CN112352274B - 像素补偿电路、显示面板、驱动方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种像素补偿电路、显示面板、驱动方法及显示装置。像素补偿电路包括：发光器件(L)；驱动电路(10)，产生向发光器件(L)的第一电极输入的驱动电流；发光控制电路(20)，响应于第一发光控制信号(EM1)将第一电源信号(ELVDD)提供给发光器件(L)的第二电极，以及响应于第二发光控制信号(EM2)将第二电源信号(ELVSS)提供给发光器件(L)的第二电极；第一电源信号(ELVDD)与第二电源信号(ELVSS)的电平相反。能够降低像素补偿电路占用面积，利于显示面板实现高分辨率。

Description

像素补偿电路、显示面板、驱动方法及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及像素补偿电路、显示面板、驱动方法及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板具有低能耗、自发光等优点，是平板显示面板研究领域的热点之一。由于OLED属于电流驱动，需要稳定的电流来控制其发光。一般OLED显示面板采用像素补偿电路产生驱动电流以驱动OLED发光。
发明内容
本公开实施例提供的像素补偿电路，其中，包括：
发光器件；
驱动电路，被配置为产生向所述发光器件的第一电极输入的驱动电流；
发光控制电路，被配置为响应于第一发光控制信号将第一电源信号提供给所述发光器件的第二电极，以及响应于第二发光控制信号将第二电源信号提供给所述发光器件的第二电极；其中，所述第一电源信号与所述第二电源信号的电平相反。
可选地，在本公开实施例中，所述驱动电路和所述发光器件被配置在显示面板的显示区，所述发光控制电路被配置在所述显示面板的非显示区。
可选地，在本公开实施例中，所述发光控制电路包括：第一晶体管和第二晶体管；
所述第一晶体管的栅极被配置为接收所述第一发光控制信号，所述第一晶体管的第一极被配置为接收所述第一电源信号，所述第一晶体管的第二极与所述发光器件的第二电极耦接；
所述第二晶体管的栅极被配置为接收所述第二发光控制信号，所述第二晶体管的第一极被配置为接收所述第二电源信号，所述第二晶体管的第二极与所述发光器件的第二电极耦接。
可选地，在本公开实施例中，所述第一发光控制信号与所述第二发光控制信号为同一信号，所述第一晶体管和所述第二晶体管的晶体管类型不同。
可选地，在本公开实施例中，所述第一发光控制信号与所述第二发光控制信号不同，所述第一晶体管和所述第二晶体管的晶体管类型相同。
可选地，在本公开实施例中，所述驱动电路包括：驱动晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容以及第二电容；
所述驱动晶体管的栅极与所述第一电容的第一端耦接，所述驱动晶体管的第一极被配置为接收所述第一电源信号，所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件的第一电极耦接；
所述第三晶体管的栅极与扫描信号端耦接，所述第三晶体管的第一极与数据信号端耦接，所述第三晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第四晶体管的栅极与复位信号端耦接，所述第四晶体管的第一极与初始化信号端耦接，所述第四晶体管的第二极与所述发光器件的第一电极耦接；
所述第一电容的第二端与所述发光器件的第一电极耦接；
所述第二电容的第一端被配置为接收所述第一电源信号，所述第二电容的第二端与所述发光器件的第一电极耦接。
相应地，本公开实施例还提供了显示面板，其中，包括：衬底基板和多个上述像素补偿电路；其中，所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；
各所述像素补偿电路中的驱动电路和发光器件位于所述衬底基板的显示区。
可选地，在本公开实施例中，所述发光控制电路位于所述非显示区内。
可选地，在本公开实施例中，所述显示面板还包括：驱动芯片、柔性电路板以及印刷电路板中至少一种；
所述发光控制电路位于所述驱动芯片、柔性电路板以及印刷电路板中至少一种内。
可选地，在本公开实施例中，所述显示区包括：多个子显示区；每一个所述子显示区中的所有发光器件耦接同一个发光控制电路。
可选地，在本公开实施例中，每一个所述子显示区一一对应一个所述发光控制电路，所述发光控制电路位于所述衬底基板上对应的所述子显示区内。
可选地，在本公开实施例中，各所述子显示区沿第一方向延伸，且各所述子显示区沿第二方向排列；所述第一方向与所述第二方向交叉。
可选地，在本公开实施例中，各所述子显示区呈矩阵排列方式分布。
可选地，在本公开实施例中，所有所述像素补偿电路共用一个发光控制电路。
可选地，在本公开实施例中，所述显示面板还包括：多条栅线、栅极驱动电路以及与各所述栅线一一对应的选通控制电路；
各所述栅线分别通过对应的选通控制电路与所述栅极驱动电路的一个信号输出端耦接；
所述选通控制电路被配置为响应于具有第一电平的导通控制信号，将固定电压信号端与对应的所述栅线导通；以及响应于具有第二电平的导通控制信号，将连接的所述信号输出端与对应的所述栅线导通。
可选地，在本公开实施例中，各所述选通控制电路接收的导通控制信号为同一信号。
相应地，本公开实施例还提供了显示装置，其中，包括上述显示面板。
相应地，本公开实施例还提供了上述显示面板的驱动方法，其中，一帧时间包括：
非发光阶段，至少部分所述发光控制电路响应于第一发光控制信号，将第一电源信号提供给所述发光器件的第二电极；
发光阶段，至少部分所述发光控制电路响应于第二发光控制信号，将第二电源信号提供给发光器件的第二电极；所有所述驱动电路产生向所述发光器件的第一电极输入的驱动电流，驱动所述发光器件发光。
可选地，在本公开实施例中，所述非发光阶段包括：
复位阶段，所有第三晶体管响应于扫描信号端的信号同时导通，将数据信号端的参考电压信号提供给驱动晶体管的栅极；所有第四晶体管响应于复位信号端的信号同时导通，将初始化信号端的信号提供给所述发光器件的第一电极；
阈值补偿阶段，所有所述第三晶体管响应于所述扫描信号端的信号同时导通，将所述数据信号端的所述参考电压信号提供给所述驱动晶体管的栅极；所有所述驱动晶体管同时导通，将所述驱动晶体管的阈值电压写入所述驱动晶体管的第二极；
数据写入阶段，所述第三晶体管响应于所述扫描信号端的信号逐行导通，将所述数据信号端的数据信号提供给所述驱动晶体管的栅极；并通过所述第一电容和所述第二电容，将所述数据信号的电压写入所述驱动晶体管的第二极。
附图说明
图1为本公开实施例提供的像素补偿电路的结构示意图；
图2为本公开实施例提供的像素补偿电路的具体结构示意图之一；
图3为本公开实施例提供的信号时序图之一；
图4为本公开实施例提供的像素补偿电路的具体结构示意图之二；
图5为本公开实施例提供的信号时序图之二；
图6为本公开实施例提供的像素补偿电路的具体结构示意图之三；
图7为本公开实施例提供的信号时序图之三；
图8为本公开实施例提供的像素补偿电路的具体结构示意图之四；
图9为本公开实施例提供的信号时序图之四；
图10为本公开实施例提供的显示面板的结构示意图之一；
图11为本公开实施例提供的显示面板的结构示意图之二；
