JP4188598B2 - 停止化合物を伴う研磨系及びその使用方法 - Google Patents
停止化合物を伴う研磨系及びその使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4188598B2 JP4188598B2 JP2001517629A JP2001517629A JP4188598B2 JP 4188598 B2 JP4188598 B2 JP 4188598B2 JP 2001517629 A JP2001517629 A JP 2001517629A JP 2001517629 A JP2001517629 A JP 2001517629A JP 4188598 B2 JP4188598 B2 JP 4188598B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- substrate
- layer
- abrasive
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 149
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 53
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 22
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 claims abstract description 7
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 50
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 27
- -1 3- [2-methoxyethoxy] propyl Chemical group 0.000 claims description 22
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical group [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 18
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 9
- 150000002978 peroxides Chemical group 0.000 claims description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 7
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 7
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 6
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 6
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 6
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical group [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 5
- 239000001226 triphosphate Substances 0.000 claims description 5
- 235000011178 triphosphate Nutrition 0.000 claims description 5
- XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminopropyl)piperazin-1-yl]propan-1-amine Chemical compound NCCCN1CCN(CCCN)CC1 XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-N Phenethylamine Chemical compound NCCC1=CC=CC=C1 BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- JCEZOHLWDIONSP-UHFFFAOYSA-N 3-[2-[2-(3-aminopropoxy)ethoxy]ethoxy]propan-1-amine Chemical compound NCCCOCCOCCOCCCN JCEZOHLWDIONSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N dimethylaminopropylamine Chemical compound CN(C)CCCN IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OMKZWUPRGQMQJC-UHFFFAOYSA-N n'-[3-(dimethylamino)propyl]propane-1,3-diamine Chemical compound CN(C)CCCNCCCN OMKZWUPRGQMQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000003627 tricarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 2
- UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-N triphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(O)=O UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 claims 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 1
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical group CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 abstract description 9
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 abstract description 9
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 abstract description 7
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 abstract description 4
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 abstract description 3
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 abstract description 3
- 150000007970 thio esters Chemical class 0.000 abstract description 3
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000003566 thiocarboxylic acids Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 25
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 11
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 11
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 9
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 8
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 5
- QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N (2-aminoethyl)phosphonic acid Chemical compound [NH3+]CCP(O)([O-])=O QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 3
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SUHOOTKUPISOBE-UHFFFAOYSA-N O-phosphoethanolamine Chemical compound NCCOP(O)(O)=O SUHOOTKUPISOBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 239000008365 aqueous carrier Substances 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- XUYJLQHKOGNDPB-UHFFFAOYSA-N phosphonoacetic acid Chemical compound OC(=O)CP(O)(O)=O XUYJLQHKOGNDPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-I triphosphate(5-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- 125000001399 1,2,3-triazolyl group Chemical group N1N=NC(=C1)* 0.000 description 1
- UYBWIEGTWASWSR-UHFFFAOYSA-N 1,3-diaminopropan-2-ol Chemical compound NCC(O)CN UYBWIEGTWASWSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGDRLCRGKUCBQL-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazole-4,5-dicarbonitrile Chemical compound N#CC=1N=CNC=1C#N XGDRLCRGKUCBQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCBPETKZIGVZRE-UHFFFAOYSA-N 2-aminobutan-1-ol Chemical compound CCC(N)CO JCBPETKZIGVZRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXFCIXRFAJRBSG-UHFFFAOYSA-N 3,2,3-tetramine Chemical compound NCCCNCCNCCCN RXFCIXRFAJRBSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDQQNNZKEJIHMS-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylphenol Chemical compound CC1=CC(O)=CC(C)=C1C FDQQNNZKEJIHMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWGVOCGNHYMDLS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)propan-1-amine Chemical compound COCCOCCCN PWGVOCGNHYMDLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 3-(5-amino-1h-indol-3-yl)-2-azaniumylpropanoate Chemical compound C1=C(N)C=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHQDETIJWKXCTC-UHFFFAOYSA-N 3-chloroperbenzoic acid Chemical compound OOC(=O)C1=CC=CC(Cl)=C1 NHQDETIJWKXCTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical class [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical class CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003202 NH4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- RVZNUJHAOZIKDQ-UHFFFAOYSA-N P(O)(O)=O.P(O)(O)=O.C=C Chemical compound P(O)(O)=O.P(O)(O)=O.C=C RVZNUJHAOZIKDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920013808 TRITON DF-16 Polymers 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- KQNZLOUWXSAZGD-UHFFFAOYSA-N benzylperoxymethylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1COOCC1=CC=CC=C1 KQNZLOUWXSAZGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M bromate Chemical class [O-]Br(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000001785 cerium compounds Chemical class 0.000 description 1
- WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M cetyltrimethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002449 glycine Drugs 0.000 description 1
- 235000013905 glycine and its sodium salt Nutrition 0.000 description 1
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- DKPHLYCEFBDQKM-UHFFFAOYSA-H hexapotassium;1-phosphonato-n,n-bis(phosphonatomethyl)methanamine Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)CN(CP([O-])([O-])=O)CP([O-])([O-])=O DKPHLYCEFBDQKM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- PEYVWSJAZONVQK-UHFFFAOYSA-N hydroperoxy(oxo)borane Chemical compound OOB=O PEYVWSJAZONVQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N iodic acid Chemical class OI(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- LLYCMZGLHLKPPU-UHFFFAOYSA-N perbromic acid Chemical class OBr(=O)(=O)=O LLYCMZGLHLKPPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical class OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000000864 peroxy group Chemical group O(O*)* 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 1
- PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N sodium peroxide Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][O-] PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWNQXXOSWHCCOZ-UHFFFAOYSA-L sodium;oxido carbonate Chemical compound [Na+].[O-]OC([O-])=O MWNQXXOSWHCCOZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical compound NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UVZICZIVKIMRNE-UHFFFAOYSA-N thiodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CSCC(O)=O UVZICZIVKIMRNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 description 1
- NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N thiosalicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1S NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940103494 thiosalicylic acid Drugs 0.000 description 1
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003628 tricarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000002264 triphosphate group Chemical group [H]OP(=O)(O[H])OP(=O)(O[H])OP(=O)(O[H])O* 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N urea group Chemical group NC(=O)N XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N urea hydrogen peroxide Chemical compound OO.NC(N)=O AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Description
[発明の技術的分野]
本発明は、基体、特に第1の金属層及び第2の層を有する多層基体を研磨する研磨系、組成物及び方法に関する。
【0002】
[発明の背景]
集積回路は、シリコンウェハーのような基体上の又はその中に作られた何百万もの活性デバイスでできている。活性デバイスは化学的及び物理的に基体に接続し、多層相互接続の使用によって相互接続されて機能回路を作っている。典型的な多層相互接続は、第1の金属層、層間誘電体、並びに場合によっては第3及び更なる金属層を有する。層間誘電体、例えばドープされている及びドープされていない二酸化ケイ素(SiO2)及び/又は低k誘電体を使用して、異なる金属層を電気的に絶縁している。
【0003】
異なる相互接続層間の電気的接続は、金属バイアを使用して作っている。例えば米国特許第5,741,626号明細書は、TaN誘電体層の調製方法を説明している。更に、米国特許第4,789,648号明細書は、複数の金属化層及び絶縁体膜の金属化バイアを調製する方法を開示している。同様な様式で、金属接触を使用して、相互接続層とウェルに作られたデバイスとの間の電気的接続を作っている。金属バイア及び接触は、様々な金属及び合金、例えばチタン(Ti)、窒化チタン(TiN)、アルミニウム銅(Al−Cu)、アルミニウムシリコン(Al−Si)、銅(Cu)、タングステン(W)及びそれらの組み合わせ(以下では「バイア金属」として言及する)で満たすことができる。
【0004】
バイア金属は一般に付着層(すなわちバリアーフィルム)、例えばチタン(Ti)、窒化チタン(TiN)、タンタル(Ta)、窒化タンタル(TaN)、タングステン(W)、又は窒化タングステン(WN)のバリアーフィルムを使用して、バイア金属をSiO2基体に付着させている。接触層では、バリアーフィルムが拡散バリアーとして機能して、バイア金属がSiO2と反応するのを防いでいる。
【0005】
半導体製造プロセスでは、金属バイア及び/又は接触を、ブランケット金属堆積とそれに続く化学機械研磨(CMP)工程によって作っている。典型的なプロセスでは、相互接続ライン又は半導体基体まで、層間誘電体(ILD)を通るバイアホールをエッチングする。続いて、ILD上にバリアーフィルムを形成し、エッチングしたバイアホール内にまで入れる。その後バイア金属を、バリアーフィルム上及びバイアホール内にブランケット堆積させる。バイアホールがブランケット堆積金属によって満たされるまで、堆積を継続する。最後に、過剰な金属を化学機械研磨(CMP)によって除去して、金属バイアを作る。バイアの製造及び/又はCMP方法は、米国特許第4,671,851号及び同第4,944,836号明細書で開示されている。
【0006】
典型的なCMP系は、酸化水性媒体中に懸濁される研磨材、例えばシリカ又はアルミナを含有している。例えば米国特許第5,244,534号明細書は、アルミナ、過酸化水素、及び水酸化カリウム又はアンモニウム水酸化物のいずれかを含有する系を報告している。この系は、下側の絶縁層の除去を少なくして、タングステンを除去するのに有益である。米国特許第5,209,816号明細書は、水性媒体中の過塩素酸、過酸化水素及び固体研磨材を含有する系を開示している。これは、アルミニウムを研磨するのに有益である。米国特許第5,340,370号明細書は、フェリシアン化カリウム、酢酸カリウム、酢酸及びシリカを含有するタングステン研磨系を開示している。米国特許第5,391,258号及び同第5,476,606号明細書は、金属とシリカの組み合わせを研磨するための系を開示している。これは、水性媒体、砥粒、及びシリカ除去速度を制御するアニオンを含有している。米国特許第5,770,095号明細書は、酸化剤、化学剤、並びにアミノ酢酸及びアミド硫酸から選択されるエッチング剤を含有する研磨系を開示している。CMPの用途で使用される他の研磨系は、米国特許第4,956,313号、同第5,137,544号、同第5,157,876号、同第5,354,490号、及び同第5,527,423号明細書で説明されている。
【0007】
チタン、窒化チタン、及び同様な金属、例えばタングステンのバリアーフィルムは、一般に化学的に活性である。従ってそのようなバリアーフィルムの性質は、バイア金属の化学的性質と同様である。従って単一系を使用して、Ti/TiNバリアーフィルムとバイア金属との両方を同じ速度で効果的に研磨することができる。しかしながらTa及びTaNバリアーフィルムは、Ti、TiN及び同様なバリアーフィルムとは有意に異なっている。Ti及びTiNと比較すると、Ta及びTaNは比較的化学的に不活性である。従ってタンタル層の研磨においては、上述の系はチタン層を研磨する場合と比較してあまり効果的でない(例えばタンタル除去速度はチタン除去速度に比べて有意に小さい)。バイア金属及びバリアー金属は同様に除去速度が大きかったので従来単一の系で研磨されていたが、従来の研磨系を使用するバイア金属とタンタル及び同様な材料との組み合わせの研磨は、望ましくない影響、例えば酸化物エロージョン及びバイア金属ディッシッングをもたらす。
【0008】
従って、第1の金属層の平坦化効果、均一性及び除去速度を最大化し、且つ第2の層の平坦化を最少化し、それによって望ましくない効果、例えば第1の金属層のディッシッング、表面不完全性、及び下側形状への損傷を最少化する様式で、第1の金属層及び第2の層を有する基体を研磨する系、組成物及び/又は方法がまだ必要とされている。本発明は、そのような系、組成物及び方法を提供する。本発明のこれらの及び他の特徴は、本明細書の詳細な説明から明らかになる。
【0009】
[発明の概略]
本発明は、第1の金属層及び第2の層を有する多層基体の1又は複数の層を研磨する系を提供する。この系は、(i)液体キャリア、(ii)少なくとも1種の酸化剤、(iii)系が基体の少なくとも1つの層を研磨する速度を増加させる少なくとも1種の研磨添加剤、(iv)第1の金属層:第2の層の研磨選択性が少なくとも約30:1の少なくとも1種の停止化合物、並びに(v)研磨パッド及び/又は研磨材を含み、前記停止化合物は、アミン、イミン、アミド、イミド及びそれらの混合を含む化合物から選択されるカチオン性の窒素含有化合物である。
【0010】
また本発明は、上述の系を基体の表面に接触させ、そしてそれによって基体の少なくとも一部を研磨することを含む、基体の研磨方法を提供する。更に本発明は、第1の金属層及び第2の層を有する多層基体の1又は複数の層を研磨する方法を提供する。この方法は、(a)第1の金属層に研磨系を接触させること、及び(b)第1の金属層の少なくとも一部が基体から除去されるまで、前記系で第1の金属層を研磨すること、を含む。
【0011】
更に本発明は、第1の金属層及び第2の層を有する多層基体の1又は複数の層を研磨する組成物を提供する。この組成物は、(i)液体キャリア、(ii)少なくとも1種の酸化剤、(iii)系が基体の少なくとも1つの層を研磨する速度を増加させる少なくとも1種の研磨添加剤、(iv)第1の金属層:第2の層の研磨選択性が少なくとも約30:1の少なくとも1種の停止化合物を含有して、(v)研磨パッド及び/又は研磨材と共に使用される。ここでこの停止化合物は、アミン、イミン、アミド、イミド及びそれらの混合を含む化合物から選択されるカチオン性の窒素含有化合物である。
【0012】
[発明の詳細な説明]
本発明は、第1の金属層及び第2の層を有する多層基体の1又は複数の層を研磨する系、組成物及び方法を提供する。この系は、(i)液体キャリア、(ii)少なくとも1種の酸化剤、(iii)系が基体の少なくとも1つの層を研磨する速度を増加させる少なくとも1種の研磨添加剤、(iv)第1の金属層:第2の層の研磨選択性が少なくとも約30:1の少なくとも1種の停止化合物、並びに(v)研磨パッド及び/又は研磨材を含み、この停止化合物は、アミン、イミン、アミド、イミド及びそれらの混合を含む化合物から選択されるカチオン性の窒素含有化合物である。本発明の系の成分(i)、(ii)、(iii)及び(iv)は、成分(v)と共に使用することができる組成物を作る。これらの成分(i)〜(iv)は、以下では、まとめて「系の液体部分」として言及する。研磨材が存在して液体キャリアに懸濁されている場合、研磨材は系の液体部分の一部を構成する。
【0013】
本発明の系を使用して、任意の適当な基体、特に多層基体の1又は複数の層を研磨することができる。好ましくは本発明の系を使用して、第1の金属層、第2の層、及び随意に1又は複数の追加の層を有する多層基体を研磨する。適当な第1の金属層としては例えば、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、アルミニウム銅(Al−Cu)、アルミニウムシリコン(Al−Si)、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)、タングステン(W)、窒化タングステン(WN)、貴金属(例えばイリジウム(Ir)、ルテニウム(Ru)、金(Au)、銀(Ag)、及び白金(Pt))、及びそれらの組み合わせを挙げることができる。適当な第2の層としては例えば、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)、タンタル(Ta)、窒化タンタル(TaN)、タングステン(W)、又は窒化タングステン(WN)、酸化物(例えば二酸化ケイ素)、低k材料及び誘電体(例えば多孔質シリカ、フッ素ドープしたガラス、炭素ドープしたガラス及び有機ポリマー)、並びにそれらの組み合わせを挙げることができる。本発明の系は、銅又は銅合金(すなわち銅と1又は複数の金属との組み合わせ)の第1の金属層、Ta又はTaNの付着層、並びに1又は複数の酸化物層を有する基体を研磨するのに適当である。
【0014】
液体キャリアは任意の適当なキャリア(例えば溶媒)でよい。適当な液体キャリアとしては例えば、水性キャリア(例えば水)及び非水性キャリアを挙げることができる。好ましくは液体キャリアは水である。
【0015】
酸化剤は、任意の適当な酸化剤でよい。適当な酸化剤としては例えば、少なくとも1つのペルオキシ基(−O−O−)を有する1又は複数の過酸化化合物を挙げることができる。適当な過酸化化合物としては例えば、過酸化物(ペルオキシド)、過硫酸塩(例えばモノ過硫酸塩及びジ過硫酸塩)、過炭酸塩、並びにそれらの酸及びそれらの塩、並びにそれらの混合を挙げることができる。他の適当な酸化剤としては例えば、酸化ハロゲン化物(例えば塩素酸塩、臭素酸塩、ヨウ素酸塩、過塩素酸塩、過臭素酸塩、過ヨウ素酸塩、並びにそれらの酸、及びそれらの混合等)、過ホウ素酸、過ホウ素酸塩、過炭酸塩、ペルオキシ酸(過酢酸、過安息香酸、m−クロロ過安息香酸、それらの塩、それらの混合物等)、過マンガン酸塩、クロム酸塩、セリウム化合物、フェリシアン化物(例えばフェリシアン化カリウム)、それらの混合等を挙げることができる。好ましい酸化剤としては例えば、過酸化水素、尿素−過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化ベンジル、ジ−t−ブチルペルオキシド、過酢酸、一過硫酸、二過硫酸、ヨウ素酸、並びにそれらの塩及びそれらの混合を挙げることができる。
【0016】
任意の適当な量の酸化剤を、本発明の系で使用することができる。好ましくは酸化剤は、約0.1〜約30.0wt%の量で系の液体部分に存在している。より好ましくは酸化剤は、約0.3〜約17.0wt%の量で、系の液体部分に存在する。最も好ましくは酸化剤は、約0.5〜約10.0wt%の量で、系の液体部分に存在する。
【0017】
研磨添加剤は、系が基体の少なくとも1つの層を研磨する速度を増加させる任意の適当な化合物でよい。適当な研磨添加剤としては例えば、銅に結合する化合物を挙げることができる。好ましくは少なくとも1種の研磨添加剤は、有機研磨添加剤である。研磨添加剤が、リン含有化合物、窒素含有化合物、硫黄含有化合物、酸素含有化合物、及びそれらの混合からなる群より選択される少なくとも1種の化合物であることも好ましい。
【0018】
研磨添加剤は任意の適当なリン含有化合物でよい。適当なリン含有化合物としては例えば、リン酸塩(例えばピロリン酸塩、トリ−リン酸塩、縮合リン酸塩)、ホスホン酸(モノ−ホスホン酸、ジ−ホスホン酸、トリ−ホスホン酸、ポリ−ホスホン酸)、及びホスホン酸の塩を挙げることができる。好ましいリン含有化合物としては例えば、ピロリン酸塩、ホスホノ酢酸、エチレンジ−ホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジ−ホスホン酸、及びそれらの混合を挙げることができる。また好ましいリン含有化合物としては例えば、Mn +1H3−nPO4及びMm +1H4−mP2O7を挙げることができる。ここでM+1はカチオン性種(例えばNa、K、Cs、Rb、NH4 +)、nは1〜3、且つmは0〜4である。更に、好ましいリン含有化合物はR−O−PO3であり、ここでRは、炭素原子が1〜18のアルキル、アリール、環及び芳香族からなる群より選択される有機部分である。
【0019】
研磨添加剤は、任意の適当な窒素含有化合物であってもよい。適当な窒素含有化合物は例えば、アミン、アミド、アミノ酸、イミン、イミド、イミノ酸、ニトリル、ニトロ(R−NO2)、及びそれらの混合から選択される1又は複数の基を有する。従って適当な窒素含有化合物は例えば、第1アミン、第2アミン、第3アミン、アミノアルコール、水酸化アミン、及びそれらの混合から選択される1又は複数の基を有することができる。
【0020】
好ましい少なくとも1種の研磨添加剤は、構造XY−NCR1R2CR3R4N−X’Y’を有する。ここでX、Y、X’、Y’、R1、R2、R3及びR4は、水素(H)原子、ヘテロ原子含有官能基、アルキル基、ヘテロ原子含有アルキル基、環状基、ヘテロ原子含有環状基、芳香族基、ヘテロ原子含有芳香族基、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される。より好ましくは少なくとも1種の研磨添加剤は、構造XY−NCR1R2CR3R4N−X’Y’を有し、ここでX及びX’がH原子であり、Y、Y’、R1、R2、R3及びR4が水素(H)原子、ヘテロ原子含有官能基、アルキル基、ヘテロ原子含有アルキル基、環状基、ヘテロ原子含有環状基、芳香族基、ヘテロ原子含有芳香族基、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される。更により好ましくは、少なくとも1種の研磨添加剤は、構造XY−NCR1R2CR3R4N−X’Y’を有し、ここでX、Y、X’及びY’がH原子であり、R1、R2、R3及びR4が水素(H)原子、ヘテロ原子含有官能基、アルキル基、ヘテロ原子含有アルキル基、環状基、ヘテロ原子含有環状基、芳香族基、ヘテロ原子含有芳香族基、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される。これに関して、第1アミン基からなる窒素含有化合物は、単独の又は第1アミン基と組み合わせた第2アミン基及び/又は第3アミン基を含む窒素含有化合物よりも好ましい。更に、少なくとも1種の研磨添加剤が上述のような構造を有して、この構造が、約4若しくはそれよりも多数(例えば約10若しくはそれよりも多数、約15若しくはそれよりも多数、約20若しくはそれよりも多数、約30若しくはそれよりも多数、約40若しくはそれよりも多数、又は約50若しくはそれよりも多数)の同様でない、同様な又は同一の結合した構造を有するポリマーであることは適当である。最も好ましくは、窒素含有化合物は、ポリエチレンイミン、1,3−ジアミノ−2−プロパノール、イミノ−ジ−酢酸、2−アミノ−1−ブタノール、エチレンジアミン、アミノエチルエタノールアミン、2,2’−アミノエトキシ−エタノールs、及びそれらの混合物からなる群より選択される。
【0021】
「ヘテロ原子」とは本明細書の記載において、炭素及び水素原子以外の任意の原子に言及している。適当なヘテロ原子含有官能基としては例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル酸基、エステル基、ケトン基、アミノ基(第1、第2、及び第3アミノ基)、アミド基、イミド基、チオールエステル基、チオエーテル基、ニトリル基、ニトロ基、ハロゲン基、及びそれらの組み合わせを挙げることができる。「アルキル基」とは本明細書の記載において、任意の適当なアルキル基(例えばC1〜C30のアルキル基、C1〜C24のアルキル基、C1〜C18のアルキル基、C1〜C12のアルキル基、又はC1〜C6のアルキル基)、例えば直鎖の、枝分かれした、環状の、飽和又は不飽和の、芳香族又はヘテロ芳香族のアルキル基を示している。「環状基」とは本明細書の記載において、任意の適当な環状基(例えばC4〜C20の環状基のような4〜20員環の環状基)を示している。
【0022】
研磨添加剤は任意の適当な硫黄含有化合物であってよい。適当な硫黄含有化合物としては例えば、チオール、チオエステル、チオエーテル、(R’C)(O)(SR”)カルボチオール酸、(RC)(O)(SH)カルボチオン酸、(RCS)(OH)チオカルボキシル酸、スルホン酸、チオサリチル酸、それらの塩、及びそれらの混合を挙げることができ、ここでR,R’及びR”は、1〜18の炭素原子を有するアルキル、アリール、環状及び芳香族基からなる群より選択される。好ましい硫黄含有化合物としては例えば、チオジ酢酸、チオサリチル酸及びそれらの混合を挙げることができる。
【0023】
研磨添加剤は、任意の適当な酸素含有化合物でよい。適当な酸素含有化合物としては例えば、ヒドロキシル酸塩、カルボニル酸塩、カルボキシル酸塩、及びそれらの酸を挙げることができる。適当なカルボキシル酸としては例えば、二カルボキシル酸、トリカルボキシル酸、及びポリカルボキシル酸を挙げることができる。好ましい酸素含有化合物としては例えば、マロン酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、コハク酸、リンゴ酸、アジピン酸、それらの塩及びそれらの混合を挙げることができる。
【0024】
また適当な研磨添加剤としては、(i)リン及び窒素の両方を含有する化合物、(ii)リン及び硫黄の両方を含有する化合物、(iii)窒素及び硫黄の両方を含有する化合物、並びに(iv)リン、窒素及び硫黄を含有する化合物からなる群より選択される1又は複数の化合物を挙げることができる。好ましい研磨添加剤としては例えば、2−アミノエチルホスホン酸、アミノ(トリメチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレン−ホスホン酸)、ヘキサメチレンジアミン−テトラ(メチレンホスホン酸)、及びそれらの混合からなる群より選択される化合物を挙げることができる。更に、好ましい研磨添加剤としては例えば、第1、第2及び/又は第3アミンを含有するホスホン酸化合物、例えばN−(ホスホノメチル)イミノジ酢酸、2−アミノエチル二水素ホスフェート、2−アミノエチルホスホン酸、2−アミノエチルホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)(すなわちDequest(商標)2000製品)、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジ−ホスホン酸(すなわちDequest(商標)2010製品)、及びジエチレントリ−アミンペンタ(メチレンホスホン酸)(すなわちDequest(商標)2060製品)を挙げることができる。
【0025】
研磨添加剤は、本発明の系に任意の適当な濃度で存在していてよい。好ましくは研磨添加剤は、約0.05〜10.0wt%の量で系の液体部分に存在している。より好ましくは、研磨添加剤は約0.3〜5.0wt%の量で系の液体部分に存在している。
【0026】
停止化合物は、多層基体の1又は複数の層の少なくとも一部を系が研磨する能力を抑制する任意の適当な化合物でよい。適当な停止化合物は、上述のように、第1の金属層、第2の層、及び/又は多層基体の1又は複数の追加の層に作用(例えば付着)し、本発明の系による1又は複数の層の除去を少なくとも部分的に抑制する。好ましくは停止化合物は、上述のように、多層基体の第2の層に作用(例えば付着)し、系による第2の層の除去を少なくとも部分的に抑制する。「少なくとも部分的に抑制」とは、本明細書の記載において、系による第1の金属層:第2の層(Cu:Ta/TaN/SiO 2 )の研磨選択性が、少なくとも約10:1、好ましくは少なくとも約30:1、より好ましくは少なくとも約50:1、最も好ましくは少なくとも約100:1であることを意味している。
【0027】
停止化合物は、アミン、イミン、アミド、イミド、それらのポリマー、及びそれらの混合からなる化合物の群より選択される任意の適当なカチオン性の窒素含有化合物でよい。また適当な停止化合物としては例えば、アミン、イミン、アミド、イミド、それらのポリマー、及びそれらの混合を含む化合物の群より選択されるカチオン性の窒素含有化合物を挙げることができる。適当な停止化合物としては例えば、第1アミン、第2アミン、第3アミン、第4アミン(すなわち第4アンモニウム塩)、エーテルアミン、オリゴマーアミン、オリゴマーイミン、オリゴマーアミド、オリゴマーイミド、ポリマーアミン、ポリマーイミン、ポリマーアミド、ポリマーイミド、又はそれらの混合を挙げることができる。また好ましい停止化合物としては例えば、ポリエーテルアミン、ポリエチレンイミン、ポリアシルアミド、N4−アミン(N,N’−ビス−[3−アミノプロピル]エチレンジアミン)、4,7,10−トリオキサトリデカン−1,13−ジアミン、3,3−ジメチル−4,4−ジアミノジシクロ−ヘキシルメタン、2−フェニルエチルアミン、N,N−ジメチルジ−プロピレントリアミン、3−[2−メトキシエトキシ]プロピルアミン、ジメチルアミノプロピル−アミン、1,4−ビス(3−アミノプロピル)ピペラジン、及びそれらの混合を挙げることができる。
【0028】
本発明の系は、少なくとも一種の研磨添加剤と少なくとも一種の停止化合物の任意の適当な組み合わせを含むことができる。例えば系は、ポリエチレンイミンと、カルボキシル酸(好ましくはジ−、トリ−又はポリ−カルボキシル酸)、リン酸塩(好ましくはピロリン酸塩、トリ−リン酸塩、又は縮合リン酸塩)、それらの酸、及びホスホン酸(好ましくはジ−、トリ−又はポリ−ホスホン酸)からなる群より選択される少なくとも1種の研磨添加剤とを含むことができる。更に系は、ペルオキシド、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、及び1,4−ビス(3−アミノプロピル)ピペラジン、並びに随意に1又は複数の5〜6員ヘテロ窒素含有環を有する少なくとも1種の不動態フィルム形成剤を含むことができる。また系は、ペルオキシド、酒石酸、及びポリエチレンイミン、並びに随意に1又は複数の5〜6員ヘテロ窒素含有環を有する少なくとも1種の不動態フィルム形成剤を含むことができる。
【0029】
停止化合物は、本発明の系に任意の適当な濃度で存在していてよい。例えば停止化合物は、系の液体部分に約0.001〜5.0wt%の濃度で存在することが適当である。好ましくは停止化合物は、系の液体部分に、約0.05〜約3.0wt%の濃度で存在する。
【0030】
本発明の系は、任意の研磨パッド及び/又は研磨材を含むことができる。例えば本発明の系は研磨パッド(例えば研磨性のパッド又は非研磨性のパッド)及び/又は系の液体キャリア(例えば水)中に懸濁されて系の液体部分の一部となった研磨材を含むことが適当である。更に本発明の系が研磨パッド(例えば研磨性のパッド又は非研磨性のパッド)を含み、系の液体キャリア中に研磨材が懸濁されていないことが適当である。
【0031】
研磨パッドは、任意の適当な研磨性の又は非研磨性のパッドでよい。適当な研磨パッドは例えば、米国特許第5,849,051号及び同第5,849,052号明細書で説明されている。適当な研磨パッドとしては例えば、織物の又は不織の研磨パッドを挙げることができる。更に適当な研磨パッドは、様々な密度、堅さ、厚さ、圧縮性、圧縮に対する戻り性、及び圧縮弾性の任意の適当なポリマーを含むことができる。適当なポリマーとしては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリフッ素化ビニル、ナイロン、フルオロカーボン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリプロピレン、及びそれらの共生成物、並びにそれらの混合を挙げることができる。系の研磨パッド上又はその中に完全に又は部分的に研磨材を固定する(例えば埋め込む)場合、そのような研磨パッドへの固定は、任意の適当な様式で行うことができる。
【0032】
適当な研磨材としては例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア、セリア、及びそれらの共生成物、並びにそれら混合のような金属酸化物研磨材を挙げることができる。研磨材はフュームド生成物であってよい。好ましくは系の研磨材は、アルミナ(例えばフュームドアルミナ)及び/又はシリカ(例えばフュームドシリカ)である。
