TW497274B - Light emitting module and method of driving the same, and optical sensor - Google Patents

Light emitting module and method of driving the same, and optical sensor Download PDF

Info

Publication number
TW497274B
TW497274B TW090113694A TW90113694A TW497274B TW 497274 B TW497274 B TW 497274B TW 090113694 A TW090113694 A TW 090113694A TW 90113694 A TW90113694 A TW 90113694A TW 497274 B TW497274 B TW 497274B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
film transistor
thin film
emitting module
patent application
Prior art date
Application number
TW090113694A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunpei Yamazaki
Jun Koyama
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Lab filed Critical Semiconductor Energy Lab
Application granted granted Critical
Publication of TW497274B publication Critical patent/TW497274B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4204—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors with determination of ambient light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0251—Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0285—Improving the quality of display appearance using tables for spatial correction of display data
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/029—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/06—Adjustment of display parameters
    • G09G2320/0626—Adjustment of display parameters for control of overall brightness
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
    • G09G2360/144—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light being ambient light
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/18—Use of a frame buffer in a display terminal, inclusive of the display panel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Description

497274 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 發明背景 1. 發明之技術領域 本發明係有關於一種模組（以下稱作發光模組），其 包括一裝置（以下稱作發光裝置），該發光裝置包括一包 夾一種發光材料於電極之間的元件（以下稱作發光元件） 。詳而a之’本發明係有關於一種發光模組，其包括一發 光元件（以下稱作電致發光（EL )元件），其使用一種產 生電致發光（EL，electro luminescence )的化合物，以作爲 發光材料。在此，根據本發明，該發光裝置中包括有一有 機電致發光顯示器以及一有機發光二極體（以下稱作〇LED )〇 另外，使用於本發明之發光材料包括所有透過單譜線 激發及/或三譜線激發之發光材料（磷光及/或螢光）。 2. 相關技藝之敘述 近幾年來，使用一種產生電致發光（EL，electro luminescence)的有機化合物（以下稱作有機電致發光薄膜 )以作爲發光層的電致發光元件之發展已有大幅進展，而 且使用各種有機電致發光薄膜的電致發光元件也被大量提 出。使用這種電致發光元件以作爲發光元件的平面顯示器 更是成功地被開發出來。 被動矩陣型發光裝置與主動矩陣型發光裝置係爲使用 電致發光元件之發光裝置中爲人所知悉者。被動矩陣型發 光裝置係爲一種電致發光元件的發光裝置，該電致發光元 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 497274 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 件使用一種電致發光薄膜被包夾於·彼此相交成正確角度之 條狀陽極與陰極之間的結構。此外，主動矩陣型發光裝置 係爲一種發光裝置，其中每一像素具有一薄膜電晶體（以 下稱作TFT )而且連接至電致發光元件之陽極與陰極之一 者之該TFT控制流經該電致發光元件的電流。 被動矩陣型發光裝置擁有結構簡單的優點，可減低製 造成本，但其亦具有缺點，隨著像素的更高定義（即像素 數目增加），電致發光元件的發光強度必須增加，亦即， 需要較大的電流，而如此會導致功率消耗增加與使用壽命 減短。 在另一方面，在主動矩陣型發光裝置中，像素能夠保 存資料，因爲其係由TFT所控制，而且電致發光元件的發 光度可以保持固定，不受像素數目的影響：換言之，電致 發光元件的發光度可以被減低至最小，只要使用者可以觀 看，如此可以避免功率消耗增加與使用壽命減短。 從上述討論中吾等可以想見，主動矩陣型發光裝置具 有較小的功率消耗。然而，因爲主動矩陣型發光裝置係由 電流所驅動，必須減少功率消耗。 本發明之一目的在於提供一種具有較小功率消耗與極 佳可視度的發光裝置。此外，本發明之另一目的在於提供 一種具有顯示部分之電氣設備，其使用這種發光裝置並且 具有較小功率消耗與極佳可視度。 發明之槪述 I----------裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 5 _ 497274 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7__五、發明説明（3 ) 根據本發明之一種發光模組之特徵在於其包括：一感 測器部分，以感測一使用該發光模組之環境的照度（ illuminance)(以下稱作環境照度）；以及用來根據環境照 度調整一發光元件之發光度並且保持該發光元件之發光度 對環境照度之比値（發光元件之發光度與環境照度之間的 對比）於一固定値的構件。 換言之，根據本發明之該發光模組之特徵在於發光元 件之發光度可以被增加於一光亮的使用環境中，以增加可 視度，以及發光元件之發光度可以被減少於一黑暗的使用 環境中，以減少功率消耗而不會降低其可視度。 値得推薦地，環境照度可由一光感測器來感測（監視 )。本發明之特徵亦在於：包括一或複數個光感測器（典 型地，係爲光二極體）之一感測器部分以及用來顯示影像 之一像素部分被形成於相同的絕緣基體上。亦即，本發明 之特徵亦在於：包括光二極體之該感測器部分係以相同於 電晶體（包括薄膜電晶體以及使用矽晶塊的金氧半電晶體 )以及像素部分上之電致發光元件的製程而被形成。 在根掾本發明之該發光模組中，環境照度係由形成於 發光裝置中的感測器部分所感測，而且電致發光元件之正 確發光度與獲得電致發光元件之正確發光度所需的校正訊 號係由一以該感測器部分之輸出訊號爲基礎的校正電路所 計算。接著，流經該電致發光元件的電流總量以該校正訊 號爲基礎而被校正，以保持電致發光元件之發光度對於環 境照度之比値（對比値）於一固定値。 I----------裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -6- 497274 A7 B7 五、發明説明（4 ) 根據本發明之該發光模組由於具有足夠亮的顯示器而 在一光亮的環境中具有極佳的可視度，而且由於可能降低 亮度至一最小値而仍然可以確保良好的可視度，其在黑暗 環境中可以降低功率消耗。因此，使用根據本發明之發光 模組的電氣設備在顯示部分具有極佳的可視度並且可以減 少功率消耗。 圖式之簡要說明 本發明之較佳具體實施例將以下列圖式爲基礎而加以 詳細說明，其中： 圖1 A至1C繪示一發光模組之構造； 圖2繪不一*校正電路之構造； 圖3繪不一*校正電路之構造； 圖4繪示一發光模組之橫截面結構； 圖5A至5E繪示一發光模組之製程； 圖6繪示一發光模組之橫截面結構； 圖7繪示一發光模組之橫截面結構； 圖8繪示一發光模組之構造； 圖9A與9B繪示一光感測器之構造； 圖1〇繪示一光感測器之構造； 圖11A與11B繪示發光模組之一像素部分之構造； 圖12A與12B繪示一發光模組之上視結構與橫截面結構 圖13A與13B繪示驅動電路已經建構之一發光模組的結 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -----------^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497274 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（5 ) 構； 圖14A與14B繪示具有一外部控制器之一發光模組的結 構； 圖15A至15F繪示電器設備之特定實例； 圖16A與16B繪示電器設備之特定實例；以及 圖17繪示一發光模組之橫截面結構。 主要元件對照 100 發光裝置 101 像素部分 102 資料訊號（視頻訊號）側驅動電路 103 閘極訊號側驅動電路 104 感測器部分 105 校正電路 106 光二極體 107 重置薄膜電晶體 108 緩衝薄膜電晶體 109 固定電流薄膜電晶體 110 重置訊號線 111 輸出線 112 電致發光元件 113 交換薄膜電晶體 114 電流控制薄膜電晶體 115 電容器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 8 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 497274 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（6 ) 116 _極線 117 資料線（視頻線） 118 電流供給線 201 類比/數位轉換電路（轉換器） 202 算術電路 203 校正記憶體 204 數位/類比轉換電路（轉換器） 205 訊號產生器 301 類比/數位轉換電路（轉換器） 302 算術電路 303 校正記憶體 304 數位/類比轉換電路（轉換器） 305 電致發光驅動功率源 306 電壓改變裝置 400 絕緣基體 401 閘極電極 402 閘極絕緣薄膜 403 源極區域 404 汲極區域 405a 輕摻雜汲極）區域 405b 輕摻雜汲極）區域 406 通道形成區域 407 通道保護薄膜 408 第一層間絕緣薄膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9- 497274 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) 409 源極連線 410 汲極連線 411 閘極電極 412 源極區域 413 汲極區域 414 通道形成區域 415 通道保護薄膜 416 源極連線 417 汲極區域 418 p型區域 419 非晶半導體薄膜 420 連線 421 第二層間絕緣薄膜 422 汲極區域 423 像素電極 424 絕緣薄膜 425 電致發光層 426 陰極 427 保護薄膜 451 重置薄膜電晶體 452 光二極體 453 η通道薄膜電晶體 454 ρ通道薄膜電晶體 455 交換薄膜電晶體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 10 497274 A7 B7 五、發明説明（8 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 456 電流控制薄膜電晶體 457 電致發光元件 501 玻璃基板 502 閘極電極 503 閘極電極 504 閘極電極 505 閘極電極 506 閘極電極 507 閘極絕緣薄膜 5 08 半導體薄膜 509 半導體薄膜 510 半導體薄膜 511 半導體薄膜 512 半導體薄膜 513 半導體薄膜 514 絕緣薄膜 515 絕緣薄膜 516 絕緣薄膜 517 絕緣薄膜 518 絕緣薄膜 519 絕緣薄膜 520 η型區域 521 η型區域 522 η型區域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 497274 A7 B7 五、發明説明（9 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523 η型區域 524 η型區域 525 η型區域 526 絕緣薄膜 527 絕緣薄膜 528 絕緣薄膜 529 絕緣薄膜 530 絕緣薄膜 531 η型區域 5 32 η型區域 533 η型區域 534 η型區域 535 η型區域 536 η型區域 537 η型區域 538 η型區域 539 η型區域 540 η型區域 541 η型區域 542 光阻薄膜 543 光阻薄膜 544 光阻薄膜 545 Ρ型區域 546 ρ型區域 ----1-----裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ▲ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12 497274 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（10) 547 p型區域 548 p型區域 549 p型區域 550 第一層間絕緣薄膜 551 連線 552 連線 553 連線 554 連線 555 連線 55 6 連線 557 連線 55 8 連線 559 轉換層 601 光二極體（光感測器） 603 連線 604 轉換層 605 反射側電極 606 緩衝層 701 重置薄膜電晶體 702 光二極體（光感測器） 703 η通道薄膜電晶體 704 ρ通道薄膜電晶體 705 交換薄膜電晶體 706 電流控制薄膜電晶體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -13- 497274 A7 B7 五、發明説明（11) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 707 電 致 發 光 元 件 711 連 線 712 轉 換 層 713 穿 透 側 電 極 714 引 導 線 715 像 素 電 極 716 電 致 發 光 層 717 陽 極 718 保 護 薄 膜 800 發 光 裝 置 801 像 素 部 分 802 資 料 訊 號 側 動 電 路 803 _ 極 訊 號 側 驅 動 電 路 804 感 應 器 部 分 805 校 正 電 路 901 光 二 極 體 902 第 一 重 置 薄 膜 電 晶 體 903 緩 衝 薄 膜 電 晶 體 904 負 載 電 容 905 第 二 重 置 薄 膜 電 晶 體 906 第 一 重 置 訊 號 線 907 第 二 重 置 訊 號 線 908 輸 出 線 911 光 二 極 體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 497274 A7 B7 五、發明説明（12) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 912 重 置 薄 膜 電 晶 rS 913 緩 衝 薄 膜 電 晶 展 914 負 載 電 容 915 重 置 訊 號 線 916 輸 出 線 1001 光 二 極 體 1002 重 置 薄 膜 電 晶 體 1003 重 置 訊 號 線 1004 輸 出 線 1101 抹 除 薄 膜 電 晶 體 目昆 1102 連 線 1103 第 一 薄 膜 電 晶 Π-Ξ. 1104 第 二 薄 膜 電 晶 體 1105 第 二 薄 膜 電 晶 體 1106 第 四 薄 膜 電 晶 體 1107 第 一 電 容 器 1108 第 二 電 容 器 1109 資 料 線 1110 第 一 閘 極 線 1111 第 二 閘 極 線 1112 第 二 閘 極 線 1113 電 流 供 給 線 1200 像 素 部 分 1201 源 極 訊 號 側 驅 動電路 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 497274 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（13) 1202 閘極訊號側驅動電路 1 203 感應器部分 1204 覆蓋構件 I 205 第一密封構件 1206 第二密封構件 1207 帶式自動接合帶 1208 空間 1209a 碳薄膜 1209b 碳薄膜 1701 重置薄膜電晶體 1702 光二極體（光感測器） 1703 交換薄膜電晶體 1704 電流控制薄膜電晶體 1705 電致發光元件 1711 連線 1712 η型半導體層 1713 轉換層（i型半導體層） 1714 p型半導體層 1715 光接收側電極 17 1 6 像素電極 10 基板 II 像素部分 12a 連線 12b 連線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -16- 497274 A7 B7 五、發明説明（14) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13 感 應 器 部分 14 帶 式 白 動 接合 帶 15 印 刷 連 線 板 16 輸 入 / 輸 出ί阜 17 源 極 訊 號 側驅 動 電 路 18 閘 極 訊 號 側驅 動 電 路 19 輸 入 / 輸 出埠 20 校 正 電 路 30 內 建 驅 動 電路 型 發 光模組 31 像 素 部 分 32 源 極 訊 號 側驅 動 電 路 33 閘 極 訊 號 側驅 動 電 路 32a 連 線 33a 連 線 34 感 應 器 部 分 35 帶 式 白 動 接合 帶 36 印 刷 連 線 板 37 輸 入 / 輸 出埠 38 控 制 部 分 39 記 憶 體 部 分 40 輸 入 / 輸 出埠 2001 外 殼 2002 支 撐 桌 面 2003 顯 示 器 部 分 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ - 497274 A7 B7 五、發明説明（15) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2101 主機 2102 顯示器部分 2103 語音輸入部分 2104 操作開關 2105 電池 2106 影像接收部分 2201 主機 2202 顯示器部分 2203 目鏡部分 2204 操作開關 2301 主機 2302 紀錄媒介 2303 操作開關 2304 顯示器部分 (a) 2305 顯示器部分 (b) 2401 主機 2402 顯示器部分 2403 影像接收部分 2404 操作開關 2405 記憶體插槽 2501 主機 2502 外殼 2503 顯示器部分 2504 鍵盤 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 497274 A7 B7 五、發明説明（16) 2601 主 要 操 作部分 2602 資 訊 顯 示 部 分 2603 連 接 部 份 2604 語 音 輸 入 部 分 2605 操 作 開 關 2606 語 音 輸 出 部 分 2607 顯 示 器 部 分 2701 外 殼 2702 顯 示 器 部 分 2703 操 作 開 關 2704 操 作 開 關 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藍佳具體實施例之詳細描沭 根據本發明之較佳具體實施例將在此加以說明。圖1A 係爲根據本發明之一發光模組的電路方塊圖。一發光裝置 100包括一像素部分101、一資料訊號（視頻訊號）側驅動 電路102、一閘極訊號側驅動電路103、以及一感測器部分 104，而且一校正電路105被連接至該發光裝置100。校正電 路105具有一算術電路，以根據該感測器部分104所發出的 訊號來計算該像素部分101之發光元件的發光度。 一單石（monolithic)積體電路（1C)、一混成積體電 路或是一多晶片模組（MCM )可以被使用來作爲該校正電 路105。當單石積體電路被使用時，其可直接被封裝於發光 裝置100中，並且可以被封裝於帶式自動接合（tape 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 497274 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（17) automated bonding，TAB)帶上而且連接至該發光裝置100以 作爲一種帶式載體封裝（tape carrier package，TCP )。此 外，當混成積體電路或是多晶片模組被使用時，其最好是 使用TAB帶而被連接至發光裝置100。 接著，圖1 B繪示一感測器部分1 04之電路構造的一種範 例。在此，該感測器部分104包括一光二極體106、一重置 薄膜電晶體（TFT) 107、一緩衝薄膜電晶體108、以及一固 定電流薄膜電晶體109。 該重置薄膜電晶體107係爲一用來施加反向偏壓至該光 二極體106的薄膜電晶體，以重回（重置）到初始狀態，而 且重回到初始狀態的時間係爲由一重置訊號線110 (其爲一 閘極）所發射之訊號來加以控制。此外，該緩衝薄膜電晶 體108係爲一用來放大由該光二極體106所感測到的訊號的 薄膜電晶體，以及該固定電流薄膜電晶體109係作爲一固定 電功率源的薄膜電晶體。在此，該緩衝薄膜電晶體108與該 固定電流薄膜電晶體109係作爲源極隨親器，而且一輸出訊 號被傳送到一輸出線111。 在此，固定電壓VI至V3係爲被施加至該光二極體106 、該重置薄膜電晶體107、該緩衝薄膜電晶體108、以及該 固定電流薄膜電晶體1 09的固定電壓。典型地，一功率源電 壓或一地電壓（earth voltage )被用來作爲固定電壓。 在此，圖1 B所示之電路構造係爲一種範例，而且任何 習知電路構造也可以被使用，只要該電路構造具有光感測 器的功能。此外，當該薄膜電晶體被使用來作爲本範例中 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 497274 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（18) 的主動裝置時，在像素部分係由一金氧半（M〇s )電晶體 (即在一半導體基板上形成之一具有金氧半結構的電晶體 )所構成的情形中，自然地，金氧半電晶體被使用。 接著，圖1 C繪示一像素部分丨〇丨之電路構造的一種範例 。在此，該像素部分1 〇 1包括一電致發光元件丨i 2、一交換 薄膜電體113、一*電流控制薄膜電晶體114與一*電容器115 〇 該交換薄膜電晶體113係爲一用來控制該電流控制薄膜 電晶體114之閘極並且發射一被傳送到一資料線（訊號線） Π7的訊號至該電流控制薄膜電晶體114之閘極的薄膜電晶 體’其使用一閘極線11 6以作爲其閘極。此外，該電流控制 薄膜電晶體114係爲一用來控制流經該電致發光元件11 2的 電流並且發射一被傳送到一電流供給線11 8的訊號至該電致 發光元件112的薄膜電晶體。 在此，圖1 C所示之電路構造係爲一種範例，而且任何 習知電路構造也可以被使用，只要該電路構造可以控制電 致發光元件之發光。此外，當該薄膜電晶體被使用來作爲 本範例中的主動裝置時，該像素部分係可以由金氧半電晶 體所構成。 接著，一校正電路105之構造的範例將被繪示於圖2與 圖3中。在此，圖2係爲該發光裝置100由一類比訊號（類比 驅動系統）所驅動的情形，而且圖3係爲該發光裝置1〇〇由 一數位訊號（數位驅動系統）所驅動的情形。 在圖2中，該校正電路105包括一類比/數位（A/D)轉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 21 _ I----"------批衣------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 497274 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（19) 換電路（轉換器）201、一算術電路202、一校正記憶體203 '以及一數位/類比（D/A )轉換電路（轉換器）204。在 此，該算術電路202與該校正記憶體203較佳者係由MCM ( 多晶片模組）所構成，因爲MCM可以增加資料的傳輸速度 〇 在此，該校正記憶體203係爲一用來儲存資料以校正電 致發光元件之發光度的記憶體，使得其發光度對環境照度 之比値保持一固定値，亦即，一用來儲存（記憶）對應於 環境照度之發光度的正確數値資料的記憶體，以確保發光 度對環境照度之固定對比値。當然，先前必須獲得並且儲 存對應於環境照度之發光度的正確數値資料。 在此，如圖2所示之類比驅動系統的情形中之訊號流動 將被說明。在類比驅動系統的情形中，決定流經電致發光 元件之電流量的訊號係爲一被傳送到圖1 C所示之資料線11 7 之訊號。 從該感測器部分104所傳送出來的環境照度訊號（感測 器輸出訊號）被該類比/數位轉換電路201轉換成數位訊號 ，並且被輸入至該算術電路202。該算術電路202根據所輸 入之感測器輸出訊號以及儲存於該校正記憶體203中的資料 ，計算獲得相對於環境照度之正確發光度所需之資料訊號 (視頻訊號）之一正確値。 以此方式，從一訊號產生器205所產生的資料訊號（視 頻訊號）根據感測器輸出訊號以及儲存於該校正記憶體203 中的資料，被校正成正確數値，而且該校正之資料訊號再 ----------$-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -22- 497274 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（20) 一次由該數位/類比轉換電路204所轉換成一類比訊號，並 且被輸入至該資料訊號（視頻訊號）側驅動電路102。 接著，如圖3所示之數位驅動系統的情形中之訊號流動 將被說明。在數位驅動系統的情形中，決定流經電致發光 元件之電流量的訊號係爲一被傳送到圖1 C所示之電流供給 線11 8之訊號。 從該感測器部分104所傳送出來的環境照度訊號（感測 器輸出訊號）被該類比/數位轉換電路3 01轉換成數位訊號 ，並且被輸入至該算術電路302。該算術電路302根據所輸 入之感測器輸出訊號以及儲存於該校正記憶體303中的資料 ，計算獲得相對於環境照度之正確發光度所需之電流量之 一正確値。而且具有其資訊之一校正訊號被輸出。 以此方式，根據感測器輸出訊號以及儲存於該校正記 憶體303中的資料而被計算的校正訊號由該數位/類比轉換 電路304所轉換成一類比訊號，並且被輸入至一電致發光驅 動功率源305。該電致發光驅動功率源305係爲一被傳送至 該像素部分10 1的電流供給線之訊號（以下稱作功率源資料 訊號）的功率源，亦爲一最終決定流至電致發光元件之電 流量的功率源。一電壓改變裝置306被連接至該電致發光驅 動功率源305，以及一功率源資料訊號根據該校正電路ι〇5 所傳送的校正訊號而被校正，而且所校正之功率源資料訊 號被輸入至該像素部分101。 以此方式，首先，環境照度係由提供於發光裝置內之 感測器部分1 04所感測，而且該校正電路1 05根據輸出訊號 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· -訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- 497274 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（21) (感測器輸出訊號）來計算獲得電致發光元件之正確發光 度所需要的資料訊號或校正訊號。接著，流至該電致發光 元件之之電流量根據此一資料訊號或校正訊號而被校正， 以產生具有正確對比値之發光度。 描述於根據本發明之較佳具體實施例中的發光模組由 於具有足夠亮的顯示器而在一光亮的環境中具有極佳的可 視度，而且由於可能降低亮度至一最小値而仍然可以確保 良好的可視度，其在黑暗環境中可以降低功率消耗。因此 ，在使用本發明之發光模組的電氣設備中，顯示器具有良 好的可視度而且其功率消耗被減少了。 【第一具體實施例】 在本具體實施例中，包含於一根據本發明之發光模組 之一橫截面結構（於密封之前的狀態）將被說明。在本具 體實施例中，將會描述一發光裝置（於密封之前的狀態） 之一範例，其具有一感測器部分、一像素部分以及一用來 在同一絕緣基體上驅動該像素部分的驅動電路。在此，該 感測器部分顧示一重置薄膜電晶體以及一連接至該重置薄 膜電晶體的光二極體；該驅動電路顯示一作爲基本單元的 互補式金氧半（C Μ 0 S )電路；而且該像素部分顯示一像素 〇 在圖4中，參考數字400係爲一絕緣基體（由一絕緣基 板、一絕緣薄膜、或是一具有絕緣薄膜於其表面上的基板 所構成），其上方形成有一感測器部分、一像素部分以及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、一--口 Τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ 24 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 497274 A7 B7____ 五、發明説明（22) 一驅動電路。該感測器部分被提供一重置薄膜電晶體45 1與 一光二極體452。此外，該驅動電路具有一 η通道薄膜電晶 體453與一 ρ通道薄膜電晶體454，其構成一互補式金氧半 電路。再者，該像素部分具有一交換薄膜電晶體455、一電 流控制薄膜電晶體456與一電致發光元件457。在這方面， 每種薄膜電晶體均可以使用任何習知的結構完成。在本具 體實施例中，每種薄膜電晶體均爲下閘極型（bottom gate type )薄膜電晶體（特別是反交錯型薄膜電晶體），但亦可 以使用上閘極型（top gate type)薄膜電晶體（特別是平面 型薄膜電晶體）。 此外’本具體實施例中的感測器部分之電路構造具有 一如圖1 B所示的結構而且該像素部分之電路構造具有一如 圖1 C所示的結構。然而，不僅這樣的電路構造，具有三或 多個薄膜電晶體的電路也可以產生本發明的效果。 在此’形成於絕緣基體400上的薄膜電晶體之結構將被 說明。在該η通道薄膜電晶體453中，參考數字401代表一 閘極電極、402代表一閘極絕緣薄膜、403代表一由η型半 導體區域（以下稱爲η型區域）所形成之源極區域、404代 表一由η型區域所形成之汲極區域、405a與405b代表一 LDD (輕摻雜汲極）區域、406代表一通道形成區域、407代 表一通道保護薄膜、408代表一第一層間絕緣薄膜、409代 表一源極連線、以及410代表一汲極連線。 此外，在該p通道薄膜電晶體454中，參考數字411代 表一聞極電極、4 0 2代表一聞極絕緣薄膜、4 1 2代表一由p 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） I I I* ^ 批衣 n 訂·~ ~~ ~"線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 497274 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（23) 型半導體區域（以下稱爲P型區域）所形成之源極區域、 413代表一由p型區域所形成之汲極區域、414代表一通道 形成區域、4 1 5代表一通道保護薄膜、4 0 8代表一第一層間 絕緣薄膜、41 6代表一源極連線、以及410代表一汲極連線 。該汲極連線係與η通道薄膜電晶體453共用。 另外，基本上，該重置薄膜電晶體451具有相同於該η 通道薄膜電晶體453之結構（只有在源極連線或汲極連線的 結構中有所不同），因此其詳細的說明將被省略。在此， 該重置薄膜電晶體451也可以與該ρ通道薄膜電晶體454具 有相同之結構。在重置薄膜電晶體45 1的情形中，非晶半導 體薄膜（典型地，非晶矽薄膜）419被形成於一由η型區域 所構成之汲極區域417與一 ρ型區域之間，以形成一具有 PIN接面之光二極體452。在此，參考數字420代表一用來施 加電壓至該P型區域41 8的連線。 另外，基本上，該交換薄膜電晶體455具有相同於該η 通道薄膜電晶體45 3之結構，因此其詳細的說明將被省略。 在此，該交換薄膜電晶體455也可以與該ρ通道薄膜電晶體 454具有相同之結構。此外，也可以以一在源極區域與汲極 區域之間形成有二或多個通道形成區域的結構（多重通道 結構）來形成該交換薄膜電晶體455。 此外，基本上，該電流控制薄膜電晶體456具有相同於 該Ρ通道薄膜電晶體454之結構（只有在汲極連線係爲像素 電極423這方面有所不同），因此其詳細的說明將被省略。 在此，也可以形成具有相同於該η通道薄膜電晶體453之結 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 26 497274 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（24) 構之該電流控制薄膜電晶體456。 接著’形成一第二層間絕緣薄膜（平坦薄膜）421，其 覆蓋該重置薄膜電晶體451、該光二極體452、該η通道薄 膜電晶體453、該ρ通道薄膜電晶體454、該交換薄膜電晶 體455以及該電流控制薄膜電晶體456。 再者，該第二層間絕緣薄膜421具有一的接觸孔，其延 伸至該電流控制薄膜電晶體456之汲極區域422 ;而且一像 素電極423被連接至該汲極區域422。該像素電極423之功用 係作爲電致發光元件之陽極，並且是由一具有大的功函數 (work function)之導體薄膜，典型地，一種氧化物導體薄 膜所形成。該氧化物導體薄膜較佳者係由氧化銦、氧化錫 或其化合物所構成。此外，氧化鎵也可以被添加至該氧化 物導體薄膜。 接著，參考數字424代表一絕緣薄膜，其覆蓋該像素電 極423的末端部分，並且在本說明書中被稱作岸面（bank ) 。該岸面424較佳者係由包含矽或樹脂薄膜的絕緣薄膜所形 成。在使用樹脂薄膜的情形中，如果添加碳微粒或金屬微 粒至該樹脂薄膜，薄膜形成時的介電質崩潰可被避免，使 得該樹脂薄膜的阻値變成在ΙχΙΟ6 Ωιη至lxlO12 Ωιη之間（較 佳者，在 1Μ08 Ωιη 至 lxl01Q Ωιη 之間）。 接著，參考數字425代表一電致發光層。在這方面，在 本說明書中，從一電洞發射層、一電洞傳輸層、一電洞避 免層、一電子發射層、一電子傳輸層、一電子避免層所組 成的疊層薄片基體（laminated body)被定義成對應於一發 u¾ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -口
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 497274 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（25) 光層之一電致發光層。該發光層可以藉由任何習知的材料 而被形成，而且習知的摻雜劑（通常爲螢光染料）可以被 添加至該發光層。此外，較佳者，一種可以透過三譜線激 發（triplet excitation)而發光之有機材料係被使用來作爲 摻雜劑，因爲其可產生高發光效率。 接著，參考數字426代表電致發光元件之一陰極’並且 係由具有較小功函數之一導體薄膜所組成。較佳者，包含 屬於週期表之第一或第二族的元素之導體薄膜可以被使用 來作爲具有較小功函數之該導體薄膜。在本具體實施例中 ，係使用一種由鋰與鋁之化合物所構成之導體薄膜。 由此觀之，由像素電極（陽極）423、電致發光層425 、陰極426所構成之一疊合基體457係爲一電致發光元件。 由該電致發光元件457所產生的光被射入絕緣基體400 (如 圖4中之箭頭所示之方向）。另外，在使用p通道薄膜電晶 體以作爲電流控制薄膜電晶體的情形中，如本具體實施例 中所述，較佳者，該電致發光元件的陽極被連接到該電流 控制薄膜電晶體的汲極。 由此觀之，在陽極426形成之後，形成完全覆蓋電致發 光元件457之保護薄膜427是極爲有效的。一由碳薄膜、氮 化矽薄膜、或氮氧化矽薄膜所形成的單一層或是一由上述 絕緣薄膜之組合的疊層薄片被用來作爲該保護薄膜427。 在此，較佳者，具有良好覆蓋性的薄膜被使用來作爲 該保護薄膜427，而且使用一碳薄膜，尤其是類鑽石碳（ DLC)薄膜，更有效果。該類鑽石碳薄膜可以在室溫至1〇〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝.
、1T 線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -28- 497274 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（26) °C的溫度範圍內被形成，於是其可輕易地被形成於具有低 熱阻的電致發光層425上。此外，該類鑽石碳薄膜對於氧具 有高隔離效應，而且可以有效地避免電致發光層425之氧化 。因此，該類鑽石碳薄膜可以在後續的封裝製程中避免電 致發光層425被氧化。 在此，生產圖4中所示之結構所用的製程將被繪示於圖 5中。首先，閘極電極502至506係由鉻薄膜所形成於一玻璃 基板501上，而且其上方係形成有一由氮氧化矽薄膜（由 Si〇xNY所表示之絕緣薄膜）所形成之閘極絕緣薄膜507。一 非晶矽薄膜被形成於閘極絕緣薄膜507上方，並且藉由雷射 退火而晶體化，以藉由圖案化而形成由一種單晶矽薄膜所 構成之半導體薄膜508至513。到這一步驟的製程可以藉由 使用廣爲人知的材料與技術（參考圖5 A )而進行。 在此，半導體薄膜508與半導體薄膜509之間的距離不 超過ίμιη，較佳者，係從0.3至0.5μιη。 接著，由氧化矽薄膜所構成的絕緣薄膜5 14至5 1 9被形 成於半導體薄膜508至513上方，而且藉由廣爲人知的方法 將磷或砷添加於其上。以此方式，η型區域520至5 25於焉形 成。該η型區域520至525包含有濃度爲1><1〇2()原子/cm3至 lxlO21原子/cm3的磷或砷（參考圖5B)。 接著，絕緣薄膜514至519藉由使用閘極電極502至506作 爲幕罩而以背面微影進行圖案化，以形成絕緣薄膜（通道 保護薄膜）526至530。然後，在此狀態，藉由廣爲人知的 方法又將磷或砷添加於其上。以此方式，η型區域531至541 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 、1Τ 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210x297公釐） - 29- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497274 A7 B7 五、發明説明（27) 於焉形成。該η型區域531至541包含有濃度爲lxlO17原子 /cm3至lxlO19原子/cm3的磷或砷（參考圖5C)。 接下來，光阻薄膜542至544被形成，而且硼藉由廣爲 人知的方法被添加於其上。以此方式，p型區域545至549於 焉形成。該P型區域545至549包含有濃度爲3><102°原子/cm3 至5 xlO21原子/cm3的硼。在此，雖然磷或砷已經被添加至該 P型區域545至549，硼的濃度三倍以上於磷或砷的濃度，因 此P型區域545至549係完全從η型被反轉成p型（參考圖 5D) 〇 接著，光阻薄膜542至544被移除，而且一具有由氧化 矽薄膜與氮氧化矽薄膜所組成的疊層結構之第一層間絕緣 薄膜550被形成。接觸孔被形成於該第一層間絕緣薄膜550 中，而且具有由鉬與鎢所組成的疊層結構之連線551至558 被形成。接著，一由半導體薄膜所構成的轉換層559被形成 。該轉換層559係爲用來吸收光並且產生載子於光二極體者 ，且其對應於太陽電池中的i層（光電轉換層）。（參考圖 5E) 由此觀之，一種具有PIN接面而廣爲人知的薄層結構 可以被用來作爲該轉換層5 5 9。此外，轉換層5 5 9可以具有 從光的入射端看起來的PIN接面或是NIP接面。再者，一 非晶半導體薄膜、一*結晶半導體薄膜、或是一^微晶半導體 薄膜可以被用來作爲轉換層559的材料。 接著，如圖4所示，一第二層間絕緣薄膜4 2 1、一像素 電極423、一岸面（bank) 424、一電致發光層425、一陰極 本紙張尺度適用中國國家標準（cns )八4規格（2iox297公釐） ~ — i I 批衣 訂 I— I線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 497274 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（28) 426以及一保護薄膜427被形成，以完成一具有如圖4所示之 橫截面結構的發光裝置。 如果使用具有本發明具體實施例之橫截面結構的發光 裝置，可以提供一發光模組，其在光亮的環境中具有極佳 的可視度，並且可以在黑暗的環境中減少功率消耗而仍可 確保其可視度。在此，於本具體實施例中，如圖1與圖2或 圖1與圖3中所示之結構可以被結合。 【第二具體實施例】 在本具體實施例中，具有與第一具體實施例不同之結 構的發光裝置（在密封之前的狀態）將被予以說明。在此 ，於本具體實施例中，將針對其與第一具體實施例不同之 部分加以說明。第一具體實施例之說明可以參照如圖4所示 之相同參考符號的部分。 在圖6中，一感測器部分、一驅動電路與一像素部分被 形成於一絕緣基體400上。該感測器部分包括一重置薄膜電 晶體451以及一光二極體（光感測器）601 ;該驅動電路包 括一具有η通道薄膜電晶體453與p通道薄膜電晶體454之互 補式金氧半（CMOS )電路；而且該像素部分包括一交換薄 膜電晶體455、一電流控制薄膜電晶體456與一電致發光元 件 457 〇 本具體實施例與第一具體實施例不同之處在於光二極 體601之結構。該光二極體係由即將成爲重置薄膜電晶體 451之源極或汲極之一連線603、一轉換層604以及一反射側 I---------棄-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497274 A7 B7 _ 五、發明説明（29) 電極（在光之反射側的電極）605所形成。此外，在本具體 實施例中，一由包含矽之絕緣薄膜所構成的緩衝層606被形 成於第二層間絕緣薄膜421上方。緩衝層606使得連線603與 第二層間絕緣薄膜421緊密接觸，並且允許該第二層間絕緣 薄膜421避免於該轉換層604形成時被鈾刻。 在此，連線603對於可見光係爲透明，因爲其係以相同 於像素電極423之製程來加以形成。此外，即將成爲反射側 電極的導體薄膜係較佳地爲一種具有高反射率的導體薄膜 ，其最好是使用包含鋁或銀以作爲主要成分的導體薄膜。 在此，如果一氧化物導體薄膜被形成以作爲該轉換層604與 該反射側電極605之間的緩衝層，該轉換層604可以避免與 該反射側電極605之反應。 如果使用具有本發明具體實施例之橫截面結構的發光 裝置，可以提供一發光模組，其在光亮的環境中具有極佳 的可視度，並且可以在黑暗的環境中減少功率消耗而仍可 確保其可視度。在此，於本具體實施例中，如圖1與圖2或 圖1與圖3中所示之結構可以被結合。 【第三具體實施例】 在本具體實施例中，具有與第一具體實施例不同之結 構的發光裝置（在密封之前的狀態）將被予以說明。在此 ，於本具體實施例中，將針對其與第一具體實施例不同之 部分加以說明。第一具體實施例之說明可以參照如圖4所示 之相同參考符號的部分。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' 一 -----.-------^------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 497274 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（30) 在圖6中，一感測器部分、一驅動電路與一像素部分被 形成於一絕緣基體400上。該感測器部分包括一重置薄膜電 晶體701以及一光二極體（光感測器）702 ;該驅動電路包 括一具有η通道薄膜電晶體703與p通道薄膜電晶體704之互 補式金氧半（CMOS )電路；而且該像素部分包括一交換薄 膜電晶體705、一電流控制薄膜電晶體706與一電致發光元 件 457。 首先，本具體實施例之特徵在於每一薄膜電晶體之源 極線或汲極線被形成以覆蓋一通道區域。本具體實施例之 結構被形成如圖7所示之形狀，以阻擋直接進入薄膜電晶體 之通道形成區域的光，進而避免漏電流的增加。 此外，在本具體實施例中，η通道薄膜電晶體被使用來 作爲一電流控制薄膜電晶體706。在此，該電流控制薄膜電 晶體706基本上具有相同於圖4所示之η通道薄膜電晶體453 的結構（以上兩者只有在源極電極的形狀彼此不同），所 以其詳細說明將予省略。在此，該電流控制薄膜電晶體706 可以具有相同於圖4所示之ρ通道薄膜電晶體454的結構。 再者，本具體實施例與第一具體實施例不同之處在於 光二極體702之結構。該光二極體702係由即將成爲重置薄 膜電晶體701之源極或汲極之一連線7 11、一轉換層7 1 2、以 及一穿透側電極（在光之穿透側的電極）7 1 3所形成，而且 一引導線714被連接至該穿透側電極713。該轉換層712可以 被形成與第二具體實施例之轉換層604具有相同結構。此外 ，較佳者，該穿透側電極7 1 3係由一氧化物導體薄膜所形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -33 - I k I 辦衣 訂·~ 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 497274 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（31) 〇 在像素部份中，一像素電極715以相同於引導線714的 製程被形成。該像素電極7 1 5係爲一種具有電致發光元件 707之陰極功能的電極，並且係由包含屬於週期表之第一族 或第二族的元素之導體薄膜所形成。在本具體實施例中， 係使用一種由鋰與鋁之化合物所構成之導體薄膜。在此， 在一陰極被連接至該電流控制薄膜電晶體的情形中，如本 具體實施例中所述，較佳者係使用一 η通道薄膜電晶體以 作爲該電流控制薄膜電晶體。 在該像素電極7 1 5形成之後，一絕緣薄膜（岸面）424 、一電致發光層716、一由氧化物導體薄膜所構成之陰極 7 17以及一保護薄膜71 8被形成，以完成一具有如圖7所示之 結構的發光裝置（在密封之前的狀態）。 如果使用具有本發明具體實施例之橫截面結構的發光 裝置，可以提供一發光模組，其在光亮的環境中具有極佳 的可視度，並且可以在黑暗的環境中減少功率消耗而仍可 確保其可視度。在此，於本具體實施例中，如圖1與圖2或 圖1與圖3中所示之結構可以被結合。 【第四具體實施例】 在本具體實施例中，具有與第一具體實施例不同之結 構的發光裝置（在密封之前的狀態）將被予以說明。在此 ，於本具體實施例中，將針對其與第一具體實施例不同之 部分加以說明。第一具體實施例之說明可以參照如圖4所示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） 34 I----一--.---装------1Τ------# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497274 A7 B7 五、發明説明（32) 之相同參考符號的部分。 在圖1 7中，一感測器部分與一像素部分被形成於一絕 緣基體400上。在此’一驅動電路可以被形成於相同的絕緣 基體上，如同第二具體實施例或第三具體實施例者。 該感測器部分包括一重置薄膜電晶體1701以及一光二 極體（光感測器）1702 ;而且該像素部分包括一交換薄膜 電晶體1703、一電流控制薄膜電晶體1704與一電致發光元件 1705 〇 在本具體實施例中，P通道薄膜電晶體被使用來作爲該 電流控制薄膜電晶體1 704。在此，該電流控制薄膜電晶體 1704基本上具有相同於圖4所示之電流控制薄膜電晶體456的 結構，因此，其詳細說明將不予贅述。在此，該電流控制 薄膜電晶體1704也可以具有相同於圖4所示之η通道薄膜電 晶體455的結構。 再者，本具體實施例與第一具體實施例不同之處在於 光二極體1702之結構。該光二極體1702係由即將成爲重置薄 膜電晶體1 7 0 1之源極或汲極之導體金屬所構成之一連線17 11 、一 η型半導體層1712、一轉換層（i型半導體層）1713、 一 P型半導體層1714、以及一光接收側電極（在光被接收 側的電極）17 15所形成。 在此，該連線1 7 11係以相同於像素電極（電致發光元 件1 705之陽極）17 16之製程來加以形成。此外，該光接收側 電極1715可以由一氧化物導體薄膜所形成。在此，在像素 部份中，以相同於該連線1711之製程而被形成之像素電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 35- I----*--*---^------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 497274 A7 B7 五、發明説明（33) 17 1 6被電連接至該電流控制薄膜電晶體丨704的汲極。 在像素電極1716被形成之後，一岸面（bank) 424、一 電致發光層425、一陰極426以及一保護薄膜427被形成，以 完成一具有如圖1 7所示之橫截面結構的發光裝置（於密封 之前的狀態）。較佳者，該電致發光層425、陰極426以及 保護薄膜427之材料與結構係參照第一具體實施例者。 如果使用具有本發明具體實施例之橫截面結構的發光 裝置，可以提供一發光模組，其在光亮的環境中具有極佳 的可視度，並且可以在黑暗的環境中減少功率消耗而仍可 確保其可視度。在此，於本具體實施例中，如圖1與福2或 圖1與圖3中所示之結構可以被結合。 【第五具體實施例】 在本具體實施例中，一發光裝置，其中一感應器部份 、一校正電路、一驅動電路、與一像素部分被形成於相同 之絕緣基體者，將予以說明。 在圖8中，參考數字800代表本具體實施例之一，801代 表一像素部分，802代表一資料訊號側驅動電路，803代表 一閘極訊號側驅動電路，804代表一感應器部份，以及805 代表一校正電路。在此，較佳者，該像素部分8 01之架構係 參照圖1C，而且該感應器部份804之架構係參照圖1B。 本具體實施例之特徵在於具有圖2或圖3之架構的校正 電路805被形成於與該感應器部分、驅動電路、與像素部分 相同的絕緣基體上。亦即，在本具體實施例之發光裝置800 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —---------^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36- 497274 A 7 _ B7 五、發明説明（34) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 中，一校正之資料訊號根據該感應器部份8 0 4所感應到的環 境照度而被從一校正電路805輸出，以調整該像素部分8〇1 的發光度至一正確強度。 當然，在本具體實施例之架構中，該校正電路805係僅 使用電晶體（薄膜電晶體或金氧半電晶體）而被形成。在 此，較佳者，該校正電路805藉由使用包括圖4所示之η通 道薄膜電晶體453與ρ通道薄膜電晶體454的互補式金氧半 (CMOS)電路以作爲一基本部分，而被加以設計。 在這方面，本具體實施例之架構可以藉由第一具體實 施例至第四具體實施例中之任何架構而加以實現。由於包 括本具體實施例之發光裝置的發光模組具有一內建校正電 路，其重量相較於圖1所示之結構可被減輕，而且用來連接 校正電路至驅動電路所需要的針頭數目可以被減少。 【第六具體實施例】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一種具有光感應器之功能的電路可以被使用來作爲本 發明之發光模組所包括之感應器部分。在本具體實施例中 ，主動型光感應器之電路架構的範例將被描繪於圖9A與圖 9B中。 圖9A所示之光感應器包括一光二極體901、一第一重置 薄膜電晶體902、一緩衝薄膜電晶體903、一負載電容904、 與一第二重置薄膜電晶體905。此外，一第一重置訊號線 906被連接至該第一重置薄膜電晶體902的閘極，而且一第 二重置訊號線907被連接至該第二重置薄膜電晶體905的閘 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 37 __ 497274 A7 B7 五、發明説明（35) 極。再者，參考數字908代表一輸出線。 再者，圖9B所示之光感應器包括一光二極體911、一重 置薄膜電晶體9 1 2、一緩衝薄膜電晶體9 1 3、與一負載電阻 (或負載電容）914。此外，一重置訊號線916被連接至該 重置薄膜電晶體912的閘極。再者，參考數字91 6代表一輸 出線。 在此，在圖9A與9B中，定電壓VI與V2係爲施加至光 二極體、重置薄膜電晶體與緩衝薄膜電晶體之固定電壓。 典型地，——功率源電壓或一地電壓被使用來作爲該固定電 壓。 一或複數個具有圖9A或圖9B所示之電路架構的光感應 器可以被提供於根據本發明之發光模組的感應器部分中。 此外，圖9A或圖9B所示之電路架構僅爲簡單的範例。在此 ，薄膜電晶體被使用來作爲主動元件，而一金氧半電晶體 自然地被使用於該像素部分係由該金氧半電晶體所形成的 情形。再者，在薄膜電晶體被使用的情形中，可以使用一 上閘極型薄膜電晶體或是一下閘極型薄膜電晶體。 在這方面，本具體實施例之架構可以藉由第一具體實 施例至第五具體實施例中之任何架構而加以實現。 【第七具體實施例】 一種具有光感應器之功能的電路可以被使用來作爲本 發明之發光模組所包括之感應器部分。在本具體實施例中 ，被動型光感應器之電路架構的範例將被描繪於圖10中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 38 _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497274 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（36) 圖10所示之光感應器包括一光二極體1001、一重置薄 膜電晶體1002。此外，一重置訊號線1003被連接至該重置薄 膜電晶體1002的閘極。再者，參考數字1004代表一輸出線。 在此，在圖10中，定電壓VI係爲施加至光二極體之固 定電壓。典型地，一功率源電壓或一地電壓被使用來作爲 該固定電壓。 一或複數個具有圖10所示之電路架構的光感應器可以 被提供於根據本發明之發光模組的感應器部分中。此外， 圖10所示之電路架構僅爲簡單的範例。在此，薄膜電晶體 被使用來作爲主動元件，而一金氧半電晶體自然地被使用 於該像素部分係由該金氧半電晶體所形成的情形。再者， 在薄膜電晶體被使用的情形中，可以使用一上閘極型薄膜 電晶體或是一下閘極型薄膜電晶體。 在這方面，本具體實施例之架構可以藉由第一具體實 施例至第五具體實施例中之任何架構而加以實現。 【第八具體實施例】 本具體實施例中，像素部分中的像素之結構與圖1 B不 同之情形將被描述。在此，圖11 B之描述可以參照圖1 B中 具有相同參考符號的部分。 圖11A所示之架構之特徵在於：一抹除薄膜電晶體11〇1 被設置於一交換薄膜電晶體113與電流控制薄膜電晶體114 的閘極之間。該抹除薄膜電晶體Π01係爲一用來強迫地將 被施加於該電流控制薄膜電晶體114之閘極電壓轉換成零的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39 - I---.--U--1¾衣------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 497274 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ ____ B7_____五、發明説明（37) 薄膜電晶體。該抹除薄膜電晶體1101之源極與汲極之一者 被連接至該電流控制薄膜電晶體114的閘極，另一者被連接 至電流供給線11 8，而且其閘極被連接至一即將成爲該抹除 薄膜電晶體1101之閘極的連線（抹除閘極線）1102。 此外，圖11 B所示之架構係爲一爲人熟知的架構，其中 一第一薄膜電晶體1103、一第二薄膜電晶體1104、一第三薄 膜電晶體1105、一第四薄膜電晶體1106、一第一電容器11〇7 、以及一第二電容器1108被提供。再者，更提供有一資料 線11 09、一第一閘極線111 〇、一第二閘極線1111、一第三閘 極線111 2、以及一電流供給線111 3，如圖11 B所示，以傳輸 訊號至個別的薄膜電晶體。 複數個具有圖11A與11B所示之電路架構的像素可以被 形成於根據本發明之發光模組的像素部分中。此外，圖11A 與11B所示之電路架構僅爲簡單的範例。在此，薄膜電晶體 被使用來作爲主動元件，而該像素部分可以由金氧半電晶 體所形成。再者，可以使用一上閘極型薄膜電晶體或是一 下閘極型薄膜電晶體。 在這方面，本具體實施例之架構可以藉由第一具體實 施例至第七具體實施例中之任何架構而加以實現。 【第九具體實施例】 根據本具體實施例之發光模組中，可以藉由爲人熟知 的分離驅動方法（split driving method)使操作頻率降低’ 以驅動一資料訊號側驅動電路。該分離驅動方法係爲一種 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -40- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .装· 訂 497274 Α7 Β7 五、發明説明（38) 用來降低操作頻率的驅動方法，其藉由以點順序型驅動方 法（dot sequential type driving method)在進行驅動方法的 同時在複數個像素中寫入一資料訊號。 在這種情形中，藉由η次分離的分離驅動需要η個資 料訊號（視頻訊號）。一資料訊號被寫入於具有移位暫存 器之輸出時脈的同步性之η個像素的區塊中。依此方式， 該資料訊號側驅動電路的操作頻率可以被減少至1/η。 此外，可以在具有移位暫存器之輸出時脈的同步性之 每η個像素寫入一資料訊號。此外在此情形中，該資料訊 號側驅動電路的操作頻率可以被減少至1/η。 在這方面，本具體實施例之架構可以藉由第一具體實 施例至第七具體實施例中之任何架構而加以實現。 【第十具體實施例】 在本具體實施例中，在用來保護電致發光元件之密封 製程之後之根據本發明的發光模組將參照圖12Α與12Β而被 描述。在此，本具體實施例之密封結構可以被應用於第一 具體實施例至第四具體實施例中所示之任何結構。圖4所示 之參考符號將被參考，如有需要的話。 圖12Α係爲一平面圖，以顯示製程已經進行到該電致發 光元件之密封步驟的狀態’而且圖1 2Β係爲沿著圖1 2Α之 Α-Α，線所取的橫截面圖。虛線所示之部份1200係爲一像素部 分，部份1 2 0 1係爲一源極訊號側驅動電路’部份1 2 0 2係爲一 閘極訊號側驅動電路’而且部份1 203係爲一感應器部分。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2ΐ〇χ297公釐） -41 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497274 A7 B7 五、發明説明（39) 此外，參考數字1204代表一覆蓋構件，1205代表一第一密封 構件，而且1206代表一第二密封構件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，參考數字1207代表一帶式自動接合帶（TAB tape )以作爲一外部輸入端，其自一外部驅動電路與一校正電 路接收一視頻訊號或一時脈訊號。在此，僅有顯示該TAB 帶’而該TAB帶可以與一印刷連線板（PWB )被提供或者 爲一TCP。 接著，該橫截面結構將參照圖1 2B被加以描述。在一絕 緣基體400上係形成有一像素部分1200、一源極訊號側驅動 電路1201以及一感應器部分1 203。該像素部分1 200包括複數 個像素，其每一者包括一電流控制薄膜電晶體456以及被連 接至該電流控制薄膜電晶體456的汲極之一像素電極423。 再者，該源極訊號側驅動電路1 20 1的源極包括一由η通道 薄膜電晶體453與ρ通道薄膜電晶體454所構成之互補式金 氧半電路。再者，該感應器部分1 203包括一連接至一重置 薄膜電晶體451之光二極體452。在此，一極化板（典型地 ，一圓形極化板）可以被設置於該絕緣基體400。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該像素電極423之功用係作爲電致發光元件之陽極。此 外，岸面424被形成於該像素電極423的兩端，而且一電致 發光元件之電致發光層425與陰極426被形成於該像素電極 423上。該陰極426之功用係作爲所有像素共用之連線，並 且最後被電連接至一 TAB帶1207。此外，該像素部分1200 內所包括之所有元件、該源極訊號側驅動電路1201以及該 感應器部分1 203被一保護薄膜427所覆蓋。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _犯_ 497274 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（40) 再者，該覆蓋構件1204與該第一密封構件1 205被設置於 該絕緣基體400。在此，可形成一空間以確保該覆蓋構件 1204與該電致發光元件之間的空隙。一空間1 208被形成於該 第一密封構件1 205之內。在此，較佳者，該第一密封構件 1 205係由不允許濕氣或氧通過的材料所構成。再者，較佳 者，具有吸收濕氣或避免氧化的效用之基板係被設置於該 空間1208中。 在這方面，較佳者，具有厚度爲2nm至30nm的碳薄膜 (特別是一種類鑽石碳薄膜）1 209a與1 209b被形成以作爲 該覆蓋構件1204之上表面與下表面上之保護薄膜。這種碳 薄膜避免氧與水氣進入並且機械性地保護該覆蓋構件1204 之表面。 再者，在該覆蓋構件1204被黏合之後，一第二密封構 件1 206被形成，使得其覆蓋該第一密封構件1 205之暴露表面 。該第二密封構件1 206可以用相同於該第一密封構件1 205的 材料而被形成。 藉由以上述之結構密封電致發光元件，該電致發光元 件可以完全地與外界隔離，以避免該電致發光層因從外部 進入的水氣或氧的氧化而退化。因此，如此可以提供具有 高穩定度的發光裝置。 如圖1 2A與1 2B所示，具有被形成於相同的絕緣基體上 並且被提供有一 TAB帶之一像素部分、一驅動電路、一感 應器部分的發光模組被稱作本專利說明書之內建驅動電路 型發光模組。 I------.--1¾衣------、玎------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -43- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497274 A7 B7 五、發明説明（41) 【第十一具體實施例】 在第十具體實施例中’圖12A與12B中所示之內建驅動 電路型發光模組係爲一種像素部分與驅動電路被整合地形 成於相同基體的範例，但是該驅動電路可以被提供以作爲 一外部積體電路（1C )。在這種情形中，其結構將被顯示 於圖13A。 在圖13A所示之模組中，一 TAB帶14被黏合至一基板 (主動矩陣基板）10 (其包括一像素部分1 1、連線12a與 12b、以及一感應器部分13)，在其上方，一包括一薄膜電 晶體與一電致發光元件之像素部分被形成，而且一印刷連 線板15透過該TAB帶14被連接至該基板10。在此，該印刷 連線板15之電路方塊圖被繪示於圖13B中。 如圖13B所示，至少有輸入/輸出璋（亦被稱爲輸入/ 輸出部分）1 6與1 9、一源極訊號側驅動電路1 7、一閘極訊 號側驅動電路18以及一功用爲一校正電路20之1C被結合於 該印刷連線板15上。 如上所述，具有下述之架構的模組在本發明說明書中 被稱作一外部驅動電路型之發光模組，在該架構中，具有 被形成於相同絕緣基體上之一像素部分與一感應器部分的 基板被提供有一 TAB帶’而且一功用爲驅動電路之印刷連 線板透過該TAB帶而被提供。 再者，在圖14A所示之模組中，一內建驅動電路型發光 模組3 0 (包括一像素部分3 1、一源極訊號側驅動電路3 2、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐] =44: -----.--.---1------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 497274 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（42) 一閘極訊號側驅動電路3 3、連線3 2a與3 3a、一感應器部分 34、以及一 TAB帶35 )透過該TAB帶35被提供有一印刷連 線板3 6。在此，該印刷連線板3 6之電路方塊圖被繪示於圖 14B 中。 如圖14B所示，至少有輸入/輸出埠37與40、一控制部 分38、以及一功用爲一記憶體部分39之1C被提供於該印刷 連線板36中。在此，該記憶體部分39之功用爲圖2或圖3所 示之校正記憶體，而且發光度係由包括於該控制部分38中 的校正電路所調整。此外，該控制部分38可以控制各種訊 號，諸如被傳送至驅動電路的訊號或時脈訊號。 如上所述，具有下述之架構的模組被稱作一外部控制 器型之發光模組，在該架構中，具有被形成於相同絕緣基 體上之一像素部分、一驅動電路與一感應器部分之內建驅 動電路型發光模組被提供有一功用爲控制器之印刷連線板 〇 【第十二具體實施例】 藉由使用本發明所形成之發光模組被應用於各種電子 裝置’而且一像素部分被使用來作爲影像顯示器部分。根 據本發明之電子裝置包括視訊攝影機、數位相機、套頭式 顯示器、導航系統、聲音重生裝置（汽車音響、音響設備）、 筆記型個人電腦、遊戲裝置、可攜式裝置（行動電腦、行 動電話、行動遊戲裝置、或電子書）、以及包括紀錄媒介（ 特別是數位影音光碟機）之影像重生裝置。圖15A至16B係 I----.--·---裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -45- 497274 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 7 ______ B7 五、發明説明（43) 爲使用這種電子設備之若干範例。 圖15A繪示一種電致發光顯示器，其包括一外殼2001、 一支撐桌面2002、一顯示器部分2003。根據本發明之發光模 組係應用於該顯示器部分2003。藉由使用本發明之發光模 組，可以改善電致發光元件之可視度並且降低功率損耗。 圖15B繪示一種視訊攝影機，其包括一主機2101、一顯 示器部分2102、一語音輸入部分2103、一操作開關2104、一 電池2105與一影像接收部分2106。本發明之發光模組可被用 來作爲顯示器部分2102。 圖15C繪示一種數位相機，其包括一主機2201、一顯示 器部分2202、一目鏡部分2203、以及一操作開關2204。本發 明之發光模組可被用來作爲顯示器部分2202。 圖15D繪示一種影像重生裝置，其包括一紀錄媒介（尤 其是DVD重生裝置），其包括一主機23 0 1、一紀錄媒介（ CD、LD、或DVD ) 2302、一操作開關2303、一顯示器部分 (a) 2304與另一顯示器部分（b) 2305。該顯示器部分（a )2304主要係用來作爲顯示影像資訊，而顯示器部分 (b)23 05主要係用來作爲顯示字幕資訊。本發明之發光模組 可被用來作爲顯示器部分（a) 2304與顯示器部分（b) 2305 。在此，該影像重生裝置提供有包括一 CD重生裝置、一遊 戲裝置與類似者之紀錄媒介。 圖15E繪示一種可攜式電腦，其包括一主機2401、一顯 不器部分2402、一影像接收部分2403、一操作開關2404、以 及一記憶體插槽2405。本發明之發光模組可被用來作爲顯 -----.--.--1^------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -46- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497274 A7 _ _ B7 _ 五、發明説明（44) 示器部分2402。此可攜式電腦可以紀錄資訊於一紀錄媒介 ，其中快閃記憶體與非揮發性記憶體被積體化而且可以重 新產生資訊。 圖15F繪示一種個人電腦，其包括一主機2501、一外殻 25 02、一顯示器部分2503、與一鍵盤2504。本發明之發光模 組可被用來作爲該顯示器部分2503。 此外，上述之電子裝置透過電子通訊連線，如網路、 CATV ( cable TV)與類似者顯示資訊的情形正在增加，尤 其是，這些電子裝置用來顯示動畫的場合正在增加。在使 用電致發光元件的發光模組被用來作爲顯示器裝置的情形 中，可以在沒有延遲的情形下顯示動態畫面，因爲該電致 發光材料具有高反應速度。 再者，由於該發光模組中的之發光部分消耗功率，因 此較佳者，必須以發光部分盡量小的方式顯示資訊。據此 ，在發光模組使用於一種主要用來顯示字幕資訊的顯示器 部分，例如一可攜式資訊終端機的顯示器部分，特別是， 行動電話、聲音重生裝置或類似者的情形中，較佳者，該 發光模組之驅動方式使得該字幕資訊藉由一發光部分被形 成，而以非發光部分爲背景。 在此，圖16A繪示一可攜式電話，其包括一主要操作部 分2601、一資訊顯示部分2602，其以一連接部份2603被連接 至該主要操作部分2601。此外，該主要操作部分2601被提供 有一語音輸入部分2604與一操作開關2605，而且該資訊顯示 部分2602係提供有一語音輸出部分2606與一顯示器部分2607 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -47- I----』--^---餐------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 497274 A7 B7 ______ 五、發明説明（45) 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明之發光模組可被用來作爲該顯示器部分 2607。在這方面，在發光模組可被用來作爲該顯示器部分 2 6 0 7的情形中，在黑色背景上顯示白色字幕可以減少可攜 式電話的功率損耗。 在圖1 6 A所示之可攜式電話的情形中，亦可以使用該可 攜式電話以作爲認證系統終端器’以藉由讀取其指紋或手 掌來認證使用者，其藉由建立一由使用來作爲顯示器部分 2604之發光模組中的CMOS電路（CMOS感應器）所構成的 感應器。再者，亦可以讀取室外的亮度（照度）並且發出 光線，以使資訊被顯示於一固定對比中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，可以藉由在該操作開關2605被使用時降低該顯 示器部分2604之發光度以及在該操作開關的使用結束之後 增加發光度，來減少可攜式電話的功率損耗。再者，可以 藉由在接收到一訊號時增加該顯示器部分2604之發光度以 及在進行電話通話時降低發光度，來減少可攜式電話的功 率損耗。更在者，可以藉由在連續使用時藉由時序控制來 提供關閉該顯示器的功能，以減少可攜式電話的功率損耗 。在此，這些功能可以用手動方式控制。 此外，圖16B繪示一種聲音重生裝置，亦即汽車音響設 備，其包括一外殼2701、一顯示器部分2702、操作開關2703 與2704。本發明之發光模組係被應用於該顯示器部分2702。 儘管附合式汽車音響設備係描述於本具體實施例中，本發 明亦適用於其他可攜式或固定式之汽車音響設備。在這方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) .48 - 497274 A7 B7 五、發明説明（46) I---------澤-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 面’在發光模組可被用來作爲該顯示器部分2704的情形中 ’在黑色背景上顯示白色字幕可以減少可攜式電話的功率 損耗。 如上所述，本發明可被廣泛地應用於各種領域之電子 裝置。因此，可以改善電子裝置之顯示器部分的可視度並 且減少功率損耗，其係藉由使用在光亮與黑暗環境中具有 良好可視度並且在黑暗環境中可以減少功率損耗的發光模 組。此外，包括第一具體實施例至第十一具體實施例中之 任何架構之發光模組可以被應用於本具體實施例之電子裝 置。 【發明之效用】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明，環境照度係由一被提供於發光裝置中的 感應器部分所感應出來，而且獲得正確發光度所需要之電 致發光元件的正確發光度以及校正訊號藉由一以感應器部 分之輸出訊號爲基礎的校正電路所計算。接著，流經該電 致發光元件的電流量係以校正電路爲基礎來校正，以保持 電致發光元件之發光度對於環境照度之比値於一固定値。 結果，根據本發明，可以獲得一種在光亮與黑暗環境 中具有良好可視度並且在黑暗環境中可以減少功率損耗的 發光模組。因此，使用這種根據本發明之發光模組的電子 裝置可以在顯示器部分具有極佳可視度，並且減低功率損 耗。 本發明之圖式與描述以較佳實施例說明如上，僅用於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _斗9 _ 497274 Β7 五、發明説明（47) 藉以幫助了解本發明之實施，非用以限定本發明之精神， 而熟悉此領域技藝者於領悟本發明之精神後，在不脫離本 發明之精神範圍內，當可作些許更動潤飾及同等之變化替 換，其專利保護範圍當視後附之申請專利範圍及其等同領 域而定。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -50- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497274 A8 B8 C8 D8 7T、申請專利範圍 1. 一種發光模組，包括：用來根據由一感應器部份所感 應之環境照度，以調整一發光元件之發光度，並且保持該 發光度對於該環境照度之比値於一固定値的構件。 2. —種發光模組，包括： 一發光裝置，其包括形成於相同絕緣基體之一像素部 分與一感應器部分； 一校正電路，其被連接至該發光裝置；以及 用來根據由該感應器部分所感應之環境照度，以調整 該像素部份之一發光元件之發光度，並且藉由該校正電路 ，保持該發光度對於該環境照度之比値於一固定値的構件 〇 3. 如申請專利範圍第1項之發光模組，其中該感應器部 分包括一薄膜光二極體。 4. 如申請專利範圍第2項之發光模組，其中該感應器部 分包括一薄膜光二極體。 5. —種發光模組，包括： 一發光裝置，其包括形成於相同絕緣基體之一像素部 分與一感應器部分；以及 一校正電路，其被連接至該發光裝置； 其中該像素部分包括一薄膜發光元件；以及 其中該感應器部分包括一薄膜光二極體。 6. —種發光模組，包括： 一發光裝置，其包括形成於相同絕緣基體之一像素部 分、一驅動電路與一感應器部分；以及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) :51 ·、 一 '~ 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497274 A8 B8 C8 ^__ D8 __ 六、申請專利範圍 一校正電路，其被連接至該發光裝置； 其中該像素部分包括一薄膜發光元件；以及 其中該感應器部分包括一薄膜光二極體。 7.如申請專利範圍第2項之發光模組，其中該校正電路 包括一算術電路，以根據從該感應器部分所傳送之一訊號 ’計算該發光元件的發光度。 8·如申請專利範圍第5項之發光模組，其中該校正電路 包括一算術電路，以根據從該感應器部分所傳送之一訊號 ’計算該發光元件的發光度。’ 9.如申請專利範圍第6項之發光模組，其中該校正電路 包括一算術電路，以根據從該感應器部分所傳送之一訊號 ’計算該發光元件的發光度。 1 0.如申請專利範圍第3項之發光模組，其中該發光元件 與該薄膜光二極體係被電連接至一電晶體。 11.如申請專利範圍第4項之發光模其中該發光元件 與該薄膜光二極體係被電連接至一電晶體。 12·如申請專利範圍第5項之發光模組，其中該發光元件 與該薄膜光二極體係被電連接至一電晶體。 13·如申請專利範圍第6項之發光模組，其中該發光元件 與該薄膜光二極體係被電連接至一電晶體。‘ 14·如申請專利範圍第1〇項之發光模組，其中該電晶體 係爲一下閘極型（bottom gate type )薄膜電晶體。 15.如申請專利範圍第11項之發光模組，其中該電晶體 係爲一下聞極型（bottom gate type)薄膜電晶體。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 52 - -------.---^------1T------# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497274 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 6·如申請專利範圍第丨2項之發光模組，其中該電晶體 係爲一下閘極型（bottom gate type )薄膜電晶體。 17·如申請專利範圍第13項之發光模組，其中該電晶體 係爲一下聞極型（bottom gate type )薄膜電晶體。 18·如申請專利範圍第1項之發光模組，其中該發光元件 係爲一電致發光元件。 19·如申請專利範圍第2項之發光模組，其中該發光元件 係爲一電致發光元件。 20·如申請專利範圍第5項之發光模組，其中該發光元件 係爲一電致發光元件。 21.如申請專利範圍第6項之發光模組，其中該發光元件 係爲一電致發光元件。 22·如申請專利範圍第1項之發光模組，其中該發光模組 係被包括於一可攜式電話、一視訊攝影機、一數位照相機 、一電腦、以及一可攜式電話中之一者p 23. 如申請專利範圍第2項之發光模組，其中該發光模組 係被包括於一可攜式電話、一視訊攝影機、一數位照相機 、一電腦、以及一可攜式電話中之一者。 24. 如申請專利範圍第5項之發光模組，其中該發光模組 係被包括於一可攜式電話、一視訊攝影機、一數位照相機 、一電腦、以及一可攜式電話中之一者。 25·如申請專利範圍第6項之發光模組，其中該發光模組 係被包括於一可攜式電話、一視訊攝影機、一數位照相機 、一電腦、以及一可攜式電話中之一者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -53 - 裝 訂 "線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 497274 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 26·如申請專利範圍第1項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、一重置薄膜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電晶體、一緩衝薄膜電晶體、以及一固定電流薄膜電晶體 〇 27. 如申請專利範圍第2項之發光模組，，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、一重置薄膜 電晶體、一緩衝薄膜電晶體、以及一固定電流薄膜電晶體 〇 28. 如申請專利範圍第5項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、一重置薄膜 電晶體、一緩衝薄膜電晶體、以及一固定電流薄膜電晶體 〇 29. 如申請專利範圍第6項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、一重置薄膜 電晶體、一緩衝薄膜電晶體、以及一固定電流薄膜電晶體 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 0.如申請專利範圍第1項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、一第一重置 薄膜電晶體、一緩衝薄膜電晶體、一負載電容、以及一第 二重置薄膜電晶體。 31.如申請專利範圍第2項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、一第一重置 薄膜電晶體、一緩衝薄膜電晶體、一負載電容、以及一第 二重置薄膜電晶體。 - 54- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 497274 A8 B8 §_______ 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 32·如申請專利範圍第5項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、一第一重置 胃膜電晶體、一緩衝薄膜電晶體、一負載電容、以及一第 二重置薄膜電晶體。 33. 如申請專利範圍第6項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、一第一重置 薄膜電晶體、一緩衝薄膜電晶體、一負載電容、以及一第 二重置薄膜電晶體。 34. 如申請專利範圍第丨項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、一重置薄膜 電晶體、一緩衝薄膜電晶體、以及一負載電阻或一負載電 容。 35. 如申請專利範圍第2項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二.極體、一重置薄膜 電晶體、一緩衝薄膜電晶體、以及一負載電阻或一負載電 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 6.如申請專利範圍第5項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、一重置薄膜 電晶體、一緩衝薄膜電晶體、以及一負載電阻或一負載電 容。 37.如申請專利範圍第6項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、一重置薄膜 電晶體、一緩衝薄膜電晶體、以及一負載電阻或一負載電 容。 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .55 - ' " 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497274 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 38. 如申請專利範圍第1項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、以及一重置 薄膜電晶體。 39. 如申請專利範圍第2項之發光模砠，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、以及一重置 薄膜電晶體。 40. 如申請專利J範圍第5項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、以及一重置 薄膜電晶體。 41. 如申請專利範圍第6項之發光模組，其中該感應器部 分包括至少一光感應器，其包括一光二極體、以及一重置 薄膜電晶體。 42. —種用來驅動一發光模組的方法，該方法包括以下 步驟： ’、 根據由一感應器部分所感應之環境照度以調整一發光 元件之發光度；以及 保持該發光度對於該環境照度之比値於一固定値。 43. —種用來驅動一發光模組的方法，該發光模組包括 :一發光裝置，其包括形成於相同絕緣基體之一像素部分 與一感應器部分，以及一校正電路.，其被連接至該發光裝 置；該方法包括以下步驟： 根據由該感應器部分所感應之環境照度以調整該像素 部分之發光元件的發光度；以及 藉由一校正電路，保持該發光度對於該環境照度之比 本矣氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ ~~ ----i--·---^------訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 497274 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 値於一固定値。 44·一種電子裝置.，其包括至少一電致發光顯示裝置， 該顯示裝置包括： 一基板； 至少一像素，其包括一電致發光元件； 至少一第一薄膜電晶體被設置於該像素，係用來選擇 該像素； 至少一第二薄膜電晶體被設置於該像素，係用來透過 該電致發光元件供給一電流； 一資料訊號側驅動電路，係用來供給一資料訊號至該 像素； 一閘極訊號側驅動電路，其被電連接至該第一薄膜電 晶體之一閘極電極，其中該資料訊號側，驅動電路與該閘極 訊號側驅動電路之每一者包括形成於該基板上方之第三薄 膜電晶體；以及 一像素部分，係用來感應形成於該基板上方之一環境 的光強度，其中該感應器包括一光二極體以及至少一第四 薄膜電晶體； 一校正電路，係用來從該感應器部分接收一輸出訊號 ，並且根據該輸出訊號，以校正該電致發光元件的發光度 〇 45·如申請專利範圍第44項之電子裝置，其中該校正電 路被提供於該基板上。 46·如申請專利範圍第44項之電子裝置，其中該電子裝 i f ^----^--.---¾------訂---------------r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一 57 497274 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 置係爲一可攜式電話、一視訊攝影機、一數位照相機、一 電腦、以及一可攜式電話中之一者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f -裝_ 、1T 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -58-
TW090113694A 2000-06-12 2001-06-06 Light emitting module and method of driving the same, and optical sensor TW497274B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000176168 2000-06-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW497274B true TW497274B (en) 2002-08-01

Family

ID=18677922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090113694A TW497274B (en) 2000-06-12 2001-06-06 Light emitting module and method of driving the same, and optical sensor

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7068246B2 (zh)
EP (1) EP1164641B1 (zh)
JP (2) JP2002072963A (zh)
KR (2) KR100846610B1 (zh)
CN (2) CN1251333C (zh)
DE (1) DE60141371D1 (zh)
TW (1) TW497274B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8389997B2 (en) 2002-12-13 2013-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US11844236B2 (en) 2019-07-12 2023-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device

Families Citing this family (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI252592B (en) * 2000-01-17 2006-04-01 Semiconductor Energy Lab EL display device
US6995753B2 (en) * 2000-06-06 2006-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
JP2002072963A (ja) * 2000-06-12 2002-03-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ
JP4703883B2 (ja) 2001-04-09 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US20030191693A1 (en) 2002-04-08 2003-10-09 Itamar Aphek System and method for conducting an advertising business
US7351605B2 (en) 2001-04-09 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP2003045874A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 金属配線およびその作製方法、並びに金属配線基板およびその作製方法
JPWO2003081567A1 (ja) * 2002-03-27 2005-07-28 三洋電機株式会社 表示装置、携帯端末、および携帯端末における輝度制御方法
JP2003302938A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Tohoku Pioneer Corp 発光表示パネルの駆動装置
TWI269248B (en) 2002-05-13 2006-12-21 Semiconductor Energy Lab Display device
EP1376697A1 (en) 2002-06-17 2004-01-02 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA Integrated-optical microsystem based on organic semiconductors
JP4227770B2 (ja) * 2002-07-10 2009-02-18 シャープ株式会社 表示装置およびそれを備えた画像読み取り／表示システム
KR100480174B1 (ko) * 2002-08-23 2005-04-06 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치 및 그의 제조 방법
JP2004145278A (ja) * 2002-08-30 2004-05-20 Seiko Epson Corp 電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
CN102610189B (zh) 2002-10-31 2015-02-18 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其控制方法
KR100565591B1 (ko) * 2003-01-17 2006-03-30 엘지전자 주식회사 자체 발광 소자의 구동방법
KR20050107815A (ko) 2003-03-20 2005-11-15 료타로 오지마 투명한 유기 이엘 디스플레이를 이용한 광고 정보 제공시스템 및 이것을 이용한 광고 정보 제공 방법 및 기록매체
JP2005070740A (ja) * 2003-03-20 2005-03-17 Ryotaro Oshima 透明な有機ｅｌディスプレイを用いた広告情報提供システム及びこれを用いた広告情報提供方法及び記録媒体。
JP4767013B2 (ja) * 2003-03-26 2011-09-07 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
TW572302U (en) * 2003-04-08 2004-01-11 Richtek Technology Corp Energy-saving type auto-contrast compensation device of OLED
US7026597B2 (en) * 2003-04-09 2006-04-11 Eastman Kodak Company OLED display with integrated elongated photosensor
JP4152797B2 (ja) 2003-04-14 2008-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置
JP2004354684A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Tohoku Pioneer Corp 自発光型表示装置
US7557779B2 (en) 2003-06-13 2009-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2005017438A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Tohoku Pioneer Corp 発光表示パネルの駆動装置および駆動方法
JP2005017566A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置およびその制御方法
JP2005043672A (ja) 2003-07-22 2005-02-17 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd アレイ基板およびその製造方法
US6870323B1 (en) * 2003-10-02 2005-03-22 Eastman Kodak Company Color display with white light emitting elements
EP1523043B1 (en) * 2003-10-06 2011-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical sensor and method for manufacturing the same
KR100957585B1 (ko) * 2003-10-15 2010-05-13 삼성전자주식회사 광 감지부를 갖는 전자 디스플레이 장치
US20070171157A1 (en) * 2003-10-15 2007-07-26 Samsung Electronics Co., Ltd Display apparatus having photo sensor
US7038259B2 (en) * 2003-10-22 2006-05-02 Micron Technology, Inc. Dual capacitor structure for imagers and method of formation
US20050104821A1 (en) * 2003-11-14 2005-05-19 Nokia Corporation Display arrangement
US7652654B2 (en) * 2003-12-08 2010-01-26 Sony Corporation Liquid crystal display and backlight adjusting method
US7358530B2 (en) * 2003-12-12 2008-04-15 Palo Alto Research Center Incorporated Thin-film transistor array with ring geometry
KR100833951B1 (ko) * 2003-12-13 2008-05-30 삼성전자주식회사 디스플레이장치 및 그 제어방법
KR100591548B1 (ko) * 2003-12-30 2006-06-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자
EP1560153A3 (en) * 2004-01-29 2011-06-22 Seiko Epson Corporation Optical head
GB0406107D0 (en) * 2004-03-17 2004-04-21 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices
JP2005308857A (ja) 2004-04-19 2005-11-04 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法
JP2006030318A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
KR100669720B1 (ko) * 2004-08-06 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
JP4744828B2 (ja) * 2004-08-26 2011-08-10 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
JP4667079B2 (ja) * 2005-03-07 2011-04-06 シャープ株式会社 表示装置
JP4621734B2 (ja) * 2005-04-28 2011-01-26 シャープ株式会社 表示装置およびこれを備えた電子機器
TWI304199B (en) * 2005-08-02 2008-12-11 Chi Mei El Corp Flat panel display, display driving apparatus thereof and shift register thereof
US7986287B2 (en) 2005-08-26 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving the same
US8477125B2 (en) * 2005-12-21 2013-07-02 Samsung Display Co., Ltd. Photo sensor and organic light-emitting display using the same
KR100821070B1 (ko) * 2006-11-07 2008-04-08 삼성에스디아이 주식회사 포토 다이오드 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
EP1804229B1 (en) * 2005-12-28 2016-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for inspecting the same
KR101367139B1 (ko) * 2006-02-06 2014-02-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그 제조방법
EP1816681A3 (en) * 2006-02-06 2012-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
KR100746783B1 (ko) * 2006-02-28 2007-08-06 엘지전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN2922026Y (zh) * 2006-04-29 2007-07-11 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管显示器
EP1863105B1 (en) 2006-06-02 2020-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
FR2903224A1 (fr) * 2006-06-30 2008-01-04 Thomson Licensing Sa Dispositif d'affichage et utilisations de celui-ci.
KR100769432B1 (ko) * 2006-07-04 2007-10-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조 방법
TW200804900A (en) * 2006-07-07 2008-01-16 Innolux Display Corp Liquid crystal display device
KR100796657B1 (ko) * 2006-08-10 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 풀 컬러 유기 발광 표시장치 및 이의 구동 방법
TWI442368B (zh) * 2006-10-26 2014-06-21 Semiconductor Energy Lab 電子裝置，顯示裝置，和半導體裝置，以及其驅動方法
KR101315375B1 (ko) * 2006-11-08 2013-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2008122659A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Seiko Epson Corp 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに電子機器
KR100848337B1 (ko) * 2006-12-19 2008-07-25 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치
JP2008158285A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Canon Inc 画像表示装置
JP5259132B2 (ja) 2006-12-27 2013-08-07 三星ディスプレイ株式會社 周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置
JP4959449B2 (ja) 2006-12-27 2012-06-20 三星モバイルディスプレイ株式會社 周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置
DE102007001742A1 (de) * 2007-01-11 2008-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung
US8207589B2 (en) 2007-02-15 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device, and method for manufacturing photoelectric conversion device
KR100837779B1 (ko) * 2007-02-21 2008-06-13 리디스 테크놀로지 인코포레이티드 디스플레이 표시장치 및 그의 구동방법
TWI361019B (en) * 2007-05-22 2012-03-21 Chimei Innolux Corp System for displaying images including active-matr
JP4925929B2 (ja) * 2007-06-07 2012-05-09 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
KR100840099B1 (ko) * 2007-07-04 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 포토 다이어드를 구비한 유기전계발광 소자의 제조 방법
KR100840098B1 (ko) 2007-07-04 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조 방법
US20090020838A1 (en) 2007-07-17 2009-01-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for reducing optical cross-talk in image sensors
DE102007034782A1 (de) * 2007-07-25 2009-01-29 Atmel Germany Gmbh Halbleiterbauelement, Beleuchtungseinrichtung für Matrixbildschirme und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
TWI353063B (en) 2007-07-27 2011-11-21 Au Optronics Corp Photo detector and method for fabricating the same
KR100882693B1 (ko) * 2007-09-14 2009-02-06 삼성모바일디스플레이주식회사 발광표시장치 및 그의 제조방법
US7960682B2 (en) * 2007-12-13 2011-06-14 Apple Inc. Display device control based on integrated ambient light detection and lighting source characteristics
CN101960603A (zh) * 2008-01-08 2011-01-26 莫克斯特尼克公司 高性能异质结构发光装置及方法
US9570004B1 (en) * 2008-03-16 2017-02-14 Nongqiang Fan Method of driving pixel element in active matrix display
EP2151811A3 (en) 2008-08-08 2010-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device and electronic device
JP5451036B2 (ja) * 2008-11-21 2014-03-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR101002663B1 (ko) * 2008-12-11 2010-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101002659B1 (ko) * 2008-12-23 2010-12-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101015851B1 (ko) * 2009-02-09 2011-02-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101022651B1 (ko) * 2009-02-11 2011-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 광센서, 광센서를 포함하는 광센서 장치, 및 이를 포함하는디스플레이 장치
JP4516625B1 (ja) * 2009-08-11 2010-08-04 正幸 安部 電子装置
KR101074815B1 (ko) * 2010-03-16 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 디스플레이 장치
KR101426515B1 (ko) 2010-09-15 2014-08-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8922464B2 (en) 2011-05-11 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device and driving method thereof
US8710505B2 (en) 2011-08-05 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2013080261A1 (ja) 2011-11-30 2013-06-06 パナソニック株式会社 表示パネル及び表示パネルの製造方法
JPWO2013080261A1 (ja) * 2011-11-30 2015-04-27 パナソニック株式会社 表示パネル及び表示パネルの製造方法
US10043794B2 (en) 2012-03-22 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
DE102013201212A1 (de) 2013-01-25 2014-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Betrieb eines organischen optoelektronischen Bauelements
KR102147087B1 (ko) * 2013-12-13 2020-08-24 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI550836B (zh) * 2014-05-06 2016-09-21 友達光電股份有限公司 光偵測器及其製造方法
CN105788511B (zh) * 2014-12-22 2021-05-25 昆山国显光电有限公司 像素驱动电路及显示装置
CN104681655A (zh) * 2015-01-12 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种探测基板及其制备方法、探测器
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
CN105206634B (zh) * 2015-08-25 2018-10-16 南京剑桥新港科技发展有限公司 一种多样化有源像素生物传感探测系统
KR102380922B1 (ko) * 2015-09-11 2022-04-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
EP3389004A4 (en) * 2015-12-08 2018-12-26 Konica Minolta, Inc. Optical fingerprint authentication device
KR102536146B1 (ko) 2016-04-07 2023-05-24 삼성전자주식회사 디스플레이 장치, 이를 포함하는 전자 장치 및 이의 동작 방법
CN109244089B (zh) * 2017-07-10 2021-08-17 京东方科技集团股份有限公司 一种感测基板及其制作方法、显示装置
CN109390286B (zh) * 2017-08-09 2022-04-15 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板及其制造方法
KR102017866B1 (ko) * 2018-01-24 2019-09-03 연세대학교 산학협력단 이미지 센서 내장형 디스플레이
CN108767016B (zh) * 2018-05-21 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
CN109117733B (zh) * 2018-07-17 2020-06-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种指纹识别oled显示面板及显示装置
CN110071164B (zh) * 2019-05-07 2021-05-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其亮度调节方法、显示装置
DE112020002314T5 (de) * 2019-05-10 2022-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verbundgerät und Betriebsverfahren für elektronisches Gerät
WO2021069999A1 (ja) 2019-10-11 2021-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
KR20210094956A (ko) * 2020-01-22 2021-07-30 삼성전자주식회사 디스플레이를 포함하는 전자 장치 및 전자 장치의 동작 방법
US10957248B1 (en) * 2020-04-12 2021-03-23 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and mobile terminal
CN112562577A (zh) * 2020-11-19 2021-03-26 江苏玄博智能标识科技有限公司 一种标识牌智能控制系统及其控制方法
CN112736117B (zh) * 2020-12-23 2024-04-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
JPS61252589A (ja) * 1985-05-02 1986-11-10 日産自動車株式会社 Ｅｌ表示装置
JPS62125329A (ja) 1985-11-27 1987-06-06 Hosiden Electronics Co Ltd 透過形表示装置
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
JPH03245181A (ja) * 1990-02-23 1991-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 発光輝度の自動調整回路
US5073446A (en) 1990-07-26 1991-12-17 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing fused metal particle cathode
US5059862A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US5047687A (en) 1990-07-26 1991-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilized cathode
US5059861A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
US5061617A (en) 1990-12-07 1991-10-29 Eastman Kodak Company Process for the preparation of high chloride tabular grain emulsions
JPH04326849A (ja) 1991-04-26 1992-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd イメージセンサ
US5151629A (en) 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
JPH0588655A (ja) 1991-09-27 1993-04-09 Toshiba Corp 画面輝度制御装置
US5294869A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JPH05241512A (ja) 1992-02-28 1993-09-21 Matsushita Electric Works Ltd 表示装置
US5432015A (en) 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
US5302966A (en) 1992-06-02 1994-04-12 David Sarnoff Research Center, Inc. Active matrix electroluminescent display and method of operation
JP3526058B2 (ja) * 1992-08-19 2004-05-10 セイコーインスツルメンツ株式会社 光弁用半導体装置
JP2924506B2 (ja) * 1992-10-27 1999-07-26 日本電気株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造
US5285060A (en) 1992-12-15 1994-02-08 Donnelly Corporation Display for automatic rearview mirror
JP2752309B2 (ja) * 1993-01-19 1998-05-18 松下電器産業株式会社 表示装置
JPH06259030A (ja) * 1993-03-03 1994-09-16 Yazaki Corp 発光輝度自動調整装置
US5617112A (en) 1993-12-28 1997-04-01 Nec Corporation Display control device for controlling brightness of a display installed in a vehicular cabin
JP3366717B2 (ja) * 1994-01-17 2003-01-14 小糸工業株式会社 情報表示装置
US5510851A (en) 1994-03-29 1996-04-23 Radius Inc. Method and apparatus for dynamic purity correction
JPH07325549A (ja) * 1994-05-31 1995-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 文字表示装置
JP3254335B2 (ja) 1994-09-08 2002-02-04 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子の封止方法および有機ｅｌ素子
DE69524429T2 (de) 1994-09-08 2002-05-23 Idemitsu Kosan Co. Ltd., Tokio/Tokyo Verfahren zur abdichtung eines organischen elektrolumineszenten elements und organisches elektrolumineszentes element
EP0717445B1 (en) 1994-12-14 2009-06-24 Eastman Kodak Company An electroluminescent device having an organic electroluminescent layer
US5644327A (en) 1995-06-07 1997-07-01 David Sarnoff Research Center, Inc. Tessellated electroluminescent display having a multilayer ceramic substrate
US5760760A (en) 1995-07-17 1998-06-02 Dell Usa, L.P. Intelligent LCD brightness control system
US5702323A (en) 1995-07-26 1997-12-30 Poulton; Craig K. Electronic exercise enhancer
JPH0981070A (ja) * 1995-09-18 1997-03-28 Kokusai Electric Co Ltd Ｌｅｄ表示装置
JPH09146073A (ja) 1995-11-21 1997-06-06 Nec Corp 液晶表示装置のバックライト調光回路
US5956015A (en) 1995-12-18 1999-09-21 Ricoh Company, Ltd. Method and system for correcting color display based upon ambient light
US5831693A (en) 1996-02-22 1998-11-03 Honeywell Integrated light sensor for an active matrix liquid crystal display panel
JPH09304730A (ja) 1996-05-15 1997-11-28 Sony Corp 光学視覚装置
JP3435288B2 (ja) 1996-06-20 2003-08-11 ペンタックス株式会社 カメラシステム
US6271813B1 (en) 1996-08-30 2001-08-07 Lear Automotive Dearborn, Inc. Voltage control for adjusting the brightness of a screen display
KR100226548B1 (ko) 1996-12-24 1999-10-15 김영환 웨이퍼 습식 처리 장치
US5990629A (en) 1997-01-28 1999-11-23 Casio Computer Co., Ltd. Electroluminescent display device and a driving method thereof
US6005350A (en) 1997-02-24 1999-12-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electroluminescent driving apparatus with photodetector
JP3887826B2 (ja) 1997-03-12 2007-02-28 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JPH10282924A (ja) * 1997-04-02 1998-10-23 Rohm Co Ltd 発光表示装置
DE69837874T2 (de) * 1997-04-22 2008-02-07 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Flüssigkristallanzeige mit bildeinlesefunktion, bildeinleseverfahren und herstellungsverfahren
JPH10319910A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Tdk Corp 有機ｅｌディスプレイの駆動装置
TW382687B (en) 1997-05-24 2000-02-21 Ind Tech Res Inst Field emission display with automatic brightness adjustment to background
US6069598A (en) 1997-08-29 2000-05-30 Candescent Technologies Corporation Circuit and method for controlling the brightness of an FED device in response to a light sensor
JP4013293B2 (ja) * 1997-09-01 2007-11-28 セイコーエプソン株式会社 表示装置兼用型イメージセンサ装置及びアクティブマトリクス型表示装置
JPH1185059A (ja) * 1997-09-05 1999-03-30 Casio Comput Co Ltd 表示素子、表示素子の製造方法及び表示素子の駆動方法
JP4076248B2 (ja) 1997-09-09 2008-04-16 オリンパス株式会社 色再現装置
JP4183786B2 (ja) * 1997-10-17 2008-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6337675B1 (en) 1997-10-30 2002-01-08 Ut Automotive Dearborn, Inc Display system with automatic and manual brightness control
US6297791B1 (en) 1997-11-21 2001-10-02 Seiko Epson Corporation Adjustment method of display device
JP2994631B2 (ja) * 1997-12-10 1999-12-27 松下電器産業株式会社 Ｐｄｐ表示の駆動パルス制御装置
KR19990049744A (ko) * 1997-12-15 1999-07-05 김영환 Lcd 화면 밝기 자동조정장치 및 방법
JP3960630B2 (ja) 1998-02-06 2007-08-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機電界発光装置
JPH11271714A (ja) * 1998-03-24 1999-10-08 Toshiba Corp アレイ基板、液晶表示装置及びその駆動方法
WO1999053472A1 (en) * 1998-04-15 1999-10-21 Cambridge Display Technology Ltd. Display control device with modes for reduced power consumption
JP3985981B2 (ja) 1998-04-16 2007-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および表示装置補正システム
JPH11326954A (ja) * 1998-05-15 1999-11-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2000012215A (ja) 1998-06-25 2000-01-14 Shichizun Denshi:Kk Ｅｌ駆動回路システム
JP2000081608A (ja) * 1998-06-29 2000-03-21 Sanyo Electric Co Ltd 集光機構付液晶表示装置
US6417825B1 (en) 1998-09-29 2002-07-09 Sarnoff Corporation Analog active matrix emissive display
JP3716651B2 (ja) * 1998-10-20 2005-11-16 カシオ計算機株式会社 表示装置
JP2000147458A (ja) * 1998-11-12 2000-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
KR100317281B1 (ko) 1998-11-20 2002-01-15 구자홍 자체발광소자의구동방법
JP4566311B2 (ja) 1998-12-18 2010-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 ゴーグル型表示装置
JP3792950B2 (ja) 1999-07-15 2006-07-05 セイコーインスツル株式会社 有機ｅｌ表示装置、及び、有機ｅｌ素子の駆動方法
JP2001092412A (ja) 1999-09-17 2001-04-06 Pioneer Electronic Corp アクティブマトリクス型表示装置
US6392617B1 (en) * 1999-10-27 2002-05-21 Agilent Technologies, Inc. Active matrix light emitting diode display
TW480727B (en) * 2000-01-11 2002-03-21 Semiconductor Energy Laboratro Semiconductor display device
WO2001069583A1 (en) * 2000-03-14 2001-09-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent display device with luminance correction in dependence on age and ambient light
US6995753B2 (en) 2000-06-06 2006-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
JP2002072963A (ja) * 2000-06-12 2002-03-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ
TW512304B (en) 2000-06-13 2002-12-01 Semiconductor Energy Lab Display device
US7030551B2 (en) 2000-08-10 2006-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Area sensor and display apparatus provided with an area sensor
US7053874B2 (en) 2000-09-08 2006-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method thereof
US6774578B2 (en) 2000-09-19 2004-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light emitting device and method of driving thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8389997B2 (en) 2002-12-13 2013-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US11844236B2 (en) 2019-07-12 2023-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device

Also Published As

Publication number Publication date
US7515125B2 (en) 2009-04-07
EP1164641B1 (en) 2010-02-24
CN1835056A (zh) 2006-09-20
EP1164641A3 (en) 2007-03-28
CN1835056B (zh) 2010-05-26
EP1164641A2 (en) 2001-12-19
CN1329369A (zh) 2002-01-02
KR20060088082A (ko) 2006-08-03
JP2002072963A (ja) 2002-03-12
CN1251333C (zh) 2006-04-12
US20060132401A1 (en) 2006-06-22
US7068246B2 (en) 2006-06-27
US20020027229A1 (en) 2002-03-07
JP5331862B2 (ja) 2013-10-30
DE60141371D1 (de) 2010-04-08
KR100810456B1 (ko) 2008-03-07
JP2012058739A (ja) 2012-03-22
KR100846610B1 (ko) 2008-07-16
KR20010112630A (ko) 2001-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW497274B (en) Light emitting module and method of driving the same, and optical sensor
CN108780617B (zh) 显示装置
JP7476409B2 (ja) 表示装置
JP6838911B2 (ja) 半導体装置、表示装置、及び電子機器
US11899296B2 (en) Display device
EP4002480A1 (en) Display substrate, and display device
CN108074940B (zh) 光传感器和具有该光传感器的显示装置
JP4849821B2 (ja) 表示装置、電子機器
CN112567446B (zh) 显示装置及电子设备
US10141544B2 (en) Electroluminescent display device and manufacturing method thereof
JP2006091462A (ja) 表示装置
CN111837172A (zh) 显示装置以及电子设备
CN114783345A (zh) 像素驱动电路、显示模组及显示装置、智能手表
CN115769295A (zh) 显示装置及电子设备
JP5312435B2 (ja) 表示装置
US20240329698A1 (en) Angle adjustment device, support, and display device
JP2018054901A (ja) 表示システムおよび電子機器
KR20210085349A (ko) 표시 장치와 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees