CN114783345A - 像素驱动电路、显示模组及显示装置、智能手表 - Google Patents

像素驱动电路、显示模组及显示装置、智能手表 Download PDF

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Abstract

本申请提供了一种像素驱动电路、显示模组及显示装置、智能手表，涉及显示技术领域，能够实现自动调节输出电流的大小，降低显示模组结构的复杂度，提高显示装置的续航能力。所述像素驱动电路包括光敏器件和调光子电路。光敏器件的第一端被配置为接收控制信号，光敏器件的第二端与第一节点电连接；光敏器件被配置为基于控制信号，调节第一节点的电压。调光子电路连接在第一电压端和发光器件之间，且与第一节点电连接。调光子电路的导通状态随第一节点的电压的变化而变化，调光子电路被配置为在第一节点的电压的控制下，基于来自第一电压端的第一电压信号，调节发光器件的亮度。上述像素驱动电路和显示模组应用于可自动调光的显示装置中。

Description

像素驱动电路、显示模组及显示装置、智能手表
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路、显示模组及显示装置、智能手表。
背景技术
目前，大多显示装置能够实现随着环境亮度进行显示亮度的自动调节的效果。其中，实现亮度自动调节功能的是环境光传感器(ambient light sensor，简称ALS)。通常，显示装置包括显示面板和至少一个柔性电路板，柔性电路板上设置ALS和多个外围器件，柔性电路板被配置为将ALS与显示面板电连接。
然而，在柔性电路板弯折至显示面板背面的情况下，通常存在翘曲问题，导致柔性电路板上的ALS与显示面板的非显示侧之间存在缝隙，不利于ALS进行感光。并且，在显示装置中增设ALS和外围器件，占用较大空间，不利于实现显示装置的轻薄化，而且ALS的运行功耗较大，电能损耗较大，不利于显示装置的续航。
发明内容
为克服上述现有技术中的缺陷，本申请提供一种新型的像素驱动电路、显示模组及显示装置、智能手表，能够实现自动调节输出电流的大小，降低显示模组结构的复杂度，提高显示装置的续航能力。
为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
一方面，提供了一种像素驱动电路。像素驱动电路包括光敏器件和调光子电路。所述光敏器件的第一端被配置为接收控制信号，所述光敏器件的第二端与第一节点电连接；所述光敏器件的电阻随照射在所述光敏器件上的光照强度的变化而变化，所述光敏器件被配置为基于所述控制信号，调节所述第一节点的电压。所述调光子电路连接在第一电压端和发光器件之间，且与所述第一节点电连接；所述调光子电路的导通状态随所述第一节点的电压的变化而变化，所述调光子电路被配置为在所述第一节点的电压的控制下，基于来自所述第一电压端的第一电压信号，调节所述发光器件的亮度。
上述光敏器件的电阻随照射在所述光敏器件上的光照强度的变化而变化，从而流经光敏器件的电压和电流发生变化，即第一节点的电位发生变化。在第一节点的电位的控制下，调光子电路的导通程度随之发生变化，使得第一电压端输出的第一电压信号传输至发光器件的电压大小发生变化。若调光子电路的导通程度变大，则第一电压信号传输至发光器件的电压(和电流)较大，发光器件的亮度较亮；若调光子电路的导通程度变小，则第一电压信号传输至发光器件的电压(和电流)较小，发光器件的亮度较暗。这样，像素驱动电路通过光敏器件和与其电连接的调光子电路来实现自动调节发光器件的亮度，无需与额外增设的调光元件进行信息交互，降低电路结构的复杂度。
在一些实施例中，所述像素驱动电路还包括驱动晶体管。所述驱动晶体管的控制极与第二节点电连接，所述驱动晶体管的第一极与第三节点电连接，所述驱动晶体管的第二极与第四节点电连接。所述调光子电路包括第一晶体管，连接在所述第四节点与所述发光器件之间，且所述第一晶体管的控制极与所述第一节点电连接。
在一些实施例中，所述光敏器件的第一端与使能信号端电连接。所述调光子电路还包括第二晶体管，所述第二晶体管的控制极与所述第一节点或所述使能信号端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第一电压端电连接，所述第二晶体管的第二极与所述第三节点电连接。
在一些实施例中，所述光敏器件的第一端与扫描信号端电连接。所述调光子电路还包括第二晶体管，所述第二晶体管的控制极与使能信号端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第一电压端电连接，所述第二晶体管的第二极与所述第三节点电连接。
在另一些实施例中，所述光敏器件的第一端与使能信号端、扫描信号端、复位信号端、初始化信号端、所述第一电压端、第二电压端、所述第二节点、所述第三节点或所述第四节点中的任一者电连接；其中，所述发光器件与所述第二电压端电连接。
所述调光子电路还包括第二晶体管和第三晶体管。所述第二晶体管的控制极与使能信号端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第一电压端电连接，所述第二晶体管的第二极与所述第三节点电连接。所述第三晶体管的控制极与所述使能信号端电连接，所述第三晶体管连接在所述第四节点和所述发光器件之间，且所述第三晶体管与所述第一晶体管串联。
在又一些实施例中，所述像素驱动电路还包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的控制极与第二节点电连接，所述驱动晶体管的第一极与第三节点电连接，所述驱动晶体管的第二极与第四节点电连接。所述调光子电路包括第一晶体管，所述第一晶体管的控制极与所述第一节点电连接，所述第一晶体管的第一极与所述第一电压端电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第三节点电连接。
在一些实施例中，所述光敏器件的第一端与使能信号端或扫描信号端电连接。所述调光子电路还包括第二晶体管，所述第二晶体管的控制极与所述使能信号端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第四节点电连接，所述第二晶体管的第二极与所述发光器件电连接。
在一些实施例中，所述像素驱动电路还包括电容器、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管。所述电容器的第一极板与所述第一电压端电连接，所述电容器的第二极板与所述第二节点电连接。所述第四晶体管的控制极与扫描信号端电连接，所述第四晶体管的第一极与数据信号端电连接，所述第四晶体管的第二极与所述第三节点电连接。所述第五晶体管的控制极与所述扫描信号端电连接，所述第五晶体管的第一极与所述第四节点电连接，所述第五晶体管的第二极与所述第二节点电连接。所述第六晶体管的控制极与复位信号端电连接，所述第六晶体管的第一极与初始化信号端电连接，所述第六晶体管的第二极与所述第二节点电连接。所述第七晶体管的控制极与所述扫描信号端电连接，所述第七晶体管的第一极与所述初始化信号端电连接，所述第七晶体管的第二极与所述发光器件电连接。
在一些实施例中，在所述光敏器件的第一端与所述第一电压端、所述扫描信号端、所述第三节点和所述第四节点中的任一者电连接的情况下，所述第一晶体管的极性，与所述驱动晶体管、所述第二晶体管、所述第四晶体管～所述七晶体管的极性相反；在所述调光子电路还包括第三晶体管的情况下，所述第一晶体管的极性还与所述第三晶体管的极性相反。所述光敏器件的第一端与所述使能信号端、所述复位信号端、所述初始化信号端、第二电压端和所述第二节点中的任一者电连接的情况下，所述第一晶体管的极性，与所述驱动晶体管、所述第二晶体管、及所述第四晶体管～所述七晶体管的极性相同；在所述调光子电路还包括第三晶体管的情况下，所述第一晶体管的极性还与所述第三晶体管的极性相同。
另一方面，提供了一种显示模组。所述显示模组包括衬底、多个如上述任一实施例提供的像素驱动电路和多个发光器件。所述多个像素驱动电路设置于所述衬底上。所述多个发光器件设置于多个所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧，所述发光器件与所述像素驱动电路电连接。
该显示模组采用上述任一实施例提供的像素驱动电路，无需与像素驱动电路以外的其他调光元件进行信息交互，降低驱动像素驱动电路和调光元件信息交互产生的能耗，有利于提高显示模组的续航能力，以及节省显示模组的占用空间，有利于提高显示模组的轻薄化。
在一些实施例中，所述显示模组具有透光区域，所述透光区域设置有至少一个所述光敏器件，每个所述光敏器件与多个所述像素驱动电路电连接。
在一些实施例中，所述显示模组还包括光敏层，所述光敏层设置于所述多个像素驱动电路远离所述衬底的一侧，所述光敏层包括多个所述光敏器件，每个所述光敏器件与一个或多个所述像素驱动电路电连接。
在一些实施例中，所述显示模组还包括覆晶薄膜和柔性电路板。所述覆晶薄膜与多个所述像素驱动电路电连接。所述柔性电路板与所述覆晶薄膜电连接；所述柔性电路板的一侧表面设有至少一个所述光敏器件，且在所述柔性电路板弯折至所述衬底的背光侧的情况下，所述光敏器件相对于所述柔性电路板靠近所述衬底。其中，每个所述光敏器件与多个所述像素驱动电路电连接。
又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括如上述任一实施例提供的显示模组，以及壳体。
上述显示装置的有益效果与本申请所提供的显示模组的有益效果相同，此处不再赘述。
又一方面，提供了一种智能手表，所述智能手表包括如上述任一实施例提供的显示模组，以及支撑部件。
上述智能手表的有益效果与本申请所提供的显示模组的有益效果相同，此处不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本申请实施例所涉及的产品的实际尺寸的限制。
图1A为现有技术中的一种显示模组的结构图；
图1B为现有技术中的另一种显示模组的结构图；
图1C为图1B提供的显示模组的覆晶薄膜弯折后的局部剖视图；
图2为根据一些实施例提供的一种显示装置的结构图；
图3A为图2提供的显示装置中一种显示模组的结构图；
图3B为图2提供的显示装置中另一种显示模组的结构图；
图4为根据一些实施例提供的一种显示装置的像素布置图；
图5为根据一些实施例提供的一种显示装置的像素架构图；
图6A为图4提供的显示装置中的一种显示面板沿剖面线CC的剖视图；
图6B为图4提供的显示装置中的另一种显示面板沿剖面线CC的剖视图；
图7为根据一些实施例提供的一种像素驱动电路原理图；
图8A为根据一些实施例提供的另一种像素驱动电路原理图；
图8B为根据一些实施例提供的又一种像素驱动电路原理图；
图9A为根据一些实施例提供的又一种像素驱动电路原理图；
图9B为根据另一些实施例提供的一种像素驱动电路原理图；
图10为根据一些实施例提供的另一种像素驱动电路原理图；
图11为根据一些实施例提供的又一种像素驱动电路原理图；
图12为根据另一些实施例提供的另一种像素驱动电路原理图；
图13为根据另一些实施例提供的又一种像素驱动电路原理图；
图14为根据又一些实施例提供的一种像素驱动电路原理图；
图15为根据又一些实施例提供的另一种像素驱动电路原理图；
图16为根据又一些实施例提供的又一种像素驱动电路原理图；
图17为根据又一些实施例提供的又一种像素驱动电路原理图；
图18为根据又一些实施例提供的又一种像素驱动电路原理图；
图19为根据又一些实施例提供的又一种像素驱动电路原理图；
图20为根据又一些实施例提供的又一种像素驱动电路原理图；
图21为根据又一些实施例提供的又一种像素驱动电路原理图；
图22为根据一些实施例提供的像素驱动电路的时序图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本申请的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
目前，采用ALS进行光照强度感应，并根据感应的光照强度进行显示装置的显示亮度调节。例如，若ALS感应的光照强度较强，输出调节显示亮度增加的信号，以使用户可清楚看到显示装置的显示画面。若ALS感应的光照强度较弱，输出调节显示亮度降低的信号，以使用户可清楚看到显示装置的显示画面的情况下，降低由于显示亮度过高对人眼造成的不良刺激，同时降低显示亮度能够降低电池能耗。
然而，在应用ALS进行显示亮度调节的过程中，ALS根据感应的光照强度进行信息处理，并与显示装置内的处理器进行信息交互，从而，由处理器控制显示装置的显示亮度。这样，ALS和处理器的运行产生较大功耗。智能手表等显示装置往往通过电池供电，由于电池的储能容量有限，采用ALS明显不利于显示装置的续航。示例性地，如图1A～图1C所示，显示装置1000包括至少两个柔性电路板1100和显示面板1200。在柔性电路板1100上设置ALS1300，并将柔性电路板1100弯折至显示面板1200的非显示侧的情况下，如图1C所示，柔性电路板1100具有一定硬度，容易发生翘曲，导致ALS 1300与显示面板1200之间存在缝隙而无法紧靠，进而显示面板1200上暴露ALS 1300的透光区H与ALS 1300发生错位，透光区H无法完整的暴露ALS 1300，影响ALS 1300的感光效果。可以理解的是，若透光区H位于周边区，在与透光区H正投影重叠的壳体上设置开口；若透光区H位于显示区，透光区H的位于ALS 1300朝向显示侧的各膜层叠层均为透光膜层，以使外界环境光照射到ALS 1300。此外，与ALS1300共同运作的外围器件(例如两个滤波电容器，可调电阻等)较多，占用的空间较大，不利于实现显示装置1000的轻薄化。
为了解决上述问题，本申请的一些实施例提供了一种显示装置，该显示装置在无增设ALS的情况下，能够根据当前环境光强度进行自动调光，且减少ALS贴附工艺步骤，提高工艺效率和良率。
上述显示装置可以是平板电脑，显示器，手机，广告牌，数码相框或个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等任何具有显示功能的装置。示例的，如图2所示，本申请的一些实施例提供的显示装置2000为智能手表2001。
本申请实施例对显示装置2000的具体类型不做特殊限制。示例性地，显示装置2000也可以为有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示装置、量子点电致发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)显示装置或有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light emitting diode，简称AMOLED)显示装置。以下实施例以OLED显示装置为例进行详细说明。
在一些实施例中，如图2所示，显示装置2000包括显示模组2200和壳体2100。其中，壳体2100包括边框2101和后壳(图中未示出)等部件，被配置为给显示模组2200提供保护和支撑作用。示例的，如图2所示，显示装置2000为智能手表2001，智能手表2001包括显示模组2200、壳体2100和支撑部件2300，支撑部件2300被配置为与壳体2100连接以便于穿戴显示装置2000，例如，支撑部件2300包括表带2301。
在一些示例中，如图3A和图3B所示，显示模组2200包括主板2210、柔性电路板2220、覆晶薄膜2230和显示面板2240。
主板2210上设有中央处理器(central processing unit，简称CPU)2211，主板2210与柔性电路板2220电连接，被配置为控制时序控制器(Timing Controller，简称TCON)2222输出时序控制信号。
柔性电路板2220与覆晶薄膜2230通过第二引脚S2电连接，柔性电路板2220上设有电源管理器2221和TCON 2222等驱动电路，电源管理器2221被配置为将处理过的电源电压信号传输至TCON 2222、覆晶薄膜2230和处理器2211，以给TCON 2222、覆晶薄膜2230和处理器2211上电。
覆晶薄膜2230(Chip On Film，简称COF)与显示面板2240通过第一引脚S1电连接，覆晶薄膜2230上设置驱动芯片2231。示例的，驱动芯片2231为源极驱动芯片(SourceDriver IC)。该源极驱动芯片与显示面板2240上的多个像素驱动电路100电连接，被配置为传输数据信号至像素驱动电路100。其中，TCON2222与源极驱动芯片电连接，被配置为将时序控制信号传输至源极驱动芯片，以控制源极驱动芯片输出所需的数据信号。
如图3A、图3B和图4所示，显示面板2240包括显示区AA(Active Area)和位于显示区AA的至少一侧的周边区BB。图4中以周边区BB围绕显示区AA一圈进行示意，对周边区BB和显示区AA的形状并不做限制。其中，显示区AA包括多个阵列排布的子像素单元(sub pixel)P。示例的，沿水平方向X排列成一排的子像素P称为同一行子像素，沿竖直方向Y排列成一排的子像素单元P称为同一列子像素。示例的，如图5所示，同一行子像素单元P可以与至少一根栅线GL连接，以及与一根发光控制信号线EM连接。同一列子像素单元P可以与一根数据线DL连接。
请继续参阅图5，子像素单元P内设置有用于控制子像素单元P进行显示的像素驱动电路100和发光器件200。与子像素单元P连接的栅线GL用于向子像素单元P的像素驱动电路100传输栅扫描信号gate。与子像素单元P连接的发光控制信号线EM用于向子像素单元P的像素驱动电路100传输使能信号em。与子像素单元P连接的复位扫描信号线RS用于向子像素单元P的像素驱动电路100传输复位信号reset(该复位扫描信号线RS为另一条栅线，即第N行的栅线GL传输的栅扫描信号gate作为第N+1行的复位信号reset)。与子像素单元P连接的数据线DL用于向子像素单元P的像素驱动电路100传输数据信号vdata，数据信号Data来自与各条数据线DL电连接的源极驱动芯片。
需要说明的是，后续实施例提到的扫描信号端Gate电连接的信号线为栅线GL，复位信号端Reset电连接的信号线为复位信号线RS，使能信号端EM电连接的信号线为发光控制信号线EM(此处不做区分)。
以下根据显示面板2240的具体膜层结构对像素驱动电路100和发光器件200进行举例说明。如图6A和图6B所示，显示面板2240包括层叠设置的衬底2241、驱动电路叠层2242、多个发光器件200和封装层2243。
衬底2241可以是柔性的，包括聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中的一种或多种。示例的，衬底2241的材料包括聚酰亚胺(PI)。
在一些示例中，如图6A和图6B所示，驱动电路叠层2242是指多个像素驱动电路100阵列设置所在的膜层，包括多个图案化的导电层和绝缘层。像素驱动电路100设置于衬底2241上。每个像素驱动电路100包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)和至少一个电容器Cst。垂直于驱动电路叠层2242的方向，驱动电路叠层2242包括半导体层1、栅绝缘层2、第一栅金属层3、第一绝缘层4、第二栅金属层5、第二绝缘层6、导电层7、第三绝缘层8和平坦层9。
其中，第一栅金属层3包括多个TFT的栅极31、多个电容器Cst的第一极板32、多条第一栅扫描线33(即栅线GL)。第二栅金属层5包括多个电容器Cst的第二极板51和多条第二栅扫描线52(即复用为复位信号线RS的一条栅线GL)。导电层7包括多个TFT的源极71和漏极72，以及多条信号线73(例如包括数据信号线DL、第一电压信号线VDD和第二电压信号线VSS等)。
多个发光器件200设置于多个像素驱动电路100远离衬底2241的一侧，发光器件200与像素驱动电路100电连接。多个发光器件200所在膜层包括多个像素阳极10、像素界定层11、发光功能层12和阴极层13。一个像素阳极10(用于提供空穴)、一个发光功能层12和阴极层13三者在衬底2241上的正投影重叠的部分可构成一个发光器件200。像素阳极10和阴极层13分别向发光功能层12注入空穴和电子，当空穴和电子结合产生的激子(exciton)从激发态跃迁到基态时构成发光。
封装层2243设置在阴极层13远离衬底2241的一侧。封装层2243可以为封装薄膜。对于封装层2243包括的封装薄膜的层数不进行限定。在一些实施例中，封装层2243可以包括一层封装薄膜，也可以包括层叠设置的两层或两层以上封装薄膜。示例的，封装层2243包括依次层叠设置的无机/有机/无机三层材料薄膜。其中，无机材料可以为氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiOx)中的任意一种或多种。
需要说明的是，本公开的实施例提供的像素驱动电路100中所采用的晶体管可以为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)、场效应晶体管(metal oxidesemiconductor，简称MOS)或其他特性相同的开关器件，本公开的实施例中均以薄膜晶体管为例进行说明。
像素驱动电路100所采用的各薄膜晶体管的控制极为晶体管的栅极，第一极为薄膜晶体管的源极和漏极中一者，第二极为薄膜晶体管的源极和漏极中另一者。由于薄膜晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的，也就是说，本公开的实施例中的薄膜晶体管的第一极和第二极在结构上可以是没有区别的。示例性的，在薄膜晶体管为P型晶体管的情况下，薄膜晶体管的第一极为源极，第二极为漏极；示例性的，在薄膜晶体管为N型晶体管的情况下，晶体管的第一极为漏极，第二极为源极。
