KR100688802B1 - 화소 및 발광 표시장치 - Google Patents

화소 및 발광 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100688802B1
KR100688802B1 KR20040095983A KR20040095983A KR100688802B1 KR 100688802 B1 KR100688802 B1 KR 100688802B1 KR 20040095983 A KR20040095983 A KR 20040095983A KR 20040095983 A KR20040095983 A KR 20040095983A KR 100688802 B1 KR100688802 B1 KR 100688802B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
transistor
voltage
reverse bias
emission control
Prior art date
Application number
KR20040095983A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060056790A (ko
Inventor
곽원규
박성천
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR20040095983A priority Critical patent/KR100688802B1/ko
Publication of KR20060056790A publication Critical patent/KR20060056790A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100688802B1 publication Critical patent/KR100688802B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0804Sub-multiplexed active matrix panel, i.e. wherein one active driving circuit is used at pixel level for multiple image producing elements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0251Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0254Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays
    • G09G2310/0256Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays with the purpose of reversing the voltage across a light emitting or modulating element within a pixel
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/04Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043Preventing or counteracting the effects of ageing

Abstract

본 발명은 화소 및 발광표시장치에 관한 것으로, 제 1 및 제 2 발광소자, 상기 복수의 발광소자와 공통 연결되며, 상기 제 1 및 제 2 발광소자를 구동하기 위한 구동회로, 상기 제 1 및 제 2 발광소자와 상기 구동회로 사이에 연결되며, 제 1 및 제 2 발광제어신호를 이용하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자의 구동을 순차제어하기 위한 스위칭회로 및 상기 제 1 및 제 2 발광제어신호를 상기 제 1 및 제 2 발광소자에 전달하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자에 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스회로를 포함한다.
따라서, 발광소자가 발광하지 않는 구간에서 간단하게 역바이어스를 인가하여 발광소자의 특성을 향상시키며, 또한, 하나의 화소회로에 복수의 발광소자를 연결하여 발광표시장치의 소자수를 줄여 발광 표시장치의 개구율을 높일 수 있다.
역바이어스, 화소, 유기, 발광

Description

화소 및 발광 표시장치{PIXEL AND LIGHT EMITTING DISPLAY}

도 1a 및 도 1b는 종래의 일반적인 발광소자를 나타내는 도면이다.

도 2는 종래 기술에 의한 발광 표시장치의 일부분을 나타내는 회로도이다.

도 3은 본 발명에 따른 발광 표시장치의 제 1 실시예를 나타내는 구조도이다.

도 4는 본 발명에 따른 발광 표시장치의 제 2 실시예를 나타내는 구조도이다.

도 5는 도 3의 발광 표시장치에서 채용한 화소를 나타내는 회로도이다.

도 6은 도 5의 화소의 동작을 나타내는 파형도이다.

도 7은 도 3의 발광 표시장치에서 채용한 화소의 제 2 실시예를 나타내는 회로도이다.

도 8은 도 7의 화소의 동작을 나타내는 파형도이다.

도 9는 도 4의 발광 표시장치에서 채용한 화소의 제 1 실시예를 나타내는 회로도이다.

도 10은 도 4의 발광 표시장치에서 채용한 화소의 제 2 실시예를 나타내는 회로도이다.

도 11은 도 9 및 도 10에 도시된 화소의 동작을 나타내는 파형도이다.

도 12은 도 7 및 도 8에 도시된 화소의 동작을 나타내는 파형도이다.

***도면의 주요부분에 대한 부호 설명***

100: 화상표시부 110: 화소

200: 데이터구동부 300: 주사구동부

OLED: 발광소자

본 발명은 화소 및 발광표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세히 설명하면, 하나의 화소가 복수의 발광소자를 구비하도록 하여 발광표시장치의 개구율을 높이도록 하며 발광소자에 손쉽게 역바이어스 전압을 인가할 수 있도록 하는 화소 및 발광 표시장치에 관한 것이다.

근래에 음극선관과 비교하여 무게와 부피가 작은 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있으며 특히 발광효율, 휘도 및 시야각이 뛰어나며 응답속도가 빠른 발광 표시장치가 주목받고 있다.

발광소자는 빛을 발산하는 박막인 발광층이 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 위치하는 구조를 갖고 발광층에 전자 및 정공을 주입하여 이들을 재결합시킴으로써 여기자가 생성되며 여기자가 낮은 에너지로 떨어지면서 발광하는 특성을 가지고 있다.

이러한 발광소자는 발광층이 무기물 또는 유기물로 구성되며, 발광층의 종류 에 따라 무기 발광소자와 유기 발광소자로 구분한다.

도 1a 및 도 1b는 종래의 일반적인 발광소자를 나타내는 도면이다. 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 발광소자는 애노드전극(20)과 캐소드전극(21) 사이에 형성된 발광층(Emitting Layer : EL), 정공 수송층(Hole Transfer Layer : HTL)과, 전자 수송층(Eltctron Transfer Layer : ETL)을 구비한다.

애노드전극(20)은 발광층(EL)으로 정공을 공급할 수 있도록 제 1전원과 접속된다. 캐소드전극(20)은 발광층(EL)으로 전자를 공급할 수 있도록 제 1전원보다 낮은 제 2전원과 접속된다. 즉, 애노드전극(20)은 캐소드전극(21)에 비하여 상대적으로 높은 정극성(+)의 전위를 갖고, 캐소드전극(21)은 애노드전극(20)에 비하여 상대적으로 낮은 부극성(-)의 전위를 갖는다.

정공 수송층(HTL)은 애노드전극(20)으로부터 공급되는 정공을 가속하여 발광층(EL)으로 공급한다. 전자 수송층(ETL)은 캐소드전극(21)으로부터 공급되는 전자를 가속하여 발광층(EL)으로 공급한다. 정공 수송층(HTL)으로부터 공급되는 정공과 전자 수송층(ETL)으로부터 공급되는 전자는 발광층(EL)에서 충돌한다. 이때, 발광층(EL)에서 전자와 정공이 재결합하게 되고, 이에 따라 소정의 빛이 생성된다. 실질적으로 발광층(EL)은 유기물질 등으로 형성되어 전자와 정공이 재결합할 때 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 중 어느 하나의 빛을 생성한다.

한편, 발광소자는 정공 수송층(HTL)과 애노드전극(20) 사이에 위치되는 정공 주입층(Hole Injection Layer : HIL)과, 전자 수송층(ETL)과 캐소드전극(21) 사이 에 위치되는 전자 주입층(Electron Injection Layer : EIL)을 더 포함한다. 정공 주입층(HIL)은 정공을 정공 수송층(HTL)으로 공급한다. 전자 주입층(EIL)은 전자를 전자 수송층(ETL)으로 공급한다.

도 2는 종래 기술에 의한 발광 표시장치의 일부분을 나타내는 회로도이다. 도 2를 참조하여 설명하면, 4 개의 화소가 인접하여 형성되며 각 화소는 발광소자(OLED) 및 화소회로를 포함한다. 화소회로는 제 1 트랜지스터(M1), 제 2 트랜지스터(M2), 제 3 트랜지스터(M3) 및 캐패시터(Cst)를 포함한다. 그리고, 제 1 트랜지스터(M1), 제 2 트랜지스터(M2) 및 제 3 트랜지스터(M3)는 각각 게이트, 소스 및 드레인을 가지며 캐패시터(Cst)는 제 1 전극과 제 2 전극을 가진다.

각 화소는 동일한 구성을 하며 가장 왼쪽 상위에 있는 화소를 설명하면, 제 1 트랜지스터(M1)는 소스가 전원 공급선(Vdd)에 연결되고 드레인이 제 3 트랜지스터(M3)의 소스에 연결되며 게이트가 제 1 노드(A)와 연결된다. 제 1 노드(A)는 제 2 트랜지스터(M2)의 드레인과 연결된다. 제 1 트랜지스터(M1)는 데이터 신호에 대응되는 전류를 발광소자(OLED)에 공급하는 기능을 수행한다.

제 2 트랜지스터(M2)는 소스가 데이터선(D1)에 연결되고 드레인이 제 1 노드(A)와 연결되며 게이트는 제 1 주사선(S1)과 연결된다. 그리고, 게이트에 인가되는 주사신호에 따라 데이터 신호를 제 1 노드(A)에 전달한다.

제 3 트랜지스터(M3)는 소스가 제 1 트랜지스터(M1)의 드레인과 연결되고, 드레인은 발광소자(OLED)의 애노드 전극에 연결되고, 게이트가 발광제어선(E1)에 연결되어 발광제어신호에 응답한다. 따라서, 발광제어신호에 따라 제 1 트랜지스 터(M1)에서 발광소자(OLED)로 흐르는 전류의 흐름을 제어하여 발광소자(OLED)의 발광을 제어한다.

캐패시터(Cst)는 제 1 전극이 전원공급선(Vdd)에 연결되고 제 2 전극이 제 1 노드(A)에 연결된다. 그리고, 데이터 신호에 따른 전하를 충전하며, 충전된 전하에 의해 한 프레임의 시간 동안 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트에 신호를 인가하게 되어 제 1 트랜지스터(M1)의 동작을 한 프레임의 시간 동안 유지시킨다.

이와 같은 발광소자(OLED)에서 애노드전극(20)에 인가되는 전압은 캐소드전극(21)에 인가되는 전압보다 항상 높게 설정되기 때문에 도 1b와 같이 애노드전극(20) 쪽에는 부극성(-)의 캐리어(Carrier)들이 위치되고, 캐소드전극(21) 쪽에는 정극성(+)의 캐리어들이 위치된다.