图12为本公开实施例提供的显示面板的结构示意图之三；
图13为本公开实施例提供的扫描信号的示意图；
图14为本公开实施例提供的信号时序图之五；
图15为本公开实施例提供的显示面板的结构示意图之四；
图16为本公开实施例提供的显示面板的结构示意图之五；
图17为本公开实施例提供的显示面板的驱动方法的流程图；
图18为本公开实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本公开的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本公开实施例提供的像素补偿电路、显示面板，驱动方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅被配置为说明和解释本公开，并不被配置为限定本公开。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
一般通过像素补偿电路中的驱动晶体管产生驱动电流，并将驱动电流提供给OLED，以驱动OLED发光。然而，由于工艺制程和器件老化等原因，导致驱动晶体管的阈值电压Vth存在不均匀性，这样导致驱动电流会发生变化，使得显示亮度不均，从而影响整个图像的显示效果。为了提高驱动电流的稳定性，可以采用能够补偿阈值电压Vth的像素补偿电路产生驱动电流。然而，为了避免像素补偿电路在进行阈值电压Vth补偿时对显示的影响，因此在一帧时间内设置非发光阶段，以在非发光阶段中进行补偿阈值电压Vth。然而，为了实现非发光阶段，像素补偿电路需要设置个数较多的晶体管。这样将会导致工艺难度较大，生产成本增加，以及导致像素补偿电路占用较大面积，从而不利于显示面板实现高分辨率。
有鉴于此，本公开实施例提供了采用简单结构设置的像素补偿电路，可以降低工艺难度，降低生产成本，以及降低像素补偿电路占用面积，从而有利于显示面板实现高分辨率。
本公开实施例提供的一些像素补偿电路，如图1所示，可以包括：发光器件L、驱动电路10、以及发光控制电路20。其中，驱动电路10被配置为产生向发光器件L的第一电极输入的驱动电流。发光控制电路20被配置为响应于第一发光控制信号EM1将第一电源信号ELVDD提供给发光器件L的第二电极，以及响应于第二发光控制信号EM2将第二电源信号ELVSS提供给发光器件L的第二电极；其中，第一电源信号ELVDD与第二电源信号ELVSS的电平相反。
本公开实施例提供的像素补偿电路，在非发光阶段，通过发光控制电路响应于第一发光控制信号将第一电源信号提供给发光器件的第二电极，以控制发光器件不发光。在发光阶段，通过驱动电路产生向发光器件的第一电极输入的驱动电流，并通过发光控制电路响应于第二发光控制信号将第二电源信号提供给发光器件的第二电极，以使驱动电流驱动发光器件发光。从而可以采用简单的结构控制发光器件是否发光，进而可以降低工艺难度，降低生产成本，降低像素补偿电路占用面积，以及有利于显示面板实现高分辨率。
一般发光器件具有开启电压，在发光器件的第一电极和第二电极之间的电压差大于或等于开启电压时进行发光。在具体实施时，发光器件的第一电极与驱动电路电连接，发光器件的第二电极与发光控制电路电连接。在本公开实施例中，发光器件可以包括：电致发光二极管。其中，电致发光二极管的阳极作为发光器件的第一电极，电致发光二极管的阴极作为发光器件的第二电极。具体地，电致发光二极管可以包括：OLED，或量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)。
在具体实施时，在本公开实施例中，驱动电路和发光器件可以被配置在显示面板的显示区，以使显示面板实现画面显示。
在具体实施时，在本公开实施例中，发光控制电路可以被配置在显示面板的非显示区，可以减低占用显示区的空间。其中，发光控制电路可以位于显示面板的衬底基板中围绕显示区设置的非显示区。或者，发光控制电路也可以为显示面板中的驱动芯片、柔性电路板以及印刷电路板中至少一种内。
在具体实施时，在本公开实施例中，第一电源信号ELVDD可以为高电平电压信号，例如第一电源信号ELVDD的电压Vdd一般为正值。第二电源信号ELVSS可以为低电平电压信号，例如第二电源信号ELVSS的电压Vss一般为接地电压或为负值。在实际应用中，上述各电压需要根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图2所示，驱动电路10可以包括：驱动晶体管M0、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第一电容C1以及第二电容C2；其中，
驱动晶体管M0的栅极G与第一电容C1的第一端耦接，驱动晶体管M0的第一极D被配置为接收第一电源信号ELVDD，驱动晶体管M0的第二极S与发光器件L的第一电极耦接；
第三晶体管M3的栅极与扫描信号端GA耦接，第三晶体管M3的第一极与数据信号端DA耦接，第三晶体管M3的第二极与驱动晶体管M0的栅极G耦接；
第四晶体管M4的栅极与复位信号端RES耦接，第四晶体管M4的第一极与初始化信号端VINIT耦接，第四晶体管M4的第二极与发光器件L的第一电极耦接；
第一电容C1的第二端与发光器件L的第一电极耦接；
第二电容C2的第一端被配置为接收第一电源信号ELVDD，第二电容C2的第二端与发光器件L的第一电极耦接。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图2所示，驱动晶体管M0可以设置为N型晶体管；其中，驱动晶体管M0的第一极S作为其漏极，驱动晶体管M0的第二极D作为其源极。并且该驱动晶体管M0处于饱和状态时的电流由驱动晶体管M0的漏极流向其源极。并且，发光器件L一般在驱动晶体管M0处于饱和状态时的电流的作用下实现发光。当然，在本公开实施例中，仅是以驱动晶体管为N型晶体管为例进行说明的，对于驱动晶体管为P型晶体管的情况，设计原理与本公开相同，也属于本公开保护的范围。
一般采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)材料作为有源层的晶体管的迁移率高且可以做得更薄更小、功耗更低等，在具体实施时，驱动晶体管的有源层的材料可以包括低温多晶硅材料。
在具体实施时，在本公开实施例中，第三晶体管M3在扫描信号端GA的信号的控制下处于导通状态时，可以将数据信号端DA的信号提供给驱动晶体管M0的栅极。第四晶体管M4在复位信号端RES的信号的控制下处于导通状态时，可以将初始化信号端VINIT的信号提供给发光器件L的第一电极。第一电容C1可以将输入其第一端和第二端的信号进行存储，以及在第一电容C1的第二端处于浮接状态时，可以将输入驱动晶体管的栅极的信号耦合到第一电容C1的第二端。第二电容C2可以将输入其第一端和第二端的信号进行存储，并对第一电容C1耦合到第一电容C1的第二端的信号的电压进行分压。
一般采用金属氧化物半导体材料作为有源层的晶体管的漏电流较小，为了降低驱动晶体管M0的栅极G的漏电流，在具体实施时，在本公开实施例中，第三晶体管M3的有源层的材料可以设置为金属氧化物半导体材料。例如可以为铟镓锌氧化物(IGZO)。当然，有源层的材料也可以为能够实现本公开方案的其他材料，在此不做限定。
