DE60019142T2 - Poliersystem mit stopmittel und verfahren zu seiner verwendung - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 156
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 75
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 56
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 37
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 claims abstract description 16
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- -1 nitrogen-containing compound Chemical class 0.000 claims description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 11
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 9
- 150000003141 primary amines Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000001226 triphosphate Substances 0.000 claims description 9
- 235000011178 triphosphate Nutrition 0.000 claims description 9
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 6
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000002978 peroxides Chemical group 0.000 claims description 6
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 6
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000003628 tricarboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 5
- JCBPETKZIGVZRE-UHFFFAOYSA-N 2-aminobutan-1-ol Chemical compound CCC(N)CO JCBPETKZIGVZRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminopropyl)piperazin-1-yl]propan-1-amine Chemical compound NCCCN1CCN(CCCN)CC1 XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-N Phenethylamine Chemical compound NCCC1=CC=CC=C1 BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002264 triphosphate group Chemical class [H]OP(=O)(O[H])OP(=O)(O[H])OP(=O)(O[H])O* 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JCEZOHLWDIONSP-UHFFFAOYSA-N 3-[2-[2-(3-aminopropoxy)ethoxy]ethoxy]propan-1-amine Chemical compound NCCCOCCOCCOCCCN JCEZOHLWDIONSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 claims description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LSRUBRSFDNKORM-UHFFFAOYSA-N 1,1-diaminopropan-1-ol Chemical compound CCC(N)(N)O LSRUBRSFDNKORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JPIGSMKDJQPHJC-UHFFFAOYSA-N 1-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound CC(O)OCCN JPIGSMKDJQPHJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AXFVIWBTKYFOCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n-tetramethylbutane-1,3-diamine Chemical compound CN(C)C(C)CCN(C)C AXFVIWBTKYFOCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PWGVOCGNHYMDLS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)propan-1-amine Chemical compound COCCOCCCN PWGVOCGNHYMDLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 2
- IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N dimethylaminopropylamine Chemical compound CN(C)CCCN IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AXEYWFGSQDLHDX-UHFFFAOYSA-N hexane-1,3,6-triamine Chemical compound NCCCC(N)CCN AXEYWFGSQDLHDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OMKZWUPRGQMQJC-UHFFFAOYSA-N n'-[3-(dimethylamino)propyl]propane-1,3-diamine Chemical compound CN(C)CCCNCCCN OMKZWUPRGQMQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- FZZMTSNZRBFGGU-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-7-fluoroquinazolin-4-amine Chemical compound FC1=CC=C2C(N)=NC(Cl)=NC2=C1 FZZMTSNZRBFGGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 claims 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- DTSDBGVDESRKKD-UHFFFAOYSA-N n'-(2-aminoethyl)propane-1,3-diamine Chemical compound NCCCNCCN DTSDBGVDESRKKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract description 9
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 abstract description 4
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 abstract description 3
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 abstract description 3
- 150000007970 thio esters Chemical class 0.000 abstract description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 abstract description 2
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 abstract description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000003566 thiocarboxylic acids Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 80
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 44
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000047 product Substances 0.000 description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 23
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 22
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 13
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 13
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 10
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 8
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N (2-aminoethyl)phosphonic acid Chemical compound [NH3+]CCP(O)([O-])=O QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 6
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-N triphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(O)=O UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 4
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 3
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 3
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- UYBWIEGTWASWSR-UHFFFAOYSA-N 1,3-diaminopropan-2-ol Chemical compound NCC(O)CN UYBWIEGTWASWSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N ammonium oxalate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C([O-])=O VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008365 aqueous carrier Substances 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTBHHUPVCYLGQO-UHFFFAOYSA-N bis(3-aminopropyl)amine Chemical compound NCCCNCCCN OTBHHUPVCYLGQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 2
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- ITZPOSYADVYECJ-UHFFFAOYSA-N n'-cyclohexylpropane-1,3-diamine Chemical compound NCCCNC1CCCCC1 ITZPOSYADVYECJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEAZEPMQWHPHAG-UHFFFAOYSA-N n,n,n',n'-tetramethylbutane-1,4-diamine Chemical compound CN(C)CCCCN(C)C VEAZEPMQWHPHAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 2
- 125000000864 peroxy group Chemical group O(O*)* 0.000 description 2
- XUYJLQHKOGNDPB-UHFFFAOYSA-N phosphonoacetic acid Chemical compound OC(=O)CP(O)(O)=O XUYJLQHKOGNDPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004400 (C1-C12) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006702 (C1-C18) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006686 (C1-C24) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000923 (C1-C30) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- PAOHAQSLJSMLAT-UHFFFAOYSA-N 1-butylperoxybutane Chemical compound CCCCOOCCCC PAOHAQSLJSMLAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYJLPCAKKYOLGU-UHFFFAOYSA-N 2-phosphonoethylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CCP(O)(O)=O XYJLPCAKKYOLGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXFCIXRFAJRBSG-UHFFFAOYSA-N 3,2,3-tetramine Chemical compound NCCCNCCNCCCN RXFCIXRFAJRBSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDQQNNZKEJIHMS-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylphenol Chemical compound CC1=CC(O)=CC(C)=C1C FDQQNNZKEJIHMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 3-(5-amino-1h-indol-3-yl)-2-azaniumylpropanoate Chemical compound C1=C(N)C=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHQDETIJWKXCTC-UHFFFAOYSA-N 3-chloroperbenzoic acid Chemical compound OOC(=O)C1=CC=CC(Cl)=C1 NHQDETIJWKXCTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical class [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920013808 TRITON DF-16 Polymers 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGUHFELYOOEFCV-UHFFFAOYSA-N [amino(carboxy)amino]-[(hydroxysulfinimidoyl)-nitroamino]-oxomethane Chemical compound OS(N(C(=O)N(C(=O)O)N)[N+](=O)[O-])=N YGUHFELYOOEFCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- KQNZLOUWXSAZGD-UHFFFAOYSA-N benzylperoxymethylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1COOCC1=CC=CC=C1 KQNZLOUWXSAZGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M bromate Chemical class [O-]Br(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RLGQACBPNDBWTB-UHFFFAOYSA-N cetyltrimethylammonium ion Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C RLGQACBPNDBWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical class [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- YAGKRVSRTSUGEY-UHFFFAOYSA-N ferricyanide Chemical compound [Fe+3].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] YAGKRVSRTSUGEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002449 glycine Drugs 0.000 description 1
- 235000013905 glycine and its sodium salt Nutrition 0.000 description 1
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- PEYVWSJAZONVQK-UHFFFAOYSA-N hydroperoxy(oxo)borane Chemical compound OOB=O PEYVWSJAZONVQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N iodic acid Chemical class OI(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- LLYCMZGLHLKPPU-UHFFFAOYSA-N perbromic acid Chemical class OBr(=O)(=O)=O LLYCMZGLHLKPPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical class OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Substances [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 1
- PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N sodium peroxide Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][O-] PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical compound NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- UVZICZIVKIMRNE-UHFFFAOYSA-N thiodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CSCC(O)=O UVZICZIVKIMRNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N urea hydrogen peroxide Chemical compound OO.NC(N)=O AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Die Erfindung betrifft ein Poliersystem, eine Zusammensetzung und ein Verfahren zum Polieren eines Substrates, insbesondere eines Mehrschichtsubstrates, welches eine erste Metallschicht und eine zweite Schicht aufweist.
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Integrierte Schaltungen bestehen aus Millionen aktiver, in oder auf einem Substrat, wie zum Beispiel einem Silizium-Mikroplättchen, ausgebildeter Bauelemente. Die aktiven Bauelemente werden chemisch und physikalisch in einem Substrat miteinander verbunden und werden durch die Verwendung von Mehrebenenzwischenverbindungen miteinander verbunden, um funktionale Schaltungen auszubilden. Typische Mehrebenenzwischenverbindungen weisen eine erste Metallschicht, eine Zwischenebenen-Nichtleiterschicht und manchmal eine dritte, und nachfolgende Metallschicht auf. Zwischenebenen-Nichtleiter wie zum Beispiel dotiertes und undotiertes Siliziumdioxid (SiO2) und/oder Nichtleiter mit niedri gem κ-Wert werden zur elektrischen Isolation der verschiedenen Metallschichten verwendet.
- Die elektrischen Verbindungen zwischen verschiedenen Zwischenverbindungsebenen werden durch die Verwendung von Metalldurchgängen hergestellt. In dem U.S.-Patent 5,741,626 ist zum Beispiel ein Verfahren zur Vorbereitung von dielektrischen TaN-Schichten beschrieben. Darüber hinaus ist in dem U.S.-Patent Nr. 4,789,648 ein Verfahren zur Herstellung von Mehrfachmetallisierungsschichten und metallisierten Durchgängen in Isolatorfilmen beschrieben. Auf ähnliche Weise werden Metallkontakte zur Bildung elektrischer Verbindungen zwischen Zwischenverbindungsebenen und in einer Quelle gebildeten Bauelementen verwendet. Die Metalldurchgänge und -kontakte können mit verschiedenen Metallen und Legierungen wie zum Beispiel Titan (Ti), Titannitrid (TiN), Aluminiumkupfer (Al-Cu), Aluminiumsilizium (Al-Si), Kupfer (Cu), Wolfram (W) und Kombinationen derselben gefüllt sein (nachfolgend als „Durchgangsmetalle" bezeichnet).
- Bei den Durchgangsmetallen wird im Allgemeinen eine Adhäsionsschicht (das heißt Sperrfilm) wie zum Beispiel ein Titan-(Ti), Titannitrid-(TiN), Tantal-(Ta), Tantalnitrid-(TaN), Wolfram-(W) oder Wolframnitrid-(WN)Sperrfilm verwendet, um die Durchgangsmetalle zum Anhaften an dem SiO2-Substrat zu veranlassen. Auf der Kontaktebene funktioniert der Sperrfilm als eine Diffusionsbarriere, um ein Reagieren der Durchgangsmetalle mit SiO2 zu vermeiden.
- Bei einem Halbleiterherstellungsverfahren werden Metalldurchgänge und/oder -kontakte durch eine Metallschutzschicht ausgebildet, woraufhin ein chemisch-mechanischer (CMP) Polierschritt folgt. Bei einem typischen Verfahren werden Durchgangslöcher durch einen Zwischenebenen-Nichtleiter/Interlevel Dielectric (ILD) zu Zwischenebenenleitungen oder zu einem Halbleitersubstrat geätzt. Danach wird über dem Zwischenebenen-Nichtleiter ein Sperrfilm ausgebildet und in das geätzte Durchgangsloch geleitet. Dann wird ein Durchgangsmetall über dem Sperrfilm und in das Durchgangsloch hinein dünnflächig abgelagert. Die Ablagerung wird so lange fortgesetzt, bis das Durchgangsloch mit der Metallschutzschicht gefüllt ist. Schließlich wird das überschüssige Metall durch chemisch-mechanisches Polieren (CMP) entfernt, um Metalldurchgänge auszubilden. Verfahren zur Herstellung und/oder für chemisch-mechanisches Polieren (CMP) von Zwischenebenen-Nichtleitern sind in den U.S.-Patenten Nr. 4,671,851, 4,910,155 und 4,944,836 offenbart.
- Typische Systeme zum chemisch-mechanischen Polieren von Metallen enthalten einen Schleifwerkstoff wie zum Beispiel Kieselerde oder Aluminiumoxid, die in einem oxidierenden wässrigen Medium schweben. In dem U.S.-Patent Nr. 5,244,534 ist zum Beispiel ein Aluminiumoxid, Wasserstoffperoxid und entweder Kalium- oder Ammoniumhydroxid enthaltendes System offenbart, welches zur Abtragung von Wolfram verwendbar ist, wobei nur wenig von der darunter liegenden Isolierschicht entfernt wird. In dem U.S.-Patent Nr. 5,209,816 ist ein zum Polieren von Aluminiumoxid verwendbares System offenbart, welches Perchlorsäure, Wasserstoffperoxid und einen festen Schleifwerkstoff in einem wässrigen Medium enthält. In dem U.S.-Patent Nr. 5,340,370 ist ein Wolfram-Poliersystem offenbart, welches rotes Blutlaugensalz, Kaliumacetat, Essigsäure und Kieselerde enthält. In dem U.S.-Patent 5,391,258 und in dem U.S.-Patent 5,476,606 sind Systeme zum Polieren eines aus Metall und Kieselerde bestehenden Verbundwerkstoffes offenbart, die ein wässriges Medium, Schleifpartikel und ein Anion umfassen, welches die Rate der Kieselerdeabtragung steuert. In dem U.S.-Patent 5,770,095 sind Poliersysteme offenbart, die ein Oxidationsmittel, ein chemisches Mittel und ein aus Aminoessigsäure und Amido-Schwefelsäure ausgewähltes Ätzmittel umfassen. Andere Poliersysteme zur Verwendung bei den chemisch-mechanischen Polieranwendungen sind in den U.S.-Patenten 4,956,313, 5,137,544, 5,157,876, 5,354,490 und 5,527,423 beschrieben.
- Sperrfilme aus Titan, Titannitrid und ähnlichen Metallen wie zum Beispiel Wolfram, sind im Allgemeinen chemisch aktiv. Daher sind solche Sperrfilme in ihrem chemischen Charakter Durchgangsmetallen ähnlich. Folglich kann ein einzelnes System wirksam zum Polieren sowohl von Ti/TiN-Sperrfilmen als auch von Durchgangsmetallen mit ähnlichen Raten verwendet werden. Ta- und TaN-Sperrfilme unterscheiden sich jedoch bedeutend von Ti-, TiN- und ähnlichen Sperrfilmen. Ta und TaN sind in ihrem chemischen Charakter im Vergleich zu Ti und TiN relativ träge. Dementsprechend sind die zuvor erwähnten Systeme bedeutend weniger wirksam beim Polieren von Tantalschichten als beim Polieren von Titanschichten (zum Beispiel ist die Tantalabtragungsrate bedeutend niedriger als die Titanabtragungsrate). Während Durchgangsmetalle und Sperrmetalle auf Grund ihrer ähnlich hohen Abtragungsraten herkömmlicherweise mit einem einzelnen System poliert werden, hat das gemeinsame Polieren von Durchgangsmetallen und Tantal und ähnlichen Werkstoffen unter Verwendung herkömmlicher Poliersysteme unerwünschte Wirkungen wie zum Beispiel Oxiderosion und tellerförmige Vertiefung der Durchgangsmetalle zum Ergebnis.
- Folglich bleibt ein Bedürfnis nach einem System, einer Zusammensetzung und/oder einem Verfahren zum Polieren eines Substrates bestehen, welches eine erste Metallschicht und eine zweite Schicht aufweist, so dass der Planarisierungswirkungsgrad, die Gleichförmigkeit und die Abtragungsrate der ersten Metallschicht maximiert, und die Planarisierung der zweiten Schicht minimiert wird, wodurch unerwünschte Wirkungen, wie zum Beispiel tellerförmige Vertiefungen der ersten Metallschicht, Oberflächenfehler und unter der Topografie liegende Schäden minimiert werden. Die Erfindung stellt ein solches System, Zusammensetzung und Verfahren bereit. Diese und weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden an Hand der in diesem Dokument bereitgestellten Beschreibung der Erfindung offensichtlich.
- KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung stellt eine Zusammensetzung zum Polieren einer oder mehrerer Schichten eines Mehrschichtsubstrates bereit, welches eine erste Metallschicht und eine zweite Schicht aufweist, wie in Anspruch 1 dargelegt. Es wird auch ein System zum Polieren einer oder mehrerer Schichten eines Mehrschichtsubstrates bereitgestellt, wie in Anspruch 20 dargelegt.
- Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Verfahren zum Polieren eines Substrates bereit, welches die Berührung einer Oberfläche eines Substrates mit dem oben erwähnten System, und das Polieren mindestens eines Teils des Substrates mit demselben umfasst. Darüber hinaus stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Polieren einer oder mehrerer Schichten eines Mehrschichtsubstrates bereit, welches eine erste Metallschicht und eine zweite Schicht aufweist, welches die folgenden Schritte umfasst: (a) Berührung der ersten Metallschicht mit dem System und, (b) Polieren der ersten Metallschicht mit dem System, bis mindestens ein Teil der ersten Metallschicht von dem Substrat entfernt ist.
- DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung stellt wie in Anspruch 20 dargelegt ein System, wie in Anspruch 1 dargelegt eine Zusammensetzung und wie in Anspruch 27 oder 28 dargelegt ein Verfahren zum Polieren einer oder mehrerer Schichten eines Mehrschichtsubstrates bereit, welches eine erste Metallschicht und eine zweite Schicht aufweist. Das System weist (i) eine Trägerflüssigkeit, (ii) mindestens ein Oxidationsmittel, (iii) mindestens einen Polierzusatz auf, der die Rate erhöht, mit der das System mindestens eine Schicht des Substrates poliert, weist (iv) mindestens eine Stoppverbindung mit einer Polierselektivität der ersten Metallschicht zur zweiten Schicht von mindestens etwa 30:1 auf, wobei die Stoppverbindung eine kationisch geladene stickstoffhaltige Verbindung ist, wie in Anspruch 20 dargelegt, und weist (v) ein Polierkissen und/oder ein Schleifmittel auf. Die Komponenten (i), (ii), (iii) und (iv) des Systems der vorliegenden Erfindung, die nachfolgend als „flüssiger Teil des Systems" bezeichnet werden, bilden eine Zusammensetzung, die mit der Komponente (v) verwendet werden kann. Das Schleifmittel bildet bei Vorhandensein einen Teil des flüssigen Teils des Systems und wird in der Trägerflüssigkeit schwebend gehalten.
- Das System der vorliegenden Erfindung kann zum Polieren von jedem geeigneten Substrat, insbesondere einer oder mehrerer Schichten eines Mehrschichtsubstrates verwendet werden. Vorzugsweise wird das System der vorliegenden Erfindung zum Polieren eines Mehrschichtsubstrates verwendet, welches eine erste Metallschicht, eine zweite Schicht und optional eine oder mehrere zusätzliche Schichten aufweist. Geeignete erste Metallschichten umfassen zum Beispiel Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Aluminiumkupfer (Al-Cu), Aluminiumsilizium (Al-Si), Titan (Ti), Titannitrid (TiN), Wolfram (W), Wolframnitrid (WN), Edelmetalle (zum Beispiel Iridium (Ir), Ruthenium (Ru), Gold (Au), Silber (Ag) und Platin (Pt)) und Kombinationen derselben. Geeignete zweite Schichten umfassen zum Beispiel Titan (Ti), Titannitrid (TiN), Tantal (Ta), Tantalnitrid (TaN), Wolfram (W), Wolframnitrid (WN), Oxide, (zum Beispiel Siliziumdioxid), Werkstoffe mit niedrigem κ-Wert, und Nichtleiter (zum Beispiel poröse Kieselerde, fluordotiertes Glas, kohlenstoffdotiertes Glas und organische Polymere) und Kombinationen derselben. Das System der vorliegenden Erfindung ist insbesondere gut zum Polieren eines Substrates geeignet, welches eine erste Metallschicht aus Kupfer oder einer Kupferlegierung (das heißt eine Kombination aus Kupfer und einem oder mehreren Metallen), eine Adhäsionsschicht aus Ta oder TaN und eine oder mehrere Oxidschichten aufweist.
- Bei der Trägerflüssigkeit kann es sich um jeden geeigneten Träger (zum Beispiel Lösungsmittel) handeln. Geeignete Trägerflüssigkeiten umfassen zum Beispiel wässrige Träger (zum Beispiel Wasser) und nichtwässrige Träger. Vorzugsweise ist die Trägerflüssigkeit Wasser.
- Das Oxidationsmittel kann jedes geeignete Oxidationsmittel sein. Geeignete Oxidationsmittel umfassen zum Beispiel eine oder mehrere Perverbindungen, die mindestens eine Peroxygruppe (-O-O-) umfassen. Geeignete Perverbindungen umfassen zum Beispiel Peroxide, Persulfate (zum Beispiel Monopersulfate und Dipersulfate), Perkarbonate und Säuren derselben und Salze derselben, und Mischungen derselben. Andere geeignete Oxidationsmittel umfassen zum Beispiel oxidierte Halogenide (zum Beispiel Chlorate, Bromate, Jodate, Perchlorate, Perbromate, Perjodate und Säuren derselben und Mischungen derselben, und dgl.), Perborsäure, Perborate, Perkarbonate, Peroxysäuren (zum Beispiel Peressigsäure, Perbenzoesäure, m-Chlorperbenzoesäure, Salze derselben, Mischungen derselben, und dgl.), Permanganate, Chromate, Zerverbindungen, Ferricyanide (zum Beispiel rotes Blutlaugensalz), Mischungen derselben, und dgl. Bevorzugte Oxidationsmittel umfassen zum Beispiel Wasserstoffperoxid, Harnstoff-Wasserstoffperoxid, Natriumperoxid, Benzylperoxid, Dibutylperoxid, Peressigsäure, Monoperschwefelsäure, Diperschwefelsäure, Jodsäure und Salze derselben und Mischungen derselben.
- In dem System der vorliegenden Erfindung kann jede geeignete Menge an Oxidationsmittel vorhanden sein. Vorzugsweise ist das Oxidationsmittel in dem flüssigen Teil des Systems in einer Menge von etwa 0,1–30,0 Gewichts-% vorhanden. Noch vorteilhafter ist das Oxida tionsmittel in dem flüssigen Teil des Systems in einer Menge von etwa 0,3–17,0 Gewichts-% vorhanden. Am vorteilhaftesten ist das Oxidationsmittel in dem flüssigen Teil des Systems in einer Menge von etwa 0,5–10,0 Gewichts-% vorhanden.
- Bei dem Polierzusatz kann es sich um jede geeignete Verbindung handeln, welche die Rate erhöht, mit der die Zusammensetzung mindestens eine Schicht des Substrates poliert. Geeignete Polierzusätze umfassen zum Beispiel Verbindungen, die sich mit Kupfer verbinden. Vorzugsweise ist mindestens ein Polierzusatz ein organischer Polierzusatz. Es ist auch vorteilhaft, wenn der Polierzusatz mindestens eine aus einer phosphorhaltigen Verbindung, einer stickstoffhaltigen Verbindung, einer schwefelhaltigen Verbindung, einer sauerstoffhaltigen Verbindung bestehenden Gruppe und aus Mischungen derselben ausgewählte Verbindung ist.
- Bei dem Polierzusatz kann es sich um jede geeignete phosphorhaltige Verbindung handeln. Geeignete phosphorhaltige Verbindungen umfassen zum Beispiel Phosphate (zum Beispiel Pyrophosphate, Triphosphate, niedergeschlagene Phosphate), Phosphonsäuren (zum Beispiel Monophosphonsäuren, Diphosphonsäuren, Triphosphonsäuren, Polyphosphonsäuren) und Salze von Phosphonsäuren. Bevorzugte phosphorhaltige Verbindungen umfassen zum Beispiel Pyrophosphate, Phosphonessigsäure, Etylen-Diphosphonsäure, 1-Hydroxyethyliden-1,1-Diphosphonsäure und Mischungen derselben. Bevorzugte phosphorhaltige Verbindungen umfassen auch zum Beispiel Mn +1H3-nPO4 und Mm +1H4-mP2O7, wobei M+1 eine kationische Art ist (zum Beispiel Na, K, Cs, Rb, NH4 +), n = 0–3 und m = 0–4. Darüber hinaus ist eine bevorzugte phosphorhaltige Verbindung R-O-PO3, wobei R eine aus der aus Alkyl, Aryl, aus zyklischen und aromatischen Gruppen ausgewählte organische Hälfte ist, die 1–18 Kohlenstoffatome aufweisen.
- Bei dem Polierzusatz kann es sich auch um jede geeignete stickstoffhaltige Verbindung handeln. Geeignete stickstoffhaltige Verbindungen umfassen zum Beispiel eine oder mehrere Gruppen, die aus Aminen, Amiden, Aminosäuren, Aminen, Imiden, Iminosäuren, Nitrilen, Nitros (R-NO2) und Mischungen derselben ausgewählt sind. Dementsprechend können geeignete stickstoffhaltige Verbindungen zum Beispiel eine oder mehrere Gruppen umfassen, die aus primären Aminen, sekundären Aminen, tertiären Aminen, Aminoalkoholen, hydroxylierten Aminen und Mischungen derselben ausgewählt sind.
