TW570965B

TW570965B - Polishing system with stopping compound and method of its use

Info

Publication number: TW570965B
Application number: TW089116251A
Authority: TW
Inventors: Shumin Wang; Vlasta Brusic Kaufman; Steven K Grumbine; Isaac K Cherian
Original assignee: Cabot Microelectronics Corp
Priority date: 1999-08-13
Filing date: 2000-08-11
Publication date: 2004-01-11
Also published as: JP2009170935A; JP4851174B2; US20030170991A1; CN1370209A; US6852632B2; HK1046422A1; IL147236A0; KR100590664B1; KR20020020796A; MY139997A; JP2006121101A; DE60034474T2; DE60034474D1; DE60019142T2; CA2378793A1; JP2006245598A; JP5384994B2; CA2378790A1; JP4188598B2; CN1370207A

Description

570965 、發明說明（1) 發明之技術領域方Ϊ發::有？一種拋光系統、組合物以及拋光-種基板之法，〜別疋-種包括第-金屬層與第二層之多層基板。發明背景積體電路係由在一基板（諸如、形成數百萬個主動裝置所製得。二® )中或其上所形成之 Η ^ 私5亥主動裝置化學且物理 Μ ^ ^ 吏用夕層金屬層互連。代表性多層互連包括第一金屬層、中 ^ ^ ^ r ^ 入斤〒間，丨電層以及有時存在第一吳後績之金屬層。中間層介雷邮 % ^ / I植’啫如經摻雜與未經摻雜之二氧化矽（s%)及/或低k介雷卿# ^ η η八屬層。 -體係用以電隔絕不同金使用金屬通路獲得不同互連層間之電連接。❹，美國專利5, 741，6 2 6描述一種製備介電丁㈣層少方國專利4, 78 9, 648描述一種在絕緩祛^ 一 1 〇 a,, 互連層與在陈中形成之裝置間的·H使用金屬接點形成接點可填滿各種金屬與合金，諸如你丨此等金屬通路與 (ΤιΝ)、鋁銅（A卜Cu)、鋁矽（Aim、欽（了1)、氮化鈦組合物（下文稱為"通路金屬π )。鋼（Cl〇、鶴（W)與其該通路金屬通常使用一種黏著層（即— (丁 i )、氮化鈦（T i N )、鈕（T a )、気化知（了種卩早膜）’諸如鈦化鎢（WN)障膜，將該通路金屬膠勒於、鹤（w)或氮點層處，該障膜作為擴散障壁，避备兮〇2基板上。該接應。亥通路金屬與S1〇2反

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第9頁 570965 五、發明說明（3) — 5, 354, 490 與5, 527, 423 〇鈦、氮化鈦以及類似金屬（諸如鎢）之障膜通常具有化學活性。因此，此種障膜與通路金屬化學性質相似。所以，可以使用單一系統，以相同速率有效地拋光T 1 / T 1 N障膜二者。然而，Ta與TaN障膜和Τι 'ΤιΝ等障膜大不不同。相較於丁 1與TiN ，Ta與TaN化學性質較為惰性。因此，前述系統拋光鈕層時之效用明顯低於拋光鈦層（例如，钽去除率明顯低於該鈦去除率）。雖然因為金屬與障壁金屬去除率高之故，慣常以一種單一系統去除此等金屬，但是使用習用拋光系統聯合拋光通路金屬與鈕以及類似材料會造成不良效果，諸如氧化物腐蝕與通路金屬凹窪。因此，仍然需要一種系統、組合物及/或拋光包括第一金屬層與第二層之基板的方法，其撤光方式係最大化平坦化效率、均勻度與第一金屬層去除率，而且最小化第二層之平坦化作用，如此使不良效果最小化，諸如第一金屬層凹窪、表面瑕疵與下層地形之損壞。本發明提出此種系統、組合物與方法。由本發明在本文提出之敘述將會明白本發明之此等與其他特徵以及優點。發明總論本發明提出一種用以抛光一多層基板之一或多層的系統，該多層基板包括第一金屬層與第二層，該系統包括 (1 ) 一種液態載體、（1 1 )至少一種氧化劑、（1 1 i )至少一種抛光添加劑’其會提面該系統抛光該基板至少一層之速率、（i v)至少一種阻化化合物，其對於第一金屬層之拋光

第10頁 570965 五、發明說明（4) _ 選擇性至少約3 0 : 1 ，其中該阻化化合物係一種具有陽離子電荷之含氮化合物，係選自包括胺類、亞胺類、醯胺類、驢亞胺類與其混合物，以及（v ) —種拋光塾及/或磨餘劑。本發明亦提出一種抛光多層基板之一或多層之方法，該基板包括第一金屬層與第二層，包括（a)使該第一金屬層與該系統接觸，以及（b)以該系統拋光該第一金屬層，直到自該基板去除至少一部分第一金屬層為止。此外，本發明提出一種用以拋光一多層基板之一或多層的組合物，該多層基板包括第一金屬層與第二層，該組合物包括（1 ) 一種液態載體、（1 1 )至少一種氧化劑、（1 1 i )至少一種拋光添加劑，其會提高該系統拋光該基板至少一層之速率、（iv)至少一種阻化化合物，其對於第一金屬層之抛光選擇性至少約3 0 : 1，其中該阻化化合物係一種具有陽離子電荷之含氮化合物，係選自包括胺類、亞胺類、醯胺類、醯亞胺類與其混合物，該組合物與（v ) —種拋光墊及/ 或磨餘劑併用。發明詳述本發明提出一種系統、組合物以及抛光一種包括第一金屬層與第二層之基板的方法。該系統包括（1 ) 一種液態載體、（1 1 )至少一種氧化劑、（1 1 1 )至少一種拋光添加劑，其會提高該系統拋光該基板至少一層之速率、（1 V )至少一種阻化化合物，其對於第一金屬層之拋光選擇性至少約 3 〇 : 1，其中該阻化化合物係一種具有陽離子電荷之含氮化合物，係選自包括胺類、亞胺類、醯胺類、醯亞胺類與其

570965 五、發明說明（5) _ 混合物’以及（v ) —種抛光塾及/或磨触劑。下文將本發明系統之組份（1 )、（ 1 1 )、（ 1 1 1 )與（i V )總稱為Μ該系統液態部分π ，其可與組份（ν )併用形成一種組合物。當該系統存在磨蝕劑，並懸浮於該液態載體中時，該磨蝕劑形成該系統液態部分的一部分。

本發明系統可用以拋光任何適用之基板，尤其是一多層基板之一或多層。本發明系統用以拋光包括第一金屬層、第二層以及選擇性一或多層額外層之多層基板為佳。適用之第一金屬層包括例如銅（Cu)、銘（Al)、I呂銅（Al-Cu)、鋁矽（A卜S 1 )、鈦（T 1 )、氮化鈦（T 1 N )、鎢（W)、氮化鎢 (WN)、貴金屬（例如銥（Ir)、釕（Ru)、金（Au)、銀（Ag)與鉑（P t))以及其組合。適用之第二層包括例如鈦（T 1 )、氮化鈦（ΤιΝ)、钽（Ta)、氮化鉅（TaN)、鎢（Ϊ)、氮化鎢 (W N )、氧化物（例如二氧化矽）、低k材料與介電體（例如孔狀氧化矽、掺雜氟玻璃、摻雜碳玻璃與有機聚合物），以及其組合。本發明系統特別適於拋光一種包括銅或銅合金 (即銅與一或多種金屬之組合物）第一金屬層、Ta或TaN之黏著層與一或多層氧化物層之基板。

該液態載體可為任何適用載體(例如溶劑）。適用之液態載體包括例如水性載體（例如水）與非水性載體。該液態載體係水為佳。該氧化劑可為任何適用氧化劑。適用之氧化劑包括例如一或多種過化合物，其包括至少一種過氧基團（-0-0-)。適用之過化合物包括例如過氧化物、過硫酸鹽（例如一過

第12頁 570965 五、發明說明（6) _ 硫酸鹽與二過硫酸鹽）、過碳酸鹽與其酸類，以及其鹽類與其混合物。其他適用之氧化劑包括例如經氧化鹵化物 (例如氣酸鹽、溴酸鹽、碘酸鹽、過氣酸鹽、過溴酸鹽、過碘酸鹽與其酸類及其混合物等）、過硼酸、過硼酸鹽、過碳酸鹽、過氧酸類（例如過醋酸、過苯酸、間氣苯酸、其鹽類及其混合物等）、過錳酸鹽、鉻酸鹽、鈽化合物、鐵氰化物（例如鐵氰化鉀）、其混合物等。較佳之氧化劑包括例如過氧化氫、超過氧化氫、過氧化鈉、過氧化苯甲醯、過氧化二丁醋、過醋酸、一過硫酸、二過硫酸、碘酸與其鹽類。以及其混合物。本發明系統中可以存在適量之氧化劑。存在該系統液態部分之氧化劑數量約為0 , 1 - 3 0 . 0重量％為佳。存在該系統液態部分之氧化劑數量約0. 3 - 1 7. 0重量°/Q更佳。存在該系統液態部分之氧化劑數量約0 . 5 - 1 0 . 0重量％最佳。該拋光添加劑可為提高該系統拋光至少一層基板拋光率之任何適用化合物。適用之拋光添加劑包括例如與銅結合之化合物。至少一種拋光添加劑係一種有機拋光添加劑為佳。該拋光添加劑係選自包括含填化合物、含氣化合物、含硫化合物與含氧化合物及其混合物中至少一種化合物亦較佳。該抛光添加劑可為任何適用之含填化合物。適用之含碟化合物包括例如填酸鹽（例如焦填酸鹽、三碟酸鹽、凝縮磷酸鹽）、膦酸類（例如單膦酸、二膦酸、三膦酸、多膦酸）以及膦酸之鹽類。較佳之含磷化合物包括例如焦磷酸

570965 五、發明說明（7) 鹽、膦醋酸、伸乙基二膦醆、1-羥基亞乙基-〗，ι-二膦酸與其混合物。較佳含磷化合物亦包括例如^1 U〇4與 dρ2ο?，其中μ”係一種陽離子物質（例如Na、κ、cs、 Rb關4 )，n = 〇-3，而= 。此外，較佳含磷化合物係 R-O-PO3，其係一種有機部分，其選自包括具有卜Η個碳原子之烷基、芳基、環基與芳基。該拋光添加劑亦可為任何含氮^合物。適用之含氮化人物包括例如選自胺類、醒胺類、胺基酸類、亞胺、酸亞ς 類、亞胺基酸、腈類、石請類（R_N〇2)與其混合物之 ί者：：ΐ類適用之含氮化合物可包括例如選自-級胺 :物之〜ί多者，級胺類、胺基醇類、經基化胺類與其混至少一種拋光添加劑包括XY_NCR1R2CR3R4N 佳，其中X、γ、χ，、γ，、R1 之、，、。構為原子、含雜眉早—处甘 K 係廷自包括氫（H) :八能基、烷基、含雜原子烷基、琢狀其團、含雜原子環狀基團、芳基、含雜原：，基至少一種拋光添加劑包括XY_NCR1R2 R 1二槿、=合。其中X與X，係Η原子，而且其中Y、Y，、R"R2Y 更佳，自包^氫（Η)原子、含雜原子官能基、規美、砂係選基、環狀基團、含雜原子環狀基團、土、人3 ”原子烧與其組合。更佳者係，至少—種土、=雜原子芳基 XY-NCR丨im〒N_X，Y，結 +加劑包括而且其選自包=係』原子，官能基1基、含雜原子烧基、環狀基團原子 570965 - 一— -—— 五、發明說明（8) -

基團、芳基、含雜原子芳基與其組合。就此方面，由一級胺基組成之含氮化合物優於由單獨或與一級胺基併用之二級胺基及/或三級胺基所組成的含氮化合物。此外，至少一種拋光添加劑包括上述结構亦為宜’其中該結構呈聚合物形式，包括約四個以上（例如約10個以上、約15個以上、約2 0個以上、約3 0個β上、約4 0個以上甚或約5 0個以上）之相異、相似或甚至相同鄰接結構。最佳情況係，該含氮化合物選自包括聚伸6基亞胺、丨，3 —二胺基—2 一丙醇、亞胺基-二—醋酸、2-胺基―1— 丁醇、伸乙基二胺、胺基乙醇胺、2，2 -胺基乙氧基乙醇與其混合物。此處之"雜原子"界定為碳與氫以外之任何原子。適用之含雜原子官能基包括例如羧基、竣酸類、醋類、嗣類、胺基（例如一級、二級與三級胺基）、醯胺基、醯亞胺基、硫醇酯類、硫醇醚類、腈類、頌酸類、_素類與其組合。此處之π烷基"界定為任何適用之烧基（例如烧基、

心-(：24烷基、（：厂C18烷基、烧基甚或C「C6烧基），諸如例如直鏈、分支、環形、飽和或不餘和、芳族或雜芳族烷基。此處之,f環形基團”界定為任何適用之環形基團（例如具有4 - 2 0員之環形基團，諸如Q 一 C2G環形基團）。該拋光添加劑可為任何適用之含硫化合物。適用之含硫化合物包括例如硫醇、硫代S旨、硫代鱗、（R C ) ( 0 ) (S R") 硫羥酸、（RC)(0)(SH)硫羧酸、（RCS)(0H)硫代羧酸、磺酸、硫代水楊酸、其鹽類與其混合物，其中R、R，、R"係選自包括具有1 -1 8個碳原子之烷基、芳基、環形基團與芳

第15頁 570965 五、發明說明（9)

方矣 [B 土。較佳之含硫化合物包括例如硫代二醋酸、瑞代水杨酸與其混合物。化i拋光添加劑可為任何適用之含氧化合物。適用之含氧嚀σ物包括例如羥基化物、羰基化物、羧酸化物與其酸来、適用之魏酸類包括例如二竣酸類、三竣酸類與多竣酸犬、較佳之含氣化合物包括例如丙二酸、草酸、檸檬酸、酒石S欠、號站酸、蘋果酸、己二酸、其豳類，以及其混合物。

斤適用之拋光添加劑亦包括選自（i)同為含磷化合物與含氣化合物之化合物、（i i)同為含磷化合物與含硫化合物之化5物、（i i i )同為含氮化合物與含硫化合物之化合物，以及（i v)疋為含磷化合物、含氮化合物與含琉化合物之一或多種化合物。較佳拋光添加劑包括例如選自包括2 -胺基乙基膦酸、胺基（三伸曱基膦酸）、三伸乙基三胺五（伸甲基麟酸）、六伸甲基二胺-四（伸甲基膦酸）、與其混合物之化合物。此外’較佳拋光添加劑包括例如膦酸化合物，其包含一級、二級及/或三級胺類，諸如例如N-(亞磷羧基基）亞胺二醋酸、二氫磷酸2 —胺基乙酯、2 —胺基乙基膦酸、2-胺基乙基膦酸、胺基三（伸曱基膦酸）（即，D叫 ⑧20⑽產物）、1-羥基亞乙基-1、1-二-膦酸（即，t

