TW526676B - Semiconductor device and display device - Google Patents

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五、發明說明（ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製

I

[發明所屬技術領域] 本發明係有關電激發光顯示裝置，尤其有關其像素部 之電路構成電晶體。 [習知之技術] 將本身為自發光元件之電激發光（Electroluminescence: 以下稱EL) το件在各像素當作發光元件使用的el顯示裝 置’係自發光型同時具有薄且消耗電力小等優點，當作代 替液晶顯示裝置（LCR)或CRT等顯示裝置之顯示裝置受到 矚目並進行研究。 其中’將個別控制電激發光元件的薄膜電晶體（TFT) 等之開關元件裝設在各像素，在每個像素控制電激發光元 件的主動矩陣型電激發光顯示裝置，亦被視為高精密顯示 裝置受到期待。 第1圖係表示m列η行之主動矩陣型電激發光顯示裝 置的1像素的電路構成。在電激發光顯示裝置中，基板上 多數條閘極線GL為朝向列方向延伸，多數條資料線Dl 及電源線VL為朝向行方向延伸。各像素係具備有機電激 發光70件50、開關用薄膜電晶體（第1TFT)10、電激發光驅 動用薄膜電晶體（第2TFT)20及補助電容Cs。 第1TFT 10係與閘極線GL和資料線dl連接，並在 閘極電極接受到閘極訊號（選擇訊號）時導通（〇N)。此時供 應到資料線DL的資料訊號係保持在連接於第1 τρτ 1 〇和 第2TFT 20之間的補助電容Cs。在第2TFT 20的閘極電極 供應與經由上述第1TFT 10而供給的資料訊號對應之， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵〇 x 297公釐 313029 ϋ ϋ ϋ n ϋ· I ϋ Βϋ ·ϋ ϋ ·ϋ n · ϋ n n ϋ n n l_i·-、I ϋ n n >_ϋ i_i I ί 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526676 A7 B7 五 發明說明（ 壓，該第2TFT 20就將對應該電壓值之電流從電源線VL 供應到有機電激發光元件50。藉由這種動作，在各像素以 對應資料訊號的亮度使有機電激發光元件發光，顯示所要 的影像。 有機電激發光元件，係藉由將電流供應到設在陰極# 陽極之間的有機發光層而發光之電流驅動型元件。另—方 面，輸出到資料線DL之資料訊號係具有對應顯示資料的 振幅之電壓訊號。因此，以往，有機電激發光顯示裝置為 了藉由這種資料訊號使有機電激發光元件正確發光，而在 各像素設置第1TFT 10和第2TFT 20。 [發明所欲解決之問題] 上述有機電激發光顯示裝置，其顯示品質、可靠度尚 不足’必須消除第1及第2TFT 10、20各自的特性上的不 均等。尤其，控制從電源線VL供應到有機電激發光元件 之電流量的第2TFT之特性上的不均等會使直接發光亮 度發生不均，故要求減少該不均等。 又，最好以動作速度快速，能以低電壓驅動的多晶矽 TFT構成該等第！及第2TFT 1〇、2〇。為了獲得多晶矽， 可將非晶矽以雷射退火使之多結晶化，但照射雷射之照射 面内的能量不均等會造成多晶矽顆粒大小不均等。該顆粒 大小之不均，尤其在TFT通道附近不均等時，τρτ之導通 電流特性等亦將有不均的問題。 本發明係鏗於上述問題而完成者，其目的在提供一種 電激發光元件之τ ft的特性上的差異緩和而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵◦ χ 297公- _ 313029 I--------------------訂---------· (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 526676 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 3 五、發明說明（3 使各發光像素以均等的亮度發光之主動矩陣型有機電激發 光面板。 本發明之另一個目的在提昇具備有作為被驅動元件之 有機電激發光元件等之裝置的可靠性及特性。 [解決問題之方案] 為了達成上述目的，本發明係具有：電激發光元件， 其係在第1及第2電極之間具備發光層而構成；開關用薄 臈電晶體’在閘極接受閘極訊號後動作，而取入資料訊號； 以及70件驅動用薄膜電晶體，設在驅動電源和前述電激發 光兀件之間，按照前述開關用薄臈電晶體所供應之資料訊 號，控制從前述驅動電源供應到前述電激發光元件之電 力，且，在前述驅動電源和前述元件驅動用薄臈電晶體之 間’叹有導電特性與前述元件驅動用薄膜電晶體相反之補 償用薄膜電晶體。 藉由這種逆導電特性之補償用薄臈電晶體，與用元件 驅動用薄膜電晶體，可吸收特性偏差之不均等，故可使各 個電晶體之不均整體地緩和，防止特性上的不均等造成的 電激發光元件之發光亮度不均。 本發明之另一種樣態’前述補償用薄臈電晶體係在前 述驅動電源和前述元件驅動用薄媒電晶體之 態的連接。 7 因此補償用薄膜電晶體不必供雍 卜乂供應特別的控制訊號，即 可補償70件驅動用薄膜電晶體之特性上的不均等。 本發明之另一樣態，择太μ、+、 __^ 係在上迷顯示裝置中，前述元 本紙張尺度顧中國目家標準（CNS)A4規格⑵Qx 297公餐丁 313029 --------^---------^ — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526676 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 A7 五、發明說明（4 驅動用薄膜電晶體係由互相並列連接之多數個薄膜電晶體 構成。 本發明之再另一種樣態，上述元件驅動用薄膜電晶體 係由在前述驅動電源和前電激發光元件之間互相並列連接 之多數個薄膜電晶體構成，前述補償用薄膜電晶體係分別 設在前述並列連接之多數個薄膜電晶體和前述驅動電源之 間。 如此將元件驅動用薄膜電晶體並列設置多數個，即使 在各個電晶體發生特性上的不均等，亦可緩和對並列連接 的電晶體之整體特性之影響。因此，可對電激發光元件提 供不均較少之電流。至於補償用薄膜電晶體如果也設置多 數個，則可減低各個電晶體之特性上的不均等對像素電晶 體整體特性之影響，而容易使電激發光元件以均等亮度發 本發明之另一種樣態中，上述半導體裝置係可用於配 置成矩陣形的各像素具備：前述開關用薄膜電晶體、前述 疋件驅動用薄膜電晶體 '前述補償用薄膜電晶體及作為顯 示元件之前述被驅動元件之主動矩陣型顯示裝置。 本發明之另一種樣態係在上述半導體裝置中，前述元 件驅動用薄膜電晶體及前述補償用薄膜電晶體之通道長度 方向，係配置成沿著用以將前述資料訊號供應到前述開關 用溥膜電晶體之貧料線的延伸方向。 本發明之另一種樣態係配置成矩陣形的多數個像素係 分別至少具備被驅動元件和用以將來自驅動電源的電力供 私紙^5適用中國國家標準iCNSM4規(2〗〇 X 297公餐） 313029 --------^---------^ — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526676 A7 B7 5 五、發明說明（5 應到被驅動元件之元件驅動用薄膜電晶體之主動矩陣型顯 示裝置’其中，前述多數個像素之各像素區域係矩陣的列 及行方向的邊之中的一方比另一方長，前述元件驅動用薄 膜電晶體其通道長度方向係沿著前述像素區域之較長一方 的邊而配置。 與本發明的另一種樣態相關之顯示裝置中，前述像素 區域係矩陣的行方向之邊比列方向長，前述元件驅動用薄 膜電晶體其長度方向係沿著前述行方向而配置。 本發明的另一種樣態相關之半導體裝置中，具備：至 少一個兀件驅動用薄膜電晶體，其係將來自電源線的驅動 電流供應到對應的被驅動元件；以及開關用薄膜電晶體， 依據選擇時供應的資料控制前述元件驅動用薄膜電晶體， 其中，前述元件驅動用薄膜電晶體之通道長度方向，係配 置成沿著用以將前述資料訊號供應到前述開關用薄騰電晶 體之資料線的延伸方向。 採用如以上之配置，彳以使用以冑電力供應到被驅動 元件之元件驅動用薄膜電晶體之通道長度延長，並提高耐 壓等之電晶體的可靠度。並可使針對被驅動元件而分別設 置之元件驅動用薄臈電晶體的特性平均化，即使被驅動元 件係利用供應電力而發光亮度相異之發光元件等時， 抑制每個元件之發井A声 m不均。例如可容易將分別具備 充刀長度之多數個元件驅動用薄膜電晶體並列或直列 在1個被驅動元件而有效率地 A _ 置长像素内，被驅動元株 為發光7G件等時亦可增加發光區域。 1 本紙張尺度適用中國國家標規格⑵。x 29T^ 313029 ------------φ It---------線 ~0^丨. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526676 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 6 五、發明說明（6 與本發明的另一種樣態相關之半導體裝置或顯示裝 置’前述元件驅動用薄膜電晶體之通道長度方向係以沿著 使該電晶體之通道區域退火的線狀脈衝雷射之掃描方向形 成該元件驅動用薄膜電晶體。 如此使雷射退火的掃瞄方向配合元件驅動用薄膜電晶 體之通道長度方向，可確實減少與用以將電力供應到其他 被驅動元件之元件驅動用薄膜電晶體的電晶體特性之差 異。 雷射退火中，有雷射輸出能量之不均等。該不均等中 存在有脈衝雷射之1照射區域内之不均等和照射時之不均 等。另一方面，例如在主要矩陣型顯示裝置等之半導體裝 置所採用的元件驅動用薄膜電晶體，相對於通道寬度而古 通道長度大多設計成非常長。又，如上述沿著像素區域長 度的邊配置，沿著行方向或資料線的延伸方向而形成元^ 驅動用薄臈電晶體，容易使元件驅動用薄膜電晶體的通道 長度具有充分長度。而且，使雷射掃描方向與元件驅動用 薄臈電晶體之通道路方向大略一致，或者換言之，設定雷 射照射區域之長度方向係橫向穿過通道之該寬度方向，可 容易調整成1個元件驅動用薄膜電晶體之通道全部區域不 會因單一照射而it火。你j如若將上述元件驅動用薄膜電晶 體之通道長度設定為比脈衝雷射i次的移動步距(pitch)長 即可容易地實現。因此，同一基板上形成多數個被驅動元 件，在該元件形成多數個分別供應電力給各被驅動元件之 驅動㈣膜電晶體時^^電晶體的有源層係藉由 本紙用中國國家標準（CNS)A4規格⑵0x297公餐） 313029 > , V --------1---------^ — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526676 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ---—-------JB7________ 五、發明說明（7 ) 多數次照射而可雷射退火，使照射間的能量不均均等地分 佈到各電晶體’可使各薄臈電晶體之特性確實地平均化。 因此，在例如以發光層使用有機化合物之有機電激發光元 件作為被驅動元件之有機電激發光顯示裝置等，可使設在 各像素之有機電激發光元件的發光亮度之不均減低成很 少。 本發明之另一種樣態中，上述半導體裝置中，前述元 件驅動用薄膜電晶體之通道長度方向係與前述開關用薄膜 電晶體之通道長度方向不一致。 開關用薄膜電晶體係配置在用以選擇該電晶體之選擇 線和用以供應資料訊號之資料線交叉的附近，且大部分的 情形係配置成使選擇線之延伸方向和開關用薄膜電晶體之 通道長度方向大致平行。這種情況下，將元件驅動用薄臈 電晶體之通道長度方向配置成與開關用薄膜電晶體相異的 方向，元件驅動用薄膜電晶體即可輕易延長其通道長度。

