CN102101976A - 一种化学机械抛光液 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 31
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical group C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 4
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 4
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 4
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001479 Hydroxyethyl methyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- -1 Type 3U Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 claims description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 abstract 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 230000003245 working effect Effects 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种化学机械抛光液,其含有研磨颗粒、一种聚合物和水,其还含有一种用于提高抛光浆料稳定性的稳定剂。本发明的抛光液中,研磨颗粒的粒径随时间延长的增长率低。本发明的化学机械抛光液具有较高的稳定性、较长的存储时间和使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及一种化学机械抛光液。
背景技术
在半导体工业中的化学机械抛光(CMP)领域,使用的化学机械抛光液主要分酸性和碱性浆料两种。其中,碱性浆料的稳定性比较好,但存在没有合适的氧化剂,以及在抛光过程中易造成表面浊点和轻微划伤的问题。酸性浆料在这方面表现出了一定的优势。但是酸性浆料中磨料颗粒的尺寸会随着存储时间的延长,在浆料中化学组分的作用下逐渐长大。当粒径大于120纳米以后,会出现沉降分层等现象,严重影响抛光质量,造成产品失效。所以控制磨料粒子的长大,延长使用寿命是酸性浆料急于解决的问题。
化学机械抛光液均含有研磨颗粒,大部分采用纳米二氧化硅溶胶作为磨料颗粒。关于二氧化硅溶胶的稳定性有很多文献报道。但在CMP领域关于抑制磨料颗粒粒径增长,延长化学机械抛光液稳定性的文献还未见报道。
发明内容
在抛光液中,还常常需要加入一些聚合物来调节抛光液的粘度和抛光过程中的摩擦力,但酸性抛光液中加入这类聚合物会导致研磨颗粒、尤其是带负电的研磨颗粒的聚结。因此,本发明所要解决的技术问题是为了克服现有技术中酸性化学机械抛光液的存储稳定性的问题,而提供一种具有较高稳定性的化学机械抛光液。
本发明的化学机械抛光液含有研磨颗粒、一种聚合物和水,其还含有一种用于提高抛光浆料稳定性的稳定剂。
其中,所述的聚合物为纤维素类聚合物,优选为甲基纤维素、乙基纤维素、羟甲基纤维素、羟乙基纤维素、甲基羟乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、羧甲基纤维素。所述的纤维素的分子量较佳为10000~2000000。更佳为50000~500000。所述的纤维素的含量较佳为质量百分数0.0001~1%,更佳为质量百分数0.001~0.5%。
其中,所述的提高抛光浆料稳定性的添加剂为乙烯基吡咯烷酮类聚合物。
所述的乙烯基吡咯烷酮类聚合物为聚乙烯吡咯烷酮和/或乙烯基吡咯烷酮与醋酸乙烯酯的共聚物。所述的聚乙烯吡咯烷酮或乙烯基吡咯烷酮与醋酸乙烯酯的共聚物的分子量较佳为800~100000。更佳为1000~50000。
所述的聚乙烯吡咯烷酮和/或乙烯基吡咯烷酮与醋酸乙烯酯的共聚物的含量较佳为质量百分比0.001~3%。更佳为质量百分比0.005~1%。
其中,所述研磨颗粒为本领域常规使用的各种研磨颗粒,优选为表面带负电荷的研磨颗粒。
所述的表面带负电荷的研磨颗粒为二氧化硅,表面包裹二氧化硅的研磨颗粒和带负电的高分子研磨颗粒。所述的研磨颗粒的粒径较佳为20~150nm,更佳为30~120nm。所述的研磨颗粒的含量为质量百分比0.1~30%。
本发明的化学机械抛光液还可含有本领域常用的其他添加剂,如氧化剂、成膜剂、络合剂等以达到抛光目的。
本发明中,所述的化学机械抛光液的pH值较佳的为2~7。
本发明的抛光液由上述成分简单均匀混合,之后采用pH调节剂调节至合适pH值即可制得。pH调节剂可选用本领域常规pH调节剂,如氢氧化钾、氨水和硝酸等。本发明中,所用试剂及原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于:本发明的抛光液中,研磨颗粒的粒径在40C时也能保持稳定。本发明的化学机械抛光液具有较高的稳定性、较长的存储时间和使用寿命。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明,但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
表1给出了本发明的化学机械抛光液实施例1~9,按表中配方,将各成分简单均匀混合,余量为水,之后采用氢氧化钾、氨水和硝酸调节至合适pH值,即可制得各实施例抛光液。
表1本发明的化学机械抛光液实施例1~9
效果实施例
表2给出了对比抛光液1和本发明的抛光液10~15,按表中配方,将各成分简单均匀混合,余量为水,之后采用氢氧化钾、氨水和硝酸调节至合适pH值,即可制得各抛光液。各抛光液中初始的二氧化硅研磨颗粒均为75nm,在40℃烘箱中放置后测量粒径如表3所示。
表2对比抛光液1及本发明的化学机械抛光液实施例10~15
表3对比抛光液1和本发明的抛光液10~15的研磨颗粒粒径变化
由表3可见,与对比抛光液相比,本发明的抛光液中添加了稳定剂后,研磨颗粒的稳定性增加,当稳定剂与聚合物达到一定比例后,能使抛光液长时间稳定。稳定剂所需的量随聚合物和研磨颗粒的增加而增加。本发明的抛光液具有较高的稳定性、较长的存储时间和使用寿命。
Claims (19)
1.一种化学机械抛光液,其含有研磨颗粒、一种聚合物和水,其特征在于:还含一种用于提高抛光浆料稳定性的稳定剂。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的稳定剂为乙烯基吡咯烷酮类聚合物。
3.如权利要求2所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的乙烯基吡咯烷酮类聚合物为聚乙烯吡咯烷酮和/或乙烯基吡咯烷酮与醋酸乙烯酯的共聚物。
4.如权利要求2所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的乙烯基吡咯烷酮类聚合物的分子量为800~100000。
5.如权利要求4所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的乙烯基吡咯烷酮类聚合物的分子量为1000~50000。
6.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的稳定剂的含量为质量百分比0.001~3%。
7.如权利要求6所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的稳定剂的含量为质量百分比0.005~1%。
8.如权利要求1所述化学机械抛光液,其特征在于:所述研磨颗粒为表面带负电荷的研磨颗粒。
9.如权利要求8所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的研磨颗粒为二氧化硅、表面包裹二氧化硅的研磨颗粒和/或带负电的高分子研磨颗粒。
10.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于:所述的研磨颗粒的粒径为20~150nm。
11.如权利要求10所述的抛光液,其特征在于:所述的研磨颗粒的粒径为30~120nm。
12.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的研磨颗粒的含量为质量百分比0.1~30%。
13.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的聚合物为纤维素。
14.如权利要求13所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的纤维素为甲基纤维素、乙基纤维素、羟甲基纤维素、羟乙基纤维素、甲基羟乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、羟丙基纤维素和羧甲基纤维素中的一种或多种。
15.如权利要求13所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的纤维素的分子量为10000~2000000。
16.如权利要求15所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的纤维素的分子量为50000~500000。
17.如权利要求13所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的纤维素的含量为质量百分数0.0001~1%
18.如权利要求17所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的纤维素的含量为质量百分数0.001~0.5%。
19.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于:所述的化学机械抛光液的pH值为2~7。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009102013787A CN102101976A (zh) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | 一种化学机械抛光液 |
PCT/CN2010/002064 WO2011072493A1 (zh) | 2009-12-18 | 2010-12-17 | 一种化学机械抛光液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009102013787A CN102101976A (zh) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | 一种化学机械抛光液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102101976A true CN102101976A (zh) | 2011-06-22 |
Family
ID=44155052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009102013787A Pending CN102101976A (zh) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | 一种化学机械抛光液 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102101976A (zh) |
WO (1) | WO2011072493A1 (zh) |
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---|---|
WO2011072493A1 (zh) | 2011-06-23 |
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