胺五（伸曱基膦

Dequest® 2010產物），以及二伸酸）（即，Dequest® 2 0 6 0 產物）。本發明系統中可存在適當濃度之拋光添加統液悲、部分之拋光添加劑數量自約〇〇 5 , 予 • 1υ·0重量％。此

570965 五、發明說明（10) ^ ^ 系統液態部分之拋光添加劑數I自％ n 重量％更佳。 …裝里自約0· 3-5. 0 w、Λ I且化化合物可為抑制該系統拋光多層美板部分能力之任何適用化合物。適用層至述多層基板 < 簞一八M@ 之阻化化合物與上 ^ 弟至屬層、第一層及/或—式夕#、 :互反應(例如黏著於其上），“至成夕種痛外層光去除層之作田_ /u 〇ρ刀抑制本發明拋二層交互反】(例如广去除第二層：，者於’、上，亚至少部分抑制該系統統之第一金屬^ /之'，至少部分抑制"一辭意指該系約i 〇 :丨’至=弟一層（例如Cu ·· Ta/TaN)拋光選擇性至少夕約d U: 1為佳，至少約5 η · 1 ρ /土，γ , 1最佳。王乂、·7 D u ·1更仏，至少約1 〇〇: 物m ί:=具：陽離子，荷之任何適用含氮化合合物與其混合物=1入你胺類、醯胺類、醯亞胺類、其聚具有陽離子電荷之含氮化合；=包括例如類、酿松#g ^自〇括胺痛、亞胺 ”具有陽離子電许"一銘立=種哇化合物。此處所使用之系統液能@[W\ / 辭思味於本發明系統操作pH值下，該約乂. ^以上刀中之一部分阻化化合物（例如約5. 〇%以上，式。詨阻仆/約15· 〇%以上，或約20· 0%以上）呈陽離子形位以:A社不統之pKa值比該系統液態部分操作pH值大1單化人物d.k 土插\例如，於pH值為6· 5之系統中，較佳之阻化 σ a 7.5以上。較佳之阻化化合物亦具有與該基 570965 五、發明說明（11) — 板層第二層之表面電荷相反之電荷。適用之阻化化合物包括例如包括一級胺類、二級胺類、三級胺類、四級胺類 (即四元銨鹽）、醚胺類、寡聚胺類、寡聚亞胺類、寡聚醯胺類、寡聚醯亞胺類、聚合胺類、聚合亞胺類、聚合醯胺類、聚合醯亞胺類或其混合物之化合物。此外，適用之阻化化合物包括例如胺基酸類、胺基醇類、胺基醚醇類或其混合物。較佳阻化化合物亦包括例如聚醚胺類、聚伸乙基亞胺類、N4-amin(N，Ν’ -雙-[3 -胺基丙基]伸乙基二胺）、 4，7，10-二°惡十三院_1，13-二胺、3，3-二甲基-4，4_二胺基二環己基曱烷、2-苯基乙胺、Ν，Ν-二甲基二-伸丙基三胺、3-[2-曱氧基乙氧基]丙胺、二甲基胺基丙胺、1，4 -雙 (3 -胺基丙基）六氫吡畊與其混合物。此外，較佳阻化化合物包括例如異佛爾銅二胺、六伸甲基二胺、環己基-1，3 _ 丙烧二胺、thiomicamine、（胺基丙基）-1，3-丙烧二胺、四伸乙基-五胺、四曱基丁烷二胺、丙胺、二胺基丙醇、胺基丁醇、（2 -胺基乙氧基）乙醇或其混合物。. 本發明系統可包括至少一種拋光添加劑與至少一種阻化化合物之任何適用組合物。例如，該系統可包括聚伸乙基亞胺與至少一種拋光添加劑，其選自包括一種羧酸（以二-、三-或多魏酸為佳）、麟酸鹽（以焦磷酸鹽、三磷酸鹽或凝縮磷酸鹽為佳）、其酸類、與膦酸（以二-、三-或多膦酸為佳）。該系統亦可包括至少一種拋光添加劑，其選自包括一種竣酸（‘以二-、三-或多魏酸為佳）、礙酸鹽（以焦磷酸鹽、三磷酸鹽或凝縮磷酸鹽為佳）、其酸類、與膦酸

570965 五、發明說明G2) (以二〜、三-或多膦酸為佳），以及至少一種阻化化合物，其包括兩個以上、三個以上、四個以上、五個以上、甚或六個以上氮原子（例如至少一種包括兩種以上胺類之阻化化合物、至少一種包括兩種以上一級胺類之阻化化合物、至少一種包括兩個以上胺基與4個以上碳原子之阻化化合物’或至少一種包括兩種以上一級胺類之阻化化合物’ $亥 /級胺類包含3個以上碳原子）。此外，該系統可包括至少，種拋光添加劑，其選自包括一種羧酸（以二〜、三-或多羧酸為佳）、磷酸鹽（以焦磷酸鹽、三磷酸鹽或凝縮磷酸鹽為佳）、其酸類、與膦酸（以二―、三-或多膦酸為佳），以及一種包括NR!R2CR3R4結構之四級銨鹽，其中R1與R2係甲基’而R3與R4選自包括氫（H)原子、含雜原子官能基、烷基、含雜原子烧基、環狀基團、含雜原子環狀基團、芳基、含雜原子方基與其組合。此外，該系統可包括至少一種拋光添加劑，其選自包括一種羧酸（以二—、三-或多羧酸為佳）、磷酸鹽（以焦磷酸鹽、三磷酸鹽或凝縮磷酸鹽為佳）、其酸類、與膦酸（以二-、三—或多膦酸為佳），以及至少一種包括一個胺基丙基之阻化化合物及/或一種分子量（MW)約8 0以上（例如腳約1 〇〇以上、約2 5 〇以上）之阻化化合物。此外，該系統可包括一種過氧化物、胺基三（伸曱基膦酸）與1,4 -雙（3 -胺基丙基）六氫d比哄，以及選擇性包括至少一種鈍化薄膜形成劑，其包括一或多個5 — 6員雜環含氮環。該系統亦可包括一種過氧化物、酒石酸，以及聚伸乙基亞胺，以及選擇性包括至少一種鈍化薄膜形成

第19頁 570965 五、發明說明（13) _ 劑，其包括一或多個5 - 6員雜環含氣琢。本發明系統中可存在任何適當濃W阻化化合物。存在該系統液態部分之阻化化合物濃度例如約5· 0重量％以下 (例如約0· 0(H-5· 0重量％)為宜。存在該系統液態部分中之阻化化合物濃度約3· 0重量％以下（例如約〇· 〇5至約3· 〇重量 %)為佳。本發明糸統可包括任何適用之拋光墊及/或磨蝕劑。本發明系統包括一種拋光墊（例如一種磨蝕墊或非磨蝕墊）及 /或種懸浮於該系統液態載體（例如水）之磨蝕劑為宜，因而成為該系統液態部分的一部分。此外，本發明系統包括一種拋光墊（例如一種磨蝕墊或非磨蝕墊）為宜，其中非磨#墊懸浮於該系統之液態載體中。 4撤光墊可為任何適用磨钱墊或非磨蝕墊。適用之拋光塾描返於例如美國專利5，8 4 9，〇 5丨與5，8 4 9，〇 5 2。適用之拋光塾亦包括例如機織拋光墊與非機織拋光墊。此外，適用之$光墊可包括不同密度、硬度、厚度、壓縮度、壓縮時再f合能力與壓縮模數之任何聚合物。適用聚合物包括例 =水，化乙烯、聚氟化乙烯、耐綸、氟碳化合物、聚碳酸 S曰、I _、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚醯胺、聚胺基 I酸乙酿、聚苯乙烯、聚丙烯與其共形成產物，以及其混合物。將一種磨蝕劑全部或部分固定（例如埋入）於該系統技^光塾内或其上時’可以任何適用方式完成拋光墊上之此種固定作用。適用之磨蝕劑包括例如金屬氧化物磨蝕劑，諸如例如氧

