TWI464882B - 薄膜電晶體基板及其製造方法 - Google Patents

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Description

薄膜電晶體基板及其製造方法
本發明係有關於一種薄膜電晶體基板及其製造方法，尤其是，一種可以提高孔徑比的薄膜電晶體基板及其製造方法。
隨著資訊社會的發展，對於多種顯示裝置的要求也在增加。因此，對諸如液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)、電漿顯示面板(plasma display panel，PDP)、電致發光顯示器(electroluminescent display，ELD)以及真空螢光顯示(vacuum fluorescent display，VFD)等多種平面顯示裝置的研究與發展做了許多的努力。一些平面顯示裝置已經用於顯示器或者器材上。
在多種平面顯示裝置中，由於纖薄外形、輕量以及低功率消耗等優點，液晶顯示裝置(LCD)已經得到廣泛的使用，由此LCD裝置取代了陰極射線管(cathode ray tube，CRT)。另外，諸如筆記型電腦或行動終端的的顯示器的行動式LCD裝置，LCD裝置已經發展為用來接收並顯示廣播的信號的電腦顯示器以及電視機。
LCD裝置包含：具有彩色濾光片陣列的彩色濾光片基板、具有薄膜電晶體陣列的薄膜電晶體基板、以及形成在濾光基板與薄膜電晶體基板之間的液晶層。
彩色濾光片基板具有：用於顯示顏色的彩色濾光片以及用於防止光線發生洩露的黑色矩陣，薄膜電晶體基板具有以矩陣形式形成的複數個像素電極，其中資料信號分別地施加至該等像素電極中。通常，薄膜電晶體基板具有複數個薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)，各薄膜電晶體分別地驅動該等像素電極。薄膜電晶體基板進一步包含：控制該等薄膜電晶體的閘極線以及施加資料信號至該等薄膜電晶體的資料線。
上述薄膜電晶體基板包含：用於驅動閘極線的閘極驅動IC與用於驅動資料線的資料驅動IC。由於薄膜電晶體基板的尺寸增大以及要求高解析度，對驅動IC的需求量也在增大。
然而，由於資料驅動IC比其他裝置更加昂貴，已經有提出一種雙倍驅動(double rate driving，DRD)式薄膜電晶體基板，以降其低製造成本。在該DRD式薄膜電晶體基板中，相鄰像素區域共同使用同一資料線。並且，在該DRD式薄膜電晶體基板中，由於資料線所需的數量減少為1/2且所需的資料驅動IC數量也減少為1/2，所需的閘極線數量減少了兩倍。如此，即使資料線的數量減少，可獲得與習用薄膜電晶體基板相同的解析度。
第1圖為說明依據該習用技術之液晶顯示裝置的DRD式薄膜電晶體基板的平面圖。
如第1圖所示，在該DRD式薄膜電晶體基板中，由於相鄰的子像素共同使用同一資料線DL1、DL2或DL3，所需的資料線的數量為在該非DRD式薄膜電晶體中所需的資料線的一半。然而，由於在該DRD式薄膜電晶體基板中額外提供閘極線GL1、GL2、GL3與GL4，孔徑比減小了約8%至12%的範圍。
作為一種變化，提供了一邊緣場式薄膜電晶體基板，其通過在像素電極與公共電極之間形成的邊緣電場而操縱液晶分子，藉由在像素電極與公共電極之間插入絕緣膜，而使像素電極與公共電極相互重疊。在該邊緣場式薄膜電晶體基板，一“ㄈ”形公共線形成於像素區域，以連接於共同使用資料線DL的像素區域的公共電極。該“ㄈ”形公共線在±90°上旋轉，並與閘極線GL和資料線DL平行。
公共線重疊於像素電極，以形成儲存電容。當像素電極形成在絕緣膜之上時，如果基板發生扭曲，在資料線DL兩邊的像素區域的儲存電容的電容量也發生變化，由此發生因亮度差異造成的不需要的斑點。
因此，本發明針對於一種薄膜電晶體基板及其製造方法，其實質上是避免由於習用技術的缺點與限制所造成的一個或多個問題。
本發明的一目的是在於提供一種液晶顯示裝置的薄膜電晶體基板及其製造方法，其中形成平行於資料線的整體公共線，並移除平行於閘極線的整體公共線，以提高孔徑比。
本發明的其他優點及特徵，將在下面的說明書中部分地闡述，以及部分的對於熟悉該項技藝者在研習下文後是顯而易見的，或可通過實踐本發明習得。本發明的目的及其他優點，可藉由本說明書、申請專利範圍及圖式所指出的結構而實現與獲得。
為達到這些及其他優點，以及依照本發明的目的，在此，整體而概括地描述，依據本發明的一實施例，一種薄膜電晶體基板包括：一基板；一閘極線，排列在該基板的第一方向上；一資料線，排列在該基板的第二方向上使該資料線與該閘極線交叉，以定義一像素區域，並被相鄰像素區域共同使用；一整體公共線，排列在該第二方向上與該資料線平行；一薄膜電晶體，包含與該閘極線相連接的一閘極電極、與該資料線相連接的一源極電極、形成面對該源極電極的一汲極電極、以及一主動層，藉由在該閘極電極與該主動層之間插入一閘極絕緣膜而與該閘極電極重疊形成；與該汲極電極相連接的一像素電極；一鈍化膜，形成在含有該薄膜電晶體的該閘極絕緣膜的整個表面上；複數個公共電極，形成在該鈍化膜上，並通過藉由選擇性地去除該鈍化膜而形成的一公共接觸孔而與該整體公共線相連接；以及一連接部，形成在該鈍化膜上，且藉由在該連接部與該資料線之間插入該鈍化膜而與該資料線重疊，該連接部用於相互連接於相鄰像素區域的該等公共電極。
該閘極線與該閘極電極可具有雙層結構，其中一透明導電材料層與一非透明導電材料層以既定順序沉積。
該像素電極可形成於與該閘極線相同的層，且通過沿著藉由選擇性去除該閘極絕緣膜與該鈍化膜而形成的像素接觸孔而形成的一連接電極，而與汲極電極電氣連接。
該連接電極可形成在與該等公共電極相同的層。
該等公共電極可在該像素區域的邊緣與該整體公共線重疊而形成。
在本發明的另一方面，一種用於製造薄膜電晶體基板的方法包括：形成一閘極線以及一閘極電極排列在一基板的第一方向上；在含有該閘極線與該閘極電極的該基板的整個表面上形成一閘極絕緣膜；在對應於該閘極電極的該閘極絕緣膜上形成一主動層；在排列在含有該主動層的該閘極絕緣膜的整個表面上之與該閘極線相交以定義像素區域的第二方向形成一整體公共線，並形成資料線與源極電極和汲極電極，該資料線被相鄰像素區域共同使用，而該整體公共線排列在與該資料線平行的第二方向上；形成 與該汲極電極連接的一像素電極；在含有該源極電極與汲極電極、該資料線與該整體公共線的該閘極絕緣膜的整個表面上形成一鈍化膜，並通過藉由選擇性地去除該鈍化膜而形成一公共接觸孔，該公共接觸孔暴露該整體公共線；以及在該鈍化膜上形成複數個公共電極以及一連接部，該等公共電極與該整體公共線通過該公共接觸孔而相連接，且該連接部藉由在其與資料線之間插入該鈍化膜而與該資料線重疊，以使該等相鄰像素區域的該等公共電極相互連接。
在該方法中，該閘極線與該閘極電極可以一雙層結構形成，其中一透明導電材料層與一非透明導電材料層以既定順序沉積。
在該方法中，該像素電極可形成於與在該透明導電材料層的單程結構中該閘極線相同的層。
在該方法中，該像素電極通過藉由選擇性去除該閘極絕緣膜與該鈍化膜而形成的像素接觸孔而與汲極電極電氣連接。
在該方法中，該像素電極可使用一半色調光罩而形成。
在該方法中，該等公共電極可在該等像素區域的邊緣與該整體公共線重疊而形成。
依據本發明的實施例，該薄膜電晶體基板及其製造方法至少有以下優點。
首先，共同使用資料線的該等相鄰的像素區域的該等公共電極，通過形成在與該資料線相互重疊的該連接部而相互連接，以去除在該等像素區域中與該閘極線平行的該整體公共線，由此可提高孔徑比。
此外，該像素電極形成於與該閘極線相同的層，以及該等公共電極形成在最上層，由此該等公共電極可消除在該資料線與該像素電極之間的電場干擾。
依據一實施例，本發明提供一種薄膜電晶體基板包括：一基板；一閘極線，排列在該基板的第一方向上；一資料線，排列在該基板的第二方向上使該資料線與該閘極線交叉，以定義相鄰的第一像素區域與第二像素區域，該資料線被該第一與第二像素區域共同使用；一整體公共線，排列在實質上與該資料線平行的該第二方向上；一薄膜電晶體，包含與該閘極線連接的一閘極電極、與該資料線相連接的一源極電極、形成面對該源極電 極的一汲極電極、一主動層，藉由在該閘極電極與該主動層之間插入一閘極絕緣膜而與該閘極電極重疊形成；與該汲極電極相連接的一像素電極；一鈍化膜，形成在含有該薄膜電晶體的該閘極絕緣膜的整個表面上；以及複數個公共電極，形成在該鈍化膜上，並通過藉由選擇性地去除該鈍化膜而形成的一公共接觸孔而與該整體公共線相連接。
依據一實施例，本發明提供一種用於形成薄膜電晶體基板的方法，該方法包括：形成一閘極線排列在一基板的第一方向上；形成一資料線排列在該基板的第二方向上，該資料線與該閘極線交叉，以定義相鄰的第一像素區域與第二像素區域，該資料線被該第一像素區域與第二像素區域共同使用；形成一整體公共線排列在實質上平行於該資料線的該第二方向上；形成一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含與該閘極線相連接的一閘極電極、與該資料線相連接的一源極電極、面對該源極電極的一汲極電極、以及一主動層，藉由在該閘極電極與該主動層之間插入一閘極絕緣膜而與該閘極電極重疊；形成與該汲極電極相連接的一像素電極；在含有該薄膜電晶體的該閘極絕緣膜的整個表面上形成一鈍化膜；以及在該鈍化膜上形成複數個公共電極，並通過一公共接觸孔而與該整體公共線相連接。
須知，前述的總說明以及下文的詳細說明，都是示例性與解釋性的，是為了進一步闡明本發明的申請專利範圍。
現將引用所附圖式以詳細說明本發明的具體實施例。盡可能地，所附圖式中涉及的相同或類似的元件將採用相同的附圖標記。
在下文中，將描述依據本發明實施例的一種薄膜電晶體基板。在此，據本發明實施例的薄膜電晶體基板為液晶顯示裝置的最佳部份，也可適用於其他顯示裝置或電子產品的部分。進一步地，在下文中，儘管可說明被共同共用的資料線分開的兩相鄰像素區域作為實施例，該薄膜電晶體基板具有複數個如此的像素區域。
第2A圖為說明依據本發明實施例之液晶顯示裝置的薄膜電晶體基板的平面圖，以及第2B圖為沿著在第2A圖中所示之薄膜電晶體基板的I-I’線的剖面圖。
參閱第2A圖與第2B圖，本發明的薄膜電晶體基板包括：閘極線GL與資料線DL，排列在基板100上，以藉由相互交叉而定義像素區域、整體公共線CL，與資料線DL平行而形成、薄膜電晶體，形成在閘極線GL與資料線DL的交叉區域中、像素電極110b，與薄膜電晶體的汲極電極140b相連接並以板電極式形成、以及公共電極170a，其包含形成在鈍化膜160上的複數個狹縫，以連同像素電極110b而形成一邊緣場。在此，覆蓋兩個相鄰像素區域的該等公共電極較佳具有相同的狹縫結構/圖案，其中該等狹縫朝向相同的方向。
本發明的薄膜電晶體基板，在雙倍驅動(DRD)模式中驅動，其中基於資料線DL的第一像素區域px1與第二像素區域px2共同使用同一資料線DL。如此，資料線DL的數量與資料驅動IC的數量都減少為1/2，由此可降低薄膜電晶體基板的製造成本。
形成在基板100上的閘極線GL與閘極電極110a可具有一雙層結構，其中諸如錫氧化物(tin oxide，TO)、銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)與銦錫鋅氧化物(indium tin zinc oxide，ITZO)的透明導電材料層，以及諸如鉬(Mo)、錫(Ti)、銅(Cu)、鋁釹(AlNd)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬合金、銅合金與鋁合金的非透明導電材料層，按照既定順序沉積於基板上，或可具有一非透明導電材料層的單層結構。第2A圖與第2B圖中，閘極線GL以及閘極電極110a都形成為雙層結構，其中該透明導電層與該非透明導電層按既定順序沉積。
閘極電極110a可從閘極線GL突出，以施加來自閘極線GL的掃描信號。或者，閘極電極110a不從閘極線GL的一邊突出，但被限定為閘極線GL的一部分區域。
形成與閘極電極110a的下層在相同層上的像素電極110b以板電極式形成。在此，上述的短語“形成在相同層上”能較好地說明像素電極110b以及閘極電極110a同時形成(即，使用同一相同層以形成兩層)，與/或使用相同材料形成。在本說明書中，使用該相同短語的所有句子意味著所述那些層都在此情形中。並且，像素電極110b由諸如錫氧化物(TO)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)與銦錫鋅氧化物(ITZO)的透明導電材料形成，其對應於閘極電極110a的下層。
閘極絕緣膜120由在包含閘極電極110a與像素電極110b的整個表面上諸如SiOx以及SiNx的無機絕緣材料所形成。含有按既定順序沉積的半導體層130a與歐姆接觸層130b的主動層130藉由在其間插入閘極絕緣膜120而與閘極電極110a重疊。
形成在半導體層130a上的歐姆接觸層130b作為減小源極電極140a和汲極電極140b與半導體層130a之間的阻抗。對應於源極電極140a與汲極電極140b分隔開的部分的歐姆接觸層130b被去除，以形成暴露半導體層130a的一通道。
與閘極線GL交叉而定義像素區域的資料線DL、整體公共線CL、源極電極140a與汲極電極140b可形成為多於雙層的沉積結構，可沉積諸如Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金/Al,Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al、Al合金/Mo合金、Mo合金/Al合金與Mo/Al合金，或可形成為單層結構的非透明導電材料層，諸如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金與Al合金。例如，資料線DL、整體公共線CL、源極電極140a與汲極電極140b可同時以相同材料形成。
資料線DL被兩個相鄰像素區域、主要是相鄰的第一像素區域px1以及第二像素區域px2、共同使用或共用。源極電極140a與資料線DL相連，並且源極電極140a被施加資料線DL的像素信號。汲極電極140b藉由在汲極電極140b與源極電極140a之間插入半導體層130a的通道而形成以面對源極電極140a。
汲極電極140b通過沿著像素接觸孔160a形成的連接電極170c電氣連接與閘極線GL形成在相同層的像素電極110b。像素接觸孔160a藉由選擇性地去除閘極絕緣膜120以及鈍化膜160而形成，以施加來自資料線DL的像素信號至像素電極110b。此時，連接電極170c由一透明導電材料在與公共電極170a相同的層上形成。
鈍化膜160形成在含有薄膜電晶體的閘極絕緣膜120的整個表面上，該薄膜電晶體包含閘極電極110a、主動層130、以及源極電極140a與汲極電極140b。具有該等狹縫的公共電極170a形成在鈍化膜160上，並通過由選擇性地去除鈍化膜160所形成的公共接觸孔160b(第2A圖)而與整體 公共線CL相連接，由此可降低接觸阻抗。
公共電極170a以如同像素電極110b之透明導電材料層的單層結構形成，並藉由在像素電極110b與公共電極170a之間插入鈍化膜160與該閘極絕緣膜120而與像素電極110b重疊，由此形成一邊緣電場。如果像素電極110b形成於與資料線DL相同的層，像素電極110b與公共電極170藉由僅在之間插入鈍化膜160而相互重疊，由此形成一邊緣電場。
在具有本發明的薄膜電晶體基板的液晶顯示裝置中，提供於薄膜電晶體基板與濾光基板之間的液晶分子，通過該邊緣電場因介電異向性而旋轉。該等像素區域的透光度根據該等液晶分子的旋轉水準而改變，由此顯示畫面影像。
尤其是，公共電極170a在第一像素區域px1與第二像素區域px2的邊緣上，與各自的整體公共線CL重疊，由此更大地提升孔徑比。
如上所述，在習用的DRD式薄膜電晶體基板中，彼此相鄰的第一像素區域px1與第二像素區域px2共同使用同一資料線DL，由此可降低資料線DL的數量與資料驅動IC的數量。
然而，依據習用技術，在習用的DRD式薄膜電晶體基板中，由於在像素區域中與閘極線平行的整體公共線CL，使孔徑比更加降低。當在像素電極110b形成時，如基板發生扭曲，基於資料線DL的第一像素區域px1與第二像素區域px2的儲存電容發生變化，由此可產生亮度差而導致斑點。
因此，在本發明的薄膜電晶體基板中，用於將共同使用同一資料線DL的相鄰第一像素區域px1與第二像素區域px2的公共電極170a相連接的連接部170b形成在與資料線DL重疊的區域中，以防止孔徑比降低。連接部170b較佳地可具有一橋形，用於連接第一像素區域px1與第二像素區域px2的公共電極170a。
換言之，第一像素區域px1與第二像素區域px2的公共電極170a透過連接部170b而彼此相互連接，連接部170b形成為與資料線DL重疊，但不形成在像素區域內，由此不需要平行於第一像素區域px1與第二像素區域px2之閘極線GL的整體公共線CL，因此，由於不在像素區域內形成整體公共線CL，孔徑比並未降低且得到提升。
由於共同使用資料線DL的第一像素區域px1與第二像素區域px2，具 有相同結構或實質上相同的結構，即使形成在薄膜電晶體基板對面的彩色濾光片基板中的黑色矩陣發生位移，不產生第一像素區域px1與第二像素區域px2的亮度差。進一步地，覆蓋第一像素區域px1的公共電極170a與覆蓋第二像素區域px2的公共電極170a具有相同的結構或者形狀或者實質上相同的結構/形狀。較佳地，它們具有同一的/相似的結構/形狀。例如，如第2A圖所示，覆蓋第一像素區域px1的公共電極170a具有與覆蓋該二像素區域px2的公共電極170a相同的狹縫圖案。
因此，可避免由於亮度差而產生的斑點。並且，可防止因為該亮度差而導致顯示裝置的畫面品質的下降。
此外，在本發明的薄膜電晶體基板中，公共電極170a形成在薄膜電晶體基板的最上層上，由此在資料線DL與公共電極170a之間產生的電場被公共電極170a阻塞，其中資料線DL排列在第一像素區域px1與第二像素區域px2之間。結果是，可降低在資料線DL與公共電極170a之間的距離，其能提升該孔徑比。
更詳細地，第3A圖為說明依據習用技術提供有形成在其最上層上的像素電極之一般薄膜電晶體基板的剖面圖，以及第3B圖為說明依據本發明實施例提供有形成在其最上層上的公共電極之薄膜電晶體基板的剖面圖。在該等圖式中，可只顯示像素電極、公共電極、資料線以及鈍化膜。
如第3A圖所示，在依據習用技術的一般薄膜電晶體基板中，像素電極110b形成在基板的最上層上。當具有黑色矩陣BM的彩色濾光片基板與薄膜電晶體基板結合，並在其間有液晶層時，放置黑色矩陣BM以對應或覆蓋各資料線。此時，對應於資料線DL的黑色矩陣BM具有‘a’的寬度，以及像素電極110b形成在公共電極170a上且在像素電極110b及公共電極170a之間有鈍化膜160。因此，電場形成在資料線DL與像素電極110b之間，由此可異常地驅動液晶或發生光線洩露。為防止該問題的產生，放置像素電極110b與資料線DL使得像素電極110b與資料線DL之間的距離為更大或更長。然而，當距離增加，則孔徑比降低，而此為所不欲得的。
因此，本發明藉由在像素電極110b上提供公共電極170a而處理習用技術的該些限制。例如，參閱第3B圖，依據本發明的薄膜電晶體基板，藉由形成公共電極170a在基板100的最上層上，可在資料線DL與像素電極 110b之間產生的電場被公共電極170a阻擋。進一步地，形成公共電極170a(其位於比像素電極110b更高的層)比像素電極110b更接近於資料線DL。此時，當與本發明的薄膜電晶體基板結合時，形成濾光基板的BM具有一寬度‘b’，其將小於第3A圖的寬度‘a’，且可增加孔徑比。因此，藉使用本發明，可提升孔徑比。也就是說，在本發明中不必要提升公共電極170a與該料線DL之間的距離。由於公共電極170a與資料線DL可如此放置，在公共電極170a與資料線DL之間的距離可降低，藉由本發明的配置可提升孔徑比。
在下文中，將描述依據本發明一實施例之用於製造薄膜電晶體基板的方法。
第4A圖至第4D圖為說明依據本發明實施例用於製造液晶顯示裝置的薄膜電晶體基板的方法的平面圖；以及第5A圖至第5D圖為沿著在第4A圖至第4D圖中所示之薄膜電晶體基板的I-I’線的剖面圖。
如第4A圖與第5A圖所示，閘極電極110a、閘極線GL與像素電極110b形成在基板100上。例如，諸如錫氧化物(TO)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)與銦錫鋅氧化物(ITZO)的透明導電材料層，以及諸如鉬(Mo)、錫(Ti)、銅(Cu)、鋁釹(AlNd)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬合金、銅合金與鋁合金的非透明導電材料層，藉由諸如濺鍍法的沉積方法而按照既定順序沉積在基板100上。
該透明導電材料層與該非透明導電材料層藉由使用一半色調光罩而圖案化，以在該透明導電材料層與該非透明導電材料層的雙層結構中形成閘極電極110a與閘極線GL，其都以既定順序沉積。而且，板電極式像素電極110b僅以於該透明導電材料層的單層結構形成。
閘極絕緣膜120形成在含有閘極電極110a、閘極線GL與像素電極110b的基板100的整個表面上。
如第4B與第5B圖所示，按照既定順序沉積之主動層130的半導體層130a以及歐姆接觸層130b都形成在對應於閘極電極110a的閘極絕緣膜120上。
與閘極線GL垂直相交而定義像素區域的資料線DL與彼此以一預定距離相互間隔的源極電極140a與汲極電極140b，藉由諸如濺射法的沉積方法 而形成在含有主動層130的閘極絕緣膜120上。
資料線DL、整體公共線CL、源極電極140a與汲極電極140b可形成為多於雙層的沉積結構，可沉積諸如Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金/Al,Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al、Al合金/Mo合金、Mo合金/Al合金與Mo/Al合金，或可形成為單層結構的非透明導電材料層，諸如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金與Al合金。例如，資料線DL、整體公共線CL、源極電極140a與汲極電極140b可同時以相同材料成形。
此際，為了減少光罩製程，可使用一半色調光罩而同時形成主動層130、源極電極140a與汲極電極140b。
資料線DL被彼此相鄰的第一像素區域px1與第二像素區域px2共同使用或共用。汲極電極140b通過藉由選擇性地去除閘極絕緣膜120以及鈍化膜160而形成的像素接觸孔160a與像素電極110b電氣連接，並且藉由去除暴露在源極電極140a與汲極電極140b之間的分隔區域的歐姆接觸層130b而形成一通道。
如第4C圖與第5C圖所示，鈍化膜160形成在含有源極電極140a、汲極電極140b與資料線DL的閘極絕緣膜120的整個表面上。暴露汲極電極140b與像素電極110b的像素接觸孔160a藉由選擇性地去除鈍化膜160與閘極絕緣膜120而形成。
如第4D圖與第5D圖所示，該透明導電材料層形成在鈍化膜160的整個表面上，然後圖案化以形成具有該等狹縫的公共電極170a。
公共電極170a通過藉由選擇性地去除鈍化膜160形成的公共接觸孔160b，而與整體公共線CL電氣連接。此際，公共電極170a在第一像素區域px1與第二像素區域px2的邊緣與整體公共線CL重疊，由此進一步提升孔徑比。
公共電極170a重疊於像素電極110b之上，二者其間插入閘極絕緣膜120與鈍化膜160，而形成一邊緣電場。用於共同使用資料線DL連接第一像素區域px1與第二像素區域px2的公共電極170a的連接部170b形成在與資料線DL重疊的區域中。
換言之，彼此相鄰的第一像素區域px1與第二像素區域px2的公共電極170a通過與資料線DL重疊而形成且不在像素區域內的連接部170b而彼此相互連接，由此不再需要在第一像素區域px1與第二像素區域px2中與閘極線GL平行的整體公共線CL(其在習用技術為所必需出現的)，並因此去除。因此，藉由整體公共線CL，孔徑比得到提升。
尤其，形成公共電極170a與連接部170b，且用於連接汲極電極140b和像素電極110b的連接電極170c同時形成，由此汲極電極140b與像素電極110b電氣連接。結果是，汲極電極140b施加來自資料線DL的像素信號至像素電極110b。
在本發明的薄膜電晶體基板中，公共電極170a形成在基板的最上層上，由此在資料線DL與像素電極110b之間產生的電場可被公共電極170a阻塞，其可進一步提升該孔徑比。
以上所述者僅為用於解釋本發明的較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上的限制，是以，凡有在相同的發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明申請專利範圍及其同等所意圖保護的範疇內。
本申請案主張於2011年6月1日提交的韓國專利申請第10-2011-0053026號的權益，該等專利申請在此全部引用作為參考。
100‧‧‧基板
110a‧‧‧閘極電極
110b‧‧‧像素電極
120‧‧‧閘極絕緣膜
130‧‧‧主動層
130a‧‧‧半導體層
130b‧‧‧歐姆接觸層
140a‧‧‧源極電極
140b‧‧‧汲極電極
160‧‧‧鈍化膜
160a‧‧‧像素接觸孔
160b‧‧‧公共接觸孔
170a‧‧‧公共電極
170b‧‧‧連接部
170c‧‧‧連接電極
BM‧‧‧色矩陣
CL‧‧‧整體公共線
DL、DL1、DL2、DL3‧‧‧資料線
GL、GL1、GL2、GL3、GL4‧‧‧閘極線
px1‧‧‧第一像素區域
px2‧‧‧第二像素區域
所附圖式其中提供關於本發明實施例的進一步理解並且結合與構成本說明書的一部份，說明本發明的實施例並且描述一同提供對於本發明實施例之原則的解釋。
圖式中：第1圖為說明依據習用技術之液晶顯示裝置的DRD式薄膜電晶體基板的平面圖；第2A圖為說明依據本發明實施例之液晶顯示裝置的薄膜電晶體基板的平面圖；第2B圖為沿著在第2A圖中所示之薄膜電晶體基板的I-I’線的剖面圖；第3A圖為說明依據習用技術之具有形成在最上層上的像素電極的一 般薄膜電晶體基板的剖面圖；第3B圖為說明依據本發明實施例之具有形成在最上層上的公共電極的薄膜電晶體基板的剖面圖；第4A圖至第4D圖為說明依據本發明實施例用於製造液晶顯示裝置的薄膜電晶體基板的方法的平面圖；以及第5A圖至第5D圖為沿著在第4A圖至第4D圖中所示之薄膜電晶體基板的I-I’線的剖面圖。
100‧‧‧基板
110a‧‧‧閘極電極
110b‧‧‧像素電極
120‧‧‧閘極絕緣膜
130‧‧‧主動層
130a‧‧‧半導體層
130b‧‧‧歐姆接觸層
140a‧‧‧源極電極
140b‧‧‧汲極電極
160‧‧‧鈍化膜
160a‧‧‧像素接觸孔
170a‧‧‧公共電極
170b‧‧‧連接部
170c‧‧‧連接電極
DL‧‧‧資料線
px1‧‧‧第一像素區域
px2‧‧‧第二像素區域

Claims (18)

  1. 一種薄膜電晶體基板，包括：一基板；一閘極線，排列在該基板的第一方向上；一資料線，排列在該基板的第二方向上使該資料線與該閘極線交叉，以定義相鄰的第一像素區域與第二像素區域，該資料線被該第一像素區域與該第二像素區域共同使用；一整體公共線，排列在實質上與該資料線平行的該第二方向上；一薄膜電晶體，包含與該閘極線相連接的一閘極電極、與該資料線相連接的一源極電極、形成面對該源極電極的一汲極電極、以及一主動層，藉由在該閘極電極與該主動層之間插入一閘極絕緣膜而與該閘極電極重疊形成；一像素電極，與該汲極電極相連接；一鈍化膜，形成在含有該薄膜電晶體的該閘極絕緣膜的整個表面上；以及複數個公共電極，形成在該鈍化膜上，並通過藉由選擇性地去除該鈍化膜而形成的一公共接觸孔而與該整體公共線相連接；其中該等公共電極形成在該第一像素區域與該第二像素區域的邊緣的該整體公共線之上。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體基板，進一步包括：一連接部，其藉由在該連接部與該資料線之間插入該鈍化膜，而形成在該鈍化膜上，並在該資料線的上方，該連接部使該第一像素區域與該第二像素區域的該等公共電極相互連接。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體基板，其中該閘極線與該閘極電極具有一雙層結構，其中一透明導電材料層與一非透明導電材料層依序沉積。
  4. 依據申請專利範圍第3項所述的薄膜電晶體基板，其中該像素電極與該 閘極線之下層使用相同材料而形成，並且該像素電極通過一連接電極與該汲極電極電氣連接。
  5. 依據申請專利範圍第4項所述的該薄膜電晶體基板，其中該連接電極與該等公共電極以相同材料形成。
  6. 依據申請專利範圍第2項所述的該薄膜電晶體基板，其中該等公共電極與該連接部以相同材料形成。
  7. 依據申請專利範圍第2項所述的該薄膜電晶體基板，其中該連接部係為一橋形，用於連接該第一像素區域與該第二像素區域的該等公共電極。
  8. 依據申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體基板，其中該等公共電極延伸至該第一像素區域或該第二像素區域、該整體公共線、以及該整體公共線與該第一像素區域或該第二像素區域之間的一區域之上。
  9. 依據申請專利範圍第1項所述的薄膜電晶體基板，其中該等公共電極包含覆蓋該第一像素區域的複數個第一公共電極、以及覆蓋該第二像素區域的複數個第二公共電極，該等第一公共電極與該等第二公共電極具有一相同圖案。
  10. 一種用於形成薄膜電晶體基板的方法，該方法包括：形成一閘極線排列在一基板的第一方向上；形成一資料線排列在該基板的第二方向上，該資料線與該閘極線交叉以定義相鄰的第一像素區域與第二像素區域，該資料線被該第一像素區域與該第二像素區域共同使用；形成一整體公共線排列在實質上平行於該資料線的該第二方向上；形成一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含與該閘極線相連接的一閘極電極、與該資料線相連接的一源極電極、面對該源極電極的一汲極電極、以及一主動層，藉由在該閘極電極與該主動層之間插入一閘極絕緣膜而與該 閘極電極重疊；形成與該汲極電極相連接的一像素電極；在含有該薄膜電晶體的該閘極絕緣膜的整個表面上形成一鈍化膜；以及在該鈍化膜上形成複數個公共電極，該等公共電極通過一公共接觸孔而與該整體公共線相連接，其中該等公共電極形成在該第一像素區域與該第二像素區域的邊緣的該整體公共線之上。
  11. 依據申請專利範圍第10項所述之用於形成薄膜電晶體基板的方法，進一步包括：在該鈍化膜上以及該資料線之上形成一連接部，該連接部藉由在該連接部與該資料線之間插入該鈍化膜而形成，該連接部使該第一像素區域與該第二像素區域的該等公共電極相互連接。
  12. 依據申請專利範圍第10項所述之用於形成薄膜電晶體基板的方法，其中該閘極線與該閘極電極具有一雙層結構，其中一透明導電材料層與一非透明導電材料層依序沉積。
  13. 依據申請專利範圍第10項所述之用於形成薄膜電晶體基板的方法，其中該像素電極與該閘極線同時形成，並且該像素電極通過一連接電極而與該汲極電極電氣連接。
  14. 依據申請專利範圍第13項所述之用於形成薄膜電晶體基板的方法，其中該連接電極與該等公共電極同時形成。
  15. 依據申請專利範圍第11項所述之用於形成薄膜電晶體基板的方法，其中該等公共電極與該連接部同時形成。
  16. 依據申請專利範圍第11項所述之用於形成薄膜電晶體基板的方法，其中該連接部係為一橋形，用於連接該第一像素區域與該第二像素區域的該等公共電極。
  17. 依據申請專利範圍第10項所述之用於形成薄膜電晶體基板的方法，其中該等公共電極延伸至該第一像素區域或該第二像素區域、該整體公共線、以及在該整體公共線與該第一像素區域或該第二像素區域之間的一區域之上。
  18. 依據申請專利範圍第10項所述之用於形成薄膜電晶體基板的方法，其中形成該等公共電極的步驟包含：形成覆蓋該第一像素區域的複數個第一公共電極，以及形成覆蓋該第二像素區域的複數個第二公共電極，其中該等第一公共電極與該等第二公共電極具有一相同圖案。
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