與本發明另一種樣態之相關半導體裝置中，按照供應 電力而動作的被驅動元件和用以將電力供應到前述被驅動 元件之電源線之間，具備η個（11為2以上之整數）用以控制 對前述被驅動元件供應電力之薄膜電晶體，1 I 八τ，孩η個 之夕數個薄膜電晶體與對應之前述被驅動元件係以η 1、 下數量的接觸元件電性連接。 從對被驅動元件供應電力之確實性、或防止不均等觀 點來看’設置多數個用以將電力供應到被驅動元件之元件 驅動用薄膜電晶體的效果很好。另一方面，例如被驅:: 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Qx 297公餐） — _____ _ 313029 --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 526676 A7 ---------- - 五、發明說明（8 ) ' 一 -- 件係發光元件等時，接觸部大多變成非發光區域。因此， 把用以將電力供應到被驅動元件的η個薄膜電晶體和被驅 動π件之接觸數設定為η」以下，可持續謀求提高裝置的 可靠度並使被驅動元件之真正動作區域（若為發光元件則 為發光區域）確保最大範圍。 本發月另一種樣態相關之半導體裝置係在按照對應供 應電力而動作之被動元件和用以將電力供應到前述被驅動 兀件之電源線之間，具備用以控制對前述被驅動元件之電 力供應之薄膜電晶體，該薄膜電晶體與對應的前述被驅動 兀件係藉由配線層互相電性連接，該配線層與該薄膜電晶 體之接觸位置及該配線層與前述被驅動元件之接觸位置係 隔開配置。 如此藉由使配線層與該薄膜電晶體之接觸位置及該配 線層與前述被驅動元件之接觸位置隔開配置，即可輕易使 通常形成於比配線層還上層的多數被動元件在更平坦的面 上开> 成。薄膜電晶體和配線層係藉由絕緣層隔開，這些接 觸係在形成於絕緣層之接觸孔進行。配線層和被驅動元件 之連接透過在使兩者絕緣的絕緣層形成之接觸孔進行。因 此，連接薄膜電晶體和配線層的接觸孔，與連接配線層和 被驅動元件的接觸孔在重疊的位置形成時，在最上層形成 的被驅動元件係在藉由2個（2段）接觸孔構成的巨大的凹 凸面上形成。作為被驅動元件之發光元件，例如，採用發 光層使用有機化合物的有機電激發光元件時，含有有機化 合物之層在該形成面之平坦性不良時，會發生電場集中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 313029 fc - --------^---------^ — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526676 A7 B7 五、發明說明（9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 等，從該處容易產生不能發光之黑點等。因此，將配線層 和被驅動元件之接觸從薄膜電晶體和配線層的接觸部隔 開，可提高被驅動元件形成區域之平坦性。 與本發明另一種樣態相關之半導體裝置中，上述被驅 動元件係第1及第2電極之間具備發光元件之發光元件， 在前述配線層之上層形成的絕緣層上形成有接觸孔，在該 接觸孔，前述配線層係與在前述絕緣層之上覆蓋前述接觸 孔而形成的前述發光元件之第1電極相連接，前述第1電 極之至少接觸孔區域係藉由平坦化層覆蓋，且在前述第i 電極及前述平坦化層之上形成有前述發光元件層。 第1電極之接觸孔區域藉由平坦化層覆蓋，即，因為 接觸孔之存在而凹陷的部分藉由平坦化層掩埋，可在第1 電極和平坦化層構成非常高平坦性之面。因此，藉由在該 兩平坦性之面上形成發光元件層的方式可提高元件之可靠 與本發明另一種樣態相關之半導體裝置係在按照電力 供應而動作’在第1和第2電極之間具備發光元件層之被 驅動元件’和用以將電力供應到前述被驅動元件之電源線 門具備用以控制對前述被驅動元件之電力供應之薄膜 電曰曰體’其中，該薄膜電晶體與對應之前述被驅動元件， 糸在使形成於下層的前述薄膜電晶體和前述被驅動元件之 層開隔開之絕緣層上形成的接觸孔，直接或間接地互相電 性連接， 前述第1電極之至少接觸孔區域係藉由平坦化層 一__^^述第1電極及前述平坦化層之上層形成有前述 祕⑵G x 297 公 M)----- 9 313029 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526676 10 B7 五、發明說明（K)) 發光元件層。 雖然在第1電極之上方形成發光元件層，但由於在該 二電極藉由平坦化層將因為接觸孔之存在而發生的凹陷 覆盍’故例如即使該凹陷很深，亦可以用第丨電極和平坦 化層構成非常高平坦性的面’藉由在該高平坦性的面上形 成發光元件層的方式可提高元件之可靠度。 本發明另一種樣態係，上述被驅動元件係在發光層採 用有機化^物之有機電數發光元件。在這種有機電激發光 70件中，雨亮度且發光色、材料的選擇範圍很廣，但由於 係以電流驅動故電流供應量之不均等會影響到發光亮度之 不句故採用如上述之像素電路構成或配置，容易維持均 等的電流供應量。X，採用如上述之接觸的配置、構造， 1率#乂大，更可使發光層等元件層在平坦的面上形成， 而獲得一種可靠度高的元件。 [發明之實施形態] 以下，用圖式說明有關本發明之較佳實施形態（以下稱 實施形態）。 [實施形態1] 第2圖係本發明實施形態1之m列n行之主動矩陣型 電激發光顯示裝置中i像素之電路構成。如圖所示，各像 素係具備：有機電激發光元件5〇、開關用薄膜電晶體（第 1TFT)10、το件驅動用薄膜電晶體（第2tft)2〇及補助電容

Cs，在此處’係在以朝向列方向延伸的閉極線gl，和朝 _向行方向延㈣資料線DL包圍之區域構成。本實施形態

本纸張尺度適財闕家鮮ICNS)A4規格⑵G X 29??iT 313029 --------^------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線-