여기서, 애노드전극(20)에 위치된 부극성(-)의 캐리어들 및 캐소드전극(21)에 위치된 정극성(+)의 캐리어들이 장시간 유지되면 발광에 기여하는 전자 및 정공들의 이동량이 적어져 휘도가 저하됨과 동시에 잔상이 발생된다.

특히, 잔상현상은 동일한 화상(예를 들면 정지화상)을 장시간 표시하는 경우 더욱 심하게 나타나 표시품질을 저하하는 중요한 요인으로 작용한다. 그리고, 잔상이 장시간 발생되면 발광소자(OLED)의 열화되어 수명이 단축된다.

또한, 하나의 화소회로에 하나의 발광소자(OLED)가 연결되어 복수의 발광소자를 발광하도록 하기 위해서는 복수의 화소회로가 필요로 하여 화소회로를 구현하는 소자의 수가 많아지게 되는 문제점이 있다.

특히, 화소행에 하나의 발광제어선이 연결됨으로 인하여,발광제어선에 의한 발광표시장치의 개구율이 떨어지는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 발광소자에 간단하게 역바이어스를 인가하여 발광소자의 특성을 향상시키며, 또한, 하나의 화소회로에 복수의 발광소자를 연결하여 발광표시장치의 소자수를 줄이고 개구율을 높이도록 하는 화소회로 및 발광 표시장치를 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 제 1 측면은, 제 1 및 제 2 발광소자, 상기 복수의 발광소자와 공통 연결되며, 상기 제 1 및 제 2 발광소자를 구동하기 위한 구동회로, 상기 제 1 및 제 2 발광소자와 상기 구동회로 사이에 연결되며, 제 1 및 제 2 발광제어신호를 이용하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자의 구동을 순차제어하기 위한 스위칭회로 및 상기 제 1 및 제 2 발광제어신호를 상기 제 1 및 제 2 발광소자에 전달하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자에 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스회로를 포함하며, 상기 구동회로는, 게이트에 인가되는 제 1 전압에 대응하여 상기 제 1 전원을 전달받아 상기 2 개의 발광소자에 구동전류를 선택적으로 공급하는 제 1 트랜지스터, 제 1 주사신호에 의해 데이터 신호를 선택적으로 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 전극에 전달하는 제 2 트랜지스터, 상기 제 1 상기 주사신호에 의해 선택적으로 상기 제 1 트랜지스터를 다이오드 연결 시키는 제 3 트랜지스터, 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 전극에 데이터 전압이 인가되는 동안, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트에 인가된 전압을 저장하며 상기 발광소자의 발광기간 동안 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 상기 저장된 전압이 유지되도록 하는 캐패시터, 제 2 주사신호에 의해 선택적으로 상기 캐패시터에 초기화전압을 전달하는 제 4 트랜지스터, 상기 제 1 발광제어신호에 의해 상기 제 1 전원을 상기 제 1 트랜지스터에 선택적으로 전달하는 제 5 트랜지스터 및 상기 제 2 발광제어신호에 의해 상기 제 1 전원을 상기 제 1 트랜지스터에 선택적으로 전달하는 제 6 트랜지스터를 포함하는 화소를 제공하는 것이다.

본 발명에 따른 제 2 측면은, 제 1 및 제 2 발광소자, 상기 복수의 발광소자와 공통 연결되며, 상기 제 1 및 제 2 발광소자를 구동하기 위한 구동회로, 상기 제 1 및 제 2 발광소자와 상기 구동회로 사이에 연결되며, 제 1 및 제 2 발광제어신호를 이용하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자의 구동을 순차제어하기 위한 스위칭회로 및 역바이어스 전압을 전달하는 역바이어스 선에 연결되어 상기 역바이어스 전압을 상기 제 1 및 제 2 발광제어신호를 통해 선택적으로 상기 제 1 및 제 2 발광소자에 전달하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자에 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스회로를 포함하며, 상기 구동회로는, 게이트에 인가되는 제 1 전압에 대응하여 상기 제 1 전원을 전달받아 상기 2 개의 발광소자에 구동전류를 선택적으로 공급하는 제 1 트랜지스터, 제 1 주사신호에 의해 데이터 신호를 선택적으로 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 전극에 전달하는 제 2 트랜지스터, 상기 제 1 상기 주사신 호에 의해 선택적으로 상기 제 1 트랜지스터를 다이오드 연결 시키는 제 3 트랜지스터, 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 전극에 데이터 전압이 인가되는 동안, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트에 인가된 전압을 저장하며 상기 발광소자의 발광기간 동안 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 상기 저장된 전압이 유지되도록 하는 캐패시터, 제 2 주사신호에 의해 선택적으로 상기 캐패시터에 초기화전압을 전달하는 제 4 트랜지스터, 상기 제 1 발광제어신호에 의해 상기 제 1 전원을 상기 제 1 트랜지스터에 선택적으로 전달하는 제 5 트랜지스터 및 상기 제 2 발광제어신호에 의해 상기 제 1 전원을 상기 제 1 트랜지스터에 선택적으로 전달하는 제 6 트랜지스터를 포함하는 화소를 제공하는 것이다.

본 발명에 따른 제 3 측면은, 제 1 및 제 2 발광소자, 상기 복수의 발광소자와 공통 연결되며, 상기 제 1 및 제 2 발광소자를 구동하기 위한 구동회로, 상기 제 1 및 제 2 발광소자와 상기 구동회로 사이에 연결되며, 제 1 및 제 2 발광제어신호를 이용하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자의 구동을 순차제어하기 위한 스위칭회로 및 역바이어스 전압을 전달하는 역바이어스 선과 역전압제어신호를 전달하는 역바이어스제어선에 연결되어 상기 역바이어스 전압를 상기 역전압 제어신호에 의해 선택적으로 상기 제 1 및 제 2 발광소자에 전달하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자에 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스회로를 포함하며, 상기 구동회로는, 게이트에 인가되는 제 1 전압에 대응하여 상기 제 1 전원을 전달받아 상기 2 개의 발광소자에 구동전류를 선택적으로 공급하는 제 1 트랜지스터, 제 1 주사신호에 의해 데이터 신호를 선택적으로 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 전극에 전달하는 제 2 트랜지스터, 상기 제 1 상기 주사신호에 의해 선택적으로 상기 제 1 트랜지스터를 다이오드 연결 시키는 제 3 트랜지스터, 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 전극에 데이터 전압이 인가되는 동안, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트에 인가된 전압을 저장하며 상기 발광소자의 발광기간 동안 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 상기 저장된 전압이 유지되도록 하는 캐패시터, 제 2 주사신호에 의해 선택적으로 상기 캐패시터에 초기화전압을 전달하는 제 4 트랜지스터, 상기 제 1 발광제어신호에 의해 상기 제 1 전원을 상기 제 1 트랜지스터에 선택적으로 전달하는 제 5 트랜지스터 및 상기 제 2 발광제어신호에 의해 상기 제 1 전원을 상기 제 1 트랜지스터에 선택적으로 전달하는 제 6 트랜지스터를 포함하는 화소를 제공하는 것이다.

본 발명의 제 4 측면은, 복수의 화소를 포함하여 화상을 표시하는 화상표시부, 상기 화상표시부에 주사신호 및 발광제어신호를 전달하는 주사구동부 및 상기 화상표시부에 데이터신호를 전달하는 데이터구동부를 포함하며, 상기 화소는 제 1 내지 제 10 항의 화소 중 어느 한 항에 의한 화소인 발광 표시장치를 제공하는 것이다.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명에 따른 발광 표시장치의 제 1 실시예를 나타내는 구조도이다. 도 3을 참조하여 설명하면, 발광표시장치는 화상표시부(100), 데이터 구동부(200) 및 주사 구동부(300)를 포함한다.

화상표시부(100)는 복수의 발광소자를 포함하는 복수의 화소(110), 행방향으 로 배열된 복수의 주사선(S0,S1,S2,...Sn-1,Sn), 행방향으로 배열된 복수의 제 1 발광제어선(E11,E12, ...E1n-1,E1n) 및 제 2 발광제어선(E21,E22, ...E2n-1,E2n), 열방향으로 배열된 복수의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm) 및 화소전원을 공급하는 복수의 화소전원선(Vdd), 역바이어스 전압을 전달하는 역바이어스선(NB)을 포함한다.

그리고, 화소(110)는 주사선(S0,S1,S2,...Sn-1,Sn)을 통해 주사신호와 이전 주사선의 주사신호를 전달받으며, 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)에서 전달되는 데이터 신호에 의해 데이터신호에 대응되는 구동전류를 생성하고, 제 1 발광제어선(E11,E12, ...E1n-11,E1n) 및 제 2 발광제어선(E21,E22, ...E2n-1,E2n)을 통해 전달되는 제 1 및 제 2 발광제어신호에 의해 구동 전류가 발광소자(OLED)에 전달되어 화상이 표현된다. 또한, 발광소자는 발광하지 않는 동안 역바이어스선(NB)로부터 역바이어스 전압을 전달받아 발광소자의 열화를 방지하여 수명을 향상시킬 수 있다.

데이터 구동부(200)는 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 연결되어 화상표시부(100)에 데이터 신호를 전달한다. 하나의 데이터선은 적색,녹색,청색의 데이터를 순차적으로 전달한다.

주사 구동부(300)는 화상표시부(100)의 측면에 구성되며, 복수의 주사선(S0,S1,S2,...Sn-1,Sn)과 복수의 제 1 발광제어선(E11,E12, ...E1n-11,E1n) 및 제 2 발광제어선(E21,E22, ...E2n-1,E2n)에 연결되어 주사신호와 발광제어신호를 순차적으로 화상표시부(100)에 전달한다.

