TW525026B - Liquid crystal display device and liquid crystal projector apparatus - Google Patents

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TW525026B TW090107645A TW90107645A TW525026B TW 525026 B TW525026 B TW 525026B TW 090107645 A TW090107645 A TW 090107645A TW 90107645 A TW90107645 A TW 90107645A TW 525026 B TW525026 B TW 525026B
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Nobuaki Honbo
Kazuhide Yoshinaga
Hiroyuki Sekine
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Nec Corp
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Description

525026 五、發明說明(1) 本發明係有關於一種液晶顯示裝置及液晶投影裝置, 特別是一種具有畫素板之液晶顯示裝置,其上形成遮光 膜’第一絕緣膜,半導體層,作為閘極絕緣膜之第二絕緣 膜,以及閘極線,而在該半導體層中形成源極區域,汲極 區域’和通道區域或通道區域和LDD(少量摻雜汲極)二 者,以及使用該液晶顯示裝置的液晶投影裝置。 日本專利申請編號H e i - 11 - 1 〇 9 9 7 9揭露一種晝素結 構’作為液晶光閥的遮光機制。第1圖所示為揭露於日本 專利申請編號Hei_ll_ 1 09979之晝素TFT部份的平面圖,而 第2圖為取自第1圖中之E-E’線的剖面圖。 如第1和2圖中所示,在玻璃基板15上形成地基膜(地 基絕緣膜)14,背側遮光膜3,第一間層膜10,半導體層, 閘極絕緣膜11 ’閘極線4 ’第二絕緣膜1 2,資料線5,第二 絕緣膜13,黑色矩陣9。在半導體層中形成源極區域,没+ 極區域,通道區域1,和LDD區域2。 如第1圖中所示,閘極線4和資料線5以矩陣形式排 列’以彼此成垂直,且各個晝素TFT置於各閘極線I和各資 料線5之間的交叉部份。如第2圖之剖面所示,不到達背側 遮光膜3的假接觸孔20形成在各TFT之LDD區域之側表面的 鄰近區域。背側遮光膜3的的電位設定成地(GND)電位,以 避免背側遮光膜3成為TFT的背閘極。TFT的源極區域經由 接觸孔7連接至資料線。TFT的汲極經由接觸孔8連接2透 明晝素電極ΙΤ0。 日本專利申請編號Hei-11-360973揭露另_查素名士
2149-3896-PF.ptd 525026 五、發明說明(2) " ' 構二2為液晶光閥的晝素遮光機制。第3圖所示為揭露於 日本專利申請編號He i-l 1 -3 60 973之畫素TFT部份的平面 圖,而第4圖為取自第3圖中之F — F,線的剖面圖。在第3和々 圖中,當構成元件的作用相同時,使用相同的符號。 在曰本專利申請編號He i- 1 1 -36097 3之晝素結構中,在TFT 的二側各形成到達背側遮光膜3的接觸孔丨8,且以作為資 料線的鋁導線5覆蓋。光16,照射至接觸孔18。丁以以接觸 孔18遮蔽光。在接觸孔18的牆上形成側牆19。?〇1”^ (多 晶矽)2 1形成在地基膜1 4上。 在曰本公開專利申請編號He i-卜1 28 534,
He 1 -1 -1 77020,Hei-8-234239中揭露關於本發明的技術。 特別地,在日本公開專利中請編號Hei 一8一234239中揭露遮 光圖案和閘極線圖案彼此經由接觸部份而電性連接。 日本專利申請編號He i-1 1 -1 09 979無法完美地將TFT遮 蔽照射至TFT光,而因此難以避免由於TFT的光漏電流造成 之影像品質變差。而且,當閘極線的阻值高時,由於閘極 信號延遲而發生影像品質變差。 另外,日本專利申請編號Hei — j ^360973的結構可將 TFT遮蔽照射至TFT光。然而,當閘極線的阻值高時,由於 閘極信號延遲而發生影像品質變差。 將詳細說明影像品質變差的原因。 在日本專利申請編號Hei -11-109979的畫素結構中, 未到達背側遮光膜的假接觸孔形成於TFT之LDD區域的二 側,且因此在背側遮光膜和各假接觸孔之間發生間隙。所
2149-3896-PF.ptd 第6頁 525026 五 發明說明(3) 以,無法將TFT遮蔽照射至其上的光。 一般而言,當面板設計成緊密尺 導 線阻值增加。揭露於日本公開專利申請編號 :1二Γ9979和Hei_1卜360973中之實施例使用石夕化鶴作 面二、ί二而鋁導線作為資料線。所以,#導線阻值由於 由於該延遲之影像品質變差。 叩知王 t據本發明之第一型態,提供一種液晶顯示裝置,包 & 4旦素板,其上形成遮光膜,第一絕緣膜,半導體声, 緣膜之第二絕緣膜1及閉極線導 和二祕 區域,汲極區域,和通道區域或通道區域 通、替區°祕4一者,其中該遮光膜由導電材料製成,且在該 連i : A H或該LDD區域的側表面之鄰近區域,具有用以 遷接各閘極線和遮光膜的接觸孔。 發明之第二型態’提供一種液晶顯示裝置,包 作為;朽:祕其上形成遮光膜’第一絕緣膜導體層, :而在該半導體層中形成源極區$,汲極區域, 導ΐ = 通道區域和LDD區域二者’,中該遮光膜由 的接觸孔。 卩谷貝枓線下方’具有用以連接遮光膜 中除ΓίΓΓ月之第三型態’提供一種液晶投影裝置,其 二除了f發明之第-或第二型態中之液晶顯示裝置外,包 栝.一先源,以照射光至該液晶顯示裝置;一光學系统, 第7頁 )25〇26 五、發明說明(4) —: " "" 一 t引導自光源的光至該液晶顯示裝置;以及一光學系統, 自该液晶顯示裝置投射資訊光。 本發明的特徵為,在如液晶光閥等等的液晶顯示裝置 使用的晝素TFT之結構,在晝素TFT的通道區域和/或該 (少置摻雜汲極)的側表面之鄰近區域,形成接觸孔, 以連接各閘極線和遮光膜,而使用接觸孔作為遮光區域, 以減少光照射至”丁,藉以抑制TFT的光漏電流。此外,使 用背側遮光膜作為閘極線,以降低閘極線的阻值。 另=,本發明的特徵為,以位在資料線下方的接觸孔
攔截沿著資料線行進的光,而減少照射至TFT的光,藉以 抑制TFT的光漏電流。 曰 本發明之上述及其他目的,特徵,和優點,將就後文 作更明白的說明。 以下將參照所附爵式,對本發明作更詳細的說明。 圖式簡單說明 第1圖係顯示第一相關技術之平面圖; 第2圖係顯示自第1圖之E-E,绐说,回’ 少 u < a線取出之剖面圖; 第3圖係顯示第二相關技術之平面圖·
第4圖係顯示自第3圖之F-F’線取出θ之剖面圖; 第5圖係顯示根據本發明第—實施例之液晶光閥之晝 素TFT部份的平面圖; 第6圖所示為自第5圖之H,線和第9圖之D-D,線取出 之剖面圖, 第7圖所示為自第5圖之Η’線取出之剖面圖;
2149-3896-PF.ptd 第8頁 525026 五、發明說明(5) 第8 A至8 I圖所示為根據本發明第一實施例之τ f T畫素 部份,至汲極線形成步驟之製造流程的剖面圖; 第9圖所示為根據本發明第二實施例之液晶光閥的Tft 畫素部份之平面圖; 第10圖所示為自第9圖之C-C’線取出之剖面圖; 第11圖所示為根據本發明第三實施例.之液晶光閥的 TFT畫素部份之平面圖; 第12圖所示為自第η圖之G—G,線取出之剖面圖; 第1 3A至1 3H圖所示為根據本發明第三實施例之TFT畫 素部份,至没極線形成步驟之製造流程的剖面圖;以及 第1 4圖所示為根據本發明之液晶投影裝置的構造圖。 [符號說明] 通道區域〜1 ; L D D區域〜2 ; 背側遮光膜〜3 ; 閘極線〜4 ; 資料線〜5,〜6 ; 接觸孔〜7 ; 接觸孔〜8 ; 黑色矩陣〜9 ; 第一間層膜〜1 〇 ; 閘極絕緣膜〜11 ; 第一絕緣膜〜1 2 ; 第三絕緣膜〜1 3 ; 地基膜〜1 4 ; 玻璃基板〜1 5 ; 多晶石夕層〜1 6 ; 直射光〜16’ ; 反射光〜1 7,; 接觸孔〜1 8 ; 侧牆〜19 ; 假接觸孔〜2 〇 ; 多晶矽〜2 1 ; 燈〜201 ; 紫外紅外線阻斷濾光片〜2 〇 2 ; 多陣列透鏡〜203 ;
2149-3896-PF.ptd 第9頁 525026 〜~_____________ 五、發明說明(6) 多陣列透鏡〜204 ; 平面凸透鏡〜205 ; 雙色鏡〜206,〜207 ; ^ 液晶顯示面板〜208,〜2 10,〜216 ; 聚光透鏡〜209,〜215,〜221 ; 中繼透鏡〜2 11,〜2 1 3 ; 鏡面〜212,〜214,〜220 ; 稜鏡元件〜217a,〜217b,〜217c ; 投射透鏡〜218 ; 螢幕〜219。 實施例 第5圖係顯示根據本發明之液晶光閥之晝素結構。用 以相互連接背側遮光膜3和閘極線4的接觸孔6形成於TFT之 通道區域1和LDD區域2的側表面之鄰近區域。第6圖所示為 自第5圖之A-A’線取出之剖面圖,而第7圖所示為自第5圖 之B-B’線取出之剖面圖。如第7圖中所示,閘極線材料填 充在位於TFT之側表面的鄰近區域之接觸孔6中。 第9圖所示為本發明另一液晶光閥的晝素結構。在第9 圖中,用以相互連接背側遮光膜3和閘極線4的接觸孔6形 成於TFT之LDD區域2的側表面之鄰近區域。自第9圖之D-D, 線的剖面結構2圖中所示之剖面結構相同。如第2圖中所 示,閘極線材料填充在位於TFT之LDD的側表面的鄰近區域 之接觸孔6中。 位在TFT的側表面之鄰近區域之接觸孔,用以避免來 自光源的直射光和反射自鏡片的反射光,射入畫素TFT的 通道區域和LDD區域。背側遮光膜以接觸孔連接至閘極 線,而因此背側遮光膜作為閘極線。
2149-3896-PF.ptd 第10頁 525026 五、發明說明(7) - 、亦即,照射至m的光可以位在畫素TFT的側表 近區域的接觸孔降低,而可抑制TFT的光漏電流。而,且 背側遮光膜作為閘極線,而可減少閘極信號的延遲時間。 因,此可避免由TFT之光漏光流所造成的閃爍對比下降'° 也可避免由於閘極信號延遲之影像品質變差。 第11圖係顯示本發明之另一液晶光閥的另一晝素鲈 構。在第11圖中,沿著資料線5行進的光,被位在 下方的接觸孔6所攔截,而減少照射至TFT的光, TFT的光漏電流。 1 ^ 接著,參照所附圖式,更詳細地說明根據本發的較佳 實施例。 第一實施例 第5圖係顯不根據本發明第一實施例之液晶光閥之畫 素TFT部份的平面圖,而第6和7圖所示各為自第丨圖之A_A, 線和B-B’線取出之剖面圖。在第5至?圖中,構成元件的功 能和第1和2圖相同時,放置相同的符號。在第丨,2和3圖 中,只顯示在晝素板上之畫素的TFT部份。然而,複數個 晝素以矩陣形成排列在晝素板上,且具有該等晝素形成於 其上的畫素板,和具有相對電極之相對板,安排成經由液 晶而彼此面對,藉以製造液晶光閥。 如第5至7圖中所示,地基膜(地基絕緣膜)14,背側遮 膜3,第一間層膜1 〇,半導層,閘極絕緣膜丨丨,閘極線4, 第二絕緣膜12,資料線5,第三絕緣膜13,黑色矩陣9,形 成於玻璃基板15上。源極區,汲極區域,通道區域j,和
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至’Λ成☆半導體層’ °tft的源極區域經由接觸 貝料線5。TFT的汲極區域經由接觸孔8連接至透 明畫素電極ΙΤ0。 直到資料線形成的流程示於第8A至8 I圖中。 祀以如Λ8Α圖中所示,以二氧化矽料,在玻璃基板15上 : 成)地基膜(地基絕緣膜)1 4,以防止玻璃受雜質污
木、接著’如第8Β圖中所示,在地基膜14上形成TFT之背 側遮$膜3、。可使用任何材料作為背側遮光膜3,只要其可 搁,光…丨而’以使用咼抗熱材料如石夕化鶴等等較佳,因 其當多晶石夕形成時會受到退火處理。然後,如第8C圖中所 不,在背側遮光膜3上形成由二氧化矽等等形成的第一間 層膜10。決定第一間層膜1〇的厚度,以使背侧遮光膜3不 作為TFT的背閘極。接著,#第⑽圖所示形成多晶矽層 16。在形成非晶矽層之後,施以雷射退火處理,且之後實 行光學微影處理和蝕刻處理,以形成多晶矽層丨6。之後, 如第8E圖中所示,形成閘極絕緣膜丨丨以覆蓋多晶矽層16。
接著,如第8F圖中所*,在m之側表面的鄰近區域 形成接觸孔(接觸)6,且之後如第8(?圖中所示,形成作為 閘極線4的矽化鎢等金屬膜。所以,閘極金屬膜嵌入在τρτ 之侧表面的鄰近區域之接觸孔6。因接觸孔6沿著^丁的通 道區域和LDD(微量摻雜汲極)區域形成,通道區域和LDD區 域最後在閘極線之製形處理實行之後,由接觸孔,閘極 線,和背側遮光膜所覆蓋。
之後,摻雜雜質以形成源極區域,汲極區域,和LDD 'mi 2149-3896-PF.ptd 第12頁 525026 五、發明說明(9) 】域。,接著,如第8H圖中所示,形成第二間層膜12。然 的接Ξί各自連=極電極和多晶矽層至閘極線和資;線 的金=料圖中所* ’形成並製形作為資料線5 屬材枓如鋁4專。之後,第三間層膜丨3,作 的金屬材料,第四間層膜,以及透明晝素極I 此順序連續形成。 / iro,以 經由上述製程而得到第6和7圖中所示的剖面形狀。 匕和7圖各為取自第5圖之TFT的LDD部份(A — A,區段)和雨、曾弟 — 區段)。如第6和7圖中所示,TFT的LDD區域、,通 k品域,以接觸孔,閘極線,和背側遮光膜覆蓋。藉 TFT之側表面的鄰近區域的接觸孔,造成背側遮光9 極線接觸。 、〒閘 在使用具有如此構造之液晶光閥的液晶投影器中, 僅來自光源的直射光,還有如來自背表面的反射^之強不 ,,照射至液晶光閥上。因此,光直接或重覆反射地昭 ^光閥的畫素TFT之通道區域或LDD部份。然而,根據^徐 施例,用以連接閘極線和背側遮光膜的接觸孔,形成只 TFT之通道區域和LDD區域的側表面之鄰近區域,使彳曰 光源的直射光16,和來自透鏡的反射光丨7,,由該等I緬自 所攔截,如第6和7圖中所示,藉以將TFT遮蔽光。 孔 另外,藉由接觸孔造成背側遮光膜和閘極線接 得背側遮光膜自TFT的背表面攔截光,且作為閘極線,’使 而降低閘極線的導線阻值。當背側遮光膜和TFτ之間因 離小時,背側遮光膜在TFT操作時具有作為背閘極^效距
525026 五、發明說明(ίο) ---- 應三然而,當背側遮光膜間隔自TFT —段距離時,即使當 設定至任何電位時,亦對TFT的操作不具有效應。 如上所述’根據本實施例,可攔截入射至TFT通道部 份和LDD部份的光。因此,可減少畫素TFT的光漏電流,藉 ,避免對比由於光漏電流而降低,以及影像品質由於閃燦 等等,,差。還有,可降低閘極線的導線阻值,因而避免 景> 像品質由於閘極線的信號延遲而變差。 第二實施例 第9圖所示為根據本發明第二實施例之液晶光閥的π τ 畫素部份之平面圖,而第1〇圖所示為自第9圖之C-C,線取 出之剖面圖。自第9圖之D-D,線取出之剖面圖和第6圖相 同。在第9和1 0圖中,構成元件的功能和第5至7圖相同 時,放置相同的符號。 在第9和1〇圖中,只顯示在晝素板上之畫素的”丁部 份,其為本發明之特徵部份。然而,複數個畫素以矩陣形 成排列在晝素板上,且具有該等畫素形成於其上的畫素 板,和具有相對電極之相對板,安排成經由液晶而&此面 對’藉以製造液晶光閥。 直到資料線形成的製造流程和第8A至8丨圖相同。該製 造流程將參照第8 A至8 I圖作說明。 ,如第8人圖中所示,以二氧化矽等等,在玻璃基板15上 2成地基膜(地基絕緣膜)14,以防止玻璃受雜質污染。接 著,如第8B圖中所示,在地基膜14上形成TFT之背側遮光 膜3 °可使用任何材料作為背側遮光膜3,只要其可攔截
2149-3896-PF.ptd 第14頁 525026 光’然而以使用兩抗熱材料如石夕化鎢等等較佳,因其當 多晶矽形成時會受到退火處理。然後,如第8C圖中所示, 在背側遮光膜3上形成由二氧化矽等等形成的第一間層膜 1 0。形成第一間層膜1 〇的厚度,以使背側遮光膜3不作為 TFT的背閘極。接著,士口第8D圖所示形成多晶石夕層i 6。在 形成非晶矽層之後,施以雷射退火處理,且之後實行光學 微影處理和蝕刻處理,以形成多晶矽層16。之後,如第8e 圖中所=,形成閘極絕緣膜丨丨以覆蓋多晶矽層1 6。 ,、接著,如第8F圖中所示,在TFT之側表面的鄰近區域 形成接觸=L6,且之後如第8G圖中所示,形成作為閘極線4 的石夕化鎢等金屬膜。所α,間極金屬膜嵌人在之側表 面的鄰近區域之接觸孔6。因接觸孔6沿著TFT的通道區域 區域形成,通道區域和ldd區域最後在閘極線之製形 =ϊ Μ行之後,由接觸孔,閘極線,和背側遮光膜所覆 之後\摻雜雜質以形成源極區域,汲極區域,和LDD =二π A接&著,如第8H圖中所示,形成第二間層膜12。然 的接觸孔,和…層至間極線和資料線 的金屬材料,;後,第三間層膜,作為黑色矩陣 順序連續形成第四間層膜’以及透明晝素電極ΙΤ0,以此 第6=0由_上Λ製程而得到第6和10圖中所示的剖面形狀。 回各為取自第9圖之TFT的LDD部份(D-D,區段)和通
2149-3896-PF.ptd 第15頁 525026 五、發明說明(12) 道部份(C-C,區段)。如第6圖中所示,TFT的LDD區域,以 接觸孔,背側遮光膜,和閘極線覆蓋。藉由在TFT之LDD區 域的側表面的鄰近區域的接觸孔,造成背側遮光膜和閘極 線接觸。 ' 在本實施例中,用以連接閘極線至背側遮光膜的接觸 孔’位在沿著TFT之LDD區域的側表面,如第9圖中所示, 使得TFT的LDD區域被接觸孔,背側遮光膜,和閘極線所覆 蓋。所以,可避免來自光源的直射光和來自透鏡的反射光 照射至LDD區域。 另外,因背側遮光膜經由接觸孔而連接至 =光膜自TFT的背表面攔截光’且亦作為間極線,、因而 可降低閘極線的導線阻值。 晝素TFT的LDD部份,是對光最敏感的部份,且因此口 有抑制光入射至LDD區域才對TFT的光漏 /、 以,可藉由攔截入射至LDD部份的光而诗V金有/果。所 雷汽,蕤以磷& &飧σ肪丄 尤而减少畫素TFT的光漏 ^ /;,L精U避免衫像品質由於TFT的光漏雷而辫圼 還有,因可降低閘極線的導線阻值, i差。 於閘極線的信號延遲而變差。 亦可避免影像品質由 第三實施例 第11圖所示為根據本發明第三實 TFT晝素部份之平面圖,而第12圖所例之^晶光閥的 線取出之剖面圖。在第Η和12圖中·、'自第11圖之Η 5至7圖相同時,放置相同的符號。 成凡件的功能和第 在第11和1 2圖中,只顯示在書素 一 奴上之晝素的TFT部
525026 五、發明說明(13) 份,其為本發明之特徵部份。然而,複數個晝素以矩陣形 成排列在晝素板上,且具有該等畫素形成於其上的畫素 板’和具有相對電極之相對板,安排成經由液晶而彼此面 對,藉以製造液晶光閥。 直到資料線形成的製造流程示於第1 3A至1 3H圖。該製 造流程將參照第1 3A至1 3H圖作說明。 如第13A圖中所示,以二氧化矽等等,在玻璃基板15
上形成地基膜(地基絕緣膜)1 4,以防止玻璃受雜質污染。 接著’如第13B圖中所示,在地基膜14上形成TFT之背側遮 光膜3。可使用任何材料作為背側遮光膜3,然而,以使用 高抗熱材料如矽化鎢等等較佳,因其當多晶矽形成時會受 到退火處理。然後,如第丨3C圖中所示,在背側遮光膜3上 形成由二氧化石夕等等形成的第一間層膜1 〇。第一間層膜1 〇 的厚度設計成以使背側遮光膜3不作為TFT的背閘極。接 著’如第1 3D圖所示形成多晶矽層丨6。在形成非晶矽層之 後’施以雷射退火處理,且之後實行光學微影處理和蝕刻 處理,以形成多晶矽層1 6。之後,如第1 3E圖中所示,形 成閘極絕緣膜11以覆蓋多晶矽層1 6。
接著,如第13F圖中所示,沿著資料線形成接觸孔(接 觸)6。該接觸孔6可形成在任何位置,只要其位在該資料 線下方,然而,為了加強遮光能力,以其靠近源極區域 :極區域較佳。另外’如第13G圖中所示’形成作為閘極 線4的矽化鎢等金屬膜。所以,閘極金屬膜 下方之接觸孔6。 仕貝抖線
I
2149.3896_PF.ptd 525026 五、發明說明(14)
之後,摻雜雜質以形成源極區 區域。接著,如第13H圖中所示,形第及極^域’和LDD 後,形成各自連接閘極電極和多一 B=12。然 的接觸孔’且如第81圖中所示 ::::線和資料線 的金屬材料如紹等等。之後,第 f氣形作為資料線5 \ Λ第二間層膜13,作為黑色矩 陣的金屬材科膜9,第四間層膜’ 以此順序連續形成。 逍乃旦素電極ΙΤ0, 經由上述製程而得到第i 2圖中 圖為取自第11圖之G-G,區段。如第12 =中二面形狀。第12 和嵌入其中的閉極電極4位在資料第』2下圖方中所示,接觸孔6 於ΪΪ 一t第二實施例中,可攔截來自LDD之右和左侧 入射的光,,、、'、’無法攔截沿資料線 據第三實施例第η圖中所示,可以位在資料:下方: 接觸孔,攔截/口著貧料線傳輸的 <,藉以如第一和第二實 施例中的情況,減少晝素TFT的光漏電流。因此,可避免 影像品質由於TFT的光漏電而變差。 還有,根據本實施例,接觸孔位在資料線下方,然 而,如第一和第一貫施例中的情況,接觸孔可位在TFT之 侧表面的鄰近區域。所以,可攔截自側表傳輸的光和沿著 資料線傳輸的光,藉以進一步加強遮光效應。 其次,將說明使用本發明之液晶光閥(液晶面板)的液 晶投影裝置之構造。該液晶投影裝置之基本構造揭露於日 本公開專利申請編號He i-1 1-337900。 第1 4圖所不為根據本發明之液晶投影裝置的構造。 継 2149-3896-PF.ptd 第18頁 525026 五、發明說明(15) ---- 在第14圖中,自燈201照射的光通過紫外紅外阻斷據 光片202,多陣列透鏡203,204,和平面凸透鏡2〇5,且〜接 著入射至雙色鏡206,使其分離成紅光R和綠光g的組合與 藍光B。進一步地,紅光R和綠光G的組合以雙色鏡2〇7分離 成紅光R和綠光G。 如此分離之藍光B通過鏡面220和聚光透鏡221,且引 導至藍色用液晶面板2 0 8。如此分離之紅光r通過聚光透鏡 2 0 9 ’且引導至紅色用液晶面板2 1 〇。如此分離之綠光◦通 過中繼透鏡211,鏡面212,中繼透鏡213,鏡面214,和聚 光透鏡215,且引導至綠色用液晶面板216。使用本發明之 液日日顯不裝置作為液晶面板208,210,和216。亦即,用 於液晶投影裝置中的各個液晶面板,以將液晶封裝於在第 一,第二,或第三實施例中形成之TFT板和相對板之間而 得到。 由液晶面板2 0 8,2 1 0,和2 1 6所光學調變之三色(R, G,B)光束,以一主要為L形,由稜鏡元件217a,217b,和 217c的稜鏡裝置組合,且以投射透鏡投射218至螢幕219。 上述之液晶投影裝置设計成三片式,然而,本發明可應用 於單片式液晶投影裝置。 本發明之液晶顯示裝置適合於應用在用於液晶投影裝 置中的液晶光閥,然而,並不限於液晶光閥。進一步地, 本發明可應用於使用不具有LDD區域之場效電晶體的情 況。 如上所述’根據本發明’可抑制入射至通道區域和/
2149-3896-PF.ptd 第19頁 525026 五、發明說明(16) 或LDD區域。因此,可減少晝素電晶體的光漏電流。所 以,可避免由於光漏電流之對比降低和由於閃嫁等等之影 像品質變差。 還有,因可降低閘極線的導線阻值,< 避免由於閘極 線上信號延遲之影像品質變差。 、,然本發明已以一較佳實施例揭露如上,然其並非用 ί明二任何熟習此技藝者,☆不脫離本發明之精 申矛靶圍内,*可作些許之更動與潤飾,因 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定 $月之保

Claims (1)

  1. 525026 l· 一種液晶顯示裝置,包括一佥 膜,第一絕緣膜,半導體層,作^炻 二上形成遮光 膜,以及閘極線,而在該半導體二二、、、、、之第二絕緣 卩硤工文々 等體層中形成源極區域,、、芬托 £域,和通道區域或通道區域和ldd區域二者,域及極 其中該遮光膜由導電材料製成, 或該ldd區域的側表面之鄰近區域,具有用域和/ 線和該遮光膜的接觸孔。 〃連接各閘極 2 · —種液晶顯示裝置,包括一書 膜,第一絕緣膜,半導體声,作A;f板其上形成遮光 問極線,第三絕緣膜,以及資料線,而在 中形成源極區域,汲極區域,和通道區-曰 LDD區域二者, 々凡遇遏&域和 其中該遮光膜由導電材料製成,且在各 具有用以連接該遮光膜的接觸孔。 、〜 ’ 3·如申請專利範圍第丨項所述之液晶顯示裝置,其 上進一步形成一第三絕緣膜和資料、線,且在各 貝村綠下方,具有用以連接該遮光膜的另一接觸孔。 其中 4·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置 在該接觸孔以閘極線材料填充。 、 其中 5 ·如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示裝置 在該接觸孔以閘極線材料填充。 其中 6 ·如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示裝置 在該接觸孔和該另一接觸孔以開極線材料填充。 7·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置 其中
    2149-3896-PF.ptd 第21頁 525026 六、申請專利範圍 在該接觸孔作為遮光區域。 8·如申請專利範圍第2項所述之液晶_示裝置,其 在該接觸孔作為遮光區域。 ' 9 ·如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示裝置,其 在$亥接觸孔和該另一接觸孔作為遮光^域。 中 1 〇 ·如申請專利範圍第丨項所述之液晶顯示裝置,发 在該遮光膜由抗熱材料製成。 " ,、中 11 ·如申請專利範圍第2項所述之液晶I員示裝置, 在該遮光膜由抗熱材料製成。 /、中 1 2·如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示,
    在該遮光膜由抗熱材料製成。 、 "中 1 3·如申請專利範圍第1項所述之液晶_ 在該遮光膜,該第一絕緣膜,該半導體層,誃^二、中 膜,以及邊閘極線,以此順序連續疊合。 、、緣 14·如申請專利範圍第2項所述之液晶 在該遮光膜’胃第―絕緣膜,該半導體層,:匕其中 ::該閘極線’該第三絕緣膜,以及該資料線,以:緣 連續疊合。 貝了叶綠,以此川員序 15· 一種液晶投影裝置,包括:
    :液晶顯示裝置,包括一畫素板,其上 以:ΐ Γ膜,’導體層,作為閘極絕緣膜之絕緣=’ 以及閘極線,而在兮生道触a a ^啄胰之弟一絶緣膜, 域,和通道區域a >成源極區域,汲極區 " 且在該通道區域和/或該LDD區域的側 膜由導電材料S道區域和LDD區域二者…該遮光
    2149-3896-PF.ptd 第22頁 525026 六、申請專利範圍 表面之鄰近區域’具有用以連接各閘極線和該遮光膜的接 觸孔; 一光游’以照射光至該液晶顯示裝置; 一光#系統’以引導自光源的光至該液晶顯示裝置; 以及 一光學系統’以自該液晶顯示裝置投射資訊光。 1 6 蘀液晶投影裝置,包括: 一液晶Ui#包畫素板’其上形成遮光膜, 閉極線…絕以及資料線,而在該半導體邑= 成源極區威,汲極區域,和通道區域或isθ y 域二者,其中該遮光膜由導電材料掣成 ι°σ J *LDD區 方,具有用以連接該遮光膜的接觸^ ;,且在各資料線下 一光源,以照射光至該液晶顯示裴置· 一光#系統,以引導自光源的光^发 以及 主忒液晶顯示裝置; 一光攀系統,以自該液晶顯示裝 衣置投射資訊光。 2149-3896-PF.ptd 第23頁
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