JP2010117399A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)と、相交差するデータ線(6)及び走査線(11)と、該交差に設けられた画素電極(9)と、(i)一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域(1a´)を有する半導体膜と、(ii)ゲート電極(3a)とを含むトランジスタ(30)と、ゲート電極上に配置された遮光部(11b)と、画素電極の下層側に形成された下部容量電極(72)とを備える。第1及び第2絶縁膜には、遮光部とゲート電極とを接続する第1部分と、他の方向に沿って延在し、半導体膜の脇で遮光部と走査線とを電気的に接続する第2部分とを有するコンタクトホール(801)が形成され、画素電極及び下部容量電極は、保持容量(70)を形成している。
【選択図】図5
Description
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここに図1は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図であり、図2は、図1のH−H´線断面図である。
<電子機器>
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図9は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
Claims (9)
- 基板と、
該基板上の表示領域で互いに交差するデータ線及び走査線と、
前記データ線及び前記走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、
(i)前記走査線より第1絶縁膜を介して上層側に配置されており、前記表示領域における一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域、及び前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域を有する半導体膜と、(ii)該半導体膜より上層側に形成されており、前記基板上で平面的に見て、前記チャネル領域に重なるように配置されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、
前記ゲート電極より第2絶縁膜を介して上層側に配置されると共に、前記ゲート電極に電気的に接続された導電性の遮光部と、
前記画素電極より容量絶縁膜を介して下層側に形成された下部容量電極と、
前記第1及び第2絶縁膜に、前記遮光部及び前記ゲート電極間を電気的に接続する第1部分、並びに該第1部分から前記一の方向に交わる他の方向に沿って延在し、前記半導体膜の脇で前記遮光部及び前記走査線間を電気的に接続する第2部分を有するコンタクトホールと
を備え、
前記画素電極及び前記下部容量電極は、前記容量絶縁膜を挟持する一対の容量電極として保持容量を形成していることを特徴とする電気光学装置。 - 前記遮光部は、遮光性を有する導電材料により形成されており、前記走査線を第1の走査線とし、該第1の走査線に対して前記他の方向に沿って並走する前記第1の走査線に対して冗長的な第2の走査線として形成されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記画素電極及び前記下部容量電極は共に、ITO(Indium Tin Oxide)を含んでなることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
- 前記半導体膜は、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第1の接合領域、並びに前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第2の接合領域を更に備え、
前記遮光部は、前記基板上で平面的に見て、前記チャネル領域及び前記第2の接合領域に少なくとも部分的に重なるように形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記遮光部は、アルミニウムを含んでなることを特徴とする請求項1から4いずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記ドレイン領域及び前記画素電極間を電気的に接続する中継層を更に備え、
前記データ線及び前記中継層は、同一膜で形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記走査線は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体層よりも広く形成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記コンタクトホールは、前記基板上で平面的に見て前記薄膜トランジスタのうち少なくとも前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域を包囲する額縁の形状を有することを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
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