도 4는 본 발명에 따른 발광 표시장치의 제 1 실시예를 나타내는 구조도이다. 도 4를 참조하여 설명하면, 발광표시장치는 화상표시부(100), 데이터 구동부(200) 및 주사 구동부(300)를 포함한다.

화상표시부(100)는 복수의 발광소자를 포함하는 복수의 화소(110), 행방향으로 배열된 복수의 주사선(S0,S1,S2,...Sn-1,Sn), 행방향으로 배열된 복수의 제 1 발광제어선(E11,E12, ...E1n-1,E1n) 및 제 2 발광제어선(E21,E22, ...E2n-1,E2n), 열방향으로 배열된 복수의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm) 및 화소전원을 공급하는 복수의 화소전원선(Vdd)을 포함한다.

그리고, 화소(110)는 주사선(S0,S1,S2,...Sn-1,Sn)을 통해 주사신호와 이전 주사선의 주사신호를 전달받으며, 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)에서 전달되는 데이터 신호에 의해 데이터신호에 대응되는 구동전류를 생성하고, 제 1 발광제어선(E11,E12, ...E1n-11,E1n) 및 제 2 발광제어선(E21,E22, ...E2n-1,E2n)을 통해 전달되는 제 1 및 제 2 발광제어신호에 의해 구동 전류가 발광소자(OLED)에 전달되어 화상이 표현된다. 또한, 화소에는 제 1 및 제 2 발광제어신호를 역바이어스 전압으로 사용하며 제 1 및 제 2 발광제어신호가 하이신호 일 때 제 1 및 제 2 발광제어신호를 발광소자에 전달하여 발광소자가 역전압을 인가한다. 따라서, 별도의 역바이어스선을 구비하지 않게 되어 별도의 배선에 의한 발광 표시장치의 개구율 감소를 방지한다.

데이터 구동부(200)는 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 연결되어 화상표시 부(100)에 데이터 신호를 전달한다. 하나의 데이터선은 적색,녹색,청색의 데이터를 순차적으로 전달한다.

주사 구동부(300)는 화상표시부(100)의 측면에 구성되며, 복수의 주사선(S0,S1,S2,...Sn-1,Sn)과 복수의 제 1 발광제어선(E11,E12, ...E1n-11,E1n) 및 제 2 발광제어선(E21,E22, ...E2n-1,E2n)에 연결되어 주사신호와 발광제어신호를 순차적으로 화상표시부(100)에 전달한다.

도 5는 도 3의 발광 표시장치에서 채용한 화소의 제 1 실시예를 나타내는 회로도이다. 도 5를 참조하여 설명하면, 화소회로는 제 1 내지 제 6 트랜지스터(M1 내지 M6)와 캐패시터(Cst)를 포함하는 구동회로(111), 제 7 및 제 8 트랜지스터(M7 및 M8)를 포함하는 스위칭회로(112) 및 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma,Mb)를 포함하는 역바이어스회로(113)로 형성되며, 제 1 내지 제 8 트랜지스터(M1 내지 M8)와 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma,Mb)는 P 모스 형태의 트랜지스터로 구현되며, 각 트랜지스터는 소스, 드레인 및 게이트를 구비한다. 그리고, 캐패시터(Cst)는 제 1 전극과 제 2 전극을 구비한다. 제 1 내지 제 8 트랜지스터(M1 내지 M8)와 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma,Mb)의 드레인과 소스는 물리적으로 차이가 없으며 소스 및 드레인을 각각 제 1 및 제 2 전극이라고 칭할 수 있다.

제 1 트랜지스터(M1)는 드레인이 제 1 노드(A)와 연결되고 소스는 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 3 노드(C)에 연결되어 제 3 노드(C)의 전압에 따라 제 2 노드(B)에서 제 1 노드(A)로 전류를 흐르게 한다.

제 2 트랜지스터(M2)는 소스가 데이터선(Dm)에 연결되고 드레인은 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 1 주사선(Sn)에 연결되어 제 1 주사선(Sn)을 통해 전달되는 제 1 주사신호(sn)에 의해 스위칭 동작을 하여 데이터선(Dm)을 통해 전달되는 데이터신호를 선택적으로 제 2 노드(B)에 전달한다.

제 3 트랜지스터(M3)는 소스가 제 1 노드(A)에 연결되고 드레인은 제 3 노드(C)에 연결되며 게이트는 제 1 주사선(Sn)에 연결되어 제 1 주사선(Sn)을 통해 전달되는 제 1 주사신호(sn)에 의해 제 1 노드(A)와 제 3 노드(C)의 전위를 동일하게 하여 제 1 트랜지스터(M1)가 다이오드 연결이 되도록 한다.

제 4 트랜지스터(M4)는 소스와 게이트가 제 2 주사선(Sn-1)에 연결되고 드레인은 제 3 노드(C)에 연결되어 제 3 노드(C)에 초기화신호를 전달한다. 초기화신호는 제 1 주사신호(sn)가 입력되는 행 보다 한 행 앞선 행에 입력되는 제 2 주사신호(sn-1)이며 제 2 주사선(Sn-1)을 통해 전달받는다. 제 2 주사선(Sn-1)은 제 1 주사선(Sn)이 연결된 행 보다 한 행 앞선 행에 연결되는 주사선을 의미한다.

제 5 트랜지스터(M5)는 소스가 화소전원선(Vdd)에 연결되고 드레인은 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되어 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 화소전원을 제 2 노드(B)에 선택적으로 전달한다.

제 6 트랜지스터(M6)는 소스가 화소전원선(Vdd)에 연결되고 드레인은 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되어 제 2 발광제어선(E2n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 화소전원을 제 2 노드(B)에 선택적으로 전달한다.

제 7 트랜지스터(M7)는 소스가 제 1 노드(A)에 연결되고 드레인은 제 1 발광소자(OLED1)에 연결되며 게이트는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되어 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 제 1 노드(A)에 흐르는 전류를 제 1 발광소자(OLED1)로 전달하여 제 1 발광소자(OLED1)가 발광하도록 한다.

제 8 트랜지스터(M8)는 소스가 제 1 노드(A)에 연결되고 드레인은 제 2 발광소자(OLED2)에 연결되며 게이트는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되어 제 2 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 제 1 노드(A)에 흐르는 전류를 제 2 발광소자(OLED2)로 전달하여 제 2 발광소자(OLED2)가 발광하도록 한다.

제 1 스위칭소자(Ma)는 소스는 역바이어스선(NB)에 연결되고 드레인은 제 1 발광소자(OLED1)에 연결되며, 게이트는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되어 제 2 발광제어선(E2n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 역바이어스선(NB)를 통해 전달되는 역바이어스 신호를 제 1 발광소자(OLED1)에 전달하여 제 1 발광소자(OLED1)에 역전압이 인가되도록 한다.

제 2 스위칭소자(Mb)는 소스는 역바이어스선(NB)에 연결되고 드레인은 제 2 발광소자(OLED2)에 연결되며, 게이트는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되어 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 역바이어스선(NB)를 통해 전달되는 역바이어스 신호를 제 2 발광소자(OLED2)에 전달하여 제 2 발광 소자(OLED2)에 역전압이 인가되도록 한다.

캐패시터(Cst)는 제 1 전극은 화소전원선(Vdd)에 연결되고 제 2 전극은 제 3 노드(C)에 연결되어 제 4 트랜지스터(M4)를 통해 제 3 노드(C)에 전달되는 초기화신호에 의해 캐패시터(Cst)가 초기화가 되며, 데이터신호에 대응되는 전압을 저장하여 제 3 노드(C)에 전달하여 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전압을 일정기간 동안 유지시킨다.

도 6은 도 5의 화소의 동작을 나타내는 파형도이다. 도 6을 참조하여 설명하면, 화소는 제 1 및 제 2 주사신호(sn 및 sn-1), 데이터신호, 제 1 및 제 2 발광제어신호(e1n 및 e2n)에 의해 동작한다. 제 1 및 제 2 주사신호(sn 및 sn-1)와 제 1 내지 제 3 발광제어신호(e3n)는 주기적인 신호이며, 제 2 주사신호(sn-1)는 제 1 주사신호(sn)보다 이전 주사라인에 전달되는 주사신호이다.

먼저 제 2 주사신호(sn-1)에 의해 제 4 트랜지스터(M4)가 온상태가 되며, 제 4 트랜지스터(M4)를 통해 제 2 주사신호(sn-1)가 캐패시터(Cst)에 전달되어 캐패시터(Cst)가 초기화된다.

그리고, 제 1 주사신호(sn)에 의해 제 2 트랜지스터(M2)와 제 3 트랜지스터(M3)가 온상태가 되어 제 2 노드(B)와 제 3 노드(C)의 전위가 동일해져 제 1 트랜지스터(M1)가 다이오드 연결되며, 제 2 트랜지스터(M2)를 통해 데이터신호가 제 2 노드(B)에 전달된다. 따라서, 데이터신호는 제 2 트랜지스터(M2)와 제 1 트랜지스터(M1)와 제 3 트랜지스터(M3)를 거쳐 캐패시터(Cst)의 제 2 전극에 전달되어, 캐 패시터(Cst)에는 데이터 신호와 문턱전압의 차이에 해당하는 전압이 캐패시터(Cst)의 제 2 전극에 전달된다.

그리고, 제 1 주사신호(sn)가 다시 하이 상태로 전환된 후 제 1 발광제어신호(e1n)가 로우상태로 전환되어 일정기간 동안 로우상태를 지속하게 되면, 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 제 5 트랜지스터(M5)와 제 7 트랜지스터(M7)이 온상태가 되어 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이에는 하기의 수학식 1에 해당하는 전압이 인가된다.

Figure 112004054532883-pat00001

여기서 Vsg는 제 1 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 전극 간의 전압, Vdd는 화소전원전압, Vdata는 데이터 신호의 전압, Vth는 제 1 트랜지스터(M1)의 문턱전압을 나타낸다.

따라서, 제 1 노드(A)로 전류가 하기의 수학식 2에 해당하는 전류가 흐르게 된다.

Figure 112004054532883-pat00002

여기서 I 는 발광소자에 흐르는 전류, Vgs는 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트에 인가되는 전압, Vdd는 화소전원의 전압, Vth는 제 1 트랜지스터(M1)의 문턱전압, Vdata는 데이터신호의 전압을 나타낸다.

따라서, 제 1 노드(A) 흐르는 전류는 제 1 트랜지스터(M1)의 문턱전압과 관계 없이 흐르게 된다.

이때, 제 2 발광제어신호(e2n)는 하이상태의 신호이므로, 또한, 제 1 스위칭소자(Ma)는 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 오프상태를 유지하게 되어 제 1 스위칭소자(Ma)의 소스에 연결되어 있는 역바이어스선(NB)을 통해 전달되는 역바이어스 전압은 제 1 발광소자(OLED1)에 전달되지 않는다. 반면에 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 제 2 스위칭소자(Mb)는 온상태가 되어 제 2 스위칭소자(Mb)의 소스에 연결되어 있는 역바이어스스선(NB)을 통해 전달되는 역바이어스 전압은 제 2 발광소자(OLED2)에 전달되어 제 2 발광소자(OLED2)는 역바이어스 상태가 된다.

그런후에, 다시 제 1 및 제 2 주사신호(sn 및 sn-1)와 데이터신호에 의해 캐패시터(Cst)에 화소전원과 데이터신호의 차이에 해당하는 전압값이 저장되고 상기 수학식 1에 해당하는 전압이 제 1 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이에 전달되며, 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 제 6 트랜지스터(M6)와 제 8 트랜지스터(M8)가 온상태가 되며 상기 수학식 2 에 해당하는 전류가 제 2 발광소자(OLED2)로 흐르게 된다.

이때, 제 1 발광제어신호(e1n)는 하이상태의 신호이므로, 제 1 스위칭소자(Ma)는 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 온상태를 유지하게 되어 제 1 스위칭소자(Ma)의 소스에 연결되어 있는 역바이어스선(NB)을 통해 전달되는 역바이어스 전압은 제 1 발광소자(OLED1)에 전달되게 되어 제 1 발광소자(OLED1)는 역바이어스 상태가 된다. 반면에 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 제 2 스위칭소자(Mb)는 오프상 태가 되어 제 2 스위칭소자(Mb)의 소스에 연결되어 있는 역바이어스선(NB)을 통해 전달되지 않게 된다.

도 7은 도 3의 발광 표시장치에서 채용한 화소의 제 2 실시예를 나타내는 회로도이다. 도 7을 참조하여 설명하면, 화소회로는 제 1 내지 제 6 트랜지스터(M1 내지 M6)와 캐패시터(Cst)를 포함하는 구동회로(111), 제 7 및 제 8 트랜지스터(M7 및 M8)를 포함하는 스위칭회로(112) 및 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma,Mb)를 포함하는 역바이어스회로(113)로 형성되며, 제 1 내지 제 8 트랜지스터(M1 내지 M8)와 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma,Mb)는 P 모스 형태의 트랜지스터로 구현되며, 각 트랜지스터는 소스, 드레인 및 게이트를 구비한다. 그리고, 캐패시터(Cst)는 제 1 전극과 제 2 전극을 구비한다. 제 1 내지 제 8 트랜지스터(M1 내지 M8)와 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma,Mb)의 드레인과 소스는 물리적으로 차이가 없으며 소스 및 드레인을 각각 제 1 및 제 2 전극이라고 칭할 수 있다.

제 1 트랜지스터(M1)는 드레인이 제 1 노드(A)와 연결되고 소스는 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 3 노드(C)에 연결되어 제 3 노드(C)의 전압에 따라 제 2 노드(B)에서 제 1 노드(A)로 전류를 흐르게 한다.

제 2 트랜지스터(M2)는 소스가 데이터선(Dm)에 연결되고 드레인은 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 1 주사선(Sn)에 연결되어 제 1 주사선(Sn)을 통해 전달되는 제 1 주사신호(sn)에 의해 스위칭 동작을 하여 데이터선(Dm)을 통해 전달되는 데이터신호를 선택적으로 제 2 노드(B)에 전달한다.

제 3 트랜지스터(M3)는 소스가 제 1 노드(A)에 연결되고 드레인은 제 3 노드(C)에 연결되며 게이트는 제 1 주사선(Sn)에 연결되어 제 1 주사선(Sn)을 통해 전달되는 제 1 주사신호(sn)에 의해 제 1 노드(A)와 제 3 노드(C)의 전위를 동일하게 하여 제 1 트랜지스터(M1)가 다이오드 연결이 되도록 한다.

제 4 트랜지스터(M4)는 소스와 게이트가 제 2 주사선(Sn-1)에 연결되고 드레인은 제 3 노드(C)에 연결되어 제 3 노드(C)에 초기화신호를 전달한다. 초기화신호는 제 1 주사신호(sn)가 입력되는 행 보다 한 행 앞선 행에 입력되는 제 2 주사신호(sn-1)이며 제 2 주사선(Sn-1)을 통해 전달받는다. 제 2 주사선(Sn-1)은 제 1 주사선(Sn)이 연결된 행 보다 한 행 앞선 행에 연결되는 주사선을 의미한다.

제 5 트랜지스터(M5)는 소스가 화소전원선(Vdd)에 연결되고 드레인은 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되어 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 화소전원을 제 2 노드(B)에 선택적으로 전달한다.

제 6 트랜지스터(M6)는 소스가 화소전원선(Vdd)에 연결되고 드레인은 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되어 제 2 발광제어선(E2n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 화소전원을 제 2 노드(B)에 선택적으로 전달한다.

제 7 트랜지스터(M7)는 소스가 제 1 노드(A)에 연결되고 드레인은 제 1 발광소자(OLED1)에 연결되며 게이트는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되어 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 제 1 노드(A)에 흐르는 전류를 제 1 발광소자(OLED1)로 전달하여 제 1 발광소자(OLED1)가 발광하도록 한다.

제 8 트랜지스터(M8)는 소스가 제 1 노드(A)에 연결되고 드레인은 제 2 발광소자(OLED2)에 연결되며 게이트는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되어 제 2 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 제 1 노드(A)에 흐르는 전류를 제 2 발광소자(OLED2)로 전달하여 제 2 발광소자(OLED2)가 발광하도록 한다.

제 1 스위칭소자(Ma)는 소스는 역바이어스선(NB)에 연결되고 드레인은 제 1 발광소자(OLED1)에 연결되며, 게이트는 역바이어스제어선(Re)에 연결되어 역바이어스제어선(Re)을 통해 전달되는 역바이어스제어신호(re)에 의해 역바이어스선(NB)를 통해 전달되는 역바이어스 신호를 제 1 발광소자(OLED1)에 전달하여 제 1 발광소자(OLED1)에 역전압이 인가되도록 한다.

제 2 스위칭소자(Mb)는 소스는 역바이어스선(NB)에 연결되고 드레인은 제 2 발광소자(OLED2)에 연결되며, 게이트는 역바이어스제어선(Re)에 연결되어 역바이어스제어선(Re)을 통해 전달되는 역바이어스제어신호(re)에 의해 역바이어스선(NB)를 통해 전달되는 역바이어스 신호를 제 2 발광소자(OLED2)에 전달하여 제 2 발광소자(OLED2)에 역전압이 인가되도록 한다.

캐패시터(Cst)는 제 1 전극은 화소전원선(Vdd)에 연결되고 제 2 전극은 제 3 노드(C)에 연결되어 제 4 트랜지스터(M4)를 통해 제 3 노드(C)에 전달되는 초기화신호에 의해 캐패시터(Cst)가 초기화가 되며, 데이터신호에 대응되는 전압을 저장 하여 제 3 노드(C)에 전달하여 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전압을 일정기간 동안 유지시킨다.

도 8은 도 7의 화소의 동작을 나타내는 파형도이다. 도 8을 참조하여 설명하면, 화소는 제 1 및 제 2 주사신호(sn 및 sn-1), 데이터신호, 제 1 및 제 2 발광제어신호(e1n 및 e2n), 역바이어스신호 및 역바이어스제어신호(re)에 의해 동작한다. 제 1 및 제 2 주사신호(sn 및 sn-1), 제 1 내지 제 3 발광제어신호(e3n) 및 역바이어스제어신호(re)는 주기적인 신호이며, 제 2 주사신호(sn-1)는 제 1 주사신호(sn)보다 이전 주사라인에 전달되는 주사신호이며, 도 6에 설명된 것과 동일하게 전류를 생성한다.

전류가 흐르게 될 때, 역바이어스제어신호(re)가 하이상태의 신호이므로, 제 1 스위칭소자(Ma)와 제 2 스위칭소자(Mb)는 오프상태가되어 역바이어스신호가 제 1 및 제 2 발광소자(OLED1 및 OLED2)에 전달되지 않게 되어 제 1 또는 제 2 발광소자(OLED1 또는 OLED2)에 전류가 흐르는 경우에는 역바이어스신호가 인가되지 않게 된다.

그리고, 전류가 흐르지 않을 때, 역바이어스제어신호(re)가 로우상태의 신호이므로, 제 1 스위칭소자(Ma)와 제 2 스위칭소자(Mb)는 온상태가되어 제 1 및 제 2 발광소자(OLED1 및 OLED2)에 역바이어스신호가 전달되어 제 1 및 제 2 발광소자(OLED1 및 OLED2)에 역바이어스전압이 인가된다.

도 9는 도 4의 발광 표시장치에서 채용한 화소의 제 1 실시예를 나타내는 회로도이다. 도 9를 참조하여 설명하면, 화소회로는 제 1 내지 제 6 트랜지스터(M1 내지 M6)와 캐패시터(Cst)를 포함하는 구동회로(111), 제 7 및 제 8 트랜지스터(M7 및 M8)를 포함하는 스위칭회로(112) 및 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma,Mb)를 포함하는 역바이어스회로(113)로 형성되며, 제 1 내지 제 8 트랜지스터(M1 내지 M8)는 N 모스 형태의 트랜지스터로 구현되고, 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma,Mb)는 N 모스 형태의 트랜지스터로 구현되며, 각 트랜지스터는 소스, 드레인 및 게이트를 구비한다.

그리고, 캐패시터(Cst)는 제 1 전극과 제 2 전극을 구비한다. 제 1 내지 제 8 트랜지스터(M1 내지 M8)와 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma,Mb)의 드레인과 소스는 물리적으로 차이가 없으며 소스 및 드레인을 각각 제 1 및 제 2 전극이라고 칭할 수 있다.

제 1 트랜지스터(M1)는 드레인이 제 1 노드(A)와 연결되고 소스는 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 3 노드(C)에 연결되어 제 3 노드(C)의 전압에 따라 제 2 노드(B)에서 제 1 노드(A)로 전류를 흐르게 한다.

제 2 트랜지스터(M2)는 소스가 데이터선(Dm)에 연결되고 드레인은 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 1 주사선(Sn)에 연결되어 제 1 주사선(Sn)을 통해 전달되는 제 1 주사신호(sn)에 의해 스위칭 동작을 하여 데이터선(Dm)을 통해 전달되는 데이터신호를 선택적으로 제 2 노드(B)에 전달한다.

제 3 트랜지스터(M3)는 소스가 제 1 노드(A)에 연결되고 드레인은 제 3 노드 (C)에 연결되며 게이트는 제 1 주사선(Sn)에 연결되어 제 1 주사선(Sn)을 통해 전달되는 제 1 주사신호(sn)에 의해 제 1 노드(A)와 제 3 노드(C)의 전위를 동일하게 하여 제 1 트랜지스터(M1)가 다이오드 연결이 되도록 한다.

제 4 트랜지스터(M4)는 소스와 게이트가 제 2 주사선(Sn-1)에 연결되고 드레인은 제 3 노드(C)에 연결되어 제 3 노드(C)에 초기화 신호를 전달한다. 초기화신호는 제 1 주사신호(sn)가 입력되는 행 보다 한 행 앞선 행에 입력되는 제 2 주사신호(sn-1)이며 제 2 주사선(Sn-1)을 통해 전달받는다. 제 2 주사선(Sn-1)은 제 1 주사선(Sn)이 연결된 행 보다 한 행 앞선 행에 연결되는 주사선을 의미한다.

제 5 트랜지스터(M5)는 소스가 화소전원선(Vdd)에 연결되고 드레인은 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되어 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 화소전원을 제 2 노드(B)에 선택적으로 전달한다.

제 6 트랜지스터(M6)는 소스가 화소전원선(Vdd)에 연결되고 드레인은 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되어 제 2 발광제어선(E2n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 화소전원을 제 2 노드(B)에 선택적으로 전달한다.

제 7 트랜지스터(M7)는 소스가 제 1 노드(A)에 연결되고 드레인은 제 1 발광소자(OLED1)에 연결되며 게이트는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되어 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 제 1 노드(A)에 흐르는 전류를 제 1 발광소자(OLED1)로 전달하여 제 1 발광소자(OLED1)가 발광하도록 한 다.

제 8 트랜지스터(M8)는 소스가 제 1 노드(A)에 연결되고 드레인은 제 2 발광소자(OLED2)에 연결되며 게이트는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되어 제 2 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 제 1 노드(A)에 흐르는 전류를 제 2 발광소자(OLED2)로 전달하여 제 2 발광소자(OLED2)가 발광하도록 한다.

제 1 스위칭소자(Ma)는 소스는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되고 드레인은 제 1 발광소자(OLED1)에 연결되고 게이트는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되며, 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 제 2 발광제어선(E2n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)를 제 1 발광소자(OLED1)에 전달한다. 이때, 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)가 하이 상태일 때 제 1 스위칭소자(Ma)는 온상태가 되며, 제 2 발광제어신호(e2n)는 로우상태가 되어 제 1 발광소자(OLED1)의 애노드 전극의 전위가 캐소드 전극의 전위보다 낮게 되어 제 1 발광소자(OLED1)는 역바이어스 상태가 된다.

제 2 스위칭소자(Mb)는 소스는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되고 드레인은 제 2 발광소자(OLED2)에 연결되고 게이트는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되며, 제 2 발광제어선(E2n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)를 제 2 발광소자(OLED2)에 전달한다. 이때, 제 2 발광제어선(E2n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)가 하이 상태일 때 제 2 스위칭소자(Mb)는 온상태가 되며, 제 1 발광제어신호(e1n)는 로 우상태가 되어 제 2 발광소자(OLED2)의 애노드 전극의 전위가 캐소드 전극의 전위보다 낮게 되어 제 2 발광소자(OLED2)는 역바이어스 상태가 된다.

그리고, 제 7 및 제 8 트랜지스터(M7 및 M8)는 P 모스 형태의 트랜지스터로 구현되고, 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma 및 Mb)는 N 모스 형태의 트랜지스터로 구현되어 제 1 발광제어신호에 의해 제 7 트랜지스터와 제 1 스위칭소자(Ma)는 서로 다른 시간에 온상태 또는 오프상태가 되며, 제 2 발광제어신호에 의해 제 8 트랜지스터(M8)와 제 1 스위칭소자(Ma) 역시 서로 다른 시간에 온 상태 또는 오프 상태가 된다.

캐패시터(Cst)는 제 1 전극은 화소전원선(Vdd)에 연결되고 제 2 전극은 제 3 노드(C)에 연결되어 제 4 트랜지스터(M4)를 통해 제 3 노드(C)에 전달되는 초기화신호에 의해 캐패시터(Cst)가 초기화가 되며, 데이터신호에 대응되는 전압을 저장하여 제 3 노드(C)에 전달하여 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전압을 일정기간 동안 유지시킨다.

도 10은 도 4의 발광 표시장치에서 채용한 화소의 제 2 실시예를 나타내는 회로도이다. 도 10을 참조하여 설명하면, 화소회로는 제 1 내지 제 8 트랜지스터(M1 내지 M8), 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma,Mb) 및 캐패시터(Cst)로 형성되며, 제 1 내지 제 8 트랜지스터(M8)는 P 모스 형태의 트랜지스터로 구현되고, 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma 및 Mb)는 N 모스 형태의 트랜지스터로 구현된다. 각 트랜지스터는 소스, 드레인 및 게이트를 구비한다.

그리고, 캐패시터(Cst)는 제 1 전극과 제 2 전극을 구비한다. 제 1 내지 제 8 트랜지스터(M1 내지 M8) 및 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma 및 Mb)의 드레인과 소스는 물리적으로 차이가 없으며 소스 및 드레인을 각각 제 1 및 제 2 전극이라고 칭할 수 있다.

제 1 트랜지스터(M1)는 드레인이 제 1 노드(A)와 연결되고 소스는 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 3 노드(C)에 연결되어 제 3 노드(C)의 전압에 따라 제 2 노드(B)에서 제 1 노드(A)로 전류를 흐르게 한다.

제 2 트랜지스터(M2)는 소스가 데이터선(Dm)에 연결되고 드레인은 제 1 노드(A)에 연결되며 게이트는 제 1 주사선(Sn)에 연결되어 제 1 주사선(Sn)을 통해 전달되는 제 1 주사신호(sn)에 의해 스위칭 동작을 하여 데이터선(Dm)을 통해 전달되는 데이터신호를 선택적으로 제 1 노드(A)에 전달한다.

제 3 트랜지스터(M3)는 소스가 제 2 노드(B)에 연결되고 드레인은 제 3 노드(C)에 연결되며 게이트는 제 1 주사선(Sn)에 연결되어 제 1 주사선(Sn)을 통해 전달되는 제 1 주사신호(sn)에 의해 제 2 노드(B)와 제 3 노드(C)의 전위를 동일하게 하여 제 1 트랜지스터(M1)가 다이오드 연결이 되도록 한다.

제 4 트랜지스터(M4)는 소스가 발광소자의 애노드 전극에 연결되고 드레인은 제 3 노드(C)에 연결되며 게이트는 제 2 주사선(Sn-1)에 연결되어 제 2 주사신호(sn-1)에 따라 제 1 내지 제 4 발광소자(OLED1 내지 OLED4)들로 전류가 흐르지 않을 때의 전압을 제 3 노드(C)에 전달한다. 이때 제 2 주사신호(sn-1)에 따라 제 3 노드에 전달되는 전압을 캐패시터(Cst)를 초기화하는 초기화신호로 사용한다.

제 5 트랜지스터(M5)는 소스가 화소전원선(Vdd)에 연결되고 드레인은 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되어 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 화소전원을 제 2 노드(B)에 선택적으로 전달한다.

제 6 트랜지스터(M6)는 소스가 화소전원선(Vdd)에 연결되고 드레인은 제 2 노드(B)에 연결되며 게이트는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되어 제 2 발광제어선(E2n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 화소전원을 제 2 노드(B)에 선택적으로 전달한다.

제 7 트랜지스터(M7)는 소스가 제 1 노드(A)에 연결되고 드레인은 제 1 발광소자(OLED1)에 연결되며 게이트는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되어 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 제 1 노드(A)에 흐르는 전류를 제 1 발광소자(OLED1)로 전달하여 제 1 발광소자(OLED1)가 발광하도록 한다.

제 8 트랜지스터(M8)는 소스가 제 1 노드(A)에 연결되고 드레인은 제 2 발광소자(OLED2)에 연결되며 게이트는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되어 제 2 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 제 1 노드(A)에 흐르는 전류를 제 2 발광소자(OLED2)로 전달하여 제 2 발광소자(OLED2)가 발광하도록 한다.

제 1 스위칭소자(Ma)는 소스는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되고 드레인은 제 1 발광소자(OLED1)에 연결되며 게이트는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되어, 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)가 하이 상태일 때 제 1 스위칭소자(Ma)는 온상태가 되며, 이때, 제 2 발광제어신호(e2n)는 로우상태가 되어 제 1 발광소자(OLED1)의 애노드 전극의 전위가 캐소드 전극의 전위보다 낮게 되어 제 1 발광소자(OLED1)는 역바이어스 상태가 된다.

제 2 스위칭소자(Mb)는 소스는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되고 드레인은 제 2 발광소자(OLED2)에 연결되며 게이트는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되어, 제 2 발광제어선(E2n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)가 하이 상태일 때 제 2 스위칭소자(Mb)는 온상태가 되며, 이때, 제 1 발광제어신호(e1n)는 로우상태가 되어 제 1 발광소자(OLED1)의 애노드 전극의 전위가 캐소드 전극의 전위보다 낮게 되어 제 1 발광소자(OLED1)는 역바이어스 상태가 된다.

제 1 스위칭소자(Ma)는 소스는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되고 드레인은 제 1 발광소자(OLED1)에 연결되고 게이트는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되며, 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 제 2 발광제어선(E2n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)를 제 1 발광소자(OLED1)에 전달한다. 이때, 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)가 하이 상태일 때 제 1 스위칭소자(Ma)는 온상태가 되며, 제 2 발광제어신호(e2n)는 로우상태가 되어 제 1 발광소자(OLED1)의 애노드 전극의 전위가 캐소드 전극의 전위보다 낮게 되어 제 1 발광소자(OLED1)는 역바이어스 상태가 된다.

제 2 스위칭소자(Mb)는 소스는 제 1 발광제어선(E1n)에 연결되고 드레인은 제 2 발광소자(OLED2)에 연결되고 게이트는 제 2 발광제어선(E2n)에 연결되며, 제 2 발광제어선(E2n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 제 1 발광제어신호(e1n)를 제 2 발광소자(OLED2)에 전달한다. 이때, 제 2 발광제어선(E2n)을 통해 전달되는 제 2 발광제어신호(e2n)가 하이 상태일 때 제 2 스위칭소자(Mb)는 온상태가 되며, 제 1 발광제어신호(e1n)는 로우상태가 되어 제 2 발광소자(OLED2)의 애노드 전극의 전위가 캐소드 전극의 전위보다 낮게 되어 제 2 발광소자(OLED2)는 역바이어스 상태가 된다.

제 7 및 제 8 트랜지스터(M7 및 M8)는 P 모스 형태의 트랜지스터로 구현되고, 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma 및 Mb)는 N 모스 형태의 트랜지스터로 구현되어 제 1 발광제어신호에 의해 제 7 트랜지스터와 제 1 스위칭소자(Ma)는 서로 다른 시간에 온상태 또는 오프상태가 되며, 제 2 발광제어신호에 의해 제 8 트랜지스터(M8)와 제 1 스위칭소자(Ma) 역시 서로 다른 시간에 온 상태 또는 오프 상태가 된다.

캐패시터(Cst)는 제 1 전극은 화소전원선(Vdd)에 연결되고 제 2 전극은 제 3 노드(C)에 연결되어 제 4 트랜지스터(M4)를 통해 제 3 노드(C)에 전달되는 초기화신호에 의해 캐패시터(Cst)가 초기화가 되며, 데이터신호에 대응되는 전압을 저장하여 제 3 노드(C)에 전달하여 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전압을 일정기간 동안 유지시킨다.

도 11은 도 9 및 도 10에 도시된 화소의 동작을 나타내는 파형도이다. 도 11을 참조하여 설명하면, 화소(110)는 제 1 및 제 2 주사신호(sn, sn-1)와 제 1 및 제 2 발광제어신호(e1n,e2n)를 입력받아 동작한다.

먼저 제 2 주사신호(sn-1)에 의해 제 4 트랜지스터(M4)가 온상태가 되며, 제 4 트랜지스터(M4)를 통해 초기화신호가 캐패시터(Cst)에 전달되어 캐패시터(Cst)가 초기화된다.

그리고, 제 1 주사신호(sn)에 의해 제 2 트랜지스터(M2)와 제 3 트랜지스터(M3)가 온상태가 되어 제 2 노드(B)와 제 3 노드(C)의 전위가 동일해져 제 1 트랜지스터(M1)가 다이오드 연결되며, 제 2 트랜지스터(M2)를 통해 데이터신호가 제 2 노드(B)에 전달된다. 따라서, 데이터신호는 제 2 트랜지스터(M2)와 제 1 트랜지스터(M1)와 제 3 트랜지스터(M3)를 거쳐 캐패시터(Cst)의 제 2 전극에 전달되어, 캐패시터(Cst)에는 데이터 신호와 문턱전압의 차이에 해당하는 전압이 캐패시터(Cst)의 제 2 전극에 전달된다.

그리고, 제 1 주사신호(sn)가 다시 하이 상태로 전환된 후 제 1 발광제어신호(e1n)가 로우상태로 전환되어 일정기간 동안 로우상태를 지속하게 되면, 제 1 발광제어신호(e1n)에 의해 제 5 트랜지스터(M5)와 제 7 트랜지스터(M7)이 온상태가 되어 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이에는 상기의 수학식 1에 해당하는 전압이 인가된다.

따라서, 제 1 노드(A)로 전류가 상기의 수학식 2에 해당하는 전류가 흐르게 되며, 제 1 노드(A) 흐르는 전류는 제 1 트랜지스터(M1)의 문턱전압과 관계 없이 흐르게 된다.

이때, 제 2 발광제어신호(e2n)는 하이상태의 신호이므로, 제 1 스위칭소자 (Ma)는 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 오프상태를 유지하게 되어 제 1 스위칭소자(Ma)는 오프상태가 된다. 따라서, 제 1 발광소자(OLED1)로 흐르는 전류는 제 2 발광제어신호의 영향을 받지 않게 된다.

반면에 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 제 2 스위칭소자(Mb)는 온상태가 되며 이때 제 2 스위칭소자(Mb)의 소스에 연결되어 있는 제 1 발광제어선(E1n)을 통해 전달되는 신호는 로우신호이므로, 로우신호가 제 2 발광소자(OLED2)의 애노드 전극에 전달되어 제 2 발광소자(OLED2)는 역바이어스 상태가 된다.

그런후에, 다시 제 1 및 제 2 주사신호(sn 및 sn-1)와 데이터신호에 의해 캐패시터(Cst)에 화소전원과 데이터신호의 차이에 해당하는 전압값이 저장되고 상기 수학식 1에 해당하는 전압이 제 1 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이에 전달되며, 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 제 6 트랜지스터(M6)와 제 8 트랜지스터(M8)가 온상태가 되며 상기 수학식 2 에 해당하는 전류가 제 2 발광소자(OLED2)로 흐르게 된다.

이때, 제 1 발광제어신호(e1n)는 하이상태의 신호이고, 제 2 발광제어신호(e2n)는 로우상태의 신호이므로, 제 7 트랜지스터(M7)는 오프상태가 되고 제 8 트랜지스터(M8)는 온상태가 되어 전류는 제 8 트랜지스터(M8)를 통해 제 2 발광소자(OLED2)로 흐르게 된다. 그리고, 제 1 발광제어신호(e1n)에 제 1 스위칭소자(Ma)가 온상태를 유지하게 되어 제 1 스위칭소자(Ma)의 소스에 연결되어 있는 제 2 발광제어신호(e2n)가 제 1 발광소자(OLED1)로 흐르게 되어 제 1 발광소자는 역바이어스 상태가 된다. 반면에, 제 2 스위칭소자(Mb)는 오프상태가 되어 제 2 발광소자 (OLED2)로 흐르는 전류는 제 1 발광제어신호(e1n)의 영향을 받지 않게 된다.

여기서 도 9 및 도 10에 도시되어 있는 화소는 제 1 내지 제 8 트랜지스터(M1 내지 M8)는 P 모스 형태의 트랜지스터로 구현되고 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma 및 Mb)는 N 모스 형태의 트랜지스터로 구현되어 있지만, 제 1 내지 제 8 트랜지스터(M1 내지 M8)는 N 모스 형태의 트랜지스터로 구현되고 제 1 및 제 2 스위칭소자(Ma 및 Mb)는 P 모스 형태의 트랜지스터로 구현되면 도 12에 도시되어 있는 파형이 입력되어 동작하게 된다.

본 발명의 바람직한 실시예가 특정 용어들을 사용하여 기술되어 왔지만, 그러한 기술은 단지 설명을 하기 위한 것이며, 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고 여러 가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것으로 이해되어져야 한다.

본 발명에 따른 화소회로 및 발광 표시장치에 의하면, 발광소자가 발광하지 않는 구간에서 간단하게 역바이어스를 인가하여 발광소자의 특성을 향상시키며, 또한, 하나의 화소회로에 복수의 발광소자를 연결하여 발광표시장치의 소자수를 줄여 발광 표시장치의 개구율을 높일 수 있다.

Claims (17)

  1. 제 1 및 제 2 발광소자;
    상기 복수의 발광소자와 공통 연결되며, 상기 제 1 및 제 2 발광소자를 구동하기 위한 구동회로;
    상기 제 1 및 제 2 발광소자와 상기 구동회로 사이에 연결되며, 제 1 및 제 2 발광제어신호를 이용하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자의 구동을 순차제어하기 위한 스위칭회로; 및
    상기 제 1 및 제 2 발광제어신호를 상기 제 1 및 제 2 발광소자에 전달하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자에 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스회로를 포함하며,
    상기 구동회로는,
    게이트에 인가되는 제 1 전압에 대응하여 상기 제 1 전원을 전달받아 상기 2 개의 발광소자에 구동전류를 선택적으로 공급하는 제 1 트랜지스터;
    제 1 주사신호에 의해 데이터 신호를 선택적으로 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 전극에 전달하는 제 2 트랜지스터;
    상기 제 1 상기 주사신호에 의해 선택적으로 상기 제 1 트랜지스터를 다이오드 연결 시키는 제 3 트랜지스터;
    상기 제 1 트랜지스터의 제 1 전극에 데이터 전압이 인가되는 동안, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트에 인가된 전압을 저장하며 상기 발광소자의 발광기간 동안 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 상기 저장된 전압이 유지되도록 하는 캐패시터;
    제 2 주사신호에 의해 선택적으로 상기 캐패시터에 초기화전압을 전달하는 제 4 트랜지스터;
    상기 제 1 발광제어신호에 의해 상기 제 1 전원을 상기 제 1 트랜지스터에 선택적으로 전달하는 제 5 트랜지스터; 및
    상기 제 2 발광제어신호에 의해 상기 제 1 전원을 상기 제 1 트랜지스터에 선택적으로 전달하는 제 6 트랜지스터를 포함하는 화소.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 역바이어스 인가회로는,
    상기 제 1 발광제어신호에 따라 선택적으로 상기 제 2 발광제어신호를 상기 제 1 발광소자에 전달하는 제 1 스위칭소자; 및
    상기 제 2 발광제어신호에 따라 선택적으로 상기 제 1 발광제어신호를 상기 제 2 발광소자에 전달하는 제 2 스위칭소자를 포함하는 화소.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 주사신호는 복수의 주사신호 중 상기 제 1 주사신호 보다 먼저 생성된 주사신호인 화소.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 초기화전압은 상기 제 2 주사신호인 화소.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 초기화전압은 상기 제 1 및 제 2 발광소자가 오프상태인 상태일 때 상기 발광소자에 인가되어 있는 전압인 화소.
  6. 제 1 및 제 2 발광소자;
    상기 복수의 발광소자와 공통 연결되며, 상기 제 1 및 제 2 발광소자를 구동하기 위한 구동회로;
    상기 제 1 및 제 2 발광소자와 상기 구동회로 사이에 연결되며, 제 1 및 제 2 발광제어신호를 이용하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자의 구동을 순차제어하기 위한 스위칭회로; 및
    역바이어스 전압을 전달하는 역바이어스 선에 연결되어 상기 역바이어스 전압을 상기 제 1 및 제 2 발광제어신호를 통해 선택적으로 상기 제 1 및 제 2 발광 소자에 전달하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자에 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스회로를 포함하며,
    상기 구동회로는,
    게이트에 인가되는 제 1 전압에 대응하여 상기 제 1 전원을 전달받아 상기 2 개의 발광소자에 구동전류를 선택적으로 공급하는 제 1 트랜지스터;
    제 1 주사신호에 의해 데이터 신호를 선택적으로 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 전극에 전달하는 제 2 트랜지스터;
    상기 제 1 상기 주사신호에 의해 선택적으로 상기 제 1 트랜지스터를 다이오드 연결 시키는 제 3 트랜지스터;
    상기 제 1 트랜지스터의 제 1 전극에 데이터 전압이 인가되는 동안, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트에 인가된 전압을 저장하며 상기 발광소자의 발광기간 동안 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 상기 저장된 전압이 유지되도록 하는 캐패시터;
    제 2 주사신호에 의해 선택적으로 상기 캐패시터에 초기화전압을 전달하는 제 4 트랜지스터;
    상기 제 1 발광제어신호에 의해 상기 제 1 전원을 상기 제 1 트랜지스터에 선택적으로 전달하는 제 5 트랜지스터; 및
    상기 제 2 발광제어신호에 의해 상기 제 1 전원을 상기 제 1 트랜지스터에 선택적으로 전달하는 제 6 트랜지스터를 포함하는 화소.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 역바이어스 인가회로는,
    상기 제 1 발광제어신호에 따라 선택적으로 상기 역바이어스 전압을 상기 제 1 발광소자에 전달하는 제 1 스위칭소자; 및
    상기 제 2 발광제어신호에 따라 선택적으로 상기 역바이어스 전압을 상기 제 2 발광소자에 전달하는 제 2 스위칭소자를 포함하는 화소.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 주사신호는 복수의 주사신호 중 상기 제 1 주사신호 보다 먼저 생성된 주사신호인 화소.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 초기화전압은 상기 제 2 주사신호인 화소.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 초기화전압은 발광소자가 오프상태인 상태일 때 상기 발광소자에 인가 되어 있는 전압인 화소.
  11. 제 1 및 제 2 발광소자;
    상기 복수의 발광소자와 공통 연결되며, 상기 제 1 및 제 2 발광소자를 구동하기 위한 구동회로;
    상기 제 1 및 제 2 발광소자와 상기 구동회로 사이에 연결되며, 제 1 및 제 2 발광제어신호를 이용하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자의 구동을 순차제어하기 위한 스위칭회로; 및
    역바이어스 전압을 전달하는 역바이어스 선과 역전압제어신호를 전달하는 역바이어스제어선에 연결되어 상기 역바이어스 전압를 상기 역전압 제어신호에 의해 선택적으로 상기 제 1 및 제 2 발광소자에 전달하여 상기 제 1 및 제 2 발광소자에 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스회로를 포함하며,
    상기 구동회로는,
    게이트에 인가되는 제 1 전압에 대응하여 상기 제 1 전원을 전달받아 상기 2 개의 발광소자에 구동전류를 선택적으로 공급하는 제 1 트랜지스터;
    제 1 주사신호에 의해 데이터 신호를 선택적으로 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 전극에 전달하는 제 2 트랜지스터;
    상기 제 1 상기 주사신호에 의해 선택적으로 상기 제 1 트랜지스터를 다이오드 연결 시키는 제 3 트랜지스터;
    상기 제 1 트랜지스터의 제 1 전극에 데이터 전압이 인가되는 동안, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트에 인가된 전압을 저장하며 상기 발광소자의 발광기간 동안 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 상기 저장된 전압이 유지되도록 하는 캐패시터;
    제 2 주사신호에 의해 선택적으로 상기 캐패시터에 초기화전압을 전달하는 제 4 트랜지스터;
    상기 제 1 발광제어신호에 의해 상기 제 1 전원을 상기 제 1 트랜지스터에 선택적으로 전달하는 제 5 트랜지스터; 및
    상기 제 2 발광제어신호에 의해 상기 제 1 전원을 상기 제 1 트랜지스터에 선택적으로 전달하는 제 6 트랜지스터를 포함하는 화소.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 역바이어스 인가회로는,
    상기 역전압제어신호에 따라 선택적으로 상기 역바이어스 전압을 상기 제 1 발광소자에 전달하는 제 1 스위칭소자; 및
    상기 역전압제어신호에 따라 선택적으로 상기 역바이어스 전압을 상기 제 2 발광소자에 전달하는 제 2 스위칭소자를 포함하는 화소.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 역전압 제어신호는 상기 제 1 주사신호와 상기 제 2 주사신호가 온신호일 때 상기 역전압제어신호도 온신호인 화소.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 주사신호는 복수의 주사신호 중 상기 제 1 주사신호 보다 먼저 생성된 주사신호인 화소.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 초기화전압은 상기 제 2 주사신호인 화소.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 초기화전압은 상기 발광소자가 오프상태인 상태일 때 상기 발광소자에 인가되어 있는 전압인 화소.
  17. 복수의 화소를 포함하여 화상을 표시하는 화상표시부;
    상기 화상표시부에 주사신호 및 발광제어신호를 전달하는 주사구동부; 및
    상기 화상표시부에 데이터신호를 전달하는 데이터구동부를 포함하며,
    상기 화소는 제 1 내지 제 16 항의 화소 중 어느 한 항에 의한 화소인 발광 표시장치.
KR20040095983A 2004-11-22 2004-11-22 화소 및 발광 표시장치 KR100688802B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20040095983A KR100688802B1 (ko) 2004-11-22 2004-11-22 화소 및 발광 표시장치

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20040095983A KR100688802B1 (ko) 2004-11-22 2004-11-22 화소 및 발광 표시장치
JP2005306198A JP4680744B2 (ja) 2004-11-22 2005-10-20 画素及び発光表示装置
US11/274,042 US7557784B2 (en) 2004-11-22 2005-11-14 OLED pixel circuit and light emitting display using the same
CNB2005101268297A CN100481183C (zh) 2004-11-22 2005-11-22 像素和发光显示器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060056790A KR20060056790A (ko) 2006-05-25
KR100688802B1 true KR100688802B1 (ko) 2007-03-02

Family

ID=36583193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20040095983A KR100688802B1 (ko) 2004-11-22 2004-11-22 화소 및 발광 표시장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7557784B2 (ko)
JP (1) JP4680744B2 (ko)
KR (1) KR100688802B1 (ko)
CN (1) CN100481183C (ko)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101112555B1 (ko) * 2005-05-04 2012-03-13 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
JP4211800B2 (ja) * 2006-04-19 2009-01-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
JP4786437B2 (ja) * 2006-06-29 2011-10-05 京セラ株式会社 画像表示装置の駆動方法
KR100833753B1 (ko) * 2006-12-21 2008-05-30 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 구동방법
KR100865396B1 (ko) * 2007-03-02 2008-10-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR100873705B1 (ko) * 2007-06-22 2008-12-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100882674B1 (ko) * 2007-08-08 2009-02-06 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 구동방법
JP4816686B2 (ja) * 2008-06-06 2011-11-16 ソニー株式会社 走査駆動回路
US8786526B2 (en) 2009-07-28 2014-07-22 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, display device, and organic EL display device
KR101030003B1 (ko) 2009-10-07 2011-04-21 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 회로, 유기 전계 발광 표시 장치, 및 그 구동 방법
KR101113430B1 (ko) * 2009-12-10 2012-03-02 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치
JP2012109137A (ja) * 2010-11-18 2012-06-07 Canon Inc 有機el表示装置
KR101875127B1 (ko) * 2011-06-10 2018-07-09 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR101918270B1 (ko) * 2012-06-28 2019-01-30 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로, 유기 발광 표시 장치 및 화소 회로의 구동 방법
KR101360767B1 (ko) * 2012-08-17 2014-02-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시장치 및 그 구동 방법
CN103135846B (zh) * 2012-12-18 2016-03-30 北京京东方光电科技有限公司 触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置
CN103325340B (zh) 2013-06-25 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、像素电路驱动方法及显示装置
KR20150009732A (ko) * 2013-07-17 2015-01-27 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 구동방법
CN103366682B (zh) * 2013-07-25 2015-06-17 京东方科技集团股份有限公司 一种交流驱动oled电路、驱动方法及显示装置
CN103531149B (zh) * 2013-10-31 2015-07-15 京东方科技集团股份有限公司 一种交流驱动的像素电路、驱动方法及显示装置
KR20150141285A (ko) * 2014-06-09 2015-12-18 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20160053050A (ko) * 2014-10-30 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 유기발광표시장치
CN104732926B (zh) * 2015-04-03 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、有机电致发光显示面板及显示装置
TWI647680B (zh) * 2015-04-21 2019-01-11 友達光電股份有限公司 畫素結構及其驅動方法
CN106297645A (zh) * 2015-05-15 2017-01-04 上海和辉光电有限公司 像素驱动电路和显示装置
CN106782328A (zh) * 2015-11-20 2017-05-31 上海和辉光电有限公司 一种像素电路
CN107180610A (zh) * 2016-03-11 2017-09-19 上海和辉光电有限公司 显示面板及其阵列基板
CN105679236B (zh) 2016-04-06 2018-11-30 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、阵列基板、显示面板和显示装置
CN105895028B (zh) * 2016-06-30 2018-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及驱动方法和显示设备
US10276105B2 (en) 2017-06-07 2019-04-30 Qualcomm Incorporated Reversible bias organic light-emitting diode (OLED) drive circuit without initialization voltage
CN108922476A (zh) * 2018-06-21 2018-11-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled像素驱动电路及oled显示器

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5822026A (en) * 1994-02-17 1998-10-13 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate and color liquid crystal display
US6140985A (en) 1995-06-05 2000-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus
US5748160A (en) 1995-08-21 1998-05-05 Mororola, Inc. Active driven LED matrices
US6618031B1 (en) * 1999-02-26 2003-09-09 Three-Five Systems, Inc. Method and apparatus for independent control of brightness and color balance in display and illumination systems
JP4092857B2 (ja) * 1999-06-17 2008-05-28 ソニー株式会社 画像表示装置
JP4776792B2 (ja) 2000-02-28 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電気器具
CN100481185C (zh) * 2000-07-07 2009-04-22 精工爱普生株式会社 驱动电流驱动元件的驱动电路及其方法
JP4152603B2 (ja) 2000-04-27 2008-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4925528B2 (ja) 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
JP3548844B2 (ja) 2000-10-16 2004-07-28 三星エスディアイ株式会社 カラー有機elディスプレイの駆動方法
JP3620490B2 (ja) * 2000-11-22 2005-02-16 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
KR100370286B1 (ko) * 2000-12-29 2003-01-29 삼성에스디아이 주식회사 전압구동 유기발광소자의 픽셀회로
JP3593982B2 (ja) 2001-01-15 2004-11-24 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法
JP2003043999A (ja) 2001-08-03 2003-02-14 Toshiba Corp 表示画素回路および自己発光型表示装置
KR100767377B1 (ko) * 2001-09-28 2007-10-17 삼성전자주식회사 유기 이.엘 디스플레이 패널과 이를 구비하는 유기 이.엘디스플레이 장치
JP4380954B2 (ja) 2001-09-28 2009-12-09 三洋電機株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP2003122306A (ja) * 2001-10-10 2003-04-25 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US7483001B2 (en) * 2001-11-21 2009-01-27 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device
JP3983037B2 (ja) * 2001-11-22 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
GB0130411D0 (en) 2001-12-20 2002-02-06 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display device
JP2003216100A (ja) * 2002-01-21 2003-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd El表示パネルとel表示装置およびその駆動方法および表示装置の検査方法とel表示装置のドライバ回路
KR100892945B1 (ko) 2002-02-22 2009-04-09 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100460281B1 (ko) * 2002-03-08 2004-12-04 박병주 액티브 매트릭스형 유기 발광 표시 장치
KR20030086166A (ko) 2002-05-03 2003-11-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100446631B1 (ko) * 2002-08-24 2004-09-04 삼성전자주식회사 델타 구조 디스플레이에서의 칼라영상의 표현 방법 및 장치
KR100906964B1 (ko) 2002-09-25 2009-07-08 삼성전자주식회사 유기 전계발광 구동 소자와 이를 갖는 유기 전계발광 표시패널
JP2004145300A (ja) * 2002-10-03 2004-05-20 Seiko Epson Corp 電子回路、電子回路の駆動方法、電子装置、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
JP3832415B2 (ja) 2002-10-11 2006-10-11 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
KR101003405B1 (ko) * 2002-11-29 2010-12-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치와 그 구동방법 및 전자기기
JP4307830B2 (ja) * 2002-12-25 2009-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 画像表示装置
JP3993117B2 (ja) * 2003-03-13 2007-10-17 日本放送協会 表示駆動回路および画像表示装置
CN1307605C (zh) 2003-03-13 2007-03-28 友达光电股份有限公司 等离子显示板的驱动方法
KR100560780B1 (ko) * 2003-07-07 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 화소회로 및 그의 구동방법
US7193588B2 (en) * 2003-09-29 2007-03-20 Wintek Corporation Active matrix organic electroluminescence display driving circuit
KR100612392B1 (ko) * 2004-10-13 2006-08-16 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 발광 표시 패널
KR100688801B1 (ko) * 2004-11-22 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 델타 화소회로 및 발광 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN1779767A (zh) 2006-05-31
US7557784B2 (en) 2009-07-07
JP4680744B2 (ja) 2011-05-11
CN100481183C (zh) 2009-04-22
KR20060056790A (ko) 2006-05-25
US20060125737A1 (en) 2006-06-15
JP2006146190A (ja) 2006-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9728134B2 (en) Pixel and organic light emitting diode display having a bypass transistor for passing a portion of a driving current
US9647047B2 (en) Organic light emitting display for initializing pixels
EP2400480B1 (en) Organic light emitting display and driving method thereof
JP4786737B2 (ja) 発光表示装置
JP5612988B2 (ja) 有機電界発光表示装置用画素及びこれを利用した有機電界発光表示装置
US8913090B2 (en) Pixel circuit, organic electro-luminescent display apparatus, and method of driving the same
JP5198374B2 (ja) 信号駆動装置
US8120556B2 (en) Organic light emitting display having longer life span
KR101058108B1 (ko) 화소 회로 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치
US8068073B2 (en) Circuit and method for driving pixel of organic electroluminescent display
JP4197476B2 (ja) 発光表示装置及びその駆動方法並びに画素回路
KR100870004B1 (ko) 유기 전계발광 표시 장치와 그 구동 방법
JP4297438B2 (ja) 発光表示装置,表示パネル,及び発光表示装置の駆動方法
US6919871B2 (en) Light emitting display, display panel, and driving method thereof
KR101194861B1 (ko) 유기발광다이오드 표시소자
US8976166B2 (en) Pixel, display device using the same, and driving method thereof
DE602005003422T2 (de) Pixelschaltung für ein OLED Display mit automatischer Kompensation der Schwellenspannung
KR100606416B1 (ko) 유기전계발광 다이오드의 구동 장치 및 구동방법
JP2015064590A (ja) 発光表示装置及び発光表示装置の駆動方法
US7773056B2 (en) Pixel circuit and light emitting display
US8284136B2 (en) Pixel circuit, organic light emitting display, and driving method thereof
KR100560479B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
US7545352B2 (en) Light emitting display (LED) and display panel and pixel circuit thereof
US7256775B2 (en) Light emitting display
KR100810632B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130205

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160129

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180201

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190129

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200203

Year of fee payment: 14