JP2010231178A - 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】画素電極における走査線の電位変動の影響を抑制する。
【解決手段】電気光学装置用基板は、基板（３０１）上に、互いに交差する複数の走査線（４０）及び複数のデータ線（５０）と、複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素電極（２１）と、複数の画素電極に夫々対応し、対応する画素電極をスイッチング制御する複数の半導体素子（２４）とを備える。基板上で平面的に見て、複数の半導体素子のうち少なくとも一の半導体素子は、一の半導体素子に対応する一の画素電極に隣り合う他の画素電極に少なくとも部分的に重なるように配置されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を備える電気光学装置及び、該電気光学装置を備える電子機器の技術分野に関する。

この種の基板を備える電気光学装置では、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）とを備えることにより、アクティブマトリックス駆動可能に構成されている。ここで、アクティブマトリックス駆動では、走査線に走査信号を供給することで画素スイッチング用のＴＦＴの動作を制御すると共に、該ＴＦＴがＯＮ（オン）駆動されるタイミングでデータ線に画像信号を供給することによって、画像表示が実現される。

例えば特許文献１には、基板上で平面的に見て、画素電極が、該画素電極に電気的に接続されたボトムゲート型ＴＦＴを覆うように配置されている装置が開示されている。

特開２００８−４６５９５号公報

しかしながら、上述の背景技術によれば、画素電極と、ＴＦＴにおける走査線と電気的に接続されているゲート領域との間の寄生容量が大きくなり、画素電極が走査線に供給される電位の変動の影響を大きく受ける可能性があるという技術的問題点がある。

本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、画素電極における走査線の電位変動の影響を抑制することができる電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置用基板は、上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、前記複数の走査線及び前記複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素電極と、前記複数の画素電極に夫々対応し、対応する画素電極をスイッチング制御する複数の半導体素子とを備え、前記基板上で平面的に見て、前記複数の半導体素子のうち少なくとも一の半導体素子は、前記一の半導体素子に対応する一の画素電極に隣り合う他の画素電極に少なくとも部分的に重なるように配置されている。

本発明の電気光学装置用基板によれば、例えばデータ線から画素電極へ画像信号が制御され、所謂アクティブマトリックス方式による画像表示が可能となる。尚、画像信号は、データ線及び画素電極間に電気的に接続された、画素電極をスイッチング制御する半導体素子がオン又はオフされることによって、所定のタイミングでデータ線から半導体素子を介して画素電極に供給される。

画素電極は、例えばアルミニウム、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の導電性材料からなり、複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリックス状に複数設けられている。

複数の半導体素子のうち少なくとも一の半導体素子は、基板上で平面的に見て、該一の半導体素子に対応する一の画素電極に隣り合う他の画素電極に少なくとも部分的に重なるように配置されている。言い換えれば、一の画素電極は、基板上で平面的に見て、該一の画素電極に隣り合う他の画素電極に対応する半導体素子に、少なくとも部分的に重なるように配置されている。

尚、典型的には、一の半導体素子は、基板上で平面的に見て、該一の半導体素子に対応する一の画素電極には重ならないように配置されている。

本願発明者の研究によれば、一の半導体素子が、基板上で平面的に見て、該一の半導体素子に対応する一の画素電極に重なるように配置されている場合、一の画素電極と、一の半導体素子における走査線と電気的に接続されているゲート領域との間の寄生容量が大きくなり、一の画素電極が走査線に供給される電位の変動の影響を大きく受けるおそれがある。

また、基板上で平面的に見て、一の画素電極が走査線と重なるように配置されている場合、短絡を防止するために、一の画素電極と、該一の画素電極に隣り合う他の画素電極との間に距離を設けなければならない。この場合に、基板上で平面的に見て、一の画素電極と重なるように該一の画素電極に対応する一の半導体素子が配置されると、走査線に電気的に接続される一の半導体素子のゲート電極を、一の画素電極及び他の画素電極間の距離の分だけ延長しなければならず、画素電極の配置効率が低下するおそれがある。加えて、このような基板が、電気光学装置の一例としての透過型の液晶装置に使用される場合、開口率が低下するおそれがあることが判明している。

しかるに本発明では、一の半導体素子が、基板上で平面的に見て、該一の半導体素子に対応する一の画素電極に隣り合う他の画素電極に少なくとも部分的に重なるように配置されている。このため、一の半導体素子のゲート領域と、該一の半導体素子に対応する一の画素電極との間の寄生容量を低減することができる。この結果、一の画素電極における走査線の電位変動の影響を抑制することができる。

加えて、基板上で平面的に見て、一の半導体素子が、他の画素電極に少なくとも部分的に重なるように配置されているので、他の画素電極がシールド層として機能し、一の半導体素子に対するノイズの影響を抑制することができる。更に、他の画素電極を、例えばアルミニウム等の遮光性を有する材料で構成すれば、他の画素電極が遮光層としても機能するので、一の半導体素子における光リーク電流の発生を抑制することができる。

本発明の電気光学装置用基板の一態様では、前記他の画素電極は、前記一の画素電極の前記データ線が延びる方向に隣り合う画素電極である。

この態様によれば、一の画素電極及び他の画素電極の各々が電気的に接続されている走査線が互いに異なる。そして、一の画素電極に電気的に接続されている走査線と、他の画素電極に電気的に接続されている走査線とには、典型的には、相互に異なる機会に走査信号が供給される。このため、一の画素電極における走査線の電位変動の影響をより抑制することができる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記複数の画素電極の各々は、導電性及び遮光性を有する材料を含んでなる。

この態様によれば、一の半導体素子に少なくとも部分的に重なる他の画素電極が遮光層として機能するので、一の半導体素子における光リーク電流の発生を抑制することができ、実用上非常に有利である。

尚、本発明に係る「遮光性を有する材料」の遮光の程度は、極めて高い（例えば、光の透過率ゼロ）ことが望ましいが、一の半導体素子における光リーク電流の発生を大なり小なり抑制できればよい。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記複数の半導体素子の各々は、前記データ線が延びる方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域を有する。

この態様によれば、基板上における一画素に係る面積を低減することができるので、例えば画素密度の向上や、当該電気光学装置用基板を備える電気光学装置の小型化を図ることができる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記複数の画素電極の各々は、光を透過する透過部と、光を遮る遮光部とを有し、前記遮光部は、前記一の半導体素子に少なくとも部分的に重なるように配置されている。

この態様によれば、一の半導体素子は、該一の半導体素子に対応する一の画素電極に隣り合う他の画素電極が有する遮光部に少なくとも部分的に重なる。よって、一の半導体素子における光リーク電流の発生を遮光部によって確実に抑制することができる。

更に、この態様によれば、複数の画素電極の各々は、透過部を有する。透過部は、例えば、画素電極を形成すべき領域のうち遮光部が形成される領域を除く領域に形成される。よって、外部から入射した光（即ち、外光）が画素電極において反射されることを抑制することができる。即ち、仮に、画素電極が例えばアルミニウム等の遮光性を有する材料から形成された場合に生じる、画素電極による外光の反射を抑制することができる。従って、コントラストを向上させることが可能となる。

本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置用基板（但し、その各種態様含む）を備える。

本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の電気光学装置用基板を具備してなるので、複数の画素電極の少なくとも一の画素電極における走査線の電位変動の影響を抑制することができる。

本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備える。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。

また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパー等の電気泳動表示装置、電子放出装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ及びＣｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）、これら電気泳動表示装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。

本発明の実施形態に係る電気泳動表示装置の全体構成を示すブロック図である。 本発明の実施形態に係る隣り合う複数の画素部の平面図である。 図２のＡ−Ａ´線断面図である。 本発明の実施形態の第１変形例に係る隣り合う画素の平面図である。 本発明の実施形態の第２変形例に係る隣り合う複数の画素部の断面図である。 本発明の実施形態の第３変形例に係る隣り合う画素の平面図である。 本発明の実施形態の第３変形例に係る隣り合う複数の画素部の断面図である。 電気泳動表示装置を適用した電子機器の一例としての電子ペーパーの構成を示す斜視図である。 電気泳動表示装置を適用した電子機器の他の例としての電子ノートの構成を示す斜視図である。

以下図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置用基板、及び該電気光学装置用基板を備える電気光学装置、並びに該電気泳動表示装置を備える電子機器の各実施形態を説明する。

＜電気光学装置＞
本発明に係る電気光学装置の実施形態について、図面１乃至図３を参照して説明する。尚、本実施形態では、本発明に係る電気光学装置の一例として電気泳動表示装置を挙げる。また、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

先ず、本実施形態に係る電気泳動表示装置の全体構成について、図１を参照して説明する。ここに、図１は、本実施形態に係る電気泳動表示装置の全体構成を示すブロック図である。

図１において、電気泳動表示装置１は、表示部３と、走査線駆動回路６０と、データ線駆動回路７０と、コントローラー１０と、電源回路２００とを備えている。

表示部３には、ｍ行×ｎ列分の画素２０がマトリックス状（二次元平面的）に配列されている。また、表示部３には、ｍ本の走査線４０（即ち、走査線Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍ）と、ｎ本のデータ線５０（即ち、データ線Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｎ）とが互いに交差するように設けられている。具体的には、ｍ本の走査線４０は、行方向（即ち、Ｘ方向）に延在し、ｎ本のデータ線５０は、列方向（即ち、Ｙ方向）に延在している。ｍ本の走査線４０とｎ本のデータ線５０との交差に対応して画素２０が配置されている。

コントローラー１０は、走査線駆動回路６０、データ線駆動回路７０及び電源回路２００の動作を制御する。

走査線駆動回路６０は、タイミング信号に基づいて、走査線Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍの各々に走査信号をパルス的に順次供給する。データ線駆動回路７０は、タイミング信号に基づいて、データ線Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｎに画像信号を供給する。画像信号は、例えば高電位レベル（以下「ハイレベル」という。例えば５Ｖ）又は低電位レベル（以下「ローレベル」という。例えば０Ｖ）の２値的なレベルをとる。尚、画像信号のパルス幅、振幅、画像信号を供給するフレーム数を変調することにより、階調表示を行うこともできる。

電源回路２００は、共通電位線９３に共通電位を供給する。尚、ここでは図示を省略するが、共通電位線９３は、電気的なスイッチを介して電源回路２００に電気的に接続されている。また、図１において、各画素２０は、説明の便宜上、共通電位線９３に電気的に接続された構成となっているが、共通電位は、典型的には、複数の画素２０に対向する共通電極２２（図３参照）を介して供給される。もちろん、図１のように共通電位線９３を各画素２０に接続させて共通電位を供給してもよい。

次に、電気泳動表示装置１の画素部の具体的な構成について、図２及び図３を参照して説明する。ここに、図２は、本実施形態に係る隣り合う複数の画素部の平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図２及び図３では、説明の便宜上、本発明に直接関係のある部材のみ示している。

図３において、基板３０１上に形成された画素電極２１と基板３０２上に形成された共通電極２２との間に、電気泳動粒子を夫々含んでなる複数のマイクロカプセルから構成された電気泳動素子２３が挟持されている。ここで、電気泳動素子２３は、画素電極２１との間、又は共通電極２２との間に接着剤を介して配置されていてもよく、また、画素電極２１及び共通電極２２の一方又は両方に接して配置されていてもよい。

図２において、走査線４０がＸ方向に延在し、データ線５０が、走査線４０の延在方向に対して交差するＹ方向に延在している。走査線４０及びデータ線５０の交差に対応して、アルミニウムからなる画素電極２１が配置されている。図２に示すように、画素電極２１は、基板３０１（図３参照）上に、マトリックス状に複数設けられている。尚、本実施形態に係る「アルミニウム」は、本発明に係る「導電性及び遮光性を有する材料」の一例である。

図２及び図３において、本発明に係る「半導体素子」の一例としての画素スイッチング用トランジスター２４は、半導体層２４ａ及びゲート電極２４ｇを含んで構成されている。基板３０１上で平面的に見たときの画素スイッチング用トランジスター２４の占有領域は、例えば半導体層２４ａの配置領域と定義することができる。画素スイッチング用トランジスター２４は、走査線４０から走査信号が供給されることで、一定期間だけそのスイッチを閉じる（オン状態となり、ソース・ドレイン間が導通される）。これにより、データ線５０から供給される画像信号が所定のタイミングで、画素２０に書き込まれる（即ち、画素電極２１及び共通電極２２間に画像信号に対応する電圧が印加される）。

半導体層２４ａは、チャネル領域２４ｃ、ソース領域２４ｓ及びドレイン領域２４ｄからなる。ソース領域２４ｓは、データ線５０に電気的に接続されており、ドレイン領域２４ｄは、後述する蓄積容量７０の上側電極７２に電気的に接続されている。図２及び図３に示すように、ゲート電極２４ｇは、走査線４０の一部として形成されている。尚、図２に矢印ｃ１で示すように、画素スイッチング用トランジスター２４のチャネル領域２４ｃのチャネル長は、走査線４０が延びる方向に沿っている。

図３に示すように、半導体層２４ａとゲート電極２４ｇとの間には、例えば窒化珪素（ＳｉＮ）等からなる絶縁膜４１が設けられている。また、半導体層２４ａ、データ線５０及び上側電極７１上には、例えば窒化珪素等からなる保護膜４２が設けられている。

各画素２０には、画素電極２１及び共通電極２２間に保持された画像信号に対応する電圧がリークすることを防ぐために、画素電極２１及び共通電極２２間に形成される容量と電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、上側電極７２、下側電極７１及び絶縁膜４１からなる。

画素電極２１は、保護膜４２及び層間絶縁膜４３に形成されたコンタクトホール８１を介して上側電極７２に電気的に接続されている。尚、図３において、基板３０１から画素電極２１までの部分が、本発明に係る「電気光学装置用基板」の一例を構成している。

本実施形態では特に、図２に示すように、一の画素スイッチング用トランジスター２４は、基板３０１上で平面的に見て、該一の画素スイッチング用トランジスター２４に対応する一の画素電極２１のデータ線５０が延びる方向に隣り合う他の画素電極２１に重なるように配置されている。言い換えれば、一の画素電極２１は、基板３０１上で平面的に見て、該一の画素電極２１のデータ線５０が延びる方向に隣り合う他の画素電極２１に対応する画素スイッチング用トランジスター２４に重なるように配置されている。

このため、一の画素スイッチング用トランジスター２４のゲート領域と、該一の画素スイッチング用トランジスター２４に対応する一の画素電極２１との間の寄生容量を低減することができる。この結果、一の画素電極２１における走査線４０の電位変動の影響を抑制することができる。

加えて、基板３０１上で平面的に見て、一の画素スイッチング用トランジスター２４が、他の画素電極２１に重なるように配置されているので、他の画素電極２１がシールド層として機能し、一の画素スイッチング用トランジスター２４に対するノイズの影響を抑制することができる。

更に、画素電極２１の各々は、アルミニウムからなるので、他の画素電極２１が遮光層として機能し、一の画素スイッチング用トランジスター２４における光リーク電流の発生を抑制することができる。また、基板３０１と対向して配置された基板３０２側に遮光材が不要となる。このため、例えば電気泳動表示装置等の基板間の距離が比較的大きい装置で特に有効である。ここで、画素スイッチング用トランジスター２４は、画素電極２１によって遮光できるため、ブラックマトリクス（ＢＭ）等の遮光材を設けなくても外光による光リークを抑制できる。その結果、光リークによる画素電極２１の電位の変動を殆ど或いは実践上完全に無くすことができ、好適な表示が可能となる。電気泳動表示装置では、液晶装置で発生するような、画素電極間からバックライト光が漏れることによるコントラストの低下は発生しない。また、電気泳動表示装置では、画素電極間領域においても、斜め電界によって電気泳動粒子が駆動されるため、画素電極間領域も有効に表示に寄与する。このため、基板３０２（図３参照）側には、例えばブラックマトリクス等の遮光材が無いほうが、白の輝度を高めることができる点で好ましい。従って、本実施形態に係る電気泳動表示装置１によれば、例えばブラックマトリクス等の遮光材を設けることなく、画素スイッチング用トランジスター２４における光リーク電流の発生を抑制することができるので、コントラストを高める観点からも有利である。

尚、一の画素電極２１は、該一の画素電極２１よりも前に駆動され、且つ該一の画素電極２１に隣り合う他の画素電極２１に対応する画素スイッチング用トランジスター２４に重なるように配置されることが望ましい。すなわち、一の画素電極２１は、前段の走査線４０に電気的に接続された画素スイッチング用トランジスター２４に重なるように配置されていることが望ましい。ここで、前段の走査線４０とは、当該一の画素電極２１に対応する走査線４０よりも前に選択され（即ち、走査信号が供給され）、かつ当該走査線４０に隣り合う走査線４０をいう。このような構成によれば、画素電極２１が遮蔽している（即ち、重なっている）前段の走査線４０の電位はオフレベルで一定であるため、遮蔽している走査線４０の影響による画素電極２１の電位の変動がなく好適である。

また、表示部３の端部には、基板３０１上で平面的に見て、該端部に配置された画素スイッチング用トランジスター２４に重なるように、例えばダミー電極２１ｄ等が設けられていることが望ましい。

＜第１変形例＞
次に、本実施形態に係る電気泳動表示装置１の第１変形例について、図４を参照して説明する。ここに、図４は、図２と同趣旨の、本実施形態の第１変形例に係る隣り合う画素の平面図である。

本変形例では、図４に矢印ｃ２で示すように、画素スイッチング用トランジスター２４のチャネル領域２４ｃのチャネル長は、データ線５０が延びる方向に沿っている。このように構成すれば、基板３０１上における一画素に係る面積を低減することができるので、例えば画素密度の向上や、電気泳動表示装置１の小型化を図ることができる。

＜第２変形例＞
次に、本実施形態に係る電気泳動表示装置１の第２変形例について、図５を参照して説明する。ここに、図５は、図３と同趣旨の、本実施形態の第２変形例に係る隣り合う複数の画素部の断面図である。

図５において、本変形例では、基板３０２側に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色の着色層を有するカラーフィルタ基板５００が設けられている。ここで、カラーフィルタ基板５００には、例えばブラックマトリクス等の遮光材が設けられておらず、赤、緑及び青の３色の着色層は互いに隣接している。本変形例のような、基板３０２側にブラックマトリクス等の遮光材を設けない構成であっても、画素スイッチング用トランジスター２４は、画素電極２１によって遮光できるため、外光による光リークを抑制できる。その結果、光リークによる画素電極２１の電位の変動を殆ど或いは実践上完全に無くすことができ、好適な表示が可能となる。

＜第３変形例＞
次に、本実施形態に係る電気泳動表示装置１の第３変形例について、図６及び図７を参照して説明する。ここに、図６は、図４と同趣旨の、本実施形態の第３変形例に係る隣り合う画素の平面図である。図７は、図３と同趣旨の、本実施形態の第３変形例に係る隣り合う画素部の断面図である。

図６及び図７において、本変形例では、画素電極２１は、遮光電極層２１ｂ及び透過電極層２１ａがこの順に下層側から積層されてなる。透過電極層２１ａは、例えばＩＴＯ等の光透過性材料から形成され、遮光電極層２１ｂは、例えばアルミニウム等の遮光性材料から形成されている。遮光電極層２１ｂは、画素スイッチング用トランジスター２４に重なるように配置されている。尚、遮光電極層２１ｂは、アルミニウムのほか、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の遮光性金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものから構成されていてもよい。

ここで、遮光電極層２１ｂは、基板３０１上で平面的に見て、透過電極層２１ａの一部に重なるように配置されており、画素電極２１は、その一部分（即ち、透過電極層２１ａのうち遮光電極層２１ｂに重ならない部分）において光を透過することが可能に構成されている。言い換えれば、画素電極２１は、光を透過可能な透過領域Ｒｔ（図６参照）を有しており、透過領域Ｒｔには、透過電極層２１ａ及び遮光電極層２１ｂのうち透過電極層２１ａのみが形成され、遮光電極層２１ｂは形成されていない。よって、外部から入射した外光が画素電極２１によって反射されることを抑制することができる。従って、例えば黒を表示する際に、黒の輝度を低く抑えることができ、コントラストを向上させることが可能となる。

即ち、仮に、画素電極２１を全て例えばアルミニウム等の遮光性材料から形成した場合には、画素電極２１によって外光が反射されることにより、例えば黒を表示する際に、輝度を低下させることが困難となり、コントラストが低下してしまうおそれがある。しかるに、本変形例によれば、上述したように、画素電極２１は、その一部（即ち、透過領域Ｒｔ）において光を透過することが可能に構成されているので、コントラストを向上させることができる。

このような本変形例は、例えば、マイクロカプセル間に隙間があって電気泳動素子２３の透過率が高い場合（即ち、外光が電気泳動素子２３を透過しやすい場合）に特に有効である。尚、画素電極２１のうち基板３０１上で平面的に見て透過電極層２１ａ及び遮光電極層２１ｂが重なる部分（言い換えれば、画素電極２１のうち遮光性を有する領域）が、本発明に係る「遮光部」の一例を構成し、画素電極２１のうち基板３０１上で平面的に見て透過電極層２１ａ及び遮光電極層２１ｂが重なっていない部分（即ち、透過領域Ｒｔ、言い換えれば、画素電極２１のうち光透過性を有する領域）が、本発明に係る「透過部」の一例を構成する。また、画素電極２１において、遮光性を有する領域の面積が、光透過性を有する領域の面積よりも小さいことが好ましい。この場合には、上述したコントラストを向上させる効果をより一層確実に得ることができる。

尚、図７に示すように、本変形例では、上述した第２変形例と同様に、基板３０２側に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色の着色層を有するカラーフィルタ基板５００が設けられている。また、図６において、画素２０の縦横比（即ち、Ｙ方向に沿った長さとＸ方向に沿った長さとの比）は、カラーフィルタ基板５００が３色の着色層を有しているのに対応して、３：１となっている。

＜電子機器＞
次に、上述した電気泳動表示装置１を適用した電子機器について、図８及び図９を参照して説明する。以下では、上述した電気泳動表示装置１を電子ペーパー及び電子ノートに適用した場合を例に挙げる。

図８は、電子ペーパー１４００の構成を示す斜視図である。

図８に示すように、電子ペーパー１４００は、上述した実施形態に係る電気泳動表示装置を表示部１４０１として備えている。電子ペーパー１４００は可撓性を有し、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体１４０２を備えて構成されている。

図９は、電子ノート１５００の構成を示す斜視図である。

図９に示すように、電子ノート１５００は、図８で示した電子ペーパー１４００が複数枚束ねられ、カバー１５０１に挟まれているものである。カバー１５０１は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力するための表示データ入力手段（図示省略）を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容の変更や更新を行うことができる。

上述した電子ペーパー１４００及び電子ノート１５００は、上述した実施形態に係る電気泳動表示装置を備えるので、駆動制御回路を共有可能としつつ、高品質な画像表示を行うことが可能である。

尚、これらの他に、腕時計、携帯電話、携帯用オーディオ機器などの電子機器の表示部に、上述した本実施形態に係る電気泳動表示装置を適用することができる。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

１…電気泳動表示装置、３…表示部、１０…コントローラー、２０…画素、２１…画素電極、２２…共通電極、２３…電気泳動素子、２４…画素スイッチング用トランジスター

Claims (7)

1. 基板上に、
   互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、
   前記複数の走査線及び前記複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極に夫々対応し、対応する画素電極をスイッチング制御する複数の半導体素子と
   を備え、
   前記基板上で平面的に見て、前記複数の半導体素子のうち少なくとも一の半導体素子は、前記一の半導体素子に対応する一の画素電極に隣り合う他の画素電極に少なくとも部分的に重なるように配置されている
   ことを特徴とする電気光学装置用基板。
2. 前記他の画素電極は、前記一の画素電極の前記データ線が延びる方向に隣り合う画素電極であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
3. 前記複数の画素電極の各々は、導電性及び遮光性を有する材料を含んでなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板。
4. 前記複数の半導体素子の各々は、前記データ線が延びる方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
5. 前記複数の画素電極の各々は、光を透過する透過部と、光を遮る遮光部とを有し、
   前記遮光部は、前記一の半導体素子に少なくとも部分的に重なるように配置されている
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。