为了降低第一电容C1的第二端的漏电流，在具体实施时，在本公开实施例中，第四晶体管M4的有源层的材料可以设置为金属氧化物半导体材料。例如可以为铟镓锌氧化物(IGZO)。当然，有源层的材料也可以为能够实现本公开方案的其他材料，在此不做限定。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图2所示，发光控制电路20可以包括：第一晶体管M1和第二晶体管M2；其中，
第一晶体管M1的栅极被配置为接收第一发光控制信号EM1，第一晶体管M1的第一极被配置为接收第一电源信号ELVDD，第一晶体管M1的第二极与发光器件L的第二电极耦接；
第二晶体管M2的栅极被配置为接收第二发光控制信号EM2，第二晶体管M2的第一极被配置为接收第二电源信号ELVSS，第二晶体管M2的第二极与发光器件L的第二电极耦接。
在具体实施时，在本公开实施例中，第一晶体管M1在第一发光控制信号EM1的控制下处于导通状态时，可以将第一电源信号ELVDD提供给发光器件L的第二电极，以使发光器件L不发光。第二晶体管M2在第二发光控制信号EM2的控制下处于导通状态时，可以将第二电源信号ELVSS提供给发光器件L的第二电极，以使发光器件L接收到低电平电压而正常发光。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图2所示，第一发光控制信号EM1与第二发光控制信号EM2不同，第一晶体管M1和第二晶体管M2的晶体管类型相同。例如，图2所示，第一晶体管M1和第二晶体管M2均为N型晶体管，则第一发光控制信号EM1与第二发光控制信号EM2如图3所示。
为了简化制备工艺，在具体实施时，在本公开实施例中，如图2所示，第一晶体管至第四晶体管M1～M4可以均为N型晶体管。
在具体实施时，第一晶体管M1的有源层的材料可以包括低温多晶硅材料或金属氧化物半导体材料，在此不作限定。
在具体实施时，第二晶体管M2的有源层的材料可以包括低温多晶硅材料或金属氧化物半导体材料，在此不作限定。
需要说明的是，上述晶体管可以为底栅型晶体管或顶栅型晶体管，这需要根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，上述晶体管的第一极可以作为其源极，第二极可以作为其漏极；或者，第一极作为其漏极，第二极作为其源极，在此不作具体区分。
进一步的，在具体实施时，N型晶体管在高电平信号作用下导通，在低电平信号作用下截止。P型晶体管在高电平信号作用下截止，在低电平信号作用下导通。
以上仅是举例说明本公开实施例提供的像素补偿电路的具体结构，在具体实施时，上述驱动电路和发光控制电路的具体结构不限于本公开实施例提供的上述结构，还可以是本领域技术人员可知的其他结构，在此不作限定。
下面以图2所示的像素补偿电路为例，结合图3所示的信号时序图对本公开实施例提供的上述像素补偿电路的工作过程作以描述。下述描述中以1表示高电平信号，0表示低电平信号，需要说明的是，1和0是逻辑电平，其仅是为了更好的解释本公开实施例的具体工作过程，而不是在具体实施时施加在各晶体管的栅极上的电压。
一帧时间可以包括非发光阶段T10和发光阶段T20。其中，非发光阶段T10可以包括：复位阶段T11、阈值补偿阶段T12以及数据写入阶段T13。
在非发光阶段T10中，由于EM1＝1，因此第一晶体管M1一直导通，以将第一电源信号ELVDD提供给发光器件L的第二电极，以使发光器件L的第二电极的电压为Vdd，从而使发光器件L处于负偏置状态而不发光。由于EM2＝0，因此第二晶体管M2一直截止。
在复位阶段T11，RES＝1、GA＝1。
由于GA＝1，因此第三晶体管M3导通，以将数据信号端DA输入的参考电压信号提供给驱动晶体管M0的栅极G，以使驱动晶体管M0的栅极G的电压为参考电压信号的电压Vref。由于RES＝1，因此第四晶体管M4导通，以将初始化信号端VINIT输入的初始化信号提供给发光器件L的第一电极，使发光器件L的第一电极的电压为初始化信号的电压Vinit。因此，第一电容C1两端的电压差为Vref-Vinit。第二电容C2两端的电压差为Vdd-Vinit。并且，为了确保驱动晶体管M0在阈值补偿阶段可以导通，因此可以使Vref和Vinit满足关系：Vref>Vinit+Vth；其中，Vth代表驱动晶体管M0的阈值电压。并且，为了避免发光器件L发光，可以使Vinit和Vdd满足关系：Vinit<Vdd。
在阈值补偿阶段T12，RES＝0、GA＝1。
由于GA＝1，因此第三晶体管M3导通，以将数据信号端DA输入的参考电压信号提供给驱动晶体管M0的栅极G，以使驱动晶体管M0的栅极G的电压继续为参考电压信号的电压Vref。由于RES＝0，因此第四晶体管M4截止。由于第四晶体管M4截止的瞬间，第一电容C1可以保持其两端的电压差仍为Vref-Vinit。由于Vref>Vinit+Vth，因此驱动晶体管M0可以导通，从而产生由第一极D流向第二极S的电流，以通过该电流对第一电容C1和第二电容C2进行充电，以使第一电容C1的第二端和第二电容C2的第二端的电压(即NB点的电压)逐渐上升。当NB点的电压VNB1上升到Vref-Vth时，驱动晶体管M0截止。此时第一电容C1两端的电压差为Vth。并且，当NB点的电压上升到Vref-Vth，NB点的电荷QNBT12可以满足公式：QNBT12＝c2(VNB1-Vdd)+c1(VNB1-Vref)+cL(VNB1-Vdd)＝(c2+cL)(Vref-Vth-Vdd)-c1Vth；其中，c1代表第一电容C1的电容值，c2代表第二电容C2的电容值，cL代表发光器件L的第一电极和第二电极之间的电容值。并且，为了避免发光器件L发光，可以使Vref-Vth<Vdd。
数据写入阶段T13，RES＝0、GA＝1。
由于RES＝0，因此第四晶体管M4截止。由于GA＝1，因此第三晶体管M3导通，以将数据信号端DA输入的数据信号提供给驱动晶体管M0的栅极G，并对第一电容C1和第二电容C2充电。在平衡后，驱动晶体管M0的栅极G的电压为数据信号的电压VDA，NB点的电压为VNB2。则此时，NB点的电荷QNBT13可以满足公式：QNBT12＝(c2+cL)(VNB2-Vdd)-c1(Vdata-VNB2)。在数据信号输入的过程中，NB点既没有电荷流入也没有电荷流出，因此QNBT13＝QNBT12。因此，
Figure BDA0002013807740000121
在发光阶段T20中，由于EM1＝0，因此第一晶体管M1一直截止。由于RES＝0，因此第四晶体管M4截止。由于GA＝0，因此第三晶体管M3截止。由于EM2＝1，因此第二晶体管M2一直导通，以将第二电源信号ELVSS提供给发光器件L的第二电极，以使发光器件L的第二电极的电压为Vss，从而使发光器件L处于正偏置状态。驱动晶体管M0在其第二极S的电压VNB2与其栅极G的电压VDA的控制下产生驱动电流IL，
Figure BDA0002013807740000122
其中，
Figure BDA0002013807740000123
μn代表驱动晶体管M0的迁移率，Cox为单位面积栅氧化层电容，
Figure BDA0002013807740000124
为驱动晶体管M0的宽长比，相同结构中这些数值相对稳定，可以算作常量。这样可以通过驱动电流IL驱动发光器件L发光。
由于工艺制程和器件老化等原因，会使驱动晶体管的阈值电压Vth产生漂移，这样就导致了流过每个发光器件的驱动电流受Vth漂移的影响而发生变化导致显示亮度不均，从而影响整个图像的显示效果。通过上述驱动电流IL满足的公式可知，驱动电流IL仅与数据信号端DA输入的数据信号的电压Vdata以及参考电压信号的电压Vref有关，而与驱动晶体管M0的阈值电压Vth无关，可以解决由于驱动晶体管M0的工艺制程以及长时间的操作造成的阈值电压Vth漂移对驱动电流IL的影响，从而使发光器件L的驱动电流IL保持稳定，进而保证了发光器件L的正常工作。
并且，在阈值补偿阶段T12与数据写入阶段T13之间还可以设置有缓冲阶段，这样可以使第一电容C1两端的电压差稳定后，再进行写入Vdata，进而进一步提高电路稳定性。
通过上述实施例可以看出，本公开可以通过简单的像素补偿电路的结构，可以在阈值补偿阶段、数据写入阶段使发光器件不进行发光，从而可以避免残影。
本公开实施例提供了另一些像素补偿电路，如图4所示，其针对图2所示的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与图2所示的像素补偿电路的实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图4所示，第一发光控制信号EM1与第二发光控制信号EM2不同，第一晶体管M1和第二晶体管M2的晶体管类型相同。例如，第一晶体管M1和第二晶体管M2均为P型晶体管，则第一发光控制信号EM1与第二发光控制信号EM2如图5所示。进一步地，为了简化制备工艺，也可以使第一晶体管至第四晶体管M1～M4均为P型晶体管，在此不作限定。
下面以图4所示的像素补偿电路为例，结合图5所示的信号时序图对本公开实施例提供的上述像素补偿电路的工作过程作以描述。下述描述中以1表示高电平信号，0表示低电平信号，需要说明的是，1和0是逻辑电平，其仅是为了更好的解释本公开实施例的具体工作过程，而不是在具体实施时施加在各晶体管的栅极上的电压。
一帧时间可以包括非发光阶段T10和发光阶段T20。其中，非发光阶段T10可以包括：复位阶段T11、阈值补偿阶段T12以及数据写入阶段T13。
在非发光阶段T10中，由于EM1＝0，因此第一晶体管M1一直导通，以将第一电源信号ELVDD提供给发光器件L的第二电极，以使发光器件L的第二电极的电压为Vdd。由于EM2＝1，因此第二晶体管M2一直截止。
在复位阶段T11，由于GA＝0，因此第三晶体管M3导通。并且，由于RES＝0，因此第四晶体管M4导通。本阶段的具体过程可以参见图2所示的像素补偿电路的实施例中的复位阶段T11，具体在此不作赘述。
在阈值补偿阶段T12，由于GA＝0，因此第三晶体管M3导通。并且，由于RES＝1，因此第四晶体管M4截止。本阶段的具体过程可以参见图2所示的像素补偿电路的实施例中的阈值补偿阶段T12，具体在此不作赘述。
在数据写入阶段T13，由于RES＝1，因此第四晶体管M4截止。由于GA＝0，因此第三晶体管M3导通。本阶段的具体过程可以参见图2所示的像素补偿电路的实施例中的数据写入阶段T13，具体在此不作赘述。
在发光阶段T20中，由于EM1＝1，因此第一晶体管M1一直截止。由于RES＝1，因此第四晶体管M4截止。由于GA＝1，因此第三晶体管M3截止。由于EM2＝0，因此第二晶体管M2一直导通，以将第二电源信号ELVSS提供给发光器件L的第二电极，以使发光器件L的第二电极的电压为Vss。本阶段的具体过程可以参见图2所示的像素补偿电路的实施例中的发光阶段T20，具体在此不作赘述。
本公开实施例提供了又一些像素补偿电路，如图6所示，其针对图2所示的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与图2所示的像素补偿电路的实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图6所示，第一发光控制信号与第二发光控制信号为同一信号，第一晶体管M1和第二晶体管M2的晶体管类型不同。例如图6所示，第一晶体管M1为N型晶体管，第二晶体管M2为P型晶体管，并且，第一晶体管M1的栅极和第二晶体管M2的栅极均接收第一发光控制信号EM1，以通过第一发光控制信号EM1同时控制第一晶体管M1的栅极和第二晶体管M2。并且，第一发光控制信号EM1如图7所示。当然，也可以使第一晶体管M1的栅极和第二晶体管M2的栅极均接收第二发光控制信号EM2，在此不作限定。
下面以图6所示的像素补偿电路为例，结合图7所示的信号时序图对本公开实施例提供的上述像素补偿电路的工作过程作以描述。下述描述中以1表示高电平信号，0表示低电平信号，需要说明的是，1和0是逻辑电平，其仅是为了更好的解释本公开实施例的具体工作过程，而不是在具体实施时施加在各晶体管的栅极上的电压。
一帧时间可以包括非发光阶段T10和发光阶段T20。其中，非发光阶段T10可以包括：复位阶段T11、阈值补偿阶段T12以及数据写入阶段T13。
在非发光阶段T10中，由于EM1＝1，因此第一晶体管M1一直导通，而第二晶体管M2一直截止。
在复位阶段T11，由于GA＝1，因此第三晶体管M3导通。并且，由于RES＝1，因此第四晶体管M4导通。本阶段的具体过程可以参见图2所示的像素补偿电路的实施例中的复位阶段T11，具体在此不作赘述。
在阈值补偿阶段T12，由于GA＝1，因此第三晶体管M3导通。并且，由于RES＝0，因此第四晶体管M4截止。本阶段的具体过程可以参见图2所示的像素补偿电路的实施例中的阈值补偿阶段T12，具体在此不作赘述。
在数据写入阶段T13，由于RES＝0，因此第四晶体管M4截止。由于GA＝1，因此第三晶体管M3导通。本阶段的具体过程可以参见图2所示的像素补偿电路的实施例中的数据写入阶段T13，具体在此不作赘述。
在发光阶段T20中，由于EM1＝0，因此第一晶体管M1一直截止，而第二晶体管M2一直导通。由于RES＝0，因此第四晶体管M4截止。由于GA＝0，因此第三晶体管M3截止。本阶段的具体过程可以参见图2所示的像素补偿电路的实施例中的发光阶段T20，具体在此不作赘述。
本公开实施例提供了又一些像素补偿电路，如图8所示，其针对图2所示的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与图2所示的像素补偿电路的实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图8所示，第一发光控制信号与第二发光控制信号为同一信号，第一晶体管M1和第二晶体管M2的晶体管类型不同。例如图8所示，第一晶体管M1为P型晶体管，第二晶体管M2为N型晶体管，并且，第一晶体管M1的栅极和第二晶体管M2的栅极均接收第一发光控制信号EM1，以通过第一发光控制信号EM1同时控制第一晶体管M1的栅极和第二晶体管M2。并且，第一发光控制信号EM1如图9所示。当然，也可以使第一晶体管M1的栅极和第二晶体管M2的栅极均接收第二发光控制信号EM2，在此不作限定。
下面以图8所示的像素补偿电路为例，结合图9所示的信号时序图对本公开实施例提供的上述像素补偿电路的工作过程作以描述。下述描述中以1表示高电平信号，0表示低电平信号，需要说明的是，1和0是逻辑电平，其仅是为了更好的解释本公开实施例的具体工作过程，而不是在具体实施时施加在各晶体管的栅极上的电压。
一帧时间可以包括非发光阶段T10和发光阶段T20。其中，非发光阶段T10可以包括：复位阶段T11、阈值补偿阶段T12以及数据写入阶段T13。
在非发光阶段T10中，由于EM1＝0，因此第一晶体管M1一直导通，而第二晶体管M2一直截止。
在复位阶段T11，由于GA＝1，因此第三晶体管M3导通。并且，由于RES＝1，因此第四晶体管M4导通。本阶段的具体过程可以参见图2所示的像素补偿电路的实施例中的复位阶段T11，具体在此不作赘述。
在阈值补偿阶段T12，由于GA＝1，因此第三晶体管M3导通。并且，由于RES＝0，因此第四晶体管M4截止。本阶段的具体过程可以参见图2所示的像素补偿电路的实施例中的阈值补偿阶段T12，具体在此不作赘述。
在数据写入阶段T13，由于RES＝0，因此第四晶体管M4截止。由于GA＝1，因此第三晶体管M3导通。本阶段的具体过程可以参见图2所示的像素补偿电路的实施例中的数据写入阶段T13，具体在此不作赘述。
在发光阶段T20中，由于EM0＝0，因此第一晶体管M1一直截止，而第二晶体管M2一直导通。由于RES＝0，因此第四晶体管M4截止。由于GA＝0，因此第三晶体管M3截止。本阶段的具体过程可以参见图2所示的像素补偿电路的实施例中的发光阶段T20，具体在此不作赘述。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了显示面板，如图10所示，可以包括：衬底基板100和本公开实施例提供的上述任意像素补偿电路。其中，衬底基板100包括显示区AA和围绕显示区AA的非显示区。各像素补偿电路中的驱动电路10和发光器件L位于衬底基板100的显示区AA。本公开实施例提供的显示面板，通过采用上述像素补偿电路，可以使显示面板在阈值补偿阶段、数据写入阶段中不进行发光，从而可以避免残影。
一般显示面板的显示区可以包括多个像素单元，各像素单元可以包括多个子像素。例如，像素单元可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素，这样可以使显示面板采用红绿蓝混色的原理进行画面显示。当然，在实际应用中，像素单元中的子像素可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，如图10所示，每一个子像素upx中设置一个驱动电路10和一个发光器件L，这样对显示区的改动较小，甚至未对显示区进行改动。在本公开实施例中，可以使所有像素补偿电路共用一个发光控制电路20。即相当于显示面板中仅设置了一个发光控制电路20，显示区AA中的所有发光器件L的第二电极均与同一个发光控制电路20电连接。例如结合图10所示，发光控制电路20与一个子像素upx中的发光器件L和驱动电路10可以组成一个像素补偿电路。发光控制电路20与另一个子像素upx中的发光器件L和驱动电路10可以组成另一个像素补偿电路。其余以此类推，在此不作赘述。这样可以减少晶体管和信号线的设置，有利于像素布线，提高分辨率。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图10所示，显示面板还可以包括：多条栅线310、多条数据线320以及复位信号线330。其中，一行像素单元中的子像素对应一条栅线310，一列子像素对应一条数据线320。结合图2与图10所示，栅线310与对应的像素单元中驱动电路10的第三晶体管M3的栅极电连接，以通过栅线310向扫描信号端GA传输对应时序的信号。数据线320与对应的像素单元中驱动电路10的第三晶体管M3的第一极电连接，以通过数据线320向数据信号端DA传输对应的信号。并且，驱动电路10的第四晶体管M4的栅极与复位信号线330电连接。进一步地，显示区AA中所有驱动电路10的第四晶体管M4的栅极与同一复位信号线330电连接，即向显示区AA中所有第四晶体管M4的栅极电连接的复位信号端RES传输的信号相同。当然，显示区还可以包括：第一电源信号线以及初始化信号线。具体地，第一电源信号线为网格状结构，每一个驱动电路10中的驱动晶体管M0的第一极D均与第一电源信号线电连接，以通过第一电源信号线传输第一电源信号ELVDD。每一个驱动电路10中的第四晶体管M4的第一极均与初始化信号线电连接，以通过初始化信号线传输电压Vinit的初始化信号。
一般衬底基板具有围绕显示区的非显示区，在具体实施时，在本公开实施例中，如图10所示，非显示区BB围绕显示区AA设置，可以将发光控制电路20位于衬底基板100的非显示区内。其中，非显示区为除衬底基板100的显示区AA之外的区域。这样可以将发光控制电路20中的晶体管与显示区AA中的晶体管同时进行制备，从而可以降低工艺制备难度。
一般为了向显示区AA提供信号，在具体实施时，显示面板还可以包括：驱动芯片、柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)以及印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)中至少一种。其中，驱动芯片可以为驱动集成电路(Integrated Circuit，IC)。发光控制电路可以位于驱动芯片、柔性电路板以及印刷电路板中至少一种内。例如图11所示，发光控制电路20可以设置于印刷电路板200中。需要说明的是，图11仅是示意出发光控制电路20设置于印刷电路板200中的情况，在发光控制电路20设置于驱动芯片中的情况和发光控制电路20设置于柔性电路板中的情况也可以参照图11所示的设置方式，具体在此不作赘述。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图12所示，显示面板还可以包括：栅极驱动电路410以及与各栅线310一一对应的选通控制电路420。其中，各栅线310分别通过对应的选通控制电路420与栅极驱动电路410的一个信号输出端OUT耦接。选通控制电路420被配置为响应于具有第一电平的导通控制信号SEL，将固定电压信号端VGH与对应的栅线310导通；以及响应于具有第二电平的导通控制信号SEL，将连接的信号输出端OUT与对应的栅线310导通。具体地，第一电平可以为高电平，第二电平可以为低电平。或者，第一电平可以为低电平，第二电平可以为高电平，在此不作限定。
在具体实施时，在本公开实施例中，栅极驱动电路410可以通过输入的帧触发信号STV和时钟信号CLK_1～CLK_M(M为时钟信的总数，M的取值可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定)的控制下，逐行向栅线输出扫描信号。例如结合图13所示，仅以第一行像素单元至第三行像素单元对应的栅线310为例，栅极驱动电路410可以向第一行像素单元对应的栅线310输出扫描信号ga_1，向第二行像素单元对应的栅线310输出扫描信号ga_2，向第三行像素单元对应的栅线310输出扫描信号ga_3，其余以此类推，在此不作赘述。
在具体实施时，在本公开实施例中，栅极驱动电路与选通控制电路的结构和工作原理可以与相关技术中的基本相同，在此不作赘述。
在具体实施时，可以使各选通控制电路接收的导通控制信号为同一信号。如图12所示，这样可以使所有选通控制电路420均与同一导通控制信号线340电连接，以通过导通控制信号线340向各选通控制电路420传输导通控制信号SEL。
在具体实施时，如图12所示，可以使各选通控制电路420均与同一导通固定电压信号线350电连接，以通过固定电压信号线350向各选通控制电路420传输固定电压信号VGH。
在具体实施时，帧触发信号STV、时钟信号CLK_1～CLK_M、固定电压信号VGH、导通控制信号SEL、复位信号RE、第一电源信号ELVDD、初始化信号可以是PCB上设置的其余电路或驱动IC提供的，在此不作限定。
下面以图6，图10、图12、以及第一行像素单元至第三行像素单元对应的栅线310为例，结合图14所示的信号时序图，对本公开提供的显示面板的工作过程进行说明。但读者应知，其具体过程不局限于此。
一帧时间可以包括非发光阶段T10和发光阶段T20。其中，非发光阶段T10可以包括：复位阶段T11、阈值补偿阶段T12以及数据写入阶段T13。
在非发光阶段T10中，由于EM1＝1，因此第一晶体管M1一直导通，以将第一电源信号ELVDD提供给每个发光器件L的第二电极，以使每个发光器件L的第二电极的电压为Vdd。并且，由于EM1＝1，因此第二晶体管M2一直截止。
在复位阶段T11，由于SEL＝1，因此栅极驱动电路410的信号输出端OUT与栅线310断开，而固定电压信号端VGH与各栅线310导通，以使各栅线310上的信号为高电平信号，例如，第一行栅线310传输给扫描信号端GA的信号GA_1，第二行栅线310传输给扫描信号端GA的信号GA_2，第三行栅线310传输给扫描信号端GA的信号GA_3。由于GA_1＝1～GA_3＝1，因此，显示区AA中的所有第三晶体管M3可以同时导通，以将数据信号端DA输入的参考电压信号提供给驱动晶体管M0的栅极G，以使每个驱动晶体管M0的栅极G的电压为参考电压信号的电压Vref。由于RES＝1，因此显示区AA中的所有第四晶体管M4导通，以将初始化信号端VINIT输入的初始化信号提供给发光器件L的第一电极，使每个发光器件L的第一电极的电压为初始化信号的电压Vinit。
在阈值补偿阶段T12，由于RES＝0，因此显示区AA中的所有第四晶体管M4截止。由于SEL＝1，因此固定电压信号端VGH与各栅线310导通，以使各栅线310上的信号为高电平信号，例如，第一行栅线310传输给扫描信号端GA的信号GA_1，第二行栅线310传输给扫描信号端GA的信号GA_2，第三行栅线310传输给扫描信号端GA的信号GA_3。由于GA_1＝1～GA_3＝1，因此，显示区AA中的所有第三晶体管M3可以同时导通，以将数据信号端DA输入的参考电压信号提供给驱动晶体管M0的栅极G，以使每个驱动晶体管M0的栅极G的电压为参考电压信号的电压Vref。由于第四晶体管M4截止的瞬间，每个第一电容C1可以保持其两端的电压差仍为Vref-Vinit。由于Vref>Vinit+Vth，因此每个驱动晶体管M0可以导通，从而产生由第一极D流向第二极S的电流，以通过该电流对第一电容C1和第二电容C2进行充电，以使第一电容C1的第二端和第二电容C2的第二端的电压(即NB点的电压)逐渐上升。当NB点的电压VNB1上升到Vref-Vth时，每个驱动晶体管M0截止。并且，每个NB点的电荷QNBT12可以满足公式：QNBT12＝c2(VNB1-Vdd)+c1(VNB1-Vref)+cL(VNB1-Vdd)＝(c2+cL)(Vref-Vth-Vdd)-c1Vth。
在数据写入阶段T13，由于RES＝0，因此显示区AA中的所有第四晶体管M4截止。由于SEL＝0，因此固定电压信号端VGH与各栅线310断开，而栅极驱动电路410的信号输出端OUT与栅线310导通，以使栅极驱动电路410向栅线输出扫描信号，第一行栅线310传输给扫描信号端GA的信号GA_1，第二行栅线310传输给扫描信号端GA的信号GA_2，第三行栅线310传输给扫描信号端GA的信号GA_3，以控制第三晶体管逐行导通。
具体地，由于GA_1＝1，因此第一行各子像素中的第三晶体管M3导通，以将数据信号端DA输入的数据信号提供给驱动晶体管M0的栅极G，并对第一电容C1和第二电容C2充电。在平衡后，驱动晶体管M0的栅极G的电压为数据信号的电压VDA，NB点的电压为VNB2。则此时，NB点的电荷QNBT13可以满足公式：QNBT12＝(c2+cL)(VNB2-Vdd)-c1(Vdata-VNB2)。在数据信号输入的过程中，NB点既没有电荷流入也没有电荷流出，因此T13阶段中NB点的电荷QNBT13＝QNBT12。因此，
Figure BDA0002013807740000211
由于GA_2＝0，因此第二行各子像素中的第三晶体管M3截止。由于GA_3＝0，因此第三行各子像素中的第三晶体管M3截止。其余依次类推，在此不作赘述。
之后，由于GA_2＝1，因此第二行各子像素中的第三晶体管M3导通，以将数据信号端DA输入的数据信号提供给驱动晶体管M0的栅极G，并对第一电容C1和第二电容C2充电。在平衡后，驱动晶体管M0的栅极G的电压为数据信号的电压VDA，NB点的电压为VNB2。则此时，NB点的电荷QNBT13可以满足公式：QNBT12＝(c2+cL)(VNB2-Vdd)-c1(Vdata-VNB2)。在数据信号输入的过程中，NB点既没有电荷流入也没有电荷流出，因此T13阶段中NB点的电荷QNBT13＝QNBT12。因此，
Figure BDA0002013807740000212
由于GA_1＝0，因此第一行各子像素中的第三晶体管M3截止。由于GA_3＝0，因此第三行各子像素中的第三晶体管M3截止。其余依次类推，在此不作赘述。
之后，由于GA_3＝1，因此第三行各子像素中的第三晶体管M3导通，以将数据信号端DA输入的数据信号提供给驱动晶体管M0的栅极G，并对第一电容C1和第二电容C2充电。在平衡后，驱动晶体管M0的栅极G的电压为数据信号的电压VDA，NB点的电压为VNB2。则此时，NB点的电荷QNBT13可以满足公式：QNBT12＝(c2+cL)(VNB2-Vdd)-c1(Vdata-VNB2)。在数据信号输入的过程中，NB点既没有电荷流入也没有电荷流出，因此T13阶段中NB点的电荷QNBT13＝QNBT12。因此，
Figure BDA0002013807740000221
由于GA_1＝0，因此第一行各子像素中的第三晶体管M3截止。由于GA_2＝0，因此第二行各子像素中的第三晶体管M3截止。其余依次类推，在此不作赘述。
在发光阶段T20中，由于SEL＝0，因此栅极驱动电路410的信号输出端OUT与栅线310导通，以使栅极驱动电路410向栅线输出扫描信号，第一行栅线310传输给扫描信号端GA的信号GA_1，第二行栅线310传输给扫描信号端GA的信号GA_2，第三行栅线310传输给扫描信号端GA的信号GA_3，以控制各第三晶体管截止。由于EM1＝0，因此第一晶体管M1一直截止，第二晶体管M2一直导通。由于RES＝0，因此第四晶体管M4截止。导通的第二晶体管M2将第二电源信号ELVSS提供给每个发光器件L的第二电极，以使每个发光器件L的第二电极的电压为Vss。每个驱动晶体管M0在其第二极S的电压VNB2与其栅极G的电压VDA的控制下产生驱动电流IL，
Figure BDA0002013807740000222
以通过驱动电流IL驱动发光器件L发光。
通过上述实施例可以看出，本公开实施例提供的显示面板通过第一晶体管M1控制显示面板处于非显示阶段T10，通过第二晶体管M2控制显示面板处于显示阶段T20，从而可以采用简单的像素补偿电路的结构以使显示面板完全处于非显示阶段，从而可以避免非显示阶段出现残影，提高显示效果。
并且，在复位阶段T11，通过使显示面板中的第三晶体管M3同时打开，可以同时对每个驱动晶体管M0的栅极G写入Vref。以及通过使显示面板中的第四晶体管M4同时打开，可以同时对每个驱动晶体管M0的第二极S写入Vinit，以及同时对发光器件L的第一电极进行复位。这样可以减少栅线的设置。
并且，目前一般采用逐行写入Vth的方式进行阈值补偿，使得补偿Vth的时间仅有一行像素打开的时间，这样导致补偿Vth的时间较短，充电率较低。而本公开实施例提供的显示面板，在阈值补偿阶段T12，通过使显示面板中的每个第三晶体管M3同时打开，以将每个驱动晶体管M0的Vth同时写入其栅极G，之后在数据写入阶段T13中，逐行对每个驱动晶体管M0写入数据信号。这样与逐行写入Vth相比，可以使写入Vth的时间足够长，提高写入Vth的充电率，以解决在高刷新率下Vth写入不充分的问题。并且，还可以仅采用数据线既可以传输参考电压信号，又可以传输数据信号，从而降低信号线的数量。
并且，数据写入阶段T13的维持时长t13可以满足：t13≤tF-(t11+t12+t20)；其中，tF代表一帧时间的维持时长，t11代表一帧时间内的复位阶段T11的维持时长，t12代表一帧时间内的阈值补偿阶段T12的维持时长，t20代表一帧时间内的发光阶段T20的维持时长。一行像素单元扫描的维持时长为t13/K；其中K代表栅线的总数。进一步地，t13可以为k个t13/K的时间，其中k可以正整数，例如k为1至50中的一个数值。并且，还可以通过t20/tF来设置发光器件的亮度。当然，在实际应用中，K及上述维持时长的具体数值可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
本公开实施例提供了另一些显示面板，如图15与图16所示，其针对图10所示的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与图10所示的显示面板的实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图15与图16所示，显示区AA可以包括：多个子显示区aa_y(y为大于1且小于或等于Y的整数，Y为子显示区的总数，图15以Y＝2为例，图16以Y＝4为例)。可以使每一个子显示区aa_y中的所有发光器件L均耦接同一个发光控制电路20，以进行分区域控制。不去，这样还可以发光控制电路20的驱动难度。
在具体实施时，在本公开实施例中，每个子显示区可以包括多个像素单元。或者，每个子显示区也可以仅包括一个子像素。在实际应用中，子显示区的具体实现方式可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图15与图16所示，每一个子显示区aa_y一一对应一个发光控制电路20，并且可以使发光控制电路20位于衬底基板100上对应的子显示区aa_y内。这样可以使发光控制电路距离对应的发光器件L更近。或者，也可以使发光控制电路20位于非显示区内。例如，发光控制电路20位于衬底基板100围绕显示区AA的非显示内。或者发光控制电路20位于驱动芯片、柔性电路板以及印刷电路板中至少一种内。当然，这可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，在本公开实施例中，可以使各子显示区沿第一方向延伸，且各子显示区沿第二方向排列；其中，第一方向与第二方向交叉。具体地，如图15所示，第一方向可以为像素单元的行方向，第二方向可以为像素单元的列方向，各子显示区aa_y沿像素单元的行方向延伸，且各子显示区aa_y沿像素单元的列方向排列。或者，第一方向也可以为像素单元的列方向，第二方向为像素单元的行方向，各子显示区沿像素单元的列方向延伸，且各子显示区沿像素单元的行方向排列。当然，这可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图16所示，也可以使各子显示区aa_y呈矩阵排列方式分布。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了上述显示面板的驱动方法，其中，如图17所示，一帧时间包括：
S100、非发光阶段，至少部分发光控制电路响应于第一发光控制信号，将第一电源信号提供给发光器件的第二电极。具体地，可以使所有发光控制电路响应于第一发光控制信号，将第一电源信号提供给发光器件的第二电极。或者，也可以使部分发光控制电路响应于第一发光控制信号，将第一电源信号提供给发光器件的第二电极。当然，这可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
S200、发光阶段，至少部分发光控制电路响应于第二发光控制信号，将第二电源信号提供给发光器件的第二电极；驱动电路产生向发光器件的第一电极输入的驱动电流，驱动发光器件发光。具体地，可以使所有发光控制电路响应于第二发光控制信号，将第二电源信号提供给发光器件的第二电极；所有驱动电路产生向发光器件的第一电极输入的驱动电流，驱动发光器件发光。或者，也可以使部分发光控制电路响应于第二发光控制信号，将第二电源信号提供给发光器件的第二电极；与该发光控制电路对应的驱动电路产生向发光器件的第一电极输入的驱动电流，驱动发光器件发光。当然，这可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，在本公开实施例中，非发光阶段可以包括：
复位阶段，所有第三晶体管响应于扫描信号端的信号同时导通，将数据信号端的参考电压信号提供给驱动晶体管的栅极；所有第四晶体管响应于复位信号端的信号同时导通，将初始化信号端的信号提供给发光器件的第一电极；
阈值补偿阶段，所有第三晶体管响应于扫描信号端的信号同时导通，将数据信号端的参考电压信号提供给驱动晶体管的栅极；所有驱动晶体管同时导通，将驱动晶体管的阈值电压写入驱动晶体管的第二极；
数据写入阶段，第三晶体管响应于扫描信号端的信号逐行导通，将数据信号端的数据信号提供给驱动晶体管的栅极；并通过第一电容和第二电容，将数据信号的电压写入驱动晶体管的第二极。
其中，该显示面板的驱动方法的驱动原理和具体实施方式与上述实施例显示面板的原理和实施方式相同，因此，该显示面板的驱动方法可参见上述实施例中显示面板的具体实施方式进行实施，在此不再赘述。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了显示装置，包括本公开实施例提供的上述显示面板。该显示装置解决问题的原理与前述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施，重复之处在此不再赘述。
在具体实施时，本公开实施例提供的显示装置可以为如图18所示的手机。当然，本公开实施例提供的显示装置也可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
本公开实施例提供的像素补偿电路、显示面板，驱动方法及显示装置，在非发光阶段，通过发光控制电路响应于第一发光控制信号将第一电源信号提供给发光器件的第二电极，以控制发光器件不发光。在发光阶段，通过驱动电路产生向发光器件的第一电极输入的驱动电流，并通过发光控制电路响应于第二发光控制信号将第二电源信号提供给发光器件的第二电极，以使驱动电流驱动发光器件发光。从而可以采用简单的结构控制发光器件是否发光，进而可以降低工艺难度，降低生产成本，降低像素补偿电路占用面积，以及有利于显示面板实现高分辨率。
显然，本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开实施例的精神和范围。这样，倘若本公开实施例的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (17)

1.一种像素补偿电路，其中，包括：
发光器件；
驱动电路，被配置为产生向所述发光器件的第一电极输入的驱动电流；
发光控制电路，被配置为响应于第一发光控制信号将第一电源信号提供给所述发光器件的第二电极，以及响应于第二发光控制信号将第二电源信号提供给所述发光器件的第二电极；其中，所述第一电源信号与所述第二电源信号的电平相反；
所述驱动电路包括：驱动晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容以及第二电容；
所述驱动晶体管的栅极与所述第一电容的第一端耦接，所述驱动晶体管的第一极被配置为接收所述第一电源信号，所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件的第一电极耦接；
所述第三晶体管的栅极与扫描信号端耦接，所述第三晶体管的第一极与数据信号端耦接，所述第三晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第四晶体管的栅极与复位信号端耦接，所述第四晶体管的第一极与初始化信号端耦接，所述第四晶体管的第二极与所述发光器件的第一电极耦接；
所述第一电容的第二端与所述发光器件的第一电极耦接；
所述第二电容的第一端被配置为接收所述第一电源信号，所述第二电容的第二端与所述发光器件的第一电极耦接；
所述像素补偿电路在一帧时间中的工作过程包括：
非发光阶段，至少部分所述发光控制电路响应于第一发光控制信号，将第一电源信号提供给所述发光器件的第二电极；
发光阶段，至少部分所述发光控制电路响应于第二发光控制信号，将第二电源信号提供给发光器件的第二电极；所述驱动电路产生向所述发光器件的第一电极输入的驱动电流，驱动所述发光器件发光；
其中，所述非发光阶段包括：
复位阶段，所有第三晶体管响应于扫描信号端的信号同时导通，将数据信号端的参考电压信号提供给驱动晶体管的栅极；所有第四晶体管响应于复位信号端的信号同时导通，将初始化信号端的信号提供给所述发光器件的第一电极；
阈值补偿阶段，所有所述第三晶体管响应于所述扫描信号端的信号同时导通，将所述数据信号端的所述参考电压信号提供给所述驱动晶体管的栅极；所有所述驱动晶体管同时导通，将所述驱动晶体管的阈值电压写入所述驱动晶体管的第二极；
数据写入阶段，所述第三晶体管响应于所述扫描信号端的信号逐行导通，将所述数据信号端的数据信号提供给所述驱动晶体管的栅极；并通过所述第一电容和所述第二电容，将所述数据信号的电压写入所述驱动晶体管的第二极。
2.如权利要求1所述的像素补偿电路，其中，所述驱动电路和所述发光器件被配置在显示面板的显示区，所述发光控制电路被配置在所述显示面板的非显示区。
3.如权利要求1或2所述的像素补偿电路，其中，所述发光控制电路包括：第一晶体管和第二晶体管；
所述第一晶体管的栅极被配置为接收所述第一发光控制信号，所述第一晶体管的第一极被配置为接收所述第一电源信号，所述第一晶体管的第二极与所述发光器件的第二电极耦接；
所述第二晶体管的栅极被配置为接收所述第二发光控制信号，所述第二晶体管的第一极被配置为接收所述第二电源信号，所述第二晶体管的第二极与所述发光器件的第二电极耦接。
4.如权利要求3所述的像素补偿电路，其中，所述第一发光控制信号与所述第二发光控制信号为同一信号，所述第一晶体管和所述第二晶体管的晶体管类型不同。
5.如权利要求3所述的像素补偿电路，其中，所述第一发光控制信号与所述第二发光控制信号不同，所述第一晶体管和所述第二晶体管的晶体管类型相同。
6.一种显示面板，其中，包括：衬底基板和多个如权利要求1所述的像素补偿电路；其中，所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；
各所述像素补偿电路中的驱动电路和发光器件位于所述衬底基板的显示区。
7.如权利要求6所述的显示面板，其中，所述发光控制电路位于所述非显示区内。
8.如权利要求6所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：驱动芯片、柔性电路板以及印刷电路板中至少一种；
所述发光控制电路位于所述驱动芯片、柔性电路板以及印刷电路板中至少一种内。
9.如权利要求6所述的显示面板，其中，所述显示区包括：多个子显示区；每一个所述子显示区中的所有发光器件耦接同一个发光控制电路。
10.如权利要求9所述的显示面板，其中，每一个所述子显示区一一对应一个所述发光控制电路，所述发光控制电路位于所述衬底基板上对应的所述子显示区内。
11.如权利要求9或10所述的显示面板，其中，各所述子显示区沿第一方向延伸，且各所述子显示区沿第二方向排列；所述第一方向与所述第二方向交叉。
12.如权利要求9或10所述的显示面板，其中，各所述子显示区呈矩阵排列方式分布。
13.如权利要求6-8任一项所述的显示面板，其中，所有所述像素补偿电路共用一个发光控制电路。
14.如权利要求6-8任一项所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括：多条栅线、栅极驱动电路以及与各所述栅线一一对应的选通控制电路；
各所述栅线分别通过对应的选通控制电路与所述栅极驱动电路的一个信号输出端耦接；
所述选通控制电路被配置为响应于具有第一电平的导通控制信号，将固定电压信号端与对应的所述栅线导通；以及响应于具有第二电平的导通控制信号，将连接的所述信号输出端与对应的所述栅线导通。
15.如权利要求14所述的显示面板，其中，各所述选通控制电路接收的导通控制信号为同一信号。
16.一种显示装置，其中，包括如权利要求6-15任一项所述的显示面板。
17.一种如权利要求6-15任一项所述的显示面板的驱动方法，其中，一帧时间包括：
非发光阶段，至少部分所述发光控制电路响应于第一发光控制信号，将第一电源信号提供给所述发光器件的第二电极；
发光阶段，至少部分所述发光控制电路响应于第二发光控制信号，将第二电源信号提供给发光器件的第二电极；所述驱动电路产生向所述发光器件的第一电极输入的驱动电流，驱动所述发光器件发光；
其中，所述非发光阶段包括：
复位阶段，所有第三晶体管响应于扫描信号端的信号同时导通，将数据信号端的参考电压信号提供给驱动晶体管的栅极；所有第四晶体管响应于复位信号端的信号同时导通，将初始化信号端的信号提供给所述发光器件的第一电极；
阈值补偿阶段，所有所述第三晶体管响应于所述扫描信号端的信号同时导通，将所述数据信号端的所述参考电压信号提供给所述驱动晶体管的栅极；所有所述驱动晶体管同时导通，将所述驱动晶体管的阈值电压写入所述驱动晶体管的第二极；
数据写入阶段，所述第三晶体管响应于所述扫描信号端的信号逐行导通，将所述数据信号端的数据信号提供给所述驱动晶体管的栅极；并通过所述第一电容和所述第二电容，将所述数据信号的电压写入所述驱动晶体管的第二极。
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