JPH03232980A - 銅もしくは銅合金上の銀剥離液 - Google Patents

銅もしくは銅合金上の銀剥離液

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JPH03232980A
JPH03232980A JP2678490A JP2678490A JPH03232980A JP H03232980 A JPH03232980 A JP H03232980A JP 2678490 A JP2678490 A JP 2678490A JP 2678490 A JP2678490 A JP 2678490A JP H03232980 A JPH03232980 A JP H03232980A
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JP
Japan
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copper
silver
acid
peeling liquid
copper alloy
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Pending
Application number
JP2678490A
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English (en)
Inventor
Tomofumi Kazama
風間 智文
Shinichi Wakabayashi
信一 若林
Masako Takeuchi
昌子 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は下地の銅もしくは銅合金に悪影響を及ぼすこと
なく銀を選択的に剥離しろる銀剥離液に関する。
(従来の技術) コネクタ等の電子部品では、その端子部などに銀めっき
を施すものが多い。またこれら電子部品では、素材とし
て銅もしくは銅合金材が多く使用される。一般に剥離液
に要求される重要な特性は、下地の溶出や荒れなどの悪
影響を及ぼすことなく下地上の皮膜をいかに選択的に剥
離するかである。
従来、銅もしくは銅合金上の銀の剥離液としては、シア
ン系化合物を含む強アルカリ性電解剥離液が一般的であ
った。
(発明が解決しようとする課題) しかるに従来の上記電解剥離液には次のような問題点が
あった。
すなわち、毒物であるシアン系化合物を含むために取り
扱いに慎重さを要するとともに、高い水準の廃水処理が
要求される。また、従来のシアン系化合物を含む剥離液
では、銅もしくは銅合金上の銀の選択剥離は不可能であ
った。
そこで本発明は上記問題点を解消すべくなされたもので
、その目的とするところは、下地の銅もしくは銅合金に
悪影響を及ぼすことなく銀を剥離することができ、また
取扱いも容易な、銅もしくは銅合金上の銀剥離液を提供
するにある。
(発明の概要) 上記目的による本発明では、カルボン酸およびそのアル
カリ金属塩の少なくとも1種を5〜10h/2、好適に
は5〜50g/j!、および有機酸のアンモニウム塩を
5〜200g/ Q、好適にはlO〜100已/l含有
することを特徴とする。
また、カルボン酸およびそのアルカリ金属塩の少なくと
も1種を5〜100g/p、、好適には5〜50g/l
、およびアミン化合物を5〜200g/n、好適には1
0〜100g/I!、含有することを特徴とする。
また、カルボン酸およびそのアルカリ金属塩の3 少なくとも1種を5〜100g//!、好適には5〜5
0g/!、有機酸のアンモニウム塩を5〜200g/ 
I2.、好適には10〜100g/ff、およびアミン
化合物を5〜200g/ff、好適には10〜100g
//!含有することを特徴とする。
さらに、カルボキシル基およびアミノ基の両方を有する
化合物を5〜100g/l、好適には5〜50g/f2
含有することを特徴とする。
上記各場合においで、カルボン酸およびそのアルカリ金
属塩としては、例えばギ酸、酢酸、安息香酸、0−ニト
ロ安息香酸、フタル酸等のカルボン酸およびそのアルカ
リ金属塩が好適である。有機酸のアンモニウム塩として
は安息香酸アンモニウム、酢酸アンモニウム等が好適で
ある。またアミン化合物としてはモノエタノールアミン
、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、ピペラジ
ン等が好適である。さらに、カルボキシル基およびアミ
ノ基の両方を有する化合物としては、例えばL−アルギ
ニン、L−グルタミン酸等のアミノ酸、あるいはピペリ
ジン酸等が好適である。
なお、上記いずれの場合においても好適には電気伝導性
を付与するためにKOH、NaOHの水酸化アルカリを
0.1〜20g/l、あるいはクエン酸三カリウム、酒
石酸カリウム、炭酸カリウムのようなアルカリ塩を1〜
100g/l添加すると、さらに容易に銀の剥離が可能
となる。これらアルカリ成分の添加量にもよるが、PH
は概ね6.6〜11の範囲に調整する。従来のシアン系
化合物を含む銀剥離液ではPHが12以上の強アルカリ
性であったが、本発明の銀剥離液では中性乃至弱酸性の
領域でも使用可能である。このことは例えば、フォトレ
ジストなどアルカリに弱い材料が素材上に固着されてい
る場合に、該材料に悪影響を及ぼすことなく銀の剥離が
行えるので有利である。
さらに塩化ラウリルピリジニウム等のピリジニウム塩、
ラウリル硫酸ナトリウム等のアルキルスルホン酸塩、ツ
イーン(商品名)等のポリオキシエチレンソルビタン脂
肪酸エステル、トライトンX(商品名)等のポリオキシ
エチレンアルキルフェニルエーテルのうちの1種以上の
界面活性剤を1■〜10g//2、好適にはLong〜
1g/l添加すると銅もしくは銅合金の表面を一層荒ら
すことなく銀の剥離が行える。
以下に具体的な実施例を示す。
〔実施例〕
実施例1 酢酸カリウム        20g//2トリエタノ
ールアミン    50g/j!クエン酸三カリウム 
    50g//2通常のめっき前処理を行った銅材
、銅合金材(錫2%−鉄0.1%−リン0.03%−銅
)に、1μmの銀めっきを施したものをテストピースと
して、実施例1の組成の剥離液を用いて、常温、0.5
A/drI(,2分間の条件で電解剥離をしたところ、
下地の銅または銅合金にはほとんど影響を及ぼさずに、
銀めっき皮膜のみを選択的に剥離できた。なお、クエン
酸三カリウムを添加しない場合でも銀の選択剥離が可能
であった。
実施例2 安息香酸          40g/l安息香酸アン
モニウム 実施例3 安息香酸ナトリウム ピペラジン 実施例4 0−ニトロ安息香酸 トリエタノールアミン 実施例5 ギ酸ナトリウム トリエタノールアミン 酒石酸カリウム 実施例6 酢酸カリウム 酢酸アンモニウム 炭酸カリウム 実施例7 安息香酸ナトリウム モノエタノールアミン クエン酸三カリウム 実施例8 60g/l 20g/ ff1 40g/ fi 20g/ ff1 50g/ I!。
40g/ ff1 100g/42 20g/ ff1 20g/ ff1 50g/ff1 20g/ N 40g#! 50g/ fi 50g//2 L−アルギニン       10g/ I2゜KOH
5g/l 実施例9 L−グルタミン酸       20g/I!。
KOH5g/l− 実施例10 ピペリジン酸         20g/ff1KOH
5g/l 上記実施例2〜10の銀剥離液を用いて、実施例1の場
合と同一条件で電解剥離を行ったところ、実施例1と同
様、銀のみの選択剥離が可能であった。
また、実施例1〜10の剥離液に、塩化ラウリルピリジ
ニウム、ラウリル硫酸ナトリウム、ツイーン(商品名)
、トライトンX(商品名)の界面活性剤のうち1種以上
を10■〜1g/!添加した剥離液を用いたところ、銀
めっき皮膜剥離後の銅もしくは銅合金の表面は平滑で、
表面の荒れを一層抑止できた。
以上、本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るの
はもちろんのことである。
(発明の効果) 以上のように本発明によれば、下地の銅もしくは銅合金
に悪影響を及ぼさずに、銀を選択的に剥離しうる。しか
も、剥離液の取扱いも安全かつ容易で、作業環境も改善
しうる。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.カルボン酸およびそのアルカリ金属塩の少なくとも
    1種を5〜100g/l、および有機酸のアンモニウム
    塩を5〜200g/l含有することを特徴とする銅もし
    くは銅合金上の銀剥離液。
  2. 2.カルボン酸およびそのアルカリ金属塩の少なくとも
    1種を5〜100g/l、およびアミン化合物を5〜2
    00g/l含有することを特徴とする銅もしくは銅合金
    上の銀剥離液。
  3. 3.カルボン酸およびそのアルカリ金属塩の少なくとも
    1種を5〜100g/l、有機酸のアンモニウム塩を5
    〜200g/l、およびアミン化合物を5〜200g/
    l含有することを特徴とする銅もしくは銅合金上の銀剥
    離液。
  4. 4.カルボキシル基およびアミノ基の両方を有する化合
    物を5〜100g/l含有することを特徴とする銅もし
    くは銅合金上の銀剥離液。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1487646A1 (en) * 2002-03-25 2004-12-22 MacDermid, Incorporated Method of stripping silver from a printed circuit board
US6852632B2 (en) 1999-08-13 2005-02-08 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a multi-layer substrate
US6855266B1 (en) 1999-08-13 2005-02-15 Cabot Microelectronics Corporation Polishing system with stopping compound and method of its use

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