【0033】
上述のような研磨材は、系の研磨パッド上又はその中に完全に又は部分的に固定することができる。更に研磨材は、任意の適当な量で系の液体部分中に存在していてよい。好ましくは研磨材は、系の液体部分に約0.1〜30.0wt%の量で存在する。より好ましくは研磨材は、系の液体部分に約0.5〜6.0wt%の量で存在する。
【0034】
本発明の系は更に、系の性能を改良又は促進する1又は複数の追加の添加剤を含有することができる。適当な追加の添加剤としては例えば、不動態フィルム形成添加剤、基体の少なくとも1つの層の研磨速度を低下させるポリマー化合物、分散剤、界面活性剤、安定化剤、pH調節剤、調節剤、緩衝剤、及び/又は金属及び酸化物の研磨を促進及び/又は制御する他の添加剤を挙げることができる。そのような追加の添加剤は、当業者に既知である。
【0035】
適当な不動態フィルム形成剤としては例えば、金属層及び/又は金属酸化物層において不動態フィルム(すなわち溶解抑制層)の形成を促進することができる任意の化合物又は化合物の混合を挙げることができる。適当な不動態フィルム形成剤としては例えば、窒素含有ヘテロ環化合物を挙げることができる。好ましくは、不動態フィルム形成剤は、1又は複数の5〜6員ヘテロ窒素含有環を含む。より好ましくは、不動態フィルム形成剤は、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール及びそれらの誘導体、例えばそれらのヒドロキシ−、アミノ−、イミノ−、カルボキシ−、メルカプト−、ニトロ−及び尿素−、チオ尿素−、又はアルキル−置換誘導体からなる群より選択される。最も好ましくは不動態フィルム形成剤は、ベンゾトリアゾール(BTA)、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、及びそれらの混合からなる群より選択される。
【0036】
不動態フィルム形成剤は、本発明の系に任意の適当な濃度で存在していてよい。好ましくは不動態フィルム形成剤は、本発明の系の液体部分に、約0.005〜1.0wt%の量で存在している。好ましくは不動態フィルム形成剤は、系の液体部分に、約0.01〜0.2wt%の量で存在している。
【0037】
本発明の系は更に、アンモニア源(例えばアンモニア又はアンモニウム塩)を含有することができる。アンモニア及び/又はアンモニウム塩は、系の1又は複数の成分(例えば研磨添加剤)と作用することによって、系の除去速度及び/又は除去選択性(例えばCu:Taの除去選択性)を促進する。好ましくは本発明の系は、アンモニア及び/又はアンモニウム塩と、1又は複数の研磨添加剤を含有する。好ましくは系は、アンモニア源と、カルボキシル酸(好ましくはジ−、トリ−又はポリ−カルボキシル酸)、リン酸塩(好ましくはピロリン酸塩、トリ−リン酸塩、又は縮合リン酸塩)、それらの酸、及びホスホン酸(好ましくはジ−、トリ−又はポリ−ホスホン酸)からなる群より選択される少なくとも1種の研磨添加剤を含有する。例えば系は、アミノトリ(メチレン−ホスホン酸)と、アンモニア源(例えばアンモニア及び/又はアンモニウム塩)を含有することができる。
【0038】
適当なポリマー化合物としては例えば、基体に結合した少なくとも1つの層の研磨速度を減少させる任意の適当なポリマー化合物を挙げることができる。好ましくは系は、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、スルホン酸ポリマー、スルホン酸塩ポリマー、又はそれらの混合を含む少なくとも1種のポリマー化合物を含有する。
【0039】
適当な界面活性剤としては例えば、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素化界面活性剤、それらの混合等を挙げることができる。適当なpH調整剤、調節剤又は緩衝剤としては例えば、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、硫酸、塩酸、硝酸、ホスホン酸、クエン酸、リン酸カリウム、それらの混合等を挙げることができる。
【0040】
また本発明は、本明細書で示される系で基体を研磨する方法を提供する。更に本発明は、系で上述のような多層基体を研磨する方法を提供する。本発明の系は、比較的大きい速度で基体(例えば多層基体)を研磨すること、例えば比較的大きい速度で基体の第1の金属層、第2の層、及び/又は1又は複数の追加の層を除去することができる。
【0041】
研磨パッドの使用を包含する任意の適当な技術によって、本発明の系で基体を処理することができる。好ましくは系を基体表面に適用し、基体の1又は複数の層の少なくとも一部が除去されるようにして研磨する。より好ましくは、第1の金属層及び第2の層を有する多層基体の第1の金属層に系を適用し、そして第1の金属層の少なくとも一部が基体から除去されるまで、系で第1の金属層を研磨する。その後、第2の研磨系、組成物及び/又はスラリーを続く研磨工程で使用して、多層基体の第2の層、誘電体層、及び/又は1又は複数の追加の層の少なくとも一部を除去する。好ましくは第2の研磨系は、多層基体の第2の層(Ta又はTaN又はSiO 2 )に対する研磨選択性が、基体の第1の金属層(例えばCu)に対する研磨選択性よりも大きい。更に、一連の研磨工程の一部又は全ての後で清浄化組成物を使用して、研磨された基体の断片、及び/又は研磨系、組成物及び/又はスラリーの断片を除去することができる。
【0042】
系の液体部分を、例えばバッチ又は連続プロセスで、研磨パッド又は基体の表面に供給する前に配合することは適当である。また2又はそれよりも多くの別個の供給源から系の液体部分の複数の成分を供給し、これらの成分が研磨パッドの表面又は基体の表面において出合うようにすることによって、研磨パッドの表面又は基体の表面で、系の液体部分を配合(例えば混合)することも適当である。これに関して、系の液体部分の成分を研磨パッド又は基体の表面に供給する流量(すなわち系の特定の成分の供給量)を、研磨プロセスの前に及び/又は研磨プロセスの間に変化させ、それによって系の研磨選択性及び/又は粘度を変化させることができる。更に、系の液体部分の特定の成分を別個の供給源から供給して、研磨パッドの表面又は基体の表面への供給の前に、異なるpH値、実質的に同じpH値又は等しいpH値を有するようにすることが適当である。また、特定の成分を2又はそれよりも多くの別個の供給源から供給して、研磨パッドの表面又は基体の表面に達する前に、それぞれ独立にろ過し又は組み合わせてろ過することも適当である。
【0043】
例
以下の例は、本発明を更に説明するものであるが、本発明の範囲をいかようにも限定するものではないことを理解すべきである。
【0044】
以下の全ての例において言及されているタンタルウェハー及び以下の例のうちの1つ(すなわち例4)を除いて言及されている銅ウェハーは、それぞれタンタルブランケットフィルム及び銅ブランケットフィルムであった。以下の全ての例において言及されている二酸化ケイ素ウェハーは、厚さ約9,000Åのブランケットフィルムであった。全てのブランケットフィルムは、シリコン基体に堆積させたものである。
【0045】
以下の例における銅、タンタル及び二酸化ケイ素ウェハー(以下ではまとめて「試験ウェハー」として言及する)は、それぞれIPEC472研磨装置で研磨した。以下の例のうちの1つ(すなわち例4)を除く全ての例で使用されている研磨パッドは、Rodel(商標)SUBA IVパッドに重ねられたRodel(商標)IC1000研磨パッドであった。例4で使用した研磨パッドは、Rodel(商標)IC1000研磨パッドであり、Rodel(商標)SUBA IVパッドに重ねられていないものであった。以下の例のうちの1つ(すなわち例4)を除く全ての例の試験ウェハーは、約20kPa(3psi)の押しつけ力、0kPa(0psi)の背圧、50rpmの定盤速度、及び30rpmのウェハーホルダー速度を使用して研磨した。例4の試験ウェハーは、約20kPa(3psi)の押しつけ力、約14kPa(2psi)の背圧、55rpmの定盤速度、及び30rpmのウェハーホルダー速度を使用して研磨した。
【0046】
ウェハー除去速度は、Tencor Surfscan(商標)UV1050装置及びTencorRS−75を使用して、研磨の前後でそれぞれの試験ウェハーの厚さを直接に測定することによってを決定した。
【0047】
以下の例のうちの1つ(すなわち例3)を除く全ての例の系は、特に示さない場合は水酸化アンモニウム(NH4OH)で目標pHに調節した。
【0048】
例1
この例は、研磨系によって達成可能な多層基体の研磨選択性が、系の研磨添加剤及び停止化合物の種類及び存在によって影響を受けることを示している。尚、ここで系1A及び1C〜1Fは本発明の研磨系であり、系1B及び1Gは参考例の研磨系である。
【0049】
銅ウェハー、タンタルウェハー及び二酸化ケイ素(SiO2)ウェハーを、以下の成分を含有する8つの異なる研磨系(系1A〜1Gとする)でそれぞれ研磨した:3wt%のアルミナ(具体的にはCabot社のSemi−Sperse(商標)W−A355製品)、2.5wt%の酸化剤(具体的にはH2O2)、様々な濃度の研磨添加剤(具体的には1.25wt%の酒石酸、0.5wt%の1−ジ−ホスホン酸(すなわちDequest(商標)2010製品)、0.75wt%のアミノトリ(メチレンホスホン酸)(すなわちDequest(商標)2000製品)、0.8wt%のDequest(商標)2010製品、又は2.5wt%のDequest(商標)2000製品)、並びに様々な濃度の停止化合物(具体的には0.25wt%の、25%のエチレンイミンポリマーを含有するLupasol(商標)SKA(すなわち0.06wt%のポリエチレンイミン)、0.1wt%のジシアノイミダゾール、0.5wt%のLupasol SKA(すなわち0.12wt%のポリエチレンイミン)、0.5wt%のポリアシルアミド、又は0.5wt%の1,4−ビス(3−アミノプロピル)ピペラジン、又は0.5wt%の、セチルトリメチル塩化アンモニウムを含有するVarisoft(商標)300)。ここで、それぞれの系は、pHが5(系1E)又はpHが7.7(系1A〜D、1F〜1G)であった。更に系1Cは、0.005wt%の界面活性剤(具体的にはTriton DF−16)を含有していた。
【0050】
比較のために、試験ウェハーを、以下の成分を含有する標準対照系(「標準対照」)でも研磨した:3wt%のアルミナ(具体的にはCabot社のSemi−Sperse(商標)W−A355製品)及び2.5wt%の酸化剤(具体的にはH2O2)。ここでこの標準対照系のpHは7.7であった。更に、比較のために、以下の(i)及び(ii)の比較系でも試験ウェハーを研磨した:(i)3wt%のアルミナ(具体的にはCabot社のSemi−Sperse(商標)W−A355製品)、2.5wt%の酸化剤(具体的にはH2O2)及び1.25wt%の研磨添加剤(具体的には酒石酸)を伴う比較研磨系(「比較1」)、並びに(ii)3wt%のアルミナ(具体的にはCabot社のSemi−Sperse(商標)W−A355製品)、2.5wt%の酸化剤(具体的にはH2O2)及び1wt%の研磨添加剤(具体的にはDequest(商標)2010製品)を伴う比較研磨系(「比較2」)。ここでそれぞれの比較系のpHは7.7であった。
【0051】
系の使用の後で、それぞれの系による銅、タンタル及びSiO2の除去速度(RR)、並びに銅のタンタルに対する相対的な除去速度(「Cu:Ta」)を測定した。試験結果のデータは表1に示している。
【0052】
【表1】
【0053】
表1に挙げたデータから明らかなように、研磨添加剤及び停止化合物を含有する系(系1A〜1G)によって示される銅の除去とタンタルの除去との比(すなわちCu:Ta除去選択性)は、標準対照研磨系と比較2の研磨系の両方のCu:Ta除去選択性よりも大きく、また比較1の系のCu:Ta除去選択性と同様又はそれよりも大きかった。更に、研磨添加剤及び停止化合物を含有す研磨系(系1A〜1G)によって示されるSiO2除去速度は、比較1の研磨系によって示されるSiO2の除去速度と同様又はそれよりも小さかった。
【0054】
これらの結果は、本発明の系に含まれる研磨添加剤及び停止化合物の組み合わせの重要性、並びに特定の停止化合物と組み合わせた特定の研磨添加剤の、本発明の系及び方法によって達成可能な研磨速度及び選択性への影響を示している。
【0055】
例2
この例では、本発明の系によって達成可能な多層基体の研磨選択性が、系の研磨添加剤及び停止化合物の存在及び種類に依存していることを示す。
【0056】
銅ウェハー、タンタルウェハー、及び二酸化ケイ素(SiO2)ウェハーを、以下の成分を含む3つの異なる研磨系(系2A〜2Cとする)でそれぞれ研磨した:5wt%のシリカ(具体的にはCabot社のCab−O−Sperse(商標)SC−E製品)、2.5wt%の酸化剤(具体的にはH2O2)、様々な濃度の研磨添加剤(具体的には0.8wt%の1−ジ−ホスホン酸(すなわちDequest(商標)2010製品)、0.75wt%のアミノトリ(メチレンホスホン酸)(すなわちDequest(商標)2000製品)、又は0.75wt%のジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)(すなわちDequest(商標)2060製品))、並びに0.5wt%の停止化合物(具体的には0.5wt%の、25%のエチレンイミンポリマーを含有するLupasol(商標)SKA(すなわち0.12wt%のポリエチレンイミン))。ここで、それぞれの系は、pHが7.7であった。比較のために、試験ウェハーを、以下の成分を含有する標準対照系(「標準対照」)でも研磨した:5wt%のシリカ(具体的にはCabot社のCab−O−Sperse(商標)SC−E製品)及び2.5wt%の酸化剤(具体的にはH2O2)。ここでこの標準対照系のpHは8であった。系の使用の後で、それぞれの系による銅、タンタル及びSiO2の除去速度(RR)、並びに銅のタンタルに対する相対的な除去速度(「Cu:Ta」)を測定した。試験結果のデータは表2に示している。
【0057】
【表2】
【0058】
表2に挙げたデータから明らかなように、研磨添加剤及び停止化合物を含有する系(系2A〜2C)によって示される銅の除去とタンタルの除去との比(すなわちCu:Ta除去選択性)は、研磨添加剤及び停止化合物を含有していない標準対照系のCu:Ta除去選択性よりも大きかった。更に、停止化合物及びDequest(商標)2060製品を含有する系(系2C)の銅除去速度及びCu:Ta除去選択性は、停止化合物及びDequest(商標)2000製品を含有する系(系2B)の銅除去速度及びCu:Ta除去選択性よりも大きかった。またこの系2Bの銅除去速度及びCu:Ta除去選択性は、停止化合物及びDequest(商標)2010製品を含有する系(系2A)の銅除去速度及びCu:Ta除去選択性よりも大きかった。更に研磨添加剤及び停止化合物を含有する系(系2A〜2C)によって示されるSiO2除去速度は、研磨添加剤及び停止化合物を含有しない標準対照系のSiO2の除去速度よりも小さかった。
【0059】
これらの結果は、本発明の系に含まれる研磨添加剤及び停止化合物の組み合わせの重要性、並びに停止化合物と組み合わせた特定の研磨添加剤の、本発明の方法によって達成可能な研磨速度及び選択性への影響を示している。
【0060】
【0061】
【0062】
【0063】
【0064】
【0065】
例4
この例では、本発明の系によって達成可能な多層基体の研磨選択性及び表面欠陥の最少化が、系の停止化合物の種類に依存していることを示す。
【0066】
銅ウェハー、タンタルウェハー、及び二酸化ケイ素(SiO2)ウェハーを、以下の成分を含む2つの異なる研磨系(系4A及び4Bとする)でそれぞれ研磨した:3wt%のアルミナ(具体的にはCabot社のSemi−Sperse(商標)W−A355製品)、2.5wt%の酸化剤(具体的にはH2O2)、1.25wt%研磨添加剤(具体的には酒石酸)、及びそれぞれ0wt%又は0.06wt%の停止化合物(具体的にはエチレンイミンポリマー(すなわちLupasol SKA))。ここで、それぞれの系はpHが7.7であった。系の使用の後で、銅のタンタルに対する相対的な除去(「Cu:Ta」)、銅のディッシッング、及びSiO2のエロージョンを測定した。この結果のデータは下記の表4に示している。銅ラインのウェハーディッシッング(すなわち銅ディッシッング)及びSiO2のエロージョンは、Tencor P−20 Long Scan Profilerを使用して測定した。銅ディッシッングは、10μm構造寸法及び50μm構造寸法(「10μm/50μm」)で測定した。SiO2エロージョンは、2μmライン及び4μmピッチのアレー(「2μm/4μmアレー」)に関して測定した。
【0067】
【表4】
【0068】
表4に挙げたデータから明らかなように、研磨添加剤及び停止化合物を含有する研磨系(系4B)によって示される銅除去とタンタル除去との比(すなわちCu:Ta除去選択性)は、研磨添加剤のみを含有する系(系4A)によって示されるCu:Ta除去選択性よりも大きかった。更に、研磨添加剤及び停止化合物を含有する系(系4B)によって示されるCuディッシッング及びSiO2エロージョンは、研磨添加剤のみを含有する系(系4A)によって示されるCuディッシッング及びSiO2エロージョンよりも小さかった。
【0069】
これらの結果は、本発明の系によって達成可能な研磨選択性並びに本発明の系によって研磨される基体の表面欠陥の最少化に関して、本発明の系における停止化合物の存在の重要性を示している。
【0070】
特許公報、特許出願公報、及び公開文献を包含する本明細書で示されている全ての参考文献は、ここで参照してその記載の全てを本明細書の記載に含める。
【0071】
本発明を好ましい態様に関して説明してきたが、これらの好ましい態様の変形が使用できること、及び本明細書で特定した以外でも本発明を実施できることは当業者に明らかである。従って本発明は、特許請求の範囲に示される範囲及び本質内の全ての変形を包含している。
Claims (20)
- 研磨パッド及び/又は研磨材と共に使用して、銅又は銅合金である第1の金属層、及びタンタル、窒化タンタル又は二酸化ケイ素である第2の層を有する多層基体の1又は複数の層を研磨するための組成物であって、
(i)液体キャリア、
(ii)0.1〜30.0wt%の少なくとも1種の酸化剤、
(iii)基体の前記第1の層を研磨する速度を増加させ、且つリン酸塩、ホスホン酸及びその塩、並びにカルボキシル酸及びその塩からなる群より選択される、0.05〜10.0wt%の少なくとも1種の研磨添加剤、並びに
(iv)ポリエーテルアミン、ポリエチレンイミン、ポリアシルアミド、N4−アミノ(N,N’−ビス−[3−アミノプロピル]エチレンジアミン)、4,7,10−トリオキサトリデカン−1,13−ジアミン、3,3−ジメチル−4,4−ジアミノジシクロヘキシルメタン、2−フェニルエチルアミン、N,N−ジメチルジプロピレントリアミン、3−[2−メトキシエトキシ]プロピルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、1,4−ビス(3−アミノプロピル)ピペラジン、又はそれらの混合物からなる群より選択される、カチオン性の窒素含有化合物である0.001〜5.0wt%の少なくとも1種の停止化合物、
を含有する、多層基体の1又は複数の層を研磨するための組成物。 - 前記液体キャリアが非水性溶媒である、請求項1に記載の組成物。
- 前記液体キャリアが水である、請求項1に記載の組成物。
- 前記少なくとも1種の停止化合物が、0.05〜3wt%の濃度で前記液体キャリア中に存在する、請求項1〜3のいずれかに記載の組成物。
- 前記少なくとも1種の研磨添加剤が、ピロリン酸塩、トリ−リン酸塩、縮合リン酸塩、モノ−ホスホン酸、ジ−ホスホン酸、トリ−ホスホン酸、ポリ−ホスホン酸、これらのホスホン酸の塩、ジカルボキシル酸、トリカルボキシル酸、及びポリカルボキシル酸からなる群より選択される、請求項1〜4のいずれかに記載の組成物。
- ポリエチレンイミンを含む少なくとも1種の停止化合物と、ジ−カルボキシル酸、トリ−カルボキシル酸、ポリ−カルボキシル酸、ピロリン酸塩、トリ−リン酸塩、縮合リン酸塩、ジ−ホスホン酸、トリ−ホスホン酸、ポリ−ホスホン酸、及びそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも1種の研磨添加剤を含有する、請求項1〜5のいずれかに記載の組成物。
- 前記少なくとも1種の酸化剤がペルオキシドである、請求項1〜6のいずれかに記載の組成物。
- ペルオキシド、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、及び1,4−ビス(3−アミノプロピル)ピペラジンを含有している、請求項1〜7のいずれかに記載の組成物。
- ペルオキシド、酒石酸、及びポリエチレンイミンを含有している、請求項1〜8のいずれかに記載の組成物。
- 前記基体に結合した少なくとも1つの層の研磨速度を低下させる少なくとも1種のポリマー化合物を更に含有している、請求項1〜9のいずれかに記載の組成物。
- 少なくとも1種の不動態フィルム形成剤を更に含有している、請求項1〜10のいずれかに記載の組成物。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の組成物、並びに研磨パッド及び/又は研磨材を含む、第1の金属層及び第2の層を有する多層基体の1又は複数の層を研磨するための系。
- 前記系が前記液体キャリアに懸濁されている研磨材を含有している、請求項12に記載の系。
- 前記研磨材が前記研磨パッドに固定されている、請求項12に記載の系。
- 前記研磨材が金属酸化物研磨材である、請求項12〜14のいずれかに記載の系。
- 前記研磨材が、アルミナ、セリア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、ジルコニア、及びそれらの共生成物、並びにそれらの混合物からなる群より選択される、請求項15に記載の系。
- 前記研磨材がアルミナである、請求項16に記載の系。
- 系に研磨材が存在せず、且つ前記研磨パッドが非研磨性のパッドである、請求項12に記載の系。
- 請求項12〜18のいずれかに記載の系を基体の表面に接触させること、及びこの系によって前記基体の少なくとも一部を研磨することを含む、基体の研磨方法。
- 銅又は銅合金である第1の金属層、及びタンタル、窒化タンタル又は二酸化ケイ素である第2の層を有する多層基体の1又は複数の層を研磨する方法であって、
(a)請求項12〜18のいずれかに記載の系を、前記第1の金属層に接触させること、及び
(b)前記基体から前記第1の金属層の少なくとも一部が除去されるまで、前記第1の金属層を前記系で研磨すること、
を含む、多層基体の1又は複数の層を研磨する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14881399P | 1999-08-13 | 1999-08-13 | |
US60/148,813 | 1999-08-13 | ||
PCT/US2000/021952 WO2001012741A1 (en) | 1999-08-13 | 2000-08-10 | Polishing system with stopping compound and method of its use |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006104616A Division JP4723409B2 (ja) | 1999-08-13 | 2006-04-05 | 研磨組成物、研磨系及び研磨方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003507896A JP2003507896A (ja) | 2003-02-25 |
JP2003507896A5 JP2003507896A5 (ja) | 2008-09-04 |
JP4188598B2 true JP4188598B2 (ja) | 2008-11-26 |
Family
ID=22527505
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001517629A Expired - Lifetime JP4188598B2 (ja) | 1999-08-13 | 2000-08-10 | 停止化合物を伴う研磨系及びその使用方法 |
JP2001517628A Expired - Lifetime JP4391715B2 (ja) | 1999-08-13 | 2000-08-10 | 化学機械的研磨系 |
JP2005349782A Expired - Lifetime JP4851174B2 (ja) | 1999-08-13 | 2005-12-02 | 研磨系 |
JP2006104616A Expired - Lifetime JP4723409B2 (ja) | 1999-08-13 | 2006-04-05 | 研磨組成物、研磨系及び研磨方法 |
JP2009102674A Expired - Lifetime JP5384994B2 (ja) | 1999-08-13 | 2009-04-21 | 停止化合物を伴う化学機械的研磨系及びその使用方法 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001517628A Expired - Lifetime JP4391715B2 (ja) | 1999-08-13 | 2000-08-10 | 化学機械的研磨系 |
JP2005349782A Expired - Lifetime JP4851174B2 (ja) | 1999-08-13 | 2005-12-02 | 研磨系 |
JP2006104616A Expired - Lifetime JP4723409B2 (ja) | 1999-08-13 | 2006-04-05 | 研磨組成物、研磨系及び研磨方法 |
JP2009102674A Expired - Lifetime JP5384994B2 (ja) | 1999-08-13 | 2009-04-21 | 停止化合物を伴う化学機械的研磨系及びその使用方法 |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6852632B2 (ja) |
EP (3) | EP1811005B1 (ja) |
JP (5) | JP4188598B2 (ja) |
KR (2) | KR100590664B1 (ja) |
CN (2) | CN100368496C (ja) |
AT (2) | ATE292167T1 (ja) |
AU (2) | AU6537000A (ja) |
CA (2) | CA2378793A1 (ja) |
DE (2) | DE60019142T2 (ja) |
HK (2) | HK1046422A1 (ja) |
IL (2) | IL147234A0 (ja) |
MY (2) | MY139997A (ja) |
TW (2) | TW500784B (ja) |
WO (2) | WO2001012740A1 (ja) |
Families Citing this family (93)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6503418B2 (en) * | 1999-11-04 | 2003-01-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ta barrier slurry containing an organic additive |
US6976905B1 (en) | 2000-06-16 | 2005-12-20 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for polishing a memory or rigid disk with a phosphate ion-containing polishing system |
US20020098784A1 (en) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Saket Chadda | Abrasive free polishing in copper damascene applications |
JP4231632B2 (ja) | 2001-04-27 | 2009-03-04 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
KR100535074B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2005-12-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 루테늄의 화학 기계적 연마용 슬러리 및 이를 이용한연마공정 |
US20030003747A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Jae Hong Kim | Chemical mechanical polishing slurry for ruthenium titanium nitride and polishing process using the same |
SG144688A1 (en) * | 2001-07-23 | 2008-08-28 | Fujimi Inc | Polishing composition and polishing method employing it |
US20050028449A1 (en) * | 2001-09-03 | 2005-02-10 | Norihiko Miyata | Polishing composition |
US6805812B2 (en) | 2001-10-11 | 2004-10-19 | Cabot Microelectronics Corporation | Phosphono compound-containing polishing composition and method of using same |
JP4095798B2 (ja) * | 2001-12-20 | 2008-06-04 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US7004819B2 (en) * | 2002-01-18 | 2006-02-28 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP systems and methods utilizing amine-containing polymers |
US7097541B2 (en) * | 2002-01-22 | 2006-08-29 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP method for noble metals |
US6776810B1 (en) * | 2002-02-11 | 2004-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP |
US6755721B2 (en) | 2002-02-22 | 2004-06-29 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Chemical mechanical polishing of nickel phosphorous alloys |
KR101005304B1 (ko) * | 2002-03-25 | 2011-01-05 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 | 탄탈 배리어 제거 용액 |
JP2004006628A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US7087187B2 (en) | 2002-06-06 | 2006-08-08 | Grumbine Steven K | Meta oxide coated carbon black for CMP |
KR100474537B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2005-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 산화막용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 제조 방법 |
US6911393B2 (en) * | 2002-12-02 | 2005-06-28 | Arkema Inc. | Composition and method for copper chemical mechanical planarization |
JP2004273547A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Kao Corp | 研磨速度選択比向上剤 |
US7306748B2 (en) * | 2003-04-25 | 2007-12-11 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Methods for machining ceramics |
US8025808B2 (en) | 2003-04-25 | 2011-09-27 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Methods for machine ceramics |
US7160807B2 (en) * | 2003-06-30 | 2007-01-09 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP of noble metals |
KR100499642B1 (ko) * | 2003-09-05 | 2005-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 제조 방법 |
US7300480B2 (en) * | 2003-09-25 | 2007-11-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High-rate barrier polishing composition |
US7241725B2 (en) * | 2003-09-25 | 2007-07-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Barrier polishing fluid |
US7485162B2 (en) * | 2003-09-30 | 2009-02-03 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
JP4608196B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-01-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US7022255B2 (en) | 2003-10-10 | 2006-04-04 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Chemical-mechanical planarization composition with nitrogen containing polymer and method for use |
US7247566B2 (en) * | 2003-10-23 | 2007-07-24 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | CMP method for copper, tungsten, titanium, polysilicon, and other substrates using organosulfonic acids as oxidizers |
US7514363B2 (en) * | 2003-10-23 | 2009-04-07 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Chemical-mechanical planarization composition having benzenesulfonic acid and per-compound oxidizing agents, and associated method for use |
US7255810B2 (en) * | 2004-01-09 | 2007-08-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing system comprising a highly branched polymer |
JP4814502B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2011-11-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
US7988878B2 (en) * | 2004-09-29 | 2011-08-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Selective barrier slurry for chemical mechanical polishing |
JP4836441B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2011-12-14 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
EP1710045B1 (en) * | 2005-04-08 | 2008-12-17 | Ohara Inc. | A substrate and a method for polishing a substrate |
US7316977B2 (en) * | 2005-08-24 | 2008-01-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical-mechanical planarization composition having ketooxime compounds and associated method for use |
US7678702B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-03-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | CMP composition of boron surface-modified abrasive and nitro-substituted sulfonic acid and method of use |
US8353740B2 (en) | 2005-09-09 | 2013-01-15 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Conductive hydrocarbon fluid |
US7708904B2 (en) | 2005-09-09 | 2010-05-04 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Conductive hydrocarbon fluid |
US20070068902A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Yasushi Matsunami | Polishing composition and polishing method |
US7955519B2 (en) * | 2005-09-30 | 2011-06-07 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
US7265055B2 (en) | 2005-10-26 | 2007-09-04 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP of copper/ruthenium substrates |
CN1955212B (zh) * | 2005-10-28 | 2011-08-03 | 安集微电子(上海)有限公司 | 用于阻挡层的化学机械抛光浆料 |
FR2896165B1 (fr) * | 2006-01-13 | 2012-08-03 | Centre Nat Rech Scient | Preparation d'un substrat inorganique presentant des proprietes anti-microbiennes |
JP2007266075A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液 |
KR20070088245A (ko) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 후지필름 가부시키가이샤 | 금속용 연마액 |
JP2007266077A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液 |
KR101361921B1 (ko) * | 2006-04-21 | 2014-02-12 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 산화물 입자의 제조 방법, 슬러리, 연마제 및 기판의 연마 방법 |
US7585340B2 (en) * | 2006-04-27 | 2009-09-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing polyether amine |
KR20090012309A (ko) * | 2006-05-31 | 2009-02-03 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 연마제 조성물 및 연마 방법 |
CN101130665A (zh) * | 2006-08-25 | 2008-02-27 | 安集微电子(上海)有限公司 | 用于抛光低介电材料的抛光液 |
US7776230B2 (en) * | 2006-08-30 | 2010-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP system utilizing halogen adduct |
CN101153205A (zh) * | 2006-09-29 | 2008-04-02 | 安集微电子(上海)有限公司 | 用于抛光低介电材料的化学机械抛光液 |
US20080105652A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP of copper/ruthenium/tantalum substrates |
WO2008079704A2 (en) | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Methods for machining inorganic, non-metallic workpieces |
US20080149884A1 (en) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Junaid Ahmed Siddiqui | Method and slurry for tuning low-k versus copper removal rates during chemical mechanical polishing |
JP2008177373A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Nitta Haas Inc | 研磨組成物 |