526676 五、發明說明（U 中’更將導電特性與該第2TFT 20相反的補償用TFT 30 插入電源線VL和第2TFT 20之間。該補償用TFT 30係連 接閑極與源極或汲極之一方而作二極體形態連接，該二極 體係在電源線VL和該第2TFT 20之間以順方向連接。因 此’可不必供應特別的控制訊號而使之動作。 第1 TFT 1 〇係在其閘極接受閘極訊號時導通，因此， 供應到貢料線DL的資料訊號由連接在第1TFT 10和第 2TFT 20之間的補助電容Cs保持，補助電容Cs之一方的 電極電位將與於該資料訊號相等。第2TFT 20係設在電源 線VL和有機電激發光元件（元件之陽極）50之間，並以使 對應施加在該閘極資料訊號的電壓值從電源線VL供應到 有機電激發光元件50並動作。第2圖所示之例中，第1 TFT ίο使用可高速回應之11通道薄膜電晶體（nch TFT)，第2TFT 20使用p通道薄膜電晶體（peh TFT)。 補償用TFT 30採用與該第2TFT 20逆極性之nch-TFT，第2TFT 20之1(電流）_v(電壓）特性變動時，補償用 TFT30之I-V在正好逆方向變動，補足第2TFT 2〇之變動 特性。 第3圖係表示在有源層採用多晶矽之nch_TFT及 pch-TFT的I-V特性。nch_TFT係對閘極之施加電壓到達預 定的正電壓（+Vth)以上時電流值急遽上升，另一方之 pch-TFT係對閘極之施加電壓到達所定之負電屢（_糟）以 下時電流值急遽上升。例如形成於同一基板上之nd_TFT 和pch-TFT，nch-TFT之^值+ vth朝向變大的方向，即， I紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗〇 313029 --------^---------線. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 11 526676 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12 A7 ------SL______ 五、發明說明（π ) - 第3圖中向右移動變動時，peh_TFT之閾值_ν^則向第3 圖的右侧移動相同程度。相反地，nth-TFT之閾值+ v让 向左移動時，Pth-TFT之閾值一 vth亦向左側移動。例如， 因製造條件之不均等，第2圖之第2TFT2〇採用的peh_TFT 的-Vth向右偏移時，如在以往則在同一條件化之下，供應 到有機電激發光元件50之電流量立即減少。但，本實施形 悲中，由設在該第2TFT 20和電源線VL之間的nchTFT 構成的補償用TFT 30之流動電流量變多。 本實施形態中，如第2圖所示，由於相互逆極性的第 2TFT20和補償用TFT3〇設在電源線¥乙和有機電激發光 疋件50之間，故兩個TFT經常以互相補償的流動電流量 的方式平衡。當然，本實施形態之電路構成，相較於如第 1圖之補償用TFT 30不存在的習知之電路構成，可供應到 有機電激發光元件50之最大電流值會減少補償用TFT 30 存在的份。但，人的眼睛對高亮度側之辨識靈敏度，比對 中間亮度之靈敏度低很多，故即使最大電流供應量略為減 少，對顯示品質幾乎不造成影響。另一方面，在各像素， 第2TFT 20和補償用TFT 30會互相調整流出之電流，故 可減少對像素間之有機電激發光元件5〇之電流供應量的 不均。 以下參照第4圖說明依據本實施形態之電路構成可產 生的效果。第4圖上段係依據第2圖所示本實施形態之像 素電路構成使有機電激發光元件發光時，第4圖下段係依 I$ 1圖所示習知之像素電路構成使有機電激發光元件發 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵0 X 297公t ) ----- 313029 --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 13 526676 五、發明說明（13 ) 光時之施加電壓（資料訊號）和發光亮度的關係之一例。第4 圖的設定係舉施加電壓（資料訊號）8V時使有機電激發光 元件有要求的最大亮度，而在8V至10V之間顯示明暗度 為例。第4圖之上段、下段之各3例，係在相異之製造條 件下分別形成第2圖及第1圖之電路構成的有機電激發光 元面板時，即故意使像素部之TFT特性不均時之發光亮度 特性。 從第4圖可知，在習知之電路構成中，像素部tft的 特性相異的3例中，在設定之資料訊號電壓範圍8V至ι〇ν 中之亮度特性會大幅變化，本實施形態之電路構成中，則 只有目視不易察覺的高亮度區域之特性相異，3例之中間 區域的亮度特性差非常小。因此，使各像素具有如本實施 形態之電路構成，則即使TFT，尤其是影響相當大之電激 發光元件驅動用TFT 20之特性不均等，亦可藉由與其逆 極性之補償用TFT 30之存在，補償該不均等，可抑制有 機電激發光元件之發光亮度不均。 第5圖係本實施形態之電路構成之另一例。與上述第 2圖之相異點在於，使用nch_TFT構成第2TFT 22，且在 補償用TFT 32，使用作二極體形態連接之peh_TFT。藉由 這種構成亦可用補償用TFT 32補償第2TFT 22之特性上 的不均。 第6圖係本實施形態之電路構成之再另一例。與第2 圖電路構成之相異點在於，第2TFT係多數並列設在補償 用TFT 30和有機電激發光元件50之間。TFT之極性與第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵〇x 297公爱） 313029 --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ------------B7____ 五、發明說明（14 ) 2圖相同，第2TFT 24係Dch，、土與 于、Peh，補償用TFT 30係nch。兩 個第2TFT 24的閘極# 一扣、备私丄 ^ $係起連接在第1TFT 10及補助電容 第電極側，各源極係連接於補償用TFT 30，汲極 係連接於有機電激發光元件5G。藉由如此使第2tft24並 列設置，即可減低第2TFT之特性上的不均等所造成之對 有機電激發光元件之電流供應不均。 此處將2個第2TFT 24各自的流動電流值目標當作 1時’虽然’ 2個第2TFT 24之合計目標電流值變成2i。即 使由於不均等，例如一方之第2TFT 24之電流供應能力變 成1/2，只要另一方之第2TFT 24流過電流i，則相對於目 祆2ι ’亦可將（3/2)i供應到有機電激發光元件。又，即使 在最壞的情況下一方TFT之電流供應能力變成如為第 6圖之例，亦可藉由另一方TFT將電流i供應到有機電激 發光元件。與由單一的TFT構成第2TFT 24的情形，當其 電流供應能力變為0時該像素即成為缺陷相比，第6圖之 實施开> 態具有相當大的功效。 本實施形態之各TFT雖以雷射退火處理將a-Si多結晶 化’但並列設置多數個第2TFT 24時，可輕易處理雷射掃 描方向使該形成位置錯開等，以使各第2TFT 24之有源區 域不會同時受到雷射照射。以這種配設方式，可使所有第 2TFT 24發生缺陷之可能性降低，將雷射退火造成的特性 上的不均等抑制在最小程度。而且，如上述，由於在第2TFT 24和電源線VL之間設置補償用TFT 30，故即使因為該退 火條件等之不均等使第2TFT 24之閾值發生偏移，亦可藉 本紙張尺度適用中國國家標規格⑵◦ χ撕公— ------------SW------- —訂------- !線· -1: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 14 313029 五、發明說明（I5 ) 由補償用TFT 30使其緩和。 第7圖係本實施形態再另—像素電路構成。與上述第 6圖構成之相異點在於’不僅第2TFT 24，亦裝設多數補 償用TFT，各補制TFT34係、分別設在電源線礼和第 2TFT 24之間。如第7圖關於補償用tft 34若也為多數， 則可將在各補償用TFT 34發生的電流供應能力的不均等 當作-個整體使之緩和，可更確實減低對有機電激發光元 件50之電流供應能力之不均。 第8圖係形成為如上述第7圖之電路構成之有機電激 發光顯示裝置的平面構成之—例。第9圖⑷係沿第8圖 A-A線之概略剖面，第9圖（b)係沿第8圖bb線之概略剖 面，第9圖（c)係沿第8圖c_c線之概略剖面。第9圖中， 同時形成的層（膜）除了功能相異者之外，基本上附加相同 符號。 如第8圖所示，各像素係具備··第1τρτ 1〇、補助電 容Cs、兩個pch之第2TFT 24、在電源線vl和該第2TFT 24之間作二極體形態的連接而設置的nch之2個補償用 TFT 34、以及與第2TFT 24之汲極相連接之有機電激發光 元件50。第8圖之例中（但不受限於此），在朝向列方向延 伸的閘極線GL、朝向行方向延伸的電源線VL和資料線 DL包圍的區域配設i像素。又，第8圖之例中，為了實 現更高精密之彩色顯示裝置，R、G、B像素係在各行偏移 其配故位置，即採用三角形配列，故資料線DL及電源衾 VL並非一直線狀’而是以穿過每列位置偏移的像素間β 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 >c 297公釐） 15 313029 526676 五、發明說明（l6 ) 的方式在行方向延伸。 在各像素區域中，在閘極線GL和資料線DL之交又 部附近，形成第1TFT 10。在有源層6,使用藉由雷射退 火處理使心Sl多結晶化而獲得之心si，該有源層6係形成 2次跨過從閘極線GL突出的閘極電極2之圖案，第7圖 中:雖然以單閘構造表示，但電路上係雙閘構造。有源層 6係在覆蓋閘極電極2而形成的閘極絕緣膜4上形成，閘 極電極2之正上方區域為通道，在通道兩侧，形成推雜雜 質之源極區域6S、汲極區域6£)。由於希望第1〇可 對輸出到閘極線GL之選擇訊號做高速回應，故此處係在 源極、汲極區域6s、6D摻雜磷（p)等雜質，使第itft⑺ 構成為nch-TFT。 第1TFT 10之汲極區域6D和在覆蓋第ιτρτ ι〇全體 而形成的層間絕緣膜14之上形成的資料線DL，以在該層 間絕緣膜1 4開口的接觸孔相連接。 在該第1TFT 10之源極區域6S連接補助電容Cs。該 補助電容Cs係形成於第i電極7和第2電極8在層間夾 著閘極絕緣膜4而重疊的區域。第丨電極7係與第8圖之 閘極線GL朝向相同行方向延伸，且與和閘極用同一材料 形成的電容線SL —體形成。第2電極8係與第1TFT 1〇 之有源層6 —體，該有源層6為延伸到第丨電極7之形成 位置而構成。第2電極8係藉由連接件（c〇nnect〇r)42而連 接於第2TFT 24之閘極電極25。 2個pch之第2TFT 24，和2個nch之補償用TFT 34 本紙張尺度義巾關家鮮（CNS)A4雜⑵公 16 t請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 313029 526676 A7 ----------B7_ 五、發明說明（17 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之剖面構成係如第9圖（b)。這些第2TFT及補償用TFT 24、34係在沿著資料線dl(電源線VL)的方向，利用在每 各TFT形成的島狀圖案的半導體層16當作各有源層。因 此’本例中，這些第2TFT 24及補償用TFt 34之通道係 以其通道的長度方向沿著資料線DL，此處為沿著細長形 的1像素之長度方向的方式配置。又，該半導體層16係與 第1 TFT 10之有源層6同時形成，其係使用藉由雷射退火 處理使a-Si多結晶化而形成的多晶矽。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 位於第9圖（b)之兩端的補償用TFT 34，其汲極區域 係透過在層間絕緣臈丨4開口的接觸孔，分別連接在相同的 電源線VL。又，在補償用TFT 34之通道區域正下方夾著 閑極絕緣膜4配設有閘極電極3 5。該閘極電極3 $雖為用 與間極線GL相同材料而同時形成之層，但如第8圖所示 在接觸孔與電源線VL相連接。因此，該補償用TFT 34係 如第7圖之電路圖所示，構成為閘極和汲極一起連接於電 源線VL之二極體。該補償用TFT 34之源極區域係與由 pchTFT構成的第2TFT 24之源極區域隔開配設，並透過接 觸配線4 3而互相連接。 第2TFT 24之各閘極電極25，與補償用TFT 34之閘 極電極35 —樣，為用與閘極線相同的材料同時形成之 導電層，其係透過連接件42而連接於補助電容Cs的第2 電極8,並從該補助電容以之形成區域沿著電源線 伸，更延伸到有源層16之下方而構成2個第2tft 24之 各閘極電極2 5。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x ---- 17 313029 526676 A7 B7 五、發明說明（I8 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有機電激發光元件50係具備例如第9圖（c)之剖面構 造，其係在形成如上述之各TFT後，形成於為了上面平坦 化而在基板全面上形成的平坦化絕緣層18之上。該有機電 激發光元件50係在陽極（透明電極）52和在最上層以各像 素共同的方式形成的陰極（金屬電極）57之間層疊有機層而 構成。該陽極52並不與第2 TFT 24之源極區域直接連接， 而是透過構成配線層的連接件40而與第2TFT 24之源極 區域連接。 本實施形態中’如第8圖，2個第2TFT 24係以1個 連接件40共同連接，該連接件4〇係與有機電激發光元件 50之第1電極52在1處接觸。即，有機電激發光元件5〇 係與η個第2TFT 24以n_l個以下之接觸元件（c〇ntaet)連 接。接觸區域也可以非發光區域構成，如此使有機電激發 光元件50和連接件40(第2TFT 24)之接觸數儘量減少，可 使發光區域儘量變大。有關該接觸數之另一例，將當作實 施形態3於後述。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施形態中，如第8圖及第9圖（c)所示連接件4〇 和1%極52之連接位置偏離連接件4〇和第2TFT 24之連接 位置而配置。含有後述有機化合物之發光元件層51，係有 局部較薄的地方即容易發生電場集中，而可能從發生電場 集中的地方開始惡化。因此希望採用有機材料的發光元件 層51之形成面須儘量平坦。在接觸孔的上層產生因該接觸 孔而造成的凹陷，接觸孔愈深該凹陷愈大。因此，藉由在 %極52的形成區域外配置使連接件4〇與第2TFT 24之源 ‘紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 18 313029 526676 A7 B7 五、發明說明（19 ) 極區域連接之接觸孔，可使在上方形成有機層的陽極52 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之上面盡量平坦。有關使陽極5 2之上面平坦之例，當作實 施形態4於後述。 發光元件層（有機層）5 1，係從陽極側順序層疊例如第1 孔輸送層53、第2孔輸送層54、有機發光層55、電子輸 送層56。 例如，第1孔輸送層53為 MTDATA:4,4，，4，，-tris(3-methylphenylphenylainino)triphexiylamine ? 第2孔輸送層54為 TPD:N，N -diphenyl-N，N’- di(3-methylphenyl)-1,1 biphenyl-4,4’-diamine， 有機發光層55雖依據以r、g、B為目的之發光色而異， 但例如包含有嗤卩丫酮（Quinaeridone)衍生物之

BeBq2:bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電子輸送層56則由BeBq所構成。第9圖（c)所示的例 中’有機電激發光元件50中，由ITO(Indium Tim Oxide) 等構成的陽極52和由有機發光層55以外之各有機層（53、 54、56)及A1等構成的陰極57，係以各像素共同的方式形 成。

上述電激發光元件之另一構成例係使用右列材料之左 邊的層順序層疊而形成的元件。 a·透明電極（陽極） b·孔輸送層：NBP 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 19 313029 526676 A7 B7 五、發明說明（2G ) c. 發光層：紅（R)...在主材料（Alq3)摻雜紅色摻雜劑（DCJTB) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 綠（G)..·在主材料（Alq3)摻雜綠色摻雜劑（Coiimarin 6) 藍（B)...在主材料（Alq3)摻雜藍色摻雜劑（Perylene) d. 電子輸送層：Alq3 e·電子注入層：氟化鋰（LiF) f ·電極（陰極）·銘（A1) 此處，上述簡稱之材料正式名稱如下述。 • [NBP]...N9N5-Di((naphthalene-l-yl)-N?N5- diphenyl- benzidine) • [Alq3]...Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum • [DCJTB]...(2-(l，l-Dimethylethyl)-6-(2-(2,3,6,7-tetrahydro-l，l，7,7-tetramethyl-lH，5H-benzo[ij]quinolizin-9 - yl)ethenyl)_4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile • [Coumarin 6]...3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin • [BAlq]...(l，l’ - Bisphenyl-4-01ato)bis(2-methyl-8-quinolinplate-Nl508)Aluminum 但，當然不受限於這種構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如以上構造之像素中，在閘極線GL施加選擇訊號 時，第1TFT 10導通，資料線DL的電位和連接於補助電 容Cs的第2電極8之第1 TFT 10之源極區域的電位相等。 在第2TFT 24之閘極電極25，供應對應於資料訊號之電 壓，第2TFT 24將對應於該電壓而從電源線VL透過補償 用TFT 34而供應的電流供應到有機電激發光元件50之陽 極52。藉由這種動作，可在各像素將對應於資料訊號之電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 20 313029 526676 A7 五、發明說明（21 ) 流正確地供應到有機電激發光元件5 0，而獲得沒有不均等 之顯示。 如第8圖所示’在電源線VL和有機電激發光元件5〇 之間補償用TFT 34和第2TFT 24係依順序裝設多數列（此 處為2列）’故即使一方列發生因不均而造成的特性偏移或 缺陷，由於有正常特性的另一方之列存在，可緩和多數列 合計結果之電流供應量的不均等。 第8圖所示的平面配置中，有源層雖同時採用藉雷射 退火處理而多結晶化之多晶矽層，但該退火處理係例如在 圖中之列方向使長的雷射光束朝向行方向掃描。此狀況 下’第1TFT 10之通道方向’和第2及補償用TFT 24、34 之各有源層長度通道方向不一致，且形成位置與第丨和第 2TFT 10、24分開。因此，可防止第j和第2Tft 1〇、24， 以及第2及補償用TFT 24、34因雷射退火而同時發生不 良的情形。 第1TFT 10、第2TFT 24及補償用TFT 34之任一個， 皆以底閘極(bottom gate)構造說明，但亦可為閘極電極比 有源層在更上層形成的頂閘極（t〇p 構造。 [實施形態2] 以下，說明本發明另一種實施形態2。實施形態丨中， 為了防止因電晶體之特性上的不均等而造成像素間發光亮 度之不均，故設置元件驅動用薄膜電晶體和逆導電性之補 償用薄膜電晶體。相對於此，本實施形態2中，著重於元 置’以抑制像素間之發 本紙張尺度· r關冢鮮（CNS)A4•雜⑵G x 297公复）. 313029 --------------------訂---------線一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 21 526676

光亮度不均。第Π)圖係與實施形態2 例，第10圖（a)係概略平面圖，Μ 1Λ _之1像素的構成 丁两圃弟10圖（b)係烀笙 (a)B-B線之剖面圖。該構成係與 ° 〇圖 圖中，與已說明之圖對應的部分附加相同符冑構成。 本實施形態2中，！像素係具備：有機: 5〇、第而(開關用薄膜電晶體)1〇、補助電容C先 咖（元件驅動用薄膜電晶體♦與實施形態！不同4 源線VL和有機電激發光元件5〇之間形成單一 電 2〇,但該第2TFT2G與上述第8圖-樣，其通道長度方向 係配置成沿著以細長方式形成的像素之長度方向。本實施 形態2中，以這種通道長度方向朝向像素區域之長度方向 之方式配置第2TFT20,則即使配置如第1〇圖⑷之通 度方向非常長的第2TFT2()Bf，或如上㈣8圖所示㈣ 在電源線VL和有機電瀲|| CA 、 々另燜电戲發先兀件5〇之間配置第2tft 或補償用TFT 30時，亦可—面使有機電激發光元件心 發光區域確保最大範圍，—JEL - 犯囷 面在面積受限制的1像素區域 内有效率地配置必要的TFT。 本實施形態2中，在像素長度方向配置第2tft 2〇， 如第10圖（a)及第10圖（b)所示，可使第2TFT 2〇之通道長 度充分延長。藉由使第2TFT 20之通道長度充分延長，可 提同TFT耐壓而提高可靠度。又，可使第2TFT 2〇之電晶 體特性平均化，減低每像素第2TFT2〇之供應電流能力之 不均等，可使因為該能力不均等而發生的有機電激發光元 丨件50之發光亮度不均變得非常小。 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)“（21Qx 297 )_ 313029

--------1—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -線i 消 22

--------^------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 23 526676

本實施形癌、2中’與實施形態1同樣地，第2TFT 20 係將藉由雷射退火使非晶⑨層多結晶化而獲得之多晶碎層 當作半導體層（有源層）16使用。在這種情況，將雷射退火 之掃描方向設定為與f 2TfT2q^通道長度方向—致之方 向，換言之配置成使脈衝雷射照射區域之長度方向邊緣橫 向穿過通道16c之寬度方向，且如上述使第2tft 2〇之通 道長度延長，可減低第2TFT 20之特性上的不均等。如此 可輕易調整成單一之雷射光照射不會使第2TFT 2〇之通道 全部區域退火，可防止其特性與其他像素之第2tft2〇發 生大的差異，因此關於第2TFT 20之特性可獲得更高平均 化效果 第2TFT 20係需求驅動電源（電源線VL)對有機電激發 光元件50供應比較大的電流，但使用有源層16採用多晶 石夕之p_Si_TFT作為第2TFT 20時，與要求能力比較，p_Si 之遷移率（mobility)係充分值，即使將第2TFT 20該通道長 度設計成很長亦可發揮充分的電流供應能力。又，第 20因為直接連接於電源線VL故要求耐壓高，通道路長产 CL大多要求比通道寬度大。因此，從此觀點來看，第2TFT 20係以具有充分長度的通道長度為適當，因此，使第 20之該通道長度方向沿著像素區域之長度方向形成，可在 1像素内有效率地配置具備長的通道之第2 TFT 20。 在顯示面上以矩陣形配置多數個像素而構成的顯示裝 置中，大多因為要求水平方向（列方向）比垂直方向（行方向） 有更高的解析度，故各像素，如上述第8圖或第1〇圖（a) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313029 526676 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 24 五、發明說明（24 ) 所不在行方向設計成長形之傾向很強。這種情況下，如果 將第2TFT 20配置成通道長度方向朝向行方向，則變成通 道長度方向沿著像素區域之長度方向，容易確保如上述要 求之通道長度。 如本實施形態2所示，各像素設有用以驅動顯示元件 之開關70件的主動矩陣型顯示裝置中，在行方向配置資料 線DL，將資料訊號供應到第1TFT 10，在列方向配置選擇 線（閘極線）GL。以使通道長度方向沿著資料線DL之延伸 方向（行方向）的方式配置第2TFT 20，持續確保長的通道 長度’容易有效率地在像素區域内配置第2 TFT 20。又， 第1 〇圖的例中，採用藉由電源線VL將來自驅動電源Pvdd 的電力供應到各像素之佈局，由於該電源線VL亦與資料 線DL同樣地朝向行方向延伸，故第2TFT 2〇之通道長度 方向與該電源線VL之延伸方向一致。 本實施形態2中，如上述第2TFT 2〇之通道長度方向 係设疋為與雷射退火之掃描方向一致，或與行方向（資料線 DL之延伸方向）平行，而第1TFT 1〇則配置成其通道長度 方向與閘極線GL之延伸行方向一致。因此，本實施形態2 中，第1TFT 10和第2TFT 20係配置成其通道長度方向互 不相同。 接著參照第10圖（b)說明與本實施形態2相關之顯示 裝置剖面構造。第10圖⑻係第2TFT 20及與該2TFT 20 連接之有機電激發光元件50之剖面構造。關於未圖示之第 1 TFT 10,除了通道之長度為雙閘極，及有源層6之導電 本紙張尺度綱+酬家辟(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313029 --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526676 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 25 A7 B7 五、發明說明（25 ) 型相異等之外，基本構造與第10圖（b)之第2TFT 20大致 相同。 實施形態1中例示之第1及第2TFT都是底閘極構造， 本實施形態2之第1及第2TFT 10、20則採用閘極電極比 有源層在更上層形成之頂閘極構造。當然，不限於頂閘極 構造，亦可為底閘極構造。 第2TFT 20之有源層16及第1TFT 10之有源層6，如 上述，係同時由使在基板1上形成的非晶矽層雷射退火而 多結晶化所獲得的多晶矽構成。在多晶矽構成的有源層6 及有源層16上形成閘極絕緣膜4。第1 TFT 10及第2TFT 20 之各閘極電極2及25係在該閘極絕緣膜4上形成，第2TFT 20之閘極電極25係連接於與第1TFT 1〇之有源層6 —體 的補助電谷Cs之第2電極8’並如第10圖（a)所示從與補 助電容Cs的連接部分朝向行方向延伸以在閘極絕緣膜4 上形成大幅覆蓋有源層16上方的圖案。 第2TFT 20之有源層16形成有位在藉由閘極電極25 覆蓋上方之區域之通道區域16c，在該通道區域16c之兩 側分別形成之源極區域1 6 s和沒極區域16 d。本實施形態2 中，該有源層16之源極區域16s係在補助電容Cs附近， 透過穿通閘極絕緣膜4及層間絕緣膜14而形成的接觸孔與 電源線VL電性連接。汲極區域1 6d係在相當於矩陣次列 的閘極線GL附近，透過穿通閘極絕緣膜4及層間絕緣膜 14而形成的接觸孔與連接件（配線層）4〇連接。連接件4〇 係從與汲極區域16d連接之區域延伸到有機電激發光元件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公f ) 313029 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線j 526676

經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 Γ及开 =’並透過在覆蓋上述層間絕緣膜"、電源綠 而开> 成的第1平坦化絕緣層18上形成之 =孔與有機電激發光元件5G之IT0電極（陽極）52電性連 第10圖（b)中，上述第i平坦化層18之上， 光元件50的陽極52之形成中央區域有開口，並: 蓋陽極52之邊緣、配線區域、第1及第之形成區 域的方式形成第2平坦化絕緣層61。有機電激發光元件5〇 之發光元件層51係在陽極52和第2平坦化絕緣層Η上形 成在發光70件層51之上形成全像素共同之金屬電極57。 接著，說明第2TFT 20之通道長度CL，和雷射移動步 距（pitch)p之關係。如上述，第2TFT 2〇之通道長度cL， 以充分延長為適當，但為了不因一次脈衝雷射使通又路全部 區域退火，雷射之移動步距P對通道長度CL，以p<CL 為佳。移動步€ P，彳時可藉由雷射退火裝置之光學系統 等的設定做調整，此狀況下’將裝置調整為CL>P為適 當。例如顯示裝置之解析度大約200dpi時，即使像素列= 向之長度為大約30"m’亦可確保行方向為大約8〇"瓜。 當雷射移動步距P為川以爪至35以111時，將第2tft 之通道長度方向配置成朝向像素長度方向可確保通道長度 CL為大約50"m至8〇"m，並可滿足上述關係。如為= 種關係，第2TFT2G之通道區域16e必定會照射多次脈衝 雷射而多結晶化，在與同樣因為多次脈衝雷射照射而多結 晶化的其他像素之第2TFT 20之間，可減低其特性之: 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs)A4規格（2〗0 X 297公釐） 313029 --------^------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 26 526676 A7 五、發明說明（27 ) 異。 以上說明中’|1像素内形成有在有機電激發光元件 50和電源線VL之間之單一第2TFT 2〇。但，第打打 亦可在1像素内設置多數個。第U圖係顯示在i像素^ = 多數個第2TFT 20並列連接於電源線VL*有機電激發光 元件50之間的佈局之一例。第u圖所示像素構成之等效 電路與上述第6圖電路中除去補償用TFT 3〇的情形相同， 2個第2TFT20之源極區域i6sa、16讣一起連接於電源線 VL，汲極區域16da、16db —起分別透過接觸孔4〇而連接 於有機電激發光元件50之陽極52。如此在J像素内設置 夕數第2TFT 20，可將1像素之多數個第2TFT 2〇之兩方 同時變差而不能將電流供應到有機電激發光元件之 少減低到一半以下。 有關2個第2TFT 20a'20b之配置，與第1〇圖同樣地， 其通道長度方向係配置成大約與像素區域之長度方向（此 處亦與資料線DL之延伸方向一致）平行。藉由這種配置， 可持續確保發光區域之最大範圍且確保各通道長度cl儘 ϊ延長。有關雷射退火之掃描方向，第n圖中，亦設定為 與2個第2TFT 20a、20b之任一個之通道長度方向;行: 又，兩有源層16a、16b係排列在一直線上。多數個第2tft 20a、20b之各有源層並非必須互相排列在一直線上，但使 第2TFT20a、20b之各通道區域16ea、16eb；fe對於雷射的 掃描方向，不互相完全一致，而有若干偏離，更可確實防 止第2TFT 20a、20b之特性發生同樣的偏差。即，以通道 Μ氏張尺度適財關家鮮（cns)A4規格⑵Qx?97 313029 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 27 526676 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（28 ) 長度方向係互相偏離Φ 田射知插方向的方式，減少因同一脈 衝使2個TFT之通道n成 ^问時退火的可能性，使第2TFT 20a、 特！·生以心王相同的方式偏離設定值，可大幅減低發 生，方之電曰曰體同時不動作之問題的可能性，可減低供應 到每像素之有機電激發光元件5q之總電流量的不均。 2個第2TFT2〇a、2〇b之通道長度，係希望 '中任冑均如上述比雷射移動步距p大。關於多數個第 TFT 20a 20b之通道16ca、和16讣之間隔距離l，也是 比雷射移動步距P大為更佳。但。如第u圖之多數個第 FT 20配置在1像素内時，如果至少2個第2如、 2〇b之合計通道長度和上述間隔距離l之合計比移動步距 ?大，則藉由雷射退火，可防止在】伤各如认 々止在1像素内的多數個電晶 體TFT 20a、TFT 20b同時發生不_十门圾# 町W玍不良或同樣地特性偏離，而 獲得每像素之特性上的不均等降低的效果。 [實施形態3] 接著’以實施形態3說明在i像素内，和對應於多數 個第2TFT 20之有機電激發光元件5〇更有效率的連接方 法。如上述實施形態1及實施形態2之第U圖所示，i像 素内’在有機電激發光元件50和電源線儿之間設置多數 ㈣而20’從提高可靠度、提高特性等觀點來看為較 佳。如第11圖所示，如此將多數個第2TFT 2〇設在i像素 内時，將冑2慣212〇1>和有機電激發光元件^〇分別連 接，將更確實使電流通過第2TFT 20而從雷、 叩從電源線VL供應 到有機電激發光元件5^^^如第10圖（1))所示，有機_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 29/公釐 313029 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明說明（29 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 激發光7〇件為從透明的陽極52經由下方的基板丨使發光層 55發出的光射出到外部之類型時，接觸部大多被遮光。例 如，第9圖（C)或第10圖②）中，與有機電激發光元件 的第2TFT 20之連接係藉由本身為金屬配線之配線層仙 進行，該配線層40和陽極52之接觸部，在陽極52之下方 存在有遮光性之配線層40,該區域中從發光層55傳出的 光無法穿透基板1側。因此，將第2TFT 20和有機電激發 光元件50之接觸部設成與第2TFT 2〇之個數n相同的數 量時’發光面積會與接觸數成比例而減少。 為了使發光面積之減少為最小程度，相對於1像素的 第2TFT 20之數量n(n- 2)，使該第2TFT 20和有機電數 發光元件50之接觸數在nj以下較佳。上述第8圖或以/ 說明的第12圖、第13圖及第14圖中，使n個第2Tft = 和有機電激發光元件50以n-1以下的接觸數連接。又， 以下說明之各圖中，與已說明的圖式共通的部分附加相s 符號，省略說明。 同 第12圖表示在電源線VL和有機電激發光元件 間並列連接2個第2TFT 20a、20b時，與有機電激發先之 件50之接觸方法。2個第2TFT 2〇a、2〇b係與上^第= 圖一樣，其通路長度方向係配置成與像素之長辩 ^ 万向（資料

線DL·之延伸方向），或雷射退火之掃描方向 T τ订，更配署 成互相偏離，以謀求減低像素間的亮度不约，姐& J 焚向可靠声 第12圖的例中，由形成單一島狀圖案的又。 之半導體層係當作2個第2TFT 20a ' 20b之古、、κ /斤構成 ___________________________________ 有源層 16 a 本紙張尺度剌帽財群（CNS)A4祕⑵0x297公f 了 、 313029 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} ---------------- 29 526676 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 30 A7 B7 五、發明說明（3〇 ) 16b使用。該半導體圖案之其行方向的兩端侧，為各第2TFT 20a、20b之源極區域（p_chTFT時）16sa、16sb，並分別與 電源線VL連接。半導體圖案之中央附近的2個TFT 20a、 20b之沒極區域（p-chTFT時）16da及1 6db則與配設在2個 TFT之間的單一配線層40，在貫穿層間絕緣膜14及閘極 絕緣膜4而形成的共同接觸孔連接（參照第1〇圖（b))。 該配線層40係向有機電激發光元件50的陽極形成區 域延伸，與第10圖（b)之剖面構造同樣地透過在第1平坦 化絕緣層18開口的1處接觸孔而與有機電激發光元件5〇 之陽極52連接。第12圖中，與配線層40和陽極52之連 接位置’係在陽極52之像素長度方向的中央附近。接觸位 置並不受如第12圖之限定，但如第12圖藉由配置在接近 陽極52之比較中央附近的位置，可獲得比金屬電極高阻力 之ITO等所構成的陽極52之形成區域内的電流密度平均 化之效果，可提南各像素的發光面内的發光亮度之均等 性。 第13圖所示的例中，設定第2TFT 2〇之數為3，使該 3個TFT 20-1、20-2、20_3並列連接在電源線VL和有機 電激發光元件50之陽極52之間。3個第2TFT 20之有源 層16係一體，通道長度方向係設定在圖中之列方向。第 2TFT 20-1至3之各通道區域16C1至3係互相在其通道寬 度方向，以使有源層16之圖案開口的方式分離。 該3個第2TFT 20 ’在此處，係與電源線在1處 連接’並藉由單一配線層40，與有機電激發光元件5〇之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公Μ ) 313029 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I ·ϋ ϋ ·1_— ί -ϋ 1.1 一OJβ n n ϋ I n ϋ ϋ I j 526676 五、發明說明（31 ) 陽極52在1處連接，閘極電極以係3個tft共同，並與 補助電容Cs的第2電極8電性連接，且藉由從補助電^ Cs附近朝向行方向延伸的金屬配線而構成。第ΐ3圖之構 成例中，3個第2TFT2(M至3和有機電激發光元件5〇係 藉由1個接觸部連接，可減低接觸部佔據有機電激發光元 件50的形成區域之比例，提高】像素之開口率，亦即發光 面積。 第14圖所示的例中，設定第2TFT20之數為4，該4 個第2TFT 2G_1至4係以電性連接方式並列連接在電源線 VL和有機電激發光元件5〇的陽極52之間。4個第 之有源層16係一體構成，各TFT π]至4之通路長度方 向係與第12圖等一樣，設定為與像素區域之長度方向或資 料線DL之延伸方向平行，且4個排列在大約一直線上。 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G x 297公餐） 4個第2TFT 20-1至4，在此處，係與電源線V]L在3 處連接’並藉由第1、第2配線層40_1及40-2，與有機電 激發光元件50的陽極52在2處連接。第14圖之構成例中， 位於單一之有源層16最外側之TFT 20_i、20-4的各源極 區域16Sl、16S4係分別單獨與電源線VL連接，位於中央 之TFT 20-2、20-3的各源極區域16S2、16s3係共同地連接 於電源線VL。第2TFT 20-1及20_2與有機電激發光元件 50’係在從第2TFT 20-1及20_2之間延伸到元件50的第1 配線層40-1，連接汲極區域16dl及16d2，該第1配線層 40-1係向有機電激發光元件5〇之形成區域延伸，並與元 件之陽極52連接。第2TFT 20-3及20-4與有機電激發光 31 313029 526676

五、發明說明（32 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 32 元件50,係在從第2TFT 2〇_3及2〇_4之間延伸到元件5〇 的第2配線層40_2，連接没極區域16d3及i6d4，該第2 配線層40-2係延伸到有機電激發光元件5〇之形成區域， 並與元件之陽極52連接。如此，4個第2tft 2(m至4和 有機電激發光元件50係僅2處連接，可抑制因為設置4 個第2TFT 20-1至4而造成的發光區域減少。 在第14圖之構成中，由於使4個第2τρτ 20^至4 配置成沿著像素之長度方向在大約一直線上朝向通道長度 方向，故可使第2打了20_1至4有效率地配置在1像素内。 [實施形態4] 接著，參照第15圖至第20圖，說明第2TFT 2〇和有 機電激發光元件50之連接構造。如實施形態3之說明，有 機電激發光元件50和第2TFT 20之接觸區域，在透過透 明陽極52使光從下方的基板i放射到外部之方式（底部放 射）時，大多變成非發光區域。在大多數積體電路等，為了 實現提高集積度，若為顯示裝置則為了提高解析度，都是 希望儘量減少接觸面積。從該觀點來看，不論是直接連接 第2TFT 20之有源層16和有機電激發光元件5〇之陽極 52，或是為了提馬連接特性不直接連接而透過金屬連接層 (A1層或Cr層等）相連接，都如第15圖所示，以使層間絕 緣膜14的第1接觸孔7 0、第1平坦化絕緣層18的第2接 觸孔72重疊形成為佳。 但是，如第15圖（a)所示使多數個接觸孔重疊形成時， 接觸孔合計段差（h70+h72)變大，在接觸孔上形成的層之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱「 313029 --------^---------線· I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 526676 ----------------- …—__ 五、發明說明（33 ) 表面平坦度降低。再者，為了防止陽極邊緣區域之發光元 件層5 1的涵蓋性不良所造成之陽極52和陰極57之短路， 如第15圖（a)所示有時採用覆蓋陽極52之邊緣區域的第2 ; 上 平坦化絕緣層61，但該第2平坦化絕緣層6〗係在陽極52 ί 之中央區域開口。因此，第2平坦化絕緣層6丨之開口部係，t 在上述第1及第2接觸孔70及72的附近形成，發光元件 \ 層5 1之形成面也更會受到該第2平坦化絕緣層6 1之開口 ] 所造成的段差h74之影響。 ΐ 另一方面’有機電激發光元件5 〇係以使電流流到發光 ： 元件層51的方式使包含在發光層55的發光性有機化合物 發光，在發光元件層51之層内，如果其厚薄有很大的差 異’比別處薄的部分容易發生電場集中，已知在該部分上 容易發生黑點。黑點會降低顯示品質，並經常因為元件驅 動而擴大，故也會縮短元件壽命。因此，在接觸區域的上 層形成有機電激發光元件50時，要求儘量提高發光元件層 51的形成面之平坦性，如第15圖之接觸構造，發光元件 層51形成為有非常多凹凸的面，從提高發光元件層51的 可靠度之觀點來看為不佳。 第1 6圖係根據以上，例示提高發光元件層$ i的形成 面之平坦性的連接方法。第16圖（a)係第2TFT 20之有源 層16和有機電激發光元件5〇之陽極52的接觸部分之剖面 構造’第16圖（b)係該接觸部分之概略平面構造。第16圖 所示之連接構造’係除了存在有覆蓋陽極52之邊緣區域的 第2平坦化絕緣層61和第2TFT為頂閘極之點以外，與實 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 33 313029 526676 A7

--------------------訂---------線* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 34 313029 526676 五、發明說明（35 ==配線層40時，配線層4。之形 61即使採用覆蓋t & @ 口々弟2千坦化絕緣層 丨便抹用覆蓋第2接觸孔72之構造亦 的1像素實際發光面積之減少。 _此化成 以第2平坦化絕緣層61覆蓋接觸孔的 述第15圖以採用第1及第2接觸孔7〇、72重叠配= ^亦可發揮發光元件層形成面之平坦性提高的效果^佈 18圖所不之接觸部的剖面構造’第2TFT 20之有、、择 層16和有機電激發光元件5()之陽極52係藉由重疊^ 第1及第2接觸孔7〇、72遠接，鹩 取的 72連接，藉由该2個接觸孔將陽極 52上面深陷的區域以第2平坦化絕緣層 接觸孔…上方之發光元件層形成面可藉由第= 化絕緣層61形成的平坦性良好的面。第18圖中以使^個 接觸孔7G、72在相同位置形成的方式，w素内之元件配 置效率高，且，較容易對提高發光區域有幫助。 第19圖係說明再另一種發光元件層形成面之平坦化 方法。與第17圖之相異點在於，第2接觸孔72之形成區 域中，在陽極52上並非第2平坦化絕緣層61，而是選擇 性地形成埋入層62掩埋接觸孔所造成的凹陷。藉由如此在 覆蓋接觸孔72的陽極52上選擇性地形成埋入層62,即使 未設置第2平坦化絕緣層61等，亦可使接觸孔上的發光元 件層形成面平坦。如第20圖所示，使第1及第2接觸孔 70、72重疊形成時，與第19圖同樣地亦可採用埋入層62。 第20圖中，2個接觸孔重疊形成的區域中，在陽極52上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 313029 頁 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 35 526676

五、發明說明（36 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 36 選擇性地形成埋入層62,掩埋因2個接觸孔而形成的深 陷。第19圖及帛20圖之任一圖中，發光元件層η係在 接觸孔形成區域中，在埋入層62的 叼卞坦之面上形成，可防 止該區域之發光元件層發生不良。 曰第2平坦化絕緣層61及上述埋入層62的材質係只要 是上面平坦的任何東西均可，但以與發光元件層Η發生反 應非含水性且安定的絕緣性材料為佳。例如可採用聚酿亞 胺，或 HMOSO、TOMCAT、TEOS 等。 [發明之功效] 如以上說明，本發明中，可緩和將電力供應到有機電 激發光元件等被驅動元件#電晶體之特性上的不均等，使 對被驅動元件供應電力之不均等平均化，可防止被驅動元 件之發光亮度不均等。 本發明中，將被驅動元件和供應電力到該元件之電晶 體以最少程度之接觸數連接，可在限制之面積内有效率地 配置必要的電晶體和元件等。因此，例如採用電激發光元 件等當作被驅動元件時，可提高“象素單位等之發光面積 率。 本發明中，可提高形成被驅動元件的面之平坦性，並 可提高被驅動元件之可靠度。 [圖式之簡單說明] 第1圖係主動矩陣型有機電激發光顯示裝置之i像素 的電路構成圖。 第2圖係本發明實施形態丨之主動矩陣型有機電激發 本紙張關家鮮（(^S)A4規格 (210 x 297 公釐） 313029 --------^-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •線i 526676

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（37 光顯示裝置之1像素的電路構成例圖。 第3圖係薄臈電晶體（TFT)之Ι·ν特性圖。 第4圖（a)、（b)係依據本發明及習知之電路構成所實現 之效果圖。 第5圖係本發明實施形態1之主動矩陣型有機電激發 光顯不裝置之1像素的另一種電路構成圖。 第6圖係本發明實施形態1之主動矩陣型有機電激發 光顯示裝置之1像素的另一種電路構成圖。 第7圖係本發明實施形態1之主動矩陣型有機電激發 光顯不裝置之1像素的再另一種電路構成圖。 第8圖係具備第7圖所示電路構成之與本實施形態1 相關之主動矩陣型有機電激發光面板的平面構成圖。 第9圖（a)至（c)係沿第8圖之A-A、B_B、C-C線之剖 面構成圖。 第10圖（a)、（b)係與實施形態2相關之主動矩陣型有 機電激發光面板之j像素的平面圖及剖面圖。 第11圖係與實施形態2相關之主動矩陣型有機電激發 光面板之1像素的另一種平面構成例。 第12圖係與實施形態3相關之主動矩陣型有機電激發 光面板之1像素的平面圖。 第13圖係與實施形態3相關之主動矩陣型有機電激發 光面板之1像素的另一種平面構成例。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂---------線I 第14圖係與實施形態2相關之主動矩陣型有機電激發 光面板之1像素的另一種平面構成例。

37 313029 526676 A7 五、發明說明（38 第 15 圖（a)、（b)係第 2tft ^ ^ 1¾ 的有源層Μ和有機電激發 链】接觸部的剖面及平面構造圖。 第16圖（a)、（b)僥盘眘#其，& (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、/、實施形悲3相關之第2TFT的有 源層16和有機電激發丼亓杜 九70件50的陽極52之接觸部的剖面 及平面構造例示圖。 第17圖係與實施形態3相關之第2TFT的有源層16 和有機電激發光元件50的陽極52之接觸部的另一種剖面 構造例不圖。 第18圖係與實施形態3相關之第2TFT的有源層16 和有機電激發光元件50的陽極52之接觸部的另一種θ剖面 構造例不圖。 第19圖係與實施形態3相關之第2TFT的有源層η 和有機電激發光元件50的陽極52之接觸部的另一種剖 構造例示圖。 ° 第20圖係與實施形態3相關之第2TFT的有源芦16 和有機電激發光元件50的陽極52之接觸部的另一蘇 裡剖面 構造例示圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [元件符號之說明] 1 基板（透明基板） 2、25、35 閘極電極 4 閘極絕緣膜 半導體層 源極區域 >及極區域 通道區域 6、16、16a、16b 有源層（p-si 膜） 6S、16s、16sa、16sb、16sl 至 4 6D、16d、16da、16db、16dl 至 4 16c、16cl 至 3、16ca、16cb 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 313029 526676 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（39 ) 7 第1電極 8 第2電極 10 第1TFT(開關用 TFT) 14 層間絕緣膜 18 第1平坦化絕緣層 20 > 22、24、20a、20b、20-1 至 3、 • 20-1至4 第2TFT(元件驅動 用 TFT) 30、 32、34 補償用 TFT 40 - 42連接件（配線層） 40-1 第1配線層 40-2 第2配線層 41 金屬連接層 43 接觸配線 50 有機電激發光元件 51 發光元件層 52 陽極 53 第1孔輸送層 54 第2孔輸送層 55 有機發光層 56 電子輸送層 57 陰極 61 第2平坦化絕緣層 62 埋入層 70 第1接觸孔 72 第2接觸孔 A1、 Cr金屬連接層 CL 、CLa、CLb 通道長度 Cs 補助電容 DL 資料線 GL 閘極線 h70 、h72、h74 段差 SL 電容線 TFT2a、TFT2b 電晶體 VL 電源線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公复） 39 313029

Claims (1)

1. H3 第90123708號專利申請宰 申請專利範圍修正本 (91 1. 一種半導體裝置，具備： 開關用薄膜電晶體，在閘極接受閘極訊號後動作 而取入資料訊號；及 7L素驅動用薄膜電晶體，設在驅動電源和被驅動 元件之間，按照前述開關用薄膜電晶體所供應之資料 訊號，控制從前述驅動電源供應到前述被驅動元件之 電力， 其特徵在於：前述驅動電源和前述元件驅動用薄 膜電晶體之間，設有導電特性與前述元件驅動用薄膜 電晶體相反之補償用薄膜電晶體。 2·如申請專利範圍第丨項之半導體裝置’其中’前述補 償用薄膜電晶體係在前述驅動電源和前述元件驅動用 薄膜電晶體之間作二極體形態連接者。 3·如申請專利範圍第1項或第2項之半導體裝置，其中， 前述元件驅動用薄膜電晶體係由互相並列連接的多數 個薄膜電晶體構成。 4.如申請專利範圍第1項或第2項之半導體裝置，其中， 前述元件驅動用薄膜電晶體係由互相並列連接在前述 驅動電源和前述被驅動元件之間的多數個薄臈電晶體 構成， 如述補價用薄膜電晶體係分別設在前述並列連接 本紙張尺度颜㈣x 2wiT 1 313029 526676 H3 的夕數個 '相電晶體和前述驅動電源之間。 如申明專利乾圍第4項之半導體裝置，其中，前述被 驅動元件係在兩電極之間具備發光層而構成的電激發 光元件。 6·如申請專利範圍第5項之半導體裝置，其中，前述電 ；光元件係在發光層使用有機化合物之有機電激發 光件。 如申明專利圍第i項或第2項之半導體裝置，其中 =成矩：狀的各像素係用在具備：前述開關用薄膜 電晶體、前述元件驅動用薄膜電晶體、前述補償用薄 膜電晶體及作為顯示元件之前述被驅動元件之主動矩 陣型顯示裝置。 8.如申請專利範圍帛1項或帛2項之半導體裝置，Α中， 前述元件驅動用薄膜電晶體及前述補償用薄膜電晶體 之通道長度方向，係Α著用以將前述資訊訊號供應到 前述開關用薄膜電晶體之資料線的延伸方向而配置。 9·種顯7F裝置’其係置成矩陣狀的多數個像素分別 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 至少具備被驅動元件及將來自驅動電源的電力供應到 被驅動元件之元件驅動用薄膜電晶體之主動矩陣型顯 示裝置， 其特徵在於：前述多數個像素之各像素區域，係 矩陣之列及行方向的邊之中的一方比另一方長，且前 述元件驅動用薄膜電晶體其通道長度方向，係沿著前 述像素區域之較長一方之邊而配置。 —本紙張尺細中國國家2 526676 10·如申請專利範圍第9項之顯示裝置，其中，前述像素 區域係矩陣之行方向的邊比列方向的邊長，前述元件 驅動用薄膜電晶體其通道長度方向係沿著前述行= 而配置。 11. 一種半導體裝置，具備·· 至少1個元件驅動用薄膜電晶體，其係將來自電 源線的驅動電流供應到對應之被驅動元件·，及 開關用薄膜電晶體，依據選擇時供應的資料控制 前述元件驅動用薄膜電晶體，" 其中，前述元件驅動用薄膜電晶體之通道長度方 向’係配置成沿著用以將前述資料訊號供應到前述開 關用薄膜電晶體之資料線的延伸方向。 12. 如申請專利範圍第！項、第2項或第u項中任一項之 半導體裝置，其中，前述元件驅動用薄膜電晶體之通 道長度方向，係與前述開關用薄膜電晶體之通 方向不一致。 又 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 13. 如:請專利範圍第μ、第2項或第n項中任一項之 半‘體裝置，其中，雨述元件驅動用薄膜電晶體之通 道長度方向，係以沿著用以使該電晶體之通道區域退 火的線狀脈衝雷射之掃描方向的方式形成該元件驅動 用薄膜電晶體。 本紙張尺度適用 u.::半導體裝置，係在按照供應電力而動作的被驅動 兀^和用以將電力供應到前述被驅動元件之電源線之 間，具備11個（η為2以上的整數）用以控制對前述被驅 3 313029 ^26676 動元件之供應電力之薄膜電晶體， 其中’該η個之多數個薄膜電晶體與對應的前述 被驅動元件係以nd以下數量之接觸元件電性連接。 15 · —種半導體裝置，係在按照供應電力而動作之被驅動 疋件和用以將電力供應到前述被驅動元件之電源線之 間’具備用以控制對前述被驅動元件之供應電力之薄 膜電晶體， 其中’該薄膜電晶體與對應之前述被驅動元件係 藉由配線層互相電性連接，該配線層與該薄膜電晶體 之接觸位置，以及該配線層與前述被驅動元件之接觸 位置係隔開配置。 w·如申請專利範圍第15項之半導體裝置，其中，前述被 驅動元件係在兩電極之間具備發光元件層之發光元 件， 在前述配線層的上層形成的絕緣層上形成有接觸 孔，在該接觸孔，前述配線層係與在前述絕緣層之上 經濟部中央榡準局員工福利委員會印製 覆1前述接觸孔而形成的前述發光元件之前述兩電極 中之一側電極相連接， 前述兩電極中之一側電極之至少接觸孔區域係以 平坦化層覆蓋，且前述兩電極中之一側電極及前述平 坦化層之上層形成有前述發光元件層。 i?·一種半導體裝置，其係按照供應電力而動作，在兩 電極之間具備發光元件層的被驅動元件，和用以將電 力供應到前述被驅動元件之電源線之間，具備用以押 紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格⑽χ297公 4 313029 526676 制對w述被驅動元件之供應電力之薄膜電晶體，其中 該溥膜電晶體與對應之前述被驅動元件，係在使 形成於下層的前述薄膜電晶體和前述被驅動元件之層 間隔開的絕緣層上形成的接觸孔，直接或間接地互相 電性連接， "前述兩電極中之一側電極之至少接觸孔區域係以 平坦化層覆盍，且前述兩電極中之一側電極及前述平 土一化層之上層形成有前述發光元件層。 18.如申請專利範圍第14項至第17項中任一項之半導體 裝置，其中，前述被驅動元件係在發光層使用有機化 合物之有機電激發光元件。 19·如申請專利範圍第9項或第1〇項之顯示裝置，其中， 前述元件驅動用薄膜電晶體之通道長度方向，係與前 述開關用薄膜電晶體之通道長度方向不一致。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 2〇·如申請專利範圍第9項或第10項之顯示裝置，其中， 前述元件驅動用薄膜電晶體之通道長度方向，係以沿 著用以使該電晶體之通道區域退火的線狀脈衝雷射之 掃描方向的方式形成該元件驅動用薄膜電晶體。 21·如申請專利範圍第9項或第項之顯示裝置，其中， 知述被驅動元件係在發光層使用有機化合物之有機電 激發光元件。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇x297公釐） 5 313029