KR101074815B1

KR101074815B1 - 평판 디스플레이 장치

Info

Publication number: KR101074815B1
Application number: KR1020100023396A
Authority: KR
Inventors: 안순성; 김도엽; 박성언; 남영희
Original assignee: 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date: 2010-03-16
Filing date: 2010-03-16
Publication date: 2011-10-19
Also published as: US20110227888A1; JP5623866B2; KR20110104315A; CN102194855A; EP2378352A2; JP2011191733A; EP2378352A3; CN102194855B; US8730163B2; EP2378352B1

Abstract

본 발명의 일 측면은 광량을 측정하여 평판 디스플레이 장치의 기울기를 산출할 수 있는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

평판 디스플레이 장치{Flat display device}

본 발명은 평판 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 서로 다른 광센서에 입사되는 광량의 차이를 이용하여 평판 디스플레이 장치의 기울어진 정도를 판정할 수 있는 평판 디스플레이 장치에 관한 것이다.

광 신호를 전기 신호로 변환하는 광센서(photosensor)는, 최근 광 산업과 반도체 산업의 발전으로 인하여 매우 다양한 기능을 제공할 수 있도록 개발되고 있다. 특히, 표시부를 구비하는 휴대 전화, 디지털 카메라, PDA(personal digital assistants) 등과 같은 모바일 기기, 및 LCD(liquid crystal display)와 OLED(organic light emitting device)와 같은 화상 디스플레이 장치에 내장된 광센서는, 디스플레이 장치에 터치 패널 기능을 부가하는 유력한 수단으로 이용되고 있다.

이와 같은 디스플레이 장치에 내장된 광센서는, 외장형 터치 패널 방식에 비하여 디스플레이 장치의 두께 증가, 공정의 복잡화, 및 개구율의 감소 등과 같은 문제를 해결할 수는 있는 장점이 있다. 그러나, 내장형 광센서의 일반적 구조인, 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 결정질 실리콘(crystalline silicon)에 기반한 P-I-N 접합형 다이오드의 경우, 선택 파장 대비 감도를 높일 수가 없고, 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘이 가진 고유 흡수 파장대 만을 이용하여야 하는 한계가 존재한다.

본 발명의 주된 목적은, 서로 다른 광센싱부에 입사되는 광량의 차이를 이용하여 평판 디스플레이 장치의 기울어진 정도를 산출할 수 있는 평판 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치는, 발광영역과 비발광영역으로 구획된 제1 기판과, 상기 발광영역 상에 배치되는 발광부와, 상기 발광부 상에 배치되는 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 합착시키는 접합부재를 갖는 평판 디스플레이 장치에 있어서, 상기 비발광영역에 배치되는 제1 센싱부 및 제2 센싱부를 구비하며, 상기 제1 센싱부와 상기 제2 센싱부에서 측정되는 광량의 비를 이용하여 상기 평판 디스플레이 장치의 기울기를 산출할 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 제1 센싱부는 제1 포토센서로 이루어지며, 상기 제2 센싱부는 제2 포토센서와 광차단부재로 이루어질 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 광차단부재는 상기 제2 포토센서의 적어도 일측부에 인접하여 배치될 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 광차단부재는 상기 제2 포토센서의 일측부와 접하도록 배치될 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 광차단부재의 높이는 상기 제2 포토센서의 높이 보다 길 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 광차단부재의 폭은 상기 제2 포토센서의 폭보다 작거나 같을 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 광차단부재는 기둥 형상일 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 광차단부재는 상기 기판의 일면에 수직하게 배치될 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 광차단부재는 상기 접합부재의 높이보다 작거나 같을 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 제1 센싱부는 상기 제1 센싱부로 입사되는 빛의 제1 광량을 측정하고, 상기 제2 센싱부는 상기 제2 센싱부로 입사되는 빛의 제2 광량을 측정하며, 상기 제1 광량에 대한 상기 제2 광량의 비를 이용하여 상기 평판 디스플레이 장치의 기울기를 산출할 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 평판 디스플레이 장치로 입사되는 빛에 대하여 상기 평판 디스플레이 장치가 기울어짐에 따라 상기 제2 광량은 상기 제1 광량에 비해 작아질 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 평판 디스플레이 장치가 지면에 대한 기울기가 커질수록 상기 제1 광량에 대한 상기 제2 광량의 비는 작아질 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 제1 센싱부와 상기 제2 센싱부는 상기 발광부에 대하여 서로 대칭이 되도록 상기 비발광영역에 배치될 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 발광영역은 상기 제1 기판의 중앙부에 배치되며, 상기 비발광영역은 상기 제1 기판의 외곽부에 배치될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 별도의 자이로 센서 없이 광센서만으로 평판 디스플레이 장치의 기울어진 정도를 판정할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치를 개략적으로 나타내는 사시도이고,
도 2는 도 1의 발광부를 개략적으로 나타내는 단면도이며,
도 3은 도 1에 도시된 평판 디스플레이 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이고,
도 4는 도 1의 I-I선을 따라 취한 단면도이고,
도 5는 도 1의 II-II선을 따라 취한 단면도이며,
도 6은 제2 센싱부의 변형예를 개략적으로 나타내는 사시도이며,
도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 작동을 나타내는 단면도이다.

이하, 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치를 개략적으로 나타내는 사시도이며, 도 2는 도 1의 발광부를 개략적으로 나타내는 단면도이여, 도 3은 도 1에 도시된 평판 디스플레이 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이고, 도 4는 도 1의 I-I선을 따라 취한 단면도이고,도 5는 도 1의 II-II선을 따라 취한 단면도이다.

도 1 내지 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치(100)은 제1 기판(110), 발광부(120), 제1 센싱부(130), 제2 센싱부(140), 제2 기판(150), 및 접합부재(160)를 구비할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치(100)은 유기 발광 표시 장치, LCD, PDP등 일 수 있으며, 이하에서는 평판 디스플레이 장치(100)가 유기 발광 표시 장치인 경우에 대해서 설명한다.

유기 발광 표시 장치인 평판 디스플레이 장치(100)는 서로 대향하는 제1 기판(110)과 제2 기판(150)을 포함하며, 이들 제1 기판(110)과 제2 기판(150)은 그 가장자리에서 접합부재(160)에 의해 밀봉될 수 있다.

제1 기판(110)은 비발광영역(111)과 발광영역(112)으로 구획되며, 발광영역(112)에는 발광부(120)가 배치될 수 있다. 발광영역(112)은 제1 기판(110)의 중심부에 위치하게 되며, 비발광영역(111)은 제1 기판(110)의 가장자리에 위치하게 된다. 비발광영역(111)에는 제1 센싱부(130)과 제2 센싱부(평판 디스플레이 장치0)가 배치될 수 있다. 이에 관하여는 후술한다.

도 2는 상기 발광부(120)의 일 화소의 일 예를 도시한 단면도이다.

도 2에서 볼 수 있듯이, 제1기판(110)의 상면에는 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 베리어층 및/또는 버퍼층과 같은 절연층(121)이 형성될 수 있다.

이 절연층(121) 상에 TFT의 활성층(122)이 반도체 재료에 의해 형성되고, 이를 덮도록 게이트 절연막(123)이 형성된다. 활성층(122)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기재 반도체나, 유기 반도체가 사용될 수 있는 데, 소스 영역(122a), 드레인 영역(122b)과 이들 사이에 채널 영역(122c)을 갖는다.

게이트 절연막(123) 상에는 게이트 전극(124)이 구비되고, 이를 덮도록 층간 절연막(125)이 형성된다. 그리고, 층간 절연막(125) 상에는 소스 전극(126a) 및 드레인 전극(126b)이 구비되며, 이를 덮도록 평탄화막(127) 및 화소 정의막(128)이 순차로 구비된다.

상기 게이트 절연막(123), 층간 절연막(125), 평탄화막(127), 및 화소 정의막(128)은 절연체로 구비될 수 있는 데, 단층 또는 복수층의 구조로 형성되어 있고, 유기물, 무기물, 또는 유/무기 복합물로 형성될 수 있다.

상술한 바와 같은 TFT의 적층 구조는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 구조의 TFT가 모두 적용 가능하다.

한편, 상기 평탄화막(127)의 상부에는 유기 발광 소자(OLED)의 한 전극인 화소전극(129a)이 형성되고, 그 상부로 화소정의막(128)이 형성되며, 이 화소정의막(128)에 소정의 개구부를 형성해 화소전극(129a)을 노출시킨 후, 유기 발광 소자(OLED)의 유기 발광막(129b)을 형성한다.

상기 유기 발광 소자(OLED)는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, TFT의 드레인 전극(126b)에 콘택 홀을 통해 콘택된 화소 전극(129a)과, 전체 화소를 덮도록 구비된 대향 전극(129c), 및 이들 화소 전극(129a)과 대향 전극(129c)의 사이에 배치되어 발광하는 유기 발광막(129b)으로 구성된다.

상기 화소 전극(129a)과 대향 전극(129c)은 상기 유기 발광막(129b)에 의해 서로 절연되어 있으며, 유기 발광막(129b)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기 발광막(129b)에서 발광이 이뤄지도록 한다.

상기 유기 발광막(129b)은 저분자 또는 고분자 유기막이 사용될 수 있다. 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 유기막은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다. 이 때, 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 등은 공통층으로서, 적, 녹, 청색의 픽셀에 공통으로 적용될 수 있다. 따라서, 도 2와는 달리, 이들 공통층들은 대향전극(129c)과 같이, 전체 픽셀들을 덮도록 형성될 수 있다.

상기 화소 전극(129a)은 애노우드 전극의 기능을 하고, 상기 대향 전극(129c)은 캐소오드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(129a)과 대향 전극(129c)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.

제1기판(11)의 방향으로 화상이 구현되는 배면 발광형(bottom emission type)일 경우, 상기 화소 전극(129a)은 투명 전극이 되고, 대향 전극(129c)은 반사전극이 될 수 있다. 이 때, 화소 전극(129a)은 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등으로 형성되고, 대향 전극(129c)은 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 등으로 형성될 수 있다.

대향 전극(129c)의 방향으로 화상을 구현하는 전면 발광형(top emission type)일 경우, 상기 화소 전극(129a)은 반사 전극으로 구비될 수 있고, 대향 전극(129c)은 투명 전극으로 구비될 수 있다. 이 때, 화소 전극(129a)이 되는 반사 전극은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하여 구비될 수 있다. 그리고, 상기 대향 전극(129c)이 되는 투명 전극은, 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물을 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In₂O₃ 등의 투명 도전물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다.

양면 발광형의 경우, 상기 화소 전극(129a)과 대향 전극(129c) 모두를 투명 전극으로 구비될 수 있다.

프레임(미도시)에 제1기판(110)이 안착되는 구조인 경우에는, 제2기판(150)의 방향으로 화상이 구현되는 전면 발광형이 될 것이다. 물론, 도시하지는 않았지만, 상기 프레임(미도시)에 소정의 개구가 형성되어 있고, 이 개구를 통해 제1기판(110)의 바닥면이 노출되는 구조일 경우에는 배면 발광형 및 양면 발광형도 적용될 수 있다.

상기 화소 전극(129a) 및 대향 전극(129c)은 반드시 전술한 물질로 형성되는 것에 한정되지 않으며, 전도성 유기물이나, Ag, Mg, Cu 등 도전입자들이 포함된 전도성 페이스트 등으로 형성할 수도 있다. 이러한 전도성 페이스트를 사용할 경우, 잉크젯 프린팅 방법을 사용하여 프린팅할 수 있으며, 프린팅 후에는 소성하여 전극으로 형성할 수 있다.

상기 발광부(120)의 대향 전극(129c)의 상면에는 이 발광부(120)를 덮도록 무기물, 유기물, 또는 유무기 복합 적층물로 이루어진 패시베이션막(10)이 더 구비될 수 있다.

제1 센싱부(130)와 제2 센싱부(140)는 평판 디스플레이 장치(100) 내에 배치되어 외부에서 입사되는 빛의 량을 측정할 수 있다. 보다 상세하게는, 제1 센싱부(130)와 제2 센싱부(140)는 제1 기판(110)의 비발광영역(111)에 배치될 수 있다. 비발광영역(111)은 제1 기판(110) 상에서 발광영역(112)의 바깥쪽에 해당하면서 접합부재(160) 안쪽에 배당하는 영역을 의미한다. 제1 센싱부(130)와 제2 센싱부(140)는 발광부(120)에 대하여 서로 대칭인 위치에 배치될 수 있다. 도 2를 참조하면, 제1 센싱부(130)와 제2 센싱부(140)는 각각 발광부(120)의 좌측 비발광영역(111a)과 우측 비발광영역(111b)에 배치되며, 제1 기판(110)의 하단부에서 동일한 높이에 배치되어 발광부(120)에 대하여 대칭이 되도록 배치될 수 있다. 이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치(100)는 제1 센싱부(130)와 제2 센싱부(140)가 발광부(120)에 대하여 서로 대칭이 되도록 배치되므로 제1 센싱부(130)와 제2 센싱부(140)가 서로 대칭되지 않게 배치됨으로써 발생할 수 있는 입사되는 광량의 차이를 방지할 수 있다. 즉, 동일한 조건하에서 외부광이 제1 센싱부(130)와 제2 센싱부(140)에 입사하게 되어 위치에 따른 입사되는 광량의 오차를 감소시킬 수 있다.

제1 센싱부(130)는 제1 포토센서로 이루어질 수 있다. 제1 포토센서(130)은 PN 접합(junction) 광 다이오드일 수 있다. PN 접합 광 다이오드인 제1 포토센서(130)는 제1 수광층(131)과 제2 수광층(132)로 이루어질 수 있다. 제1 수광층(131)은 PN 접합 광 다이오드의 N 타입일 수 있으며, 제2 수광층(132)는 PN 접합 광 다이오드의 P 타입일 수 있다. 또한, 제1 수광층(131)이 PN 접합 광 다이오드의 P 타입이고, 제2 수광층(132)이 PN 접합 광 다이오드의 N 타입일 수 있다.

제1 수광층(131)이 N 타입인 경우, 제1 수광층(131)은 갈륨(Ga), 인(In), 아연(Zn) 및 주석(Sn) 군에서 선택된 하나 이상의 원소, 및 산소(O)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 수광층(13)은 ZnO, ZnGaO, ZnInO, GaInO, GaSnO, ZnSnO, InSnO, 또는 ZnGaInO 등의 물질을 포함할 수 있다.

제2 수광층(132)이 P 타입인 경우, 제2 수광층(132)은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 주석(Sn), 인듐(In), 납(Pb), 티타늄(Ti), 루비듐(Rb), 바나듐(V), 갈륨(Ga), 테르븀(Tb), 세륨(Ce), 란탄(La) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 프탈로시아닌(phthalocyanines) 화합물로 구성될 수 있다.

다른 변형예로 제1 포토센서(130)는 PIN 접합 광 다이오드일 수 있다.

제2 센싱부(140)는 제2 포토센서(141, 142)와 광차단부재(143)으로 이루어질 수 있다.

제2 포토센서(141, 142)는 PN 접합 광 다이오드일 수 있다. 제2 포토센서(141, 142)는 제1 수광층(141)과 제2 수광층(142)로 이루어질 수 있다. 제1 수광층(141)은 PN 접합 광 다이오드의 N 타입일 수 있으며, 제2 수광층(142)는 PN 접합 광 다이오드의 P 타입일 수 있다. 또한, 제1 수광층(141)이 PN 접합 광 다이오드의 P 타입이고, 제2 수광층(142)이 PN 접합 광 다이오드의 N 타입일 수 있다.

제1 수광층(141)이 N 타입인 경우, 제1 수광층(141)은 갈륨(Ga), 인(In), 아연(Zn) 및 주석(Sn) 군에서 선택된 하나 이상의 원소, 및 산소(O)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 수광층(13)은 ZnO, ZnGaO, ZnInO, GaInO, GaSnO, ZnSnO, InSnO, 또는 ZnGaInO 등의 물질을 포함할 수 있다.

제2 수광층(142)이 P 타입인 경우, 제2 수광층(142)은 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 주석(Sn), 인듐(In), 납(Pb), 티타늄(Ti), 루비듐(Rb), 바나듐(V), 갈륨(Ga), 테르븀(Tb), 세륨(Ce), 란탄(La) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 프탈로시아닌(phthalocyanines) 화합물로 구성될 수 있다.

광차단부재(143)는 제2 포토센서(141, 142)의 일측부에 접하도록 배치될 수 있다. 도 1을 참조하면, 광차단부재(143)는 제2 포토센서(140)의 상단부에 접하도록 배치될 수 있다. 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 광차단부재(143)는 제2 포토센서(140)의 상단부 이외의 다른 측부에 접하도록 배치될 수 있다. 광차단부재(143)는 기둥 형상을 가질 수 있다. 도 3 및 4를 참조하면, 광차단부재(143)는 제2 포토센서(141, 142)의 폭(w2)보다 넓은 폭(w1)을 가지며, 제2 포토센서(141, 142)의 높이(t2)보다 큰 높이(t1)를 가질 수 있다. 광차단부재(143)는 접합부재(160)의 높이보다 작거나 같을 수 있다. 제2 포토센서(141, 142) 일측부에 배치되는 광차단부재(143)는 평판 디스플레이 장치(100)을 기울임에 따라 제2 포토센서(141, 142)에 입사되는 광선속을 감소시킨다. 이에 따라, 제1 포토센서(131, 132)와 제2 포토센서(141, 142)에 입사되는 광량은 차이가 발생하며, 상기 광량 차이를 이용하여 평판 디스플레이 장치(100)의 기울기를 산출할 수 있다. 이에 대하여는 후술한다.

도 6은 제2 센싱부의 변형예를 나타내는 평판 디스플레이 장치의 부분 단면도이다. 도 6을 참조하면, 광차단부재(143a, 143b, 143c, 143d)는 제2 포토센서(141, 142)의 4개의 측부에 각각 배치될 수 있다. 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 광차단부재는 적어도 하나 이상이 제2 포토센서(141, 142)의 일측부에 배치될 수 있다.

도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 작동을 나타내는 단면도이다. 도 7은 평판 디스플레이 장치를 지상에 대하여 일정한 각도(θ)만큼 기울였을 때, 제1 센싱부(130)에서 바라본 평판 디스플레이 장치의 단면도이며, 도 8은 제2 센싱부(140)에서 바라본 평판 디스플레이 장치의 단면도이다.

도 7 및 8을 참조하면, 평판 디스플레이 장치(100)를 지면에 대하여 기울일수록 제2 포토센서(141, 142)로 향하는 빛은 광차단부재(143)에 의해 일부가 차단되어 제2 포토센서(141, 142)에 입사되지 못한다. 그러나, 제1 포토센서(131, 132)로 향하는 빛은 광차단부재(143)와 같이 빛을 가로 막는 부재가 없으므로 아무런 제한없이 제1 포토센서(131, 132)에 입사된다. 평판 디스플레이 장치(100)가 지면에 대하여 기울어져 지면과 수직에 가까울수록 더 많은 빛이 광차단부재(143)에 의해 차단되어 제2 포토센서(141, 142)에 입사되는 빛의 양은 감소하게 되며, 제1 포토센서(131, 132)에 입사되는 빛의 양과의 차이가 더욱 커지게 될 것이다.

이와 반대로 평판 디스플레이 장치(100)가 지면에 대하여 기울어진 각도가 작아진다면 광차단부재(143)에 의해 차단되는 빛의 양이 작아지게 되고 제2 포토센서(141, 142)에 입사되는 빛의 양과 제1 포토센서(131, 132)에 입사되는 빛의 양의 차이는 감소하게 될 것이다. 평판 디스플레이 장치(100)가 지면에 기울어지지 않으면 광차단부재(143)에 의해 차단되는 빛이 없으므로 제1 포토센서(131, 132)와 제2 포토센서(141, 142)에 입사되는 빛의 양은 동일할 것이다.

정리하면, 제1 포토센서(131, 132)에 입사되는 빛의 양을 제1 광량이라 하고, 제2 포토센서(141, 142)에 입사되는 빛의 양을 제2 광량이라 하면, 평판 디스플레이 장치(100)가 지면에 대하여 기울어져, 즉 평판 디스플레이 장치(100)와 지면과의 각도가 커질수록 광차단부재(143)에 의해 제1 광량에 비해 더욱 감소하게 되므로 제1 광량에 대한 제2 광량의 비는 작아질 것이며, 평판 디스플레이 장치(100)가 지면에 가까워 질수록 즉, 평판 디스플레이 장치(100)와 지면과의 각도가 작아질수록 광차단부재(143)에 의해 차단되는 빛의 양이 감소하게 되므로 제1 광량에 대한 제2 광량의 비는 커지게 될 것이다. 제1 광량에 대한 제2 광량의 비는 무한정 커지는 것은 아니며, 평판 디스플레이 장치(100)가 지면에 평행하고 외부광이 평판 디스플레이 장치(100)에 수직으로 입사하는 경우에는 제1 광량과 제2 광량이 동일하게 되므로 제1 광량에 대한 제2 광량의 비는 1이 될 것이다.

이와 같이, 평판 디스플레이 장치(100)가 지면에 대하여 기울기 커질수록 제1 광량에 대한 제2 광량의 비가 작아지므로(또는 제2 광량에 대한 제2 광량의 비가 커지므로) 제1 광량과 제2 광량을 측정하여 그 비를 구함으로써 평판 디스플레이 장치(100)의 기울기를 산출할 수 있다. 제1 광량에 대한 제2 광량의 비(또는 제2 광량에 대한 제1 광량의 비)와 평판 디스플레이 장치(100)의 기울기와의 관계는 룩 업 테이블(look-up table)로 정리하여 별도로 저장할 수 있으며, 제1 광량에 대한 제2 광량의 비를 구하고 룩 업 테이블을 이용함으로써 평판 디스플레이 장치(100)의 기울기를 산출해 낼 수 있다.

본 발명의 일 실싱예에 따른 평판 디스플레이 장치(100)는 별도의 자이로센서나 조도 센서없이 제1 센싱부(130)와 제2 센싱부(140)만으로 평판 디스플레이 장치(100)의 기울기는 용이하게 산출해 낼 수 있다.

그리고, 상기 도면들에 도시된 구성요소들은 설명의 편의상 확대 또는 축소되어 표시될 수 있으므로, 도면에 도시된 구성요소들의 크기나 형상에 본 발명이 구속되는 것은 아니며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

100: 평판 디스플레이 장치 110: 제1 기판
120: 발광부 130: 제1 센싱부
140: 제2 센싱부 150: 제2 기판
160: 접합부재

Claims

발광영역과 비발광영역으로 구획된 제1 기판과, 상기 발광영역 상에 배치되는 발광부와, 상기 발광부 상에 배치되는 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 합착시키는 접합부재를 갖는 평판 디스플레이 장치에 있어서,
상기 비발광영역에 배치되는 제1 센싱부 및 제2 센싱부를 구비하며,
상기 제1 센싱부와 상기 제2 센싱부에서 측정되는 광량의 비를 이용하여 상기 평판 디스플레이 장치의 기울기를 산출할 수 있는 평판 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 센싱부는 제1 포토센서로 이루어지며,
상기 제2 센싱부는 제2 포토센서와 광차단부재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
제2항에 있어서,
상기 광차단부재는 상기 제2 포토센서의 적어도 일측부에 인접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
제2항에 있어서,
상기 광차단부재는 상기 제2 포토센서의 일측부와 접하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
제2항에 있어서,
상기 광차단부재의 높이는 상기 제2 포토센서의 높이 보다 긴 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
제2항에 있어서,
상기 광차단부재의 폭은 상기 제2 포토센서의 폭보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
제2항에 있어서,
상기 광차단부재는 기둥 형상인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
제2항에 있어서,
상기 광차단부재는 상기 제1 기판의 일면에 수직하게 배치되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
제2항에 있어서,
상기 광차단부재는 상기 접합부재의 높이보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 센싱부는 상기 제1 센싱부로 입사되는 빛의 제1 광량을 측정하고,
상기 제2 센싱부는 상기 제2 센싱부로 입사되는 빛의 제2 광량을 측정하며,
상기 제1 광량에 대한 상기 제2 광량의 비를 이용하여 상기 평판 디스플레이 장치의 기울기를 산출하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
제10항에 있어서,
상기 평판 디스플레이 장치로 입사되는 빛에 대하여 상기 평판 디스플레이 장치가 기울어짐에 따라 상기 제2 광량은 상기 제1 광량에 비해 작아지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
제10항에 있어서,
상기 평판 디스플레이 장치가 지면에 대한 기울기가 커질수록 상기 제1 광량에 대한 상기 제2 광량의 비는 작아지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 센싱부와 상기 제2 센싱부는 상기 발광부에 대하여 서로 대칭이 되도록 상기 비발광영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 발광영역은 상기 제1 기판의 중앙부에 배치되며, 상기 비발광영역은 상기 제1 기판의 외곽부에 배치되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.