JP2008151901A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、（ｉ）走査線（１１）と第１の絶縁膜（１２）を介して異なる層に配置され、Ｙ方向に沿った半導体層（１ａ）と、（ｉｉ）半導体層に対して走査線と反対側の層に配置されたゲート電極（３）とを含むトランジスタ（３０）と、トランジスタよりも第２の絶縁膜（４１）を介して上層側に配置された蓄積容量（７０）とを備える。更に、第１の絶縁膜には、半導体層の脇にＹ方向に沿って延在する第１部分（８２１）と、走査線の一部と重なると共にＸ方向に沿って延在する第２部分（８２２）とを有する、ゲート電極と走査線とを接続するコンタクトホール（８１０）が形成され、蓄積容量は、コンタクトホールに起因して第２の絶縁膜の上層側表面に生じた凹部（７１０）を覆うように形成され、凹状部分（７０ｔ）を有する。
【選択図】図７

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。また、高コントラスト化等を目的として、ＴＦＴと画素電極との間に容量素子が設けられることがある。以上の構成要素は基板上に高密度で作り込まれ、画素開口率の向上や装置の小型化が図られる。

ここで特に、容量素子はできるだけ容量が大きい方が望ましいが、その反面で、画素開口率を犠牲にしないように設計するのが望ましい。そこで、例えば特許文献１では、容量素子を基板上の凹部の底面及び側面に形成することで、高い開口率を確保しつつ当該容量素子の容量を増大させる技術が開示されている。

一方、この種の電気光学装置の一例である液晶装置は、直視型ディスプレイのみならず、例えば投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）としても多用されている。特に投射型表示装置の場合、光源からの強い光が液晶ライトバルブに入射されるため、この光によって液晶ライトバルブ内のＴＦＴがリーク電流の増大や誤動作等を生じないよう、入射光を遮る遮光手段としての遮光膜が液晶ライトバルブに内蔵されている。上述した容量素子は、当該容量素子の構成要素である電極を遮光膜として兼用し、ＴＦＴを遮光することもできる。例えば、上述した特許文献１では、容量素子によって、半導体層への光の入射を低減する技術が開示されている。

特開２００５−１１５１０４号公報

しかしながら、特許文献１に開示された技術によれば、製造プロセスにおいて、容量素子を形成するための凹部を、基板上の他の構成要素を形成する工程とは独立した別個の工程によって、作り込まなければならず、製造工程の複雑化を招いてしまうおそれがあるという技術的問題点がある。また、より一層の開口率の向上や装置の小型化に伴って、容量素子を形成する面積を確保することがより一層困難になってしまうという技術的問題点がある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、高開口率を維持しつつ、蓄積容量の容量を増大できると共にＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減でき、高品質な画像を表示可能な電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。

本発明に係る第１の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差するデータ線及び走査線と、該データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、該画素電極毎の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち前記交差に対応する交差領域に設けられ、（ｉ）前記走査線と第１の絶縁膜を介して互いに異なる層に配置され、前記データ線が延びる第１の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域が形成された半導体層と、（ｉｉ）該半導体層に対して前記走査線と反対側の層に配置され、前記チャネル領域に重なるゲート電極とを含むトランジスタと、該トランジスタよりも第２の絶縁膜を介して上層側に配置され、前記非開口領域内に形成された蓄積容量とを備え、前記第１の絶縁膜には、前記基板上で平面的に見て、前記半導体層の脇に前記第１の方向に沿って延在する第１部分と、前記走査線の一部と重なると共に前記走査線が延びる第２の方向に沿って延在する第２部分とを有する、前記ゲート電極と前記走査線とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成され、前記蓄積容量は、前記コンタクトホールに起因して前記第２の絶縁膜の上層側表面に生じた凹部を覆うように形成され、該凹部の表面に沿った凹状の断面形状を有する凹状部分を有する。

本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、走査線を介して走査信号がトランジスタのゲート電極に順次供給され、データ線を介して画像信号がトランジスタのソースに供給され、画像信号が画素電極に供給される。これらにより、画素電極がデータ線及び走査線の交差に対応して例えばマトリクス状に複数設けられた画素領域（或いは「画像表示領域」とも呼ぶ）における画像表示が可能となる、即ち、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。蓄積容量は、トランジスタのソース及び画素電極に電気的に接続されており、画素電極の電位を一時的に保持する保持容量として機能する。これにより、画素電極を画像信号に応じた電位に保持する電位保持特性を向上させることが可能となる。

ここで、走査線、データ線、トランジスタ及び蓄積容量は、基板上で平面的に見て、画素電極毎（即ち画素電極に対応する画素毎）の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を互いに隔てる非開口領域内に設けられる。即ち、これらの走査線、データ線、トランジスタ及び蓄積容量は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に設けられる。

トランジスタは、非開口領域のうち、データ線及び走査線の交差に対応する交差領域に設けられ（即ち、交差領域の全部又は一部に設けられ）、チャネル領域を有する半導体層、及びチャネル領域に重なるゲート電極を含む。

半導体層は、基板上の積層構造において、走査線と絶縁膜を介して互いに異なる層（即ち、走査線よりも絶縁膜を介して下層側又は上層側）に配置される。チャネル領域は、データ線が延びる第１の方向（言い換えれば、複数の走査線が配列される方向、即ちＹ方向）に沿ったチャネル長を有する。即ち、半導体層は、典型的には、第１の方向に沿って延びるように形成される。

ゲート電極は、基板上の積層構造において、半導体層に対して走査線と反対側の層に配置される。この場合には半導体層の脇にコンタクトホールを形成してゲート電極と走査線とを電気的に接続するとよい。即ち、走査線が半導体層よりも下層側に配置される場合には、ゲート電極は半導体層よりも例えばゲート絶縁膜を介して上層側に配置される、言い換えれば、トランジスタはトップゲート型のトランジスタとして形成される。一方、走査線が半導体層よりも上層側に配置される場合には、ゲート電極は半導体層よりも例えばゲート絶縁膜を介して下層側に配置される、言い換えれば、トランジスタはボトムゲート型のトランジスタとして形成される。

ゲート電極及び走査線は、基板上の積層構造においてゲート電極と走査線との間に配置された絶縁膜（或いは、該絶縁膜及び例えばゲート絶縁膜）に形成或いは開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続される。即ち、例えば、走査線が半導体層よりも下層側に配置される場合（即ち、走査線よりも絶縁膜を介して上層側にトランジスタがトップゲート型として配置される場合）には、ゲート電極が、当該ゲート電極のうちチャネル領域と重なる部分からコンタクトホール内に延設されることで、ゲート電極と走査線とが電気的に接続される。或いは、例えば、走査線が半導体層よりも上層側に配置される場合（即ち、走査線よりも絶縁膜を介して下層側にトランジスタがボトムゲート型として形成される場合）には、走査線が、当該第２の方向に沿って延びる本線部からコンタクトホール内に延設されることで、ゲート電極と走査線とが電気的に接続される。いずれの場合にも、コンタクトホール内には、ゲート電極或いは走査線の一部が形成される。尚、コンタクトホール内に、ゲート電極及び走査線のいずれとも異なる導電材料からなるプラグを形成することによって、ゲート電極と走査線とが電気的に接続されるように構成してもよい。

本発明では、ゲート電極と走査線とを電気的に接続するためのコンタクトホールは、基板上で平面的に見て、半導体層の脇に第１の方向に沿って延在する第１部分と、走査線の一部と重なると共に走査線が延びる第２の方向（言い換えれば、第１の方向に交わる方向或いは複数のデータ線が配列される方向、即ちＸ方向）に沿って延在する第２部分とを有する。即ち、コンタクトホールは、第１部分と第２部分とによって、例えばＬ字状或いはＴ字状などの平面形状を有する溝（或いはコンタクト溝）として、絶縁膜に例えばエッチング等によって形成される。

よって、高い開口率を維持しつつ、ゲート電極と走査線との間のコンタクト抵抗を低減できる。即ち、本発明では、コンタクトホールは第１及び第２部分を有するので、仮にコンタクトホールが例えば円形状、正方形状、長方形状などの平面形状を有する場合と比較して、限られた非開口領域において当該コンタクトホールを形成する領域の面積を広くすることができる。従って、ゲート電極と走査線との間の電気的な抵抗を低減しつつ、開口率を向上させることができる。尚、ここに「開口率」とは、各画素に対応する全領域（即ち、開口領域と非開口領域との合計）において開口領域が占める比率を意味し、開口率が大きいほど、液晶装置の表示性能が向上する。

更に本発明では、上述したように、コンタクトホールの第１部分は、半導体層の脇に第１の方向に沿って延在する。即ち、第１部分は、第１の方向に沿って延びるように形成された半導体層の側面側に、所定距離だけ離れて、第１の方向に沿って長手状に形成される。よって、第１部分内に形成されたゲート電極或いは走査線の一部は、３次元的に見て、半導体層に沿った、壁状の遮光体として形成される。従って、半導体層に対して斜めに入射する光（即ち、基板面に沿った成分を有する光）を、第１部分（より正確には、第１部分内に形成されたゲート電極或いは走査線の一部）によって遮ることができる。つまり、半導体層の近傍に配置された例えば壁状の遮光体として形成される第１部分によって、半導体層に対して斜めに入射する光を遮る遮光性を強化できる。この結果、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減できる。

蓄積容量は、基板上の積層構造において、トランジスタよりも第２の絶縁膜を介して上層側に配置される。更に、蓄積容量は、非開口領域内に、典型的にはチャネル領域及びこれに隣接する例えばＬＤＤ領域を覆うようになど、基板上で平面的に見て半導体層に少なくとも部分的に重なるように形成される。蓄積容量は、典型的には、遮光性導電膜を含んでおり（より具体的には、蓄積容量を構成する一対の容量電極の少なくとも一方は、例えば金属膜等の遮光性導電膜から形成されており）、トランジスタに上層側から入射する光を遮光する内蔵遮光膜として機能する。よって、トランジスタにおける光リーク電流の発生を低減できる。

本発明では特に、蓄積容量は、第２の絶縁膜の上層側表面にコンタクトホールに起因して生じた凹部を覆うように形成され、該凹部の表面に沿った凹状の断面形状を有する凹状部分を有する。

即ち、第２の絶縁膜よりも下層側に配置された第１の絶縁膜には、前述のようにコンタクトホールが形成されているので、第２の絶縁膜の上層側表面には該コンタクトホールに起因して、例えばコンタクトホールの内壁に概ね沿った、凹部が生じる。蓄積容量は、該凹部を覆うように形成されることで、その一部が凹部内に形成され、凹部の表面に沿った凹状の断面形状を有する凹状部分を有する。凹状部分は、典型的には、凹部における壁部及び底部に沿って形成される。

よって、蓄積容量は、凹状部分を有する分だけ容量値が増大する。従って、画素電極における電位保持特性を高めることができる。言い換えれば、蓄積容量が凹状部分を有さない場合（即ち、蓄積容量が平面的にのみ形成される場合）と比較して、製品に要求される表示性能を実現する容量値を有する蓄積容量を、基板上の狭い領域に作り込むことができる。これにより、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減でき、更には、装置の小型化を実現できる。

更に、凹部は、コンタクトホールに起因して生じるので、凹部（及び凹状部分）は、コンタクトホールの平面形状と概ね同じ平面形状を有する。言い換えれば、凹状部分は、基板上で平面的に見て、半導体層の脇に第１の方向に沿って延在する部分と、走査線の一部と重なると共に走査線が延びる第２の方向に沿って延在する部分とを有する。よって、凹状部分を非開口領域内に容易に配置することが可能であり、開口率の低下を殆ど招くことなく、蓄積容量の容量値を増大させることができる。

加えて、凹部は、コンタクトホールに起因して生じるので、製造工程の複雑化或いは増加を殆ど或いは全く招かない。

以上説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、高開口率を維持したまま蓄積容量の容量値を増大できると共にＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減できる。その結果、高品質な画像表示が可能となる。

本発明に係る第１の電気光学装置の一態様では、前記ゲート電極は、前記チャネル領域に重なる本体部分と該本体部分から前記基板上で平面的に見て前記コンタクトホールと重なるように延設されたゲート電極延設部分とを有し、前記走査線は、前記第２の方向に沿って延びる本線部分と該本線部分から前記基板上で平面的に見て前記第１部分と重なるように延設された走査線延設部分とを有する。

この態様によれば、ゲート電極延設部分或いは走査線延設部分をコンタクトホール内に形成できるので、ゲート電極及び走査線間を確実に電気的に接続できると共に半導体層に対する遮光性を確実に強化できる。

本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記半導体層は、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域とを有し、前記第１部分は、前記第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に沿って形成される。

この態様によれば、第１部分（より正確には、第１部分内に形成されたゲート電極或いは走査線の一部）は、３次元的に見て、半導体層における第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に沿った、例えば壁状の遮光体として形成される。従って、半導体層における第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に対して斜めに入射する光を、第１部分によって遮ることができる。つまり、半導体層の近傍に配置された例えば壁状の遮光体として形成される第１部分によって、半導体層に対して斜めに入射する光を遮る遮光性を強化できる。

尚、本発明に係る「第１の接合領域」は、チャネル領域とデータ線側ソースドレイン領域との接合部に形成される領域であり、本発明に係る「第２の接合領域」は、チャネル領域と画素電極側ソースドレイン領域との接合部に形成される領域である。即ち、第１及び第２の接合領域は、例えば、トランジスタが例えばＮＰＮ型或いはＰＮＰ型トランジスタ（即ち、Ｎチャネル型或いはＰチャネル型トランジスタ）として形成された場合におけるＰＮ接合領域や、トランジスタがＬＤＤ構造を有する場合におけるＬＤＤ領域（即ち、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層にソースドレイン領域よりも少量の不純物を打ち込んでなる領域）を意味する。

上述した、第１部分が第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に沿って形成される態様では、前記コンタクトホールは、前記基板上で平面的に見て前記半導体層の両側に形成され、前記第１部分は、前記少なくとも一方の両側に設けられてもよい。

この場合には、コンタクトホールの第１部分（より正確には、第１部分内に形成されたゲート電極或いは走査線の一部）が、半導体層における第１及び第２の接合領域の少なくとも一方の両側に、例えば壁状の遮光体として形成される。よって、少なくとも一方の接合領域に対して両側から斜めに入射される光を遮光できる。従って、トランジスタにおける光リーク電流をより確実に低減できる。

更に、コンタクトホールが、半導体層の両側に１つずつ形成されるので、ゲート電極と走査線と間の電気的な抵抗をより確実に低減できる。

加えて、コンタクトホールが、半導体層の両側に１つずつ形成されるので、コンタクトホールに起因した凹部もまた半導体層の両側に１つずつ形成される。よって、蓄積容量は、凹部内部分を半導体層の両側に１つずつ有するので、容量値をより一層増大できる。更に、凹部内部分によって、少なくとも一方の接合領域に対して上層側から斜めに入射される光をより確実に遮光できる。

上述した、第１部分が第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に沿って形成される態様では、前記第１部分は、前記基板上で平面的に見て前記第２の接合領域に沿って設けられてもよい。

この場合には、コンタクトホールの第１部分（より正確には、第１部分内に形成されたゲート電極或いは走査線の一部）は、第２の接合領域に沿って、例えば壁状の遮光体として形成される。更に、蓄積容量の凹状部分も、第２の接合領域に沿って、例えば壁状の遮光体として形成される。ここで、本願発明者の研究によれば、理論的に、トランジスタの動作時に、第２の接合領域では、第１の接合領域に比べて光リーク電流が相対的に発生しやすい傾向にあり、実験でも証明されている。本態様では、コンタクトホールの第１部分及びこれに対応する凹状部分によって、半導体層の第２の接合領域に入射する光をより確実に遮光することにより、半導体層の第２の接合領域に入射する光の量をより低減することが可能となる。その結果、より効果的にトランジスタにおける光リーク電流の発生を低減することが可能となる。

上述した、第１部分が第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に沿って形成される態様では、前記蓄積容量は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記第２の接合領域と重なるように構成してもよい。

この場合には、第１の接合領域に比べて光リーク電流が相対的に発生しやすい傾向にある第２の接合領域を、より確実に遮光できる。よって、より効果的にトランジスタにおける光リーク電流の発生を低減することが可能となる。

上述した、第１部分が第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に沿って形成される態様では、前記第１及び第２の接合領域は、ＬＤＤ領域であってもよい。

この場合には、トランジスタは、ＬＤＤ構造を有する。よって、トランジスタの非動作時において、データ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つトランジスタの飽和動作時におけるドレイン端の電界緩和を低減でき、ホットキャリア現象による閾値の上昇（トランジスタ特性劣化に関する信頼性上の課題）に起因したオン電流の低下及びオフリーク電流の上昇を抑制できる。

本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記走査線は、前記半導体層よりも下層側に配置される。

この態様によれば、トップゲート型のトランジスタよりも絶縁膜を介して下層側に走査線が配置される。よって、走査線は、戻り光からトランジスタを遮光する下側遮光膜或いは裏面遮光膜として機能することができる。即ち、下側遮光膜としての走査線によって、基板における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の電気光学装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などである、基板側から装置内に入射する戻り光からトランジスタを遮光できる。従って、トランジスタにおける光リーク電流の発生をより確実に低減できる。

本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記蓄積容量は、遮光性導電材料を含んでなる。

この態様によれば、蓄積容量を、トランジスタに入射する光を遮光する遮光膜として確実に機能させることができる。

本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記ゲート電極及び前記走査線は、遮光性導電材料を含んでなる。

この態様によれば、ゲート電極及び走査線を、トランジスタに入射する光を遮光する遮光膜として確実に機能させることができる。特に、ゲート電極或いは走査線の一部を、コンタクトホールの第１部分内に形成された例えば壁状の遮光体として確実に機能させることができる。よって、トランジスタにおける光リーク電流の発生をより確実に低減できる。

本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記第１部分の幅は、前記第２部分の幅よりも狭い。

この態様によれば、第１部分の幅は、第２部分の幅よりも狭いので、第１部分を形成することによる非開口領域の増大（言い換えれば、開口率の低下）を殆ど招かない。更に、第２部分の幅は、第１部分の幅よりも広いので、第２部分によってゲート電極と走査線との間のコンタクト抵抗を確実に低減できる。つまり、高い開口率を確実に維持しつつ、主として第１部分によってトランジスタに対する遮光性を強化でき、主として第２部分によってゲート電極と走査線との間のコンタクト抵抗を低減できる。

本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記蓄積容量は、前記第１の方向に沿って延びると共に、前記第１の接合領域を覆う第１容量部分と、前記第２の接合領域を覆うと共に前記第１容量部分より前記第２の方向の幅が広い第２容量部分とを有する。

この態様によれば、蓄積容量における、第２の接合領域を覆う第２容量部分は、第１の接合領域を覆う第１容量部分よりも第２の方向の幅が広くなるように構成される。即ち、第２容量部分は、例えばＹ方向に沿って延びる半導体層に対して、例えばＸ方向の幅が、第１容量部分よりも広くなるように構成される。よって、第１の接合領域に比べて光リーク電流が相対的に発生しやすい傾向にある第２の接合領域に入射する光を、第１の接合領域に入射する光よりも確実に遮光できる。即ち、第２の接合領域に到達する光を遮る遮光性を、第１の接合領域に到達する光を遮る遮光性よりも高める（即ち、強化する）ことができる。

本発明に係る第２の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差するデータ線及び走査線と、該データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、該画素電極毎の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち前記交差に対応する交差領域に設けられ、（ｉ）前記走査線と第１の絶縁膜を介して互いに異なる層に配置され、前記走査線が延びる方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域が形成された半導体層と、（ｉｉ）該半導体層に対して前記走査線と反対側の層に配置され、前記チャネル領域に重なるゲート電極とを含むトランジスタと、該トランジスタよりも第２の絶縁膜を介して上層側に配置され、前記非開口領域内に形成された蓄積容量とを備え、前記第１の絶縁膜には、前記基板上で平面的に見て、前記半導体層の脇に前記走査線が延びる方向に沿って延在する第１部分と、前記走査線の一部と重なると共に前記データ線が延びる方向に沿って延在する第２部分とを有する、前記ゲート電極と前記走査線とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成され、前記蓄積容量は、前記コンタクトホールに起因して前記第２の絶縁膜の上層側表面に生じた凹部を覆うように形成され、該凹部の表面に沿った凹状の断面形状を有する凹状部分を有する。

本発明に係る第２の電気光学装置によれば、その動作時には、上述した本発明に係る第１の電気光学装置と概ね同様に、画素領域における画像表示が可能となる。

トランジスタは、非開口領域のうち、データ線及び走査線の交差に対応する交差領域に設けられ（即ち、交差領域の全部又は一部に設けられ）、チャネル領域を有する半導体層、及びチャネル領域に重なるゲート電極を含む。

半導体層は、基板上の積層構造において、走査線と絶縁膜を介して互いに異なる層（即ち、走査線よりも絶縁膜を介して下層側又は上層側）に配置される。チャネル領域は、走査線が延びる方向（言い換えれば、複数のデータ線が配列される方向、即ちＸ方向）に沿ったチャネル長を有する。即ち、半導体層は、典型的には、走査線が延びる方向に沿って延びるように形成される。

ゲート電極は、基板上の積層構造において、半導体層に対して走査線と反対側の層に配置される。この場合には半導体層の脇にコンタクトホールを形成してゲート電極と走査線とを電気的に接続するとよい。

ゲート電極及び走査線は、基板上の積層構造においてゲート電極と走査線との間に配置された絶縁膜（或いは、該絶縁膜及び例えばゲート絶縁膜）に形成或いは開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続される。

本発明では、ゲート電極と走査線とを電気的に接続するためのコンタクトホールは、基板上で平面的に見て、半導体層の脇に走査線が延びる方向に沿って延在する第１部分と、データ線の一部と重なると共にデータ線が延びる方向（言い換えれば、複数の走査線が配列される方向、即ちＹ方向）に沿って延在する第２部分とを有する。即ち、コンタクトホールは、第１部分と第２部分とによって、例えばＬ字状或いはＴ字状などの平面形状を有する溝（或いはコンタクト溝）として、絶縁膜に例えばエッチング等によって形成される。

よって、高い開口率を維持しつつ、ゲート電極と走査線との間のコンタクト抵抗を低減できる。即ち、本発明では、コンタクトホールは第１及び第２部分を有するので、仮にコンタクトホールが例えば円形状、正方形状、長方形状などの平面形状を有する場合と比較して、限られた非開口領域において当該コンタクトホールを形成する領域の面積を広くすることができる。従って、ゲート電極と走査線との間の電気的な抵抗を低減しつつ、開口率を向上させることができる。

更に本発明では、上述したように、コンタクトホールの第１部分は、半導体層の脇に走査線が延びる方向に沿って延在する。即ち、第１部分は、走査線が延びる方向に沿って延びるように形成された半導体層の側面側に、所定距離だけ離れて、走査線が延びる方向に沿って長手状に形成される。よって、第１部分内に形成されたゲート電極或いは走査線の一部は、３次元的に見て、半導体層に沿った、例えば壁状の遮光体として形成される。従って、半導体層に対して斜めに入射する光（即ち、基板面に沿った成分を有する光）を、第１部分（より正確には、第１部分内に形成されたゲート電極或いは走査線の一部）によって遮ることができる。つまり、半導体層の近傍に配置された例えば壁状の遮光体として形成される第１部分によって、半導体層に対して斜めに入射する光を遮る遮光性を強化できる。この結果、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減できる。

蓄積容量は、基板上の積層構造において、トランジスタよりも第２の絶縁膜を介して上層側に配置される。更に、蓄積容量は、非開口領域内に、典型的にはチャネル領域及びこれに隣接する例えばＬＤＤ領域を覆うようになど、基板上で平面的に見て半導体層に少なくとも部分的に重なるように形成される。蓄積容量は、典型的には、遮光性導電膜を含んでおり、トランジスタに上層側から入射する光を遮光する内蔵遮光膜として機能する。よって、トランジスタにおける光リーク電流の発生を低減できる。

本発明では特に、蓄積容量は、第２の絶縁膜の上層側表面にコンタクトホールに起因して生じた凹部を覆うように形成され、該凹部の表面に沿った凹状の断面形状を有する凹状部分を有する。

即ち、第２の絶縁膜よりも下層側に配置された第１の絶縁膜には、前述のようにコンタクトホールが形成されているので、第２の絶縁膜の上層側表面には該コンタクトホールに起因して、例えばコンタクトホールの内壁に概ね沿った、凹部が生じる。蓄積容量は、該凹部を覆うように形成されることで、その一部が凹部内に形成され、凹部の表面に沿った凹状の断面形状を有する凹状部分を有する。凹状部分は、典型的には、凹部における壁部及び底部に沿って形成される。

よって、蓄積容量は、凹状部分を有する分だけ容量値が増大する。従って、画素電極における電位保持特性を高めることができる。言い換えれば、蓄積容量が凹状部分を有さない場合（即ち、蓄積容量が平面的にのみ形成される場合）と比較して、製品に要求される表示性能を実現する容量値を有する蓄積容量を、基板上の狭い領域に作り込むことができる。これにより、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減でき、更には、装置の小型化を実現できる。

更に、凹部は、コンタクトホールに起因して生じるので、凹部（及び凹状部分）は、コンタクトホールの平面形状と概ね同じ平面形状を有する。言い換えれば、凹状部分は、基板上で平面的に見て、半導体層の脇に走査線が延びる方向に沿って延在する部分と、データ線の一部と重なると共にデータ線が延びる方向に沿って延在する部分とを有する。よって、凹状部分を非開口領域内に容易に配置することが可能であり、開口率の低下を殆ど招くことなく、蓄積容量の容量値を増大させることができる。

加えて、凹部は、コンタクトホールに起因して生じるので、製造工程の複雑化或いは増加を殆ど或いは全く招かない。

以上説明したように、本発明に係る第２の電気光学装置によれば、高開口率を維持したまま蓄積容量の容量値を増大できると共にＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減できる。その結果、高品質な画像表示が可能となる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

＜第１実施形態＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。

図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０もＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部が設けられる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや例えば走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。

図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａ及び本発明に係る「トランジスタ」の一例としてのＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶層５０（図２参照）を構成する液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に電気的に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。尚、蓄積容量７０は、後述するように、ＴＦＴ３０へ入射する光を遮る内蔵遮光膜としても機能する。

次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４から図６を参照して説明する。

図４及び図５は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素部の平面図である。図４及び図５は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分（図５）とを分かって図示している。図６は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。

尚、図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、図５及び図６では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。

図５において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている（点線によって、その輪郭が示されている）。

図４及び図５に示すように、画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線１１が設けられている。即ち、走査線１１は、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線１１と交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する交差領域の各々にはＴＦＴ３０が設けられている。

走査線１１、データ線６ａ、蓄積容量７０、中継層９３及びＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線１１、蓄積容量７０、データ線６ａ、中継層９３及びＴＦＴ３０は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。尚、走査線１１、蓄積容量７０、データ線６ａ及び中継層９３は、非開口領域の一部をそれぞれ規定している。

図６に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０、データ線６ａ、画素電極９ａ等の各種の構成要素が積層構造をなして設けられている。この積層構造は、下から順に、走査線１１を含む第１層、ゲート電極３を有するＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、それぞれ設けられており、上述した各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２及び４３には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中のデータ線側ソースドレイン領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１等が形成されている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。尚、上述した積層構造のうち第１層から第１層間絶縁膜までが、下層部分として図４に図示されており、第３層から第６層までが上層部分として図５に図示されている。

（第１層の構成―走査線等―）
図６において、第１層として、走査線１１が設けられている。走査線１１は、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の高融点金属材料等の遮光性導電材料からなる。

図４に示すように、走査線１１は、Ｘ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、走査線１１は、Ｘ方向に沿うように延びる本線部分１１ｘと、該本線部分１１ｘからＹ方向に延設された延設部分１１ｙとを備えている。尚、相隣接する走査線１１の延設部分１１ｙは相互に接続されることはなく、従って、該走査線１１は１本１本分断された形となっている。

（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
図６において、第２層として、ＴＦＴ３０が設けられている。

図４及び図６に示すように、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ及びゲート電極３を含んで構成されている。

半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ´、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。尚、データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、本発明に係る「第１の接合領域」の一例であり、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、本発明に係る「第２の接合領域」の一例である。

データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ´を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ´及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ´及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下及びオフリーク電流の上昇を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

走査線１１及び半導体層１ａ間は、本発明に係る「第１の絶縁膜」の一例としての下地絶縁膜１２によって絶縁されている。下地絶縁層１２は、走査線１１から半導体層１ａを絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

尚、図４において、下地絶縁膜１２には、本発明に係る「コンタクトホール」の一例としてのコンタクトホール８１０が形成されている。コンタクトホール８１０に関する構成については、図７から図９を参照して後に詳細に説明する。

図４及び図６に示すように、ゲート電極３は、半導体層１ａよりもゲート絶縁膜２を介して上層側に配置されている。即ち、ＴＦＴ３０は、トップゲート型のＴＦＴとして形成されている。ゲート電極３は、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。尚、ゲート電極３は、例えば導電性ポリシリコンから形成されてもよい。

図４に示すように、ゲート電極３は、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´に重なる本体部分３ａと、該本体部分３ａからＸ方向に沿って延設される延設部分３２と、該本体部分３ａからＹ方向に沿って延設される延設部分３１とを有している。尚、延設部分３１及び３１は、本発明に係る「ゲート電極延設部分」の一例である。ゲート電極３は、ゲート絶縁膜２及び下地絶縁膜１２を貫通して開孔されたコンタクトホール８１０を介して、走査線１１と互いに電気的に接続されている。

尚、本実施形態では、各ＴＦＴ３０のゲート電極３をそれぞれ分離して形成したが、例えば、同一の走査線１１に対応するＴＦＴ３０（即ち、Ｘ方向に沿って互いに隣接するＴＦＴ３０）のゲート電極３を互いに繋ぐように形成してもよい。言い換えれば、同一の走査線１１に対応するＴＦＴ３０のゲート電極３を含む、半導体層１ａに対して走査線１１とは反対側の層に配置された他の走査線として形成してもよい。この場合には、走査線を二重配線として構成でき、ゲート電極３に走査信号をより確実に供給できる。

（第３層の構成―蓄積容量等―）
図６において、第３層として蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０よりも、本発明に係る「第２の絶縁膜」の一例としての第１層間絶縁膜４１を介して上層側に設けられている。

蓄積容量７０は、下部容量電極７１と上部容量電極３００ａが誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。

図５及び図６に示すように、上部容量電極３００ａは、容量線３００の一部として形成されている。容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。上部容量電極３００ａは、容量線３００を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極３００ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。尚、上部容量電極３００ａは、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。

下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、第２層間絶縁膜４２及び誘電体膜７５を貫通して開孔されたコンタクトホール８４（図５参照）を介して、後述するデータ線６ａと同層（即ち、第４層）に配置された中継層９３に電気的に接続されている。更に、中継層９３（図５参照）は、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８５（図５参照）を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３と共に画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。下部容量電極７１は、導電性のポリシリコンから形成されている。よって、蓄積容量７０は、所謂ＭＩＳ構造を有している。尚、下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極３００ａとＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。

誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。

尚、下部容量電極７１を、上部容量電極３００ａと同様に金属膜から形成してもよい。即ち、蓄積容量７０を、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜の３層構造を有する、所謂ＭＩＭ構造を有するように形成してもよい。

尚、図４及び図５に示すように、本実施形態では特に、蓄積容量７０は、コンタクトホール８１０を覆うように形成されている。このため、図７から図９を参照して後に詳細に説明するが、蓄積容量７０は、コンタクトホール８１０に起因して第１層間絶縁膜４１の上層側表面に生じた凹部７１０の表面に沿って形成された凹状部分７０ｔを有している。

（第４層の構成―データ線等―）
図６において、第４層としてデータ線６ａが設けられている。また、第４層には、中継層９３（図５参照）が、データ線６ａと同一膜から形成されている。

図５及び図６に示すように、データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、第１層間絶縁膜４１、誘電体膜７５及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。

図５において、中継層９３は、層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａ（図６参照）と同層に形成されている。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。

（第５層の構成―画素電極等―）
図６において、第５層として画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａは、データ線６ａよりも第３層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。

図５及び図６に示すように、画素電極９ａは、下部容量電極７１、コンタクトホール８３、８４及び８５、並びに中継層９３を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。

以上に説明した画素部の構成は、図４及び図５に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。

次に、本実施形態に係る液晶装置の蓄積容量の形状について、走査線、ゲート電極、該走査線及びゲート電極間を電気的に接続するコンタクトホールの平面形状と共に、図７から図９を参照して詳細に説明する。

図７は、本実施形態に係る液晶装置の走査線、ゲート電極、該走査線及びゲート電極間を電気的に接続するコンタクトホール並びに蓄積容量の平面形状を示す平面図である。図８は、図７のＣ−Ｃ´断面図である。図９は、図７のＤ−Ｄ´断面図である。

尚、図７では、図４に示した画素部を構成する構成要素のうち、走査線１１、ＴＦＴ３０及び蓄積容量７０を拡大して示し、その他の構成要素については図示を省略している。また、図８及び図９では、第２層間絶縁膜４２より上層側の構成要素については図示を省略している。

図７において、走査線１１は、図４を参照して上述したように、Ｘ方向に沿う本線部分１１ｘと、該本線部１１ｘからＹ方向に沿って延設された延設部分１１ｙとを有している。延設部分１１ｙは、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに対向する領域を含むように形成された第１延設部分１１ｙ１と、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対向する領域を含むように形成された第２延設部分１１ｙ２とからなる。よって、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに下層側から入射する光を、第１延設部分１１ｙ１及び第２延設部分１１ｙ２の各々によって遮光できる。従って、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃにおける光リーク電流の発生を低減できる。

更に、本実施形態では、走査線１１における第２延設部分１１ｙ２は、第１延設部分１１ｙ１よりもＸ方向の幅が広くなるように構成されている。即ち、第２延設部分１１ｙ２のＸ方向の幅Ｗ２は、第１延設部分１１ｙ１のＸ方向の幅Ｗ１よりも広くなっている。よって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに下層側から入射する光を、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに下層側から入射する光よりも確実に遮光できる。よって、光リーク電流が相対的に生じ易い画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性を高めることができ、ＴＦＴ３０に流れる光リーク電流を効果的に低減できる。

図７から図９に示すように、ゲート電極３と走査線１１とは、ゲート絶縁膜２及び下地絶縁膜１２を貫通して開孔されたコンタクトホール８１０を介して電気的に接続されている。

図７に示すように、本実施形態では特に、コンタクトホール８１０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層１ａの脇にＹ方向に沿って延在する第１部分８１１と、走査線１１の本線部分１１ｘの一部と重なると共にＸ方向に沿って延在する第２部分８１２とを有している。即ち、コンタクトホール８１０は、第１部分８１１と第２部分８１２とが繋がって、いわばＬ字状に折れ曲がった平面形状を有している。更に、ゲート電極３は、図４を参照して上述したように、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´に重なる本体部分３ａと該本体部分３ａからコンタクトホール８１０と重なるように延設された延設部分３１及び３２とを有している。延設部分３１は、コンタクトホール８１０の第１部分８１１を覆うように、Ｙ方向に沿って延設されており、延設部分３２は、コンタクトホール８１０の第２部分８１２を覆うように、Ｘ方向に沿って延設されている。よって、図８に示すように、延設部分３１の一部は、コンタクトホール８１０の第１部分８１１内に形成され、走査線１１（より詳細には、第２延設部分１１ｙ２の一部）と接触している。同様に、図９に示すように、延設部分３２の一部は、コンタクトホール８１０の第２部分８１２内に形成され、走査線１１（より詳細には、本線部分１１ｘの一部）と接触している。

このように構成されているので、高い開口率を維持しつつ、ゲート電極３と走査線１１との間のコンタクト抵抗を低減できる。

即ち、本実施形態では特に、上述したように、コンタクトホール８１０は第１部分８１１及び第２部分８１２を有するので、仮にコンタクトホール８１０が例えば円形状、正方形状などの一般的なコンタクトホールとして典型的な平面形状を有する場合或いは仮にコンタクトホール８１０が第１部分８１１及び第２部分８１２のいずれか一方のみからなる場合と比較して、限られた非開口領域において当該コンタクトホール８１０を形成する領域の面積を広くすることができる。従って、ゲート電極３と走査線１１との間の電気的な抵抗を低減しつつ、開口率を向上させることができる。

尚、本実施形態のように、コンタクトホール８１０が、第１部分８１１と第２部分８１２とが繋がって、いわばＬ字状に折れ曲がった平面形状を有していることで、ゲート電極３及び走査線１１間が電気的に接続されない事態を回避することができる。即ち、仮にコンタクトホール８１０が第１部分８１１及び第２部分８１２のいずれか一方のみからなる場合など、コンタクトホールが長方形状或いは長手状の平面形状を有する場合には、高開口率化や小型化に伴ってコンタクトホールを細く形成する際に、コンタクトホールを走査線に達する程度に十分に開孔することが困難になってしまうおそれがある。しかるに、本実施形態のようにコンタクトホール８１０がいわばＬ字状に折れ曲がった平面形状を有する場合には、少なくとも該折れ曲がった部分（言い換えれば、第１部分８１１と第２部分とが繋がる部分或いは交わる部分）において、コンタクトホール８１０を走査線に達する程度に開孔することが経験的に容易に可能である。よって、ゲート電極３及び走査線１１間を確実に電気的に接続することができる。

更に、本実施形態では特に、上述したように、コンタクトホール８１０の第１部分８１１は、半導体層１ａの脇にＹ方向に沿って延在している。より具体的には、第１部分８１１は、Ｙ方向に沿って延びるように形成された半導体層１ａの側面側に、所定距離Ｌ１だけ離れて、Ｙ方向に沿って長手状に形成されている。

よって、図８に示すように、第１部分８１１内に形成されたゲート電極３（より正確には、延設部分３１）の一部は、３次元的に見て、半導体層１ａに沿った、壁状の遮光体として形成される。従って、半導体層１ａに対して斜めに入射する光（即ち、例えば、図８中、矢印Ｐ１で示す方向に沿って入射する光、つまり、入射光のうちＸ方向或いはＹ方向成分を有する光、或いは、矢印Ｐ２で示す方向に沿って入射する光、つまり、戻り光のうちＸ方向或いはＹ方向成分を有する光）を、第１部分８１１（より正確には、第１部分８１１内に形成されたゲート電極３の一部）によって遮ることができる。つまり、半導体層１ａの近傍に配置された壁状の遮光体として形成される第１部分８１１によって、半導体層１ａに対して斜めに入射する光を遮る遮光性を強化できる。この結果、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減できる。

加えて、図７及び図８に示すように、本実施形態では特に、コンタクトホール８１０は、半導体層１ａの両側にそれぞれ１つずつ設けられ、コンタクトホール８１０の第１部分８１１は、半導体層１ａの両側に、壁状の遮光体として形成されている。よって、半導体層１ａに対して両側から斜めに入射される光を遮光できる。従って、ＴＦＴ３０における光リーク電流をより確実に低減できる。

尚、コンタクトホール８１０を半導体層１ａの片側（即ち、図７中、左側又は右側）のみに設けて、第１部分８１１を半導体層１ａの片側のみに形成してもよい。この場合にも半導体層１ａに対して斜めに入射する光を遮る遮光性を相応に強化できる。但し、遮光性を強化するという観点及びコンタクト抵抗を低減するという観点からは、本実施形態のように、コンタクトホール８１０を半導体層１ａの両側に設けて、半導体層１ａの両側に第１部分８１１を形成することが好ましい。

更に、図７に示すように、本実施形態では特に、コンタクトホール８１０の第１部分８１１は、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの両側に設けられており、データ線側ＬＤＤ領域１ｂの両側には設けられていない。よって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに到達する光を遮る遮光性を、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに到達する光を遮る遮光性よりも高める或いは強化することができる。ここで、本願発明者は、ＴＦＴ３０の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃにおいて、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに比べて光リーク電流が相対的に発生しやすいと結論づけている。即ち、ＴＦＴ３０の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに光が照射された場合には、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに光が照射された場合よりも、ＴＦＴ３０における光リーク電流が発生しやすいと結論づけている。従って、第１部分８１１が、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの両側に設けられ、データ線側ＬＤＤ領域１ｂの両側には設けられないことによって、光リーク電流が相対的に生じ易い画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性を高めることができ、ＴＦＴ３０に流れる光リーク電流を効果的に低減できる。逆に言えば、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに比べて光リーク電流が相対的に発生しにくいデータ線側ＬＤＤ領域１ｂの両側にはコンタクトホール８１０を延設しないことによって、開口率の無駄な低下を防止できる。

加えて、図７に示すように、本実施形態では特に、コンタクトホール８１０の第１部分８１１の幅ＷＴ１は、第２部分８１２の幅ＷＴ２よりも狭い。よって、第１部分８１１を形成することによる非開口率の増大、即ち開口率の低下を殆ど招かない。更に、第２部分８１２の幅ＷＴ２は、第１部分８１１の幅ＷＴ１よりも広いので、第２部分８１２によってゲート電極３と走査線１１との間のコンタクト抵抗を確実に低減できる。つまり、高い開口率を確実に維持しつつ、主として第１部分８１１によってＴＦＴ３０に対する遮光性を強化でき、主として第２部分８１２によってゲート電極３と走査線１１との間のコンタクト抵抗を低減できる。

図７から図９に示すように、蓄積容量７０を構成する上部容量電極３００ａは、データ線側ＬＤＤ領域１ｂを覆う第１電極部分３０１と、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを覆う第２電極部分３０２とを有している。更に、蓄積容量７０を構成する下部容量電極７１は、データ線側ＬＤＤ領域１ｂを覆う第１電極部分７１ａと、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを覆う第２電極部分７１ｂとを有している。尚、第１電極部分３０１及び７１ａ、並びに誘電体膜７５のうち第１電極部分３０１及びａ７１間に設けられた部分は、本発明に係る「第１容量部分」の一例を構成し、第２電極部分３０２及び７１ｂ、並びに誘電体膜７５のうち第２電極部分３０２及び７１ｂに設けられた部分は、本発明に係る「第２容量部分」の一例を構成している。

よって、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに上層側から入射する光を、第１電極部分３０１及び７１ａによって遮光できる。更に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに上層側から入射する光を、第２電極部分３０２及び７１ｂによって遮光できる。従って、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃにおける光リーク電流の発生を低減できる。

本実施形態では特に、蓄積容量７０は、第１層間絶縁膜４１の上層側表面にコンタクトホール８１０に起因して生じた凹部７１０を覆うように形成され、凹部７１０の表面に沿った凹状の断面形状を有する凹状部分７０ｔを有している。

即ち、図８及び図９に示すように、第１層間絶縁膜４１よりも下層側に配置された下地絶縁膜１２及びゲート絶縁膜２には、コンタクトホール８１０が形成されているので、第１層間絶縁膜４１の上層側表面にはコンタクトホール８１０に起因して、例えばコンタクトホール８１０の内壁に概ね沿った、凹部７１０が生じている。蓄積容量７０は、凹部７１０を覆うように形成されることで、その一部が凹部７１０内に形成され、凹部７１０の表面に沿った凹状の断面形状を有する凹状部分７０ｔを有している。凹状部分７０ｔは、上部容量電極３００ａのうち凹部７１０に重なる部分と、誘電体膜７５のうち凹部７１０に重なる部分と、下部容量電極７１のうち凹部７１０に重なる部分とから構成されている。

よって、蓄積容量７０は、凹状部分７０ｔを有する分だけ容量値が増大する。従って、画素電極９ａにおける電位保持特性を高めることができる。言い換えれば、蓄積容量７０が凹状部分７０ｔを有さない場合（即ち、蓄積容量７０が平面的にのみ形成される場合）と比較して、製品に要求される表示性能を実現する容量値を有する蓄積容量７０を、ＴＦＴアレイ基板１０上の狭い領域に作り込むことができる。これにより、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減でき、更には、装置の小型化を実現できる。

更に、凹部７１０は、コンタクトホール８１０に起因して生じるので、凹部７１０（及び凹状部分７０ｔ）は、コンタクトホール８１０の平面形状と概ね同じ平面形状を有している（図示省略）。言い換えれば、凹状部分７０ｔは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層１ａの脇にＹ方向に沿って延在する部分と、走査線１１の本線部分１１ｘの一部と重なると共にＸ方向に沿って延在する部分とを有している。よって、凹状部分７０ｔを非開口領域内に容易に配置することが可能であり、開口率の低下を殆ど招くことなく、蓄積容量７０の容量値を増大させることができる。

尚、コンタクトホール８１０の第１部分８１１及び第２部分８１２は、各々の幅がゲート電極３の厚さの２倍よりも大きくなるように形成されることが好ましい。この場合には、コンタクトホール８１０内がゲート電極３の一部によって完全に塞がれてしまい、第１層間絶縁膜４１の上層側表面にコンタクトホール８１０に起因した凹部７１０が生じなくなってしまうことを低減或いは防止できる、即ち、第１層間絶縁膜４１の上層側表面にコンタクトホール８１０に起因した凹部７１０をより確実に生じさせることができる。よって、蓄積容量７０が凹状部分７０ｔを確実に有するようにし、蓄積容量７０の容量値を確実に増大させることができる。但し、コンタクトホール８１０の第１部分８１１及び第２部分８１２の各々の幅がゲート電極３の厚さの２倍以下であっても、コンタクトホール８１０内の側壁のカバレッジ率（即ち、ゲート電極３のうち、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に沿って形成された部分の厚さに対するコンタクトホール８１０内の側壁に形成された部分の厚さ（即ち、側壁面からの厚さ）の割合）を１００％未満に調整することで、凹部７１０を生じさせることができる。

加えて、凹部７１０は、コンタクトホール８１０に起因して生じるので、製造工程の複雑化或いは増加を殆ど或いは全く招かない。

以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、高開口率を維持したまま蓄積容量７０の容量値を増大できると共にＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を低減できる。その結果、高品質な画像表示が可能となる。

＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る液晶装置について、図１０を参照して説明する。

図１０は、第２実施形態における図７と同趣旨の平面図である。尚、図１０において、図１から図９に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。

図１０において、第２実施形態に係る液晶装置は、上述した第１実施形態におけるコンタクトホール８１０に代えてコンタクトホール８２０が形成されている点、ゲート電極３が本体部３ａ、延設部分３１及び３２に加えて、延設部分３３を有している点、走査線１１が上述した第１実施形態における第１延設部分１１ｙ１に代えて第１延設部分１１ｙ３を有している点、下部容量電極７１が第１部分７１ａに代えて第１部分７１ｃを有している点、及び上部容量電極３００ａが第１部分３０１に代えて第１部分３０３を有している点が異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。

本実施形態では特に、コンタクトホール８２０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに沿って延在する第１部分８２１ａと、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに沿って延在する第１部分８２１ｂと、走査線１１の本線部分１１ｘの一部と重なると共にＸ方向に沿って延在する第２部分８２２とを有している。即ち、コンタクトホール８２０は、第１部分８２１ａ及び８２１ｂと第２部分８２２とによって、いわばＴ字状の平面形状を有している。更に、ゲート電極３は、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´に重なる本体部分３ａと該本体部分３ａからコンタクトホール８２０と重なるように延設された延設部分３１、３２及び３３とを有している。延設部分３１は、コンタクトホール８２０の第１部分８２１ａを覆うように、Ｙ方向に沿って延設されており、延設部分３２は、コンタクトホール８２０の第２部分８２２を覆うように、Ｘ方向に沿って延設されており、延設部分３３は、コンタクトホール８２０の第１部分８２１ｂを覆うように、Ｙ方向に沿って延設されている。よって、延設部分３１の一部は、コンタクトホール８２０の第１部分８２１ａ内に形成され、走査線１１（より詳細には、第２延設部分１１ｙ２の一部）と接触し、延設部分３２の一部は、コンタクトホール８２０の第２部分８２２内に形成され、走査線１１（より詳細には、本線部分１１ｘの一部）と接触し、延設部分３３の一部は、コンタクトホール８２０の第１部分８２１ｂ内に形成され、走査線１１（より詳細には、第１延設部分１１ｙ３の一部）と接触している。

このように構成されているので、コンタクトホール８２０の第１部分８２１ａに加えて、第１部分８２１ｂによって、半導体層１ａに入射する光をより確実に遮光することができ、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生をより確実に低減することが可能となる。

更に、コンタクトホール８２０は、第１部分８２１ａに加えて第１部分８２１ｂを有するので、コンタクト抵抗をより確実に低減でき、ゲート電極３と走査線１１との間のより一層良好な電気的接続を実現できる。

加えて、本実施形態では特に、蓄積容量７０は、第１層間絶縁膜４１の上層側表面にコンタクトホール８２０に起因して生じた凹部を覆うように形成され（即ち、第１電極部分３０３及び７１ｃは、コンタクトホール８２０の第１部分８２１ｂに起因して生じた凹部を覆うように形成され、第２電極部分３０２及び７１ｂは、コンタクトホール８２０の第１部分８２１ａに起因して生じた凹部を覆うように形成され）、該凹部の表面に沿った凹状の断面形状を有する凹状部分を有している。よって、蓄積容量７０は、凹状部分を有する分だけ容量値が増大する。従って、画素電極９ａにおける電位保持特性を高めることができる。更に、このような凹部は、コンタクトホール８２０に起因して生じるので、凹部（及び凹状部分）は、コンタクトホール８２０の平面形状と概ね同じ平面形状を有している（図示省略）。言い換えれば、凹状部分は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの脇にＹ方向に夫々沿って延在する部分と、走査線１１の本線部分１１ｘの一部と重なると共にＸ方向に沿って延在する部分とを有している。よって、凹状部分７０ｔを非開口領域内に容易に配置することが可能であり、開口率の低下を殆ど招くことなく、蓄積容量７０の容量値を増大させることができる。

尚、本実施形態では、コンタクトホール８２０を、いわばＴ字状の平面形状を有するように構成したが、例えば、第２部分８２２を半導体層１ａに近づくように延在させてもよい。この場合には、コンタクトホール８２０を形成する面積をより大きくすることができ、コンタクト抵抗をより一層低減できる。更に、コンタクトホール８２０に起因して生じる凹部をより大きくすることができるので、凹状部分７０ｔをより大きくすることができる。よって、蓄積容量７０の容量値をより一層増大させることができる。

＜第３実施形態＞
第３実施形態に係る液晶装置について、図１１から図１４を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の画素部の構成について、図１１から図１３を参照して説明する。

図１１は、第３実施形態における図４と同趣旨の平面図であり、図１２は、第３実施形態における図５と同趣旨の平面図であり、図１３は、図１１及び図１２を重ね合わせた場合のＥ−Ｅ´断面図である。尚、図１１から図１３において、図１から図９に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。また、図１３においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

図１１から図１３において、第３実施形態に係る液晶装置は、上述した第１実施形態における走査線１１、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０及びデータ線６ａに各々に代えて、走査線１３、ＴＦＴ３５、蓄積容量７３及びデータ線６ｃを備える点、及び上述した第１実施形態におけるコンタクトホール８１０に代えてコンタクトホール８３０が形成されている点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。

尚、図１１を参照して後述するが、第３実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴ３５を構成する半導体層５ａは、走査線が延びる方向（即ちＸ方向）に沿って形成されており、上述した第１実施形態におけるＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａが、データ線が延びる方向（即ちＹ方向）に沿って形成されているのとは異なる。

図１１及び図１２に示すように、画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ｃ及び走査線１３が設けられている。即ち、走査線１３は、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ｃは、走査線１３と交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線１３及びデータ線６ｃが互いに交差する交差領域の各々にはＴＦＴ３５が設けられている。

走査線１３、データ線６ｃ、蓄積容量７３、中継層９３ｃ及びＴＦＴ３５は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域を囲む非開口領域内に配置されている。

（第１層の構成―走査線等―）
図１３において、第１層として、走査線１３が設けられている。走査線１３は、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の高融点金属材料等の遮光性導電材料からなる。

図１１に示すように、走査線１３は、Ｘ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、走査線１３は、Ｘ方向に沿うように延びる本線部分１３ａと、該本線部分１３ａからＹ方向に延設された延設部分１３ｂとを備えている。延設部分１３ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、少なくとも後述するコンタクトホール８３０に重なるように形成されている。尚、相隣接する走査線１３の延設部分１３ｂは相互に接続されることはなく、従って、該走査線１３は１本１本分断された形となっている。

（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
図１３において、第２層として、ＴＦＴ３５が設けられている。

図１１及び図１３に示すように、ＴＦＴ３５は、半導体層５ａ及びゲート電極３３を含んで構成されている。

半導体層５ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｘ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域５ａ´、データ線側ＬＤＤ領域５ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域５ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域５ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域５ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３５はＬＤＤ構造を有している。

データ線側ソースドレイン領域５ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域５ｅは、チャネル領域５ａ´を基準として、Ｘ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域５ｂは、チャネル領域５ａ´及びデータ線側ソースドレイン領域５ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域５ｃは、チャネル領域５ａ´及び画素電極側ソースドレイン領域５ｅ間に形成されている。

走査線１３及び半導体層５ａ間は、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。下地絶縁膜１２には、コンタクトホール８３０が形成されている。コンタクトホール８３０に関する構成については、図１４を参照して後に詳細に説明する。

図１１及び図１３に示すように、ゲート電極３３は、半導体層５ａよりもゲート絶縁膜２を介して上層側に配置されている。ゲート電極３３は、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。尚、ゲート電極３３は、例えば導電性ポリシリコンから形成されてもよい。

図１１に示すように、ゲート電極３３は、ＴＦＴ３５のチャネル領域５ａ´に重なる本体部分３３ａと、該本体部分３３ａからＸ方向に沿って延設される延設部分３３１と、該本体部分３ａからＹ方向に沿って延設される延設部分３３２とを有している。ゲート電極３３は、ゲート絶縁膜２及び下地絶縁膜１２を貫通して開孔されたコンタクトホール８３０を介して、走査線１３と互いに電気的に接続されている。

（第３層の構成―蓄積容量等―）
図１３において、第３層として蓄積容量７３が設けられている。蓄積容量７３は、ＴＦＴ３５よりも第１層間絶縁膜４１を介して上層側に設けられている。

蓄積容量７３、下部容量電極７３１と上部容量電極３３０ａが誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。

図１２及び図１３に示すように、上部容量電極３３０ａは、容量線３３０の一部として形成されている。容量線３３０は、Ｙ方向に沿って配線されており、上述した第１実施形態における容量線３００がＸ方向に沿って配線されているのとは異なる。容量線３３０は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。上部容量電極３３０ａは、容量線３３０を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極３３０ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３５を遮光する上側遮光膜としても機能する。

下部容量電極７３１は、ＴＦＴ３５の画素電極側ソースドレイン領域５ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７３１は、コンタクトホール８９を介して画素電極側ソースドレイン領域５ｅと電気的に接続されると共に、第２層間絶縁膜４２及び誘電体膜７５を貫通して開孔されたコンタクトホール８５ｃ（図１２参照）を介して、後述するデータ線６ｃと同層（即ち、第４層）に配置された中継層９３ｃに電気的に接続されている。更に、中継層９３ｃ（図１２参照）は、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８４ｃ（図１２参照）を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７３１は、中継層９３ｃと共に画素電極側ソースドレイン領域５ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。下部容量電極７３１は、導電性のポリシリコンから形成されている。

尚、図１１及び図１２に示すように、本実施形態では、蓄積容量７３は、コンタクトホール８３０を覆うように形成されている。このため、蓄積容量７３は、コンタクトホール８３０に起因して第１層間絶縁膜４１の上層側表面に生じた凹部の表面に沿って形成された凹状部分を有している。この点については上述した第１実施形態において、図７から図９を参照して詳細に説明したように、蓄積容量７０がコンタクトホール８１０に起因して第１層間絶縁膜４１の上層側表面に生じた凹部７１０の表面に沿って形成された凹状部分７０ｔを有しているのと概ね同様である。

（第４層の構成―データ線等―）
図１３において、第４層としてデータ線６ｃが設けられている。また、第４層には、中継層９３ｃ（図１２参照）が、データ線６ｃと同一膜から形成されている。

図１２及び図１３に示すように、データ線６ｃは、Ｙ方向に沿うように延びる本線部分６ｃｙと、該本線部分からＸ方向に沿って延設された延設部分６ｃｘとを有している。データ線６ｃは、この延設部分６ｃｘにおいて、半導体層５ａのデータ線側ソースドレイン領域５ｄに、第１層間絶縁膜４１、誘電体膜７５及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８７を介して電気的に接続されている。

図１２において、中継層９３ｃは、層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａ（図１３参照）と同層に形成されている。

（第５層の構成―画素電極等―）
図１３において、第５層として画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａは、データ線６ｃよりも第３層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。

図１２及び図１３に示すように、画素電極９ａは、下部容量電極７３１、コンタクトホール８９、８４ｃ及び８５ｃ、並びに中継層９３ｃを介して半導体層５ａの画素電極側ソースドレイン領域５ｅに電気的に接続されている。

以上に説明した画素部の構成は、図１１及び図１２に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。

次に、本実施形態に係る液晶装置の蓄積容量の形状について、走査線、ゲート電極、該走査線及びゲート電極間を電気的に接続するコンタクトホールの平面形状と共に、図１４を参照して詳細に説明する。

図１４は、第３実施形態における図７と同趣旨の平面図である。

図１４において、走査線１３は、図１１を参照して上述したように、Ｘ方向に沿う本線部分１３ａと、該本線部１３ａからＹ方向に沿って延設された延設部分１３ｂとを有している。延設部分１３ｂは、データ線６ｃの本線部分６ｃｙに重なるように形成された部分１３ｂ１とデータ線６ｃを基準として画素電極側ＬＤＤ領域５ｃ側に形成された部分１３２ｂ２とからなる。この画素電極側ＬＤＤ領域５ｃ側に形成された部分１３ｂ２によって、光リーク電流が相対的に生じ易い画素電極側ＬＤＤ領域５ｃに対する遮光性を高めることができ、ＴＦＴ３５に流れる光リーク電流を効果的に低減できる。

ゲート電極３３と走査線１３とは、ゲート絶縁膜２及び下地絶縁膜１２を貫通して開孔されたコンタクトホール８３０を介して電気的に接続されている。

図１４に示すように、本実施形態では特に、コンタクトホール８３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層５ａの脇にＸ方向に沿って延在する第１部分８３１と、データ線６ｃの本線部分６ｃｙの一部と重なると共にＹ方向に沿って延在する第２部分８３２とを有している。即ち、コンタクトホール８３０は、第１部分８３１と第２部分８３２とが繋がって、いわばＬ字状に折れ曲がった平面形状を有している。更に、ゲート電極３３は、図１１を参照して上述したように、ＴＦＴ３５のチャネル領域５ａ´に重なる本体部分３３ａと該本体部分３３ａからコンタクトホール８３０と重なるように延設された延設部分３３１及び３３２とを有している。延設部分３３１は、コンタクトホール８３０の第１部分８３１を覆うように、Ｘ方向に沿って延設されており、延設部分３３２は、コンタクトホール８３０の第２部分８３２を覆うように、Ｙ方向に沿って延設されている。よって、延設部分３３１の一部は、コンタクトホール８３０の第１部分８３１内に形成され、走査線１３（より詳細には、延設部分１３ｂ２の一部）と接触している。同様に、延設部分３３２の一部は、コンタクトホール８３０の第２部分８３２内に形成され、走査線１３（より詳細には、延設部分１３ｂ１の一部）と接触している。

このように構成されているので、上述した第１実施形態と概ね同様に、高い開口率を維持しつつ、ゲート電極３３と走査線１３との間のコンタクト抵抗を低減できる。

即ち、本実施形態では特に、上述したように、コンタクトホール８３０は第１部分８３１及び第２部分８３２を有するので、仮にコンタクトホール８３０が例えば円形状、正方形状などの一般的なコンタクトホールとして典型的な平面形状を有する場合或いは仮にコンタクトホール８３０が第１部分８３１及び第２部分８３２のいずれか一方のみからなる場合と比較して、限られた非開口領域において当該コンタクトホール８３０を形成する領域の面積を広くすることができる。従って、ゲート電極３３と走査線１３との間の電気的な抵抗を低減しつつ、開口率を向上させることができる。

更に、本実施形態では特に、上述したように、コンタクトホール８３０の第１部分８３１は、半導体層５ａの脇にＸ方向に沿って延在している。より具体的には、第１部分８３１は、Ｘ方向に沿って延びるように形成された半導体層５ａの側面側に、所定距離Ｌ２だけ離れて、Ｘ方向に沿って長手状に形成されている。

よって、第１部分８３１内に形成されたゲート電極３３（より正確には、延設部分３３１）の一部は、３次元的に見て、半導体層５ａに沿った、壁状の遮光体として形成される。従って、半導体層５ａに対して斜めに入射する光を、第１部分８３１（より正確には、第１部分８３１内に形成されたゲート電極３３の一部）によって遮ることができる。つまり、半導体層５ａの近傍に配置された壁状の遮光体として形成される第１部分８３１によって、半導体層５ａに対して斜めに入射する光を遮る遮光性を強化できる。この結果、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減できる。

図１４に示すように、蓄積容量７３を構成する上部容量電極３３０ａは、データ線側ＬＤＤ領域１ｂを覆う第１電極部分３３０ａ１と、画素電極側ＬＤＤ領域５ｃを覆う第２電極部分３３０ａ２とを有している。更に、蓄積容量７３を構成する下部容量電極７３１は、データ線側ＬＤＤ領域５ｂを覆う第１電極部分７３１ａと、画素電極側ＬＤＤ領域５ｃを覆う第２電極部分７３１ｂとを有している。

よって、データ線側ＬＤＤ領域５ｂに上層側から入射する光を、第１電極部分３３０ａ１及び７３１ａによって遮光できる。更に、画素電極側ＬＤＤ領域５ｃに上層側から入射する光を、第２電極部分３３０ａ２及び７３１ｂによって遮光できる。従って、データ線側ＬＤＤ領域５ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域５ｃにおける光リーク電流の発生を低減できる。

本実施形態では特に、蓄積容量７３は、第１層間絶縁膜４１の上層側表面にコンタクトホール８３０に起因して生じた凹部を覆うように形成され、凹部の表面に沿った凹状の断面形状を有する凹状部分を有している。

即ち、第１層間絶縁膜４１よりも下層側に配置された下地絶縁膜１２及びゲート絶縁膜２には、コンタクトホール８３０が形成されているので、第１層間絶縁膜４１の上層側表面にはコンタクトホール８３０に起因して、例えばコンタクトホール８３０の内壁に概ね沿った、凹部が生じている。蓄積容量７３は、この凹部を覆うように形成されることで、その一部が凹部内に形成され、凹部の表面に沿った凹状の断面形状を有する凹状部分を有している。この点については、上述した第１実施形態において図７から図９を参照して詳細に説明したように、蓄積容量７０がコンタクトホール８１０に起因して第１層間絶縁膜４１の上層側表面に生じた凹部７１０の表面に沿って形成された凹状部分７０ｔを有しているのと概ね同様である。

よって、蓄積容量７３は、凹状部分を有する分だけ容量値が増大する。従って、画素電極９ａにおける電位保持特性を高めることができる。言い換えれば、蓄積容量７３が凹状部分を有さない場合（即ち、蓄積容量７３が平面的にのみ形成される場合）と比較して、製品に要求される表示性能を実現する容量値を有する蓄積容量７３を、ＴＦＴアレイ基板１０上の狭い領域に作り込むことができる。これにより、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減でき、更には、装置の小型化を実現できる。

更に、凹部は、コンタクトホール８３０に起因して生じるので、この凹部（及び凹状部分）は、コンタクトホール８３０の平面形状と概ね同じ平面形状を有している（図示省略）。言い換えれば、凹状部分は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層５ａの脇にＸ方向に沿って延在する部分と、データ線６ｃの本線部分６ｃｙの一部と重なると共にＹ方向に沿って延在する部分とを有している。よって、凹状部分を非開口領域内に容易に配置することが可能であり、開口率の低下を殆ど招くことなく、蓄積容量７３の容量値を増大させることができる。

以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、高開口率を維持したまま蓄積容量７３の容量値を増大できると共にＴＦＴ３５における光リーク電流の発生を低減できる。その結果、高品質な画像表示が可能となる。

＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について、図１５を参照して説明する。

図１５は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図１５に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１５を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。 第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の平面図（下層部分）である。 第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の平面図（上層部分）である。 図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。 走査線及びゲート電極間のコンタクトホール、及び蓄積容量の平面図である。 図７のＣ−Ｃ´断面図である。 図７のＤ−Ｄ´断面図である。 第２実施形態における図７と同趣旨の平面図である。 第３実施形態における図４と同趣旨の平面図である。 第３実施形態における図５と同趣旨の平面図である。 図１１及び図１２を重ね合わせた場合のＥ−Ｅ´断面図である。 第３実施形態における図７と同趣旨の平面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

１ａ…半導体層、１ａ´…チャネル領域、１ｂ…データ線側ＬＤＤ領域、１ｃ…画素電極側ＬＤＤ領域、１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、１ｅ…画素電極側ソースドレイン領域、２…ゲート絶縁膜、３…ゲート電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、１２…下地絶縁膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、４１、４２、４３…層間絶縁膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、７０…蓄積容量、７０ｔ…凹状部分、７１…下部容量電極、７５…誘電体膜、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、３００…容量線、３００ａ…上部容量電極、８１０…コンタクトホール、８１１…第１部分、８１２…第２部分

Claims (14)

1. 基板上に、
   互いに交差するデータ線及び走査線と、
   該データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、
   該画素電極毎の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち前記交差に対応する交差領域に設けられ、（ｉ）前記走査線と第１の絶縁膜を介して互いに異なる層に配置され、前記データ線が延びる第１の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域が形成された半導体層と、（ｉｉ）該半導体層に対して前記走査線と反対側の層に配置され、前記チャネル領域に重なるゲート電極とを含むトランジスタと、
   該トランジスタよりも第２の絶縁膜を介して上層側に配置され、前記非開口領域内に形成された蓄積容量と
   を備え、
   前記第１の絶縁膜には、前記基板上で平面的に見て、前記半導体層の脇に前記第１の方向に沿って延在する第１部分と、前記走査線の一部と重なると共に前記走査線が延びる第２の方向に沿って延在する第２部分とを有する、前記ゲート電極と前記走査線とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成され、
   前記蓄積容量は、前記コンタクトホールに起因して前記第２の絶縁膜の上層側表面に生じた凹部を覆うように形成され、該凹部の表面に沿った凹状の断面形状を有する凹状部分を有する
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記ゲート電極は、前記チャネル領域に重なる本体部分と該本体部分から前記基板上で平面的に見て前記コンタクトホールと重なるように延設されたゲート電極延設部分とを有し、
   前記走査線は、前記第２の方向に沿って延びる本線部分と該本線部分から前記基板上で平面的に見て前記第１部分と重なるように延設された走査線延設部分とを有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記半導体層は、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域とを有し、
   前記第１部分は、前記第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に沿って形成される
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記コンタクトホールは、前記基板上で平面的に見て前記半導体層の両側に形成され、
   前記第１部分は、前記少なくとも一方の両側に設けられる
   ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記第１部分は、前記基板上で平面的に見て前記第２の接合領域に沿って設けられることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
6. 前記蓄積容量は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記第２の接合領域と重なることを特徴とする請求項３から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記第１及び第２の接合領域は、ＬＤＤ領域であることを特徴とする請求項３から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記走査線は、前記半導体層よりも下層側に配置されることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記蓄積容量は、遮光性導電材料を含んでなることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記ゲート電極及び前記走査線は、遮光性導電材料を含んでなることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 前記第１部分の幅は、前記第２部分の幅よりも狭いことを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 前記蓄積容量は、前記第１の方向に沿って延びると共に、前記第１の接合領域を覆う第１容量部分と、前記第２の接合領域を覆うと共に前記第１容量部分より前記第２の方向の幅が広い第２容量部分とを有することを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
13. 基板上に、
    互いに交差するデータ線及び走査線と、
    該データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、
    該画素電極毎の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち前記交差に対応する交差領域に設けられ、（ｉ）前記走査線と第１の絶縁膜を介して互いに異なる層に配置され、前記走査線が延びる方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域が形成された半導体層と、（ｉｉ）該半導体層に対して前記走査線と反対側の層に配置され、前記チャネル領域に重なるゲート電極とを含むトランジスタと、
    該トランジスタよりも第２の絶縁膜を介して上層側に配置され、前記非開口領域内に形成された蓄積容量と
    を備え、
    前記第１の絶縁膜には、前記基板上で平面的に見て、前記半導体層の脇に前記走査線が延びる方向に沿って延在する第１部分と、前記走査線の一部と重なると共に前記データ線が延びる方向に沿って延在する第２部分とを有する、前記ゲート電極と前記走査線とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成され、
    前記蓄積容量は、前記コンタクトホールに起因して前記第２の絶縁膜の上層側表面に生じた凹部を覆うように形成され、該凹部の表面に沿った凹状の断面形状を有する凹状部分を有する
    ことを特徴とする電気光学装置。
14. 請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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