- Vorzugsweise weist mindestens ein Polierzusatz die Struktur XY – NCR1R2CR3R4N-X'Y' auf, wobei X, Y, X', Y', R1, R2, R3 und R4 aus der aus Wasserstoff-(H)-Atomen, heteroatomhaltigen funktionellen Gruppen, Alkylgruppen, heteroatomhaltigen Alkylgruppen, zyklischen Gruppen, heteroatomhaltigen zyklischen Gruppen, aromatischen Gruppen, heteroatomhaltigen aromatischen Gruppen und Kombinationen derselben bestehenden Gruppe ausgewählt sind. Noch vorteilhafter weist mindestens ein Polierzusatz die Struktur XY – NCR1R2CR3R4N-X'Y' auf, wobei X und X' H-Atome sind, und wobei Y, Y', R1, R2, R3 und R4 aus der aus Wasserstoff-(H)-Atomen, heteroatomhaltigen funktionellen Gruppen, Alkylgruppen, heteroatomhaltigen Alkylgruppen, zyklischen Gruppen, heteroatomhaltigen zyklischen Gruppen, aromatischen Gruppen, heteroatomhaltigen aromatischen Gruppen und Kombinationen derselben bestehenden Gruppe ausgewählt sind. Nochmals vorteilhafter weist mindestens ein Polierzusatz die Struktur XY – NCR1R2CR3R4N-X'Y' auf, wobei X, Y, X' und Y' H-Atome sind, und wobei R1, R2, R3 und R4 aus der aus Wasserstoff-(H)-Atomen, heteroatomhaltigen funktionellen Gruppen, Alkylgruppen, heteroatomhaltigen Alkylgruppen, zyklischen Gruppen, heteroatomhaltigen zyklischen Gruppen, aromatischen Gruppen, heteroatomhaltigen aromatischen Gruppen und Kombinationen derselben bestehenden Gruppe ausgewählt sind. In dieser Hinsicht werden stickstoffhaltige Verbindungen, die aus primären Amingruppen bestehen, vor stickstoffhaltigen Verbindungen, die sekundäre Amingruppen und/oder tertiäre Amingruppen umfassen, alleine oder in Kombination mit primären Amingruppen bevorzugt. Darüber hinaus ist es passend, wenn mindestens ein Polierzusatz die oben beschriebene Struktur aufweist, wobei die Struktur die Form eines Polymers aufweist, welches etwa vier oder mehr (zum Beispiel 10 oder mehr, etwa 15 oder mehr, etwa 20 oder mehr, etwa 30 oder mehr, etwa 40 oder mehr, oder sogar 50 oder mehr) unähnliche, ähnliche oder sogar identische angrenzende Strukturen umfasst. Am vorteilhaftesten wird die stickstoffhaltige Verbindung aus der aus Polyethylenimin, 1,3-Diamino-2-Propanol, Imino-Diessigsäure, 2-Amino-1-Butanol, Ethylendiamin, Aminoethylethanola min, 2,2'-Aminoethoxy-Ethanol und Mischungen derselben bestehenden Gruppe ausgewählt.
- „Heteroatom" ist in diesem Dokument als jedes beliebige Atom außer Kohlenstoff- und Wasserstoffatomen definiert. Geeignete heteroatomhaltige funktionelle Gruppen umfassen zum Beispiel Hydroxylgruppen, Karbonsäuregruppen, Estergruppen, Ketongruppen, Aminogruppen (zum Beispiel primäre, sekundäre und tertiäre Aminogruppen), Amidogruppen, Imidogruppen, Thiolestergruppen, Thiolethergruppen, Nitrilgruppen, Nitrogruppen, Halogengruppen und Kombinationen derselben. „Alkylgruppen" sind in diesem Dokument als jede beliebige geeignete Alkylgruppe definiert (zum Beispiel eine C1-C30-Alkylgruppe, C1-C24-Alkylgruppe, C1-C18-Alkylgruppe, C1-C12-Alkylgruppe oder sogar eine C1-C6-Alkylgruppe) wie zum Beispiel lineare, verzweigte, zyklische, gesättigte oder ungesättigte, aromatische oder heteroaromatische Alkylgruppen. „Zyklische Gruppen" sind in diesem Dokument als jede beliebige zyklische Gruppe definiert (zum Beispiel eine zyklische Gruppe mit 4–20 Elementen, wie zum Beispiel eine C1-C20-zyklische Gruppe).
- Bei dem Polierzusatz kann es sich um jede geeignete schwefelhaltige Verbindung handeln. Geeignete schwefelhaltige Verbindungen umfassen zum Beispiel Thiole, Thioester, Thioether (R'C)(O)(SR'')-Karbothiolsäuren, (RC)(O)(SH) Karbothionsäuren, (RCS)(OH)-Thiokarbonsäuren, Sulfonsäuren, Thiosalizylsäuren, Salze derselben und Mischungen derselben, wobei R, R' und R'' aus der aus Alkyl-, Aryl-, zyklischen und aromatischen Gruppen bestehenden Gruppe ausgewählt sind, die 1–18 Kohlenstoffatome aufweisen. Bevorzugte schwefelhaltige Verbindungen umfassen zum Beispiel Thiodiessigsäure, Thiosalizylsäuren und eine Mischung derselben.
- Bei dem Polierzusatz kann es sich um jede geeignete sauerstoffhaltige Verbindung handeln. Geeignete sauerstoffhaltige Verbindungen umfassen zum Beispiel Hydroxylate, Karbonylate, Karboxylate und Säuren derselben. Geeignete Karbonsäuren umfassen zum Beispiel Dikarbonsäuren, Trikarbonsäuren und Polykarbonsäuren. Bevorzugte sauerstoffhaltige Verbindungen umfassen zum Beispiel Malonsäure, Oxalsäure, Zitronensäure, Weinsäure, Bernsteinsäure, Apfelsäure, Adipinsäure, Salze derselben und Mischungen derselben.
- Geeignete Polierzusätze umfassen auch eine oder mehrere Verbindungen, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus (i) Verbindungen besteht, die sowohl phosphorhaltige Verbindungen als auch stickstoffhaltige Verbindungen sind, (ii) Verbindungen, die sowohl phosphorhaltige Verbindungen als auch schwefelhaltige Verbindungen sind, (iii) Verbindungen, die sowohl stickstoffhaltige Verbindungen als auch schwefelhaltige Verbindungen sind, und (iv) Verbindungen, die phosphorhaltige Verbindungen, stickstoffhaltige Verbindungen und schwefelhaltige Verbindungen sind. Bevorzugte Polierzusätze umfassen zum Beispiel aus der aus 2- Aminoethylphosphonsäure, Amino(trimethylen-Phosphonsäure), Diethylentriaminpenta(methylenphosphonsäure), Hexamethylendiamin-Tetra(methylenphosphonsäure) bestehenden Gruppe und Mischungen derselben ausgewählte Verbindungen. Darüber hinaus umfassen bevorzugte Polierzusätze zum Beispiel Phosphonverbindungen, die primäre, sekundäre und/oder tertiäre Amine wie zum Beispiel N-(Phosphonomethyl)iminodiessigsäure, 2-Aminoethyldiwasserstoffphosphat, 2-Aminoethylphosphonsäure, 2-Aminoethylphosphonsäure, Aminotri(methylenphosphonsäure) (das heißt ein Dequest®-Produkt), 1-Hydroxyethyliden-1,1-Diphosphonsäure (das heißt ein Dequest® 2010-Produkt) und Diethylentriaminpenta(methylenphosphonsäure) (das heißt ein Dequest® 2060-Produkt) enthalten.
- Der Polierzusatz kann in dem System der vorliegenden Erfindung in jeder geeigneten Konzentration vorhanden sein. Vorzugsweise ist der Polierzusatz in dem flüssigen Teil des Systems in einer Menge im Bereich von etwa 0,05–10,0 Gewichts-% vorhanden. Noch vorteilhafter ist der Polierzusatz in dem flüssigen Teil des Systems in einer Menge im Bereich von etwa 0,3–5,0 Gewichtsvorhanden.
- Bei der Stoppverbindung kann es sich um jede geeignete Verbindung handeln, welche die Fähigkeit des Systems zum Polieren mindestens eines Teils einer oder mehrerer Schichten eines Mehrschichtsubstrates hemmt. Geeignete Stoppverbindungen wirken mit der ersten Metallschicht, der zweiten Schicht und/oder der einen oder den mehreren zusätzlichen Schichten eines Mehrschichtsubstrates wie oben beschrieben zusammen (haften zum Beispiel daran) und hemmen mindestens teilweise die Abtragung der Schicht(en) durch das System der vorliegenden Erfindung. Vorzugsweise wirkt die Stoppverbindung mit einer zweiten Schicht eines Mehrschichtsubstrates wie oben beschrieben zusammen (haftet zum Beispiel daran) und hemmt mindestens teilweise die Abtragung der zweiten Schicht durch das System. Der Begriff „hemmt mindestens teilweise", bedeutet, so wie er in diesem Dokument verwendet wird, dass das System eine Polierselektivität der ersten Metallschicht zur zweiten Schicht (zum Beispiel Cu zu Ta/TaN) von mindestens etwa 10:1, vorzugsweise mindestens etwa 30:1, noch vorteilhafter mindestens etwa 50:1, und am vorteilhaftesten mindestens etwa 100:1 aufweist.
- Die Stoppverbindung ist eine kationisch geladene stickstoffhaltige Verbindung, die aus der aus Polyetheraminen, Polyethyleniminen, Polyacylamid, Lysin, N4-Amino, (N,N'-bis-[3-Aminopropyl]-Ethylendiamin), 4,7,10-Trioxatridecan-1,13-Diamin, 3,3-Dimethyl-4,4-Diaminodicyclohexylmethan, 2-Phenylethylamin, N,N-Dimethyldipropylentriamin, 3-[2-Methoxyethoxy]-Propylamin, Dimethylaminopropylamin, 1,4-bis-(3-Aminopropyl)-Piperazin, Isophorondiamin, Hexamethylendiamin, Cyclohexyl-1,3-Propandiamin, Thiomicamin, (Aminopropyl)-1,3-Propandiamin, Tetraethylen-Pentamin, Tetramethylbutandiamin, Propylamin, Diaminopropanol, Aminobutanol, (2- Aminoethoxy)-Ethanol, Poly-[bis-(2-Chloroether)-alt-1,3-bis-(3-Dimethylamino)-Propyl] bestehenden Gruppe oder aus Mischungen derselben ausgewählt ist.
- Der Begriff „kationisch geladen", bedeutet, so wie er in diesem Dokument verwendet wird, dass ein Teil (zum Beispiel etwa 5,0% oder mehr, etwa 10,0% oder mehr, etwa 15,0% oder mehr oder etwa 20,0% oder mehr) der Stoppverbindung in dem flüssigen Teil des Systems beim Betriebs-pH-Wert des Systems der vorliegenden Erfindung eine kationische Form aufweist. Vorzugsweise weist die Stoppverbindung einen pKa-Wert auf, der 1 oder mehr Einheiten größer als der Betriebs-pH-Wert des flüssigen Teils des Systems ist. So würden bevorzugte Stoppverbindungen in einem System mit einem pH-Wert von 6,5 einen pKa-Wert von etwa 7,5 oder mehr aufweisen. Bevorzugte Stoppverbindungen sind auch in Bezug auf die Oberflächenladung der zweiten Schicht der Substratschicht gegensätzlich geladen.
