CN110100275B - 像素阵列基板及其驱动方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种像素阵列基板及其驱动方法、显示面板、显示装置。该像素阵列基板包括排布在多个像素行中的多个像素单元以及分布在多个像素行中的公共电极。每个像素单元包括发光元件；每个像素行中的多个像素单元的发光元件的第一极相互电连接以形成每个像素行中的公共电极，且该多个像素行中的公共电极相互绝缘。驱动该像素阵列基板中的像素单元发光时，通过调节每个像素行中的公共电极的电压，在每个像素行中的像素单元的非发光阶段，使每个像素行中的像素单元的发光元件处于反向偏置状态，在每个像素行中的像素单元的发光阶段，使每个像素行中的像素单元的发光元件处于正向偏置状态，可以实现发光元件亮度的精确控制，从而提高显示质量。

Description

像素阵列基板及其驱动方法、显示面板、显示装置
技术领域
本公开的实施例涉及一种像素阵列基板及其驱动方法、显示面板、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，在手机、平板电脑、数码相机等显示领域的应用越来越广泛。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种像素阵列基板，包括：排布在多个像素行中的多个像素单元以及分布在所述多个像素行中的公共电极。每个所述像素单元包括发光元件；每个像素行中的多个所述像素单元的所述发光元件的第一极相互电连接以形成每个所述像素行中的所述公共电极，且所述多个像素行中的所述公共电极相互绝缘。
例如，在本公开一实施例提供的像素阵列基板中，每个像素行中的所述公共电极配置为在每个像素行中的所述像素单元的非发光阶段，接收第一电源信号使每个所述像素行中的所述像素单元的所述发光元件处于反向偏置状态，在每个像素行中的所述像素单元的发光阶段，接收第二电源信号使每个所述像素行中的所述像素单元的所述发光元件处于正向偏置状态。
例如，本公开一实施例提供的像素阵列基板，还包括：与所述多个像素行一一对应的多根电源信号线。每个所述像素行中的所述公共电极与每个所述像素行对应的电源信号线连接，所述第一电源信号和所述第二电源信号通过每个所述像素行对应的所述电源信号线传输到每个所述像素行中的所述公共电极。
例如，本公开一实施例提供的像素阵列基板，还包括：像素限定层，用于限定所述多个像素单元。所述像素限定层包括多个过孔；每个像素行中的所述公共电极通过至少一个所述过孔与每个所述像素行对应的电源信号线连接。
例如，本公开一实施例提供的像素阵列基板，还包括：多个辅助阴极，与所述多个过孔一一对应。每个像素行中的所述公共电极通过至少一个所述过孔与至少一个辅助阴极连接，每个所述像素行对应的所述电源信号线与所述至少一个辅助阴极连接。
例如，在本公开一实施例提供的像素阵列基板中，每个所述像素单元还包括：驱动电路、存储电容和驱动控制电路。所述驱动电路的第一端与第一节点连接，所述驱动电路的第二端与第二节点连接，所述驱动电路的控制端与第三节点连接，且配置为控制经过所述第一节点和所述第二节点的用于驱动所述发光元件的驱动电流；所述发光元件的第二极与所述第二节点连接；所述存储电容的第一端与所述驱动电路的控制端耦接，所述存储电容的第二端与所述驱动电路的第二端耦接；所述驱动控制电路配置为响应于扫描信号将参考电压信号以及数据电压信号分别施加至所述驱动电路的控制端，响应于发光控制信号将第一电压提供至所述第一节点，以及响应于复位信号对所述第二节点进行复位。
例如，在本公开一实施例提供的像素阵列基板中，所述驱动电路包括：驱动晶体管。所述驱动晶体管的第一极作为所述驱动电路的第一端，所述驱动晶体管的第二极作为所述驱动电路的第二端，所述驱动晶体管的栅极作为所述驱动电路的控制端。
例如，在本公开一实施例提供的像素阵列基板中，所述驱动控制电路包括：开关电路。所述开关电路配置为响应于所述扫描信号将所述参考电压信号以及所述数据电压信号分别施加至所述驱动电路的控制端。
例如，在本公开一实施例提供的像素阵列基板中，所述开关电路包括：第一晶体管。所述第一晶体管的栅极与扫描信号端连接以接收所述扫描信号，所述第一晶体管的第一极与数据信号端连接以接收所述参考电压信号以及所述数据电压信号，所述第一晶体管的第二极与所述第三节点连接。
例如，在本公开一实施例提供的像素阵列基板中，所述驱动控制电路还包括：发光控制电路。所述发光控制电路配置为响应于所述发光控制信号将所述第一电压提供至所述第一节点。
例如，在本公开一实施例提供的像素阵列基板中，所述发光控制电路包括：第二晶体管。所述第二晶体管的栅极与发光控制信号端连接以接收所述发光控制信号，所述第二晶体管的第一极与第一电源端连接以接收所述第一电压，所述第二晶体管的第二极与所述第一节点连接。
例如，在本公开一实施例提供的像素阵列基板中，所述驱动控制电路还包括：复位电路。所述复位电路配置为响应于所述复位信号对所述第二节点进行复位。
例如，在本公开一实施例提供的像素阵列基板中，所述复位电路包括：第三晶体管。所述第三晶体管的栅极与复位信号端连接以接收所述复位信号，所述第三晶体管的第一极与复位电压端连接以接收复位电压，所述第三晶体管的第二极与所述第二节点连接。
例如，在本公开一实施例提供的像素阵列基板中，每个所述像素单元还包括：第一电容。所述第一电容的第一端与所述发光元件的第一极耦接，所述第一电容的第二端与所述发光元件的第二极耦接。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板，包括本公开任一实施例提供的像素阵列基板。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，包括本公开任一实施例提供的显示面板。
本公开至少一实施例还提供一种像素阵列基板的驱动方法，包括：在每个所述像素行中的所述像素单元的非发光阶段，向每个所述像素行中的所述公共电极提供第一电源信号，使每个所述像素行中的所述像素单元的所述发光元件处于反向偏置状态；在每个所述像素行中的所述像素单元的发光阶段，向每个所述像素行中的所述公共电极提供第二电源信号，使每个所述像素行中的所述像素单元的所述发光元件处于正向偏置状态。
例如，在本公开一实施例提供的驱动方法中，每个所述像素单元还包括：驱动电路、存储电容、开关电路、发光控制电路以及复位电路。所述驱动电路的第一端与第一节点连接，所述驱动电路的第二端与第二节点连接，所述驱动电路的控制端与第三节点连接，且配置为控制经过所述第一节点和所述第二节点的用于驱动所述发光元件的驱动电流；所述发光元件的第二极与所述第二节点连接；所述存储电容的第一端与所述驱动电路的控制端耦接，所述存储电容的第二端与所述驱动电路的第二端耦接；所述开关电路配置为响应于扫描信号将参考电压信号以及数据电压信号分别施加至所述驱动电路的控制端；所述发光控制电路配置为响应于发光控制信号将第一电压提供至所述第一节点；所述复位电路配置为响应于复位信号对所述第二节点进行复位。所述非发光阶段包括：复位阶段、补偿阶段和数据写入阶段。所述驱动方法还包括：在所述复位阶段，输入所述复位信号、所述扫描信号、所述参考电压信号，开启所述复位电路和所述开关电路，所述复位电路对所述发光元件进行复位，所述开关电路将所述参考电压信号写入所述驱动电路的控制端并存储在所述存储电容中；在所述补偿阶段，输入所述扫描信号、所述发光控制信号和所述参考电压信号，开启所述开关电路、所述驱动电路和所述发光控制电路，所述开关电路持续将所述参考电压信号写入所述驱动电路的控制端以保持所述驱动电路的控制端的电压，所述发光控制电路对所述驱动电路进行补偿；在所述数据写入阶段，输入所述扫描信号和所述数据电压信号，开启所述开关电路，所述开关电路将所述数据电压信号写入所述驱动电路的控制端并存储在所述存储电容中；以及在所述发光阶段，输入所述发光控制信号，开启所述发光控制电路和所述驱动电路，所述驱动电路将所述驱动电流施加至所述发光元件以驱动所述发光元件发光。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为一种显示面板的结构示意图；
图2为图1所示的显示面板中的一种像素电路的电路示意图；
图3为图2所示的像素电路工作时的信号时序图；
图4为图1所示的显示面板中的一种有机发光二极管的电容—电压变化曲线图；
图5A为本公开一实施例提供的一种像素阵列基板的结构示意图；
图5B为图5A所示的像素阵列基板沿M-N线的剖面示意图；
图6A为图5A所示的像素阵列基板中的一种像素电路的电路示意框图；
图6B为图6A所示的像素电路的一种实现示例的电路示意框图；以及
图7为图5A所示的像素阵列基板工作时的信号时序图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
下面通过几个具体的实施例对本公开进行说明。为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，可省略已知功能和已知部件的详细说明。当本公开实施例的任一部件在一个以上的附图中出现时，该部件在每个附图中由相同或类似的参考标号表示。
图1为一种显示面板的结构示意图。如图1所示，该显示面板1包括像素阵列基板10，阵列基板10包括阵列排布的多个像素单元50。每个像素单元50包括像素电路100和发光元件200。该发光元件200可以为有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(Quantum DotLight-Emitting Diode，QLED)。
如图1所示，该显示面板1还包括栅极驱动电路，该栅极驱动电路可以通过栅线12为像素电路100提供扫描信号。例如，栅极驱动电路可以通过绑定的集成电路驱动芯片实现，也可以将栅极驱动电路直接集成在像素阵列基板10上构成GOA(Gate driver OnArray)。例如，如图1所示，在像素电路100需要的情况下，该栅极驱动电路(或者另外设置的其他驱动电路)还可以通过控制线14为像素电路100提供其他需要的控制信号，如发光控制信号、复位信号等，其中，控制线14根据需要可以包括例如发光控制线、复位控制线等多种不同的控制线。
如图1所示，该显示面板1还包括数据驱动电路，该数据驱动电路可以通过数据线16为像素电路100提供数据信号。例如，数据驱动电路可以通过绑定的集成电路驱动芯片实现。
另外，如图1所示，阵列排布的多个像素单元50的发光元件200的阴极往往形成一个大的整体公共阴极204，以节省工艺和节约制造成本。
该显示面板1显示一帧图像时，在每个像素单元50中，像素电路100在栅极驱动电路提供的信号(例如，扫描信号、复位信号和发光控制信号等)的控制下，根据数据驱动电路提供的数据信号，产生流经发光元件200的驱动电流以驱动发光元件200发光，从而进行显示。
图2为图1所示的显示面板中的一种像素电路的电路示意图。如图2所示，该像素电路100包括驱动晶体管T0、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、存储电容C0和第一电容C1。驱动晶体管T0的漏极与第一节点N1连接，驱动晶体管T0的源极与第二节点N2连接，驱动晶体管T0的栅极与第三节点N3连接；第一晶体管T1的漏极通过数据线与数据信号端连接以接收数据信号Data，第一晶体管T1的源极与第三节点N3连接，第一晶体管T1的栅极通过栅线与扫描信号端连接以接收扫描信号SN；第二晶体管T2的漏极与第一电源端连接以接收第一电压VDD(高电压)，第二晶体管T2的源极与第一节点N1连接，第二晶体管T2的栅极通过发光控制线与发光控制信号端连接以接收发光控制信号EM；第三晶体管T3的漏极与复位电压端连接以接收复位电压Vsus，第三晶体管T3的源极与第二节点N2连接，第三晶体管T3的栅极通过复位控制线与复位信号端连接以接收复位信号RS；存储电容C0的第一端与驱动晶体管T0的栅极耦接，存储电容C0的第二端与驱动晶体管的源极耦接；发光元件200的阳极与第二节点N2连接，发光元件200的阴极与第二电源端连接以接收第二电压VSS(低电压，例如接地电压)；第一电容C1的第一端与发光元件200的阴极耦接，第一电容C1的第二端与发光元件200的阳极耦接。图2所示的像素电路100中的晶体管均以N型晶体管为例。
图3为图2所示的像素电路工作时的信号时序图。下面结合图3所示的信号时序图，对图2所示的像素电路100的工作原理进行说明。在像素电路100工作时，第一电压VDD保持为高电压，第二电压VSS保持为低电压，复位电压Vsus为低电压且无法驱动发光元件200发光，以下对像素电路100的工作原理进行说明的过程中对此不再重复说明。该像素电路100的工作原理包括：
在复位阶段，扫描信号SN为高电平，使第一晶体管T1导通，此时的数据信号DATA(即参考电压信号Vref)经第一晶体管T1传输至第三节点N3，将存储电容C0的第一端重置为Vref；发光控制信号EM为低电平，使第二晶体管T2截止；当复位信号RS为高电平时，使第三晶体管T3导通，复位电压Vsus经第三晶体管T3传输至第二节点N2，将存储电容C0的第二端和第一电容的C1的第二端重置为Vsus。因此，在此阶段，可以初始化存储在存储电容C0中的数据信号以及驱动晶体管T0的栅极电压。另外，在复位阶段结束时，存储电容C0两端的电压差为Vref–Vsus，该电压差大于驱动晶体管T0的阈值电压Vth(即Vref–Vsus>Vth)，因此驱动晶体管T0导通。
在补偿阶段，扫描信号SN为高电平，使第一晶体管T1导通，参考电压信号Vref经第一晶体管T1传输至第三节点N3，将存储电容C0的第一端保持为Vref；复位信号RS为低电平，使第三晶体管T3截止；发光控制信号EM为高电平，使第二晶体管T2导通。由于在补偿阶段开始(即复位阶段结束)时，驱动晶体管T0导通，因此，第一电压VDD可以经第二晶体管T2和驱动晶体管T0向第二节点N2(即存储电容C0的第二端)充电，根据驱动晶体管T0自身的特性(即存在阈值电压Vth)，当存储电容C0的第二端和第一电容的C1的第二端被充电至Vref–Vth时，驱动晶体管T0截止，充电过程结束。在补偿阶段结束时，存储电容C0两端的电压差为Vth，即实现了对驱动晶体管T0自身的阈值电压的补偿。
在数据写入阶段，复位信号RS为低电平，使第三晶体管T3截止；发光控制信号EM为第电平，使第二晶体管T2截止；当扫描信号SN为高电平时，使第一晶体管T1导通，此时的数据信号DATA(即数据电压信号Vdata)经第一晶体管T1传输至第三节点N3，并存储在存储电容C0中，以用于在后续发光阶段使驱动晶体管T0导通，为发光元件200提供驱动电流。
在发光阶段，扫描信号SN为低电平，使第一晶体管T1截止；复位信号RS为低电平，使第三晶体管T3截止；发光控制信号EM为高电平，使第二晶体管T2导通。此时，通过驱动晶体管T0向发光元件200提供响应于施加到驱动晶体管T0的栅极的与Vdata有关的电压信号(即数据写入阶段结束时存储在存储电容C0中的电压信号)而生成驱动电流，使发光元件200发光。
在研究中，本申请的发明人注意到：发光元件200(例如，有机发光二极管)自身也产生电容Coled。在上述数据写入阶段，由于第二晶体管T2和第三晶体管T3均截止，因此第二节点N2处无直流通路，处于悬浮状态；而第一晶体管T1导通，从而第三节点N3的电位从Vref跳变为Vdata。由于存储电容C0的自举效应，第二节点N2的电位也会相应发生变化；由于存储电容C0、第一电容C1和发光元件200自身的电容Coled三者相互耦合，第二节点N2的电位变化为：
a(Vdata–Vref)，其中a＝C0/(C0+C1+Coled)。
因此，此时驱动晶体管T0的栅极和源极的电压差为：
VGS＝(Vdata-Vref)·(1-a)+Vth；
进而，在发光阶段，驱动晶体管T0提供的驱动电流为：
Figure BDA0001998321760000081
其中，I表示驱动电流，β表示一个常数值。
另外，本申请的发明人还发现：如图4所示，发光元件200(例如，有机发光二极管)的电容Coled会随发光元件200的阳极和阴极两端的电压Voled的变化而变化。在发光元件200的正向偏置状态下，电容Coled的变化较为剧烈；而在发光元件200的反向偏置状态下，电容Coled的变化较小，即在发光元件200的反向偏置状态下，电容Coled相对稳定。根据上述对像素电路100的工作原理的分析，在上述数据写入阶段，发光元件200处于正向偏置状态；当写入的数据电压信号Vdata不同时，参数a也不同，从而导致驱动电流的精确控制变得困难，难以实现发光元件亮度的精确控制。
本公开至少一实施例提供了一种像素阵列基板，该像素阵列基板包括排布在多个像素行中的多个像素单元以及分布在多个像素行中的公共电极。每个像素单元包括发光元件；每个像素行中的多个像素单元的发光元件的第一极相互电连接以形成每个所述像素行中的公共电极，且多个像素行中的公共电极相互绝缘。
本公开的一些实施例还提供了对应于上述像素阵列基板的驱动方法、显示面板及显示装置。
本公开上述实施例提供的像素阵列基板，在驱动该像素阵列基板中的像素单元发光时，通过调节每个像素行中的公共电极的电压，在每个像素行中的像素单元的非发光阶段，使每个所述像素行中的像素单元的发光元件处于反向偏置状态，在每个像素行中的像素单元的发光阶段，使每个所述像素行中的像素单元的发光元件处于正向偏置状态，可以实现发光元件亮度的精确控制，从而提高显示质量。
下面结合附图对本公开的实施例及其示例进行详细说明。
图5A为本公开一实施例提供的一种像素阵列基板的结构示意图。如图5A所示，该像素阵列基板20包括排布在多个像素行中的多个像素单元50以及分布在该多个像素行中的公共电极205。每个像素单元50包括发光元件200；每个像素行中的多个像素单元50的发光元件200的第一极相互电连接以形成该像素行中的公共电极205，且各像素行中的公共电极205相互绝缘。例如，发光元件200为有机发光二极管或量子点发光二极管，其第一极为阴极。
例如，图5A所示的公共电极205可以通过光刻工艺对图1所示的整体公共阴极204进行处理而得到；或者，可以通过掩膜工艺，使在形成发光元件200的阴极时直接形成公共电极205。上述光刻工艺和掩膜工艺的流程可以参考现有的半导体工艺技术，本公开对此不再赘述。
例如，在该像素阵列基板20中，每个像素行中的公共电极205配置为在每个像素行中的像素单元50的非发光阶段，接收第一电源信号使该像素行中的像素单元50的发光元件200处于反向偏置状态，在每个像素行中的像素单元50的发光阶段，接收第二电源信号使该像素行中的像素单元50的发光元件200处于正向偏置状态。例如，第一电源信号为能够使发光元件200处于反向偏置状态的高电平，第二电源信号为能够使发光元件200处于正向偏置状态的低电平(例如，接地电平)。例如，在一些示例中，第一电源信号和第二电源信号可以由与栅极驱动电路类似的驱动电路提供，例如，该驱动电路也可以以GOA的形式形成在像素阵列基板20上；或者，栅极驱动电路本身可以按照本公开的要求提供上述第一电源信号和第二电源信号；又或者，第一电源信号和第二电源信号可以由集成电路驱动芯片提供，例如该集成电路驱动芯片可以以覆晶薄膜(COF)的形式绑定在像素阵列基板20上。需要说明的是，本公开对第一电源信号和第二电源信号的提供方式不作限制。
例如，如图5A所示，该像素阵列基板20还包括：与多个像素行一一对应的多根电源信号线18。每个像素行中的公共电极205与每个像素行对应的电源信号线18连接，上述第一电源信号和第二电源信号通过每个像素行对应的电源信号线18传输到每个像素行中的公共电极205，以实现上述改变发光元件200的偏置状态的功能。
图5B为图5A所示的像素阵列基板沿M-N线的剖面示意图。例如，如图5B所示，该像素阵列基板20还包括像素限定层250，该像素限定层250用于限定(间隔)多个像素单元50。例如，在一些示例中，如图5B所示，像素限定层250通过开口250a限定发光元件200的发光区域(如图5B中虚线框所示)，进而限定上述像素单元50。例如，在一些示例中，以发光元件200包括有机发光二极管为例，如图5B所示，在像素阵列基板20中，发光元件200包括阴极205(即发光元件200的第一极，也即公共电极205)，阳极209(即发光元件200的第二极)，以及设置在阴极205和阳极209之间的有机薄膜层210。
例如，在一些示例中，有机薄膜层210可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层(例如，由有机电致发光材料形成)、电子传输层和电子注入层形成的多层结构，还可以包括空穴阻挡层和电子阻挡层，空穴阻挡层例如可设置在电子传输层和发光层之间，电子阻挡层例如可设置在空穴传输层和发光层之间。有机层210中各层的设置及材质可以参照通常设计，本公开的实施例对此不作限定。
需要说明的是，本公开的实施例对发光元件200的阴极205、阳极209和有机薄膜层210的材料、结构以及形成方式此不作限制。
例如，结合图5A和图5B所示，该像素限定层50包括多个过孔250b，每个像素行中的公共电极205通过至少一个过孔250b与该像素行对应的电源信号线18连接。例如，在一些示例中，每个像素行中的公共电极205可以通过多个过孔250b与该像素行对应的电源信号线18连接，由此可以提高公共电极205的导电能力。
例如，在一些示例中，尤其是像素阵列基板20用于顶发射型的有机发光二极管显示面板时，为了兼顾透光率，发光单元20的透明阴极厚度较薄，导致公共电极205的导电能力较差。为了提高公共电极205的导电能力，如图5A所示，可以设置与公共电极205电连接的多个辅助阴极207，此时，电源信号线18可以通过与辅助阴极207电连接，以间接实现与公共电极205的电连接。例如，辅助阴极207可以设置在像素单元50之间的不发光区域中。例如，在一些示例中，结合图5A和图5B所示，多个辅助阴极207域像素限定层250的多个过孔250b一一对应，每个像素行中的公共电极205通过至少一个过孔250b与至少一个辅助阴极207连接，每个像素行对应的电源信号线18与该至少一个辅助阴极207连接，从而间接地实现电源信号线18与公共电极205的电连接。例如，如图5B所示，此时电源信号线18的投影与辅助阴极207的投影重叠。需要说明的是，图5B中所示的辅助阴极207的设置是示例性的。例如，在一些示例中，辅助阴极207可以与公共阴极205直接接触以实现电连接；例如，在另一些示例中，辅助阴极207和公共阴极205之间可以设置有其他膜层，例如该其他膜层可以与阳极209位于同一层且经过同一步图案化工艺形成，即辅助阴极207和公共阴极205之间可以间接电连接。
需要说明的是，本公开的实施例提供的像素阵列基板对辅助阴极的设置方式不作限制，电源信号线18可以通过与辅助阴极电连接以间接与公共电极电连接，也可以不通过辅助阴极而与公共电极电连接，本公开对此亦不作限制。另外，本公开的实施例提供的像素阵列基板对是否设置辅助阴极亦不作限制。
需要说明的是，图5B是示意性的，其中省略了像素阵列基板20的其他结构，例如衬底基板和像素电路的结构等，本公开对此不作限制。
例如，如图5A所示，在该像素阵列基板20中，每个像素单元50还包括像素电路150。图6A为图5A所示的像素阵列基板中的一种像素电路的电路示意框图。例如，如图6A所示，该像素电路150包括：驱动电路160、存储电容C0和驱动控制电路165。驱动电路160的第一端与第一节点N1连接，驱动电路160的第二端与第二节点N2连接，驱动电路160的控制端与第三节点N3连接，且配置为控制经过第一节点N1和第二节点N2的用于驱动发光元件200的驱动电流；发光元件200的第二极与第二节点N2连接，例如，发光元件200为有机发光二极管或量子点发光二极管，其第二极为阳极；存储电容C0的第一端与驱动电路160的控制端耦接，存储电容C0的第二端与驱动电路160的第二端耦接，例如，存储电容C0可以用于存储驱动电路160的控制端和第二端的电压差(例如，该电压差与数据电压信号相关)以控制上述驱动电流的大小；驱动控制电路165配置为响应于扫描信号SN将数据信号Data施加至驱动电路160的控制端，响应于发光控制信号EM将第一电压VDD提供至第一节点N1，以及响应于复位信号RS对第二节点N2进行复位。例如，数据信号data可以包括参考电压信号以及数据电压信号。
图6B为图6A所示的像素电路的一种实现示例的电路示意框图。例如，如图6B所示，在像素电路150中，驱动控制电路165可以包括开关电路170。例如，开关电路170的第一端与数据信号端连接以接收数据信号Data，开关电路170的第二端与第三节点N3连接(即与驱动电路160的控制端连接)，开关电路170的控制端与扫描信号端连接以接收扫描信号SN。例如，上述数据信号Data包括参考电压信号以及数据电压信号，该开关电路170配置为响应于扫描信号SN将参考电压信号以及数据电压信号分别施加至驱动电路160的控制端。
例如，如图6B所示，在一些示例中，在像素电路150中，驱动控制电路165还包括发光控制电路180。例如，发光控制电路180的第一端与第一电源端连接以接收第一电压VDD(例如，高电压)，发光控制电路180的第二端与第一节点N1连接，发光控制电路180的控制端与发光控制信号端连接以接收发光控制信号EM。该发光控制电路180配置为响应于发光控制信号EM将第一电压VDD提供至第一节点N1。
例如，如图6B所示，在一些示例中，在像素电路150中，驱动控制电路165还包括复位电路190。例如，复位电路190的第一端与复位电压端连接以接收复位电压Vsus，复位电路190的第二端与第二节点N2连接，复位电路190的控制端与复位信号端连接以接收复位信号RS。该复位电路190配置为响应于复位信号RS对第二节点N2进行复位。
需要说明的是，图6A中的驱动控制电路165实现为图6B中的开关电路170、发光控制电路180和复位电路190是示意性的，该驱动控制电路165还可以实现为任何其他可能的电路形式，只要能够实现本公开要求的功能即可，本公开对此不作限制。
另外，图6B所示的像素电路的其他电路结构与图6A中所示的像素电路基本上相同，重复之处在此不再赘述。
例如，图6B所示的像素电路150的一个示例可以具体实现为图2所示的像素电路100。如图2所示，该像素电路100包括四个晶体管T0-T4以及存储电容C0。需要说明的是，本公开的实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，本公开的实施例中均以薄膜晶体管为例进行说明。这里采用的晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分晶体管除栅极之外的两极，直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极。
例如，结合图6B和图2所示，驱动电路160可以包括驱动晶体管T0。驱动晶体管T0的第一极作为驱动电路160的第一端，与第一节点N1连接；驱动晶体管T0的第二极作为驱动电路160的第二端，与第二节点N2连接；驱动晶体管T0的栅极作为驱动电路160的控制端，与第三节点N3连接。
例如，结合图6B和图2所示，开关电路170可以包括第一晶体管T1。第一晶体管T1的栅极作为开关电路170的控制端，与扫描信号端连接以接收扫描信号SN；第一晶体管T1的第一极作为开关电路170的第一端，与数据信号端连接以接收数据信号Data，例如，数据信号Data包括参考电压信号以及所述数据电压信号；第一晶体管T1的第二极作为开关电路170的第二端，与第三节点连N3连接。
例如，结合图6B和图2所示，发光控制电路180可以包括第二晶体管T2。第二晶体管T2的栅极作为发光控制电路180的控制端，与发光控制信号端连接以接收发光控制信号EM；第二晶体管T2的第一极作为发光控制电路180的第一端，与第一电源端连接以接收第一电压VDD(例如，高电压)；第二晶体管T2的第二极作为发光控制电路180的第二端，与第一节点N1连接。
例如，结合图6B和图2所示，复位电路190可以包括第三晶体管T3。第三晶体管T3的栅极作为复位电路190的控制端，与复位信号端连接以接收复位信号RS；第三晶体管T3的第一极作为复位电路190的第一端，与复位电压端连接以接收复位电压Vsus；第三晶体管T3的第二极作为复位电路190的第二端，与第二节点N2连接。
需要说明的是，图6B所示的像素电路150可以具体实现为图2所示的像素电路100是示意性的，该像素电路150还可以具体实现为任何其他可能的电路形式，只要能够实现本公开要求的功能即可，本公开对此不作限制。
例如，如图6A、图6B和图2所示，在每个像素单元50的像素电路中还可以包括第一电容C1，第一电容C1的第一端与发光元件200的第一极耦接，第一电容C1的第二端与发光元件200的第二极耦接。
需要说明的是，在本公开的一些实施例中，电容(例如，存储电容C0和第一电容C1)可以是通过工艺制程制作的电容器件，例如通过制作专门的电容电极来实现电容器件，电容的各个电极可以通过金属层、半导体层(例如掺杂多晶硅)等实现。在一些实施例中，电容也可以是各个器件之间的寄生电容，可以通过晶体管本身与其他器件、线路来实现。电容的连接方式不局限于上面描述的方式，也可以为其他适用的连接方式，只要能存储相应节点的电平即可。
需要注意的是，在本公开的各个实施例的说明中，第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3并非表示实际存在的部件，而是表示电路图中相关电连接的汇合点。
另外，在本公开的实施例中的晶体管均以N型晶体管为例进行说明，此时，晶体管的第一极是漏极，第二极是源极。需要说明的是，本公开包括但不限于此。例如，本公开的实施例提供的移位寄存器单元100中的一个或多个晶体管也可以采用P型晶体管，此时，晶体管第一极是源极，第二极是漏极，只需将选定类型的晶体管的各极参照本公开的实施例中的相应晶体管的各极相应连接，并且使相应的电压端提供对应的高电压或低电压即可。当采用N型晶体管时，可以采用氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)作为薄膜晶体管的有源层，相对于采用低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)或非晶硅(例如氢化非晶硅)作为薄膜晶体管的有源层，可以有效减小晶体管的尺寸以及防止漏电流。
本公开至少一个实施例还提供一种对应于上述实施例提供的像素阵列基板20的驱动方法，该方法包括：在每个像素行中的像素单元50的非发光阶段，向该像素行中的公共电极205提供第一电源信号，使该像素行中的像素单元50的发光元件200处于反向偏置状态；在每个像素行中的像素单元50的发光阶段，向该像素行中的公共电极205提供第二电源信号，使该像素行中的像素单元50的发光元件200处于正向偏置状态。
以下，以图5A所示的像素阵列基板20中的像素单元50的像素电路150实现为图6B所示的像素电路为例，并以图6B所示的像素电路实现为图2所示的像素电路100(以各晶体管为N型晶体管为例)作参考，并结合图7所示的信号时序图，对上述驱动方法进行详细说明，其中与前述描述重复之处仅作简单说明，具体细节可以参考前述描述。
图7为在上述情况下的图5A所示的像素阵列基板工作时的信号时序图。图7所示的信号时序图与图3所示的信号时序图的不同之处在于：在图3中，第二电压VSS一直保持为低电压；而在图7中，上述电源装置提供的电源信号AVSS为可变信号。并且，具体地，在非发光阶段(例如，复位阶段、补偿阶段和数据写入阶段)，电源装置提供能够使发光元件200处于反向偏置状态的第一电源信号VH(例如，高电平)，在发光阶段，电源装置提供能够使发光元件200处于正向偏置状态的第二电源信号VL(例如，低电平或接地电平)。需要说明的是，图7所示的信号时序图与图3所示的信号时序图的不同，不会影响图2所示的像素电路100的正常工作，因此，图2所示的像素电路100根据图7所示的信号时序图工作的工作原理的具体细节可以参考前述对图2所示的像素电路100根据图3所示的信号时序图工作的工作原理的描述。
需要说明的是，如图7所示，在电源信号AVSS为可变信号时，可以通过延长电源信号AVSS的上升沿或/和下降沿的持续时间(即提高上升沿或/和下降沿的占空比)，使电源信号AVSS在VH和VL之间切换时从突变转为缓变，以减小切换时对第二节点N2的电压的影响。
还需要说明的是，图7所示的信号时序图的电位的高低仅是示意性的，不代表真实电位值或相对比例，对应于上述示例，高电平信号对应于N型晶体管的导通信号，而低电平信号对应于N型晶体管为截止信号。
例如，如图6B所示，像素阵列基板20中的每个像素单元50的像素电路150包括：驱动电路160、存储电容C0、开关电路170、发光控制电路180以及复位电路190。驱动电路160的第一端与第一节点N1连接，驱动电路160的第二端与第二节点N2连接，驱动电路160的控制端与第三节点N3连接，且配置为控制经过第一节点N1和第二节点N2的用于驱动发光元件200的驱动电流；发光元件200的第二极与第二节点N2连接(发光元件200的第一极与公共电极205连接)；存储电容C0的第一端与驱动电路160的控制端耦接，存储电容C0的第二端与驱动电路160的第二端耦接；开关电路170配置为响应于扫描信号SN将数据信号Data(例如，数据信号Data包括参考电压信号以及数据电压信号)施加至驱动电路160的控制端；发光控制电路180配置为响应于发光控制信号EM将第一电压VDD提供至第一节点N1；复位电路190配置为响应于复位信号RS对第二节点N2进行复位。
例如，如图7所示，非发光阶段包括：复位阶段、补偿阶段和数据写入阶段。相应地，该驱动方法还包括：在复位阶段，输入复位信号RS、扫描信号SN、参考电压信号Vref，开启复位电路190和开关电路170，复位电路190对发光元件200进行复位，开关电路170将参考电压信号Vref写入驱动电路160的控制端并存储在存储电容C0中；在补偿阶段，输入扫描信号SN、发光控制信号EM和参考电压信号Vref，开启开关电路170、驱动电路160和发光控制电路180，开关电路170持续将参考电压信号Vref写入驱动电路160的控制端以保持驱动电路160的控制端的电压，发光控制电路180对驱动电路160进行补偿；在数据写入阶段，输入扫描信号SN和数据电压信号Vdata，开启开关电路170，开关电路170将数据电压信号Vdata写入驱动电路160的控制端并存储在存储电容C0中；以及在发光阶段，输入发光控制信号EM，开启发光控制电路180和驱动电路160，驱动电路160将驱动电流施加至发光元件200以驱动发光元件200发光。
本公开的实施例提供的像素阵列基板，采用上述驱动方法进行驱动，可以实现发光元件亮度的精确控制，从而提高显示质量。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板，包括上述任一实施例提供的像素阵列基板。该显示面板还可以包括栅极驱动电路和数据驱动电路等，对于栅极驱动电路和数据驱动电路等的描述可以参考前述对图1所示的有机发光二极管显示面板1的具体描述，在此不再赘述。
例如，在一些示例中，该显示面板可以包括集成电路驱动芯片，由该集成电路驱动芯片提供前述第一电源信号和第二电源信号，例如该集成电路驱动芯片可以以覆晶薄膜(COF)的形式绑定在像素阵列基板上。例如，在另一些示例中，在显示面板的像素阵列基板上可以设置有与栅极驱动电路类似的驱动电路，由该驱动电路提供前述第一电源信号和第二电源信号。例如，在再一些示例中，像素阵列基板上的栅极驱动电路本身就可以提供前述第一电源信号和第二电源信号。本公开对此不作限制。
本公开的实施例提供的显示面板的技术效果可以参考上述实施例中关于像素阵列基板20的相应描述，在此不再赘述。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述任一实施例提供的显示面板。
本实施例中的显示装置可以为：显示器、电视、电子纸显示装置、手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。需要说明的是，该显示装置还可以包括其他常规部件或结构，例如，为实现显示装置的必要功能，本领域技术人员可以根据具体应用场景设置其他的常规部件或结构，本公开的实施例对此不做限制。
本公开的实施例提供的显示装置的技术效果可以参考上述实施例中关于像素阵列基板20的相应描述，在此不再赘述。
对于本公开，有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (14)

1.一种像素阵列基板，包括：排布在多个像素行中的多个像素单元以及分布在所述多个像素行中的公共电极；其中，
每个所述像素单元包括发光元件；
每个像素行中的多个所述像素单元的所述发光元件的第一极相互电连接以形成每个所述像素行中的所述公共电极，且所述多个像素行中的所述公共电极相互绝缘;
其中，每个像素行中的所述公共电极配置为在每个所述像素行中的所述像素单元的非发光阶段，接收第一电源信号使每个所述像素行中的所述像素单元的所述发光元件处于反向偏置状态，在每个所述像素行中的所述像素单元的发光阶段，接收第二电源信号使每个所述像素行中的所述像素单元的所述发光元件处于正向偏置状，
每个所述像素单元还包括驱动电路，所述驱动电路的第一端与第一节点连接且配置为在所述非发光阶段和所述发光阶段从第一电源端接收第一电压，所述驱动电路的第二端与第二节点连接，所述驱动电路的控制端与第三节点连接，且配置为控制经过所述第一节点和所述第二节点的用于驱动所述发光元件的驱动电流；
所述发光元件的第二极与所述第二节点连接；
所述发光元件的第二极在所述发光阶段的电平高于所述发光元件的第二电极在所述非发光阶段的电平，
所述像素阵列基板还包括：与所述多个像素行一一对应的多根电源信号线；其中，
每个所述像素行中的所述公共电极与每个所述像素行对应的电源信号线连接，
所述第一电源信号和所述第二电源信号通过每个所述像素行对应的所述电源信号线传输到每个所述像素行中的所述公共电极；
所述像素阵列基板还包括：像素限定层，用于限定所述多个像素单元；其中，
所述像素限定层包括多个过孔；
每个像素行中的所述公共电极通过至少一个所述过孔与每个所述像素行对应的电源信号线连接；并且
所述像素阵列基板还包括：多个辅助阴极，与所述多个过孔一一对应；其中，
每个像素行中的所述公共电极通过至少一个所述过孔与至少一个辅助阴极连接，每个所述像素行对应的所述电源信号线与所述至少一个辅助阴极连接。
2.根据权利要求1所述的像素阵列基板，其中，每个所述像素单元还包括：存储电容和驱动控制电路；
所述存储电容的第一端与所述驱动电路的控制端耦接，所述存储电容的第二端与所述驱动电路的第二端耦接；
所述驱动控制电路配置为响应于扫描信号将参考电压信号以及数据电压信号分别施加至所述驱动电路的控制端，响应于发光控制信号将所述第一电压提供至所述第一节点，以及响应于复位信号对所述第二节点进行复位。
3.根据权利要求2所述的像素阵列基板，其中，所述驱动电路包括：驱动晶体管；
所述驱动晶体管的第一极作为所述驱动电路的第一端，所述驱动晶体管的第二极作为所述驱动电路的第二端，所述驱动晶体管的栅极作为所述驱动电路的控制端。
4.根据权利要求2所述的像素阵列基板，其中，所述驱动控制电路包括：
开关电路，配置为响应于所述扫描信号将所述参考电压信号以及所述数据电压信号分别施加至所述驱动电路的控制端。
5.根据权利要求4所述的像素阵列基板，其中，所述开关电路包括：第一晶体管；
所述第一晶体管的栅极与扫描信号端连接以接收所述扫描信号，所述第一晶体管的第一极与数据信号端连接以接收所述参考电压信号以及所述数据电压信号，所述第一晶体管的第二极与所述第三节点连接。
6.根据权利要求4所述的像素阵列基板，其中，所述驱动控制电路还包括：
发光控制电路，配置为响应于所述发光控制信号将所述第一电压提供至所述第一节点。
7.根据权利要求6所述的像素阵列基板，其中，所述发光控制电路包括：第二晶体管；
所述第二晶体管的栅极与发光控制信号端连接以接收所述发光控制信号，所述第二晶体管的第一极与所述第一电源端连接以接收所述第一电压，所述第二晶体管的第二极与所述第一节点连接。
8.根据权利要求6所述的像素阵列基板，其中，所述驱动控制电路还包括：
复位电路，配置为响应于所述复位信号对所述第二节点进行复位。
9.根据权利要求8所述的像素阵列基板，其中，所述复位电路包括：第三晶体管；
所述第三晶体管的栅极与复位信号端连接以接收所述复位信号，所述第三晶体管的第一极与复位电压端连接以接收复位电压，所述第三晶体管的第二极与所述第二节点连接。
10.根据权利要求2所述的像素阵列基板，其中，每个所述像素单元还包括：第一电容；
所述第一电容的第一端与所述发光元件的第一极耦接，所述第一电容的第二端与所述发光元件的第二极耦接。
11.一种显示面板，包括：根据权利要求1-10任一项所述的像素阵列基板。
12.一种显示装置，包括：根据权利要求11所述的显示面板。
13.一种根据权利要求1所述的像素阵列基板的驱动方法，包括：
在每个所述像素行中的所述像素单元的非发光阶段，向每个所述像素行中的所述公共电极提供第一电源信号，使每个所述像素行中的所述像素单元的所述发光元件处于所述反向偏置状态；
在每个所述像素行中的所述像素单元的发光阶段，向每个所述像素行中的所述公共电极提供第二电源信号，使每个所述像素行中的所述像素单元的所述发光元件处于正向偏置状态。
14.根据权利要求13所述的驱动方法，其中，每个所述像素单元还包括：存储电容、开关电路、发光控制电路以及复位电路；
所述存储电容的第一端与所述驱动电路的控制端耦接，所述存储电容的第二端与所述驱动电路的第二端耦接；所述开关电路配置为响应于扫描信号将参考电压信号以及数据电压信号分别施加至所述驱动电路的控制端；所述发光控制电路配置为响应于发光控制信号将第一电压提供至所述第一节点；所述复位电路配置为响应于复位信号对所述第二节点进行复位；
所述非发光阶段包括：复位阶段、补偿阶段和数据写入阶段；
所述驱动方法还包括：
在所述复位阶段，输入所述复位信号、所述扫描信号、所述参考电压信号，开启所述复位电路和所述开关电路，所述复位电路对所述发光元件进行复位，所述开关电路将所述参考电压信号写入所述驱动电路的控制端并存储在所述存储电容中；
在所述补偿阶段，输入所述扫描信号、所述发光控制信号和所述参考电压信号，开启所述开关电路、所述驱动电路和所述发光控制电路，所述开关电路持续将所述参考电压信号写入所述驱动电路的控制端以保持所述驱动电路的控制端的电压，所述发光控制电路对所述驱动电路进行补偿；
在所述数据写入阶段，输入所述扫描信号和所述数据电压信号，开启所述开关电路，所述开关电路将所述数据电压信号写入所述驱动电路的控制端并存储在所述存储电容中；以及
在所述发光阶段，输入所述发光控制信号，开启所述发光控制电路和所述驱动电路，所述驱动电路将所述驱动电流施加至所述发光元件以驱动所述发光元件发光。
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