如图3A和图3B所示，上述覆晶薄膜2230与显示面板2240通过多个第一引脚S1电连接。覆晶薄膜2230上设有多个第一引脚S1，多个第一引脚与驱动芯片2231电连接。显示面板2240的周边区BB设有多条信号线73的延伸段(图中未示出)。这样，多条信号线73与多个像素驱动电路100电连接，多条信号线73的延伸段与多个第一引脚S1电连接，以实现覆晶薄膜2230上的驱动芯片2231与多个像素驱动电路100电连接。并且，如图6A和图6B所示，上述位于周边区BB的封装层2243会暴露多条信号线73的延伸段，即多条信号线73的延伸段上不设置封装层2243，以便于通过在多条信号线73的延伸段上贴合导电胶14，实现多条信号线73的延伸段与覆晶薄膜2230上的多个第一引脚S1电连接。
在一些示例中，如图3A和图3B所示，显示模组2200还包括至少一个光敏器件110，且显示面板2240中至少一个像素驱动电路100包括光敏器件110。
示例的，如图3A所示，在柔性电路板2200的一侧表面设有至少一个光敏器件110，且在柔性电路板110弯折至衬底2241的背光侧的情况下，光敏器件110相对于柔性电路板2200靠近衬底2241。结合图6A，显示面板2240未设置光敏器件110所在的膜层。例如，在柔性电路板2200上设置一个贴片光敏电阻RG。显示面板2240中至少一个像素驱动电路100与这个贴片光敏电阻RG电连接。
又示例的，如图3B所示，在显示面板2240上设置至少一个光敏器件110。如图6B所示，在显示面板2240上设置光敏器件110所在的膜层(即光敏层17)。该光敏层17设置于多个像素驱动电路100远离衬底2241的一侧，光敏层17包括至少一个光敏器件110(图中未示出)，每个光敏器件110与多个像素驱动电路100电连接。考虑到显示面板2240还可以包括触控层15和圆偏光片16的情况，为提高光敏器件110的光感应灵敏度，将光敏层17设置于圆偏光片16远离衬底2241的一侧。这样，外界环境光透过玻璃盖板18照射在光敏层17上，减小照射在光敏器件110上的光通量损失，提高光敏器件110的感应效率和灵敏度。
在一些示例中，显示模组2200具有透光区域(图中未示出)，透光区域设置有至少一个光敏器件110，透光区域能够将外界环境光透射至光敏器件110。
可以理解的是，在一个像素驱动电路100响应于光敏器件110进行发光器件200亮度调节的情况下，处理器2211可以获取流经光敏器件110的电位并进行信息处理，以对整个显示区AA的发光器件200的亮度进行调节。本公开对处理器2211与具有光敏器件110的像素驱动电路100的信息交互方式不作具体限定。
示例的，透光区域为边框2101上的一个开口(图中未示出)，暴露光敏器件110，以便于光敏器件110进行感光。
或者，透光区域位于显示面板2240的周边区BB，例如，透光区域位于靠近显示装置2000摄像头(图中未示出)的位置，避免光敏器件110对显示区AA的开口率的影响。
又或者，透光区域位于显示面板2240的显示区AA。例如，透光区域为整个显示区AA，这样，光敏层17包括多个光敏器件110，设置每个像素驱动电路100与一个光敏器件110电连接，提高光敏感应效率。
基于此，请参阅图7～图21所示，本公开的一些实施例提供了一种像素驱动电路100。
如图7所示，像素驱动电路100包括光敏器件110和调光子电路120。光敏器件110的第一端被配置为接收控制信号Ctl，光敏器件110的第二端与第一节点N1电连接。其中，控制信号Ctl是由控制端OP输出的各类信号，示例的，如图9A～图21所示，控制信号Ctl可以是复用像素驱动电路100中原本的一些信号，例如em信号、vinit信号、vdd信号、gate信号、reset信号；也可以是复用像素驱动电路100中的一些节点的电压信号，例如第二节点N2的电压信号、第三节点N3的电压信号和第四节点N4的电压信号。该控制信号Ctl不影响像素驱动电路100的驱动过程，且在像素驱动电路100驱动发光器件200发光的过程中使发光器件200正常发光即可。其中第二节点N2、第三节点N3、第四节点N4为像素驱动电路100中的等效电路节点。
光敏器件110的电阻随照射在光敏器件110上的光照强度的变化而变化，光敏器件110被配置为基于控制信号Ctl，调节第一节点N1的电压。示例性地，如图8A所示，光敏器件110的电阻随照射在光敏器件110上的光照强度的增大而增大，流经光敏器件110的电压和电流减小，即第一节点N1的电位随照射在光敏器件110上的光照强度的增大而减小，以控制调光子电路120的导通状态。或者，如图8B所示，光敏器件110的电阻随照射在光敏器件110上的光照强度的增大而减小，流经光敏器件110的电压和电流增大，即第一节点N1的电位随照射在光敏器件110上的光照强度的增大而增大，以控制调光子电路120的导通状态。该光敏器件110的特性与制作光敏器件110的材料有关，且第一节点N1的极限电位(即光敏器件110的阻值最大和最小情况下，控制信号Ctl传输至第一节点N1的电位)可控制调光子电路120导通，将第一电压端VDD的第一电压信号vdd的至少部分传输至发光器件200，使发光器件200发光。
示例的，该光敏器件110包括光敏电阻RG、光敏二极管和光敏三极管中的一种或多种，根据调节第一节点N1的电压的需求选择设置。如图9A～图21所示，以光敏器件110为光敏电阻RG为例进行说明。
上述第一节点N1与调光子电路120电连接，且调光子电路120连接在第一电压端VDD和发光器件200之间。这样，在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的导通状态随第一节点N1的电压的变化而变化，以在第一节点N1的电压的控制下，基于来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd，调节发光器件200的亮度。
示例的，第一节点N1的电位增大，调光子电路120的导通程度增大，则第一电压信号vdd传输至发光器件200的电压(和电流)增大，发光器件200的亮度增加。
又示例的，第一节点N1的电位减小，调光子电路120的导通程度减小，则第一电压信号vdd传输至发光器件200的电压(和电流)减小，发光器件200的亮度减弱。
这样，像素驱动电路100通过光敏器件110和与其电连接的调光子电路120来实现自动调节发光器件200的亮度，无需与额外增设的调光元件进行信息交互，降低电路结构的复杂度。
上述发光器件200可以为OLED、QLED和LED等具有自发光特性的二极管。本领域技术人员可以根据实际需求选择设置。
如图9A～图21所示，像素驱动电路100还包括驱动晶体管TD。驱动晶体管TD的控制极与第二节点N2电连接，驱动晶体管TD的第一极与第三节点N3电连接，驱动晶体管TD的第二极与第四节点N4电连接。
在一些实施例中，如图9A、图10、图11和图14～图21所示，调光子电路120包括第一晶体管T1，第一晶体管T1连接在第四节点N4与发光器件200之间，且第一晶体管T1的控制极与第一节点N1电连接。
在另一些实施例中，如图9B、图12和图13所示，调光子电路120包括第一晶体管T1，第一晶体管T1连接在第一电压端VDD与第三节点N3之间，且第一晶体管T1的控制极与第一节点N1电连接。
在上述两种实施例中，像素驱动电路100包括串接于第一电压端VDD和发光器件200之间的驱动晶体管TD和调光子电路120。驱动晶体管TD和调光子电路120共同作用以控制发光器件200发光。其中，调光子电路120与驱动晶体管TD的相对位置关系，并不影响第一节点N1的电位对调光子电路120的导通状态的控制，可根据实际情况调整。
在一些实施例中，如图9A～图21所示，像素驱动电路100还包括电容器Cst、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。电容器Cst的第一极板与第一电压端VDD电连接，电容器Cst的第二极板与第二节点N2电连接。第四晶体管T4的控制极与扫描信号端Gate电连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号端电连接，第四晶体管T4的第二极与第三节点N3电连接。第五晶体管T5的控制极与扫描信号端Gate电连接，第五晶体管T5的第一极与第四节点N4电连接，第五晶体管T5的第二极与第二节点N2电连接。第六晶体管T6的控制极与复位信号端Reset电连接，第六晶体管T6的第一极与初始化信号端Vinit电连接，第六晶体管T6的第二极与第二节点电N2连接。第七晶体管T7的控制极与扫描信号端Gate电连接，第七晶体管T7的第一极与初始化信号端Vinit电连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件200电连接。
示例性地，以下结合图22所示使能信号端EM、扫描信号端Gate和复位信号端Reset输出信号的时序，对像素驱动电路100的工作过程进行示例性说明。在下面的描述中，像素驱动电路100中的第四晶体管T4、第五晶体管T5和第七晶体管T7为P型晶体管，第一电压端VDD所传输的第一电压信号vdd为高电平信号，第二电压端VSS所传输的第二电压信号vss为低电平信号为例进行说明。本领域技术人员应当了解，在上述像素驱动电路100中，第一电压信号端VDD与第二电压信号端VSS之间的线路导通，则发光器件200发光。其中，光敏器件110仅影响调光子电路120的导通状态，即调光子电路120将第一电压信号vdd传输至发光器件200的电位大小，随照射在光敏器件110上的光照强度的变化而变化。
在一个帧周期内，像素驱动电路100的驱动过程可以包括第一阶段P1、第二阶段P2和第三阶段P3。示例性的，在下面的描述中，“0”表示低电平，“1”表示高电平。
在第一阶段P1，EM＝1，Reset＝0，Gate＝1。
在此情况下，第四晶体管T4、第五晶体管T5和第七晶体管T7均关闭。第六晶体管T6打开，来自初始化信号端Vinit的初始化信号vinit传输至第二节点N2，对存储电容Cst和驱动晶体管TD的控制极进行初始化。
以及，调光子电路120关闭，第一电压端VDD与第二电压端VSS之间的线路为断路，发光器件200不发光。
在第二阶段P2，EM＝1，Reset＝1，Gate＝0。
在此情况下，第四晶体管T4和第五晶体管T5打开，第六晶体管T6关闭。来自数据信号端Vdata的数据信号vdata写入电容器Cst中，并且，驱动晶体管TD的阈值电压写入电容器Cst中。此时，第二节点N2的电位为vdata+Vth。
第七晶体管T7打开，来自初始化信号端Vinit的初始化信号vinit传输至发光器件200的阳极，对发光器件200进行初始化。
以及，调光子电路120关闭，第一电压端VDD与第二电压端VSS之间的线路为断路，发光器件200不发光。
在第三阶段P3，EM＝0，Reset＝1，Gate＝1。
在此情况下，第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7均关闭，电容器Cst放电，第二节点N2保持低电位(vdata+Vth)，驱动晶体管TD打开。
以及，调光子电路120打开，第一电压端VDD与第二电压端VSS之间的线路为通路，发光器件200发光。其中，第三节点N3的电位为vdd。在驱动晶体管TD打开，即Vdata+Vth-Vdd＞Vth的情况下，第四节点N4的电位为高电位。
可以理解的是，驱动晶体管TD为P型晶体管的情况下，Vth＜0。驱动晶体管TD为N型晶体管的情况下，Vth＞0。
由上面关于像素驱动电路100的描述可知，在一个帧周期内的第三阶段P3，像素驱动电路100控制发光器件200发光，且该像素驱动电路100中的使能信号端EM、扫描信号端Gate、复位信号端Reset、初始化信号端Vinit、第一电压端VDD、第二电压端VSS、第二节点N2、第三节点N3和第四节点N4均有电位信号输出。基于此，设置调光子电路120中的晶体管数量和类型，以实现像素驱动电路100在第一阶段P1实现电容器Cst初始化、第二阶段P2实现数据写入电容器Cst，和第三阶段P3实现发光器件200发光的正常驱动过程。
在以下实施例中，如图9A～图21所示，根据光敏器件110的第一端接收不同的控制信号Ctl(即光敏器件110的第一端与不同的信号端或节点电连接)，对调光子电路120的具体结构进行详细说明。
以调光子电路120包括两个晶体管为例进行说明。如图9A～图13所示，调光子电路120包括第一晶体管T1和第二晶体管T2。
在一些实施例中，第一晶体管T1和第二晶体管T2的连接关系如图9A、图10、图11所示，第一晶体管T1的控制极与第一节点N1电连接，第一晶体管T1的第一极与第四节点N4电连接，第一晶体管T1的第二极与发光器件200电连接。第二晶体管T2的控制极与第一节点N1或使能信号端EM电连接，第二晶体管T2的第一极与第一电压端VDD电连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3电连接。
在一些示例中，如图9A和图10所示，光敏器件110的第一端与使能信号端EM电连接，光敏器件110的第一端接收的控制信号Ctl为使能信号em。
示例性地，如图9A所示，在此情况下，调光子电路120中，第一晶体管T1和第二晶体管T2的控制极均与第一节点N1电连接；第二晶体管T2的第一极与第一电压端VDD电连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3电连接；第一晶体管T1的第一极与第四节点N4电连接，第一晶体管T1的第二极与发光器件200电连接。
这样，使能信号端EM输出的使能信号em经光敏器件110流至第一节点N1，在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的第一晶体管T1和第二晶体管T2的导通程度均发生变化，从而，控制来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd传输至发光器件200的大小，调节发光器件200的亮度。
示例性地，如图10所示，在此情况下，调光子电路120的第一晶体管T1的控制极与第一节点N1电连接，第一晶体管T1的第一极与第四节点N4电连接，第一晶体管T1的第二极与发光器件200电连接。第二晶体管T2的控制极与使能信号端EM电连接，第二晶体管T2的第一极与第一电压端VDD电连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3电连接。
这样，使能信号端EM输出的使能信号em经光敏器件110流至第一节点N1，在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的第一晶体管T1的导通程度均发生变化，从而，控制来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd传输至发光器件200的大小，即控制第四节点N4的电位传输至发光器件200的大小，以调节发光器件200的亮度。
在另一些示例中，如图11所示，光敏器件110的第一端与扫描信号端Gate电连接，光敏器件110的第一端接收的控制信号Ctl为扫描信号gate，光敏器件110的第二端与第一节点N1电连接。
调光子电路120的第一晶体管T1的控制极与第一节点N1电连接，第一晶体管T1的第一极与第四节点N4电连接，第一晶体管T1的第二极与发光器件200电连接。第二晶体管T2的控制极与使能信号端EM电连接，第二晶体管T2的第一极与第一电压端VDD电连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3电连接。
这样，扫描信号端Gate输出的扫描信号gate经光敏电阻RG流至第一节点N1。在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的第一晶体管T1的导通程度发生变化，从而，控制来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd传输至发光器件200的大小，即控制第四节点N4的电位传输至发光器件200的大小，以调节发光器件200的亮度。
在另一些实施例中，调光子电路120包括第一晶体管T1和第二晶体管T2，第一晶体管T1和第二晶体管T2的连接关系如图9B、图12和图13所示，第一晶体管T1的控制极与第一节点N1电连接，第一晶体管T1的第一极与第一电压端VDD电连接，第一晶体管T1的第二极与第三节点N3电连接。第二晶体管T2的控制极与使能信号端EM电连接，第二晶体管T2的第一极与第四节点N4电连接，第二晶体管T2的第二极与发光器件200电连接。
在一些示例中，请继续参阅图9B、图12和图13，光敏器件110的第一端与使能信号端EM或扫描信号端Gate电连接。
示例性地，如图12所示，光敏器件110的第一端与使能信号端EM电连接，光敏器件110的第一端接收的控制信号Ctl为使能信号em，光敏器件110的第二端与第一节点N1电连接。
调光子电路120的第一晶体管T1的控制极与第一节点N1电连接，第一晶体管T1的第一极与第一电压端VDD电连接，第一晶体管T1的第二极与第三节点N3电连接。第二晶体管T2的控制极与使能信号端EM电连接，第二晶体管T2的第一极与第四节点N4电连接，第二晶体管T2的第二极与发光器件200电连接。
这样，使能信号端EM输出的使能信号em经光敏器件110流至第一节点N1，在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的第一晶体管T1的导通程度发生变化，从而，控制来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd传输至第三节点N3的大小，以调节发光器件200的亮度。
示例性地，如图13所示，光敏电阻RG的第一端与扫描信号端Gate电连接，光敏电阻RG的第一端接收的控制信号Ctl为扫描信号gate，光敏电阻RG的第二端与第一节点N1电连接。
调光子电路120的第一晶体管T1的控制极与第一节点N1电连接，第一晶体管T1的第一极与第一电压端VDD电连接，第一晶体管T1的第二极与第三节点N3电连接。第二晶体管T2的控制极与使能信号端EM电连接，第二晶体管T2的第一极与第四节点N4电连接，第二晶体管T2的第二极与发光器件200电连接。
这样，扫描信号端Gate输出的扫描信号gate经光敏电阻RG流至第一节点N1，在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的第一晶体管T1的导通程度发生变化，从而，控制来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd传输至第三节点N3的大小，以通过调节第三节点N3的电位大小来调节发光器件200的亮度。
以调光子电路120包括三个晶体管为例进行说明。如图14～图21所示，调光子电路120包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3。
在一些实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3的连接关系如图14～图21所示，第二晶体管T2的控制极与使能信号端EM电连接，第二晶体管T2的第一极与第一电压端VDD电连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3电连接。第三晶体管T3与第一晶体管T1串联在第四节点N4和发光器件200之间，第三晶体管T3的控制极与使能信号端EM电连接，。
示例的，如图14～图21所示，第三晶体管T3的控制极与使能信号端EM电连接，第三晶体管T3的第一极与第四节点N4电连接，第三晶体管T3的第二极与第一晶体管T1的第一极电连接。第一晶体管T1的控制极与第一节点N1电连接，第一晶体管T1的第二极与发光器件200电连接。其中，发光器件200与第二电压端VSS电连接。
考虑第二晶体管T2和第三晶体管T3的连接关系实现像素驱动电路100的正常驱动过程，这样，与第一晶体管T1的控制极电连接的光敏电阻RG，其第一端可以与使能信号端EM、扫描信号端Gate、复位信号端Reset、初始化信号端Vinit、第一电压端VDD、第二电压端VSS、第二节点N2、第三节点N3或第四节点N4中的任一者电连接。
在一些示例中，如图14所示，光敏电阻RG的第一端与扫描信号端Gate电连接，光敏电阻RG的第一端接收的控制信号Ctl为扫描信号gate。如图22所示，扫描信号端Gate输出的扫描信号gate在发光阶段P3输出高电平信号。
这样，扫描信号端Gate输出的扫描信号gate经光敏电阻RG流至第一节点N1，在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的第一晶体管T1的导通程度发生变化，从而，控制来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd传输至发光器件200的大小，即控制来自第三晶体管T3的第二极的电位传输至发光器件200的大小，以调节发光器件200的亮度。
在一些示例中，如图15所示，光敏电阻RG的第一端与复位信号端Reset电连接，光敏电阻RG的第一端接收的控制信号Ctl为复位信号reset。如图22所示，复位信号端Reset输出的复位信号reset在发光阶段P3输出低电平信号。
这样，复位信号端Reset输出的复位信号reset经光敏电阻RG流至第一节点N1，在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的第一晶体管T1的导通程度发生变化，从而，控制来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd传输至发光器件200的大小，即控制来自第三晶体管T3的第二极的电位传输至发光器件200的大小，以调节发光器件200的亮度。
在一些示例中，如图16所示，光敏电阻RG的第一端与初始化信号端Vinit，光敏电阻RG的第一端接收的控制信号Ctl为初始信号vinit。初始信号vinit为恒定的低电平信号。
这样，初始化信号端Vinit输出的初始信号vinit经光敏电阻RG流至第一节点N1，在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的第一晶体管T1的导通程度发生变化，从而，控制来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd传输至发光器件200的大小，即控制来自第三晶体管T3的第二极的电位传输至发光器件200的大小，以调节发光器件200的亮度。
在一些示例中，如图17所示，光敏电阻RG的第一端与第一电压端VDD电连接，光敏电阻RG的第一端接收的控制信号Ctl为第一电压信号vdd。第一电压信号vdd为恒定的高电平信号。
这样，第一电压端VDD输出的第一电压信号vdd经光敏电阻RG流至第一节点N1，在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的第一晶体管T1的导通程度发生变化，从而，控制来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd传输至发光器件200的大小，即控制来自第三晶体管T3的第二极的电位传输至发光器件200的大小，以调节发光器件200的亮度。
在一些示例中，如图18所示，光敏电阻RG的第一端与第二电压端VSS电连接，光敏电阻RG的第一端接收的控制信号Ctl为第二电压信号vss。第二电压信号vss为恒定的低电平信号。
这样，第二电压端VSS输出的第二电压信号vss经光敏电阻RG流至第一节点N1，在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的第一晶体管T1的导通程度发生变化，从而，控制来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd传输至发光器件200的大小，即控制来自第三晶体管T3的第二极的电位传输至发光器件200的大小，以调节发光器件200的亮度。
在一些示例中，如图19所示，光敏电阻RG的第一端与第二节点N2电连接，光敏电阻RG的第一端接收的控制信号Ctl为第二节点N2的电位，即vdata+Vth。第二节点N2为低电平信号。
这样，第二节点N2的电位经光敏电阻RG流至第一节点N1，在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的第一晶体管T1的导通程度发生变化，从而，控制来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd传输至发光器件200的大小，即控制来自第三晶体管T3的第二极的电位传输至发光器件200的大小，以调节发光器件200的亮度。
在一些示例中，如图20所示，光敏电阻RG的第一端与第三节点N3电连接，光敏电阻RG的第一端接收的控制信号Ctl为第三节点N3的电位，即在第三阶段P3，第一电压端VDD传输至第三节点N3的第一电压信号vdd。第三节点N3的电位为高电平信号。
这样，第三节点N3的电位经光敏电阻RG流至第一节点N1，在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的第一晶体管T1的导通程度发生变化，从而，控制来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd传输至发光器件200的大小，即控制来自第三晶体管T3的第二极的电位传输至发光器件200的大小，以调节发光器件200的亮度。
在一些示例中，如图21所示，光敏电阻RG的第一端与第四节点N4电连接，光敏电阻RG的第一端接收的控制信号Ctl为第四节点N4的电位，即在第三阶段P3，第四节点N4的电位为高电平信号。
这样，第四节点N4的电位经光敏电阻RG流至第一节点N1，在第一节点N1的电位的控制下，调光子电路120的第一晶体管T1的导通程度发生变化，从而，控制来自第一电压端VDD的第一电压信号vdd传输至发光器件200的大小，即控制来自第三晶体管T3的第二极的电位传输至发光器件200的大小，以调节发光器件200的亮度。
由上述实施例中光敏电阻RG的第一端连接的不同的信号端或节点，来设置第一晶体管T1的类型可知，在一些示例中，如图11、图13、图14、图17、图20和图21所示，在光敏电阻RG的第一端与第一电压端VDD、扫描信号端Gate、第三节点N3和第四节点N4中的任一者电连接的情况下，第一晶体管T1的极性，与驱动晶体管TD、第二晶体管T2、及第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的极性相反。其中，在调光子电路120还包括第三晶体管T3的情况下，第一晶体管T3的极性还与第三晶体管T3的极性相反。
示例的，如图11和图13所示，在调光子电路120包括第一晶体管T1和第二晶体管T2的情况下，驱动晶体管TD、第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7均为P型晶体管，则第一晶体管T1为N型晶体管。以及，如图14、图17、图20和图21所示，在调光子电路120还包括第三晶体管T3的情况下，驱动晶体管TD、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7均为P型晶体管，则第一晶体管T1为N型晶体管。
在另一些示例中，如图9A、图9B、图10、图12、图15、图16、图18和图19所示，光敏器件120的第一端与使能信号端EM、复位信号端Reset、初始化信号端Vinit、第二电压端VSS和第二节点N2中的任一者电连接的情况下，第一晶体管T1的极性，与驱动晶体管TD、第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的极性相同；在调光子电路120还包括第三晶体管T3的情况下，第一晶体管T3的极性还与第三晶体管T3的极性相同。
示例的，如图9A、图9B、图10、图12所示，在调光子电路120包括第一晶体管T1和第二晶体管T2的情况下，驱动晶体管TD、第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7均为P型晶体管，则第一晶体管T1为P型晶体管。以及，如图15、图16、图18和图19所示，在调光子电路120还包括第三晶体管T3的情况下，驱动晶体管TD、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7均为P型晶体管，则第一晶体管T1为P型晶体管。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：
光敏器件，所述光敏器件的第一端被配置为接收控制信号，所述光敏器件的第二端与第一节点电连接；所述光敏器件的电阻随照射在所述光敏器件上的光照强度的变化而变化，所述光敏器件被配置为基于所述控制信号，调节所述第一节点的电压；
调光子电路，连接在第一电压端和发光器件之间，且与所述第一节点电连接；所述调光子电路的导通状态随所述第一节点的电压的变化而变化，所述调光子电路被配置为在所述第一节点的电压的控制下，基于来自所述第一电压端的第一电压信号，调节所述发光器件的亮度。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，还包括：
驱动晶体管，所述驱动晶体管的控制极与第二节点电连接，所述驱动晶体管的第一极与第三节点电连接，所述驱动晶体管的第二极与第四节点电连接；
所述调光子电路包括第一晶体管，连接在所述第四节点与所述发光器件之间，且所述第一晶体管的控制极与所述第一节点电连接。
3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述光敏器件的第一端与使能信号端电连接；
所述调光子电路还包括第二晶体管，所述第二晶体管的控制极与所述第一节点或所述使能信号端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第一电压端电连接，所述第二晶体管的第二极与所述第三节点电连接。
4.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述光敏器件的第一端与扫描信号端电连接；
所述调光子电路还包括第二晶体管，所述第二晶体管的控制极与使能信号端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第一电压端电连接，所述第二晶体管的第二极与所述第三节点电连接。
5.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述光敏器件的第一端与使能信号端、扫描信号端、复位信号端、初始化信号端、所述第一电压端、第二电压端、所述第二节点、所述第三节点或所述第四节点中的任一者电连接；其中，所述发光器件与所述第二电压端电连接；
所述调光子电路还包括第二晶体管和第三晶体管；
所述第二晶体管的控制极与使能信号端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第一电压端电连接，所述第二晶体管的第二极与所述第三节点电连接；
所述第三晶体管的控制极与所述使能信号端电连接，所述第三晶体管连接在所述第四节点和所述发光器件之间，且所述第三晶体管与所述第一晶体管串联。
6.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，还包括：
驱动晶体管，所述驱动晶体管的控制极与第二节点电连接，所述驱动晶体管的第一极与第三节点电连接，所述驱动晶体管的第二极与第四节点电连接；
所述调光子电路包括第一晶体管，所述第一晶体管的控制极与所述第一节点电连接，所述第一晶体管的第一极与所述第一电压端电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第三节点电连接。
7.根据权利要求6所述的像素驱动电路，其特征在于，所述光敏器件的第一端与使能信号端或扫描信号端电连接；
所述调光子电路还包括第二晶体管，所述第二晶体管的控制极与所述使能信号端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第四节点电连接，所述第二晶体管的第二极与所述发光器件电连接。
8.根据权利要求3、4、5和7中任一项所述的像素驱动电路，其特征在于，还包括：
电容器，所述电容器的第一极板与所述第一电压端电连接，所述电容器的第二极板与所述第二节点电连接；
第四晶体管，所述第四晶体管的控制极与扫描信号端电连接，所述第四晶体管的第一极与数据信号端电连接，所述第四晶体管的第二极与所述第三节点电连接；
第五晶体管，所述第五晶体管的控制极与所述扫描信号端电连接，所述第五晶体管的第一极与所述第四节点电连接，所述第五晶体管的第二极与所述第二节点电连接；
第六晶体管，所述第六晶体管的控制极与复位信号端电连接，所述第六晶体管的第一极与初始化信号端电连接，所述第六晶体管的第二极与所述第二节点电连接；
第七晶体管，所述第七晶体管的控制极与所述扫描信号端电连接，所述第七晶体管的第一极与所述初始化信号端电连接，所述第七晶体管的第二极与所述发光器件电连接。
9.根据权利要求8所述的像素驱动电路，其特征在于，
在所述光敏器件的第一端与所述第一电压端、所述扫描信号端、所述第三节点和所述第四节点中的任一者电连接的情况下，所述第一晶体管的极性，与所述驱动晶体管、所述第二晶体管、及所述第四晶体管～所述七晶体管的极性相反；在所述调光子电路还包括第三晶体管的情况下，所述第一晶体管的极性还与所述第三晶体管的极性相反；
所述光敏器件的第一端与所述使能信号端、所述复位信号端、所述初始化信号端、第二电压端和所述第二节点中的任一者电连接的情况下，所述第一晶体管的极性，与所述驱动晶体管、所述第二晶体管、所述第四晶体管～所述七晶体管的极性相同；在所述调光子电路还包括第三晶体管的情况下，所述第一晶体管的极性还与所述第三晶体管的极性相同。
10.一种显示模组，其特征在于，包括：
衬底；
多个如权利要求1～9中任一项所述的像素驱动电路，设置于所述衬底上；
多个发光器件，设置于多个所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧，所述发光器件与所述像素驱动电路电连接。
11.根据权利要求10所述的显示模组，其特征在于，所述显示模组具有透光区域，所述透光区域设置有至少一个所述光敏器件，每个所述光敏器件与多个所述像素驱动电路电连接。
12.根据权利要求10所述的显示模组，其特征在于，还包括：
光敏层，设置于所述多个像素驱动电路远离所述衬底的一侧，所述光敏层包括多个所述光敏器件，每个所述光敏器件与一个或多个所述像素驱动电路电连接。
13.根据权利要求10所述的显示模组，其特征在于，还包括：
覆晶薄膜，与多个所述像素驱动电路电连接；
柔性电路板，与所述覆晶薄膜电连接；所述柔性电路板的一侧表面设有至少一个所述光敏器件，且在所述柔性电路板弯折至所述衬底的背光侧的情况下，所述光敏器件相对于所述柔性电路板靠近所述衬底；
其中，每个所述光敏器件与多个所述像素驱动电路电连接。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10～13中任一项所述的显示模组，以及壳体。
15.一种智能手表，其特征在于，包括如权利要求10～13中任一项所述的显示模组，以及支撑部件。
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