570965 五、發明說明（⑷ _ " 化鋁氧化矽、氧化鈦、氧化錯、氧化鍺、氧化铈與其共幵y成之產物’以及其混合物。該磨蝕劑可為煙霧狀產物。該系統之磨蝕劑係氧化鋁（例如煙霧狀氧化鋁）及/或氧化矽（例如煙霧狀氧化矽）為佳。如^述，該磨蝕劑可以全部或部分固定於該系統之拋光墊内或其上。此外，存在該系統液態部分内之磨蝕劑可為任何適用數量。存在該系統液態部分内之磨蝕劑數量約 0 · 1 3 0 · 〇重畺％為佳。存在該系統液態部分内之磨钱數量約0.5-6.0重量％更佳。本發明糸統另外可^j莊弋之德令# ^ ^ ^ ^ 、i 或多種改善或加強該系統性能、σ训。、用之額外添加劑包括例如添加劑、降低該基板至少一層拋光率之聚合= : = : 劑、界面活性劑、安定劑、⑽值調整：= 劑。熟悉本技藝者已習知此等額外添加劑用之其他添加 j :,鈍化薄膜形成劑包括例如促使在何化合物或：：；：；：鈍：層(即一種抑制溶解層)之任如含氣雜環化：：；：化2之鈍化薄膜形成劑包括例員雜環含氮環為佳。哕鈾，續e f ^匕括一或多種5-6 .Ί 9」一 &純化缚膝形成劑選自包衽·！ 9 q _ 一唑、，2, 4—二唑、苯並三唑、苯並味嗤、茉、，P，，二生物，諸如例如其經基-、胺基、亞胺基、本亚^坐與其衍基-、硝基-、脲—、炉_ $ 羧基-、巯 m 爪脲或烷基取代衍生铷兩^ 薄膜形成劑係選自包括I ' T生物更佳。該鈍化、日匕祜本亚二唑（βτα)

570965 五、發明說明（15) _ 1，2，4 -三唑與其混合物最佳。本發明系統可存在任何適當濃度之鈍化薄膜形成劑。存在本發明系統液態部分中之純化薄膜形成劑數量約 0 · 0 0 5 - 1 . 0重量％為佳。存在本發明系統液態部分中之銑化薄膜形成劑數量約0 . (H - 0 . 2 0重量％為佳。本發明系統可另外包括一種氨源（例如氨或一種銨鹽）。氨及/或敍鹽與該系統一或多種組份（例如該拋光添加劑）交互反應，可加強該系統之去除率及/或去除選擇性（例如 Cu : Ta去除選擇性）。本發明系統包括氨及/或銨鹽與一或多種拋光添加劑為佳。該系統包括一種氨源與至少一種系統液態部分為佳，該拋光添加劑係選自包括一種羧酸（以二-、三-或多羧酸為佳）、磷酸鹽（以焦磷酸鹽、三磷酸鹽或凝縮磷酸鹽為佳）、其酸類、與膦酸（以二-、三-或多膦酸為佳）為佳。例如，該系統可包括胺基三（伸甲基-膦酸）與一種氨源（例如氨及/或一種錢鹽）。適用之聚合化合物包括例如降低與該基板結合之至少一層拋光率的任何適用聚合化合物。該系統包括至少一種聚合化合物為佳，該聚合化合物包括一種聚乙烯醇、聚氧化乙烯、聚氧化丙烯、磺酸聚合物、磺酸酯聚合物或其混合物。適用之界面活性劑包括例如陽離子界面活性劑、陰離子界面活性劑、非離子界面活性劑、兩性界面活性劑、氟化界面活性劑、其混合物等。適用之pH值調整劑、調節劑或缓衝劑包括例如氫氧化鈉、碳酸納、硫酸、氫氣酸、确.

570965 五、發明說明（16) _ 酸、磷酸、檸檬酸、磷酸鉀、其混合物等。本發明亦提出一種以本文所述系統拋光一種基板之方法。此外，本發明提出一種以該系統拋光上述多層基板之方法，本發明系統可以較高速率拋光一種基板（例如多層基板），例如一較高速率去除該第一金屬層、第二層及/或該基板一或多層額外層。可藉由有關使用拋光墊之任何適用技術，以本發明系統處理一種基板。较佳情況係將該系統塗覆於一種基板表面並抛光之，如此去除該基板一或多層至少一部分。更佳情況係將該系統塗覆於一種包括第一金屬層與第二層之多層基板的第一金屬層上，並以該系統拋光此第一金屬層，直到自該基板去除至少一部分第一金屬層為止。後續拋光步驟中可使用第二拋光系統、組合物及/或'淤漿，以去除一種多層基板上至少部分第二層、介電層及/或一或多層額外層。該第二拋光系統對於該多層基板第二層（例如Ta或 TaN)之拋光選擇性大於該基板之第一金屬層（例如Cu)為佳。此外，可於某些或所有連續拋光步驟之後使用清潔組合物，以去除經拋光基板之殘屑及/或該拋光系統、組合物及/或於漿之殘屑。以例如分批或連續方法於輸送至該拋光墊或該基板表面之前調配該系統液態部分為宜。亦可在該拋光墊或該基板. 表面上調配（例如混合）該系統液態部分，自二或多個不同來源輸送該系統液態部分組份，如此該組份於拋光墊表面或是該基板表面上相遇。就此而言，可於該拋光處理之前

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五、發明說明（17) _ 或是拋光處理期間改變該系統液態部分組份輸送至拋光墊或或該基板表面之流速（即該系統特定組份之輸送數量），如此改變該系統之拋光選擇性及/或黏度。此外，自兩個 α上不同來源輸送之該系統液態部分特定組份具有不同ρ Η 值為宜，或者其輪送至該拋光墊表面或該基板表面前具有大體相同甚至相等之pH值。亦可於輸送至拋光墊表面或是邊基板表面之前，分別過濾或是聯合（例如一起）過濾自兩個以上不同來源輪送之特定組份。

實施例下列實施例進一步說明本發明，但是其當然不局限本發明範圍。所有下列實施例有關之钽晶圓與下列實施例其中之一、、即施例4 )以外有關之銅晶圓分別為组、敷層薄膜與銅敷層薄膜。所有下列實施例有關之二氧化矽晶圓係厚度約 9 0 0 0埃之敷層薄獏。所有敷層薄獏均澱積於矽基板上。一各以一種IPEC472拋光機拋光下列實施例中之銅、鈕與 ::化石夕晶圓（下文總稱為"試驗晶圓"）。所有下列實施例 SU:A V: Τ 以外之抛光㈣'堆疊於R〇dei㊣

