源極線，該源極電極，和該汲極電極伸出之該歐姆接觸膜； ° (d )在形成第二絕緣膜之後，以第四光學微影製程對該第二絕緣膜與該第一絕緣膜製形，並形成至少穿透至該没極電極表面的畫素接觸孔，穿透至該第一金屬薄膜表^ 的第一接觸孔，和穿透至該第二金屬薄膜表面的第二^ 孔；以及 (e )在形成導電薄膜之後，以第五光學微影製程對該導電薄獏製形，並形成該晝素電極， μ 其中該上述第二金屬薄膜包括至少二層，具有構成金屬之第一層，和其上藉由加入氮原子於金屬上而得到的第層’及該上述晝素電極由非晶透明薄導電膜所形成。 3· —種光電元件之製法，該光電元件包括：一第一絕緣基板’其中將具有晝素電極電性連接至TFT的顯示晝素形成為矩陣；一TFT陣列基板，其中用以循序掃描各個tft 的閘極線，與提供信號電位至畫素電極的源極線直角交叉、以及一具有相對基板之第二絕緣基板，其上形成彩色濾光片和共電極，其中該TFT陣列基板與該相對基板固定成以 /夜晶層插置於其間，以及偏光片各^置於該τ F τ陣列基板與該相對基板的外側，包#丁列步驟： (、a)在泫第一絕緣基板上形成第一金屬薄膜之後，以第一光學微影製程對該第一金屬薄膜製形’以形成該上述閘極線和該TFT之閘極電極； (b)以第二光學微影製程對半導體主動膜以乾性蝕刻

2066-3892·PFl,ptc 第40頁 574584 案號 90107483

六、申請專利範圍製形，其中該半導體主動膜和該歐姆接觸膜以連續形成’且大於該源極線和邊TFT所形成的部份，其中該步驟發生於形成第一絕緣膜，半導體主動膜，和歐姆> 膜之後；咽 (c)在形成第二金屬薄膜之後’以第三光學微影製程對該第二金屬薄膜製形，以形成源極線和TFT之源極與沒極電極，並以乾性蝕刻蝕去自該源極線，該源極電極，和該汲極電極伸出之該歐姆接觸膜； (d )在形成第二絕緣膜之後’以第四光學微影製程對

該第二絕緣膜與該第一絕緣膜製形，並形成至少穿^至該 >及極電極表面的畫素接觸孔，穿透至該第一金屬薄膜表面的第一接觸孔，和穿透至該第二金屬薄膜表面的第二^觸孔；以及 (=)在形成導電薄膜之後，以第五光學微影製程對該導電薄膜製形，並形成該畫素電極， Λ 其中該上述第一和第二金屬薄膜各包括至少二層，具 f構成金屬之第一層，和其上藉由加入氮原子於金^上^ 侍到的第二層，及該上述畫素電極由非晶透明薄導電膜所形成。曰4 ·如申請專利範圍第1項之光電裝置的製法，其中該非晶透明薄導電膜，在根據該上述方法製備TFT陣列基板之陣列步驟之後，以退火多晶體化，且根據該上述製程製備之TFT陣列基板的特性被穩定化。 5·如申請專利範圍第2項之光電裝置的製法，其中該

574584 六、申請專利範圍非晶透明薄導電膜，在根據該上述方法製備TFT陣列基板之陣列步驟之後，以退火多晶體化，且根據該上述製程製備之TFT陣列基板的特性被穩定化。 6·如申請專利範圍第3項之光電裝置的製法，其中該非晶透明薄導電膜，在根據該上述方法製備TFT陣列基板之陣列步驟之後，以退火多晶體化，且根據該上述製程備之TFT陣列基板的特性被穩定化。如申請專利範圍第1項之光電裝置的製法，盆中由子至該上述金屬而得到的該第二[可位在該上 ^金屬薄膜的介面的附近，經由該上述第一 8連f至形成該上述畫素電極之該透明薄導電膜。加入項之光電裝置的製法，其中由述第一孟屬薄膜的介面的附近，妳在〜上電性連接至形成該上述畫素電極二接觸孔， 9·如申請專利範圍第3項之光Χ /制導電膜。加0氣原子至該上述金屬而得到的該4置二的衣法，其中由述第-和第二金屬薄膜的介面的附；，：二’ 4位在該上第二接觸孔，電性連接 1 Ρ !由該上述第一或導電膜。形成泫上述畫素<電極之該透明薄 1 〇·如申請專利範圍第1項括該上述第一和第-描電衣置的製法，其中包组，轉’鋼和銀之族群之—的全：抖：，自包括銘’ 之一作為主成份的合金。屬 < 包括至少該等金屬 2066-3892-PFl.ptc 第42頁 574584 案號90107483 年月六、申請專利範圍 ---- 11 ·如申請專利範圍第2項之光電裝置的括該上述第一和第二金屬薄膜的材料，可為^法，其中包趄，鎢，銅和銀之族群之一的金屬，或二、自包括鋁，之一作為主成份的合金。至少該等金屬 12·如申請專利範圍第3項之光電裝置的戎上述第一和第二金屬薄膜的材料，可為，，其中包钽，鎢，銅和銀之族群之一的金屬，或包^ 、自包括鋁，之一作為主成份的合金。至少該等金屬 U·如申請專利範圍第1項之光電裝置的 ”上述晝素電極之非晶透明導電薄膜的材料二：中作 ^ 括 In2〇3，Sn02，Zn0 ’ 由混合In2〇^Sn〇2 而得士選自物’以及由混合Ir^O3與2[1〇而得到的氧化物。的虱化丨4·如申請專利範圍第2項之光電裝置的° 為該上述畫素電極之非晶透明導電薄膜的 ^次，其中作 $ 括 Ιη2 03，Sn02，Ζη0，由混合In2〇^Sn〇2 而:到選自勿’以及由混合I Π2〇3與ZnO而得到的氧化物、乳化 1 5·如申請專利範圍第3項之光電裝置° 為該上述晝素電極之非晶透明導電薄膜的材^法’其中作包括In2〇3，Sn02，ZnO，由混合In2〇3與Sn〇▲而=’可為選自物，以及由混合I DA與ZnO而得到的氧化^而得到的氧化 2066-3892-PFl.ptc 第43頁