JP4667079B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
2 アクティブマトリクス基板
3 対向基板
4 液晶層
5 TFT
6 画素電極
7 ゲート線
8 ソース線
9、41 光センサ
9a、45 フォトダイオード
10 バックライト
11 ソースドライバIC
12 ゲートドライバIC
13 検出回路を備えたゲートドライバIC
14、49 検出回路
15 垂直駆動回路
16、42 増幅回路
16a、17a、46、48 オペアンプ
16b、44 コンデンサ
16c、47 スイッチ
17、43 比較回路
17a オペアンプ
18 水平駆動回路
19 外部基板
20 光センサコントロール部
21 デジタル信号生成回路
22 ゲートドライバ制御部
23 FPC
31 シフトレジスタ
32 フリップフロップ
33 アンドゲート素子
50 フォトトランジスタ
Claims (5)
- 表示パネルと、前記表示パネルを駆動する垂直駆動回路および水平駆動回路と、前記表示パネルに形成され、且つ、周囲の光の強度に応じて信号を出力する光センサと、前記光センサが出力した信号に基づいて前記周囲の光の強度を検出する検出回路と、前記垂直駆動回路および水平駆動回路に対して駆動のタイミングを指示するための制御信号を出力する制御部と、前記検出回路が検出した前記周囲の光の強度に基づいて、前記周囲の光の強度を特定するデジタル信号を生成するデジタル信号生成回路とを備え、
前記検出回路は、前記垂直駆動回路と同一のICチップに含まれており、
前記検出回路が、増幅回路と比較回路とを備え、
前記増幅回路は、前記光センサが出力した信号に基づいて電荷を蓄積し、蓄積した電荷の量に応じて電圧が変化するアナログ信号を出力し、
前記比較回路は、前記アナログ信号の電圧が予め設定された基準値となると、前記デジタル信号生成回路に検出信号を出力し、
前記デジタル信号生成回路が、前記増幅回路による電荷の蓄積開始から前記検出信号が出力されるまでの時間を計測し、計測した前記時間に基づいて、前記周囲の光の強度を特定するデジタル信号を生成し、
前記増幅回路は、前記制御部から前記制御信号として出力される垂直同期信号に基づいて、前記電荷の蓄積及び放出を行い、
前記デジタル信号生成回路は、前記垂直同期信号に基づいて、前記時間の計測を開始する、ことを特徴とする表示装置。 - 前記表示パネルが、アモルファスシリコン膜によってアクティブ素子が形成されたアクティブマトリクス基板を有する請求項1に記載の表示装置。
- 前記デジタル信号生成回路が、前記検出回路及び前記垂直駆動回路が形成された回路基板以外の回路基板に形成されている請求項1または2に記載の表示装置。
- 前記制御部が、前記検出回路及び前記垂直駆動回路が形成された回路基板以外の回路基板に形成されている請求項1〜3のいずれか一項に記載の表示装置。
- 表示パネルと、前記表示パネルを駆動する垂直駆動回路および水平駆動回路と、前記表示パネルに形成され、且つ、周囲の光の強度に応じて信号を出力する光センサと、前記光センサが出力した信号に基づいて前記周囲の光の強度を検出する検出回路と、前記垂直駆動回路および水平駆動回路に対して駆動のタイミングを指示するための制御信号を出力する制御部と、前記検出回路が検出した前記周囲の光の強度に基づいて、前記周囲の光の強度を特定するデジタル信号を生成するデジタル信号生成回路とを備え、
前記検出回路は、前記垂直駆動回路と同一のICチップに含まれており、
前記検出回路が、増幅回路と比較回路とを備え、
前記増幅回路は、前記光センサが出力した信号に基づいて、前記周囲の光の強度に応じて電圧が変化するアナログ信号を出力し、
前記比較回路は、前記アナログ信号の電圧が予め設定された基準値を超えたときに前記デジタル信号生成回路に検出信号を出力し、
前記デジタル信号生成回路が、前記増幅回路による前記アナログ信号の出力開始から前記検出信号が出力されるまでの時間を計測し、計測した前記時間に基づいて、前記周囲の光の強度を特定するデジタル信号を生成し、
前記増幅回路は、前記制御部から前記制御信号として出力される垂直同期信号に基づいて、前記電荷の蓄積及び放出を行い、
前記デジタル信号生成回路は、前記垂直同期信号に基づいて、前記時間の計測を開始する、ことを特徴とする表示装置。
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