Μ # m 71⑧1C 1 0 0 0拋光墊。實施例4所使用之拋先墊係R 〇 d e 1 ® I c 1 〇 0 〇伽伞拥 R〇del®麗IV墊上。=墊，但是其不堆疊於 pS1)、反壓 0 kPa (0 PS1) ^ 下力道約20 kPa (3 圓座速度為每分鐘3 0轉拋光/面速度為每分鐘5 0轉、晶實施例4)以外之試驗晶圓。斤有下列實施例其中之一（即 '。使用向下力道約2〇 kPa (3

570965 五、發明說明（18) 一 -- PS1)、、反壓14 kPa (2 PSi)、檯面速度為每分鐘55轉、晶圓座速度為每分鐘3 0轉拋光實施例4之試驗晶圓。使用Tencor SUrfscan(g) 1〇50 機器、與 Tenc〇r Rs —75 直接測量拋光前後各試驗晶圓之厚度，測定試驗晶圓去率。 /、除非另有指定，否則以氫氧化銨（NH4〇h)將下列實施例其中之一（即實施例3)以外之所有實施例調整至標的_ 值。實施例1 乂此λ %例說明本發明系統可達成之多層基板拋光選擇性係視該系統内拋光添加劑與阻化化合物之存在與同一性而定。。分別以八種不同拋光系統（命名為系統1A — 1G)拋光銅晶圓、纽晶圓與二氧化矽（Si 〇2)晶圓，該系統具有3重量％氧化鋁（特別是 Cabot，s Semi-Sperse® W-A3 5 5 產物）、2·5 重里0氣化劑（特別疋& Ο?)、各種濃度之抛光添加劑（特別疋1.25重量％之酒石酸、〇·5重量％之丨―二-膦酸（即

Dequest ⑧ 2000 產物）、〇.8 重量％ Dequest® 2010 產物咬 2.5重量％ “^㈣討⑧2〇〇〇產物），以及各種濃度之阻化化合物（特別是0· 25重量％ Lupasol⑧SKA，其包含25%伸乙基亞胺聚合物（即〇· 〇6重量％聚伸乙基亞胺）、〇· 1重量％二氛基。米唾、〇· 5重量％ Lupasol SKA(即0· 12重量％聚伸乙義亞胺）、0· 5重量％聚醯基醯胺或〇· 5重量％1，4 -雙（3 -胺基^ 基）六氫吡哄或0.5重量。/Jarisoit® 3 0 0，其包含氣化十

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六基三甲銨），其中各系統之pH值為5(系統ie)或⑽值性7^A±—D、1F_1G)。此外，系統1C包含0.0 0 5重量％界面杜背](特別是 T r i t ο n D F - 1 6 )。 ' 為了作對照，亦以一種核對標準系統（π核對標準纟且" ，該試驗晶圓，該核對標準系統具有3重量％氧化矽（特別是Cabot，s Semi-Sperse ® w-Α355 產物）盥2 5 重 |Q/ 气二 ^ # ,1 ^h2〇2) ^ t „ „ „ „ ^ „ ,pH ^ "7/0〇^b 外’亦為作對照，以（i)具有3重量％氧化鋁（特別是

Cab〇t s Semi-Sperse® W-A3 5 5 產物）、2·5 重量％氧化, (特別是102)與1 · 25重量％拋光添加劑（特別是酒石酸）^對照系統（"對照組Γ)以及（11)具有3重量％氧化鋁（特別是

Cab〇t’s Semi-Sperse® W-A355 產物）、2·5 重量％氧化劑特別疋I 〇2 )與1重ϊ %抛光添加劑（特別是D e q u e s t⑧2 0 1 Q 產物）之對照系統（”對照組2，l )拋光試驗晶圓，其中各對戶、召系統之pH值為7. 7。 … 钽與Si02 )。形成使用此等系統之後，測定使用各種系統之銅、去除率（RR)，以及銅對组之相對去除率（"Cu:Tan 資料示於表1。

570965 五、發明說明（20) 表1 系統拋光添加劑阻化化合物 CuRR [埃/分鐘] TaRR [埃/分鐘] Si02RR [埃/分鐘] Cu:Ta 控制標準益 / > > > 無 87 198 - 1:2 對照組1 1.25重量％酒石酸益 3615 133 53 27:1 對照組2 1重量％ Dequest® 2010 4777 406 12:1 1A 1.25重量％酒石酸 0.06重量％聚伸乙基亞胺 2375 19 12 125:1 1B 0.5重量％ Dequest® 2010 0.1重量％二氰基咪唑 3136 175 54 18:1 1C 0.75重量％ Dequest ⑧ 2000 0.12重量％聚伸乙基亞胺 3265 28 16 117:1 1D 0.8重量％ Dequest ⑧ 2010 0.12重量％聚伸乙基亞胺 2949 35 26 84:1 1E 0.75重量％ Dequest® 2000 0.5重量％聚醯基醯胺 6381 43 28 148:1 1F 2.5重量％ Dequest® 2000 0.5重量％ 1,4-雙(3-胺基丙基）六氫吡啡 3860 109 5.5 35:1 1G 2.5重量％. Dequest® 2000 0.5重量％ Varisoft® 300 2260 97.6 3.6 23:1

niiiiii 第27頁 7 ^()5

、發明說明（21) 么由表丨明顯看出，使用包含拋光大不統（系統1A-1G)所_示之銅去除=加劑與阻化化合物之 fa去㈣擇性）大於核對標準;^對纽去除率比（即、迹二者之Cu : Ta去除選擇性，而先系統與對照組2拋光 Cu : Ta去除選擇性相近或略大。再=輿對照組1拋光系統之與卩且化化合物之系統（系統1 A —丨G )戶·，與包含拋光添加劑相似於或小於由對照組i抛光系^顯示之Si〇2去除率係士卜望从田Μ與A 1顯示之S i〇9去除率。此寺結果證實本發明系統内容中々2 干物％人从々杳士立M ^ 嫩光添加劑與阻化化合切'、且合物之重大意義，以及特定拋 > t k — 八你丨，先添加剖與特疋阻化化 σ物併用時對於以本發明车统兔古性之影響。个S月糸、.元/、方法可達成拋光率與選擇實施例2 /此μ施例說明本發明系統可達成之多層基板拋光選擇性係視該系統内拋光添加劑與阻化化合物之存在與同一性而定。以三種不同拋光系統（命名為系統2 A _ 2 c)拋光銅晶圓、组晶圓與二氧化矽（S i 〇2)晶圓，該系統具有5重量％氧化矽 (特別是Cabot’s Cab-0-Sperse® SC-E 產物）、2.5 重量％氧化常j (特別是H2 〇2)、不同濃度之拋光添加劑（特別是〇 . 8 重量％之1-二-膦酸（即，Dequest® 201Q產物）、〇·75重量 %胺基三（伸甲基膦酸）（即，Deques t @ 2 0 0 0產物）或0· 75 重量％二伸乙基三胺五（伸甲基麟酸）（即，Dequest® 2060 產物），以及0 . 5重量％阻化化合物（特別是〇 · 5重量％

Lupasol® SKA，其包含25重量％伸乙基亞胺聚合物（即

570965 五、發明說明（22) 0.12重量％聚伸乙基亞胺）），農中作對照，#以一種核對’、各糸統之PH值為7. 7。為

^-O-Sperse® SC-E )Γ2 I ^) ’其中該核對標準系統之^4^ ::劑（特別是定使用各種系統之銅、二匕對纽之相對去除率（"Cu:Ta")，形成資料示於表，卜以及

