TW525031B - Liquid crystal display - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 1 A7 ----- -- B7 五、發明說明（1 ) 曼ϋ背景 U)發明範蜂 本發明有關一種液晶顯示器，尤其有關一種液晶顯示器 ，其中預定開口圖型係形成於像素及共用電極上，以得到 寬幅視角。 (b)相關技藝描述 液晶顯示器通常具有一種結構，其中液晶材料係夾置於 兩基板之間，施加電場於液晶材料上，以控制該液晶材料 之分子的校準，最後控制入射光之透光度。不施加電場時 ，該液晶分子係校準於與該基板垂直。當兩偏光膜係配置 成使其線路（其中多條係於各偏光膜上平行形成）彼此垂直 ，不施加電場時，穿過該第一偏光膜之線性偏光被該第二 偏光膜完全遮蔽。因爲該液晶顯示器於正常黑色膜式之“斷 開狀悲下具有極低之亮度，故可得到較習用扭轉向列液晶 顯示器南之反差比。 然而，該液晶分子於電場存在下係不規則地與該基板傾 斜，而發展一或多個區域，其中部分液晶分子之長軸取向 係與该弟一或第二偏光膜之偏光取向一致。此等區域中， 該液晶分子無法謗導該偏光取向之旋轉，即偏光，而光完 •全被该偏光膜遮蔽。該等區域於螢幕上顯示出黑色部分， 而導致圖像品質降低。此等區域係稱爲“組織”區域。 爲了解決前述問題，已有人提出數個電極-圖型化技術。 然而，形成之液晶顯示器中仍具有響應速度緩慢之問題。 圖1係説明先前技藝液晶顯示器中位於像素及共用電極上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 丨丨一---------·裳--------訂---------§· Μ 命 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 525031 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2) <開口圖翌的示意圖。如圖j所示，形成個別具有開口圖型 1及2之像素及共用電極。開口圖型各形成爲v型，配 置成使得該v型末端彼此接近，而開口圖型i及2形成粗略 之菱形。液晶材料注射於該像素及共用電極之間，液晶分 子3係配置成垂直於該電極。 施加電場於液晶材料時，該液晶分子3配置成與該電極平 行。然而，該液晶分子3相對於施加電場之響應速度極爲緩 慢’而於該像素及共用電極上形成開口圖型1及2。即，因 開口圖型1及2形成之邊緣電場的結果，液晶分子3先配置 於與該開口圖型1及2垂直（A態），之後因液晶分子長軸之 特有傾向而校準於與其平行（B態），而自動地校準成約略平 行。因爲此兩校準步騍，而導致缓慢之響應速度。 液晶分子之緩慢響應速度於該螢幕上顯示移動圖像時導 致殘像。 發明概述 本發明之目的係提出一種液晶顯示器，其具有改善之響 應速度及寬幅視角。 本發明另一目的係提出一種液晶顯示器，產生改良之圖 像。此等及其他目的可藉著一液晶顯示器達成，該液晶顯 示器具有第一絕緣基板，其具有頂面及底面。像素電極係 形成於該第一絕緣基板之頂面上。該像素電極之各個像素 區上具有第一開口圖型。具有該第一開口圖型之像素電極 基本上係爲矩型，具有第一及第二長邊，及第一及第二短 邊。該像素電極係分成由該第一及第二長邊及該第一短邊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ------V-----裝--------訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 A7 B7 五、發明說明（3 ) 所界定之上層區，及由該第一及第二長邊及第二短邊所界 定之下層區。具有頂面及低面之第二絕緣基板係配置成與 該第一絕緣基板平行，相距一預定距離，使得該第二絕緣 基板之底面面向該第一絕緣基板之頂面。共用電極係形成 於該第二絕緣基板之底面上。該共用電極係具有位於各像 素區之第二開口圖型，對應於該像素電極之各個像素區。 液晶層係央置於該第一^及第二基板之間9而與該像素及共 用電極接觸。 該第一及第二開口圖型各具有多個開口，該第一及第二 開口圖型之開口係交替地配置成彼此平行。 該第一及第二開口圖型各具有中間線性部分。該第一及 第二開口圖型之線性部分係交替地配置成彼此平行。該第 一開口圖型係包括第一開口，形成於該像素電極位於第一 取向上之上層區内。第二開口部分係形成於該像素電極與 該第一取向垂直之第二取向的下層區中。該第二開口圖型 係包括第一中繼線開口，形成於該共用電極之第一取向上 的上層區中，及第二中繼線開口，形成於該共用電極之第 二取向上的下層區中。該第一取向係於預定角度下與該像 素電極之長邊或短邊傾斜。該第一開口圖型另外包括第一 支線開口，與該像素電極之第一及第二短邊重疊，及第二 支線開口，與該像素電極之第一及第二長邊重疊。該第一 開口圖型另外包括第三開口，其符合該像素電極之上層及 下層區，而與該像素電極之第一及第二短邊平行。該第二 支線開口各具有大於該中繼線開口部分之寬度。該第一取 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 丨,|丨丨丨Ί丨丨丨·裝--------訂---------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 A7 B7 五、發明說明（4 ) 向係平行於該像素電極之長邊及短邊中之一。該第一及第 二中繼開口各具有相對末端，各具有漸寬之寬度。該第二 中繼線開口中之一係與該像素電極之第二短邊重疊。該第 一開口係具有相對末端，各具有漸縮之寬度。 該像素及共用電極係彼此重疊，使得該第一及第二開口 圖型將該像素電極分成數個微型區域。該像素電極之微型 區域係爲多邊形，其中該最長邊係彼此平行。該像素電極 之微型區域係分成第一類，其中該最長邊係排列於第一取 向，及第二類，其中該最長邊係排列於與該第一取向垂直 * 之第二取向。該第一取向係相對於該像素電極之長或短邊 傾斜於預定角度。或該第一取向可平行於該像素電極之長 邊及短邊中之一。 當於該像素及共用電極間施加電壓時，該第一及第二開 口圖型形成邊緣電場。該液晶分子因邊緣電場所致之取向 係對應於該液晶分子因分子力所致之取向。該液晶分子以 定向於四個取向爲佳。該第一及第二開口圖型之開口寬度 以1 0 - 1 6微米範圍内爲佳。 該像素電極可於與該第一及第二開口末端相鄰之側邊上 具有突出物。 圖式簡單説明 參照附圖，可由以下詳述進一步明暸本發明及許多其優 點，其中相同之參考編號係表示相同或類似元件，其中： 圖1係爲先前技藝液晶顯示器中形成於共用電極及像素電 極上之開口圖型單元的示意圖； -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —--------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 A7 B7 五、發明說明（5 ) 圖2係爲本發明較佳具體實例之液晶顯示器的示意剖面圖； 圖3 A係爲本發明第一較佳具體實例形成於共用電極及像 素電極上之開口圖型單元的示意圖； 圖3 B係爲本發明第二較佳具體實例形成於共用電極及像 素電極上之開口圖型單元的示意圖； 圖4 A係爲本發明第三較佳具體實例之像素電極的開口圖 型之示意圖； 圖4B係爲本發明第三較佳具體實例之共用電極的開口圖 型之示，圖； 圖4C係爲個別表示於圖4A及4B中之像素電極及共用電 極於重疊狀態下之開口圖型之示意圖； 圖5 A係爲本發明第四較佳具體實例之像素電極的開口圖 型之示意圖； 圖5 B係爲本發明第四較佳具體實例之共用電極的開口圖 型之示意圖； 圖5 C係爲個別表示於圖5 A及5 B中之像素電極及共用電 極於重疊狀態下之開口圖型之示意圖； 圖6 A係爲本發明第五較佳具體實例之像素電極的開口圖 型之示意圖； 圖6B係爲本發明第五較佳具體實例之共用電極的開口圖 型之示意圖； 圖6C係爲個別表示於圖6A及6B中之像素電極及共用電 極於重疊狀態下之開口圖型之示意圖；. 圖7A係爲本發明第六較佳具體實例之像素電極的開口圖 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 丨.ΙΙΊΙ,·裝--------訂---------备 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 A7 B7 五、發明說明（6 ) 型之示意圖； 圖7B係爲本發明第六較佳具體實例之共用電極的開口圖 型之示意圖； 圖7C係爲個別表示於圖7A及7B中之像素電極及共用電 極於重疊狀態下之開口圖型之示意圖； 圖8 A係爲本發明第七較佳具體實例之像素電極的開口圖 型之示意圖； 圖8 B係爲本發明第七較佳具體實例之共用電極的開口圖 型之示意圖； 圖8 C係爲個別表示於圖8 A及8 B中之像素電極及共用電 極於重疊狀態下之開口圖型之示意圖； 圖9 A係爲本發明第八較佳具體實例之像素電極的開口圖 型之示意圖，· 圖9B係爲本發明第八較佳具體實例之共用電極的開口圖 型之示意圖； 圖9 C係爲個別表示於圖9 A及9 B中之像素電極及共用電 極於重疊狀態下之開口圖型之示意圖； 圖1 Ο A係爲本發明第九較佳具體實例之像素電極的開口 圖型之示意圖； 圖1 Ο B係爲本發明第九較佳具體實例之共用電極的開口 圖型之示意圖； 圖10C係爲個別表示於圖10A及10B中之像素電極及共 用電極於重疊狀態下之開口圖型之示意圖； 圖1 1係爲各種開口圖型之示意圖，用以説明開口寬度及 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 丨丨丨、ίΊ丨！•裝--------訂---------$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 525031 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) 間隔對於響應速度及亮度之影響；圖i 2 A係爲説明施加圖 11所示之開口圖型之試驗構件的透光度之圖型； 圖1 2 B係爲對照施加圖1 1所示之特定開口圖型之試驗構 件的透光度與施加圖1丨所示之其他開口圖型之試驗構件的 透光度之圖； 圖1 3係爲使用施加圖1 1所示之開口圖型之試驗構件之灰 階的函數説明響應時間之圖； 圖1 4係爲使用施加圖1 1所示之特定開口圖型之實際面板 之灰階的函數説明響應時間之圖； 圖1 5 A至1 5 C係爲於白色灰階下顯示於圖1 1之特定開口 圖型的相片； 圖16A及16B係爲出示於圖11中之特定開口圖型之相片 ，用以説明依施加電壓位準而致之分配區變化；圖1 7 A及 1 7 B係爲示意圖，用以説明邊緣電場強度係依開口圖型寬 度之變化而改變； 圖18 A至1 8D係爲説明液晶分子於開口圖型之邊緣部分 上之取向狀態的示意圖； 圖1 9及2 0係爲產生圖1 1所示之特定開口圖型之組織的區 域之示意圖；且圖21A至21C係爲開口圖型之示意圖，其 中已應用組織改良技術。 較佳具體實例11座· 參照附圖説明本發明較佳具體實例。 圖2係爲本發明較佳具體實例之液晶顯示器的示意剖面圖 。如圖2所示，該液晶顯示器係包栝下層及上層基板〗〇及 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------〆-----裝--------訂---------^9. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 A7 --------------B7 _ 五、發明說明（8 ) 2、〇，配置成於其間保持預定間隙下實質平行。液晶材料係 注射於下層及上層基板10及2〇之間，形成一液晶層，該液 晶材料係包含液晶分子30。液晶分子3 〇之長軸係定向於與 該下層及上層基板10及2〇垂直。下層及上層兩基板⑺及 2 0係由透明材料諸如玻璃形成。 孩下層基板1 0係覆有像素電極丨2，其係連接於一切換元 件11，以接收顯示信號。該像素電極12係由透明材料諸如 氧化銦錫（ITO)或氧化銦鋅（IZ〇)形成，具有開口圖型（未示 )。孩切埤兀件1 1係例如薄膜電晶體，而連接於一閘極線（ 未示），傳輸掃描信號，及一數據線（未示），傳輸圖像信號 。孩切換元件1 1使該像素電極丨2連通及斷開。下層偏光膜 14係附著於該下層基板1〇之外表面上。若該像素電極12係 由如同反射型液晶顯示器相同之透明材料形成，則不需要 下層偏光膜14。 該上層基板2 0之内表面隨之覆以用以防止漏光之黑色矩 陣2 1、濾色器2 2、及共用電極2 3。該共用電極2 3係由透 明材料諸如氧化銦錫（IT 0)或氧化銦鋅（IZO)形成，而具 有開口圖型（未示）。偏光膜24附著於該上層基板20之外表 面上。或該黑色矩陣2 1或濾色器2 2可形成於該下層基板1 0 上。 該液晶顯示器LCD可藉著配置下層及上層偏光膜14及24 而成爲於正常黑色模式下操作之結構，形成於該下層偏光 膜14上之線路係垂直於形成於該上層偏光膜2 4上之線路， 或可藉著配置該下層及上層偏光膜14及24使其線路彼此平 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----.—、-----0裴--------訂---------龜 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 525031 A7 _________B7___ 五、發明說明（9 ) 行，而使其具有可於正常白色模式下操作之結構。以下描 远中’僅描述產生正常黑色模式之配置。圖3A係顯示本發 明第一較佳具體實例之像素及共用電極12及23之開口圖型 的示意圖。如圖3A所示，像素及共用電極12及23之個別 開口圖型101及102各形成爲直線，該開口圖型1〇丨係實質平 行於該開口圖型102。於此種結構下，該液晶分子30因該開 口圖型1〇1及1〇2所產生之邊緣電場的結果，而配置於平行 。此外，液晶分子3 0移動成平行配置之移動係於單一步驟 中進行，.而得到快速之響應速度。 然而，使用^述結構時，組織發展於螢幕之廣闊面積上 。螢幕上亦可能產生白色殘像。“白色殘像，，意指一種現象 ，其中螢幕上於明亮背景上顯示黑暗顏色之部分回復明亮 之背景，暫時變得較該明亮背景明亮。 圖3 B係顯示本發明第二較佳具體實例之像素及共用電極 12及23之開口圖型的示意圖。如圖3B所示，像素及共用 電極12及23之個別開口圖型111及112各形成爲彎曲形，該 開口圖型111及112之末端係位於緊鄰處，而中心於相反取 向上鼓起。然而，使用此種結構，該液晶分子3 〇之移動無 法於單一步驟中完成’導致緩慢之響應速度。以下較佳具 體實例中，該像素及共用電極1 2及2 3之開口圖型係參照一 像素區進行描述。單一像素區中，像素電極丨2基本上係爲 具有第一及第二長邊之矩型，個別對應於該像素電極丨2之 左側及右側（圖中）；第一及第二短邊，個別對應於該像素 電極12之頂邊及底邊（圖中）；由該第一長邊及第一短邊之 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂------ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1〇 ) 末端所形成之第一轉角；由該第一短邊及該第二長邊之末 端所形成之第二轉角；由該第二長邊及第二短邊之末端所 形成之第三轉角；及由該第一長邊及該第二短邊之末端所 形成之第四轉角。此外，該像素電極i 2係包括上層區及下 層區’上層區係對應於像素電極1 2之上半部（圖中）=由該 第一長邊、第二長邊及第一短邊所界定，而下層區係對應 於像素電極12之下半部（圖中），由第一長邊、第二長邊及 第二短邊所界定。 當該共·用電極23呈現於上層基板20之整體表面上時，描 述該共用電極23約略對應於一像素區中之像素電極12的部 分。此情況下，該共用電極23部分係由虛線表示，用以簡 易地説明像素電極12之確認標記（即上層區及下層區；第一 長邊及第二長邊；第一短邊及第二短邊；及第一、第二、 第三及第四轉角）亦使用於由虛線所界定之共用電極23的此 等部分。圖4 A係顯示本發明第三較佳具體實例之像素電極 1 2的開口圖型之示意圖。如圖4 A所示，中間開口 121係自 該第一長邊向内形成，於此處與該像素電極12之上層及下 層區接合。該中間開口 121係於漸細下向該第二長邊延伸預 定距離。該第一長邊係於該中間開口 121之兩邊上於預定角 度下裁切，以形成中間開口 121之寬大入口區。上層及下層 開口 122及123係個別形成於該像素電極丨2之上層及下層區 中，於預定角度下對稱地自該第二長邊個別伸向該像素電 極12之第一及第四轉角。 圖4 B顯示本發明第三較佳具體實例之共用電極2 3之開口 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事頊再填寫本頁)

· 1 I I III I 訂-I I I I I i. 525031 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（11 ) 圖型的示意圖。如圖4 B所示，該共用電極2 3之開口圖型係 包括中間、上層及下層開口 210、220及230，各間隔預定距 離。該中間開口 210係包括中繼線211，位於接合該共用電 極2 3之上層及下層區之處，由該第二長邊向該第一長邊伸 出預定距離。該第一及第二支線212及214係於預定角度下 自中繼線211向該第一長邊延伸，而第一及第二副支線213 及215係沿第一長邊個別自該第一及第二支線212及214個別 向該第一及第二短邊延伸。形成於該共用電極23之上層區 中之上層開口 220包括第一主體221，自該第二長邊延伸至 該第一短邊，距該第二轉角有一預定距離，且與該第一支 線212平行。該第一上方插腳222係自該第一主體221之末端 沿該第一短邊延伸至該第一長邊，而第一下方插腳223係自 該第一主體221之反端沿該第二長邊向該第二短邊延伸。該 下層開口 23〇係包括一第二主體231、第二下方插腳232、及 第二上方插腳233。該下層開口 230係配置於下層區中，與 該上層開口 220對稱。 圖4 C係顯示個別以重疊狀態出示於圖4 A及4 B之像素及 共用電極1 2及2 3之開口圖型的示意圖。如圖4 C所示，該 像素及共用電極12及23之開口圖型係將該像素電極丨2分成 數個區域。該像素電極1 2之開口 121、122及123及該共用電 極23之開口 210、220及230係交替排列，不同處爲該共用電 極之中間開口 210的中繼線211與該像素電極1 2之中間開口 121部分重疊。 較佳具體實例中，該下層及上層偏光膜丨4及2 4係配置成 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------^----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7

525031 五、發明說明（12 ) 其偏光取向係個別與該像素電極丨2之第一及第二短邊成〇 及9 〇。（或相反）。該種配置下，當液晶分子3 〇係於施加 電場下重排時，其防止該偏光膜14及24之偏光取向變向， 故不產生組織之問題。此外，當液晶分子3 〇於邊緣電場影 響下完全定向於平行取向時，該液晶分子3 〇之移動係於單 一步驟中完成，而得到迅速之響應速度。 此外’該像素及共用電極i 2及2 3之開口部分大體上係配 置於彼此垂直之兩取向。因爲該像素及共用電極12及23之 開口碍分係X替配置’故於一像素區之四取向上施加邊緣 電場。因此，可於所有取向得到寬幅視角。 圖5 A係顯示本發明第四較佳具體實例之像素電極12的開 口圖型示意圖。如圖5 A所示，該像素電極丨2之開口圖型係 爲V形開口 130。該V形開口 130具有接近該第二長邊之頂點 ，位於該上層區與該像素電極12之下層區接合處，開口面 向该像素電極1 2之第一長邊。即，該開口 13〇之上半部131 於預足角度下自開口 130之頂點向該像素電極丨2之第一長邊 延伸，使得該上半部131完全位於該像素電極12之上層區中 ，而該開口 130之下半部132係於預定角度下自該開口 13〇之 頂點向該像素電極12之第一長邊延伸，使得該下半部132完 全位於該像素電極12之下層區中。此外，切除該像素電極 12之第二及第三轉角，以形成彎曲形。圖5B係顯示本發明 第四較佳具體實例之共用電極23的開口圖型之示意圖。如 圖5B所示，該共用電極23之開口圖型係包括右方開口 24〇 及左方開口 250。該右方開口 240係包括一基座24ι，沿著該 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^—V-----^--------^ --------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 開 型 A7 B7 五、發明說明（13 ) 共用電極23之第一長邊形成且延伸，自中間部分沿該第一 長邊向該第一及第二短邊變細。右方開口 240之基座241亦 包括一突出物242，自該基座241向著該第二長邊延伸預定 距離，而於相同取向下變細。突出物242與基座241相鄰之 部分係形成於一預定斜面上。左方開口 250係包括一主體 25〇，沿該共用電極2 3之第二長邊形成，上方插腳252係於 預定角度下自主體251之一端向著該共用電極23之第一轉角 延伸並持續通過，下方插腳253係於預定角度下自該主體 251之另一端向該共用電極23之第四轉角延伸，並持續通過 。右方及左方開口 240及250兩者之中心係位於該共用電極 23之上層及下層區域接合之處。 圖5 C係顯示個別以重疊狀態出示於圖5 A及5 B之像素及 共用電極1 2及2 3之開口圖型的示意圖。如圖5 C所示，該 像素及共用電極12及23之開口圖型係將該像素電極丨2分割 成數個區域。該像素電極12之V形開口 130係位於該共用電 極23之右方及左方開口 240及250之間。該V形開口 13〇之上 層及下層部分131及132係個別平行於該左方開口 250之下方 及上方插腳252及253，及與該右方開口部分240之基座241 相鄰之突出物242部分。該突出物242之末端與該v形開口部 分130之頂點重疊。於前述本發明第四較佳具體實例的結構 下，該下層及上層偏光膜14及24係配置成其偏光取向與第 三較佳具體實例相同。 、 圖6 A係顯示本發明第五較佳具體實例之像素電極丄2之 口圖型的示意圖。如圖6A所示，該像素電極12之開口圖 — — II I —I丨丨丨·丨丨丨丨—丨—訂----丨丨—丨I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -16- 525031 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（14 ) 包括一上層開口 141，形成於該像素電極12之上層區域中， 及一下層開口 142，形成於該像素電極之下層區域中。若該 像素電極1 2被分割成三個等長區域，即，第一至第二個医 域’則第一個區域之一邊爲第一短邊，第三區域之一邊爲 第二短邊，而該第二區域係形成於該第一及第三區域之間 ，該上層開口 141係位於該第一及第二區域接合處，該下層 開口 142係位於該第二及第三區域接合處。上層開口 141係 自該第一長邊沿水平取向向著該像素電極i 2之第二長邊延 伸，該像素電極12對應於上層開口 Ml係位於該第一長邊側 旁之區域係被切除，以形成一彎曲形狀。相同地，該下層 開口 142自該第二長邊於水平取向上向著該像素電極I]之第 一長邊延伸，切除該像素電極1 2對應於沿該第二長邊配置 該下層開口 142之區域，以形成彎曲之形狀。此外，切除該 像素電極1 2之第二及第三轉角，以使其純化。圖6 b係顯示 本發明第五較佳具體實例之共用電極2 3之開口圖型之示意 圖。如圖6 B所示，該共用電極2 3之開口圖型係爲鋸齒形開 口 260。該锯齒形開口 260係包括上層部分261，自位於預定 斜面上之共用電極23第一轉角至該共用電極23之第二長邊 並與其接合，中間部分262係於預定斜面上自上層部分261 與遠弟一長邊接合之處向者該共用電極23之第一長邊延伸 並與其接合，而下層部分263係於預定斜面上自中間部分 262與第一長邊接合之末端向著該共用電極23之第三轉角延 伸，並與其接合。若該共用電極2 3係分成三個等長區域， 即第一至第三個區域，則第一個區域之一邊係爲第一短邊 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —---、-----裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 A7 B7 五、發明說明（15 ) ，而第三區域之一邊係爲第二短邊，而該第二區域係形成 於該第一及第三區域之間，而該上層及中間部分261及262 會聚而接合該第一及第二個區域，而該中間及下層部分262 及263係會聚而接合該第二及第三個區域。 圖6 C係顯示個別以重疊狀態出示於圖1 2及2 3之像素及共 用電極之開口圖型的示意圖。如圖6 C所示，該像素及共用 電極1 2及2 3之開口部分係將該像素電極1 2分成數個區域。 該共用電極23之開口 260的上層及中間部分261及262接合之 部分與轉像素電極1 2與該第二長邊相鄰之上層開口部分141 的末端重疊，而該共用電極2 3之開口 260之中間及下層部分 262及2 6 3之接合部分係與該像素電極12與該第一長邊相鄰 之下層開口部分142末端重疊。 前述本發明第五較佳具體實例之結構下，下層及上層偏 光膜1 4及24係配置成其偏光取向係與第三較佳具體實例相 同。圖7A係顯示本發明第六較佳具體實例之像素電極12之 開口圖型之示意圖。如圖7A所示，該像素電極1 2之開口圖 型係包括上層開口 151，與該像素電極12之上層區域之第一 及第二短邊平行，及下層開口 152，與該像素電極12之下層 區域中的第一及第二短邊平行。若像素電極1 2分割成等長 之三個區域，即第一至第三個區域，則第一個區域之一邊 爲第一短邊，第三區域之一邊爲第二短邊，而該第二區域 係形成於該第一及第三區域之間，該上層開口 151係位於該 第一及第二區域接合處，該下層開口 152係位於該第二及第 三區域接合處。該上層及下層開口 151及152係自與該第一 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —Ί丨丨.♦裝--------訂---------麻 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 525031 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（16 ) 長邊相鄰之位置向著與該第二長邊相鄰之位置延伸。圖7B 係顯示本發明第六較佳具體實例之共用電極2 3的開口圖翌 之示意圖。如圖7B所示，共用電極23之開口圖型係包栝第 一、第二及第三個X-形開口 270、280及290，彼此沿該共用 電極2 3之長度間隔一預定距離。切除各X -形開口 270、2 8 〇 或290之中心區域，以形成約略爲矩型之放大區域。第一個 X-形開口 270用以形成“X”之一線係自該第一轉角向著該共 用電極2 3之第二長邊延伸，另一線則自該第二轉角向該共 用電極23之第一長邊延伸；第二個X-形開口 280用以形成 “X”之一線係自該第一長邊向著該共用電極23之第二長邊 延伸，另一線則自該第二長邊向該共用電極2 3之第一長邊 延伸；而第三個X-形開口 290用以形成“X”之一線係自該第 二長邊向著該共用電極2 3之第四轉角延伸，另一線則自該 第一長邊向該共用電極23之第三轉角延伸。 圖7 C係顯示個別以重疊狀態出示於圖7 A及7 B之像素及 共用電極12及23之開口圖型之示意圖。如圖7C所示，該 像素及共用電極12及23之開口圖型係交替配置，將該像素 電極1 2分割成數個區域。 於前述本發明第六較佳具體實例的結構下，下層及上層 偏光膜1 4及2 4係配置成其偏光取向個別與該像素電極丨2之 第一及第二短邊成45。及135。（或相反）。圖8 A係顯示本 發明第七個較佳具體實例之像素電極1 2之開口圖型之示意 圖。如圖8 A所示，該像素電極丨2之開口圖型係包括形成於 該像素電極12之上層區中之上層開口 W0，及形成於該像素 ------^-----^--------^---------^^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -19-

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 五、發明說明（17 ) 電極1 2之下層區中之下層開口 17〇。該上層開口 16〇係爲Τ-形。即，茲上層開口 16〇係具有基座161(“τ，，之頂部），與該 像素電極12ι上層及下層區之接合處有一預定距離，該基 座161係自該第一長邊鄰近處向該像素電極a之第二長邊延 伸。該上層開口 160亦具有一突出物162,基本上自基座161 中心於向著該像素電極丨2之第一短邊的取向上延伸，將該 像素電極12之上層區等分爲左及右副區。該下層開口 ι7〇係 與上層開口 160之基座161平行，於預定距離下自該第一長 邊延伸穿越該像素電極1 2，達到該像素電極1 2之第二長邊 ，使得该下層開口 1 7將該像素電極1 2平分成上層及下層副 區。圖8B係顯示本發明第七個較佳具體實例之共用電極23 的開口圖型示意圖。如圖8 B所示，該共用電極2 3之開口圖 型係包括兩個上層開口 310及320，中間開口 330，及下層開 口 340。該兩上層開口 310及320係於該共用電極23之上層區 中彼此相隔一預足距離，彼此平行，並平行於該共用電極 23之第一及第二長邊。該中間及下層開口 330及340係於該 共用電極23之下層區中彼此相隔一預定距離，彼此平行， 且平行於該共用電極2 3之第一及第二短邊。中間及下層開 口 330及〇40之兩末端部分放大成約略爲三角形，該中間及 下層開口邵分330及340之三角形末端郅分越經該共用電極 23之第一及第二長邊。 圖8 C係顯示個別以重疊狀態出示於圖8 A及8 B中之像素 及共用電極1 2及2 3的開口圖型示意圖。如圖8 c所示，該 像素及共用電極1 2及2 3之開口圖型將該像素電極1 2分割成 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）· ---；---‘-----裝--------訂----^----- (請先閲讀背面之注意事頊再填寫本頁) 525031 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（18 數個區域。即，該共用電極23之上層開口部分31〇及320最 遠離共用電極23之第一短邊的末端與該像素電極12之丁 _形 開口 160之基座161重疊。是故，該共用電極23之上層開口 j 10及320、及该像素電極1 2之T -形開口 1的之突出物$ 62分 割該像素電極1 2由該T_形開口 16〇之基座16ι、該像素電極 12之第一及第二長邊、及該像素電極12之第一短邊所界定 之區域，成爲四個副區。該共用電極2 3之中間及下層開口 330及340、該像素電極12之下層開口 17〇將該像素電極12 由Τ -形開口 160之基座161、像素電極12之第一及第二長邊 、及该像素電極1 2之第二短邊所界定之區域分割成四個副 區。 於前述本發明第七較佳具體實例之結構下，下層及上層 偏光膜14及24係配置成使其偏光取向與第六較佳具體實例 相同。是故，液晶分子3 0相對於偏光膜丨4樂2 4之偏光取向 的取向變成4 5。，減少組織之產生，而促進圖像品質。該 像素及共用電極12及23之開口部分大體上係位於兩個彼此 垂直之取向。此外’因爲該像素及共用電極12及23之開口 邵分係交替排列’故一像素區中之邊緣電場係於所有取向 中施加。圖9 A顯示本發明第八較佳具體實例之像素電極12 之開口圖型之示意圖。如圖9 A所示，該像素電極1 2之開口 圖型係爲單一線性開口 18〇，平行於該像素電極〗2之第一及 第二短邊。若該像素電極1 2係分成三個等長區域，即，第 一至第三個’則第一區之一邊係爲第一短邊，第三區之一 邊係爲第二短邊，而第二區係形成於該第一及第三區之間 ： 、-----裝--------訂—------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -21- 525031 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（19 ，孫線性開π 180係位於該第二及第三區域接合之處。 圖9Β係顯示本發明第八較佳具體實例之共用電極”之開 口圖型的7F意圖。如圖9Β所示，該共用電極23之開口圖型 係包括一上層開口 350，形成於該共用電極23之上層部分中 ，而下層開口 360係形成於該共用電極之下層區中。該上層 開口 350係包括基座351、中繼線352及兩支線353及354。上 層開口 350之基座351係約略形成爲三角形，而延伸越過該 共用電極23之第一短邊。該中繼線352係自該基座351之頂 點向著該共用電極23之第二短邊的取向延伸。支線353及 354係自中繼線352之遠端向該共用電極23之第一及第二長 邊延伸，各支線353及354相對於中繼線352形成一鈍角。下 層開口 360係於平行於該共用電極23之第一及第二短邊之取 向上線性延伸。下層開口36〇之兩末端係粗略放大爲三角形 ’延伸於該共用電極23之第一及第二長邊上。 圖9C係顯示個別以重疊狀態出示於圖9Α&9Β<像素及 共用私極12及32之示意圖。如圖9C所示，該共用電極23 之上層開口 350之支線353及354係將像素電極12粗略分爲上 層及下層區域。共用電極23之上層開口 35〇之中繼線352將 像素％極1 2平分爲兩副區，一副區之一邊係爲該像素電極u t第二長邊，而另一副區之一邊係爲該像素電極12之第一長 邊。該共用電極23之下層開口 360及該像素電極12之線性 開口 180將該像素電極12三等分爲上層、中間及下層副區。 前述本發明第八較佳具體實例的結構下，下層及上層偏 光膜14及24係配置成其偏光取向與第六較佳具體實例相同 11«_---.-----0-裝--------訂---------.Φ (請先閱讀背面之注意事項再漆寫本頁) -22- 525〇31

五、發明說明（2〇 ) 。此結構下，可得到與第七較佳具體實例相同之效果。 圖1 0A係顯示本發明第九較佳具體實例之像素電極12的 開口圖型示意圖。如圖1 〇 A所示，該像素電極1 2係由四個 橢圓形部分形成，於縱向依序互連。 圖1 0B係顯示本發明第九較佳具體實例之共用電極23的 開口圖型示意圖。如圖10B所示，該共用電極23之開口圖 型包括四個菱形開口 370、及環繞該菱形開口 3 7 〇之左方及 右方開口 380及390。該菱形開口 370係配置於該共用電極23 之縱向中心，彼此間隔預定距離。面向該菱形開口 37〇之左 方及右方開口 380及390之内側基本上形成擺線，而形成四 個郅分橢圓形，每個橢圓形皆環繞該菱形開口 370中之一。 圖1 〇 C係顯示個別以重疊狀態出示於圖1 〇 a及！ 〇B之像 素電極12及共用電極23之示意圖。如圖i〇c所示，該共用 電極2 3之每個菱形開口 3 70皆放置於該像素電極1 2之對應 於橢圓形部分的中心。而且，該共用電極2 3之左方及右方 開口 380及390係於預定距離下環繞該像素電極12。 於前述本發明第九較佳具體實例的結構下，該下層及上 層偏光膜14及24係配置成使其偏光取向與第三較佳具體實 例相同。第三至第九較佳具體實例之像素及共用電極12及 2 3的開口圖型係於最大程度地滿足以下條件下設計，該條 件係針對於用以得到液晶分子3 〇之分配取向之開口圖型類 型0 首先，爲了得到最大視角，較佳係於一像素區内存有四 個分配區，以定向該液晶分子3 0。 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 03 5 2 5 五 經濟部智慧財產局員工消費合，作社印製 A7 B7 、發明說明（21 ) 其次，欲得到穩定之分配取向，分配區外應不產生轉化 線或組織。當液晶分子長軸係於限定區中定向於各個取向 時’產生轉化線，尤其是該長軸彼此傾斜時。因此，較佳 係該像素及共用電極丨2及2 3之開口圖型係交替地配置，而 該開口圖型之末端部分係彼此相鄰。即，當由上方觀看時 ’該像素及共用電極12及23之開口圖型較佳結構係爲閉合 多邊形。此外，因爲該轉化線易發生於該開口圖型具有銳 角時’故邊開口圖型以僅包括純角爲佳。液晶分子之穩定 分配取勺亦促進亮度。該液晶分子30取向分散之區域上， 於Wf開悲下產生漏光，而於連通態下產生黑暗部分。而且 ，液晶分子取向之分散導致液晶分子於重排時產生殘像。 弟二’爲得到南明亮度，應滿足以下條件。液晶分子3 〇 於相鄰分配區上由兩定向子所得之角度以約9 0。爲佳。該 定向子之角度係依此方式建立，轉化線僅發生於最狹幅區 域中。當該偏光膜之透光軸與液晶分子之定向子之間的角 度係爲4 5 °時，亮度最高。較佳係使該像素及共用電極12 及2 3之開口圖型的扭轉或彎曲儘可能減至最少。 最後，爲了得到液晶分子3 0之迅速響應速度，較佳仍係 使得該像素及共用電極1 2及2 3之開口圖型不致扭轉或彎曲 太多。即，該像素及共用電極1 2及2 3之開口圖型以彼此線 性面對爲佳。現在描述該開口圖型之開口寬度及該開口間 之間隔對於透光度及響應速度之影響。 爲了評估該種關係，製造並測試九個面板，各具有不同 之開口圖型。圖11係顯示九個不同開口圖型A-J之示意圖 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） 丨丨U丨丨#裝--------訂---------# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 525031 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ______B7 五、發明說明（22 ) ’用以說明開口圖型寬度及間隔對於響應速度及亮度之影 響。圖中，該共用電極之開口圖型係以對角線表示，而該 像素電極之開口圖型係由實線表示。 如圖11所示，B、C及D開口圖型相同，而e、f及G開口 圖型相同。然而，此等開口圖型之開口寬度及間隔相異。 琢I及J開口圖型所使用之開口數目相異，有效地具有不同 開口間隔。該A開口圖型係具有與B、C及D開口圖型相同 之形狀，不同處係A開口圖型形成中心區域。結果，a開口 圖型之叫口間隔異於B、C及D開.口圖型。备開口圖型之開 口寬度及開口間隔係列示於0¾¾¾應用A至J開 口圖型之試驗構件的透光度，圖1 2 B係爲應用B開口圖型之 試驗構件的透光度對照於應用A至J開口圖型之試驗構件的 透光度之圖。如圖所示，應用G開口圖型之試驗構件的透 光度係最高，超過1 3百分比。該試驗構件之透光度係根據 所使用之開口圖型由最高排至最低，以下排列結果：G、e 、1、B、D、A、C、F及j。圖i 3係爲以應用a至了開口圖 型之試驗構件的灰階之函數表示的響應時間圖。雖然實際 應用時僅使用六十九（6 9 )個灰階，但實驗係使用一百一十 個（110)灰階進行。如圖所示，應用B、c、D及J開口圖型 1試驗構件的響應時間於整體灰階範圍内係相對快速。就 應用其他開口圖型之試驗構件而言，該響應時間係相對緩 'k。應用A及I開口圖型之試驗構件中，該緩慢響應時間係 因組織移動所致，應用E、F及G開口圖型之試驗構件中， 该緩慢響應時間可歸因於液晶分子之二階移動。 -25- 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) VI n n emmt If l n 訂-------- .Φ 525031

固U所不〈八至；開口圖型係應 面板。針對各個開口圖型於^_貫際面板，並測試該 果列示於表2… 於，讀四個面板上進行測試。結 =用5際面板進彳·^之實驗結果輿使 相同。然而，有如下差異 …，.“結果 際面板具有高於應用相同開口圖 見 :^使用應用；開口圖型之實際面板得到優於使用試驗 产# =果。評言之’應射開口圖型之試驗構件的亮 :係馬應用B開口圖型之構件的75百分比，而當” 應用於實際面板時，此增至9〇百分比。 使用實際面板時，在應用c、mj開口圖型下產生白色殘 影。應用C開口圖型時，白色殘影生成程度係高至使圖像 品質党損超出可校正之程度。然而，應用開口圖型時 ，白色j影之生成係低至可在部分改善下使用該面板。 基於前述結果，開口圖型係視改善範疇而選擇。若期望 改善亮度並使白色殘像最少化，則較佳係使用B、D、£及工 開口圖型。然而’若期望於保持該亮度於正常程度下改善 藏響應速度，則以B、D及J開口圖型爲佳。最後，若需單 獨改善響應速度（不考慮亮度），則D及J開口圖型爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了進一步檢測該響應速度與該開口圖型之開口寬度間 之關係’現在描述應用具有相同形狀但相異開口寬度之B 、C、及D開口圖型之面板的光學特性差異。 圖1 4係爲以應用b、c及D開口圖型之實際面板的灰階函 數説明響應時間之圖。如圖所示，應用該開口圖型之面板 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 525031 Α7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（24 ) 的響應時間在使用4 0個灰階時具有以下關係（以開口圖蜇之 類型計）：D < B < C。因此，顯然該開口圖型之寬度愈大 ’，該響應時間愈快。 約略介於4 0及4 5個灰階之間，應用C開口圖型之面板的 響應時間較應用B開口圖型之面板者短，於4 5個灰階之後 ，應用C開口圖型之面板的響應時間係較應用D開口圖型之 面板者短。然而，應用C開口圖型之面板的響應時間變化 實際上未發生，但因生成白色殘像而出現改變。即，該響 應波型同白色殘像而扭曲，故該響應時間似乎較實際的镇 。是故，原先所得之結論爲該開口圖型之寬度愈大，該響 應速度愈快保持有效。 使用6 0個灰階或更多，該響應速度因產生組織而大幅減 慢。結果，應用具有最大寬度之D開口圖型之面板係具有 最穩定之特性。圖1 5 A至1 5 C個別係爲C、B及D開口圖型 於白色灰階下之相片。如相片所示，具有較差組織穩定性 之C開口圖型係顯示最低亮度，而b及d開口圖型係具有類 似高亮度。該D開口圖型係因其明顯寬度而具有低開口比 例，但顯示良好組織穩定性，使得應用此種開口圖型之面 板具有高亮度。組織穩定性係由邊緣電場之強度及該開口 圖型之寬度決定。 介於C、B及D開口圖型中之相鄰分配區内之邊界區係差 示地形成。即，於C開口圖型之大部分邊界區中存有兩個 清楚可辨之組織，於B開π圖型下，該邊界區仍可辨識， 但典去如C開口圖型般地明顯。另一方面，該D開口圖型之 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） ； · 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 525031 A7 B7 五、發明說明（25 ) 邊界區未明顯地形成，且於許多部分中皆微弱。 圖1 6 A及1 6 B係爲應用於試驗構件之c及D開口圖刑，其 中出示分配區視施加電壓位準而定之變化。 於C開π圖型中’當施加電壓達3.5伏特時，存有兩個清 楚凸辨之組織，而施加電壓愈高則愈清楚。然而，D門口 圖型中，邊界區僅於施加電壓達5伏特時較爲清楚可辨。該 可辨邊界區係爲液晶分子之不均勻取向的結果。爲了更清 楚地描述此種現象，説明後開口圖型之寬度的函數表示之 邊緣電場強度。 圖1 7 A及1 7B係爲用以説明邊緣電場依開口圖型寬度變 化而定之強度變化的示意圖。 當該開口圖型之寬度變大時，該邊緣電場實驗之水平分 量對應地增加。該邊緣電場之水平分量係於決定液晶分子 定向取向上扮演重要角色。因此，具有大寬度之開口圖型 以形成分配區爲佳。相對地，該開口圖型之寬度愈大，作 用於該開口圖型之中心的電場垂直分量強度愈弱。 圖1 8 A至1 8 D係爲説明位於開口圖型之邊緣部分上的液 晶分子之定向狀態的示意圖。當該開口圖型之寬度相對小 時，液晶分子係水平定向至某一程度，即使於該開口圖型 之中心處亦然。即，當施加電壓低時，其稍有傾斜，但當 施加電壓高時，完全定向於水平取向。此因電場之垂直分 量強，即使於該開口圖型之中心區上亦然。結果，發光漏 光，而介於分配區之間的邊界區係由兩分隔線形成。此外 ，當液晶分子之定向取向改變180 °時，因該開口圖型之寬 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂---------_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（26 ) 度較小，而使得彈性變大。相對地，當該邊緣電場之水平 分量弱時，該邊緣電場未強至足以克服該彈性，而使得位 於該邊界區上之液晶分子定向取向於該分配區之間變得不 均勾。該種液晶分子之不均勻定向甚至發生於該像素之微 型區域中。 當該開口圖型之寬度相對大時，該液晶分子之長軸係垂 直於位在讀開口圖型中心區上之電極。當施加電壓增加時 ，該液晶分子稍微傾斜，但當該開口圖型具有小値寬度時 ，傾斜辞度較小。因此，僅發生最少量之漏光，而介於分 配區間之邊界區以暗線成形。 如前文所述，該開口圖型之寬度愈大，該響應速度愈快 ，如前文所述，開口圖型之寬度愈大，像素之微型區域愈 均勻。當該開口圖型之寬度大時，雖該開口比例低，但該 液晶分子之取向均勻，以得到令人滿意之亮度。視前述實 驗結果而定，該開口圖型之開口寬度較佳係介於1 3 土 3微 米之範圍内，而該構件間隙係介於約4 - 6微米範圍内。 現在描述開口間隔對於該開口圖型之光學特性的影響。 該I及J開口圖型具有相同總寬度，但大幅相異之間隔。視 该試驗構件之實驗結果而定，該I及j開口圖型之光學特性 明顯相異。然而，當實際面板應用此等開口圖型時，形成 之ί及J開口圖型之光學特性未改變至如此程度。發現此係 使用校準層類型差異之因素的結果，而與使用之保護性絕 緣層、施加電壓之波型差異等無關。然而，當移動圖像之 速度於實際面板中比較時，j開口圖型較I開口圖型快速。 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---*|—--^ I I I I - — — ml— ^ ·1111111 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 525031 A7 __ B7 五、發明說明（27 ) 可藉由觀察暗色矩型於灰色背景上之移動而輕易地説明。 該響應速度差異僅發生於灰階變化。 就該開口圖型之開口寬度而言，當該開口圖型之開口部 分變小時，該開口比例大幅縮小，但亮度未有太多改變。 此因組織所致。即，當該開口部分間之距離增加時，組織 之控制變得困難，而該控制係於開口間隔小時輕易地進行 。因此，當介於該開口部分間之距離小時，該開口比例降 低，但組織之控制簡易，以補償亮度。不同處係使用其中 該開口部分間之距離大之I開口圖型時，因易於進行組織控 制，故得到高亮度結果。簡言之，該開口部分間之較小距 離於各種灰階下改善響應速度。即使該亮度因開口比例降 低而易受損，但仍可藉著控制組織而進行某些程度之補償。 組織及響應速度間存有直接關連。移動之組織減低響應 速度。施加高電壓時，大部分開口圖型中之響應速度皆降 低。此因生成組織。因此，若組織可適當地控制，則可改 善圖像品質及響應速度。現在描述抑制組織生成之技術。 圖19及20係顯示個別發生於B及J開口圖型中之組織的部 分示意圖。圖19中所示之開口圖型幾乎與圖4C所示相同。 然而，於圖1 9之開口圖型中，該像素電極1 2之第二及第三 開口 122及123係自該像素電極12之第一長邊開始，而向著 該像素電極12之第二長邊延伸，幾乎到達彼處，而於圖4C 之開口圖型中，第二及第三開口 122及123係結構成相對之 形式。此外，該像素電極1 2第二長邊與圖1 9之開口圖型之 第二及第三開口 122及123之末端相鄰之部分係向外突出， -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} ▼•楚 訂---------^9. · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 A7 ___ B7 五、發明說明（28 ) 以防止該像素電極1 2之分配區的互連因開口部分122及123 而受損。 發生組織之部分主要係對應於該共用電極23之開口部分 末％與该像素電極1 2之開口部分末端接合的區域。當該上 層及下層基板適當地配置時，組織之發生率低，而當該基 板不當地配置時，發生半月形組織，而不生成白色殘影。 爲了抑制該組織發生，可放大該共用電極2 3之開口部分的 末端寬度。經由此種放大，可增加配置時之容許誤差範圍 。圖20所示之開口圖型與圖8C所示者相同，但自第一長邊 延伸至該第二長邊而越經該像素電極的開口數目相異。此 外，該像素電極1 2之開口係開始於該像素電極丨2之第一長 邊，並延伸向該像素電極1 2之第二長邊，但未到達。該像 素電極1 2與此等開口之末端相鄰的部分係向外突出。 組織之發生係集中於區域“a，，，對應於共用電極23之開 口末端，自第一長邊延伸至該共用電極23之第二長邊。此 外’組織亦發生於該像素電極1 2之第二短邊，或區域‘‘ b，， ，其係向外變形以與源極連接，及區域“ c，，，位於該像素電 極1 2之開口末端。 孩組織可依以下方式進行抑制。若爲區域a，則共用電極 2 3之開口末端寬度增加。若爲區域b，則共用電極2 3之開 口的結構係與部分區域b重疊。如此，需控制該開口部分之 寬度及間隔。該間隔縮小時，該開口比例降低，而響應速 度增高。若爲區域c，則自該第一短邊延伸之像素電極i 2 之開口末端係具有尖銳邊緣。 -31- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---;---;-----裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 525031 A7 _____Β7_ 五、發明說明（29 ) 圖2 1 Α至2 1 C係説明應用前述組織改善技術之開口圖型。 前文描述中，揭示一種於像素及共用電極12及23上皆形 成開口圖型之結構。然而，亦可形成該開口圖型，及該突 出物，僅位於該像素電極1 2上。此情況下，該突出物係使 用閘極絕緣層或保護層形成。形成該突出物時，應謹愼地 避免於電線之間形成寄生電容。該開口及突出物可如圖21 般地配置。 或該開口圖型可僅形成於該像素電極12中，而於該共用 電極2 3中形成該突出物。此情況下，該開口及突出物亦可 如圖2 1所説明般地配置。 如前文所述，本發明液晶顯示器得到寬幅視角，具有穩 定之液晶分子取向及迅速之響應速度。 雖已針對較佳具體實例詳述本發明，但熟習此技藝者已 知可在不偏離申請專利範圍所列示之精神及範圍的情況下 ，進行各種修飾及置換。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝

«ϋ n n n^« n n I —i n tmt I Φ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 525031 A7 B7 五、發明說明（30 )表1 開口寬度（微米） 開口間隔（微米） A 10 33.5 B 10 22.5 C 7 25.5 D 13 19.6 E 24 F 21 G · 27 I 10 狹幅間隔：29 寬幅間隔：32 J 10 狹幅間隔：10 寬幅間隔：16 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝

n - I VH 一 0、I i an n· 11 ai·— I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 525031

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 «-Η HH w σ ο Cd > PTN 4.76 5.51 5.58 4.79 i- 5.58 5.52 4.88 4.96 4.88 5.23 5.44 5.50 T(%) 15.0 20.8 20,8 I- 23.67 22.2 24.36 18.8 18.79 18.16 19.14 21.53 Ton(ms) 20.8 21.6 19.2 21.63 20.0 21.69 1 21.2 1 21.6 20.42 20.28 20.18 20.38 Toff(ms) 35.8 * 42.4 40.0 45.2 42.2 46.05 40.0 40.4 39.21 38.44 39.32 41.73 T總量(ms) 〇£XU Si X X 極弱 極弱 X 極弱 極弱 白色殘像 3.96 4.49 4.77 4.99 4.34 5.34 4.79 4.75 4.19 , 4.07 4.56 4.79 4.27 Η—^ to T(%) Ό 12.6 10.4 70.79 44.11 13.36 12.8 ； 8.98 ON 12.64 12.36 14.69 18.56 Ton(ms) 15.4 12.4 15.4 LO o 14.89 14.28 13.47 1 00 LO ί 15.48 13.99 Toff(ms) 25.0 20.0 00 23.4 85.68 58.39 26.83 27.6 23.28 1 24.4 28.12 26.86 29.84 32.55 T總量（ms) X 極弱 X X X X X X 白色殘像 >2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂---- 0 \J/ 21

Claims (1)

1. 525031 I

   、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 . 一種液晶顯示器，包括： 一第一=緣基板，具有頂面及底面； 二像，，形成於該第一絕緣基板之頂面上，該像 素電極具有位在各像素區上之第一開口圖型，該像素電 極具有位於各像素區中而實質爲矩型之第一開口圖型， 具有（a)第一及第二長邊，（b)第一及第二短邊，（C)對 應於該像素電極之約半部的上層區，由該第一及第二長 邊及涿第一短邊所界定，及（(1)對應於該像素電極之約 略半部的下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 界定； 一第二絕緣基板，具有頂面及底面，該第二絕緣基板 係配置成與該第一絕緣基板平行，相距預定距離，使得 该第一絕緣基板之底面面向該第一絕緣基板之頂面； 一共用電極，形成於該第二絕緣基板之底面上，該共 用電極係具有位於各像素區之第二開口圖型，該共用電 極具有位在各像素區中而實質爲矩型之第二開口圖型， 具有（a)第一及第二長邊，（b)第一及第二短邊，（〇)對 應於該共用電極之約半部的上層區，由該第一及第二長 邊及該第一短邊所界定，及（d)對應於該像素電極之约 略半部的下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 界定；及 一液晶層，夾置於該第一及第二基板之間，而與該像 素及共用電極接觸， • 其中該第一及第二開口圖型各具有中間線性部分，該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -n n ϋ 一-OJ· n n n n n n I %· 525031

   申請專利範圍 2· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6. 線性部分係交替配置成彼此平行。 利氣圍第1項之液晶顯示器’其中該第-開口 上二二括開口，於第一取向上形成於像素電極的 二/曰,及第二開口，於與該第—取向垂直之第二取 w上形成於該像素電極之下層區中，該第二開口圖型： 包括第-中繼線開口，於第-取向上形成於該共用電極 又上層區中，及第二中繼線開口，於第二取向形成於該 共用電極之上層區中。 如申請專利範圍第2項之液晶顯示器，其中該第一取向 係與藏像素電極之長邊或短邊傾斜。 如申請專利範圍第3項之液晶顯示器，其中該第二開口 圖型係另外包括第一支線開口，與該像素電極之第一及 第一短邊重疊，及第二支線開口，與該像素電極之第一 及第二長邊重疊，而該第一開口圖型另外包栝第三開口 形成於居像素電極之上層及下層區接合處，而與該像 素電極之第一及第二短邊平行，該第一及第二開口圖槊 係將★亥像素電極分成多個微型區域，各爲密閉多邊形。 如申請專利範圍第4項之液晶顯示器，其中該第二支線 開口各具有大於該中繼線開口部分寬度之寬度。 如申請專利範圍第2項之液晶顯示器，其中該第一取向 係平行於該像素電極之長邊及短邊中之—。 如申請專利範圍第6項之液晶顯示器，其中該第一及第 二中繼線開口各具有相反末端，各末端皆具有漸寬之寬 度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ^1 1 ϋ n n 一/^« MM I MM ΜΜ ΜΗΜ MU MM 垂 ‘紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 〇ϋ3ι ____· Β8 ___ C8 ---- D8 申請專利範圍 $申凊專利範圍第6項之液晶顯示器，其中該第二中繼 9. 1 0. L開口部分中之一係與該像素電極之第二短邊重疊。 ------*-----儀裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 1I凊專利範圍第6項之液晶顯示器，其中該第—開口 、v㈧、具有相反末端，各末端皆具有漸縮之寬度。 、π專利範圍第2項之液晶顯示器，其另外包括—第 〜偏光膜，形成於該第一基板之底面上，及一第二偏光 ，’形成於該第二基板之頂面上，該第一及第二偏光膜 目對於該第一及第二取向係個別偏極化4 5。。 如申請專利範圍第2項之液晶顯示器，其中該像素電極 2具有突出物，位於與該第一及第二開口末端相鄰之部 分上。 12. 13. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中該第一及第 二開口圖型之開口寬度係介於10-1 6微米範圍内。 一種液晶顯示器，包括·· 一第一絕緣基板，具有頂面及底面； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一像素電極，形成於該第一絕緣基板之頂面上，該像 素電極具有位在各像素區上之第一開口圖型，該像素電 極具有位於各像素區中而實質爲矩型之第一開口圖型， 具有（a)第一及第二長邊，（b)第一及第二短邊，（〇)對 應於该像素電極之約半部的上層區，由該第一及第二長 邊及該第一短邊所界定，及（d)對應於該像素電極之約 略半部的下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 界定； 一第二絕緣基板，具有頂面及底面，該第二絕緣基板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 525031 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 _ D8 ' ------- -----六、申請專利範圍 係配置成與該第一絕緣基板平行，相距預定距離，使得 該第二絕緣基板之底面面向該第_絕緣基板之頂面； 一共用電極，形成於該第二絕緣基板之底面上，該共 用電極係具有位於各像素區之第二開口圖型，該共用電 極具有位在各像素區中而實質爲矩型之第二開口圖犁， 具有（a)第一及第二長邊，（b)第一及第二短邊，（c)對 應於該共用電極之約半部的上層區，由該第一及第二長 邊及該第一短邊所界定，及（d)對應於該像素電極之約 略半部的下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 界定；及 一液晶層，夾置於該第一及第二基板之間，而與該像 素及共用電極接觸， 其中該第一及第二開口圖型係彼此重疊，以將該像素 電極分成多個微型區域，每個微型區域皆爲多邊形，兩 最長邊係彼此平行。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之液晶顯示器，其中該像素電極 之微型區域係分類成第一類，最長邊係配置於第—取向 ，及第二類’最長邊係配置於與該第一取向垂直之第二 取向。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之液晶顯示器，其中該第—取向 係與该像素電極之長邊或短邊傾斜。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項之液晶顯示器，其中該第一取向 係平行於該像素電極之長邊及短邊中之一。 1 7 ··如申請專利範圍第1 3項之液晶顯示器，其中該第一及第 ___ -38- 本紙張尺度週用中國國家標準（CNS)A4規格⑽χ撕公髮） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 * Τ n n n Ml 1 ^ f t in n I n n n n I %· 525031

   六、申請專利範圍 二開口圖型之開口寬度係介於1 0 - 1 6微米範圍内。 1 8 . —種液晶顯示器，包括： 一第一絕緣表板，具有頂面及底面； 一像素電極，形成於該第一絕緣基板之頂面上，該像 素電極具有位在各像素區上之第一開口圖型，該像素電 極具有位於各像素區中而實質爲矩型之第一開口圖型， 具有（a)弟一及第二長邊’（b)第一及第二短邊，（0對 應於該像素電極之約半部的上層區，由該第一及第二長 邊及該第一短邊所界定，及（d)對應於該像素電極之約 略半部的下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 界定； 一第二絕緣基板，具有頂面及底面，該第二絕緣基板 係配置成與該第一絕緣基板平行，相距預定距離，使得 該第二絕緣基板之底面面向該第一絕緣基板之頂面； 一共用電極，形成於該第二絕緣基板之底面上，該共 用電極係具有位於各像素區之第二開口圖型，該共用電 極具有位在各像素區中而實質爲矩型之第二開口圖型， 具有U)第一及第二長邊，（b)第一及第二短邊，（〇對 應於該共用電極之約半部的上層區，由該第一及第二長 邊及該第一短邊所界定，及（d)對應於該像素電極之約 略半部的下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 界定；及 一液晶層，夾置於該第一及第二基板之間，而與該像 .素及共用電極接觸， 本紙張尺度顧巾關家標準（CJNS)A4規格（210 x 297公爱 1---ϊ i —-----.— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4^1· .%· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中當施加電壓於該像素及共用電極之間時，該第一 及第二開口圖.型係生成邊緣電場，液晶分子因邊緣電場 所致之定向取向係對應於液晶分子因分子力所致之定向 取向。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之液晶顯示器，其中該液晶分子 因邊緣電場所致之取向係發生於四個取向。 2 0 .如申請專利範圍第1 8項之液晶顯示器，其中該第一及第 二開口圖型之開口寬度係介於1 0 -1 6微米範圍内。 2 1 . —種液晶顯示器，包括： 一第一絕緣基板，具有頂面及底面； 一像素電極，形成於該第一絕緣基板之頂面上，該像 素電極具有位在各像素區上之第一開口圖型，該像素電 極具有位於各像素區中而實質爲矩型之第一開口圖型， 具有（a)第一及第二長邊，（b)第一及第二短邊，（c)對 應於該像素電極之約半部的上層區’由該第一及第二長 邊及該第一短邊所界定，及（d)對應於該像素電極之約 略半部的下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 界定 » 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一第二絕緣基板，具有頂面及底面，該第二絕緣基板 係配置成與該第一絕緣基板平行，相距預定距離，使得 該第二絕緣基板之底面面向該第一絕緣基板之頂面； 一共用電極，形成於該第二絕緣基板之底面上，該共 用電極係具有位於各像素區之第二開口圖型，該共用電 •極具有位在各像素區中而實質爲矩型之第二開口圖型， -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 525031 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8t、申請專利範圍 具有（a)第一及第二長邊，（b)第一及第二短邊，（c)對 應於該共用電極之約半部的上層區’由該第·一及弟二長 邊及該第一短邊所界定，及（d)對應於該像素電極之約 略f部的下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 界定；及 一液晶層，夾置於該第一及第二基板之間，而與該像 素及共用電極接觸， 其中該第一開口圖型係包括第一開口，自該第一長邊 往該第二長邊之取向延伸，第一及第三開口係於預定斜 度下自該第二長邊往第一長邊延伸，該第二及第三開口 係相對於該第一開口成對稱，其中該第二開口圖型係包 括第四至第六開口，該第四開口係包括一中繼線，於水 平取向延伸至該第一及第二短邊，第一及第二支線係自 該中繼線向該第一長邊稍往上及往下分支，該第一及第 二副支線個別自彼此相對之第一及第二支線於平行於該 第一及第二長邊之取向上延伸，該第五開口郅分係包括 一平行於該第一支線之主體，該第一及第二插腳係自該 主體之頂端及底端個別於平行及垂直於該第一及第二短 邊之取向上延伸，該第六開口部分相對於該第四開口部 分與該第五開口部分對稱， 其中當由上方觀測時，該第一及第二開口部分係交替 地配置。 2 2.如申請專利範圍第21項之液晶顯示器，其中該第一及第 •二副支線、及該第二插腳係具有大於該第二開口圖型之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂： ·% -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 525031 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其他部分寬度的寬度。 2 3 ·如申請專利範圍第2 1或2 2項之液晶顯示器，其另外包 括第一偏光膜，形成於該第一基板之底面上，及第二偏 光膜’形成於該第二基板之頂面上，該第一及第二偏光 膜係於水平及垂直取向上或於垂直及水平取向上偏光。 24·如申請專利範圍第21或22項之液晶顯示器，其中該第 一至第六開口之寬度係介於1 〇 -1 6微米之範圍内。 2 5 · —種液晶顯示器，包括： 一第一絕緣基板，具有頂面及底面； 一像素電極，形成於該第一絕緣基板之頂面上，該像 素電極具有位在各像素區上之第一開口圖型，該像素電 極具有位於各像素區中而實質爲矩型之第一開口圖型， 具有（a)第一及第二長邊，（b)第一及第二短邊，（幻對 應於該像素電極之約半部的上層區，由該第一及第二長 邊及該第一短邊所界定，及（0對應於該像素電極之約 略半部的下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 界定； 一第二絕緣基板，具有頂面及底面，該第二絕緣基板 係配置成與該第一絕緣基板平行，相距預定距離，使得 該第二絕緣基板之底面面向該第一絕緣基板之頂面； 一共用電極，形成於該第二絕緣基板之底面上，該共 用電極係具有位於各像素區之第二開口圖型，該共用電 極具有位在各像素區中而實質爲矩型之第二開口圖型， •具有（a)第一及第二長邊，（b)第一及第二短邊，（c)對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 297公釐） 525031 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <、申請專利範圍 應於該共用電極之約半部的上層區，由該第一及第二長 邊及該第一短邊所界定，及（d)對應於該像素電極之約 略半部的下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 界定；及 一液晶層，夾置於該第一及第二基板之間，而與該像 素及共用電極接觸， 其中該第一開口圖型係包括第一開口，該第一開口係 包括第一傾斜線，自該第一長邊向該第二長邊延伸，及 第二頌斜線，自該第一傾斜線向該第一長邊延伸， 其中該第二開口圖型係包括第二及第三開口，該第二 開口係包括一基座，於與該第一及第二長邊平行之取向 上延伸，及一突出物，自該基座於平行於該第一及第二 短邊之取向上延伸，該第三開口係包括一主體，於平行 於該第一及第二短邊之取向上延伸，及第一及第二插腳 ，於預定傾斜下自該主體之頂端及底端延伸，而相對於 該第二開口彼此對稱； 且其中當自上方觀測時，該第一及第二開口圖型係交 替配置。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項之液晶顯示器，其另外包括第一 偏光膜，形成於該第一基板之底面上，及第二偏光膜， 形成於該第二基板之頂面上，該第一及第二偏光膜係於 水平及垂直取向上或於垂直及水平取向上偏光。 2 7 ·如申請專利範圍第2 5或2 6項之液晶顯示器，其中該第 一至第六開口之寬度係介於i i 6微米之範圍内。 -43- 本紙張尺度週用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 11 n 19— n n It μ··· I mmw I 0 —mm tmmm (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 8 .如申請專利範圍第2 5或2 6項之液晶顯示器，其中該像 素電極之第二頂邊及底邊、及該像素電極接合該基座及 突出物之邊緣係被切除。 2 9 . —種液晶顯示器，包括： 一第一絕緣基板，具有頂面及底面； 一像素電極，形成於該第一絕緣基板之頂面上，該像 素電極具有位在各像素區上之第一開口圖型，該像素電 極具有位於各像素區中而實質爲矩型之第一開口圖型’ 具有（a)第一及第二長邊，（b)第一及第二短邊，（c)對 應於該像素電極之約半部的上層區，由該第一及第二長 邊及該第一短邊所界定，及（d)對應於該像素電極之約 略半部的·下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 界定； 一第二絕緣基板，具有頂面及底面，該第二絕緣基板 係配置成與該第一絕緣基板平行，相距預定距離，使得 該第二絕緣基板之底面面向該第一絕緣基板之頂面； 一共用電極，形成於該第二絕緣基板之底面上，該共 用電極係具有位於各像素區之第二開口圖型，該共用電 極具有位在各像素區中而實質爲矩型之第二開口圖型， 具有（a)第一及第二長邊，（b)第一及第二短邊，（c)對 應於該共用電極之約半部的上層區，由該第一及第二長 邊及該第一短邊所界定，及（d)對應於該像素電極之約 略半部的下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 •界定；及 -44 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂： 525031 A8 B8 C8 ---- —_D8__ 六、申請專利範圍 一液晶層，夾置於該第一及第二基板之間，而與該像 素及共用電接接觸， 其中該第一開口圖型係包括一第一開口，自該第一長 邊凹陷’於與該第一及第二短邊平行之取向延平向該第 二長邊；及一第二開口，自該第二長邊凹陷，與該第一 開口平行地延伸向該第一長邊， 其中該第二開口圖型係包括第三開口，該第三開口係 包括延伸於第一取向之第一傾斜線，第二傾斜線，自該 第一增斜線於與該第一取向相反之第二取向延伸，及第 三傾斜線，平行於該第一傾斜線地自該第二傾斜線延伸， 且其中該第一及第二開口將該像素電極分成三個個別 區域，而該第三開口係將像素電極之各個區域分成兩個 副區。 3 0 .如申請專利範圍第2 9項之液晶顯示器，其另外包括第一 偏光膜，形成於該第一基板之底面上，及第二偏光膜， 形成於該第二基板之頂面上，該第一及第二偏光膜係偏 光 45° 及 135。或 135。及 45° 。 3 1 ·如申請專利範圍第2 9或3 〇項之液晶顯示器，其中該第 一至第三開口之寬度係介於1 〇 -1 6微米之範圍内。 3 2 .如申請專利範圍第2 9或3 0項之液晶顯示器，其中該像 素電極位於該第一及第二開口之入口區的邊緣及該像素 電極之第二及第三轉角係被切除。 3 3 · —種液晶顯示器，包括： 一第一絕緣基板，具有頂面及底面； -45- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I n ϋ If i n —m i n l n · n I (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁；> 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 C8 ~-----1 _ 六、申請專利範® ~ :像素電極，形成於該第一絕緣基板之頂面上，該像 素兒極具有位在各像素區上之第一開口圖型，該像素電 極具有位於各像素區中而實質爲矩型之第一開口圖型， 昊有短邊及長邊； —第二絕緣基板，具有頂面及底面，該第二絕緣基板 係配置成與该第一絕緣基板平行，相距預定距離，使得 藏第二絕緣基板之底面面向該第一絕緣基板之頂面； 一共用電極，形成於該第二絕緣基板之底面上，該共 用電極係具有位於各像素區之第二開口圖型，對應於該 像素電極之各像素區；及 一液晶層’夾置於該第一及第二基板之間，而與該像 素及共用電極接觸， 其中該第一開口圖型係包括多個線性開口，相距預定 距離，配置於與該長邊平行之取向， 其中该弟二開口圖型係包括多個X -型開口，彼此相距 一預定距離，而配置於與該長邊平行之取向， 且其中該第一開口圖型將該像素電極分割成多個區域 ’而該第二開口圖型將該像素電極之各區分割成四個副 區。 3 4 .如申請專利範圍第3 3項之液晶顯示器，其另外包括第一 偏光膜’形成於該第一基板之底面上，及第二偏光膜，· 形成於該第二基板之頂面上，該第一及第二偏光膜係偏 光 45° 及 135° 或 135。及 45。。 3 5 ·如申請專利範圍第3 3或3 4項之液晶顯示器，其中該第 -46- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公ϋ « — — «Mllli-— — — — « I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4^1· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 一至第三開口之寬度係介於1 0 -1 6微米之範圍内。 3 6 . —種液晶顯示器，包括： 一第一絕緣基板，具有頂面及底面； 一像素電極，形成於該第一絕緣基板之頂面上，該像 素電極具有位在各像素區上之第一開口圖型，該像素電 極具有位於各像素區中而實質爲矩型之第一開口圖型， 具有第一及第二長邊、第一及第二短邊、上層區，對應 於像素電極由該第一及第二長邊及該第一短邊所界定之 約略一半，及下層區，對應於像素電極由第一及第二長 邊及第二短邊所界定之約略一半； 一第二絕緣基板，具有頂面及底面，該第二絕緣基板 係配置成與該第一絕緣基板平行，相距預定距離，使得 該第二絕緣基板之底面面向該第一絕緣基板之頂面； 一共用電極，形成於該第二絕緣基板之底面上，該共 用電極係具有位於各像素區之第二開口圖型，對應於該 像素電極之各像素區；及 一液晶層，夾置於該第一及第二基板之間，而與該像 素及共用電極接觸， 其中該第一開口圖型係包括第一開口，於平行於該第 一及第二長邊之取向上延伸，及第二開口，位於該第一 開口部分之下層，延伸於與該第一及第二短邊平行之取 向，該第二開口將該像素電極分割成上層及下層區， 其中該第二開口圖型係包括第三開口，延伸於與該第 一及第二長邊平行之取向，而第四開口係位於該第三開 -47- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） • m in ^9/ l l ef 1 n n n I n n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 525031 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 口下，延伸於與該第一及第二短邊平行之取向， 且其中該第一及第三開口係交替配置，該像素電極之 上層區於與該第一及第二長邊平行之取向上分成多個副 區，該第二及第四開口係交替配置，於平行於第一及第 二短邊之取向上將該像素電極之下層區分割成多個副區 0 37·如申請專利範圍第36項之液晶顯示器，其中最接近於該 第二短邊之第四開口係與該像素電極之第二短邊重疊。 3 8 ·如申請專利範圍第3 6項之液晶顯示器，其中該第四開口 之兩末端具有大體放大之寬度。 3 9 ·如申請專利範圍第3 6項之液晶顯示器 之底端係具有漸縮之寬度。 4〇 ·如申請專利範圍第3 6項之液晶顯示器 偏光膜形成於該第一基板之底面上 形成於該第二基板之頂面上，該第一及第二偏光膜係偏 光 45。及 135。或 135。及 45。。 4 1 .如申請專利範圍第3 6項之液晶顯示器，其中該第一至第 三開口之寬度係介於1 〇 - 1 6微米之範圍内。 —種液晶顯示器，包括： 一第一絕緣基板，具有頂面及底面； 一像素電極，形成於該第一絕緣基板之頂面上，該像 素電極具有位在各像素區上之第一開口圖型，該像素電 極具有位於各像素區中而實質爲矩型之第一開口圖型， 具有（a)第一及第二長邊，（b)第一及第二短邊，（c)對 其中該第一開口 其另外包括第一 及第二偏光膜， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ · n I ϋ n β— «I ϋ=-0, _ -1 n n -.1 n n - 42 48 本紙張尺度適用中國gg它掷泡λ ,二u ____ ¾ 公 X S 2 CN 格 現 4 A 0 IN 5 V 卞 不 Ϊ 一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525031 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 應於該像素電極之約半部的上層區，由該第一及第二長 邊及該第一短邊所界定，及（d)對應於該像素電極之約 略半部的下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 界定； 一第二絕緣基板，具有頂面及底面，該第二絕緣基板 係配置成與該第一絕緣基板平行，相距預定距離，使得 該第二絕緣基板之底面面向該第一絕緣基板之頂面； 一共用電極，形成於該第二絕緣基板之底面上，該共 用電學係具有位於各像素區之第二開口圖型，該共用電 極具有位在各像素區中而實質爲矩型之第二開口圖型’ 具有（a)第一及第二長邊，（b)第一及第二短邊，（c)對 應於該共用電極之約半部的上層區，由該第一及第二長 邊及該第一短邊所界定，及（d)對應於該像素電極之約 略半部的下層區，由該第一及第二長邊及該第二短邊所 界定；及 一液晶層，夾置於該第一及第二基板之間，而與該像 素及共用電極接觸， 其中該第一開口圖型係包括第一線性開口，延伸於與 該第一及第二短邊平行之取向， 其中該第二開口圖型係包括第二開口，.延伸於與該第 一及第二長邊平行之取向，而第三開口遠離該第二開口 ，偏向該第二短邊，延伸於與該第一及第二短邊平行之 取向， 且其中該第二開口將該像素電極之上層區等分爲左方 -49 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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   六、申請專利範圍 及右方副區，而該第一及第三開口係將該像素電核之下 層區分割成多個副區。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 43 .如申請專利範圍第42項之液晶顯示器，其中該第二開口 郅分之頂端、及該第三開口部分之兩端係具有漸大之寬 度。 4 4.如申請專利範圍第42項之液晶顯示器，其中該第三開口 係與該像素電極之第二短邊重疊。 4 5 .如申請專利範圍第4 2項之液晶顯示器，其另外包括第一 偏光膜’形成於該第一基板之底面上，及第二偏光膜， 形成於該第二基板之頂面上，該第一及第二偏光膜係偏 光 45° 及 135。或 135。及 45。。 4 6、如申請專利範圍第4 2項之液晶顯示器，其中該第一至 第三開口之寬度係介於1 0 -1 6微米之範圍内。 4 7 · —種液晶顯示器，包括： 一第一絕緣基板，具有頂面及底面； 一像素電極，形成於該第一絕緣基板之頂面上，各像 素區上之像素電極係由多個於垂直取向上連續互連之多 個橢圓成形； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一第二絕緣基板，具有頂面及底面，該第二絕緣基板 係配置成與該第一絕緣基板平行，相距預定距離，使得 該第二絕緣基板之底面面向該第一絕緣基板之頂面； 一共用電極，形成於該第二絕緣基板之底面上，該共 用電極係具有位於各像素區之開口圖型，對應於該像素 電極之各像素區；及 -50- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公爱） 525031 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 一液晶層，夾置於該第一及第二基板之間，而與該像 素及共用電極接觸， 其中該開口圖型係包括第一菱形開口，於縱向彼此相 隔一預定距離，該第二及第三開口係於外部環繞該第一 菱形開口’ 其中該共用電極由第二及第三開口面向該菱形開口部 分之内側所界定之區域係形成爲橢圓形部分，每個橢圓 形部分皆環繞該菱形開口中之一， 且其中由上方觀測時，該第一菱形開口中之一係位於 該像素電極之各橢圓形部分上，而該第二及第三開口係 環繞該像素電極。 4 8 ·如申請專利範圍第4 7項之液晶顯示器，其另外包括第一 偏光膜，形成於該第一基板之底面上，及第二偏光膜， 形成於該第二基板之頂面上，該第一及第二偏光膜係偏 光於縱向及垂直於該縱向或相反。 4 9 .如申請專利範圍第4 7項之液晶顯示器，其中該第二及第 三開口至該像素電極外側之距離係均勻地介於1 0 -1 6微 米範圍内。 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----1---訂-------- %· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -51 - 本紙張尺度適用不"家標準（CNS)A4規格（ χ 297公楚）