JP2001356371A - 液晶表示装置および液晶プロジェクタ装置 - Google Patents
液晶表示装置および液晶プロジェクタ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チャネル領域又は／及びＬＤＤ領域に入射さ
れる光を抑制する。 【解決手段】 基板上に遮光膜３、第１の絶縁膜１０、
半導体層２、ゲート絶縁膜となる第２の絶縁膜１１、及
びゲート配線４を有し、半導体層２にソース・ドレイン
領域と、チャネル領域又はチャネル領域及びＬＤＤ領域
とが形成された画素基板を備えた液晶表示装置におい
て、遮光膜３を導電材料で構成し、チャネル領域又は／
及びＬＤＤ領域の側面近傍に、ゲート配線４と遮光膜３
とを接続するコンタクトホール６を設けた。
れる光を抑制する。 【解決手段】 基板上に遮光膜３、第１の絶縁膜１０、
半導体層２、ゲート絶縁膜となる第２の絶縁膜１１、及
びゲート配線４を有し、半導体層２にソース・ドレイン
領域と、チャネル領域又はチャネル領域及びＬＤＤ領域
とが形成された画素基板を備えた液晶表示装置におい
て、遮光膜３を導電材料で構成し、チャネル領域又は／
及びＬＤＤ領域の側面近傍に、ゲート配線４と遮光膜３
とを接続するコンタクトホール６を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置およ
び液晶プロジェクタ装置に係わり、特に、基板上に遮光
膜、第１の絶縁膜、半導体層、ゲート絶縁膜となる第２
の絶縁膜、及びゲート線を有し、該半導体層にソース・
ドレイン領域と、チャネル領域又はチャネル領域及びＬ
ＤＤ（Lightly doped drain）領域とが形成された画素
基板を備えた液晶表示装置およびこの液晶表示装置を用
いた液晶プロジェクタ装置に関する。
び液晶プロジェクタ装置に係わり、特に、基板上に遮光
膜、第１の絶縁膜、半導体層、ゲート絶縁膜となる第２
の絶縁膜、及びゲート線を有し、該半導体層にソース・
ドレイン領域と、チャネル領域又はチャネル領域及びＬ
ＤＤ（Lightly doped drain）領域とが形成された画素
基板を備えた液晶表示装置およびこの液晶表示装置を用
いた液晶プロジェクタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ライトバルブの遮光対策として、特
願平１１−１０９９７９号に画素構造が開示されてい
る。図１３は特願平１１−１０９９７９号に開示された
画素ＴＦＴ部の平面図、図１４は図１３のＥ−Ｅ’線の
断面図を示す。
願平１１−１０９９７９号に画素構造が開示されてい
る。図１３は特願平１１−１０９９７９号に開示された
画素ＴＦＴ部の平面図、図１４は図１３のＥ−Ｅ’線の
断面図を示す。
【０００３】図１３に示すように、ゲート線４とデータ
線５とがそれぞれ直交するようにマトリクス状に配さ
れ、画素ＴＦＴはゲート線４とデータ線５が直交する部
分に配置されている。図１４の断面図に示すようにＴＦ
ＴのＬＤＤ領域２側面近傍に裏面遮光膜３に達しないダ
ミーコンタクトホール２０を形成している。このダミー
コンタクトホール２０にはゲート線材料が埋め込まれる
ことになる。このダミーコンタクトホール２０によっ
て、ＴＦＴのＬＤＤ領域２に照射される光を低減してい
る。また、裏面遮光膜３は、ＴＦＴのバックゲートとし
て作用しないようにＧＮＤ電位としている。
線５とがそれぞれ直交するようにマトリクス状に配さ
れ、画素ＴＦＴはゲート線４とデータ線５が直交する部
分に配置されている。図１４の断面図に示すようにＴＦ
ＴのＬＤＤ領域２側面近傍に裏面遮光膜３に達しないダ
ミーコンタクトホール２０を形成している。このダミー
コンタクトホール２０にはゲート線材料が埋め込まれる
ことになる。このダミーコンタクトホール２０によっ
て、ＴＦＴのＬＤＤ領域２に照射される光を低減してい
る。また、裏面遮光膜３は、ＴＦＴのバックゲートとし
て作用しないようにＧＮＤ電位としている。
【０００４】また、他の液晶ライトバルブの画素遮光対
策として、特願平１１−３６０９７３号に画素構造が開
示されている。図１５は特願平１１−３６０９７３号に
開示された画素の平面図、図１６は図１５のＦ−Ｆ’に
沿った断面図である。特願平１１−３６０９７３号の画
素構造では、ＴＦＴ両脇に裏面遮光膜３に達するコンタ
クトホール１８を形成し、このコンタクトホール１８を
データ線であるアルミ配線５で覆う構成となっている。
このコンタクトホール１８によってＴＦＴに照射される
光を遮蔽している。
策として、特願平１１−３６０９７３号に画素構造が開
示されている。図１５は特願平１１−３６０９７３号に
開示された画素の平面図、図１６は図１５のＦ−Ｆ’に
沿った断面図である。特願平１１−３６０９７３号の画
素構造では、ＴＦＴ両脇に裏面遮光膜３に達するコンタ
クトホール１８を形成し、このコンタクトホール１８を
データ線であるアルミ配線５で覆う構成となっている。
このコンタクトホール１８によってＴＦＴに照射される
光を遮蔽している。
【０００５】なお、本発明に関連する技術としては、特
開平１−１２８５３４号公報、特開平１−１７７０２０
号公報、特開平８−６２５７９号公報、特開平８−２３
４２３９号公報に開示された技術がある。特に特開平８
−２３４２３９号公報には、遮光パターンとゲート配線
パターンとをコンタクト部を介して電気接続することの
記載がある。
開平１−１２８５３４号公報、特開平１−１７７０２０
号公報、特開平８−６２５７９号公報、特開平８−２３
４２３９号公報に開示された技術がある。特に特開平８
−２３４２３９号公報には、遮光パターンとゲート配線
パターンとをコンタクト部を介して電気接続することの
記載がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記特願平１１−１０
９９７９号の構造では、ＴＦＴに照射される光を完全に
は遮断できず、ＴＦＴの光リーク電流に起因する画質劣
化を防止することが困難であった。また、ゲート線の配
線抵抗が高い場合には、ゲート信号の遅延に起因する画
質劣化が起きてしまうことになる。
９９７９号の構造では、ＴＦＴに照射される光を完全に
は遮断できず、ＴＦＴの光リーク電流に起因する画質劣
化を防止することが困難であった。また、ゲート線の配
線抵抗が高い場合には、ゲート信号の遅延に起因する画
質劣化が起きてしまうことになる。
【０００７】また特願平１１−３６０９７３号の構造
は、ＴＦＴに入射する光は遮蔽することができるが、ゲ
ート線の抵抗が高い場合には、ゲート信号の遅延に起因
する画質劣化が起きてしまうことになる。
は、ＴＦＴに入射する光は遮蔽することができるが、ゲ
ート線の抵抗が高い場合には、ゲート信号の遅延に起因
する画質劣化が起きてしまうことになる。
【０００８】以下、上記課題が生ずる理由について説明
する。
する。
【０００９】特開平１１−１０９９７９号の画素構造
は、ＴＦＴのＬＤＤ領域両脇に裏面遮光膜に達しない深
さのダミーコンタクトホールを形成している為、裏面遮
光膜とダミーコンタクトホールの間には、隙間ができて
しまう。従って、ＴＦＴに入射する光を完全には遮光で
きない。
は、ＴＦＴのＬＤＤ領域両脇に裏面遮光膜に達しない深
さのダミーコンタクトホールを形成している為、裏面遮
光膜とダミーコンタクトホールの間には、隙間ができて
しまう。従って、ＴＦＴに入射する光を完全には遮光で
きない。
【００１０】一般に、パネルが小型化し、配線幅が細く
なった場合には、配線抵抗が高くなる。特願平１１−１
０９９７９号、特願平１１−３６０９７３号の実施例は
共に、ゲート線にはＷＳｉ、データ線にはアルミ線等を
用いている。アルミに比べＷＳｉは抵抗が高い。この
為、パネルの小型化に伴い、配線抵抗が大きくなった場
合、ゲート信号の遅延が大きくなり、この遅延によって
生じる画質劣化が起きてしまう。
なった場合には、配線抵抗が高くなる。特願平１１−１
０９９７９号、特願平１１−３６０９７３号の実施例は
共に、ゲート線にはＷＳｉ、データ線にはアルミ線等を
用いている。アルミに比べＷＳｉは抵抗が高い。この
為、パネルの小型化に伴い、配線抵抗が大きくなった場
合、ゲート信号の遅延が大きくなり、この遅延によって
生じる画質劣化が起きてしまう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、基板上に遮光膜、第１の絶縁膜、半導体層、ゲート
絶縁膜となる第２の絶縁膜、及びゲート線を有し、該半
導体層にソース・ドレイン領域と、チャネル領域又はチ
ャネル領域及びＬＤＤ領域とが形成された画素基板を備
えた液晶表示装置において、前記遮光膜を導電材料で構
成し、前記チャネル領域又は／及びＬＤＤ領域の側面近
傍に、前記ゲート線と前記遮光膜とを接続するコンタク
トホールを設けたことを特徴とするものである。
は、基板上に遮光膜、第１の絶縁膜、半導体層、ゲート
絶縁膜となる第２の絶縁膜、及びゲート線を有し、該半
導体層にソース・ドレイン領域と、チャネル領域又はチ
ャネル領域及びＬＤＤ領域とが形成された画素基板を備
えた液晶表示装置において、前記遮光膜を導電材料で構
成し、前記チャネル領域又は／及びＬＤＤ領域の側面近
傍に、前記ゲート線と前記遮光膜とを接続するコンタク
トホールを設けたことを特徴とするものである。
【００１２】また本発明の液晶表示装置は、基板上に遮
光膜、第１の絶縁膜、半導体層、ゲート絶縁膜となる第
２の絶縁膜、ゲート線、第３の絶縁膜及びデータ線を有
し、該半導体層にソース・ドレイン領域と、チャネル領
域又はチャネル領域及びＬＤＤ領域とが形成された画素
基板を備えた液晶表示装置において、前記遮光膜を導電
材料で構成し、前記データ線の下部に、前記遮光膜と接
続するコンタクトホールを設けたことを特徴とするもの
である。
光膜、第１の絶縁膜、半導体層、ゲート絶縁膜となる第
２の絶縁膜、ゲート線、第３の絶縁膜及びデータ線を有
し、該半導体層にソース・ドレイン領域と、チャネル領
域又はチャネル領域及びＬＤＤ領域とが形成された画素
基板を備えた液晶表示装置において、前記遮光膜を導電
材料で構成し、前記データ線の下部に、前記遮光膜と接
続するコンタクトホールを設けたことを特徴とするもの
である。
【００１３】本発明の液晶プロジェクタ装置は、上記本
発明の液晶表示装置と、該液晶表示装置に光を照射する
光源と、該光源からの光を該液晶表示装置に導く光学系
と、該液晶表示装置からの情報光を投射するための光学
系と、を備えたものである。
発明の液晶表示装置と、該液晶表示装置に光を照射する
光源と、該光源からの光を該液晶表示装置に導く光学系
と、該液晶表示装置からの情報光を投射するための光学
系と、を備えたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の特徴は、液晶ライトバル
ブ等の液晶表示装置で使用する画素ＴＦＴの構造におい
て、画素ＴＦＴのチャネル領域又は／及びＬＤＤ（Ligh
tly doped drain）領域側面近傍に裏面遮光膜とゲート
線をつなぐコンタクトホールを形成し、このコンタクト
ホールを遮光領域として、ＴＦＴに照射される光を低減
することによって、ＴＦＴの光リーク電流を抑制し、且
つ、裏面遮光膜をゲート配線とすることによりゲート線
の配線抵抗を低くすることにある。
ブ等の液晶表示装置で使用する画素ＴＦＴの構造におい
て、画素ＴＦＴのチャネル領域又は／及びＬＤＤ（Ligh
tly doped drain）領域側面近傍に裏面遮光膜とゲート
線をつなぐコンタクトホールを形成し、このコンタクト
ホールを遮光領域として、ＴＦＴに照射される光を低減
することによって、ＴＦＴの光リーク電流を抑制し、且
つ、裏面遮光膜をゲート配線とすることによりゲート線
の配線抵抗を低くすることにある。
【００１５】また本発明の特徴は、データ線下部に設け
たコンタクトホールによって、データ線に沿って伝搬す
る光を遮断し、これによってＴＦＴに照射される光を低
減し、ＴＦＴの光リーク電流を低減することにある。
たコンタクトホールによって、データ線に沿って伝搬す
る光を遮断し、これによってＴＦＴに照射される光を低
減し、ＴＦＴの光リーク電流を低減することにある。
【００１６】なお本発明の液晶表示装置は、液晶プロジ
ェクタ装置等に用いられる液晶ライトバルブに好適に適
用されるものであるが、特に液晶ライトバルブに限定さ
れるものではない。また、本発明はＬＤＤ領域を設けな
い電界効果トランジスタを用いた場合にも適用できる。
ェクタ装置等に用いられる液晶ライトバルブに好適に適
用されるものであるが、特に液晶ライトバルブに限定さ
れるものではない。また、本発明はＬＤＤ領域を設けな
い電界効果トランジスタを用いた場合にも適用できる。
【００１７】図１に本発明による液晶ライトバルブの画
素構造例を示す。本発明に従って、ＴＦＴのチャネル領
域１及びＬＤＤ領域２側面近傍には、裏面遮光膜３とゲ
ート線４をつなぐコンタクトホール６が設けてある。図
２は図１のＡ−Ａ’に沿った断面図である。図３は、図
１のＢ−Ｂ’に沿った断面図である。図３に示すように
ＴＦＴ側面近傍に設けられたコンタクトホール６には、
ゲート線材料が埋め込まれている。
素構造例を示す。本発明に従って、ＴＦＴのチャネル領
域１及びＬＤＤ領域２側面近傍には、裏面遮光膜３とゲ
ート線４をつなぐコンタクトホール６が設けてある。図
２は図１のＡ−Ａ’に沿った断面図である。図３は、図
１のＢ−Ｂ’に沿った断面図である。図３に示すように
ＴＦＴ側面近傍に設けられたコンタクトホール６には、
ゲート線材料が埋め込まれている。
【００１８】図６に本発明による他の液晶ライトバルブ
の他の画素構造例を示す。本発明に従って、ＴＦＴのＬ
ＤＤ領域側面近傍には、裏面遮光膜３とゲート線４をつ
なぐコンタクトホール６が設けてある。図６のＤ−Ｄ’
に沿った断面構成は図２に示す断面構成と同じである。
図２に示すように、ＴＦＴのＬＤＤ側面近傍に設けられ
たコンタクトホール６には、ゲート線材料が埋め込まれ
ている。
の他の画素構造例を示す。本発明に従って、ＴＦＴのＬ
ＤＤ領域側面近傍には、裏面遮光膜３とゲート線４をつ
なぐコンタクトホール６が設けてある。図６のＤ−Ｄ’
に沿った断面構成は図２に示す断面構成と同じである。
図２に示すように、ＴＦＴのＬＤＤ側面近傍に設けられ
たコンタクトホール６には、ゲート線材料が埋め込まれ
ている。
【００１９】ＴＦＴ側面近傍に設けられたコンタクトホ
ールは、光源からの直接入射光とレンズに反射した反射
光が、画素ＴＦＴのチャネル領域及びＬＤＤ領域に照射
されるのを防止する。また、このコンタクトホールによ
って、裏面遮光膜は、ゲート線と接続されているため、
ゲート配線の役割を果たす。
ールは、光源からの直接入射光とレンズに反射した反射
光が、画素ＴＦＴのチャネル領域及びＬＤＤ領域に照射
されるのを防止する。また、このコンタクトホールによ
って、裏面遮光膜は、ゲート線と接続されているため、
ゲート配線の役割を果たす。
【００２０】すなわち、画素ＴＦＴ側面近傍に設けられ
たコンタクトホールによって、ＴＦＴに照射される光が
低減できるため、ＴＦＴの光リーク電流が抑制される。
また、裏面遮光膜が、ゲート配線となるため、ゲート信
号の遅延時間を低減できる。従って、ＴＦＴの光リーク
電流に起因するフリッカコントラスト低下等を防止でき
ると共にゲート信号の遅延により生じる画質劣化を防止
できる。
たコンタクトホールによって、ＴＦＴに照射される光が
低減できるため、ＴＦＴの光リーク電流が抑制される。
また、裏面遮光膜が、ゲート配線となるため、ゲート信
号の遅延時間を低減できる。従って、ＴＦＴの光リーク
電流に起因するフリッカコントラスト低下等を防止でき
ると共にゲート信号の遅延により生じる画質劣化を防止
できる。
【００２１】図８に本発明による、更に他の液晶ライト
バルブの他の画素構造例を示す。本発明に従って、デー
タ線５の下部に設けたコンタクトホール６によって、デ
ータ線５に沿って伝搬する光を遮断し、これによってＴ
ＦＴに照射される光を低減し、ＴＦＴの光リーク電流を
低減するができる。
バルブの他の画素構造例を示す。本発明に従って、デー
タ線５の下部に設けたコンタクトホール６によって、デ
ータ線５に沿って伝搬する光を遮断し、これによってＴ
ＦＴに照射される光を低減し、ＴＦＴの光リーク電流を
低減するができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２３】（第１の実施例）図１に本発明の一実施例
としての液晶ライトバルブの画素ＴＦＴ部の平面図が示
されている。図２及び図３はそのＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’
線にそれぞれ沿った断面図である。なお、ここでは本発
明の特徴部分となる、画素基板の一画素分のＴＦＴ部の
みを示しているが、画素基板にはマトリクス状に画素が
複数配置されており、かかる画素基板と対向電極が形成
された対向基板とが液晶を介して対向配置されて液晶ラ
イトバルブが構成される。
としての液晶ライトバルブの画素ＴＦＴ部の平面図が示
されている。図２及び図３はそのＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’
線にそれぞれ沿った断面図である。なお、ここでは本発
明の特徴部分となる、画素基板の一画素分のＴＦＴ部の
みを示しているが、画素基板にはマトリクス状に画素が
複数配置されており、かかる画素基板と対向電極が形成
された対向基板とが液晶を介して対向配置されて液晶ラ
イトバルブが構成される。
【００２４】データ線形成までの製造フローを図４
（ａ）〜（ｅ）及び図５（ｆ）〜（ｉ）に示す。図４
（ａ）に示すように、ガラス基板１５上にガラスからの
不純物混入を防止するためＳｉＯ2などで下地膜（下地
絶縁膜）１４を形成する。次に図４（ｂ）に示すよう
に、下地膜１４上にＴＦＴの裏面遮光膜３を形成する。
材質は遮光できればどのようなものでも良いが、ポリシ
リコン形成時にアニールするため熱に強い耐熱性材料と
なるＷＳｉなどで形成する。次に図４（ｃ）に示すよう
に、裏面遮光膜３の上にＳｉＯ2等で第１層間膜１０を
形成する。第１層間膜１０は、裏面遮光膜３がＴＦＴの
バックゲートとして作用しないような程度の厚さとす
る。次に図４（ｄ）に示すように、ポリシリコン層１６
を形成する。アモルファスシリコン層を成膜した後、レ
ーザーアニール工程を加え、更に、フォトリソグラフィ
工程とエッチング工程を行いポリシリコン層１６を形成
する。次に図４（ｅ）に示すように、このポリシリコン
層１６を覆ってゲート絶縁膜１１を成膜する。
（ａ）〜（ｅ）及び図５（ｆ）〜（ｉ）に示す。図４
（ａ）に示すように、ガラス基板１５上にガラスからの
不純物混入を防止するためＳｉＯ2などで下地膜（下地
絶縁膜）１４を形成する。次に図４（ｂ）に示すよう
に、下地膜１４上にＴＦＴの裏面遮光膜３を形成する。
材質は遮光できればどのようなものでも良いが、ポリシ
リコン形成時にアニールするため熱に強い耐熱性材料と
なるＷＳｉなどで形成する。次に図４（ｃ）に示すよう
に、裏面遮光膜３の上にＳｉＯ2等で第１層間膜１０を
形成する。第１層間膜１０は、裏面遮光膜３がＴＦＴの
バックゲートとして作用しないような程度の厚さとす
る。次に図４（ｄ）に示すように、ポリシリコン層１６
を形成する。アモルファスシリコン層を成膜した後、レ
ーザーアニール工程を加え、更に、フォトリソグラフィ
工程とエッチング工程を行いポリシリコン層１６を形成
する。次に図４（ｅ）に示すように、このポリシリコン
層１６を覆ってゲート絶縁膜１１を成膜する。
【００２５】次に図５（ｆ）に示すように、ＴＦＴ側面
近傍にコンタクトホール（コンタクト）６を形成し、さ
らに図５（ｇ）に示すように、ゲート線４となるＷＳｉ
等の金属膜を成膜する。この為、ＴＦＴ側面近傍のコン
タクトホール６には、ゲート金属膜が埋め込まれること
になる。このコンタクトホール６は、ＴＦＴのチャネル
領域及びＬＤＤ(Lightly doped drain)領域に沿って形
成しているため、ゲート線パターニング後はチャネル領
域及びＬＤＤ領域をコンタクトホールとゲート線と裏面
遮光膜で覆う構成となる。
近傍にコンタクトホール（コンタクト）６を形成し、さ
らに図５（ｇ）に示すように、ゲート線４となるＷＳｉ
等の金属膜を成膜する。この為、ＴＦＴ側面近傍のコン
タクトホール６には、ゲート金属膜が埋め込まれること
になる。このコンタクトホール６は、ＴＦＴのチャネル
領域及びＬＤＤ(Lightly doped drain)領域に沿って形
成しているため、ゲート線パターニング後はチャネル領
域及びＬＤＤ領域をコンタクトホールとゲート線と裏面
遮光膜で覆う構成となる。
【００２６】この後、不純物を注入してソースとドレイ
ン領域またＬＤＤ領域を形成する。次に図５（ｈ）に示
すように、第２層間膜１２を形成する。次に、ゲート電
極及びポリシリコン層とデータ線、ゲート線を接続する
コンタクトを形成し、図５（ｉ）に示すように、データ
線５となる金属材料の例えばアルミニウム等を成膜し、
パターニングする。この後、第３層間膜、ブラックマト
リクスとなる金属材料、第４層間膜、透明画素電極ＩＴ
Ｏを順次形成する。
ン領域またＬＤＤ領域を形成する。次に図５（ｈ）に示
すように、第２層間膜１２を形成する。次に、ゲート電
極及びポリシリコン層とデータ線、ゲート線を接続する
コンタクトを形成し、図５（ｉ）に示すように、データ
線５となる金属材料の例えばアルミニウム等を成膜し、
パターニングする。この後、第３層間膜、ブラックマト
リクスとなる金属材料、第４層間膜、透明画素電極ＩＴ
Ｏを順次形成する。
【００２７】上記の様なプロセスを行うことにより、図
２、図３の断面形状となる。図２、図３は、それぞれ図
１によるＴＦＴのＬＤＤ部分（Ａ−Ａ’断面）とチャネ
ル部分（Ｂ−Ｂ’断面）で切断した断面図である。図
２、図３中に示すようにＴＦＴのＬＤＤ領域、チャネル
領域をコンタクトホールとゲート線材料と裏面遮光膜で
覆う構成となっている。また、ＴＦＴ側面近傍のコンタ
クトホールによって裏面遮光膜はゲート線とコンタクト
することになる。
２、図３の断面形状となる。図２、図３は、それぞれ図
１によるＴＦＴのＬＤＤ部分（Ａ−Ａ’断面）とチャネ
ル部分（Ｂ−Ｂ’断面）で切断した断面図である。図
２、図３中に示すようにＴＦＴのＬＤＤ領域、チャネル
領域をコンタクトホールとゲート線材料と裏面遮光膜で
覆う構成となっている。また、ＴＦＴ側面近傍のコンタ
クトホールによって裏面遮光膜はゲート線とコンタクト
することになる。
【００２８】上記画素ＴＦＴ部を有する液晶ライトバル
ブを用いた液晶プロジェクタでは、光源からの直接光ば
かりでなく裏面から反射光など強い光が液晶ライトバル
ブに照射される。この為、直接或いは反射を繰り返して
ライトバルブの画素ＴＦＴのチャネル部或いはＬＤＤ部
に光が照射されてしまう。しかし、本実施例では、ＴＦ
Ｔのチャネル領域及びＬＤＤ領域の側面近傍にゲート線
と裏面遮光膜をつなぐコンタクトホールを設けている
為、図２、図３に示すように光源からの直接光とレンズ
での反射光がこのコンタクトホールに遮られ、ＴＦＴに
光が照射されることがない。
ブを用いた液晶プロジェクタでは、光源からの直接光ば
かりでなく裏面から反射光など強い光が液晶ライトバル
ブに照射される。この為、直接或いは反射を繰り返して
ライトバルブの画素ＴＦＴのチャネル部或いはＬＤＤ部
に光が照射されてしまう。しかし、本実施例では、ＴＦ
Ｔのチャネル領域及びＬＤＤ領域の側面近傍にゲート線
と裏面遮光膜をつなぐコンタクトホールを設けている
為、図２、図３に示すように光源からの直接光とレンズ
での反射光がこのコンタクトホールに遮られ、ＴＦＴに
光が照射されることがない。
【００２９】また、このコンタクトホールによって裏面
遮光膜は、ゲート線とコンタクトされている為、裏面遮
光膜は、ＴＦＴ裏面からの光を遮ると共にゲート配線の
役割を果たす。これにより、ゲート線の配線抵抗を低下
させることが可能となる。裏面遮光膜は、ＴＦＴとの距
離が近い場合には、バックゲートとしてＴＦＴ動作に影
響を及ぼすが、ある程度の距離が有る場合には、どの電
位であってもＴＦＴ動作に影響を及ぼさない。
遮光膜は、ゲート線とコンタクトされている為、裏面遮
光膜は、ＴＦＴ裏面からの光を遮ると共にゲート配線の
役割を果たす。これにより、ゲート線の配線抵抗を低下
させることが可能となる。裏面遮光膜は、ＴＦＴとの距
離が近い場合には、バックゲートとしてＴＦＴ動作に影
響を及ぼすが、ある程度の距離が有る場合には、どの電
位であってもＴＦＴ動作に影響を及ぼさない。
【００３０】以上述べたように、本実施例の構成によれ
ば、ＴＦＴチャネル部とＬＤＤ部に入射される光を抑制
できる。従って、画素ＴＦＴの光リーク電流を低減でき
るため、光リーク電流に起因するコントラストの低下、
フリッカ等の画質劣化を防止できる。また、ゲート配線
の配線抵抗を低下させることができるため、ゲート線の
信号遅延による画質低下を防止できる。
ば、ＴＦＴチャネル部とＬＤＤ部に入射される光を抑制
できる。従って、画素ＴＦＴの光リーク電流を低減でき
るため、光リーク電流に起因するコントラストの低下、
フリッカ等の画質劣化を防止できる。また、ゲート配線
の配線抵抗を低下させることができるため、ゲート線の
信号遅延による画質低下を防止できる。
【００３１】（第２の実施例）図６に本発明の第２の実
施例の液晶ライトバルブの画素平面図を示す。また、図
６のＣ−Ｃ’に沿った断面図を図７に示す。図６のＤ−
Ｄ’に沿った断面図は、図２と同様になる。なお、ここ
では本発明の特徴部分となる、画素基板の一画素分のＴ
ＦＴ部のみを示しているが、画素基板上にはマトリクス
状に画素が複数配置されており、かかる画素基板と対向
電極が形成された対向基板とが液晶を介して対向配置さ
れて液晶ライトバルブが構成される。
施例の液晶ライトバルブの画素平面図を示す。また、図
６のＣ−Ｃ’に沿った断面図を図７に示す。図６のＤ−
Ｄ’に沿った断面図は、図２と同様になる。なお、ここ
では本発明の特徴部分となる、画素基板の一画素分のＴ
ＦＴ部のみを示しているが、画素基板上にはマトリクス
状に画素が複数配置されており、かかる画素基板と対向
電極が形成された対向基板とが液晶を介して対向配置さ
れて液晶ライトバルブが構成される。
【００３２】データ線形成までの製造フローは図４
（ａ）〜（ｅ）及び図５（ｆ）〜（ｉ）と同様となる。
以下図４及び図５を用いて製造フローについて説明す
る。図４（ａ）に示すように、ガラス基板１５上にガラ
スからの不純物混入を防止するためＳｉＯ2などで下地
膜（下地絶縁膜）１４を形成する。次に図４（ｂ）に示
すように、下地膜１４上にＴＦＴの裏面遮光膜３を形成
する。材質は遮光できればどのようなものでも良いが、
ポリシリコン形成時にアニールするため熱に強い耐熱性
材料となるＷＳｉなどで形成する。次に図４（ｃ）に示
すように、裏面遮光膜３の上にＳｉＯ2等で第１層間膜
１０を形成する。第１層間膜１０は、裏面遮光膜３がＴ
ＦＴのバックゲートとして作用しないような程度の厚さ
とする。次に図４（ｄ）に示すように、ポリシリコン層
１６を形成する。アモルファスシリコン層を成膜した
後、レーザーアニール工程を加え、更に、フォトリソグ
ラフィ工程とエッチング工程を行いポリシリコン層１６
を形成する。次に図４（ｅ）に示すように、このポリシ
リコン層１６を覆ってゲート絶縁膜１１を成膜する。
（ａ）〜（ｅ）及び図５（ｆ）〜（ｉ）と同様となる。
以下図４及び図５を用いて製造フローについて説明す
る。図４（ａ）に示すように、ガラス基板１５上にガラ
スからの不純物混入を防止するためＳｉＯ2などで下地
膜（下地絶縁膜）１４を形成する。次に図４（ｂ）に示
すように、下地膜１４上にＴＦＴの裏面遮光膜３を形成
する。材質は遮光できればどのようなものでも良いが、
ポリシリコン形成時にアニールするため熱に強い耐熱性
材料となるＷＳｉなどで形成する。次に図４（ｃ）に示
すように、裏面遮光膜３の上にＳｉＯ2等で第１層間膜
１０を形成する。第１層間膜１０は、裏面遮光膜３がＴ
ＦＴのバックゲートとして作用しないような程度の厚さ
とする。次に図４（ｄ）に示すように、ポリシリコン層
１６を形成する。アモルファスシリコン層を成膜した
後、レーザーアニール工程を加え、更に、フォトリソグ
ラフィ工程とエッチング工程を行いポリシリコン層１６
を形成する。次に図４（ｅ）に示すように、このポリシ
リコン層１６を覆ってゲート絶縁膜１１を成膜する。
【００３３】次に図５（ｆ）に示すように、ＴＦＴのＬ
ＤＤ領域側面近傍にコンタクトホール６を形成し、さら
に図５（ｇ）に示すように、ゲート線４となるＷＳｉ等
の金属膜を成膜する。この為、ＴＦＴのＬＤＤ領域側面
近傍のコンタクトホールには、ゲート金属膜が埋め込ま
れることになる。このコンタクトホール６は、ＴＦＴの
ＬＤＤ領域に沿って形成しているため、ゲート線パター
ニング後はＬＤＤ領域をコンタクトホールとゲート線と
裏面遮光膜で覆う構成となる。
ＤＤ領域側面近傍にコンタクトホール６を形成し、さら
に図５（ｇ）に示すように、ゲート線４となるＷＳｉ等
の金属膜を成膜する。この為、ＴＦＴのＬＤＤ領域側面
近傍のコンタクトホールには、ゲート金属膜が埋め込ま
れることになる。このコンタクトホール６は、ＴＦＴの
ＬＤＤ領域に沿って形成しているため、ゲート線パター
ニング後はＬＤＤ領域をコンタクトホールとゲート線と
裏面遮光膜で覆う構成となる。
【００３４】この後、不純物を注入してソースとドレイ
ン領域またＬＤＤ領域を形成する。次に図５（ｈ）に示
すように、第２層間膜１２を形成する。次に、ゲート電
極及びポリシリコン層とデータ線、ゲート線を接続する
コンタクトを形成し、図５（ｉ）に示すように、データ
線５となる金属材料の例えばアルミニウム等を成膜し、
パターニングする。この後、第３層間膜、ブラックマト
リクスとなる金属材料、第４層間膜、透明画素電極ＩＴ
Ｏを順次形成する。
ン領域またＬＤＤ領域を形成する。次に図５（ｈ）に示
すように、第２層間膜１２を形成する。次に、ゲート電
極及びポリシリコン層とデータ線、ゲート線を接続する
コンタクトを形成し、図５（ｉ）に示すように、データ
線５となる金属材料の例えばアルミニウム等を成膜し、
パターニングする。この後、第３層間膜、ブラックマト
リクスとなる金属材料、第４層間膜、透明画素電極ＩＴ
Ｏを順次形成する。
【００３５】上記の様なプロセスを行うことにより、図
２、図７の断面形状となる。図２、図７は、それぞれ図
６のＴＦＴのＬＤＤ部分（Ｄ−Ｄ’断面）とチャネル部
分（Ｃ−Ｃ’断面）で切断した断面図である。図２中に
示すようにＴＦＴのＬＤＤ領域は、コンタクトホールと
裏面遮光膜とゲート線で覆われた構成となる。また、Ｔ
ＦＴのＬＤＤ領域側面近傍のコンタクトホールによって
裏面遮光膜はゲート線とコンタクトすることになる。
２、図７の断面形状となる。図２、図７は、それぞれ図
６のＴＦＴのＬＤＤ部分（Ｄ−Ｄ’断面）とチャネル部
分（Ｃ−Ｃ’断面）で切断した断面図である。図２中に
示すようにＴＦＴのＬＤＤ領域は、コンタクトホールと
裏面遮光膜とゲート線で覆われた構成となる。また、Ｔ
ＦＴのＬＤＤ領域側面近傍のコンタクトホールによって
裏面遮光膜はゲート線とコンタクトすることになる。
【００３６】本実施例では図６に示すように、ＴＦＴの
ＬＤＤ領域側面に沿ってゲート線と裏面遮光膜をつなぐ
コンタクトホールを設けているため、ＴＦＴのＬＤＤ領
域をコンタクトホールと裏面遮光膜とゲート線で覆う構
成となっている。これにより、ＬＤＤ領域に光源からの
直接光及びレンズからの反射光が照射されることはな
い。
ＬＤＤ領域側面に沿ってゲート線と裏面遮光膜をつなぐ
コンタクトホールを設けているため、ＴＦＴのＬＤＤ領
域をコンタクトホールと裏面遮光膜とゲート線で覆う構
成となっている。これにより、ＬＤＤ領域に光源からの
直接光及びレンズからの反射光が照射されることはな
い。
【００３７】また、このコンタクトホールによって裏面
遮光膜は、ゲート線とコンタクトされている為、裏面遮
光膜は、ＴＦＴ裏面からの光を遮ると共にゲート配線の
役割を果たす。これにより、ゲート線の配線抵抗を低下
させることが可能となる。
遮光膜は、ゲート線とコンタクトされている為、裏面遮
光膜は、ＴＦＴ裏面からの光を遮ると共にゲート配線の
役割を果たす。これにより、ゲート線の配線抵抗を低下
させることが可能となる。
【００３８】画素ＴＦＴのＬＤＤ部が最も光に対する感
度が高い部分であり、ＬＤＤに入射される光を抑制する
だけでもＴＦＴの光リークには効果がある。この為、Ｌ
ＤＤ部に入射される光を遮ることによって、画素ＴＦＴ
の光リーク電流を低減できる。従って、ＴＦＴの光リー
クに起因する画質低下を防止できる。
度が高い部分であり、ＬＤＤに入射される光を抑制する
だけでもＴＦＴの光リークには効果がある。この為、Ｌ
ＤＤ部に入射される光を遮ることによって、画素ＴＦＴ
の光リーク電流を低減できる。従って、ＴＦＴの光リー
クに起因する画質低下を防止できる。
【００３９】また、ゲート配線の配線抵抗を低下させる
ことができるため、ゲート線の信号遅延による画質低下
を防止できる。
ことができるため、ゲート線の信号遅延による画質低下
を防止できる。
【００４０】（第３の実施例）図８に本発明の第３の実
施例の液晶ライトバルブの画素平面図を示す。また、図
８のＧ−Ｇ’に沿った断面図を図９に示す。なお、ここ
では本発明の特徴部分となる、画素基板の一画素分のＴ
ＦＴ部のみを示しているが、画素基板上にはマトリクス
状に画素が複数配置されており、かかる画素基板と対向
電極が形成された対向基板とが液晶を介して対向配置さ
れて液晶ライトバルブが構成される。
施例の液晶ライトバルブの画素平面図を示す。また、図
８のＧ−Ｇ’に沿った断面図を図９に示す。なお、ここ
では本発明の特徴部分となる、画素基板の一画素分のＴ
ＦＴ部のみを示しているが、画素基板上にはマトリクス
状に画素が複数配置されており、かかる画素基板と対向
電極が形成された対向基板とが液晶を介して対向配置さ
れて液晶ライトバルブが構成される。
【００４１】データ線形成までの製造フローを図１０
（ａ）〜（ｅ）及び図１１（ｆ）〜（ｈ）に示す。以下
図１０及び図１１を用いて製造フローについて説明す
る。図１０（ａ）に示すように、ガラス基板１５上にガ
ラスからの不純物混入を防止するためＳｉＯ2などで下
地膜（下地絶縁膜）１４を形成する。次に図１０（ｂ）
に示すように、下地膜１４上にＴＦＴの裏面遮光膜３を
形成する。材質は遮光できればどのようなものでも良い
が、ポリシリコン形成時にアニールするため熱に強い耐
熱性材料となるＷＳｉなどで形成する。次に図１０
（ｃ）に示すように、裏面遮光膜３の上にＳｉＯ2等で
第１層間膜１０を形成する。第１層間膜１０は、裏面遮
光膜３がＴＦＴのバックゲートとして作用しないような
程度の厚さとする。次に図１０（ｄ）に示すように、ポ
リシリコン層１６を形成する。アモルファスシリコン層
を成膜した後、レーザーアニール工程を加え、更に、フ
ォトリソグラフィ工程とエッチング工程を行いポリシリ
コン層１６を形成する。次に図１０（ｅ）に示すよう
に、このポリシリコン層１６を覆ってゲート絶縁膜１１
を成膜する。
（ａ）〜（ｅ）及び図１１（ｆ）〜（ｈ）に示す。以下
図１０及び図１１を用いて製造フローについて説明す
る。図１０（ａ）に示すように、ガラス基板１５上にガ
ラスからの不純物混入を防止するためＳｉＯ2などで下
地膜（下地絶縁膜）１４を形成する。次に図１０（ｂ）
に示すように、下地膜１４上にＴＦＴの裏面遮光膜３を
形成する。材質は遮光できればどのようなものでも良い
が、ポリシリコン形成時にアニールするため熱に強い耐
熱性材料となるＷＳｉなどで形成する。次に図１０
（ｃ）に示すように、裏面遮光膜３の上にＳｉＯ2等で
第１層間膜１０を形成する。第１層間膜１０は、裏面遮
光膜３がＴＦＴのバックゲートとして作用しないような
程度の厚さとする。次に図１０（ｄ）に示すように、ポ
リシリコン層１６を形成する。アモルファスシリコン層
を成膜した後、レーザーアニール工程を加え、更に、フ
ォトリソグラフィ工程とエッチング工程を行いポリシリ
コン層１６を形成する。次に図１０（ｅ）に示すよう
に、このポリシリコン層１６を覆ってゲート絶縁膜１１
を成膜する。
【００４２】次に図１１（ｆ）に示すように、データ線
に沿ってコンタクトホール（コンタクト）６を形成し、
このコンタクトホール６はデータ線の下であればどの位
置でも良いが、遮光性能を高めるためには、ソース・ド
レイン領域に近い方が望ましい。さらに図１１（ｇ）に
示すように、ゲート線４となるＷＳｉ等の金属膜を成膜
する。この為、データ線の下部に形成されたコンタクト
ホール６には、ゲート金属膜が埋め込まれることにな
る。
に沿ってコンタクトホール（コンタクト）６を形成し、
このコンタクトホール６はデータ線の下であればどの位
置でも良いが、遮光性能を高めるためには、ソース・ド
レイン領域に近い方が望ましい。さらに図１１（ｇ）に
示すように、ゲート線４となるＷＳｉ等の金属膜を成膜
する。この為、データ線の下部に形成されたコンタクト
ホール６には、ゲート金属膜が埋め込まれることにな
る。
【００４３】この後、不純物を注入してソースとドレイ
ン領域またＬＤＤ領域２を形成する。次に図１１（ｈ）
に示すように、第２層間膜１２を形成する。次に、ゲー
ト電極及びポリシリコン層とデータ線、ゲート線を接続
するコンタクトを形成し、データ線５となる金属材料の
例えばアルミニウム等を成膜し、パターニングする。こ
の後、第３層間膜１３、ブラックマトリクスとなる金属
材料９、第４層間膜、透明画素電極ＩＴＯを順次形成す
る。
ン領域またＬＤＤ領域２を形成する。次に図１１（ｈ）
に示すように、第２層間膜１２を形成する。次に、ゲー
ト電極及びポリシリコン層とデータ線、ゲート線を接続
するコンタクトを形成し、データ線５となる金属材料の
例えばアルミニウム等を成膜し、パターニングする。こ
の後、第３層間膜１３、ブラックマトリクスとなる金属
材料９、第４層間膜、透明画素電極ＩＴＯを順次形成す
る。
【００４４】上記の様なプロセスを行うことにより、図
９の断面形状となる。図９は、図８をＧ−Ｇ’で切断し
た断面図である。図９に示すようにデータ線の下部にコ
ンタクトホール６と埋め込まれたゲート電極４が設けら
れている。
９の断面形状となる。図９は、図８をＧ−Ｇ’で切断し
た断面図である。図９に示すようにデータ線の下部にコ
ンタクトホール６と埋め込まれたゲート電極４が設けら
れている。
【００４５】第１の実施例と第２の実施例では、ＬＤＤ
領域側の左右方向からの光は遮断することができるがデ
ータ線に沿った方向の光を遮断することができなかっ
た。しかし、第３の実施例では、データ線下部に設けた
コンタクトホールによって、図８に示すようにデータ線
に沿って伝搬する光を遮断することができる。これによ
って第１及び第２の実施例と同じく画素ＴＦＴの光リー
ク電流を低減できる。従って、ＴＦＴの光リークに起因
する画質低下を防止できる。
領域側の左右方向からの光は遮断することができるがデ
ータ線に沿った方向の光を遮断することができなかっ
た。しかし、第３の実施例では、データ線下部に設けた
コンタクトホールによって、図８に示すようにデータ線
に沿って伝搬する光を遮断することができる。これによ
って第１及び第２の実施例と同じく画素ＴＦＴの光リー
ク電流を低減できる。従って、ＴＦＴの光リークに起因
する画質低下を防止できる。
【００４６】また、本実施例ではデータ線直下のみにコ
ンタクトホールを設けたが、第１及び第２の実施例と同
様に側面近傍にもコンタクトホールを設けても良い。こ
のことにより側面からの光とデータ線に沿った光を遮る
ことができるため、さらに高い遮光効果が得られる。
ンタクトホールを設けたが、第１及び第２の実施例と同
様に側面近傍にもコンタクトホールを設けても良い。こ
のことにより側面からの光とデータ線に沿った光を遮る
ことができるため、さらに高い遮光効果が得られる。
【００４７】以下、本発明による液晶ライトバルブ（液
晶パネル）を用いた液晶プロジェクタ装置の一構成例に
ついて説明する。この液晶プロジェクタ装置は特開平１
１−３３７９００号公報に開示されたものである。
晶パネル）を用いた液晶プロジェクタ装置の一構成例に
ついて説明する。この液晶プロジェクタ装置は特開平１
１−３３７９００号公報に開示されたものである。
【００４８】図１２は本発明の液晶プロジェクタ装置の
一構成例を示す図である。図１２において、ランプ201
から照射された光は、ＵＶ−ＩＲカットフィルタ202、
マルチアレイレンズ203，204、平凸レンズ205を介して
ダイクロイックミラー206に入射し、赤色光Ｒ及び緑色
光Ｇと、青色光Ｂとに分離される。さらに赤色光Ｒ及び
緑色光Ｇはダイクロイックミラー207によって赤色光Ｒ
と緑色光Ｇとに分離される。
一構成例を示す図である。図１２において、ランプ201
から照射された光は、ＵＶ−ＩＲカットフィルタ202、
マルチアレイレンズ203，204、平凸レンズ205を介して
ダイクロイックミラー206に入射し、赤色光Ｒ及び緑色
光Ｇと、青色光Ｂとに分離される。さらに赤色光Ｒ及び
緑色光Ｇはダイクロイックミラー207によって赤色光Ｒ
と緑色光Ｇとに分離される。
【００４９】分離された青色光Ｂは、ミラー220、コン
デンサレンズ221を介して青色用液晶パネル208に導かれ
る。また分離された赤色光Ｒはコンデンサレンズ209を
介して赤色用液晶パネル210に導かれる。また分離され
た緑色光Ｇはリレーレンズ211、ミラー212、リレーレン
ズ213、ミラー214、コンデンサレンズ215を介して緑色
用液晶パネル216に導かれる。液晶パネル208、210、216
は本発明による液晶表示装置が用いられる。すなわち、
第１実施例、第２実施例または第３実施例で形成したＴ
ＦＴ基板と対向基板との間に液晶を封入して液晶パネル
とする。
デンサレンズ221を介して青色用液晶パネル208に導かれ
る。また分離された赤色光Ｒはコンデンサレンズ209を
介して赤色用液晶パネル210に導かれる。また分離され
た緑色光Ｇはリレーレンズ211、ミラー212、リレーレン
ズ213、ミラー214、コンデンサレンズ215を介して緑色
用液晶パネル216に導かれる。液晶パネル208、210、216
は本発明による液晶表示装置が用いられる。すなわち、
第１実施例、第２実施例または第３実施例で形成したＴ
ＦＴ基板と対向基板との間に液晶を封入して液晶パネル
とする。
【００５０】液晶パネル208、210、216で光変調された
３色の光はプリズム部材217a、217b、217cからなる略Ｌ
字型のプリズム素子によって合成され投射レンズ218に
よってスクリーン219に投射される。
３色の光はプリズム部材217a、217b、217cからなる略Ｌ
字型のプリズム素子によって合成され投射レンズ218に
よってスクリーン219に投射される。
【００５１】なお、以上説明した液晶プロジェクタ装置
は三板方式であるが、単板方式においても本発明を用い
ることができる。
は三板方式であるが、単板方式においても本発明を用い
ることができる。
【００５２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、チ
ャネル領域又は／及びＬＤＤ領域に入射される光を抑制
できる。従って、画素トランジスタの光リーク電流を低
減できるため、光リーク電流に起因するコントラストの
低下、フリッカ等の画質劣化を防止できる。
ャネル領域又は／及びＬＤＤ領域に入射される光を抑制
できる。従って、画素トランジスタの光リーク電流を低
減できるため、光リーク電流に起因するコントラストの
低下、フリッカ等の画質劣化を防止できる。
【００５３】また、ゲート配線の配線抵抗を低下させる
ことができるため、ゲート配線の信号遅延による画質低
下を防止できる。
ことができるため、ゲート配線の信号遅延による画質低
下を防止できる。
【図１】本発明の第１実施例としての液晶ライトバルブ
の画素ＴＦＴ部の平面図である。
の画素ＴＦＴ部の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線及び図６のＤ−Ｄ’線の断面
図である。
図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ’線の断面図である。
【図４】本発明の第１実施例の画素ＴＦＴ部のデータ線
形成までの製造フローを示す断面図である。
形成までの製造フローを示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施例の画素ＴＦＴ部のデータ線
形成までの製造フローを示す断面図である。
形成までの製造フローを示す断面図である。
【図６】本発明の第２実施例としての液晶ライトバルブ
の画素ＴＦＴ部の平面図である。
の画素ＴＦＴ部の平面図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ’線の断面図である。
【図８】本発明の第３の実施例としての液晶ライトバル
ブの画素ＴＦＴ部の平面図である。
ブの画素ＴＦＴ部の平面図である。
【図９】図８のＧ−Ｇ’線の断面図である。
【図１０】本発明の第３実施例の画素ＴＦＴ部のデータ
線形成までの製造フローを示す断面図である。
線形成までの製造フローを示す断面図である。
【図１１】本発明の第３実施例の画素ＴＦＴ部のデータ
線形成までの製造フローを示す断面図である。
線形成までの製造フローを示す断面図である。
【図１２】本発明の液晶プロジェクタ装置の一構成例を
示す図である。
示す図である。
【図１３】第１の従来例の構成を示す平面図である。
【図１４】図１３のＥ−Ｅ’線の断面図である。
【図１５】第２の従来例の構成を示す平面図である。
【図１６】図１５のＦ−Ｆ’線の断面図である。
１ チャネル領域 ２ ＬＤＤ領域 ３ 裏面遮光膜 ４ ゲート線 ５ データ線 ６ 裏面遮光膜−ゲート線コンタクト ７ データ線−ＴＦＴコンタクト ８ ＩＴＯ−ＴＦＴコンタクト ９ ブラックマトリクス １０ 第１層間膜 １１ ゲート絶縁膜 １２ 第２層間膜 １３ 第３層間膜 １４ 下地絶縁膜 １５ ガラス基板 １６ 入射光 １７ 反射光 １８ コンタクト開口部 １９ サイドウォール ２０ ダミーコンタクトホール ２１ ポリシリコン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１９Ｂ (72)発明者 本保 信明 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 EA14 EA15 HA08 HA14 MA20 2H092 GA25 JA25 JB24 JB51 JB56 NA25 PA09 5F110 AA03 AA06 CC02 DD02 DD13 EE05 GG02 GG13 HL03 HM15 NN44 NN45 NN72 PP03
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に遮光膜、第１の絶縁膜、半導体
層、ゲート絶縁膜となる第２の絶縁膜、及びゲート線を
有し、該半導体層にソース・ドレイン領域と、チャネル
領域又はチャネル領域及びＬＤＤ領域とが形成された画
素基板を備えた液晶表示装置において、 前記遮光膜を導電材料で構成し、前記チャネル領域又は
／及びＬＤＤ領域の側面近傍に、前記ゲート線と前記遮
光膜とを接続するコンタクトホールを設けたことを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 基板上に遮光膜、第１の絶縁膜、半導体
層、ゲート絶縁膜となる第２の絶縁膜、ゲート線、第３
の絶縁膜及びデータ線を有し、該半導体層にソース・ド
レイン領域と、チャネル領域又はチャネル領域及びＬＤ
Ｄ領域とが形成された画素基板を備えた液晶表示装置に
おいて、 前記遮光膜を導電材料で構成し、前記データ線の下部
に、前記遮光膜と接続するコンタクトホールを設けたこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の液晶表示装置におい
て、前記コンタクトホールを第１コントクトホールとし
たとき、データ線の下部に、前記遮光膜と接続する第２
コンタクトホールを設けたことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかの請求
項に記載の液晶表示装置において、前記コンタクトホー
ル、又は第１及び第２コンタクトホールは、ゲート線材
料が埋め込まれていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかの請求
項に記載の液晶表示装置において、前記コンタクトホー
ル、又は第１及び第２コンタクトホールは遮光領域とな
る液晶表示装置。 - 【請求項６】 請求項１又は請求項２に記載の液晶表示
装置において、前記遮光膜は耐熱性材料からなる液晶表
示装置。 - 【請求項７】 請求項１又は請求項３に記載の液晶表示
装置において、基板上に遮光膜、第１の絶縁膜、半導体
層、ゲート絶縁膜となる第２の絶縁膜、及びゲート線が
この順で積層されてなる液晶表示装置。 - 【請求項８】 請求項２に記載の液晶表示装置におい
て、基板上に遮光膜、第１の絶縁膜、半導体層、ゲート
絶縁膜となる第２の絶縁膜、ゲート線、第３の絶縁膜、
及びデータ線がこの順で積層されてなる液晶表示装置。 - 【請求項９】 請求項１から請求項８のいずれかの請求
項に記載の液晶表示装置と、該液晶表示装置に光を照射
する光源と、該光源からの光を該液晶表示装置に導く光
学系と、該液晶表示装置からの情報光を投射するための
光学系と、を備えた液晶プロジェクタ装置。
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Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005251911A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電気光学装置および電子機器 |
| JP2006171136A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Sony Corp | 薄膜半導体装置および液晶パネル |
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| JP2008191200A (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 |
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|---|---|---|---|---|
| KR100475108B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2005-03-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
| AU2003221122A1 (en) * | 2002-03-19 | 2003-09-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and liquid crystal display |
| KR100903746B1 (ko) * | 2002-12-14 | 2009-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 |
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| JP2011009704A (ja) * | 2009-05-26 | 2011-01-13 | Seiko Epson Corp | 薄膜装置、薄膜装置を備えた可撓性回路基板、及び薄膜装置の製造方法 |
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Family Cites Families (16)
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|---|---|---|---|---|
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| JP3716580B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2005-11-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置 |
| KR100537882B1 (ko) * | 1997-08-25 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치및그제조방법 |
| JPH11183934A (ja) | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル及びその製造方法並びに電子機器 |
| JPH11337900A (ja) | 1998-05-29 | 1999-12-10 | Sony Corp | 液晶プロジェクタ装置 |
| JP3736122B2 (ja) * | 1998-06-23 | 2006-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
| JP3690119B2 (ja) * | 1998-06-23 | 2005-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び投射型表示装置 |
| JP4206518B2 (ja) | 1998-08-03 | 2009-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP3551778B2 (ja) | 1998-09-07 | 2004-08-11 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法並びに電子機器 |
| JP3744227B2 (ja) | 1998-09-24 | 2006-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP3769389B2 (ja) * | 1998-09-24 | 2006-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
| JP3332083B2 (ja) | 1999-04-16 | 2002-10-07 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3402295B2 (ja) | 1999-12-20 | 2003-05-06 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-03-07 JP JP2001063828A patent/JP3356429B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-30 TW TW090107645A patent/TW525026B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-04-07 KR KR10-2001-0018479A patent/KR100458993B1/ko active IP Right Grant
- 2001-04-10 US US09/828,863 patent/US7123323B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7161193B2 (en) | 2002-10-31 | 2007-01-09 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
| US7268843B2 (en) | 2002-10-31 | 2007-09-11 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display with capacitive light shield between data line and pixel electrode |
| JP4677727B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2011-04-27 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、電気光学装置および電子機器 |
| JP2005251911A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電気光学装置および電子機器 |
| JP2006171136A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Sony Corp | 薄膜半導体装置および液晶パネル |
| JP4654675B2 (ja) * | 2004-12-14 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | 液晶パネル |
| US8168982B2 (en) | 2006-07-24 | 2012-05-01 | Seiko Epson Corporation | Substrate for electro-optical device with light shielding section having various widths, electro-optical device, and electronic apparatus |
| US7554120B2 (en) | 2006-08-24 | 2009-06-30 | Seiko Epson Corporation | Circuit board for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus |
| JP2008191200A (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 |
| JP2009069570A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
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| JP2014092767A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-19 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| US9823530B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-11-21 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus and electronic apparatus |
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| CN107861303B (zh) * | 2017-11-29 | 2021-07-09 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
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