系統拋光添加劑控制標準無 2A 0.8重量％ Dequest® 2010 2B 0.75重量％ —----— Dequest® 2000 2C 0.75重量％ Dequest® 2060 阻化化合物 0.12重量％ Lupasol SKA 0.12重量％ Lupasol SKA 0.12重量％ Lupasol SKA

Cu RR [埃/分鐘_ 306 1789

Ta RR H [埃/分鐘_ 383 299 5

Si02 RR Cu:Ta

193:1

1733 2132 20 12 305:1 2ί2所示資料明顯看出’使用包含拋光添加劑與阻化 a物之系統（系統2 A - 2 C)所顯示之銅去除率對， = (:Cu Ta去除選擇性)大於不包含搬光添加劑：除匕：合物之核對標準拋光系統的Cu : Ta去除選擇性。此外，^ 含一種阻化化合物與DeqUes t® 2 0 6 0產物系統（系統’包銅去除率與Cu:Ta去除選擇性大於包含一種阻彳二^ 之 Dequest ® 2 0 0 0產物系統（系統2Β)之銅去除率與Cu Ta/去

570965 五、發明說明（23) _ 除選擇性，其依次大於包含一種阻化化合物與Dequest® 201 0產物系統（系統2A)之銅去除率與Cu : Ta去除選擇性。此外，使用包含拋光添加劑與阻化化合物系統（系統 2 A - 2 C )所顯示之S 1 02去除率大於不包含拋光添加劑或阻化化合物之核對標準系統的S i 02去除率。此等結果證實本發明系統内容中拋光添加劑與阻化化合物組合物之重大意義，以及特定拋光添加劑與該阻化化合物併用時對於以本發明系統與方法可達成拋光率與選擇性之影響。實施例3 此實施例說明本發明系統可達成之多層基板拋光選擇性係視該系統内阻化化合物之同一性而定。分別以十四種不同拋光組合物拋光銅晶圓、鈕晶圓與二氧化矽（S i 02)晶圓，該組合物具有3重量％氧化鋁（特別是 Cabot’s Semi-Sperse® W-A355 產物）、2.5 重量％氧化劑 (特別是H2 02 )、1重量％拋光添加劑（特別是草酸銨 ((NH4 )2 C2 04 ))，以及不同濃度之阻化化合物（特別是0 · 2重量％之異佛爾酮二胺、0. 2重量％之六伸曱基二胺、0. 2重量 %之N -環己基-1，3 -丙醇二胺、0. 2重量％之1( 3 -胺基丙基） -1,3-丙醇二胺、0.2重量％之四伸甲基五胺、0.2重量％之 Ν，Ν，Ν’，Ν’-四甲基-1，4- 丁醇二胺、0.5重量％之丙胺、0.2 重量％之2-(2 -胺基乙氧基）乙醇、2.0重量％之1，3_二胺基 -2-丙醇、1.0重量％1:111〇1111〇3111丨116、3.0重量％之2-胺基-1-丁醇、0.2重量％之4, 7，10 -三噁十三烷-1,13 -二胺、0.2重

III

第30頁 570965 五、發明說明（24) _ 量％之賴胺酸、0 . 2重量％之聚[雙（2 -氣醚）-a 11 - 1，3 -雙（3 -二甲基胺基）丙基])，其中各系統之pH值為7.6。為作對照，亦以一種核對標準系統（π核對標準組π )拋光該試驗晶圓，該系統具有3重量％氧化鋁（特別是Cabot’ s S e m i - S p e r s e⑫W - A 3 5 5產物）、2 . 5重量％氧化劑（特別是 1重量％拋光添加劑（特別是草酸銨（（ΝΗ4 )2 C2 04 )) 其中該核對標準系統之pH值為7. 6。使用此等拋光組合物之後，與該核對標準系統比較，測定各種系統之相對鈕 (Ta)去除率與相對Si 02去除率，形成資料示於表3。

Ifcl 第31頁 570965

五、發明說明（25) 表3 ·· 系統阻化化合物相對去除率Ta 相對去除率SK)2 核對標準無 1 1 3A 0.2重量％異佛爾酮二胺 0.17 - 3B 0.2重量％六伸曱基二胺 0.24 0.27 3C 0.2重量％ N-環己基-1，3-丙醇二胺 0.12 0.11 3D 0.2重量％ N-(3-胺基丙基)-1,3-丙醇二胺 0.17 0.03 3E 0.2重量％四伸甲基五胺 0,21 0.13 3F 0.2重量％ N，N，N’，N’-四甲基丁醇二胺 0.37 、 3G 0.5重量％丙胺 0.17 - 3H 0.2重量％ 2-(2-胺基乙氧基)乙醇 0.71 - 31 3.0重量％ 2-胺基小丁醇 0.04 0.21 3J 0.2重量％ 4,7，10-三噁十三烷-U3-二胺 0.28 0.22 3K 0.2重量％賴胺酸 0.35 1.1 3L 0.2重量％聚[雙(2-氣醚雙(3-二曱基胺基)丙基] 0.33 ^/UV65 五、發明說明（26) 由表3所示資料明顯看出化化合物之評估拋光系统，以包含-種拋光添加劑與阻含拋光添加劑與阻化化合：頌示的相對钽去除率低於不包相對钽去除率。此外，$二者之核對標準拋光組合物的添加劑與阻化化合物之評：f中之-以外，所有包含拋f 睁率柄十人丁 h A f估拋光系統所顯示的相對s 1 〇2去 1ΓΓ: 含罐加劑與阻化化合物二者之核對標準拋先糸統的相對Si02去除率。咅2等、:°果哎實本發明糸統内容.中存在阻化化合物之重大 i f以及特定阻化化合物對於本發明方法可達成去除率與選擇性之影響。實施例4 、此實施例說明本發明系統可達成之多層基板拋光選擇性以及以違糸統使表面瑕疵最小化作用係視該系統内阻化化合物之同一性而定。刀另〗乂兩種不同抛光糸統（命名為系統4 a與4 β )抛光銅晶圓、鈕晶圓與二氧化矽（S i 〇2)晶圓，該系統具有3重量％氧化鋁（特別是 Cabot’s Semi-Sperse® W-A3 5 5 產物）、2.5 重置％氧化劑（特別是}12 〇2 )、1 · 2 5重量％拋光添加劑（特別是酒石酸）’以及〇重量％或〇 · 〇 6重量％阻化化合物（特別是伸乙基亞胺聚合物（即Lupasol SKA))，其中各系統之pH值為 7 · 7。使用此等系統之後，測量銅對鈕之相對去除率（"Cu : Ta11 )、銅凹窪現象與si〇2腐蝕現象，形成資料示於表3。使用Tencor P - 2 0 Long Scan Pro filer測定銅線之晶圓凹窪（即銅凹窪）與S i 〇2腐蝕現象。以1 〇微米特徵大小與5 〇微

第33頁 570965

五、發明說明（27) 米特徵大小（"1 〇微米/ 5 〇微米"）測量銅凹窪現象。有2微米線與4微米間距（2微米/4微米"）之陳列對於具 η τ曰多。平幻刪置Si〇2腐表4 糸統拋光添加劑阻化化合物 Cu:Ta Cu凹窪現象 [10 μιη/50 μπι] Si〇2腐钱現象 [2 μπι/4 um 陳列1 4A 1.25重量％酒石酸無 81:1 952 埃/1868 埃 896埃 4B 1.25重量％酒石酸 0.06重量％ Lupaspl® SKA 220:1 840 埃/1552 埃 714埃巴/各、由表4所示資料明顯看出種抛光添加劑與阻化，一，w "心、yju 只IJ Si〇.阻 ή 化合物之系統（系統4Β)所顯示之銅去除率對鈕去除率比 (即Cu:Ta去除選擇性）大於僅包含拋光添加劑之系$统（系统 4A)所顯不之Cu:Ta去除選擇性。此外，包含一 ° 劑與阻化化合物之系統（系統4B)所顯示之銅凹窪現象^ 口 Si02腐蝕ί見象低於僅包含一種％光添加劑之系統（系統“）所顯不的銅凹窪現象與S i 〇2腐蝕現象。 /此等結果證實本發明系統内容中存在阻化化合物對於該糸統可達成拋光選擇性，以及以本發二基板表面瑕庇度之重大意義。月糸、、先取小化该拋光本文引用之所有參考文獻，包括專利公告均以提及的方式將其全文併人本文中* ^及来：：5 ί強凋較佳具體實例來描述本發明，❻是對於孰 w本技藝者而t，很明顯地可使用此等較佳具體實例之變 570965

第35頁 570965 案號89116251 年月日修正圖式簡單說明 _画1 第36頁 O:\65\65824-911028.ptc

Claims

570965 tkl 89116251 曰

六,〜冲奇辜科發爵―J \——^t二-k— k j 1 . 一種用以拋光多層基板之一或多層的系統，該多層基板包括第一金屬層與第二層，該系統包括（i ) 一種液態載體、（i i )至少一種氧化劑、（i i i )至少一種拋光添加劑，其會提高該系統拋光該基板至少一層之速率、（i v )至少一種阻化化合构；其割於第一金屬層之撤光選擇性至少 3 0 : 1，其中該阻化化合物係一種具有陽離子電荷之含氮化合物，係選自包括胺類、亞胺類、醯胺類、醯亞胺類與其混合物，以及（v ) —種拋光墊及/或磨姓劑。 2. 根據申請專利範圍第1項之系統，其中該液態載體係一種非水性溶劑。 3. 根據申請專利範圍第1項之系統，其中該液態載體係水。 4. 根據申請專利範圍第3 種懸浮於該液態載體中之磨 5. 根據申請專利範圍第3 於該拋光墊上。 6. 根據申請專利範圍第3 在磨蝕劑，而且該拋光墊係 7. 根據申請專利範圍第3 化合物係選自包括一級胺類胺類（即四元銨鹽）、醚胺類聚醯胺類、寡聚醯亞胺類、醯胺類、聚合醯亞胺類或其 8. 根據申請專利範圍第3 項之系統，其中該系統包括一 I虫劑。項之系統，其中該磨蝕劑固定項之系統，其中該系統内不存一種非磨姓塾。項之系統，其中至少一種阻化、二級胺類、三級胺類、四級、寡聚胺類、募聚亞胺類、寡聚合胺類、聚合亞胺類、聚合混合物之化合物。項之系統，其中至少一種阻化

O:\65\65824-920605.ptc 第37頁 570965 _案號 89116251 θ v年 W月日修正_ 六、申請專利範圍化合物係選自包括胺基酸類、胺基醇類、胺基醚醇類或其混合物。 9. 根據申請專利範圍第7項之系統，其中至少一種阻化化合物係選自包括聚醚胺、聚伸乙基亞胺、N4 - a m i n ( N，N ’ -雙一 [3 -月$基丙基]4申乙基二月安）、4，7，1 0 -三 '惡十三院 -1，13 -二胺、3，3 -二曱基-4，4 -二胺基二環己基甲烧、2-苯基乙胺、N，N -二甲基二-伸丙基三胺、3-[2 -甲氧基乙氧基]丙胺、二甲基胺基丙胺、1，4-雙（3 -胺基丙基）六氫吡哄與其混合物。 10. 根據申請專利範圍第7項之系統，其中至少一種阻化化合物係選自包括異佛爾銅二胺、六伸甲基二胺、環己基-1，3 -丙烧二胺、thiomicamine、（胺基丙基）_1，3 -丙烧二胺、四伸乙基-五胺、四甲基丁烷二胺、丙胺、二胺基丙醇、胺基丁醇、（2 -胺基乙氧基）乙醇或其混合物。 11. 根據申請專利範圍第3項之系統，其中至少一種阻化化合物存在該液態載體中之濃度5重量％以下。 12. 根據申請專利範圍第1 1項之系統，其中至少一種阻化化合物存在該液態載體中之濃度3重量％以下。 13. 根據申請專利範圍第3項之系統，其中至少一種拋光添加劑係選自包括含填化合物、含氮化合物、含硫化合物、羧酸與其混合物。 14. 根據申請專利範圍第3項之系統，其中該系統包括至少一種阻化化合物，該阻化化合物包括聚伸乙基亞胺，以及至少一種拋光添加劑，該拋光添加劑係選自包括二羧

O:\65\65824-920605.ptc 第38頁 570965 _案號 89116251_1&年 ^，月曰__ 六、申請專利範圍酸類、三羧酸類、多羧酸類、焦磷酸鹽類、三磷酸鹽類、凝縮磷酸鹽類、二膦酸類、三膦酸類、多膦酸類與其混合物。 15. 根據申請專利範圍第1 4項之系統，其中至少一種氧化齊:]為過氧化场;和其中該系統進一步包括至少一種'純化薄膜形成劑，該鈍化薄膜形成劑包括一或多種5 - 6員雜環含氮環。 16. 根據申請專利範圍第3項之系統，其中該系統包括至少一種阻化化合物，該阻化化合物包括兩種以上胺類，以及至少一種拋光添加劑，該抛光添加劑係選自包括二叛酸類、三羧酸類、多羧酸類、焦磷酸鹽類、三磷酸鹽類、凝縮磷酸鹽類、二膦酸類、三膦酸類、多膦酸類與其混合物0 17. 根據申請專利範圍第1 6項之系統，其中該系統包括至少一種阻化化合物，該阻化化合物包括兩種以上一級胺類，以及至少一種拋光添加劑，該拋光添加劑係選自包括二羧酸類、三羧酸類、多羧酸類、焦磷酸鹽類、三磷酸鹽類、凝縮磷酸鹽類、二膦酸類、三膦酸類、多膦酸類與其混合物。 18. 根據申請專利範圍第1 7項之系統，其中該系統包括至少一種阻化化合物，該阻化化合物包括兩種以上一級胺類，以及至少一種拋光添加劑，該拋光添加劑係選自包括二羧酸類、三羧酸類、多羧酸類與其混合物。 19. 根據申請專利範圍第1 8項之系統，其中至少一種氧

O:\65\65824-920605.ptc 第39頁 570965 案號 89116251 修正_ 包括至少一種鈍化或多種5 - 6員雜環，其中該系統包括 1 -T* ·、》 t Λ-rt ηΑ» 枯网裡从上一、蚊胺添加劑係選自包括合物。，其中至少一種氧包括至少一種鈍化或多種5 - 6員雜環，其中至少一種阻，其中至少一種阻，其中至少一種阻，其中該系統包括及1，4-雙（3-胺基，其中該系統包括亞胺。，其中該系統另夕卜該基板結合之至少六、申請專利範圍化劑為過氧化物，薄膜形成劑，該純含氮環。 20. 根據申請專 rz ,1、 rra /1_ /?_ A 土：y 一 7里 |ttL 1U 類，以及至少一種二膦酸類、三膦酸 2 1. 根據申請專化劑為過氧化物，薄膜形成劑，該鈍含氮環。 2 2. 根據申請專化化合物之分子量 2 3. 根據申請專化化合物包括一個 2 4. 根據申請專化化合物三個以上 2 5. 根據申請專一種過氧化物、胺丙基）六氫吼哄。 2 6. 根據申請專一種過氧化物、酒 27. 根據申請專包括至少一種聚合和其中該系統進一步化薄膜形成劑包括一利範圍第1 7項之系統 4匆，該阻4匕4匕名、物包拋光添加劑，該拋光類、多膦酸類與其混利範圍第2 0項之系統和其中該系統進一步化薄膜形成劑包括一利範圍第I 6項之系統大於I 00。利範圍第I 6項之系統胺基丙基。利範圍第I 6項之系統碳原子。利範圍第3項之系統基三（伸甲基膦酸）以利範圍第3項之系統石酸與一種聚伸乙基利範圍第3項之系統化合物，其可降低與

O:\65\65824-920605.ptc 第40頁 570965 _案號 89116251 年 W 月曰__ 六、申請專利範圍一層的抛光率。 2 8. 根據申請專利範圍第3項之系統，其中該系統另外包括至少一種鈍化薄膜形成劑。 29. 根據申請專利範圍第3項之系統，其中該磨蝕劑係入 Hi? /1 - H 13¾ I 七 f 一？里^:濁羊L s剧。 30. 根據申請專利範圍第2 9項之系統，其中該磨蝕劑係選自包括氧化鋁、氧化鈽、氧化鍺、氧化矽、氧化鈦、氧化錘與其共形成之產物，以及其混合物。 3 I . 根據申請專利範圍第3 0項之系統，其中該磨蝕劑係氧化鋁。 32. 根據申請專利範圍第1 6項之系統，其中至少一種拋光添加劑係選自多羧酸類。 3 3. 根據申請專利範圍第1 6項之系統，其中至少一種阻化化合物係聚醚胺。 3 4. 根據申請專利範圍第1 6項之系統，其中至少一種氧化劑為過氧化物，和其中該系統進一步包括至少一種純化薄膜形成劑，該鈍化薄膜形成劑包括一或多種5 _ 6員雜環含氮環。 35. 根據申請專利範圍第2 4項之系統，其中至少一種拋光添加劑係選自多羧酸類。 3 6. 根據申請專利範圍第1項之系統，其中至少一種拋光添加劑為羧酸且至少一種阻化化合物具2 5 0或更高之分子量。 3 7 . —種拋光基板之方法，包括使一基板表面與申請專

O:\65\65824-920605.ptc 第41頁 570965 m _案號89116251 夺>年\^月日_魅_ 六、申請專利範圍利範圍第1 - 3 6項中任一項之系統接觸，並以其拋光至少一部分基板。 38. 一種拋光多層基板之一或多層之方法，該多層基板包括第一金屬層與第二層，該方法包括步驟： / \ /J- /r^r 入 F3 狂 i.-fc Arhr γϊΠ /r/«r λ O p 一 X. ，一一 ΤΤ 、a ^ 1尤乐一重/蜀層兴甲萌寻利犯圍乐1 - ο 6項t 1士一峭ι 系統接觸，以及 (b )以該系統拋光該第一金屬層，直到自該基板去除至少一部分第一金屬層為止。 39. 根據申請專利範圍第3 8項之方法，其中第一金屬層包括銅、紹、鈦、鎢、始、釕、銀及其混合。 4 0. 根據申請專利範圍第3 8項之方法，其中第一金屬層為鉑、釕或銥，及該阻化化合物為聚伸乙基亞胺。 4 1. 一種用以抛光多層基板之一或多層的組合物，該多層基板包括第一金屬層與第二層，該組合物包括（i) 一種液態載體、（i i )至少一種氧化劑、（i i i )至少一種拋光添加劑，其會提高該系統拋光該基板至少一層之速率、（i v) 至少一種阻化化合物，其對於第一金屬層之拋光選擇性至少3 0 : 1，其中該阻化化合物係一種具有陽離子電荷之含氮化合物，係選自包括胺類、亞胺類、醯胺類、醯亞胺類與其混合物，該組合物與（v) —種拋光塾及/或磨#劑併用。 42. 根據申請專利範圍第4 1項之組合物，其中至少一種阻化化合物，該阻化化合物包括聚伸乙基亞胺，以及至少一種拋光添加劑，該拋光添加劑係選自包括二羧酸類、三羧酸類、多羧酸類、焦磷酸鹽類、三磷酸鹽類、凝縮磷酸

O:\65\65824-920605.ptc 第42頁 570965 _案號 89116251 年b月日_^_ 六、申請專利範圍鹽類、二膦酸類、三膦酸類、多膦酸類與其混合物。 4 3. 根據申請專利範圍第4 1項之組合物，其中至少一種阻化化合物，該阻化化合物包括兩種以上胺類，以及至少一種拋光添加劑，該拋光添加劑係選自包括二羧酸類、三繞酸類、多羧酸類、焦磷酸鹽類、三鱗酸鹽類、凝縮磷酸鹽類、二膦酸類、三膦酸類、多膦酸類與其混合物。 44. 根據申請專利範圍第4 3項之組合物，其中至少一種阻化化合物，該阻化化合物包括兩種以上一級胺類，以及至少一種拋光添加劑，該拋光添加劑係選自包括二羧酸類、三羧酸類、多羧酸類、焦磷酸鹽類、三磷酸鹽類、凝縮磷酸鹽類、二膦酸類、三膦酸類、多膦酸類與其混合物。 45. 根據申請專利範圍第44項之組合物，其中至少一種阻化化合物，該阻化化合物包括兩種以上一級胺類，以及至少一種拋光添加劑，該拋光添加劑係選自包括二羧酸類、三羧酸類、多羧酸類與其混合物。 4 6。根據申請專利範圍第4 4項之組合物，其中至少一種阻化化合物，該阻化化合物包括兩種以上一級胺類，以及至少一種拋光添加劑，該拋光添加劑係選自包括二膦酸類、三膦酸類、多膦酸類與其混合物。 47. 根據申請專利範圍第4 3項之組合物，其中至少一種阻化化合物之分子量大於1 0 0。 4 8. 根據申請專利範圍第4 3項之組合物，其中至少一種阻化化合物包括一個胺基丙基。

O:\65\65824-920605.ptc 第43頁 570965 _案號89116251_心年\^月曰修正_ 六、申請專利範圍 49. 根據申請專利範圍第4 3項之組合物，其中至少一種氧化劑為過氧化物，和其中該系統進一步包括至少一種純化薄膜形成劑，該純化薄膜形成劑包括一或多種5 - 6員雜環含氮環。 5 0. —種拋光基板之方法，包括將基板表面與申請專利範圍第4 1至4 9項中任一項之組合物接觸，並藉此拋光該基板之至少一部分。 5 1. —種抛光多層基板之一或多層之方法，該多層基板包括第一金屬層與第二層，該方法包括步驟： (a)使第一金屬層與申請專利範圍第4 1至4 9項中任一項之組合物接觸，以及 (b )以該組合物拋光該第一金屬層，直到自該基板去除至少一部分第一金屬層為止。 52. 根據申請專利範圍第5 1項之方法，其中第一金屬層包括銅、铭、鈦、鶴、始、釕、銀及其混合。 5 3. 根據申請專利範圍第5 1項之方法，其中第一金屬層為麵、釕或鈒，及該阻化化合物為聚伸乙基亞胺。

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