JPH1048634A - 液晶表示セル及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示セル及びその製造方法Info
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- JPH1048634A JPH1048634A JP20043096A JP20043096A JPH1048634A JP H1048634 A JPH1048634 A JP H1048634A JP 20043096 A JP20043096 A JP 20043096A JP 20043096 A JP20043096 A JP 20043096A JP H1048634 A JPH1048634 A JP H1048634A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シャープネス及びコントラストを改善でき、
液晶の駆動電圧を下げることが可能な液晶表示セル及び
その製造方法を得る。 【解決手段】 ＬＣ分子５を封入した液晶表示セルのセ
グメント電極１，コモン電極２上に、希釈濃度の濃度を
下げて膜厚の薄いポリイミド・ベースの垂直配向膜８，
９を形成する。またその際、液晶にカイラル（chiral）
剤を添加する。
液晶の駆動電圧を下げることが可能な液晶表示セル及び
その製造方法を得る。 【解決手段】 ＬＣ分子５を封入した液晶表示セルのセ
グメント電極１，コモン電極２上に、希釈濃度の濃度を
下げて膜厚の薄いポリイミド・ベースの垂直配向膜８，
９を形成する。またその際、液晶にカイラル（chiral）
剤を添加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にコントラスト
などの表示特性を改善した液晶表示セル及びその製造方
法に関するものである。
などの表示特性を改善した液晶表示セル及びその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は一般的なＣＳＨ（Color Super Ho
meotropic ）液晶セルの断面構造を示す図である。同図
において、１はセグメント電極、２はコモン電極、３，
４はそれぞれ電極１，２の内側に形成された配向膜、５
はＬＣ（液晶）分子、６は配向制御のためのスリットで
あり、７は電気力線を表わしている。
meotropic ）液晶セルの断面構造を示す図である。同図
において、１はセグメント電極、２はコモン電極、３，
４はそれぞれ電極１，２の内側に形成された配向膜、５
はＬＣ（液晶）分子、６は配向制御のためのスリットで
あり、７は電気力線を表わしている。
【０００３】上記構造のＣＳＨ液晶セルは初期配向が垂
直配向であり、配向膜３，４はオフセット印刷などによ
り成膜されている。また、配向膜材料はポリイミド樹脂
をベースとしており、上記の成膜法により６０００〜１
００００ｎｍの膜厚に形成されている。
直配向であり、配向膜３，４はオフセット印刷などによ
り成膜されている。また、配向膜材料はポリイミド樹脂
をベースとしており、上記の成膜法により６０００〜１
００００ｎｍの膜厚に形成されている。
【０００４】また、スリット６は配向制御のために設け
られており、このスリット６がないと配向板を通して見
たときにディスクリネーションライン（ドメインどうし
の境界線）が不規則になるが、このスリット６があると
ディスクリネーションラインが規則正しく現れる。
られており、このスリット６がないと配向板を通して見
たときにディスクリネーションライン（ドメインどうし
の境界線）が不規則になるが、このスリット６があると
ディスクリネーションラインが規則正しく現れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の液晶表示セルにあっては、ポリイミド・ベ
ースの垂直配向膜を形成しているが、これはＣ１６〜１
８のアルキル鎖の側鎖を持つことにより垂直配向性を有
するものであり、したがって垂直配向性を上げるために
そのアルキル密度（側鎖密度）を大きくするようにして
いる。
ような従来の液晶表示セルにあっては、ポリイミド・ベ
ースの垂直配向膜を形成しているが、これはＣ１６〜１
８のアルキル鎖の側鎖を持つことにより垂直配向性を有
するものであり、したがって垂直配向性を上げるために
そのアルキル密度（側鎖密度）を大きくするようにして
いる。
【０００６】このため、配向膜界面でのアンカリング
（束縛）が大きくなり、単純マトリクス駆動で重要な液
晶の光学応答のシャープネス（急峻性）が落ちるという
問題点があった。
（束縛）が大きくなり、単純マトリクス駆動で重要な液
晶の光学応答のシャープネス（急峻性）が落ちるという
問題点があった。
【０００７】また、この界面でのアンカリングは配向膜
の膜厚にも依存し、特に上記の６０００〜１００００ｎ
ｍの膜厚はアンカリングが充分大きいところであるの
で、光学応答のシャープネスが悪く、表示コントラスト
が悪くなり、更にしきい値電圧が高く、駆動電圧が高く
なるという問題点があった。
の膜厚にも依存し、特に上記の６０００〜１００００ｎ
ｍの膜厚はアンカリングが充分大きいところであるの
で、光学応答のシャープネスが悪く、表示コントラスト
が悪くなり、更にしきい値電圧が高く、駆動電圧が高く
なるという問題点があった。
【０００８】本発明は、上記のような問題点に着目して
なされたもので、シャープネス及びコントラストが改善
されるとともに、液晶の駆動電圧を下げることが可能な
液晶表示セル及びその製造方法を提供することを目的と
している。
なされたもので、シャープネス及びコントラストが改善
されるとともに、液晶の駆動電圧を下げることが可能な
液晶表示セル及びその製造方法を提供することを目的と
している。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶表示セ
ルは、基板上に電極層を介して配向膜を有した液晶表示
セルにおいて、前記配向膜を膜厚の薄いポリイミド・ベ
ースの垂直配向膜としたものである。
ルは、基板上に電極層を介して配向膜を有した液晶表示
セルにおいて、前記配向膜を膜厚の薄いポリイミド・ベ
ースの垂直配向膜としたものである。
【００１０】また、本発明に係る液晶表示セルの製造方
法は、垂直配向膜を有する液晶表示セルの製造方法にお
いて、希釈濃度を下げて膜厚の薄いポリイミド・ベース
の垂直配向膜を形成するようにしたものであり、更に、
上記ポリイミド・ベースにカイラル剤を添加するように
したものである。
法は、垂直配向膜を有する液晶表示セルの製造方法にお
いて、希釈濃度を下げて膜厚の薄いポリイミド・ベース
の垂直配向膜を形成するようにしたものであり、更に、
上記ポリイミド・ベースにカイラル剤を添加するように
したものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１〜
図５について説明する。図１は本発明に係る液晶セルの
構造を示す断面図であり、図６と同一符号は同一構成要
素を示している。
図５について説明する。図１は本発明に係る液晶セルの
構造を示す断面図であり、図６と同一符号は同一構成要
素を示している。
【００１２】この液晶セルは、不図示の基板上に電極層
を介して配向膜８，９を形成したものであるが、この配
向膜８，９は膜厚の薄いポリイミド・ベースの垂直配向
膜となっている。これは、配向膜材料（ポリイミド樹
脂）の希釈濃度（樹脂分濃度）を下げて薄膜化を図った
ものである。
を介して配向膜８，９を形成したものであるが、この配
向膜８，９は膜厚の薄いポリイミド・ベースの垂直配向
膜となっている。これは、配向膜材料（ポリイミド樹
脂）の希釈濃度（樹脂分濃度）を下げて薄膜化を図った
ものである。
【００１３】図２はポリイミド・ベースの垂直配向膜材
料にＲＮ−７８４（日産化学製）を用いたときの上記希
釈濃度（ｗｔ％）に対する膜厚（オングストローム＝１
０ｎｍ）の変化の様子を示したものである。このときの
成膜条件は次のとおりである。
料にＲＮ−７８４（日産化学製）を用いたときの上記希
釈濃度（ｗｔ％）に対する膜厚（オングストローム＝１
０ｎｍ）の変化の様子を示したものである。このときの
成膜条件は次のとおりである。
【００１４】希釈溶剤：ｎ−プチルセロソルブ 塗布条件：スピンナー塗布 ２０００ｒｐｍ×６０ｓｅ
ｃ プリベーク：９０℃、２ｍｉｎ（ホットプレート） ポストベーク：２００℃、１ｈｒ（クリーンオーブン） 図２に示すように、配向膜の膜厚をその希釈濃度により
制御できることがわかる。
ｃ プリベーク：９０℃、２ｍｉｎ（ホットプレート） ポストベーク：２００℃、１ｈｒ（クリーンオーブン） 図２に示すように、配向膜の膜厚をその希釈濃度により
制御できることがわかる。
【００１５】また、図３に図２の希釈濃度で成膜したと
きの配向膜の表面エネルギー（ｅｒｇ／ｃｍ2 ）の測定
結果を示す。この図から、希釈濃度が低いほど表面エネ
ルギー（γ）が大きくなることがわかる。
きの配向膜の表面エネルギー（ｅｒｇ／ｃｍ2 ）の測定
結果を示す。この図から、希釈濃度が低いほど表面エネ
ルギー（γ）が大きくなることがわかる。
【００１６】一般に、上記の表面エネルギー（γ）が小
さいほど垂直配向性が強く、垂直配向性におけるアンカ
リングが大きいとされている。よって、図３の結果よ
り、希釈濃度が低いほどアンカリングは小さくなる。
さいほど垂直配向性が強く、垂直配向性におけるアンカ
リングが大きいとされている。よって、図３の結果よ
り、希釈濃度が低いほどアンカリングは小さくなる。
【００１７】したがって、以上の結果から、配向膜の膜
厚を変えたときの界面のモデルは図４に示すようにな
り、配向膜の膜厚を薄くすると界面に存在するアルキル
側鎖の密度が低くなり、ウィーク・アンカリング（弱い
束縛）を誘発する。図４の（ａ）は膜厚が厚い場合、
（ｂ）は膜厚が薄い場合をそれぞれ示し、同図中１１は
基板、１２は界面、１３はアルキル側鎖を表している。
厚を変えたときの界面のモデルは図４に示すようにな
り、配向膜の膜厚を薄くすると界面に存在するアルキル
側鎖の密度が低くなり、ウィーク・アンカリング（弱い
束縛）を誘発する。図４の（ａ）は膜厚が厚い場合、
（ｂ）は膜厚が薄い場合をそれぞれ示し、同図中１１は
基板、１２は界面、１３はアルキル側鎖を表している。
【００１８】以上のことは、全てのポリイミド・ベース
の垂直配向膜に当てはまり、例えば上述のＲＮ−７８４
（日産化学製）よりアルキル側鎖の導入量が約２３％少
ないＲＮ−７８３（日産化学製）を用いたときの表面エ
ネルギー（γ）の希釈濃度に対する変化を図５に示す。
の垂直配向膜に当てはまり、例えば上述のＲＮ−７８４
（日産化学製）よりアルキル側鎖の導入量が約２３％少
ないＲＮ−７８３（日産化学製）を用いたときの表面エ
ネルギー（γ）の希釈濃度に対する変化を図５に示す。
【００１９】図５に示すように、ＲＮ−７８３を用いた
場合でも、ＲＮ−７８４を用いた場合と同様に希釈濃度
が低いほど表面エネルギーが大きくなり、アンカリング
が小さくなることがわかる。
場合でも、ＲＮ−７８４を用いた場合と同様に希釈濃度
が低いほど表面エネルギーが大きくなり、アンカリング
が小さくなることがわかる。
【００２０】また、同じ希釈濃度においてもＲＮ−７８
３の方が表面エネルギーが大きく、アンカリングが小さ
くなることがわかるが、これはアルキル側鎖の導入量が
少ないためであり、上記の理論の裏付けになっている。
３の方が表面エネルギーが大きく、アンカリングが小さ
くなることがわかるが、これはアルキル側鎖の導入量が
少ないためであり、上記の理論の裏付けになっている。
【００２１】表１に配向膜希釈濃度によるセル特性の変
化を示す。
化を示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１の測定結果は、配向膜にＲＮ−７８
４、液晶にＭＪ−９４３５７（メルク社製）を用いてセ
ルを作製したときの結果である。
４、液晶にＭＪ−９４３５７（メルク社製）を用いてセ
ルを作製したときの結果である。
【００２４】表１から、配向膜希釈濃度を低くし膜厚を
薄くすることで、しきい値電圧を下げ、シャープネス，
コントラストを改善できることがわかる。
薄くすることで、しきい値電圧を下げ、シャープネス，
コントラストを改善できることがわかる。
【００２５】配向膜を薄く成膜するほど効果が見られる
が、垂直配向の限界値が存在する。これは、材料によっ
て異なるもので、ＲＮ−７８４の場合は希釈濃度０．５
ｗｔ％の膜厚約２００〜５００ｎｍが限界となる。
が、垂直配向の限界値が存在する。これは、材料によっ
て異なるもので、ＲＮ−７８４の場合は希釈濃度０．５
ｗｔ％の膜厚約２００〜５００ｎｍが限界となる。
【００２６】また、垂直配向のＥＣＢ（電圧制御複屈折
形）モードの場合、カイラル（chiral）剤をセル厚ｄと
液晶分子のピッチＰとの比をｄ／Ｐ＝０．７に調整する
ように添加すれば、ツイスト効果によりしきい値電圧を
下げ、シャープネス，コントラストを改善できることが
わかっている。
形）モードの場合、カイラル（chiral）剤をセル厚ｄと
液晶分子のピッチＰとの比をｄ／Ｐ＝０．７に調整する
ように添加すれば、ツイスト効果によりしきい値電圧を
下げ、シャープネス，コントラストを改善できることが
わかっている。
【００２７】このカイラル剤を添加したときのセル特性
の測定結果を表２に示す。
の測定結果を表２に示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】表２の測定結果より、カイラル剤を添加し
た場合においても特性が改善されることがわかる。
た場合においても特性が改善されることがわかる。
【００３０】また、それはカイラル剤を添加しない場合
の表１に示す結果より改善効果が大きいことがわかる。
これは、表１の結果が、ウイーク・アンカリングによ
り、より界面の液晶分子をスイッチングさせた結果であ
るのに対し、カイラル剤を添加した表２の結果は、ウイ
ーク・アンカリングにより更にツイストの効果も追加さ
れたためである。
の表１に示す結果より改善効果が大きいことがわかる。
これは、表１の結果が、ウイーク・アンカリングによ
り、より界面の液晶分子をスイッチングさせた結果であ
るのに対し、カイラル剤を添加した表２の結果は、ウイ
ーク・アンカリングにより更にツイストの効果も追加さ
れたためである。
【００３１】つまり、配向膜を薄くしてアンカリングを
小さくすることで、カイラル剤の効果を助長することが
できる。
小さくすることで、カイラル剤の効果を助長することが
できる。
【００３２】また、配向膜を薄くすることで配向膜にか
かる分圧を小さくし、液晶層にかかる分圧を大きくする
ことができる。その結果、セル特性を改善することがで
きる。
かる分圧を小さくし、液晶層にかかる分圧を大きくする
ことができる。その結果、セル特性を改善することがで
きる。
【００３３】このように、本実施例では希釈濃度を下げ
て配向膜の薄膜化を実現し、アルキル側鎖の密度を低く
しているので、アンカリングエネルギーが小さく（表面
エネルギーが小さく）なり、しきい値電圧、つまり駆動
電圧を下げることができる。また、シャープネス及びコ
ントラストを改善することができ、カイラル剤の添加に
より更にその効果が助長される。表３に、そのしきい値
電圧，シャープネス及びコントラストの改善結果を示
す。
て配向膜の薄膜化を実現し、アルキル側鎖の密度を低く
しているので、アンカリングエネルギーが小さく（表面
エネルギーが小さく）なり、しきい値電圧、つまり駆動
電圧を下げることができる。また、シャープネス及びコ
ントラストを改善することができ、カイラル剤の添加に
より更にその効果が助長される。表３に、そのしきい値
電圧，シャープネス及びコントラストの改善結果を示
す。
【００３４】
【表３】
【００３５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、シャー
プネス及びコントラストが改善されるとともに、液晶の
駆動電圧を下げることができるという効果がある。
プネス及びコントラストが改善されるとともに、液晶の
駆動電圧を下げることができるという効果がある。
【図１】 本発明に係る液晶表示セルの構造を示す断面
図
図
【図２】 配向膜の膜厚と希釈濃度との関係を示す図
【図３】 配向膜の表面エネルギーと希釈濃度との関係
を示す図
を示す図
【図４】 配向膜の膜厚による界面のモデルを示す説明
図
図
【図５】 配向膜の表面エネルギーと希釈濃度との関係
を示す図
を示す図
【図６】 従来の液晶表示セルの構造を示す断面図
１ セグメント電極 ２ コモン電極 ５ ＬＣ分子 ８ 配向膜 ９ 配向膜 １１ 基板 １２ 界面 １３ アルキル側鎖
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年８月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】また、スリット６は配向制御のために設け
られており、このスリット６がないと偏光板を通して見
たときにディスクリネーションライン（ドメインどうし
の境界線）が不規則になるが、このスリット６があると
ディスクリネーションラインが規則正しく現れる。
られており、このスリット６がないと偏光板を通して見
たときにディスクリネーションライン（ドメインどうし
の境界線）が不規則になるが、このスリット６があると
ディスクリネーションラインが規則正しく現れる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】また、本発明に係る液晶表示セルの製造方
法は、垂直配向膜を有する液晶表示セルの製造方法にお
いて、希釈濃度を下げて膜厚の薄いポリイミド・ペース
の垂直配向膜を形成するようにしたものであり、更に、
液晶にカイラル剤を添加するようにしたものである。
法は、垂直配向膜を有する液晶表示セルの製造方法にお
いて、希釈濃度を下げて膜厚の薄いポリイミド・ペース
の垂直配向膜を形成するようにしたものであり、更に、
液晶にカイラル剤を添加するようにしたものである。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に電極層を介して配向膜を有した
液晶表示セルにおいて、前記配向膜を膜厚の薄いポリイ
ミド・ベースの垂直配向膜としたことを特徴とする液晶
表示セル。 - 【請求項２】 垂直配向膜を有する液晶表示セルの製造
方法において、希釈濃度を下げて膜厚の薄いポリイミド
・ベースの垂直配向膜を形成するようにしたことを特徴
とする液晶表示セルの製造方法。 - 【請求項３】 ポリイミド・ベースにカイラル剤を添加
することを特徴とする請求項２記載の液晶表示セルの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20043096A JPH1048634A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 液晶表示セル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20043096A JPH1048634A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 液晶表示セル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048634A true JPH1048634A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16424175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20043096A Pending JPH1048634A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 液晶表示セル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1048634A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6661488B1 (en) | 1997-06-12 | 2003-12-09 | Fujitsu Limited | Vertically-alligned (VA) liquid crystal display device |
| US7573554B2 (en) | 1998-05-16 | 2009-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays having multi-domains and a manufacturing method thereof |
| US9041891B2 (en) | 1997-05-29 | 2015-05-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display having wide viewing angle |
| US9557612B2 (en) | 1999-10-01 | 2017-01-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP20043096A patent/JPH1048634A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9041891B2 (en) | 1997-05-29 | 2015-05-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display having wide viewing angle |
| US6661488B1 (en) | 1997-06-12 | 2003-12-09 | Fujitsu Limited | Vertically-alligned (VA) liquid crystal display device |
| US6724452B1 (en) | 1997-06-12 | 2004-04-20 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Vertically aligned (VA) liquid crystal display device |
| US7167224B1 (en) | 1997-06-12 | 2007-01-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vertically-aligned (VA) liquid crystal display device |
| US7224421B1 (en) | 1997-06-12 | 2007-05-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vertically-aligned (VA) liquid crystal display device |
| US7227606B2 (en) | 1997-06-12 | 2007-06-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vertically-alligned (VA) liquid crystal display device |
| US7304703B1 (en) | 1997-06-12 | 2007-12-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vertically-aligned (VA) liquid crystal display device |
| USRE43123E1 (en) | 1997-06-12 | 2012-01-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vertically-aligned (VA) liquid crystal display device |
| US7573554B2 (en) | 1998-05-16 | 2009-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays having multi-domains and a manufacturing method thereof |
| US9557612B2 (en) | 1999-10-01 | 2017-01-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
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|---|---|---|---|
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| A521 | Written amendment |
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| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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