US20100176335A1 (en) * | 2007-06-08 | 2010-07-15 | Techno Semichem Co., Ltd. | CMP Slurry Composition for Copper Damascene Process |
US7915071B2 (en) * | 2007-08-30 | 2011-03-29 | Dupont Air Products Nanomaterials, Llc | Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials |
US7803711B2 (en) * | 2007-09-18 | 2010-09-28 | Cabot Microelectronics Corporation | Low pH barrier slurry based on titanium dioxide |
US20090090696A1 (en) * | 2007-10-08 | 2009-04-09 | Cabot Microelectronics Corporation | Slurries for polishing oxide and nitride with high removal rates |
WO2009054370A1 (ja) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Cmp研磨液及びこれを用いた基板の研磨方法 |
SI2225175T1 (sl) | 2007-12-12 | 2013-04-30 | Akzo Nobel N.V. | Stabilizirane raztopine vodikovega peroksida |
US20090215266A1 (en) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | Thomas Terence M | Polishing Copper-Containing patterned wafers |
SG188848A1 (en) * | 2008-03-07 | 2013-04-30 | Advanced Tech Materials | Non-selective oxide etch wet clean composition and method of use |
JP2008300858A (ja) * | 2008-07-15 | 2008-12-11 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液及び研磨方法 |
CN101333419B (zh) * | 2008-08-05 | 2011-06-29 | 清华大学 | 一种集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液 |
US20100081279A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Method for Forming Through-base Wafer Vias in Fabrication of Stacked Devices |
US8506831B2 (en) | 2008-12-23 | 2013-08-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Combination, method, and composition for chemical mechanical planarization of a tungsten-containing substrate |
US9330703B2 (en) * | 2009-06-04 | 2016-05-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for nickel-phosphorous memory disks |
US8025813B2 (en) | 2009-11-12 | 2011-09-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and methods relating thereto |
JP2013513023A (ja) * | 2009-12-03 | 2013-04-18 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 正のゼータ電位を有する防食顔料 |
US8916473B2 (en) | 2009-12-14 | 2014-12-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for forming through-base wafer vias for fabrication of stacked devices |
CN102101978B (zh) * | 2009-12-18 | 2014-07-23 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
CN102101976A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
JP5657247B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2015-01-21 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
JP6101421B2 (ja) * | 2010-08-16 | 2017-03-22 | インテグリス・インコーポレーテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
TWI568541B (zh) * | 2010-12-22 | 2017-02-01 | Jsr Corp | Chemical mechanical grinding method |
US8524540B2 (en) * | 2011-02-01 | 2013-09-03 | Nilesh Kapadia | Adhesion promoting composition for metal leadframes |
US20120203765A1 (en) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | Microsoft Corporation | Online catalog with integrated content |
CN102181232B (zh) * | 2011-03-17 | 2013-12-11 | 清华大学 | Ulsi多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光的组合物 |
JPWO2012133591A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2014-07-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び半導体デバイスの製造方法 |
US20140311044A1 (en) * | 2011-04-25 | 2014-10-23 | Bando Chemical Industries, Ltd. | Polishing film |
CN105086836A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-25 | 三峡大学 | 一种氧化铈抛光液及其制备方法 |
US10478939B2 (en) * | 2015-09-30 | 2019-11-19 | Fujimi Incorporated | Polishing method |
KR102543680B1 (ko) * | 2015-12-17 | 2023-06-16 | 솔브레인 주식회사 | 화학기계적 연마 슬러리 조성물 |
KR102544644B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2023-06-19 | 솔브레인 주식회사 | 유기막 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체 기판 연마 방법 |
WO2017147891A1 (en) * | 2016-03-04 | 2017-09-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of chemical mechanical polishing a semiconductor substrate |
WO2018055985A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、ならびにこれを用いた研磨方法および半導体基板の製造方法 |
CN110997856B (zh) * | 2017-08-09 | 2021-10-29 | 昭和电工材料株式会社 | 研磨液和研磨方法 |
US20200102476A1 (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | Versum Materials Us, Llc | Barrier Slurry Removal Rate Improvement |
JP7379789B2 (ja) | 2020-03-02 | 2023-11-15 | 株式会社タイテム | コロイダルシリカスラリー |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE400575B (sv) * | 1974-12-13 | 1978-04-03 | Nordnero Ab | Bad for betning av koppar och dess legeringar |
US4404074A (en) * | 1982-05-27 | 1983-09-13 | Occidental Chemical Corporation | Electrolytic stripping bath and process |
US4452643A (en) * | 1983-01-12 | 1984-06-05 | Halliburton Company | Method of removing copper and copper oxide from a ferrous metal surface |
JPS6396599A (ja) | 1986-10-14 | 1988-04-27 | 三菱重工業株式会社 | 金属ルテニウムの溶解法 |
DE3735158A1 (de) * | 1987-10-16 | 1989-05-03 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum schleierfreien polieren von halbleiterscheiben |
JPH01270512A (ja) | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 貴金属の溶解方法 |
US4875973A (en) * | 1988-07-27 | 1989-10-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Hydrogen peroxide compositions containing a substituted aminobenzaldehyde |
JP2800020B2 (ja) * | 1989-04-18 | 1998-09-21 | 東海電化工業株式会社 | 錫又は錫合金の化学溶解剤 |
US5230833A (en) * | 1989-06-09 | 1993-07-27 | Nalco Chemical Company | Low sodium, low metals silica polishing slurries |
JPH03202269A (ja) * | 1989-10-12 | 1991-09-04 | Nalco Chem Co | 低ナトリウム低金属シリカ研磨スラリー |
JPH03232980A (ja) | 1990-02-06 | 1991-10-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 銅もしくは銅合金上の銀剥離液 |
JPH0781132B2 (ja) * | 1990-08-29 | 1995-08-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨剤組成物 |
US5981454A (en) * | 1993-06-21 | 1999-11-09 | Ekc Technology, Inc. | Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine |
JP3397501B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2003-04-14 | 株式会社東芝 | 研磨剤および研磨方法 |
JP3481379B2 (ja) * | 1995-08-23 | 2003-12-22 | メック株式会社 | 電気めっき法 |
JPH0982668A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-03-28 | Sony Corp | 研磨用スラリー及びこの研磨用スラリーを用いる研磨方法 |
EP0773270B1 (en) * | 1995-11-10 | 2001-01-24 | Tokuyama Corporation | Polishing slurries and a process for the production thereof |
JPH1015811A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-20 | Kao Corp | 加工用助剤組成物及びこれを用いた表面加工方法 |
US5783489A (en) * | 1996-09-24 | 1998-07-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing |
US6039891A (en) * | 1996-09-24 | 2000-03-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing |
US5972792A (en) * | 1996-10-18 | 1999-10-26 | Micron Technology, Inc. | Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad |
US5773364A (en) * | 1996-10-21 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Method for using ammonium salt slurries for chemical mechanical polishing (CMP) |
SG68005A1 (en) * | 1996-12-02 | 1999-10-19 | Fujimi Inc | Polishing composition |
JPH10172936A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
US6309560B1 (en) * | 1996-12-09 | 2001-10-30 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
US5954997A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-21 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
CA2287404C (en) * | 1997-04-30 | 2007-10-16 | David A. Kaisaki | Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer |
US5855633A (en) * | 1997-06-06 | 1999-01-05 | Lockheed Martin Energy Systems, Inc. | Lapping slurry |
US6083419A (en) * | 1997-07-28 | 2000-07-04 | Cabot Corporation | Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching |
JP3082722B2 (ja) * | 1997-10-07 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6001730A (en) * | 1997-10-20 | 1999-12-14 | Motorola, Inc. | Chemical mechanical polishing (CMP) slurry for polishing copper interconnects which use tantalum-based barrier layers |
US5897375A (en) * | 1997-10-20 | 1999-04-27 | Motorola, Inc. | Chemical mechanical polishing (CMP) slurry for copper and method of use in integrated circuit manufacture |
JP3371775B2 (ja) | 1997-10-31 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 研磨方法 |
US6096652A (en) * | 1997-11-03 | 2000-08-01 | Motorola, Inc. | Method of chemical mechanical planarization using copper coordinating ligands |
JP3094392B2 (ja) | 1997-12-10 | 2000-10-03 | 株式会社荏原電産 | エッチング液 |
US6063306A (en) * | 1998-06-26 | 2000-05-16 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate |
KR100491465B1 (ko) * | 1998-08-31 | 2005-05-25 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 금속용 연마액 및 연마 방법 |
US6274063B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-08-14 | Hmt Technology Corporation | Metal polishing composition |
US6290736B1 (en) * | 1999-02-09 | 2001-09-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Chemically active slurry for the polishing of noble metals and method for same |
JP3912927B2 (ja) * | 1999-05-10 | 2007-05-09 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
DE19927286B4 (de) | 1999-06-15 | 2011-07-28 | Qimonda AG, 81739 | Verwendung einer Schleiflösung zum chemisch-mechanischen Polieren einer Edelmetall-Oberfläche |
JP4614497B2 (ja) * | 1999-07-13 | 2011-01-19 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
JP2001144047A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液及び研磨方法 |
JP2004514266A (ja) | 1999-12-14 | 2004-05-13 | ロデール ホールディングス インコーポレイテッド | 貴金属用研磨組成物 |
JP2001187877A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nec Corp | 化学的機械的研磨用スラリー |
-
2000
- 2000-08-10 JP JP2001517629A patent/JP4188598B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 DE DE60019142T patent/DE60019142T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 EP EP07005350.9A patent/EP1811005B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 AU AU65370/00A patent/AU6537000A/en not_active Abandoned
- 2000-08-10 KR KR1020027001010A patent/KR100590664B1/ko active IP Right Grant
- 2000-08-10 CN CNB008116377A patent/CN100368496C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 WO PCT/US2000/021938 patent/WO2001012740A1/en active IP Right Grant
- 2000-08-10 IL IL14723400A patent/IL147234A0/xx unknown
- 2000-08-10 EP EP00952726A patent/EP1218465B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 AU AU66321/00A patent/AU6632100A/en not_active Abandoned
- 2000-08-10 CN CNB008116393A patent/CN100335580C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 KR KR1020027001011A patent/KR100590666B1/ko active IP Right Grant
- 2000-08-10 EP EP00953960A patent/EP1226220B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 CA CA002378793A patent/CA2378793A1/en not_active Abandoned
- 2000-08-10 AT AT00952726T patent/ATE292167T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-08-10 JP JP2001517628A patent/JP4391715B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 DE DE60034474T patent/DE60034474T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 WO PCT/US2000/021952 patent/WO2001012741A1/en active IP Right Grant
- 2000-08-10 AT AT00953960T patent/ATE360051T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-08-10 IL IL14723600A patent/IL147236A0/xx unknown
- 2000-08-10 CA CA002378790A patent/CA2378790A1/en not_active Abandoned
- 2000-08-11 TW TW089116226A patent/TW500784B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-08-11 TW TW089116251A patent/TW570965B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-08-11 MY MYPI20003665A patent/MY139997A/en unknown
- 2000-08-11 MY MYPI20003660A patent/MY129591A/en unknown
-
2002
- 2002-11-04 HK HK02108002.7A patent/HK1046422A1/zh unknown
- 2002-11-04 HK HK02108003.6A patent/HK1046423A1/zh unknown
-
2003
- 2003-01-29 US US10/353,542 patent/US6852632B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-12-02 JP JP2005349782A patent/JP4851174B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-04-05 JP JP2006104616A patent/JP4723409B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-04-21 JP JP2009102674A patent/JP5384994B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4188598B2 (ja) | 停止化合物を伴う研磨系及びその使用方法 | |
US6867140B2 (en) | Method of polishing a multi-layer substrate | |
US6063306A (en) | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate | |
US8858819B2 (en) | Method for chemical mechanical planarization of a tungsten-containing substrate | |
US6217416B1 (en) | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates | |
US7022255B2 (en) | Chemical-mechanical planarization composition with nitrogen containing polymer and method for use | |
US20050079803A1 (en) | Chemical-mechanical planarization composition having PVNO and associated method for use | |
US20050194563A1 (en) | Bicine/tricine containing composition and method for chemical-mechanical planarization |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050308 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050607 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050908 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060316 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060420 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060609 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071119 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20080717 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080911 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4188598 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130919 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |