JPH0682769A - アクティブマトリックス液晶表示素子 - Google Patents
アクティブマトリックス液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH0682769A JPH0682769A JP23578192A JP23578192A JPH0682769A JP H0682769 A JPH0682769 A JP H0682769A JP 23578192 A JP23578192 A JP 23578192A JP 23578192 A JP23578192 A JP 23578192A JP H0682769 A JPH0682769 A JP H0682769A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- wiring
- display element
- active matrix
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】アクティブマトリックス液晶表示素子におい
て、能動素子への配線からの横方向電界により、リバー
スチルトやリバースツイストが発生するのを防ぐ。 【構成】能動素子基板２の表面と液晶分子を配向させる
配向膜７の間に基板表面の凹凸を平坦化する平坦化膜６
を設ける。これにより、配線３の段差に起因する横方向
電界を弱めることができ、配線３近傍の液晶分子９ｃが
配向不良を起こさなくなるので、配向不良部分を隠すた
めに大きくしていたブラックマトリックス１０を小さく
でき、表示画素の開口率が高くなる。
て、能動素子への配線からの横方向電界により、リバー
スチルトやリバースツイストが発生するのを防ぐ。 【構成】能動素子基板２の表面と液晶分子を配向させる
配向膜７の間に基板表面の凹凸を平坦化する平坦化膜６
を設ける。これにより、配線３の段差に起因する横方向
電界を弱めることができ、配線３近傍の液晶分子９ｃが
配向不良を起こさなくなるので、配向不良部分を隠すた
めに大きくしていたブラックマトリックス１０を小さく
でき、表示画素の開口率が高くなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子に関し、特
に個々の表示画素にトランジスタやダイオードなどの能
動素子を有するアクティブマトリックス液晶表示素子に
関する。
に個々の表示画素にトランジスタやダイオードなどの能
動素子を有するアクティブマトリックス液晶表示素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリックス液晶表示素子
は、能動素子を有するガラス基板と透明電極を有するガ
ラス基板を重ね合わせた構造をしており、その間隙にネ
マチック液晶が注入されている。両ガラス基板にある配
向膜によって、液晶分子は分子長軸方向が９０°前後ね
じれた配向をとっており、ＴＮ（ツイストネマチック）
形液晶素子を構成している。一般に、液晶分子が捩れる
方向を一方向に安定化するためにネマチック液晶に少量
のカイラル材を添加したり、液晶分子の長軸方向を基板
面に対し一定角度だけ傾斜配向（プレチルトと呼ぶ）さ
せる配向膜を用いる。
は、能動素子を有するガラス基板と透明電極を有するガ
ラス基板を重ね合わせた構造をしており、その間隙にネ
マチック液晶が注入されている。両ガラス基板にある配
向膜によって、液晶分子は分子長軸方向が９０°前後ね
じれた配向をとっており、ＴＮ（ツイストネマチック）
形液晶素子を構成している。一般に、液晶分子が捩れる
方向を一方向に安定化するためにネマチック液晶に少量
のカイラル材を添加したり、液晶分子の長軸方向を基板
面に対し一定角度だけ傾斜配向（プレチルトと呼ぶ）さ
せる配向膜を用いる。
【０００３】能動素子を有しない液晶表示素子に比べ
て、アクティブマトリックス液晶表示素子は能動素子を
構成する半導体層、絶縁層、配向層などがあるため基板
表面に凹凸が多い。凹凸が多いと液晶の配向が乱され、
リバースツイスト（液晶分子が捩れる方向が逆になる減
少）やリバースチルト（プレチルトの方向が逆になる現
象）が起こり易い。
て、アクティブマトリックス液晶表示素子は能動素子を
構成する半導体層、絶縁層、配向層などがあるため基板
表面に凹凸が多い。凹凸が多いと液晶の配向が乱され、
リバースツイスト（液晶分子が捩れる方向が逆になる減
少）やリバースチルト（プレチルトの方向が逆になる現
象）が起こり易い。
【０００４】従来のアクティブマトリックス液晶表示素
子において、表示画素に高電圧が印加されているＯＮ状
態の場合について示す。図３は従来例の断面図であり、
透明電極４，配向膜８，ブラックマトリックス１０が設
けられた基板１と、透明電極５，配線３，配向膜７が設
けられた基板２と、液晶層９とから構成されている。Ｏ
Ｎ状態では、透明電極４と透明電極５の間に電界が生じ
ているため液晶層９の中央付近にある液晶分子９ａは基
板に対しほぼ垂直に立っている。一方、基板に近い部分
にある液晶分子９ｂは配向膜７の影響により、ある一定
のプレチルト角をもって基板表面に配向している。
子において、表示画素に高電圧が印加されているＯＮ状
態の場合について示す。図３は従来例の断面図であり、
透明電極４，配向膜８，ブラックマトリックス１０が設
けられた基板１と、透明電極５，配線３，配向膜７が設
けられた基板２と、液晶層９とから構成されている。Ｏ
Ｎ状態では、透明電極４と透明電極５の間に電界が生じ
ているため液晶層９の中央付近にある液晶分子９ａは基
板に対しほぼ垂直に立っている。一方、基板に近い部分
にある液晶分子９ｂは配向膜７の影響により、ある一定
のプレチルト角をもって基板表面に配向している。
【０００５】配線３には、トランジスタやダイオードな
どの能動素子を駆動する電圧が印加されている。この配
線からの横方向電界の影響によって、配線３付近（画素
端部）の液晶分子９ｃは、プレチルト角が反転した配向
をとるため、リバースチルトおよびリバースツイスト状
態が生じる。このため、正常配向領域とリバース配向領
域の境界即ちドメインウォール１１が形成され、配向不
良となる。
どの能動素子を駆動する電圧が印加されている。この配
線からの横方向電界の影響によって、配線３付近（画素
端部）の液晶分子９ｃは、プレチルト角が反転した配向
をとるため、リバースチルトおよびリバースツイスト状
態が生じる。このため、正常配向領域とリバース配向領
域の境界即ちドメインウォール１１が形成され、配向不
良となる。
【０００６】このような配向不良の発生を抑制する手段
として従来のアクティブマトリックス液晶表示素子で
は、プレチルト角を大きくした配向膜を用いる方法、液
晶のカイラルピッチを短くする方法、配線３と透明電極
５の間の距離を拡大して配線部の電界の影響を軽減する
方法の三つが用いられていた。
として従来のアクティブマトリックス液晶表示素子で
は、プレチルト角を大きくした配向膜を用いる方法、液
晶のカイラルピッチを短くする方法、配線３と透明電極
５の間の距離を拡大して配線部の電界の影響を軽減する
方法の三つが用いられていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来のアクティブ
マトリックス液晶表示素子において、前述した三つの方
法を用いると、配向不良の程度は低減されるものの、基
板の凹凸に起因している配向不良を本質的に解決するこ
とは困難である。また、横方向電界の影響を軽減するた
めに配線３と透明電極５の間の距離を長くしたり、配向
不良部分を隠すためにブラックマトリックスを大きくす
る必要があったため、開口率が低下するという問題点が
あった。
マトリックス液晶表示素子において、前述した三つの方
法を用いると、配向不良の程度は低減されるものの、基
板の凹凸に起因している配向不良を本質的に解決するこ
とは困難である。また、横方向電界の影響を軽減するた
めに配線３と透明電極５の間の距離を長くしたり、配向
不良部分を隠すためにブラックマトリックスを大きくす
る必要があったため、開口率が低下するという問題点が
あった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、個々の表示画
素にトランジスタやダイオードなどの能動素子を有する
アクティブマトリックス液晶表示素子において、能動素
子基板表面の凹凸を平坦化する平坦化膜を有しているこ
とを特徴とする。
素にトランジスタやダイオードなどの能動素子を有する
アクティブマトリックス液晶表示素子において、能動素
子基板表面の凹凸を平坦化する平坦化膜を有しているこ
とを特徴とする。
【０００９】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の第１の実施例のアクティブマトリッ
クス液晶表示素子の断面図であり、透明電極４，配向膜
８，ブラックマトリックス１０が設けられた基板１と、
透明電極５，トランジスタなどの能動素子（図注では省
略），配線３，配向膜７，平坦化膜６が設けられた基板
２と、液晶層９から構成されている。基板２の表面に平
坦化膜６をスピンコート，ロールコート，印刷等により
作製し、表面の凹凸を平坦化した後、配向膜７を形成す
る。平坦化膜６の材料としては、可視領域での透明度が
高いエポキシ／アクリル系、アクリル系、エポキシ系お
よびポリアミド系、樹脂や有機シランなどを用いる。
る。図１は本発明の第１の実施例のアクティブマトリッ
クス液晶表示素子の断面図であり、透明電極４，配向膜
８，ブラックマトリックス１０が設けられた基板１と、
透明電極５，トランジスタなどの能動素子（図注では省
略），配線３，配向膜７，平坦化膜６が設けられた基板
２と、液晶層９から構成されている。基板２の表面に平
坦化膜６をスピンコート，ロールコート，印刷等により
作製し、表面の凹凸を平坦化した後、配向膜７を形成す
る。平坦化膜６の材料としては、可視領域での透明度が
高いエポキシ／アクリル系、アクリル系、エポキシ系お
よびポリアミド系、樹脂や有機シランなどを用いる。
【００１０】表示画素に高電圧が印加されているＯＮ状
態では、透明電極４と透明電極５の間に電界が生じてい
るため、液晶層９の中央付近にある液晶分子９ａが電極
に対してほぼ垂直に立っている点は従来例と同じであ
る。一方、基板に近い部分にある液晶分子９ｂは配向膜
７の影響により、電極にほぼ並行、正確に言えばある一
定のプレチルト角を持って基板表面に配向している。
態では、透明電極４と透明電極５の間に電界が生じてい
るため、液晶層９の中央付近にある液晶分子９ａが電極
に対してほぼ垂直に立っている点は従来例と同じであ
る。一方、基板に近い部分にある液晶分子９ｂは配向膜
７の影響により、電極にほぼ並行、正確に言えばある一
定のプレチルト角を持って基板表面に配向している。
【００１１】配向膜７と基板の間に平坦化膜６を設ける
ことにより、段差に起因する横方向電界の影響が小さく
なるので、配線３近傍の液晶分子９ｃもリバースチルト
やリバースツイストなどの準安定状態に移ることがな
い。即ち配向不良は発生しない。このため、ブラックマ
トリックス１０を大きくしたり、配線３と透明電極５の
間の距離を長くする必要がなくなり、開口率を高くする
とができる。
ことにより、段差に起因する横方向電界の影響が小さく
なるので、配線３近傍の液晶分子９ｃもリバースチルト
やリバースツイストなどの準安定状態に移ることがな
い。即ち配向不良は発生しない。このため、ブラックマ
トリックス１０を大きくしたり、配線３と透明電極５の
間の距離を長くする必要がなくなり、開口率を高くする
とができる。
【００１２】図２は本発明の第２の実施例のアクティブ
マトリックス液晶表示素子の断面図である。この実施例
では平坦化膜６が配向膜７と同じポリイミドから形成さ
れている。配向膜７をスピンコート、ロールコート、印
刷等によって作製する際に、基板表面が平坦化されるく
らい配向膜７の膜厚を十分に厚くすることにより、配向
膜に平坦化膜の機能を持たせる。これにより第１の実施
例と同様に配向不良が発生しなくなるので、表示素子の
開口率を高くすることができる。
マトリックス液晶表示素子の断面図である。この実施例
では平坦化膜６が配向膜７と同じポリイミドから形成さ
れている。配向膜７をスピンコート、ロールコート、印
刷等によって作製する際に、基板表面が平坦化されるく
らい配向膜７の膜厚を十分に厚くすることにより、配向
膜に平坦化膜の機能を持たせる。これにより第１の実施
例と同様に配向不良が発生しなくなるので、表示素子の
開口率を高くすることができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、配線から
の電界の影響によって配向不良が発生しないので、ブラ
ックマトリックスや配線と表示電極との間の距離が小さ
くでき、開口率を高くできるという効果を有する。
の電界の影響によって配向不良が発生しないので、ブラ
ックマトリックスや配線と表示電極との間の距離が小さ
くでき、開口率を高くできるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の断面図である。
【図３】従来例の断面図である。
１，２ 基板 ３ 配線 ４，５ 透明電極 ６ 平坦化膜 ７，８ 配向膜 ９ 液晶層 ９ａ，９ｂ，９ｃ 液晶分子 １０ ブラックマトリックス １１ ドメインウォール
Claims (2)
- 【請求項１】 個々の表示画素にトランジスタやダイオ
ードなどの能動素子を有するアクティブマトリックス液
晶表示素子において、能動素子基板表面の凹凸を平坦化
する平坦化膜を有していることを特徴とするアクティブ
マトリックス液晶表示素子。 - 【請求項２】 平坦化膜が配向膜と同じポリイミドより
構成されることを特徴とする請求項１記載のアクティブ
マトリックス液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23578192A JPH0682769A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | アクティブマトリックス液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23578192A JPH0682769A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | アクティブマトリックス液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0682769A true JPH0682769A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16991151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23578192A Pending JPH0682769A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | アクティブマトリックス液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682769A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010085680A (ko) * | 1999-07-29 | 2001-09-07 | 모리시타 요이찌 | 액정표시장치 |
| CN103713437A (zh) * | 2013-12-16 | 2014-04-09 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置 |
| CN105140242A (zh) * | 2015-09-18 | 2015-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP23578192A patent/JPH0682769A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010085680A (ko) * | 1999-07-29 | 2001-09-07 | 모리시타 요이찌 | 액정표시장치 |
| CN103713437A (zh) * | 2013-12-16 | 2014-04-09 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置 |
| CN105140242A (zh) * | 2015-09-18 | 2015-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
| WO2017045337A1 (zh) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980916 |