- Das System der vorliegenden Erfindung kann jede beliebige geeignete Kombination mindestens eines Polierzusatzes und mindestens einer Stoppverbindung umfassen. So kann das System zum Beispiel Polyethylenimin und mindestens einen aus der aus einer Karbonsäure (vorzugsweise eine Di-, Tri- oder Polykarbonsäure), einem Phosphat (vorzugsweise ein Pyrophosphat, ein Triphosphat oder ein niedergeschlagenes Phosphat), einer Säure derselben und einer Phosphonsäure (vorzugsweise eine Di-, Tri- oder Polyphosphonsäure) bestehenden Gruppe ausgewählten Polierzusatz aufweisen. Das System kann auch mindestens einen aus der aus einer Karbonsäure (vorzugsweise eine Di-, Tri- oder Polykarbonsäure), einem Phosphat (vorzugsweise ein Pyrophosphat, ein Triphosphat oder ein niedergeschlagenes Phosphat), einer Säure derselben und einer Phosphonsäure (vorzugsweise eine Di-, Tri- oder Polyphosphonsäure) bestehenden Gruppe ausgewählten Polierzusatz, und mindestens eine Stoppverbindung umfassen, die zwei oder mehr, drei oder mehr, vier oder mehr, fünf oder mehr oder sogar sechs oder mehr Stickstoffatome umfasst (zum Beispiel mindestens eine Stoppverbindung, die zwei oder mehr Amingruppen umfasst, mindestens eine Stoppverbindung, die zwei oder mehr primäre Amingruppen umfasst, mindestens eine Stoppverbindung, die zwei oder mehr Aminogruppen und 4 oder mehr Kohlenstoffatome umfasst, oder mindestens eine Stoppverbindung, die zwei oder mehr primäre Amingruppen umfasst, die 3 oder mehr Kohlenstoffatome enthalten). Darüber hinaus kann das System mindestens einen aus der aus einer Karbonsäure (vorzugsweise eine Di-, Tri- oder Polykarbonsäure), einem Phosphat (vorzugsweise ein Pyrophosphat, ein Triphosphat oder ein niedergeschlagenes Phosphat), einer Säure derselben und einer Phosphonsäure (vorzugsweise eine Di-, Tri- oder Polyphosphonsäure) und einem quarternären Ammoniumsalz, welches die Struktur NR1R2R3R4 aufweist, bestehenden Gruppe ausgewählten Polierzusatz umfassen, wobei R1 und R2 Methylgruppen sind, und R3 und R4 aus der aus Wasserstoff-(H)-Atomen, heteroatomhaltigen funktionellen Gruppen, Alkylgruppen, heteroatomhaltigen Alkylgruppen, zyklischen Gruppen, heteroatomhaltigen zyklischen Gruppen, aromatischen Gruppen, heteroatomhaltigen aromatischen Gruppen und Kombinationen derselben bestehenden Gruppe ausgewählt sind. Zusätzlich kann das System mindestens einen aus der aus einer Karbonsäure (vorzugsweise eine Di-, Tri- oder Polykarbonsäure), einer Phosphatsäure (vorzugsweise ein Pyrophosphat, ein Triphosphat oder ein niedergeschlagenes Phosphat), einer Säure derselben und einer Phosphonsäure (vorzugsweise eine Di-, Tri- oder Polyphosphonsäure) ausgewählten Polierzusatz und mindestens eine Stoppverbindung umfassen, die eine Aminopropylgruppe aufweist, und/oder mindestens eine Stoppverbindung, die ein Molekulargewicht (MW/Molecular Weight) von etwa 80 oder mehr (zum Beispiel ein MW von etwa 100 oder mehr, ein MW von etwa 250 oder mehr) aufweist. Weiterhin kann das System ein Peroxid, Aminotri(methylenphosphonsäure) und 1,4-bis-(3-Aminopropyl)-Piperazin, und optional mindestens ein Passivierungsfilmbildungsmittel aufweisen, welches heterozyklische stickstoffhaltige Ringe mit 5–6 Elementen aufweist. Das System kann auch ein Peroxid, Weinsäure und ein Polyethylenimin, und optional mindestens ein Passivierungsfilmbildungsmittel aufweisen, welches einen oder mehr heterozyklische stickstoffhaltige Ringe mit 5–6 Elementen aufweist.
- Die Stoppverbindung kann in dem System der vorliegenden Erfindung in jeder geeigneten Konzentration vorhanden sein. So ist es zum Beispiel passend, wenn die Stoppverbindung in dem flüssigen Teil des Systems in einer Konzentration von etwa 5,0 Gewichts-% oder weni ger (zum Beispiel etwa 0,001–5,0 Gewichts-%) vorhanden ist. Vorzugsweise ist die Stoppverbindung in dem flüssigen Teil des Systems in einer Konzentration von etwa 3,0 Gewichts-% oder weniger (zum Beispiel etwa 0,05 etwa 3,0 Gewichts-%) vorhanden.
- Das System der vorliegenden Erfindung kann jedes geeignete Polierkissen und/oder Schleifmittel aufweisen. Es ist zum Beispiel passend, wenn das System der vorliegenden Erfindung ein Polierkissen (zum Beispiel ein schleifendes Kissen oder ein nichtschleifendes Kissen) und/oder ein in der Trägerflüssigkeit (zum Beispiel Wasser) des Systems schwebend gehaltenes Schleifmittel aufweist, welches so ein Teil des flüssigen Teils des Systems ist. Darüber hinaus ist es passend, wenn das System der vorliegenden Erfindung ein Polierkissen (zum Beispiel ein schleifendes Kissen oder ein nichtschleifendes Kissen) aufweist, wobei in der Trägerflüssigkeit des Systems kein Schleifmittel schwebend gehalten wird.
- Bei dem Polierkissen kann es sich um jedes geeignete schleifende oder nichtschleifende Kissen handeln. Geeignete Polierkissen sind zum Beispiel in den U.S.-Patenten 5,849,051 und 5,849,052 beschrieben. Geeignete Polierkissen umfassen zum Beispiel auch gewebte und nicht gewebte Kissen. Darüber hinaus können geeignete Polierkissen jedes geeignete Polymer mit variierender Dichte, Härte, Dicke, Komprimierbarkeit, Fähigkeit der Rückfederung nach dem Komprimieren und Kompressionsmodul aufweisen. Geeignete Polymere umfassen zum Bei spiel Polyvinylchlorid, Polyvinylfluorid, Nylon, Fluorkohlenstoff, Polykarbonat, Polyester, Polyakrylat, Polyether, Polyethylen, Polyamid, Polyurethan, Polystyrol, Polypropylen und gebildete Nebenprodukte derselben und Mischungen derselben. Wenn ein Schleifmittel ganz oder teilweise in oder auf dem Polierkissen des Systems befestigt (zum Beispiel eingebettet) ist, kann diese Befestigung auf dem Polierkissen auf jede Art und Weise durchgeführt werden.
- Geeignete Schleifmittel umfassen zum Beispiel Metalloxidschleifmittel wie zum Beispiel Aluminiumoxid, Kieselerde, Titanerde, Zirkonoxid, Germanium, Zer(IV)-oxid und gebildete Nebenprodukte derselben und Mischungen derselben. Das Schleifmittel kann ein geräuchertes Produkt sein. Vorzugsweise ist das Schleifmittel des Systems Aluminiumoxid (zum Beispiel geräuchertes Aluminiumoxid) und/oder Kieselerde (zum Beispiel geräucherte Kieselerde).
- Das oben beschriebene Schleifmittel kann ganz oder teilweise auf dem Polierkissen des Systems fixiert sein. Darüber hinaus kann das Schleifmittel in dem flüssigen Teil des Systems in jeder geeigneten Menge vorhanden sein. Vorzugsweise ist das Schleifmittel in dem flüssigen Anteil des Systems in einer Menge von etwa 0,1–30,0 Gewichts-% vorhanden. Noch vorteilhafter ist das Schleifmittel in dem flüssigen Teil des Systems in einer Menge von etwa 0,5–6,0 Gewichts-% vorhanden.
- Das System der vorliegenden Erfindung kann weiterhin einen oder mehr zusätzliche Zusätze aufweisen, welche die Leistung des Systems verbessern oder steigern. Geeignete Zusätze umfassen zum Beispiel Passivierungsfilmbildungszusätze, Polymerverbindungen, welche die Polierrate von mindestens einer Schicht des Substrates verringern, Dispersionsmittel, grenzflächenaktive Stoffe, pH-Anpasser, Regulatoren, Pufferelemente und/oder andere Zusätze, die das Polieren von Metallen und Oxiden steuern. Solche zusätzlichen Additive sind Fachleuten auf diesem Gebiet bekannt.
- Geeignete Passivierungsfilmbildungsmittel umfassen zum Beispiel jede Verbindung oder Mischung von Verbindungen, welche die Ausbildung einer Passivierungsschicht (das heißt einer auflösungshemmenden Schicht) auf einer Metallschicht und/oder einer Metalloxidschicht erleichtert. Geeignete Passivierungsfilmbildungsmittel umfassen zum Beispiel stickstoffhaltige heterozyklische Verbindungen. Vorzugsweise weisen die Passivierungsfilmbildungsmittel einen oder mehrere heterozyklische stickstoffhaltige Ringe mit 5–6 Elementen auf. Noch vorteilhafter ist das Passivierungsfilmbildungsmittel aus der aus 1,2,3-Triazol, 1,2,4,-Triazol, Benztriazol, Benzimidazol, Benzthiazol und Derivaten derselben, wie zum Beispiel Hydroxy-, Amino-, Imino-, Karboxy-, Mercapto-, Nitro-, Harnstoff-, Thioharnstoff-, oder akylsubstiuierten Derivaten derselben bestehenden Gruppe ausgewählt. Am vorteilhaftesten ist das Passivierungsfilmbildungs mittel aus der aus der aus Benztriazol (BTA), 1,2,3-Triazol, 1,2,4,-Triazol bestehenden Gruppe und Mischungen derselben ausgewählt.
- Das Passivierungsfilmbildungsmittel kann in dem System der vorliegenden Erfindung in jeder geeigneten Konzentration vorhanden sein. Vorzugsweise ist das Passivierungsfilmbildungsmittel in dem flüssigen Anteil des Systems in einer Menge von etwa 0,005–1,0 Gewichts-% vorhanden. Vorzugsweise ist das Passivierungsfilmbildungsmittel in dem flüssigen Anteil des Systems in einer Menge von etwa 0,01–0,2 Gewichts-% vorhanden.
- Das System der vorliegenden Erfindung kann weiterhin eine Ammoniakquelle (zum Beispiel Ammonium oder ein Ammoniumsalz) aufweisen. Ammoniak und/oder Ammoniumsalze steigern die Abtragungsrate und/oder die Abtragungsselektivität (Selektivität von Cu zu Ta) des Systems, indem sie mit einem oder mehreren Komponenten des Systems (zum Beispiel mit dem Polierzusatz) zusammenwirken. Vorzugsweise weist das System der vorliegenden Erfindung Ammoniak- und/oder Ammoniumsalze und einen oder mehrere Polierzusätze auf. Vorzugsweise weist das System eine Ammoniakquelle und mindestens einen aus der aus einer Karbonsäure (vorzugsweise eine Di-, Tri- oder Polykarbonsäure), einem Phosphat (vorzugsweise ein Pyrophosphat, ein Triphosphat oder ein niedergeschlagenes Phosphat), einer Säure desselben und einer Phosphonsäure (vorzugsweise eine Di-, Tri- oder Polyphosphonsäure) bestehenden Gruppe ausgewählten Polierzusatz auf. Das System kann zum Beispiel ei ne Aminotri(methylenphosphonsäure) und eine Ammoniakquelle (zum Beispiel Ammoniak und/oder ein Ammoniumsalz) aufweisen.
- Geeignete Polymerverbindungen umfassen zum Beispiel jede geeignete Polymerverbindung, welche die Polierrate mindestens einer mit dem Substrat verbundenen Schicht verringert. Vorzugsweise umfasst das System mindestens eine Polymerverbindung, die einen Polyvinylalkohol, ein Polyethylenoxid, ein Polypropylenoxid, ein Sulfonpolymer, ein Sulfonatpolymer oder eine Mischung derselben aufweist.
- Geeignete grenzflächenaktive Stoffe umfassen zum Beispiel kationische grenzflächenaktive Stoffe, anionische grenzflächenaktive Stoffe, nichtionogene grenzflächenaktive Stoffe, amphotere grenzflächenaktive Stoffe, fluorierte grenzflächenaktive Stoffe, Mischungen derselben und dgl. Geeignete pH-Anpasser, Regulatoren oder Pufferelemente umfassen zum Beispiel Natriumhydroxid, Natriumkarbonat, Schwefelsäure, Salzsäure, Salpetersäure, Phosphorsäure, Zitronensäure, Kaliphosphat, Mischungen derselben und dgl.
- Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Verfahren zum Polieren eines Substrates mit dem in diesem Dokument beschriebenen System bereit. Darüber hinaus stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Polieren eines Mehrschichtsubstrates mit dem System bereit, wie es oben beschrieben ist. Das System der vorliegenden Erfindung ist in der Lage, ein Substrat (zum Beispiel ein Mehrschichtsubstrat) mit einer relativ hohen Rate zu polieren, zum Beispiel Abtragen der ersten Metallschicht, der zweiten Schicht und/oder der einen oder mehreren zusätzlichen Schichten des Substrates mit einer relativ hohen Rate.
- Ein Substrat kann mit dem System der vorliegenden Erfindung mit jeder geeigneten Technik behandelt werden, welche die Verwendung eines Polierkissens umfasst. Vorzugsweise wird das System auf die Oberfläche eines Substrates aufgetragen und poliert, so dass mindestens ein Teil einer oder mehrerer Schichten des Substrates abgetragen wird. Noch vorteilhafter wird das System auf die erste Metallschicht eines Mehrschichtsubstrates aufgetragen, welches eine erste Metallschicht und eine zweite Schicht aufweist, wobei die erste Metallschicht mit dem System poliert wird, bis mindestens ein Teil der ersten Metallschicht von dem Substrat entfernt ist. Ein zweites Poliersystem, Zusammensetzung und/oder Schlamm kann bei einem nachfolgenden Polierschritt zum Abtragen mindestens eines Teils der zweiten Schicht, dielektrischen Schicht und/oder einer oder mehrerer Schichten eines Mehrschichtsubstrates verwendet werden. Vorzugsweise weist das zweite Poliersystem eine größere Polierselektivität für die zweite Schicht (zum Beispiel Ta oder TaN) des Mehrschichtsubstrates als für die erste Metallschicht (zum Beispiel Cu) des Substrates auf. Darüber hinaus können Reinigungszusammensetzungen nach einigen oder allen aufeinander folgenden Polierschritten verwendet werden, um Reste des polierten Substrates und/oder Reste des Poliersystems, der Zusammensetzung und/oder des Schlammes abzutragen.
- Es ist passend, wenn der flüssige Teil des Systems vor der Abgabe an das Polierkissen oder an die Oberfläche des Substrates, zum Beispiel in einer Charge oder einem ununterbrochenen Vorgang formuliert wird. Es ist auch passend, wenn die Formulierung (zum Beispiel Mischen) des flüssigen Teils des Systems durch die Abgabe der Komponenten des flüssigen Teils des Systems von zwei oder mehr verschiedenen Quellen auf die Oberfläche des Polierkissens oder auf die Oberfläche des Substrates erfolgt, wobei die Komponenten auf der Oberfläche des Polierkissens oder auf der Oberfläche des Substrates zusammentreffen. In dieser Hinsicht kann der Durchsatz, mit dem die Komponenten des flüssigen Teils des Systems an das Polierkissen oder an die Oberfläche des Substrates abgegeben werden (das heißt die abgegebene Menge der einzelnen Komponenten des Systems) vor dem Poliervorgang und/oder während dem Poliervorgang geändert werden. Darüber hinaus ist es passend, wenn die von zwei oder mehr verschiedenen Quellen abgegebenen einzelnen Komponenten des flüssigen Teils des Systems unterschiedliche pH-Werte aufweisen oder alternativ im Wesentlichen ähnliche oder sogar gleiche pH-Werte aufweisen, bevor sie an die Oberfläche des Polierkissens oder an die Oberfläche des Substrates abgegeben werden. Es ist auch passend, wenn die von zwei oder mehr verschiedenen Quellen abgegebenen einzelnen Komponenten des flüssigen Teils des Systems vor der Abgabe an die Oberfläche des Polierkissens oder an die Oberfläche des Substrates entweder unabhängig voneinander oder gemeinsam (zum Beispiel zusammen) gefiltert werden.
- BEISPIELE
- Die folgenden Beispiele veranschaulichen die vorliegende Erfindung weiter, sollen jedoch nicht deren Umfang auf irgendeine Art begrenzen.
- Bei den in allen folgenden Beispielen genannten Tantalmikroplättchen und bei den in allen bis auf eines der folgenden Beispiele (das heißt Beispiel 4) genannten Kupfermikroplättchen handelte es sich jeweils um Tantal- und Kupferschutzschichten. Bei den in allen folgenden Beispielen genannten Siliziumdioxidmikroplättchen handelte es sich jeweils um Schutzschichten mit einer Dicke von ungefähr 9000 Å. Alle Schutzschichten wurden auf einem Siliziumsubstrat abgelagert.
- Die Kupfer-, Tantal- und Siliziumdioxidmikroplättchen in den folgenden Beispielen (nachfolgend insgesamt als „Testmikroplättchen" bezeichnet), wurden jeweils mit einer IPEC 472-Poliermaschine poliert. Bei den in allen bis auf eines der folgenden Beispiele (das heißt Beispiel 4) verwendeten Polierkissen handelte es sich um Rodel® IC1000-Polierkissen, die auf Rodel® SUBA IV-Kissen gestapelt waren. Bei den in Beispiel 4 verwendeten Polierkissen handelte es sich um Rodel® IC1000-Polierkissen ohne gestapelte Rodel® SUBA IV-Kissen. Die Testmikroplättchen wurden in allen bis auf eines der folgenden Beispiele (das heißt Beispiel 4) unter Verwendung einer nach unten gerichteten Kraft von etwa 20 kPa (3 psi), einem Gegendruck von 0 kPa (0 psi), einer Plattendrehzahl von 50 U/min. und einer Mikroplättchenhalterdrehzahl von 30 U/min. poliert. Die Testmikroplättchen von Beispiel 4 wurden unter Verwendung einer nach unten gerichteten Kraft von etwa 20 kPa (3 psi), einem Gegendruck von etwa 14 kPa (2 psi), einer Plattendrehzahl von 55 U/min. und einer Mikroplättchenhalterdrehzahl von 30 U/min. poliert.
- Die Testmikroplättchen-Abtragungsraten wurden durch die direkte Messung der Dicke eines jeden Testmikroplättchens vor und nach dem Polieren unter Verwendung einer Tencor Surfscan® UV 1050-Maschine und einer Tencor RS-75 bestimmt.
- Die Systeme wurden in allen bis auf eines der folgenden Beispiele (das heißt Beispiel 3) mittels Ammoniumhydroxid (NH4OH) auf den Ziel-pH-Wert reguliert, soweit nicht anders angegeben.
- BEISPIEL 1
- In diesem Beispiel wird veranschaulicht, dass die durch das System der vorliegenden Erfindung erreichbare Polierselektivität eines Mehrschichtsubstrates von dem Vorhandensein und der Identität des Polierzusatzes und der Stoppverbindung in dem System abhängig ist.
- Kupfermikroplättchen, Tantalmikroplättchen und Siliziumdioxid(SiO2)-Mikroplättchen wurden separat mit acht verschiedenen Poliersystemen (die Systeme sind mit 1A–1G bezeichnet) mit 3 Gewichts-% Aluminiumoxid (insbesondere das Semi-Sperse® W-A355-Produkt von Cabot), 2,5 Gewichts-% Oxidationsmittel (insbesondere H2O2), unterschiedlichen Konzentrationen eines Polierzusatzes (insbesondere 1,25 Gewichts-% Weinsäure, 0,5 Gewichts-% 1-Diphosphonsäure (das heißt Dequest® 2010-Produkt), 0,75 Gewichts-% Aminotri(methylenphosphonsäure) (das heißt Dequest®-2000-Produkt), 0,8 Gewichts-% Dequest® 2010-Produkt oder 2,5 Gewichts-% Dequest® 2000-Produkt und unterschiedlichen Konzentrationen einer Stoppverbindung (insbesondere 0,25 Gewichts-% Lupasol® SKA, welches 25% eines Ethyleniminpolymers (das heißt 0,06 Gewichts-% Polyethylenimin), 0,1 Gewichts-% Dizyanoimidazol, 0,5 Gewichts-% Lupasol SKA, (das heißt 0,12 Gewichts-% Polyethylenimin), 0,5 Gewichts-% Polyacylamid oder 0,5 Gewichts-% 1,4-bis-(3-Aminopropyl)-Piperazin oder 0,5 Gewichts-% Variosoft® 300 enthält, welches Cetyltrimethylammoniumchlorid enthält) poliert, wobei jedes der Systeme einen pH-Wert von 5 (System 1E) oder einen pH-Wert von 7,7 (Systeme 1A–D, 1F–1G) aufwies. Darüber hinaus enthielt System 1C 0,005 Gewichts-% grenzflächenaktive Stoffe (insbesondere Triton DF-16).
- Zu Vergleichszwecken wurden die Testmikroplättchen auch mit einem Kontrollsystem („Kontrolle") mit 3 Gewichts-% Aluminiumoxid (insbesondere Semi-Sperse® W- A355-Produkt von Cabot) und 2,5 Gewichts-% Oxidationsmittel (insbesondere H2O2) poliert, wobei das Kontrollsystem einen pH-Wert von 7,7 aufwies. Darüber hinaus wurden die Testmikroplättchen auch (i) mit einem Vergleichssystem („Vergleich 1") mit 3 Gewichts-% Aluminiumoxid (insbesondere Semi-Sperse® W-A355-Produkt von Cabot), 2,5 Gewichts-% Oxidationsmittel (insbesondere H2O2) und 1,25 Gewichts-% Polierzusatz (insbesondere Weinsäure), und (ii) mit einem Vergleichssystem („Vergleich 2") mit 3 Gewichts-% Aluminiumoxid (insbesondere Semi-Sperse® W-A355-Produkt von Cabot), 2,5 Gewichts-% Oxidationsmittel (insbesondere H2O2) und 1 Gewichts-% Polierzusatz (insbesondere Dequest® 2010-Produkt) poliert, wobei jedes der Vergleichssysteme einen pH-Wert von 7,7 aufwies.
- Nach der Verwendung der Systeme wurde die Abtragungsrate (RR) von Kupfer, Tantal und SiO2 durch jedes System, sowie die relative Abtragung von Kupfer zu Tantal („Cu:Ta") bestimmt. Die Ergebnisdaten sind in Tabelle 1 aufgeführt.
- Tabelle 1:
-
- Wie an Hand der in Tabelle 1 aufgeführten Daten ersichtlich, war das Verhältnis von Kupferabtragung zu Tantalabtragung (das heißt die Cu:Ta-Abtragungsselektivität), die von einen Polierzusatz und eine Stoppverbindung enthaltenden Systemen (Systeme 1A–1G) an den Tag gelegt wurde, größer als die Cu:Ta-Abtragungsselektivität des Kontrollpoliersystems und des Poliersystems von Vergleich 2, und waren ähnlich oder größer als die Cu:Ta-Abtragungsselektivität des Poliersystems von Vergleich 1. Darüber hinaus war die SiO2-Abtragungsrate, die von einen Polierzusatz und eine Stoppverbindung enthaltenden Systemen (Systeme 1A–1G) an den Tag gelegt wurde, ähnlich oder niedriger als die von dem Poliersystem von Vergleich 1 an den Tag gelegte SiO2-Abtragungsrate.
- Diese Ergebnisse zeigen die Bedeutung der Kombination eines Polierzusatzes und einer Stoppverbindung im Zusammenhang mit dem vorliegenden erfindungsgemäßen System sowie die Wirkung des einzelnen Polierzusatzes in Kombination mit der einzelnen Stoppverbindung auf die mittels des vorliegenden erfindungsgemäßen Systems und des Verfahrens erreichbare Polierrate und -selektivität.
- BEISPIEL 2
- In diesem Beispiel wird veranschaulicht, dass die durch das System der vorliegenden Erfindung erreichbare Polierselektivität eines Mehrschichtsubstrates von dem Vorhandensein und der Identität des Polierzusatzes und der Stoppverbindung in dem System abhängig ist.
- Kupfermikroplättchen, Tantalmikroplättchen und Siliziumdioxid(SiO2)-Mikroplättchen wurden separat mit drei verschiedenen Poliersystemen (die Systeme sind mit 2A–2C bezeichnet) mit 5 Gewichts-% Kieselerde (insbesondere Cab-O-Sperse® SCE-Produkt von Cabot), 2,5 Gewichts-% Oxidationsmittel (insbesondere H2O2), unterschiedlichen Konzentrationen eines Polierzusatzes (insbesondere 0,8 Gewichts-% 1-Diphosphonsäure (das heißt Dequest®-2010-Produkt), 0,75 Gewichts-% Aminotri(methylenphosphonsäure) (das heißt Dequest®-2000-Produkt) oder 0,75 Gewichts-% Diethylentriaminpenta(methylenphosphonsäure) (das heißt Dequest® 2060-Produkt) und 0,5 Gewichts-% Stoppverbindung (insbesondere 0,5 Gewichts-% Lupasol® SKA poliert, welches 25% eines Ethyleniminpolymers (das heißt 0,12 Gewichts-% Polyethylenimin) enthält, wobei jedes der Systeme einen pH-Wert von 7,7 aufwies. Zu Vergleichszwecken wurden die Testmikroplättchen auch mit einem Kontrollsystem („Kontrolle") mit 5 Gewichts-% Kieselerde (insbesondere Cab-O-Sperse® SCE-Produkt von Cabot) und 2,5 Gewichts-% Oxidationsmittel (insbesondere H2O2) poliert, wobei das Kontrollsystem einen pH-Wert von 8 aufwies. Nach der Verwendung der Systeme wurde die Abtragungsrate (RR) von Kupfer, Tantal und SiO2 durch jedes System, sowie die relative Abtragung von Kupfer zu Tantal („Cu:Ta") bestimmt, wobei die Ergebnisdaten in Tabelle 2 aufgeführt sind.
- Tabelle 2:
- Wie an Hand der in Tabelle 2 aufgeführten Daten ersichtlich, war das Verhältnis von Kupferabtragung zu Tantalabtragung (das heißt die Cu:Ta-Abtragungsselektivität), die von einen Polierzusatz und eine Stoppverbindung enthaltenden Systemen (Systeme 2A–2C) an den Tag gelegt wurde, größer als die Cu:Ta-Abtragungsselektivität des Kontrollpoliersystems, welches keinen Polierzusatz oder Stoppverbindung enthielt. Darüber hinaus war die Kupferabtragungsrate und die Cu:Ta-Abtragungsselektivität des eine Stoppverbindung und das Dequest®-2060-Produkt (System 2C) enthaltenden Systems größer als die Cu:Ta-Abtragungsselektivität des eine Stoppverbindung und das Dequest®-2000-Produkt (System 2B) enthaltenden Systems, die wiederum größer als die Cu:Ta-Abtragungsselektivität des eine Stoppverbindung und das Dequest®-2010-Produkt (System 2A) enthaltenden Systems war. Darüber hinaus war die SiO2-Abtragungsrate, die von einen Polierzusatz und eine Stoppverbindung enthaltenden Systemen (Systeme 2A–2C) an den Tag gelegt wurde, größer als die SiO2-Abtragungsrate des Kontrollsystems, welches keinen Polierzusatz oder Stoppverbindung enthielt.
- Diese Ergebnisse zeigen die Bedeutung der Kombination eines Polierzusatzes und einer Stoppverbindung im Zusammenhang mit dem vorliegenden erfindungsgemäßen System sowie die Wirkung des einzelnen Polierzusatzes in Kombination mit der einzelnen Stoppverbindung auf die mittels des vorliegenden erfindungsgemäßen Systems und des Verfahrens erreichbare Polierrate und -selektivität.
- BEISPIEL 3
- In diesem Beispiel wird veranschaulicht, dass die durch das System der vorliegenden Erfindung erreichbare Polierselektivität eines Mehrschichtsubstrates von dem Vorhandensein und der Identität der Stoppverbindung in dem System abhängig ist.
- Kupfermikroplättchen, Tantalmikroplättchen und Siliziumdioxid(SiO2)-Mikroplättchen wurden separat mit vierzehn verschiedenen Poliersystemen mit 3 Gewichts-% Aluminiumoxid (insbesondere Semi-Sperse® W-A355-Produkt von Cabot), 2,5 Gewichts-% Oxidationsmittel (insbesondere H2O2), 1 Gewichts-% Polierzusatz (insbesondere Ammoniumoxalat ((NH4)2C2O4)) und unterschiedlichen Konzentrationen einer Stoppverbindung (insbesondere 0,2 Gewichts-% Isophorondiamin, 0,2 Gewichts-% Hexamethylendiamin, 0,2 Gewichts-% N-Cyclohexyl-1,3-Propandiamin, 0,2 Gewichts-% N-(3-Aminopropyl)-1,3-Propandiamin, 0,2 Gewichts-% Tetraethylenpentamin, 0,2 Gewichts-% N,N,N',N'-Tetramethyl-1,4-Butandiamin, 0,5 Gewichts-% Propylamin, 0,2 Gewichts-% 2-(2-Aminoethoxy)-Ethanol, 2,0 Gewichts-% 1,3-Diamino-2-Propanol, 1,0 Gewichts-% Thiomicamin, 3,0 Gewichts-% 2-Amino-1-Butanol, 0,2 Gewichts-% 4,7,10-Trioxa-1,13-Tridecandiamin, 0,2 Gewichts-% Lysin, 0,2 Gewichts-% Poly-[bis-(2-Chloroether)-alt-1,3-bis-(3-Dimethylamino)-Propyl] poliert, wobei jedes der Systeme einen pH-Wert von 7,6 aufwies. Zu Vergleichszwecken wurden die Testmikroplättchen auch mit einem Kontrollsystem („Kontrolle") mit 3 Gewichts-% Aluminiumoxid (insbesondere Semi-Sperse® W-A355-Produkt von Cabot), 2,5 Gewichts-% Oxidationsmittel (insbesondere H2O2) und 1 Gewichts-% Polierzusatz (insbesondere Ammoniumoxalat ((NH4)2C2O4)) poliert, wobei das Kontrollsystem einen pH-Wert von 7,6 aufwies. Nach der Verwendung der Polierzusammensetzungen wurde die relative Tantal-(TA)-Abtragungsrate und die relative Siliziumdioxid-(SiO2)-Abtragungsrate eines jeden Systems im Vergleich zu den Abtragungsraten des Kontrollsystems bestimmt. Die Ergebnisdaten sind in Tabelle 3 aufgeführt.
- Tabelle 3:
-
- Wie an Hand der in Tabelle 3 aufgeführten Daten ersichtlich, waren die relativen Tantalabtragungsraten, die von einen Polierzusatz und eine Stoppverbindung enthaltenden bewerteten Poliersystemen an den Tag gelegt wurden, wünschenswerterweise geringer als die relative Tantalabtragungsrate der Kontroll-Polierzusammensetzung, die weder einen Polierzusatz noch eine Stoppverbindung enthielt. Darüber waren die von allen bis auf eines der bewerteten Poliersysteme, die einen Polierzusatz und eine Stoppverbindung enthielten, an den Tag gelegten relativen SiO2-Abtragungsraten wünschenswerterweise geringer als die relative SiO2-Abtragungsrate des Kontroll-Poliersystems, welches weder einen Polierzusatz noch eine Stoppverbindung enthielt.
- Diese Ergebnisse zeigen die Bedeutung des Vorhandenseins einer Stoppverbindung im Zusammenhang mit dem vorliegenden erfindungsgemäßen System sowie die Wirkung der einzelnen Stoppverbindung auf die mittels des vorliegenden erfindungsgemäßen Verfahrens erreichbare Abtragungsrate und -selektivität.
- BEISPIEL 4
- In diesem Beispiel wird veranschaulicht, dass die durch das System der vorliegenden Erfindung erreichbare Polierselektivität eines Mehrschichtsubstrates sowie die Minimierung von Oberflächenfehlern durch das System von der Identität der Stoppverbindung in dem System abhängig ist.
- Kupfermikroplättchen, Tantalmikroplättchen und Siliziumdioxid(SiO2)-Mikroplättchen wurden separat mit zwei verschiedenen Poliersystemen (die Systeme sind mit 4A und 4B bezeichnet) mit 3 Gewichts-% Aluminiumoxid (insbesondere Semi-Sperse® W-A355-Produkt von Cabot), 2,5 Gewichts-% Oxidationsmittel (insbesondere H2O2), 1,25 Gewichts-% Polierzusatz (insbesondere Weinsäure) und entweder 0 Gewichts-% oder 0,06 Gewichts-% Stoppverbindung (insbesondere ein Ethyleniminpolymer (das heißt Lupasol SKA)) poliert, wobei jedes der Systeme einen pH-Wert von 7,7 aufwies. Nach der Verwendung der Systeme wurde die relative Abtragungsrate von Kupfer zu Tantal („Cu:Ta"), tellerförmige Austiefung von Kupfer und SiO2-Erosion gemessen, wobei die Ergebnisdaten in Tabelle 3 aufgeführt sind. Die tellerförmige Austiefung von Mikroplättchen von Kupferlinien (das heißt tellerförmige Austiefung von Kupfer) und die SiO2-Erosion wurden durch die Verwendung einer Tencor P-20 Long Scan-Profilmesseinrichtung gemessen. Die tellerförmige Austiefung von Kupfer wurde bei einer 10 μm-Strukturgröße und bei einer 50 μm-Strukturgröße („10 μm/50 μm") gemessen. Die SiO2-Erosion wurde für ein Feld mit einer 2 μm-Zeile und einer 4 μm-Teilung („2 μm/4 μm-Feld") gemessen.
- Tabelle 4:
- Wie an Hand der in Tabelle 4 aufgeführten Daten ersichtlich, war das Verhältnis von Kupferabtragung zu Tantalabtragung (das heißt die Cu:Ta-Abtragungsselektivität), die von einen Polierzusatz und eine Stoppverbindung enthaltenden Systemen (System 4B) an den Tag gelegt wurde, größer als die Cu:Ta-Abtragungsselektivität, die von dem System an den Tag gelegt wurde, welches nur einen Polierzusatz (System 4A) enthielt. Darüber hinaus war die tellerförmige Austiefung von Cu und die SiO2-Erosion, die von dem einen Polierzusatz und eine Stoppverbindung enthaltenden System (System 4B) an den Tag gelegt wurde, geringer als die tellerförmige Austiefung von Cu und die SiO2-Erosion, die von dem nur einen Polierzusatz enthaltenden System (System 4A) an den Tag gelegt wurde.
- Diese Ergebnisse zeigen die Bedeutung des Vorhandenseins einer Stoppverbindung im Zusammenhang mit dem vorliegenden erfindungsgemäßen System für die mittels des Systems erreichbare Polierselektivität, sowie für die Minimierung von Oberflächenfehlern des polierten Substrates durch das System der vorliegenden Erfindung.
Claims (28)
- Zusammensetzung zum Polieren einer oder mehrerer Schichten eines Mehrschichtsubstrates, welches eine erste Metallschicht und eine zweite Schicht aufweist, die (i) eine Trägerflüssigkeit, (ii) mindestens ein Oxidationsmittel, (iii) mindestens einen Polierzusatz aufweist, der die Rate erhöht, mit der die Zusammensetzung mindestens eine Schicht des Substrates poliert, und (iv) mindestens eine Stoppverbindung mit einer Polierselektivität der ersten Metallschichten zur zweiten Schicht von mindestens etwa 30:1 aufweist, wobei die Stoppverbindung ein kationisch geladener Stickstoff ist, der eine aus der aus Polyetheramin, Polyethylenimin, Polyacylanid, Lysin, N4-Amino, (N,N1-bis-[3-Aminopropyl]-Ethylendiamin), 4,7,10-Trioxatridecan-1,13-Diamin, 3,3-Dimethyl-4,4-Diaminodicyclohexylmethan, 2-Phenylethylamin, N,N-Dimethyldipropylentriamin, 3-[2-Methoxyethoxy]-Propylamin, Dimethylaminopropylamin, 1,4-bis-(3-Aminopropyl)- Piperazin, Isophorondiamin, Hexamethylendiamin, Cyclohexyl-1,3-Propandiamin, Thiomicamin, (Aminopropyl)-1,3-Propandiamin, Tetraethylen-Pentamin, Tetramethylbutandiamin, Propylamin, Diaminopropanol, Aminobutanol, (2-Aminoethoxy)-Ethanol, Poly-[bis-(2-Chloroether)-alt-1,3-bis-(3-Dimethylamino)-Propyl] bestehenden Gruppe oder aus Mischungen derselben ausgewählt ist, um mit einem Polierkissen und/oder einem Schleifmittel verwendet zu werden.
- Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerflüssigkeit ein nicht wässriges Lösungsmittel ist.
- Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerflüssigkeit Wasser ist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–3 dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Stoppverbindung in der Trägerflüssigkeit in einer Konzentration von etwa 5 Gewichts-% oder weniger vorhanden ist.
- Zusammensetzung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Stoppverbindung in der Trägerflüssigkeit in einer Konzentration von etwa 3 Gewichts-% oder weniger vorhanden ist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–5, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Polierzusatz aus der aus einer phosphorhaltigen Verbindung, einer stickstoffhaltigen Verbindung, einer schwefelhaltigen Verbindung, einer Karbonsäure bestehenden Gruppe und aus Mischungen derselben ausgewählt ist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–6, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung mindestens eine Stoppverbindung aufweist, die ein Polyethylenimin und mindestens ein aus der aus Dikarbonsäuren, Trikarbonsäuren, Polykarbonsäuren, Pyrophosphaten, Triphosphaten, niedergeschlagenen Phosphaten, Diphosphonsäuren, Triphosphonsäuren, Polyphosphonsäuren bestehenden Gruppe und aus Mischungen derselben ausgewählt ist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–7, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung mindestens eine Stoppverbindung aufweist, die zwei oder mehr Amingruppen und mindestens einen aus der aus Dikarbonsäuren, Trikarbonsäuren, Polykarbonsäuren, Pyrophosphaten, Triphosphaten, niedergeschlagenen Phosphaten, Diphosphonsäuren, Triphosphonsäuren, Polyphosphonsäuren bestehenden Gruppe und aus Mischungen derselben ausgewählten Polierzusatz aufweist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–8, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung mindestens eine Stoppverbindung aufweist, die zwei oder mehr primäre Amingruppen und mindestens einen aus der aus Dikarbonsäuren, Trikarbonsäuren, Polykarbonsäuren, Pyrophosphaten, Triphosphaten, niedergeschlagenen Phosphaten, Diphosphonsäuren, Triphosphonsäuren, Polyphosphonsäuren bestehenden Gruppe und aus Mischungen derselben ausgewählten Polierzusatz aufweist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–9, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Stoppverbindung zwei oder mehr primäre Amingruppen und mindestens einen aus der aus Dikarbonsäuren, Trikarbonsäuren, Polykarbonsäuren bestehenden Gruppe und aus Mischungen derselben ausgewählten Polierzusatz aufweist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–10, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Stoppverbindung zwei oder mehr primäre Amingruppen und mindestens einen aus der aus Diphosphonsäuren, Triphosphonsäuren, Polyphosphonsäuren bestehenden Gruppe und aus Mischungen derselben ausgewählten Polierzusatz aufweist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–11, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Stoppverbindung ein Molekulargewicht von größer als etwa 100 aufweist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–12, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Stoppverbindung eine Aminopropylgruppe aufweist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–13, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Stoppverbindung drei oder mehr Kohlenstoffatome aufweist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–14, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Oxidationsmittel Peroxid ist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–15, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung ein Peroxid, Aminotri(Methylenphosphonsäure) und 1,4-bis-(3-Aminopropyl)-Piperazin aufweist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–16, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung ein Peroxid, Weinsäure und ein Polyethylenimin aufweist.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–17, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung weiterhin mindestens eine Polymerverbindung aufweist, welche die Polierrate von mindestens einer mit dem Substrat verbundenen Schicht verringert.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–18, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung weiterhin mindestens ein Passivierungsfilmbildungsmittel aufweist.
- System für eine oder mehrere Schichten eines Mehrschichtsubstrates, welches eine erste Metallschicht und eine zweite Schicht aufweist, die eine Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1–19 und ein Polierkissen und/oder ein Schleifmittel aufweist.
- System nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das System ein in der Trägerflüssigkeit schwebend gehaltenes Schleifmittel aufweist.
- System nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Schleifmittel auf dem Polierkissen fixiert ist.
- System nach einem der Ansprüche 20–22, dadurch gekennzeichnet, dass das Schleifmittel ein Metalloxidschleifmittel ist.
- System nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass das Schleifmittel aus der aus Aluminiumoxid, Zer(IV)-oxid, Germanium, Kieselerde, Titanerde, Zirkonoxid und daraus gebildete Nebenprodukte bestehenden Gruppe und aus Mischungen derselben ausgewählt ist.
- System nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Schleifmittel Aluminiumoxid ist.
- System nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass in dem System kein Schleifmittel vorhanden ist, und dass das Polierkissen ein nichtschleifendes Kissen ist.
- Verfahren zum Polieren eines Substrates, welches die Berührung einer Oberfläche eines Substrates mit dem System nach einem der Ansprüche 20–26, und das Polieren mindestens eines Teils des Substrates mit demselben umfasst.
- Verfahren zum Polieren einer oder mehrerer Schichten eines Mehrschichtsubstrates, welches eine erste Metallschicht und eine zweite Schicht aufweist, welches die folgenden Schritte umfasst: (a) Berührung der ersten Metallschicht mit dem System nach einem der Ansprüche 20–26 und, (b) Polieren der ersten Metallschicht mit dem System, bis mindestens ein Teil der ersten Metallschicht von dem Substrat entfernt ist.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14881399P | 1999-08-13 | 1999-08-13 | |
| US148813P | 1999-08-13 | ||
| PCT/US2000/021952 WO2001012741A1 (en) | 1999-08-13 | 2000-08-10 | Polishing system with stopping compound and method of its use |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE60019142D1 DE60019142D1 (de) | 2005-05-04 |
| DE60019142T2 true DE60019142T2 (de) | 2006-02-09 |
Family
ID=22527505
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE60034474T Expired - Lifetime DE60034474T2 (de) | 1999-08-13 | 2000-08-10 | Poliersystem und verfahren zu seiner verwendung |
| DE60019142T Expired - Lifetime DE60019142T2 (de) | 1999-08-13 | 2000-08-10 | Poliersystem mit stopmittel und verfahren zu seiner verwendung |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE60034474T Expired - Lifetime DE60034474T2 (de) | 1999-08-13 | 2000-08-10 | Poliersystem und verfahren zu seiner verwendung |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6852632B2 (de) |
| EP (3) | EP1811005B1 (de) |
| JP (5) | JP4391715B2 (de) |
| KR (2) | KR100590664B1 (de) |
| CN (2) | CN100368496C (de) |
| AT (2) | ATE292167T1 (de) |
| AU (2) | AU6632100A (de) |
| CA (2) | CA2378793A1 (de) |
| DE (2) | DE60034474T2 (de) |
| HK (2) | HK1046422A1 (de) |
| IL (2) | IL147236A0 (de) |
| MY (2) | MY139997A (de) |
| TW (2) | TW500784B (de) |
| WO (2) | WO2001012741A1 (de) |
Families Citing this family (93)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6503418B2 (en) * | 1999-11-04 | 2003-01-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ta barrier slurry containing an organic additive |
| US6976905B1 (en) | 2000-06-16 | 2005-12-20 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for polishing a memory or rigid disk with a phosphate ion-containing polishing system |
| US20020098784A1 (en) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Saket Chadda | Abrasive free polishing in copper damascene applications |
| JP4231632B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2009-03-04 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| KR100535074B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2005-12-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 루테늄의 화학 기계적 연마용 슬러리 및 이를 이용한연마공정 |
| US20030003747A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Jae Hong Kim | Chemical mechanical polishing slurry for ruthenium titanium nitride and polishing process using the same |
| SG144688A1 (en) * | 2001-07-23 | 2008-08-28 | Fujimi Inc | Polishing composition and polishing method employing it |
| AU2002334406A1 (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-18 | Showa Denko K.K. | Polishing composition |
| US6805812B2 (en) * | 2001-10-11 | 2004-10-19 | Cabot Microelectronics Corporation | Phosphono compound-containing polishing composition and method of using same |
| JP4095798B2 (ja) * | 2001-12-20 | 2008-06-04 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US7004819B2 (en) * | 2002-01-18 | 2006-02-28 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP systems and methods utilizing amine-containing polymers |
| US7097541B2 (en) * | 2002-01-22 | 2006-08-29 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP method for noble metals |
| US6776810B1 (en) * | 2002-02-11 | 2004-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP |
| US6755721B2 (en) | 2002-02-22 | 2004-06-29 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Chemical mechanical polishing of nickel phosphorous alloys |
| KR101005304B1 (ko) * | 2002-03-25 | 2011-01-05 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 | 탄탈 배리어 제거 용액 |
| JP2004006628A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7087187B2 (en) | 2002-06-06 | 2006-08-08 | Grumbine Steven K | Meta oxide coated carbon black for CMP |
| KR100474537B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2005-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 산화막용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 제조 방법 |
| US6911393B2 (en) * | 2002-12-02 | 2005-06-28 | Arkema Inc. | Composition and method for copper chemical mechanical planarization |
| JP2004273547A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Kao Corp | 研磨速度選択比向上剤 |
| US8025808B2 (en) | 2003-04-25 | 2011-09-27 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Methods for machine ceramics |
| US7306748B2 (en) * | 2003-04-25 | 2007-12-11 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Methods for machining ceramics |
| US7160807B2 (en) * | 2003-06-30 | 2007-01-09 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP of noble metals |
| KR100499642B1 (ko) * | 2003-09-05 | 2005-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 제조 방법 |
| US7300480B2 (en) * | 2003-09-25 | 2007-11-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High-rate barrier polishing composition |
| US7241725B2 (en) * | 2003-09-25 | 2007-07-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Barrier polishing fluid |
| US7485162B2 (en) * | 2003-09-30 | 2009-02-03 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| JP4608196B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-01-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US7022255B2 (en) | 2003-10-10 | 2006-04-04 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Chemical-mechanical planarization composition with nitrogen containing polymer and method for use |
| US7247566B2 (en) * | 2003-10-23 | 2007-07-24 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | CMP method for copper, tungsten, titanium, polysilicon, and other substrates using organosulfonic acids as oxidizers |
| US7514363B2 (en) * | 2003-10-23 | 2009-04-07 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Chemical-mechanical planarization composition having benzenesulfonic acid and per-compound oxidizing agents, and associated method for use |
| US7255810B2 (en) * | 2004-01-09 | 2007-08-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing system comprising a highly branched polymer |
| JP4814502B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2011-11-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| US7988878B2 (en) * | 2004-09-29 | 2011-08-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Selective barrier slurry for chemical mechanical polishing |
| JP4836441B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2011-12-14 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| TWI315886B (en) * | 2005-04-08 | 2009-10-11 | Ohara Kk | A substrate and a method for polishing a substrate |
| US7316977B2 (en) * | 2005-08-24 | 2008-01-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical-mechanical planarization composition having ketooxime compounds and associated method for use |
| US7678702B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-03-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | CMP composition of boron surface-modified abrasive and nitro-substituted sulfonic acid and method of use |
| US7708904B2 (en) | 2005-09-09 | 2010-05-04 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Conductive hydrocarbon fluid |
| US8353740B2 (en) | 2005-09-09 | 2013-01-15 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Conductive hydrocarbon fluid |
| US20070068902A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Yasushi Matsunami | Polishing composition and polishing method |
| US7955519B2 (en) * | 2005-09-30 | 2011-06-07 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
| US7265055B2 (en) | 2005-10-26 | 2007-09-04 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP of copper/ruthenium substrates |
| CN1955212B (zh) * | 2005-10-28 | 2011-08-03 | 安集微电子（上海）有限公司 | 用于阻挡层的化学机械抛光浆料 |
| FR2896165B1 (fr) * | 2006-01-13 | 2012-08-03 | Centre Nat Rech Scient | Preparation d'un substrat inorganique presentant des proprietes anti-microbiennes |
| KR20070088245A (ko) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 후지필름 가부시키가이샤 | 금속용 연마액 |
| JP2007266075A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液 |
| JP2007266077A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液 |
| WO2007123203A1 (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 酸化物粒子の製造方法、スラリー、研磨剤および基板の研磨方法 |
| US7585340B2 (en) * | 2006-04-27 | 2009-09-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing polyether amine |
| EP2027970A4 (de) * | 2006-05-31 | 2009-11-18 | Asahi Glass Co Ltd | Polierzusammensetzung und polierverfahren |
| CN101130665A (zh) * | 2006-08-25 | 2008-02-27 | 安集微电子（上海）有限公司 | 用于抛光低介电材料的抛光液 |
| US7776230B2 (en) * | 2006-08-30 | 2010-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP system utilizing halogen adduct |
| CN101153205A (zh) * | 2006-09-29 | 2008-04-02 | 安集微电子（上海）有限公司 | 用于抛光低介电材料的化学机械抛光液 |
| US20080105652A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP of copper/ruthenium/tantalum substrates |
| JP5336387B2 (ja) | 2006-12-20 | 2013-11-06 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 無機、非金属ワークピースを機械加工するための方法 |
| US20080149884A1 (en) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Junaid Ahmed Siddiqui | Method and slurry for tuning low-k versus copper removal rates during chemical mechanical polishing |
| JP2008177373A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Nitta Haas Inc | 研磨組成物 |
| JP5441896B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2014-03-12 | テクノ セミケム シーオー．， エルティーディー． | 銅ダマシン工程用化学機械的研磨スラリー組成物 |
| US7915071B2 (en) * | 2007-08-30 | 2011-03-29 | Dupont Air Products Nanomaterials, Llc | Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials |
| US7803711B2 (en) * | 2007-09-18 | 2010-09-28 | Cabot Microelectronics Corporation | Low pH barrier slurry based on titanium dioxide |
| US20090090696A1 (en) * | 2007-10-08 | 2009-04-09 | Cabot Microelectronics Corporation | Slurries for polishing oxide and nitride with high removal rates |
| JP5240202B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2013-07-17 | 日立化成株式会社 | Ｃｍｐ研磨液及びこれを用いた基板の研磨方法 |
| ES2399477T3 (es) | 2007-12-13 | 2013-04-01 | Akzo Nobel N.V. | Disoluciones de peróxido de hidrógeno estabilizadas |
| US20090215266A1 (en) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | Thomas Terence M | Polishing Copper-Containing patterned wafers |
| JP2011517328A (ja) * | 2008-03-07 | 2011-06-02 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 非選択性酸化物エッチング湿式洗浄組成物および使用方法 |
| JP2008300858A (ja) * | 2008-07-15 | 2008-12-11 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液及び研磨方法 |
| CN101333419B (zh) * | 2008-08-05 | 2011-06-29 | 清华大学 | 一种集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液 |
| US20100081279A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Method for Forming Through-base Wafer Vias in Fabrication of Stacked Devices |
| US8506831B2 (en) | 2008-12-23 | 2013-08-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Combination, method, and composition for chemical mechanical planarization of a tungsten-containing substrate |
| US9330703B2 (en) * | 2009-06-04 | 2016-05-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for nickel-phosphorous memory disks |
| US8025813B2 (en) | 2009-11-12 | 2011-09-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and methods relating thereto |
| JP2013513023A (ja) * | 2009-12-03 | 2013-04-18 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 正のゼータ電位を有する防食顔料 |
| US8916473B2 (en) | 2009-12-14 | 2014-12-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for forming through-base wafer vias for fabrication of stacked devices |
| CN102101976A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN102101978B (zh) * | 2009-12-18 | 2014-07-23 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| JP5657247B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2015-01-21 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| JP6101421B2 (ja) * | 2010-08-16 | 2017-03-22 | インテグリス・インコーポレーテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
| TWI568541B (zh) * | 2010-12-22 | 2017-02-01 | Jsr Corp | Chemical mechanical grinding method |
| US8524540B2 (en) * | 2011-02-01 | 2013-09-03 | Nilesh Kapadia | Adhesion promoting composition for metal leadframes |
| US20120203765A1 (en) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | Microsoft Corporation | Online catalog with integrated content |
| CN102181232B (zh) * | 2011-03-17 | 2013-12-11 | 清华大学 | Ulsi多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光的组合物 |
| EP2693460A4 (de) * | 2011-03-30 | 2015-07-15 | Fujimi Inc | Polierzusammensetzung, polierverfahren damit und verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung |
| US20140311044A1 (en) * | 2011-04-25 | 2014-10-23 | Bando Chemical Industries, Ltd. | Polishing film |
| CN105086836A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-25 | 三峡大学 | 一种氧化铈抛光液及其制备方法 |
| WO2017057156A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法 |
| KR102543680B1 (ko) * | 2015-12-17 | 2023-06-16 | 솔브레인 주식회사 | 화학기계적 연마 슬러리 조성물 |
| KR102544644B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2023-06-19 | 솔브레인 주식회사 | 유기막 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체 기판 연마 방법 |
| JP6721704B2 (ja) * | 2016-03-04 | 2020-07-15 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 半導体基材をケミカルメカニカル研磨する方法 |
| WO2018055985A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、ならびにこれを用いた研磨方法および半導体基板の製造方法 |
| CN110997856B (zh) * | 2017-08-09 | 2021-10-29 | 昭和电工材料株式会社 | 研磨液和研磨方法 |
| US20200102476A1 (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | Versum Materials Us, Llc | Barrier Slurry Removal Rate Improvement |
| JP7379789B2 (ja) | 2020-03-02 | 2023-11-15 | 株式会社タイテム | コロイダルシリカスラリー |
Family Cites Families (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE400575B (sv) | 1974-12-13 | 1978-04-03 | Nordnero Ab | Bad for betning av koppar och dess legeringar |
| US4404074A (en) | 1982-05-27 | 1983-09-13 | Occidental Chemical Corporation | Electrolytic stripping bath and process |
| US4452643A (en) | 1983-01-12 | 1984-06-05 | Halliburton Company | Method of removing copper and copper oxide from a ferrous metal surface |
| JPS6396599A (ja) | 1986-10-14 | 1988-04-27 | 三菱重工業株式会社 | 金属ルテニウムの溶解法 |
| DE3735158A1 (de) * | 1987-10-16 | 1989-05-03 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum schleierfreien polieren von halbleiterscheiben |
| JPH01270512A (ja) | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 貴金属の溶解方法 |
| US4875973A (en) | 1988-07-27 | 1989-10-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Hydrogen peroxide compositions containing a substituted aminobenzaldehyde |
| JP2800020B2 (ja) | 1989-04-18 | 1998-09-21 | 東海電化工業株式会社 | 錫又は錫合金の化学溶解剤 |
| US5230833A (en) | 1989-06-09 | 1993-07-27 | Nalco Chemical Company | Low sodium, low metals silica polishing slurries |
| JPH03202269A (ja) * | 1989-10-12 | 1991-09-04 | Nalco Chem Co | 低ナトリウム低金属シリカ研磨スラリー |
| JPH03232980A (ja) | 1990-02-06 | 1991-10-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 銅もしくは銅合金上の銀剥離液 |
| JPH0781132B2 (ja) | 1990-08-29 | 1995-08-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨剤組成物 |
| US5981454A (en) * | 1993-06-21 | 1999-11-09 | Ekc Technology, Inc. | Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine |
| JP3397501B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2003-04-14 | 株式会社東芝 | 研磨剤および研磨方法 |
| JP3481379B2 (ja) | 1995-08-23 | 2003-12-22 | メック株式会社 | 電気めっき法 |
| JPH0982668A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-03-28 | Sony Corp | 研磨用スラリー及びこの研磨用スラリーを用いる研磨方法 |
| EP0773270B1 (de) * | 1995-11-10 | 2001-01-24 | Tokuyama Corporation | Poliersuspensionen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JPH1015811A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-20 | Kao Corp | 加工用助剤組成物及びこれを用いた表面加工方法 |
| US6039891A (en) * | 1996-09-24 | 2000-03-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing |
| US5783489A (en) * | 1996-09-24 | 1998-07-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing |
| US5972792A (en) * | 1996-10-18 | 1999-10-26 | Micron Technology, Inc. | Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad |
| US5773364A (en) | 1996-10-21 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Method for using ammonium salt slurries for chemical mechanical polishing (CMP) |
| SG68005A1 (en) * | 1996-12-02 | 1999-10-19 | Fujimi Inc | Polishing composition |
| JPH10172936A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
| US5954997A (en) | 1996-12-09 | 1999-09-21 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
| US6309560B1 (en) * | 1996-12-09 | 2001-10-30 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
| CN1165975C (zh) * | 1997-04-30 | 2004-09-08 | 美国3M公司 | 对半导体晶片表面进行平整的方法 |
| US5855633A (en) | 1997-06-06 | 1999-01-05 | Lockheed Martin Energy Systems, Inc. | Lapping slurry |
| US6083419A (en) * | 1997-07-28 | 2000-07-04 | Cabot Corporation | Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching |
| JP3082722B2 (ja) * | 1997-10-07 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5897375A (en) * | 1997-10-20 | 1999-04-27 | Motorola, Inc. | Chemical mechanical polishing (CMP) slurry for copper and method of use in integrated circuit manufacture |
| US6001730A (en) | 1997-10-20 | 1999-12-14 | Motorola, Inc. | Chemical mechanical polishing (CMP) slurry for polishing copper interconnects which use tantalum-based barrier layers |
| JP3371775B2 (ja) | 1997-10-31 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 研磨方法 |
| US6096652A (en) * | 1997-11-03 | 2000-08-01 | Motorola, Inc. | Method of chemical mechanical planarization using copper coordinating ligands |
| JP3094392B2 (ja) | 1997-12-10 | 2000-10-03 | 株式会社荏原電産 | エッチング液 |
| US6063306A (en) * | 1998-06-26 | 2000-05-16 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate |
| JP3337464B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2002-10-21 | 日立化成工業株式会社 | 金属用研磨液及び研磨方法 |
| US6274063B1 (en) | 1998-11-06 | 2001-08-14 | Hmt Technology Corporation | Metal polishing composition |
| US6290736B1 (en) | 1999-02-09 | 2001-09-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Chemically active slurry for the polishing of noble metals and method for same |
| JP3912927B2 (ja) * | 1999-05-10 | 2007-05-09 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| DE19927286B4 (de) | 1999-06-15 | 2011-07-28 | Qimonda AG, 81739 | Verwendung einer Schleiflösung zum chemisch-mechanischen Polieren einer Edelmetall-Oberfläche |
| JP4614497B2 (ja) * | 1999-07-13 | 2011-01-19 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| JP2001144047A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液及び研磨方法 |
| US20020111027A1 (en) | 1999-12-14 | 2002-08-15 | Vikas Sachan | Polishing compositions for noble metals |
| JP2001187877A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nec Corp | 化学的機械的研磨用スラリー |
-
2000
- 2000-08-10 CA CA002378793A patent/CA2378793A1/en not_active Abandoned
- 2000-08-10 AT AT00952726T patent/ATE292167T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-08-10 IL IL14723600A patent/IL147236A0/xx unknown
- 2000-08-10 DE DE60034474T patent/DE60034474T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 CN CNB008116377A patent/CN100368496C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 EP EP07005350.9A patent/EP1811005B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 KR KR1020027001010A patent/KR100590664B1/ko active IP Right Grant
- 2000-08-10 AT AT00953960T patent/ATE360051T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-08-10 IL IL14723400A patent/IL147234A0/xx unknown
- 2000-08-10 DE DE60019142T patent/DE60019142T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 AU AU66321/00A patent/AU6632100A/en not_active Abandoned
- 2000-08-10 AU AU65370/00A patent/AU6537000A/en not_active Abandoned
- 2000-08-10 WO PCT/US2000/021952 patent/WO2001012741A1/en active IP Right Grant
- 2000-08-10 JP JP2001517628A patent/JP4391715B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 WO PCT/US2000/021938 patent/WO2001012740A1/en active IP Right Grant
- 2000-08-10 EP EP00952726A patent/EP1218465B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 CN CNB008116393A patent/CN100335580C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 CA CA002378790A patent/CA2378790A1/en not_active Abandoned
- 2000-08-10 JP JP2001517629A patent/JP4188598B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 EP EP00953960A patent/EP1226220B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-10 KR KR1020027001011A patent/KR100590666B1/ko active IP Right Grant
- 2000-08-11 MY MYPI20003665A patent/MY139997A/en unknown
- 2000-08-11 MY MYPI20003660A patent/MY129591A/en unknown
- 2000-08-11 TW TW089116226A patent/TW500784B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-08-11 TW TW089116251A patent/TW570965B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-11-04 HK HK02108002.7A patent/HK1046422A1/zh unknown
- 2002-11-04 HK HK02108003.6A patent/HK1046423A1/zh unknown
-
2003
- 2003-01-29 US US10/353,542 patent/US6852632B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-12-02 JP JP2005349782A patent/JP4851174B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-04-05 JP JP2006104616A patent/JP4723409B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-04-21 JP JP2009102674A patent/JP5384994B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition |