TW525026B

TW525026B - Liquid crystal display device and liquid crystal projector apparatus

Info

Publication number: TW525026B
Application number: TW090107645A
Authority: TW
Inventors: Nobuaki Honbo; Kazuhide Yoshinaga; Hiroyuki Sekine
Original assignee: Nec Corp
Priority date: 2000-04-11
Filing date: 2001-03-30
Publication date: 2003-03-21
Also published as: US20020008814A1; JP3356429B2; JP2001356371A; KR20010098473A; US7123323B2; KR100458993B1

Description

525026 五、發明說明（1) 本發明係有關於一種液晶顯示裝置及液晶投影裝置，特別是一種具有畫素板之液晶顯示裝置，其上形成遮光膜’第一絕緣膜，半導體層，作為閘極絕緣膜之第二絕緣膜，以及閘極線，而在該半導體層中形成源極區域，汲極區域’和通道區域或通道區域和LDD(少量摻雜汲極）二者，以及使用該液晶顯示裝置的液晶投影裝置。日本專利申請編號H e i - 11 - 1 〇 9 9 7 9揭露一種晝素結構’作為液晶光閥的遮光機制。第1圖所示為揭露於日本專利申請編號Hei_ll_ 1 09979之晝素TFT部份的平面圖，而第2圖為取自第1圖中之E-E’線的剖面圖。如第1和2圖中所示，在玻璃基板15上形成地基膜（地基絕緣膜）14，背側遮光膜3，第一間層膜10，半導體層，閘極絕緣膜11 ’閘極線4 ’第二絕緣膜1 2，資料線5，第二絕緣膜13，黑色矩陣9。在半導體層中形成源極區域，没+ 極區域，通道區域1，和LDD區域2。如第1圖中所示，閘極線4和資料線5以矩陣形式排列’以彼此成垂直，且各個晝素TFT置於各閘極線I和各資料線5之間的交叉部份。如第2圖之剖面所示，不到達背側遮光膜3的假接觸孔20形成在各TFT之LDD區域之側表面的鄰近區域。背側遮光膜3的的電位設定成地（GND)電位，以避免背側遮光膜3成為TFT的背閘極。TFT的源極區域經由接觸孔7連接至資料線。TFT的汲極經由接觸孔8連接2透明晝素電極ΙΤ0。日本專利申請編號Hei-11-360973揭露另_查素名士

2149-3896-PF.ptd 525026 五、發明說明（2) " ' 構二2為液晶光閥的晝素遮光機制。第3圖所示為揭露於日本專利申請編號He i-l 1 -3 60 973之畫素TFT部份的平面圖，而第4圖為取自第3圖中之F — F，線的剖面圖。在第3和々圖中，當構成元件的作用相同時，使用相同的符號。在曰本專利申請編號He i- 1 1 -36097 3之晝素結構中，在TFT 的二側各形成到達背側遮光膜3的接觸孔丨8，且以作為資料線的鋁導線5覆蓋。光16,照射至接觸孔18。丁以以接觸孔18遮蔽光。在接觸孔18的牆上形成側牆19。？〇1”^ (多晶矽）2 1形成在地基膜1 4上。在曰本公開專利申請編號He i-卜1 28 534，

He 1 -1 -1 77020，Hei-8-234239中揭露關於本發明的技術。特別地，在日本公開專利中請編號Hei 一8一234239中揭露遮光圖案和閘極線圖案彼此經由接觸部份而電性連接。日本專利申請編號He i-1 1 -1 09 979無法完美地將TFT遮蔽照射至TFT光，而因此難以避免由於TFT的光漏電流造成之影像品質變差。而且，當閘極線的阻值高時，由於閘極信號延遲而發生影像品質變差。另外，日本專利申請編號Hei — j ^360973的結構可將 TFT遮蔽照射至TFT光。然而，當閘極線的阻值高時，由於閘極信號延遲而發生影像品質變差。將詳細說明影像品質變差的原因。在日本專利申請編號Hei -11-109979的畫素結構中，未到達背側遮光膜的假接觸孔形成於TFT之LDD區域的二側，且因此在背側遮光膜和各假接觸孔之間發生間隙。所

2149-3896-PF.ptd 第6頁 525026 五發明說明（3) 以，無法將TFT遮蔽照射至其上的光。一般而言，當面板設計成緊密尺導線阻值增加。揭露於日本公開專利申請編號 :1二Γ9979和Hei_1卜360973中之實施例使用石夕化鶴作面二、ί二而鋁導線作為資料線。所以，#導線阻值由於由於該延遲之影像品質變差。叩知王 t據本發明之第一型態，提供一種液晶顯示裝置，包 & 4旦素板，其上形成遮光膜，第一絕緣膜，半導體声，緣膜之第二絕緣膜1及閉極線導和二祕區域，汲極區域，和通道區域或通道區域通、替區°祕4一者，其中該遮光膜由導電材料製成，且在該連i : A H或該LDD區域的側表面之鄰近區域，具有用以遷接各閘極線和遮光膜的接觸孔。發明之第二型態’提供一種液晶顯示裝置，包作為；朽：祕其上形成遮光膜’第一絕緣膜導體層， :而在該半導體層中形成源極區$，汲極區域，導ΐ = 通道區域和LDD區域二者’，中該遮光膜由的接觸孔。卩谷貝枓線下方’具有用以連接遮光膜中除ΓίΓΓ月之第三型態’提供一種液晶投影裝置，其二除了f發明之第-或第二型態中之液晶顯示裝置外，包栝.一先源，以照射光至該液晶顯示裝置；一光學系统，第7頁 )25〇26 五、發明說明（4) —： " "" 一 t引導自光源的光至該液晶顯示裝置；以及一光學系統，自该液晶顯示裝置投射資訊光。本發明的特徵為，在如液晶光閥等等的液晶顯示裝置使用的晝素TFT之結構，在晝素TFT的通道區域和/或該 (少置摻雜汲極）的側表面之鄰近區域，形成接觸孔，以連接各閘極線和遮光膜，而使用接觸孔作為遮光區域，以減少光照射至”丁，藉以抑制TFT的光漏電流。此外，使用背側遮光膜作為閘極線，以降低閘極線的阻值。另=，本發明的特徵為，以位在資料線下方的接觸孔

攔截沿著資料線行進的光，而減少照射至TFT的光，藉以抑制TFT的光漏電流。曰本發明之上述及其他目的，特徵，和優點，將就後文作更明白的說明。以下將參照所附爵式，對本發明作更詳細的說明。圖式簡單說明第1圖係顯示第一相關技術之平面圖；第2圖係顯示自第1圖之E-E，绐说，回’ 少 u < a線取出之剖面圖；第3圖係顯示第二相關技術之平面圖·

第4圖係顯示自第3圖之F-F’線取出θ之剖面圖；第5圖係顯示根據本發明第—實施例之液晶光閥之晝素TFT部份的平面圖；第6圖所示為自第5圖之H，線和第9圖之D-D，線取出之剖面圖，第7圖所示為自第5圖之Η’線取出之剖面圖；

2149-3896-PF.ptd 第8頁 525026 五、發明說明（5) 第8 A至8 I圖所示為根據本發明第一實施例之τ f T畫素部份，至汲極線形成步驟之製造流程的剖面圖；第9圖所示為根據本發明第二實施例之液晶光閥的Tft 畫素部份之平面圖；第10圖所示為自第9圖之C-C’線取出之剖面圖；第11圖所示為根據本發明第三實施例.之液晶光閥的 TFT畫素部份之平面圖；第12圖所示為自第η圖之G—G，線取出之剖面圖；第1 3A至1 3H圖所示為根據本發明第三實施例之TFT畫素部份，至没極線形成步驟之製造流程的剖面圖；以及第1 4圖所示為根據本發明之液晶投影裝置的構造圖。 [符號說明] 通道區域〜1 ; L D D區域〜2 ; 背側遮光膜〜3 ; 閘極線〜4 ; 資料線〜5,〜6 ; 接觸孔〜7 ; 接觸孔〜8 ; 黑色矩陣〜9 ; 第一間層膜〜1 〇 ; 閘極絕緣膜〜11 ; 第一絕緣膜〜1 2 ; 第三絕緣膜〜1 3 ; 地基膜〜1 4 ; 玻璃基板〜1 5 ; 多晶石夕層〜1 6 ; 直射光〜16’ ；反射光〜1 7，；接觸孔〜1 8 ; 侧牆〜19 ; 假接觸孔〜2 〇 ; 多晶矽〜2 1 ; 燈〜201 ; 紫外紅外線阻斷濾光片〜2 〇 2 ; 多陣列透鏡〜203 ;

2149-3896-PF.ptd 第9頁 525026 〜~_____________ 五、發明說明（6) 多陣列透鏡〜204 ; 平面凸透鏡〜205 ; 雙色鏡〜206,〜207 ; ^ 液晶顯示面板〜208,〜2 10,〜216 ; 聚光透鏡〜209,〜215,〜221 ; 中繼透鏡〜2 11，〜2 1 3 ; 鏡面〜212,〜214,〜220 ; 稜鏡元件〜217a,〜217b，〜217c ; 投射透鏡〜218 ; 螢幕〜219。實施例第5圖係顯示根據本發明之液晶光閥之晝素結構。用以相互連接背側遮光膜3和閘極線4的接觸孔6形成於TFT之通道區域1和LDD區域2的側表面之鄰近區域。第6圖所示為自第5圖之A-A’線取出之剖面圖，而第7圖所示為自第5圖之B-B’線取出之剖面圖。如第7圖中所示，閘極線材料填充在位於TFT之側表面的鄰近區域之接觸孔6中。第9圖所示為本發明另一液晶光閥的晝素結構。在第9 圖中，用以相互連接背側遮光膜3和閘極線4的接觸孔6形成於TFT之LDD區域2的側表面之鄰近區域。自第9圖之D-D，線的剖面結構2圖中所示之剖面結構相同。如第2圖中所示，閘極線材料填充在位於TFT之LDD的側表面的鄰近區域之接觸孔6中。位在TFT的側表面之鄰近區域之接觸孔，用以避免來自光源的直射光和反射自鏡片的反射光，射入畫素TFT的通道區域和LDD區域。背側遮光膜以接觸孔連接至閘極線，而因此背側遮光膜作為閘極線。

2149-3896-PF.ptd 第10頁 525026 五、發明說明（7) - 、亦即，照射至m的光可以位在畫素TFT的側表近區域的接觸孔降低，而可抑制TFT的光漏電流。而，且背側遮光膜作為閘極線，而可減少閘極信號的延遲時間。因，此可避免由TFT之光漏光流所造成的閃爍對比下降'° 也可避免由於閘極信號延遲之影像品質變差。第11圖係顯示本發明之另一液晶光閥的另一晝素鲈構。在第11圖中，沿著資料線5行進的光，被位在下方的接觸孔6所攔截，而減少照射至TFT的光， TFT的光漏電流。 1 ^ 接著，參照所附圖式，更詳細地說明根據本發的較佳實施例。第一實施例第5圖係顯不根據本發明第一實施例之液晶光閥之畫素TFT部份的平面圖，而第6和7圖所示各為自第丨圖之A_A, 線和B-B’線取出之剖面圖。在第5至？圖中，構成元件的功能和第1和2圖相同時，放置相同的符號。在第丨，2和3圖中，只顯示在晝素板上之畫素的TFT部份。然而，複數個晝素以矩陣形成排列在晝素板上，且具有該等晝素形成於其上的畫素板，和具有相對電極之相對板，安排成經由液晶而彼此面對，藉以製造液晶光閥。如第5至7圖中所示，地基膜（地基絕緣膜）14，背側遮膜3，第一間層膜1 〇，半導層，閘極絕緣膜丨丨，閘極線4，第二絕緣膜12，資料線5，第三絕緣膜13，黑色矩陣9，形成於玻璃基板15上。源極區，汲極區域，通道區域j，和

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至’Λ成☆半導體層’ °tft的源極區域經由接觸貝料線5。TFT的汲極區域經由接觸孔8連接至透明畫素電極ΙΤ0。直到資料線形成的流程示於第8A至8 I圖中。祀以如Λ8Α圖中所示，以二氧化矽料，在玻璃基板15上 : 成）地基膜（地基絕緣膜）1 4，以防止玻璃受雜質污

木、接著’如第8Β圖中所示，在地基膜14上形成TFT之背側遮$膜3、。可使用任何材料作為背側遮光膜3，只要其可搁，光…丨而’以使用咼抗熱材料如石夕化鶴等等較佳，因其當多晶石夕形成時會受到退火處理。然後，如第8C圖中所不，在背側遮光膜3上形成由二氧化矽等等形成的第一間層膜10。決定第一間層膜1〇的厚度，以使背侧遮光膜3不作為TFT的背閘極。接著，#第⑽圖所示形成多晶矽層 16。在形成非晶矽層之後，施以雷射退火處理，且之後實行光學微影處理和蝕刻處理，以形成多晶矽層丨6。之後，如第8E圖中所示，形成閘極絕緣膜丨丨以覆蓋多晶矽層16。

接著，如第8F圖中所*，在m之側表面的鄰近區域形成接觸孔（接觸）6，且之後如第8(?圖中所示，形成作為閘極線4的矽化鎢等金屬膜。所以，閘極金屬膜嵌入在τρτ 之侧表面的鄰近區域之接觸孔6。因接觸孔6沿著^丁的通道區域和LDD(微量摻雜汲極）區域形成，通道區域和LDD區域最後在閘極線之製形處理實行之後，由接觸孔，閘極線，和背側遮光膜所覆蓋。

之後，摻雜雜質以形成源極區域，汲極區域，和LDD 'mi 2149-3896-PF.ptd 第12頁 525026 五、發明說明（9) 】域。，接著，如第8H圖中所示，形成第二間層膜12。然的接Ξί各自連=極電極和多晶矽層至閘極線和資；線的金=料圖中所* ’形成並製形作為資料線5 屬材枓如鋁4專。之後，第三間層膜丨3，作的金屬材料，第四間層膜，以及透明晝素極I 此順序連續形成。 / iro，以經由上述製程而得到第6和7圖中所示的剖面形狀。匕和7圖各為取自第5圖之TFT的LDD部份（A — A,區段）和雨、曾弟 — 區段）。如第6和7圖中所示，TFT的LDD區域、，通 k品域，以接觸孔，閘極線，和背側遮光膜覆蓋。藉 TFT之側表面的鄰近區域的接觸孔，造成背側遮光9 極線接觸。、〒閘在使用具有如此構造之液晶光閥的液晶投影器中，僅來自光源的直射光，還有如來自背表面的反射^之強不，，照射至液晶光閥上。因此，光直接或重覆反射地昭 ^光閥的畫素TFT之通道區域或LDD部份。然而，根據^徐施例，用以連接閘極線和背側遮光膜的接觸孔，形成只 TFT之通道區域和LDD區域的側表面之鄰近區域，使彳曰光源的直射光16,和來自透鏡的反射光丨7,，由該等I緬自所攔截，如第6和7圖中所示，藉以將TFT遮蔽光。孔另外，藉由接觸孔造成背側遮光膜和閘極線接得背側遮光膜自TFT的背表面攔截光，且作為閘極線，’使而降低閘極線的導線阻值。當背側遮光膜和TFτ之間因離小時，背側遮光膜在TFT操作時具有作為背閘極^效距

525026 五、發明說明（ίο) ---- 應三然而，當背側遮光膜間隔自TFT —段距離時，即使當設定至任何電位時，亦對TFT的操作不具有效應。如上所述’根據本實施例，可攔截入射至TFT通道部份和LDD部份的光。因此，可減少畫素TFT的光漏電流，藉，避免對比由於光漏電流而降低，以及影像品質由於閃燦等等，，差。還有，可降低閘極線的導線阻值，因而避免景> 像品質由於閘極線的信號延遲而變差。第二實施例第9圖所示為根據本發明第二實施例之液晶光閥的π τ 畫素部份之平面圖，而第1〇圖所示為自第9圖之C-C，線取出之剖面圖。自第9圖之D-D，線取出之剖面圖和第6圖相同。在第9和1 0圖中，構成元件的功能和第5至7圖相同時，放置相同的符號。在第9和1〇圖中，只顯示在晝素板上之畫素的”丁部份，其為本發明之特徵部份。然而，複數個畫素以矩陣形成排列在晝素板上，且具有該等畫素形成於其上的畫素板，和具有相對電極之相對板，安排成經由液晶而&此面對’藉以製造液晶光閥。直到資料線形成的製造流程和第8A至8丨圖相同。該製造流程將參照第8 A至8 I圖作說明。 ,如第8人圖中所示，以二氧化矽等等，在玻璃基板15上 2成地基膜（地基絕緣膜）14，以防止玻璃受雜質污染。接著，如第8B圖中所示，在地基膜14上形成TFT之背側遮光膜3 °可使用任何材料作為背側遮光膜3，只要其可攔截

2149-3896-PF.ptd 第14頁 525026 光’然而以使用兩抗熱材料如石夕化鎢等等較佳，因其當多晶矽形成時會受到退火處理。然後，如第8C圖中所示，在背側遮光膜3上形成由二氧化矽等等形成的第一間層膜 1 0。形成第一間層膜1 〇的厚度，以使背側遮光膜3不作為 TFT的背閘極。接著，士口第8D圖所示形成多晶石夕層i 6。在形成非晶矽層之後，施以雷射退火處理，且之後實行光學微影處理和蝕刻處理，以形成多晶矽層16。之後，如第8e 圖中所=，形成閘極絕緣膜丨丨以覆蓋多晶矽層1 6。 ,、接著，如第8F圖中所示，在TFT之側表面的鄰近區域形成接觸=L6，且之後如第8G圖中所示，形成作為閘極線4 的石夕化鎢等金屬膜。所α，間極金屬膜嵌人在之側表面的鄰近區域之接觸孔6。因接觸孔6沿著TFT的通道區域區域形成，通道區域和ldd區域最後在閘極線之製形 =ϊ Μ行之後，由接觸孔，閘極線，和背側遮光膜所覆之後\摻雜雜質以形成源極區域，汲極區域，和LDD =二π A接&著，如第8H圖中所示，形成第二間層膜12。然的接觸孔，和…層至間極線和資料線的金屬材料，；後，第三間層膜，作為黑色矩陣順序連續形成第四間層膜’以及透明晝素電極ΙΤ0，以此第6=0由_上Λ製程而得到第6和10圖中所示的剖面形狀。回各為取自第9圖之TFT的LDD部份（D-D，區段）和通

2149-3896-PF.ptd 第15頁 525026 五、發明說明（12) 道部份（C-C，區段）。如第6圖中所示，TFT的LDD區域，以接觸孔，背側遮光膜，和閘極線覆蓋。藉由在TFT之LDD區域的側表面的鄰近區域的接觸孔，造成背側遮光膜和閘極線接觸。 ' 在本實施例中，用以連接閘極線至背側遮光膜的接觸孔’位在沿著TFT之LDD區域的側表面，如第9圖中所示，使得TFT的LDD區域被接觸孔，背側遮光膜，和閘極線所覆蓋。所以，可避免來自光源的直射光和來自透鏡的反射光照射至LDD區域。另外，因背側遮光膜經由接觸孔而連接至 =光膜自TFT的背表面攔截光’且亦作為間極線，、因而可降低閘極線的導線阻值。晝素TFT的LDD部份，是對光最敏感的部份，且因此口有抑制光入射至LDD區域才對TFT的光漏 /、以，可藉由攔截入射至LDD部份的光而诗V金有/果。所雷汽，蕤以磷& &飧σ肪丄尤而减少畫素TFT的光漏 ^ /；，L精U避免衫像品質由於TFT的光漏雷而辫圼還有，因可降低閘極線的導線阻值， i差。於閘極線的信號延遲而變差。亦可避免影像品質由第三實施例第11圖所示為根據本發明第三實 TFT晝素部份之平面圖，而第12圖所例之^晶光閥的線取出之剖面圖。在第Η和12圖中·、'自第11圖之Η 5至7圖相同時，放置相同的符號。成凡件的功能和第在第11和1 2圖中，只顯示在書素一奴上之晝素的TFT部

525026 五、發明說明（13) 份，其為本發明之特徵部份。然而，複數個晝素以矩陣形成排列在晝素板上，且具有該等畫素形成於其上的畫素板’和具有相對電極之相對板，安排成經由液晶而彼此面對，藉以製造液晶光閥。直到資料線形成的製造流程示於第1 3A至1 3H圖。該製造流程將參照第1 3A至1 3H圖作說明。如第13A圖中所示，以二氧化矽等等，在玻璃基板15

上形成地基膜（地基絕緣膜）1 4，以防止玻璃受雜質污染。接著’如第13B圖中所示，在地基膜14上形成TFT之背側遮光膜3。可使用任何材料作為背側遮光膜3，然而，以使用高抗熱材料如矽化鎢等等較佳，因其當多晶矽形成時會受到退火處理。然後，如第丨3C圖中所示，在背側遮光膜3上形成由二氧化石夕等等形成的第一間層膜1 〇。第一間層膜1 〇的厚度設計成以使背側遮光膜3不作為TFT的背閘極。接著’如第1 3D圖所示形成多晶矽層丨6。在形成非晶矽層之後’施以雷射退火處理，且之後實行光學微影處理和蝕刻處理，以形成多晶矽層1 6。之後，如第1 3E圖中所示，形成閘極絕緣膜11以覆蓋多晶矽層1 6。

接著，如第13F圖中所示，沿著資料線形成接觸孔（接觸）6。該接觸孔6可形成在任何位置，只要其位在該資料線下方，然而，為了加強遮光能力，以其靠近源極區域 :極區域較佳。另外’如第13G圖中所示’形成作為閘極線4的矽化鎢等金屬膜。所以，閘極金屬膜下方之接觸孔6。仕貝抖線

I

2149.3896_PF.ptd 525026 五、發明說明（14)

之後，摻雜雜質以形成源極區區域。接著，如第13H圖中所示，形第及極^域’和LDD 後，形成各自連接閘極電極和多一 B=12。然的接觸孔’且如第81圖中所示：：：：線和資料線的金屬材料如紹等等。之後，第 f氣形作為資料線5 \ Λ第二間層膜13，作為黑色矩陣的金屬材科膜9，第四間層膜’ 以此順序連續形成。逍乃旦素電極ΙΤ0，經由上述製程而得到第i 2圖中圖為取自第11圖之G-G，區段。如第12 =中二面形狀。第12 和嵌入其中的閉極電極4位在資料第』2下圖方中所示，接觸孔6 於ΪΪ 一t第二實施例中，可攔截來自LDD之右和左侧入射的光，，、、'、’無法攔截沿資料線據第三實施例第η圖中所示，可以位在資料：下方：接觸孔，攔截/口著貧料線傳輸的 <，藉以如第一和第二實施例中的情況，減少晝素TFT的光漏電流。因此，可避免影像品質由於TFT的光漏電而變差。還有，根據本實施例，接觸孔位在資料線下方，然而，如第一和第一貫施例中的情況，接觸孔可位在TFT之侧表面的鄰近區域。所以，可攔截自側表傳輸的光和沿著資料線傳輸的光，藉以進一步加強遮光效應。其次，將說明使用本發明之液晶光閥（液晶面板）的液晶投影裝置之構造。該液晶投影裝置之基本構造揭露於日本公開專利申請編號He i-1 1-337900。第1 4圖所不為根據本發明之液晶投影裝置的構造。継 2149-3896-PF.ptd 第18頁 525026 五、發明說明（15) ---- 在第14圖中，自燈201照射的光通過紫外紅外阻斷據光片202，多陣列透鏡203，204，和平面凸透鏡2〇5，且〜接著入射至雙色鏡206，使其分離成紅光R和綠光g的組合與藍光B。進一步地，紅光R和綠光G的組合以雙色鏡2〇7分離成紅光R和綠光G。如此分離之藍光B通過鏡面220和聚光透鏡221，且引導至藍色用液晶面板2 0 8。如此分離之紅光r通過聚光透鏡 2 0 9 ’且引導至紅色用液晶面板2 1 〇。如此分離之綠光◦通過中繼透鏡211，鏡面212，中繼透鏡213，鏡面214，和聚光透鏡215，且引導至綠色用液晶面板216。使用本發明之液日日顯不裝置作為液晶面板208，210，和216。亦即，用於液晶投影裝置中的各個液晶面板，以將液晶封裝於在第一，第二，或第三實施例中形成之TFT板和相對板之間而得到。由液晶面板2 0 8，2 1 0，和2 1 6所光學調變之三色（R， G，B)光束，以一主要為L形，由稜鏡元件217a，217b，和 217c的稜鏡裝置組合，且以投射透鏡投射218至螢幕219。上述之液晶投影裝置设計成三片式，然而，本發明可應用於單片式液晶投影裝置。本發明之液晶顯示裝置適合於應用在用於液晶投影裝置中的液晶光閥，然而，並不限於液晶光閥。進一步地，本發明可應用於使用不具有LDD區域之場效電晶體的情況。如上所述’根據本發明’可抑制入射至通道區域和/

2149-3896-PF.ptd 第19頁 525026 五、發明說明（16) 或LDD區域。因此，可減少晝素電晶體的光漏電流。所以，可避免由於光漏電流之對比降低和由於閃嫁等等之影像品質變差。還有，因可降低閘極線的導線阻值，< 避免由於閘極線上信號延遲之影像品質變差。、，然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 ί明二任何熟習此技藝者，☆不脫離本發明之精申矛靶圍内，*可作些許之更動與潤飾，因護範圍當視後附之申請專利範圍所界定 $月之保

Claims

525026 l· 一種液晶顯示裝置，包括一佥膜，第一絕緣膜，半導體層，作^炻二上形成遮光膜，以及閘極線，而在該半導體二二、、、、、之第二絕緣卩硤工文々等體層中形成源極區域，、、芬托 £域，和通道區域或通道區域和ldd區域二者，域及極其中該遮光膜由導電材料製成，或該ldd區域的側表面之鄰近區域，具有用域和/ 線和該遮光膜的接觸孔。〃連接各閘極 2 · —種液晶顯示裝置，包括一書膜，第一絕緣膜，半導體声，作A;f板其上形成遮光問極線，第三絕緣膜，以及資料線，而在中形成源極區域，汲極區域，和通道區-曰 LDD區域二者，々凡遇遏&域和其中該遮光膜由導電材料製成，且在各具有用以連接該遮光膜的接觸孔。、〜 ’ 3·如申請專利範圍第丨項所述之液晶顯示裝置，其上進一步形成一第三絕緣膜和資料、線，且在各貝村綠下方，具有用以連接該遮光膜的另一接觸孔。其中 4·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置在該接觸孔以閘極線材料填充。、其中 5 ·如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示裝置在該接觸孔以閘極線材料填充。其中 6 ·如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示裝置在該接觸孔和該另一接觸孔以開極線材料填充。 7·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置其中

2149-3896-PF.ptd 第21頁 525026 六、申請專利範圍在該接觸孔作為遮光區域。 8·如申請專利範圍第2項所述之液晶_示裝置，其在該接觸孔作為遮光區域。 ' 9 ·如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示裝置，其在$亥接觸孔和該另一接觸孔作為遮光^域。中 1 〇 ·如申請專利範圍第丨項所述之液晶顯示裝置，发在該遮光膜由抗熱材料製成。 " ，、中 11 ·如申請專利範圍第2項所述之液晶I員示裝置，在該遮光膜由抗熱材料製成。 /、中 1 2·如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示，

在該遮光膜由抗熱材料製成。、 "中 1 3·如申請專利範圍第1項所述之液晶_ 在該遮光膜，該第一絕緣膜，該半導體層，誃^二、中膜，以及邊閘極線，以此順序連續疊合。、、緣 14·如申請專利範圍第2項所述之液晶在該遮光膜’胃第―絕緣膜，該半導體層，：匕其中 ::該閘極線’該第三絕緣膜，以及該資料線，以：緣連續疊合。貝了叶綠，以此川員序 15· 一種液晶投影裝置，包括：

:液晶顯示裝置，包括一畫素板，其上以：ΐ Γ膜，’導體層，作為閘極絕緣膜之絕緣=’ 以及閘極線，而在兮生道触a a ^啄胰之弟一絶緣膜，域，和通道區域a >成源極區域，汲極區 " 且在該通道區域和/或該LDD區域的側膜由導電材料S道區域和LDD區域二者…該遮光

2149-3896-PF.ptd 第22頁 525026 六、申請專利範圍表面之鄰近區域’具有用以連接各閘極線和該遮光膜的接觸孔；一光游’以照射光至該液晶顯示裝置；一光#系統’以引導自光源的光至該液晶顯示裝置；以及一光學系統’以自該液晶顯示裝置投射資訊光。 1 6 蘀液晶投影裝置，包括：一液晶Ui#包畫素板’其上形成遮光膜，閉極線…絕以及資料線，而在該半導體邑= 成源極區威，汲極區域，和通道區域或isθ y 域二者，其中該遮光膜由導電材料掣成 ι°σ J *LDD區方，具有用以連接該遮光膜的接觸^ ;，且在各資料線下一光源，以照射光至該液晶顯示裴置· 一光#系統，以引導自光源的光^发以及主忒液晶顯示裝置；一光攀系統，以自該液晶顯示裝衣置投射資訊光。 2149-3896-PF.ptd 第23頁